KR20120085189A - 반도체 제조 장치 및 반도체 기판 접합 방법 - Google Patents
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Abstract
실시형태에 따르면, 반도체 제조 장치는, 제1 반도체 기판을 유지하는 제1 부재와, 접합면을 제1 반도체 기판의 접합면과 대향시켜, 제2 반도체 기판을 유지하는 제2 부재와, 제1 반도체 기판의 접합면과 제2 반도체 기판의 접합면의 거리를 검출하는 거리 검출 수단과, 제1 반도체 기판의 접합면과 제2 반도체 기판의 접합면의 거리를 조정하는 조정 수단과, 제1 반도체 기판과 제2 반도체 기판 사이에 접합 개시점을 형성하는 제3 부재를 포함한다.
Description
관련 출원의 참조
본 출원은, 2011년 1월 21일에 출원된 일본국 특허 출원 번호 제2011-011314호의 우선권의 이익을 향수하며, 그 일본국 특허 출원의 전체 내용은 본 출원에 있어서 원용된다.
본 실시형태는, 일반적으로, 반도체 제조 장치 및 반도체 기판 접합 방법에 관한 것이다.
포토다이오드의 수광면을 반도체 기판의 이면에 설치한 이면 조사형 이미지 센서를 제조할 때에는, 표면에 포토다이오드나 집적 회로가 형성된 반도체 기판의 표면측에 거의 동일한 직경의 지지 기판을 직접 접합시키고, 반도체 기판의 이면으로부터 포토다이오드가 형성되어 있는 표면을 향해 기계 연삭이나 화학 기계 연마(Chemical Mechanical Polishing: CMP)를 행하여 반도체 기판을 얇게 하는 방법이 이용되고 있다.
반도체 기판과 지지 기판을 접합할 때에, 지지 기판이 변형되어 있거나, 반도체 기판과 지지 기판과의 간격의 편차가 크면, 결합 계면 형성의 타이밍이 어긋나거나, 결합 계면의 등방적인 진전(進展)이 손상되어, 보이드나 미접합부가 형성되는 원인이 된다. 반도체 기판과 지지 기판 사이에 보이드나 미접합부가 존재하면, 반도체 기판과 지지 기판이 분리되거나, 반도체 기판이 파단되거나 하여 수율이 저하되는 원인이 된다. 또한, 접합시에 지지 기판이 변형되면 반도체 기판도 변형되어 버린다. 이면 조사형 이미지 센서의 경우에는, 반도체 기판이 변형되면, 이면에 형성되는 컬러 필터나 마이크로 렌즈와, 표면에 형성되는 포토다이오드나 집적 회로와의 위치 어긋남이 생겨 촬상 특성이 열화되어 버린다고 하는 문제가 있다.
반도체 기판과 지지 기판과의 접합시에 지지 기판의 변형, 기판 끼리의 간극의 편차를 억제할 수 있는 반도체 제조 장치를 제공한다.
실시형태에 따르면, 접합면을 갖는 제1 및 제2 반도체 기판의 접합면 끼리를 1점 접촉시켜 접합 개시점을 형성하고, 접합을 접합 개시점으로부터 주위로 진전시켜 제1 반도체 기판과 제2 반도체 기판을 전체면에 접합하는 반도체 제조 장치이다. 반도체 제조 장치는, 제1 반도체 기판을 유지하는 제1 부재와, 제2 반도체 기판의 접합면을 제1 부재에 유지된 제1 반도체 기판의 접합면과 대향시켜 제2 반도체 기판을 유지하는 제2 부재와, 제1 부재에 유지된 제1 반도체 기판의 접합면과, 제2 부재에 유지된 제2 반도체 기판의 접합면의 거리를 검출하는 거리 검출 수단과, 거리 검출 수단의 검출 결과에 기초하여 제1 및 제2 부재 중 한쪽 이상을 이동시켜, 제1 반도체 기판의 접합면과 제2 반도체 기판의 접합면의 거리를 미리 정해진 값으로 조정하는 조정 수단과, 제2 부재로부터 미리 정해진 거리를 두고 설치되고, 제1 및 제2 반도체 기판 중 한쪽의 접합면과는 반대측면의 1점을 가압하고, 제1 반도체 기판과 제2 반도체 기판 사이에 접합 개시점을 형성하는 제3 부재를 포함한다.
이하에 첨부 도면을 참조하여 실시형태에 따른 반도체 제조 장치 및 반도체 기판 접합 방법을 상세히 설명한다. 이들 실시형태에 의해 본 발명이 한정되지는 않는다.
본 실시형태에 따른 반도체 제조 장치에 의하면, 반도체 기판과 지지 기판과의 접합시에 지지 기판의 변형, 기판 끼리의 간극의 편차를 억제할 수 있기 때문에, 수율이 향상된다.
도 1은 제1 실시형태에 따른 반도체 제조 장치의 단면도이다.
도 2는 제1 실시형태에 따른 반도체 제조 장치의 부분 평면도이다.
도 3은 접합 개시시의 반도체 제조 장치의 단면도이다.
도 4는 제2 실시형태에 따른 반도체 제조 장치의 단면도이다.
도 5는 제3 실시형태에 따른 반도체 제조 장치의 단면도이다.
도 6은 제4 실시형태에 따른 반도체 제조 장치의 단면도이다.
도 2는 제1 실시형태에 따른 반도체 제조 장치의 부분 평면도이다.
도 3은 접합 개시시의 반도체 제조 장치의 단면도이다.
도 4는 제2 실시형태에 따른 반도체 제조 장치의 단면도이다.
도 5는 제3 실시형태에 따른 반도체 제조 장치의 단면도이다.
도 6은 제4 실시형태에 따른 반도체 제조 장치의 단면도이다.
(제1 실시형태)
도 1은 제1 실시형태에 따른 반도체 제조 장치의 단면도이다. 도 2는 제1 실시형태에 따른 반도체 제조 장치의 부분 평면도이다. 또한, 도면 중 동일 부호는 동일 또는 상당 부분을 나타낸다.
반도체 제조 장치(1)는, 제1 반도체 기판으로서의 제1 기판(2)과 제2 반도체 기판으로서의 제2 기판(6)을 접합하는 장치이다. 반도체 제조 장치(1)는, 제1 부재(3), 제2 부재(4), 가변 기구(5), 제1 센서(8), 처리 유닛(9) 및 제3 부재(10)를 포함한다.
제1 부재(3)는, 위에 제1 기판(2)이 탑재된다. 제1 기판(2)은, 예컨대 실리콘 등의 반도체 기판이어도 좋고, 표면에는 포토다이오드나 트랜지스터가 형성된 활성층(도시는 생략)이나, 활성층과 전기 접속된 배선층(도시는 생략)이 형성되고, 그 위는 접합면(2a)이 되는 절연층으로 덮여 있다. 접합면(2a)은, 친수화 처리가 행해져 있고, 표면에는 수산기가 부착되어 있다.
제2 부재(4)는, 제1 기판(2)의 접합면(2a)의 외주를 덮도록 설치되어 있다. 제2 부재(4)에는 가변 기구(5)가 연결되어 있다. 또한, 제2 부재(4) 상에는, 제2 기판(6)이 접합면(6a)을 제1 기판(2)의 접합면(2a)과 대향하도록 탑재된다. 이에 따라, 제1 기판(2)과 제2 기판(6) 사이에는 간극(7)이 형성된다. 제2 기판(6)은, 제1 기판(2)의 보강체로서 기능시키기 위한 부재이며, 예컨대 실리콘으로 형성된다. 접합면(6a)은, 친수화 처리가 행해져 있고, 표면에는 수산기가 부착되어 있다.
제2 부재(4)는, 2지점 이상에 설치되어 있고, 간극(7)을 일정하게 유지한다. 제2 부재(4)는, 임의의 복수 지점에서 제2 기판(6)을 배치하여 유지하도록 설치할 수 있지만, 제2 기판(6)의 무게중심을 중심으로 한 정다각형(정삼각형이나 도 2에 도시된 바와 같은 정방형)의 정점에서 제2 기판(6)을 유지함으로써, 접합시의 제2 기판(6)의 변형을 대칭으로 할 수 있다.
제2 부재(4)의 형상은, 제1 기판(2)과 제2 기판(6) 사이에 간극(7)을 형성할 수 있는 것이면 어떠한 형상이라도 좋다. 일례를 들면 , 제2 부재(4)는, 판형, 경사형, 원주형, 원추형 등의 형상으로 형성할 수 있다. 제2 부재(4)는, 각 기판의 접합면(2a, 6a)과의 접촉 면적을 극력 저감시키기 위해서는 원추 형상인 것이 바람직하다.
또한, 제2 부재(4)의 재질은, 임의로 선택할 수 있고, 예컨대 알루미늄 등의 금속이나 세라믹, 수지 재료[예컨대, SAS(실리콘 고무-아크릴로니트릴스티렌 공중합 수지)] 등을 사용할 수 있다. 접합 대상의 기판[제1 기판(2) 및 제2 기판(6)]의 금속 오염을 방지하기 위해서는, 제2 부재(4)의 재질로서는 금속 이외의 것을 이용하는 것이 바람직하고, 예컨대, 불소 수지나 폴리에테르?에테르?케톤 등의 수지 재료를 이용함으로써 금속 오염을 방지할 수 있다.
간극(7)은, 제1 센서(8)에 의해, 제1 기판(2)의 접합면(2a)과 제2 기판(6)의 접합면(6a)과의 거리(H)로서 측정된다. 구체적으로는, 예컨대, 제1 부재(3)에 제1 기판(2)이 탑재된 후, 제1 센서(8)로 제1 기판(2)의 접합면(2a)과의 거리(h1)를 측정한다. 다음으로, 제2 기판(6)이 제2 부재(4)에 유지된 후, 제1 센서(8)로 제2 기판(6)의 이면(6b)과의 거리(h2)가 측정된다. 다음으로, 처리 유닛(9)에 의해, 제2 기판(6)의 두께를 t로 하여, H=h1-h2-t의 연산에 의해 간극(7)의 거리(H)가 산출된다. 또한, t는 정해진 값으로서 미리 처리 유닛(9)에 설정된다. 이와 같이, 본 실시형태에 있어서는, 제1 센서(8)와 처리 유닛(9)에 의해 거리 검출 수단이 실현된다.
또한, 처리 유닛(9)은, 가변 기구(5)도 전기적으로 접속되어 있고, 가변 기구(5)를 동작시켜 간극(7)을 원하는 거리가 되도록 조정할 수 있다. 즉, 본 실시형태에 있어서는, 처리 유닛(9)과 가변 기구(5)에 의해 조정 수단이 실현된다.
제1 부재(3)는 스테이지형 흡착 기구를 포함하고 있어도 좋고, 흡착 방식은 진공 척(다수 구멍, 홈, 다공질이나 그 조합), 정전 척 등 어떠한 방식이라도 좋다. 진공 척의 경우, 스테이지 재질은 유리, 석영, 실리콘이나 무기 재료, 알루미나(Al2O3) 등의 세라믹 재료나, PTFE(polytetrafluoroethylene)나 폴리에테르?에테르?케톤, 카본이 혼입된 도전성 폴리에테르?에테르?케톤 등의 수지 재료나, 스테인레스 입자 등으로 구성되어 있어도 좋지만, 무기 재료나 수지 재료로 형성함으로써, 제1 기판(2)의 이면으로의 Cu 등의 중금속 오염을 없앨 수 있다. 정전 척의 경우는, 질화알루미늄(AlN), 알루미나, 단결정 사파이어 등을 이용할 수 있다.
제1 부재(3)가 평탄한 스테이지형 흡착 기구를 포함함으로써, 제1 기판(2)이 일그러져 있었다고 해도, 이것을 평탄하게 교정한 후에 접합을 행할 수 있다. 제1 기판(2)이 포토다이오드나 트랜지스터에 부가하여 배선이 형성된 기판인 경우, 배선을 형성하는 금속의 표면 응력에 의해, 제1 기판(2)은 얇게 할수록 휨이 생기기 쉽게 된다. 이 때문에, 제1 부재(3)에 흡착시켜 제1 기판(2)의 휨을 교정하면, 접합 불량을 일으키기 어렵게 할 수 있다. 한편, 보강체로서 기능시키는 제2 기판(6)은 표면에 보호막 등이 설치되는 경우는 있지만, 기본적으로는 단순한 반도체 웨이퍼(예컨대 베어 실리콘 웨이퍼)이기 때문에, 일반적으로 휨은 작다. 따라서, 포토다이오드나 트랜지스터, 배선 등이 형성된 제1 기판(2)을, 평탄한 스테이지형의 제1 부재(3)에 흡착시킨 쪽이, 보강체로서 기능하는 제2 기판(6)을 흡착시키는 경우보다도 접합 불량의 발생을 방지하는 효과는 높아진다.
도 3은 접합 개시시의 반도체 제조 장치의 단면도이다. 도 3에 도시된 바와 같이, 제2 기판(6)의 이면(6b)측을 제2 부재(4)로부터 정해진 거리만큼 떨어져 설치된 제3 부재(10)에 의해 가압하고, 제1 기판(2)의 접합면(2a)과 제2 기판(6)의 접합면(6a)을 1점 접촉시킴으로써, 접합면(2a)에 부착되어 있는 수산기와 접합면(6a)에 부착되어 있는 수산기가 수소 결합하고, 접합 개시점(11)이 형성된다. 수소 결합이 접합 개시점(11)으로부터 주위로 퍼져 나감으로써, 등방적으로 접합 계면(12)이 진전되고, 제1 기판(2)과 제2 기판(6)이 전체면에서 접합된다. 또한, 제3 부재(10)의 선단 형상은 평면이어도 좋고 바늘형이어도 좋지만, 접합 개시점(11)을 재현성 좋게 형성하기 위해서는 국소적인 가압이 바람직한 것과, 내마모성의 관점에서, 정해진 곡률을 지닌 반구형이 적합하다. 접합 개시점(11)을 형성한 타이밍에 제2 부재(4)를 제1 기판(2)과 제2 기판(6) 사이에서 후퇴시키면, 제2 부재(4)가 접합 계면(12)의 진전을 방해하는 일은 없다. 또한, 제1 부재(3)가 흡착 기구를 포함하는 경우에는, 동일한 타이밍에 흡착을 정지시키면, 접합 계면(12)의 진전을 방해하는 일은 없다.
또한, 도 3에서 접합 개시점(11)은, 제1 기판(2) 및 제2 기판(6)의 중심에서 형성되어 있다. 접합 개시점(11)은, 제2 부재(4)와 정해진 거리 이격할 수 있으면 어디에 형성하여도 좋지만, 제2 부재(4)를 복수개 배치하는 경우는, 접합시에 제2 기판(6)을 대칭으로 변형하여 접합 계면을 등방적으로 진전시키기 위해서, 접합 개시점(11)은 제2 기판(6)의 무게중심(중심)과 동축인 것이 바람직하다.
또한, 제1 기판(2)이나 제2 기판(6)은, 반도체 제조 장치(1)에 반입되기 전에, 세정이 행해지고, 접합면(2a, 6a)의 표면의 카본 등의 유기물이나 Cu나 Al 등의 금속 오염물이 제거된다. 즉, 접합면(2a, 6a)의 표면 상태의 편차가 저감되기 때문에, 접합 계면(12)의 진전 속도의 산출이 용이해진다. 따라서, 접합 개시점(11)이 형성되고 나서 접합 계면(12)이 제2 부재(4)에 도달할 때까지의 시간은 예측 가능하기 때문에, 처리 유닛(9)은, 접합 계면(12)이 도달하기 전에 가변 기구(5)를 구동하여 제2 부재(4)를 외주 방향으로 후퇴시켜 공기층이 혼입되어 보이드가 발생하거나, 접합 계면의 진전이 도중에 멈추어 미접합부가 형성되어 버리는 것을 방지한다.
세정 공정은, 예컨대, 아세톤이나 알코올, 오존수(O3) 등을 이용한 유기 세정이나, 불산(HF), 희불산(DHF), 황산과산화수소수, 암모니아과산화수소수, 염산과산화수소수 등을 이용한 산 알칼리 세정 등의 웨트 프로세스라도 좋다. 또한, 수소, 질소, 산소, 일산화이질소(N2O), 아르곤, 헬륨 등의 단일 가스 또는 복수 가스로 여기되는 플라즈마 처리 등의 드라이 프로세스라도 좋다. 세정 공정은 웨트 프로세스와 드라이 프로세스의 조합이어도 좋다. 세정 공정에서는, 제1 기판(2)의 접합면(2a)과 제2 기판(6)의 접합면(6a)의 양면이 처리되는 것이 적합하지만, 어느 한쪽만 처리되어도 좋다.
제1 센서(8)는, 제1 기판(2)의 접합면(2a)이나 제2 기판(6)의 이면(6b)과의 거리를 측정할 수 있으면, 단파장 레이저, 가시광, 적외광, X선, 초음파 등 중 어느 하나를 이용하는 것도 적용 가능하다. 또한, 제2 기판(6)이 실리콘과 같이 가시광을 투과하지 않는 경우, 상기 실시예와 같이, 제2 기판(6)을 설치하기 전에 제1 기판(2)의 접합면(2a)까지의 거리(h1)를 측정해 두는 것이 바람직하지만, 적외광 등 제2 기판(6)을 투과할 수 있는 파장의 광을 이용하여, 제2 기판(6)을 설치한 후에 제2 기판(6)의 이면(6b)과의 거리(h2)를 동시에 측정하여도 좋다.
또한, 제2 기판(6)의 접합면(6a)과 제1 센서(8)와의 거리(h3)를 직접 측정하여도 좋다. 그 경우, 간극(7)의 거리(H)는 H=h1-h3으로 산출되며, 제2 기판(6)의 두께를 미리 정해진 값으로서 설정해 두거나, 측정하거나 할 필요가 없다.
또한, 제1 센서(8)는 접촉식 센서여도 좋다. 또한, 본 실시형태에서는, 가변 기구(5)를 이용하여 제2 부재(4)의 위치를 변화시키고 있지만, 제1 부재(3)의 위치를 가변으로 하여 간극(7)을 원하는 거리로 조정할 수 있도록 구성하여도 좋다. 또한, 제1 부재(3) 및 제2 부재(4)의 양방의 위치를 조정할 수 있도록 하여도 좋다.
본 실시형태에 따른 반도체 제조 장치(1)에 의하면, 제1 부재(3)로 제1 기판(2)을 유지하고, 제2 부재(4)로 제2 기판(6)을 유지하며, 제1 기판(2)의 접합면(2a)과 제2 기판(6)의 접합면(6a)을 대향시키고, 제3 부재(10)로 가압되는 제2 기판(6)의 이면(6b)과 제1 기판(2)의 접합면(2a)과의 거리를 제1 센서(8)로 측정한다. 그리고, 제1 기판(2)의 접합면(2a)과 제2 기판(6)의 접합면(6a)과의 거리(H)를 산출하고, 제1 부재(3)와 제2 부재(4) 중 한쪽 이상을 이동시켜, 제1 기판(2)의 접합면(2a)과 제2 기판(6)의 접합면(6a)의 거리를 작게 조정한다. 이에 따라, 제3 부재(10)로 가압할 때의 제2 기판(6)의 변형을 저감시킬 수 있다.
또한, 제3 부재(10)에 의해 가압?변형되는 제2 기판(6)의 반발력이 작아지기 때문에, 제1 기판(2)의 접합면(2a)과 제2 기판(6)의 접합면(6a)을 가압에 의해 근접시키기 쉬워지고, 접합 계면(12)의 형성 타이밍의 어긋남이 작아진다. 이 때문에, 제2 부재(4)가 접합 계면(12)의 진전을 방해하는 일이 없게 되어, 제1 기판(2)과 제2 기판(6)과의 접합 계면(12)에 혼입 보이드가 형성되지 않고 양호한 접합 상태를 얻을 수 있다. 또한, 접합 후에 제1, 제2 기판(2, 6)이 일그러지는 것을 저감할 수 있게 된다.
또한, 제2 부재(4)가, 제1 기판(2)과 제2 기판(6) 사이에 개재되고, 또한 제1 기판(2)의 외주의 적어도 2 지점을 덮으며, 제1 기판(2)과 대향하는 면과 반대면에 제2 기판(6)을 탑재함으로써, 제1 기판(2)의 접합면(2a)과 제2 기판(6)의 접합면(6a)과의 거리를 용이하게 조정할 수 있다.
여기서, 이면 조사형 이미지 센서에 관해서 설명을 보충한다.
이면 조사형 이미지 센서에서는, 수광면에 배선이나 쓸데없는 막을 형성할 필요가 없기 때문에, 표면 조사형 이미지 센서보다 높은 감도를 얻을 수 있다. 이 때, 이면에 입사된 광을 효율적으로 포토다이오드에 수집하기 위해서는, 반도체 기판의 박형화가 필요하게 된다. 반도체 기판의 두께는 수광면에서 발생한 전하가 확산되어, 포토다이오드에 수집될 때까지 해상도가 손상되지 않도록, 예컨대 가시광을 입사하는 경우는 20 ㎛보다 얇게 할 필요가 있다.
이러한 이면 조사형 이미지 센서를 포함한 반도체 장치는 이하의 방법에 의해 형성된다. 우선, 표면에 포토다이오드나 집적 회로가 형성된 반도체 기판이 준비된다. 반도체 기판의 표면측에 거의 동일한 직경의 지지 기판을 접합시킨다. 이 지지 기판은, 반도체 기판의 이면측에서 포토다이오드 근방까지 박화하여 수광면을 형성할 때의 보강체로서 기능한다. 다음으로, 수광면 상에 반사 방지막, 컬러 필터 및 집광용 마이크로 렌즈를 설치함으로써, 이면으로부터 조사되는 광이나 전자 등의 에너지선을 수광하여 포토다이오드에 수집하는, 소위 이면 조사형 이미지 센서가 된다. 또한, 반도체 기판의 이면에 집적 회로와 전기적으로 접속된 전극부를 형성한 후, 반도체 기판과 지지 기판과의 접합체는 다이싱 블레이드에 의해 절단되어 칩으로 분할된다. 분할된 칩은, 세라믹 패키지 등에 접착되고, 와이어 본딩에 의해 칩의 전극부와 세라믹 패키지에 형성된 배선과 전기적으로 접속함으로써 반도체 장치가 된다.
상기 반도체 장치에서는, 반도체 기판의 이면으로부터 표면의 포토다이오드가 형성되어 있는 층을 향해 도중까지 기계 연삭이나 화학 기계 연마로 반도체 기판이 박화되지만, 보다 효율적으로 에너지선을 포토다이오드에 수집하기 위해서는, 반도체 기판은 가능한 한 얇게 하는 것이 바람직하다.
그런데, 반도체 기판을 얇게 함으로써, 반도체 기판의 표면으로의 집적 회로(금속 배선이나 절연막으로 구성됨)를 형성할 때의 잔류 응력이 반도체 기판과 지지 기판의 접합면측에 집중된다. 또한, 반도체 기판의 이면에 전극을 형성할 때에 고온 프로세스를 필요로 하기 때문에, 반도체 기판과 지지 기판과의 접합 방법은, 유기 재료를 통하지 않고 직접 반도체 기판의 표면부와 지지 기판의 표면부를 무기 접속하는 직접 접합 방식이 바람직하다.
본 실시형태에 있어서의 직접 접합 방식은, 친수화 처리가 행해진 접합면 끼리의 정해진 1점을 가압함으로써 접합 기점(起點)(접합 개시점)이 형성되고, 거기에서 수소 결합에 의한 접합 계면이 자발적으로 또한 등방적으로 진전된다. 그러나, 가압시에 반도체 기판이나 지지 기판이 변형되어 있거나, 반도체 기판과 지지 기판과의 간격의 편차가 크면, 접합 계면 형성의 타이밍이 어긋나거나, 접합 계면의 등방적인 진전이 손상되어 공기층이 혼입되어 보이드가 발생하거나, 접합 계면의 진전이 도중에 멈추어 미접합부가 형성되어 버린다. 접합 계면에 형성되는 보이드나, 미접합부는 가능한 한 작게 하지 않으면, 반도체 기판을 박화할 때에, 반도체 기판과 지지 기판과의 분리나, 얇은 반도체 기판이 파단되는 등, 수율이 저하된다. 또한, 분리나 파단이 없더라도, 접합시의 지지 기판의 변형의 영향으로, 반도체 기판에 형성된 집적 회로가 일그러져 버리고, 반도체 기판의 이면에 컬러 필터나 마이크로 렌즈를 형성할 때에 맞춤 어긋남이 발생하여 촬상 특성이 열화된다.
그러나, 종래의 반도체 제조 장치에서는, 접합되는 기판 끼리간의 간격을 작게 하면, 의도하지 않게 기판 끼리 접촉하여 접합이 시작되어 버릴 가능성이 있기 때문에, 기판의 간격을 작게 하는 것이 곤란하였다.
본 실시형태에 따른 반도체 제조 장치에 의하면, 접합되는 기판 끼리의 간격을 검출할 수 있기 때문에, 기판 끼리의 간격을 가능한 한 작게 할 수 있다. 따라서, 반도체 기판과 지지 기판과의 접합시에 지지 기판의 변형이나, 기판 끼리의 간극의 편차를 억제할 수 있기 때문에, 수율이 향상된다. 또한, 이면 조사형 이미지 센서의 제조에 이용한 경우에는, 촬상 특성의 열화를 막을 수 있다.
(제2 실시형태)
도 4는 제2 실시형태에 따른 반도체 제조 장치의 단면도이다. 제1 실시형태와 동일한 구성 요소에 관해서는 동일한 부호를 붙이고, 설명은 생략한다. 도 4에 있어서, 반도체 제조 장치(20)의 제1 부재(3) 상에는, 제1 기판(2)이 탑재된다. 제1 기판(2)은, 예컨대 반도체 기판이어도 좋고, 표면에는 포토다이오드나 트랜지스터가 형성된 활성층(도시는 생략)이나 활성층과 전기적으로 접속된 배선층(도시는 생략)이 형성되고, 그 위는 접합면(2a)이 되는 절연층으로 덮여 있다.
제2 기판(6)은, 접합면(6a)이 제1 기판(2)의 접합면(2a)과 대향하도록 배치된다. 제2 기판(6)의 이면(6b)의 외주는, 제2 부재(21)로 흡착된다. 또한, 제2 부재(21)에는 가변 기구(5)가 연결되어 있다.
제2 부재(21)는, 제1 실시형태와 마찬가지로, 제2 기판(6)의 무게중심을 중심으로 한 정다각형(정삼각형이나 정방형 등)의 정점에서 제2 기판(6)을 유지하면, 접합시의 제2 기판(6)의 변형을 대칭으로 할 수 있기 때문에 바람직하지만, 복수의 임의의 장소라도 좋고, 링형이라도 좋다. 흡착 방식은 진공 척(다수 구멍, 홈, 다공질이나 그 조합), 정전 척 등 어떠한 방식이라도 좋다. 진공 척의 경우, 스테이지 재질은 유리, 석영, 실리콘이나 무기 재료, 알루미나 등의 세라믹 재료나, PTFE나 폴리에테르?에테르?케톤, 카본이 혼입된 도전성 폴리에테르?에테르?케톤 등의 수지 재료나, 스테인레스 입자 등으로 구성되어도 좋지만, 무기 재료나 수지 재료로 형성함으로써, 제1 기판(2)의 이면으로의 Cu 등의 중금속 오염을 없앨 수 있다. 정전 척의 경우는, 질화알루미늄, 알루미나, 단결정 사파이어 등을 이용할 수 있다.
또한, 제2 부재(21)는, 스테이지형의 흡착 기구를 포함하고 있어도 좋다. 제2 부재(21)가 평탄한 스테이지형의 흡착 기구를 포함하고, 제2 기판(6)의 이면(6b)을 전면적으로 흡착하도록 하면, 중앙부가 아래로 쳐지도록 제2 기판(6)이 변형되는 것을 방지하여 제1 기판(2)과 접합할 수 있다. 이 경우에는, 진공 척 방식을 채용하여, 제2 부재(21)를 석영이나 아크릴 등의 투명 재료로 형성하고, 적외광 등의 광을 이용하는 센서를 제1 센서(8)로서 적용하면, 제1 실시형태와 마찬가지로 간극(7)의 산출이 가능하다. 또한, 제2 부재(21)에 제1 센서(8)에 의한 거리 측정용 개구를 형성해 두면, 실리콘 등의 가시광을 투과하지 않는 재료로 제2 부재(21)를 구성하여도, 가시광을 이용하는 제1 센서(8)를 적용할 수 있게 된다. 또한, 제3 부재(10)와 대응하는 위치에 개구를 형성해 둠으로써, 제3 부재(10)로 제2 기판(6)의 접합면(6a)과는 반대측의 면을 가압할 수 있게 된다. 또한, 제1 부재(3)가 흡착 기구를 포함하는 경우에는, 접합 개시점을 형성한 타이밍에 흡착을 정지시키면, 접합 계면의 진전을 방해하는 일은 없다.
또한, 제1 부재(3)가 흡착 기구를 포함하지 않는 경우에는, 포토다이오드나 트랜지스터, 배선 등이 형성된 제1 기판(2)을, 제2 부재(21)에 흡착시킨 쪽이, 보강체로서 기능하는 제2 기판(6)을 흡착시키는 경우보다 접합 불량의 발생을 방지하는 효과는 높아진다.
또한, 여기서는 가변 기구(5)를 이용하여 제2 부재(21)의 위치를 바꿈으로써, 간극(7)을 원하는 거리로 조정하는 구성을 나타내었지만, 제1 부재(3)에 가변 기구를 설치하여 간극(7)이 원하는 거리가 되도록 조정하여도 좋다. 또한, 제1 부재(3) 및 제2 부재(21)의 양방의 위치를 조정할 수 있도록 하여도 좋다.
본 실시형태에 따른 반도체 제조 장치(20)에 의하면, 제1 실시형태와 동일한 효과에 덧붙여, 제2 부재(21)가 제2 기판(6)의 이면(6b)을 흡착함으로써, 제2 부재(21)의 두께로 제한되지 않고, 제1 기판(2)의 접합면(2a)과 제2 기판(6)의 접합면(6a)과의 거리(H)를 작게 조정할 수 있다. 즉, 본 실시형태에 있어서는 간극(7)을 제2 부재(21)의 두께 이하로 할 수도 있다.
(제3 실시형태)
도 5는 제3 실시형태에 따른 반도체 제조 장치의 단면도이다. 제1 실시형태와 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 붙이고 설명은 생략한다. 도 5에 있어서, 반도체 제조 장치(30)는, 제2 센서(31)를 포함한다. 제2 센서(31)는, 제2 기판(6)의 두께(t1)를 측정할 수 있는 센서이다. 또한, 반도체 제조 장치(30)는, 제1 센서(8)에 의해 제2 기판(6)의 이면(6b)과 제1 기판(2)의 접합면(2a)과의 거리를 측정할 수 있다.
간극(7)은 제1 센서(8) 및 제2 센서(31)에 의해, 제1 기판(2)의 접합면(2a)과 제2 기판(6)의 접합면(6a)과의 거리(H)로서 측정된다. 구체적으로는, 예컨대, 제1 부재(3)에 제1 기판(2)이 흡착된 후, 제1 센서(8)로 제1 기판(2)의 접합면(2a)과의 거리(h1)를 측정한다. 다음으로, 제2 기판(6)이 제2 부재(4)에 유지된 후, 제1 센서(8)에 의해 제2 기판(6)의 이면(6b)과의 거리(h2)가 측정된다. 다음으로, 제2 센서(31)에 의해 제2 기판(6)의 두께(t1)가 측정된다. 다음으로, 처리 유닛(9)에 의해, 간극(7)의 거리(H)는 H=h1-h2-t1의 연산에 의해 산출된다. 즉, 본 실시형태에 있어서는, 제1 센서(8), 제2 센서(31) 및 처리 유닛(9)에 의해 거리 검출 수단이 구성된다.
제2 센서(31)는, 예컨대, 단파장 레이저, 가시광, 적외광, X선, 초음파 등 중 어느 하나를 이용하는 것도 적용할 수 있지만, 제2 기판(6)이 실리콘인 경우는, 적외광을 이용하는 것이 바람직하다. 제2 센서(31)로서는, 예컨대 간섭 줄무늬 방식으로 두께를 측정하는 센서를 적용할 수 있다. 또한, 여기서는 제1 센서(8)와 제2 센서(31)가 별개의 구성인 경우를 예로 하였지만, 동일한 센서 유닛이어도 상관없다.
본 실시형태에 따른 반도체 제조 장치(30)에 의하면, 제1 실시형태와 동일한 효과에 덧붙여, 제2 센서(31)로 제2 기판(6)의 두께(t1)를 측정함으로써, 제1 기판(2)의 접합면(2a)과 제2 기판(6)의 접합면(6a) 사이의 간극(7)의 거리(H)를 정확히 산출하여 작게 조정할 수 있다. 따라서, 제3 부재(10)로 제2 기판(2)을 가압할 때의 제2 기판(6)의 변형을 저감시킬 수 있다. 또한, 가압에 의한 접합 계면의 형성 타이밍의 어긋남이 더 작아진다. 이 때문에, 제2 부재(4)가 접합 계면의 진전을 방해하는 일이 없게 되고, 제1 기판(2)과 제2 기판(6)과의 접합 계면에 혼입 보이드가 형성되지 않고 양호한 접합 상태를 얻을 수 있어, 접합 후에 일그러지는 것을 저감시킬 수 있다.
(제4 실시형태)
도 6은 제4 실시형태에 따른 반도체 제조 장치의 단면도이다. 도면 중, 다른 실시형태와 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 붙이고 설명은 생략한다. 도 6에 있어서, 반도체 제조 장치(40)는, 제1 센서(8)를 포함하고 있고, 제1 센서(8)를 이용하여 제2 기판(6)의 이면(6b)의 외주와 중심 부근의 적어도 2지점에서 높이 h2 및 h4를 측정하여 제2 기판(6)의 형상을 측정한다.
만일, h2≠h4인 경우, 즉 제2 기판(6)이 변형되어 있었을 경우, 도 6에 도시된 바와 같이 제1 기판(2)의 접합면(2a)의 중앙부와 제2 기판(6)의 접합면(6a)의 중앙부와의 간극(7)의 거리(H)와, 제2 부재(4)로 유지되는 높이[제1 기판(2)의 접합면(2a)의 외주부와 제2 기판(6)의 접합면(6a)의 외주부와의 거리](H2)가 같다고는 할 수 없다. 제2 기판(6)이 하향으로 휘어 있는 경우, 거리(H) 이상으로 제2 부재(4)의 높이(H2)를 낮추면, 제1 기판(2)의 접합면(2a)과 제2 기판(6)의 접합면(6a)이 접촉되어 버린다. 그 때문에, 제2 부재(4)가 유지되는 높이(H2)는, H+(h2-h4)로 제어됨으로써, 접합면 끼리의 접촉을 회피할 수 있다. 또한, 여기서, H는 h1-h2-t로 산출되는 값, 구체적으로는, 예컨대, 제1 부재(3)에 제1 기판(2)이 탑재된 후, 제1 센서(8)로 제1 기판(2)의 접합면(2a)과의 거리(h1)를 측정한다. 다음으로, 제2 기판(6)이 제2 부재(4)에 유지된 후, 제1 센서(8)에 의해 제2 기판(6)의 제3 부재(10)로 가압되는 근방, 즉, 제2 기판(6)의 무게중심 부근의 이면(6b)과의 거리(h2)가 측정되고, 다음으로, 제1 센서(8)에 의해 제2 기판(6)의 외주[제2 부재(4)로 유지되는 근방]와의 거리(h4)가 측정된다. 다음으로, 처리 유닛(9)에 의해, 간극(7)의 거리(H)는, H=h1-h2-t로서 산출된다. 또한, t는 정해진 값으로서 미리 처리 유닛(9)에 설정된다. 또한, 처리 유닛(9)은, 제2 기판(6)이 휘어 있는지 여부를 h2, h4의 값에 기초하여 판정하고, 제2 기판(6)이 휘어 있는 경우에는 제2 부재(4)가 유지되는 높이(H2)를, H+(h2-h4)로 제어한다. 처리 유닛(9)은, 가변 기구(5)와 전기적으로 접속되어 있고, 가변 기구(5)를 동작시켜 간격(7)을 원하는 거리가 되도록 조정할 수 있다.
또한, 여기서는 가변 기구(5)로 제2 부재(4)를 이동시켜 간극(7)을 원하는 거리가 되도록 조정하는 구성을 나타내었지만, 제1 부재(3)에 가변 기구(5)를 설치하여, 제1 부재(3)를 이동시킴으로써 간극(7)을 원하는 거리로 조정하여도 좋다.
본 실시형태에 따른 반도체 제조 장치(40)는, 제1 실시형태와 동일한 효과에 덧붙여, 제1 센서(8)가 제2 기판(6)의 이면(6b)의 외주와 중심 부근의 적어도 2지점에서 제2 기판(6)과의 거리를 측정함으로써, 제2 부재(4)에 유지된 제2 기판(6)의 휨이 산출되기 때문에, 제1 기판(2)의 접합면(2a)과 제2 기판(6)의 접합면(6a)을 접촉시키지 않고 간극(7)을 조정할 수 있다.
또한, 가변 기구(5)가 제2 부재(4)의 각각을 독립적으로 이동시키는 것이 가능한 경우는, 제1 센서(8)가 제2 기판(6)의 외주의 복수 지점에서 거리(h4)를 측정할 수 있게 하여도 좋다. 각 제2 부재(4)의 근방에서 거리(h4)를 측정하여 간극(7)의 거리(H)를 산출하고, 각 제2 부재(4)를 간극(7)의 산출 결과에 따라 개별적으로 이동시킴으로써, 제2 기판(6)이 일그러져 있었다고 해도, 이것을 평탄하게 교정하여 유지한 상태에서 제1 기판과의 접합을 개시할 수 있게 된다. 이에 따라, 접합 개시점으로부터 등방적으로 접합 계면을 진전시키는 것이 가능해진다.
상기 각 실시형태에 있어서, 제3 부재(10)는 제2 기판(6)의 접합면(6a)과는 반대측의 면을 가압한다고 하였지만, 제1 기판(2)의 접합면(2a)과는 반대측의 면을 가압하도록 구성하는 것도 가능하다. 또한, 상기 각 실시형태에서는, 제1 기판(2)이 포토다이오드나 트랜지스터, 배선 등을 포함한 기판이고, 제2 기판(6)은 제1 기판(2)의 보강체로서 기능하는 기판이라고 하였지만, 이들은 반대여도 좋다.
또한, 상기 각 실시형태는, 조합하여 실시하는 것도 가능하다. 예컨대, 제2 기판의 이면을 제2 부재로 흡착하여 유지하고, 또한 제2 센서로 제2 기판의 두께를 측정하는 것 등도 가능하다.
본 발명의 몇 개의 실시형태를 설명하였지만, 이들 실시형태는, 예로서 제시한 것으로서, 발명의 범위를 한정하는 것을 의도하지 않는다. 이들 신규한 실시형태는, 그 밖의 여러 가지 형태로 실시되는 것이 가능하고, 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서, 여러 가지 생략, 치환, 변경을 행할 수 있다. 이들 실시형태나 그 변형은, 발명의 범위나 요지에 포함되고, 특허청구범위에 기재된 발명과 그 균등한 범위에 포함된다.
Claims (20)
- 접합면을 갖는 제1 및 제2 반도체 기판의 상기 접합면 끼리를 1점 접촉시켜 접합 개시점을 형성하고, 이 접합을 상기 접합 개시점으로부터 주위로 진전시켜 상기 제1 반도체 기판과 상기 제2 반도체 기판을 전체면에서 접합하는 반도체 제조 장치로서,
상기 제1 반도체 기판을 유지하는 제1 부재와,
상기 제2 반도체 기판의 접합면을 상기 제1 부재에 유지된 상기 제1 반도체 기판의 접합면과 대향시켜, 상기 제2 반도체 기판을 유지하는 제2 부재와,
상기 제1 부재에 유지된 상기 제1 반도체 기판의 접합면과, 상기 제2 부재에 유지된 상기 제2 반도체 기판의 접합면의 거리를 검출하는 거리 검출 수단과,
상기 거리 검출 수단의 검출 결과에 기초하여 상기 제1 및 제2 부재 중 한쪽 이상을 이동시켜, 상기 제1 반도체 기판의 접합면과 상기 제2 반도체 기판의 접합면의 거리를 미리 정해진 값으로 조정하는 조정 수단과,
상기 제2 부재로부터 미리 정해진 거리를 두고 설치되고, 상기 제1 및 제2 반도체 기판 중 한쪽의 상기 접합면과는 반대측의 면의 1점을 가압하여, 상기 제1 반도체 기판과 상기 제2 반도체 기판 사이에 상기 접합 개시점을 형성하는 제3 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치. - 제1항에 있어서, 상기 거리 검출 수단은,
상기 제1 부재에 유지된 상기 제1 반도체 기판의 접합면과, 상기 제2 부재에 유지된 상기 제2 반도체 기판의 접합면과는 반대측의 면의 거리를 측정하는 제1 센서를 포함하고,
상기 제1 센서의 측정 결과와 상기 제2 반도체 기판의 두께 치수로서 미리 등록되어 있는 값에 기초하여, 상기 제1 부재에 유지된 상기 제1 반도체 기판의 접합면과, 상기 제2 부재에 유지된 상기 제2 반도체 기판의 접합면의 거리를 산출하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치. - 제2항에 있어서, 상기 제2 부재는, 상기 제1 반도체 기판과 상기 제2 반도체 기판 사이에 개재되면서, 상기 제1 반도체 기판의 외주부를 복수 지점에서 덮으며, 상기 제1 반도체 기판과 대향하는 면과 반대측에 상기 제2 반도체 기판을 배치하여 유지하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
- 제3항에 있어서, 상기 제2 부재는 원추 형상인 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
- 제3항에 있어서, 상기 제2 부재는 복수개 설치되어 있고, 이 복수의 상기 제2 부재는, 상기 제2 반도체 기판의 무게중심을 중심으로 한 정다각형의 정점에서 이 제2 반도체 기판을 유지하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
- 제5항에 있어서, 상기 제3 부재는, 상기 제2 부재의 중심에 상기 접합 개시점을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
- 제2항에 있어서, 상기 제2 부재는, 상기 제2 반도체 기판의 접합면과 반대측의 면을 흡착하여 상기 제2 반도체 기판을 유지하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
- 제2항에 있어서, 상기 제1 부재는, 상기 제1 반도체 기판을 흡착하여 이 제1 반도체 기판의 휨을 교정하는 스테이지형의 흡착 기구를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
- 제3항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 센서는, 상기 제2 반도체 기판의 중앙부와 외주부에서 상기 제2 반도체 기판의 접합면과는 반대측의 면과 상기 제1 반도체 기판의 접합면의 거리를 측정하고,
상기 조정 수단은, 상기 제2 반도체 기판의 접합면과 상기 제1 반도체 기판의 접합면의 거리가, 상기 제2 반도체 기판의 중앙부에서 미리 정해진 값이 되도록 상기 제2 부재를 이동시키는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치. - 제1항에 있어서, 상기 거리 검출 수단은,
상기 제1 부재에 유지된 상기 제1 반도체 기판의 접합면과, 상기 제2 부재에 유지된 상기 제2 반도체 기판의 접합면과는 반대측의 면의 거리를 측정하는 제1 센서와, 상기 제2 반도체 기판의 두께를 측정하는 제2 센서를 포함하고,
상기 제1 센서의 측정 결과로부터, 상기 제2 센서의 측정 결과를 감산함으로써, 상기 제1 부재에 유지된 상기 제1 반도체 기판의 접합면과, 상기 제2 부재에 유지된 상기 제2 반도체 기판의 접합면의 거리를 산출하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치. - 제10항에 있어서, 상기 제2 부재는, 상기 제1 반도체 기판과 상기 제2 반도체 기판 사이에 개재되면서, 상기 제1 반도체 기판의 외주부를 복수 지점에서 덮으며, 상기 제1 반도체 기판과 대향하는 면과 반대측에 상기 제2 반도체 기판을 배치하여 유지하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
- 제11항에 있어서, 상기 제2 부재는 원추 형상인 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
- 제11항에 있어서, 상기 제2 부재는 복수개 설치되어 있고, 이 복수의 상기 제2 부재는, 상기 제2 반도체 기판의 무게중심을 중심으로 한 정다각형의 정점에서 이 제2 반도체 기판을 유지하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
- 제13항에 있어서, 상기 제3 부재는, 상기 제2 부재의 중심에 상기 접합 개시점을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
- 제10항에 있어서, 상기 제2 부재는, 상기 제2 반도체 기판의 접합면과 반대측의 면을 흡착하여 상기 제2 반도체 기판을 유지하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
- 제10항에 있어서, 상기 제1 부재는, 상기 제1 반도체 기판을 흡착하여 이 제1 반도체 기판의 휨을 교정하는 스테이지형의 흡착 기구를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
- 제11항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 센서는, 상기 제2 반도체 기판의 중앙부와 외주부에서 상기 제2 반도체 기판의 접합면과는 반대측의 면과 상기 제1 반도체 기판의 접합면의 거리를 측정하고,
상기 조정 수단은, 상기 제2 반도체 기판의 접합면과 상기 제1 반도체 기판의 접합면의 거리가, 상기 제2 반도체 기판의 중앙부에서 미리 정해진 값이 되도록 상기 제2 부재를 이동시키는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치. - 접합면을 갖는 제1 및 제2 반도체 기판의 상기 접합면 끼리를 1점 접촉시켜 접합 개시점을 형성하고, 이 접합을 상기 접합 개시점으로부터 주위로 진전시켜 상기 제1 반도체 기판과 상기 제2 반도체 기판을 전체면에서 접합하는 반도체 기판 접합 방법으로서,
상기 제1 반도체 기판을 제1 부재로 유지하고,
상기 제2 반도체 기판의 접합면을 상기 제1 부재에 유지된 상기 제1 반도체 기판의 접합면과 대향시켜, 제2 부재로 상기 제2 반도체 기판을 유지하며,
상기 제1 부재에 유지된 상기 제1 반도체 기판의 접합면과, 상기 제2 부재에 유지된 상기 제2 반도체 기판의 접합면의 거리를 검출하고,
검출된 상기 제1 반도체 기판의 접합면과 상기 제2 반도체 기판의 접합면의 거리에 기초하여 상기 제1 및 제2 부재 중 한쪽 이상을 이동시켜, 상기 제1 반도체 기판의 접합면과 상기 제2 반도체 기판의 접합면의 거리를 미리 정해진 값으로 조정하고,
상기 제2 부재로부터 미리 정해진 거리를 두고 설치된 제3 부재로, 상기 제1 및 제2 반도체 기판 중 한쪽의 상기 접합면과는 반대측의 면의 1점을 가압하여, 상기 제1 반도체 기판과 상기 제2 반도체 기판 사이에 상기 접합 개시점을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 접합 방법. - 제18항에 있어서, 상기 제1 부재에 유지된 상기 제1 반도체 기판의 접합면과, 상기 제2 부재에 유지된 상기 제2 반도체 기판의 접합면과는 반대측의 면의 거리를 측정하고,
상기 제1 반도체 기판의 접합면과, 상기 제2 반도체 기판의 접합면과는 반대측의 면의 거리와, 상기 제2 반도체 기판의 두께 치수로서 미리 등록되어 있는 값에 기초하여 상기 제1 부재에 유지된 상기 제1 반도체 기판의 접합면과, 상기 제2 부재에 유지된 상기 제2 반도체 기판의 접합면의 거리를 산출함으로써,
상기 제1 부재에 유지된 상기 제1 반도체 기판의 접합면과, 상기 제2 부재에 유지된 상기 제2 반도체 기판의 접합면의 거리를 검출하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 접합 방법. - 제18항에 있어서, 상기 제1 부재에 유지된 상기 제1 반도체 기판의 접합면과, 상기 제2 부재에 유지된 상기 제2 반도체 기판의 접합면과는 반대측의 면의 거리를 측정하고,
상기 제2 반도체 기판의 두께를 측정하며,
상기 제1 반도체 기판의 접합면과, 상기 제2 반도체 기판의 접합면과는 반대측의 면의 거리로부터, 상기 제2 반도체 기판의 두께를 감산함으로써, 상기 제1 부재에 유지된 상기 제1 반도체 기판의 접합면과, 상기 제2 부재에 유지된 상기 제2 반도체 기판의 접합면의 거리를 산출함으로써,
상기 제1 부재에 유지된 상기 제1 반도체 기판의 접합면과, 상기 제2 부재에 유지된 상기 제2 반도체 기판의 접합면의 거리를 검출하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 접합 방법.
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