KR20120104559A - Linear deposition source - Google Patents

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KR20120104559A KR1020127014037A KR20127014037A KR20120104559A KR 20120104559 A KR20120104559 A KR 20120104559A KR 1020127014037 A KR1020127014037 A KR 1020127014037A KR 20127014037 A KR20127014037 A KR 20127014037A KR 20120104559 A KR20120104559 A KR 20120104559A
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차드 컨로이
스콧 웨인 프리디
제이콥 에이. 달스트롬
리치 브레스나한
데이비드 윌리엄 고트홀드
존 패트린
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비코 인스트루먼츠 인코포레이티드
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Abstract

증착 소스는 증착 물질을 수용하는 적어도 하나의 도가니를 포함한다. 바디는 상기 도가니의 출력부와 결합하는 입력부를 구비하는 컨덕턴스 채널을 포함한다. 히터는 상기 도가니가 상기 증착 물질을 상기 컨덕턴스 채널 내로 증발시키도록 도가니의 온도를 상승시킨다. 복수의 노즐은 상기 컨덕턴스 채널의 출력부에 결합되어 증발된 증착 물질이 상기 도가니로부터 상기 컨덕턴스 채널을 거쳐 상기 복수의 노즐까지 이송되도록 하며, 상기 증발된 증착 물질은 상기 복수의 노즐로부터 토출되어 증착 플럭스를 형성한다. 상기 복수의 노즐 중 적어도 하나는 상기 컨덕턴스 채널에 인접하여 위치하는 튜브를 포함하여 상기 튜브가 상기 튜브를 포함하는 노즐에 공급되는 증착 물질의 양을 제한하도록 한다.The deposition source includes at least one crucible containing the deposition material. The body includes a conductance channel having an input coupled with the output of the crucible. The heater raises the temperature of the crucible such that the crucible evaporates the deposition material into the conductance channel. A plurality of nozzles are coupled to the output of the conductance channel to allow evaporated deposition material to be transferred from the crucible through the conductance channel to the plurality of nozzles, and the evaporated deposition material is discharged from the plurality of nozzles to deposit deposition flux. To form. At least one of the plurality of nozzles includes a tube located adjacent to the conductance channel such that the tube limits the amount of deposition material supplied to the nozzle comprising the tube.

Description

선형 증착 소스{LINEAR DEPOSITION SOURCE}Linear Deposition Source {LINEAR DEPOSITION SOURCE}

본 명세서에 사용되는 섹션 제목은 단지 문서 구성의 목적으로 사용될 뿐이며, 어떤 식으로든 본 출원에서 설명되는 주제를 제한하도록 해석되지 않아야한다.The section headings used herein are for the purpose of document construction only and should not be construed to limit the subject matter described in this application in any way.

본 출원은 "구리, 인듐 및 갈륨을 동시-증착하기 위한 증착 소스, 시스템 및 관련 방법"으로 명명되고 2009년 2월 27일에 출원된 미국 임시 출원 제 61/156,348 호 및 "구리, 인듐 및 갈륨을 동시-증착하기 위한 증착 소스, 시스템 및 관련 방법"으로 명명되고 2008년 12월 18일에 출원된 미국 임시 출원 제 61/138,932 호의 우선권을 청구하는, "선형 증착 소스"로 명명되고 2009년 11월 30일에 출원된 미국 특허 출원 제 12/628,189 호의 일부-계속 출원이다. 미국 특허 출원 제 12/628,189 호, 미국 임시 출원 제 61/156,348 호 및 미국 임시 출원 제 61/138,932 호의 전체 명세서는 여기서 참조로서 통합된다.This application is entitled "Deposition Sources, Systems, and Related Methods for Co-Deposition of Copper, Indium, and Gallium," and US Provisional Application No. 61 / 156,348, filed Feb. 27, 2009, and "Copper, Indium, and Gallium. And "Linear Deposition Source", entitled "Deposition Source, System and Related Methods for Co-Deposition," and claiming priority of US Provisional Application No. 61 / 138,932, filed December 18, 2008 Part-continued application of US patent application Ser. No. 12 / 628,189, filed May 30. The entire specification of US Patent Application No. 12 / 628,189, US Provisional Application No. 61 / 156,348, and US Provisional Application No. 61 / 138,932 are incorporated herein by reference.

대면적 기판 증착 시스템은 오랫동안 다양한 타입의 기판 물질로 된 가요성 웹(web) 기판 및 강성 패널 기판을 처리하도록 사용되어 왔다. 많은 공지된 시스템이 플라스틱 웹 기판 및 강성 패널 유리 기판을 처리하도록 설계된다. 웹 기판 또는 강성 패널은 선형 증착 소스 위를 바로 지나간다. 웹 기판 또는 강성 패널 기판 상에서 물질을 증발시키는데 적합한 공지된 선형 증착 소스는 증착물 원료를 수용하도록 통상적으로 내화 물질로 이루어지는 보트-형상의 도가니를 포함한다. 상기 도가니는 증기 출력부 튜브의 내부에 위치된다. 증기 출력부 튜브는 증발 공간 및 증기를 배분하는 공간으로서의 기능을 동시에 수행한다. 하나 또는 그 이상의 증기 출력부 개방공이 소스를 따라 선형으로 배열된다.Large area substrate deposition systems have long been used to handle flexible web substrates and rigid panel substrates of various types of substrate materials. Many known systems are designed to process plastic web substrates and rigid panel glass substrates. The web substrate or rigid panel passes directly over the linear deposition source. Known linear deposition sources suitable for evaporating materials on web substrates or rigid panel substrates include boat-shaped crucibles, which are typically made of refractory material to accommodate deposit raw materials. The crucible is located inside the steam output tube. The steam output tube simultaneously functions as an evaporation space and a space for distributing steam. One or more vapor output openings are arranged linearly along the source.

본 발명은 일반적으로 기판 상의 증착을 위한 원료 증기의 플럭스를 생산하는 장치 및 방법에 관한 것이다. 본 발명의 몇몇 양태는 웹 기판, 강성 패널 기판, 또는 기타 타입의 긴 공작물 상에 물질을 증착하기 위해 원료 증기의 플럭스를 생산하는데 적합한 선형 증착 소스에 관한 것이다. 본 발명의 다른 양태는 반도체 기판과 같은 복수의 통상의 기판을 지지하는 기판 홀더 상에 물질을 증착하기 위한 원료 증기의 플럭스를 생산하기에 적합한 선형 증착 소스에 관한 것이다.The present invention generally relates to apparatus and methods for producing flux of raw material vapor for deposition on a substrate. Some aspects of the present invention relate to linear deposition sources suitable for producing flux of raw material vapor for depositing materials on web substrates, rigid panel substrates, or other types of long workpieces. Another aspect of the invention relates to a linear deposition source suitable for producing a flux of raw material vapor for depositing material on a substrate holder that supports a plurality of conventional substrates, such as semiconductor substrates.

본 발명의 많은 실시예에 있어서, 상기 방법 및 장치는 증발에 의한 증착에 관한 것이다. 본 명세서에서 사용되는 "증발" 이라는 용어는 원료를 증기로 변환시키는 것을 의미하며, 증발, 기화, 및 승화와 같은 본 기술 분야의 몇몇 용어의 통상적 사용을 포함한다. 증기로 변환되는 원료는 어떤 상태의 물질이든 가능하다. 많은 실시예에 있어서, 본 발명의 장치 및 방법은 둘 또는 그 이상의 각기 다른 물질을 웹 기판 또는 강성 패널 기판과 같은 기판 상에 동시-증발시키도록 사용된다. 몇몇 실시예에 있어서, 본 발명의 장치 및 방법은 웹 기판 또는 강성 패널 기판과 같은 기판 상에 단일 물질을 증발시키도록 사용된다. 다중 또는 분할식 도가니에 단일 증착 물질을 사용하는 것은 과잉이 될 것이며 플럭스 비율을 증가시킬 것이다.In many embodiments of the present invention, the method and apparatus are directed to vapor deposition. As used herein, the term "evaporation" refers to the conversion of raw materials to steam and includes the conventional use of several terms in the art, such as evaporation, vaporization, and sublimation. Raw materials that are converted to steam can be of any state. In many embodiments, the devices and methods of the present invention are used to co-evaporate two or more different materials onto a substrate, such as a web substrate or a rigid panel substrate. In some embodiments, the apparatus and method of the present invention are used to evaporate a single material onto a substrate, such as a web substrate or rigid panel substrate. Using a single deposition material in multiple or split crucibles will be redundant and increase the flux ratio.

본 발명의 일 적용예는 구리, 인듐, 및 갈륨을 웹 기판 또는 강성 패널 기판 상에 동시-증착하는 장치 및 방법에 관한 것이다. 상기 인듐의 전체 또는 일부와 대체되는 갈륨을 갖는 구리 인듐 디셀렌화물(diselenide)의 화합물(CIS 화합물) 은 구리 인듐 갈륨 디셀렌화물 화합물(CIGS 화합물)로서 공지되어 있다. CIGS 화합물은 일반적으로 광전지를 제조하도록 사용된다. 특히, CIGS 화합물은 일반적으로 박막 태양 전지 내의 흡수제 층으로서 사용된다. 이들 CIGS 화합물은 상기 전자기 스펙트럼의 가시 영역 내의 태양 복사의 강한 흡수를 허용하는 직접 밴드 갭을 갖는다. CIGS 광전지는 카드뮴 텔루르 화합물(CdTe) 및 비정질 실리콘(a-Si)과 같은 기타 타입의 흡수제 층 화합물을 구비하는 일반적으로 사용되는 광전지와 비교하여 높은 변환 효율 및 양호한 안정성을 갖는 것으로 나타났다. One application of the invention relates to an apparatus and method for co-depositing copper, indium, and gallium on a web substrate or rigid panel substrate. Compounds of copper indium diselenide (CIS compounds) having gallium replaced with all or part of the indium are known as copper indium gallium diselenide compounds (CIGS compounds). CIGS compounds are generally used to make photovoltaic cells. In particular, CIGS compounds are generally used as absorbent layers in thin film solar cells. These CIGS compounds have a direct band gap that allows strong absorption of solar radiation in the visible region of the electromagnetic spectrum. CIGS photovoltaic cells have been shown to have high conversion efficiency and good stability compared to commonly used photovoltaic cells having other types of absorber layer compounds such as cadmium tellurium compounds (CdTe) and amorphous silicon (a-Si).

CIGS 흡수층은 통상적으로 양호한 결정성을 갖는 p-타입 화합물 반도체 층이다. 양호한 결정성은 일반적으로 고효율 광 발전 동작을 위해 필요한 원하는 전하 이동 특성을 달성하도록 요구된다. 실제로, 상기 CIGS 흡수층은 고효율 광 발전 동작을 달성하도록 적어도 부분적으로 결정화되어야 한다. 결정화된 CIGS 화합물은 상기 CIGS 화합물을 형성하도록 사용되는 증착 온도에 따라 황동광(chalcopyrite) 또는 섬아연광(sphalerite)으로 특징지어질 수 있는 결정학적 구조를 갖는다.CIGS absorbers are typically p-type compound semiconductor layers with good crystallinity. Good crystallinity is generally required to achieve the desired charge transfer properties needed for high efficiency photovoltaic operation. Indeed, the CIGS absorber layer must be at least partially crystallized to achieve high efficiency photovoltaic operation. The crystallized CIGS compound has a crystallographic structure that can be characterized as chalcopyrite or sphalerite depending on the deposition temperature used to form the CIGS compound.

CIGS 화합물은 다양한 기술로 형성될 수 있다. CIGS 화합물을 형성하는 하나의 방법은 화학 전구체를 사용한다. 상기 화학 전구체는 박막 내에 증착된 후 원하는 CIGS 층을 형성하도록 열처리된다. CIGS 전구체 물질이 저온에서 증착되는 경우, 결과적인 CIGS 박막은 비정질이거나 단지 약하게 결정화된다. 상기 CIGS 박막은 그 후 상승된 온도까지 열처리되어 원하는 전하 이송 특성을 제공하도록 CIGS 화합물의 결정화를 향상시킨다.CIGS compounds can be formed by various techniques. One method of forming CIGS compounds uses chemical precursors. The chemical precursor is deposited in a thin film and then heat treated to form the desired CIGS layer. When the CIGS precursor material is deposited at low temperatures, the resulting CIGS thin film is amorphous or only weakly crystallized. The CIGS thin film is then heat treated to an elevated temperature to enhance the crystallization of the CIGS compound to provide the desired charge transfer properties.

그러나, 상기 CIGS 박막의 부분적 결정화를 유발하는데 필요한 상승된 온도에서, 상기 증착된 박막 내의 셀레늄은 상기 기타 요소보다 더 휘발성이다. 그 결과, 셀레늄은 상기 전구체 층을 열처리하여 결정화를 향상시키고 상기 원하는 조성 및 화학량론을 갖는 상기 CIGS 화합물을 제공하는 동안 자주 추가된다. CIGS 박막 화합물을 형성하는 이러한 방법은 상대적으로 시간이 많이 걸리고 상기 증기 상(phase)의 셀레늄의 큰 체적을 필요로 하며, 이는 제조 비용을 증가시킨다.However, at elevated temperatures necessary to cause partial crystallization of the CIGS thin film, selenium in the deposited thin film is more volatile than the other elements. As a result, selenium is frequently added while heat treating the precursor layer to enhance crystallization and to provide the CIGS compound with the desired composition and stoichiometry. This method of forming CIGS thin film compounds is relatively time consuming and requires a large volume of selenium in the vapor phase, which increases manufacturing costs.

CIGS 화합물을 형성하는 다른 방법은 진공 증발을 사용한다. 동시-증발에 의해 제조되는 CIGS 광전지는 전구체 물질로 제조되는 CIGS 광전지와 비교하여 높은 광 발전 변환 효율을 가질 수 있다. 이러한 방법에 있어서, 구리, 인듐, 갈륨, 및 셀레늄은 기판 상에 동시-증발된다. 동시-증발은 상기 박막 화학량론의 정밀 제어를 허용하며, 상기 박막 광-흡수층 내의 조성 등급 부여를 허용한다. 그에 따라, 동시-증발은 최적의 광 발전 성능을 달성하도록 상기 밴드 갭을 정밀하게 맞추도록 사용될 수 있다. 그러나, 구리, 인듐, 갈륨, 및 셀레늄의 동시-증발은 대면적 위에 균일하게 물질을 증발시키는 것이 어렵기 때문에 산업 규모로 사용하기에 어려울 수 있는 공정 기술이다.Another method of forming CIGS compounds uses vacuum evaporation. CIGS photovoltaic cells made by co-evaporation may have higher photovoltaic conversion efficiencies compared to CIGS photovoltaic cells made of precursor materials. In this method, copper, indium, gallium, and selenium are co-evaporated on the substrate. Co-evaporation allows precise control of the thin film stoichiometry and allows compositional grades within the thin film light-absorbing layer. As such, co-evaporation can be used to precisely fit the band gap to achieve optimal photovoltaic performance. However, co-evaporation of copper, indium, gallium, and selenium is a process technology that can be difficult to use on an industrial scale because of the difficulty of evaporating the material uniformly over a large area.

본 발명의 일 양태는 CIGS 광전지와 같은 많은 타입의 장치의 제조를 위해 복수의 증발된 원료를 효율적이며 제어 가능하게 제공하도록 증착 소스, 시스템, 및 이러한 소스 및 시스템을 동작하는 방법을 제공하는 것이다. 본 발명의 다른 양태는 유기 발광 다이오드(OLED) 소자와 같은 많은 타입의 소자의 제조를 위해 단일 증발된 원료를 효율적이며 제어 가능하게 제공하도록 증착 소스, 시스템, 및 이러한 소스 및 시스템을 동작하는 방법을 제공하는 것이다. 본 기술 분야에 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 몇몇 양태가 CIGS 광전지 및 OLED 소자의 제조와 연계되어 설명된다 하더라도, 본 명세서의 지침이 증발된 물질을 사용하여 제조될 수 있는 어떤 타입의 소자에든 적용된다는 것을 알 수 있을 것이다.One aspect of the present invention is to provide a deposition source, a system, and a method of operating such a source and system to efficiently and controllably provide a plurality of evaporated raw materials for the manufacture of many types of devices such as CIGS photovoltaic cells. Another aspect of the invention relates to deposition sources, systems, and methods of operating such sources and systems to efficiently and controllably provide a single evaporated source for the fabrication of many types of devices, such as organic light emitting diode (OLED) devices. To provide. One of ordinary skill in the art, although some aspects of the present invention are described in connection with the manufacture of CIGS photovoltaic cells and OLED devices, the guidelines herein may be any type of device that can be manufactured using evaporated materials. You will see that it applies.

바람직하며 예시적인 실시예에 따라, 그의 추가적인 장점을 갖는, 본 발명은 첨부 도면을 참조하여 이하의 상세한 설명에서 더욱 구체적으로 설명된다. 본 기술 분야에 통상의 지식을 가진 자라면 이하에 설명되는 도면은 단지 예시적인 목적으로만 제공된다는 것을 이해할 것이다. 도면은 반드시 축척에 맞게 도시되지는 않으며, 본 발명의 원리를 설명하기 위해 강조될 수 있다. 도면은 어떤 식으로든 본 발명의 범주를 제한하도록 의도되지 않는다.
도 1a는 복수의 컨덕턴스 채널과 결합하며 선형 구조의 복수의 노즐과 결합하는 복수의 도가니를 구비하는 본 발명에 따른 선형 증착 소스의 단면 사시도를 도시한다.
도 1b는 단일 컨덕턴스 채널과 결합하며 선형 구조의 복수의 노즐과 결합하는 복수의 도가니를 구비하는 본 발명에 따른 선형 증착 소스의 단면 사시도를 도시한다.
도 2a는 도 1a 및 도 1b와 연계하여 설명되는 선형 증착 소스의 단면도를 도시하며, 복수의 노즐은 증착 물질을 위쪽 방향으로 증발시키도록 위치된다.
도 2b는 본 발명에 따른 선형 증착 소스의 단면도를 도시하며, 복수의 노즐은 증착 물질을 아래쪽 방향으로 증발시키도록 위치된다.
도 2c는 본 발명에 따른 선형 증착 소스의 단면도를 도시하며, 바디는 수직 방향으로 위치하는 복수의 노즐을 포함한다.
도 2d는 본 발명에 따른 다른 선형 증착 소스의 단면도를 도시하며, 바디는 수직 방향으로 위치하는 복수의 노즐을 포함한다.
도 3a는 복수의 컨덕턴스 채널과 결합하며 선형 구조의 복수의 노즐과 결합하는 단일 도가니를 구비하는 본 발명에 따른 선형 증착 소스의 단면 사시도를 도시한다.
도 3b는 단일 컨덕턴스 채널과 결합하며 선형 구조의 복수의 노즐과 결합하는 단일 도가니를 구비하는 본 발명에 따른 선형 증착 소스의 단면 사시도를 도시한다.
도 4는 두 가지 타입의 물질로 이루어지는 본 발명에 따른 선형 증착 소스용 도가니의 단면 사시도를 도시한다.
도 5a는 본 발명에 따른 선형 증착 소스의 일부의 상부 사시도를 도시하며, 하우징 내의 세 개의 도가니와 결합하는 세 개의 컨덕턴스 채널을 보여준다.
도 5b는 본 발명에 따른 선형 증착 소스의 일부의 상부 사시도를 도시하며, 하우징 내의 세 개의 도가니와 결합하는 단일 컨덕턴스 채널을 보여준다.
도 6a는 본 발명의 선형 증착 소스용 저항성 도가니 히터의 일부의 사시도로서, 도가니가 위치하는 히터의 내부 및 세 측면을 보여준다.
도 6b는 복수의 도가니 각각을 가열하기 위한 복수의 도가니 히터 중 하나의 외관의 사시도이다.
도 7a는 본 발명에 따른 선형 증착 소스의 측면도로서, 복수의 컨덕턴스 채널을 가열하기 위한 컨덕턴스 채널 히터를 보여준다.
도 7b는 컨덕턴스 채널 히터를 포함하는 로드(rod)의 사시도이다.
도 7c는 본 발명에 따른 선형 증착 소스의 바디의 사시도를 도시하며, 로드의 단부를 바디와 결합시키는 결합부를 보여준다.
도 8은 팽창 링크를 구비하는 바디의 프레임을 도시한다.
도 9a는 본 발명에 따른 선형 증착 소스의 복수의 도가니용 및 복수의 컨덕턴스 채널용 열 차폐부의 단면 사시도이다.
도 9b는 도 9a에 도시된 열 차폐부의 전체 사시도이다.
도 10은 본 발명에 따른 증착 소스의 상부 사시도를 도시하며, 증발된 물질을 기판 또는 기타 공작물 상에 방출하기 위한 바디 내의 복수의 노즐을 보여준다.
도 11a는 본 발명에 따른 증착 소스의 바디의 단면도를 도시하며, 노즐에 대한 증착 물질의 흐름을 제어하는 튜브들을 구비하는 컨덕턴스 채널에 결합되는 일 열의 노즐을 보여준다.
도 11b는 본 발명에 따른 증착 소스의 복수의 컨덕턴스 채널의 단면도를 도시하며, 노즐에 대한 증착 물질의 흐름을 제어하는 튜브들을 구비하는 복수의 컨덕턴스 채널에 결합되는 일 행의 노즐을 보여준다.
도 12는 본 발명에 따른 선형 증착 소스용의 복수의 노즐 중 하나를 포함하는 노즐의 사시도를 도시한다. According to a preferred and exemplary embodiment, the invention, which has its further advantages, is explained in more detail in the following detailed description with reference to the accompanying drawings. Those skilled in the art will understand that the drawings described below are provided for illustrative purposes only. The drawings are not necessarily drawn to scale and may be highlighted to illustrate the principles of the invention. The drawings are not intended to limit the scope of the invention in any way.
1A shows a cross-sectional perspective view of a linear deposition source in accordance with the present invention having a plurality of crucibles coupled with a plurality of conductance channels and coupled with a plurality of nozzles of a linear structure.
1B shows a cross-sectional perspective view of a linear deposition source in accordance with the present invention having a plurality of crucibles coupled with a single conductance channel and coupled with a plurality of nozzles of a linear structure.
FIG. 2A shows a cross-sectional view of the linear deposition source described in connection with FIGS. 1A and 1B, wherein the plurality of nozzles are positioned to evaporate the deposition material upwards.
2B shows a cross-sectional view of a linear deposition source in accordance with the present invention, wherein a plurality of nozzles are positioned to evaporate the deposition material downward.
2c shows a cross-sectional view of a linear deposition source according to the invention, wherein the body comprises a plurality of nozzles located in the vertical direction.
2d shows a cross-sectional view of another linear deposition source according to the invention, wherein the body comprises a plurality of nozzles located in the vertical direction.
3A shows a cross-sectional perspective view of a linear deposition source according to the present invention having a single crucible in combination with a plurality of conductance channels and in combination with a plurality of nozzles of a linear structure.
3B shows a cross-sectional perspective view of a linear deposition source in accordance with the present invention having a single crucible in combination with a single conductance channel and in combination with a plurality of nozzles of a linear structure.
Figure 4 shows a cross-sectional perspective view of a crucible for a linear deposition source according to the present invention consisting of two types of materials.
5A shows a top perspective view of a portion of a linear deposition source in accordance with the present invention, showing three conductance channels engaging three crucibles in the housing.
5B shows a top perspective view of a portion of a linear deposition source in accordance with the present invention, showing a single conductance channel coupled with three crucibles in a housing.
6A is a perspective view of a portion of the resistive crucible heater for the linear deposition source of the present invention, showing the interior and three sides of the heater in which the crucible is located.
6B is a perspective view of the appearance of one of the plurality of crucible heaters for heating each of the plurality of crucibles.
7A is a side view of a linear deposition source in accordance with the present invention, showing a conductance channel heater for heating a plurality of conductance channels.
7B is a perspective view of a rod that includes a conductance channel heater.
7C shows a perspective view of a body of a linear deposition source in accordance with the present invention, showing a join that joins the end of the rod with the body.
8 shows a frame of a body with an inflation link.
9A is a cross-sectional perspective view of a heat shield for a plurality of crucibles and a plurality of conductance channels of a linear deposition source in accordance with the present invention.
9B is an overall perspective view of the heat shield shown in FIG. 9A.
10 shows a top perspective view of a deposition source according to the present invention, showing a plurality of nozzles in a body for discharging vaporized material onto a substrate or other workpiece.
11A shows a cross-sectional view of a body of a deposition source in accordance with the present invention, showing a row of nozzles coupled to a conductance channel having tubes for controlling the flow of deposition material to the nozzles.
FIG. 11B shows a cross-sectional view of a plurality of conductance channels of a deposition source in accordance with the present invention, showing a row of nozzles coupled to a plurality of conductance channels having tubes for controlling the flow of deposition material to the nozzles.
12 shows a perspective view of a nozzle including one of a plurality of nozzles for a linear deposition source according to the present invention.

"일 실시예" 또는 "실시예"에 대한 본 명세서에서의 참조는 상기 실시예와 관련하여 설명되는 특정 특징, 구조 또는 특성이 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함된다는 것을 의미한다. 본 명세서의 다양한 위치에서의 "일 실시예에 있어서"의 출현은 동일한 실시예를 모두 참조하는 것은 아니다. Reference herein to "one embodiment" or "an embodiment" means that a particular feature, structure, or characteristic described in connection with the above embodiment is included in at least one embodiment of the present invention. The appearances of “in one embodiment” in various places in the specification are not all referring to the same embodiment.

본 발명의 방법의 개별 단계는 본 발명이 동작 가능하게 되는 한 어떤 순서로든 및/또는 동시에 실시될 수 있다는 것을 알 수 있을 것이다. 또한, 본 발명의 장치 및 방법은 본 발명이 동작 가능하게 되는 한 설명된 실시예의 어떤 수 또는 모두를 포함할 수 있다는 것을 알 수 있을 것이다.It will be appreciated that the individual steps of the method of the present invention may be performed in any order and / or concurrently as long as the present invention is operable. It will also be appreciated that the apparatus and method of the present invention may include any number or all of the described embodiments as long as the present invention is operable.

본 발명은 첨부한 도면에 도시되는 바와 같은 바람직한 실시예를 참조로 이하에서 더욱 상세하게 설명될 것이다. 본 발명이 다양한 실시예 및 예와 연계하여 설명되지만, 본 발명이 이러한 실시예에 제한되도록 의도되지는 않는다. 반면, 본 발명은, 본 기술 분야에 통상의 지식을 가진 자라면 알 수 있는, 다양한 대안, 변형예 및 균등물을 포괄한다. 본 명세서의 지침에 접근하는 본 기술 분야에 통상의 지식을 가진 자라면, 본 명세서에 설명되는 바와 같은 본 발명의 범주 내에 있게 되는, 사용 분야뿐만 아니라, 추가의 구현예, 변형예 및 실시예를 인식할 수 있을 것이다.The invention will be explained in more detail below with reference to a preferred embodiment as shown in the accompanying drawings. Although the invention is described in connection with various embodiments and examples, the invention is not intended to be limited to these embodiments. On the other hand, the present invention encompasses various alternatives, modifications, and equivalents as will be appreciated by those skilled in the art. Those skilled in the art having access to the instructions herein, as well as additional embodiments, modifications and examples, as well as the field of use, which fall within the scope of the invention as described herein, You will be able to recognize it.

도 1a는 복수의 컨덕턴스 채널(104)에 결합되며 선형 구조의 복수의 노즐(106)에 결합되는 복수의 도가니(102)를 구비하는 본 발명에 따른 선형 증착 소스(100)의 단면 사시도를 도시한다. 상기 복수의 도가니(102) 각각은 동일 또는 각기 다른 원료일 수 있는 증발 원료를 수용한다. 상기 복수의 컨덕턴스 채널(104)의 각각의 입력부는 상기 복수의 도가니(102)의 각각의 출력부와 결합한다. 많은 실시예에 있어서, 상기 복수의 컨덕턴스 채널(104)은 상기 증발된 물질이 상기 복수의 컨덕턴스 채널(104) 내에 이송되는 동안 증발된 물질의 어떠한 혼합도 없도록 설계된다.1A shows a cross-sectional perspective view of a linear deposition source 100 in accordance with the present invention having a plurality of crucibles 102 coupled to a plurality of conductance channels 104 and coupled to a plurality of nozzles 106 of a linear structure. . Each of the plurality of crucibles 102 contains an evaporative raw material which may be the same or different raw materials. Each input of the plurality of conductance channels 104 couples with a respective output of the plurality of crucibles 102. In many embodiments, the plurality of conductance channels 104 are designed such that there is no mixing of the evaporated material while the evaporated material is transferred into the plurality of conductance channels 104.

하우징(108)은 상기 복수의 도가니(102)를 수용한다. 상기 하우징(108)은 스테인리스 스틸 또는 유사 물질로 형성된다. 몇몇 실시예에 있어서, 유체 냉각 채널은 상기 하우징(108)을 따라 위치된다. 상기 하우징(108)은 또한 상기 하우징(108)을 진공 챔버(도시하지 않음)에 부착하는 밀봉 플랜지(110)를 포함한다. 상기 선형 증착 소스(100)의 하나의 특징은 상기 도가니가 상기 진공 챔버 밖에 있으며, 그에 따라, 이들이 쉽게 채워질 수 있고 정비될 수 있어, 가용성을 높일 수 있다는 것이다. 상기 복수의 컨덕턴스 채널(104) 및 상기 복수의 노즐(106)을 포함하는 바디(112)는 상기 하우징(108)의 상기 밀봉 플랜지(110)를 지나 연장한다. 몇몇 실시예에 있어서, 유체 냉각 채널은 상기 바디(112)를 따라 위치된다. Housing 108 accommodates the plurality of crucibles 102. The housing 108 is formed of stainless steel or similar material. In some embodiments, a fluid cooling channel is located along the housing 108. The housing 108 also includes a sealing flange 110 that attaches the housing 108 to a vacuum chamber (not shown). One feature of the linear deposition source 100 is that the crucibles are out of the vacuum chamber, so that they can be easily filled and serviced, increasing availability. A body 112 including the plurality of conductance channels 104 and the plurality of nozzles 106 extends beyond the sealing flange 110 of the housing 108. In some embodiments, a fluid cooling channel is located along the body 112.

도 1a에 도시된 실시예에 있어서, 상기 소스(100)는 선형 구조의 세 개의 도가니(102)를 포함하며, 상기 세 개의 컨덕턴스 채널(104)의 각각의 입력부는 상기 세 개의 도가니(102)의 각각의 출력부에 결합된다. 상기 노즐(106)은 상기 복수의 컨덕턴스 채널(104) 각각을 따라 복수의 위치에 위치된다. 그러나, 도 1a는 단면도이므로, 상기 중간 컨덕턴스 채널(104), 및 상기 노즐(106)의 반만이 도 1a에 도시된다.In the embodiment shown in FIG. 1A, the source 100 comprises three crucibles 102 in a linear configuration, with each input of the three conductance channels 104 being of the three crucibles 102. Coupled to each output. The nozzle 106 is located at a plurality of locations along each of the plurality of conductance channels 104. However, since FIG. 1A is a sectional view, only half of the intermediate conductance channel 104 and the nozzle 106 are shown in FIG. 1A.

본 기술 분야에 통상의 지식을 가진 자라면 많은 타입의 도가니가 사용될 수 있다는 것을 알 수 있을 것이다. 예를 들면, 상기 복수의 도가니 중 적어도 일부는 도 4를 참조하여 설명되는 바와 같이 다른 도가니 안에 형성되는 적어도 하나의 도가니를 포함할 수 있다. 상기 복수의 도가니(102)는 특정 제조 공정에 적합한 증발 물질을 수용한다. 많은 실시예에 있어서, 상기 복수의 도가니(102) 각각은 각기 다른 증발 물질을 수용한다. 예를 들면, 상기 세 개의 도가니 각각은 CIGS 기반 광 발전 소자의 기능성 흡수층을 효율적으로 동시-증발시키기 위한 물질 소스를 제공하도록 구리, 인듐, 및 갈륨 중 하나를 수용할 수 있다. 그러나, 몇몇 실시예에 있어서, 상기 복수의 도가니 중 적어도 둘은 동일 증착 물질을 수용한다. 예를 들면, 상기 세 개의 도가니 각각은 OLED 소자용 접점을 증착하기 위한 단일 물질 시스템을 수용할 수 있다.Those skilled in the art will appreciate that many types of crucibles can be used. For example, at least some of the plurality of crucibles may include at least one crucible formed in another crucible as described with reference to FIG. 4. The plurality of crucibles 102 contain vaporization materials suitable for a particular manufacturing process. In many embodiments, each of the plurality of crucibles 102 accommodates different evaporation materials. For example, each of the three crucibles can accommodate one of copper, indium, and gallium to provide a material source for efficiently co-evaporating the functional absorbing layer of a CIGS-based photovoltaic device. However, in some embodiments, at least two of the plurality of crucibles contain the same deposition material. For example, each of the three crucibles can accommodate a single material system for depositing contacts for OLED devices.

하나 또는 그 이상의 도가니 히터(114)는 상기 복수의 도가니(102)와 열 연통 상태로 위치된다. 상기 도가니 히터(114)는 상기 복수의 도가니(102)의 온도를 높이도록 설계 및 위치되어 상기 복수의 도가니(102) 각각이 각각의 증착물 원료를 상기 복수의 컨덕턴스 채널(104) 각각의 안으로 증발시키도록 한다. 몇몇 도가니 히터(114)는 상기 증발 원료를 매우 높은 온도까지 가열하도록 요구된다. 이러한 도가니 히터는 흑연, 탄화 규소, 내화 물질, 또는 기타 매우 높은 융점 물질로 형성될 수 있다. 상기 도가니 히터(114)는 단일 히터일 수도 있고 복수의 히터일 수도 있다. 예를 들면, 일 실시예에 있어서, 복수의 도가니 히터 각각은 개별적으로 제어되어 상기 복수의 도가니 히터 각각이 상기 복수의 도가니(102) 각각과 열 연통 상태에 있도록 한다.One or more crucible heaters 114 are positioned in thermal communication with the plurality of crucibles 102. The crucible heater 114 is designed and positioned to increase the temperature of the plurality of crucibles 102 such that each of the plurality of crucibles 102 evaporates each deposit raw material into each of the plurality of conductance channels 104. To do that. Some crucible heaters 114 are required to heat the evaporation source to very high temperatures. Such crucible heaters may be formed of graphite, silicon carbide, refractory materials, or other very high melting point materials. The crucible heater 114 may be a single heater or a plurality of heaters. For example, in one embodiment, each of the plurality of crucible heaters is individually controlled such that each of the plurality of crucible heaters is in thermal communication with each of the plurality of crucibles 102.

상기 도가니 히터(114)는 모든 타입의 히터일 수 있다. 예를 들면, 상기 도가니 히터(114)는 도 1a에 도시되는 바와 같은 저항성 히터일 수 있다. 저항성 히터의 일 실시예는 도 6a 및 도 6b를 참조하여 보다 상세하게 설명된다. 상기 도가니 히터(114)는 많은 타입의 RF 유도 히터 및/또는 적외선 히터 중 하나일 수 있다. 많은 실시예에 있어서, 상기 도가니 히터(114) 모두는 동일 타입의 히터이다. 그러나, 몇몇 실시예에 있어서, 둘 또는 그 이상의 상기 도가니 히터(114)는 각기 다른 증착물 원료를 증발시키도록 각기 다른 열 특성을 갖는 각기 다른 타입의 히터이다.The crucible heater 114 may be any type of heater. For example, the crucible heater 114 may be a resistive heater as shown in FIG. 1A. One embodiment of the resistive heater is described in more detail with reference to FIGS. 6A and 6B. The crucible heater 114 may be one of many types of RF induction heater and / or infrared heater. In many embodiments, all of the crucible heaters 114 are heaters of the same type. However, in some embodiments, two or more of the crucible heaters 114 are different types of heaters having different thermal properties to evaporate different deposit raw materials.

상기 도가니 히터(114) 또는 별개의 컨덕턴스 채널 히터는 상기 복수의 컨덕턴스 채널(104) 중 적어도 하나와 열 연통 상태로 위치되어 상기 복수의 컨덕턴스 채널(104) 각각의 온도가 특정 컨덕턴스 채널을 통과하는 증착물 원료의 응축점 이상으로 올라가도록 한다. 컨덕턴스 채널 히터는 도 7a, 도 7b 및 도 7c를 참조하여 설명된다. 본 기술 분야에 통상의 지식을 가진 자라면 많은 타입의 히터가 저항성 히터, RF 유도 히터, 및/또는 적외선 히터와 같은 복수의 컨덕턴스 채널(104)을 가열하도록 사용될 수 있다는 것을 알 수 있을 것이다. 상기 컨덕턴스 채널 히터는 단일 히터일 수도 있고 복수의 히터일 수도 있다. 하나 이상의 타입의 히터가 사용될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 컨덕턴스 채널 히터는 상기 복수의 컨덕턴스 채널(104)의 다른 하나에 대해 상기 복수의 컨덕턴스 채널(104) 중 하나의 온도를 제어하는 능력을 갖는다.The crucible heater 114 or a separate conductance channel heater is positioned in thermal communication with at least one of the plurality of conductance channels 104 such that the temperature of each of the plurality of conductance channels 104 passes through a specific conductance channel. Raise above the condensation point of the raw material. Conductance channel heaters are described with reference to FIGS. 7A, 7B and 7C. Those skilled in the art will appreciate that many types of heaters can be used to heat a plurality of conductance channels 104 such as resistive heaters, RF induction heaters, and / or infrared heaters. The conductance channel heater may be a single heater or a plurality of heaters. One or more types of heaters may be used. In one embodiment, the conductance channel heater has the ability to control the temperature of one of the plurality of conductance channels 104 relative to the other of the plurality of conductance channels 104.

도 1b는 단일 컨덕턴스 채널(104')에 결합되고 선형 구조의 상기 복수의 노즐(106)에 결합되는 복수의 도가니(102)를 포함하는 본 발명에 따른 선형 증착 소스(101)의 단면 사시도를 도시한다. 상기 선형 증착 소스(101)는 상기 바디(112)가 단 하나의 컨덕턴스 채널(104')을 포함한다는 것을 제외하면 도 1a를 참조하여 설명되는 상기 선형 증착 소스(100)와 유사하다. 상기 복수의 도가니(102) 각각은 동일 또는 각기 다른 원료일 수 있는 증발 원료를 수용한다. 상기 컨덕턴스 채널(104')의 입력부는 상기 복수의 도가니(102)의 출력부에 결합된다. 상기 복수의 노즐(106)은 상기 하우징(108)의 상기 밀봉 플랜지(110)를 지나 연장한다. 도 1b에 도시된 실시예에 있어서, 상기 소스(100)는 선형 구조의 세 개의 도가니(102)를 포함하며, 상기 컨덕턴스 채널(104')의 입력부는 상기 세 개의 도가니(102)의 출력부와 결합된다. 상기 노즐(106)은 상기 컨덕턴스 채널(104')을 따라 복수의 위치에 위치된다.1B shows a cross-sectional perspective view of a linear deposition source 101 in accordance with the present invention comprising a plurality of crucibles 102 coupled to a single conductance channel 104 ′ and coupled to the plurality of nozzles 106 in a linear configuration. do. The linear deposition source 101 is similar to the linear deposition source 100 described with reference to FIG. 1A except that the body 112 includes only one conductance channel 104 ′. Each of the plurality of crucibles 102 contains an evaporative raw material which may be the same or different raw materials. An input of the conductance channel 104 ′ is coupled to an output of the plurality of crucibles 102. The plurality of nozzles 106 extend beyond the sealing flange 110 of the housing 108. In the embodiment shown in FIG. 1B, the source 100 comprises three crucibles 102 of linear construction, with the input of the conductance channel 104 ′ and the output of the three crucibles 102. Combined. The nozzle 106 is located at a plurality of locations along the conductance channel 104 ′.

도가니 히터(114)는 상기 세 개의 도가니(102)의 온도를 높이도록 사용되어 상기 도가니가 상기 증착 물질을 상기 컨덕턴스 채널(104') 내로 증발시키도록 한다. 상기 도가니 히터(114) 또는 별개의 컨덕턴스 채널 히터는 상기 컨덕턴스 채널(104')과 열 연통 상태로 위치되도록 하여 상기 컨덕턴스 채널(104')의 온도가 상기 컨덕턴스 채널(104')을 통과하는 증착물 원료의 응축점 이상으로 올라가도록 한다. 상기 컨덕턴스 채널 히터는 도 7a, 도 7b 및 도 7c를 참조하여 설명된다. 본 기술 분야에 통상의 지식을 가진 자라면 저항성 히터, RF 유도 히터, 및/또는 적외선 히터와 같은 많은 타입의 히터가 컨덕턴스 채널(104')을 가열되도록 사용될 수 있다는 것을 알 수 있을 것이다.A crucible heater 114 is used to raise the temperature of the three crucibles 102 so that the crucible evaporates the deposition material into the conductance channel 104 ′. The crucible heater 114 or separate conductance channel heater is positioned in thermal communication with the conductance channel 104 'such that the temperature of the conductance channel 104' passes through the conductance channel 104 '. To rise above the condensation point. The conductance channel heater is described with reference to FIGS. 7A, 7B and 7C. Those skilled in the art will appreciate that many types of heaters, such as resistive heaters, RF induction heaters, and / or infrared heaters, may be used to heat the conductance channel 104 '.

상기 복수의 노즐(106)의 각각의 입력부는 상기 컨덕턴스 채널(104')의 출력부와 결합되어 증발된 증착 물질이 상기 복수의 도가니(102)로부터 상기 컨덕턴스 채널(104')을 통해 상기 복수의 노즐(106)까지 이송되도록 하며, 상기 증발된 증착 물질은 상기 복수의 노즐(106)로부터 토출되어 증착 플럭스를 형성한다.Each input of the plurality of nozzles 106 is coupled to an output of the conductance channel 104 ′ so that the vaporized deposition material evaporates from the plurality of crucibles 102 through the conductance channel 104 ′. The vaporized deposition material is discharged from the plurality of nozzles 106 to form a deposition flux.

도 2a는 도 1a 및 도 1b를 참조하여 설명되는 상기 선형 증착 소스(100 및 100')의 단면도를 도시하며, 상기 복수의 노즐(106)은 증착 물질을 위쪽 방향으로 증착하도록 위치된다. 상기 본 발명의 선형 증착 소스의 하나의 특징은 상기 복수의 노즐(106)이 상기 복수의 도가니(102)에 대해 모든 방향에 위치될 수 있다는 것이다. 상기 복수의 컨덕턴스 채널(104)용 또는 상기 단일 컨덕턴스 채널(104')용 히터는 상기 복수의 노즐(106)의 배향과 관계없이 상기 증발된 원료가 응축하는 것을 방지하도록 설계된다.FIG. 2A shows a cross-sectional view of the linear deposition sources 100 and 100 ′ described with reference to FIGS. 1A and 1B, wherein the plurality of nozzles 106 are positioned to deposit deposition material upwards. One feature of the linear deposition source of the present invention is that the plurality of nozzles 106 can be positioned in all directions relative to the plurality of crucibles 102. The heater for the plurality of conductance channels 104 or for the single conductance channel 104 'is designed to prevent condensation of the evaporated raw material regardless of the orientation of the plurality of nozzles 106.

도 2b는 본 발명에 따른 선형 증착 소스(150)의 단면도를 도시하며, 상기 복수의 노즐(106)은 증착 물질을 아래쪽 방향으로 증발시키도록 위치된다. 도 2b의 상기 선형 증착 소스(150)는 도 2a를 참조하여 설명된 상기 선형 증착 소스(100 및 101)와 유사하다. 그러나, 상기 복수의 노즐(106)은 상기 복수의 도가니(102)의 방향으로 아래쪽을 향하는 출력부 개방공을 구비하여 위치된다. 2B shows a cross-sectional view of a linear deposition source 150 in accordance with the present invention, wherein the plurality of nozzles 106 are positioned to evaporate the deposition material downward. The linear deposition source 150 of FIG. 2B is similar to the linear deposition sources 100 and 101 described with reference to FIG. 2A. However, the plurality of nozzles 106 are positioned with output opening openings facing downward in the direction of the plurality of crucibles 102.

도 2c는 본 발명에 따른 선형 증착 소스(152)의 단면도를 도시하며, 상기 바디(112')는 수직 방향으로 위치하는 상기 복수의 노즐(106)을 포함한다. 상기 선형 증착 소스(152)는 상기 선형 증착 소스(152)가 상기 밀봉 플랜지(110)로부터의 법선 방향에 대해 상기 바디(112')의 배향을 변화시키는 각진 결합부(154)를 포함한다는 것을 제외하면 도 2a를 참조하여 설명되는 상기 선형 증착 소스(100 및 101)와 유사하다. 본 기술 분야에 통상의 지식을 가진 자라면 상기 각진 결합부(154)가 상기 밀봉 플랜지(110)의 법선 방향에 대해 어떤 각도로든 상기 바디(112')를 위치시킬 수 있다는 것을 알 수 있을 것이다. 그에 따라, 상기 본 발명의 선형 증착 소스의 하나의 특징은 상기 복수의 노즐(106)을 포함하는 상기 바디(112')가 상기 복수의 도가니(102)를 포함하는 상기 하우징(108)에 대해 어떤 배향으로든 위치될 수 있다는 것이다. 상기 복수의 컨덕턴스 채널(104)용 히터(도 1)는 상기 바디(112')의 배향과 관계없이 상기 증발된 원료가 응축하는 것을 방지하도록 설계된다.2C shows a cross-sectional view of a linear deposition source 152 in accordance with the present invention, wherein the body 112 'includes the plurality of nozzles 106 positioned in the vertical direction. The linear deposition source 152 except that the linear deposition source 152 includes an angled joint 154 that changes the orientation of the body 112 'with respect to the normal direction from the sealing flange 110. This is similar to the linear deposition sources 100 and 101 described with reference to FIG. 2A. Those skilled in the art will appreciate that the angled engagement portion 154 may position the body 112 'at any angle relative to the normal direction of the sealing flange 110. Thus, one feature of the linear deposition source of the present invention is that the body 112 ′ comprising the plurality of nozzles 106 may have some effect on the housing 108 including the plurality of crucibles 102. Can be positioned in any orientation. The heaters for the plurality of conductance channels 104 (FIG. 1) are designed to prevent condensation of the evaporated raw material regardless of the orientation of the body 112 ′.

도 2d는 본 발명에 따른 다른 선형 증착 소스(156)의 단면도를 도시하며, 상기 바디(112")는 수직 방향으로 위치하는 상기 복수의 노즐(106)을 포함한다. 상기 선형 증착 소스(156)는 상기 선형 증착 소스(156)가 상기 밀봉 플랜지(110)로부터의 법선 방향에 대해 상기 바디(112")의 배향을 변화시키는 T-형 결합부(158)를 포함한다는 것을 제외하면 도 2c를 참조하여 설명되는 상기 선형 증착 소스(152)와 유사하다. 도 2d에 도시된 실시예에 있어서, 상기 바디(112")는 상기 T-형 결합부(158)의 양측에서 수직 방향으로 연장한다.2D illustrates a cross-sectional view of another linear deposition source 156 in accordance with the present invention, wherein the body 112 "includes the plurality of nozzles 106 positioned in the vertical direction. The linear deposition source 156 2C except that the linear deposition source 156 includes a T-shaped coupling 158 that changes the orientation of the body 112 "with respect to the normal direction from the sealing flange 110. FIG. Similar to the linear deposition source 152 described above. In the embodiment shown in FIG. 2D, the body 112 ″ extends in the vertical direction on both sides of the T-shaped coupling 158.

도 3a는 복수의 컨덕턴스 채널(204)에 결합되며 선형 구조의 복수의 노즐(206)에 결합되는 단일 도가니(202)를 포함하는 본 발명에 따른 선형 증착 소스(200)의 단면 사시도를 도시한다. 상기 선형 증착 소스(200)는 도 1 및 도 2를 참조하여 설명되는 상기 선형 증착 소스(100)와 유사하다. 그러나, 상기 소스(200)는 단 하나의 도가니(202)만을 포함한다. 상기 단일 도가니(202)는 도 1을 참조하여 설명되는 바와 같은 하우징(208) 내에 위치된다.3A shows a cross-sectional perspective view of a linear deposition source 200 in accordance with the present invention that includes a single crucible 202 coupled to a plurality of conductance channels 204 and coupled to a plurality of nozzles 206 of a linear structure. The linear deposition source 200 is similar to the linear deposition source 100 described with reference to FIGS. 1 and 2. However, the source 200 includes only one crucible 202. The single crucible 202 is located in a housing 208 as described with reference to FIG. 1.

상기 단일 도가니(202)는 하나의 타입의 증착물 원료에 대해 설계되는 단일 격실을 가질 수 있다. 상기 복수의 컨덕턴스 채널(204)에 결합되는 이러한 도가니는 상대적으로 높은 증착 플럭스 처리량을 가질 것이다. 선택적으로, 상기 단일 도가니(202)는 상기 도가니(202)의 섹션들을 부분적으로 격리하는 복수의 격벽(210)을 가질 수 있으며, 상기 부분적으로 격리되는 섹션들 각각은 복수의 증착물 원료 중 하나를 위치시키기 위한 치수로 형성된다. 상기 복수의 증착물 원료는 동일 물질일 수도 있고 각기 다른 물질일 수도 있다. 상기 부분적으로 격리되는 섹션들 각각 내에 동일 원료를 사용하는 것은 과잉이 될 것이며 상기 플럭스 비율을 증가시킬 것이다. 상기 단일 도가니(202)가 복수의 부분적으로 격리되는 섹션들을 포함하는 실시예에 있어서, 상기 복수의 컨덕턴스 채널(204) 각각의 입력부는 상기 복수의 부분적으로 격리되는 섹션들 중 하나에 인접하게 위치된다.The single crucible 202 may have a single compartment designed for one type of deposit raw material. Such crucibles coupled to the plurality of conductance channels 204 will have a relatively high deposition flux throughput. Optionally, the single crucible 202 may have a plurality of partitions 210 that partially isolate sections of the crucible 202, each of which partially isolates one of the plurality of deposit raw materials. It is formed to a dimension to make. The plurality of deposit raw materials may be the same material or different materials. Using the same raw material in each of the partially isolated sections will be redundant and increase the flux ratio. In an embodiment where the single crucible 202 includes a plurality of partially isolated sections, the input of each of the plurality of conductance channels 204 is located adjacent to one of the plurality of partially isolated sections. .

히터(212)는 상기 단일 도가니(202)와 열 연통 상태로 위치된다. 상기 히터(212)는 상기 도가니(202)의 온도를 증가시켜 상기 도가니가 상기 적어도 하나의 증착 물질을 상기 복수의 컨덕턴스 채널(204) 내로 또는 상기 단일 컨덕턴스 채널(204') (도 3b) 내로 증발시키도록 한다. 상기 히터(212) 또는 제 2 히터는 상기 복수의 컨덕턴스 채널(204) 중 적어도 하나 또는 상기 단일 컨덕턴스 채널(204')과 열 연통 상태로 위치되어 상기 복수의 컨덕턴스 채널(204) 또는 상기 단일 컨덕턴스 채널(204')의 온도를 증가시킴으로써, 증발된 증착물 원료가 응축하지 않도록 한다. 몇몇 히터(212)는 상기 복수의 컨덕턴스 채널(204) 중 다른 하나에 대해 상기 복수의 컨덕턴스 채널(204) 중 적어도 하나의 온도를 올릴 수 있다.The heater 212 is located in thermal communication with the single crucible 202. The heater 212 increases the temperature of the crucible 202 so that the crucible evaporates the at least one deposition material into the plurality of conductance channels 204 or into the single conductance channel 204 ′ (FIG. 3B). Let's do it. The heater 212 or the second heater is positioned in thermal communication with at least one of the plurality of conductance channels 204 or the single conductance channel 204 ′ so that the plurality of conductance channels 204 or the single conductance channel By increasing the temperature of 204 ', the vaporized deposit raw material does not condense. Some heaters 212 may raise the temperature of at least one of the plurality of conductance channels 204 relative to another of the plurality of conductance channels 204.

열 차폐부(214)는 상기 도가니(202) 및 상기 복수의 컨덕턴스 채널(204)에 인접하게 위치되어 상기 도가니(202) 및 상기 복수의 컨덕턴스 채널(204)의 적어도 부분적 열 격리를 제공한다. 몇몇 실시예에 있어서, 상기 열 차폐부(214)는 상기 도가니(202)의 다른 섹션에 대해 상기 도가니(202)의 하나의 섹션의 온도를 제어하도록 설계 및 위치된다. 또한, 몇몇 실시예에 있어서, 상기 열 차폐부(214)는 적어도 하나의 기타 컨덕턴스 채널(204)에 대해 상기 복수의 컨덕턴스 채널(204)의 적어도 하나의 적어도 부분적 열 격리를 제공하도록 설계 및 위치되어 각기 다른 온도가 상기 복수의 컨덕턴스 채널(204)의 적어도 둘 내에 위치될 수 있도록 한다. 본 실시예에 있어서, 상기 복수의 컨덕턴스 채널(204)의 적어도 둘은 각기 다른 열 특성을 갖는 열 차폐 물질로 차폐될 수 있다.A heat shield 214 is positioned adjacent to the crucible 202 and the plurality of conductance channels 204 to provide at least partial thermal isolation of the crucible 202 and the plurality of conductance channels 204. In some embodiments, the heat shield 214 is designed and positioned to control the temperature of one section of the crucible 202 relative to another section of the crucible 202. Further, in some embodiments, the heat shield 214 is designed and positioned to provide at least one at least partial thermal isolation of the plurality of conductance channels 204 with respect to at least one other conductance channel 204. Different temperatures may be located in at least two of the plurality of conductance channels 204. In this embodiment, at least two of the plurality of conductance channels 204 may be shielded with a heat shield material having different thermal characteristics.

상기 복수의 노즐(206)은 상기 복수의 컨덕턴스 채널(204)에 결합된다. 증발된 증착 물질은 상기 단일 도가니(202)로부터 상기 복수의 컨덕턴스 채널(204)을 통해 상기 복수의 노즐(206)까지 이송되며, 상기 증발된 증착 물질은 상기 복수의 노즐(206)로부터 토출되어 증착 플럭스를 형성한다.The plurality of nozzles 206 are coupled to the plurality of conductance channels 204. Evaporated deposition material is transferred from the single crucible 202 to the plurality of nozzles 206 through the plurality of conductance channels 204, and the evaporated deposition material is discharged from the plurality of nozzles 206 and deposited. Forms a flux.

도 3b는 단일 컨덕턴스 채널(204')에 결합되고 선형 구조의 복수의 노즐(206)에 결합되는 단일 도가니(202)를 포함하는 본 발명에 따른 선형 증착 소스(200)의 단면 사시도를 도시한다. 상기 선형 증착 소스(200)는 도 3a을 참조하여 설명되는 상기 선형 증착 소스(200)와 유사하다. 그러나, 상기 소스(201)는 단 하나의 컨덕턴스 채널(204')을 포함한다.3B shows a cross-sectional perspective view of a linear deposition source 200 in accordance with the present invention that includes a single crucible 202 coupled to a single conductance channel 204 ′ and coupled to a plurality of nozzles 206 in a linear configuration. The linear deposition source 200 is similar to the linear deposition source 200 described with reference to FIG. 3A. However, the source 201 includes only one conductance channel 204 ′.

본 발명의 선형 소스는 웹 기판 및 강성 패널 기판과 같은 대면적 공작물 상에 하나 또는 그 이상의 각기 다른 증착물 원료를 증발시키기에 매우 적합하다. 상기 소스의 선형 구조는 상기 소스가 상대적으로 큰 면적 위에 효율적이며 매우 제어 가능한 증발된 물질을 제공할 수 있으므로 이들이 광전지용으로 사용되는 웹 기판 및 강성 패널 기판과 같은 넓은 및 대면적 공작물을 처리하는데 매우 적합하도록 한다.The linear sources of the present invention are well suited for evaporating one or more different deposit raw materials onto large area workpieces such as web substrates and rigid panel substrates. The linear structure of the sources allows them to provide efficient and highly controllable evaporated materials over a relatively large area, making them very suitable for processing large and large area workpieces such as web substrates and rigid panel substrates used for photovoltaic cells. Make sure that it is appropriate.

본 발명의 상기 선형 증착 소스의 하나의 특징은 이들이 상대적으로 소형이라는 것이다. 본 발명의 상기 선형 증착 소스의 다른 특징은 이들이 상기 복수의 증착 소스용 및 상기 복수의 컨덕턴스 채널용 공동 히터 및 공동 열 차폐 물질을 사용하며, 이것이 크기, 설비 비용, 및 동작 비용과 같은 설비 성능 기준을 향상시킬 수 있다는 것이다.One feature of the linear deposition sources of the present invention is that they are relatively small. Another feature of the linear deposition sources of the present invention is that they use cavity heaters and cavity heat shield materials for the plurality of deposition sources and for the plurality of conductance channels, which are based on facility performance criteria such as size, facility cost, and operating cost. Is to improve.

도 4는 두 가지 타입의 물질로 형성되는 상기 본 발명의 선형 증착 소스용 도가니(300)의 단면 사시도를 도시한다. 상기 도가니(300)는 다른 도가니 안쪽에 위치하는 적어도 하나의 도가니를 포함한다. 도 4에 도시된 실시예에 있어서, 상기 도가니(300)는 외측 도가니(304) 안쪽에 놓이는 내측 도가니(302)를 포함한다. 이러한 도가니 설계에 있어서, 두 가지 타입의 물질이 상기 도가니의 성능을 향상시키기 위해 상기 증착 물질을 수용하도록 사용될 수 있다. 기타 실시예에 있어서, 적어도 하나의 도가니는 적어도 두 개의 다른 도가니 안쪽에 놓인다.4 shows a cross-sectional perspective view of the crucible 300 for the linear deposition source of the present invention formed from two types of materials. The crucible 300 includes at least one crucible located inside another crucible. In the embodiment shown in FIG. 4, the crucible 300 includes an inner crucible 302 that lies inside the outer crucible 304. In this crucible design, two types of materials can be used to accommodate the deposition material to improve the performance of the crucible. In other embodiments, at least one crucible is placed inside at least two different crucibles.

예를 들면, 일 실시예에 있어서, 하나 또는 그 이상의 상기 복수의 도가니(102) (도 1a 및 도 1b) 또는 도가니(202) (도 3a 및 도 3b)는 열분해 질화 붕소로 형성되는 상기 내측 도가니(302) 및 흑연으로 형성되는 상기 외측 도가니(304)를 구비한다. 본 실시예에 있어서, 상기 열분해 질화 붕소로 형성되는 상기 내측 도가니(302)는 상기 증착물 원료를 수용한다. 열분해 질화 붕소는 비-다공성, 높은 불활성, 및 대단히 순수한 물질이다. 또한, 열분해 질화 붕소는 매우 높은 융점, 양호한 열 전도성, 및 우수한 열 충격 특성을 갖는다. 이들 특성은 열분해 질화 붕소가 대부분의 증발 원료를 직접 수용하는데 매우 적합하도록 한다. 그러나, 열분해 질화 붕소는 특히 취성이며, 그에 따라, 쉽게 손상된다. 산화물 및 금속 산화물은 상기 내측 도가니 물질용으로도 사용될 수 있다. 상기 외측 도가니(304)는 더욱 내구성 있는, 그러나 여전히 높은 온도 동작이 가능한 흑연과 같은 물질로 형성된다. 상기 더욱 내구성 있는 물질은 상기 열분해 질화 붕소를 손상으로부터 보호한다. 다른 실시예에 있어서, 상기 내측 도가니는 석영으로 형성되며 상기 외측 도가니는 알루미나로 형성된다. 석영 내측 도가니 및 알루미나 외측 도가니의 조합은 상대적으로 높은 성능을 가지며 상대적으로 값이 싸다.For example, in one embodiment, one or more of the plurality of crucibles 102 (FIGS. 1A and 1B) or crucible 202 (FIGS. 3A and 3B) is the inner crucible formed of pyrolytic boron nitride. 302 and the outer crucible 304 formed of graphite. In the present embodiment, the inner crucible 302 formed of the pyrolytic boron nitride contains the deposit raw material. Pyrolytic boron nitride is a non-porous, highly inert, and very pure material. In addition, pyrolytic boron nitride has a very high melting point, good thermal conductivity, and good thermal shock properties. These properties make pyrolytic boron nitride very well suited to directly accommodate most evaporative raw materials. However, pyrolytic boron nitride is particularly brittle and therefore easily damaged. Oxides and metal oxides may also be used for the inner crucible material. The outer crucible 304 is formed of a material, such as graphite, which is more durable but still capable of high temperature operation. The more durable material protects the pyrolytic boron nitride from damage. In another embodiment, the inner crucible is formed of quartz and the outer crucible is formed of alumina. The combination of a quartz inner crucible and an alumina outer crucible has a relatively high performance and is relatively inexpensive.

도 5a는 본 발명에 따른 상기 선형 증착 소스(100)의 일부의 상부 사시도를 도시하며, 상기 하우징(108) 내의 세 개의 도가니(102)에 결합되는 상기 세 개의 컨덕턴스 채널(104)을 보여준다. 상기 세 개의 컨덕턴스 채널(104) 각각의 입력부(118)는 상기 세 개의 도가니(102) 각각의 출력부에 결합된다. 상기 세 개의 컨덕턴스 채널(104)은 상기 증발된 물질이 상기 복수의 컨덕턴스 채널(104)을 통해 이송되는 동안 상기 세 개의 도가니(102) 중 어느 것으로부터도 증발된 물질의 의미 있는 혼합이 없도록 설계된다. 많은 증착 공정에 있어서, 상기 증착 물질이 처리되고 있는 상기 기판의 표면에 도달하기 전에 둘 또는 그 이상의 증착 물질의 반응이 일어나지 않도록 하기 위해 증착 물질의 혼합을 거의 방지하는 것이 중요하다.5A shows a top perspective view of a portion of the linear deposition source 100 in accordance with the present invention and shows the three conductance channels 104 coupled to three crucibles 102 in the housing 108. An input 118 of each of the three conductance channels 104 is coupled to an output of each of the three crucibles 102. The three conductance channels 104 are designed such that there is no meaningful mixing of evaporated material from any of the three crucibles 102 while the evaporated material is transported through the plurality of conductance channels 104. . In many deposition processes, it is important to almost prevent mixing of the deposition materials so that the reaction of two or more deposition materials does not occur before the deposition material reaches the surface of the substrate being processed.

도 5b는 본 발명에 따른 상기 선형 증착 소스(101)의 일부의 상부 사시도를 도시하며, 상기 하우징(108) 내의 세 개의 도가니(102)에 결합되는 단일 컨덕턴스 채널(104')을 보여준다. 상기 컨덕턴스 채널(104')의 입력부(118)는 도 1a 및 도 1b에 도시된 바와 같은 상기 세 개의 도가니(102) 각각의 출력부에 결합되거나 도 3a 및 도 3b에 도시된 바와 같은 상기 단일 도가니(202)의 출력부에 결합된다.5B shows a top perspective view of a portion of the linear deposition source 101 in accordance with the present invention and shows a single conductance channel 104 ′ coupled to three crucibles 102 in the housing 108. The input 118 of the conductance channel 104 ′ is coupled to the output of each of the three crucibles 102 as shown in FIGS. 1A and 1B or the single crucible as shown in FIGS. 3A and 3B. Coupled to the output of 202.

도 6a는 상기 본 발명의 선형 증착 소스용 저항성 도가니 히터(400)의 일부의 사시도로서, 상기 도가니(102) (도 1)가 위치하는 상기 도가니 히터(400)의 내부 및 세 개의 측면을 보여준다. 다양한 실시예에 있어서, 상기 도가니 히터(400)는 상기 하우징(108) (도 1) 내에 고정될 수도 있고 상기 하우징(108)에 분리 가능하게 부착될 수도 있다. 상기 도가니 히터(400)는 상기 도가니(102)를 둘러싸는 바닥 및 측면 상의 복수의 저항성 가열 요소(402)를 포함한다. 6a에 도시된 실시예에 있어서, 상기 저항성 가열 요소(402)는 흑연 물질의 선형 스트립인 복수의 이격된 흑연 버스 바(402)이다. 지지 로드(404)는 상기 흑연 버스 바(402)와 서로 구조적으로 연결되며 상기 버스 바(402)를 전기적으로 절연한다. 상기 저항성 가열 요소(402)는 상기 가열 요소(402)의 대향 단부 사이에 위치하는 구불구불한 흑연 스프링을 포함할 수 있다. 전선은 상기 소스(100)의 상기 하우징(108)을 통해 공급되어 상기 흑연 버스 바(402)를 전원(도시하지 않음)에 연결한다. 상기 흑연 버스 바(402)는 상기 전선을 견고하게 부착하기 위한 스크루(406)를 포함한다.6A is a perspective view of a portion of the resistive crucible heater 400 for the linear deposition source of the present invention, showing the interior and three sides of the crucible heater 400 in which the crucible 102 (FIG. 1) is located. In various embodiments, the crucible heater 400 may be secured within the housing 108 (FIG. 1) or detachably attached to the housing 108. The crucible heater 400 includes a plurality of resistive heating elements 402 on the bottom and sides that surround the crucible 102. In the embodiment shown in 6a, the resistive heating element 402 is a plurality of spaced apart graphite bus bars 402 that are linear strips of graphite material. The support rod 404 is structurally connected with the graphite bus bar 402 and electrically insulates the bus bar 402. The resistive heating element 402 may comprise a tortuous graphite spring located between opposite ends of the heating element 402. Wires are supplied through the housing 108 of the source 100 to connect the graphite bus bar 402 to a power source (not shown). The graphite bus bar 402 includes a screw 406 for firmly attaching the wire.

도 6b는 상기 복수의 도가니(102) (도 1) 각각을 가열하기 위한 상기 복수의 도가니 히터(400) 중 하나의 외관의 사시도이다. 도 6b에 도시된 사시도는 도 6a에 도시된 사시도와 유사하지만, 상기 도가니 히터(400)의 네 측면을 모두 보여준다.6B is a perspective view of the appearance of one of the plurality of crucible heaters 400 for heating each of the plurality of crucibles 102 (FIG. 1). The perspective view shown in FIG. 6B is similar to the perspective view shown in FIG. 6A, but shows all four sides of the crucible heater 400.

도 7a는 본 발명에 따른 선형 증착 소스(100)의 측면도로서, 상기 복수의 컨덕턴스 채널을 가열하기 위한 컨덕턴스 채널 히터를 보여준다. 도 7b는 상기 컨덕턴스 채널 히터를 포함하는 상기 로드(130)의 사시도를 도시한다. 도 7c는 본 발명에 따른 선형 증착 소스(100)의 바디(112)의 사시도를 도시하며, 상기 로드(130)의 단부를 상기 바디(112)에 결합시키는 결합부(132)를 보여준다.7A is a side view of a linear deposition source 100 in accordance with the present invention, showing a conductance channel heater for heating the plurality of conductance channels. 7B shows a perspective view of the rod 130 including the conductance channel heater. 7C shows a perspective view of a body 112 of a linear deposition source 100 in accordance with the present invention, showing a coupling 132 that couples the end of the rod 130 to the body 112.

도 1a, 도 1b, 도 7a, 도 7b, 및 도 7c를 참조하면, 상기 로드(130)는 상기 컨덕턴스 채널(104)의 길이를 따르는 상기 바디(112)의 길이 방향으로 상기 컨덕턴스 채널(104)에 인접하게 위치된다. 상기 로드(130)는 흑연, 탄화 규소, 내화 물질, 또는 기타 매우 높은 융점 물질과 같은 모든 타입의 높은 온도 저항성 물질로 형성될 수 있다. 상기 로드(130)는 상기 로드(130)를 통해 흐르는 전류를 생산하는 전원(도시하지 않음)의 출력부에 전기적으로 연결되어, 상기 로드(130)의 온도를 상승시킨다. 상기 로드(130)는 정상 동작 중에 상기 로드(130)의 열 팽창을 허용하기에 충분한 이동을 제공하는 스프링 또는 와이어 하네스(harness)를 사용하여 전원의 출력부에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 전원으로부터의 전류에 의해 상기 로드(130) 내에 생성되는 열은 상기 컨덕턴스 채널(104) 내로 방출되어, 상기 컨덕턴스 채널(104)의 온도를 높임으로써, 상기 복수의 컨덕턴스 채널(104)을 통과하는 증발된 원료가 응축하지 않도록 한다.1A, 1B, 7A, 7B, and 7C, the rod 130 extends the conductance channel 104 in the longitudinal direction of the body 112 along the length of the conductance channel 104. It is located adjacent to. The rod 130 may be formed of any type of high temperature resistant material such as graphite, silicon carbide, refractory materials, or other very high melting point materials. The rod 130 is electrically connected to an output of a power source (not shown) that produces a current flowing through the rod 130, thereby raising the temperature of the rod 130. The rod 130 may be electrically connected to the output of the power source using a spring or wire harness that provides sufficient movement to allow thermal expansion of the rod 130 during normal operation. Heat generated in the rod 130 by the current from the power source is discharged into the conductance channel 104 to increase the temperature of the conductance channel 104, thereby passing through the plurality of conductance channels 104. Do not allow the evaporated material to condense.

도 7a는 또한 상기 로드(130)의 분절을 서로 부착시키는 복수의 결합부(132)를 도시한다. 몇몇 실시예에 있어서, 상기 바디(112)의 길이는 매우 길어서 로드(130)의 다중 분절을 서로 결합시키는 것이 보다 비용 효과적이고, 신뢰성이 있으며, 제조하기도 쉽다. 본 기술 분야에 통상의 지식을 가진 자라면 로드(130)의 다중 분절을 서로 결합시키도록 사용될 수 있는 많은 타입의 결합부가 있다는 것을 알 수 있을 것이다. 예를 들면, 나사 결합부가 두 개의 로드 분절을 서로 결합시키도록 사용될 수 있다. 상기 결합부(132)는 상기 로드(130)의 전체 길이를 통해 상대적으로 일정한 저항으로 연속적인 전기적 연결을 제공한다.7A also shows a plurality of engagement portions 132 that attach the segments of the rod 130 to each other. In some embodiments, the length of the body 112 is so long that joining multiple segments of the rod 130 together is more cost effective, reliable, and easier to manufacture. Those skilled in the art will appreciate that there are many types of couplings that can be used to join multiple segments of the rod 130 to each other. For example, screwed connections can be used to join two rod segments together. The coupling portion 132 provides a continuous electrical connection with a relatively constant resistance through the entire length of the rod 130.

도 8은 팽창 링크(502)를 포함하는 상기 바디(112) (도 1a 및 도 1b)의 프레임(500)을 도시한다. 도 1a, 도 1b, 도 7a, 및 도 8을 참조하면, 상기 복수의 컨덕턴스 채널(104)은 상기 팽창 링크(502)를 관찰하도록 상기 바디(112)의 상기 프레임(500) 안쪽의 공간으로부터 분리된다. 상기 팽창 링크(502)는 상기 바디(112)가 정상 동작 중 의미 있는 열 팽창 및 수축을 경험하기 때문에 가끔씩 사용된다. 상기 로드(130) 및 상기 복수의 컨덕턴스 채널(104)의 열 팽창 계수는 상기 프레임(500) 및 상기 바디(112) 내의 기타 구성요소의 열 팽창 계수와 상당히 다를 수 있다. 또한, 상기 프레임(500)과, 상기 로드(130) 및 상기 복수의 컨덕턴스 채널(104)과 같은 상기 바디(112) 내의 기타 구성요소 사이에 의미 있는 온도 차이가 있을 수도 있다. 결론적으로. 상기 프레임(500)은 상기 복수의 컨덕턴스 채널(104) 및 상기 로드(130)와 같은 상기 바디(112) 내의 기타 구성요소에 대해 자유롭게 팽창 및 접촉하는 것이 바람직하다.8 shows a frame 500 of the body 112 (FIGS. 1A and 1B) that includes an expansion link 502. 1A, 1B, 7A, and 8, the plurality of conductance channels 104 are separated from the space inside the frame 500 of the body 112 to observe the expansion link 502. do. The expansion link 502 is sometimes used because the body 112 experiences significant thermal expansion and contraction during normal operation. The coefficient of thermal expansion of the rod 130 and the plurality of conductance channels 104 may be significantly different from the coefficients of thermal expansion of the frame 500 and other components in the body 112. There may also be significant temperature differences between the frame 500 and other components within the body 112, such as the rod 130 and the plurality of conductance channels 104. In conclusion. The frame 500 preferably freely expands and contacts the plurality of conductance channels 104 and other components within the body 112 such as the rod 130.

도 8에 도시된 상기 팽창 링크(500-->502)는 상기 프레임(500) 내에 사용될 수 있는 많은 타입의 팽창 링크 중 하나이다. 도 8에 도시된 실시예에 있어서, 상기 팽창 링크(500-->502)는 핀(504) 또는 기타 타입의 체결구로 상기 프레임(500)의 두 개의 섹션에 부착된다. 상기 팽창 링크(502)가 팽창되는 경우, 상기 연결 섹션(506)은 팽창하여, 상기 프레임(500)의 팽창률보다 빠른 비율로 팽창하는 상기 바디(112) 내의 구성요소를 위해 상기 프레임(500) 내에 공간을 생성한다. 선택적으로, 상기 바디(112) 내의 구성요소가 상기 프레임(500)보다 빠르게 수축하는 경우, 상기 연결 섹션(506)은 접혀서, 바디(112)의 공간에 맞도록 상기 프레임(500) 내의 공간을 축소시킨다.The expansion links 500-> 502 shown in FIG. 8 are one of many types of expansion links that can be used within the frame 500. In the embodiment shown in FIG. 8, the expansion link 500-> 502 is attached to two sections of the frame 500 with a pin 504 or other type of fastener. When the expansion link 502 is inflated, the connecting section 506 expands within the frame 500 for components in the body 112 that expand at a rate faster than the expansion rate of the frame 500. Create a space. Optionally, when a component in the body 112 shrinks faster than the frame 500, the connecting section 506 is folded to reduce the space in the frame 500 to fit the space of the body 112. Let's do it.

도 9a는 본 발명에 따른 선형 증착 소스의 상기 복수의 도가니(102) (도 1a 및 도 1b)용 및 상기 복수의 컨덕턴스 채널(104)용 열 차폐부(600)의 단면 사시도이다. 도 9b는 도 9a에 도시된 열 차폐부(600)의 전체 사시도이다. 본 기술 분야에 통상의 지식을 가진 자라면 상기 열 차폐부(600)가 많은 타입의 열 차폐 물질 중 어느 하나로 이루어질 수 있다는 것을 알 수 있을 것이다. 예를 들면, 일 실시예에 있어서, 상기 열 차폐부(600)는 탄소 섬유 탄소 화합 물질로 형성된다.9A is a cross-sectional perspective view of a heat shield 600 for the plurality of crucibles 102 (FIGS. 1A and 1B) and for the plurality of conductance channels 104 of a linear deposition source in accordance with the present invention. FIG. 9B is an overall perspective view of the heat shield 600 shown in FIG. 9A. Those skilled in the art will appreciate that the heat shield 600 may be made of any one of many types of heat shield materials. For example, in one embodiment, the heat shield 600 is formed of a carbon fiber carbon compound material.

도 1a, 도 1b, 및 도 9a 및 도 9b를 참조하면, 상기 열 차폐부(600)의 제 1 섹션(602)은 상기 복수의 도가니(102) 각각의 적어도 부분적 열 격리를 제공하도록 상기 복수의 도가니(102) 각각에 인접하게 위치된다. 상기 열 차폐부(600)의 상기 제 1 섹션(602)은 상기 개별 도가니(102)를 격리시켜 현저하게 다른 도가니 온도가, 필요하다면 공정 중에, 유지될 수 있도록 한다. 현저하게 다른 도가니 온도를 유지하는 것은 상기 복수의 도가니(102) 각각이 특정 원료에 대해 최적의 온도까지 가열될 수 있도록 하기 때문에 몇몇 증착 공정에 있어서 중요하다. 상기 도가니(102)를 상기 특정 원료에 대한 그들의 최적의 온도까지 가열하는 것은 증착 물질의 스피팅과 같은 부정적인 가열 효과를 감소시킨다. 또한, 상기 도가니(102)를 상기 특정 원료에 대해 그들의 최적의 온도까지 가열하는 것은 상기 증착 소스의 동작 비용을 현저하게 감소시킬 수 있다.1A, 1B, and 9A and 9B, the first section 602 of the heat shield 600 provides a plurality of at least partial thermal isolation of each of the plurality of crucibles 102. Located adjacent each of the crucibles 102. The first section 602 of the heat shield 600 isolates the individual crucibles 102 so that significantly different crucible temperatures can be maintained, if necessary, during the process. Maintaining significantly different crucible temperatures is important for some deposition processes because each of the plurality of crucibles 102 can be heated to an optimal temperature for a particular raw material. Heating the crucible 102 to their optimum temperature for the particular raw material reduces negative heating effects, such as spitting deposition material. In addition, heating the crucible 102 to their optimum temperature for the particular raw material can significantly reduce the operating cost of the deposition source.

다양한 기타 실시예에 있어서, 상기 열 차폐부(600)의 제 1 섹션(602)은 상기 복수의 별개의 열 차폐부(600) 각각이 상기 복수의 도가니(102) 각각을 둘러싸는 복수의 별개의 열 차폐부를 포함할 수 있다. 상기 복수의 별개의 열 차폐부 각각은 동일한 열 차폐부일 수도 있고 각기 다른 열 차폐부일 수도 있다. 예를 들면, 증착물 원료를 더 높은 온도까지 가열하도록 사용될 수 있는 도가니가 각기 다른 열 특성을 갖는 각기 다른 또는 더 두꺼운 열 차폐 물질로 형성될 수 있다. In various other embodiments, the first section 602 of the heat shield 600 includes a plurality of separate heat shields each of which each of the plurality of separate heat shields 600 surrounds each of the plurality of crucibles 102. It may include a heat shield. Each of the plurality of separate heat shields may be the same heat shield or different heat shields. For example, a crucible that can be used to heat the deposit raw material to a higher temperature can be formed of different or thicker heat shield materials with different thermal properties.

상기 열 차폐부(600)의 제 2 섹션(604)은 상기 복수의 도가니(102)로부터 상기 복수의 컨덕턴스 채널(104)의 적어도 부분적 열 격리를 제공하도록 상기 복수의 컨덕턴스 채널(104)에 인접하게 위치된다. 상기 복수의 컨덕턴스 채널(104) 각각은 별개의 열 차폐부에 의해 차폐될 수도 있고 단일 열 차폐부가 사용될 수도 있다. 몇몇 실시예에 있어서, 상기 열 차폐부(600)의 제 2 섹션(604)은 적어도 다른 하나의 컨덕턴스 채널에 대한 상기 복수의 컨덕턴스 채널(104) 중 적어도 하나의 적어도 부분적 열 격리를 제공하도록 위치된다. 다시 말하면, 상기 열 차폐부(600)의 제 2 섹션(604)의 설계 및 위치 설정은 상기 복수의 컨덕턴스 채널(104)의 적어도 다른 하나에 대해 상기 복수의 컨덕턴스 채널(104) 중 적어도 하나 내에 각기 다른 동작 온도를 허용하도록 선택될 수 있다. 이들 실시예에 있어서, 상기 복수의 컨덕턴스 채널(104) 중 적어도 두 개는 각기 다른 열 특성을 갖는 열 차폐 물질로 차폐될 수 있다. 예를 들면, 상기 복수의 컨덕턴스 채널(104) 중 적어도 두 개는 각기 다른 열 차폐 물질, 각기 다른 열 차폐 두께, 및/또는 특정 컨덕턴스 채널에 대한 상기 열 차폐 물질의 각기 다른 인접성에 의해 차폐될 수 있다.The second section 604 of the heat shield 600 is adjacent to the plurality of conductance channels 104 to provide at least partial thermal isolation of the plurality of conductance channels 104 from the plurality of crucibles 102. Is located. Each of the plurality of conductance channels 104 may be shielded by a separate heat shield or a single heat shield may be used. In some embodiments, the second section 604 of the heat shield 600 is positioned to provide at least partial thermal isolation of at least one of the plurality of conductance channels 104 to at least another conductance channel. . In other words, the design and positioning of the second section 604 of the heat shield 600 is respectively within at least one of the plurality of conductance channels 104 with respect to at least another one of the plurality of conductance channels 104. It may be chosen to allow for other operating temperatures. In these embodiments, at least two of the plurality of conductance channels 104 may be shielded with a heat shield material having different thermal properties. For example, at least two of the plurality of conductance channels 104 may be shielded by different heat shield materials, different heat shield thicknesses, and / or different adjacencies of the heat shield materials to specific conductance channels. have.

상기 열 차폐부(600)는 정상 동작 중 매우 높은 온도에 노출된다. 본 발명에 따른 몇몇 열 차폐부는 열 복사의 방출을 감소시키는 낮은 방사율 물질 또는 낮은 방사율 코팅으로 형성되는 적어도 하나의 표면을 구비한다. 예를 들면, 상기 열 차폐부(600)의 내면 또는 외면은 열 전달을 감소시키는 낮은 방사율 코팅 또는 기타 타입의 코팅으로 코팅될 수 있다. 이러한 코팅은 상기 소스의 동작 수명 기간에 걸쳐 일정한 방사율을 유지하도록 설계되는 것이 통상적이다. The heat shield 600 is exposed to very high temperatures during normal operation. Some heat shields according to the invention have at least one surface formed of a low emissivity material or a low emissivity coating which reduces the emission of thermal radiation. For example, the inner or outer surface of the heat shield 600 may be coated with a low emissivity coating or other type of coating that reduces heat transfer. Such coatings are typically designed to maintain a constant emissivity over the operating lifetime of the source.

상기 열 차폐부(600)는 또한 상기 바디(112)의 상기 하우징(108)과 비교하여 및 상기 하우징(108) 및 바디(112) 내의 구성요소와 비교하여 각기 다른 비율로 팽창 및 수축한다. 일 실시예에 있어서, 상기 열 차폐부(600)는 상기 바디(112)의 상기 하우징(108) 및 상기 프레임(500) (도 8) 중 적어도 하나에 이동 가능하게 부착되어 정상 동작 중에 그가 상기 하우징(108) 및 상기 프레임(500) 중 적어도 하나에 대해 이동할 수 있도록 한다. 몇몇 실시예에 있어서, 팽창 링크는 상기 열 차폐부(600)가 기타 소스 구성요소에 대해 팽창 및 수축하도록 사용된다. 또한, 몇몇 실시예에 있어서, 상기 열 차폐부(600)는 열 팽창 및 수축에 대해 내성이 있는 열 차폐 물질의 복수의 층을 포함한다. 예를 들면, 복수의 열 차폐 타일은 열 팽창 및 수축에 대한 내성을 증가시키도록 사용된다.The heat shield 600 also expands and contracts at different rates compared to the housing 108 of the body 112 and compared to components within the housing 108 and the body 112. In one embodiment, the heat shield 600 is movably attached to at least one of the housing 108 and the frame 500 of FIG. Move relative to at least one of 108 and the frame 500. In some embodiments, expansion links are used to allow the heat shield 600 to expand and contract with respect to other source components. Further, in some embodiments, the heat shield 600 includes a plurality of layers of heat shield material that are resistant to thermal expansion and contraction. For example, a plurality of heat shield tiles are used to increase resistance to thermal expansion and contraction.

도 10은 본 발명에 따른 증착 소스(100)의 사시도를 도시하며, 증발된 물질을 기판 또는 기타 공작물 상에 방출하기 위한 상기 바디(112) 내의 상기 복수의 노즐(106)을 보여준다. 상기 복수의 노즐(106)의 각각의 입력부는 도 5a를 참조하여 설명되는 바와 같은 상기 복수의 컨덕턴스 채널(104) 각각의 출력부에 결합되거나 도 5b를 참조하여 설명되는 바와 같은 상기 컨덕턴스 채널(104')의 출력부에 결합된다. 도 5a에 도시된 실시예에 있어서, 상기 증발된 증착 물질은 상기 복수의 도가니(102)로부터 상기 복수의 컨덕턴스 채널(104)을 거쳐 상기 복수의 노즐(106)까지 혼합 없이 이송되며, 상기 증발된 증착 물질은 상기 복수의 노즐(106)로부터 토출되어 증착 플럭스를 형성한다.10 shows a perspective view of a deposition source 100 in accordance with the present invention, showing the plurality of nozzles 106 in the body 112 for releasing evaporated material onto a substrate or other workpiece. Each input of the plurality of nozzles 106 is coupled to an output of each of the plurality of conductance channels 104 as described with reference to FIG. 5A or the conductance channel 104 as described with reference to FIG. 5B. Is coupled to the output of '). In the embodiment shown in FIG. 5A, the evaporated deposition material is transferred from the plurality of crucibles 102 through the plurality of conductance channels 104 to the plurality of nozzles 106 without mixing, and the evaporated Deposition materials are ejected from the plurality of nozzles 106 to form deposition fluxes.

도 10에 도시된 상기 소스(100)은 일곱 그룹의 노즐(106)을 포함하며, 각각의 그룹은 세 개의 노즐을 포함한다. 본 기술 분야에 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명에 따른 증착 소스가 각각의 그룹 내에 어떤 그룹 숫자의 노즐 및 어떤 숫자의 노즐도 포함할 수 있다는 것을 알 수 있을 것이다. 다양한 실시예에 있어서, 상기 복수의 노즐(106)의 간격은 균일할 수도 있고 불균일할 수도 있다. 본 발명의 일 양태는 상기 복수의 노즐(106)이 확실한 공정 목표를 달성하도록 불균일하게 이격될 수 있다는 것이다. 예를 들면, 일 실시예에 있어서, 상기 복수의 노즐(106)의 간격은 상기 증착 플럭스의 균일성을 향상시키도록 선택된다. 본 실시예에 있어서, 상기 바디(112)의 에지에 인접하는 상기 노즐(106)의 간격은 상기 바디(112)의 에지에 인접하는 감소한 증착 플럭스를 보상하기 위해 도 10에 도시된 바와 같은 상기 바디(112)의 중심에 인접하는 상기 노즐(106)의 간격보다 가깝다. 상기 소스(100)가 상기 기판 또는 공작물에 인접하게 실질적으로 균일한 증착 물질 플럭스를 생성하도록 정확한 간격이 선택될 수 있다.The source 100 shown in FIG. 10 includes seven groups of nozzles 106, each group including three nozzles. Those skilled in the art will appreciate that the deposition source according to the present invention may include any group number of nozzles and any number of nozzles within each group. In various embodiments, the spacing of the plurality of nozzles 106 may be uniform or non-uniform. One aspect of the present invention is that the plurality of nozzles 106 may be unevenly spaced to achieve a certain process goal. For example, in one embodiment, the spacing of the plurality of nozzles 106 is selected to improve the uniformity of the deposition flux. In this embodiment, the spacing of the nozzles 106 adjacent to the edge of the body 112 is such that the body as shown in FIG. 10 to compensate for the reduced deposition flux adjacent to the edge of the body 112. It is closer than the interval of the nozzle 106 adjacent to the center of 112. The exact spacing may be selected such that the source 100 produces a substantially uniform deposition material flux adjacent to the substrate or workpiece.

몇몇 실시예에 있어서, 상기 복수의 노즐(106)의 간격은 상기 증착 소스(100)의 동작 비용을 낮추고 공정 시간 및 정비 간격 사이의 가용성을 높이기 위해 높은 물질 활용성을 얻도록 선택된다. 또한, 몇몇 실시예에 있어서, 상기 복수의 노즐(106)의 간격은 증발된 물질의 소정의 혼합을 달성하기 위해 상기 복수의 노즐(106)로부터의 증착 플럭스의 요구되는 중첩을 제공하도록 선택된다.In some embodiments, the spacing of the plurality of nozzles 106 is selected to achieve high material utilization to lower the operating cost of the deposition source 100 and to increase availability between process time and maintenance intervals. Further, in some embodiments, the spacing of the plurality of nozzles 106 is selected to provide the desired overlap of deposition flux from the plurality of nozzles 106 to achieve a desired mixing of evaporated material.

일 실시예에 있어서, 상기 복수의 노즐(106) 중 적어도 하나는 확실한 공정 목표를 달성하기 위해 상기 컨덕턴스 채널(104)의 상부 표면(160)으로부터의 법선 각도에 대해 경사지게 위치된다. 예를 들면, 일 실시예에 있어서, 상기 복수의 노즐(106) 중 적어도 하나는 처리되는 기판 또는 공작물의 표면을 가로지르는 균일한 증착 플럭스를 제공하도록 선택되는 상기 컨덕턴스 채널(104)의 상부 표면(160)으로부터의 법선 각도에 대해 경사지게 위치된다. 또한, 몇몇 실시예에 있어서, 상기 복수의 노즐(106) 중 적어도 하나는 증발된 물질의 소정의 혼합을 달성하기 위해 상기 복수의 노즐(106)로부터의 증착 플럭스의 요구되는 중첩을 제공하도록 선택되는 상기 컨덕턴스 채널(104)의 상부 표면(160)으로부터의 법선 각도에 대해 경사지게 위치된다.In one embodiment, at least one of the plurality of nozzles 106 is inclined relative to the normal angle from the top surface 160 of the conductance channel 104 to achieve a certain process goal. For example, in one embodiment, at least one of the plurality of nozzles 106 is selected from the top surface of the conductance channel 104 selected to provide a uniform deposition flux across the surface of the substrate or workpiece being processed. Inclined relative to the normal angle from 160. Further, in some embodiments, at least one of the plurality of nozzles 106 is selected to provide the desired overlap of deposition flux from the plurality of nozzles 106 to achieve a desired mixing of evaporated material. It is positioned inclined with respect to the normal angle from the upper surface 160 of the conductance channel 104.

도 11a는 본 발명에 따른 상기 증착 소스(100)의 바디(112)의 단면도를 도시하며, 상기 노즐(106)에 대한 증착 물질의 흐름을 제어하는 튜브(170)를 구비하는 컨덕턴스 채널(104)에 결합되는 일 열의 노즐(106)을 보여준다. 상기 튜브(170)는 상기 컨덕턴스 채널(104)에 인접하게 위치되어 상기 튜브(170)가 상기 노즐(106)에 공급되는 증착 물질의 양을 제한하도록 한다. 상기 튜브(170)는 상기 컨덕턴스 채널(104) 내에 적어도 부분적으로 위치된다. 상기 튜브(170)의 길이는 상기 노즐(106)을 통한 소정의 증착 플럭스를 달성하도록 선택될 수 있다. 상기 복수의 노즐(106) 중 하나에 대응하는 상기 튜브(170)의 길이는 상기 복수의 노즐(106) 중 적어도 다른 하나에 대응하는 상기 튜브의 길이와 다를 수 있다. 몇몇 실시예에 있어서, 상기 튜브(170)의 상부에서의 방사율은 상기 튜브(170)의 바닥에서의 방사율보다 낮아 원하는 열 구배를 제공한다.11A shows a cross-sectional view of a body 112 of the deposition source 100 in accordance with the present invention, with a conductance channel 104 having a tube 170 that controls the flow of deposition material to the nozzle 106. Shows a row of nozzles 106 that are coupled to. The tube 170 is positioned adjacent the conductance channel 104 to allow the tube 170 to limit the amount of deposition material supplied to the nozzle 106. The tube 170 is at least partially located within the conductance channel 104. The length of the tube 170 may be selected to achieve the desired deposition flux through the nozzle 106. The length of the tube 170 corresponding to one of the plurality of nozzles 106 may be different from the length of the tube corresponding to at least another one of the plurality of nozzles 106. In some embodiments, the emissivity at the top of the tube 170 is lower than the emissivity at the bottom of the tube 170 to provide the desired thermal gradient.

몇몇 또는 모든 노즐(106)의 구조는 균일성을 향상시키도록 선택될 수 있다. 예를 들면, 상기 복수의 노즐(106) 중 적어도 하나는 불균일한 증착 플럭스를 통과시키도록 하는 형상의 출력부의 개구를 포함할 수 있다. 상기 복수의 노즐(106) 중 하나에 대응하는 상기 튜브(170)의 구조는 상기 복수의 노즐(106)의 적어도 다른 하나에 대응하는 상기 튜브(170)의 구조와 다를 수 있다. The structure of some or all of the nozzles 106 may be selected to improve uniformity. For example, at least one of the plurality of nozzles 106 may include an opening in the shape of an output that allows for passing non-uniform deposition flux. The structure of the tube 170 corresponding to one of the plurality of nozzles 106 may be different from that of the tube 170 corresponding to at least another one of the plurality of nozzles 106.

상기 복수의 노즐(106)의 간격은 확실한 공정 목표를 달성하도록 불균일할 수 있다. 예를 들면, 상기 복수의 노즐(106)의 간격은 상기 바디(112)의 중앙에 인접하는 상기 복수의 노즐(106)의 간격보다는 상기 바디(112)의 에지에 인접하여 더 가까울 수 있다. 상기 복수의 노즐(106)의 간격은 상기 복수의 노즐(106)로부터의 실질적으로 균일한 증착 물질 플럭스의 토출을 달성하도록 선택될 수 있다. 또한, 상기 복수의 노즐(106)의 간격은 증착 물질의 활용을 증가시키도록 선택될 수 있다. 또한, 상기 복수의 노즐(106)의 간격은 상기 복수의 노즐(106)로부터 토출되는 증착 플럭스의 요구되는 중첩을 제공하도록 선택될 수 있다.The spacing of the plurality of nozzles 106 may be non-uniform to achieve certain process goals. For example, the spacing of the plurality of nozzles 106 may be closer to the edge of the body 112 than to the spacing of the plurality of nozzles 106 adjacent to the center of the body 112. The spacing of the plurality of nozzles 106 may be selected to achieve discharge of substantially uniform deposition material flux from the plurality of nozzles 106. In addition, the spacing of the plurality of nozzles 106 may be selected to increase utilization of the deposition material. In addition, the spacing of the plurality of nozzles 106 may be selected to provide the desired overlap of the deposition flux discharged from the plurality of nozzles 106.

상기 튜브(170)의 길이 및 직경과 같은 상기 튜브(170)의 치수는 상기 컨덕턴스 채널(104)로부터 대응하는 노즐(106)까지 공급되는 증착 물질의 양을 결정한다. 또한, 상기 튜브(170)가 상기 컨덕턴스 채널(104) 내에 위치하는 거리와 같은 상기 튜브(170)의 위치 설정 또한 상기 컨덕턴스 채널(104)로부터 상기 대응하는 노즐(106)까지 공급되는 증착 물질의 양을 결정한다.The dimensions of the tube 170, such as the length and diameter of the tube 170, determine the amount of deposition material supplied from the conductance channel 104 to the corresponding nozzle 106. In addition, the positioning of the tube 170, such as the distance that the tube 170 is located within the conductance channel 104, and also the amount of deposition material supplied from the conductance channel 104 to the corresponding nozzle 106. Determine.

예를 들면, 상기 튜브(170)의 직경 변화는 상기 노즐(106)로부터 나오는 상기 증착 플럭스 패턴을 변화시킨다. 상기 튜브(170)의 길이는 상기 튜브(170)의 총 유동 저항 및 설계에 맞도록 선택되는 것이 일반적이다. 몇몇 실시예에 있어서, 상기 컨덕턴스 채널(104) 내로 더 통과하는 더 긴 튜브(170)는 증발된 증착 물질을 상기 대응하는 노즐(106)에 대해 덜 공급할 것이다. 다양한 실시예에 있어서, 특정 튜브(170)의 구조 및 위치는 동일할 수도 있고 각기 다를 수도 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 복수의 튜브(170) 중 적어도 두 개는 확실한 공정 목표를 달성하는 상기 복수의 튜브(170) 각각을 통해 특정 전도도를 얻도록 각기 다른 길이 및/또는 각기 다른 구조를 가질 수 있다. 예를 들면, 각기 다른 치수를 갖는 튜브(170)는 상기 밀봉 플랜지(110)에 인접하는 상기 바디(112)로부터 상기 바디(112)의 단부까지의 상기 소스(100) 내의 압력 차이를 보상하도록 사용될 수 있다.For example, changing the diameter of the tube 170 changes the deposition flux pattern coming out of the nozzle 106. The length of the tube 170 is typically chosen to match the total flow resistance and design of the tube 170. In some embodiments, the longer tube 170 further passing into the conductance channel 104 will provide less evaporated deposition material to the corresponding nozzle 106. In various embodiments, the structure and location of the particular tube 170 may be the same or may be different. In one embodiment, at least two of the plurality of tubes 170 may have different lengths and / or different structures to achieve specific conductivity through each of the plurality of tubes 170 to achieve a certain process goal. Can be. For example, tubes 170 of different dimensions may be used to compensate for pressure differences in the source 100 from the body 112 adjacent the sealing flange 110 to the ends of the body 112. Can be.

그에 따라, 본 발명의 상기 증착 소스(100)의 하나의 특징은 상기 튜브(170)의 구조 및 위치 설정이 상기 복수의 노즐(106)로부터 나오는 상기 증발된 물질의 분포를 변화시키지 않고 상기 복수의 노즐(106) 각각에 공급되는 증발된 원료의 양을 정밀하게 제어하도록 선택될 수 있다는 것이다. 예를 들면, 특정 튜브(170)의 구조 및 위치는 특정 노즐로부터의 또는 상기 복수의 노즐(106)로부터의 소정의 증착 플럭스와 같은 확실한 공정 목표를 달성하도록 선택될 수 있다.As such, one feature of the deposition source 100 of the present invention is that the structure and positioning of the tube 170 does not change the distribution of the evaporated material exiting the plurality of nozzles 106 without affecting the plurality of the plurality of nozzles. It can be selected to precisely control the amount of evaporated raw material supplied to each of the nozzles 106. For example, the structure and location of a particular tube 170 may be selected to achieve certain process goals, such as certain deposition fluxes from a particular nozzle or from the plurality of nozzles 106.

몇몇 실시예에 있어서, 상기 복수의 노즐(106) 중 적어도 하나는 증기 응축 및 오랜 기간 동안의 물질 축적을 방지하기 위해 상기 컨덕턴스 채널(104)의 상부 표면 위로 연장한다. 노즐은 또한 원하는 증착 플럭스 분포 패턴을 달성하도록 위치될 수 있다. 개별 노즐 히터는 상기 노즐(106)로부터 나오는 상기 증발된 물질의 온도를 제어하도록 상기 복수의 노즐(106) 중 하나 또는 그 이상에 인접하게 위치되어 응축 및 물질 축적을 방지할 수 있다. 기타 실시예에 있어서, 상기 복수의 노즐(106) 중 적어도 하나는 상기 히터 및 상기 복수의 컨덕턴스 채널(104)로부터의 원하는 열량을 전도 및/또는 원하는 증착 플럭스 분포 패턴을 달성하기 위해 상기 복수의 컨덕턴스 채널(104)의 상기 상부 표면(160) 아래에 위치된다. In some embodiments, at least one of the plurality of nozzles 106 extends over the top surface of the conductance channel 104 to prevent vapor condensation and long term material accumulation. The nozzle may also be positioned to achieve the desired deposition flux distribution pattern. Individual nozzle heaters may be positioned adjacent one or more of the plurality of nozzles 106 to control the temperature of the evaporated material exiting the nozzles 106 to prevent condensation and material accumulation. In other embodiments, at least one of the plurality of nozzles 106 conducts a desired amount of heat from the heater and the plurality of conductance channels 104 and / or the plurality of conductances to achieve a desired deposition flux distribution pattern. Located below the upper surface 160 of the channel 104.

도 11b는 본 발명에 따른 상기 증착 소스(100)의 상기 복수의 컨덕턴스 채널(104)의 단면도를 도시하며, 상기 노즐(104)에 대한 증착 물질의 흐름을 제어하는 튜브(170)를 구비하는 상기 복수의 컨덕턴스 채널(104)에 결합되는 일 행의 노즐(106)을 보여준다. 도 11b는 튜브를 구비하는 세 개의 컨덕턴스 채널을 보여준다. 다양한 실시예에 있어서, 상기 튜브는 도 11b에 도시된 바와 같이 각기 다른 길이를 가질 수 있다. 본 발명의 일 양태는 상기 노즐(106)이 상기 컨덕턴스 채널 히터 (도 7a 내지 도7c의 로드(130)) 및 관련 컨덕턴스 채널(104)에 의해 가열되는 것이다.FIG. 11B shows a cross-sectional view of the plurality of conductance channels 104 of the deposition source 100 in accordance with the present invention and includes a tube 170 for controlling the flow of deposition material to the nozzle 104. Shown is a row of nozzles 106 coupled to a plurality of conductance channels 104. 11B shows three conductance channels with a tube. In various embodiments, the tubes may have different lengths as shown in FIG. 11B. One aspect of the present invention is that the nozzle 106 is heated by the conductance channel heater (rod 130 of FIGS. 7A-7C) and the associated conductance channel 104.

도 12는 본 발명에 따른 상기 선형 소스(100 및 101)용 복수의 노즐 중 하나를 포함하는 노즐(106)의 사시도를 도시한다. 몇몇 실시예에 있어서, 상기 노즐(106)은 상기 증발된 물질에 대한 원하는 열 구배를 제공하기 위한 테이퍼진 외면 및/또는 테이퍼진 내면을 포함한다. 상기 노즐(106)은 상기 증발된 원료가 응축하는 것을 방지하기 위해 상기 요구되는 열 전도를 제공하도록 설계된다.12 shows a perspective view of a nozzle 106 comprising one of a plurality of nozzles for the linear sources 100 and 101 according to the present invention. In some embodiments, the nozzle 106 includes a tapered outer surface and / or a tapered inner surface to provide a desired thermal gradient for the evaporated material. The nozzle 106 is designed to provide the required heat conduction to prevent the evaporated raw material from condensing.

상기 복수의 노즐(106) 중 적어도 하나는 특정 물질로 형성될 수도 있고 성능을 향상시키도록 특정 코팅을 포함할 수도 있다. 예를 들면, 상기 노즐(106)은 상기 노즐로부터의 증착 물질의 스피팅을 감소시키는 실질적으로 균일한 동작 온도를 유발하는 열 전도성을 갖는 물질로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 노즐(106)은 흑연, 탄화 규소, 내화 물질, 또는 기타 매우 높은 융점 물질로 형성될 수 있다. 몇몇 실시예에 있어서, 상기 노즐(106)은 상기 노즐(106)을 통과하는 물질에 의해 겪게 되는 열 구배를 감소시키도록 설계된다. 또한, 상기 노즐(106)은 총 복사 손실을 최소화하도록 설계될 수 있다. 상기 노즐(106)은 적어도 하나의 외면 상에 낮은 방사율 코팅을 포함할 수 있다.At least one of the plurality of nozzles 106 may be formed of a specific material and may include a specific coating to improve performance. For example, the nozzle 106 may be formed of a material having thermal conductivity that results in a substantially uniform operating temperature that reduces the spitting of the deposition material from the nozzle. For example, the nozzle 106 may be formed of graphite, silicon carbide, refractory materials, or other very high melting point materials. In some embodiments, the nozzle 106 is designed to reduce the thermal gradient experienced by the material passing through the nozzle 106. In addition, the nozzle 106 can be designed to minimize total radiation loss. The nozzle 106 may include a low emissivity coating on at least one outer surface.

상기 노즐(106)은 관련 컨덕턴스 채널(104)로부터의 상기 증발된 원료를 통과시키기 위한 개구(180)를 포함한다. 상기 복수의 노즐의 적어도 하나의 출력부의 개구(180)는 도 10을 참조하여 설명되는 바와 같은 상기 컨덕턴스 채널(104)의 상부 표면에 대한 법선 각도에 대해 경사지게 위치될 수 있다. 몇몇 실시예에 있어서, 상기 개구(180)의 표면은 열 방출을 감소시키는 낮은 방사율 코팅을 가져서, 상기 노즐(106) 내의 모든 응축을 감소시킨다.The nozzle 106 includes an opening 180 for passing the evaporated raw material from the associated conductance channel 104. An opening 180 of at least one output of the plurality of nozzles may be positioned inclined with respect to the normal angle to the top surface of the conductance channel 104 as described with reference to FIG. 10. In some embodiments, the surface of the opening 180 has a low emissivity coating that reduces heat dissipation, thereby reducing all condensation in the nozzle 106.

상기 개구(180)는 원하는 소량의 증발된 물질을 토출하도록 설계된다. 대체로 둥근 개구(108-->180)는 도 12의 상기 노즐(106) 내에 도시된다. 그러나, 많은 개구 형상 중 어느 하나가 상기 원하는 공정 목표를 달성하도록 상기 노즐(106) 내에 사용될 수 있다는 것을 이해하여야 할 것이다. 예를 들면, 상기 개구(180)는 둥글거나, 타원이거나, 사각형이거나, 정사각형이거나 슬릿 형상일 수 있다. 또한, 상기 개구(180)의 출력부는 라운드(radius) 형상으로 형성된다. 그러나, 상기 개구(180)가 상기 원하는 공정 목표를 달성하도록 많은 출력부 형상 중 어느 하나를 사용할 수 있다는 것을 이해하여야 할 것이다. 예를 들면, 출력부 형상은 모따기, 라운드형(radiused), 또는 스모(sumo) 스타일 (즉, 역 드래프트 또는 기타 타입의 제한된 노즐 형상)일 수 있다.The opening 180 is designed to discharge the desired small amount of evaporated material. A generally round opening 108-> 180 is shown in the nozzle 106 of FIG. However, it should be understood that any one of many aperture shapes may be used in the nozzle 106 to achieve the desired process goals. For example, the opening 180 may be round, elliptical, square, square, or slit-shaped. In addition, the output of the opening 180 is formed in a round shape. However, it will be appreciated that the opening 180 can use any of a number of output shapes to achieve the desired process goals. For example, the output shape may be chamfered, radiused, or sumo style (ie, reverse draft or other type of restricted nozzle shape).

몇몇 실시예에 있어서, 상기 복수의 노즐(106) 중 적어도 하나는 불균일한 증착 플럭스를 통과시키도록 하는 형상의 개구(180)를 갖는다. 이들 실시예에 있어서, 상기 복수의 개구(180) 중 적어도 일부는 원하는 증착 플럭스 패턴을 형성하도록 조합하는 불균일한 증착 플럭스를 통과시키도록 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 원하는 조합의 증착 플럭스 패턴은 소정의 구역 상의 균일한 증착 플럭스 패턴일 수 있다.In some embodiments, at least one of the plurality of nozzles 106 has an opening 180 shaped to allow for passing non-uniform deposition flux. In these embodiments, at least some of the plurality of openings 180 may be formed to pass a heterogeneous deposition flux that combines to form a desired deposition flux pattern. For example, the desired combination of deposition flux patterns can be a uniform deposition flux pattern on a given zone.

동작 중에, 다중 증착 소스로부터 증착 플럭스를 생성하는 방법은 증착물 원료를 각각 수용하기 위한 복수의 도가니(102)를 가열하는 단계를 포함하여 상기 복수의 도가니(102) 각각이 증착 물질을 증발시키도록 한다. 상기 방법은 증착물 원료 각각에 대한 각기 다른 도가니 온도를 달성하도록 별개의 도가니 히터를 독립적으로 제어하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 방법은 또한 상기 복수의 도가니(102) 각각을 차폐하는 단계를 포함하여 각기 다른 온도가 특정 도가니 내에서 유지될 수 있도록 할 수 있다.In operation, a method of generating deposition flux from multiple deposition sources includes heating a plurality of crucibles 102 to each receive a deposit raw material such that each of the plurality of crucibles 102 evaporates deposition material. . The method may include independently controlling separate crucible heaters to achieve different crucible temperatures for each of the deposit raw materials. The method may also include shielding each of the plurality of crucibles 102 so that different temperatures can be maintained within a particular crucible.

상기 복수의 도가니(102) 각각으로부터의 증착 물질은 상기 바디(112) 내의 상기 컨덕턴스 채널(104')을 통해 이동한다. 복수의 컨덕턴스 채널(104)을 포함하는 실시예에 있어서, 상기 복수의 도가니(102) 각각으로부터의 증착 물질은 복수의 도가니(102) 중 어느 것으로부터 증발되는 증착 물질의 혼합도 없이 상기 바디(112) 내의 각각의 컨덕턴스 채널(104)을 통해 이동한다. 상기 컨덕턴스 채널(104)은 상기 증발된 증착 물질이 상기 노즐(106)로부터 나오기 전에 응축하지 않도록 가열된다. 상기 컨덕턴스 채널(104)은 상기 복수의 컨덕턴스 채널(104) 중 적어도 두 개에 대해 각기 다른 온도를 달성하도록 별개로 가열될 수 있다. 상기 복수의 컨덕턴스 채널(104) 각각은 각기 다른 온도가 각기 다른 컨덕턴스 채널(104) 내에서 유지될 수 있도록 차폐될 수 있다. 많은 방법은 상기 복수의 도가니(102)에 인접하고 상기 복수의 컨덕턴스 채널(104)에 인접하는 히터 및 열 차폐 물질의 열 팽창을 위한 이동 구성요소 및 공간을 제공하는 단계를 포함한다. Deposition material from each of the plurality of crucibles 102 travels through the conductance channel 104 ′ in the body 112. In an embodiment that includes a plurality of conductance channels 104, the deposition material from each of the plurality of crucibles 102 may be mixed with the body 112 without mixing of deposition materials that evaporate from any of the plurality of crucibles 102. Travel through each conductance channel 104 in. The conductance channel 104 is heated so that the evaporated deposition material does not condense before exiting the nozzle 106. The conductance channel 104 may be separately heated to achieve different temperatures for at least two of the plurality of conductance channels 104. Each of the plurality of conductance channels 104 may be shielded such that different temperatures can be maintained within the different conductance channels 104. Many methods include providing a moving component and space for thermal expansion of a heater and heat shield material adjacent the plurality of crucibles 102 and adjacent the plurality of conductance channels 104.

증발된 증착 물질은 상기 컨덕턴스 채널(104') 또는 상기 복수의 컨덕턴스 채널(104)로부터 상기 복수의 노즐(106) 각각에 이송된다. 다양한 실시예에 있어서, 상기 증발된 증착 물질은 상기 컨덕턴스 채널(104') 또는 상기 복수의 컨덕턴스 채널(104)로부터 상기 복수의 노즐(106)까지, 상기 증착 물질의 흐름을 제어하는 복수의 튜브(170) 각각 또는 기타 구조를 통해 이송된다.Evaporated deposition material is transferred from the conductance channel 104 ′ or the plurality of conductance channels 104 to each of the plurality of nozzles 106. In various embodiments, the evaporated deposition material may include a plurality of tubes that control the flow of the deposition material from the conductance channel 104 ′ or the plurality of conductance channels 104 to the plurality of nozzles 106. 170) transferred through each or other structure.

본 발명의 방법의 다양한 실시예에 있어서, 상기 복수의 노즐(106)을 통한 상기 증착 물질의 흐름은 상기 컨덕턴스 채널(104)에 대한 상기 튜브 입력부의 가변 길이, 구조, 및/또는 위치를 갖는 튜브를 사용하여 제어된다. 상기 컨덕턴스 채널(104)에 대한 상기 튜브의 길이, 구조, 및/또는 위치는 균일한 증착 플럭스 및/또는 높은 증착 물질 활용과 같은 확실한 공정 목표를 달성하도록 선택된다.In various embodiments of the method of the present invention, the flow of the deposition material through the plurality of nozzles 106 is a tube having a variable length, structure, and / or location of the tube input to the conductance channel 104. Is controlled using. The length, structure, and / or location of the tube relative to the conductance channel 104 is selected to achieve certain process goals, such as uniform deposition flux and / or high deposition material utilization.

상기 복수의 노즐(106)은 그 후 상기 증발된 증착 물질을 통과하여, 증착 플럭스를 형성한다. 상기 방법은 상기 복수의 노즐(106)로부터의 균일한 증착 플럭스 및/또는 높은 증착 물질 활용과 같은 확실한 공정 목표를 달성하도록 상기 복수의 노즐(106)의 간격을 선택하는 단계를 포함할 수 있다.The plurality of nozzles 106 then pass through the evaporated deposition material to form a deposition flux. The method may include selecting the spacing of the plurality of nozzles 106 to achieve certain process goals, such as uniform deposition flux from the plurality of nozzles 106 and / or high deposition material utilization.

본 발명이 다양한 실시예와 연계하여 설명되지만, 본 발명이 이러한 실시예에 제한되도록 의도되지는 않는다. 반면, 본 발명은, 본 발명의 사상 및 범주로부터 벗어나지 않는 범위 내에서, 본 기술 분야에 통상의 지식을 가진 자라면 알 수 있는, 다양한 대안, 변형예 및 균등물을 포괄한다. Although the invention is described in connection with various embodiments, it is not intended that the invention be limited to these embodiments. On the contrary, the present invention covers various alternatives, modifications, and equivalents that can be understood by those skilled in the art without departing from the spirit and scope of the present invention.

100: 선형 증착 소스 102: 도가니
104: 컨덕턴스 채널 106: 노즐
108: 하우징 110: 밀봉 플랜지
112: 바디 114: 도가니 히터100: linear deposition source 102: crucible
104: conductance channel 106: nozzle
108: housing 110: sealing flange
112: body 114: crucible heater

Claims (41)

증착 소스로서,
a) 증착 물질을 수용하기 위한 도가니;
b) 컨덕턴스 채널을 포함하는 바디 ? 상기 컨덕턴스 채널의 입력부는 상기 도가니의 출력부에 결합됨 ? ;
c) 상기 도가니 및 상기 컨덕턴스 채널과 열 연통 상태로 위치하는 히터 ? 상기 히터는 상기 도가니가 상기 증착 물질을 상기 컨덕턴스 채널 내로 증발시키도록 상기 도가니의 온도를 증가시킴 ? ;
d) 복수의 노즐을 포함하고,
상기 복수의 노즐 각각의 입력부는 상기 컨덕턴스 채널의 출력부에 결합되어 증발된 증착 물질이 상기 도가니로부터 상기 컨덕턴스 채널을 통해 상기 복수의 노즐까지 이송되도록 하고, 상기 증발된 증착 물질은 상기 복수의 노즐로부터 토출되어 증착 플럭스를 형성하며, 상기 복수의 노즐 중 적어도 하나는 상기 컨덕턴스 채널에 인접하여 위치하는 튜브를 포함하여 상기 튜브가 상기 튜브를 포함하는 노즐에 공급되는 증착 물질의 양을 제한하도록 하는,
증착 소스.As a deposition source,
a) a crucible for receiving the deposition material;
b) a body comprising a conductance channel? The input of the conductance channel is coupled to the output of the crucible? ;
c) a heater located in thermal communication with the crucible and the conductance channel; The heater increases the temperature of the crucible such that the crucible evaporates the deposition material into the conductance channel. ;
d) a plurality of nozzles,
An input of each of the plurality of nozzles is coupled to an output of the conductance channel to cause evaporated deposition material to be transferred from the crucible to the plurality of nozzles through the conductance channel, and the evaporated deposition material is removed from the plurality of nozzles. Discharged to form a deposition flux, wherein at least one of the plurality of nozzles comprises a tube positioned adjacent the conductance channel to limit the amount of deposition material supplied to the nozzle comprising the tube,
Deposition source. 제 1 항에 있어서,
상기 튜브의 길이는 상기 튜브를 포함하는 상기 노즐을 통한 소정의 증착 플럭스를 달성하도록 선택되는,
증착 소스.The method of claim 1,
Wherein the length of the tube is selected to achieve a desired deposition flux through the nozzle comprising the tube,
Deposition source. 제 1 항에 있어서,
상기 튜브는 상기 컨덕턴스 채널 내로 적어도 부분적으로 위치하는,
증착 소스.The method of claim 1,
The tube is at least partially positioned into the conductance channel,
Deposition source. 제 1 항에 있어서,
상기 복수의 노즐 중 적어도 두 개는 대응하는 노즐에 공급되는 물질의 양을 제한하는 튜브를 포함하며,
상기 복수의 노즐 중 하나에 대응하는 상기 튜브의 길이는 상기 복수의 노즐 중 적어도 다른 하나에 대응하는 상기 튜브의 길이와 상이한,
증착 소스.The method of claim 1,
At least two of the plurality of nozzles comprises a tube limiting the amount of material supplied to the corresponding nozzle,
The length of the tube corresponding to one of the plurality of nozzles is different from the length of the tube corresponding to at least another one of the plurality of nozzles,
Deposition source. 제 1 항에 있어서,
상기 복수의 노즐 중 적어도 두 개는 대응하는 노즐에 공급되는 물질의 양을 제한하는 튜브를 포함하며,
상기 복수의 노즐 중 하나에 대응하는 상기 튜브의 구조는 상기 복수의 노즐 중 적어도 다른 하나에 대응하는 상기 튜브의 구조와 상이한,
증착 소스.The method of claim 1,
At least two of the plurality of nozzles comprises a tube limiting the amount of material supplied to the corresponding nozzle,
The structure of the tube corresponding to one of the plurality of nozzles is different from that of the tube corresponding to at least another one of the plurality of nozzles,
Deposition source. 제 1 항에 있어서,
상기 복수의 노즐 중 적어도 하나의 노즐의 상부는 상기 컨덕턴스 채널 위로 연장하는,
증착 소스.The method of claim 1,
An upper portion of at least one of the plurality of nozzles extends above the conductance channel,
Deposition source. 제 1 항에 있어서,
상기 복수의 노즐 중 적어도 하나의 노즐의 상부는 상기 컨덕턴스 채널 내로 연장하는,
증착 소스.The method of claim 1,
An upper portion of at least one nozzle of the plurality of nozzles extends into the conductance channel,
Deposition source. 제 1 항에 있어서,
상기 복수의 노즐의 간격은 불균일한,
증착 소스.The method of claim 1,
The spacing of the plurality of nozzles is nonuniform,
Deposition source. 제 1 항에 있어서,
상기 바디의 에지에 인접하는 상기 복수의 노즐의 간격은 상기 바디의 중앙에 인접하는 상기 복수의 노즐의 간격보다 더 가까운,
증착 소스.The method of claim 1,
The spacing of the plurality of nozzles adjacent to the edge of the body is closer than the spacing of the plurality of nozzles adjacent to the center of the body,
Deposition source. 제 1 항에 있어서,
상기 복수의 노즐의 간격은 상기 복수의 노즐로부터의 실질적으로 균일한 증착 물질 플럭스의 토출을 달성하도록 선택되는,
증착 소스.The method of claim 1,
Wherein the spacing of the plurality of nozzles is selected to achieve discharge of substantially uniform deposition material flux from the plurality of nozzles,
Deposition source. 제 1 항에 있어서,
상기 복수의 노즐의 간격은 증착 물질의 활용을 증가시키도록 선택되는,
증착 소스.The method of claim 1,
The spacing of the plurality of nozzles is selected to increase utilization of the deposition material,
Deposition source. 제 1 항에 있어서,
상기 복수의 노즐의 간격은 상기 복수의 노즐로부터 토출되는 증착 플럭스의 요구되는 중첩을 제공하도록 선택되는,
증착 소스.The method of claim 1,
The spacing of the plurality of nozzles is selected to provide a desired overlap of deposition flux discharged from the plurality of nozzles,
Deposition source. 제 1 항에 있어서,
상기 복수의 노즐 중 적어도 하나의 노즐의 출력부의 개구는 상기 컨덕턴스 채널의 상부 표면의 법선각에 대해 각도를 이루며 위치하고, 상기 각도는 상기 복수의 노즐로부터의 증착 플럭스의 요구되는 중첩을 제공하도록 선택되는,
증착 소스.The method of claim 1,
The opening of the output of at least one of the plurality of nozzles is positioned at an angle with respect to the normal angle of the upper surface of the conductance channel, wherein the angle is selected to provide a desired overlap of the deposition flux from the plurality of nozzles. ,
Deposition source. 제 1 항에 있어서,
상기 복수의 노즐 중 적어도 하나는 불균일한 증착 플럭스를 통과시키도록 하는 형상의 출력부의 개구를 포함하는,
증착 소스.The method of claim 1,
At least one of the plurality of nozzles includes an opening of an output portion shaped to pass a non-uniform deposition flux,
Deposition source. 제 1 항에 있어서,
상기 복수의 노즐 중 적어도 하나는 외면 상에 낮은 방사율 코팅을 포함하는,
증착 소스.The method of claim 1,
At least one of the plurality of nozzles comprises a low emissivity coating on an outer surface,
Deposition source. 제 1 항에 있어서,
상기 복수의 노즐 중 적어도 하나는 상기 노즐로부터의 증착 물질의 스피팅을 감소시키는 실질적으로 균일한 동작 온도를 야기하는 열 전도성을 갖는 물질로 형성되는,
증착 소스.The method of claim 1,
At least one of the plurality of nozzles is formed of a material having thermal conductivity that results in a substantially uniform operating temperature that reduces spitting of the deposition material from the nozzle,
Deposition source. 제 1 항에 있어서,
상기 히터는 RF 유도 히터, 저항성 히터 및 적외선 히터 중 적어도 하나를 포함하는,
증착 소스.The method of claim 1,
The heater comprises at least one of an RF induction heater, a resistive heater and an infrared heater,
Deposition source. 증착 소스로서,
a) 증착 물질을 수용하기 위한 복수의 도가니;
b) 컨덕턴스 채널을 포함하는 바디 ? 상기 컨덕턴스 채널의 입력부는 상기 복수의 도가니 각각의 출력부와 결합됨 ? ;
c) 상기 복수의 도가니 및 상기 컨덕턴스 채널과 열 연통 상태로 위치하는 히터 ? 상기 히터는 상기 복수의 도가니가 상기 증착 물질을 상기 컨덕턴스 채널 내로 증발시키도록 상기 복수의 도가니의 온도를 상승시킴 ? ; 및
d) 복수의 노즐을 포함하고,
상기 복수의 노즐 각각의 입력부는 상기 컨덕턴스 채널의 출력부에 결합되어 증발된 증착 물질이 상기 복수의 도가니로부터 상기 컨덕턴스 채널을 거쳐 상기 복수의 노즐까지 이송되도록 하며, 상기 증발된 증착 물질은 상기 복수의 노즐로부터 토출되어 증착 플럭스를 형성하며, 상기 복수의 노즐 중 적어도 하나는 상기 컨덕턴스 채널에 인접하여 위치하는 튜브를 포함하여 상기 튜브가 상기 튜브를 포함하는 노즐에 공급되는 증착 물질의 양을 제한하도록 하는,
증착 소스. As a deposition source,
a) a plurality of crucibles for receiving the deposition material;
b) a body comprising a conductance channel? The input of the conductance channel is combined with the output of each of the plurality of crucibles. ;
c) a heater located in thermal communication with the plurality of crucibles and the conductance channel; The heater raises the temperature of the plurality of crucibles such that the plurality of crucibles evaporate the deposition material into the conductance channel. ; And
d) a plurality of nozzles,
An input of each of the plurality of nozzles is coupled to an output of the conductance channel to cause evaporated deposition material to be transferred from the plurality of crucibles through the conductance channel to the plurality of nozzles. Ejected from the nozzle to form a deposition flux, wherein at least one of the plurality of nozzles comprises a tube located adjacent the conductance channel to limit the amount of deposition material supplied to the nozzle comprising the tube ,
Deposition source. 제 18 항에 있어서,
상기 복수의 도가니에 대한 적어도 부분적인 열 격리를 제공하는 열 차폐부를 더 포함하는,
증착 소스.The method of claim 18,
Further comprising a heat shield providing at least partial heat isolation for the plurality of crucibles,
Deposition source. 제 18 항에 있어서,
상기 복수의 도가니 중 적어도 일부는 외측 도가니 내에 위치하는 내측 도가니를 포함하는,
증착 소스.The method of claim 18,
At least some of the plurality of crucibles include an inner crucible located within an outer crucible,
Deposition source. 제 18 항에 있어서,
상기 복수의 도가니는 구리(Cu)를 수용하는 제 1 도가니, 인듐(In)을 수용하는 제 2 도가니 및 갈륨(Ga)을 수용하는 제 3 도가니를 포함하는,
증착 소스.The method of claim 18,
The plurality of crucibles includes a first crucible containing copper (Cu), a second crucible containing indium (In) and a third crucible containing gallium (Ga),
Deposition source. 제 18 항에 있어서,
상기 복수의 도가니 각각은 동일 증착 물질을 수용하는,
증착 소스.The method of claim 18,
Each of the plurality of crucibles receiving the same deposition material,
Deposition source. 제 18 항에 있어서,
상기 히터는 개별적으로 제어 가능한 복수의 히터를 포함하며, 상기 복수의 히터 각각은 상기 복수의 도가니 각각과 열 연통하는,
증착 소스.The method of claim 18,
The heater includes a plurality of individually controllable heaters, each of the plurality of heaters in thermal communication with each of the plurality of crucibles,
Deposition source. 증착 소스로서,
a) 증착 물질을 수용하기 위한 도가니;
b) 컨덕턴스 채널을 포함하는 바디 ? 상기 컨덕턴스 채널의 입력부는 상기 도가니의 출력부와 결합됨 ? ;
c) 상기 도가니 및 상기 컨덕턴스 채널과 열 연통 상태로 위치하는 히터 ? 상기 히터는 상기 도가니가 상기 증착 물질을 상기 컨덕턴스 채널 내로 증발시키도록 상기 도가니의 온도를 상승시킴 ? ; 및
d) 불균일한 간격을 갖는 복수의 노즐을 포함하고,
상기 복수의 노즐 각각의 입력부는 상기 컨덕턴스 채널의 출력부에 결합되어 증발된 증착 물질이 상기 도가니로부터 상기 컨덕턴스 채널을 거쳐 상기 복수의 노즐까지 이송되도록 하며, 상기 증발된 증착 물질은 상기 복수의 노즐을 통해 토출되어 증착 플럭스를 형성하는,
증착 소스.As a deposition source,
a) a crucible for receiving the deposition material;
b) a body comprising a conductance channel? The input of the conductance channel is combined with the output of the crucible. ;
c) a heater located in thermal communication with the crucible and the conductance channel; The heater raises the temperature of the crucible such that the crucible evaporates the deposition material into the conductance channel. ; And
d) a plurality of nozzles having non-uniform spacing,
An input of each of the plurality of nozzles is coupled to an output of the conductance channel to allow evaporated deposition material to be transferred from the crucible through the conductance channel to the plurality of nozzles, and the evaporated deposition material is used to guide the plurality of nozzles. Discharged through to form a deposition flux,
Deposition source. 제 24 항에 있어서,
상기 바디의 에지에 인접하는 상기 복수의 노즐의 간격은 상기 바디의 중심에 인접하는 상기 복수의 노즐의 간격보다는 더 가까운,
증착 소스.25. The method of claim 24,
The spacing of the plurality of nozzles adjacent to the edge of the body is closer than the spacing of the plurality of nozzles adjacent to the center of the body,
Deposition source. 제 24 항에 있어서,
상기 복수의 노즐의 간격은 상기 복수의 노즐로부터의 실질적으로 균일한 증착 물질 플럭스의 토출을 달성하도록 선택되는,
증착 소스.25. The method of claim 24,
Wherein the spacing of the plurality of nozzles is selected to achieve discharge of substantially uniform deposition material flux from the plurality of nozzles,
Deposition source. 제 24 항에 있어서,
상기 복수의 노즐의 간격은 증착 물질의 활용을 증가시키도록 선택되는,
증착 소스.25. The method of claim 24,
The spacing of the plurality of nozzles is selected to increase utilization of the deposition material,
Deposition source. 제 24 항에 있어서,
상기 복수의 노즐의 간격은 상기 복수의 노즐로부터 토출되는 증착 플럭스의 요구되는 중첩을 제공하도록 선택되는,
증착 소스.25. The method of claim 24,
The spacing of the plurality of nozzles is selected to provide a desired overlap of deposition flux discharged from the plurality of nozzles,
Deposition source. 제 24 항에 있어서,
상기 복수의 노즐 중 적어도 하나의 노즐의 상부는 상기 컨덕턴스 채널 위로 연장하는,
증착 소스.25. The method of claim 24,
An upper portion of at least one of the plurality of nozzles extends above the conductance channel,
Deposition source. 제 24 항에 있어서,
상기 복수의 노즐 중 적어도 하나의 노즐의 상부는 상기 컨덕턴스 채널 내로 연장하는,
증착 소스.25. The method of claim 24,
An upper portion of at least one nozzle of the plurality of nozzles extends into the conductance channel,
Deposition source. 제 24 항에 있어서,
상기 복수의 노즐 중 적어도 하나의 노즐의 출력부의 개구는 상기 컨덕턴스 채널의 상부 표면의 법선각에 대해 각도를 이루며 위치하고, 상기 각도는 상기 복수의 노즐로부터의 증착 플럭스의 요구되는 중첩을 제공하도록 선택되는,
증착 소스.25. The method of claim 24,
The opening of the output of at least one of the plurality of nozzles is positioned at an angle with respect to the normal angle of the upper surface of the conductance channel, wherein the angle is selected to provide a desired overlap of the deposition flux from the plurality of nozzles. ,
Deposition source. 제 24 항에 있어서,
상기 복수의 노즐 중 적어도 하나는 불균일한 증착 플럭스를 통과시키도록 하는 형상의 출력부의 개구를 포함하는,
증착 소스. 25. The method of claim 24,
At least one of the plurality of nozzles includes an opening of an output portion shaped to pass a non-uniform deposition flux,
Deposition source. 제 24 항에 있어서,
상기 복수의 노즐 중 적어도 하나는 상기 노즐로부터의 증착 물질의 스피팅을 감소시키는 실질적으로 균일한 동작 온도를 야기하는 열 전도성을 갖는 물질로 형성되는,
증착 소스.25. The method of claim 24,
At least one of the plurality of nozzles is formed of a material having thermal conductivity that results in a substantially uniform operating temperature that reduces spitting of the deposition material from the nozzle,
Deposition source. 증착 플럭스를 생성하는 방법으로서,
a) 도가니가 바디 내의 컨덕턴스 채널을 통해 이송되는 증착 물질을 증발시키도록 상기 증착 물질을 수용하는 상기 도가니를 가열하는 단계; 및
b) 상기 증발된 증착 물질을 상기 컨덕턴스 채널로부터 증착 플럭스를 토출하는 복수의 노즐까지 이송하는 단계를 포함하고,
상기 증발된 증착 물질은 상기 컨덕턴스 채널로부터 상기 복수의 노즐 중 적어도 하나까지 공급되는 증착 물질의 양을 제한하는 상기 컨덕턴스 채널에 인접하여 위치하는 적어도 하나의 튜브를 통과하는,
증착 플럭스를 생성하는 방법.As a method of generating a deposition flux,
a) heating the crucible containing the deposition material such that the crucible evaporates the deposition material transported through the conductance channel in the body; And
b) conveying the evaporated deposition material from the conductance channel to a plurality of nozzles discharging deposition flux,
The vaporized deposition material passes through at least one tube located adjacent the conductance channel that limits the amount of deposition material supplied from the conductance channel to at least one of the plurality of nozzles,
A method of producing a deposition flux. 제 34 항에 있어서,
상기 복수의 노즐로부터 토출되는 균일한 증착 플럭스를 달성하도록 상기 적어도 하나의 튜브의 치수를 선택하는 단계를 더 포함하는,
증착 플럭스를 생성하는 방법.35. The method of claim 34,
Selecting dimensions of the at least one tube to achieve a uniform deposition flux discharged from the plurality of nozzles,
A method of producing a deposition flux. 제 34 항에 있어서,
높은 증착 물질 활용을 달성하도록 상기 적어도 하나의 튜브의 치수를 선택하는 단계를 더 포함하는,
증착 플럭스를 생성하는 방법.35. The method of claim 34,
Further selecting dimensions of the at least one tube to achieve high deposition material utilization,
A method of producing a deposition flux. 제 34 항에 있어서,
상기 도가니를 가열하는 단계는 복수의 도가니를 가열하는 단계를 포함하는,
증착 플럭스를 생성하는 방법.35. The method of claim 34,
Heating the crucible comprises heating a plurality of crucibles,
A method of producing a deposition flux. 제 34 항에 있어서,
상기 복수의 노즐로부터의 실질적으로 균일한 증착 물질 플럭스의 토출을 달성하도록 상기 복수의 노즐을 이격시키는 단계를 더 포함하는,
증착 플럭스를 생성하는 방법.35. The method of claim 34,
Spacing the plurality of nozzles to achieve discharge of a substantially uniform deposition material flux from the plurality of nozzles,
A method of producing a deposition flux. 제 34 항에 있어서,
증착 물질의 활용을 증가시키도록 상기 복수의 노즐을 이격시키는 단계를 더 포함하는,
증착 플럭스를 생성하는 방법.35. The method of claim 34,
Further comprising spacing the plurality of nozzles to increase utilization of a deposition material,
A method of producing a deposition flux. 제 34 항에 있어서,
상기 복수의 노즐로부터 토출되는 증착 플럭스의 요구되는 중첩을 달성하도록 상기 복수의 노즐을 이격시키는 단계를 더 포함하는,
증착 플럭스를 생성하는 방법.35. The method of claim 34,
Further separating the plurality of nozzles to achieve a desired overlap of deposition flux discharged from the plurality of nozzles,
A method of producing a deposition flux. 제 34 항에 있어서,
상기 복수의 노즐로부터의 증착 플럭스의 요구되는 중첩을 제공하도록 상기 복수의 노즐 중 적어도 하나를 상기 컨덕턴스 채널의 상부 표면의 법선각에 대해 경사지게 위치시키는 단계를 더 포함하는,
증착 플럭스를 생성하는 방법.35. The method of claim 34,
Further comprising positioning at least one of the plurality of nozzles at an angle with respect to a normal angle of an upper surface of the conductance channel to provide a desired overlap of the deposition flux from the plurality of nozzles,
A method of producing a deposition flux.
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102150436B1 (en) * 2013-12-20 2020-09-01 엘지디스플레이 주식회사 Evaporation source and vapor deposition apparatus having the same
DE102014007522A1 (en) * 2014-05-23 2015-11-26 Manz Ag Carrier arrangement for an evaporator source
KR102260575B1 (en) * 2014-07-07 2021-06-07 (주)선익시스템 Thin Film Deposition Apparatus with Multiple Evaporation Source
KR102260617B1 (en) * 2014-07-07 2021-06-07 (주)선익시스템 Thin Film Deposition Apparatus with Evaporation Source Installed Multi-Crucible
KR102260572B1 (en) * 2014-07-07 2021-06-07 (주)선익시스템 Thin Film Deposition Apparatus with Multiple Evaporation Source
CN106560007B (en) * 2014-07-07 2018-12-14 铣益系统有限责任公司 The film deposition apparatus for having multiple crucibles
JP6488400B2 (en) * 2015-07-13 2019-03-20 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ Evaporation source
KR102369676B1 (en) * 2017-04-10 2022-03-04 삼성디스플레이 주식회사 Apparatus and method for manufacturing a display apparatus
EP4172377A1 (en) * 2020-06-29 2023-05-03 Applied Materials, Inc. Nozzle assembly, evaporation source, deposition system and method for depositing an evaporated material onto a substrate

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4401052A (en) * 1979-05-29 1983-08-30 The University Of Delaware Apparatus for continuous deposition by vacuum evaporation
US5141564A (en) * 1988-05-03 1992-08-25 The Boeing Company Mixed ternary heterojunction solar cell
EP0502565B1 (en) * 1991-03-06 1996-12-18 Ohwada Carbon Industrial Co., Ltd. Carbon composite material reinforced with carbon fiber and inorganic fiber
DE19848177A1 (en) * 1998-10-20 2000-04-27 Leybold Systems Gmbh Vapor deposition of release agent for capacitor film has a closed hollow body evaporation vessel connected to the jet body with a shut off device
US7194197B1 (en) * 2000-03-16 2007-03-20 Global Solar Energy, Inc. Nozzle-based, vapor-phase, plume delivery structure for use in production of thin-film deposition layer
DE10025628A1 (en) * 2000-05-24 2001-11-29 Sgl Carbon Ag Unwindable components made of fiber composite materials, processes for their production and their use
WO2003025245A1 (en) * 2001-09-14 2003-03-27 University Of Delaware Multiple-nozzle thermal evaporation source
US20030168013A1 (en) * 2002-03-08 2003-09-11 Eastman Kodak Company Elongated thermal physical vapor deposition source with plural apertures for making an organic light-emitting device
US20040076810A1 (en) * 2002-10-17 2004-04-22 Ucar Carbon Company Inc. Composite high temperature insulator
WO2004105095A2 (en) * 2003-05-16 2004-12-02 Svt Associates Inc. Thin-film deposition evaporator
JP2006057173A (en) * 2004-08-24 2006-03-02 Tohoku Pioneer Corp Film deposition source, vacuum film deposition apparatus and method for producing organic el panel
KR20060060994A (en) * 2004-12-01 2006-06-07 삼성에스디아이 주식회사 Deposition source and deposition apparatus therewith
KR100671673B1 (en) * 2005-03-09 2007-01-19 삼성에스디아이 주식회사 Device and Method for vacuum plating by Multiple evaporation
JP4474324B2 (en) * 2005-04-28 2010-06-02 パナソニック株式会社 Deposition equipment
JP4894193B2 (en) * 2005-08-09 2012-03-14 ソニー株式会社 Vapor deposition apparatus and display device manufacturing system
JP2007066564A (en) * 2005-08-29 2007-03-15 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd Manufacturing method and manufacturing device of organic el display device
JP4767000B2 (en) * 2005-11-28 2011-09-07 日立造船株式会社 Vacuum deposition equipment
KR100980729B1 (en) * 2006-07-03 2010-09-07 주식회사 야스 Multiple nozzle evaporator for vacuum thermal evaporation
WO2009134041A2 (en) * 2008-04-29 2009-11-05 Sunic System. Ltd. Evaporator and vacuum deposition apparatus having the same

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