【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体基板の製造方法に関し、特に太陽電池素子などを形成するための半導体基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体素子や太陽電池に用いられる半導体基板は、チョコラルスキー法や鋳造法で作成された単結晶や多結晶の半導体インゴットから形成される。
【０００３】
例えば多結晶シリコン基板は一般的にキャスティング法と呼ばれる方法で製造される。このキャスティング法とは、離型材を塗布した黒鉛などからなる鋳型内のシリコン融液を冷却固化することによってシリコンインゴットを形成する方法である。
【０００４】
このシリコンインゴットの端部を除去したり、所望の大きさに切断して切り出し、切り出したインゴットを所望の厚みにスライスして多結晶シリコン基板を得る。
【０００５】
このようなインゴットから一定の厚みの基板を切り出す装置としてワイヤーソーが用いられる。
【０００６】
このワイヤーソーによるインゴットのスライス方法を図３を用いて説明する。同図において、１はスラリー供給ノズル、２はスラリー受け、３ａ、３ｂはインゴット、４はワークプレート、５は間隔保持用ローラ、６はワイヤー、７はディップ槽、８はワイヤー供給リールである。
【０００７】
このワイヤーソーは、直径約１００〜３００μｍのピアノ線などの一本のワイヤー６を通常２〜４本の間隔保持用ローラー５上に設けた多数の溝に巻きつけて一定ピッチで互いに平行となるように配置し、ワイヤーを一方向または双方向に走行させる。
【０００８】
このワイヤー６にスラリー供給ノズル１からスラリー受け２を介してスラリーと呼ばれるオイルまたは水にＳｉＣなどの砥粒を混合した切削液を供給しながらインゴット３（３ａ、３ｂ）をワイヤー６に押圧してインゴット３の下方から上方に向けて徐々にスライスしていく。つまり、ワイヤー６によって運ばれた砥粒の切削力によってインゴット３をスライスする。スラリーは下方で回収し複数回繰り返して使用する。
【０００９】
このワイヤーソーによるスライスによれば、多数の半導体基板を同時にスライスすることができ、また、外周刃や内周刃などを使用する他のスライス方法と比べてスライス精度が高くかつ使用しているワイヤーが細いためカーフロス（切り代）を少なくできるという利点がある。
【００１０】
図４はワークプレート４とインゴット３の従来の固定方法を説明するための図である。同図において、３はインゴット、４はワークプレート、９は支持部材、１０はクランプ、１１は接着剤を示す。
【００１１】
インゴット３をカーボンなどからなる支持部材９にエポキシ系接着剤などで接着し、その支持部材９をワークプレート４にクランプ１０で固定して、ワイヤーソーにセットし、スライスすることで複数の基板が形成される。
【００１２】
このとき、支持部材９の一部までスライスすることで、インゴット３をすべてスライスすることができる。その後、この複数の基板を支持部材９に接着した状態で洗浄して乾燥し、そして、基板を支持部材９から剥離するのが一般的である（例えば、特許文献１参照）。
【００１３】
また、このとき使用する支持部材９としてはカーボン板以外にガラスを使用することも一般的に行われている（例えば、特許文献２参照）。
【００１４】
【特許文献１】
特開平６−４５２９７号公報
【００１５】
【特許文献２】
特開２００３−１４５４０７号公報
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、支持部材９にカーボン板を使用した場合、支持部材９の一部までスライスする際に、カーボンの切り粉がスラリーに混入し、これにより、スラリーの切削性を低下させたり、ワイヤーが滑りスライス基板に悪影響を及ぼすという問題が発生することがあった。
【００１７】
また、ワイヤーの撓みを回避しておかないと、ワイヤーに付着した砥粒がカーボン板に剥ぎ取られてしまい、インゴットに到着しないことで、スライス基板に悪影響を及ぼすという問題もあった。
【００１８】
このとき、支持部材９にガラス材を使用することで、上記問題を解決することができる。これはガラス材の場合、ワイヤーに付着した砥粒が剥ぎ取られることが少ないからである。
【００１９】
しかしながら、この場合、支持部材９であるガラス材と直接接触するワークプレート４の表面に凹凸があったり、支持部材９とワークプレート４の間にごみなどの異物が挟まったりすると、支持部材９であるガラス材が割れ、インゴット３が落下して破損するなどの問題があった。
【００２０】
本発明はこのような問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的はスラリーを複数回繰り返し使用しても切削性の低下を招くことなく、スライス基板に与える影響を抑制し、インゴットの落下による破損を防止した半導体基板の製造方法を提供することにある。
【００２１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明の請求項１に係る半導体基板の製造方法においては、半導体材料から成るインゴットを支持部材に接着し、この支持部材をワークプレートに固定し、しかる後にこのインゴットをスライスして複数の基板を形成する半導体基板の製造方法において、前記支持部材はガラス材からなるとともに、前記支持部材とワークプレートの間に緩衝材を介在させたことを特徴とする。
【００２２】
本発明の請求項２に係る半導体基板の製造方法は、前記緩衝材が弾性を有することを特徴とする。
【００２３】
本発明の請求項３に係る半導体基板の製造方法は、前記緩衝材が接着性を有することを特徴とする。
【００２４】
本発明の請求項４に係る半導体基板の製造方法は、前記緩衝材が樹脂シートであることを特徴とする。
【００２５】
本発明の請求項５に係る半導体基板の製造方法は、前記支持部材を前記ワークプレートにクランプ固定したことを特徴とする。
【００２６】
【発明実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図を用いて詳細に説明する。
【００２７】
本発明においても、インゴットから一定の厚みの基板を切り出す装置としてワイヤーソーが用いられる。
【００２８】
このワイヤーソーの基本構造は図３に示す従来のものと同様である。
【００２９】
すなわち、直径約１００〜３００μｍのピアノ線などの一本のワイヤー６を通常２〜４本の間隔保持用ローラー５上に設けた多数の溝に巻きつけて一定ピッチで互いに平行となるように配置し、ワイヤー６を一方向または双方向に走行させる。
【００３０】
このワイヤー６にスラリー供給ノズル１からスラリー受け２を介してスラリーと呼ばれるオイルまたは水にＳｉＣなどの砥粒を混合した切削液を供給しながらインゴット３（３ａ、３ｂ）をワイヤー６に押圧してインゴット３の下方から上方に向けて徐々にスライスしていく。つまり、ワイヤー６によって運ばれた砥粒の切削力によってインゴット３をスライスする。スラリーは下方で回収し複数回繰り返して使用する。
【００３１】
図１は本発明に係る半導体基板の製造方法を説明する図であって、ワークプレートにインゴットを固定する方法を説明する。
【００３２】
同図において、３はインゴット、４はワークプレート、９は支持部材、１１は接着剤、１２は緩衝材を示す。
【００３３】
そして、本発明によれば、支持部材９はガラス材からなっているとともに、支持部材９とワークプレート４の間に緩衝材１２を介在させてスライスすることを特徴とする。
【００３４】
このようなガラス材は、例えば青板ガラス、白板ガラス、石英板ガラスなど、板状のものであればどのようなものでも構わない。しかしそのコストの観点から青板ガラスを選択するのが適当である。
【００３５】
支持部材９としてガラス材を使用することにより、スラリーの切削性を低下させたり、ワイヤーが滑りスライス基板に悪影響を及ぼすという問題点が解消され、さらにワイヤーの撓みを回避しておかないとスライス基板に悪影響を及ぼすという問題点が解消される。
【００３６】
また、ガラス材からなる支持部材９とワークプレート４の間に緩衝材１２を介在させてスライスすることにより、支持部材９であるガラスと直接接触するワークプレート４の表面に凹凸があったり、支持部材９とワークプレート４の間にごみなどの異物が挟まったりしても、これらの影響を緩衝材１２が緩和することになるので、支持部材９であるガラスがすべての衝撃を受け割れるといった問題を抑制することができる。
【００３７】
緩衝材１２としては接着剤、樹脂、または樹脂シート、発泡スチロール、発泡ウレタン、石膏、ワックスなどがあげられる。
【００３８】
また、緩衝材１２は弾性を有するのが望ましい。すなわち、弾性を有する緩衝材１２を用いることで、支持部材９であるガラス材と直接接触するワークプレート４の表面に凹凸があったり、支持部材９とワークプレート４の間にごみなどの異物が挟まったりしても、これらの影響を緩衝材１２が吸収し、これにより、支持部材９であるガラス材への衝撃はなくなり、割れるといった問題を抑止することができる。
【００３９】
このような弾性を有する緩衝材としては弾性接着剤、弾性樹脂またはシート、発泡スチロール、発泡ウレタンなどがあげられる。
【００４０】
また、緩衝材が接着性を有していれば、ワークプレート４と支持部材９を機械的に固定する必要がなくなるため更に有効である。
【００４１】
図２は本発明に係る半導体基板の別の製造方法を説明する図である。
【００４２】
同図において、３はインゴット、４はワークプレート、９は支持部材、１０はクランプ、１１は接着剤、１２は緩衝材を示す。
【００４３】
緩衝材１２として接着性を有する材料を使用した場合には図１に示すようにワークプレート４と支持部材９を、緩衝材を用いて直接固定する。
【００４４】
しかしながら、図２に示すようにクランプ１０などで機械的にワークプレート４と支持部材９をとめることにより、緩衝材に接着性がなくてもワークプレート４と支持部材９を固定することが可能になる。
【００４５】
特に樹脂シートを用いることで、スライス後、緩衝材を繰り返し使用することができるようになるとともに、支持部材９であるガラス材を破損しなくても、ワークプレート４からインゴット３を取り外すことができる。
【００４６】
また、ガラス材を破損させないので、スライス後、従来のように支持部材９と半導体基板を貼りつけたまま洗浄、乾燥を行うことができる。さらに破損したガラスをワークプレート４からはがすという手間が発生することも未然に防ぐことができる。
【００４７】
なお、本発明は上記実施形態例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変更や改良等はなんら差し支えない。
【００４８】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、半導体材料から成るインゴットを支持部材に接着し、支持部材をワークプレートに固定した上で、このインゴットをスライスして複数の基板を形成する半導体基板の製造方法において、前記支持部材はガラス材からなるとともに、この支持部材とワークプレートの間に緩衝材を介在させてスライスする。このように支持部材としてガラス材を使用することにより、従来のごとく、カーボン材を使用していたときのように、カーボンの切り粉がスラリーに混入し、スラリーの切削性を低下させたり、ワイヤーが滑りスライス基板に悪影響を及ぼすという問題、また、ワイヤーに付着している砥粒がカーボンによって剥ぎ取られてしまい、ワイヤーの撓みを回避しておかないとスライス基板に悪影響を及ぼすという問題を回避することができた。
【００４９】
よって、スラリーの繰り返し使用回数が増加するとともに、スライス基板の厚みの不均一や、表面の傷、波うちなどの問題を未然に防ぐことができ、高い効率でもって半導体基板を製造することができるようになった。
【００５０】
また、本発明によれば、ガラス材からなる支持部材とワークプレートの間に緩衝材を介在させてスライスすることにより、支持部材であるガラス材と直接接触するワークプレートの表面に凹凸があったり、支持部材とワークプレートの間にごみなどの異物が挟まったりしても、これらの影響を緩衝材が緩和することになるので、支持部材であるガラス材がすべての衝撃を受け割れるといった問題を抑制することができる。
【００５１】
さらにまた、このような緩衝材は弾性を有していたほうがよく、これにより、支持部材であるガラスと直接接触するワークプレートの表面に凹凸があったり、支持部材とワークプレートの間にごみなどの異物が挟まったりしても、これらの影響を緩衝材が吸収することになり、その結果、支持部材であるガラス材への衝撃はなくなり、割れるといった問題を抑止したり、解消できる。
【００５２】
したがって、支持部材であるガラス材を繰り返し使用することができるとともに、ガラス材が割れ、インゴット３が落下するという問題の発生を未然に回避することができる。
【００５３】
また、緩衝材は接着性を有するものでもよく、これにより、ワークプレートと支持部材を機械的に固定する必要がなくなり、その結果、支持部材であるガラス材の割れを更に有効に抑止することができる。
【００５４】
さらにまた、緩衝材は樹脂シートであってもよく、これにより、スライス後に緩衝材を繰り返し使用することができるとともに、支持部材であるガラス材を破損したり、特別な剥離液で支持部材と半導体基板を洗浄したりしなくても、ワークプレートからインゴットを取り外すことができる。また、ガラスを破損させないので、スライス後、従来のように支持部材と半導体基板を貼りつけたまま洗浄、乾燥を行うことができる。さらに破損したガラス材をワークプレートからはがすという手間が発生することも未然に防ぐことができる。よって、作業性が大幅に向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る半導体基板の形成方法の一実施例を説明するための図である。
【図２】本発明に係る半導体基板の形成方法の他の実施例を説明するための図である。
【図３】一般的な半導体基板の形成装置であるワイヤーソーの構造を説明するための図である。
【図４】従来の半導体基板の形成方法を説明するための図である。
【符号の説明】
１・・・スラリー供給ノズル、２・・・スラリー受け、３・・・インゴット、４・・・ワークプレート、５・・・間隔保持用ローラ、６・・・ワイヤー、７・・・ディップ槽、８・・・ワイヤー供給リール、９・・・支持部材、１０・・・クランプ、１１・・・接着剤、１２・・・緩衝材[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor substrate, and more particularly to a method for manufacturing a semiconductor substrate for forming a solar cell element or the like.
[0002]
[Prior art]
A semiconductor substrate used for a semiconductor element or a solar cell is formed from a single crystal or polycrystalline semiconductor ingot prepared by a chocolate ski method or a casting method.
[0003]
For example, a polycrystalline silicon substrate is manufactured by a method generally called a casting method. This casting method is a method of forming a silicon ingot by cooling and solidifying a silicon melt in a mold made of graphite or the like coated with a release material.
[0004]
The ends of the silicon ingot are removed or cut to a desired size, and the cut ingot is sliced to a desired thickness to obtain a polycrystalline silicon substrate.
[0005]
A wire saw is used as an apparatus for cutting out a substrate having a certain thickness from such an ingot.
[0006]
An ingot slicing method using this wire saw will be described with reference to FIG. In the figure, 1 is a slurry supply nozzle, 2 is a slurry receiver, 3a and 3b are ingots, 4 is a work plate, 5 is a spacing roller, 6 is a wire, 7 is a dip tank, and 8 is a wire supply reel.
[0007]
In this wire saw, a single wire 6 such as a piano wire having a diameter of about 100 to 300 μm is usually wound around a plurality of grooves provided on two to four spacing rollers 5 to be parallel to each other at a constant pitch. So that the wire travels in one direction or in both directions.
[0008]
The ingot 3 (3a, 3b) is pressed against the wire 6 while supplying a cutting fluid obtained by mixing abrasive grains such as SiC into oil or water called slurry through the slurry receiver 2 from the slurry supply nozzle 1 to the wire 6. Slice gradually from the bottom of the ingot 3 upward. That is, the ingot 3 is sliced by the cutting force of the abrasive grains carried by the wire 6. The slurry is collected at the bottom and used repeatedly several times.
[0009]
With this wire saw, a large number of semiconductor substrates can be sliced at the same time, and the wire is used with higher slicing accuracy than other slicing methods that use an outer peripheral blade or inner peripheral blade. Since it is thin, there is an advantage that kerf loss (cutting allowance) can be reduced.
[0010]
FIG. 4 is a view for explaining a conventional fixing method of the work plate 4 and the ingot 3. In the figure, 3 is an ingot, 4 is a work plate, 9 is a support member, 10 is a clamp, and 11 is an adhesive.
[0011]
The ingot 3 is bonded to a support member 9 made of carbon or the like with an epoxy adhesive or the like, the support member 9 is fixed to the work plate 4 with a clamp 10, set on a wire saw, and sliced to form a plurality of substrates. It is formed.
[0012]
At this time, all of the ingot 3 can be sliced by slicing up to a part of the support member 9. Thereafter, the plurality of substrates are generally washed and dried in a state of being bonded to the support member 9, and the substrate is generally peeled off from the support member 9 (see, for example, Patent Document 1).
[0013]
In addition, as the support member 9 used at this time, it is also common to use glass in addition to the carbon plate (see, for example, Patent Document 2).
[0014]
[Patent Document 1]
JP-A-6-45297 [0015]
[Patent Document 2]
Japanese Patent Laid-Open No. 2003-145407
[Problems to be solved by the invention]
However, when a carbon plate is used for the support member 9, when slicing to a part of the support member 9, carbon chips are mixed into the slurry, thereby reducing the cutting property of the slurry or causing the wire to slip. There has been a problem that the slice substrate is adversely affected.
[0017]
In addition, unless the bending of the wire is avoided, the abrasive particles attached to the wire are peeled off by the carbon plate, and there is a problem that the slice substrate is adversely affected by not reaching the ingot.
[0018]
At this time, the above problem can be solved by using a glass material for the support member 9. This is because in the case of a glass material, the abrasive grains attached to the wire are rarely peeled off.
[0019]
However, in this case, if the surface of the work plate 4 that is in direct contact with the glass material that is the support member 9 is uneven, or if foreign matter such as dust is caught between the support member 9 and the work plate 4, the support member 9 There was a problem that a certain glass material was broken and the ingot 3 was dropped and damaged.
[0020]
The present invention has been completed in view of such problems, and the purpose thereof is to suppress the influence on the slice substrate without reducing the cutting ability even when the slurry is repeatedly used a plurality of times. An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a semiconductor substrate that prevents damage due to dropping.
[0021]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, in a method of manufacturing a semiconductor substrate according to claim 1 of the present invention, an ingot made of a semiconductor material is bonded to a support member, the support member is fixed to a work plate, and then the ingot is attached to the work plate. In the method of manufacturing a semiconductor substrate in which a plurality of substrates are formed by slicing, the support member is made of a glass material, and a buffer material is interposed between the support member and the work plate.
[0022]
The method of manufacturing a semiconductor substrate according to claim 2 of the present invention is characterized in that the buffer material has elasticity.
[0023]
The method for manufacturing a semiconductor substrate according to claim 3 of the present invention is characterized in that the buffer material has adhesiveness.
[0024]
The method of manufacturing a semiconductor substrate according to claim 4 of the present invention is characterized in that the buffer material is a resin sheet.
[0025]
A method of manufacturing a semiconductor substrate according to a fifth aspect of the present invention is characterized in that the support member is clamped and fixed to the work plate.
[0026]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
[0027]
Also in the present invention, a wire saw is used as an apparatus for cutting out a substrate having a certain thickness from an ingot.
[0028]
The basic structure of this wire saw is the same as the conventional one shown in FIG.
[0029]
That is, a single wire 6 such as a piano wire having a diameter of about 100 to 300 μm is usually wound around a number of grooves provided on two to four spacing rollers 5 and arranged so as to be parallel to each other at a constant pitch. Then, the wire 6 is caused to travel in one direction or both directions.
[0030]
The ingot 3 (3a, 3b) is pressed against the wire 6 while supplying a cutting fluid obtained by mixing abrasive grains such as SiC into oil or water called slurry through the slurry receiver 2 from the slurry supply nozzle 1 to the wire 6. Slice gradually from the bottom of the ingot 3 upward. That is, the ingot 3 is sliced by the cutting force of the abrasive grains carried by the wire 6. The slurry is collected at the bottom and used repeatedly several times.
[0031]
FIG. 1 is a view for explaining a method for manufacturing a semiconductor substrate according to the present invention, and a method for fixing an ingot to a work plate.
[0032]
In the figure, 3 is an ingot, 4 is a work plate, 9 is a support member, 11 is an adhesive, and 12 is a cushioning material.
[0033]
According to the present invention, the support member 9 is made of a glass material and is sliced with the cushioning material 12 interposed between the support member 9 and the work plate 4.
[0034]
Such a glass material may be any plate-shaped material such as blue plate glass, white plate glass, and quartz plate glass. However, it is appropriate to select soda glass from the viewpoint of cost.
[0035]
By using a glass material as the support member 9, the problem that the cutting property of the slurry is lowered or the wire has a bad influence on the sliding slice substrate is solved, and further, the bending substrate of the wire must be avoided. The problem of adversely affecting the problem is solved.
[0036]
Further, by slicing with the buffer material 12 interposed between the support member 9 made of a glass material and the work plate 4, the surface of the work plate 4 in direct contact with the glass that is the support member 9 has irregularities or is supported. Even if foreign matter such as dust is caught between the member 9 and the work plate 4, the buffer material 12 will alleviate these influences, so that the glass as the support member 9 is subject to all impacts. Can be suppressed.
[0037]
Examples of the buffer material 12 include an adhesive, a resin, or a resin sheet, polystyrene foam, urethane foam, gypsum, and wax.
[0038]
Moreover, it is desirable that the buffer material 12 has elasticity. That is, by using the cushioning material 12 having elasticity, the surface of the work plate 4 that is in direct contact with the glass material that is the support member 9 is uneven, or foreign matter such as dust is present between the support member 9 and the work plate 4. Even if it is caught, the shock absorbing material 12 absorbs these influences, so that the impact on the glass material as the support member 9 is eliminated and the problem of cracking can be suppressed.
[0039]
Examples of such an elastic buffer material include an elastic adhesive, an elastic resin or sheet, a polystyrene foam, a urethane foam, and the like.
[0040]
Further, if the buffer material has adhesiveness, it is more effective because it is not necessary to mechanically fix the work plate 4 and the support member 9.
[0041]
FIG. 2 is a diagram for explaining another method for manufacturing a semiconductor substrate according to the present invention.
[0042]
In the figure, 3 is an ingot, 4 is a work plate, 9 is a support member, 10 is a clamp, 11 is an adhesive, and 12 is a cushioning material.
[0043]
When a material having adhesiveness is used as the buffer material 12, the work plate 4 and the support member 9 are directly fixed using the buffer material as shown in FIG.
[0044]
However, as shown in FIG. 2, the work plate 4 and the support member 9 can be mechanically stopped by the clamp 10 or the like, so that the work plate 4 and the support member 9 can be fixed even if the cushioning material is not adhesive. Become.
[0045]
In particular, by using a resin sheet, the buffer material can be repeatedly used after slicing, and the ingot 3 can be removed from the work plate 4 without damaging the glass material as the support member 9. .
[0046]
Moreover, since the glass material is not damaged, after slicing, it can be washed and dried with the support member 9 and the semiconductor substrate attached as in the conventional case. Furthermore, it is possible to prevent the trouble of removing the broken glass from the work plate 4 in advance.
[0047]
Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications and improvements can be made without departing from the scope of the present invention.
[0048]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, a method for manufacturing a semiconductor substrate includes bonding an ingot made of a semiconductor material to a support member, fixing the support member to a work plate, and slicing the ingot to form a plurality of substrates. The support member is made of a glass material, and is sliced with a cushioning material interposed between the support member and the work plate. In this way, by using a glass material as a support member, as in the case of using a carbon material as in the past, carbon chips are mixed into the slurry, and the cutting ability of the slurry is reduced. To avoid the problem of adversely affecting the slicing substrate, and the abrasive particles adhering to the wire will be peeled off by the carbon, and if the bending of the wire is not avoided, the slicing substrate will be adversely affected. We were able to.
[0049]
Accordingly, the number of times the slurry is repeatedly used increases, and problems such as uneven thickness of the sliced substrate, surface scratches, and waviness can be prevented, and a semiconductor substrate can be manufactured with high efficiency. It became so.
[0050]
Further, according to the present invention, the surface of the work plate that is in direct contact with the glass material as the support member is uneven by slicing the buffer material between the support member made of the glass material and the work plate. Even if foreign matter such as dust gets caught between the support member and the work plate, the buffer material will alleviate these effects, so the problem is that the glass material that is the support member can receive all impacts. Can be suppressed.
[0051]
Furthermore, it is better for such a cushioning material to have elasticity, so that there is unevenness on the surface of the work plate that is in direct contact with the glass as the support member, or dust is present between the support member and the work plate. Even if foreign matter is caught, the buffer material absorbs these influences. As a result, the impact on the glass material as the support member is eliminated, and the problem of cracking can be suppressed or eliminated.
[0052]
Accordingly, the glass material as the support member can be used repeatedly, and the occurrence of the problem that the glass material is broken and the ingot 3 falls can be avoided.
[0053]
Further, the cushioning material may have adhesiveness, which eliminates the need to mechanically fix the work plate and the supporting member, and as a result, it is possible to more effectively suppress the breakage of the glass material that is the supporting member. it can.
[0054]
Furthermore, the buffer material may be a resin sheet, so that the buffer material can be used repeatedly after slicing, the glass material which is the support member is damaged, or the support member and the semiconductor with a special release liquid. The ingot can be removed from the work plate without cleaning the substrate. Further, since the glass is not broken, after slicing, it can be washed and dried with the supporting member and the semiconductor substrate attached as in the prior art. Furthermore, it is possible to prevent the trouble of peeling the broken glass material from the work plate. Therefore, workability is greatly improved.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a view for explaining an embodiment of a method for forming a semiconductor substrate according to the present invention.
FIG. 2 is a view for explaining another embodiment of the method for forming a semiconductor substrate according to the present invention.
FIG. 3 is a view for explaining the structure of a wire saw that is a general semiconductor substrate forming apparatus;
FIG. 4 is a diagram for explaining a conventional method of forming a semiconductor substrate.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Slurry supply nozzle, 2 ... Slurry receptacle, 3 ... Ingot, 4 ... Work plate, 5 ... Spacing roller, 6 ... Wire, 7 ... Dip tank, DESCRIPTION OF SYMBOLS 8 ... Wire supply reel, 9 ... Support member, 10 ... Clamp, 11 ... Adhesive, 12 ... Buffer material
