KR20120113699A - Substrate processing apparatus and method for manufacturing display element - Google Patents
Substrate processing apparatus and method for manufacturing display element Download PDFInfo
- Publication number
- KR20120113699A KR20120113699A KR1020127009105A KR20127009105A KR20120113699A KR 20120113699 A KR20120113699 A KR 20120113699A KR 1020127009105 A KR1020127009105 A KR 1020127009105A KR 20127009105 A KR20127009105 A KR 20127009105A KR 20120113699 A KR20120113699 A KR 20120113699A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- board
- sheet
- substrate holding
- holding
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 284
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 72
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 70
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 29
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 69
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 39
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 61
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 40
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 22
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 20
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 18
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 15
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 10
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 10
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 8
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 4
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 4
- WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dichloroethane Chemical compound ClCCCl WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 2
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 2
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLGBZMMZGDRARJ-UHFFFAOYSA-N Triphenylene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C2=C1 SLGBZMMZGDRARJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000012461 cellulose resin Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006015 heat resistant resin Polymers 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920013716 polyethylene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 125000005580 triphenylene group Chemical group 0.000 description 1
- 229920006163 vinyl copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
- H01L21/67721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrates to be conveyed not being semiconductor wafers or large planar substrates, e.g. chips, lead frames
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
- B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
- B65G49/00—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for
- B65G49/05—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles
- B65G49/06—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles for fragile sheets, e.g. glass
- B65G49/067—Sheet handling, means, e.g. manipulators, devices for turning or tilting sheet glass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/6776—Continuous loading and unloading into and out of a processing chamber, e.g. transporting belts within processing chambers
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
- B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
- B65G2249/00—Aspects relating to conveying systems for the manufacture of fragile sheets
- B65G2249/04—Arrangements of vacuum systems or suction cups
- B65G2249/045—Details of suction cups suction cups
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
기판 처리 장치는, 기판에 대해서 소정의 처리를 실시하는 처리부와, 해당 처리부에 대해서 이동함과 아울러, 기판의 피처리면(被處理面)을 형성시키면서 기판을 유지하는 기판 유지부를 구비한다. The substrate processing apparatus includes a processing portion that performs a predetermined process on the substrate, and a substrate holding portion that holds the substrate while moving to the processing portion and forming a to-be-processed surface of the substrate.
Description
본 발명은, 기판 처리 장치 및 표시 소자의 제조 방법에 관한 것이다. TECHNICAL FIELD This invention relates to the manufacturing method of a substrate processing apparatus and a display element.
본원은, 2009년 11월 26일에, 일본에 출원된 특원 2009-268789호에 근거하여 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.
This application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2009-268789 for which it applied to Japan on November 26, 2009, and uses the content here.
디스플레이 장치 등의 표시장치를 구성하는 표시 소자로서, 예를 들면 유기 일렉트로루미네선스(유기 EL) 소자가 알려져 있다. 유기 EL소자는, 기판 상에 양극 및 음극을 가짐과 아울러, 이들 양극과 음극과의 사이에 끼워진 유기 발광층을 가지는 구성으로 되어 있다. 유기 EL소자는, 양극으로부터 유기 발광층에 정공(正孔)을 주입하여 유기 발광층에서 정공과 전자를 결합시키고, 해당 결합시의 발광광(發光光)에 의해서 표시광(表示光)이 얻어지도록 되어 있다. 유기 EL소자는, 기판 상에 예를 들면 양극 및 음극에 접속되는 전기 회로 등이 형성되어 있다. As a display element which comprises display apparatuses, such as a display apparatus, organic electroluminescent (organic EL) element is known, for example. The organic EL device has an anode and a cathode on a substrate, and has an organic light emitting layer sandwiched between these anodes and cathodes. In the organic EL device, holes are injected from the anode into the organic light emitting layer to bond holes and electrons in the organic light emitting layer, and display light is obtained by the light emitted during the bonding. have. In the organic EL device, for example, an electric circuit connected to an anode and a cathode is formed on a substrate.
유기 EL소자를 제작하는 방법의 하나로서, 예를 들면 롤·투·롤(roll·to·roll) 방식(이하, 단지 「롤 방식」으로 표기함)으로 불리는 방법이 알려져 있다(예를 들면, 특허 문헌 1 참조). 롤 방식은, 기판 공급측의 롤러에 감겨진 1매의 시트 모양의 기판을 송출함과 아울러 송출된 기판을 기판 회수측의 롤러에서 권취하면서 기판을 반송하고, 기판이 송출되고 나서 권취될 때까지의 사이에, 처리 장치에서, 유기 EL소자를 구성하는 발광층이나 양극, 음극, 전기 회로 등을 기판 상에 순차적으로 형성하는 방법이다.
As one of the methods of manufacturing an organic EL element, the method called the roll-to-roll system (henceforth only a "roll system") is known (for example, See Patent Document 1). The roll method conveys a board | substrate, sending out the sheet-like board | substrate wound around the roller of the board | substrate supply side, winding up the board | substrate which was sent out by the roller of the board | substrate collection | recovery side, In the processing apparatus, a light emitting layer, an anode, a cathode, an electric circuit, and the like constituting an organic EL element are sequentially formed on a substrate.
그렇지만, 이와 같은 롤 방식에서는, 예를 들면 판 두께가 얇은 기판을 이용하는 경우, 기판의 평탄성(平坦性)을 확보하기 곤란하다고 하는 문제가 있었다. 이 때문에, 발광층이나 전극 등의 형성 처리나 얼라이먼트 처리 등에서의 처리 정밀도의 향상이 방해되고 있었다. However, in such a roll system, when using a board | substrate with a thin plate thickness, there existed a problem that it was difficult to ensure flatness of a board | substrate. For this reason, the improvement of the processing precision in the formation process, alignment process, etc. of a light emitting layer, an electrode, etc. was hindered.
본 발명에 관한 형태는, 처리 정밀도가 뛰어난 기판 처리 장치 및 표시 소자의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. The aspect which concerns on this invention aims at providing the board | substrate processing apparatus excellent in processing precision, and the manufacturing method of a display element.
본 발명에 관한 형태에서의 기판 처리 장치는, 기판에 대해서 소정의 처리를 실시하는 처리부와, 해당 처리부에 대해서 이동함과 아울러, 기판의 피처리면(被處理面)을 형성시키면서 기판을 유지하는 기판 유지부를 구비한다. A substrate processing apparatus according to the aspect of the present invention is a substrate that holds a substrate while moving to the processing portion and the processing portion that performs a predetermined treatment with respect to the substrate and forming a to-be-processed surface of the substrate. A holding part is provided.
본 발명에 관한 형태에서의 표시 소자의 제조 방법은, 기판의 피처리면(被處理面)에 대해서 소정의 처리를 실시하는 처리 공정과, 기판 유지부에 의해서 기판의 피처리면을 형성시키면서 기판을 유지하는 기판 유지 공정과, 무단상(無端狀)의 지지 부재에 배치된 기판 유지부를 기판의 반송 방향으로 이동시키는 이동 공정을 가진다.The manufacturing method of the display element in the aspect which concerns on this invention hold | maintains a board | substrate, forming a to-be-processed surface of a board | substrate by the process process of performing a predetermined process with respect to the to-be-processed surface of a board | substrate, and a board | substrate holding part. It has a board | substrate holding process and the moving process which moves the board | substrate holding part arrange | positioned at an endless support member to a conveyance direction of a board | substrate.
본 발명에 관한 형태에 의하면, 처리 정밀도가 뛰어난 기판 처리 장치 및 표시 소자의 제조 방법을 제공할 수 있다.
According to the aspect which concerns on this invention, the manufacturing method of the substrate processing apparatus and display element excellent in the processing precision can be provided.
도 1a는 유기 EL소자의 구성도.
도 1b는 도 1a에서의 유기 EL소자의 b-b단면도.
도 1c는 도 1a에서의 유기 EL소자의 c-c단면도.
도 2는 기판 처리 장치의 구성을 나타내는 도면.
도 3은 기판 처리부의 구성을 나타내는 도면.
도 4는 액적(液滴) 도포 장치의 구성을 나타내는 도면.
도 5는 반송 기구의 구성을 나타내는 도면.
도 6은 반송 기구의 구성을 나타내는 도면.
도 7은 반송 기구의 구성을 나타내는 도면.
도 8은 반송 기구의 구성을 나타내는 도면.
도 9는 반송 기구의 구성을 나타내는 도면.
도 10은 기판 처리부의 격벽 형성 공정을 나타내는 도면.
도 11은 시트 기판에 형성되는 격벽의 형상 및 배치를 나타내는 도면.
도 12는 시트 기판에 형성되는 격벽의 단면도.
도 13a는 액적의 도포 동작을 나타내는 도면.
도 13b는 격벽 사이에 도포되는 액적의 단면도.
도 14a는 격벽 사이에 형성되는 박막의 단면도.
도 14b는 격벽 사이에 형성되는 박막의 구성을 나타내는 도면.
도 15는 시트 기판에 게이트 절연층을 형성하는 공정을 나타내는 도면.
도 16은 시트 기판의 배선을 절단하는 공정을 나타내는 도면.
도 17은 소스 드레인 형성 영역에 박막을 형성하는 공정을 나타내는 도면.
도 18은 유기 반도체층을 형성하는 공정을 나타내는 도면.
도 19는 얼라이먼트의 일예를 나타내는 도면.
도 20은 반송 기구의 동작을 나타내는 도면.
도 21은 반송 기구의 변형예를 나타내는 도면. 1A is a configuration diagram of an organic EL element.
1B is a b-b cross-sectional view of the organic EL element in FIG. 1A.
1C is a c-c cross-sectional view of the organic EL element in FIG. 1A.
2 is a diagram illustrating a configuration of a substrate processing apparatus.
3 is a diagram illustrating a configuration of a substrate processing unit.
4 is a diagram illustrating a configuration of a droplet applying apparatus.
5 is a diagram illustrating a configuration of a transport mechanism.
6 is a diagram illustrating a configuration of a conveyance mechanism.
7 is a diagram illustrating a configuration of a conveyance mechanism.
8 is a diagram illustrating a configuration of a conveyance mechanism.
9 is a diagram illustrating a configuration of a conveyance mechanism.
10 is a view showing a partition wall forming step of a substrate processing unit;
11 is a view showing the shape and arrangement of partition walls formed on a sheet substrate.
12 is a cross-sectional view of a partition wall formed on a sheet substrate.
13A is a view showing an application operation of droplets.
13B is a cross sectional view of a droplet applied between partition walls;
14A is a sectional view of a thin film formed between partition walls;
14B is a diagram illustrating a configuration of a thin film formed between partition walls.
FIG. 15 shows a process of forming a gate insulating layer on a sheet substrate; FIG.
The figure which shows the process of cutting the wiring of a sheet | seat board | substrate.
17 is a diagram showing a step of forming a thin film in a source drain formation region.
18 shows a step of forming an organic semiconductor layer.
19 shows an example of alignment;
20 is a diagram illustrating an operation of a conveyance mechanism.
21 is a diagram illustrating a modification of the transport mechanism.
[제1실시 형태][First Embodiment]
이하, 도면을 참조하여, 본 발명에 관한 제1실시 형태를 설명한다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, with reference to drawings, 1st Embodiment which concerns on this invention is described.
(유기 EL소자) (Organic EL device)
도 1a는, 유기 EL소자의 구성을 나타내는 평면도이다. 도 1b는, 도 1a에서의 b-b 단면도이다. 도 1c는, 도 1a에서의 c-c 단면도이다. 1A is a plan view showing the structure of an organic EL element. FIG. 1: B is sectional drawing b-b in FIG. 1A. FIG. 1C is a cross-sectional view taken along line c-c in FIG. 1A.
도 1a 내지 도 1c에 나타내는 바와 같이, 유기 EL소자(50)는, 시트 기판(FB)에 게이트 전극(G) 및 게이트 절연층(I)이 형성되고, 그 위에 소스 전극(S), 드레인 전극(D) 및 화소 전극(P)이 형성된 후, 유기 반도체층(OS)이 형성된 보텀 컨택트(bottom contact)형이다. 1A to 1C, in the
도 1b에 나타내는 바와 같이, 게이트 전극(G) 상에 게이트 절연층(I)이 형성되어 있다. 게이트 절연층(I) 상에는 소스 버스 라인(source bus line, SBL)의 소스 전극(S)이 형성됨과 아울러, 화소 전극(P)와 접속한 드레인 전극(D)이 형성되어 있다. 소스 전극(S)와 드레인 전극(D)과의 사이에는 유기 반도체층(OS)이 형성되어 있다. 이것으로 전계 효과형 트랜지스터가 완성하게 된다. 또, 화소 전극(P) 상에는, 도 1b 및 도 1c에 나타내는 바와 같이, 발광층(IR)이 형성되고, 그 발광층(IR)에는 투명 전극(ITO)이 형성된다. As shown in FIG. 1B, the gate insulating layer I is formed on the gate electrode G. As shown in FIG. On the gate insulating layer I, a source electrode S of a source bus line SBL is formed, and a drain electrode D connected to the pixel electrode P is formed. An organic semiconductor layer OS is formed between the source electrode S and the drain electrode D. FIG. This completes the field effect transistor. Moreover, on the pixel electrode P, as shown to FIG. 1B and 1C, the light emitting layer IR is formed and the transparent electrode ITO is formed in this light emitting layer IR.
도 1b 및 도 1c에 나타내어진 바와 같이, 예를 들면, 시트 기판(FB)에는 격벽(BA, 뱅크(bank)층)이 형성되어 있다. 그리고 도 1c에 나타내는 바와 같이 소스 버스 라인(SBL)이 격벽(BA) 사이에 형성되어 있다. 이와 같이, 격벽(BA)이 존재함으로써, 소스 버스 라인(SBL)이 고정밀도로 형성됨과 아울러, 화소 전극(P) 및 발광층(IR)도 정확하게 형성되어 있다. 또한, 도 1b 및 도 1c에서는 나타내어져 있지 않지만, 게이트 버스 라인(GBL)도 소스 버스 라인(SBL)과 마찬가지로 격벽(BA) 사이에 형성되어 있다. As shown in FIGS. 1B and 1C, for example, partition walls BA and bank layers are formed in the sheet substrate FB. As shown in FIG. 1C, the source bus line SBL is formed between the partitions BA. In this way, the presence of the partition BA allows the source bus line SBL to be formed with high accuracy, and the pixel electrode P and the light emitting layer IR are also formed accurately. Although not shown in FIGS. 1B and 1C, the gate bus line GBL is also formed between the partitions BA similarly to the source bus line SBL.
이 유기 EL소자(50)는, 예를 들면 디스플레이 장치 등의 표시장치를 시작으로, 전자기기의 표시부 등에도 매우 바람직하게 이용된다. 이 경우, 예를 들면 유기 EL소자(50)를 패널 모양으로 형성한 것이 이용된다. 이와 같은 유기 EL소자(50)의 제조에서는, 박막 트랜지스터(TFT), 화소 전극이 형성된 기판을 형성할 필요가 있다. 그 기판 상의 화소 전극 상에 발광층을 포함하는 하나 이상의 유기 화합물층(발광소자층)을 정밀도 좋게 형성하기 위해서, 화소 전극의 경계 영역에 격벽(BA, 뱅크층)을 용이하게 정밀도 좋게 형성하는 것이 바람직하다. This
(기판 처리 장치) (Substrate processing unit)
도 2는, 가요성(可撓性)을 가지는 시트 기판(FB)을 이용하여 처리를 실시하는 기판 처리 장치(100)의 구성을 나타내는 개략도이다. 2 is a schematic diagram showing the configuration of a
기판 처리 장치(100)는, 띠 모양의 시트 기판(FB)을 이용하여 도 1a 내지 도 1c에 나타내는 유기 EL소자(50)를 형성하는 장치이다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 장치(100)는, 기판 공급부(101), 기판 처리부(102), 기판 회수부(103) 및 제어부(104)를 가지고 있다. 시트 기판(FB)은, 기판 공급부(101)로부터 기판 처리부(102)를 거쳐 기판 회수부(103)로 반송되도록 되어 있다. 제어부(104)는, 기판 처리 장치(100)의 동작을 통괄적으로 제어한다. The
이하의 설명에서는, XYZ 직교좌표계를 설정하고, 이 XYZ 직교좌표계를 참조하면서 각 부재의 위치 관계에 대해서 설명한다. 수평면내 중 시트 기판(FB)의 반송 방향을 X축 방향, 수평면내에서 X축 방향과 직교하는 방향을 Y축 방향, X축 방향 및 Y축 방향의 각각과 직교하는 방향(즉 연직 방향)을 Z축 방향으로 한다. 또, X축, Y축, 및 Z축 둘레의 회전(경사) 방향을 각각, θX, θY, 및 θZ 방향으로 한다. In the following description, the positional relationship of each member is demonstrated, setting an XYZ rectangular coordinate system and referring this XYZ rectangular coordinate system. In the horizontal plane, the direction in which the conveyance direction of the sheet substrate FB is in the X axis direction, and the direction orthogonal to the X axis direction in the horizontal plane is the direction orthogonal to each of the Y axis direction, the X axis direction and the Y axis direction (that is, the vertical direction). Set it to the Z-axis direction. In addition, the rotation (inclination) directions around the X-axis, Y-axis, and Z-axis are respectively θX, θY, and θZ directions.
시트 기판(FB)으로서는, 예를 들면 내열성의 수지 필름, 스테인리스강 등을 이용할 수 있다. 예를 들면, 수지 필름은, 폴리에틸렌 수지, 폴리프로필렌 수지, 폴리에스테르 수지, 에틸렌 비닐 공중합체 수지, 폴리염화비닐 수지, 셀룰로오스 수지, 폴리아미드 수지, 폴리이미드 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리스티렌 수지, 아세트산 비닐 수지 등의 재료를 이용할 수 있다. 시트 기판(FB)의 Y 방향의 치수는 예를 들면 1m ~ 2m 정도로 형성되어 있고, X 방향의 치수는 예를 들면 10m 이상으로 형성되어 있다. 물론, 이 치수는 일례에 불과하며, 이것에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면 시트 기판(FB)의 Y 방향의 치수가 50cm 이하라도 상관없고, 2m 이상이라도 상관없다. 또, 시트 기판(FB)의 X 방향의 치수가 10m 이하라도 상관없다. 또한, 본 실시 형태에서의 가요성이란, 예를 들면 기판에 적어도 자중(自重) 정도의 소정의 힘을 가해도 단선이나 파단하지 않고, 해당 기판을 휘어지게 하는 것이 가능한 성질을 말한다. 또, 상기 가요성은, 해당 기판의 재질, 크기, 두께, 또는 온도 등의 환경 등에 따라서 변한다. As the sheet | seat board | substrate FB, a heat resistant resin film, stainless steel, etc. can be used, for example. For example, the resin film is polyethylene resin, polypropylene resin, polyester resin, ethylene vinyl copolymer resin, polyvinyl chloride resin, cellulose resin, polyamide resin, polyimide resin, polycarbonate resin, polystyrene resin, vinyl acetate Materials, such as resin, can be used. The dimension of the Y direction of the sheet | seat board | substrate FB is formed in 1 m-about 2 m, for example, and the dimension of X direction is formed in 10 m or more, for example. Of course, this dimension is merely an example, and the present invention is not limited thereto. For example, the dimension of the Y direction of the sheet | seat board | substrate FB may be 50 cm or less, and may be 2 m or more. Moreover, the dimension of the X direction of the sheet | seat board | substrate FB may be 10 m or less. In addition, the flexibility in this embodiment means the property which can bend the said board | substrate, without disconnection or breaking even if the board | substrate has a predetermined force of at least about self-weight, for example. Moreover, the said flexibility changes with the environment, such as the material, size, thickness, or temperature of the said board | substrate.
시트 기판(FB)은, 예를 들면 200℃ 정도의 열을 받아도 치수가 변하지 않도록 열팽창 계수가 작은 것이 바람직하다. 예를 들면, 무기 필러(filler)를 수지 필름에 혼합하여 열팽창 계수를 작게 할 수 있다. 무기 필러의 예로서는, 산화 티탄, 산화 아연, 알루미나, 산화 규소 등을 들 수 있다. It is preferable that the sheet | seat board | substrate FB has a small thermal expansion coefficient so that a dimension does not change even if it receives the heat of about 200 degreeC, for example. For example, an inorganic filler can be mixed with a resin film and a thermal expansion coefficient can be made small. As an example of an inorganic filler, titanium oxide, zinc oxide, alumina, silicon oxide, etc. are mentioned.
기판 공급부(101)는, 기판 처리부(102)에 마련되는 공급측 접속부(102A)에 접속되어 있다. 기판 공급부(101)는, 예를 들면 롤 모양으로 감긴 시트 기판(FB)을 기판 처리부(102)에 공급한다. 기판 회수부(103)는, 기판 처리부(102)에서 처리된 후의 시트 기판(FB)을 회수한다. 또한, 기판 공급부(101)에서는, 시트 기판(FB)이 롤 모양으로 감긴 상태로 수용되어 있는 구성에 한정되지 않고, 예를 들면 시트 기판(FB)이 겹겹이 쌓인 상태로 수용되어 있는 구성이라도 상관없다. 또한, 해당 쌓인 상태에는, 주름이 생기지 않고, 기판에 적어도 자중 정도의 소정의 힘을 가해도 단선이나 파단하지 않는 상태도 포함된다. The
도 3은, 기판 처리부(102)의 구성을 나타내는 도면이다. 3 is a diagram illustrating the configuration of the
도 3에 나타내는 바와 같이, 기판 처리부(102)는, 반송부(105), 소자 형성부(106), 얼라이먼트부(107) 및 기판 절단부(108)를 가지고 있다. 기판 처리부(102)는, 기판 공급부(101)로부터 공급되는 시트 기판(FB)을 반송하면서, 해당 시트 기판(FB)에 상기 유기 EL소자(50)의 각 구성요소를 형성하며, 유기 EL소자(50)가 형성된 시트 기판(FB)을 기판 회수부(103)로 송출하는 부분이다. As shown in FIG. 3, the
소자 형성부(106)은, 격벽 형성부(91), 전극 형성부(92) 및 발광층 형성부(93)를 가지고 있다. 격벽 형성부(91), 전극 형성부(92) 및 발광층 형성부(93)는, 시트 기판(FB)의 반송 방향의 상류측으로부터 하류측에 걸쳐, 격벽 형성부(91), 전극 형성부(92) 및 발광층 형성부(93)의 순서로 배치되어 있다. 이하, 소자 형성부(106)의 각 구성을 설명한다. The
격벽 형성부(91)는, 임프린트(imprint) 롤러(110) 및 열전사(熱轉寫) 롤러(115)를 가지고 있다. 격벽 형성부(91)는, 기판 공급부(101)로부터 송출된 시트 기판(FB)에 대해서 격벽(BA)을 형성한다. 격벽 형성부(91)에서는, 임프린트 롤러(110)로 시트 기판(FB)을 가압함과 아울러, 가압한 격벽(BA)이 형상을 유지하도록 열전사 롤러(115)로 시트 기판(FB)을 유리 전이점 이상으로 가열한다. 이 때문에, 임프린트 롤러(110)의 롤러 표면에 형성된 틀 형상이 시트 기판(FB)에 전사(轉寫)되도록 되어 있다. 시트 기판(FB)은, 열전사 롤러(115)에 의해서 예를 들면 200℃ 정도로 가열되도록 되어 있다. The
임프린트 롤러(110)의 롤러 표면은 경면(鏡面) 가공되어 있으며, 그 롤러 표면에 SiC, Ta 등의 재료로 구성된 미세 임프린트용 몰드(111)가 장착되어 있다. 미세 임프린트용 몰드(111)는, 박막 트랜지스터의 배선용 스탬퍼(stamper) 및 칼라 필터용 스탬퍼를 형성하고 있다. The roller surface of the
임프린트 롤러(110)는, 미세 임프린트용 몰드(111)를 이용하여, 시트 기판(FB)에 얼라이먼트 마크(AM)를 형성한다. 시트 기판(FB)의 폭방향인 Y축 방향의 양측에 얼라이먼트 마크(AM)를 형성하기 위해, 미세 임프린트용 몰드(111)는, 얼라이먼트 마크(AM)용 스탬퍼를 가지고 있다. The
전극 형성부(92)는, 격벽 형성부(91)의 +X측에 마련되어 있으며, 예를 들면 유기 반도체를 이용한 박막 트랜지스터를 형성한다. 구체적으로는, 도 1a 내지 도 1c에서 나타내는 바와 같은 게이트 전극(G), 게이트 절연층(I), 소스 전극(S), 드레인 전극(D) 및 화소 전극(P)을 형성한 후, 유기 반도체층(OS)을 형성한다. The
박막 트랜지스터(TFT)로서는, 무기 반도체계(系)의 것이라도 좋고, 유기 반도체를 이용한 것이라도 좋다. 무기 반도체의 박막 트랜지스터는, 어모퍼스 실리콘(amorphous silicon)계의 것이 알려져 있지만, 유기 반도체를 이용한 박막 트랜지스터라도 괜찮다. 이 유기 반도체를 이용하여 박막 트랜지스터를 구성하면, 인쇄 기술이나 액적(液滴) 도포법 기술을 활용하여 박막 트랜지스터를 형성할 수 있다. 또, 유기 반도체를 이용한 박막 트랜지스터 중, 도 1a 내지 도 1c에 나타낸 바와 같은 전계 효과형 트랜지스터(FET)가 특히 바람직하다. The thin film transistor TFT may be an inorganic semiconductor system or an organic semiconductor may be used. Although an inorganic silicon thin film transistor is known as an inorganic semiconductor thin film transistor, a thin film transistor using an organic semiconductor may be used. If a thin film transistor is formed using this organic semiconductor, a thin film transistor can be formed using a printing technique or a droplet coating technique. Among the thin film transistors using organic semiconductors, field effect transistors (FETs) as shown in Figs. 1A to 1C are particularly preferable.
전극 형성부(92)는, 액적 도포 장치(120)나 열처리 장치(BK), 절단 장치(130) 등을 가지고 있다. The
본 실시 형태에서는, 액적 도포 장치(120)로서, 예를 들면 게이트 전극(G)을 형성할 때에 이용되는 액적 도포 장치(120G), 게이트 절연층(I)을 형성할 때에 이용되는 액적 도포 장치(120I), 소스 전극(S), 드레인 전극(D) 및 화소 전극(P)을 형성할 때에 이용되는 액적 도포 장치(120SD), 유기 반도체(OS)를 형성할 때에 이용되는 액적 도포 장치(120OS) 등이 이용되고 있다. In the present embodiment, as the
도 4는, 액적 도포 장치(120)의 구성을 나타내는 평면도이다. 도 4에서는, 액적 도포 장치(120)를 +Z측으로부터 보았을 때의 구성을 나타내고 있다. 액적 도포 장치(120)는, Y축 방향으로 길게 형성되어 있다. 액적 도포 장치(120)에는 도시하지 않은 구동 장치가 마련되어 있다. 액적 도포 장치(120)는, 해당 구동 장치에 의해, 예를 들면 X 방향, Y 방향 및 θZ 방향으로 이동 가능하게 되어 있다. 4 is a plan view showing the configuration of the
액적 도포 장치(120)에는, 복수의 노즐(122)이 형성되어 있다. 노즐(122)은, 액적 도포 장치(120) 중 시트 기판(FB)과의 대향면에 마련되어 있다. 노즐(122)은, 예를 들면 Y축 방향을 따라서 배열되어 있고, 해당 노즐(122)의 열(노즐 열)이 예를 들면 2열 형성되어 있다. 제어부(104)는, 모든 노즐(122)에 일괄하여 액적을 도포시킬 수도 있고, 각 노즐(122)에 대해서 액적을 도포시키는 타이밍을 개별적으로 조정할 수도 있도록 되어 있다. A plurality of
액적 도포 장치(120)로서는, 예를 들면 잉크젯 방식이나 디스펜서(dispenser) 방식 등을 채용할 수 있다. 잉크젯 방식으로서는, 대전(帶電) 제어 방식, 가압 진동 방식, 전기 기계 변환식, 전기 열변환 방식, 정전(靜電) 흡인 방식 등을 들 수 있다. 액적 도포법은, 재료의 사용에 낭비가 적고, 게다가 원하는 위치에 원하는 양의 재료를 적확(的確)하게 배치할 수 있다. 또한, 액적 도포법에 의해 도포되는 메탈 잉크의 한 방울 양은, 예를 들면 1 ~ 300 나노그램(nanogram)이다. As the
도 3으로 돌아와서, 액적 도포 장치(120G)는, 게이트 버스 라인(GBL)의 격벽(BA) 내에 메탈 잉크를 도포한다. 액적 도포 장치(120I)는, 스위칭부에 폴리이미드계 수지 또는 우레탄계 수지의 전기 절연성 잉크를 도포한다. 액적 도포 장치(120SD)는, 소스 버스 라인(SBL)의 격벽(BA) 내 및 화소 전극(P)의 격벽(BA) 내에 메탈 잉크를 도포한다. 액적 도포 장치(120OS)는, 소스 전극(S)과 드레인 전극(D)과의 사이의 스위칭부에 유기 반도체 잉크를 도포한다. Returning to FIG. 3, the
메탈 잉크는, 입자 지름이 약 5nm 정도의 도전체가 실온의 용매 내에서 안정하여 분산을 하는 액체이며, 도전체로서 카본, 은(Ag) 또는 금(Au) 등이 이용된다. 유기 반도체 잉크를 형성하는 화합물은, 단결정 재료라도 어모퍼스 재료라도 좋고, 저분자라도 고분자라도 좋다. 유기 반도체 잉크를 형성하는 화합물 중 특히 바람직한 것으로서는, 펜타센(pentacene)이나 트리페닐렌(triphenylene), 안트라센(anthracene) 등으로 대표되는 축환계(縮環系) 방향족 탄화수소 화합물의 단결정 또는 π공역계(共役系) 고분자 등을 들 수 있다. The metal ink is a liquid in which a conductor having a particle diameter of about 5 nm is stable and dispersed in a solvent at room temperature, and carbon, silver (Ag), gold (Au), or the like is used as the conductor. The compound forming the organic semiconductor ink may be a single crystal material or an amorphous material, or may be a low molecule or a polymer. Particularly preferred among the compounds forming the organic semiconductor ink is a monocrystal or π-conjugated system of a cyclic aromatic aromatic hydrocarbon compound represented by pentacene, triphenylene, anthracene, or the like. And polymers.
열처리 장치(BK)는, 각 액적 도포 장치(120)의 +X측(기판 반송 방향 하류측)에 각각 배치되어 있다. 열처리 장치(BK)는, 시트 기판(FB)에 대해서 예를 들면 열풍이나 원적외선 등을 방사 가능하게 되어 있다. 열처리 장치(BK)는, 이들 방사열을 이용하여, 시트 기판(FB)에 도포된 액적을 건조 또는 소성(베이킹)하여 경화시킨다. Heat treatment apparatus BK is arrange | positioned at the + X side (substrate conveyance direction downstream side) of each
절단 장치(130)는, 액적 도포 장치(120SD)의 +X측으로 액적 도포 장치(120OS)의 상류측에 마련되어 있다. 절단 장치(130)는, 예를 들면 레이저 광 등을 이용하여, 액적 도포 장치(120SD)에 의해서 형성되는 소스 전극(S)과 드레인 전극(D)을 절단한다. 절단 장치(130)는, 도시하지 않은 광원과, 해당 광원으로부터의 레이저 광을 시트 기판(FB) 상에 조사시키는 갈바노 미러(galvano mirror, 131)를 가지고 있다. The
레이저 광의 종류로서는, 절단하는 금속막에 대해, 흡수하는 파장의 레이저가 바람직하고, 파장 변환 레이저로, YAG 등의 2, 3, 4배 고조파(高調波)가 좋다. 또 펄스형 레이저를 이용함으로써 열확산을 방지하고, 절단부 이외의 손상을 저감할 수 있다. 재료가 알루미늄의 경우, 760nm 파장의 펨토초(femtosecond) 레이저가 바람직하다. As a kind of laser light, the laser of the wavelength which absorbs with respect to the metal film to cut | disconnect is preferable, and 2, 3, 4 times harmonics, such as YAG, are preferable as a wavelength conversion laser. Moreover, by using a pulsed laser, thermal diffusion can be prevented and damages other than a cutting part can be reduced. If the material is aluminum, a femtosecond laser of 760 nm wavelength is preferred.
본 실시 형태에서는, 예를 들면 광원으로서 티탄 사파이어(Titan sapphire) 레이저를 사용한 펨토초 레이저 조사부를 이용하고 있다. 해당 펨토초 레이저 조사부는, 레이저 광(LL)을 예를 들면 10KHz로부터 40KHz의 펄스로 조사하도록 되어 있다. In this embodiment, the femtosecond laser irradiation part which used the titanium sapphire laser as a light source is used, for example. The femtosecond laser irradiation unit is configured to irradiate the laser light LL with a pulse of 10 KHz to 40 KHz, for example.
본 실시 형태에서는 펨토초 레이저를 사용하기 때문에, 서브미크론 오더(submicron order)의 가공이 가능하고, 전계 효과형 트랜지스터의 성능을 결정하는 소스 전극(S)과 드레인 전극(D)과의 간격을 정확히 절단할 수 있도록 되어 있다. 소스 전극(S)과 드레인 전극(D)과의 간격은, 예를 들면 3μm 정도로부터 30μm 정도이다. Since the femtosecond laser is used in the present embodiment, the submicron order can be processed, and the gap between the source electrode S and the drain electrode D which accurately determines the performance of the field effect transistor is accurately cut. I can do it. The interval between the source electrode S and the drain electrode D is, for example, about 3 μm to about 30 μm.
상술한 펨토초 레이저 이외에도, 예를 들면 탄산 가스 레이저 또는 그린 레이저 등을 사용하는 것도 가능하다. 또, 레이저 이외에도 다이싱 소(dicing saw) 등으로 기계적으로 절단하는 구성으로 해도 좋다. In addition to the femtosecond laser described above, for example, a carbon dioxide gas laser, a green laser, or the like can be used. Moreover, it is good also as a structure which cuts mechanically with a dicing saw etc. other than a laser.
갈바노 미러(131)는, 레이저 광(LL)의 광로에 배치되어 있다. 갈바노 미러(131)는, 광원으로부터의 레이저 광(LL)을 시트 기판(FB) 상에 반사시킨다. 갈바노 미러(131)는, 예를 들면 θX 방향, θY 방향 및 θZ 방향으로 회전 가능하게 마련되어 있다. 갈바노 미러(131)가 회전함으로써, 레이저 광(LL)의 조사 위치가 변화하도록 되어 있다. The
상기 격벽 형성부(91) 및 전극 형성부(92)의 양방 모두를 이용함으로써, 이른바 포토그래피(photography) 공정을 사용하지 않더라도, 인쇄 기술이나 액적 도포법 기술을 활용하여 박막 트랜지스터 등을 형성할 수 있도록 되어 있다. 예를 들면 인쇄 기술이나 액적 도포법 기술 등이 이용되는 전극 형성부(92)만을 이용한 경우, 잉크의 번짐이나 퍼짐 때문에 정밀도 좋게 박막 트랜지스터 등을 얻을 수 없는 경우가 있다. By using both of the
이것에 대해서, 격벽 형성부(91)를 이용함으로써 격벽(BA)이 형성되기 때문에, 잉크의 번짐이나 퍼짐이 방지되도록 되어 있다. 또 박막 트랜지스터의 성능을 결정하는 소스 전극(S)과 드레인 전극(D)과의 간격은, 레이저 가공 또는 기계 가공에 의해 형성되도록 되어 있다. On the other hand, since the partition BA is formed by using the
발광층 형성부(93)는, 전극 형성부(92)의 +X측에 배치되어 있다. 발광층 형성부(93)는, 전극이 형성된 시트 기판(FB) 상에, 예를 들면 유기 EL장치의 구성요소인 발광층(IR)이나 화소 전극(ITO) 등을 형성한다. 발광층 형성부(93)는, 액적 도포 장치(140) 및 열처리 장치(BK)를 가지고 있다. The light emitting
발광층 형성부(93)에서 형성되는 발광층(IR)은, 호스트(host) 화합물과 인광성(燐光性) 화합물('인광 발광성 화합물'이라고도 말함)이 함유된다. 호스트 화합물이란, 발광층에 함유되는 화합물이다. 인광성 화합물은, 여기 삼중항(勵起 三重項)으로부터의 발광이 관측되는 화합물이며, 실온에서 인광 발광한다. The light emitting layer IR formed in the light emitting
본 실시 형태에서는, 액적 도포 장치(140)로서, 예를 들면 적색 발광층을 형성하는 액적 도포 장치(140Re), 녹색 발광층을 형성하는 액적 도포 장치(140Gr), 청색 발광층을 형성하는 액적 도포 장치(140Bl), 절연층을 형성하는 액적 도포 장치(140I) 및 화소 전극(ITO)을 형성하는 액적 도포 장치(140IT) 등이 이용되고 있다. In this embodiment, as the
액적 도포 장치(140)로서는, 상기 액적 도포 장치(120)와 마찬가지로, 잉크젯 방식 또는 디스펜서 방식을 채용할 수 있다. 유기 EL소자(50)의 구성요소로서 예를 들면 정공 수송층((正孔 輸送層) 및 전자 수송층(電子 輸送層) 등을 마련하는 경우에는, 이들 층을 형성하는 장치(예를 들면, 액적 도포 장치 등)를 별개로 마련하도록 한다. As the
액적 도포 장치(140Re)는, R 용액을 화소 전극(P) 상에 도포한다. 액적 도포 장치(140Re)는, 건조후의 막 두께가 100nm가 되도록 R 용액의 토출량이 조정되도록 되어 있다. R 용액으로서는, 예를 들면 호스트재의 폴리비닐카르바졸(PVK)에 적(赤) 도펀트(dopant)를 1, 2-디클로로에탄(dichloroethane) 중에 용해한 용액이 이용된다. The droplet applying device 140Re applies the R solution onto the pixel electrode P. FIG. In the droplet applying apparatus 140Re, the discharge amount of the R solution is adjusted so that the film thickness after drying is 100 nm. As R solution, the solution which melt | dissolved the red dopant in 1, 2-dichloroethane in polyvinylcarbazole (PVK) of a host material, for example is used.
액적 도포 장치(140Gr)는, G 용액을 화소 전극(P) 상에 도포한다. G 용액으로서는, 예를 들면 호스트재(PVK)에 녹(綠) 도펀트를 1, 2-디클로로에탄(dichloroethane) 중에 용해한 용액이 이용된다. The droplet applying apparatus 140Gr applies G solution on the pixel electrode P. FIG. As G solution, the solution which melt | dissolved the rust dopant in 1, 2-dichloroethane in the host material PVK is used, for example.
액적 도포 장치(140Bl)는, B 용액을 화소 전극(P) 상에 도포한다. B 용액으로서는, 예를 들면 호스트재(PVK)에 청(菁) 도펀트를 1, 2-디클로로에탄(dichloroethane) 중에 용해한 용액이 이용된다. The droplet applying apparatus 140Bl applies B solution on the pixel electrode P. FIG. As B solution, the solution which melt | dissolved the blue dopant in 1, 2-dichloroethane in the host material PVK is used, for example.
액적 도포 장치(120I)는, 게이트 버스 라인(GBL) 또는 소스 버스 라인(SBL)의 일부에 전기 절연성 잉크를 도포한다. 전기 절연성 잉크로서는, 예를 들면 폴리이미드계 수지 또는 우레탄계 수지의 잉크가 이용된다. The droplet applying apparatus 120I applies electrically insulating ink to a part of the gate bus line GBL or the source bus line SBL. As the electrically insulating ink, for example, ink of polyimide resin or urethane resin is used.
액적 도포 장치(120IT)는, 적색, 녹색 및 청색 발광층 상에 ITO(Indium Tin Oxide:인듐주석 산화물) 잉크를 도포한다. ITO 잉크로서는, 산화 인듐(In2O3)에 수%의 산화 주석(SnO2)을 첨가한 화합물 등이 이용된다. 또, IDIXO(In2O3-ZnO) 등 비정질로 투명 도전막을 제작할 수 있는 재료를 이용해도 괜찮다. 투명 도전막은, 투과율이 90% 이상인 것이 바람직하다. The droplet applying apparatus 120IT applies ITO (Indium Tin Oxide: Indium Tin Oxide) ink on red, green, and blue light emitting layers. As the ITO ink, such as the addition of several percent of tin oxide (SnO 2) of indium oxide (In 2 O 3) compound is used. The okay to use a material that can produce a transparent conductive film such as an amorphous IDIXO (In 2 O 3 -ZnO) . It is preferable that the transmittance | permeability of a transparent conductive film is 90% or more.
열처리 장치(BK)는, 각 액적 도포 장치(140)의 +X측(기판 반송 방향 하류측)에 각각 배치되어 있다. 열처리 장치(BK)는, 전극 형성부(92)에서 이용되는 열처리 장치(BK)와 마찬가지로, 시트 기판(FB)에 대해서 예를 들면 열풍이나 원적외선 등을 방사 가능하게 되어 있다. 열처리 장치(BK)는, 이들 방사열을 이용하여, 시트 기판(FB)에 도포된 액적을 건조 또는 소성(베이킹)하여 경화시킨다. The heat processing apparatus BK is arrange | positioned at the + X side (substrate conveyance direction downstream) of each
반송부(105)는, X 방향을 따르는 위치에 배치되는 복수의 롤러(RR) 및 반송 기구(TR)를 가지고 있다. 롤러(RR)가 회전함으로써, 시트 기판(FB)이 X축 방향으로 반송되도록 되어 있다. 롤러(RR)는 시트 기판(FB)을 양면으로부터 끼워 넣은 고무 롤러라도 괜찮고, 시트 기판(FB)이 퍼포레이션(perforation)을 가지는 것이면 래칫(ratchet)이 장착된 롤러(RR)라도 괜찮다. 복수의 롤러(RR) 중 일부의 롤러(RR)는 반송 방향과 직교하는 Y축 방향으로 이동 가능하다. 반송 기구(TR)는, X 방향 상에서, 소자 형성부(106) 중 전극 형성부(92) 및 발광층 형성부(93)에 대응하는 위치에 배치되어 있다. The
얼라이먼트부(107)는, X 방향을 따라서 마련된 복수의 얼라이먼트 카메라(CA(CA1~CA8))를 가지고 있다. 얼라이먼트 카메라(CA)는, 가시광선 조명하에서 CCD 또는 CMOS로 촬상하고, 그 촬상 화상을 처리하여 얼라이먼트 마크(AM)의 위치를 검출해도 괜찮고, 레이저 광을 얼라이먼트 마크(AM)에 조사하여, 그 산란광을 수광(受光)하여 얼라이먼트 마크(AM)의 위치를 검출해도 좋다. The
얼라이먼트 카메라(CA1)는, 열전사 롤러(115)의 +X측에 배치되어 있다. 얼라이먼트 카메라(CA1)는, 시트 기판(FB) 상에 열전사 롤러(115)에 의해서 형성되는 얼라이먼트 마크(AM)의 위치를 검출한다. 얼라이먼트 카메라(CA2 ~ CA8)는, 각각 열처리 장치(BK)의 +X측에 배치되어 있다. 얼라이먼트 카메라(CA2 ~ CA8)는, 열처리 장치(BK)를 경유한 시트 기판(FB)의 얼라이먼트 마크(AM)의 위치를 검출한다. Alignment camera CA1 is arrange | positioned at the + X side of the
열전사 롤러(115) 및 열처리 장치(BK)를 경유함으로써, 시트 기판(FB)이 X축 방향 및 Y축 방향으로 신축하거나 하는 경우가 있다. 이와 같이 열처리를 실시하는 열전사 롤러(115)의 +X측이나, 열처리 장치(BK)의 +X측에 얼라이먼트 카메라(CA)를 배치함으로써, 열변형 등에 의한 시트 기판(FB)의 위치 어긋남을 검출할 수 있도록 되어 있다. By passing through the
얼라이먼트 카메라(CA1 ~ CA8)에 의한 검출 결과는, 제어부(104)에 송신되도록 되어 있다. 제어부(104)는, 얼라이먼트 카메라(CA1 ~ CA8)의 검출 결과에 근거하여, 예를 들면 액적 도포 장치(120)나 액적 도포 장치(140)의 잉크의 도포 위치와 타이밍의 조정, 기판 공급부(101)로부터의 시트 기판(FB)의 공급 속도나 롤러(RR)의 반송 속도의 조정, 롤러(RR)에 의한 Y 방향으로의 이동의 조정, 절단 장치(130)의 절단 위치나 타이밍 등의 조정이 실시되도록 되어 있다.The detection result by alignment camera CA1-CA8 is transmitted to the
(반송 기구) (Transport mechanism)
다음에, 상기 기판 처리부(102)에 마련된 반송 기구(TR)의 구성을 설명한다. 도 5는, 반송 기구(TR)의 구성을 나타내는 도면이다. 상기 도 3에서 나타내어진 복수의 반송 기구(TR)는, 각각 동일한 구성으로 이루어져 있다. 이 때문에, 도 5에서는, 해당 복수의 반송 기구(TR) 중 액적 도포 장치(120)에 대응하여 배치된 반송 기구(TR)를 예로 들어 설명한다. Next, the structure of the conveyance mechanism TR provided in the said
도 5에 나타내는 바와 같이, 반송 기구(TR)는, 벨트 기구(10), 벨트 구동 기구(20) 및 에어 패드 기구(40)를 가지고 있다. 벨트 기구(10) 및 벨트 구동 기구(20)는, 시트 기판(FB)에 대해서 -Z측에 배치되어 있다. 또, 에어 패드 기구(40)는, 시트 기판(FB)에 대해서 +Z측에 배치되어 있다. As shown in FIG. 5, the transport mechanism TR has a
벨트 기구(10)는, 벨트 구동 기구(20)의 주위에 θY 방향을 따라서 배치되어 있다. 벨트 기구(10)는, 회전부(11) 및 흡착 유지판(기판 유지부, 12)을 가지고 있다. 회전부(11)는, 복수의 지지 부재(13)가 무단상(無端狀)으로 접속되어 구성되어 있다. 구체적으로는, θY 방향으로 인접하는 지지 부재(13)끼리가, 1개의 공통의 축 부재(14)에 의해서 회동 가능하게 연결되어 있다. 이 구성이 θY 방향으로 연속하여 마련되어 있으며, 회전부(11)는 무단상으로 형성되어 있다. 벨트 기구(10)는, 벨트 구동 기구(20)에 의해서 θY 방향으로 회전 가능하게 마련되어 있다. The
흡착 유지판(12)은, 각 지지 부재(13)의 외주면(外周面) 상에 마련되어 있다. 흡착 유지판(12)은, 예를 들면 직사각형으로 형성된 판상(板狀) 부재이다. 흡착 유지판(12)은, 시트 기판(FB)을 흡착하여 유지하는 흡착 유지면(12a)을 가지고 있다. 흡착 유지면(12a)은, 벨트 기구(10)의 외측에 마련되어 있다. The
도 6은, 반송 기구(TR)를 +Z측으로부터 보았을 때의 도면이다. 도 6에 나타내는 바와 같이, 흡착 유지판(12)은, 시트 기판(FB)에 대해서 Y 방향으로 비어져 나오도록 형성되어 있다. 또, 도 5 및 도 6에 나타내는 바와 같이, 반송 기구(TR)는, X 방향에서 중앙의 4개의 흡착 유지판(12(S))에 의해서 시트 기판(FB)을 유지하고 있다. 6 is a view when the transport mechanism TR is viewed from the + Z side. As shown in FIG. 6, the
도 7 및 도 8은, 1개의 흡착 유지판(12)의 구성을 나타내는 도면이다. 도 7은 흡착 유지판(12)을 +Z측으로부터 보았을 때의 도면이며, 도 8은 도 7에서의 A-A′단면의 구성을 나타내는 도면이다. FIG.7 and FIG.8 is a figure which shows the structure of one
도 7 및 도 8에 나타내는 바와 같이, 흡착 유지판(12)은, 유지 부재(15) 및 흡착 패드(16)가 지지판(17) 상에 각각 배치된 구성으로 되어 있다. 유지 부재(15)는, 지지판(17)의 Y 방향이 거의 중앙에 배치되어 있으며, 도 7에 나타내는 시트 기판(FB)의 피처리(被處理) 부분(FBA)을 Y 방향으로 커버하는 치수로 형성되어 있다. 따라서, 시트 기판(FB) 중 적어도 피처리 부분(FBA)은 유지 부재(15)에 의해서 유지되도록 되어 있다. As shown in FIG. 7 and FIG. 8, the
도 7 및 도 8에서의 유지 부재(15)의 +Z측 면은, 시트 기판(FB)을 유지하는 유지면(15a)으로 되어 있다. 유지 부재(15)는, 이 유지면(15a)이 평탄하게 되도록 형성되어 있다. 이 때문에, 유지면(15a)에 유지되는 시트 기판(FB)의 피처리 부분(FBA)은, 유지면(15a)에 의해서 평탄하게 유지된다. The + Z side surface of the holding
흡착 패드(16)는, 유지 부재(15)에 대해서 Y 방향의 양단측에 1개씩 배치되어 있다. 흡착 패드(16)는, 시트 기판(FB) 중 피처리 부분(FBA)으로부터 Y 방향의 단변(端邊)측으로 벗어난 위치(예, 시트 기판(FB) 중 피처리 부분(FBA) 이외의 위치)를 흡착하도록 되어 있다. The
흡착 패드(16)는, 패드 지지 부재(17b)에 의해서 유지되어 있으며, 도 7 및 도 8에서의 +Z측의 흡착면(16a)에서 부압(負壓)이 되도록 구성되어 있다. 흡착 패드(16)는, 해당 흡착면(16a)에서 시트 기판(FB)을 진공 흡착하도록 되어 있다. 일예로서, 흡착 패드(16)의 -Z측은, 패드 지지 부재(17b) 및 지지판(17) 내에 형성된 배관(16b)에 접속되어 있으며, 해당 배관(16b)은 지지판(17)의 외부 배관(17c)에 접속되어 있다. 배관(17c)은, 도 9에 나타내는 펌프 기구(18)에 접속되어 있으며, 해당 펌프 기구(18)에 의해서 흡착면(16a)이 부압으로 형성되도록 되어 있다. The
이 흡착면(16a)은, 유지 부재(15)의 유지면(15a)과의 사이에서 단차가 없는 상태로 되도록 형성되어 있다. 따라서, 흡착 유지판(12)에 의한 흡착 유지면(12a)은, 서로 단차가 없는 상태로 형성된 유지면(15a)과 흡착면(16a)에 의해서 형성된다. 시트 기판(FB)은, 흡착 유지면(12a) 중 Y 방향의 양단에 마련된 흡착면(16a)에서 흡착되며, Y 방향의 중앙 유지면(15a)에서 흡착되지 않는 구성으로 되어 있다. This
패드 지지 부재(17b)는, Y 방향용 액추에이터(17a)에 의해서 Y 방향으로 이동 가능하게 마련되어 있다. 이 구성에 의해, 흡착 패드(16)의 Y 방향 위치를 Y 방향으로 이동시킬 수 있도록 되어 있다. The
이 구성에 의해, 예를 들면 2개의 흡착 패드(16)에서 시트 기판(FB)을 흡착한 상태로 하고, +Y측의 흡착 패드(16)를 +Y 방향으로 이동시키며, -Y측의 흡착 패드(16)를 -Y 방향으로 이동시킴으로써, 유지면(15a)에서의 유지 상태를 유지한 채 시트 기판(FB)에 대해서 Y 방향으로 텐션을 가할 수 있다. With this configuration, for example, the sheet substrate FB is adsorbed by the two
도 9는, 흡착 패드(16)에 접속되는 펌프 기구(18)의 구성을 나타내는 단면도이다. 9 is a cross-sectional view showing the configuration of a
도 9에 나타내는 바와 같이, 펌프 기구(18)는, 고정 원통축(30), 회전 실린더(31) 및 흡인 펌프(32)를 가지고 있다. As shown in FIG. 9, the
고정 원통축(30)은, Y 방향에서 볼 때 원통 모양으로 형성되어 있으며, 위치가 고정된 상태로 유지되어 있다. 고정 원통축(30)은, 볼록부(30a), 흡인 공급구(30b) 및 대기 해방구(30c)를 가지고 있다. 볼록부(30a)는, 고정 원통축(30)의 외면(外面) 중 +Z측에 2개소 마련되어 있다. 볼록부(30a)는, 고정 원통축(30)의 Y 방향의 양단부 사이에 걸쳐 각각 Y 방향을 따라서 마련되어 있다. The fixed
흡인 공급구(30b)는, 고정 원통축(30)의 내부에 Y 방향을 따라서 형성된 개구부이며, 흡인 펌프(32)에 접속되어 있다. 흡인 공급구(30b)에는, 도면 중 +Z방향에 형성된 분기부(30d)가 마련되어 있다. 해당 분기부(30d)는, 상기 2개의 볼록부(30a) 사이에 접속되도록 형성되어 있다. 이 때문에, 흡인 펌프(32)의 흡인 작용은, 흡인 공급구(30b), 분기부(30d)를 통하여 2개 볼록부(30a) 사이에 미치도록 되어 있다. 대기 해방구(30c)는, 고정 원통축(30)의 Y 방향의 양단부 사이에 걸쳐 형성되어 있으며, 해당 양단부에서 대기에 접속되어 있다. 대기 해방구(30c)는, 분기부(30e)를 가지고 있다. 분기부(30e)는, 상기 2개의 볼록부(30a) 사이로부터 벗어난 위치에 접속되어 있다. The
회전 실린더(31)는, 고정 원통축(30)을 둘러싸도록 마련되어 있다. 회전 실린더(31)는, 예를 들면 Y 방향의 양단부 등에 마련되는 스페이서(33)를 매개로 하여 고정 원통축(30)과의 사이에 일정한 틈새를 두고 배치되어 있다. 회전 실린더(31)의 내면은, 스페이서(33)를 사이에 두고, 고정 원통축(30)의 2개의 볼록부(30a)에 틈새없이 접촉하도록 되어 있다. 이 때문에, 고정 원통축(30)의 외면과 회전 실린더(31)의 내면과의 사이의 공간은, 2개의 볼록부(30a)에 의해서 공간(S1)과 공간(S2)으로 분할된 상태로 되어 있다. 이 가운데, 공간(S1)은 상기 흡인 펌프(32)에 의해서 흡인된 상태로 되어 있으며, 공간(S2)은 항상 대기 해방된 상태로 되어 있다. The
회전 실린더(31)는, θY 방향을 따라서 복수의 개구부(31a)를 마련하고 있다. 각 개구부(31a)는, 상기 배관(16c)에 각각 접속되어 있다. 복수의 개구부(31a) 중 공간(S1)에 접속되는 개구부(31a)는, 상기 흡인 펌프(32)에 의해서, 내측 부분이 흡인되도록 되어 있다. 또, 회전 실린더(31)는, 도시하지 않은 회전 기구에 의해서 벨트 기구(10)의 회전 속도에 맞추어 회전하도록 되어 있으며, 흡인되는 개구부(31a)가 회전과 함께 전환되도록 되어 있다. 본 실시 형태에서는, 시트 기판(FB)을 지지하는 4개의 회전부(11)에 접속되는 개구부(31a)에 대해서 흡인 작용이 미친다. The rotating
또, 시트 기판(FB)을 부드럽게 받아넘기기 위해, 이 펌프 기구(18)는, 4개의 흡착 유지판(12) 중 가장 -θY측의 흡착 유지판(12)이 시트 기판(FB)을 유지하는 위치에 도달하기 전에 흡인이 개시되고, 가장 +Y측의 흡착 유지판(12)이 시트 기판(FB)을 유지하는 위치로부터 벗어남과 동시에 흡인이 해제(대기 해방)되도록 형성되어 있는 것이 바람직하다. Moreover, in order to smoothly take over the sheet | seat board | substrate FB, in this
도 5로 돌아와서, 벨트 구동 기구(20)는, 베이스부(21), 벨트 가압부(22) 및 벨트 가압 액추에이터(23)를 가지고 있다. 베이스부(21)는, 기판 처리부(102)의 다른 부분(예를 들면 바닥부나 정반부(定盤部) 등)에 대해서 고정되어 있으며, 위치가 변동하지 않도록 되어 있다. 벨트 가압부(22)는, 베이스부(21)에 대해서 θY 방향을 따라서 복수 배치되어 있으며, 벨트 기구(10)의 각 흡착 유지판(12)에 대응하는 회전부(11)를 회전 경로(예, 회전부(11)의 회전 경로나 회전하는 벨트 기구(10)의 외주(外周) 등)의 외측으로 가압하도록 마련되어 있다. 벨트 기구(10)는, 이 복수의 벨트 가압부(22)에 의해서 지지되어 있다. 벨트 가압부(22)의 선단(先端)은, θY 방향으로 회전 가능한 롤러를 매개로 하여 벨트 기구(10)에 맞닿아 있다. Returning to FIG. 5, the
벨트 가압부(22)는, 벨트 기구(10)의 회전 방향을 따라서 복수 마련되어 있다. 복수의 벨트 가압부(22)는, 흡착 유지판(12)의 피치(pitch)에 맞추어서 배치되어 있다. 일예로서, 벨트 가압부(22)는, 시트 기판(FB)을 유지하는 4개의 흡착 유지판(12)에 대해서 1개씩 가압하도록 베이스부(21)의 +Z측에 4개 배치되어 있다. 게다가, 벨트 가압부(22)는, 벨트 기구(10)가 휘지 않도록 베이스부(21)의 +X측 및 -X측에 4개씩 배치되어 있다. 복수의 벨트 가압부(22) 중, 예를 들면 베이스부(21)의 +Z측에 배치되는 4개의 벨트 가압부(22)는, 각각 벨트 가압 액추에이터(23)에 접속되어 있다. 이들 벨트 가압부(22)는, 벨트 가압 액추에이터(23)에 의해서 도면 중 Z방향으로 이동 가능하게 마련되어 있다. 이 때문에, 베이스부(21)의 +Z측에 배치되는 4개의 흡착 유지판(12)은, +Z측에 가압되도록 되어 있다. 또한, 해당 4개의 흡착 유지판(12)은, 액적 도포 장치(120)에 의해서 처리되는 위치 및 그 근방에 배치되어 있다. 이 때문에, 적어도 액적 도포 장치(120)의 처리 위치에서, 흡착 유지판(12)은 벨트 가압부(22)에 의해서 가압된다. 또, 베이스부(21)의 +X측 및 -X측에 배치된 8개의 벨트 가압부(22)는, 베이스부(21)에 대해서 각각 고정되어 있다. 또한, 일예로서, 벨트 가압부(22)는, 높은 강성을 가지는 부재로 구성되어도 괜찮고, 스프링과 같은 탄성 부재로 구성되어도 괜찮다. The
에어 패드 기구(40, 기체층 형성부)는, 패드 부재(41), 기류 조정 기구(42) 및 배관(43)을 가지고 있다. 패드 부재(41)는, 예를 들면 액적 도포 장치(120)의 상류측(+X측) 및 하류측(-X측)에 1개씩 마련되어 있다. 각 패드 부재(41)는, -Z측에 기체(예로, 공기, 질소 등의 불활성 가스 등)를 분출하는 기체 분출구(41a)와, 기체를 흡인하는 기체 흡인구(41b)가 각각 복수 마련되어 있다. 기체 분출구(41a) 및 기체 흡인구(41b)는, 배관(43)을 통하여 기류 조정 기구(42)에 각각 접속되어 있다. 기류 조정 기구(42)는, 기체 분출구(41a)의 분출량과 기체 흡인구(41b)의 흡인량을 조정한다. 기류 조정 기구(42)에 의해서 해당 분출량 및 흡인량이 조정됨으로써, 패드 부재(41)의 -Z측에는, Z 방향으로 일정한 층 두께로 기체의 층(기체층 또는 받이부)이 형성되도록 되어 있다. The air pad mechanism 40 (base layer formation part) has the
또한, 도 3에 나타내는 바와 같이, 발광층 형성부(93)에서, 반송 기구(TR)는 액적 도포 장치(140R, 140G 및 140B)에 걸쳐서 배치되어 있지만, 이 구성에 한정되는 것은 아니고, 예를 들면 반송 기구(TR)는, 각 액적 도포 장치(140R, 140G 및 140B)에 대해서 개별적으로 마련되어 있는 구성으로 해도 상관없으며, 3개의 액적 도포 장치(140) 중 2개에 걸쳐서 배치된 구성으로 해도 상관없다. In addition, as shown in FIG. 3, in the light emitting
또, 도 3의 전극 형성부(92)에서, 반송 기구(TR)는, 액적 도포 장치(120G, 120I 및 120SD)에 대해서 개별적으로 마련되어 있지만, 이 구성에 한정되는 것은 아니고, 예를 들면 반송 기구(TR)는, 이들 액적 도포 장치(120G, 120I 및 120SD)에 걸쳐서 배치된 구성으로 해도 상관 없으며, 3개의 액적 도포 장치(120) 중 2개에 걸쳐서 배치된 구성으로 해도 상관없다. In addition, in the
(기판 처리 장치의 동작) (Operation of Substrate Processing Unit)
다음에, 상기와 같이 구성된 기판 처리 장치(100)의 동작을 설명한다. Next, operation | movement of the
기판 처리 장치(100)는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 기판 공급부(101)로부터 기판 처리부(102)에 대해서 시트 기판(FB)을 공급하면서, 기판 처리부(102)에서 해당 시트 기판(FB) 상에 소자를 형성해 간다. 기판 처리부(102)에서는, 도 3에 나타내는 바와 같이, 롤러(RR) 및 반송 기구(TR)에 의해서 시트 기판(FB)을 반송한다. As shown in FIG. 2, the
제어부(104)는, 기판 공급부(101)로부터 공급되는 시트 기판(FB)의 공급 속도에 맞추어, 기판 처리부(102) 내의 각 롤러(RR)의 회전 속도나, 반송 기구(TR)의 벨트 기구(10)의 회전 속도 등을 조정한다. 또, 제어부(104)는, 롤러(RR)가 Y축 방향으로 어긋나 있는지 아닌지를 검출하고, 어긋나 있는 경우에는 롤러(RR)를 이동시켜 위치를 보정한다. 또, 제어부(104)는, 롤러(RR)를 이동시킴으로써 시트 기판(FB)의 위치 보정을 아울러 실시시킨다. The
기판 공급부(101)로부터 기판 처리부(102)에 공급된 시트 기판(FB)은, 우선 격벽 형성부(91)로 반송된다. 격벽 형성부(91)에서, 시트 기판(FB)은 임프린트 롤러(110)와 열전사 롤러(115)에 끼워져 가압되며, 열전사에 의해서 시트 기판에 격벽(BA) 및 얼라이먼트 마크(AM)가 형성된다. The sheet | seat board | substrate FB supplied from the board |
도 10은, 시트 기판(FB)에 격벽(BA) 및 얼라이먼트 마크(AM)가 형성된 상태를 나타내는 도면이다. 도 11은, 도 10의 일부를 확대하여 나타낸 도면이다. 도 12는, 도 11에서의 D-D′단면에 따른 구성을 나타내는 도면이다. 도 10 및 도 11은, 시트 기판(FB)을 +Z측으로부터 보았을 때의 모습을 나타내고 있다. FIG. 10: is a figure which shows the state in which the partition BA and the alignment mark AM were formed in the sheet | seat board | substrate FB. FIG. 11 is an enlarged view of a portion of FIG. 10. FIG. 12: is a figure which shows the structure along the D-D 'cross section in FIG. 10 and 11 show a state when the sheet substrate FB is viewed from the + Z side.
도 10에 나타내는 바와 같이, 격벽(BA)은, 시트 기판(FB)의 Y 방향 중앙부의 소자 형성 영역(60)에 형성된다. 도 11에 나타내는 바와 같이, 격벽(BA)을 형성함으로써, 소자 형성 영역(60)에는, 게이트 버스 라인(GBL) 및 게이트 전극(G)을 형성하는 영역(게이트 형성 영역(52))과 소스 버스 라인(SBL), 소스 전극(S), 드레인 전극(D) 및 양극(P)을 형성하는 영역(소스 드레인 형성 영역(53))이 구획되게 된다. 도 12에 나타내는 바와 같이, 게이트 형성 영역(52)은, 단면에서 볼 때 사다리꼴 형상으로 형성되어 있다. 도시를 생략하지만, 소스 드레인 형성 영역(53)에 대해서도 동일한 형상으로 되어 있다. 격벽(BA) 내의 폭(W, μm)은, 게이트 버스 라인(GBL)의 선폭(線幅)이 된다. 이 폭(W)으로서는, 액적 도포 장치(120G)로부터 도포되는 액적 직경(d, μm)에 대해서 2배 ~ 4배 정도로 하는 것이 바람직하다. As shown in FIG. 10, the partition BA is formed in the element formation area |
또한, 게이트 형성 영역(52) 및 소스 드레인 형성 영역(53)의 단면 형상은, 미세 임프린트용 몰드(111)가 시트 기판(FB)을 가압한 후에 시트 기판(FB)이 쉽게 박리하도록, 단면에서 볼 때 V자 형태 또는 U자 형태로 하는 것이 바람직하다. 이 외의 형상으로서, 예를 들면 단면에서 볼 때 직사각형 형상으로 해도 상관없다. In addition, the cross-sectional shape of the
한편, 도 10에 나타내는 바와 같이, 얼라이먼트 마크(AM)는, 시트 기판(FB)의 Y 방향 양단부의 가장자리 영역(61)에 한 쌍 형성된다. 격벽(BA) 및 얼라이먼트 마크(AM)는, 상호의 위치 관계가 중요하기 때문에 동시에 형성된다. 도 11에 나타내는 바와 같이, Y축 방향에는, 얼라이먼트 마크(AM)와 게이트 형성 영역(52)과의 사이의 소정 거리(PY)가 규정되어 있고, X축 방향에는, 얼라이먼트 마크(AM)와 소스 드레인 형성 영역(53)과의 사이의 소정 거리(PX)가 규정되어 있다. 이 때문에, 한 쌍의 얼라이먼트 마크(AM)의 위치에 근거하여, 시트 기판(FB)의 X축 방향의 어긋남, Y축 방향의 어긋남 및 θ회전이 검출 가능해진다. On the other hand, as shown in FIG. 10, a pair of alignment marks AM is formed in the
도 10 및 도 11에서는, 얼라이먼트 마크(AM)가, X축 방향의 복수행의 격벽(BA)마다 한 쌍 마련되어 있지만, 이것에 한정되는 것은 아니고, 예를 들면 격벽(BA) 1행 마다 얼라이먼트 마크(AM)를 마련하도록 해도 좋다. 또, 시트 기판(FB)에 공간이 있으면, 시트 기판(FB)의 가장자리 영역(61) 뿐만 아니라 소자 형성 영역(60)에 얼라이먼트 마크(AM)를 마련해도 좋다. 또, 도 10 및 도 11에서는, 얼라이먼트 마크(AM)는 십자 형상을 나타냈지만, 원형 마크, 경사진 직선 마크 등 다른 마크 형상이라도 괜찮다. In FIGS. 10 and 11, a pair of alignment marks AM is provided for each of the plurality of partition walls BA in the X-axis direction, but is not limited thereto. For example, the alignment marks AM are each aligned row. (AM) may be provided. Moreover, if there is space in the sheet | seat board | substrate FB, you may provide the alignment mark AM in not only the
이어서 시트 기판(FB)은, 반송 롤러(RR)에 의해서 전극 형성부(92)에 반송된다. 전극 형성부(92)에서는, 각 액적 도포 장치(120)에 의한 액적의 도포가 실시되어, 시트 기판(FB) 상에 전극이 형성된다. Subsequently, the sheet substrate FB is conveyed to the
제어부(104)는, 시트 기판(FB)이 반송 기구(TR)로 반송되기 전에, 반송 기구(TR)의 에어 패드 기구(40)를 작동시킴과 아울러, 펌프 기구(18)를 작동시킨다. 이 동작에 의해, 패드 부재(41)의 -Z측으로 일정한 두께의 공기층(AR, 도 20 참조)이 형성됨과 아울러, 회전부(11)의 흡착 패드(16)에서의 흡인 동작이 개시된다. The
이 상태로 시트 기판(FB)이 반송 기구(TR)로 반송되면, 시트 기판(FB)은 흡착 패드(16)에 의해서 흡착면(16a)에 흡착됨과 아울러 유지 부재(15)의 유지면(15a) 상에 유지된다. 따라서, 시트 기판(FB)은, 흡착 유지면(12a)에 의해서 유지되게 된다. 제어부(104)는, 필요에 따라서, 패드 지지 부재(17b)를 Y 방향으로 이동시킴으로써, 시트 기판(FB)에 텐션을 가하여, 시트 기판(FB)의 평탄도를 높이도록 한다. When the sheet board | substrate FB is conveyed to the conveyance mechanism TR in this state, the sheet | seat board | substrate FB is adsorb | sucked to the
제어부(104)는, 시트 기판(FB)에 텐션을 가한 후, 도 20에 나타내는 바와 같이, 벨트 가압부(22)를 +Z측으로 이동시켜, 패드 부재(41)의 -Z측에 형성된 기체층(AR)에 시트 기판(FB)을 밀어 붙인다. 이 동작에서는, 반작용에 의해서 패드 부재(41)측에서도 시트 기판(FB)을 -Z측으로 가압한다. 이와 같이 기체층(AR)의 -Z측 면(ARc)을 기준면으로 하고, 해당 기체층(AR)과 흡착 유지면(12a)에서 시트 기판(FB)을 끼워 지지함으로써, 시트 기판(FB)의 피처리면(FBc)에서의 평탄성이 유지되게 된다. 제어부(104)는, 시트 기판(FB)의 피처리면(FBc)에서의 평탄성을 유지하면서, 벨트 기구(10)를 회전시킴으로써, 시트 기판(FB)을 +X 방향으로 반송시킨다. 이하, 제어부(104)는, 기판 처리부(102)의 하류측의 반송 기구(TR)에서도 동일한 동작을 실시시킨다. The
이와 같이 시트 기판(FB)의 피처리면(FBc)의 평탄성을 유지한 상태에서, 제어부(104)는, 액적 도포 장치(120)의 동작을 개시시킨다. 예를 들면, 최초로, 시트 기판(FB) 상에는, 액적 도포 장치(120G)에 의해서 게이트 버스 라인(GBL) 및 게이트 전극(G)이 형성된다. 도 13a 및 도 13b는, 액적 도포 장치(120G)에 의해서 액적 도포가 실시되는 시트 기판(FB)의 모습을 나타내는 도면이다. Thus, the
도 13a에 나타내는 바와 같이, 액적 도포 장치(120G)는, 격벽(BA)이 형성된 시트 기판(FB)의 게이트 형성 영역(52)에 예를 들면 1 ~ 9의 순서로 메탈 잉크를 도포한다. 이 순서는, 예를 들면 메탈 잉크끼리의 장력으로 직선 모양으로 도포되는 순서이다. 도 13b는, 예를 들면 한 방울의 메탈 잉크가 도포된 상태를 나타내는 도면이다. 도 13b에 나타내는 바와 같이, 격벽(BA)이 마련되어 있기 때문에, 게이트 형성 영역(52)에 도포된 메탈 잉크는 확산하지 않고 유지되게 된다. 이와 같이 하여, 액적 도포 장치(120G)는 게이트 형성 영역(52)의 전체에 메탈 잉크를 도포한다. As shown to FIG. 13A, 120 G of droplet applying apparatuses apply | coat a metal ink to the gate formation area |
게이트 형성 영역(52)에 메탈 잉크가 도포된 후, 시트 기판(FB)은 해당 메탈 잉크의 도포된 부분이 열처리 장치(BK)의 -Z측에 위치하도록 반송된다. 열처리 장치(BK)는, 시트 기판(FB) 상에 도포된 메탈 잉크에 열처리를 실시하여, 해당 메탈 잉크 건조시킨다. 도 14a는, 메탈 잉크를 건조시킨 후의 게이트 형성 영역(52)의 상태를 나타내는 도면이다. 도 14a에 나타내는 바와 같이, 메탈 잉크를 건조시킴으로써, 메탈 잉크에 포함되는 도전체가 박막상(薄膜狀)으로 적층되게 된다. 이와 같은 박막상의 도전체가 게이트 형성 영역(52)의 전체에 형성되고, 도 14b에 나타내는 바와 같이, 시트 기판(FB) 상에 게이트 버스 라인(GBL) 및 게이트 전극(G)이 형성되게 된다. After metal ink is apply | coated to the
다음에, 시트 기판(FB)은, 액적 도포 장치(120I)의 -Z측으로 반송된다. 액적 도포 장치(120I)에서는 시트 기판(FB)에 전기 절연성 잉크가 도포된다. 액적 도포 장치(120I)에서는, 예를 들면 도 15에 나타내는 바와 같이, 소스 드레인 형성 영역(53)을 통과하는 게이트 버스 라인(GBL) 상 및 게이트 전극(G) 상에 전기 절연성 잉크가 도포된다. Next, the sheet substrate FB is conveyed to the -Z side of the droplet applying apparatus 120I. In the droplet applying apparatus 120I, an electrically insulating ink is apply | coated to the sheet | seat board | substrate FB. In the droplet applying apparatus 120I, for example, as shown in FIG. 15, an electrically insulating ink is applied onto the gate bus line GBL and the gate electrode G passing through the source-
전기 절연성 잉크가 도포된 후, 시트 기판(FB)은 열처리 장치(BK)의 -Z측으로 반송되어, 열처리 장치(BK)에 의해서 해당 전기 절연성 잉크에 열처리가 행해진다. 이 열처리에 의해서 전기 절연성 잉크가 건조하여, 게이트 절연층(I)이 형성된다. 도 15에서는, 게이트 절연층(I)이 격벽(BA) 상에 걸치도록 원형 모양으로 형성된 상태를 나타내고 있지만, 특히 격벽(BA)을 넘어 형성할 필요는 없다. After the electrically insulating ink is applied, the sheet substrate FB is conveyed to the -Z side of the heat treatment apparatus BK, and the heat insulating apparatus BK performs heat treatment on the electrically insulating ink. By this heat treatment, the electrically insulating ink is dried to form the gate insulating layer (I). In FIG. 15, although the gate insulating layer I was formed in the circular shape so that it may hang on the partition BA, it is not necessary to form especially beyond the partition BA.
게이트 절연층(I)이 형성된 후, 시트 기판(FB)은 액적 도포 장치(120SD)의 -Z측으로 반송된다. 액적 도포 장치(120SD)에서는, 시트 기판(FB)의 소스 드레인 형성 영역(53)에 메탈 잉크가 도포된다. 소스 드레인 형성 영역(53) 중 게이트 절연층(I)을 걸치는 부분에 대해서는, 예를 들면 도 16에 나타내는 1 ~ 9의 순서로 메탈 잉크가 토출된다. After the gate insulating layer I is formed, the sheet substrate FB is conveyed to the -Z side of the droplet applying apparatus 120SD. In the droplet applying apparatus 120SD, metal ink is apply | coated to the source-
메탈 잉크의 토출후, 시트 기판(FB)은 열처리 장치(BK)의 -Z측으로 반송되어, 메탈 잉크의 건조 처리가 실시된다. 해당 건조 처리후, 메탈 잉크에 포함되는 도전체가 박막상으로 적층되며, 소스 버스 라인(SBL), 소스 전극(S), 드레인 전극(D) 및 양극(P)이 형성된다. 단, 이 단계에서는, 소스 전극(S)과 드레인 전극(D)과의 사이가 접속된 상태로 되어 있다. After discharge of a metal ink, the sheet | seat board | substrate FB is conveyed to the -Z side of the heat processing apparatus BK, and the drying process of a metal ink is performed. After the drying treatment, the conductors included in the metal ink are laminated in a thin film form, and source bus lines SBL, source electrodes S, drain electrodes D, and anodes P are formed. In this step, however, the source electrode S and the drain electrode D are connected to each other.
다음에, 시트 기판(FB)은, 절단 장치(130)의 -Z측으로 반송된다. 시트 기판(FB)은, 절단 장치(130)에서, 소스 전극(S)과 드레인 전극(D)과의 사이가 절단된다. 도 17은, 소스 전극(S)과 드레인 전극(D)과의 간격을 절단 장치(130)로 절단한 상태를 나타내는 도면이다. 절단 장치(130)에서는, 갈바노 미러(131)를 이용하여 레이저 광(LL)의 시트 기판(FB)으로의 조사 위치를 조정하면서 절단을 실시한다. Next, the sheet substrate FB is conveyed to the -Z side of the
소스 전극(S)와 드레인 전극(D)과의 사이가 절단된 후, 시트 기판(FB)은, 액적 도포 장치(OS)의 -Z측으로 반송된다. 액적 도포 장치(OS)에서는, 시트 기판(FB)상에 유기 반도체층(OS)이 형성된다. 시트 기판(FB) 상 가운데 게이트 전극(G)과 겹쳐지는 영역에는, 소스 전극(S) 및 드레인 전극(D)에 걸치도록 유기 반도체 잉크가 토출된다. After cut | disconnected between the source electrode S and the drain electrode D, the sheet | seat board | substrate FB is conveyed to the -Z side of droplet applying apparatus OS. In the droplet applying apparatus OS, the organic semiconductor layer OS is formed on the sheet | seat board | substrate FB. In the region overlapping with the gate electrode G on the sheet substrate FB, the organic semiconductor ink is discharged so as to cover the source electrode S and the drain electrode D. FIG.
유기 반도체 잉크의 토출후, 시트 기판(FB)은 열처리 장치(BK)의 -Z측으로 반송되어, 유기 반도체 잉크의 건조 처리가 실시된다. 해당 건조 처리후, 유기 반도체 잉크에 포함되는 반도체가 박막상으로 적층되며, 도 18에 나타내는 바와 같이, 유기 반도체(OS)가 형성된다. 이상의 공정에 의해, 시트 기판(FB) 상에 전계 효과형 트랜지스터 및 접속 배선이 형성되게 된다. After discharge of organic-semiconductor ink, the sheet | seat board | substrate FB is conveyed to the -Z side of the heat processing apparatus BK, and the drying process of organic-semiconductor ink is performed. After this drying process, the semiconductor contained in an organic semiconductor ink is laminated | stacked in thin film form, and an organic semiconductor (OS) is formed as shown in FIG. Through the above steps, the field effect transistor and the connection wiring are formed on the sheet substrate FB.
이어서 시트 기판(FB)은, 반송 롤러(RR)에 의해서 발광층 형성부(93)로 반송된다(도 3 참조). 발광층 형성부(93)에서는, 액적 도포 장치(140Re), 액적 도포 장치(140Gr), 액적 도포 장치(140Bl) 및 열처리 장치(BK)에 의해서 적색, 녹색, 청색의 발광층(IR)이 각각 형성된다. 시트 기판(FB) 상에는 격벽(BA)이 형성되어 있기 때문에, 적색, 녹색 및 청색의 발광층(IR)을 열처리 장치(BK)로 열처리하지 않고 연속하여 도포하는 경우라도, 인접하는 화소 영역으로 용액이 흘러넘침으로써, 혼색(混色)이 발생하는 일이 없다. Next, the sheet substrate FB is conveyed to the light emitting
발광층(IR)의 형성 후, 시트 기판(FB)은 액적 도포 장치(140I) 및 열처리 장치(BK)를 거쳐서 절연층(I)이 형성되며, 액적 도포 장치(140IT) 및 열처리 장치(BK)를 거쳐서 투명 전극(IT)이 형성된다. 이와 같은 공정을 거쳐서, 시트 기판(FB) 상에는 도 1a 내지 도 1c에서 나타낸 유기 EL소자(50)가 형성된다. After the formation of the light emitting layer IR, the sheet substrate FB is formed with the insulating layer I through the droplet applying apparatus 140I and the heat treatment apparatus BK, and the droplet applying apparatus 140IT and the heat treatment apparatus BK are formed. Transparent electrode IT is formed through. Through such a process, the
소자 형성 동작에서는, 상기와 같이 시트 기판(FB)을 반송시키면서 유기 EL소자(50)를 형성하는 과정에서, 시트 기판(FB)이 X 방향, Y 방향 및 θZ 방향으로 어긋나 버리는 것을 방지하기 위해, 얼라이먼트 동작을 실시하고 있다. 이하, 도 19를 참조하여, 얼라이먼트 동작을 설명한다. In the element formation operation, in order to prevent the sheet substrate FB from shifting in the X direction, the Y direction, and the θZ direction in the process of forming the
얼라이먼트 동작에서는, 각 부에 마련된 복수의 얼라이먼트 카메라(CA(CA1~CA8))가 적당히 시트 기판(FB)에 형성된 얼라이먼트 마크(AM)를 검출하여, 제어부(104)에 검출 결과를 송신한다. 제어부(104)에서는, 송신된 검출 결과에 근거하여, 얼라이먼트 동작을 실시시킨다. In the alignment operation | movement, the some alignment camera CA (CA1-CA8) provided in each part detects the alignment mark AM formed in the sheet | seat board | substrate FB suitably, and transmits a detection result to the
예를 들면, 제어부(104)는, 얼라이먼트 카메라(CA(CA1~CA8))가 검출하는 얼라이먼트 마크(AM)의 촬상 간격 등에 근거하여 시트 기판(FB)의 전송 속도를 검출하여, 롤러(RR)가 예를 들면 소정 속도로 회전하고 있는지 아닌지를 판단한다. 롤러(RR)가 소정 속도로 회전하고 있지 않다고 판단한 경우, 제어부(104)는, 롤러(RR)의 회전 속도의 조정 지령을 내려 피드백을 한다. For example, the
또, 예를 들면 제어부(104)는, 얼라이먼트 마크(AM)의 촬상 결과에 근거하여, 얼라이먼트 마크(AM)의 Y축 방향의 위치가 어긋나 있는지 아닌지를 검출하여, 시트 기판(FB)의 Y축 방향의 위치 어긋남의 유무를 검출한다. 위치 어긋남이 검출된 경우, 제어부(104)는, 시트 기판(FB)을 반송시킨 상태로 위치 어긋남이 어느 정도의 시간이 계속하고 있는지를 검출한다. For example, the
위치 어긋남의 시간이 단시간이면, 액적 도포 장치(120)의 복수의 노즐(122) 중 액적을 도포하는 노즐(122)을 전환함으로써 대응한다. 시트 기판(FB)의 Y축 방향의 어긋남이 장시간 계속될 것 같으면, 롤러(RR)의 이동에 의해서 시트 기판(FB)의 Y축 방향의 위치 보정을 실시한다. If the time of position shift is a short time, it responds by switching the
또, 예를 들면 제어부(104)는, 얼라이먼트 카메라(CA)가 검출하는 얼라이먼트 마크(AM)의 X축 및 Y축 방향의 위치에 근거하여, 시트 기판(FB)이 θZ 방향으로 어긋나 있는지 아닌지를 검출한다. 위치 어긋남이 검출된 경우, 제어부(104)는, Y축 방향의 위치 어긋남의 검출시와 마찬가지로, 시트 기판(FB)을 반송시킨 상태에서 위치 어긋남이 어느 정도의 시간이 계속하고 있는지를 검출한다.For example, the
위치 어긋남의 시간이 단시간이면, 액적 도포 장치(120)의 복수의 노즐(122) 중 액적을 도포하는 노즐(122)을 전환함으로써 대응한다. 어긋남이 장시간 계속될 것 같으면, 해당 어긋남을 검출한 얼라이먼트 카메라(CA)를 사이에 두는 위치에 마련되는 2개의 롤러(RR)를 X 방향 또는 Y 방향으로 이동시키고, 시트 기판(FB)의 θZ 방향의 위치 보정을 실시한다. If the time of position shift is a short time, it responds by switching the
또한, 본 실시 형태에서, 제어부(104)가 에어 패드 기구(40)을 제어할 때에는, 예를 들면 기체층(AR)을 균일한 두께의 층이 되도록 제어함과 아울러, 얼라이먼트 동작이나 전극 형성 동작이나 발광층 형성 동작, 시트 기판(FB)의 절단 동작 등, 상기 실시 형태에서의 기판 처리부(102)의 처리에 따라서, 층 두께나 기체층(AR)의 형성 범위, 패드 부재(41)로부터의 기체의 공급 속도 또는 공급량 등을 제어하는 것이 바람직하다. In addition, in this embodiment, when the
이상과 같이, 본 실시 형태에서의 기판 처리 장치(100)는, 시트 기판(FB)에 대해서 소정의 처리를 실시하는 액적 도포 장치(120 및 140)와, 해당 액적 도포 장치(120 및 140)에 대해서 이동함과 아울러, 시트 기판(FB)의 피처리면(FBc)을 형성시키면서 해당 시트 기판(FB)을 유지하는 흡착 유지판(12)을 구비한다. 또, 본 실시 형태의 기판 처리 장치(100)에 의하면, 시트 기판(FB)의 피처리면(FBc)에서의 평탄성을 확보하면서 시트 기판(FB)에 처리를 실시할 수 있다. 이것에 의해, 가요성을 가지는 기판에 대해서 고정밀도 패턴을 형성할 수 있는 기판 처리 장치(100)를 제공할 수 있다. As mentioned above, the
본 발명의 기술 범위는 상기 실시 형태에 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위에서 적당히 변경을 가할 수 있다. The technical scope of this invention is not limited to the said embodiment, A change can be suitably added in the range which does not deviate from the meaning of this invention.
예를 들면, 상기 실시 형태에서는, 반송 기구(TR)를 기판 처리 장치(100)의 바닥부에 대해서 반송 방향(X 방향)으로 긴 길이로 하고 반송 방향의 수직 방향(Z 방향)으로 짧은 길이로 되도록 구성했지만, 이것에 한정되는 것은 아니고, 예를 들면 도 21에 나타내는 바와 같이 Z 방향으로 긴 길이로 되도록 구성해도 상관없다. 이 경우, 시트 기판(FB)이 Z 방향을 따라서 반송되게 되며, 해당 시트 기판(FB)에 대한 처리는 X 방향 또는 Y 방향으로 실시되게 된다. For example, in the said embodiment, conveyance mechanism TR is made into a long length with respect to the bottom part of the
또, 상기 실시 형태에서는, 반송 기구(TR) 중 베이스부(21)의 +Z측의 흡착 유지판(12)만을 이용하여 반송 및 피처리면(FBc)의 형성을 실시하는 구성으로 했지만, 이것에 한정되는 것은 아니고, 예를 들면 도 21에 나타내는 바와 같이 베이스부(21)의 -Z측의 흡착 유지판(12)을 이용하여 반송 및 피처리면(FBc)의 형성을 실시하는 구성이라도 상관없다. 이 경우, 예를 들면, 전극 형성부(92)의 액적 도포 장치(120)는 베이스부(21)의 +Z측의 흡착 유지판(12)을 이용하여 시트 기판(FB)에 대해서 상술한 처리를 실시하고, 발광층 형성부(93)의 액적 도포 장치(140)는 베이스부(21)의 -Z측의 흡착 유지판(12)을 이용하여 시트 기판(FB)에 대해서 상술한 처리를 실시한다. 이것에 의해, 기판 처리 장치(100)의 장치 자체의 크기가 작아져, 기판 처리 장치(100)를 배치하는 공간이 절약된다. Moreover, in the said embodiment, although it set it as the structure which forms conveyance and a to-be-processed surface FBc using only the
또, 상기 실시 형태에서, 반송 기구(TR)는 액적 도포 장치(120, 140)에 대응하는 위치에만 마련하도록 했지만, 반송 기구(TR)는 다른 위치에 배치해도 상관없다.
In addition, in the said embodiment, although the conveyance mechanism TR was provided only in the position corresponding to the
FB … 시트 기판 TR … 반송 기구
FBA … 피처리 부분 S1 … 공간
S2 … 공간 10 … 벨트 기구
12 … 흡착 유지판 12a … 흡착 유지면
13 … 지지 부재 14 … 축 부재
15 … 유지 부재 16 … 흡착 패드
16a … 흡착면 17 … 지지판
17a … Y 방향용 액추에이터 18 … 펌프 기구
20 … 벨트 구동 기구 22 … 벨트 가압부
23 … 벨트 가압 액추에이터 30 … 고정 원통축
31 … 회전 실린더 40 … 에어 패드 기구
41 … 패드 부재 43 … 배관
100 … 기판 처리 장치 104 … 제어부
105 … 반송부FB… Sheet substrate TR; Conveying mechanism
FBA… To-be-processed part S1... space
S2.
12 ...
13 ...
15 ... Holding
16a.
17a... Actuator for
20 ...
23 ... Belt
31 ...
41….
100 ...
105. Carrier
Claims (24)
상기 처리부에 대해서 이동함과 아울러, 상기 기판의 피처리면(被處理面)을 형성시키면서 상기 기판을 유지하는 기판 유지부를 구비하는 기판 처리 장치. A processing unit that performs a predetermined process on the substrate,
A substrate processing apparatus comprising a substrate holding portion for holding the substrate while moving with respect to the processing portion and forming a surface to be processed of the substrate.
상기 기판 유지부는, 복수 마련되는 기판 처리 장치. The method according to claim 1,
A substrate processing apparatus provided with a plurality of said board | substrate holding parts.
상기 기판 유지부는, 상기 피처리면을 평탄하게 하는 유지면을 가지는 기판 처리 장치. The method according to claim 1 or 2,
The substrate holding portion has a holding surface that makes the surface to be processed flat.
상기 기판 유지부는, 무단상(無端狀)의 지지 부재에 배치되어 있는 기판 처리 장치. The method according to any one of claims 1 to 3,
The substrate holding unit is disposed on an endless support member.
상기 기판 유지부는, 상기 처리부에 의한 처리 위치에서 상기 기판을 유지하는 기판 처리 장치. The method according to any one of claims 1 to 4,
The substrate holding unit holds the substrate at a processing position by the processing unit.
상기 기판 유지부를 상기 처리부측으로 향해 누르는 가압 기구를 더 구비하는 기판 처리 장치. The method according to any one of claims 1 to 5,
And a pressing mechanism for pressing the substrate holding portion toward the processing portion side.
상기 가압 기구에 의해서 눌린 상기 기판 유지부를 받는 받이부를 더 구비하는 기판 처리 장치. The method of claim 6,
And a receiving portion receiving the substrate holding portion pressed by the pressing mechanism.
상기 기판 유지부와의 사이에 기체층을 형성하는 기체층 형성부를 더 구비하며,
상기 받이부로서, 상기 기체층이 이용되는 기판 처리 장치. The method of claim 7,
Further comprising a gas layer forming unit for forming a gas layer between the substrate holding unit,
The substrate processing apparatus in which the said gas layer is used as said receiving part.
상기 기판 유지부와 상기 받이부를 이용하여, 상기 피처리면의 기준이 되는 기준면을 형성하는 기판 처리 장치. The method according to claim 7 or 8,
The substrate processing apparatus which forms the reference surface which becomes a reference | standard of the said to-be-processed surface using the said board | substrate holding part and the said receiving part.
상기 기체층 형성부는, 상기 기판 유지부의 이동 방향으로 상기 처리부를 사이에 두도록 마련되는 기판 처리 장치. The method according to claim 9,
The substrate layer forming unit is provided so as to sandwich the processing unit in a moving direction of the substrate holding unit.
상기 기판 유지부를 구동하는 구동부를 더 구비하는 기판 처리 장치. The method according to any one of claims 1 to 10,
And a driving part for driving the substrate holding part.
상기 기판을 반송하는 기판 반송부를 더 구비하며,
상기 구동부는, 상기 기판의 반송 속도에 따라서 상기 기판 유지부를 구동하는 기판 처리 장치. The method of claim 11,
Further provided with a substrate conveying unit for conveying the substrate,
The said drive part drives the said board | substrate holding part according to the conveyance speed of the said board | substrate.
상기 기판 유지부는, 상기 기판을 흡착하는 흡착부를 가지는 기판 처리 장치. The method according to any one of claims 1 to 12,
The substrate holding apparatus has an adsorption section for adsorbing the substrate.
상기 흡착부는, 상기 기판의 흡착 상태를 전환하는 전환 기구를 가지는 기판 처리 장치. The method according to claim 13,
The said adsorption part has a switching mechanism which switches the adsorption state of the said board | substrate.
상기 전환 기구는, 상기 기판 유지부의 위치에 따라서 상기 흡착 상태를 전환하는 기판 처리 장치. The method according to claim 14,
The said switching mechanism switches the said adsorption state according to the position of the said board | substrate holding part.
상기 흡착부는, 상기 기판의 가장자리부에 대응하여 배치되어 있는 기판 처리 장치. The method according to any one of claims 13 to 15,
The said adsorption part is arrange | positioned corresponding to the edge part of the said board | substrate.
상기 기판 유지부는, 상기 흡착부를 이동시키는 이동 기구를 가지는 기판 처리 장치. The method according to any one of claims 13 to 16,
The substrate holding apparatus has a moving mechanism for moving the suction section.
기판 유지부에 의해서 상기 기판의 피처리면을 형성시키면서 상기 기판을 유지하는 기판 유지 공정과,
무단상(無端狀)의 지지 부재에 배치된 상기 기판 유지부를 상기 기판의 반송 방향으로 이동시키는 이동 공정을 가지는 표시 소자의 제조 방법. A processing step of performing a predetermined treatment on the surface to be processed of the substrate,
A substrate holding step of holding the substrate while forming a to-be-processed surface of the substrate by a substrate holding portion;
The manufacturing method of the display element which has a movement process which moves the said board | substrate holding part arrange | positioned at an endless support member to the conveyance direction of the said board | substrate.
상기 피처리면의 기준이 되는 기준면을 상기 기판 상에 형성하는 형성 공정을 가지는 표시 소자의 제조 방법. 19. The method of claim 18,
A manufacturing method of a display element having a forming step of forming a reference plane, which is a reference of the target surface, on the substrate.
상기 형성 공정은, 상기 기판을 향해 기체를 공급하여 상기 기판 상에 기체층을 형성하는 것을 포함하는 표시 소자의 제조 방법. The method of claim 19,
The forming step includes supplying a gas toward the substrate to form a gas layer on the substrate.
상기 형성 공정은, 상기 소정의 처리에 따라서 상기 기체층을 제어하는 것을 포함하는 표시 소자의 제조 방법. The method of claim 20,
The said forming process is a manufacturing method of the display element containing controlling the said gas layer according to the said predetermined process.
상기 기판 유지부를 상기 기판측으로 향해 누르는 가압 공정을 가지는 표시 소자의 제조 방법. The method according to any one of claims 18 to 21,
The manufacturing method of the display element which has a pressing process which presses the said board | substrate holding part toward the said board | substrate side.
상기 기판 유지 공정은, 상기 기판 유지부에 상기 기판을 흡착시키고, 상기 기판 유지부의 위치에 따라서 상기 기판의 흡착 상태를 전환하는 것을 포함하는 표시 소자의 제조 방법. The method according to any one of claims 18 to 22,
The substrate holding step includes the step of adsorbing the substrate to the substrate holding portion and switching the adsorption state of the substrate in accordance with the position of the substrate holding portion.
가요성을 가지는 상기 기판을 상기 반송 방향으로 반송하는 반송 공정을 가지는 표시 소자의 제조 방법. The method according to any one of claims 18 to 23,
The manufacturing method of the display element which has a conveyance process which conveys the said board | substrate with flexibility to the said conveyance direction.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2009-268789 | 2009-11-26 | ||
JP2009268789 | 2009-11-26 | ||
PCT/JP2010/071124 WO2011065478A1 (en) | 2009-11-26 | 2010-11-26 | Substrate processing apparatus and method for manufacturing display element |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020187007930A Division KR101880017B1 (en) | 2009-11-26 | 2010-11-26 | Substrate processing apparatus and method for manufacturing display element |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20120113699A true KR20120113699A (en) | 2012-10-15 |
KR101843545B1 KR101843545B1 (en) | 2018-03-30 |
Family
ID=44066582
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020187019872A KR101906129B1 (en) | 2009-11-26 | 2010-11-26 | Substrate processing apparatus and method for manufacturing display element |
KR1020187007930A KR101880017B1 (en) | 2009-11-26 | 2010-11-26 | Substrate processing apparatus and method for manufacturing display element |
KR1020127009105A KR101843545B1 (en) | 2009-11-26 | 2010-11-26 | Substrate processing apparatus and method for manufacturing display element |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020187019872A KR101906129B1 (en) | 2009-11-26 | 2010-11-26 | Substrate processing apparatus and method for manufacturing display element |
KR1020187007930A KR101880017B1 (en) | 2009-11-26 | 2010-11-26 | Substrate processing apparatus and method for manufacturing display element |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5887935B2 (en) |
KR (3) | KR101906129B1 (en) |
CN (1) | CN102666323B (en) |
HK (1) | HK1174316A1 (en) |
WO (1) | WO2011065478A1 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL2010103A (en) * | 2012-01-17 | 2013-07-18 | Asml Netherlands Bv | A method of loading a flexible substrate, a device manufacturing method, an apparatus for loading a flexible substrate, and a lithography apparatus. |
KR20210003358A (en) | 2019-07-01 | 2021-01-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | Apparatus and method for manufacturing a display device |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2639246B2 (en) * | 1991-08-30 | 1997-08-06 | 凸版印刷株式会社 | Substrate positioning device |
JPH09306974A (en) * | 1996-05-14 | 1997-11-28 | Toshiba Corp | Work holder |
JPH11293459A (en) * | 1998-04-07 | 1999-10-26 | Murata Mfg Co Ltd | Multilayer film forming device |
JP2003174074A (en) * | 2001-12-06 | 2003-06-20 | Seiko Epson Corp | Substrate suction pad, substrate carrier, substrate processing system and substrate carrying method |
JP2006116435A (en) * | 2004-10-21 | 2006-05-11 | Seiko Epson Corp | Liquid droplet discharge device, work adapted thereto, manufacturing method of electrooptical device, electrooptical device and electronic device |
JP4313284B2 (en) * | 2004-11-15 | 2009-08-12 | 大日本スクリーン製造株式会社 | Substrate processing equipment |
JP2006245302A (en) * | 2005-03-03 | 2006-09-14 | Fuji Photo Film Co Ltd | Sheet body holding mechanism and drawing device using the same |
JP5157440B2 (en) | 2005-03-18 | 2013-03-06 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | Manufacturing method of organic EL element |
JP4672480B2 (en) * | 2005-08-10 | 2011-04-20 | 東京エレクトロン株式会社 | Application processing equipment |
JP5023542B2 (en) * | 2006-04-17 | 2012-09-12 | 富士ゼロックス株式会社 | Droplet discharge device |
JP2008063020A (en) * | 2006-09-04 | 2008-03-21 | Olympus Corp | Substrate carrying device, and substrate inspection system using it |
JP4740414B2 (en) * | 2007-04-24 | 2011-08-03 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate transfer device |
JP2008302487A (en) * | 2007-06-11 | 2008-12-18 | Olympus Corp | Substrate sucking device, substrate transporting device, and outside appearance inspecting device |
JP5092627B2 (en) * | 2007-08-29 | 2012-12-05 | 凸版印刷株式会社 | Substrate transfer device and substrate inspection device |
JP2009218505A (en) * | 2008-03-12 | 2009-09-24 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | Unload chamber, and method for operating the same |
-
2010
- 2010-11-26 KR KR1020187019872A patent/KR101906129B1/en active IP Right Grant
- 2010-11-26 CN CN201080048800.0A patent/CN102666323B/en active Active
- 2010-11-26 KR KR1020187007930A patent/KR101880017B1/en active IP Right Grant
- 2010-11-26 WO PCT/JP2010/071124 patent/WO2011065478A1/en active Application Filing
- 2010-11-26 JP JP2011543319A patent/JP5887935B2/en active Active
- 2010-11-26 KR KR1020127009105A patent/KR101843545B1/en active IP Right Grant
-
2013
- 2013-02-06 HK HK13101660.2A patent/HK1174316A1/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20180084144A (en) | 2018-07-24 |
CN102666323B (en) | 2015-06-03 |
KR101880017B1 (en) | 2018-07-18 |
KR20180033596A (en) | 2018-04-03 |
KR101843545B1 (en) | 2018-03-30 |
KR101906129B1 (en) | 2018-10-08 |
JP5887935B2 (en) | 2016-03-16 |
CN102666323A (en) | 2012-09-12 |
HK1174316A1 (en) | 2013-06-07 |
JPWO2011065478A1 (en) | 2013-04-18 |
WO2011065478A1 (en) | 2011-06-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101538281B1 (en) | Display element manufacturing method and display element manufacturing apparatus | |
US9072210B2 (en) | Substrate cartridge, substrate processing apparatus, substrate processing system, control apparatus, and method of manufacturing display element | |
JP5294141B2 (en) | Display element manufacturing equipment | |
JP2011092855A (en) | Inkjet coating apparatus and method | |
US9193560B2 (en) | Leader member, substrate, substrate cartridge, substrate-processing apparatus, leader-connecting method, method of manufacturing display element, and apparatus for manufacturing display element | |
KR101843545B1 (en) | Substrate processing apparatus and method for manufacturing display element | |
US9379339B2 (en) | Substrate cartridge, substrate-processing apparatus, substrate-processing system, substrate-processing method, control apparatus, and method of manufacturing display element | |
JP5556105B2 (en) | Substrate cartridge, substrate processing apparatus, substrate processing system, control apparatus, and display element manufacturing method | |
JP2011084402A (en) | Substrate cartridge, substrate treatment apparatus, substrate treatment system, control apparatus and method of manufacturing display element | |
JP5743005B2 (en) | Manufacturing method of display element | |
JP5743004B2 (en) | Electric circuit manufacturing method | |
KR101777096B1 (en) | Substrate cartridge and its applications | |
KR20120140280A (en) | Roll to roll type printer | |
JP2011098809A (en) | Substrate cartridge, substrate processing device, substrate processing system, substrate processing method, control device and method of manufacturing display element |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
A107 | Divisional application of patent | ||
GRNT | Written decision to grant |