KR20120113419A - 발광소자 모듈 및 면광원 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 발광소자 모듈 및 면광원 장치에 관한 것으로서, 패키지 본체; 상기 패키지 본체에 탑재되며, 특정 색에서 피크 파장을 갖는 빛을 제공하는 제1 발광소자; 상기 패키지 본체에 상기 제1 발광소자에 이웃하도록 탑재되며, 인가되는 구동전원의 전류값에 따라 광량을 조절함으로서 색온도 조절이 가능한, 오렌지색의 제2 발광소자; 및 상기 제1 및 제2 발광소자를 봉지하며, 1종 이상의 형광체를 포함하는 수지부로 구성되는 발광소자 패키지를 포함하며, 상기 발광소자 패키지는, 외부로부터의 제어신호에 따라 상기 제1 발광소자 를 턴-온시키고, 턴-온된 상기 제1 발광소자에 인가되는 전류값을 조절하여 색온도를 변화시키는 제1 구동회로와, 외부로부터의 제어신호에 따라 상기 제2 발광소자를 턴-온시키고, 턴-온된 상기 제2 발광소자에 인가되는 전류값을 조절하여 색온도를 변화시키는 제2 구동회로를 포함하는 구동제어부에 의해 제어되어 색온도 조절이 가능하므로, 개별소자의 특성 차이나 공정의 변화에 관계없이 용도에 맞는 균일한 색온도를 제공한다.
Description
본 발명은 발광소자 모듈 및 면광원 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 색온도 조절이 가능한 발광소자 모듈 및 면광원 장치에 관한 것이다.
발광소자는 전기에너지를 이용하여 소자 내에 포함되어 있는 물질이 빛을 발광하는 소자로서, 접합된 반도체의 전자와 정공이 재결합하며 발생하는 에너지를 광으로 변환하여 방출한다. 이러한 발광소자는 현재 조명, 표시장치 및 광원으로서 널리 이용되며 그 개발이 가속화되고 있는 추세이다.
특히, 최근 그 개발 및 사용이 활성화된 질화갈륨(GaN)계 발광소자를 이용한 휴대폰 키패드, 사이드 뷰어, 카메라 플래쉬 등의 상용화에 힘입어, 최근 발광소자를 이용한 일반 조명 개발이 활기를 띠고 있다. 대형 TV의 백라이트 유닛 및 자동차 전조등, 일반 조명 등 그의 응용제품이 소형 휴대제품에서 대형화, 고출력화, 고효율화된 제품으로 진행하여 해당 제품에 요구되는 특성을 나타내는 광원을 요구하게 되었다.
본 발명의 목적 중의 하나는 색온도 조절이 가능한 발광소자 모듈을 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적 중의 하나는 색온도 조절이 가능한 면광원 장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 발광소자 모듈은 패키지 본체; 상기 패키지 본체에 탑재되며, 특정 색에서 피크 파장을 갖는 빛을 제공하는 제1 발광소자; 상기 패키지 본체에 상기 제1 발광소자에 이웃하도록 탑재되며, 인가되는 구동전원의 전류값에 따라 광량을 조절함으로서 색온도 조절이 가능한, 오렌지색의 제2 발광소자; 및 상기 제1 및 제2 발광소자를 봉지하며, 1종 이상의 형광체를 포함하는 수지부로 구성되는 발광소자 패키지를 포함하며, 상기 발광소자 패키지는, 외부로부터의 제어신호에 따라 상기 제1 발광소자에 인가되는 전류값을 조절하여 색온도를 변화시키는 제1 구동회로와, 외부로부터의 제어신호에 따라 상기 제2 발광소자에 인가되는 전류값을 조절하여 색온도를 변화시키는 제2 구동회로를 포함하는 구동제어부에 의해 제어되는 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 제1 발광소자는 400nm-480nm 의 피크 파장 대역을 갖는 청색 발광소자일 수 있으며, 상기 제2 발광소자는 560nm-590nm 의 피크 파장 대역을 갖는 발광소자일 수 있다.
또한, 상기 수지부의 형광체는 황색 형광체, 녹색 형광체, 적색 형광체 중의 하나 이상을 포함할 수 있으며, 상기 수지부의 형광체는 황색 형광체, 녹색 형광체, 적색 형광체를 포함할 수 있으며, 상기 수지부의 형광체는 황색 형광체 및 적색 형광체를 포함할 수도 있다.
이때, 상기 색온도는 2,500K-10,000K 범위일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 면광원 장치는 복수의 백색 발광소자 패키지와 하나 이상의 오렌지색 발광소자 패키지가 어레이된 기판; 및 외부로부터의 제어신호에 따라 상기 백색 발광소자 패키지에 인가되는 전류값을 조절하여 색온도를 변화시키는 제1 구동회로와, 외부로부터의 제어신호에 따라 상기 오렌지색 발광소자 패키지에 인가되는 전류값을 조절하여 색온도를 변화시키는 제2 구동회로를 포함하는 구동제어부를 포함하며, 상기 백색 발광소자 패키지 및 상기 오렌지색 발광소자 패키지는 동일한 색상의 발광소자 패키지 간에 서로 전기적 연결을 형성한 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 제1 구동회로의 전류값을 고정하고, 제2 구동회로의 전류값을 조절하여 색온도를 변화시킬 수 있으며, 상기 제2 구동회로의 전류값을 고정하고, 제1 구동회로의 전류값을 조절하여 색온도를 변화시킬 수도 있다.
또한, 상기 백색 발광소자 패키지는, 청색 발광소자; 및 상기 청색 발광소자를 봉지하며, 황색 및 적색의 형광체를 포함하는 수지부를 구비할 수 있으며, 청색 발광소자; 및 상기 청색 발광소자를 봉지하며, 황색, 적색 및 녹색의 형광체를 포함하는 수지부를 구비할 수도 있다.
이때, 상기 백색 발광소자 패키지의 피크 파장 대역은 400nm-480nm 이며, 색온도는 2,500K-10,000K일 수 있으며, 상기 오렌지색 발광소자 패키지의 피크 파장 대역은 560nm-590nm일 수 있다.
본 발명에 의한 발광소자 모듈 및 면광원 장치는 색온도 조절이 가능하므로, 개별소자의 편차 또는 제조공정의 변화에 관계없이 용도에 맞는 균일한 색온도를 갖는 발광소자 모듈 및 면광원 장치를 제공한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 발광소자 모듈의 회로도이다.
도 2는 도 1의 발광소자 패키지의 평면도이다.
도 3은 도 2에 도시한 발광소자 패키지의 C-C' 라인을 따라 절단한 단면의 형태를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 의한 발광소자 모듈의 색온도 특성을 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 의한 발광소자 모듈의 색온도 변화를 나타낸 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 의한 면광원 장치의 회로도이다.
도 7은 본 발명의 일실시예에 의한 면광원 장치의 평면도이다.
도 2는 도 1의 발광소자 패키지의 평면도이다.
도 3은 도 2에 도시한 발광소자 패키지의 C-C' 라인을 따라 절단한 단면의 형태를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 의한 발광소자 모듈의 색온도 특성을 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 의한 발광소자 모듈의 색온도 변화를 나타낸 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 의한 면광원 장치의 회로도이다.
도 7은 본 발명의 일실시예에 의한 면광원 장치의 평면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 설명한다.
이러한 실시예는 본 발명에 대하여 당업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범위를 예시하기 위해 제공되는 것이다. 그러므로 본 발명은 이하의 실시예들에 한정되는 것이 아니라, 본 발명의 특허청구범위가 제시하는 다양한 형태로 구현될 수 있다. 따라서, 도면에 도시된 구성요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 도면 상에서 실질적으로 동일한 구성과 기능을 가진 구성요소들은 동일한 참조부호를 사용할 것이다.
먼저, 본 발명의 일 실시예에 의한 발광소자 모듈(100)에 대해 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 발광소자 모듈의 회로도이고, 도 2는 도 1의 발광소자 패키지의 평면도이며, 도 3은 도 2에 도시한 발광소자 패키지의 C-C' 라인을 따라 절단한 단면의 형태를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 상기 발광소자 모듈(100)는 빛이 방출되는 발광소자 패키지(110)와 이를 제어하는 구동제어부(120)를 포함한다.
도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 발광소자 패키지(110)는 발광소자가 실장된 패키지로서, 패키지 본체(111), 제1 발광소자(112), 제2 발광소자(113)를 포함한다.
상기 패키지 본체(111)는 일측면에 상기 제1 및 제2 발광소자(112, 113)가 실장되며, 상기 제1 및 제2 발광소자(112, 113)가 실장되는 면은 둘레가 경사면을 이루도록 오목하게 형성된 요면을 형성할 수도 있다.
상기 제1 및 제2 발광소자(112, 113)는 전기 신호 인가시 빛을 방출하는 광전 소자라면 어느 것이나 이용 가능하며, 대표적으로, 성장기판 상에 반도체층을 에피택셜 성장시킨 반도체 발광소자 칩을 이용할 수 있다. 성장기판은 사파이어가 적용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 스피넬, SiC, GaN, GaAs 등과 같은 공지된 성장용 기판을 이용할 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 및 제2 발광소자(112, 113)은 BN, SiC, ZnSe, GaN, InGaN, InAlGaN, AlGaN, BAlGaN, BInAlGaN 등으로 이루어질 수 있으며, Si 또는 Zn 등으로 도핑할 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 발광소자(112, 113)의 발광층은 InxAlyGa1 -x-y(0≤X≤1, 0≤Y≤1, 0≤X+Y≤1)로 이루어진 질화물 반도체로 구성될 수 있으며, 단일 또는 다중 양자 우물 구조로 이루어져 출력을 향상시킬 수 있다.
도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 제1 및 제2 발광소자(112, 113)의 상면에 형성된 전극(미도시)은 패키지 본체(111) 상의 리드프레임(미도시)과 와이어(W) 본딩되어 외부로부터 전기 신호를 인가받을 수 있다. 본 실시예의 경우, 상기 제1 및 제2 발광소자(112, 113) 상면에 형성된 양 전극을 통해 각각 와이어 본딩되는 형태로 도시되어 있으나, 이와는 달리, 발광소자의 실장 영역으로 제공되는 리드프레임과는 와이어를 이용하지 않고 직접 전기적으로만 연결되고 실장 영역으로 제공되지 않은 리드프레임만 도전성 와이어로 연결되는 등 구체적인 연결 방식은 필요에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 또한, 본 실시예에서는, 상기 패키지 본체(111) 내에 두개의 발광소자(112, 113)가 도시되어 있으나, 3개 이상의 발광소자가 구비될 수도 있을 것이다.
상기 제1 발광소자(112)는 형광체에 의해 백색광으로 변환될 수 있는 광이 방출되는 발광소자가 사용될 수 있으며, 예를 들어 피크 파장이 400nm-480nm인 청색 발광소자가 사용될 수 있다.
또한, 상기 제2 발광소자(113)는 오렌지색 광이 방출되는 발광소자가 사용될 수 있으며, 예를 들어 피크 파장이 560nm-590nm인 오렌지색 발광소자가 사용될 수 있다.
상기 수지부(114)는 상기 제1 및 제2 발광소자(112, 113)를 수용하도록 형성되며, 구성하는 재료는 광 투과성이면 그 성분은 특별히 제한되지 않으며, 실리콘 수지 조성물, 변성 실리콘 수지 조성물, 에폭시 수지 조성물, 변성 에폭시 수지 조성물, 아크릴수지 조성물 등의 투광성을 갖는 절연 수지가 적용될 수 있다. 또한, 실리콘, 에폭시, 불소 수지 중 적어도 하나 이상을 포함하는 하이브리드 수지 등 내후성이 뛰어난 수지를 이용할 수 있으며, 상기 수지부(114)의 재료는 유기물에 한정되지 않고, 유리, 실리카겔 등의 내광성이 뛰어난 무기물이 적용될 수도 있다.
또한, 상기 수지부(114)의 표면 형상을 조절하여 배광분포를 제어하도록 할 수 있으며, 구체적으로, 볼록 렌즈, 오목렌즈, 타원 등의 형상을 갖도록 하여, 상기 제1 및 제2 발광소자(112, 113)에서 방출되는 배광 분포를 제어할 수 있다.
이때, 상기 수지부(114)에는 적어도 1종의 형광체를 함유할 수 있다. 상기 형광체는 황색(yellow), 적색(red) 및 녹색(green) 중 어느 하나로 파장을 변환시키는 형광체로 이루어질 수 있으며, 상기 형광체의 종류는, 상기 제1 및 제2 발광소자(112, 113)의 활성층으로부터 방출되는 파장에 의해 결정될 수 있다. 구체적으로, 상기 형광체는 YAG계, TAG계, 실리케이트(Silicate)계, 설파이드(Sulfide)계 또는 나이트라이드(Nitride)계 중 어느 하나 이상의 형광물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 청색 발광소자에 황색 및 적색으로 파장 변환시키는 형광체를 적용하거나, 청색 발광소자에 황색, 녹색 및 적색으로 파장 변환시키는 형광체를 적용하여, 청색광을 백색광으로 변환시키는 수지부(114)를 형성할 수도 있다.
상기 구동제어부(120)는 외부의 제어신호에 따라 제1 및 제2 발광소자(112, 113) 중 적어도 하나의 발광소자를 선택하여 구동할 수 있도록 제1 구동회로(121) 및 제2 구동회로(122)가 내장될 수 있다. 이때, 상기 구동제어부(120)는 다양한 회로들이 집적화된 IC와, 그 IC의 주변회로들로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 제1 구동회로(121)는 외부로부터의 제어신호에 따라 상기 제1 발광소자(112)를 턴-온(turn-on)시키고, 턴-온된 상기 제1 발광소자(112)에 인가되는 전류값을 조절하여 색온도를 변화시킬 수 있다.
상기 제2 구동회로(122)는 외부로부터의 제어신호에 따라 상기 제2 발광소자(113)를 턴-온(turn-on)시키고, 턴-온된 상기 제2 발광소자(113)에 인가되는 전류값을 조절하여 색온도를 변화시킬 수 있다.
상기, 구동제어부(120)는 상기 발광소자 모듈(100)의 제조시에 고정된 전류값을 인가하도록 할 수 있으며, 사용자가 임의로 전류값을 조절하여 색온도를 조절할 수도 있다.
이때, 상기 제1 및 제2 구동회로(121, 122)는 상기 제1 및 제2 발광소자(112, 113)에서 방출되는 광의 색온도는 2,500K~10,000K의 범위로 할 수 있다.
이와 같은 구성의 발광소자 모듈(100)은 제1 및 제2 발광소자(112, 113)에 전류를 인가하면 광이 방출되게 되며, 상기 제1 발광소자(112) 또는 상기 제2 발광소자(113)에 인가되는 전류값을 조절하여 색온도를 변화시킬 수 있다.
도 4 및 도 5를 참조하여 구체적인 예를 들면, 제1 발광소자(112)로 피크 파장이 400nm-480nm인 청색 발광소자를 탑재한 경우에, 전류를 인가하면 수지층의 형광체(황색, 녹색, 적색)를 통과하며 백색광(A)이 방출되게 되는데, 이러한 백색광은 약 6000K의 색온도를 갖는다. 그 다음으로, 제2 발광소자(113)에 전류를 인가하면 오렌지색 광이 방출되게 되는데, 인가되는 전류를 점점 증가시킴에 따라 오렌지색의 광이 증가하므로, 상기 발광소자 모듈(100)에서 방출되는 광의 색온도는 점점 감소되어, 연색성(color rendering)이 향상된 백색광(B)이 방출된다. 이러한, 색온도 값은 다양하게 변화시킬 수 있으며, 상기와 같은 온도값에 한정하는 것은 아니다.
이와 같이, 제1 발광소자(112)와 제2 발광소자(113)에 인가되는 전류값을 조정하여 각각의 광량을 조정하면, 다양한 색온도를 갖는 백색광을 만들수 있게 되는 것이다. 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 제1 및 제2 발광소자(112, 113)의 광량과 상기 발광소자 모듈(100)에서 방출되는 광 사이에는 제2 발광소자(113)의 광량이 증가함에 따라, 색온도가 감소되며, 제1 발광소자(112)의 광량을 감소됨에 따라 색온도가 감소되는 관계가 있다.
그 다음으로, 본 발명의 일 실시예에 의한 면광원 장치(200)에 대해 설명한다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 의한 면광원 장치(200)의 회로도이고, 도 7은 본 발명의 일 실시예에 의한 면광원 장치(200)의 평면도이다.
도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 의한 면광원 장치(200)는, 기판(210) 및 구동제어부(220)를 포함한다.
상기 기판(210)에는 백색 발광소자 패키지(212)와 오렌지색 발광소자 패키지(213)가 어레이(array)된다.
상기 백색 발광소자 패키지(212)는 복수 개가 어레이 되며, 상기 오렌지색 발광소자 패키지(213)는 상기 기판(210) 상에 한 개 이상이 어레이 될 수 있다. 이때, 상기 백색 발광소자 패키지(212)와 상기 오렌지색 발광소자 패키지(213)는 격자형, 동심원형 등과 같이 다양한 배열로 배치할 수 있으며, 상기 백색 발광소자 패키지(212)가 상기 오렌지색 발광소자 패키지(213)를 둘러싸는 형상으로 배치할 수도 있다. 도 7은 상기 백색 발광소자 패키지(212)와 상기 오렌지색 발광소자 패키지(213)가 5×5의 격자형으로 상기 기판(210) 상에 배치되고, 상기 오렌지색 발광소자 패키지(213)를 상기 백색 발광소자 패키지(212)가 둘러싸고 있는 예이다.
상기 백색 발광소자 패키지(212)는 형광체에 의해 백색광으로 변환될 수 있는 광이 방출되는 청색 발광소자와 형광체를 포함하는 수지부를 포함할 수 있으며, 구체적으로, 피크 파장이 400nm-480nm인 청색 발광소자와 상기 청색 발광소자를 봉지하며 황색 및 적색의 형광체를 포함하는 수지부가 사용될 수 있다. 이때, 상기 백색 발광소자 패키지(212)에서 방출되는 광의 색온도는 2,500K-10,000K 일 수 있다.
상기 오렌지색 발광소자 패키지(213)는 형광체에 의해 백색광으로 변환될 수 있는 광이 방출되는 오렌지색 발광소자와 형광체를 포함하는 수지부를 포함할 수 있으며, 구체적으로, 피크 파장이 560nm-590nm인 오렌지색 발광소자와 상기 오렌지색 발광소자를 봉지하며 황색, 적색 및 녹색의 형광체를 포함하는 수지부가 사용될 수 있다.
상기 구동제어부(220)는 외부로부터의 제어신호에 따라 상기 백색 발광소자 패키지(212)를 턴-온시키고, 턴-온된 상기 백색 발광소자 패키지(212)에 인가되는 전류값을 조절하여 색온도를 변화시키는 제1 구동회로(221)와, 외부로부터의 제어신호에 따라 상기 오렌지색 발광소자 패키지(213)를 턴-온시키고, 턴-온된 상기 오렌지색 발광소자 패키지(213)에 인가되는 전류값을 조절하여 색온도를 변화시키는 제2 구동회로(222)를 포함한다.
상기 백색 발광소자 패키지(212) 및 상기 오렌지색 발광소자 패키지(213)는 동일한 색상의 발광소자 패키지 간에 서로 전기적 연결군을 형성할 수 있다. 이러한 전기적 연결적 연결군은 적어도 둘 이상(백색 발광소자 패키지군, 오렌지색 발광소자군) 형성되며, 동일한 색상의 광을 방출하는 복수의 발광소자 패키지군을 서로 병렬연결하여 각 구동회로(321, 322)가 동일한 색상의 발광소자 패키지군을 구동되게 할 수도 있다.
이와 같은 구성의 면광원 장치(200)는, 외부로부터의 제어신호에 따라, 상기 제1 및 제2 구동회로(221, 222)가 각각 상기 백색 발광소자 패키지(212) 및 상기 오렌지색 발광소자 패키지(213)에 전류를 인가하면 백색광을 방출되게 되며, 상기 제1 및 제2 구동회로(221, 222)는 외부의 제어신호에 따라 전류값을 조정하여 각 발광소자 패키지(212, 213)의 광량을 조정함으로써, 상기 면광원 장치(200)에서 방출되는 광의 색온도를 변화시킬 수 있다.
또한, 상기 면광원 장치(200)는 외부의 제어신호에 따라 상기 제1 구동회로(221)의 전류값을 고정하고, 제2 구동회로(222)의 전류값을 조절하여 색온도를 변화시킬 수 있으며, 상기 제2 구동회로(222)의 전류값을 고정하고, 제1 구동회로(221)의 전류값을 조절하여 색온도를 변화시킬 수도 있다.
100 : 발광소자 모듈 110 : 발광소자 패키지
111 : 패키지 본체 112 : 제1 발광소자
113 : 제2 발광소자 114 : 수지부
115 : 형광체 120 : 구동제어부
121 : 제1 구동회로 122 : 제2 구동회로
200 : 면광원 장치 210 : 기판
212 : 백색 발광소자 패키지 213 : 오렌지색 발광소자 패키지
220 : 구동제어부 221 : 제1 구동회로
222 : 제2 구동회로
111 : 패키지 본체 112 : 제1 발광소자
113 : 제2 발광소자 114 : 수지부
115 : 형광체 120 : 구동제어부
121 : 제1 구동회로 122 : 제2 구동회로
200 : 면광원 장치 210 : 기판
212 : 백색 발광소자 패키지 213 : 오렌지색 발광소자 패키지
220 : 구동제어부 221 : 제1 구동회로
222 : 제2 구동회로
Claims (14)
- 패키지 본체;
상기 패키지 본체에 탑재되며, 특정 색에서 피크 파장을 갖는 빛을 제공하는 제1 발광소자;
상기 패키지 본체에 상기 제1 발광소자에 이웃하도록 탑재되며, 인가되는 구동전원의 전류값에 따라 광량을 조절함으로서 색온도 조절이 가능한, 오렌지색의 제2 발광소자; 및
상기 제1 및 제2 발광소자를 봉지하며, 1종 이상의 형광체를 포함하는 수지부로 구성되는 발광소자 패키지를 포함하며,
상기 발광소자 패키지는, 외부로부터의 제어신호에 따라 상기 제1 발광소자에 인가되는 전류값을 조절하여 색온도를 변화시키는 제1 구동회로와,
외부로부터의 제어신호에 따라 상기 제2 발광소자에 인가되는 전류값을 조절하여 색온도를 변화시키는 제2 구동회로를 포함하는 구동제어부에 의해 제어되는 것을 특징으로 하는 발광소자 모듈.
- 제1항에 있어서,
상기 제1 발광소자는 400nm-480nm 의 피크 파장 대역을 갖는 청색 발광소자인 것을 특징으로 하는 발광소자 모듈.
- 제1항에 있어서,
상기 제2 발광소자는 560nm-590nm 의 피크 파장 대역을 갖는 것을 특징으로 하는 발광소자 모듈.
- 제1항에 있어서,
상기 수지부의 형광체는 황색 형광체, 녹색 형광체, 적색 형광체 중의 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 모듈.
- 제4항에 있어서,
상기 수지부의 형광체는 황색 형광체, 녹색 형광체, 적색 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 모듈.
- 제4항에 있어서,
상기 수지부의 형광체는 황색 형광체 및 적색 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 모듈.
- 제1항에 있어서,
상기 색온도는 2,500K-10,000K 범위인 것을 특징으로 하는 발광소자 모듈.
- 복수의 백색 발광소자 패키지와 하나 이상의 오렌지색 발광소자 패키지가 어레이된 기판; 및
외부로부터의 제어신호에 따라 상기 백색 발광소자 패키지에 인가되는 전류값을 조절하여 색온도를 변화시키는 제1 구동회로와, 외부로부터의 제어신호에 따라 상기 오렌지색 발광소자 패키지에 인가되는 전류값을 조절하여 색온도를 변화시키는 제2 구동회로를 포함하는 구동제어부를 포함하며,
상기 백색 발광소자 패키지 및 상기 오렌지색 발광소자 패키지는 동일한 색상의 발광소자 패키지 간에 서로 전기적 연결을 형성한 것을 특징으로 하는 면광원 장치.
- 제8항에 있어서,
상기 제1 구동회로의 전류값을 고정하고, 제2 구동회로의 전류값을 조절하여 색온도를 변화시키는 것을 특징으로 하는 면광원 장치.
- 제8항에 있어서,
상기 제2 구동회로의 전류값을 고정하고, 제1 구동회로의 전류값을 조절하여 색온도를 변화시키는 것을 특징으로 하는 면광원 장치.
- 제8항에 있어서,
상기 백색 발광소자 패키지는,
청색 발광소자; 및
상기 청색 발광소자를 봉지하며, 황색 및 적색의 형광체를 포함하는 수지부를 구비하는 것을 특징으로 하는 면광원 장치.
- 제8항에 있어서,
상기 백색 발광소자 패키지는,
청색 발광소자; 및
상기 청색 발광소자를 봉지하며, 황색, 적색 및 녹색의 형광체를 포함하는 수지부를 구비하는 것을 특징으로 하는 면광원 장치.
- 제8항에 있어서,
상기 백색 발광소자 패키지의 피크 파장 대역은 400nm-480nm 이며, 색온도는 2,500K-10,000K인 것 특징으로 하는 면광원 장치.
- 제8항에 있어서,
상기 오렌지색 발광소자 패키지의 피크 파장 대역은 560nm-590nm 인 것을 특징으로 하는 면광원 장치.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020110031117A KR20120113419A (ko) | 2011-04-05 | 2011-04-05 | 발광소자 모듈 및 면광원 장치 |
EP12162315.1A EP2509394A3 (en) | 2011-04-05 | 2012-03-30 | Light emitting device module and surface light source device |
US13/440,726 US8633658B2 (en) | 2011-04-05 | 2012-04-05 | Light emitting device module and surface light source device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020110031117A KR20120113419A (ko) | 2011-04-05 | 2011-04-05 | 발광소자 모듈 및 면광원 장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20120113419A true KR20120113419A (ko) | 2012-10-15 |
Family
ID=46149140
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020110031117A KR20120113419A (ko) | 2011-04-05 | 2011-04-05 | 발광소자 모듈 및 면광원 장치 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8633658B2 (ko) |
EP (1) | EP2509394A3 (ko) |
KR (1) | KR20120113419A (ko) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9809149B2 (en) * | 2012-07-13 | 2017-11-07 | Lg Innotek Co., Ltd | Lamp and vehicle lamp apparatus using the same |
US9308858B2 (en) | 2012-07-13 | 2016-04-12 | Lg Innotek Co., Ltd. | Lamp unit and lighting system for vehicle |
CN103207496A (zh) * | 2013-05-07 | 2013-07-17 | 广州奥翼电子科技有限公司 | 一种带光源的电子纸显示装置 |
KR20150092674A (ko) | 2014-02-05 | 2015-08-13 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자 및 발광 소자 패키지 |
CN106471867B (zh) | 2014-06-10 | 2019-03-08 | 飞利浦照明控股有限公司 | 具有可调节发射光谱的发光装置 |
CN106163028A (zh) * | 2015-03-27 | 2016-11-23 | 东林科技股份有限公司 | 调光方法 |
WO2022084147A1 (en) * | 2020-10-19 | 2022-04-28 | Signify Holding B.V. | Lighting system |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS556687A (en) * | 1978-06-29 | 1980-01-18 | Handotai Kenkyu Shinkokai | Traffic use display |
JPS5517180A (en) * | 1978-07-24 | 1980-02-06 | Handotai Kenkyu Shinkokai | Light emitting diode display |
DE2941739C2 (de) * | 1979-10-16 | 1982-02-18 | Krohne Meßtechnik GmbH & Co KG, 4100 Duisburg | Lichtgitter |
JP3069408B2 (ja) * | 1991-08-09 | 2000-07-24 | 株式会社ブリヂストン | 高さセンサ及び空気ばね |
JP3986162B2 (ja) * | 1998-06-03 | 2007-10-03 | 株式会社キーエンス | 多重投光検出可能な多光軸光電スイッチ |
US6577073B2 (en) | 2000-05-31 | 2003-06-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Led lamp |
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TWI228841B (en) * | 2004-04-29 | 2005-03-01 | Lite On Technology Corp | Luminescence method and apparatus for color temperature adjustable white light |
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US7709774B2 (en) * | 2005-10-19 | 2010-05-04 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Color lighting device |
KR100875443B1 (ko) * | 2006-03-31 | 2008-12-23 | 서울반도체 주식회사 | 발광 장치 |
KR100756723B1 (ko) | 2006-08-07 | 2007-09-07 | 현대자동차주식회사 | 차량 내부 조명용 색상 가변 조명장치 |
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KR100883991B1 (ko) | 2007-05-03 | 2009-02-17 | 신미화 | 색변환 광대역 발광다이오드와, 이의 제조 방법 |
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-
2011
- 2011-04-05 KR KR1020110031117A patent/KR20120113419A/ko not_active Application Discontinuation
-
2012
- 2012-03-30 EP EP12162315.1A patent/EP2509394A3/en not_active Ceased
- 2012-04-05 US US13/440,726 patent/US8633658B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2509394A2 (en) | 2012-10-10 |
US20120256560A1 (en) | 2012-10-11 |
EP2509394A3 (en) | 2016-08-24 |
US8633658B2 (en) | 2014-01-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
N231 | Notification of change of applicant | ||
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E601 | Decision to refuse application |