KR20120085955A - 다층형 전자기파 흡수체 및 다층형 전자기파 흡수체 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 다층형 전자기파 흡수체 및 다층형 전자기파 흡수체 제조방법에 관한 것으로, 상세하게는, 얇은 두께로 광대역의 흡수성능을 나타내기 위한 다층형 전자기파 흡수체 및 다층형 전자기파 흡수체 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, 표면층용 유전성손실혼합물 및 표면층용 자성손실혼합물 중 하나 이상을 포함하는 표면층; 표면층용 유전성손실혼합물의 손실성보다 높은 손실성을 가진 흡수층용 유전성손실혼합물, 및 표면층용 자성손실혼합물의 손실성보다 높은 손실성을 가진 흡수층용 자성손실혼합물을 포함하고, 표면층의 배면에 적층된 흡수층; 및 흡수층의 배면에 적층되어 있으며, 도전성물질을 포함하는 경계층을 구비하는 것을 특징으로 하기 때문에, 얇은 두께로 광대역의 흡수성능을 나타낼 수 있는 다층형 전자기파 흡수체를 제공할 수 있다.

Description

다층형 전자기파 흡수체 및 다층형 전자기파 흡수체 제조방법{Multi-layered electromagnetic wave absorber and method for producing a multi-layered electromagnetic wave absorber}
본 발명은 다층형 전자기파 흡수체 및 다층형 전자기파 흡수체 제조방법에 관한 것으로, 상세하게는, 얇은 두께로 광대역의 흡수성능을 나타내기 위한 다층형 전자기파 흡수체 및 다층형 전자기파 흡수체 제조방법에 관한 것이다.
근래, 디지털 기술과 반도체 산업 등의 급진적인 발전에 따라 전자/전기 장치의 소형화, 경량화, 고속화 및 광대역화가 이루어지고 있다. 그런데, 이러한 전자/전기 장치는 서로간의 미소한 전자기파 방해에 민감하여 쉽게 오동작을 일으킨다. 이러한 전자기파 장해에 대한 대책으로, 전자기파를 금속으로 반사시켜 차폐하는 전자기파 차폐기법과, 전자기파 흡수체에 의해 전자기파를 흡수하는 전자기파 흡수기법이 있는데, 전자기파 차폐기법은 차폐된 불요 전자기파가 추가적인 피해를 유발하는 단점이 있기 때문에 최근에는 전자기파 흡수기법이 많이 이용되고 있다.
도 1은 종래의 단층형 전자기파 흡수체의 단면도이다. 도 1을 참조하여, 종래의 단층형 전자기파 흡수체(100)를 설명하면 다음과 같다. 단층형 전자기파 흡수체(100)는 흡수층(120)과 흡수층(120)의 배면에 적층된 경계층(130)으로 이루어져 있다. 흡수층은 전자기파를 흡수하는 역할을 하며, 유전성손실물질 또는 자성손실물질을 포함한다. 경계층(130)은 흡수층에서 흡수되지 못하고 투과된 전자기파를 차폐하고 반사시키는 역할을 하며, 완전도체(perfect electric conductor)로 이루어져 있다.
도 2는 도 1에 도시된 단층형 전자기파 흡수체의 주파수에 따른 반사손실을 나타낸 그래프이다. 참고로, 도 2에 도시된 이점쇄선, 일점쇄선 및 실선은 각각 흡수층(120)의 두께(d)가 2.0 mm, 3.0 mm 및 4.0 mm인 경우를 나타낸다. 이러한 단층형 전자기파 흡수체(100)는, 도 2에 도시된 바와 같이, X-대역(X-band; 8.2 ~ 12.4 GHz)의 중심주파수인 10 GHz의 하나의 정점(A)에서 흡수성능을 나타내고 있다. 따라서, 10dB 흡수대역폭(입사된 전자기파의 90% 이상을 흡수하는 대역폭)이 2.6 ~ 6.4 GHz 정도로 흡수대역폭이 좁은 문제점이 있었다.
이에 따라, 흡수대역폭을 넓히기 위해 다층형 전자기파 흡수체가 이용되고 있다. 이러한 종래의 다층형 전자기파 흡수체는 표면층, 흡수층 및 경계층으로 이루어져 있는데, 표면층과 흡수층이 유전성손실물질 및 자성손실물질 중 하나만을 포함하고 있었다. 따라서, 흡수대역폭은 단층형 전자기파 흡수체에 비하여 넓어지는 장점이 있지만, 전자기파 흡수체의 두께가 너무 커지는 문제점이 있었다.
본 발명은, 얇은 두께로 광대역의 흡수성능을 나타내기 위한 다층형 전자기파 흡수체 및 다층형 전자기파 흡수체 제조방법을 제공하는 데에 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 표면층용 유전성손실혼합물 및 표면층용 자성손실혼합물 중 하나 이상을 포함하는 표면층; 표면층용 유전성손실혼합물의 손실성보다 높은 손실성을 가진 흡수층용 유전성손실혼합물, 및 표면층용 자성손실혼합물의 손실성보다 높은 손실성을 가진 흡수층용 자성손실혼합물을 포함하고, 표면층의 배면에 적층된 흡수층; 및 흡수층의 배면에 적층되어 있으며, 도전성물질을 포함하는 경계층을 구비하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은, 표면층용 유전성손실혼합물 및 표면층용 자성손실혼합물 중 하나 이상을 포함하는 표면층을 형성하는 표면층 형성단계; 표면층용 유전성손실혼합물의 손실성보다 높은 손실성을 가진 흡수층용 유전성손실혼합물, 및 표면층용 자성손실혼합물의 손실성보다 높은 손실성을 가진 흡수층용 자성손실혼합물을 포함하는 흡수층을 형성하는 흡수층 형성단계; 표면층 형성단계에서 형성된 표면층의 배면에 흡수층을 적층하는 흡수층 적층단계; 및 흡수층 적층단계에서 적층된 흡수층의 배면에, 도전성물질을 포함하는 경계층을 적층하는 경계층 적층단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 흡수층이, 표면층용 유전성손실혼합물의 손실성보다 높은 손실성을 가진 흡수층용 유전성손실혼합물, 및 표면층용 자성손실혼합물의 손실성보다 높은 손실성을 가진 흡수층용 자성손실혼합물을 포함하고 때문에, 얇은 두께로 광대역의 흡수성능을 나타낼 수 있는 다층형 전자기파 흡수체를 제공할 수 있다.
도 1은 종래의 단층형 전자기파 흡수체의 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 단층형 전자기파 흡수체의 주파수에 따른 반사손실을 나타낸 그래프이다.
도 3은 본 발명의 일 실시형태에 따른 다층형 전자기파 흡수체의 단면도이다.
도 4는 도 3에 도시된 다층형 전자기파 흡수체의 표면층과 흡수층을 세부적으로 나타내는 부분 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다층형 전자기파 흡수체의 주파수에 따른 반사손실을 나타낸 그래프이다.
도 6은 본 발명의 다층형 전자기파 흡수체 제조방법의 제 1 실시형태를 설명하기 위한 도이다.
도 7은 본 발명의 다층형 전자기파 흡수체 제조방법의 제 2 실시형태를 설명하기 위한 도이다.
이하, 본 발명에 따른 다층형 전자기파 흡수체 및 다층형 전자기파 흡수체 제조방법의 바람직한 실시형태를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 3은 본 발명의 일 실시형태에 따른 다층형 전자기파 흡수체의 단면도이고, 도 4는 도 3에 도시된 다층형 전자기파 흡수체의 표면층과 흡수층을 세부적으로 나타내는 부분 단면도이다.
도 3 내지 도 5를 참조하여, 본 발명의 일 실시형태에 따른 다층형 전자기파 흡수체를 설명하면 다음과 같다. 다층형 전자기파 흡수체(200)는 표면층(210), 흡수층(220) 및 경계층(230)을 구비한다.
표면층(210)은 입사하는 전자기파(W)의 파장을 줄여주는 역할을 하며, 표면층용 손실성재료를 포함한다. 표면층용 손실성재료는 입사하는 전자기파(W)의 직접적인 표면반사를 줄이기 위해 저손실성재료가 바람직하다. 본 실시형태의 경우, 표면층용 손실성재료는 표면층용 유전성손실혼합물과 표면층용 자성손실혼합물로 이루어져 있지만, 표면층용 유전성손실혼합물 및 표면층용 자성손실혼합물 중 하나로만 이루어질 수도 있다. 표면층용 유전성손실혼합물은 유전성손실물질, 에폭시(epoxy), 경화제 및 솔벤트(solvent)를 혼합하여 이루어진다. 유전성손실물질은 탄소나노튜브(carbon nano tube), 탄소나노섬유(carbon nano fiber) 등과 같은 탄소나노입자가 바람직하다. 또한, 표면층용 자성손실혼합물은 자성손실물질, 에폭시, 경화제 및 솔벤트를 혼합하여 이루어진다. 자성손실물질은 서브마이크론 사이즈(submicron size)의 Co, NiFe 등과 같은 강자성계물질이 바람직하다.
다음으로, 표면층(210)의 내부구조를 도 4를 참조하여 설명한다. 표면층(210)은 도 4에 도시되어 있는 바와 같이 표면층용 유전성손실시트(dielectric lossy sheet)(211)와 표면층용 자성손실시트(magnetic lossy sheet)(212)가 교대로 적층되어 형성된다. 표면층용 유전성손실시트(211)는 표면층용 유전성손실혼합물을 포함하고 있으며, 표면층용 자성손실시트(212)는 표면층용 자성손실혼합물을 포함하고 있다. 본 실시형태의 경우, 표면층용 손실성재료가 표면층용 유전성손실혼합물과 표면층용 자성손실혼합물로 이루어져 있으므로 표면층용 유전성손실시트(211)와 표면층용 자성손실시트(212)가 교대로 적층되어 있는 구조이지만, 표면층용 손실성재료가 표면층용 유전성손실혼합물 및 표면층용 자성손실혼합물 중 하나로만 이루어져 있는 경우에는 표면층용 유전성손실시트(211)만 적층되어 있는 구조 또는 표면층용 자성손실시트(212)만 적층되어 있는 구조가 될 것이다. 표면층(210) 내의 유전성손실탄젠트(tan(εr''/εr')) 및 자성손실탄젠트(tan(μr''/μr')) 각각은 배면으로 갈수록 증가하는 것이 바람직하다.
흡수층(220)은 입사되는 전자기파(W)의 에너지를 흡수하는 역할을 하며, 표면층(210)의 배면에 적층되어 있다. 흡수층(220)은 유전성 및 자성을 가진 흡수층용 손실성재료를 포함한다. 따라서, 흡수층용 손실성재료는 흡수층용 유전성손실혼합물과 흡수층용 자성손실혼합물로 이루어진다. 흡수층용 유전성손실혼합물의 성분은 표면층용 유전성손실혼합물의 성분과 동일하며, 흡수층용 자성손실혼합물의 성분은 표면층용 자성손실혼합물의 성분과 동일하다.
또한, 흡수층용 손실성재료는 표면층용 손실성재료의 손실성보다 높은 손실성을 가진다. 따라서, 흡수층(220)의 평균 유전성손실탄젠트(흡수층(220) 내의 tan(εr''/εr')의 평균값)는 표면층(210)의 평균 유전성손실탄젠트(표면층(210) 내의 tan(εr''/εr')의 평균값)보다 크며, 흡수층(220)의 평균 자성손실탄젠트(흡수층(220) 내의 tan(μr''/μr')의 평균값)는 표면층(210)의 평균 자성손실탄젠트(흡수층(210) 내의 tan(μr''/μr')의 평균값)보다 크다. 또한, 흡수층용 유전성손실혼합물과 흡수층용 자성손실혼합물 각각은 표면층용 유전성손실혼합물과 표면층용 자성손실혼합물보다 유전성손실물질과 자성손실물질의 함량비가 높다. 흡수층(220)의 내부구조는 표면층(210)의 내부구조와 유사하게 흡수층용 유전성손실시트(221)와 흡수층용 자성손실시트(222)가 교대로 적층되어 있는 구조이다. 흡수층(220) 내의 유전성손실탄젠트 및 자성손실탄젠트 각각은 배면으로 갈수록 증가하는 것이 바람직하다. 입사되는 전자기파(W)의 파장이 표면층(210)을 투과하면서 줄어들기 때문에, 흡수층(220)의 두께(a)는 표면층(210)의 두께(s)보다 작은 것이 바람직하다.
경계층(230)은 흡수층(220)에서 흡수되지 못하고 투과된 전자기파를 차폐하고 반사시키는 역할을 하기 위해 도전성물질을 포함하고, 흡수층(220)의 배면에 적층되어 있다. 경계층(230)은 흡수층(220)의 배면에 탄소/에폭시 평직 프리프레그 복합재료(carbon/epoxy plain weave type prepreg composite)를 적층하거나 실버 페이스트(silver paste)를 코팅하여 형성될 수 있다. 참고로, 금속의 전도성은 106 ~ 107 S/m이고, 탄소/에폭시 평직 프리프레그 복합재료의 전도성은 104 ~ 106 S/m이다.
도 5는 본 발명의 다층형 전자기파 흡수체의 주파수에 따른 반사손실을 나타낸 그래프이다. 참고로, 일점쇄선으로 나타낸 그래프의 실시예를 제 1 실시예로 하고, 실선으로 나타낸 그래프의 실시예를 제 2 실시예로 한다. 각각의 실시예의 표면층과 흡수층의 두께, 비유전율 및 비투자율은 표 1에 기재되어 있다.
Figure pat00001
종래의 다층형 전자기파 흡수체의 경우, X-대역 전후대역에서 5 ~ 20 mm 내외의 두께로 3 ~ 10 GHz의 10dB 흡수대역폭을 가지고 있었다. 반면에, 본 발명의 제 1 실시예와 제 2 실시예의 경우, 표 1, 도 3 및 도 5를 살펴보면, 3.3 mm의 두께(D)로 X-대역(8.2 ~ 12.4 GHz)과 Ku-대역(12 ~ 18 GHz)에서 2개의 정점(B, C)을 가지면서 11 GHz 이상의 10dB 흡수대역폭을 보이고 있다. 즉, 본 발명에 따른 다층형 전자기파 흡수체가, 종래의 다층형 전자기파 흡수체보다 더 얇은 두께로 더 넓은 대역의 흡수성능을 가지고 있음을 알 수 있다.
도 6은 본 발명의 다층형 전자기파 흡수체 제조방법의 제 1 실시형태를 설명하기 위한 도이다. 도 6을 참조하여, 본 발명의 다층형 전자기파 흡수체 제조방법의 제 1 실시형태를 설명하면 다음과 같다. 참고로, 본 실시형태에 의해 제조되는 다층형 전자기파 흡수체는 전자기파 흡수재료(radar absorbing material; RAM)의 용도를 갖는다.
또한, 표면층용 유전성손실혼합물과 흡수층용 유전성손실혼합물은 유전성손실물질, 에폭시, 경화제 및 솔벤트를 혼합하여 이루어진다. 유전성손실물질은 탄소나노튜브, 탄소나노섬유 등과 같은 탄소나노입자가 바람직하다. 또한, 표면층용 자성손실혼합물과 흡수층용 자성손실혼합물은 자성손실물질, 에폭시, 경화제 및 솔벤트를 혼합하여 이루어진다. 자성손실물질은 서브마이크론 사이즈의 Co, NiFe 등과 같은 강자성계물질이 바람직하다. 또한, 흡수층용 유전성손실혼합물과 흡수층용 자성손실혼합물 각각은 표면층용 유전성손실혼합물과 표면층용 자성손실혼합물보다 유전성손실물질과 자성손실물질의 함량비가 높다.
먼저, 도 6의 (a)에 도시된 바와 같이, 필름(film; 311a)에 표면층용 유전성손실혼합물(311b)을 코팅하여 표면층용 유전성손실시트(311)를 형성한다. 또한, 도 6의 (b)에 도시된 바와 같이, 필름(312a)에 표면층용 자성손실혼합물(312b)을 코팅하여 표면층용 자성손실시트(312)를 형성한다. 그 다음에, 도 6의 (c)에 도시된 바와 같이, 표면층용 유전성손실시트(311)와 표면층용 자성손실시트(312)를 교대로 적층하여 표면층(310)을 형성한다.
다음으로, 도 6의 (d)에 도시된 바와 같이, 필름(321a)에 흡수층용 유전성손실혼합물(321b)을 코팅하여 흡수층용 유전성손실시트(321)를 형성한다. 또한, 도 6의 (e)에 도시된 바와 같이, 필름(322a)에 흡수층용 자성손실혼합물(322b)을 코팅하여 흡수층용 자성손실시트(322)를 형성한다. 그 다음에, 도 6의 (f)에 도시된 바와 같이, 흡수층용 유전성손실시트(321)와 흡수층용 자성손실시트(322)를 교대로 적층하여 흡수층(320)을 형성한다.
다음으로, 도 6의 (g)에 도시된 바와 같이, 표면층(310)의 배면에 흡수층(320)을 적층한다. 그 다음에, 도 6의 (h)에 도시된 바와 같이, 흡수층(320)의 배면에 실버 페이스트를 코팅하여 경계층(330)을 형성한다.
종래의 경우, 자성손실물질과 유전성손실물질의 물성이 서로 다르기 때문에 자성손실물질과 유전성손실물질을 하나의 필름에 혼합하여 코팅하는 것이 용이하지 않은 문제점이 있었다. 본 실시형태의 경우, 이러한 문제점을 극복하기 위해 자성손실시트와 유전성손실시트를 교대로 적층하고 있기 때문에 유전성과 자성 모두를 가지는 흡수층을 용이하게 제조할 수 있다.
도 7은 본 발명의 다층형 전자기파 흡수체 제조방법의 제 2 실시형태를 설명하기 위한 도이다. 도 7을 참조하여, 본 발명의 다층형 전자기파 흡수체 제조방법의 제 2 실시형태를 설명하면 다음과 같다. 참고로, 본 실시형태에 의해 제조되는 다층형 전자기파 흡수체는 전자기파 흡수 구조체(radar absorbing structure; RAS)의 용도를 갖는다.
또한, 표면층용 유전성손실혼합물, 흡수층용 유전성손실혼합물, 표면층용 자성손실혼합물 및 흡수층용 자성손실혼합물은 제 1 실시형태와 같은 방식으로 제조된다. 또한, 흡수층용 유전성손실혼합물과 흡수층용 자성손실혼합물 각각은 표면층용 유전성손실혼합물과 표면층용 자성손실혼합물보다 유전성손실물질과 자성손실물질의 함량비가 높다.
먼저, 도 7의 (a)에 도시된 바와 같이, 유리/에폭시 평직 프리프레그 복합재료(glass/epoxy plain weave type prepreg composite; 411a)에 표면층용 유전성손실혼합물(411b)을 함침시켜 표면층용 유전성손실시트(411)를 형성한다. 또한, 도 7의 (b)에 도시된 바와 같이, 유리/에폭시 평직 프리프레그 복합재료(412a)에 표면층용 자성손실혼합물(412b)을 함침시켜 표면층용 자성손실시트(412)를 형성한다. 그 다음에, 도 7의 (c)에 도시된 바와 같이, 표면층용 유전성손실시트(411)와 표면층용 자성손실시트(412)를 교대로 적층하여 표면층(410)을 형성한다.
다음으로, 도 7의 (d)에 도시된 바와 같이, 유리/에폭시 평직 프리프레그 복합재료(421a)에 흡수층용 유전성손실혼합물(421b)을 함침시켜 흡수층용 유전성손실시트(421)를 형성한다. 또한, 도 7의 (e)에 도시된 바와 같이, 유리/에폭시 평직 프리프레그 복합재료(422a)에 흡수층용 자성손실혼합물(422b)을 함침시켜 흡수층용 자성손실시트(422)를 형성한다. 그 다음에, 도 7의 (f)에 도시된 바와 같이, 흡수층용 유전성손실시트(421)와 흡수층용 자성손실시트(422)를 교대로 적층하여 흡수층(420)을 형성한다.
다음으로, 도 7의 (g)에 도시된 바와 같이, 표면층(410)의 배면에 흡수층(420)을 적층한다. 그 다음에, 도 7의 (h)에 도시된 바와 같이, 흡수층(420)의 배면에 탄소/에폭시 평직 프리프레그 복합재료를 적층하여 경계층(430)을 형성한다.
본 발명은 첨부된 예시 도면의 바람직한 실시형태를 중심으로 도시하고 설명하였지만, 이에 한정하지 않고 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 이하의 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 다양한 변형된 형태로 실시할 수 있음은 물론이다.
100: 단층형 전자기파 흡수체 120, 220, 320, 420: 흡수층
130, 230, 330, 430: 경계층 200: 다층형 전자기파 흡수체
210, 310, 420: 표면층
211, 311, 411: 표면층용 유전성손실시트
212, 312, 412: 표면층용 자성손실시트
221, 321, 421: 흡수층용 유전성손실시트
222, 322, 422: 흡수층용 자성손실시트

Claims (20)

  1. 표면층용 유전성손실혼합물 및 표면층용 자성손실혼합물 중 하나 이상을 포함하는 표면층;
    상기 표면층용 유전성손실혼합물의 손실성보다 높은 손실성을 가진 흡수층용 유전성손실혼합물, 및 상기 표면층용 자성손실혼합물의 손실성보다 높은 손실성을 가진 흡수층용 자성손실혼합물을 포함하고, 상기 표면층의 배면에 적층된 흡수층; 및
    상기 흡수층의 배면에 적층되어 있으며, 도전성물질을 포함하는 경계층을 구비하는 것을 특징으로 하는 다층형 전자기파 흡수체.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 흡수층은, 상기 흡수층용 유전성손실혼합물을 포함하는 흡수층용 유전성손실시트와, 상기 흡수층용 자성손실혼합물을 포함하는 흡수층용 자성손실시트를 구비하는 것을 특징으로 하는 다층형 전자기파 흡수체.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 흡수층용 유전성손실시트와 상기 흡수층용 자성손실시트는 교대로 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 다층형 전자기파 흡수체.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 표면층은, 상기 표면층용 유전성손실혼합물을 포함하는 표면층용 유전성손실시트와, 상기 표면층용 자성손실혼합물을 포함하는 표면층용 자성손실시트를 구비하는 것을 특징으로 하는 다층형 전자기파 흡수체.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 표면층용 유전성손실시트와 상기 표면층용 자성손실시트는 교대로 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 다층형 전자기파 흡수체.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 흡수층의 평균 유전성손실탄젠트는 상기 표면층의 평균 유전성손실탄젠트보다 큰 것을 특징으로 하는 다층형 전자기파 흡수체.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 흡수층의 평균 자성손실탄젠트는 상기 표면층의 평균 자성손실탄젠트보다 큰 것을 특징으로 하는 다층형 전자기파 흡수체.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 흡수층용 유전성손실혼합물의 유전성손실물질의 함량비가 상기 표면층용 유전성손실혼합물의 유전성손실물질의 함량비보다 높은 것을 특징으로 하는 다층형 전자기파 흡수체.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 흡수층용 자성손실혼합물의 자성손실물질의 함량비가 상기 표면층용 자성손실혼합물의 자성손실물질의 함량비보다 높은 것을 특징으로 하는 다층형 전자기파 흡수체.
  10. 제 8 항에 있어서, 상기 유전성손실물질은 탄소나노입자인 것을 특징으로 하는 다층형 전자기파 흡수체.
  11. 제 9 항에 있어서, 상기 자성손실물질은 강자성계물질인 것을 특징으로 하는 다층형 전자기파 흡수체.
  12. 표면층용 유전성손실혼합물 및 표면층용 자성손실혼합물 중 하나 이상을 포함하는 표면층을 형성하는 표면층 형성단계;
    상기 표면층용 유전성손실혼합물의 손실성보다 높은 손실성을 가진 흡수층용 유전성손실혼합물, 및 상기 표면층용 자성손실혼합물의 손실성보다 높은 손실성을 가진 흡수층용 자성손실혼합물을 포함하는 흡수층을 형성하는 흡수층 형성단계;
    상기 표면층 형성단계에서 형성된 표면층의 배면에 상기 흡수층을 적층하는 흡수층 적층단계; 및
    상기 흡수층 적층단계에서 적층된 흡수층의 배면에, 도전성물질을 포함하는 경계층을 적층하는 경계층 적층단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다층형 전자기파 흡수체 제조방법.
  13. 제 12 항에 있어서, 상기 흡수층 형성단계는,
    상기 흡수층용 유전성손실혼합물을 필름에 코팅하여 흡수층용 유전성손실시트를 형성하는 흡수층용 유전성손실시트 형성단계; 및
    상기 흡수층용 자성손실혼합물을 필름에 코팅하여 흡수층용 자성손실시트를 형성하는 흡수층용 자성손실시트 형성단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다층형 전자기파 흡수체 제조방법.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 흡수층 형성단계는,
    상기 흡수층용 유전성손실시트 형성단계에서 형성된 흡수층용 유전성손실시트와, 상기 흡수층용 자성손실시트 형성단계에서 형성된 흡수층용 자성손실시트를 교대로 적층하는 교대적층단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다층형 전자기파 흡수체 제조방법.
  15. 제 12 항에 있어서, 상기 흡수층 형성단계는,
    상기 흡수층용 유전성손실혼합물을 유리/에폭시 평직 프리프레그 복합재료에 함침시켜 흡수층용 유전성손실시트를 형성하는 흡수층용 유전성손실시트 형성단계; 및
    상기 흡수층용 자성손실혼합물을 유리/에폭시 평직 프리프레그 복합재료에 함침시켜 흡수층용 자성손실시트를 형성하는 흡수층용 자성손실시트 형성단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다층형 전자기파 흡수체 제조방법.
  16. 제 15 항에 있어서, 상기 흡수층 형성단계는,
    상기 흡수층용 유전성손실시트 형성단계에서 형성된 흡수층용 유전성손실시트와, 상기 흡수층용 자성손실시트 형성단계에서 형성된 흡수층용 자성손실시트를 교대로 적층하는 교대적층단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다층형 전자기파 흡수체 제조방법.
  17. 제 12 항에 있어서, 상기 표면층 형성단계는,
    상기 표면층용 유전성손실혼합물을 필름에 코팅하여 표면층용 유전성손실시트를 형성하는 흡수층용 유전성손실시트 형성단계; 및
    상기 표면층용 자성손실혼합물을 필름에 코팅하여 표면층용 자성손실시트를 형성하는 표면층용 자성손실시트 형성단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다층형 전자기파 흡수체 제조방법.
  18. 제 17 항에 있어서, 상기 표면층 형성단계는,
    상기 표면층용 유전성손실시트 형성단계에서 형성된 표면층용 유전성손실시트와, 상기 표면층용 자성손실시트 형성단계에서 형성된 표면층용 자성손실시트를 교대로 적층하는 교대적층단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다층형 전자기파 흡수체 제조방법.
  19. 제 12 항에 있어서, 상기 표면층 형성단계는,
    상기 표면층용 유전성손실혼합물을 유리/에폭시 평직 프리프레그 복합재료에 함침시켜 표면층용 유전성손실시트를 형성하는 표면층용 유전성손실시트 형성단계; 및
    상기 표면층용 자성손실혼합물을 유리/에폭시 평직 프리프레그 복합재료에 함침시켜 표면층용 자성손실시트를 형성하는 표면층용 자성손실시트 형성단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다층형 전자기파 흡수체 제조방법.
  20. 제 19 항에 있어서, 상기 표면층 형성단계는,
    상기 표면층용 유전성손실시트 형성단계에서 형성된 표면층용 유전성손실시트와, 상기 표면층용 자성손실시트 형성단계에서 형성된 표면층용 자성손실시트를 교대로 적층하는 교대적층단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다층형 전자기파 흡수체 제조방법.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120188114A1 (en) * 2011-01-25 2012-07-26 Samsung Electronics Co. Ltd. Multi-layered electromagnetic wave absorber and manufacturing method thereof
KR20150142836A (ko) * 2014-06-12 2015-12-23 한국과학기술원 레진 함량에 따른 다양한 전자기 특성을 갖는 복합재료 제조 방법 및 이를 포함하는 전자기파 흡수 구조체
WO2017164483A1 (ko) * 2016-03-23 2017-09-28 한국과학기술원 금속 코팅된 섬유를 포함하는 전자파 흡수체 및 이의 제조 방법
CN109413974A (zh) * 2018-11-02 2019-03-01 合肥工业大学 一种多层结构吸波材料及其制备方法
KR101993453B1 (ko) * 2019-01-25 2019-06-26 국방과학연구소 미세패턴 인쇄를 통한 복합재료의 유전율 제어 방법
KR20220064634A (ko) * 2020-11-12 2022-05-19 한국과학기술연구원 레이더 흡수 복합재료 구조체 및 그 제조 방법

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9413075B2 (en) * 2012-06-14 2016-08-09 Globalfoundries Inc. Graphene based structures and methods for broadband electromagnetic radiation absorption at the microwave and terahertz frequencies
CN105269911A (zh) * 2014-05-27 2016-01-27 深圳光启创新技术有限公司 一种吸波材料及其形成方法
PL413567A1 (pl) * 2015-08-14 2017-02-27 Uniwersytet Wrocławski Absorber wolnej przestrzeni
CN105336384B (zh) * 2015-11-24 2018-03-06 海南大学 一种辐射防护板及其制备方法
US10626845B2 (en) 2016-08-30 2020-04-21 King Abdulaziz University Wind turbines with reduced electromagnetic scattering
CN108400447B (zh) * 2018-02-07 2020-11-03 中南大学 一种三维多频雷达吸波材料
CN112743920B (zh) * 2019-10-30 2022-05-24 上海戎科特种装备有限公司 一种电磁防护服布料
DE102020005695A1 (de) 2020-09-17 2022-03-17 Bundesrepublik Deutschland, vertr. durch das Bundesministerium der Verteidigung, vertr. durch das Bundesamt für Ausrüstung, Informationstechnik und Nutzung der Bundeswehr Radarabsorbierendes Verbundbauteil

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4038660A (en) * 1975-08-05 1977-07-26 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Microwave absorbers
US5576710A (en) * 1986-11-25 1996-11-19 Chomerics, Inc. Electromagnetic energy absorber
US5381149A (en) * 1992-04-17 1995-01-10 Hughes Aircraft Company Broadband absorbers of electromagnetic radiation based on aerogel materials, and method of making the same
EP1146591A2 (en) * 2000-04-10 2001-10-17 Hitachi, Ltd. Electromagnetic wave absorber, method of manufacturing the same and appliance using the same
KR101759580B1 (ko) * 2011-01-25 2017-07-19 삼성전자 주식회사 다층형 전자기파 흡수체 및 다층형 전자기파 흡수체 제조방법

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120188114A1 (en) * 2011-01-25 2012-07-26 Samsung Electronics Co. Ltd. Multi-layered electromagnetic wave absorber and manufacturing method thereof
US9070981B2 (en) * 2011-01-25 2015-06-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Multi-layered electromagnetic wave absorber and manufacturing method thereof
KR20150142836A (ko) * 2014-06-12 2015-12-23 한국과학기술원 레진 함량에 따른 다양한 전자기 특성을 갖는 복합재료 제조 방법 및 이를 포함하는 전자기파 흡수 구조체
WO2017164483A1 (ko) * 2016-03-23 2017-09-28 한국과학기술원 금속 코팅된 섬유를 포함하는 전자파 흡수체 및 이의 제조 방법
US20180212333A1 (en) * 2016-03-23 2018-07-26 Korea Advanced Institute Of Science And Technology Electromagnetic Wave Absorbing Structures Including Metal-Coated Fibers And Methods Of Manufacturing The Same
US10826190B2 (en) 2016-03-23 2020-11-03 Agency For Defense Development Electromagnetic wave absorbing structures including metal-coated fibers and methods of manufacturing the same
CN109413974A (zh) * 2018-11-02 2019-03-01 合肥工业大学 一种多层结构吸波材料及其制备方法
KR101993453B1 (ko) * 2019-01-25 2019-06-26 국방과학연구소 미세패턴 인쇄를 통한 복합재료의 유전율 제어 방법
US11495889B2 (en) 2019-01-25 2022-11-08 Agency For Defense Development Method of controlling dielectric constant of composite material by micro pattern printing
KR20220064634A (ko) * 2020-11-12 2022-05-19 한국과학기술연구원 레이더 흡수 복합재료 구조체 및 그 제조 방법
KR20220111226A (ko) * 2020-11-12 2022-08-09 한국과학기술연구원 레이더 흡수 복합재료 구조체

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