KR20120090669A - Method for cutting ingot - Google Patents

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주식회사 엘지실트론
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Abstract

PURPOSE: An ingot cutting method is provided to attach an ingot to an attachment block and then cut the ingot, thereby minimizing the cut of a wire. CONSTITUTION: An ingot cutting method comprises the steps of: attaching one side of an ingot(20) having a hexahedral shape to an attachment block, transferring separated wires(10) at high speed, lowering the ingot attached to the attachment block to the wires, and cutting the ingot with the wires into wafers. When attaching the ingot to the attachment block, the length of an attachment side(21) of the ingot is shorter than the length of an opposed side(22) opposite to the attachment block.

Description

잉곳 절단 방법 {Method for cutting ingot}Ingot cutting method {Method for cutting ingot}

본 발명은 잉곳을 절단하여 낱장의 웨이퍼를 생산하기 위한 잉곳 절단 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an ingot cutting method for producing a single wafer by cutting an ingot.

반도체 소자 제조용 재료로서 광범위하게 사용되고 있는 웨이퍼는 단결정 실리콘 박판을 지칭한다. 이러한 웨이퍼(wafer)는, 단결정 실리콘 잉곳(ingot)을 웨이퍼 형태로 얇게 절단하는 슬라이싱 공정, 원하는 웨이퍼의 두께로 연마하면서 평탄도를 개선하는 래핑 공정(lapping), 웨이퍼 내부의 손상층 제거를 위한 식각 공정(etching), 표면 경면화 및 평탄도를 향상시키기 위한 폴리싱 공정(polishing), 웨이퍼 표면의 오염물질을 제거하기 위한 세정 공정(cleaning) 등의 단계를 거쳐 웨이퍼로 생산된다. A wafer widely used as a material for manufacturing a semiconductor device refers to a single crystalline silicon thin film. Such wafers include a slicing process for thinly cutting single crystal silicon ingots in the form of a wafer, a lapping process for improving flatness while polishing to a desired wafer thickness, and etching for removing damage layers inside the wafer. It is produced into a wafer through steps such as etching, polishing to improve surface mirroring and flatness, and cleaning to remove contaminants on the wafer surface.

단결정 실리콘 잉곳은 일반적으로 쵸크랄스키법(Czochralski method)에 따라 성장되어 제조된다. 이 방법은 챔버 내의 도가니에서 다결정 실리콘을 용융시키고, 용융된 실리콘에 단결정인 종자 결정(seed crystal)을 담근 후, 이를 서서히 상승시키면서 원하는 지름의 실리콘 단결정 잉곳으로 성장시키는 방법이다. Single crystal silicon ingots are generally grown and manufactured according to the Czochralski method. This method is a method of melting polycrystalline silicon in a crucible in a chamber, immersing the seed crystal as a single crystal in the molten silicon, and growing it into a silicon single crystal ingot of a desired diameter while gradually raising it.

잉곳의 성장이 완료된 후에는, 낱장의 웨이퍼로 제조하기 위해 잉곳을 낱장 단위로 절단하는 슬라이싱 공정(slicing process)이 진행된다.After the growth of the ingot is completed, a slicing process of cutting the ingot into sheets to produce a single wafer is performed.

이러한 슬라이싱 공정은 여러 가지 방식이 있는데, 그 대표적인 것은 박판 외주 부분에 다이아몬드 입자를 고착시켜 잉곳을 절단하는 O.D.S(Out Diameter Saw) 방식, 도넛(doughnut)형의 박판 내주에 다이아몬드 입자를 고착시켜 잉곳을 절단하는 I.D.S(Inner Diameter Saw) 방식, 그 외 피아노 와이어 또는 고장력 와이어를 빠른 속도로 왕복 주행시키면서 그 위에 슬러리(slurry) 용액을 분사시켜 와이어에 묻은 슬러리와 잉곳의 마찰에 의해 절단하는 와이어 쏘잉(Wire Saw) 방식 등이 있다.This slicing process has a number of methods, the typical one is the ODS (Out Diameter Saw) method to cut the ingot by fixing the diamond particles on the outer peripheral portion of the sheet, the ingot by fixing the diamond particles on the inner circumference of the doughnut type Inner Diameter Saw (Cutting Inner Diameter Saw), other Piano wires or high-strength wires are reciprocated at high speed while spraying a slurry solution on them to cut them by friction between ingots and wires. Saw) method.

이 중에서 와이어 쏘잉(W.S)은 잉곳을 동시에 여러 개의 웨이퍼로 절단할 수 있어 단위 시간당 생산수율을 향상시킬 수 있기 때문에 현재 널리 쓰이고 있는 절단 방법이다.Among them, wire sawing (W.S) is a cutting method that is widely used because the ingot can be cut into several wafers at the same time to improve the production yield per unit time.

이러한 잉곳 절단 공정을 진행하기 전 준비공정으로 잉곳 마운팅 공정이 진행된다. 잉곳 마운팅 공정은 와이어 쏘잉 후에 절단된 웨이퍼가 추락하는 것을 방지하기 위해 사용되는 지지대인 부착대를 접착제를 이용하여 잉곳에 부착한 다음, 부착대가 부착된 잉곳을 접착제를 이용하여 마운팅 블록에 부착하는 공정이다. 마운팅 블록은 잉곳을 이송하기 위한 이송장치에 고정된다. The ingot mounting process is performed as a preparation process before proceeding with the ingot cutting process. The ingot mounting process is a process of attaching a mount, which is a support used to prevent the wafer being cut down, after wire sawing to the ingot with adhesive, and then attaching the ingot with the mount to the mounting block using adhesive. to be. The mounting block is fixed to the conveying device for conveying the ingot.

태양전지용 웨이퍼를 제작하기 위한 잉곳은 육면체로 형상으로 제작된다. 태양전지용 웨이퍼는 두께가 180 내지 200㎛ 수준으로 반도체용 웨이퍼보다 매우 얇은 두께를 갖고 있다. 이러한 얇은 두께로 인해 슬라이싱 공정 중, 와이어가 끊어지는 일이 빈번히 발생되고 있다. An ingot for manufacturing a solar cell wafer is manufactured in the shape of a cube. The wafer for solar cells has a thickness of 180 to 200 µm and is much thinner than that for semiconductor wafers. Due to this thin thickness, wire breaking frequently occurs during the slicing process.

와이어가 단선되면, 단선된 부분에 인접하는 잉곳의 표면에 와이어 자국이 남게 되어 불량으로 처리된다. 또한, 와이어가 단선된 경우, 와이어를 다시 연결해서 해당 부위를 다시 절단하기는 어렵다. When the wire is disconnected, the wire mark remains on the surface of the ingot adjacent to the disconnected portion and is treated as defective. In addition, when the wire is broken, it is difficult to reconnect the wire to cut the portion again.

따라서, 본 발명은 상기 사정을 감안하여 발명한 것으로, 잉곳 절단 공정 중 와이어가 단선되는 경우를 최소화할 수 있는 잉곳 절단 방법을 제공하고자 함에 목적이 있다. Accordingly, the present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide an ingot cutting method capable of minimizing a case where a wire is broken during an ingot cutting process.

전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 의하면, 잉곳 절단 방법은, 육면체 형상을 갖는 잉곳의 한 면을 부착대에 부착하는 단계; 이격된 다수의 와이어를 고속으로 진행시키는 단계; 상기 부착대에 부착된 잉곳을 상기 와이어를 향해 하강하는 단계; 다수의 이격된 와이어에 의해 상기 잉곳을 웨이퍼 형태로 절단하는 단계; 를 포함하고, 상기 잉곳은, 상기 부착대에 부착되는 부착면의 길이방향 길이가 상기 부착면과 마주보는 대향면의 길이방향 길이보다 짧도록 상기 부착대에 부착되는 것을 특징으로 한다. According to an aspect of the present invention for achieving the above object, a method for cutting an ingot, the step of attaching one side of the ingot having a hexahedral shape to the mounting table; Advancing a plurality of spaced apart wires at high speed; Lowering the ingot attached to the mount toward the wire; Cutting the ingot into wafer form by a plurality of spaced wires; It includes, The ingot, characterized in that attached to the mounting so that the longitudinal length of the mounting surface is attached to the mounting table is shorter than the longitudinal length of the opposing surface facing the mounting surface.

또한, 상기 잉곳이 하강하는 방향과 상기 와이어가 진행하는 방향은 직교하고, 상기 잉곳은, 상기 와이어가 상기 잉곳에 들어가는 방향의 전면의 길이방향 길이는 상기 와이어가 상기 잉곳으로부터 나오는 방향의 후면의 길이방향 길이보다 길도록 상기 부착대에 부착되는 것을 특징으로 한다. In addition, the direction in which the ingot descends and the direction in which the wire travels are perpendicular to each other, and the ingot has a length in the longitudinal direction of the front surface of the direction in which the wire enters the ingot, and the length of the rear surface in the direction in which the wire emerges from the ingot. It is characterized in that attached to the mounting so as to be longer than the length of the direction.

또한, 상기 와이어에는 연마제를 포함하는 슬러리가 분사되는 것을 특징으로 한다. In addition, the wire is characterized in that the slurry containing the abrasive is injected.

또한, 상기 슬러리는 상기 와이어 하부의 슬러리 받이에 모인 후, 저장탱크에 저장되어 재사용되는 것을 특징으로 한다. In addition, after the slurry is collected in the slurry tray in the lower portion of the wire, it is characterized in that the storage tank is reused.

또한, 상기 잉곳은 태양전지용 웨이퍼의 생산에 사용되는 것을 특징으로 한다. In addition, the ingot is characterized in that it is used in the production of a wafer for solar cells.

본 발명에 따르면, 잉곳 절단 공정 중 와이어가 단선되는 경우를 최소화할 수 있는 잉곳 절단 방법을 제공할 수 있다. According to the present invention, it is possible to provide an ingot cutting method that can minimize the case that the wire is broken during the ingot cutting process.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 잉곳 절단 장치를 도시하는 도면이다.
도 2는 종래에 잉곳 절단 공정 중 와이어가 단선되는 예를 도시하는 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 잉곳 절단 방법을 설명하는 도면이다. 1 is a view showing an ingot cutting device according to an embodiment of the present invention.
2 is a diagram illustrating an example in which a wire is disconnected during a conventional ingot cutting process.
3 is a view illustrating an ingot cutting method according to an embodiment of the present invention.

이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 구성 및 작용을 상세히 설명하면 다음과 같다. 여기서 각 도면의 구성요소들에 대해 참조부호를 부가함에 있어서 동일한 구성요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호로 표기되었음에 유의하여야 한다.Hereinafter, the configuration and operation of the preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the drawings, like reference numerals refer to like elements throughout. The same reference numerals in the drawings denote like elements throughout the drawings.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 잉곳 절단 장치를 도시하는 도면이다. 1 is a view showing an ingot cutting device according to an embodiment of the present invention.

잉곳 절단 장치는 부착대(26), 마운팅 블록(27), 롤러(31, 32), 와이어(10), 저장탱크(40), 분사노즐(41, 42) 등을 포함한다. The ingot cutting device includes a mounting table 26, a mounting block 27, rollers 31 and 32, a wire 10, a storage tank 40, injection nozzles 41 and 42, and the like.

잉곳(20)은 태양전지용 웨이퍼를 제작하기 위한 것으로, 길이가 긴 육면체 형상으로 절단된다. 잉곳(20)은 접착제에 의해 부착대(26)에 부착된다. The ingot 20 is for manufacturing a solar cell wafer, and is cut into a long hexahedral shape. The ingot 20 is attached to the mounting table 26 by an adhesive.

부착대(26)는 잉곳(20)과 대응되는 길이의 판형으로 형성된다. 부착대(26)에 부착된 잉곳(20)은 마운팅 블록(27)에 고정된다. 마운팅 블록(27)은 이송장치(도시안됨)와 연결되어, 잉곳(20)을 상하로 이동시킬 수 있다. The mounting table 26 is formed in a plate shape having a length corresponding to that of the ingot 20. The ingot 20 attached to the mounting table 26 is fixed to the mounting block 27. The mounting block 27 may be connected to a transfer device (not shown) to move the ingot 20 up and down.

잉곳(20)의 하부에는 롤러(31, 32)가 배치되고, 롤러(31, 32)에 형성된 원주 안내홈(도시안됨)에는 여러 가닥의 와이어(10)가 배열된다. 와이어(10)는 피아노선 또는 고장력 와이어로 구성될 수 있다. 와이어(10)가 감긴 롤러(31, 32)는 모터(33)에 의해 고속으로 회전한다. 그에 따라, 와이어(10)는 예를 들어, 12m/s의 속도로 수평방향으로 진행된다. Rollers 31 and 32 are disposed below the ingot 20, and several strands of wire 10 are arranged in the circumferential guide grooves (not shown) formed in the rollers 31 and 32. The wire 10 may be composed of a piano wire or a high tension wire. The rollers 31 and 32 on which the wire 10 is wound are rotated at high speed by the motor 33. Thus, the wire 10 runs in the horizontal direction, for example, at a speed of 12 m / s.

저장탱크(40)에는 연마제를 포함하는 슬러리가 저장된다. 이러한 슬러리는 펌프(45)에 의해 가압되어, 분사노즐(41, 42)을 통해 와이어(10) 위로 분사된다. 마운팅 블록(27)에 고정된 잉곳(20)이 와이어(10)를 향해 하강하면, 와이어(10)에 묻은 슬러리와 잉곳(20)간의 마찰에 의해 잉곳(20)은 순차적으로 얇은 웨이퍼 형상으로 절단된다.The storage tank 40 stores the slurry containing the abrasive. This slurry is pressurized by the pump 45 and sprayed onto the wire 10 through the spray nozzles 41 and 42. When the ingot 20 fixed to the mounting block 27 descends toward the wire 10, the ingot 20 is sequentially cut into thin wafer shapes by friction between the slurry and the ingot 20 deposited on the wire 10. do.

와이어(10)에 분사된 슬러리는 슬러리 받이(43)에 모인 후, 저장탱크(40)로 보내진다. 저장탱크(40)에 저장된 슬러리는 펌프(45)에 의한 펌핑으로 분사노즐(41, 42)을 통해 다시 분사된다.The slurry sprayed on the wire 10 is collected in the slurry tray 43 and then sent to the storage tank 40. The slurry stored in the storage tank 40 is injected again through the injection nozzles 41 and 42 by pumping by the pump 45.

태양전지용 웨이퍼는 두께가 180 내지 200㎛ 수준으로 반도체용 웨이퍼보다 매우 얇은 두께를 갖고 있다. 그에 따라, 와이어(10)의 두께도 얇아지고, 이러한 얇은 두께로 인해 슬라이싱 공정 중, 와이어(10)가 끊어지는 일이 빈번히 발생된다. The wafer for solar cells has a thickness of 180 to 200 µm and is much thinner than that for semiconductor wafers. As a result, the thickness of the wire 10 is also thin, and this thin thickness frequently causes the wire 10 to break during the slicing process.

와이어(10)가 단선되면, 단선된 부분에 인접하는 잉곳(20)의 표면에 와이어 자국이 남게 되어 불량으로 처리된다. 또한, 와이어(10)가 단선된 경우, 와이어(10)를 다시 연결해서 해당 부위를 다시 절단하기는 어렵다. When the wire 10 is disconnected, the wire marks remain on the surface of the ingot 20 adjacent to the disconnected portion and is treated as defective. In addition, when the wire 10 is disconnected, it is difficult to reconnect the wire 10 to cut the portion again.

도 2는 종래에 잉곳 절단 공정 중 와이어가 단선되는 예를 도시하는 도면이다. 2 is a diagram illustrating an example in which a wire is disconnected during a conventional ingot cutting process.

태양전지용 웨이퍼를 생산하기 위한 잉곳(20)은 길이가 긴 육면체 형상으로 절단된다. 그러나, 실제로 절단된 잉곳(20)은 마주보는 두 변의 길이가 정확하게 같지 않고, 오차를 나타내게 된다. The ingot 20 for producing a solar cell wafer is cut into a long cube. However, ingot 20 actually cut is not exactly the same length of the two sides facing each other, it will show an error.

예를 들어, 잉곳(20)에서 마주보는 두 변 중, 변 a의 길이는 변 b보다 길게 절단될 수 있다. 그에 따라, 잉곳(20)은 경사진 날카로운 면(20')을 갖게 된다. 와이어(10)가 화살표 방향으로 진행할 때, 잉곳(20)의 날카로운 면(20')을 통과하면서 와이어(10')가 단선되는 경우가 빈번히 발생된다.  For example, of two sides facing in the ingot 20, the length of the side a may be cut longer than the side b. Thus, the ingot 20 has an inclined sharp face 20 '. When the wire 10 proceeds in the direction of the arrow, the wire 10 'is frequently disconnected while passing through the sharp surface 20' of the ingot 20.

이는 와이어(10)의 진행방향에서, 와이어(10)가 잉곳(20)에 들어가는 방향의 변(b)의 길이가 와이어(10)가 잉곳(20)으로부터 나오는 방향의 변(a)의 길이보다 짧은 경우에 흔히 발생된다. This means that in the traveling direction of the wire 10, the length of the side b in the direction in which the wire 10 enters the ingot 20 is greater than the length of the side a in the direction in which the wire 10 emerges from the ingot 20. It often occurs in short cases.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 잉곳 절단 방법을 설명하는 도면이다. 3 is a view illustrating an ingot cutting method according to an embodiment of the present invention.

도 1 및 도 3을 참조하면, 와이어(10)는 수평방향으로 진행되고, 잉곳(20)은 와이어(10)의 진행방향과 직교하는 방향으로 위에서 아래로 하강한다. 1 and 3, the wire 10 proceeds in a horizontal direction, and the ingot 20 descends from top to bottom in a direction orthogonal to the traveling direction of the wire 10.

육면체 형상의 잉곳(20)은 부착대(26)에 한 면이 부착된 상태에서 아래로 하강한다. The cube-shaped ingot 20 is lowered in a state where one surface is attached to the mounting table 26.

와이어(10)가 잉곳(20)을 절단하면서 진행할 때, 도 2에 도시된 바와 같은 잉곳(20)의 경사진 날카로운 면(20')을 와이어(10)가 지나지 않도록 하는 것이 와이어(10)의 단선을 줄이는 방법이 된다. As the wire 10 proceeds while cutting the ingot 20, it is not necessary for the wire 10 to pass through the inclined sharp surface 20 ′ of the ingot 20 as shown in FIG. 2. It is a way to reduce disconnection.

와이어(10)의 진행방향으로 잉곳(20)의 경사진 날카로운 면(20')이 생기지 않도록 하려면, 와이어(10)가 잉곳(20)에 들어가면서 만나는 면(또는 전면)(23)의 길이방향 길이(c)는 와이어(10)가 잉곳(20)으로부터 나오는 방향의 면(또는 후면)(24)의 길이방향 길이(d)보다 길어야 한다. 즉, 잉곳(20)의 전면(23)의 길이방향 길이(c)는 후면(24)의 길이방향 길이(d)보다 길어야 한다. 이러한 경우, 와이어(10)가 잉곳(20)을 절단하면서 진행할 때, 와이어(10)는 잉곳(20)의 경사진 날카로운 면을 지나지 않게 된다. In order to prevent the inclined sharp surface 20 'of the ingot 20 from forming in the traveling direction of the wire 10, the longitudinal length of the surface (or front surface) 23 where the wire 10 meets as it enters the ingot 20. (c) should be longer than the longitudinal length (d) of the face (or back) 24 in the direction from which the wire 10 emerges from the ingot 20. That is, the longitudinal length c of the front surface 23 of the ingot 20 should be longer than the longitudinal length d of the rear surface 24. In this case, when the wire 10 proceeds while cutting the ingot 20, the wire 10 does not pass through the inclined sharp surface of the ingot 20.

또한, 잉곳(20)이 위에서 아래로 와이어(10)를 향해 하강할 때도, 와이어(10)는 잉곳(20)의 경사진 날카로운 면(20')을 만나지 않는 것이 와이어(10)의 단선을 줄이는 방법이 된다. In addition, even when the ingot 20 descends from the top to the bottom of the wire 10, the wire 10 does not meet the inclined sharp surface 20 ′ of the ingot 20, thereby reducing the disconnection of the wire 10. It is a way.

잉곳(20)이 부착대(26)에 부착되는 면(21)을 부착면이라 하고, 상기 부착면(21)과 마주보는 면(22)을 대향면이라 한다. 잉곳(20)이 위에서 아래로 와이어(10)를 향해 하강할 때, 와이어(10)가 잉곳(20)의 경사진 날카로운 면(20')을 만나지 않도록 하려면, 부착면(22)의 길이방향 길이가 대향면(22)의 길이방향 길이보다 짧아야 한다. 이러한 경우, 잉곳(20)이 위에서 아래로 와이어(10)를 향해 하강할 때, 와이어(10)는 진행방향으로 진행하면서 잉곳(20)의 경사진 날카로운 면(20')을 지나지 않게 된다. A surface 21 on which the ingot 20 is attached to the mounting table 26 is called an attaching surface, and a surface 22 facing the attaching surface 21 is called an opposing surface. When ingot 20 descends from top to bottom toward wire 10, the longitudinal length of attachment surface 22 is such that wire 10 does not meet the inclined sharp surface 20 ′ of ingot 20. Should be shorter than the longitudinal length of the opposing face 22. In this case, when the ingot 20 descends from top to bottom toward the wire 10, the wire 10 does not pass the inclined sharp surface 20 ′ of the ingot 20 while traveling in the advancing direction.

잉곳(20)은 길이가 긴 육면체 형상을 가지므로, 잉곳(20)이 부착대(26)에 부착될 수 있는 면은 6개의 면 중 4개의 면이 된다. 예를 들어, 도 3에서 잉곳(20)의 6개의 면 중 부착대(26)에 부착될 수 있는 면은 도면부호 21, 22, 23, 24로 표시되는 면이 된다. 이러한 4개의 면 중 하나의 면을 선택해서 잉곳(20)은 부착대(26)에 부착된다. 본 실시예에서는, 도면부호 21로 표시되는 면을 부착면으로 하였다. Since the ingot 20 has a long hexahedral shape, the surface on which the ingot 20 can be attached to the mounting table 26 becomes four of six surfaces. For example, in FIG. 3, a surface that may be attached to the mounting table 26 among the six surfaces of the ingot 20 may be a surface indicated by reference numerals 21, 22, 23, and 24. By selecting one of these four surfaces, the ingot 20 is attached to the mounting table 26. In this embodiment, the surface indicated by 21 is used as an attachment surface.

따라서, 잉곳(20)은 부착대(26)에 부착될 때, 부착면(21)의 길이방향 길이가 대향면(22)의 길이방향 길이보다 짧도록 선택하여 부착된다. 또한, 잉곳(20)은 부착대(26)에 부착될 때, 잉곳(20)의 전면(23)의 길이방향 길이가 후면(24)의 길이방향 길이보다 길도록 선택하여 부착된다. Thus, when the ingot 20 is attached to the mounting table 26, the ingot 20 is selected and attached such that the longitudinal length of the attachment surface 21 is shorter than the longitudinal length of the opposing surface 22. In addition, when the ingot 20 is attached to the mounting table 26, the ingot 20 is selected and attached such that the longitudinal length of the front surface 23 of the ingot 20 is longer than the longitudinal length of the rear surface 24.

이러한 방법으로 잉곳(20)을 부착대(26)에 부착하여 잉곳(20)의 절단함으로써, 종래에 비해 와이어(10)가 단선되는 경우를 최소화할 수 있다.By attaching the ingot 20 to the mounting table 26 in this manner and cutting the ingot 20, it is possible to minimize the case where the wire 10 is disconnected as compared with the related art.

본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고 본 발명의 기술적 요지를 벗어나지 아니하는 범위 내에서 다양하게 수정 또는 변형되어 실시될 수 있음은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어서 자명한 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit and scope of the invention will be.

10 : 와이어 20 : 잉곳
21 : 부착면 22 : 대향면
23 : 전면 24 : 후면
26 : 부착대 27 : 마운팅 블록
31, 32 : 롤러 33 : 모터
40 : 저장탱크 41, 42 : 분사노즐
43 : 슬러리 받이 45 : 펌프10: wire 20: ingot
21: mounting surface 22: facing surface
23: front 24: rear
26: mounting base 27: mounting block
31, 32: roller 33: motor
40: storage tank 41, 42: injection nozzle
43: slurry receiving 45: pump

Claims (5)

잉곳 절단 방법에 있어서.
육면체 형상을 갖는 잉곳의 한 면을 부착대에 부착하는 단계;
이격된 다수의 와이어를 고속으로 진행시키는 단계;
상기 부착대에 부착된 잉곳을 상기 와이어를 향해 하강하는 단계;
다수의 이격된 와이어에 의해 상기 잉곳을 웨이퍼 형태로 절단하는 단계;
를 포함하고,
상기 잉곳은, 상기 부착대에 부착되는 부착면의 길이방향 길이가 상기 부착면과 마주보는 대향면의 길이방향 길이보다 짧도록 상기 부착대에 부착되는 것을 특징으로 하는 잉곳 절단 방법.In ingot cutting method.
Attaching one side of the ingot having a hexahedron shape to the mount;
Advancing a plurality of spaced apart wires at high speed;
Lowering the ingot attached to the mount toward the wire;
Cutting the ingot into wafer form by a plurality of spaced wires;
Including,
The ingot is ingot cutting method characterized in that attached to the mounting table so that the longitudinal length of the mounting surface attached to the mounting table is shorter than the longitudinal length of the opposing surface facing the mounting surface. 제1항에 있어서,
상기 잉곳이 하강하는 방향과 상기 와이어가 진행하는 방향은 직교하고,
상기 잉곳은, 상기 와이어가 상기 잉곳에 들어가는 방향의 전면의 길이방향 길이는 상기 와이어가 상기 잉곳으로부터 나오는 방향의 후면의 길이방향 길이보다 길도록 상기 부착대에 부착되는 것을 특징으로 하는 잉곳 절단 방법.The method of claim 1,
The direction in which the ingot descends and the direction in which the wire travels are orthogonal to each other,
The ingot, ingot cutting method characterized in that the longitudinal length of the front surface in the direction in which the wire enters the ingot is attached to the attachment so that the wire is longer than the longitudinal length of the rear surface in the direction from the ingot. 제1항에 있어서,
상기 와이어에는 연마제를 포함하는 슬러리가 분사되는 것을 특징으로 하는 잉곳 절단 방법.The method of claim 1,
The wire is ingot cutting method characterized in that the slurry containing the abrasive is injected. 제3항에 있어서,
상기 슬러리는 상기 와이어 하부의 슬러리 받이에 모인 후, 저장탱크에 저장되어 재사용되는 것을 특징으로 하는 잉곳 절단 방법. The method of claim 3,
The slurry is collected in the slurry receiving portion of the lower wire, ingot cutting method characterized in that the storage tank is reused. 제1항에 있어서,
상기 잉곳은 태양전지용 웨이퍼의 생산에 사용되는 것을 특징으로 하는 잉곳 절단 방법.The method of claim 1,
The ingot is an ingot cutting method, characterized in that used in the production of wafers for solar cells.
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