KR20120078932A - 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치는 서로 마주하는 제1 기판 및 제2 기판, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 개재되어 있는 액정층, 상기 제1 기판 위에 위치하는 제1 데이터선, 상기 제1 기판 위에 위치하며 상기 제1 데이터선으로부터 데이터 전압을 인가받는 화소 전극, 상기 제1 기판 위에 위치하며 상기 화소 전극의 적어도 일부분과 상기 제1 데이터선과 중첩하는 공통 전극, 그리고 유전 상수가 3.5 이하이며 상기 공통 전극과 상기 제1 데이터선 사이에 위치하는 제1 부분을 포함하는 보호막을 포함하고, 상기 화소 전극과 상기 공통 전극 중 하나는 이격되어 있는 복수의 가지 전극을 포함하고 나머지 전극은 면형이다.

Description

액정 표시 장치 및 그 제조 방법{LIQUID CRYSTAL DISPLAY AND MANUFACTURNIG METHOD THEREOF}
본 발명은 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중 하나로서, 화소 전극과 공통 전극 등 전기장 생성 전극(field generating electrode)이 형성되어 있는 두 장의 표시판과 그 사이에 들어 있는 액정층을 포함한다. 액정 표시 장치는 전기장 생성 전극에 전압을 인가하여 액정층에 전기장을 생성하고 이를 통하여 액정층의 액정 분자들의 방향을 결정하고 입사광의 편광을 제어함으로써 영상을 표시한다. 액정 표시 장치의 투과율은 액정 분자들이 잘 제어될수록 높아질 수 있다.
한편, 액정 표시 장치의 각 화소 전극은 게이트선과 데이터선 등의 신호선과 연결되어 있는 스위칭 소자와 연결되어 있다. 스위칭 소자는 박막 트랜지스터 등의 삼단자 소자로서 출력 단자를 통해 데이터 전압을 화소 전극에 전달한다.
이러한 액정 표시 장치 중에서 액정층에 전기장을 생성하는 화소 전극 및 공통 전극을 스위칭 소자가 형성되어 있는 하나의 표시판에 구비할 수 있다. 이때 데이터선과 화소 전극 간의 용량 결합에 의한 전기장 왜곡에 의해 데이터선 부근에 빛샘이 발생할 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 화소 전극 및 공통 전극이 하나의 표시판에 형성된 구조의 액정 표시 장치의 투과율을 높이고 데이터선과 화소 전극 간의 용량 결합에 의한 빛샘을 방지하며 나아가 데이터선의 부하를 줄이는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 표시 영역에서 액정층의 전기장 생성 효율을 높이는 것이다.
본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치는 서로 마주하는 제1 기판 및 제2 기판, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 개재되어 있는 액정층, 상기 제1 기판 위에 위치하는 제1 데이터선, 상기 제1 기판 위에 위치하며 상기 제1 데이터선으로부터 데이터 전압을 인가받는 화소 전극, 상기 제1 기판 위에 위치하며 상기 화소 전극의 적어도 일부분과 상기 제1 데이터선과 중첩하는 공통 전극, 그리고 유전 상수가 3.5 이하이며 상기 공통 전극과 상기 제1 데이터선 사이에 위치하는 제1 부분을 포함하는 보호막을 포함하고, 상기 화소 전극과 상기 공통 전극 중 하나는 이격되어 있는 복수의 가지 전극을 포함하고 나머지 전극은 면형이다.
상기 보호막의 두께는 0.5㎛ 이상 3.0㎛이하일 수 있다.
상기 보호막은 유기 물질을 포함할 수 있다.
상기 제1 데이터선과 이웃하며 상기 제1 데이터선과 동일한 층에 위치하는 제2 데이터선을 더 포함하고, 상기 보호막은 상기 공통 전극과 상기 제2 데이터선 사이에 위치하는 제2 부분을 더 포함하며, 상기 제1 부분 및 상기 제2 부분은 이격되어 있을 수 있다.
상기 제1 데이터선과 이웃하며 상기 제1 데이터선과 동일한 층에 위치하는 제2 데이터선을 더 포함하고, 상기 보호막은 상기 제1 데이터선과 상기 제2 데이터선 사이에 위치하는 제3 부분을 더 포함하며, 상기 제1 부분의 두께가 상기 제2 부분의 두께보다 더 두꺼울 수 있다.
상기 화소 전극 및 상기 공통 전극 중 적어도 하나는 투명한 도전 물질을 포함할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법은 기판 위에 제1 데이터선을 포함하는 데이터 도전체를 형성하는 단계, 상기 기판 위에 화소 전극을 형성하는 단계, 상기 기판 위에 상기 화소 전극의 적어도 일부분과 상기 제1 데이터선과 중첩하는 공통 전극을 형성하는 단계, 그리고 상기 공통 전극과 상기 제1 데이터선 사이에 위치하는 제1 부분을 포함하며 유전 상수가 3.5 이하인 보호막을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 화소 전극과 상기 공통 전극 중 하나는 이격되어 있는 복수의 가지 전극을 포함하고 나머지 전극은 면형이다.
상기 보호막을 형성하는 단계는 상기 공통 전극 및 상기 제1 데이터선 사이에 위치하도록 유기 물질을 적층하는 단계, 그리고 상기 적층된 유기 물질을 광 마스크를 사용하여 노광하여 상기 제1 데이터선과 중첩하는 제2 부분 및 상기 제2 부분보다 두께가 얇은 제3 부분을 포함하는 보호막 패턴을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 광 마스크는 빛이 조사되는 투명 영역, 빛이 조사되지 않는 불투명 영역, 그리고 빛이 일부만 조사되는 반투명 영역을 포함할 수 있다.
상기 데이터 도전체를 형성하는 단계는 상기 제1 데이터선과 이웃하는 제2 데이터선을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 보호막 패턴의 상기 제2 부분은 상기 제2 데이터선과도 중첩할 수 있다.
상기 보호막 패턴을 식각하는 단계, 그리고 상기 보호막 패턴을 애싱(ashing)하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 보호막 패턴을 애싱하는 단계는 상기 제3 부분을 제거하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 보호막 하부에 절연층을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 보호막 패턴을 식각하는 단계는 상기 절연층을 식각하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 보호막의 두께는 0.5㎛ 이상 3.0㎛이하일 수 있고, 상기 화소 전극 및 상기 공통 전극 중 적어도 하나는 투명한 도전 물질을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예와 같이 면형인 전극과 가지 전극을 포함하는 전극을 하나의 기판 위에 형성함으로써 액정 효율을 높여 액정 표시 장치의 투과율을 높일 수 있다.
또한 공통 전압을 전달하는 공통 전극의 일부가 데이터선을 덮도록 하여 빛샘을 줄일 수 있고, 서로 중첩하는 데이터선 및 공통 전극 사이에 유전율이 낮은 보호막을 개재하여 데이터선과 공통 전극의 기생 정전 용량을 낮춰 데이터선의 신호 지연을 줄일 수 있다. 또한 데이터선과 공통 전극 사이에만 위치하는 보호막을 형성하거나 표시 영역에 위치하는 보호막을 두께를 얇게 형성함으로써 액정층에서의 전기장의 생성 효율을 높이고 보호막의 단차에 의한 배향막 불량 또는 배선 불량을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 한 화소에 대한 배치도이고,
도 2 및 도 3은 각각 도 1의 액정 표시 장치를 II-II 선 및 III-III 선을 따라 자른 단면도의 한 실시예이고,
도 4 및 도 5는 각각 도 1의 액정 표시 장치를 II-II 선 및 III-III 선을 따라 자른 단면도의 다른 실시예이고,
도 6은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 한 화소에 대한 배치도이고,
도 7 및 도 8은 각각 도 6의 액정 표시 장치를 VII-VII 선 및 VIII-VIII 선을 따라 자른 단면도이고,
도 9는 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 한 화소에 대한 배치도이고,
도 10 및 도 11은 각각 도 9의 액정 표시 장치를 X-X 선 및 XI-XI 선을 따라 자른 단면도이고,
도 12는 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 한 화소에 대한 배치도이고,
도 13 및 도 14는 각각 도 12의 액정 표시 장치를 XIII-XIII 선 및 XIV-XIV 선을 따라 자른 단면도이고,
도 15, 도 18, 도 21 및 도 24는 도 1 내지 도 5에 도시한 액정 표시 장치를 본 발명의 한 실시예에 따라 제조하는 방법의 중간 단계에서의 액정 표시 장치를 차례대로 도시한 배치도이고,
도 16, 도 19, 도 22, 도 25, 도 27 및 도 29는 차례대로 도 15, 도 18, 도 21 및 도 24의 액정 표시 장치를 XVI-XVI 선, XIX-XIX 선, XXII-XXII 선, XXV-XXV 선을 따라 자른 단면도이고,
도 17, 도 20, 도 23, 도 26, 도 28 및 도 30은 차례대로 도 15, 도 18, 도 21 및 도 24의 액정 표시 장치를 XVII-XVII 선, XX-XX 선, XXIII-XXIII 선, XXVI-XXVI 선을 따라 자른 단면도이고,
도 31은 본 발명의 다른 실시예에 따른 화소 전극 또는 공통 전극의 평면도이다
그러면 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우 뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
먼저, 도 1, 도 2, 도 3, 도 4 및 도 5를 참고하여 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치에 대하여 설명한다.
도 1 및 도 2는 각각 본 발명의 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판의 단면도이다. 도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 한 화소에 대한 배치도이고, 도 2 및 도 3은 각각 도 1의 액정 표시 장치를 II-II 선 및 III-III 선을 따라 자른 단면도의 한 실시예이고, 도 4 및 도 5는 각각 도 1의 액정 표시 장치를 II-II 선 및 III-III 선을 따라 자른 단면도의 다른 실시예이다.
본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치는 서로 마주하는 하부 표시판(100)과 상부 표시판(200) 및 이들 두 표시판(100, 200) 사이에 들어 있는 액정층(3)을 포함한다.
먼저, 하부 표시판(100)에 대하여 설명한다.
절연 기판(110) 위에 복수의 게이트선(gate line)(121), 복수의 공통 전압선(common voltage line)(125)을 포함하는 복수의 게이트 도전체가 형성되어 있다.
게이트선(121)은 게이트 신호를 전달하고 주로 가로 방향으로 뻗는다. 각 게이트선(121)은 위로 돌출한 복수의 게이트 전극(gate electrode)(124)를 포함한다.
공통 전압선(125)은 공통 전압(Vcom) 등 소정의 전압을 전달하고 대체로 가로 방향으로 뻗으며 게이트선(121)에 실질적으로 평행할 수 있다. 각 공통 전압선(125)은 복수의 확장부(126)를 포함할 수 있다.
게이트 도전체(121, 125) 위에는 게이트 절연막(gate insulating layer)(140)이 형성되어 있다. 게이트 절연막(140)은 질화규소(SiNx) 또는 산화규소(SiOx) 따위의 무기 절연물 등으로 만들어질 수 있다.
게이트 절연막(140) 위에는 복수의 선형 반도체(151)가 형성되어 있다. 선형 반도체(151)는 주로 세로 방향으로 뻗으며, 이로부터 복수의 반도체 돌출부(154)가 게이트 전극(124)을 향하여 뻗어 나와 있다.
선형 반도체(151) 위에는 복수의 선형 저항성 접촉 부재(ohmic contact)(161) 및 복수의 섬형 저항성 접촉 부재(165)가 형성되어 있다. 선형 저항성 접촉 부재(161)는 게이트 전극(124)을 향하여 뻗은 복수의 돌출부(163)를 가지고 있으며, 이 돌출부(163)와 섬형 저항성 접촉 부재(165)는 게이트 전극(124)을 중심으로 서로 마주하며 쌍을 이루어 반도체 돌출부(154) 위에 배치되어 있다. 저항성 접촉 부재(161, 165)는 인 따위의 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위의 물질로 만들어지거나 실리사이드(silicide)로 만들어질 수 있다.
저항성 접촉 부재(161, 165) 위에는 복수의 데이터선(data line)(171)과 복수의 드레인 전극(drain electrode)(175)을 포함하는 데이터 도전체가 형성되어 있다.
데이터선(171)은 데이터 신호를 전달하며 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트선(121) 및 공통 전압선(125)과 교차한다. 각 데이터선(171)은 게이트 전극(124)을 향하여 뻗은 복수의 소스 전극(source electrode)(173)을 포함한다.
드레인 전극(175)은 게이트 전극(124)을 중심으로 소스 전극(173)과 마주하는 막대형 끝 부분과 면적이 넓은 다른 끝 부분을 포함한다.
게이트 전극(124), 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 반도체 돌출부(154)와 함께 스위칭 소자인 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)를 이룬다. 선형 반도체(151)는 박막 트랜지스터가 위치하는 반도체 돌출부(154)를 제외하면 데이터선(171), 드레인 전극(175) 및 그 하부의 저항성 접촉 부재(161, 165,)와 거의 동일한 평면 형태를 가질 수 있다.
데이터 도전체(171, 175) 및 노출된 반도체 돌출부(154) 위에는 화소 전극(191)이 형성되어 있다. 화소 전극(191)은 ITO 또는 IZO 등의 투명한 도전 물질로 만들어질 수 있다.
화소 전극(191)은 박막 트랜지스터의 드레인 전극(175)의 바로 위에 위치하여 드레인 전극(175)의 일부를 덮으며 직접 접촉하고 있으며, 게이트 절연막(140)과 접촉하는 부분을 포함한다. 화소 전극(191)은 드레인 전극(175)으로부터 데이터 전압을 전달받는다.
화소 전극(191)은 게이트선(121) 및 데이터선(171)으로 둘러싸인 영역을 대부분 채우는 면형이다. 화소 전극(191)의 전체적인 모양은 대체로 게이트선(121) 및 데이터선(171)에 거의 평행한 네 변을 가지는 직사각형일 수 있으며 박막 트랜지스터가 위치하는 아래쪽의 양쪽 모서리는 모따기되어(chamfered) 있을 수 있으나 모양은 이에 한정되지 않는다.
화소 전극(191), 데이터 도전체(171, 175) 및 노출된 반도체 돌출부(154) 위에는 제1 보호막(passivation layer)(180a)이 형성되어 있다. 제1 보호막(180a)은 무기 절연물 또는 유기 절연물 따위로 만들어질 수 있다. 제1 보호막(180a) 및 게이트 절연막(140)에는 공통 전압선(125)의 일부, 예를 들어 확장부(126)의 일부를 드러내는 복수의 접촉 구멍(182)이 형성되어 있다.
도 2 및 도 3을 참고하면, 제1 보호막(180a) 위에는 제2 보호막(180c)이 형성되어 있다. 본 실시예에 따른 제2 보호막(180c)은 데이터선(171)을 덮으며 데이터선(171)을 따라 형성되어 있다. 제2 보호막(180c)은 유기 물질 또는 무기 물질로 만들어질 수 있으며, 그 유전 상수(relative permittivity)는 3.5 이하일 수 있다. 특히 제2 보호막(180c)의 유전 상수는 낮을수록 바람직한데, 상대적으로 비교하면, 하부의 제1 보호막(180a) 또는 게이트 절연막(140)의 유전 상수보다 낮을 수 있다. 제2 보호막(180c)의 두께는 0.5㎛ 이상 3.0㎛이하일 수 있는데, 제2 보호막(180c)의 유전 상수가 낮을수록 그 두께를 더욱 얇게 할 수 있다.
반면 도 4 및 도 5를 참고하면, 제1 보호막(180a) 위에는 제2 보호막(180b)이 형성되어 있다. 본 실시예에 따른 제2 보호막(180b)은 제1 보호막(180a) 상부 전면에 형성되어 있어 서로 이웃하는 두 데이터선(171) 사이에도 위치한다. 또한 제1 보호막(180a) 및 게이트 절연막(140)의 접촉 구멍(182)이 제2 보호막(180b)까지 연장되어 있다. 제2 보호막(180b)은 데이터선(171)을 덮으며 데이터선(171)을 따라 위치하는 상대적으로 두꺼운 부분(180c')을 포함한다. 도 4 및 도 5에 도시한 실시예에서 제1 보호막(180a)은 생략될 수 있다. 이 밖에 제2 보호막(180b)의 특징은 앞에서 설명한 도 2 및 도 3에 도시한 제2 보호막(180c)의 특징과 동일하다.
제2 보호막(180c, 180b) 위에는 복수의 공통 전극(common electrode)(131)이 형성되어 있다. 공통 전극(131)은 ITO 또는 IZO 등의 투명한 도전 물질로 만들어질 수 있다.
각 공통 전극(131)은 데이터선(171) 및 제2 보호막(180c, 180b)의 상부를 덮는 세로부(135), 두 세로부(135) 사이에 위치하며 이격되어 있는 복수의 가지 전극(133), 그리고 복수의 가지 전극(133)의 끝 부분을 연결하는 하부 가로부(132a) 및 상부 가로부(132b)를 포함한다. 세로부(135)는 대체로 데이터선(171)에 평행하고 데이터선(171)을 폭 방향으로 덮을 수 있도록 데이터선(171)과 중첩한다. 하부 및 상부 가로부(132a, 132b)는 대체로 게이트선(121)에 평행할 수 있다. 복수의 가지 전극(133)은 서로 실질적으로 평행하며 게이트선(121)의 연장 방향에 대해 빗각을 이루고 있으며, 그 빗각은 45도 이상일 수 있다. 공통 전극(131)의 가상의 가로 중심선을 기준으로 위쪽의 가지 전극(133)과 아래쪽의 가지 전극(133)은 거의 반전 대칭을 이룰 수 있다. 이웃하는 공통 전극(131)은 하나의 세로부(135)를 통해 서로 연결되어 있다.
본 발명의 실시예에 따른 공통 전극(131)은 화소 전극(191)과 적어도 일부분 중첩하고 있다. 특히 공통 전극(131)의 이웃한 적어도 두 개의 가지 전극(133)은 면형인 하나의 화소 전극(191)과 중첩하고 있다.
공통 전극(131)은 접촉 구멍(182)을 통하여 공통 전압선(125)으로부터 공통 전압(Vcom) 등 소정의 전압을 인가받는다.
다음, 상부 표시판(200)에 대하여 설명하면, 절연 기판(210) 위에 차광 부재(light blocking member)(220) 및 색필터(230)가 형성되어 있다. 차광 부재(220)는 화소 전극(191) 사이의 빛샘을 막고 화소 전극(191)과 마주하는 개구 영역을 정의한다. 색필터(230)는 차광 부재(220)로 둘러싸인 영역 내에 대부분 존재하며, 화소 전극(191) 열을 따라서 길게 뻗을 수 있다. 각 색필터(230)는 적색, 녹색 및 청색의 삼원색 등 기본색(primary color) 중 하나를 표시할 수 있다. 차광 부재(220) 및 색필터(230) 위에는 덮개막(250)이 더 형성되어 있을 수 있다.
두 표시판(100, 200)의 안쪽 면에는 배향막(alignment layer)(11, 21)이 도포되어 있으며 이들은 수평 배향막일 수 있다. 공통 전극(131)의 가지 전극(133)이 데이터선(171) 이 뻗은 방향인 세로 방향에 더 가깝게 기울어진 도 1에 도시한 실시예에서 배향막(11, 21)의 배향 방향은 세로 방향일 수 있다.
하부 표시판(100)과 상부 표시판(200) 사이에 들어 있는 액정층(3)은 액정 분자(31)를 포함하며 액정 분자(31)는 전기장이 없는 상태에서 그 장축이 두 표시판(100, 200)의 표면에 대하여 수평을 이루도록 배향되어 있을 수 있다.
데이터 전압이 인가된 화소 전극(191)은 공통 전압(Vcom)을 인가받은 공통 전극(131)과 함께 액정층(3)에 전기장을 생성함으로써 액정층(3)의 액정 분자(31)의 방향을 결정하고 해당 영상을 표시한다. 특히 화소 전극(191)이 데이터선(171) 및 게이트선(121)으로 둘러싸인 영역인 표시 영역에서 대체로 면형으로 형성되어 있으므로 도 3에 화살표로 도시한 전기장과 같이 공통 전극(131)의 가지 전극(133)의 중앙선 부근을 제외한 거의 모든 표시 영역에서 액정 분자(31)의 방향을 제어할 수 있고 액정 표시 장치의 투과율을 높일 수 있다.
본 실시예에서 공통 전극(131)의 세로부(135)는 데이터선(171)을 폭 방향으로 덮도록 데이터선(171)과 중첩하고 있으므로 데이터선(171)과 화소 전극(191) 사이의 크로스토크를 줄이고 데이터선(171)과 이웃하는 화소 전극(191) 사이의 기생 정전 용량에 의한 빛샘을 줄일 수 있다. 또한 본 실시예에 따르면 서로 중첩하는 데이터선(171) 및 상부의 공통 전극(131)의 세로부(135) 사이에는 유전율이 낮은 제2 보호막(180c, 180b)이 개재되어 있으므로 데이터선(171)과 상부의 공통 전극(131)의 기생 정전 용량을 낮춰 데이터선(171)의 신호 지연을 줄일 수 있다.
특히 도 2 및 도 3의 실시예와 같이 데이터선(171) 상부에만 제2 보호막(180c)을 형성하거나, 도 4 및 도 5의 실시예와 같이 데이터선(171) 상부 이외의 곳에서의 제2 보호막(180b)의 두께를 얇게 하면, 제2 보호막(180c, 180b)의 하부층에 위치하는 화소 전극(191)이 액정층(3)에 형성하는 전기장의 생성 효율을 높일 수 있다. 또한 제2 보호막(180c, 180b)의 유전율을 낮추면 그 두께를 더욱 얇게 할 수 있고, 그러면 표시 영역에서 전기장 생성 효율을 더욱 높일 수 있어 투과율을 높일 수 있다. 또한 제2 보호막(180c, 180b)의 두께를 낮춤으로써 단차에 의한 배향막 불량 또는 단선과 같은 배선 불량을 방지할 수도 있다.
본 실시예에서 상대적으로 낮은 유전 상수를 가지는 제2 보호막(180c, 180b)의 위치는 도 1 내지 도 5에 도시한 실시예에 한정되지 않고 데이터선(171)과 공통 전극(131) 사이라면 어느 층에라도 위치할 수 있다.
다음, 도 6, 도 7 및 도 8을 참고하여 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치에 대하여 설명한다. 앞에서 설명한 실시예와 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 부여하고, 동일한 설명은 생략한다.
도 6은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 한 화소에 대한 배치도이고, 도 7 및 도 8은 각각 도 6의 액정 표시 장치를 VII-VII 선 및 VIII-VIII 선을 따라 자른 단면도이다,
본 실시예는 도 1 내지 도 5에 도시한 실시예와 대부분 동일하나, 데이터선(171), 화소 전극(191), 공통 전극(131), 그리고 이들 사이의 층간 절연막의 구조가 다르다.
도 1 내지 도 5에 도시한 실시예와의 차이점을 중심으로 설명한다.
본 실시예에 따른 데이터선(171)은 주기적으로 꺾여 있으며 게이트선(121)의 연장 방향과 빗각을 이룬다. 데이터선(171)이 게이트선(121)의 연장 방향과 이루는 빗각은 45도 이상일 수 있다.
데이터 도전체(171, 175) 및 노출된 반도체 돌출부(154) 위에 제1 보호막(180a)이 형성되어 있고, 그 위에 화소 전극(191)이 형성되어 있다. 제1 보호막(180a)은 드레인 전극(175)의 일부를 드러내는 접촉 구멍(181)을 포함하고, 화소 전극(191)은 접촉 구멍(181)을 통해 드레인 전극(175)과 전기적으로 연결되어 있다. 화소 전극(191)은 게이트선(121) 및 데이터선(171)으로 둘러싸인 영역을 대부분 채우는 면형으로서 게이트선(121) 및 데이터선(171)에 거의 평행한 변을 가진다. 따라서 화소 전극(191)의 세로 방향 변은 데이터선(171)을 따라 꺾여 있으며, 아래쪽의 양쪽 모서리는 모따기되어(chamfered) 있을 수 있으나 모양은 이에 한정되지 않는다.
화소 전극(191) 위에는 제2 보호막(180b)이 형성되어 있고, 그 위에 공통 전극(131)이 형성되어 있다. 게이트 절연막(140), 제1 보호막(180a) 및 제2 보호막(180b)에는 공통 전압선(125)의 확장부(126)의 적어도 일부를 드러내는 복수의 접촉 구멍(182)이 형성되어 있다. 공통 전극(131)은 접촉 구멍(182)을 통하여 공통 전압선(125)과 전기적으로 연결되어 공통 전압선(125)으로부터 공통 전압(Vcom) 등 소정의 전압을 인가받는다. 공통 전극(131)은 데이터선(171)을 폭 방향으로 덮도록 데이터선(171)과 중첩하며 꺾여 있는 세로부(135), 두 세로부(135) 사이에 위치하며 세로부(135)에 대체적으로 평행하게 뻗으며 이격되어 있는 복수의 가지 전극(133), 그리고 복수의 가지 전극(133)의 끝 부분을 연결하는 하부 가로부(132a) 및 상부 가로부(132b)를 포함한다.
본 실시예에서도 공통 전극(131)의 세로부(135)는 데이터선(171)을 폭 방향으로 덮을 수 있도록 데이터선(171)과 중첩하고 있다. 데이터선(171) 및 공통 전극(131) 사이에는 제1 보호막(180a) 및 제2 보호막(180b)이 위치하는데 이 중 적어도 하나는 유기 절연물 또는 SiOC와 같은 무기 절연물 또는 유기 절연물과 무기 절연물의 화합물 등으로 만들어질 수 있으며, 그 유전 상수는 3.5 이하일 수 있다. 이러한 제1 보호막(180a) 또는 제2 보호막(180b)의 유전 상수는 게이트 절연막(140)의 유전 상수보다 낮을 수 있다. 이러한 제1 보호막(180a) 또는 제2 보호막(180b)의 두께는 0.5㎛ 이상 3.0㎛이하일 수 있다.
이 밖에 앞에서 설명한 도 1 내지 도 5의 실시예의 제2 보호막(180c, 180b)의 여러 특징 및 그 효과가 본 실시예의 제1 보호막(180a) 또는 제2 보호막(180b)에도 적용될 수 있다.
다음, 도 9, 도 10 및 도 11을 참고하여 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치에 대하여 설명한다. 앞에서 설명한 실시예와 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 부여하고, 동일한 설명은 생략한다.
도 9는 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 한 화소에 대한 배치도이고, 도 10 및 도 11은 각각 도 9의 액정 표시 장치를 X-X 선 및 XI-XI 선을 따라 자른 단면도이다.
본 실시예 역시 도 1 내지 도 5에 도시한 실시예와 대부분 동일하나, 화소 전극(191), 공통 전극(131), 그리고 이들 사이의 층간 절연막의 구조가 다르다.
도 1 내지 도 5에 도시한 실시예와의 차이점을 중심으로 설명한다.
데이터 도전체(171, 175) 및 노출된 반도체 돌출부(154) 위에 제1 보호막(180a)이 형성되어 있고, 그 위에 제3 보호막(180d)이 형성되어 있다. 제3 보호막(180d)은 데이터선(171)을 덮으며 데이터선(171)을 따라 형성되어 있다. 제3 보호막(180d)의 특징은 앞에서 설명한 도 1 내지 도 3에 도시한 실시예의 제2 보호막(180b)과 동일하므로 상세한 설명한 생략한다. 한편 본 실시예에 따른 제3 보호막(180d)은 앞에서 설명한 도 1, 도 4 및 도 5의 실시예의 제2 보호막(180b)과 같이 이웃하는 두 데이터선(171) 사이를 비롯해 기판(110) 전면에 형성되어 있을 수 있으며, 이 경우 제3 보호막(180d)은 데이터선(171)과 중첩하며 데이터선(171)을 따라 뻗는 상대적으로 두꺼운 부분을 포함할 수 있다.
제1 보호막(180a) 및 제3 보호막(180d) 위에는 공통 전극(131m)이 형성되어 있다. 제1 보호막(180a) 및 게이트 절연막(140)은 공통 전압선(125)의 확장부(126)의 적어도 일부를 드러내는 접촉 구멍(184)을 포함하고, 공통 전극(131m)은 접촉 구멍(184)을 통해 공통 전압선(125)과 전기적으로 연결되어 공통 전압선(125)으로부터 공통 전압(Vcom) 등 소정의 전압을 인가받는다. 공통 전극(131m)은 면형으로서 앞선 실시예와 달리 복수의 화소에 걸쳐 기판(110) 전면 위에 통판으로 형성되어 있다.
공통 전극(131m) 위에는 제2 보호막(180b)이 형성되어 있고, 그 위에 화소 전극(191m)이 형성되어 있다. 제1 보호막(180a) 및 제2 보호막(180b)에는 드레인 전극(175)의 일부를 드러내는 복수의 접촉 구멍(183)이 형성되어 있다. 화소 전극(191m)은 접촉 구멍(183)을 통하여 드레인 전극(175)과 전기적으로 연결되어 데이터 전압을 전달받는다. 화소 전극(191m)은 서로 대체로 평행하게 뻗으며 이격되어 있는 복수의 가지 전극(193m)과 가지 전극(193m)의 끝 부분을 연결하는 하부 및 상부의 가로부(192m)를 포함한다. 데이터 전압을 인가받은 화소 전극(191m)은 공통 전압을 인가받은 공통 전극(131m)과 함께 액정층(3)에 전기장을 생성한다.
본 발명의 실시예에 따른 화소 전극(191m)은 공통 전극(131m)과 적어도 일부분 중첩하고 있다. 특히 화소 전극(191m)의 이웃한 적어도 두 개의 가지 전극(193m)은 면형인 공통 전극(131m)과 중첩하고 있다.
본 실시예에서 화소 전극(191m)이 공통 전극(131m)의 상부에 위치하며, 공통 전극(131m)은 복수의 데이터선(171)을 한꺼번에 덮으며 데이터선(171)과 중첩하고 있다. 따라서 앞의 실시예와 동일하게 데이터선(171)과 화소 전극(191) 사이의 크로스토크를 줄이고 데이터선(171)과 이웃하는 화소 전극(191) 사이의 기생 정전 용량에 의한 빛샘을 줄일 수 있다.
또한 데이터선(171) 및 공통 전극(131m) 사이에는 유전율이 상대적으로 낮은 제3 보호막(180d)이 개재되어 있으므로 데이터선(171)과 상부의 공통 전극(131m)의 기생 정전 용량을 낮춰 데이터선(171)의 신호 지연을 줄일 수 있다. 이 밖에 제3 보호막(180d)의 특징 및 그 효과는 앞에서 설명한 도 1 내지 도 5에 도시한 실시예의 제2 보호막(180c, 180b)과 동일할 수 있다.
앞에서 설명한 여러 실시예에와 달리 공통 전압을 전달하는 공통 전극은 기판(110) 바로 위에 또는 데이터선(171)보다 아래 층에 위치할 수도 있다. 이 경우에도 공통 전극은 데이터선과 중첩하도록 형성되어 액정 표시 장치의 빛샘을 막을 수 있고, 데이터선과 공통 전극 사이에는 상대적으로 낮은 유전 상수를 가지는 절연층이 위치하여 데이터선의 신호 지연을 줄일 수 있다. 또한 데이터선과 공통 전극 사이에 위치하는 절연층의 두께를 줄여 액정층에의 전기장 생성 효율을 높이고 단차로 인한 불량을 줄일 수 있다.
다음, 도 12, 도 13 및 도 14를 참고하여 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치에 대하여 설명한다. 앞에서 설명한 실시예와 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 부여하고, 동일한 설명은 생략한다.
도 12는 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 한 화소에 대한 배치도이고, 도 13 및 도 14는 각각 도 12의 액정 표시 장치를 XIII-XIII 선 및 XIV-XIV 선을 따라 자른 단면도이다.
본 실시예에 따른 액정 표시 장치는 앞에서 설명한 도 9 내지 도 11에 도시한 실시예와 대부분 동일하나, 데이터선(171), 화소 전극(191), 공통 전극(131), 그리고 이들 사이의 층간 절연막의 구조가 다르다.
도 9 내지 도 11에 도시한 실시예와의 차이점을 중심으로 설명한다.
본 실시예에 따른 데이터선(171)은 주기적으로 꺾여 있으며 게이트선(121)의 연장 방향과 빗각을 이룬다. 데이터선(171)이 게이트선(121)의 연장 방향과 이루는 빗각은 45도 이상일 수 있다.
데이터 도전체(171, 175) 및 노출된 반도체 돌출부(154) 위에 제1 보호막(180a)이 형성되어 있고, 그 위에 공통 전극(131m)이 형성되어 있다. 제1 보호막(180a) 및 게이트 절연막(140)은 공통 전압선(125)의 확장부(126)의 적어도 일부를 드러내는 접촉 구멍(184)을 포함하고, 공통 전극(131m)은 접촉 구멍(184)을 통해 공통 전압선(125)과 전기적으로 연결되어 공통 전압선(125)으로부터 공통 전압(Vcom) 등 소정의 전압을 인가받는다. 공통 전극(131m)은 면형으로서 복수의 화소에 걸쳐 기판(110) 전면 위에 통판으로 형성되어 있다.
공통 전극(131m) 위에는 제2 보호막(180b)이 형성되어 있고, 그 위에 화소 전극(191m)이 형성되어 있다. 제1 보호막(180a) 및 제2 보호막(180b)에는 드레인 전극(175)의 일부를 드러내는 복수의 접촉 구멍(183)이 형성되어 있고, 화소 전극(191m)은 접촉 구멍(183)을 통하여 드레인 전극(175)과 전기적으로 연결되어 데이터 전압을 전달받는다. 화소 전극(191m)은 서로 대체로 평행하게 뻗으며 이격되어 있는 복수의 가지 전극(193m)과 가지 전극(193m)의 위 및 아래의 끝 부분을 연결하는 하부 및 상부의 가로부(192m)를 포함한다. 화소 전극(191m)의 가지 전극(193m)은 데이터선(171)을 따라 꺾여 있을 수 있다.
데이터 전압을 인가받은 화소 전극(191m)은 공통 전압을 인가받은 공통 전극(131m)과 함께 액정층(3)에 전기장을 생성한다.
본 실시예에서도 화소 전극(191m)이 공통 전극(131m)의 상부에 위치하며, 공통 전극(131m)은 복수의 데이터선(171)을 한꺼번에 덮으며 데이터선(171)과 중첩하고 있다. 따라서 앞의 실시예와 동일하게 데이터선(171)과 화소 전극(191) 사이의 크로스토크를 줄이고 데이터선(171)과 이웃하는 화소 전극(191) 사이의 기생 정전 용량에 의한 빛샘을 줄일 수 있다.
또한 데이터선(171) 및 공통 전극(131m) 사이에 위치하는 제1 보호막(180a)은 그 유전 상수가 3.5 이하일 수 있는 유기 절연물 또는 무기 절연물로 만들어질 수 있다. 제1 보호막(180a)의 유전 상수는 게이트 절연막(140) 또는 제2 보호막(180b)의 유전 상수보다 낮을 수 있다. 본 실시예에서 제1 보호막(180a)의 두께는 0.5㎛ 이상 3.0㎛이하일 수 있고 그 유전 상수가 낮을수록 그 두께를 더욱 얇게 할 수 있다. 이와 같이 제1 보호막(180a)의 유전 상수를 낮게 함으로써 데이터선(171)의 신호 지연을 줄일 수 있다.
본 실시예와 다르게 제1 보호막(180a) 위에는 데이터선(171)을 따라 뻗으며 데이터선(171)을 덮는 추가 보호막(도시하지 않음)이 더 형성되어 있을 수도 있다. 또한 추가 보호막은 두 데이터선(171) 사이를 덮는 부분을 더 포함할 수 있다. 이 경우 데이터선(171)을 덮는 보호막(도시하지 않음)은 유전 상수가 3.5 이하일 수 있다.
이 밖에 앞에서 설명한 도 9 내지 도 11에 도시한 실시예의 제3 보호막(180d)의 여러 특징 및 그 효과가 본 실시예의 제1 보호막(180a)에도 적용될 수 있다.
그러면, 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 하부 표시판을 본 발명의 한 실시예에 따라 제조하는 방법에 대하여 설명한다. 여기서는 대표로 앞에서 설명한 도 1 내지 도 5에 도시한 액정 표시 장치의 하부 표시판(100)을 본 발명의 한 실시예에 따라 제조하는 방법에 대하여 도 15 내지 도 30을 참고하여 상세하게 설명한다.
도 15, 도 18, 도 21 및 도 24는 도 1 내지 도 5에 도시한 액정 표시 장치를 본 발명의 한 실시예에 따라 제조하는 방법의 중간 단계에서의 액정 표시 장치를 차례대로 도시한 배치도이고, 도 16, 도 19, 도 22, 도 25, 도 27 및 도 29는 차례대로 도 15, 도 18, 도 21 및 도 24의 액정 표시 장치를 XVI-XVI 선, XIX-XIX 선, XXII-XXII 선 및 XXV-XXV 선을 따라 자른 단면도이고, 도 17, 도 20, 도 23, 도 26, 도 28 및 도 30은 차례대로 도 15, 도 18, 도 21 및 도 24의 액정 표시 장치를 XVII-XVII 선, XX-XX 선, XXIII-XXIII 선 및 XXVI-XXVI 선을 따라 자른 단면도이다.
먼저 도 15, 도 16 및 도 17을 참고하면, 절연 기판(110) 위에 게이트 전극(124)을 포함하는 복수의 게이트선(121) 및 확장부(126)를 포함하는 복수의 공통 전압선(125)을 포함하는 복수의 게이트 도전체(121, 125)를 형성하고, 그 위에 게이트 절연막(140)을 적층한다.
다음 도 18, 도 19 및 도 20을 참고하면, 게이트 절연막(140) 위에 반도체층(도시하지 않음), 불순물이 도핑된 반도체층(도시하지 않음), 그리고 데이터 도전층(도시하지 않음)을 차례대로 적층한 다음 하나의 마스크를 통해 노광 및 식각하여 반도체 돌출부(154)를 포함하는 복수의 선형 반도체(151), 복수의 저항성 접촉 부재(161, 165), 그리고 소스 전극(173)을 포함하는 복수의 데이터선(171) 및 복수의 드레인 전극(175)을 포함하는 복수의 데이터 도전체를 형성한다.
다음 도 21, 도 22 및 도 23을 참고하면, 데이터 도전체 위에 ITO, IZO 등의 투명 도전 물질을 적층하고 식각하여 면형의 복수의 화소 전극(191)을 형성한다.
다음 도 24, 도 25 및 도 26을 참고하면, 화소 전극(191) 위에 유기 절연물 또는 무기 절연물로 이루어진 제1 보호막(180a)을 적층한다.
이어서 제1 보호막(180a) 위에 유전 상수가 3.5 이하인 유기 물질을 적층하고 노광 및 현상하여 유기막으로 이루어진 제2 보호막 패턴(180c1)을 형성한다. 제2 보호막 패턴(180c1)은 데이터선(171)의 상부에 위치하는 두꺼운 부분과 이보다 얇은 부분을 포함한다. 이와 같이 제2 보호막 패턴(180c1)의 두께를 위치에 따라 다르게 하는 방법으로는 반투명 영역을 포함하는 광 마스크를 사용하는 방법이 있다. 제2 보호막 패턴(180c1)이 빛이 조사되지 않은 부분이 제거되는 음(negative)의 감광성을 가진 경우, 광 마스크의 A 영역은 반투명하여 빛의 일부분이 조사되고, B 영역은 투명하여 빛이 조사될 수 있으며, C 영역은 불투명하여 빛이 조사되지 않는다. 따라서 제2 보호막 패턴(180c1) 중 광 마스크의 A 영역에 대응하는 부분은 두께가 얇게 형성되고 B 영역에 대응하는 부분은 두께가 두껍게 형성되며 C 영역에 대응하는 부분은 제거된다. A 영역의 광 마스크는 빛 투과량을 조절하기 위하여 슬릿(slit) 이나 격자 형태의 패턴이 형성되어 있거나 반투명막이 사용될 수 있다. 한편 제2 보호막 패턴(180c1)이 양(positive)의 감광성을 가진 경우에는 광 마스크의 B 영역 및 C 영역의 투명성은 서로 바뀐다.
다음 도 27 및 도 28을 참고하면, 제2 보호막 패턴(180c1)을 마스크로 하여 게이트 절연막(140) 및 제1 보호막(180a)을 건식 식각하여 공통 전압선(125)의 일부를 드러내는 접촉 구멍(182)을 형성한다. 이때 제2 보호막 패턴(180c1)의 전체적인 두께는 더 얇아질 수 있다. 이어서 이러한 제2 보호막 패턴(180c1) 위에 ITO, IZO 등과 같은 투명 도전 물질을 적층하고 식각하여 복수의 공통 전극(131)을 형성할 수 있다. 이 경우 제2 보호막 패턴(180c1)은 앞에서 설명한 도 1, 도 4 및 도 5에 도시한 제2 보호막(180b)이 될 수 있고 이와 같은 제조 방법에 도 1, 도 4 및 도 5에 도시한 액정 표시 장치의 하부 표시판(100)이 제조될 수 있다.
한편 도 29 및 도 30을 더 참고하면, 도 27 및 도 28의 단계에서 제2 보호막 패턴(180c1)을 전체적으로 애싱(ashing)하여 데이터선(171) 상부에 위치하는 부분만 남기고 나머지 얇은 부분을 제거하여 제2 보호막(180c)을 형성할 수 있다. 마지막으로 도 1 내지 도 3을 참고하면, 제2 보호막(180c) 위에 ITO, IZO 등과 같은 투명 도전 물질을 적층하고 식각하여 복수의 공통 전극(131)을 형성한다. 이와 같은 제조 방법을 통해 앞에서 설명한 도 1, 도 2 및 도 3에 도시한 액정 표시 장치의 하부 표시판(100)이 만들어질 수 있다.
지금까지 설명한 본 발명의 실시예에서 공통 전극 또는 화소 전극의 가지 전극이 대체로 가로 방향보다 데이터선이 뻗은 방향인 세로 방향에 더 가까이 되도록 기울어져 있으나 이에 한정되지 않고 게이트선이 뻗은 방향인 가로 방향에 가까이 기울어져 있을 수도 있다. 즉, 도 31에 도시한 바와 같이 본 발명의 다른 실시예에 따른 공통 전극 또는 화소 전극은 세로 방향으로 뻗는 적어도 하나의 세로 줄기부(138)와 이와 연결된 복수의 가지 전극(139)을 포함할 수 있다. 복수의 가지 전극(139)은 가로 방향(Dir1)에 대해 0도보다 크고 45도보다 작을 수 있으며, 가로 방향(Dir1)은 앞에서 설명한 실시예에서 게이트선(121)이 뻗는 방향일 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
3: 액정층 31: 액정 분자
110, 210: 기판 100, 200: 표시판
121: 게이트선 124: 게이트 전극
125: 공통 전압선 131, 131m: 공통 전극
140: 게이트 절연막
151, 154: 반도체 161, 163, 165: 저항성 접촉 부재 171: 데이터선 173: 소스 전극
175: 드레인 전극 180a, 180b, 180c, 180d: 보호막
181, 182, 183, 184: 접촉 구멍 191, 191m: 화소 전극
131, 131m: 공통 전극 220: 차광 부재
230: 색필터 250: 덮개막

Claims (18)

  1. 서로 마주하는 제1 기판 및 제2 기판,
    상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 개재되어 있는 액정층,
    상기 제1 기판 위에 위치하는 제1 데이터선,
    상기 제1 기판 위에 위치하며 상기 제1 데이터선으로부터 데이터 전압을 인가받는 화소 전극,
    상기 제1 기판 위에 위치하며 상기 화소 전극의 적어도 일부분과 상기 제1 데이터선과 중첩하는 공통 전극, 그리고
    유전 상수가 3.5 이하이며 상기 공통 전극과 상기 제1 데이터선 사이에 위치하는 제1 부분을 포함하는 보호막
    을 포함하고,
    상기 화소 전극과 상기 공통 전극 중 하나는 이격되어 있는 복수의 가지 전극을 포함하고 나머지 전극은 면형인
    액정 표시 장치.
  2. 제1항에서,
    상기 보호막의 두께는 0.5㎛ 이상 3.0㎛이하인 액정 표시 장치.
  3. 제2항에서,
    상기 보호막은 유기 물질을 포함하는 액정 표시 장치.
  4. 제3항에서,
    상기 제1 데이터선과 이웃하며 상기 제1 데이터선과 동일한 층에 위치하는 제2 데이터선을 더 포함하고,
    상기 보호막은 상기 공통 전극과 상기 제2 데이터선 사이에 위치하는 제2 부분을 더 포함하며,
    상기 제1 부분 및 상기 제2 부분은 이격되어 있는
    액정 표시 장치.
  5. 제3항에서,
    상기 제1 데이터선과 이웃하며 상기 제1 데이터선과 동일한 층에 위치하는 제2 데이터선을 더 포함하고,
    상기 보호막은 상기 제1 데이터선과 상기 제2 데이터선 사이에 위치하는 제3 부분을 더 포함하며,
    상기 제1 부분의 두께가 상기 제3 부분의 두께보다 더 두꺼운
    액정 표시 장치.
  6. 제1항에서,
    상기 보호막은 유기 물질을 포함하는 액정 표시 장치.
  7. 제1항에서,
    상기 제1 데이터선과 이웃하며 상기 제1 데이터선과 동일한 층에 위치하는 제2 데이터선을 더 포함하고,
    상기 보호막은 상기 공통 전극과 상기 제2 데이터선 사이에 위치하는 제2 부분을 더 포함하며,
    상기 제1 부분 및 상기 제2 부분은 이격되어 있는
    액정 표시 장치.
  8. 제1항에서,
    상기 제1 데이터선과 이웃하며 상기 제1 데이터선과 동일한 층에 위치하는 제2 데이터선을 더 포함하고,
    상기 보호막은 상기 제1 데이터선과 상기 제2 데이터선 사이에 위치하는 제3 부분을 더 포함하며,
    상기 제1 부분의 두께가 상기 제3 부분의 두께보다 더 두꺼운
    액정 표시 장치.
  9. 제1항에서,
    상기 화소 전극 및 상기 공통 전극 중 적어도 하나는 투명한 도전 물질을 포함하는 액정 표시 장치.
  10. 기판 위에 제1 데이터선을 포함하는 데이터 도전체를 형성하는 단계,
    상기 기판 위에 화소 전극을 형성하는 단계,
    상기 기판 위에 상기 화소 전극의 적어도 일부분과 상기 제1 데이터선과 중첩하는 공통 전극을 형성하는 단계, 그리고
    상기 공통 전극과 상기 제1 데이터선 사이에 위치하는 제1 부분을 포함하며 유전 상수가 3.5 이하인 보호막을 형성하는 단계
    를 포함하고,
    상기 화소 전극과 상기 공통 전극 중 하나는 이격되어 있는 복수의 가지 전극을 포함하고 나머지 전극은 면형인
    액정 표시 장치의 제조 방법.
  11. 제10항에서,
    상기 보호막을 형성하는 단계는
    상기 공통 전극 및 상기 제1 데이터선 사이에 위치하도록 유기 물질을 적층하는 단계, 그리고
    상기 적층된 유기 물질을 광 마스크를 사용하여 노광하여 상기 제1 데이터선과 중첩하는 제2 부분 및 상기 제2 부분보다 두께가 얇은 제3 부분을 포함하는 보호막 패턴을 형성하는 단계
    를 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  12. 제11항에서,
    상기 광 마스크는 빛이 조사되는 투명 영역, 빛이 조사되지 않는 불투명 영역, 그리고 빛이 일부만 조사되는 반투명 영역을 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  13. 제11항에서,
    상기 데이터 도전체를 형성하는 단계는 상기 제1 데이터선과 이웃하는 제2 데이터선을 형성하는 단계를 더 포함하고,
    상기 보호막 패턴의 상기 제2 부분은 상기 제2 데이터선과도 중첩하는
    액정 표시 장치의 제조 방법.
  14. 제11항에서,
    상기 보호막 패턴을 식각하는 단계, 그리고
    상기 보호막 패턴을 애싱(ashing)하는 단계
    를 더 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  15. 제14항에서,
    상기 보호막 패턴을 애싱하는 단계는 상기 제3 부분을 제거하는 단계를 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  16. 제14항에서,
    상기 보호막 하부에 절연층을 형성하는 단계를 더 포함하고,
    상기 보호막 패턴을 식각하는 단계는 상기 절연층을 식각하는 단계를 더 포함하는
    액정 표시 장치의 제조 방법.
  17. 제10항에서,
    상기 보호막의 두께는 0.5㎛ 이상 3.0㎛이하인 액정 표시 장치의 제조 방법.
  18. 제10항에서,
    상기 화소 전극 및 상기 공통 전극 중 적어도 하나는 투명한 도전 물질을 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
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