KR20120071412A

KR20120071412A - Nicu alloy target material for cu electrode protective film and laminated film

Info

Publication number: KR20120071412A
Application number: KR1020110086533A
Authority: KR
Inventors: 히로시 오모리; 카즈야 사카구치; 마사타카 카츠미
Original assignee: 다이도 토쿠슈코 카부시키가이샤
Priority date: 2010-08-30
Filing date: 2011-08-29
Publication date: 2012-07-02
Also published as: CN102321832A; TWI506142B; TW201211276A; KR101828085B1; CN102321832B

Abstract

PURPOSE: A NiCu alloy target material for a Cu electrode protection film and a laminated film are provided to obtain a protection film which is capable of reducing the degradation of electric characteristics caused by electrolytic corrosion or atomic diffusion and allows high-precision patterning by wet etching. CONSTITUTION: A NiCu alloy target material for a Cu electrode protection film comprises 15.0ΔCuΔ55.0mass%, 0.5Δ(Cr,Ti)Δ10.0mass%, and Ni and inevitable impurities of the remaining amount, where Cr and Ti are greater than 0. A laminated film comprises a Cu electrode and a protection film formed on one or both sides of the Cu electrode, where the protection film is deposited using the NiCu alloy target material for a Cu electrode protection film.

Description

NiCu alloy target material and laminated film for Cu electrode protective film {NiCu ALLOY TARGET MATERIAL FOR Cu ELECTRODE PROTECTIVE FILM AND LAMINATED FILM}

본 발명은, Cu 전극 보호막용 NiCu 합금 타겟재 및 적층막에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는, 터치 패널이나 액정 패널의 전극으로서 사용되는 Cu 전극의 보호막을 형성하기 위해 사용되는 Cu 전극 보호막용 NiCu 합금 타겟재, 및 이를 사용하여 제조되는 적층막에 관한 것이다.This invention relates to the NiCu alloy target material and laminated film for Cu electrode protective films, More specifically, the NiCu alloy for Cu electrode protective films used in order to form the protective film of the Cu electrode used as an electrode of a touchscreen or a liquid crystal panel. It relates to a target material and a laminated film produced using the same.

터치 패널, 박형 대화면 텔레비전 등에 사용되는 액정 패널은, 2장의 투명기판의 사이에 액정이 주입된 구조를 갖는다. 투명기판의 내측(액정측의 면)에는, 액정의 동작 전극이 되는 투명전극이 형성된다. 투명전극에는, 일반적으로, 산화인듐주석(ITO)이 사용되고 있다. 또한, 투명전극이 형성된 기판 표면의 일부에는, 외부출력 단자가 되는 금속 전극이나 금속 배선(이하, 이들을 총칭하여 그냥 "금속 전극"으로 칭한다)이 형성된다. 금속 전극은, 기판 표면 중의, 광을 투과시킬 필요가 없는 부분(예를 들면, 기판의 외주부)에 형성된다.A liquid crystal panel used for a touch panel, a thin large-screen television, or the like has a structure in which liquid crystal is injected between two transparent substrates. On the inner side (surface on the liquid crystal side) of the transparent substrate, a transparent electrode serving as an operation electrode of the liquid crystal is formed. Indium tin oxide (ITO) is generally used for a transparent electrode. Further, a part of the substrate surface on which the transparent electrode is formed is formed with a metal electrode or a metal wiring (hereinafter, collectively referred to simply as "metal electrode") serving as an external output terminal. The metal electrode is formed in a portion of the substrate surface that does not need to transmit light (for example, an outer peripheral portion of the substrate).

투명전극의 표면에 금속 전극을 직접 형성한 경우에 있어서, 투명전극과 금속 전극 사이의 표준 전위의 차(전위차)가 클 때에는, 금속 전극의 전해부식이 일어난다. 또한, 기판 표면에 형성된 하지층(下地層)과 금속 전극 사이에서 원자의 상호확산이 일어나, 금속 전극의 전기적 특성이 열화하는 경우가 있다. 그 때문에, 금속 전극의 양면에는, 일반적으로, 금속 전극을 보호하기 위한 보호막(배리어층)이 형성되어 있다. 종래의 액정 패널에 있어서는, 금속 전극으로서 Al-Nd계 합금을 사용하여, 보호막으로서 Mo-Nb계 합금을 사용하는 것이 일반적이다.In the case where the metal electrode is directly formed on the surface of the transparent electrode, when the difference (potential difference) of the standard potential between the transparent electrode and the metal electrode is large, electrolytic corrosion of the metal electrode occurs. In addition, interdiffusion of atoms occurs between the base layer formed on the substrate surface and the metal electrode, and the electrical properties of the metal electrode may deteriorate. Therefore, generally, the protective film (barrier layer) for protecting a metal electrode is formed in both surfaces of a metal electrode. In a conventional liquid crystal panel, it is common to use Al-Nd type alloy as a metal electrode, and to use Mo-Nb type alloy as a protective film.

이와 같은 액정 패널에 사용되는 금속 전극, 보호막, 및 이들을 형성하기 위한 재료에 대해서는, 종래로부터 다양하게 제안되어 있다. 예를 들면, 특허문헌 1에는, V와 Nb에서 선택되는 1종 이상을 합계로 2~50원자% 함유하고, 잔부가 Mo 및 불가피적 불순물로 이루어지고, 상대밀도가 95% 이상인 박막 형성용 스퍼터링 타겟이 개시되어 있다. 상기 특허문헌 1에는, Nb나 V를 함유하는 Mo 합금 타겟을 사용하면, 유해한 Cr을 함유하지 않고, 저저항이면서 높은 내식성을 갖는 금속 박막을 얻을 수 있는 점이 기재되어 있다.The metal electrode used for such a liquid crystal panel, a protective film, and the material for forming these are variously proposed conventionally. For example, Patent Document 1 contains 2 to 50 atomic% in total of at least one selected from V and Nb, and the balance is made of Mo and inevitable impurities, and the sputtering for thin film formation having a relative density of 95% or more. The target is disclosed. Patent Document 1 discloses that when a Mo alloy target containing Nb or V is used, a metal thin film having low resistance and high corrosion resistance can be obtained without containing harmful Cr.

또한, 특허문헌 2에는, Mo를 주체로 하고, (Ti, Zr, V, Nb, Cr)에서 선택되는 금속 원소 M을 0.5~50원자% 함유하고, 소정의 조직을 갖는 스퍼터링 타겟재가 개시되어 있다. 상기 특허문헌 2에는, 원료분말의 혼합물을 압축 성형하여 성형체로 하고, 성형체를 분쇄하여 다시 분말로 하고, 이 분말을 가압 소결하는 것에 의해, 성분의 편석(偏析)이 억제되고, 소결체의 소성가공성도 향상하는 점이 기재되어 있다.In addition, Patent Document 2 discloses a sputtering target material having Mo as a main component, containing 0.5 to 50 atomic% of the metal element M selected from (Ti, Zr, V, Nb, Cr), and having a predetermined structure. . In Patent Document 2, a mixture of raw material powders is compression molded to form a compact, and the compact is pulverized to form a powder, and the powder is pressed and sintered to prevent segregation of components and plastic working processability of the sintered compact. The improvement is also described.

또한, 특허문헌 3에는, 금속 전극의 보호막용 타겟재가 아니지만, Ni: 70~85중량%, Cu: 2~10중량%, 및 Mo: 1~6중량% 및/또는 Cr: 0.5~3중량%를 함유하고, 잔부가 실질적으로 Fe로 이루어지고, 스퍼터링되는 면의 결정 입도가 JIS 오스테나이트 결정 입도 번호 No.3보다 작은 타겟 부재가 개시되어 있다. 상기 특허문헌 3에는, 이와 같은 타겟을 사용하면, 낮은 보자력(Coercivity)이면서 균일한 Fe-Ni 합금 박막을 얻을 수 있는 점이 기재되어 있다.In addition, although it is not the target material for protective films of a metal electrode in patent document 3, Ni: 70-85 weight%, Cu: 2-10 weight%, and Mo: 1-6 weight% and / or Cr: 0.5-3 weight% The target member which contains the thing, remainder substantially consists of Fe, and whose crystal grain size of the sputtered surface is smaller than JIS austenite crystal grain size No.3 is disclosed. Patent Document 3 discloses that when such a target is used, a uniform Fe-Ni alloy thin film can be obtained while having low coercivity.

또한, 특허문헌 4에는, 금속 전극의 보호막용 타겟재가 아니지만, Ni: 35~85중량%, Mo, Cr, Cu 및 Nb에서 선택되는 1종 이상: 3~15중량%, Al: 1중량% 이하, Ca 및/또는 Mg: 300ppm 이하, O: 30ppm 이하, N: 30ppm 이하를 함유하고, 잔부가 실질적으로 Fe인 증착용 Ni-Fe기(基) 합금이 개시되어 있다. 상기 특허문헌 4에는, 이와 같은 타겟재를 사용하는 것에 의해, 매우 고순도이면서 높은 특성의 자성박막을 얻을 수 있는 점이 기재되어 있다.Moreover, although it is not a target material for protective films of a metal electrode in patent document 4, 1 or more types chosen from Ni: 35-85 weight%, Mo, Cr, Cu, and Nb: 3-15 weight%, Al: 1 weight% or less Ni-Fe base alloy for vapor deposition containing Ca and / or Mg: 300 ppm or less, O: 30 ppm or less, N: 30 ppm or less and remainder substantially Fe is disclosed. The said patent document 4 describes that the magnetic thin film of a very high purity and a high characteristic can be obtained by using such a target material.

또한, 비특허문헌 1에는, Cu-2wt% Zr 합금, Cu-1wt% Mo 합금 또는 Cu-0.7wt% Mg 합금으로 이루어지는 타겟을 Ar+O₂ 혼합 가스를 사용하여 스퍼터링하는 방법이 개시되어 있다. 상기 비특허문헌 1에는, 이와 같은 방법을 사용하는 것에 의해, Cu계 재료로 이루어지는 층(금속 전극)과 하지(下地)의 계면에, 하지(下地)와의 밀착성이 양호한 배리어층(산화층)이 형성되는 점이 기재되어 있다.In addition, Non-Patent Document 1 discloses a method of sputtering a target made of a Cu-2wt% Zr alloy, a Cu-1wt% Mo alloy, or a Cu-0.7wt% Mg alloy using an Ar + O ₂ mixed gas. By using such a method in the said nonpatent literature 1, the barrier layer (oxidized layer) with favorable adhesiveness with a base is formed in the interface of the layer (metal electrode) and base which consist of Cu type material. It is described.

또한, 특허문헌 5에는, 금속 전극의 보호막용 타겟재가 아니지만, Ni-7.5질량% Ti-4~40질량% Cu 합금으로 이루어지고, 칩 저항기용 전극을 형성하기 위해 사용되는 스퍼터링 타겟이 개시되어 있다. 상기 특허문헌 5에는, Ni-Ti 합금에 Cu를 첨가하면, 포화자화가 작아지므로, 장수명의 타겟을 얻을 수 있는 점이 기재되어 있다.In addition, Patent Document 5 discloses a sputtering target made of a Ni-7.5% by mass Ti-4 to 40% by mass Cu alloy, which is not a protective film target material for a metal electrode, and used to form an electrode for chip resistors. . Patent Document 5 discloses that when Cu is added to the Ni-Ti alloy, the saturation magnetization becomes small, and thus a long life target can be obtained.

또한, 특허문헌 6에는, 금속 전극의 보호막용 타겟재가 아니지만, (a) Ni-25at% Cu-2at% Cr 합금(Ni-26.6mass% Cu-1.7mass% Cr 합금), 또는 (b) Ni-25at% Cu-12at% Ti 합금(Ni-27.1mass% Cu-9.8mass% Ti 합금)으로 이루어지는 배리어층 형성용 니켈 합금 스퍼터링 타겟이 개시되어 있다. 상기 특허문헌 6에는, 이와 같은 조성을 갖는 타겟을 사용하여 배리어층을 형성하면, Sn의 확산을 억제할 수 있는 점이 기재되어 있다.In addition, Patent Document 6 is not a target material for a protective film of a metal electrode, but (a) Ni-25at% Cu-2at% Cr alloy (Ni-26.6mass% Cu-1.7mass% Cr alloy), or (b) Ni- A nickel alloy sputtering target for forming a barrier layer composed of a 25 at% Cu-12 at% Ti alloy (Ni-27.1 mass% Cu-9.8 mass% Ti alloy) is disclosed. Patent Document 6 discloses that diffusion of Sn can be suppressed by forming a barrier layer using a target having such a composition.

액정 패널의 대형화에 동반하여, Al계 재료보다 저저항의 재료가 요구되고 있다. 또한, Al계 배선의 보호막에 사용되는 Mo-Nb계 합금은 고가이고, 액정 패널의 저비용화의 장해가 되고 있다. 이에 대하여, Cu계 재료는, Al계 재료에 비해 저저항이고, Al계 재료를 대체하는 저저항 배선 재료로서 기대되고 있다.Along with the increase in size of liquid crystal panels, materials having lower resistance than Al-based materials are required. Moreover, Mo-Nb type alloy used for the protective film of Al type wiring is expensive, and has become the obstacle of cost reduction of a liquid crystal panel. In contrast, the Cu-based material is lower in resistance than the Al-based material, and is expected as a low-resistance wiring material that replaces the Al-based material.

Cu계 재료를 사용한 금속 전극 및 Cu 전극 보호막의 형성 방법으로서는, 비특허문헌 1에 개시되어 있는 바와 같이, Cu계 합금으로 이루어지는 타겟을 Ar+O₂ 분위기하에서, 스퍼터링하는 방법이 알려져 있다. 상기 비특허문헌 1에 기재된 방법은, 한번의 스퍼터에 의해 Cu 전극과 보호막을 동시에 형성할 수 있는 이점이 있다. 하지만, Ar+O₂ 분위기하에서의 반응성 스퍼터는, Cu 전극막 자체의 전기저항을 증가시키고, 특성 열화를 초래한다. 또한, O₂는, 진공 장치 챔버에 트랩되기 쉽기 때문에, 산소분압의 제어가 곤란하고, 제품의 품질 편차의 원인이 된다.As a method of forming a metal electrode and a Cu electrode protective film using a Cu-based material, a method of sputtering a target made of a Cu-based alloy in an Ar + O ₂ atmosphere is known, as disclosed in Non Patent Literature 1. The method of the said nonpatent literature 1 has the advantage that a Cu electrode and a protective film can be formed simultaneously by one sputter | spatter. However, reactive sputters in an Ar + O ₂ atmosphere increase the electrical resistance of the Cu electrode film itself and cause deterioration of properties. In addition, since O ₂ tends to be trapped in the vacuum apparatus chamber, it is difficult to control the oxygen partial pressure, which causes the quality variation of the product.

또한, 금속 전극 및 보호막은, 일반적으로, 투명전극이 형성된 기판 표면 전면에 보호막 및 전극층을 형성하고, 소정의 형상으로 패터닝하는 것에 의해 형성e되어 있다. 액정 패널을 저비용화하기 위해서는, 패터닝은, 습식 에칭에 의해 행하는 것이 바람직하다. 나아가, 습식 에칭으로, 고정밀도의 패터닝을 하기 위해서는, 보호막 및 전극층의 에칭 레이트가 거의 동일한 것이 바람직하다. 하지만, 비특허문헌 1에 개시되어 있는 방법에 의해 얻어지는 금속 전극 및 보호막은, 서로 에칭 레이트의 차이가 크기 때문에, 고정밀도의 패터닝을 할 수 없는 문제가 있다.In addition, the metal electrode and the protective film are generally formed by forming a protective film and an electrode layer on the entire surface of the substrate surface on which the transparent electrode is formed and patterning them into a predetermined shape. In order to reduce a liquid crystal panel cost, it is preferable to perform patterning by wet etching. Furthermore, in the wet etching, in order to perform high-precision patterning, it is preferable that the etching rates of a protective film and an electrode layer are substantially the same. However, the metal electrode and the protective film obtained by the method disclosed in Non-Patent Document 1 have a problem in that high precision patterning cannot be performed because the difference in etching rate is large.

또한, 액정 패널의 경우, Cu 전극 보호막은, ITO로 이루어지는 투명전극 상에 형성된다. 그 때문에, Cu 전극 보호막에는, ITO와의 높은 밀착성이 요구된다. 또한, 스퍼터링을 효율적으로 하기 위해서는, 타겟은, 투자율(Magnetic Permeability)이 낮을 것이 요구된다. 하지만, 이와 같은 조건을 모두 겸비한 Cu 전극 보호막용 타겟, 및 이와 같은 타겟을 사용하여 제조되는 적층막이 제안된 예는, 종래에는 없다.In the case of a liquid crystal panel, a Cu electrode protective film is formed on a transparent electrode made of ITO. Therefore, high adhesiveness with ITO is calculated | required by Cu electrode protective film. In addition, in order to make sputtering efficient, the target is required to have low magnetic permeability. However, there is no example in which the target for Cu electrode protective film which has all such conditions, and the laminated film manufactured using such a target were proposed.

일본 특허출원공개 2002-327264호 공보Japanese Patent Application Publication No. 2002-327264 일본 특허출원공개 2005-290409호 공보Japanese Patent Application Publication No. 2005-290409 일본 특허출원공개 S62-186511호 공보Japanese Patent Application Publication S62-186511 일본 특허출원공개 S63-100148호 공보Japanese Patent Application Publication S63-100148 일본 특허출원공개 2005-171341호 공보Japanese Patent Application Publication No. 2005-171341 국제공개 W0 2005/041290호International Publication W0 2005/041290

高澤悟(Takasawa Satoru) 외, Ulvac Technical Journal, No69, P7, 2009Takasawa Satoru et al., Ulvac Technical Journal, No69, P7, 2009

본 발명은,
(a) Cu 전극의 보호막으로서 사용할 수 있고, Cu 전극의 전해부식이나 원자확산에 의한 전기적 특성의 열화를 억제할 수 있고, 또한, 습식 에칭에 의해 고정밀도의 패터닝이 가능한 보호막을 형성할 수 있고,
(b) 투명전극과의 밀착성이 양호한 보호막을 형성할 수 있고, 나아가,
(c) 스퍼터링을 효율적으로 진행할 수 있는, Cu 전극 보호막용 NiCu 합금 타겟재, 및 이를 사용하여 제조되는 적층막을 제공하는 것을 과제로 한다.According to the present invention,
(a) It can be used as a protective film of a Cu electrode, can suppress the deterioration of the electrical characteristic by electrolytic corrosion and atomic diffusion of a Cu electrode, and can also form the protective film which can be patterned with high precision by wet etching. ,
(b) a protective film having good adhesion to the transparent electrode can be formed;
(c) It is a subject to provide the NiCu alloy target material for Cu electrode protective films which can advance sputtering efficiently, and the laminated film manufactured using the same.

상기 과제를 해결하기 위한, 본 발명에 따른 Cu 전극 보호막용 NiCu 합금 타겟재의 1번째는, 15.0≤Cu≤55.0mass%, 및 0.5≤(Cr, Ti)≤10.0mass%(단, Cr>0, Ti>0)를 포함하고, 잔부가 Ni 및 불가피적 불순물로 이루어지는 것을 요지로 한다.In order to solve the above problems, the first of the NiCu alloy target material for Cu electrode protective film according to the present invention is 15.0≤Cu≤55.0mass%, and 0.5≤ (Cr, Ti) ≤10.0mass% (where Cr> 0, Ti> 0), and remainder consists of Ni and an unavoidable impurity.

본 발명에 따른 Cu 전극 보호막용 NiCu 합금 타겟재의 2번째는, 15.0≤Cu≤55.0mass%, 및 0.5≤Cr≤10.0mass%를 포함하고, 잔부가 Ni 및 불가피적 불순물로 이루어지는 것을 요지로 한다.The 2nd of the NiCu alloy target material for Cu electrode protective films which concerns on this invention contains 15.0 <Cu <55.0mass%, and 0.5 <= Cr <= 10.0mass%, It is a summary that remainder consists of Ni and an unavoidable impurity.

본 발명에 따른 Cu 전극 보호막용 NiCu 합금 타겟재의 3번째는, 15.0≤Cu≤55.0mass%, 및 0.5≤Ti≤10.0mass%를 포함하고, 잔부가 Ni 및 불가피적 불순물로 이루어지는 것을 요지로 한다. 또한, 본 발명에 따른 적층막은, Cu 전극과, 상기 Cu 전극의 한쪽 면 또는 양면에 형성된 보호막을 구비하고, 상기 보호막은, 본 발명에 따른 Cu 전극 보호막용 NiCu 합금 타겟재를 사용하여 성막된 박막으로 이루어진다.The third of the NiCu alloy target material for Cu electrode protective films according to the present invention includes 15.0 ≦ Cu ≦ 55.0 mass% and 0.5 ≦ Ti ≦ 10.0mass%, with the remainder being made of Ni and unavoidable impurities. Moreover, the laminated | multilayer film which concerns on this invention is equipped with a Cu electrode and the protective film formed in one side or both surfaces of the said Cu electrode, The said protective film is the thin film formed using the NiCu alloy target material for Cu electrode protective films which concerns on this invention. Is done.

Ni-15~55 Cu 합금에 대해 소정량의 Cr 및/또는 Ti를 첨가하면, Cu 전극과의 에칭 레이트의 차이가 작아짐과 동시에, Cu 전극이나 ITO 등의 주변부재와의 전위차가 작아진다. 그 때문에, 이를 액정 패널에 사용되는 Cu 전극의 보호막으로서 이용하면, Cu 전극의 전해부식이나 원자확산에 의한 전기적 특성의 열화를 억제할 수 있고, 습식 에칭에 의한 고정밀도의 패터닝도 가능해진다.When a predetermined amount of Cr and / or Ti is added to the Ni-15 to 55 Cu alloy, the difference in etching rate with the Cu electrode is small and the potential difference with peripheral members such as Cu electrode and ITO is small. Therefore, when it is used as a protective film of Cu electrode used for a liquid crystal panel, deterioration of the electrical characteristic by electrolytic corrosion and atomic diffusion of a Cu electrode can be suppressed, and high precision patterning by wet etching also becomes possible.

또한, Ni-15~55 Cu 합금에 대해 소정량의 Cr 및/또는 Ti를 첨가하면, 투명전극과의 밀착성이 향상한다. 또한, Ni-15~55 Cu 합금은, 최대 투자율이 작으므로, 이를 타겟에 사용하면, 스퍼터링을 효율적으로 진행할 수 있다.In addition, when a predetermined amount of Cr and / or Ti is added to the Ni-15 to 55 Cu alloy, adhesion to the transparent electrode is improved. Moreover, since Ni-15-55 Cu alloy has small maximum permeability, when it uses for a target, sputtering can be advanced efficiently.

도 1(A)는, Ni-xmass% Cu-3mass% Cr(x=10~60) 합금의 Cu 함유량과, ITO에 대한 전위차 △V의 관계를 나타내는 도면. 도 1(B)는, Ni-35mass% Cu-xmass% Cr(x=0~11) 합금의 Cr 함유량과, ITO에 대한 전위차 △V의 관계를 나타내는 도면.
도 2(A)는, Ni-xmass% Cu-3mass% Cr(x=10~60) 합금의 Cu 함유량과, Cu에 대한 전위차 △V의 관계를 나타내는 도면. 도 2(B)는, Ni-35mass% Cu-xmass% Cr(x=0~11) 합금의 Cr 함유량과, Cu에 대한 전위차 △V의 관계를 나타내는 도면.
도 3(A)는, Ni-xmass% Cu-3mass% Cr(x=10~60) 합금의 Cu 함유량과, 에칭 레이트 차이의 관계를 나타내는 도면. 도 3(B)는, Ni-35mass% Cu-xmass% Cr(x=0~11) 합금의 Cr 함유량과, 에칭 레이트 차이의 관계를 나타내는 도면.
도 4(A)는, Ni-xmass% Cu-3mass% Cr(x=10~60) 합금의 Cu 함유량과 박리율(ITO: 20㎚, NiCuCr: 50㎚)의 관계를 나타내는 도면. 도 4(B)는, Ni-35mass% Cu-xmass% Cr(x=0~11) 합금의 Cr 함유량과 박리율(ITO: 20㎚, NiCuCr: 50㎚)의 관계를 나타내는 도면.
도 5(A)는, Ni-xmass% Cu-3mass% Cr(x=10~60) 합금의 Cu 함유량과 박리율(ITO: 20㎚, NiCuCr: 200㎚)의 관계를 나타내는 도면. 도 5(B)는, Ni-35mass% Cu-xmass% Cr(x=0~11) 합금의 Cr 함유량과 박리율(ITO: 20㎚, NiCuCr: 200㎚)의 관계를 나타내는 도면.
도 6(A)는, Ni-xmass% Cu-3mass% Cr(x=10~60) 합금의 Cu 함유량과 박리율(ITO: 150㎚, NiCuCr: 50㎚)의 관계를 나타내는 도면. 도 6(B)는, Ni-35mass% Cu-xmass% Cr(x=0~11) 합금의 Cr 함유량과 박리율(ITO: 150㎚, NiCuCr: 50㎚)의 관계를 나타내는 도면.
도 7(A)는, Ni-xmass% Cu-3mass% Cr(x=10~60) 합금의 Cu 함유량과 박리율(ITO: 150㎚, NiCuCr: 200㎚)의 관계를 나타내는 도면. 도 7(B)는, Ni-35mass% Cu-xmass% Cr(x=0~11) 합금의 Cr 함유량과 박리율(ITO: 150㎚, NiCuCr: 200㎚)의 관계를 나타내는 도면.
도 8(A)는, Ni-xmass% Cu-3mass% Cr(x=10~60) 합금의 Cu 함유량과 최대 투자율 μ의 관계를 나타내는 도면. 도 8(B)는, Ni-35mass% Cu-xmass% Cr(x=0~11) 합금의 Cr 함유량과 최대 투자율 μm의 관계를 나타내는 도면.
도 9(A)는, Ni-xmass% Cu-3mass% Ti(x=10~60) 합금의 Cu 함유량과, ITO에 대한 전위차 △V의 관계를 나타내는 도면. 도 9(B)는, Ni-35mass% Cu-xmass% Ti(x=0~7) 합금의 Ti 함유량과 ITO에 대한 전위차 △V의 관계를 나타내는 도면.
도 10(A)는, Ni-xmass% Cu-3mass% Ti(x=10~60) 합금의 Cu 함유량과, Cu에 대한 전위차 △V의 관계를 나타내는 도면. 도 10(B)는, Ni-35mass% Cu-xmass% Ti(x=0~7) 합금의 Ti 함유량과, Cu에 대한 전위차 △V의 관계를 나타내는 도면.
도 11(A)는, Ni-xmass% Cu-3mass% Ti(x=10~60) 합금의 Cu 함유량과, 에칭 레이트 차이의 관계를 나타내는 도면. 도 11(B)는, Ni-35mass% Cu-xmass% Ti(x=0~7) 합금의 Ti 함유량과, 에칭 레이트 차이의 관계를 나타내는 도면.
도 12(A)는, Ni-xmass% Cu-3mass% Ti(x=10~60) 합금의 Cu 함유량과 박리율(ITO: 20㎚, NiCuTi: 50㎚)의 관계를 나타내는 도면. 도 12(B)는, Ni-35mass% Cu-xmass% Ti(x=0~7) 합금의 Ti 함유량과 박리율(ITO: 20㎚, NiCuTi: 50㎚)의 관계를 나타내는 도면.
도 13(A)는, Ni-xmass% Cu-3mass% Ti(x=10~60) 합금의 Cu 함유량과 박리율(ITO: 20㎚, NiCuTi: 200㎚)의 관계를 나타내는 도면. 도 13(B)는, Ni-35mass% Cu-xmass% Ti(x=0~7) 합금의 Ti 함유량과 박리율(ITO: 20㎚, NiCuTi: 200㎚)의 관계를 나타내는 도면.
도 14(A)는, Ni-xmass% Cu-3mass% Ti(x=10~60) 합금의 Cu 함유량과 박리율(ITO: 150㎚, NiCuTi: 50㎚)의 관계를 나타내는 도면. 도 14(B)는, Ni-35mass% Cu-xmass% Ti(x=0~7) 합금의 Ti 함유량과 박리율(ITO: 150㎚, NiCuTi: 50㎚)의 관계를 나타내는 도면.
도 15(A)는, Ni-xmass% Cu-3mass% Ti(x=10~60) 합금의 Cu 함유량과 박리율(ITO: 150㎚, NiCuTi: 200㎚)의 관계를 나타내는 도면. 도 15(B)는, Ni-35mass% Cu-xmass% Ti(x=0~7) 합금의 Ti 함유량과 박리율(ITO: 150㎚, NiCuTi: 200㎚)의 관계를 나타내는 도면.
도 16(A)는, Ni-xmass% Cu-3mass% Ti(x=10~60) 합금의 Cu 함유량과 최대 투자율 μ의 관계를 나타내는 도면. 도 16(B)는, Ni-35mass% Cu-xmass% Ti(x=0~7) 합금의 Ti 함유량과 최대 투자율 μm의 관계를 나타내는 도면.1 (A) is a diagram showing a relationship between Cu content of a Ni-xmass% Cu-3mass% Cr (x = 10 to 60) alloy and a potential difference ΔV with respect to ITO. 1 (B) is a diagram showing the relationship between the Cr content of a Ni-35mass% Cu-xmass% Cr (x = 0 to 11) alloy and the potential difference ΔV with respect to ITO.
2 (A) is a diagram showing a relationship between Cu content of a Ni-xmass% Cu-3mass% Cr (x = 10 to 60) alloy and a potential difference ΔV with respect to Cu. Fig. 2B is a diagram showing the relationship between the Cr content of the Ni-35mass% Cu-xmass% Cr (x = 0 to 11) alloy and the potential difference ΔV with respect to Cu.
FIG. 3 (A) is a diagram showing a relationship between Cu content of an Ni-xmass% Cu-3mass% Cr (x = 10 to 60) alloy and an etching rate difference. FIG. Fig. 3B is a diagram showing the relationship between the Cr content of the Ni-35mass% Cu-xmass% Cr (x = 0 to 11) alloy and the etching rate difference.
4 (A) is a diagram showing the relationship between Cu content and peeling rate (ITO: 20 nm, NiCuCr: 50 nm) of a Ni-xmass% Cu-3mass% Cr (x = 10 to 60) alloy. Fig. 4B is a diagram showing the relationship between the Cr content of the Ni-35mass% Cu-xmass% Cr (x = 0 to 11) alloy and the peel rate (ITO: 20 nm, NiCuCr: 50 nm).
FIG. 5 (A) is a diagram showing a relationship between Cu content and a peel rate (ITO: 20 nm, NiCuCr: 200 nm) of a Ni-xmass% Cu-3mass% Cr (x = 10 to 60) alloy. FIG. Fig. 5B is a diagram showing the relationship between the Cr content of the Ni-35mass% Cu-xmass% Cr (x = 0 to 11) alloy and the peel rate (ITO: 20 nm, NiCuCr: 200 nm).
Fig. 6 (A) is a diagram showing the relationship between Cu content and peeling rate (ITO: 150 nm, NiCuCr: 50 nm) of a Ni-xmass% Cu-3mass% Cr (x = 10 to 60) alloy. Fig. 6 (B) is a diagram showing the relationship between the Cr content of the Ni-35mass% Cu-xmass% Cr (x = 0 to 11) alloy and the peel rate (ITO: 150 nm, NiCuCr: 50 nm).
Fig. 7 (A) is a diagram showing the relationship between Cu content and peel rate (ITO: 150 nm, NiCuCr: 200 nm) of a Ni-xmass% Cu-3mass% Cr (x = 10 to 60) alloy. Fig. 7B is a diagram showing the relationship between the Cr content of the Ni-35mass% Cu-xmass% Cr (x = 0 to 11) alloy and the peel rate (ITO: 150 nm, NiCuCr: 200 nm).
8 (A) is a diagram showing a relationship between Cu content and the maximum permeability μ of a Ni-xmass% Cu-3mass% Cr (x = 10 to 60) alloy. Fig. 8B is a diagram showing the relationship between the Cr content of the Ni-35mass% Cu-xmass% Cr (x = 0 to 11) alloy and the maximum permeability µm.
9 (A) is a diagram showing a relationship between Cu content of a Ni-xmass% Cu-3mass% Ti (x = 10 to 60) alloy and a potential difference ΔV with respect to ITO. Fig. 9B is a diagram showing the relationship between the Ti content of the Ni-35mass% Cu-xmass% Ti (x = 0 to 7) alloy and the potential difference ΔV with respect to ITO.
10 (A) is a diagram showing a relationship between Cu content of a Ni-xmass% Cu-3mass% Ti (x = 10 to 60) alloy and a potential difference ΔV with respect to Cu. 10 (B) is a diagram showing a relationship between Ti content of a Ni-35mass% Cu-xmass% Ti (x = 0-7) alloy and a potential difference ΔV with respect to Cu.
11 (A) is a diagram showing a relationship between Cu content of an Ni-xmass% Cu-3mass% Ti (x = 10 to 60) alloy and an etching rate difference. 11 (B) is a diagram showing the relationship between the Ti content of the Ni-35mass% Cu-xmass% Ti (x = 0-7) alloy and the etching rate difference.
FIG. 12 (A) is a diagram showing a relationship between Cu content and peel rate (ITO: 20 nm, NiCuTi: 50 nm) of a Ni-xmass% Cu-3mass% Ti (x = 10 to 60) alloy. FIG. FIG. 12 (B) is a diagram showing a relationship between Ti content and peel rate (ITO: 20 nm, NiCuTi: 50 nm) of a Ni-35mass% Cu-xmass% Ti (x = 0 to 7) alloy; FIG.
FIG. 13 (A) is a diagram showing the relationship between Cu content and peel rate (ITO: 20 nm, NiCuTi: 200 nm) of a Ni-xmass% Cu-3mass% Ti (x = 10 to 60) alloy. FIG. 13 (B) is a diagram showing a relationship between Ti content and peel rate (ITO: 20 nm, NiCuTi: 200 nm) of a Ni-35mass% Cu-xmass% Ti (x = 0 to 7) alloy; FIG.
14 (A) is a diagram showing a relationship between Cu content and a peel rate (ITO: 150 nm, NiCuTi: 50 nm) of a Ni-xmass% Cu-3mass% Ti (x = 10 to 60) alloy. FIG. 14B is a diagram showing a relationship between Ti content and peeling rate (ITO: 150 nm, NiCuTi: 50 nm) of a Ni-35mass% Cu-xmass% Ti (x = 0 to 7) alloy. FIG.
FIG. 15 (A) is a diagram showing a relationship between Cu content and peel rate (ITO: 150 nm, NiCuTi: 200 nm) of a Ni-xmass% Cu-3mass% Ti (x = 10 to 60) alloy. FIG. FIG. 15B is a diagram showing a relationship between Ti content and peeling rate (ITO: 150 nm, NiCuTi: 200 nm) of a Ni-35mass% Cu-xmass% Ti (x = 0 to 7) alloy. FIG.
Fig. 16 (A) is a diagram showing a relationship between Cu content and the maximum permeability μ of a Ni-xmass% Cu-3mass% Ti (x = 10 to 60) alloy. FIG. 16 (B) is a diagram showing a relationship between Ti content of the Ni-35mass% Cu-xmass% Ti (x = 0-7) alloy and the maximum permeability µm. FIG.

이하, 본 발명의 일 실시형태에 대해 상세하게 설명한다.
[1. Cu 전극 보호막용 NiCu 합금 타겟 (1): NiCuCr 합금]
[1.1. 성분] 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 Cu 전극 보호막용 NiCu 합금 타겟은, 하기와 같은 원소를 포함하고, 잔부가 Ni 및 불가피적 불순물로 이루어진다. 첨가 원소의 종류 및 첨가량의 한정 이유는, 다음과 같다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, one Embodiment of this invention is described in detail.
[One. NiCu alloy target for Cu electrode protective film (1): NiCuCr alloy]
1.1. Component] The NiCu alloy target for Cu electrode protective films according to the first embodiment of the present invention contains the following elements, and the balance consists of Ni and unavoidable impurities. The reason for limitation of the kind of addition element and addition amount is as follows.

(1) 15.0≤Cu≤55.0mass%. NiCu 합금 중의 Cu 함유량은, Cu 전극이나 ITO와의 표준 전위의 차(전위차)나, Cu 전극과의 에칭 레이트 차이에 영향을 미친다. 또한, Cu 함유량은, NiCu 합금의 투자율에 영향을 미친다.
일반적으로, Cu 함유량이 적어질수록, 주변부재와의 전위차가 커지고, 내전해부식성이 저하한다. 또한, Cu 전극에 비해 에칭 레이트가 늦어지고, 전극의 신뢰성이 저하한다. 보호막의 에칭 레이트가 너무 늦으면, 습식 에칭 후의 보호막/전극/보호막의 단면은 요상(凹狀)으로 된다. 더욱이, Cu 함유량이 적어질수록 보호막의 전기저항이 증대하고, 전극의 신뢰성이 저하한다. 또한, Cu 함유량이 적어질수록, 최대 투자율 μm이 증대한다.
따라서, Cu 함유량은, 15.0mass% 이상일 필요가 있다. Cu 함유량은, 더욱 바람직하게는 25.0mass% 이상, 특히 바람직하게는 30.0mass% 이상이다.(1) 15.0 ≦ Cu ≦ 55.0 mass%. Cu content in NiCu alloy affects the difference (potential difference) of the standard electric potential with a Cu electrode or ITO, and the etching rate difference with a Cu electrode. In addition, Cu content affects the permeability of NiCu alloy.
In general, the lower the Cu content, the greater the potential difference with the peripheral member, and the lower the corrosion resistance to electrolysis. Moreover, compared with Cu electrode, an etching rate becomes slow and reliability of an electrode falls. If the etching rate of the protective film is too late, the cross section of the protective film / electrode / protective film after wet etching becomes concave. Moreover, as the Cu content decreases, the electrical resistance of the protective film increases, and the reliability of the electrode decreases. In addition, as the Cu content decreases, the maximum permeability µm increases.
Therefore, Cu content needs to be 15.0 mass% or more. Cu content becomes like this. More preferably, it is 25.0 mass% or more, Especially preferably, it is 30.0 mass% or more.

한편, Cu 함유량이 과잉해지면, 도리어 주변부재와의 전위차가 커진다. 또한, Cu 전극에 비해 에칭 레이트가 너무 빨라져, 전극의 신뢰성이 저하한다. 보호막의 에칭 레이트가 너무 빠르면, 습식 에칭 후의 보호막/전극/보호막의 단면은 철상(凸狀)으로 된다. 더욱이, Cu 함유량이 과잉해지면, 금속간 화합물의 석출에 의해 가공성이 저하한다.
따라서, Cu 함유량은, 55.0mass% 이하일 필요가 있다. Cu 함유량은, 바람직하게는 45.0mass% 이하, 더욱 바람직하게는 40.0mass% 이하, 특히 바람직하게는 35.0mass% 이하이다.On the other hand, when Cu content becomes excess, the electric potential difference with a peripheral member will become large. In addition, the etching rate is too fast compared to the Cu electrode, and the reliability of the electrode is lowered. If the etching rate of the protective film is too fast, the cross section of the protective film / electrode / protective film after wet etching becomes iron. Moreover, when Cu content becomes excess, workability will fall by precipitation of an intermetallic compound.
Therefore, Cu content needs to be 55.0 mass% or less. Cu content becomes like this. Preferably it is 45.0 mass% or less, More preferably, it is 40.0 mass% or less, Especially preferably, it is 35.0 mass% or less.

(2) 0.5≤Cr≤10.0mass%. 상대적으로 다량의 Cu를 포함하는 NiCu 합금은, 주변부재(특히, Cu 전극)와의 전위차가 크고, 또한, Cu 전극에 비해 에칭 레이트가 빠르다. Cr은, 이와 같은 NiCu 합금과 주변부재와의 전위차를 작게 하면서, NiCu 합금의 에칭 레이트를 늦추는(Cu 전극에 근접시킴) 작용이 있다. 또한, Cr은, 투명전극(ITO)과의 밀착성을 높이는 작용이 있다.(2) 0.5 ≦ Cr ≦ 10.0 mass%. NiCu alloys containing a relatively large amount of Cu have a large potential difference with a peripheral member (particularly, a Cu electrode) and have a higher etching rate than a Cu electrode. Cr has a function of slowing the etching rate of the NiCu alloy (close to the Cu electrode) while reducing the potential difference between the NiCu alloy and the peripheral member. In addition, Cr has the effect of improving the adhesiveness with the transparent electrode (ITO).

일반적으로, Cr의 함유량이 적어질수록, 주변부재와의 전위차가 커지고, 내전해부식성이 저하한다. 또한, Cu 전극에 비해 에칭 레이트가 너무 빨라져, 전극의 신뢰성이 저하한다. 더욱이, Cr 함유량이 적어질수록, 투명전극과의 밀착성이 저하한다.
따라서, Cr의 함유량은, 0.5mass% 이상일 필요가 있다. Cr의 함유량은, 더욱 바람직하게는 1.0mass% 이상, 특히 바람직하게는 3.0mass% 이상이다.In general, as the Cr content decreases, the potential difference with the peripheral member increases, and the electrolytic corrosion resistance decreases. In addition, the etching rate is too fast compared to the Cu electrode, and the reliability of the electrode is lowered. Moreover, as Cr content decreases, adhesiveness with a transparent electrode falls.
Therefore, content of Cr needs to be 0.5 mass% or more. The content of Cr is more preferably 1.0 mass% or more, and particularly preferably 3.0 mass% or more.

한편, Cr의 함유량이 과잉해지면, 도리어 주변부재와의 전위차가 커진다. 또한, Cu 전극에 비해 에칭 레이트가 너무 늦어져, 전극의 신뢰성이 저하한다.
따라서, Cr의 함유량은, 10.0mass% 이하일 필요가 있다. Cr의 함유량은, 더욱 바람직하게는 7.0mass% 이하, 특히 바람직하게는 5.0mass% 이하이다.On the other hand, when Cr content becomes excess, the electric potential difference with a peripheral member will become large. Moreover, compared with Cu electrode, an etching rate is too slow and reliability of an electrode falls.
Therefore, content of Cr needs to be 10.0 mass% or less. The content of Cr is more preferably 7.0 mass% or less, particularly preferably 5.0 mass% or less.

[1.2. 용도]
본 발명의 제 1 실시형태에 따른 타겟은, Cu 전극을 보호하기 위한 보호막을 형성하기 위해 사용된다.
여기서, "Cu 전극"이란, 순Cu 또는 이와 동등한 전기비저항(구체적으로는, 약 2~3μΩcm)을 갖는 Cu 합금으로 이루어지는 전극을 말한다.
또한, 본 실시형태에 따른 타겟은, Cu 전극 보호막 이외의 용도에도 사용할 수 있다. 기타 용도로서는, 구체적으로는 전극막, 반사막 등이 있다.1.2. Usage]
The target according to the first embodiment of the present invention is used to form a protective film for protecting a Cu electrode.
Here, the "Cu electrode" refers to an electrode made of Cu alloy having pure Cu or an equivalent electrical resistivity (specifically, about 2 to 3 µΩcm).
In addition, the target which concerns on this embodiment can be used also for uses other than a Cu electrode protective film. As another use, an electrode film, a reflection film, etc. are specifically, mentioned.

Cu 전극 보호막은, 일반적으로, Cu 전극의 양면에 형성된다. 예를 들면, 액정 패널의 경우, 투명전극이 형성된 기판 표면에, 소정의 조성을 갖는 타겟을 사용하여, Cu 전극 보호막, Cu 전극, 및 Cu 전극 보호막을 이 순서로 성막한다. 그 다음, 습식 에칭에 의해 Cu 전극 보호막/Cu 전극/Cu 전극 보호막을 소정의 형상으로 패터닝한다.
한편, 용도에 따라서는, Cu 전극의 한쪽 면에만 보호막이 형성되는 경우도 있다. 예를 들면, TFT의 경우, 투명전극이 형성된 기판 표면에, 소정의 조성을 갖는 타겟을 사용하여, Cu 전극 보호막 및 Cu 전극을 이 순서로 성막한다. 그 다음, 습식 에칭에 의해 Cu 전극 보호막/Cu 전극을 소정의 형상으로 패터닝한다.Cu electrode protective film is generally formed on both surfaces of Cu electrode. For example, in the case of a liquid crystal panel, a Cu electrode protective film, a Cu electrode, and a Cu electrode protective film are formed in this order on the surface of the board | substrate with a transparent electrode using the target which has a predetermined composition. Then, the Cu electrode protective film / Cu electrode / Cu electrode protective film is patterned into a predetermined shape by wet etching.
On the other hand, depending on a use, a protective film may be formed only in one surface of a Cu electrode. For example, in the case of a TFT, a Cu electrode protective film and a Cu electrode are formed into a film in this order using the target which has a predetermined composition on the surface of the board | substrate with which the transparent electrode was formed. Then, the Cu electrode protective film / Cu electrode is patterned into a predetermined shape by wet etching.

[2. Cu 전극 보호막용 NiCu 합금 타겟 (2): NiCuTi 합금]
[2.1. 성분]
본 발명의 제 2 실시형태에 따른 Cu 전극 보호막용 NiCu 합금 타겟은, 하기와 같은 원소를 포함하고, 잔부가 Ni 및 불가피적 불순물로 이루어진다. 첨가 원소의 종류 및 첨가량의 한정 이유는, 다음과 같다.[2. NiCu alloy target for Cu electrode protective film (2): NiCuTi alloy]
[2.1. ingredient]
The NiCu alloy target for Cu electrode protective films which concerns on 2nd Embodiment of this invention contains the following elements, and remainder consists of Ni and an unavoidable impurity. The reason for limitation of the kind of addition element and addition amount is as follows.

(2) 0.5≤Ti≤10.0mass%. 상대적으로 다량의 Cu를 포함하는 NiCu 합금은, 주변부재(특히, Cu 전극)와의 전위차가 크고, 또한, Cu 전극에 비해 에칭 레이트가 빠르다. Ti는, 이와 같은 NiCu 합금과 주변부재와의 전위차를 작게 하면서, NiCu 합금의 에칭 레이트를 늦추는(Cu 전극에 근접시킴) 작용이 있다. 또는, Ti는, 투명전극(ITO)과의 밀착성을 높이는 작용이 있다.(2) 0.5 ≦ Ti ≦ 10.0 mass%. NiCu alloys containing a relatively large amount of Cu have a large potential difference with a peripheral member (particularly, a Cu electrode) and have a higher etching rate than a Cu electrode. Ti has a function of slowing the etching rate of the NiCu alloy (close to the Cu electrode) while reducing the potential difference between the NiCu alloy and the peripheral member. Or Ti has the effect | action which improves adhesiveness with the transparent electrode (ITO).

일반적으로, Ti의 함유량이 적어질수록, 주변부재와의 전위차가 커지고, 내전해부식성이 저하한다. 또한, Cu 전극에 비해 에칭 레이트가 너무 빨라져, 전극의 신뢰성이 저하한다. 더욱이, Ti 함유량이 적어질수록, 투명전극과의 밀착성이 저하한다.
따라서, Ti의 함유량은, 0.5mass% 이상일 필요가 있다. Ti의 함유량은, 더욱 바람직하게는 1.0mass% 이상, 특히 바람직하게는 3.0mass% 이상이다.In general, the smaller the content of Ti, the greater the potential difference with the peripheral member, and the lower the corrosion resistance to electrolysis. In addition, the etching rate is too fast compared to the Cu electrode, and the reliability of the electrode is lowered. Moreover, as Ti content decreases, adhesiveness with a transparent electrode falls.
Therefore, content of Ti needs to be 0.5 mass% or more. The content of Ti is more preferably 1.0 mass% or more, particularly preferably 3.0 mass% or more.

한편, Ti의 함유량이 과잉해지면, 도리어 주변부재와의 전위차가 커진다. 또한, Cu 전극에 비해 에칭 레이트가 너무 늦어져, 전극의 신뢰성이 저하한다.
따라서, Ti의 함유량은, 10.0mass% 이하일 필요가 있다. Ti의 함유량은, 더욱 바람직하게는 7.0mass% 이하, 특히 바람직하게는 5.0mass% 이하이다.On the other hand, when the content of Ti becomes excessive, the potential difference with the peripheral member becomes larger. Moreover, compared with Cu electrode, an etching rate is too slow and reliability of an electrode falls.
Therefore, content of Ti needs to be 10.0 mass% or less. The content of Ti is more preferably 7.0 mass% or less, particularly preferably 5.0 mass% or less.

[2.2. 용도]
본 발명의 제 2 실시형태에 따른 타겟의 용도에 대해서는, 제 1 실시형태와 동일하므로, 상세한 설명을 생략한다.2.2. Usage]
Since the use of the target which concerns on 2nd Embodiment of this invention is the same as that of 1st Embodiment, detailed description is abbreviate | omitted.

[3. Cu 전극 보호막용 NiCu 합금 타겟 (3): NiCuCrTi 합금]
[3.1. 성분]
본 발명의 제 3 실시형태에 따른 Cu 전극 보호막용 NiCu 합금 타겟은, 하기와 같은 원소를 포함하고, 잔부가 Ni 및 불가피적 불순물로 이루어진다. 첨가 원소의 종류 및 첨가량의 한정 이유는, 다음과 같다.[3. NiCu alloy target for Cu electrode protective film (3): NiCuCrTi alloy]
[3.1. ingredient]
The NiCu alloy target for Cu electrode protective films which concerns on 3rd Embodiment of this invention contains the following elements, and remainder consists of Ni and an unavoidable impurity. The reason for limitation of the kind of addition element and addition amount is as follows.

(2) 0.5≤(Cr, Ti)≤10.0mass%. 단, Cr>0, Ti>0. 상술한 바와 같이, Cr 및 Ti는 모두, (a) NiCu 합금과 주변부재와의 전위차를 작게 하는 작용, (b) NiCu 합금의 에칭 레이트를 늦추는(Cu 전극에 근접시킴) 작용, 및 (c) 투명전극(ITO)과의 밀착성을 높이는 작용이 있다.
이와 같은 Cr 및 Ti를 NiCu 합금에 동시에 첨가하면, 에칭 레이트 및 밀착성을 동등하게 유지하면서, 주변부재와의 전위차를 더욱 줄이는 작용이 있다.(2) 0.5 ≦ (Cr, Ti) ≦ 10.0 mass%. However, Cr> 0, Ti> 0. As described above, both Cr and Ti have the effect of (a) reducing the potential difference between the NiCu alloy and the peripheral member, (b) slowing the etching rate of the NiCu alloy (close to the Cu electrode), and (c) It has the effect of improving the adhesion with the transparent electrode (ITO).
Adding such Cr and Ti to the NiCu alloy simultaneously has the effect of further reducing the potential difference with the peripheral member while maintaining the etching rate and the adhesion.

일반적으로, Cr 및/또는 Ti의 함유량이 적어질수록, 주변부재와의 전위차가 커지고, 내전해부식성이 저하한다. 또한, Cu 전극에 비해 에칭 레이트가 너무 빨라져, 전극의 신뢰성이 저하한다. 따라서, Cr 및 Ti의 함유량은, 총량으로 0.5mass% 이상일 필요가 있다. Cr 및 Ti의 총함유량은, 더욱 바람직하게는 1.0mass% 이상, 특히 바람직하게는 3.0mass% 이상이다.
한편, Cr 및/또는 Ti의 함유량이 과잉해지면, 도리어 주변부재와의 전위차가 커진다. 또한, Cu 전극에 비해 에칭 레이트가 너무 늦어져, 전극의 신뢰성이 저하한다. 따라서, Cr 및 Ti의 함유량은, 총량으로 10.0mass% 이하일 필요가 있다. Cr 및 Ti의 총함유량은, 더욱 바람직하게는 7.0mass% 이하, 특히 바람직하게는 5.0mass% 이하이다.In general, the smaller the content of Cr and / or Ti, the greater the potential difference with the peripheral member and the lower the corrosion resistance of the electrolyte. In addition, the etching rate is too fast compared to the Cu electrode, and the reliability of the electrode is lowered. Therefore, content of Cr and Ti needs to be 0.5 mass% or more in total amount. The total content of Cr and Ti is more preferably 1.0 mass% or more, particularly preferably 3.0 mass% or more.
On the other hand, when the content of Cr and / or Ti becomes excessive, the potential difference with the peripheral member becomes larger. Moreover, compared with Cu electrode, an etching rate is too slow and reliability of an electrode falls. Therefore, content of Cr and Ti needs to be 10.0 mass% or less in total amount. The total content of Cr and Ti is more preferably 7.0 mass% or less, particularly preferably 5.0 mass% or less.

[3.2. 용도]
본 발명의 제 3 실시형태에 따른 타겟의 용도에 대해서는, 제 1 실시형태와 동일하므로, 상세한 설명을 생략한다.3.2. Usage]
Since the use of the target which concerns on 3rd Embodiment of this invention is the same as that of 1st Embodiment, detailed description is abbreviate | omitted.

[4. 적층막]
본 발명에 따른 적층막은, Cu 전극과, 상기 Cu 전극의 한쪽 면 또는 양면에 형성된 보호막을 구비하는 적층막이고, 상기 보호막은, 본 발명에 따른 Cu 전극 보호막용 NiCu 합금 타겟재를 사용하여 성막된 박막으로 이루어진다.[4. Laminated film]
The laminated film according to the present invention is a laminated film having a Cu electrode and a protective film formed on one side or both sides of the Cu electrode, wherein the protective film is formed by using the NiCu alloy target material for Cu electrode protective film according to the present invention. It is made of a thin film.

[4.1. Cu 전극]
Cu 전극의 두께는, 목적에 따라 최적의 두께를 선택하는 것이 바람직하다. 일반적으로, Cu 전극이 두꺼워질수록, 동작은 안정화된다. 하지만, Cu 전극이 너무 두꺼워지면, 에칭성이나 밀착성이 저하할 뿐만 아니라, 막의 균열을 일으킨다. 따라서, Cu 전극의 두께는, 50~500㎚가 바람직하다. Cu 전극의 두께는, 더욱 바람직하게는 100~400㎚, 특히 바람직하게는 150~250㎚이다.
Cu 전극에 관한 사항에 관해서는, 상술한 바와 동일하므로, 설명을 생략한다.[4.1. Cu electrode]
It is preferable that the thickness of a Cu electrode selects the optimal thickness according to the objective. In general, the thicker the Cu electrode, the more stable the operation. However, when the Cu electrode becomes too thick, not only the etching property and the adhesiveness deteriorate, but also the film is cracked. Therefore, as for the thickness of a Cu electrode, 50-500 nm is preferable. The thickness of the Cu electrode is more preferably 100 to 400 nm, particularly preferably 150 to 250 nm.
Since the matter regarding a Cu electrode is the same as that mentioned above, description is abbreviate | omitted.

[4.2. 보호막]
보호막의 두께는, 목적에 따라 최적의 두께를 선택하는 것이 바람직하다. 일반적으로, 보호막이 두꺼워질수록, 내구성은 향상한다. 하지만, 보호막이 너무 두꺼워지면, 에칭성이나 밀착성이 저하한다. 따라서, 보호막의 두께는, 5~100㎚가 바람직하다. 보호막의 두께는, 더욱 바람직하게는 5~70㎚, 특히 바람직하게는 5~50㎚이다.[4.2. Shield]
It is preferable that the thickness of a protective film selects the optimal thickness according to the objective. In general, the thicker the protective film, the better the durability. However, when the protective film becomes too thick, the etching property and the adhesion decrease. Therefore, as for the thickness of a protective film, 5-100 nm is preferable. The thickness of the protective film is more preferably 5 to 70 nm, particularly preferably 5 to 50 nm.

Cu 전극의 양면에 보호막을 형성하는 경우, 각 면의 보호막의 조성은, 서로 동일해도 좋고, 또는 상이해도 좋다. 즉, Cu 전극의 양면에 보호막이 형성되는 경우, 동일 조성의 타겟을 사용하여 각 면의 보호막을 형성해도 좋다. 또는, 이중 한쪽의 보호막을 제 1 타겟을 사용하여 성막하고, 다른 한 보호막을 제 1 타겟과 상이한 조성을 갖는 제 2 타겟을 사용하여 성막해도 좋다.
보호막의 성막 방법에 대해서는, 특히 한정되지 않고, 목적에 따라 다양한 방법을 사용할 수 있다. 타겟을 사용한 보호막의 성막 방법으로서는, 구체적으로는, 스퍼터법이 있지만, 이외에 나노 입자를 사용한 나노 임프린트법이나 습식 도금법 등이 있다.
보호막, 및 Cu 전극 보호막용 NiCu 합금 타겟재에 관한 기타 사항에 대해서는, 상술한 바와 동일하므로, 설명을 생략한다.When forming a protective film on both surfaces of Cu electrode, the composition of the protective film of each surface may be mutually same, or may differ. That is, when a protective film is formed on both surfaces of a Cu electrode, you may form the protective film of each surface using the target of the same composition. Alternatively, one of the protective films may be formed using a first target, and the other protective film may be formed using a second target having a composition different from that of the first target.
The film forming method of the protective film is not particularly limited, and various methods can be used depending on the purpose. Although the sputtering method is specifically mentioned as a film-forming method of the protective film using a target, In addition, there exists a nano imprinting method using a nanoparticle, a wet plating method, etc.
Other matters concerning the protective film and the NiCu alloy target material for the Cu electrode protective film are the same as those described above, and thus description thereof is omitted.

[5. Cu 전극 보호막용 NiCu 합금 타겟재 및 적층막의 작용]
Ni-15~55 Cu 합금은, 주변부재(특히, Cu 전극)와의 전위차가 크고, 또한, Cu 전극에 비해 에칭 레이트가 빠르다.
이에 대해, Ni-15~55 Cu 합금에 대해 소정량의 Cr 및/또는 Ti를 첨가하면, 에칭 레이트가 늦어지는(Cu 전극의 에칭 레이트에 접근함) 동시에, Cu 전극이나 ITO 등의 주변부재와의 전위차가 작아진다. 그 때문에, 이를 액정 패널에 사용되는 Cu 전극의 보호막으로서 이용하면, Cu 전극의 전해부식이나 원자확산에 의한 전기적 특성의 열화를 억제할 수 있고, 습식 에칭에 의한 고정밀도의 패터닝도 가능해진다.[5. Effects of NiCu Alloy Target Material and Laminated Film for Cu Electrode Protective Film]
Ni-15-55 Cu alloy has a large potential difference with a peripheral member (especially Cu electrode), and is faster in etching rate than a Cu electrode.
On the other hand, when a predetermined amount of Cr and / or Ti is added to the Ni-15 to 55 Cu alloy, the etching rate is slowed down (approaching the etching rate of the Cu electrode), and at the same time, a peripheral member such as a Cu electrode or ITO is used. The potential difference of becomes small. Therefore, when it is used as a protective film of Cu electrode used for a liquid crystal panel, deterioration of the electrical characteristic by electrolytic corrosion and atomic diffusion of a Cu electrode can be suppressed, and high precision patterning by wet etching also becomes possible.

또한, Ni-15~55 Cu 합금에 대해 소정량의 Cr 및/또는 Ti를 첨가하면, 투명전극과의 밀착성이 향상한다. 더욱이, Ni-15~55 Cu 합금은, 최대 투자율이 작으므로, 이를 타겟에 사용하면, 스퍼터링을 효율적으로 진행할 수 있다.In addition, when a predetermined amount of Cr and / or Ti is added to the Ni-15 to 55 Cu alloy, adhesion to the transparent electrode is improved. Moreover, since Ni-15-55 Cu alloy has small maximum permeability, when it uses for a target, sputtering can be advanced efficiently.

[실시예]
(실시예 1)
[1. 시료의 제작]
용해/주조법을 사용하여, 소정의 조성을 갖는 Ni-Cu-Cr 합금 타겟을 제작하였다. Cu 함유량은 10~60mass%로 하였다. Cr 함유량은 0~11mass%로 하였다. 또한, 용해/주조법을 사용하여, Ni-35mass% Cu-1.5mass% Cr-1.5mass% Ti 합금 타겟을 제작하였다. 나아가, 비교로서, 순Cu 및 ITO를 사용하였다.[Example]
(Example 1)
[One. Preparation of Sample
Using the melting / casting method, a Ni—Cu—Cr alloy target having a predetermined composition was produced. Cu content was 10-60 mass%. Cr content was 0-11 mass%. In addition, a Ni-35mass% Cu-1.5mass% Cr-1.5mass% Ti alloy target was produced using a dissolution / casting method. Furthermore, pure Cu and ITO were used as a comparison.

[2. 시험 방법]
[2.1. 전위차]
Ni-Cu-Cr 합금, Ni-Cu-Cr-Ti 합금, Cu, 및 ITO에 대하여, 각각, 표준 전위를 측정하였다. 표준 전위는, 반대극에 카본 전극, 참조 전극에 칼로멜 전극을 사용하고, 40℃로 유지한 200g/L 황산암모늄 수용액 중에서 Potentio/Galvanostat에 의해 측정하였다.
얻어진 각 재료의 표준 전위를 사용하여, Ni-Cu-Cr 합금 또는 Ni-Cu-Cr-Ti 합금과 Cu와의 전위차 △V(V), 및 Ni-Cu-Cr 합금 또는 Ni-Cu-Cr-Ti 합금과 ITO와의 전위차 △V(V)를 산출하였다.
또, 전위차는, 종래의 것과 대비하여 작은 것이 더욱 바람직하지만, 동등 또는 약간 큰 것은 실용상 문제가 없다. 구체적으로는, ITO와의 전위차는 0.35V 이하, Cu와의 전위차는 1.0V 이하이면 좋다.
[2.2. 에칭 레이트 차이]
형상을 가지런히 한 각 재료의 테스트 피스를, 40℃의 황산암모늄 200g/L 수용액에 소정 시간 침지하였다. 침지 후, 두께의 감소량으로부터 에칭 레이트를 산출하였다. 나아가, 얻어진 에칭 레이트를 사용하여, Cu와의 에칭 레이트 차이(㎚/sec)를 산출하였다.
또, 에칭 레이트 차이는, 종래의 것과 대비하여 작은 것이 더욱 바람직하지만, 동등 또는 약간 큰 것은 실용상 문제가 없다. 구체적으로는, 에칭 레이트 차이는 1.2㎚/sec면 좋다.[2. Test Methods]
[2.1. Potential difference]
For Ni—Cu—Cr alloys, Ni—Cu—Cr—Ti alloys, Cu, and ITO, standard potentials were measured, respectively. The standard potential was measured by Potentio / Galvanostat in a 200 g / L ammonium sulfate aqueous solution maintained at 40 ° C. using a carbon electrode for the opposite electrode and a caramel electrode for the reference electrode.
The potential difference ΔV (V) between the Ni—Cu—Cr alloy or Ni—Cu—Cr—Ti alloy and Cu, and the Ni—Cu—Cr alloy or Ni—Cu—Cr—Ti, using the standard potential of each obtained material The potential difference ΔV (V) between the alloy and ITO was calculated.
The potential difference is more preferably smaller than the conventional one, but the equivalent or slightly larger has no problem in practical use. Specifically, the potential difference with ITO may be 0.35 V or less, and the potential difference with Cu may be 1.0 V or less.
2.2. Etching rate difference]
The test piece of each material having the shape was immersed in a 200 g / L aqueous solution of ammonium sulfate at 40 ° C. for a predetermined time. After immersion, the etching rate was calculated from the decrease in thickness. Furthermore, the etching rate difference (nm / sec) with Cu was computed using the obtained etching rate.
In addition, the etching rate difference is more preferably smaller than the conventional one, but the equivalent or slightly larger has no problem in practical use. Specifically, the etching rate difference may be 1.2 nm / sec.

[2.3. 박리율]
유리 기판 상에 ITO막(두께: 20㎚ 또는 150㎚)을 형성하였다. 그 다음, ITO막 상에, Ni-Cu-Cr 합금막 또는 Ni-Cu-Cr-Ti 합금막(두께: 50㎚ 또는 200㎚)을 더 형성하였다.
얻어진 막을 사용하여, 스크래치 시험을 하였다. 시험 조건은, JIS K5600에 준거하였다. 즉, 막표면에 1㎜피치의 크로스컷(cross cut)을 긋고, 100개의 칸(square)을 형성했다. 막표면에 테이프를 부착하여, 테이프를 벗겨낸 후, 박리된 칸의 개수 n(=박리율(%))를 계측하였다.
또, 박리율은 0%인 것이 가장 좋지만, 10% 미만(한자리수대)이 바람직하다.
[2.4. 최대 투자율]
형상을 가지런히 한 테스트 피스를 사용하여, 시료진동형 자력계(VSM)에 의해 최대 투자율 μ를 측정하였다. 측정시의 자계 Hm은 20 [MOe]로 하였다.
또, 최대 투자율은 100 이하이면 실용상 문제가 없다.[2.3. Peeling rate]
An ITO film (thickness: 20 nm or 150 nm) was formed on the glass substrate. Next, a Ni—Cu—Cr alloy film or a Ni—Cu—Cr—Ti alloy film (thickness: 50 nm or 200 nm) was further formed on the ITO film.
Using the obtained membrane, the scratch test was done. Test conditions were based on JISK5600. That is, a cross cut of 1 mm pitch was drawn on the film surface to form 100 squares. After attaching a tape to the film surface and peeling off the tape, the number n (= peeling rate (%)) of the peeled compartment was measured.
Moreover, although peeling rate is the best being 0%, less than 10% (single digit number) is preferable.
2.4. Maximum Permeability]
Using the shape-prepared test piece, the maximum permeability µ was measured by a sample oscillation magnetometer (VSM). The magnetic field Hm at the time of measurement was 20 [MOe].
Moreover, if the maximum permeability is 100 or less, there is no problem in practical use.

[3. 결과]
[3.1. 전위차 △V]
도 1에, Ni-Cu-Cr 합금과 ITO와의 전위차 △V를 나타낸다. 도 1에 있어서, 파선은, Al계 배선 재료의 보호막으로서 종래 사용되고 있는 Mo-10 Nb와 ITO와의 전위차 △V(0.16V)를 나타낸다.
도 2에, Ni-Cu-Cr 합금과 Cu와의 전위차 △V를 나타낸다. 도 2에 있어서, 파선은, Mo-10 Nb와, Al계 배선 재료로서 종래 사용되고 있는 Al-3 Nd와의 전위차 △V(0.62V)를 나타낸다.
또, 도 1 및 도 2에는, Ni-Cu-Cr-Ti 합금의 결과도 함께 나타냈다.[3. result]
[3.1. Potential difference ΔV]
1 shows the potential difference ΔV between a Ni—Cu—Cr alloy and ITO. In FIG. 1, a broken line shows the potential difference (DELTA) V (0.16V) between Mo-10Nb and ITO conventionally used as a protective film of Al type wiring material.
2 shows the potential difference ΔV between the Ni—Cu—Cr alloy and Cu. 2, the broken line shows the potential difference (DELTA) V (0.62V) between Mo-10Nb and Al-3Nd conventionally used as an Al type wiring material.
1 and 2 also show the results of the Ni—Cu—Cr—Ti alloy.

도 1로부터 하기하는 바를 알 수 있다.
(1) 보호막/전극/투명전극의 조합으로서, Ni-Cu-Cr 합금/Cu/ITO의 조합을 사용하면, 종래의 조합(Mo-10 Nb/Al-3 Nd/ITO)에 비해, ITO에 대한 전위차 △V가 작아진다.
(2) ITO에 대한 전위차 △V를 실용상 문제가 없는 값(0.35V) 이하로 하기 위해서는, Cu 함유량의 하한은, 15mass%, 또는 20mass%로 하는 것이 바람직하다. 또한, Cu 함유량의 상한은, 55mass%, 또는 50mass%로 하는 것이 바람직하다.
(3) ITO에 대한 전위차 △V를 종래의 조합과 동등 이하로 하기 위해서는, Cu 함유량의 하한은, 23.5mass%, 24mass%, 또는 25mass%로 하는 것이 바람직하다. 또한, Cu 함유량의 상한은, 44mass%, 40mass%, 또는 38mass%로 하는 것이 바람직하다.
(4) ITO에 대한 전위차를 실용상 문제가 없는 값(0.35V) 이하로 하기 위해서는, Cr 함유량의 상한은, 10mass%, 8mass%, 또는 7mass%로 하는 것이 바람직하다.
(5) ITO에 대한 전위차 △V를 종래의 조합과 동등 이하로 하기 위해서는, Cr 함유량의 하한은, 0.2mass%, 0.5mass%, 또는 1mass%로 하는 것이 바람직하다. 또한, Cr 함유량의 상한은, 6.5mass%, 6mass%, 또는 5mass%로 하는 것이 바람직하다.
(6) Ni-35 Cu-1.5 Cr-1.5 Ti 합금의 ITO에 대한 전위차 △V는, Ni-35 Cu-3 Cr 합금에 비해 작아진다.It can be seen from FIG. 1 as follows.
(1) As a combination of the protective film / electrode / transparent electrode, when a combination of Ni-Cu-Cr alloy / Cu / ITO is used, the ITO is compared to the conventional combination (Mo-10 Nb / Al-3 Nd / ITO). The potential difference ΔV becomes small.
(2) In order to make the potential difference DELTA V with respect to ITO below the value (0.35V) which does not have a practical problem, it is preferable that the minimum of Cu content shall be 15 mass% or 20 mass%. In addition, it is preferable that the upper limit of Cu content shall be 55 mass% or 50 mass%.
(3) In order to make the potential difference ΔV with respect to ITO to be equal to or less than a conventional combination, the lower limit of the Cu content is preferably 23.5 mass%, 24 mass%, or 25 mass%. In addition, it is preferable that the upper limit of Cu content shall be 44 mass%, 40 mass%, or 38 mass%.
(4) In order to make the potential difference with respect to ITO below the value (0.35V) which is satisfactory practically, it is preferable that the upper limit of Cr content shall be 10 mass%, 8 mass%, or 7 mass%.
(5) In order to make the potential difference ΔV relative to ITO to be equal to or less than the conventional combination, the lower limit of the Cr content is preferably set to 0.2 mass%, 0.5 mass%, or 1 mass%. In addition, it is preferable that the upper limit of Cr content shall be 6.5 mass%, 6 mass%, or 5 mass%.
(6) The potential difference ΔV with respect to ITO of the Ni-35 Cu-1.5 Cr-1.5 Ti alloy is smaller than that of the Ni-35 Cu-3 Cr alloy.

도 2로부터 하기하는 바를 알 수 있다.
(1) 보호막/전극/투명전극의 조합으로서, Ni-Cu-Cr 합금/Cu/ITO의 조합을 사용하면, 종래의 조합(Mo-10 Nb/Al-3 Nd/ITO)에 비해, Cu에 대한 전위차 △V가 작아진다.
(2) Cu에 대한 전위차 △V를 실용상 문제가 없는 값(1.0V) 이하로 하기 위해서는, Cu 함유량의 하한은, 15mass%, 또는 20mass%로 하는 것이 바람직하다.
(3) Cu에 대한 전위차 △V를 종래의 조합과 동등 이하로 하기 위해서는, Cu 함유량의 하한은, 23mass%, 24mass%, 또는 25mass%로 하는 것이 바람직하다. 또한, Cu 함유량의 상한은, 45mass%, 42mass%, 또는 40mass%로 하는 것이 바람직하다.
(4) Cu에 대한 전위차 △V를 종래의 조합과 동등 이하로 하기 위해서는, Cr 함유량의 하한은, 0.2mass%, 0.5mass%, 또는 1mass%로 하는 것이 바람직하다. 또한, Cr 함유량의 상한은, 5.5mass%, 5mass%, 또는 4mass%로 하는 것이 바람직하다.
(5) Ni-35 Cu-1.5 Cr-1.5 Ti 합금의 Cu에 대한 전위차 △V는, Ni-35 Cu-3 Cr 합금과 거의 동등하다.2 shows the following.
(1) As a combination of the protective film / electrode / transparent electrode, when a combination of Ni-Cu-Cr alloy / Cu / ITO is used, it is possible to obtain Cu in comparison with the conventional combination (Mo-10 Nb / Al-3 Nd / ITO). The potential difference ΔV becomes small.
(2) In order to make potential difference (DELTA) V with respect to Cu below the value (1.0V) which does not have a practical problem, it is preferable that the minimum of Cu content shall be 15 mass% or 20 mass%.
(3) In order to make the potential difference ΔV relative to Cu to be equal to or less than the conventional combination, the lower limit of the Cu content is preferably set to 23 mass%, 24 mass%, or 25 mass%. In addition, it is preferable that the upper limit of Cu content shall be 45 mass%, 42 mass%, or 40 mass%.
(4) In order to make the potential difference ΔV with respect to Cu to be equal to or less than a conventional combination, the lower limit of the Cr content is preferably set to 0.2 mass%, 0.5 mass%, or 1 mass%. In addition, it is preferable that the upper limit of Cr content shall be 5.5 mass%, 5 mass%, or 4 mass%.
(5) The potential difference ΔV with respect to Cu of the Ni-35 Cu-1.5 Cr-1.5 Ti alloy is almost equivalent to that of the Ni-35 Cu-3 Cr alloy.

[3.2. 에칭 레이트 차이]
도 3에, Ni-Cu-Cr 합금과 Cu와의 에칭 레이트 차이를 나타낸다. 도 3에 있어서, 파선은, Cu의 에칭 레이트의 1/2의 값(0.6㎚/sec)을 나타낸다. 각 재료의 에칭 레이트 R₁과 Cu의 에칭 레이트 R₂의 차이(=R₁-R₂)의 절대값은 작을수록 좋지만, 실용상, 에칭 레이트 차이는 꼭 제로(0)일 필요는 없다. 각 재료의 에칭 레이트 R₁과 Cu의 에칭 레이트 R₂의 차이의 절대값이 Cu의 에칭 레이트 R₂의 1/2 이하인 경우(즉, |R₁-R₂|≤R₂/2인 경우), 습식 에칭에 의해 상대적으로 요철(凹凸)이 적은 양호한 단면을 얻을 수 있다.
또, 도 3에는, Ni-Cu-Cr-Ti 합금의 결과도 함께 나타냈다.3.2. Etching rate difference]
In FIG. 3, the etching rate difference between Ni-Cu-Cr alloy and Cu is shown. In FIG. 3, the broken line shows the value (0.6 nm / sec) of 1/2 of the etching rate of Cu. The smaller the absolute value of the difference (= R ₁ -R ₂ ) between the etching rate R ₁ of each material and the etching rate R ₂ of Cu, the better. However, practically, the etching rate difference does not necessarily need to be zero (0). If the etching rate R ₁ and 1/2 or less of Cu etching rate R ₂ etching rate R ₂ of the absolute value of the difference of the Cu of the materials _{_{(i.e., | R 1 -R 2 | ≤R}} 2/2 If) By the wet etching, a good cross section with relatively small unevenness can be obtained.
3, the result of the Ni-Cu-Cr-Ti alloy was also shown.

도 3으로부터 하기하는 바를 알 수 있다.
(1) 보호막/전극/투명전극의 조합으로서, Ni-Cu-Cr 합금/Cu/ITO의 조합을 사용하면, 그 에칭 레이트 차이는, 종래의 조합(Mo-10 Nb/Al-3 Nd/ITO)의 값(1.2㎚/sec)보다 작아진다.
(2) 에칭 레이트 차이를 실용상 문제가 없는 값(1.2㎚/sec) 이하로 하기 위해서는, Cu 함유량의 하한은, 15mass%, 또는 20mass%로 하는 것이 바람직하다. 또한, Cu 함유량의 상한은, 55mass%, 50mass%, 또는 47mass%로 하는 것이 바람직하다.
(3) 에칭 레이트 차이를 Cu/2와 동등 이하로 하기 위해서는, Cu 함유량의 하한은, 24mass%, 24.5mass%, 또는 25mass%로 하는 것이 바람직하다. 또한, Cu 함유량의 상한은, 42mass%, 40mass%, 또는 38mass%로 하는 것이 바람직하다.
(4) 에칭 레이트 차이를 실용상 문제가 없는 값(1.2㎚/sec) 이하로 하기 위해서는, Cr 함유량의 상한은, 10mass%, 9mass%, 또는 8mass%로 하는 것이 바람직하다.
(5) 에칭 레이트 차이를 Cu/2와 동등 이하로 하기 위해서는, Cr 함유량의 하한은, 0.5mass%, 1mass%, 또는 2mass%로 하는 것이 바람직하다. 또한, Cr 함유량의 상한은, 6.5mass%, 6mass%, 또는 5mass%로 하는 것이 바람직하다.
(6) Ni-Cu-Cr-Ti 합금의 에칭 레이트 차이는, Ni-Cu-Cr 합금보다 약간 높지만, Ni-Cu 합금에 비해 현저하게 작다.3 shows the following.
(1) As a combination of the protective film / electrode / transparent electrode, when a combination of Ni-Cu-Cr alloy / Cu / ITO is used, the etching rate difference is a conventional combination (Mo-10 Nb / Al-3 Nd / ITO). ) Value (1.2 nm / sec).
(2) In order to make the etching rate difference into the value (1.2 nm / sec) or less which does not have a practical problem, it is preferable that the minimum of Cu content shall be 15 mass% or 20 mass%. In addition, it is preferable that the upper limit of Cu content shall be 55 mass%, 50 mass%, or 47 mass%.
(3) In order to make etching rate difference into Cu / 2 or less, it is preferable that the minimum of Cu content shall be 24 mass%, 24.5 mass%, or 25 mass%. In addition, it is preferable that the upper limit of Cu content shall be 42 mass%, 40 mass%, or 38 mass%.
(4) In order to make etching rate difference into the value (1.2 nm / sec) below practically no problem, it is preferable that the upper limit of Cr content shall be 10 mass%, 9 mass%, or 8 mass%.
(5) In order to make the etching rate difference less than or equal to Cu / 2, the lower limit of the Cr content is preferably 0.5 mass%, 1 mass%, or 2 mass%. In addition, it is preferable that the upper limit of Cr content shall be 6.5 mass%, 6 mass%, or 5 mass%.
(6) The etching rate difference of the Ni—Cu—Cr—Ti alloy is slightly higher than that of the Ni—Cu—Cr alloy, but is significantly smaller than that of the Ni—Cu alloy.

[3.3. 박리율]
도 4~도 7에, 두께 20㎚ 또는 150㎚의 ITO막 상에 형성된, 두께 50㎚ 또는 200㎚의 Ni-Cu-Cr 합금막의 박리율을 나타낸다. 또, 도 4~도 7에는, Ni-Cu-Cr-Ti 합금의 결과도 함께 나타냈다.[3.3. Peeling rate]
4-7, the peeling rate of the Ni-Cu-Cr alloy film of thickness 50nm or 200nm formed on the ITO film | membrane of thickness 20nm or 150nm is shown. 4-7, the result of the Ni-Cu-Cr-Ti alloy was also shown.

도 4~도 7로부터 하기하는 바를 알 수 있다.
(1) Ni-Cu-Cr 합금막의 박리율은, Ni-Cu 합금막에 비해 현저하게 작다. 또한, Ni-Cu-Cr 합금막의 박리율은, 막두께에 그다지 의존하지 않는다.
(2) Ni-Cu-Cr 합금막의 박리율은, Cu 함유량에 상관없이 양호한 값을 나타냈다. 특히, Cu 함유량이 15~40mass%의 범위에서 양호한 결과를 얻을 수 있었다. Cu 함유량은, 더욱 바람직하게는 23~25mass%가다.
(3) Cr을 첨가하는 것에 의해, 내박리성은 대폭 개선된다. 1mass%의 첨가에서도 충분히 그 효과를 확인할 수 있고, 3mass% 이상에서는 거의 박리하지 않았다. 특히 3~7mass%의 범위에서 양호한 결과를 얻을 수 있었다.
(4) Ni-Cu-Cr 합금에 Ti를 첨가하면, 박리율은, Ni-Cu-Cr 합금에 비해 약간 증대하지만, Ni-Cu 합금에 비해 현저하게 감소한다.It can be seen from FIG. 4 to FIG. 7 to be described below.
(1) Peeling rate of Ni-Cu-Cr alloy film is remarkably small compared with Ni-Cu alloy film. In addition, the peeling rate of a Ni-Cu-Cr alloy film does not depend very much on a film thickness.
(2) Peeling rate of Ni-Cu-Cr alloy film showed favorable value irrespective of Cu content. In particular, favorable results were obtained in the range of 15-40 mass% of Cu content. Cu content becomes like this. More preferably, it is 23-25 mass%.
(3) By adding Cr, peeling resistance improves significantly. The effect can be fully confirmed even with the addition of 1 mass%, and hardly peeled at 3 mass% or more. In particular, good results were obtained in the range of 3 to 7 mass%.
(4) When Ti is added to the Ni-Cu-Cr alloy, the peel rate is slightly increased compared to the Ni-Cu-Cr alloy, but is significantly reduced compared to the Ni-Cu alloy.

[3.4. 최대 투자율]
도 8에, Ni-Cu-Cr 합금의 최대 투자율을 나타낸다. 또, 도 8에는 Ni-Cu-Cr-Ti 합금의 결과도 함께 나타냈다.
도 8로부터 하기하는 바를 알 수 있다.
(1) 최대 투자율 μ를 100 이하로 하기 위해서는, Cu 함유량의 하한은, 15mass%이면 좋다. Cu 함유량의 하한은, 20mass%로 하는 것이 더욱 바람직하다. 또한, Cu 함유량의 상한은, 50mass%로 하는 것이 바람직하다.
(2) 최대 투자율 μ를 20 이하로 하기 위해서는, Cu 함유량의 하한은, 24mass%, 또는 25mass%로 하는 것이 바람직하다. 또한, Cu 함유량의 상한은, 47mass%, 또는 45mass%로 하는 것이 바람직하다.
(3) Cr 함유량을 0~11mass%로 변화시켜도, 최대 투자율 μ는 거의 변화하지 않는다.3.4. Maximum Permeability]
In FIG. 8, the maximum permeability of Ni-Cu-Cr alloy is shown. 8 also shows the result of the Ni—Cu—Cr—Ti alloy.
It can be seen from FIG.
(1) In order to make the maximum permeability µ be 100 or less, the lower limit of the Cu content may be 15 mass%. The lower limit of the Cu content is more preferably 20 mass%. In addition, it is preferable to make an upper limit of Cu content into 50 mass%.
(2) In order to make the maximum permeability mu be 20 or less, the lower limit of the Cu content is preferably 24 mass% or 25 mass%. In addition, it is preferable that the upper limit of Cu content is 47 mass% or 45 mass%.
(3) Even if Cr content is changed to 0-11 mass%, the maximum permeability mu hardly changes.

(실시예 2)
[1. 시료의 제작]
용해/주조법을 사용하여, 소정의 조성을 갖는 Ni-Cu-Ti 합금 타겟을 제작하였다. Cu 함유량은 10~60mass%로 하였다. Ti 함유량은 0~7mass%로 하였다. 또한, 비교로서, 순Cu 및 ITO를 사용하였다.(Example 2)
[One. Preparation of Sample
Using the melting / casting method, a Ni—Cu—Ti alloy target having a predetermined composition was produced. Cu content was 10-60 mass%. Ti content was made into 0-7 mass%. In addition, pure Cu and ITO were used as a comparison.

[2. 시험 방법]
실시예 1과 동일한 절차에 따라, Ni-Cu-Ti 합금과 Cu와의 전위차 △V, Ni-Cu-Ti 합금과 ITO와의 전위차 △V, Ni-Cu-Ti 합금과 Cu와의 에칭 레이트 차이, 박리율, 및 최대 투자율 μ를 측정하였다.[2. Test Methods]
According to the same procedure as in Example 1, the potential difference ΔV between the Ni-Cu-Ti alloy and Cu, the potential difference ΔV between the Ni-Cu-Ti alloy and ITO, the etching rate difference between the Ni-Cu-Ti alloy, and Cu, and the peel rate , And the maximum permeability μ were measured.

[3. 결과]
[3.1. 전위차 △V]
도 9에, Ni-Cu-Ti 합금과 ITO와의 전위차 △V를 나타낸다. 도 9에 있어서, 파선은, Al계 배선 재료의 보호막으로서 종래 사용되고 있는 Mo-10 Nb와 ITO와의 전위차 △V(0.16V)를 나타낸다.
도 10에, Ni-Cu-Ti 합금과 Cu와의 전위차 △V를 나타낸다. 도 10에 있어서, 파선은, Mo-10 Nb와, Al계 배선 재료로서 종래 사용되고 있는 Al-3 Nd와의 전위차 △V(0.62V)를 나타낸다.
또, 도 9 및 도 10에는, Ni-Cu-Cr-Ti 합금의 결과도 함께 나타냈다.[3. result]
[3.1. Potential difference ΔV]
9 shows the potential difference ΔV between the Ni—Cu—Ti alloy and ITO. 9, the broken line shows the potential difference (DELTA) V (0.16V) between Mo-10Nb and ITO conventionally used as a protective film of Al type wiring material.
10 shows the potential difference ΔV between the Ni—Cu—Ti alloy and Cu. In FIG. 10, a broken line shows the potential difference (DELTA) V (0.62V) between Mo-10Nb and Al-3Nd conventionally used as an Al type wiring material.
9 and 10 also show the results of the Ni—Cu—Cr—Ti alloy.

도 9로부터 하기하는 바를 알 수 있다.
(1) 보호막/전극/투명전극의 조합으로서, Ni-Cu-Ti 합금/Cu/ITO의 조합을 사용하면, 종래의 조합(Mo-10 Nb/Al-3 Nd/ITO)에 비해, ITO에 대한 전위차 △V가 작아진다.
(2) ITO에 대한 전위차 △V를 실용상 문제가 없는 값(0.35V) 이하로 하기 위해서는, Cu 함유량의 하한은, 15mass%이면 좋다. Cu 함유량의 하한은, 20mass%, 또는 23mass%가 더욱 바람직하다.
(3) ITO에 대한 전위차 △V를 종래의 조합과 동등 이하로 하기 위해서는, Cu 함유량의 하한은, 23.5mass%, 24mass%, 또는 25mass%로 하는 것이 바람직하다. 또한, Cu 함유량의 상한은, 50mass%, 45mass%, 또는 42mass%로 하는 것이 바람직하다.
(4) Ti는, 그 함유량에 관계없이, ITO에 대한 전위차 △V는, 양호한 값을 나타낸다.
(5) ITO에 대한 전위차 △V를 종래의 조합과 동등 이하로 하기 위해서는, Ti 함유량의 하한은, 0.2mass%, 0.3mass%, 또는 0.5mass%로 하는 것이 바람직하다. 또한, Ti 함유량의 상한은, 5.5mass%, 5mass%, 또는 4.5mass%로 하는 것이 바람직하다.
(6) Ni-35 Cu-1.5 Cr-1.5 Ti 합금의 ITO에 대한 전위차 △V는, Ni-35 Cu-3 Ti 합금에 비해 작아진다.From Fig. 9, it can be seen that.
(1) As a combination of the protective film / electrode / transparent electrode, when a combination of Ni-Cu-Ti alloy / Cu / ITO is used, the ITO is compared to the conventional combination (Mo-10 Nb / Al-3 Nd / ITO). The potential difference ΔV becomes small.
(2) In order to make potential difference (DELTA) V with respect to ITO below the value (0.35V) which is satisfactory practically, the minimum of Cu content should just be 15 mass%. As for the minimum of Cu content, 20 mass% or 23 mass% is more preferable.
(3) In order to make the potential difference ΔV with respect to ITO to be equal to or less than a conventional combination, the lower limit of the Cu content is preferably 23.5 mass%, 24 mass%, or 25 mass%. In addition, it is preferable that the upper limit of Cu content shall be 50 mass%, 45 mass%, or 42 mass%.
(4) Ti exhibits a favorable value of the potential difference ΔV with respect to ITO regardless of its content.
(5) In order to make the potential difference ΔV relative to ITO to be equal to or less than the conventional combination, the lower limit of the Ti content is preferably 0.2 mass%, 0.3 mass%, or 0.5 mass%. In addition, it is preferable that the upper limit of Ti content shall be 5.5 mass%, 5 mass%, or 4.5 mass%.
(6) The potential difference ΔV with respect to ITO of the Ni-35 Cu-1.5 Cr-1.5 Ti alloy is smaller than that of the Ni-35 Cu-3 Ti alloy.

도 10으로부터 하기하는 바를 알 수 있다.
(1) 보호막/전극/투명전극의 조합으로서, Ni-Cu-Ti 합금/Cu/ITO의 조합을 사용하면, 종래의 조합(Mo-10 Nb/Al-3 Nd/ITO)에 비해, Cu에 대한 전위차 △V가 작아진다.
(2) Cu에 대한 전위차 △V를 실용상 문제가 없는 값(1.0V) 이하로 하기 위해서는, Cu 함유량의 하한은, 15mass%이면 좋다. Cu 함유량의 하한은, 20mass%로 하는 것이 더욱 바람직하다.
(3) Cu에 대한 전위차 △V를 종래의 조합과 동등 이하로 하기 위해서는, Cu 함유량의 하한은, 23.5mass%, 또는 24mass%로 하는 것이 바람직하다. 또한, Cu 함유량의 상한은, 46mass%, 45mass%, 또는 40mass%로 하는 것이 바람직하다.
(4) Ti는, 그 함유량에 관계없이, Cu에 대한 전위차 △V는, 양호한 값을 나타낸다.
(5) Cu에 대한 전위차 △V를 종래의 조합과 동등 이하로 하기 위해서는, Ti 함유량의 하한은, 0.2mass%, 0.5mass%, 또는 1mass%로 하는 것이 바람직하다. 또한, Ti 함유량의 상한은, 5.5mass%, 5mass%, 또는 45mass%로 하는 것이 바람직하다.
(6) Ni-35 Cu-1.5 Cr-1.5 Ti 합금의 Cu에 대한 전위차 △V는, Ni-35 Cu-3 Ti 합금과 거의 동등하다.From FIG. 10, what follows is understood.
(1) As a combination of the protective film / electrode / transparent electrode, when a combination of Ni-Cu-Ti alloy / Cu / ITO is used, it is possible to obtain Cu in comparison with the conventional combination (Mo-10 Nb / Al-3 Nd / ITO). The potential difference ΔV becomes small.
(2) In order for the potential difference (DELTA) V with respect to Cu to be below a value (1.0V) which does not have a problem practically, the lower limit of Cu content should just be 15 mass%. The lower limit of the Cu content is more preferably 20 mass%.
(3) In order to make the potential difference ΔV relative to Cu to be equal to or less than the conventional combination, the lower limit of the Cu content is preferably 23.5 mass% or 24 mass%. In addition, it is preferable that the upper limit of Cu content shall be 46 mass%, 45 mass%, or 40 mass%.
(4) Ti exhibits a favorable value of the potential difference ΔV with respect to Cu regardless of its content.
(5) In order to make the potential difference ΔV relative to Cu to be equal to or less than a conventional combination, the lower limit of the Ti content is preferably set to 0.2 mass%, 0.5 mass%, or 1 mass%. In addition, it is preferable that the upper limit of Ti content shall be 5.5 mass%, 5 mass%, or 45 mass%.
(6) The potential difference ΔV with respect to Cu of the Ni-35 Cu-1.5 Cr-1.5 Ti alloy is almost equivalent to that of the Ni-35 Cu-3 Ti alloy.

[3.2. 에칭 레이트 차이]
도 11에, Ni-Cu-Ti 합금과 Cu와의 에칭 레이트 차이를 나타낸다. 도 11에 있어서, 파선은, Cu의 에칭 레이트의 1/2의 값(0.6㎚/sec)을 나타낸다. 또, 도 11에는, Ni-Cu-Cr-Ti 합금의 결과도 함께 나타냈다.3.2. Etching rate difference]
The etching rate difference between Ni-Cu-Ti alloy and Cu is shown in FIG. In FIG. 11, the broken line shows the value (0.6 nm / sec) of 1/2 of the etching rate of Cu. 11 also shows the result of the Ni-Cu-Cr-Ti alloy.

도 11로부터 하기하는 바를 알 수 있다.
(1) 보호막/전극/투명전극의 조합으로서, Ni-Cu-Ti 합금/Cu/ITO의 조합을 사용하면, 그 에칭 레이트 차이는, 종래의 조합(Mo-10 Nb/Al-3 Nd/ITO)의 값(1.2㎚/sec)보다 작아진다.
(2) 에칭 레이트 차이를 실용상 문제가 없는 값(1.2㎚/sec) 이하로 하기 위해서는, Cu 함유량의 하한은, 15mass%이면 좋다. Cu 함유량의 하한은, 20mass%로 하는 것이 더욱 바람직하다. 또한, Cu 함유량의 상한은, 55mass%이면 좋다. Cu 함유량의 상한은, 50mass%, 또는 45mass%로 하는 것이 더욱 바람직하다.
(3) 에칭 레이트 차이를 Cu/2와 동등 이하로 하기 위해서는, Cu 함유량의 하한은, 24mass%, 또는 25mass% 이상으로 하는 것이 바람직하다. 또한, Cu 함유량의 상한은, 40mass%, 또는 38mass%로 하는 것이 바람직하다.
(4) Ti는, 그 함유량에 관계없이, 양호한 에칭 레이트 차이를 나타낸다.
(5) 에칭 레이트 차이를 Cu/2와 동등 이하로 하기 위해서는, Ti 함유량의 하한은, 1.5mass%, 또는 2mass%로 하는 것이 바람직하다. 또한, Ti 함유량의 상한은, 5mass%, 또는 4.5mass%로 하는 것이 바람직하다.
(6) Ni-Cu-Cr-Ti 합금의 에칭 레이트 차이는, Ni-Cu-Ti 합금보다 작아진다.It can be seen from FIG. 11.
(1) When a combination of a Ni-Cu-Ti alloy / Cu / ITO is used as the combination of the protective film / electrode / transparent electrode, the etching rate difference is a conventional combination (Mo-10 Nb / Al-3 Nd / ITO). ) Value (1.2 nm / sec).
(2) In order to make etching rate difference into the value (1.2 nm / sec) or less which does not have a practical problem, the minimum of Cu content should just be 15 mass%. The lower limit of the Cu content is more preferably 20 mass%. In addition, the upper limit of Cu content should just be 55 mass%. The upper limit of the Cu content is more preferably 50 mass% or 45 mass%.
(3) In order to make etching rate difference into Cu / 2 or less, it is preferable that the minimum of Cu content shall be 24 mass% or 25 mass% or more. In addition, it is preferable that the upper limit of Cu content shall be 40 mass% or 38 mass%.
(4) Ti shows a favorable etching rate difference regardless of the content.
(5) In order to make etching rate difference into Cu / 2 or less, it is preferable that the minimum of Ti content shall be 1.5 mass% or 2 mass%. In addition, it is preferable that the upper limit of Ti content shall be 5 mass% or 4.5 mass%.
(6) The etching rate difference of Ni-Cu-Cr-Ti alloy is smaller than that of Ni-Cu-Ti alloy.

[3.3. 박리율]
도 12~도 15에, 두께 20㎚ 또는 150㎚의 ITO막 상에 형성된, 두께 50㎚ 또는 200㎚의 Ni-Cu-Ti 합금막의 박리율을 나타낸다. 또, 도 12~15에는, Ni-Cu-Cr-Ti 합금의 결과도 함께 나타냈다.[3.3. Peeling rate]
12-15, the peeling rate of the Ni-Cu-Ti alloy film of 50 nm or 200 nm in thickness formed on the ITO film of 20 nm or 150 nm in thickness is shown. 12-15, the result of the Ni-Cu-Cr-Ti alloy was also shown.

도 12~도 15로부터 하기하는 바를 알 수 있다.
(1) Ni-Cu-Ti 합금막의 박리율은, 막두께에 의존하고, Ni-Cu-Ti 합금막의 막두께가 두꺼워질수록, 박리율은 증대한다.
(2) Ni-Cu-Ti 합금막의 막두께가 50㎚인 경우에 있어서, 박리율을 10% 이하로 하기 위해서는, Cu 함유량의 하한은 15mass%이면 좋다. Cu 함유량의 하한은 20mass%, 23mass%, 24mass%또는, 25mass%로 하는 것이 더욱 바람직하다. 또한, Cu 함유량의 상한은, 바람직하게는 47mass%, 45mass%, 또는 40mass%로 하는 것이 좋다.
(3) Ni-Cu-Ti 합금막의 막두께가 50㎚인 경우에 있어서, 박리율을 10% 이하로 하기 위해서는, Ti 함유량의 하한은, 1.0mass%, 1.5mass%, 2mass%, 또는 3mass%로 하는 것이 바람직하다.
(4) Ni-Cu-Ti 합금에 Cr을 첨가하면, 박리율은 Ni-Cu-Ti 합금과 동등 이하로 된다.12 to 15 show what is described below.
(1) The peel rate of the Ni-Cu-Ti alloy film depends on the film thickness, and as the film thickness of the Ni-Cu-Ti alloy film becomes thicker, the peel rate increases.
(2) When the film thickness of the Ni—Cu—Ti alloy film is 50 nm, the lower limit of the Cu content may be 15 mass% in order to make the peeling rate 10% or less. The lower limit of the Cu content is more preferably 20 mass%, 23 mass%, 24 mass%, or 25 mass%. The upper limit of the Cu content is preferably 47 mass%, 45 mass%, or 40 mass%.
(3) When the film thickness of the Ni-Cu-Ti alloy film is 50 nm, in order to make the peeling rate 10% or less, the lower limit of the Ti content is 1.0 mass%, 1.5 mass%, 2 mass%, or 3 mass%. It is preferable to set it as.
(4) When Cr is added to the Ni-Cu-Ti alloy, the peeling rate is equal to or less than that of the Ni-Cu-Ti alloy.

[3.4. 최대 투자율]
도 16에, Ni-Cu-Ti 합금의 최대 투자율을 나타낸다. 또, 도 16에는, Ni-Cu-Cr-Ti 합금의 결과도 함께 나타냈다.
도 16으로부터 하기하는 바를 알 수 있다.
(1) 최대 투자율 μ를 100 이하로 하기 위해서는, Cu 함유량의 하한은 24mass%로 하는 것이 바람직하다.
(2) 최대 투자율 μ를 20 이하로 하기 위해서는, Cu 함유량의 하한은 24.5mass%, 또는 25mass%로 하는 것이 바람직하다. 또한, Cu 함유량의 상한은 47mass%, 45mass%, 또는 40mass%로 하는 것이 바람직하다.
(3) Ti 함유량을 0~11mass%로 변화시켜도, 최대 투자율 μ는 거의 변화하지 않는다.3.4. Maximum Permeability]
In FIG. 16, the maximum permeability of Ni-Cu-Ti alloy is shown. Moreover, the result of the Ni-Cu-Cr-Ti alloy was also shown in FIG.
It can be seen from FIG.
(1) In order to make the maximum permeability µ of 100 or less, the lower limit of the Cu content is preferably 24 mass%.
(2) In order to set the maximum permeability µ to 20 or less, the lower limit of the Cu content is preferably 24.5 mass% or 25 mass%. In addition, it is preferable that the upper limit of Cu content shall be 47 mass%, 45 mass%, or 40 mass%.
(3) Even if the Ti content is changed to 0 to 11 mass%, the maximum permeability µ hardly changes.

(실시예 3)
[1. 시료의 제작]
실시예 1 또는 2에서 제작한 타겟을 사용하여, 터치 패널용 적층막을 제작하였다. 즉, 스퍼터법을 사용하여, 기판 표면에 배리어층, 전극층, 및 캡층을 이 순서(밑에서부터의 순서)로 형성하였다. 기판에는, ITO/하지막(下地膜)/PET 기판, 또는 ITO/하지막/유리 기판(모두 시판품)을 사용하였다. 배리어층 및 캡층에는, 각각, 소정량의 Cu 또는 Ti를 포함하는 NiCu 합금을 사용하고, 전극층에는 Cu(5N)를 사용하였다.
비교로서, 배리어층 및 캡층에 각각 Mo-10 Nb 합금을 사용하고, 전극층에 Al-3 Nd를 사용한 적층막도 제작하였다.
표 1에, 터치 패널용 적층막의 성막 조건을 나타낸다.(Example 3)
[One. Preparation of Sample
The laminated film for touch panels was produced using the target produced in Example 1 or 2. That is, the barrier layer, the electrode layer, and the cap layer were formed in this order (the order from the bottom) on the substrate surface using the sputtering method. As the substrate, an ITO / underlayer / PET substrate or an ITO / underlayer / glass substrate (both commercially available) was used. NiCu alloys containing a predetermined amount of Cu or Ti were used for the barrier layer and the cap layer, respectively, and Cu (5N) was used for the electrode layer.
As a comparison, a laminated film using Mo-10 Nb alloy was used for the barrier layer and the cap layer, and Al-3 Nd was used for the electrode layer.
Table 1 shows the film formation conditions of the laminated film for touch panel.

재질material 출력Print 가스gas 스퍼터 RateSputter Rate 성막 두께Film thickness NiCu 합금NiCu alloy DC300WDC300W Ar 0.3PaAr 0.3Pa 55㎚/min55 nm / min 20㎚20 nm Cu(5N)Cu (5N) RF500WRF500W Ar 0.3PaAr 0.3Pa 48㎚/min48 nm / min 200㎚200 nm MoNbMoNb DC300WDC300W Ar 0.3PaAr 0.3Pa 31㎚/min31 nm / min 20㎚20 nm AlNdAlNd DC300WDC300W Ar 0.3PaAr 0.3Pa 60㎚/min60 nm / min 200㎚200 nm

[2. 시험 방법]
[2.1. 밀착성]
실시예 1과 동일 조건하에서 스크래치 시험(JIS K 5600에 준거)을 하여, 박리율을 측정하였다.
[2.2. 내후성]
적층막을 갖는 기판을 65℃, 습도 95%의 조건하에서 1000시간 유지하였다. 시험 종료 후, 변색이 있는지 여부를 눈으로 관할하여 판정하였다.
[2.3. 에칭성]
적층막을 갖는 기판을 40℃의 과황산암모늄 200g/L 수용액에 침지하여, 적층막을 용해시켰다. 기판이 투명해질 때까지(적층막 전체가 용해될 때까지) 걸린 시간을 측정하였다.
[2.4. 전극부 시트 저항]
전극부 시트 저항을 4단자법에 의해 측정하였다.[2. Test Methods]
[2.1. Adhesion]
Under the same conditions as in Example 1, a scratch test (based on JIS K 5600) was performed, and the peeling rate was measured.
2.2. Weather resistance]
The board | substrate which has a laminated film was hold | maintained for 1000 hours on 65 degreeC and 95% of humidity conditions. After the end of the test, it was judged by visual observation whether there was any discoloration.
[2.3. Etchability]
The board | substrate which has a laminated film was immersed in 200-g / L aqueous solution of ammonium persulfate at 40 degreeC, and the laminated film was dissolved. The time taken until the substrate became transparent (until the entire laminated film was dissolved) was measured.
2.4. Electrode sheet resistance]
Electrode part sheet resistance was measured by the four-terminal method.

[3. 결과]
표 2 및 표 3에 결과를 나타낸다. 표 2 및 표 3으로부터 하기하는 바를 알 수 있다.
(1) 전극부 시트 저항은, 배리어층/전극층/캡층의 조성에 상관없이 모두 낮다.
(2) NiCuCr 합금의 Cu량이 일정한 경우, Cr 함유량이 많아질수록, 밀착성 및 내후성은 향상하지만, 에칭성은 저하한다. 또한, NiCuCr 합금의 Cr량이 일정한 경우, Cu 함유량이 과잉해지면, 내후성이 저하한다. 즉, Ni-25~40 Cu-3~5 Cr 합금을 배리어층 및 캡층에 사용하면, 밀착성, 내후성, 및 에칭성에 우수한 터치 패널용 적층막을 얻을 수 있다.
(3) NiCuTi 합금의 Cu량이 일정한 경우, Ti 함유량이 많아질수록, 밀착성 및 내후성은 향상하지만, 에칭성은 저하한다. 또한, NiCuTi 합금의 Ti량이 일정한 경우, Cu 함유량이 과잉해지면, 내후성이 저하한다. 즉, Ni-25~40 Cu-3~5 Ti 합금을 배리어층 및 캡층에 사용하면, 밀착성, 내후성, 및 에칭성에 우수한 터치 패널용 적층막을 얻을 수 있다.[3. result]
Table 2 and Table 3 show the results. Table 2 and Table 3 show the following.
(1) Electrode part sheet resistance is all low regardless of the composition of a barrier layer / electrode layer / cap layer.
(2) When Cu amount of NiCuCr alloy is constant, adhesiveness and weather resistance improve as Cr content increases, but etching property falls. Moreover, when Cr amount of a NiCuCr alloy is constant, when Cu content becomes excess, weather resistance will fall. That is, when a Ni-25-40 Cu-3-5 Cr alloy is used for a barrier layer and a cap layer, the laminated film for touch panels excellent in adhesiveness, weather resistance, and an etching property can be obtained.
(3) When Cu amount of NiCuTi alloy is constant, adhesiveness and weather resistance improve as Ti content increases, but etching property falls. Moreover, when Ti amount of a NiCuTi alloy is constant, when Cu content becomes excess, weather resistance will fall. That is, when Ni-25-40 Cu-3-5 Ti alloy is used for a barrier layer and a cap layer, the laminated film for touch panels excellent in adhesiveness, weather resistance, and an etching property can be obtained.

No.No. 기판Board 배리어층Barrier layer 전극층Electrode layer 캡층Cap layer 밀착성Adhesion 내후성Weatherability 에칭성Etching 전극부
시트저항Electrode part
Sheet resistance 1One ITO/하지층/PETITO / base layer / PET Ni-10CuNi-10Cu CuCu Ni-10CuNi-10Cu ×× ×× ○○ <0.5Ω/□<0.5Ω / □ 22 Ni-10Cu-1CrNi-10Cu-1Cr Ni-10Cu-1CrNi-10Cu-1Cr ×× ×× ○○ 33 Ni-10Cu-10CrNi-10Cu-10Cr Ni-10Cu-10CrNi-10Cu-10Cr ○○ ○○ ×× 44 Ni-25CuNi-25Cu Ni-25CuNi-25Cu ×× ×× ○○ 55 Ni-25Cu-1CrNi-25Cu-1Cr Ni-25Cu-1CrNi-25Cu-1Cr △△ ×× ○○ 66 Ni-25Cu-3CrNi-25Cu-3Cr Ni-25Cu-3CrNi-25Cu-3Cr ○○ ○○ ○○ 77 Ni-25Cu-5CrNi-25Cu-5Cr Ni-25Cu-5CrNi-25Cu-5Cr ○○ ○○ ○○ 88 Ni-25Cu-7CrNi-25Cu-7Cr Ni-25Cu-7CrNi-25Cu-7Cr ○○ ○○ ×× 99 Ni-35CuNi-35Cu Ni-35CuNi-35Cu ×× ×× ○○ 1010 Ni-35Cu-1CrNi-35Cu-1Cr Ni-35Cu-1CrNi-35Cu-1Cr △△ ×× ○○ 1111 Ni-35Cu-3CrNi-35Cu-3Cr Ni-35Cu-3CrNi-35Cu-3Cr ○○ ○○ ○○ 1212 Ni-35Cu-5CrNi-35Cu-5Cr Ni-35Cu-5CrNi-35Cu-5Cr ○○ ○○ ○○ 1313 Ni-35Cu-7CrNi-35Cu-7Cr Ni-35Cu-7CrNi-35Cu-7Cr ○○ ○○ ×× 1414 Ni-40CuNi-40Cu Ni-40CuNi-40Cu ×× ×× ○○ 1515 Ni-40Cu-1CrNi-40Cu-1Cr Ni-40Cu-1CrNi-40Cu-1Cr △△ ×× ○○ 1616 Ni-40Cu-3CrNi-40Cu-3Cr Ni-40Cu-3CrNi-40Cu-3Cr ○○ ○○ ○○ 1717 Ni-40Cu-5CrNi-40Cu-5Cr Ni-40Cu-5CrNi-40Cu-5Cr ○○ ○○ ○○ 1818 Ni-40Cu-7CrNi-40Cu-7Cr Ni-40Cu-7CrNi-40Cu-7Cr ○○ ○○ ×× 1919 Ni-60CuNi-60Cu Ni-60CuNi-60Cu ×× ×× ○○ 2020 Ni-60Cu-1CrNi-60Cu-1Cr Ni-60Cu-1CrNi-60Cu-1Cr △△ ×× ○○ 2121 Ni-60Cu-5CrNi-60Cu-5Cr Ni-60Cu-5CrNi-60Cu-5Cr ○○ ×× ○○ 2222 Ni-60Cu-10CrNi-60Cu-10Cr Ni-60Cu-10CrNi-60Cu-10Cr ○○ ○○ ×× 2323 Ni-10Cu-1TiNi-10Cu-1Ti Ni-10Cu-1TiNi-10Cu-1Ti ×× ×× ○○ 2424 Ni-10Cu-3TiNi-10Cu-3Ti Ni-10Cu-3TiNi-10Cu-3Ti ○○ ○○ ×× 2525 Ni-10Cu-7TiNi-10Cu-7Ti Ni-10Cu-7TiNi-10Cu-7Ti ○○ ○○ ×× 2626 Ni-25Cu-1TiNi-25Cu-1Ti Ni-25Cu-1TiNi-25Cu-1Ti △△ ×× ○○ 2727 Ni-25Cu-3TiNi-25Cu-3Ti Ni-25Cu-3TiNi-25Cu-3Ti ○○ ○○ ○○ 2828 Ni-25Cu-5TiNi-25Cu-5Ti Ni-25Cu-5TiNi-25Cu-5Ti ○○ ○○ ○○ 2929 Ni-25Cu-7TiNi-25Cu-7Ti Ni-25Cu-7TiNi-25Cu-7Ti ○○ ○○ ×× 3030 Ni-35Cu-1TiNi-35Cu-1Ti Ni-35Cu-1TiNi-35Cu-1Ti △△ ×× ○○ 3131 Ni-35Cu-3TiNi-35Cu-3Ti Ni-35Cu-3TiNi-35Cu-3Ti ○○ ○○ ○○ 3232 Ni-35Cu-5TiNi-35Cu-5Ti Ni-35Cu-5TiNi-35Cu-5Ti ○○ ○○ ○○ 3333 Ni-35Cu-7TiNi-35Cu-7Ti Ni-35Cu-7TiNi-35Cu-7Ti ○○ ○○ ×× 3434 Ni-40Cu-1TiNi-40Cu-1Ti Ni-40Cu-1TiNi-40Cu-1Ti △△ ×× ○○ 3535 Ni-40Cu-3TiNi-40Cu-3Ti Ni-40Cu-3TiNi-40Cu-3Ti ○○ ○○ ○○ 3636 Ni-40Cu-5TiNi-40Cu-5Ti Ni-40Cu-5TiNi-40Cu-5Ti ○○ ○○ ○○ 3737 Ni-40Cu-7TiNi-40Cu-7Ti Ni-40Cu-7TiNi-40Cu-7Ti ○○ ○○ ×× 3838 Ni-60Cu-1TiNi-60Cu-1Ti Ni-60Cu-1TiNi-60Cu-1Ti ×× ×× ○○ 3939 Ni-60Cu-3TiNi-60Cu-3Ti Ni-60Cu-3TiNi-60Cu-3Ti ○○ ×× ○○ 4040 Ni-60Cu-7TiNi-60Cu-7Ti Ni-60Cu-7TiNi-60Cu-7Ti ○○ ○○ ×× 4141 Mo-10NbMo-10Nb Al-3NdAl-3Nd Mo-10NbMo-10Nb ○○ ×× ××

밀착성(박리율): ○=3% 미만, △=3% 이상 10% 미만, ×=10%
이상내후성: ○=변색 없음, ×=변색 있음
에칭성(기판이 투명해질 때까지 걸리는 시간): ○=1분 미만, ×=1분 이상Adhesiveness (peel rate): ○ = less than 3%, △ = 3% or more, less than 10%, × = 10%
Abnormal weather resistance: ○ = no discoloration, × = discoloration
Etchability (time taken to make substrate transparent): less than ○ = 1 minute, × = 1 minute or more

No.No. 기판Board 배리어층Barrier layer 전극층Electrode layer 캡층Cap layer 밀착성Adhesion 내후성Weatherability 에칭성Etching 전극부
시트저항Electrode part
Sheet resistance 1One ITO/하지층/glassITO / base layer / glass Ni-10CuNi-10Cu CuCu Ni-10CuNi-10Cu ×× ×× ○○ <0.5Ω/□<0.5Ω / □ 22 Ni-10Cu-1CrNi-10Cu-1Cr Ni-10Cu-1CrNi-10Cu-1Cr ×× ×× ○○ 33 Ni-10Cu-10CrNi-10Cu-10Cr Ni-10Cu-10CrNi-10Cu-10Cr ○○ ○○ ×× 44 Ni-25CuNi-25Cu Ni-25CuNi-25Cu ×× ×× ○○ 55 Ni-25Cu-1CrNi-25Cu-1Cr Ni-25Cu-1CrNi-25Cu-1Cr △△ ×× ○○ 66 Ni-25Cu-3CrNi-25Cu-3Cr Ni-25Cu-3CrNi-25Cu-3Cr ○○ ○○ ○○ 77 Ni-25Cu-5CrNi-25Cu-5Cr Ni-25Cu-5CrNi-25Cu-5Cr ○○ ○○ ○○ 88 Ni-25Cu-7CrNi-25Cu-7Cr Ni-25Cu-7CrNi-25Cu-7Cr ○○ ○○ ×× 99 Ni-35CuNi-35Cu Ni-35CuNi-35Cu ×× ×× ○○ 1010 Ni-35Cu-1CrNi-35Cu-1Cr Ni-35Cu-1CrNi-35Cu-1Cr △△ ×× ○○ 1111 Ni-35Cu-3CrNi-35Cu-3Cr Ni-35Cu-3CrNi-35Cu-3Cr ○○ ○○ ○○ 1212 Ni-35Cu-5CrNi-35Cu-5Cr Ni-35Cu-5CrNi-35Cu-5Cr ○○ ○○ ○○ 1313 Ni-35Cu-7CrNi-35Cu-7Cr Ni-35Cu-7CrNi-35Cu-7Cr ○○ ○○ ×× 1414 Ni-40CuNi-40Cu Ni-40CuNi-40Cu ×× ×× ○○ 1515 Ni-40Cu-1CrNi-40Cu-1Cr Ni-40Cu-1CrNi-40Cu-1Cr △△ ×× ○○ 1616 Ni-40Cu-3CrNi-40Cu-3Cr Ni-40Cu-3CrNi-40Cu-3Cr ○○ ○○ ○○ 1717 Ni-40Cu-5CrNi-40Cu-5Cr Ni-40Cu-5CrNi-40Cu-5Cr ○○ ○○ ○○ 1818 Ni-40Cu-7CrNi-40Cu-7Cr Ni-40Cu-7CrNi-40Cu-7Cr ○○ ○○ ×× 1919 Ni-60CuNi-60Cu Ni-60CuNi-60Cu ×× ×× ○○ 2020 Ni-60Cu-1CrNi-60Cu-1Cr Ni-60Cu-1CrNi-60Cu-1Cr △△ ×× ○○ 2121 Ni-60Cu-5CrNi-60Cu-5Cr Ni-60Cu-5CrNi-60Cu-5Cr ○○ ×× ○○ 2222 Ni-60Cu-10CrNi-60Cu-10Cr Ni-60Cu-10CrNi-60Cu-10Cr ○○ ○○ ×× 2323 Ni-10Cu-1TiNi-10Cu-1Ti Ni-10Cu-1TiNi-10Cu-1Ti ×× ×× ○○ 2424 Ni-10Cu-3TiNi-10Cu-3Ti Ni-10Cu-3TiNi-10Cu-3Ti ○○ ○○ ×× 2525 Ni-10Cu-7TiNi-10Cu-7Ti Ni-10Cu-7TiNi-10Cu-7Ti ○○ ○○ ×× 2626 Ni-25Cu-1TiNi-25Cu-1Ti Ni-25Cu-1TiNi-25Cu-1Ti △△ ×× ○○ 2727 Ni-25Cu-3TiNi-25Cu-3Ti Ni-25Cu-3TiNi-25Cu-3Ti ○○ ○○ ○○ 2828 Ni-25Cu-5TiNi-25Cu-5Ti Ni-25Cu-5TiNi-25Cu-5Ti ○○ ○○ ○○ 2929 Ni-25Cu-7TiNi-25Cu-7Ti Ni-25Cu-7TiNi-25Cu-7Ti ○○ ○○ ×× 3030 Ni-35Cu-1TiNi-35Cu-1Ti Ni-35Cu-1TiNi-35Cu-1Ti △△ ×× ○○ 3131 Ni-35Cu-3TiNi-35Cu-3Ti Ni-35Cu-3TiNi-35Cu-3Ti ○○ ○○ ○○ 3232 Ni-35Cu-5TiNi-35Cu-5Ti Ni-35Cu-5TiNi-35Cu-5Ti ○○ ○○ ○○ 3333 Ni-35Cu-7TiNi-35Cu-7Ti Ni-35Cu-7TiNi-35Cu-7Ti ○○ ○○ ×× 3434 Ni-40Cu-1TiNi-40Cu-1Ti Ni-40Cu-1TiNi-40Cu-1Ti △△ ×× ○○ 3535 Ni-40Cu-3TiNi-40Cu-3Ti Ni-40Cu-3TiNi-40Cu-3Ti ○○ ○○ ○○ 3636 Ni-40Cu-5TiNi-40Cu-5Ti Ni-40Cu-5TiNi-40Cu-5Ti ○○ ○○ ○○ 3737 Ni-40Cu-7TiNi-40Cu-7Ti Ni-40Cu-7TiNi-40Cu-7Ti ○○ ○○ ×× 3838 Ni-60Cu-1TiNi-60Cu-1Ti Ni-60Cu-1TiNi-60Cu-1Ti ×× ×× ○○ 3939 Ni-60Cu-3TiNi-60Cu-3Ti Ni-60Cu-3TiNi-60Cu-3Ti ○○ ×× ○○ 4040 Ni-60Cu-7TiNi-60Cu-7Ti Ni-60Cu-7TiNi-60Cu-7Ti ○○ ○○ ×× 4141 Mo-10NbMo-10Nb Al-3NdAl-3Nd Mo-10NbMo-10Nb ○○ ×× ××

밀착성(박리율): ○=3% 미만, △=3% 이상 10% 미만, ×=10% 이상
내후성: ○=변색 없음, ×=변색 있음
에칭성(기판이 투명해질 때까지 걸리는 시간): ○=1분 미만, ×=1분 이상Adhesiveness (peel rate): ○ = less than 3%, △ = 3% or more, less than 10%, × = 10% or more
Weatherability: ○ = no discoloration, × = with discoloration
Etchability (time taken to make substrate transparent): less than ○ = 1 minute, × = 1 minute or more

(실시예 4)
[1. 시료의 제작]
실시예 1 또는 2에서 제작한 타겟을 사용하여, TFT용 적층막을 제작하였다. 즉, 스퍼터법을 사용하여, 기판 표면에 배리어층 및 전극층을 이 순서(밑에서부터의 순서)로 형성하였다. 기판에는, ITO/하지막/유리 기판(시판품)을 사용하였다. 배리어층에는 소정량의 Cu 또는 Ti를 포함하는 NiCu 합금을 사용하고, 전극층에는 Cu(5N)를 사용하였다.
비교로서, 배리어층에 Mo-50 Ti 합금을 사용하고, 전극층에 Cu를 사용한 적층막도 제작하였다.
표 4에, TFT용 적층막의 성막 조건을 나타낸다.(Example 4)
[One. Preparation of Sample
Using the target produced in Example 1 or 2, a laminated film for TFT was produced. That is, the barrier layer and the electrode layer were formed in this order (order from the bottom) on the surface of the board | substrate using the sputtering method. An ITO / base film / glass substrate (commercially available product) was used for the substrate. A NiCu alloy containing a predetermined amount of Cu or Ti was used for the barrier layer, and Cu (5N) was used for the electrode layer.
As a comparison, a laminated film using a Mo-50 Ti alloy as a barrier layer and Cu as an electrode layer was also produced.
Table 4 shows the film forming conditions of the laminated film for TFT.

재질material 출력Print 가스gas 스퍼터 RateSputter Rate 성막 두께Film thickness NiCu 합금NiCu alloy DC300WDC300W Ar 0.3PaAr 0.3Pa 55㎚/min55 nm / min 20㎚20 nm Cu(5N)Cu (5N) RF500WRF500W Ar 0.3PaAr 0.3Pa 48㎚/min48 nm / min 200㎚200 nm MoTiMoTi DC300WDC300W Ar 0.3PaAr 0.3Pa 28㎚/min28 nm / min 20㎚20 nm

[2. 시험 방법]
[2.1. 밀착성, 에칭성, 및 전극부 시트 저항]
실시예 3과 동일 조건하에서, 밀착성, 에칭성, 및 전극부 시트 저항을 측정하였다.
[2.2. 배리어성]
적층막을 갖는 기판을 250℃×30min의 진공열처리를 하였다. 열처리 후, AES(Auger Electron Spectroscopy)에 의해, 계면 부근에 있어서의 Cu, Si의 확산을 조사하였다. 배리어성의 양호 여부는, AES에 의한 깊이 방향에서의 Cu, Si 검출량의 경사에 의해 판정하였다. 배리어성의 평가에 관하여, 「○」는 열처리 전후의 깊이 방향의 Cu, Si 검출량의 경사의 차가 3% 이하인 경우를 나타내고, 「×」는 3%보다 큰 경우를 나타낸다.[2. Test Methods]
[2.1. Adhesiveness, Etchability, and Electrode Sheet Resistance]
Under the same conditions as in Example 3, the adhesion, the etching property, and the electrode sheet sheet resistance were measured.
2.2. Barrier property]
The substrate having the laminated film was subjected to vacuum heat treatment at 250 ° C. × 30 min. After the heat treatment, diffusion of Cu and Si in the vicinity of the interface was examined by AES (Auger Electron Spectroscopy). Whether barrier property was good was determined by the inclination of Cu and Si detection amounts in the depth direction by AES. Regarding the evaluation of barrier properties, "o" indicates the case where the difference in the inclination of the Cu and Si detection amounts in the depth direction before and after the heat treatment is 3% or less, and "x" indicates the case where it is larger than 3%.

[3. 결과]
표 5에 결과를 나타낸다. 표 5로부터 하기하는 바를 알 수 있다.
(1) 전극부 시트 저항은, 배리어층/전극층의 조성에 상관없이, 모두 낮다.
(2) NiCuCr 합금의 Cu량이 일정한 경우, Cr 함유량이 많아질수록, 밀착성 및 배리어성은 향상하지만, 에칭성은 저하한다. 또한, NiCuCr 합금의 Cr량이 일정한 경우, Cu 함유량이 과잉해지면, 배리어성이 저하한다. 즉, Ni-25~40 Cu-3~5 Cr 합금을 배리어층에 사용하면, 밀착성, 배리어성, 및 에칭성에 우수한 TFT용 적층막을 얻을 수 있다.
(3) NiCuTi 합금의 Cu량이 일정한 경우, Ti 함유량이 많아질수록, 밀착성 및 배리어성은 향상하지만, 에칭성은 저하한다. 또한, NiCuTi 합금의 Ti량이 일정한 경우, Cu 함유량이 과잉해지면, 배리어성이 저하한다. 즉, Ni-25~40 Cu-3~5 Ti 합금을 배리어층에 사용하면, 밀착성, 배리어성, 및 에칭성에 우수한 TFT용 적층막을 얻을 수 있다.[3. result]
Table 5 shows the results. Table 5 shows the following.
(1) Electrode part sheet resistance is all low regardless of the composition of a barrier layer / electrode layer.
(2) When Cu amount of NiCuCr alloy is constant, adhesiveness and barrier property improve as Cr content increases, but etching property falls. In addition, when Cr amount of a NiCuCr alloy is constant, when Cu content becomes excess, barrier property will fall. That is, when Ni-25-40 Cu-3-5 Cr alloy is used for a barrier layer, the laminated film for TFT excellent in adhesiveness, barrier property, and etching property can be obtained.
(3) When Cu amount of NiCuTi alloy is constant, adhesiveness and barrier property improve as Ti content increases, but etching property falls. Moreover, when Ti amount of a NiCuTi alloy is constant, when Cu content becomes excess, barrier property will fall. That is, when Ni-25-40 Cu-3-5 Ti alloy is used for a barrier layer, the laminated film for TFT excellent in adhesiveness, barrier property, and etching property can be obtained.

No.No. 기판Board 배리어층Barrier layer 전극층Electrode layer 밀착성Adhesion 배리어성Barrier 에칭성Etching 전극부
시트저항Electrode part
Sheet resistance 101101 ITO/하지층/glassITO / base layer / glass Ni-10CuNi-10Cu CuCu ×× ×× ○○ <0.5Ω/□<0.5Ω / □ 102102 Ni-10Cu-1CrNi-10Cu-1Cr ×× ×× ○○ 103103 Ni-10Cu-10CrNi-10Cu-10Cr ○○ ○○ ×× 104104 Ni-25CuNi-25Cu ×× ×× ○○ 105105 Ni-25Cu-1CrNi-25Cu-1Cr △△ ×× ○○ 106106 Ni-25Cu-3CrNi-25Cu-3Cr ○○ ○○ ○○ 107107 Ni-25Cu-5CrNi-25Cu-5Cr ○○ ○○ ○○ 108108 Ni-25Cu-7CrNi-25Cu-7Cr ○○ ○○ ×× 109109 Ni-35CuNi-35Cu ×× ×× ○○ 110110 Ni-35Cu-1CrNi-35Cu-1Cr △△ ×× ○○ 111111 Ni-35Cu-3CrNi-35Cu-3Cr ○○ ○○ ○○ 112112 Ni-35Cu-5CrNi-35Cu-5Cr ○○ ○○ ○○ 113113 Ni-35Cu-7CrNi-35Cu-7Cr ○○ ○○ ×× 114114 Ni-40CuNi-40Cu ×× ×× ○○ 115115 Ni-40Cu-1CrNi-40Cu-1Cr △△ ×× ○○ 116116 Ni-40Cu-3CrNi-40Cu-3Cr ○○ ○○ ○○ 117117 Ni-40Cu-5CrNi-40Cu-5Cr ○○ ○○ ○○ 118118 Ni-40Cu-7CrNi-40Cu-7Cr ○○ ○○ ×× 119119 Ni-60CuNi-60Cu ×× ×× ○○ 120120 Ni-60Cu-1CrNi-60Cu-1Cr △△ ×× ○○ 121121 Ni-60Cu-5CrNi-60Cu-5Cr ○○ ×× ○○ 122122 Ni-60Cu-10CrNi-60Cu-10Cr ○○ ○○ ×× 123123 Ni-10Cu-1TiNi-10Cu-1Ti ×× ×× ○○ 124124 Ni-10Cu-3TiNi-10Cu-3Ti ○○ ○○ ×× 125125 Ni-10Cu-7TiNi-10Cu-7Ti ○○ ○○ ×× 126126 Ni-25Cu-1TiNi-25Cu-1Ti △△ ×× ○○ 127127 Ni-25Cu-3TiNi-25Cu-3Ti ○○ ○○ ○○ 128128 Ni-25Cu-5TiNi-25Cu-5Ti ○○ ○○ ○○ 129129 Ni-25Cu-7TiNi-25Cu-7Ti ○○ ○○ ×× 130130 Ni-35Cu-1TiNi-35Cu-1Ti △△ ×× ○○ 131131 Ni-35Cu-3TiNi-35Cu-3Ti ○○ ○○ ○○ 132132 Ni-35Cu-5TiNi-35Cu-5Ti ○○ ○○ ○○ 133133 Ni-35Cu-7TiNi-35Cu-7Ti ○○ ○○ ×× 134134 Ni-40Cu-1TiNi-40Cu-1Ti △△ ×× ○○ 135135 Ni-40Cu-3TiNi-40Cu-3Ti ○○ ○○ ○○ 136136 Ni-40Cu-5TiNi-40Cu-5Ti ○○ ○○ ○○ 137137 Ni-40Cu-7TiNi-40Cu-7Ti ○○ ○○ ×× 138138 Ni-60Cu-1TiNi-60Cu-1Ti ×× ×× ○○ 139139 Ni-60Cu-3TiNi-60Cu-3Ti ○○ ×× ○○ 140140 Ni-60Cu-7TiNi-60Cu-7Ti ○○ ○○ ×× 141141 Mo-50TiMo-50Ti CuCu ○○ ×× ××

밀착성(박리율): ○=3% 미만, △=3% 이상 10% 미만, ×=10% 이상
배리어성(열처리 전후의 깊이 방향의 Cu, Si 검출량의 경사의 차): ○=3% 이하, ×=3% 넘음
에칭성(기판이 투명해질 때까지 걸리는 시간): ○=1분 미만, ×=1분 이상Adhesiveness (peel rate): ○ = less than 3%, △ = 3% or more, less than 10%, × = 10% or more
Barrier property (difference in inclination of Cu and Si detection amounts in the depth direction before and after heat treatment): ○ = 3% or less, x = 3% or more
Etchability (time taken to make substrate transparent): less than ○ = 1 minute, × = 1 minute or more

이상, 본 발명의 실시형태에 대해 상세하게 설명하였지만, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되지 않고, 본 발명의 사상의 범위 내에서 다양한 변경이 가능하다.As mentioned above, although embodiment of this invention was described in detail, this invention is not limited to the said embodiment, A various change is possible within the range of the idea of this invention.

본 발명에 따른 Cu 전극 보호막용 NiCu 합금 타겟재는, 터치 패널 전극부, 액정 패널 TFT부, 유기 EL 패널 전극부, 플라즈마 디스플레이 패널 전극부, 태양 전지 패널 전극부, 반도체 전극부 등에 사용되는 Cu 전극의 양면에 보호막을 형성하기 위한 스퍼터링용 타겟으로서 사용할 수 있다.The NiCu alloy target material for Cu electrode protective films according to the present invention is a Cu electrode used for a touch panel electrode portion, a liquid crystal panel TFT portion, an organic EL panel electrode portion, a plasma display panel electrode portion, a solar panel electrode portion, a semiconductor electrode portion, and the like. It can be used as a sputtering target for forming a protective film on both surfaces.

Claims

15.0 ≦ Cu ≦ 55.0mass%, and
NiCu alloy target material for Cu electrode protective films which contains 0.5 <= (Cr, Ti) <= 0.01mass% (Cr> 0, Ti> 0) and remainder consists of Ni and an unavoidable impurity.

The method of claim 1,
25.0 ≦ Cu ≦ 40.0mass%, and
NiCu alloy target material for Cu electrode protective films whose 1.0 <= (Cr, Ti) <= 5.0mass% (Cr> 0, Ti> 0).

15.0 ≦ Cu ≦ 55.0mass%, and
NiCu alloy target material for Cu electrode protective films containing 0.5 <= Cr <= 10.0mass% and remainder consists of Ni and an unavoidable impurity.

The method of claim 3, wherein
25.0 ≦ Cu ≦ 40.0mass%, and
NiCu alloy target material for Cu electrode protective films whose 1.0≤Cr≤5.0mass%.

15.0 ≦ Cu ≦ 55.0mass%, and
A NiCu alloy target material for Cu electrode protective films containing 0.5 ≦ Ti ≦ 10.0mass% and having a balance of Ni and unavoidable impurities.

6. The method of claim 5,
25.0 ≦ Cu ≦ 40.0mass%, and
NiCu alloy target material for Cu electrode protective films whose 1.0≤Ti≤5.0mass%.

Cu electrode,
It is a laminated film provided with the protective film formed in one surface or both surfaces of the said Cu electrode,
The said protective film is a laminated | multilayer film which consists of a thin film formed using the NiCu alloy target material for Cu electrode protective films of Claim 1 in Claim 6.