KR20120095736A - Test handler - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 테스트핸들러에 관한 것으로, 특히, 반도체소자의 온도를 조절하는 것과 관련된 기술이다.
BACKGROUND OF THE
생산된 반도체소자는 출하에 앞서서 테스터에 의해 테스트되어지는데, 반도체소자를 테스터에 전기적으로 접속되게 공급하는 장비로서 테스트핸들러가 사용된다.The semiconductor device produced is tested by a tester prior to shipment, and a test handler is used as a device for supplying the semiconductor device to be electrically connected to the tester.
테스트핸들러는 테스터 측과 결합되는 부분에 테스트챔버를 가지고 있으며, 이 테스트챔버 내에 테스트트레이가 위치할 때 테스트트레이에 적재된 반도체소자들의 테스트가 이루어진다.The test handler has a test chamber at a portion coupled to the tester side, and when the test tray is located in the test chamber, the semiconductor devices loaded on the test tray are tested.
일반적으로 공개특허 10-2005-0055685호(발명의 명칭 : 테스트핸들러)로 제시된 기술(이하 '배경기술1'이라 함)에서와 같이, 테스트챔버에서 테스트트레이에 적재된 행렬 형태로 적재된 반도체소자는 매치플레이트(부호 163c)에 의해 테스터 측으로 가압되면서 테스터 측과 전기적으로 접속된다. 공개특허 10-2008-0086320호(테스트핸들러의 매치플레이트용 푸셔)로 제시된 기술(이하 '배경기술2'라 함)에서와 같이, 매치플레이트에는 반도체소자와 일대일 대응하는 푸셔가 테스트트레이에 적재된 반도체소자의 개수와 동일한 개수로 설치되어 있다. 즉, 푸셔가 반도체소자에 접하면서 반도체소자를 밀어 반도체소자가 테스터 측에 전기적으로 접속되게 하는 것이다. In general, as in the technique disclosed in Korean Patent Laid-Open Publication No. 10-2005-0055685 (name of the test handler) (hereinafter referred to as 'Background Art 1'), a semiconductor device loaded in a matrix form loaded in a test tray in a test chamber. Is electrically connected to the tester side while being pressed to the tester side by the matchplate (163c). As in the technique described in JP 10-2008-0086320 (Pusher for Match Plate of Test Handler) (hereinafter referred to as 'Background Art 2'), the match plate has a pusher corresponding one-to-one with a semiconductor device loaded in the test tray. It is provided in the same number as the number of semiconductor elements. That is, the pusher pushes the semiconductor element while contacting the semiconductor element so that the semiconductor element is electrically connected to the tester side.
한편, 반도체소자는 다양한 환경(특히 온도)에서 사용될 수 있기 때문에, 테스트챔버 내에 있는 반도체소자에 열적인 스트레스(고열 또는 저열 등)를 인위적으로 가한 상태에서 테스트를 수행할 필요성이 있다. 이 때, 이상적으로는 테스트트레이에 적재된 모든 반도체소자가 동일한 온도를 가진 상태에서 테스트가 이루어지도록 하는 것이 테스트의 신뢰성을 확보하는데 바람직하다.On the other hand, since the semiconductor device can be used in various environments (particularly temperature), it is necessary to perform the test in a state in which thermal stress (high or low heat, etc.) is artificially applied to the semiconductor device in the test chamber. At this time, ideally, it is desirable to ensure that the test is performed in a state where all the semiconductor devices loaded on the test tray have the same temperature.
그런데, 종래에는 온도조절용 공기(열기나 냉기)가 일 측에서 테스트챔버의 내부 공간으로 직접 공급되게 구성되었기 때문에 테스트트레이에 적재된 반도체소자들 간에 온도 편차가 존재할 수밖에는 없었다.However, in the related art, since temperature control air (hot or cold air) is configured to be directly supplied to the internal space of the test chamber from one side, there is inevitably a temperature deviation between semiconductor elements loaded in the test tray.
따라서 배경기술1에서와 같이 온도조절기로부터 오는 온도조절용 공기를 테스트트레이에 적재된 반도체소자 하나하나에 직접 공급하기 위한 덕트(부호 163b)가 개발되어졌으며, 덕트의 분사구멍(배경기술1에는 '토출홀'로 정의 됨)으로부터 공급되는 온도조절용 공기가 푸셔를 통과하여 푸셔의 전면에서 밀려지고 있는 반도체소자로 이동될 수 있도록 배경기술2에서와 같이 푸셔에 공기가 통과될 수 있는 관통구멍(배경기술2에서는 '공기관통홀'이라 정의 됨)을 형성하는 기술이 개발되어졌다.Therefore, as in the
배경기술1 및 2의 등장에 의해 온도조절용 공기가 반도체소자 하나하나에 직접 공급됨으로써 테스트챔버 내에 있는 반도체소자들 간의 온도 편차를 대폭 줄일 수 있게 되었다.With the introduction of
한편, 테스트되어야 하는 반도체소자의 규격이 바뀌게 됨에 따라 테스트핸들러의 테스트 방식이 전환될 필요성이 종종 발생하게 된다.On the other hand, as the specifications of the semiconductor device to be tested are changed, it is often necessary to change the test method of the test handler.
예를 들어, 기존에 테스트되던 반도체소자에는 10개의 전기적 접촉단자가 배열되었는데 새로이 테스트될 반도체소자에는 20개의 전기적 접촉단자가 배열되어 있는 경우에는 기본적으로 테스터의 하이픽스보드(반도체소자의 전기적 접촉단자와 전기적으로 접촉되는 테스트소켓을 가지는 인터페이스보드 임)와 매치플레이트를 교체하여야 한다. 왜냐하면, 테스터가 반도체소자와 전기적으로 접촉될 수 있는 용량이 한정되어 있기 때문이다.For example, when 10 electrical contact terminals are arranged in a semiconductor device to be tested, and 20 electrical contact terminals are arranged in a semiconductor device to be tested, a high-fix board (electric contact terminal of a semiconductor device) is basically used. Interface board with test sockets in electrical contact with the This is because the capacity at which the tester can be in electrical contact with the semiconductor element is limited.
즉, 기존에는 10개의 전기적 접촉단자를 가지는 16개의 반도체소자를 한꺼번에 테스트할 수 있었는데, 20개의 전기적 접촉단자를 가지는 반도체소자를 테스트해야 될 경우가 되면 테스터에는 160개의 전기적 연결라인만을 가지고 있으므로 8개의 반도체소자들만이 테스터와 전기적으로 연결될 수 있다(참고로 본 명세서에서는 설명의 간결함을 위해 일회에 테스트되는 반도체소자의 개수를 대폭 줄여서 설명하고 있으며, 실제로는 일회에 256개, 512개 또는 수 천 개의 반도체소자가 한꺼번에 테스트되도록 구현되고 있다).In other words, in the past, 16 semiconductor devices having 10 electrical contact terminals could be tested at once. When it is necessary to test semiconductor devices having 20 electrical contact terminals, the tester has only 160 electrical connection lines. Only semiconductor devices can be electrically connected to the tester (for reference, for the sake of brevity, the description below shows a significant reduction in the number of semiconductor devices tested at one time; in practice, 256, 512 or thousands at a time). Semiconductor devices are implemented to be tested at one time).
그러한 경우 기존에는 일 측면을 도시한 도1에서 참조되는 바와 같이 테스트트레이(TT)에 4■4 행렬 형태로 적재된 16개의 반도체소자(10개의 전기적 접촉단자를 가짐)가 한꺼번에 테스터(TESTER)의 하이픽스보드에 4■4 행렬 형태로 배열된 테스트소켓(TS)에 전기적으로 접촉되어진다.In such a case, 16 semiconductor elements (having 10 electrical contact terminals) loaded in a 4 ■ 4 matrix form in the test tray TT as shown in FIG. It is in electrical contact with the test socket TS arranged in 4 ■ 4 matrix form on the high resolution board.
그러나 새로이 테스트될 20개의 전기적 접촉단자를 가지는 반도체소자들의 경우에는 일회에 8개만이 테스터에 전기적으로 연결될 수 있을 뿐이기 때문에, 도2의 (a)와 (b)에서 참조되는 바와 같이, 먼저 홀수열(1열과 3열)의 반도체소자(D)들을 테스터(TESTER)에 전기적으로 연결시켜 테스트를 진행한 후, 테스트트레이(TT)를 테스트트레이(TT)에 적재된 반도체소자(D)의 열간 간격만큼 조금 이동시켜 짝수열(2열과 4열)의 반도체소자(D)들을 테스터(TESTER)에 전기적으로 연결시켜 테스트를 진행하는 방식으로 전환되어야 한다. 참고로 전자의 방식을 16파라(16para) 1스텝(1step) 테스트(test)라 하고, 후자의 방식을 8파라 2스텝 테스트라 하며, 가끔 4파라 4스텝 테스트로의 전환이 필요한 경우도 발생한다.However, in the case of semiconductor devices having 20 electrical contact terminals to be newly tested, only eight can be electrically connected to the tester at a time, so as shown in FIGS. 2A and 2B, the odd number is first. After conducting the test by electrically connecting the semiconductor devices (D) in rows (1 and 3 columns) to the tester (TESTER), the test tray (TT) is placed between the semiconductor devices (D) loaded in the test tray (TT). It must be converted to a method of conducting a test by electrically connecting even-numbered rows (two rows and four columns) of semiconductor devices D to the tester by moving the gap slightly. For reference, the former method is called a 16 para 1 step test, the latter method is called an 8 para 2 step test, and sometimes a transition to a 4 para 4 step test occurs. .
위와 같은 테스트 방식의 전환에 의해, 반도체소자와 전기적으로 접촉되기 위해 테스터의 하이픽스보드에 설치되는 테스트소켓의 개수도 16개에서 8개로 바뀌어야 하고, 테스트트레이에 적재된 반도체소자를 테스트소켓에 전기적으로 접촉시키기 위해 밀어주던 푸셔의 개수도 16개에서 8개로 바뀌어야 한다. 또한, 테스트소켓과 푸셔의 설치 위치도 달라질 수 있다. 그리고 이러한 점들은 8파라 2스텝 테스트에서 16파라 1스텝 테스트로 전환될 경우에도 마찬가지이다.By changing the test method as described above, the number of test sockets installed on the high fix board of the tester should be changed from 16 to 8 in order to be in electrical contact with the semiconductor devices, and the semiconductor devices loaded in the test trays are electrically connected to the test sockets. The number of pushers pushed to make contact with them should also be changed from 16 to 8. In addition, the installation position of the test socket and the pusher may vary. The same is true when switching from the 8 para 2 step test to the 16 para 1 step test.
한편, 앞서 설명한 바와 같이, 반도체소자의 온도를 조절하기 위해 덕트를 구비한 경우에는 덕트에 형성된 분사구멍의 개수가 달라져야 할 뿐만 아니라 테스트소켓의 배열 위치가 변경되는 경우에는 분사구멍의 위치도 달라져야 하기 때문에, 덕트나 턱트의 분사구멍이 형성된 부분을 교체해야 할 필요성이 발생한다.
On the other hand, as described above, when the duct is provided to control the temperature of the semiconductor device, not only the number of injection holes formed in the duct should be changed, but also the position of the injection holes should be changed when the arrangement of the test socket is changed. Therefore, the necessity to replace the part in which the injection hole of the duct or the duct is formed arises.
본 발명의 목적은 테스트 방식을 전환하더라도 덕트나 덕트의 분사구멍이 형성된 부분의 교체가 요구되지 않는 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.
An object of the present invention is to provide a technique that does not require replacement of the duct or the portion in which the injection hole of the duct is formed even if the test method is switched.
위와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제1 형태에 따른 테스트핸들러는, L(L은 1보다 큰 자연수 임)개의 반도체소자를 적재시킬 수 있는 테스트트레이; 상기 테스트트레이에 적재된 L개의 반도체소자가 요구되는 조건의 온도상태에서 테스트될 수 있도록 하기 위해 마련되는 테스트챔버; 상기 테스트트레이가 상기 테스트챔버 내에 수용된 경우에 상기 테스트트레이에 적재된 L개의 반도체소자를 테스터 측으로 밀어 반도체소자들을 테스터 측에 전기적으로 접속시키기 위해 상기 테스트챔버 내에 마련되며, 상기 테스트트레이에 적재된 A(A는 L과 같거나, L보다 작은 자연수 임)개의 반도체소자에 일대일 대응하는 A개의 관통구멍이 형성된 매치플레이트; 및 상기 테스트챔버 내에 있는 테스트트레이에 적재된 반도체소자들을 요구되는 조건의 온도상태로 조절하기 위한 온도조절장치; 를 포함하고, 상기 온도조절장치는, 내부 공간으로 온도조절용 공기가 유입되도록 하기 위한 유입구를 가지며, 테스트트레이에 적재된 A개의 반도체소자에 상기 유입구를 통해 상기 내부 공간으로 유입된 온도조절용 공기를 공급하기 위해 전면에 온도조절용 공기를 분사시키기 위한 M(M은 L보다 큰 자연수)개의 분사구멍이 형성되어 있되, 상기한 분사구멍들 중 A개의 분사구멍은 상기 A개의 관통구멍에 일대일 대응하는 위치에 형성되어 있는 덕트; 상기 덕트의 상기 유입구를 통해 각각 상기 내부 공간으로 온도조절용 공기를 공급하기 위한 온도조절기; 를 포함한다.
The test handler according to the first aspect of the present invention for achieving the above object, the test tray capable of loading L (L is a natural number greater than 1) of semiconductor devices; A test chamber provided to allow the L semiconductor devices loaded on the test tray to be tested at a temperature condition required; When the test tray is accommodated in the test chamber, the L semiconductor devices loaded in the test tray are pushed to the tester side and provided in the test chamber to electrically connect the semiconductor devices to the tester side, and A loaded in the test tray. (A is a natural number equal to or less than L) Match plates in which A through holes corresponding to one to one semiconductor elements are formed; And a temperature regulating device for adjusting the semiconductor devices loaded in the test tray in the test chamber to a temperature state of a required condition. It includes, The temperature control device, has an inlet for allowing the temperature control air is introduced into the internal space, supplying the temperature control air introduced into the internal space through the inlet to the A semiconductor device loaded in the test tray M (M is a natural number larger than L) injection holes are formed in the front surface for injecting temperature control air, and A injection holes of the injection holes are located at a position corresponding to the A through holes one-to-one. Formed ducts; A temperature controller for supplying air for temperature control to the internal space through the inlet of the duct; .
또한, 위와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제2 형태에 따른 테스트핸들러는, L(L은 1보다 큰 자연수 임)개의 반도체소자를 적재시킬 수 있는 테스트트레이; 상기 테스트트레이에 적재된 L개의 반도체소자가 요구되는 조건의 온도상태에서 테스트될 수 있도록 하기 위해 마련되는 테스트챔버; 상기 테스트트레이가 상기 테스트챔버 내에 수용된 경우에 상기 테스트트레이에 적재된 A(A는 L과 같거나, L보다 작은 자연수 임)개의 반도체소자를 테스터 측으로 밀어 반도체소자들을 테스터 측에 전기적으로 접속시키기 위해 상기 테스트챔버 내에 마련되며, 상기 테스트트레이에 적재된 A개의 반도체소자에 일대일 대응하는 A개의 관통구멍이 형성된 매치플레이트; 및 상기 테스트챔버 내에 있는 테스트트레이에 적재된 반도체소자들을 요구되는 조건의 온도상태로 조절하기 위한 온도조절장치; 를 포함하고, 상기 온도조절장치는, 내부 공간으로 온도조절용 공기가 유입되도록 하기 위한 유입구를 가지며, 테스트트레이에 적재된 A개의 반도체소자에 상기 유입구를 통해 상기 내부 공간으로 유입된 온도조절용 공기를 공급하기 위해 전면에 온도조절용 공기를 분사시키기 위한 M(M은 L과 같거나 L보다 큰 자연수)개의 분사구멍이 형성되어 있되, 상기한 분사구멍들 중 A개의 분사구멍은 상기한 관통구멍들 간의 간격과 동일한 간격을 가지도록 에 일대일 대응하는 위치에 형성되어 있는 덕트; 상기 A개의 관통구멍에 일대일 대응하는 상기한 A개의 분사구멍을 제외한 나머지 (M-A)개의 분사구멍을 선택적으로 폐쇄시키거나 개방시키기 위해 마련되는 분사구멍 개폐장치; 및 상기 덕트의 상기 유입구를 통해 상기 내부 공간으로 온도조절용 공기를 공급하기 위한 온도조절기; 를 포함한다.In addition, the test handler according to the second aspect of the present invention for achieving the above object, the test tray capable of loading L (L is a natural number greater than 1) semiconductor elements; A test chamber provided to allow the L semiconductor devices loaded on the test tray to be tested at a temperature condition required; When the test tray is accommodated in the test chamber, the A (A is a natural number equal to or less than L) semiconductor devices loaded in the test tray are pushed to the tester side to electrically connect the semiconductor devices to the tester side. A match plate provided in the test chamber and having A through holes one-to-one corresponding to the A semiconductor devices loaded in the test tray; And a temperature regulating device for adjusting the semiconductor devices loaded in the test tray in the test chamber to a temperature state of a required condition. It includes, The temperature control device, has an inlet for allowing the temperature control air is introduced into the internal space, supplying the temperature control air introduced into the internal space through the inlet to the A semiconductor device loaded in the test tray M (M is a natural number equal to or greater than L) injection holes are formed on the front surface for the purpose of injecting the temperature control air, and A injection holes among the above-mentioned injection holes are spaced between the through holes. A duct formed at a one-to-one corresponding position to have the same spacing as; An injection hole opening / closing device provided to selectively close or open the remaining (M-A) injection holes except for the A injection holes one-to-one corresponding to the A through holes; And a temperature controller for supplying air for temperature control to the internal space through the inlet of the duct. It includes.
M이 L과 같은 경우, 상기 분사구멍 개폐장치는, 상기 덕트의 전면에 결합되고, 온도조절용 공기가 통과될 수 있는 N(N은 M보다 큰 자연수 임)개의 통과구멍이 형성되어 있는 개폐판; 및 상기 개폐판을 제1 위치에 고정시키거나 상기한 제1 위치와는 다른 제2 위치에 고정시키는 고정부재; 를 포함하고, 상기 개폐판이 제1 위치에 고정된 경우에는 상기 M개의 분사구멍이 모두 개방된 상태로 되고, 상기 개폐판이 제2 위치에 고정된 경우에는 상기한 M개의 분사구멍 중 (N-M)개의 분사구멍만 선택적으로 개방된 상태로 되는 구조를 가질 수 있다.When M is equal to L, the injection hole opening and closing device, the opening and closing plate is coupled to the front surface of the duct, the N (N is a natural water larger than M) through which the air for temperature control can pass; And a fixing member for fixing the opening and closing plate at a first position or at a second position different from the first position. And the M injection holes are all open when the opening and closing plate is fixed at the first position, and (NM) of the M injection holes when the opening and closing plate is fixed at the second position. It may have a structure in which only the injection hole is selectively opened.
M이 L보다 클 경우, 상기 분사구멍 개폐장치는, 상기 덕트의 전면에 결합되고, 온도조절용 공기가 통과될 수 있는 L개의 통과구멍이 형성되어 있는 개폐판; 및 상기 개폐판을 제1 위치에 고정시키거나 상기한 제1 위치와 이격된 제2 위치에 고정시키는 고정부재; 를 포함하고, 상기 개폐판이 제1 위치에 고정된 경우에는 상기 M개의 분사구멍들 중 L개의 분사구멍만 개방된 상태로 되고, 상기 개폐판이 제2 위치에 고정된 경우에는 상기 M개의 분사구멍들 중 (M-L)개의 분사구멍만 개방된 상태로 되는 구조를 가질 수 있다.When M is larger than L, the injection hole opening and closing device is coupled to the front surface of the duct, the opening and closing plate is formed L passage holes through which the air for temperature control can be formed; And a fixing member for fixing the opening and closing plate at a first position or at a second position spaced apart from the first position. In the case where the opening and closing plate is fixed in the first position, only the L injection holes of the M injection holes are opened, and when the opening and closing plate is fixed in the second position, the M injection holes Only medium (ML) injection holes may have a structure in which the open state.
M이 L보다 클 경우, 상기 분사구멍 개폐장치는, 상기 덕트의 전면에 결합되고, 온도조절용 공기가 통과될 수 있는 L개의 제1 통과구멍과 (M-L)개의 제2 통과구멍이 형성되어 있는 개폐판; 및 상기 개폐판을 제1 위치에 고정시키거나 상기한 제1 위치와 이격된 제2 위치에 고정시키는 고정부재; 를 포함하고, 상기 개폐판이 제1 위치에 고정된 경우에는 상기 M개의 분사구멍들 중 L개의 분사구멍만 상기한 제1 통과구멍들을 통해 개방된 상태로 되고, 상기 개폐판이 제2 위치에 고정된 경우에는 상기 M개의 분사구멍들 중 (M-L)개의 분사구멍만 상기한 제2 통과구멍들을 통해 개방된 상태로 되는 구조를 가질 수도 있다.When M is larger than L, the injection hole opening and closing device is coupled to the front surface of the duct, and opens and closes with L first passage holes and (ML) second passage holes through which air for adjusting temperature can pass. plate; And a fixing member for fixing the opening and closing plate at a first position or at a second position spaced apart from the first position. In the case where the opening and closing plate is fixed in the first position, only L injection holes of the M injection holes are opened through the first through holes, and the opening and closing plate is fixed in the second position. In this case, only the ML injection holes of the M injection holes may be opened through the second through holes.
상기 개폐판에는 상기 개폐판의 위치를 상기한 제1 위치나 제2 위치로 선택적으로 결정시키기 위한 위치결정구멍이 형성되어 있고, 상기 고정부재는 상기 위치결정구멍에 끼움될 수 있는 끼움돌기로 구비되며, 상기 위치결정구멍은 상기 개폐판을 상기한 제1 위치에 위치시키기 위한 제1 위치결정부분, 상기 개폐판을 상기한 제2 위치에 위치시키기 위한 제2 위치결정부분 및 상기 제1 위치결정부분과 제2 위치결정부분을 서로 연결시키는 연결부분으로 이루어져 있다.
The opening and closing plate is provided with a positioning hole for selectively determining the position of the opening and closing plate in the first position or the second position, the fixing member is provided with a fitting protrusion which can be fitted into the positioning hole. The positioning hole includes a first positioning portion for positioning the opening and closing plate in the first position, a second positioning portion for positioning the opening and closing plate in the second position, and the first positioning. And a connecting portion for connecting the portion and the second positioning portion to each other.
위와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 따른 테스트핸들러는, L(L은 1보다 큰 자연수 임)개의 반도체소자를 적재시킬 수 있는 테스트트레이; 상기 테스트트레이에 적재된 L개의 반도체소자가 요구되는 조건의 온도상태에서 테스트될 수 있도록 하기 위해 마련되는 테스트챔버; 상기 테스트트레이가 상기 테스트챔버 내에 수용된 경우에 상기 테스트트레이에 적재된 A(A는 L과 같거나, L보다 작은 자연수 임)개의 반도체소자를 테스터 측으로 밀어 반도체소자들을 테스터 측에 전기적으로 접속시키기 위해 상기 테스트챔버 내에 마련되며, 상기 테스트트레이에 적재된 A개의 반도체소자에 일대일 대응하는 A개의 관통구멍이 형성된 매치플레이트; 및 상기 테스트챔버 내에 있는 테스트트레이에 적재된 반도체소자들을 요구되는 조건의 온도상태로 조절하기 위한 온도조절장치; 를 포함하고, 상기 온도조절장치는, 내부 공간으로 온도조절용 공기가 유입되도록 하기 위한 유입구를 가지며, 테스트트레이에 적재된 A개의 반도체소자에 상기 유입구를 통해 상기 내부 공간으로 유입된 온도조절용 공기를 공급하기 위해 전면에 온도조절용 공기를 분사시키기 위한 M(M은 L과 같거나 L보다 큰 자연수)개의 분사구멍이 형성되어 있되, 상기한 분사구멍들 중 A개의 분사구멍은 상기한 A개의 관통구멍에 일대일 대응하는 위치에 형성되어 있는 덕트; 및 상기 M개의 분사구멍들 중 일부를 개폐할 수 있는 분사구멍 개폐장치; 및 상기 덕트의 상기 유입구를 통해 상기 내부 공간으로 온도조절용 공기를 공급하기 위한 온도조절기; 를 포함할 수 있다.
Test handler according to the present invention for achieving the above object, the test tray that can be loaded L (L is a natural number greater than 1) of semiconductor devices; A test chamber provided to allow the L semiconductor devices loaded on the test tray to be tested at a temperature condition required; When the test tray is accommodated in the test chamber, the A (A is a natural number equal to or less than L) semiconductor devices loaded in the test tray are pushed to the tester side to electrically connect the semiconductor devices to the tester side. A match plate provided in the test chamber and having A through holes one-to-one corresponding to the A semiconductor devices loaded in the test tray; And a temperature regulating device for adjusting the semiconductor devices loaded in the test tray in the test chamber to a temperature state of a required condition. It includes, The temperature control device, has an inlet for allowing the temperature control air is introduced into the internal space, supplying the temperature control air introduced into the internal space through the inlet to the A semiconductor device loaded in the test tray M (M is a natural number equal to or greater than L) injection holes are formed on the front surface for the purpose of injecting temperature control air, and A injection holes of the above-mentioned injection holes are provided in the A through holes. A duct formed at a one-to-one corresponding position; And injection hole opening and closing device that can open and close some of the M injection holes; And a temperature controller for supplying air for temperature control to the internal space through the inlet of the duct. . ≪ / RTI >
본 발명에 따르면 테스트 방식이 전환되는 경우에도 덕트나 덕트의 일부분(분사구멍이 형성된 부분)을 교체할 필요성이 없기 때문에 테스트 방식의 전환이 그 만큼 빨리 이루어질 수 있으면서도 자원의 낭비를 줄여 테스트 방식의 전환에 소요되는 비용을 줄일 수 있는 효과가 있다.
According to the present invention, even when the test method is switched, there is no need to replace the duct or a part of the duct (the part where the injection hole is formed), so that the test method can be changed as fast as possible, while reducing the waste of resources. It is effective to reduce the cost.
도1과 도2는 일반적인 테스트 방식을 설명하기 위한 참조도이다.
도3은 본 발명에 따른 테스트핸들러에 대한 개념적인 평면도이다.
도4는 도3의 테스트핸들러에 의해 반도체소자가 테스터에 전기적인 연결되는 것을 설명하기 위한 참조도이다.
도5는 도3의 테스트핸들러에 적용될 수 있는 제1 예에 따른 온도조절장치에 대한 개략도이다.
도6a 내지 도6b는 도3의 테스트핸들러에 적용될 수 있는 제2 예에 따른 온도조절장치를 설명하기 위한 참조도이다.
도7a 및 도7b는 도3의 테스트핸들러에 적용될 수 있는 제3 예에 따른 온도조절장치를 설명하기 위한 참조도이다.
도8a 및 도8b는 도3의 테스트핸들러에 적용될 수 있는 제4 예에 따른 온도조절장치를 설명하기 위한 참조도이다.1 and 2 are reference diagrams for explaining a general test method.
3 is a conceptual plan view of a test handler according to the present invention.
4 is a reference diagram for explaining that a semiconductor device is electrically connected to a tester by the test handler of FIG. 3.
5 is a schematic diagram of a temperature control device according to a first example that may be applied to the test handler of FIG.
6A to 6B are reference views for explaining a temperature adjusting device according to a second example that may be applied to the test handler of FIG. 3.
7A and 7B are reference diagrams for describing a temperature control device according to a third example that may be applied to the test handler of FIG. 3.
8A and 8B are reference diagrams for describing a temperature adjusting device according to a fourth example that may be applied to the test handler of FIG. 3.
이하 상기한 바와 같은 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하되, 설명의 간결함을 위해 중복되는 설명은 가급적 생략하거나 압축한다.
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. For simplicity of description, redundant description is omitted or compressed as much as possible.
<테스트핸들러의 기본 구성에 대한 설명><Description of the basic configuration of the test handler>
도3은 본 발명에 따른 테스트핸들러(TH)의 주요부분에 대한 개념적인 평면도이다.3 is a conceptual plan view of the main part of the test handler TH according to the present invention.
도3에서 참조되는 바와 같이, 본 발명에 따른 테스트핸들러(TH)는, 테스트트레이(310), 테스트챔버(320), 매치플레이트(330), 온도조절장치(TC) 등을 포함한다.As shown in FIG. 3, the test handler TH according to the present invention includes a
테스트트레이(310)는 4ㅧ 4(16)개의 반도체소자를 적재시킬 수 있으며, 일정한 순환경로(C)를 순환하게 된다.The
테스트챔버(320)는, 테스터(TESTER)와 결합되는 부분으로서, 내부에 수용된 테스트트트레이(310)에 적재된 복수개의 반도체소자가 요구되는 조건의 온도상태에서 테스트될 수 있도록 하기 위해 마련된다.The
매치플레이트(330)는, 테스트챔버(320) 내에 수용된 테스트트트레이(310)에 적재된 반도체소자들을 테스터(TESTER) 측으로 밀어 반도체소자들을 테스터(TESTER) 측에 전기적으로 접속시키기 위해 테스트챔버(320) 내에 마련되며, 도4에서 참조되는 바와 같이, 테스트트레이(310)에 적재된 반도체소자(D)들과 일대일 대응하는 관통구멍(331)들이 4ㅧ 4 행렬 형태로 형성되어 있다.The
온도조절장치(TC)는 테스트챔버(320) 내에 있는 테스트트레이(310)에 적재된 반도체소자들을 요구되는 조건의 온도상태로 조절하기 위해 구비된다. 본 발명은 이러한 온도조절장치(TC)에 특징을 가진다. 따라서 본 발명의 다양한 형태에 따라서 예를 달리하는 온도조절장치(TC)에 대하여 목차를 달리하여 예별로 설명한다.
The temperature control device TC is provided to adjust the semiconductor devices mounted in the
<온도조절장치에 대한 제1 예><First example of temperature controller>
도5는 제1 예에 따른 온도조절장치(50)에 대한 개략도이다.5 is a schematic diagram of a
도5에서 참조되는 바와 같이, 본 예에 따른 온도조절장치(50)는 덕트(51)와 온도조절기(53) 등을 구비한다.As shown in Figure 5, the
덕트(51)는, 도5에서 참조되는 바와 같이, 내부에 온도조절용 공기를 수용할 수 있는 수용 공간(S)이 있고, 온도조절기(53)로부터 오는 온도조절용 공기가 수용 공간(S)으로 유입되는 유입구(I)가 있으며, 그 전면에는 테스트트레이에 4■4 행렬 형태로 적재된 반도체소자의 위치 및 매치플레이트에 4■4 행렬 형태로 형성된 관통구멍에 일대일 대응되는 위치에 수용 공간(S)으로 유입된 온도조절용 공기를 반도체소자 측으로 분사시키기 위한 16개의 제1 분사구멍(51a, 도면상에서 굵은 실선으로 처리된 구멍)이 테스트트레이에 적재된 반도체소자들 간의 간격 및 매치플레이트에 형성된 관통구멍들 간의 간격과 동일한 열간 간격(t) 및 배열 형태(4■4 행렬 형태)를 가지도록 형성되어 있고, 제1 분사구멍(51a)들의 제1열과 제2열 사이와 제3열과 제4열 사이에 위치하는 8개의 제2 분사구멍(51b, 제1 분사구멍과 구분하기 위해 도면상에서 가는 점선으로 처리된 구멍)이 제1 분사구멍(51a)들의 열간 간격(t)의 2배의 열간 간격(2t)을 가지도록 형성되어 있다.As shown in FIG. 5, the
따라서 16파라 1스텝 테스트 시에는 제1 분사구멍(51a)을 통해 온도조절용 공기가 반도체소자로 공급되고, 8파라 2스텝 시에는 제2 분사구멍(51b)을 통해 온도조절용 공기가 반도체소자로 공급되게 된다. 물론, 16파라 1스텝 테스트 시에는 제1 분사구멍(51a)의 위치가 16개의 테스트소켓 및 매치플레이트에 형성된 16개의 관통구멍의 위치와 일치되며, 8파라 2스텝 테스트 시에는 제2 분사구멍(51b)의 위치가 8개의 테스트소켓 및 매치플레이트에 형성된 8개의 관통구멍의 위치와 일치되게 된다(테스트 방식의 전환에 따라 하이픽스보드와 매치플레이트가 교체되어짐을 고려하라).Therefore, the temperature control air is supplied to the semiconductor device through the
온도조절기(53)는 유입구(I)를 통해 덕트(51)의 수용 공간(S)으로 온도조절용 공기를 공급하기 위해 마련된다.The
본 예는 납품하는 장비(테스트핸들러)가 16파라 1스텝 테스트 방식을 취하는 상태로 납품되는 경우를 예로 들고 있지만, 8파라 2스텝 테스트 방식을 취하는 상태로 납품되는 경우에는 초기 매치플레이트에 형성된 관통구멍은 16개보다 적은 8개(2■4 행렬 형태를 가짐)를 가져야 할 것이다.
This example shows a case where the equipment to be delivered (test handler) is delivered with a 16-para, 1-step test method. However, when delivered with 8-para, 2-step test, a through hole formed in the initial match plate is used. Should have fewer than 16, with a form of 2 ■ 4 matrices.
위와 같은 제1 예에 의할 경우, 테스트 방식이 전환되더라도 덕트(51)나 덕트(51)의 분사구멍(51a, 51b)이 형성된 부분(전면 부분) 등의 교체 없이 매치플레이트와 테스터의 하이픽스보드만 교환하면 되는 이점이 있다.According to the first example as described above, even if the test method is switched, the high resolution of the match plate and the tester without replacing the
한편, 집적기술의 발달에 따라 반도체소자의 크기가 작아질수록 반도체소자가 온도 변화에 민감하게 반응하기 때문에 1회에 테스트되는 반도체소자들의 온도편자를 더욱 줄일 것이 요구되고 있다.On the other hand, as the size of semiconductor devices decreases with the development of integrated technology, it is required to further reduce the temperature deflection of semiconductor devices tested at one time because semiconductor devices are sensitive to temperature changes.
그런데 제1 예에 따르는 경우, 총 24개(1.5■16개)의 분사구멍(51a, 51b)에서 온도조절용 공기가 분사되기 때문에 반도체소자의 온도를 제어함에 있어서 약간의 곤란함이 발생할 수 있는데, 이러한 점은 이어서 설명되는 다른 예들에 의해서 방지될 수 있게 된다.
However, according to the first example, since the air for temperature control is injected from a total of 24 (1.5 16 16)
<온도조절장치에 대한 제2 예><2nd example of temperature controller>
도6a는 제2 예에 따른 온도조절장치(60)에 대한 개략도이다.6A is a schematic diagram of a
도6a에서 참조되는 바와 같이, 본 예에 따른 온도조절장치(60)는 덕트(61), 분사구멍 개폐장치(62), 온도조절기(63) 등을 포함한다.As shown in Figure 6a, the
덕트(61)의 전면(테스트트레이 및 매치플레이트와 마주보는 측 면)에는 테스트트레이에 적재되는 반도체소자의 개수 및 매치플레이트에 형성된 관통구멍의 개수와 같은 16개의 분사구멍(61a)이 테스트트레이에 적재되는 반도체소자의 위치 및 매치플레이트에 형성된 관통구멍의 위치에 일대일 대응되는 위치에 형성되어 있다. 여기서 분사구멍(61a)들의 열간 간격은 테스트트레이(TT)에 적재되는 16개의 반도체소자들 간의 열간 간격과 매치플레이트에 형성된 16개의 관통구멍들 간의 열간 간격과 동일한 열간 간격(t)을 가지고 있다.On the front surface of the duct 61 (the side facing the test tray and the match plate), sixteen
분사구멍 개폐장치(62)는 개폐판(62-1)과 끼움돌기(62-2) 등을 포함하여 구성된다.The injection hole opening and
개폐판(62-1)에는 온도조절용 공기가 통과될 수 있는 16개의 제1 통과구멍(62a, 도면상에서 굵은 실선 처리된 구멍)들과 8개의 제2 통과구멍(62b, 도면상에서 가는 점선으로 처리된 구멍)들이 형성되어 있다.The opening and closing plate 62-1 is treated with sixteen first through
16개의 제1 통과구멍(62a)들은 테스트트레이에 적재되는 16개의 반도체소자들 간의 열간 간격과 매치플레이트에 형성된 16개의 관통구멍들 간의 열간 간격과 동일한 열간 간격(t)을 가지고 있다.The sixteen first through
또한, 8개의 제2 통과구멍(62b)들은 제1 통과구멍(62a)들의 제1열과 제2열 사이와 제3열과 제4열 사이에 위치하고 있으며, 8개의 제2 통과구멍(62b)들 간의 열간 간격(2t)은 제1 통과구멍(62a)들의 열간 간격의 2배이다.In addition, the eight second through
한편, 개폐판(62-1)에는 4귀퉁이 부근에 각각 상측이 벌어진 ㄷ자 형상을 가지는 위치결정구멍(62c)이 형성되어 있는데, 도6b에서 참조되는 바와 같이, 위치결정구멍(62c)의 일 측은 개폐판(62-1)을 제1 위치에 위치시키는 제1 위치결정부분(62c-1)이고 타 측은 개폐판(62-1)을 제2 위치에 위치시키는 제2 위치결정부분(62c-2)이다. 여기서 서로 이격되어 있는 제1 위치결정부분(62c-1)의 중심과 제2 위치결정부분(62c-2)의 중심 간의 간격은 제1 통과구멍들의 인접하는 열간 간격(t)의 절반의 간격(t/2)이다. 그리고 제1 위치결정부분(62c-1)과 제2 위치결정부분(62c-2) 사이는 제1 위치결정부분(62c-1)과 제2 위치결정부분(62c-2)을 연결하는 연결부분(62c-3)을 이룬다.On the other hand, the opening and closing plate 62-1 is formed with a
끼움돌기(62-2)는 개폐판(62-1)을 제1 위치에 고정시키거나 제2 위치에 고정시키기 위한 고정부재로서 마련되는 것으로, 위치결정구멍(62c)에 끼움될 수 있는 형태를 가지며, 본 실시예에서는 볼트로 끼움돌기(62-2)를 구성하고 있다. 볼트로 구성된 끼움돌기(62-2)의 머리 부분은 제1 위치결정부분(62c-1) 및 제2위치결정부분(62c-2)의 폭보다 확장되어서 개폐판(62-1)의 이탈이 방지될 수 있도록 되어 있고, 머리 부분의 반대 측 끝부분은 덕트(61)에 볼트 결합되도록 되어 있다. 따라서 개폐판(62-1)은 끼움돌기(62-2)에 의해 덕트(61)의 전면과 밀착되게 결합되게 되며, 작업자는 개폐판(62-1)을 덕트(61)로부터 완전히 분리시킬 필요 없이 개폐판(62-1)을 상측으로 살짝 들어 올린 후 좌측 또는 우측으로 이동시킨 다음 다시 하측으로 내리는 방식으로 개폐판(62-1)의 결합 위치를 제1 위치에서 제2 위치로 또는 제2 위치에서 제1 위치로 간단하게 전환시킬 수 있게 된다.The fitting protrusion 62-2 is provided as a fixing member for fixing the opening and closing plate 62-1 to the first position or the second position, and has a form that can be fitted to the
온도조절기(63)는 유입구(I)를 통해 덕트(61)의 수용 공간(S)으로 온도조절용 공기를 공급하기 위해 마련된다. The
계속하여 위와 같은 구성을 가지는 온도조절장치(60)의 작용에 대해서 설명한다.Next, the operation of the
16파라 1스텝 테스트 방식일 경우에는, 도6a에서 참조되는 바와 같이, 끼움돌기(62-2)가 위치결정구멍(62c)의 제1 위치결정부분(62c-1)에 위치되는 상태로 되도록 함으로써 개폐판(62-1)에 형성된 16개의 제1 통과구멍(62a)들의 위치가 덕트(61)에 형성된 16개의 분사구멍(61a)들의 위치와 일대일 대응되도록 하여 덕트(61)에 형성된 16개의 분사구멍(61a)들이 개방되도록 한다. 따라서 온도조절용 공기는 16개의 분사구멍(61a)과 16개의 제1 통과구멍(62a)을 통해 매치플레이트에 형성된 16개의 관통구멍을 향해 분사된다.In the case of the 16-para one-step test method, as shown in Fig. 6A, the fitting projection 62-2 is brought into the state positioned at the
한편, 8파라 2스텝 테스트 방식일 경우에는, 도6c에서 참조되는 바와 같이, 끼움돌기(62-2)가 위치결정구멍(62c)의 제2 위치결정부분(62c-2)에 위치되는 상태로 되도록 함으로써 개폐판(62-1)에 형성된 8개의 제2 통과구멍(62b)들의 위치가 덕트(61)에 형성된 16개의 분사구멍(61a)들 중 제1열과 제3열에 있는 8개의 분사구멍(61a)들의 위치와 일대일 대응되도록 하고, 덕트(61)에 형성된 16개의 분사구멍(61a)들 중 나머지 제2열과 제4열에 있는 8개의 분사구멍(61a)은 개폐판(62-1)에 의해 폐쇄되도록 한다. 따라서 온도조절용 공기는 제1열과 제3열에 있는 8개의 분사구멍(61a)과 8개의 제2 통과구멍(62b)을 통해 매치플레이트에 형성된 16개의 관통구멍을 향해 분사된다.
On the other hand, in the case of the 8-para two-step test method, as shown in Fig. 6C, the fitting protrusion 62-2 is positioned in the
<온도조절장치에 대한 제3 예><Third example of temperature controller>
도7a는 제3 예에 따른 온도조절장치(70)에 대한 개략도이다.7A is a schematic diagram of a
도7a에서 참조되는 바와 같이, 본 예에 따른 온도조절장치(70)는 덕트(71), 분사구멍 개폐장치(72), 온도조절기(73) 등을 포함한다.As shown in Figure 7a, the
덕트(71)의 전면(테스트트레이 및 매치플레이트와 마주보는 측 면)에는 테스트트레이에 적재되는 반도체소자의 개수 및 매치플레이트에 형성된 관통구멍의 개수와 같은 16개의 제1 분사구멍(71a, 도면상에 굵은 실선으로 처리된 구멍)이 테스트트레이에 적재되는 반도체소자의 위치 및 매치플레이트에 형성된 관통구멍의 위치에 일대일 대응되는 위치에 형성되어 있다. 여기서 제1 분사구멍(71a)들의 열간 간격은 테스트트레이에 적재되는 16개의 반도체소자들 간의 열간 간격과 매치플레이트에 형성된 16개의 관통구멍들 간의 열간 간격과 동일한 열간 간격(t)을 가지고 있다.The front surface of the duct 71 (the side facing the test tray and the match plate) has sixteen
또한, 덕트(71)의 전면에는 8개의 제2 분사구멍(71b)들이 제1 분사구멍(71a)들의 제1열과 제2열 사이와 제3열과 제4열 사이에 형성되어 있으며, 8개의 제2 분사구멍(71b)들 간의 열간 간격(2t)은 제1 분사구멍(71a)들의 열간 간격의 2배이다.In addition, eight second injection holes 71b are formed on the front surface of the
분사구멍 개폐장치(72)는 개폐판(72-1)과 끼움돌기(72-2) 등을 포함하여 구성된다.The injection hole opening and
개폐판(72-1)에는 온도조절용 공기가 통과될 수 있는 16개의 통과구멍(72a)들이 형성되어 있다. 16개의 제1 통과구멍(72a)들은 테스트트레이에 적재되는 16개의 반도체소자들 간의 열간 간격, 매치플레이트에 형성된 16개의 관통구멍들 간의 열간 간격, 덕트(71)의 전면에 형성된 제1 분사구멍(71a)들의 열간 간격과 동일한 열간 간격(t)을 가지고 있다.The opening and closing plate 72-1 is formed with sixteen through
마찬가지로 개폐판(72-1)에는 제2 예에서와 동일하게 4귀퉁이 부근에 제1 위치결정부분, 연결부분, 제2 위치결정부분을 가지는 위치결정구멍(72c)이 형성되어 있다.Similarly, in the opening and closing plate 72-1, a
끼움돌기(72-2)와 온도조절기(73)는 제2 예에서와 동일하므로 설명을 생략한다.Since the fitting protrusion 72-2 and the
계속하여 위와 같은 구성을 가지는 온도조절장치(70)의 작용에 대해서 설명한다.Subsequently, the operation of the
16파라 1스텝 테스트 방식일 경우에는, 도7에서 참조되는 바와 같이, 끼움돌기(72-2)가 위치결정구멍(72c)의 제1 위치결정부분에 위치되는 상태로 되도록 함으로써 개폐판(72-1)에 형성된 16개의 통과구멍(72a)들의 위치가 덕트(71)에 형성된 16개의 제1 분사구멍(61a)들의 위치와 일대일 대응되도록 하여 덕트(71)에 형성된 16개의 제1 분사구멍(71a)들은 개방되고 8개의 제2 분사구멍(72b)들은 폐쇄되도록 한다. 따라서 온도조절용 공기는 16개의 제1 분사구멍(71a)과 16개의 통과구멍(71b)을 통해 매치플레이트에 형성된 16개의 관통구멍을 향해 분사된다.In the case of the 16-para one-step test method, as shown in Fig. 7, the fitting projection 72-2 is brought into the state of being positioned in the first positioning portion of the
한편, 8파라 2스텝 테스트 방식일 경우에는, 도7b에서 참조되는 바와 같이, 끼움돌기(72-2)가 위치결정구멍(72c)의 제2 위치결정부분에 위치되는 상태로 되도록 함으로써 개폐판(72-1)에 형성된 16개의 통과구멍(72a)들 중 제2열과 제4열에 있는 8개의 통과구멍(72a)들의 위치가 덕트(71)에 형성된 8개의 제2 분사구멍(71b)들의 위치와 일대일 대응되도록 하여 제2 분사구멍(71b)들은 개방되도록 하고 제1 분사구멍(71a)들을 폐쇄되도록 한다. 따라서 온도조절용 공기는 8개의 제2 분사구멍(71b)과 제2열과 제4열에 있는 8개의 통과구멍(72a)을 통해 매치플레이트에 형성된 8개의 관통구멍을 향해 분사된다(기존의 매치플레이트가 8개의 관통구멍이 형성된 매치플레이트로 교체되어짐을 상기하라).
On the other hand, in the case of the 8-para, 2-step test method, as shown in FIG. 7B, the opening and closing plate (72-2) is brought into the state of being positioned in the second positioning portion of the
<온도조절장치에 대한 제4 예><Fourth example of temperature controller>
도8a는 제4 예에 따른 온도조절장치(80)에 대한 개략도이다.8A is a schematic diagram of a
도8a에서 참조되는 바와 같이, 본 예에 따른 온도조절장치(80)는 덕트(81), 분사구멍 개폐장치(82), 온도조절기(83) 등을 포함한다.As referred to in Figure 8a, the
덕트(81)는 제3예에서의 덕트(71)와 동일한 구조를 가진다. 따라서 덕트(81)의 전면에는 16개의 제1 분사구멍(81a)과 8개의 제2 분사구멍(81b)이 형성되어 있다.The
분사구멍 개폐장치(82)는 개폐판(82-1)과 끼움돌기(82-2) 등을 포함하여 구성된다.The injection hole opening and
개폐판(82-1)에는 온도조절용 공기가 통과될 수 있는 16개의 제1 통과구멍(82a)들과 8개의 제2 통과구멍(82b)들이 형성되어 있다.The opening and closing plate 82-1 is provided with sixteen first through
16개의 제1 통과구멍(82a)들은 테스트트레이에 적재되는 16개의 반도체소자들 간의 열간 간격과 매치플레이트에 형성된 16개의 관통구멍들 간의 열간 간격과 동일한 열간 간격(t)을 가지고 있다.The sixteen first through
또한, 8개의 제2 통과구멍(82b)들은 제1 통과구멍(82a)들의 제1열과 제2열 사이와 제3열과 제4열 사이에 위치하고 있으며, 8개의 제2 통과구멍(82b)들 간의 열간 간격(2t)은 제1 통과구멍(82a)들의 열간 간격(t)의 2배이다. 이러한 제2 통과구멍(82b)들은 제1열과 제3열에 있는 제1 통과구멍(82a)들과는 가깝고 제2열과 제4열에 있는 제1 통과구멍(82a)들과는 멀게 형성되는데, 본 예에서는 서로 인접하는 제2 통과구멍(82b)과 제1 열에 있는 제1 통과구멍(82a) 간의 간격(t/4)과 서로 인접하는 제2 통과구멍(82b)과 제3 열에 있는 제1 통과구멍(82a) 간의 간격(t/4)은 제1 통과구멍(82a)들의 열간 간격의 1/4로 되어 있다.In addition, the eight second through
마찬가지로 개폐판(82-1)에는 제2 예에서와 동일하게 4귀퉁이 부근에 제1 위치결정부분, 연결부분, 제2 위치결정부분을 가지는 위치결정구멍(82c)이 형성되어 있다. 다만, 여기서 서로 이격되어 있는 제1 위치결정부분의 중심과 제2 위치결정부분의 중심 간의 간격은 제1 통과구멍(82a)들의 인접하는 열간 간격(t)의 1/4 간격(t/4)이다.Similarly, in the opening and closing plate 82-1, a
끼움돌기(82-2)와 온도조절기(83)는 제2 예에서와 동일하므로 설명을 생략한다.Since the fitting protrusion 82-2 and the
계속하여 위와 같은 구성을 가지는 온도조절장치(80)의 작용에 대해서 설명한다.Subsequently, the operation of the
16파라 1스텝 테스트 방식일 경우에는, 도8에서 참조되는 바와 같이, 끼움돌기(82-2)가 위치결정구멍(82c)의 제1 위치결정부분에 위치되는 상태로 되도록 함으로써 개폐판(82-1)에 형성된 16개의 제1 통과구멍(82a)들의 위치가 덕트(81)에 형성된 16개의 제1 분사구멍(81a)들의 위치와 일대일 대응되도록 하여 덕트(81)에 형성된 16개의 제1 분사구멍(81a)들은 개방되고 8개의 제2 분사구멍(81b)들은 폐쇄되도록 한다. 따라서 온도조절용 공기는 16개의 제1 분사구멍(81a)과 16개의 제1 통과구멍(82a)을 통해 매치플레이트에 형성된 16개의 관통구멍을 향해 분사된다.In the case of the 16-para one-step test method, as shown in Fig. 8, the opening and closing plate 82-2 is brought into a state where it is positioned in the first positioning portion of the positioning hole 82c. 16 first injection holes formed in the
한편, 8파라 2스텝 테스트 방식일 경우에는, 도8b에서 참조되는 바와 같이, 끼움돌기(82-2)가 위치결정구멍(82c)의 제2 위치결정부분에 위치되는 상태로 되도록 함으로써 개폐판(82-1)에 형성된 8개의 제2 통과구멍(82b)들의 위치가 덕트(81)에 형성된 8개의 제2 분사구멍(81b)들의 위치와 일대일 대응되도록 하여 제2 분사구멍(81b)들은 개방되도록 하고 제1 분사구멍(81a)들을 폐쇄되도록 한다. 따라서 온도조절용 공기는 8개의 제2 분사구멍(812)과 8개의 제2 관통구멍(82b)을 통해 매치플레이트에 형성된 8개의 관통구멍을 향해 분사된다.
On the other hand, in the case of the 8-para, 2-step test method, as shown in Fig. 8B, the opening and closing plate (82-2) is placed in the state of being positioned at the second positioning portion of the
즉, 제2 내지 제4 실시예에 의하면 개폐판(62-1, 72-1, 82-1)이 덕트(61, 71, 81)에 형성된 분사구멍들의 일부를 선택적으로 개방시키거나 페쇄시킴으로써 반도체소자에 대응하는 위치에 있는 분사구멍들만을 개방시킴으로써 용이하게 온도조절이 가능할 수 있게 된다.That is, according to the second to fourth embodiments, the opening and closing plates 62-1, 72-1, and 82-1 selectively open or close some of the injection holes formed in the
본 예에서는 설명을 위하여 덕트의 분사구멍들이 t 혹은 2t로 모두 동일하다고 가정을 하였으나, 장비에 따라서는 테스트트레이에 적재되는 반도체소자들의 열간 간격이 t 또는 s(t < S) 로 교번적으로 달라지거나 또 다른 예들을 가지질 수도 있으므로, 분사구멍들의 간격이 홀수열 혹은 짝수열을 기준으로 같을 수도 있거나 또 다른 예들에 대응되는 간격을 가질 수도 있을 것이다.
In this example, for the sake of explanation, it is assumed that the injection holes of the duct are the same as t or 2t, but depending on the equipment, the spacing between the semiconductor elements loaded in the test tray is alternately different as t or s (t <S). The spacing of the injection holes may be the same based on odd or even rows, or may have spacing corresponding to other examples, since the spacing of the injection holes may be different.
상술한 바와 같이, 본 발명에 대한 구체적인 설명은 첨부된 도면을 참조한 실시예에 의해서 이루어졌지만, 상술한 실시예는 본 발명의 바람직한 예를 들어 설명하였을 뿐이기 때문에, 본 발명이 상기의 실시예에만 국한되는 것으로 이해되어져서는 아니 되며, 본 발명의 권리범위는 후술하는 청구범위 및 그 등가개념으로 이해되어져야 할 것이다.
Although the present invention has been fully described by way of example only with reference to the accompanying drawings, it is to be understood that the present invention is not limited thereto. It is to be understood that the scope of the invention is to be construed as being limited only by the following claims and their equivalents.
TH : 테스트핸들러
310 : 테스트트레이
320 : 테스트챔버
330 : 매치플레이트
331 : 관통홀
TC, 50, 60, 70, 80 : 온도조절장치
51, 61, 71, 81 : 덕트
52 : 분사구멍 개폐장치
53, 63, 73, 83 : 온도조절기TH: Test Handler
310: test tray
320: test chamber
330: Match Plate
331: through hole
TC, 50, 60, 70, 80: Temperature controller
51, 61, 71, 81: duct
52: injection hole opening and closing device
53, 63, 73, 83: temperature controller
Claims (7)
상기 테스트트레이에 적재된 L개의 반도체소자가 요구되는 조건의 온도상태에서 테스트될 수 있도록 하기 위해 마련되는 테스트챔버;
상기 테스트트레이가 상기 테스트챔버 내에 수용된 경우에 상기 테스트트레이에 적재된 A(A는 L과 같거나, L보다 작은 자연수 임)개의 반도체소자를 테스터 측으로 밀어 반도체소자들을 테스터 측에 전기적으로 접속시키기 위해 상기 테스트챔버 내에 마련되며, 상기 테스트트레이에 적재된 A개의 반도체소자에 일대일 대응하는 A개의 관통구멍이 형성된 매치플레이트; 및
상기 테스트챔버 내에 있는 테스트트레이에 적재된 반도체소자들을 요구되는 조건의 온도상태로 조절하기 위한 온도조절장치; 를 포함하고,
상기 온도조절장치는,
내부 공간으로 온도조절용 공기가 유입되도록 하기 위한 유입구를 가지며, 테스트트레이에 적재된 A개의 반도체소자에 상기 유입구를 통해 상기 내부 공간으로 유입된 온도조절용 공기를 공급하기 위해 전면에 온도조절용 공기를 분사시키기 위한 M(M은 L보다 큰 자연수)개의 분사구멍이 형성되어 있되, 상기한 분사구멍들 중 A개의 분사구멍은 상기 A개의 관통구멍에 일대일 대응하는 위치에 형성되어 있는 덕트;
상기 덕트의 상기 유입구를 통해 각각 상기 내부 공간으로 온도조절용 공기를 공급하기 위한 온도조절기; 를 포함하는 것을 특징으로 하는
테스트핸들러.A test tray capable of stacking L (L is a natural number greater than 1) semiconductor elements;
A test chamber provided to allow the L semiconductor devices loaded on the test tray to be tested at a temperature condition required;
When the test tray is accommodated in the test chamber, the A (A is a natural number equal to or less than L) semiconductor devices loaded in the test tray are pushed to the tester side to electrically connect the semiconductor devices to the tester side. A match plate provided in the test chamber and having A through holes one-to-one corresponding to the A semiconductor devices loaded in the test tray; And
A temperature regulating device for regulating the semiconductor elements loaded in the test tray in the test chamber to a temperature condition of a required condition; Including,
The temperature control device,
It has an inlet for introducing the temperature control air into the interior space, and spraying the temperature control air to the front to supply the temperature control air introduced into the interior space through the inlet to the A semiconductor device loaded in the test tray A duct for forming M (M is a natural number larger than L), wherein A injection holes are formed at positions corresponding to the A through holes one-to-one;
A temperature controller for supplying air for temperature control to the internal space through the inlet of the duct; ≪ RTI ID = 0.0 >
Test handler.
상기 테스트트레이에 적재된 L개의 반도체소자가 요구되는 조건의 온도상태에서 테스트될 수 있도록 하기 위해 마련되는 테스트챔버;
상기 테스트트레이가 상기 테스트챔버 내에 수용된 경우에 상기 테스트트레이에 적재된 A개(A는 L과 같거나, L보다 작은 자연수 임) 반도체소자를 테스터 측으로 밀어 반도체소자들을 테스터 측에 전기적으로 접속시키기 위해 상기 테스트챔버 내에 마련되며, 상기 테스트트레이에 적재된 A개의 반도체소자에 일대일 대응하는 A개의 관통구멍이 형성된 매치플레이트; 및
상기 테스트챔버 내에 있는 테스트트레이에 적재된 반도체소자들을 요구되는 조건의 온도상태로 조절하기 위한 온도조절장치; 를 포함하고,
상기 온도조절장치는,
내부 공간으로 온도조절용 공기가 유입되도록 하기 위한 유입구를 가지며, 테스트트레이에 적재된 A개의 반도체소자에 상기 유입구를 통해 상기 내부 공간으로 유입된 온도조절용 공기를 공급하기 위해 전면에 온도조절용 공기를 분사시키기 위한 M(M은 L과 같거나 L보다 큰 자연수)개의 분사구멍이 형성되어 있되, 상기한 분사구멍들 중 A개의 분사구멍은 상기한 관통구멍들 간의 간격과 동일한 간격을 가지도록 일대일 대응하는 위치에 형성되어 있는 덕트;
상기 A개의 관통구멍에 일대일 대응하는 상기한 A개의 분사구멍을 제외한 나머지 (M-A)개의 분사구멍을 선택적으로 폐쇄시키거나 개방시키기 위해 마련되는 분사구멍 개폐장치; 및
상기 덕트의 상기 유입구를 통해 상기 내부 공간으로 온도조절용 공기를 공급하기 위한 온도조절기; 를 포함하는 것을 특징으로 하는
테스트핸들러.A test tray capable of stacking L (L is a natural number greater than 1) semiconductor elements;
A test chamber provided to allow the L semiconductor devices loaded on the test tray to be tested at a temperature condition required;
When the test tray is accommodated in the test chamber, A loaded semiconductor devices (A is a natural number equal to or less than L) are pushed to the tester side to electrically connect the semiconductor devices to the tester side. A match plate provided in the test chamber and having A through holes one-to-one corresponding to the A semiconductor devices loaded in the test tray; And
A temperature regulating device for regulating the semiconductor elements loaded in the test tray in the test chamber to a temperature condition of a required condition; Including,
The temperature control device,
It has an inlet for introducing the temperature control air into the interior space, and spraying the temperature control air to the front to supply the temperature control air introduced into the interior space through the inlet to the A semiconductor device loaded in the test tray M (M is a natural number equal to or greater than L) number of injection holes are formed, wherein A injection holes among the above-mentioned injection holes have a one-to-one corresponding position so as to have the same distance between the through holes. Ducts formed in the;
An injection hole opening / closing device provided to selectively close or open the remaining (MA) injection holes except for the A injection holes one-to-one corresponding to the A through holes; And
A temperature controller for supplying air for temperature control to the internal space through the inlet of the duct; ≪ RTI ID = 0.0 >
Test handler.
M이 L과 같은 경우,
상기 분사구멍 개폐장치는,
상기 덕트의 전면에 결합되고, 온도조절용 공기가 통과될 수 있는 N(N은 M보다 큰 자연수 임)개의 통과구멍이 형성되어 있는 개폐판; 및
상기 개폐판을 제1 위치에 고정시키거나 상기한 제1 위치와는 다른 제2 위치에 고정시키는 고정부재; 를 포함하고,
상기 개폐판이 제1 위치에 고정된 경우에는 상기 M개의 분사구멍이 모두 개방된 상태로 되고, 상기 개폐판이 제2 위치에 고정된 경우에는 상기한 M개의 분사구멍 중 (N-M)개의 분사구멍만 선택적으로 개방된 상태로 되는 것을 특징으로 하는
테스트핸들러.The method of claim 2,
If M is equal to L,
The injection hole opening and closing device,
An opening and closing plate coupled to the front surface of the duct and having N through holes (N being a natural number larger than M) through which temperature control air can pass; And
A fixing member which fixes the opening and closing plate at a first position or at a second position different from the first position; Including,
When the opening and closing plate is fixed in the first position, all the M injection holes are opened, and when the opening and closing plate is fixed in the second position, only the (NM) injection holes of the M injection holes are selectively selected. Characterized in that the open state
Test handler.
M이 L보다 클 경우,
상기 분사구멍 개폐장치는,
상기 덕트의 전면에 결합되고, 온도조절용 공기가 통과될 수 있는 L개의 통과구멍이 형성되어 있는 개폐판; 및
상기 개폐판을 제1 위치에 고정시키거나 상기한 제1 위치와 이격된 제2 위치에 고정시키는 고정부재; 를 포함하고,
상기 개폐판이 제1 위치에 고정된 경우에는 상기 M개의 분사구멍들 중 L개의 분사구멍만 개방된 상태로 되고, 상기 개폐판이 제2 위치에 고정된 경우에는 상기 M개의 분사구멍들 중 (M-L)개의 분사구멍만 개방된 상태로 되는 것을 특징으로 하는
테스트핸들러.The method of claim 2,
If M is greater than L
The injection hole opening and closing device,
An opening and closing plate coupled to the front surface of the duct and having L passage holes through which air for adjusting temperature can pass; And
A fixing member for fixing the opening and closing plate at a first position or at a second position spaced apart from the first position; Including,
When the opening / closing plate is fixed in the first position, only L injection holes of the M injection holes are opened, and when the opening / closing plate is fixed in the second position (ML) of the M injection holes Characterized in that only the four injection holes are opened
Test handler.
M이 L보다 클 경우,
상기 분사구멍 개폐장치는,
상기 덕트의 전면에 결합되고, 온도조절용 공기가 통과될 수 있는 L개의 제1 통과구멍과 (M-L)개의 제2 통과구멍이 형성되어 있는 개폐판; 및
상기 개폐판을 제1 위치에 고정시키거나 상기한 제1 위치와 이격된 제2 위치에 고정시키는 고정부재; 를 포함하고,
상기 개폐판이 제1 위치에 고정된 경우에는 상기 M개의 분사구멍들 중 L개의 분사구멍만 상기한 제1 통과구멍들을 통해 개방된 상태로 되고, 상기 개폐판이 제2 위치에 고정된 경우에는 상기 M개의 분사구멍들 중 (M-L)개의 분사구멍만 상기한 제2 통과구멍들을 통해 개방된 상태로 되는 것을 특징으로 하는
테스트핸들러.The method of claim 2,
If M is greater than L
The injection hole opening and closing device,
An opening and closing plate coupled to the front surface of the duct and having L first through holes and ML second through holes through which temperature control air can pass; And
A fixing member for fixing the opening and closing plate at a first position or at a second position spaced apart from the first position; Including,
When the opening and closing plate is fixed at the first position, only L injection holes of the M injection holes are opened through the first through holes, and when the opening and closing plate is fixed at the second position, the M Characterized in that only (ML) injection holes of the four injection holes are opened through the above-mentioned second through holes.
Test handler.
상기 개폐판에는 상기 개폐판의 위치를 상기한 제1 위치나 제2 위치로 선택적으로 결정시키기 위한 위치결정구멍이 형성되어 있고,
상기 고정부재는 상기 위치결정구멍에 끼움될 수 있는 끼움돌기로 구비되며,
상기 위치결정구멍은 상기 개폐판을 상기한 제1 위치에 위치시키기 위한 제1 위치결정부분, 상기 개폐판을 상기한 제2 위치에 위치시키기 위한 제2 위치결정부분 및 상기 제1 위치결정부분과 제2 위치결정부분을 서로 연결시키는 연결부분으로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는
테스트핸들러.6. The method according to any one of claims 3 to 5,
The opening and closing plate is provided with a positioning hole for selectively determining the position of the opening and closing plate to the first position or the second position.
The fixing member is provided with a fitting protrusion that can be fitted into the positioning hole,
The positioning hole includes a first positioning portion for positioning the opening and closing plate at the first position, a second positioning portion for positioning the opening and closing plate at the second position, and the first positioning portion; Characterized in that it comprises a connecting portion for connecting the second positioning portion to each other
Test handler.
상기 테스트트레이에 적재된 L개의 반도체소자가 요구되는 조건의 온도상태에서 테스트될 수 있도록 하기 위해 마련되는 테스트챔버;
상기 테스트트레이가 상기 테스트챔버 내에 수용된 경우에 상기 테스트트레이에 적재된 A개(A는 L과 같거나, L보다 작은 자연수 임)의 반도체소자를 테스터 측으로 밀어 반도체소자들을 테스터 측에 전기적으로 접속시키기 위해 상기 테스트챔버 내에 마련되며, 상기 테스트트레이에 적재된 A개의 반도체소자에 일대일 대응하는 A개의 관통구멍이 형성된 매치플레이트; 및
상기 테스트챔버 내에 있는 테스트트레이에 적재된 반도체소자들을 요구되는 조건의 온도상태로 조절하기 위한 온도조절장치; 를 포함하고,
상기 온도조절장치는,
내부 공간으로 온도조절용 공기가 유입되도록 하기 위한 유입구를 가지며, 테스트트레이에 적재된 A개의 반도체소자에 상기 유입구를 통해 상기 내부 공간으로 유입된 온도조절용 공기를 공급하기 위해 전면에 온도조절용 공기를 분사시키기 위한 M(M은 L과 같거나 L보다 큰 자연수)개의 분사구멍이 형성되어 있되, 상기한 분사구멍들 중 A개의 분사구멍은 상기한 A개의 관통구멍에 일대일 대응하는 위치에 형성되어 있는 덕트; 및
상기 M개의 분사구멍들 중 일부를 개폐할 수 있는 분사구멍 개폐장치; 및
상기 덕트의 상기 유입구를 통해 상기 내부 공간으로 온도조절용 공기를 공급하기 위한 온도조절기; 를 포함하는 것을 특징으로 하는
테스트핸들러.
A test tray capable of stacking L (L is a natural number greater than 1) semiconductor elements;
A test chamber provided to allow the L semiconductor devices loaded on the test tray to be tested at a temperature condition required;
When the test tray is accommodated in the test chamber, A semiconductor devices loaded in the test tray (A is a natural number equal to or less than L) are pushed to the tester side to electrically connect the semiconductor devices to the tester side. A match plate provided in the test chamber and having one through hole corresponding to one A semiconductor device loaded in the test tray; And
A temperature regulating device for regulating the semiconductor elements loaded in the test tray in the test chamber to a temperature condition of a required condition; Including,
The temperature control device,
It has an inlet for introducing the temperature control air into the interior space, and spraying the temperature control air to the front to supply the temperature control air introduced into the interior space through the inlet to the A semiconductor device loaded in the test tray A duct for forming M (M is a natural number equal to or greater than L), wherein A injection holes are formed at positions corresponding to the A through holes one-to-one; And
An injection hole opening and closing device capable of opening and closing some of the M injection holes; And
A temperature controller for supplying air for temperature control to the internal space through the inlet of the duct; ≪ RTI ID = 0.0 >
Test handler.
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