KR20120069760A - 패시베이션 층을 포함하는 공진기, 그러한 공진기를 포함하는 진동 센서 및 그것의 제조 방법 - Google Patents

패시베이션 층을 포함하는 공진기, 그러한 공진기를 포함하는 진동 센서 및 그것의 제조 방법

Info

Publication number
KR20120069760A
KR20120069760A KR1020127012139A KR20127012139A KR20120069760A KR 20120069760 A KR20120069760 A KR 20120069760A KR 1020127012139 A KR1020127012139 A KR 1020127012139A KR 20127012139 A KR20127012139 A KR 20127012139A KR 20120069760 A KR20120069760 A KR 20120069760A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
conductive layer
resonator
covered
thickness
passivation layer
Prior art date
Application number
KR1020127012139A
Other languages
English (en)
Inventor
폴 방드뵈크
Original Assignee
사겡 데팡스 세큐리떼 에스.에이.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 사겡 데팡스 세큐리떼 에스.에이. filed Critical 사겡 데팡스 세큐리떼 에스.에이.
Publication of KR20120069760A publication Critical patent/KR20120069760A/ko

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01CMEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
    • G01C19/00Gyroscopes; Turn-sensitive devices using vibrating masses; Turn-sensitive devices without moving masses; Measuring angular rate using gyroscopic effects
    • G01C19/56Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces
    • G01C19/567Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces using the phase shift of a vibration node or antinode
    • G01C19/5691Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces using the phase shift of a vibration node or antinode of essentially three-dimensional vibrators, e.g. wine glass-type vibrators
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01CMEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
    • G01C19/00Gyroscopes; Turn-sensitive devices using vibrating masses; Turn-sensitive devices without moving masses; Measuring angular rate using gyroscopic effects
    • G01C19/56Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces

Abstract

전기 도전층(9)으로 덮힌 적어도 하나의 부분 및 도전층으로 덮히지 않은 적어도 하나의 부분을 포함하는 적어도 하나의 공진 부분(Z)을 가지는 실리콘에 기초한 재료의 동체를 구비한 공진기(3)로서, 공진 부분에서, 실리콘에 기초한 재료가 도전층 및 패시베이션 층에 의해 조합되어 완전하게 덮히는 방식으로, 도전층으로 덮히지 않은 부분이 패시베이션 층(10,10')으로 덮히는 것을 특징으로 한다. 또한 본 발명은 그러한 공진기를 포함하는 진동 센서 및 공진기의 제조 방법을 제공한다.

Description

패시베이션 층을 포함하는 공진기, 그러한 공진기를 포함하는 진동 센서 및 그것의 제조 방법{A resonator including a passivation layer, a vibrating sensor including such a resonator, and a method of manufacture}
본 발명은 공진기, 그러한 공진기를 포함하는 진동 센서 및, 공진기의 제조 방법에 관한 것이다. 그러한 공진기는 예를 들어 자이로 타입(gyro type)의 진동 센서들에서 사용된다.
진동 센서들은 공진기가 장착된 전극 유지 플레이트를 구비하도록 되어 있다. 공진기는 센서 줄기부에 의해 전극 유지 플레이트로 연결된 극(pole)과 함께 실질적으로 반구형의 공진 부분을 가진 동체를 포함한다. 공진 부분은 외측 표면 및 내측 표면에 의해 형성된 반구형 웹을 포함하고, 상기 표면들은 전극 유지 플레이트에 고정된 전극들을 향하여 연장되는 평면 고리형 표면에 의해 서로 연결된 자유 가장자리들을 가진다. 공진 부분 및 줄기부는 전기 도전층으로 덮힌다. 웹이 주기적인 타원형의 변형을 겪도록 하기 위하여, 그리고 예를 들어 전극과 평면 고리형 표면 사이에 형성된 간극에 의존하는 캐패시턴스의 값들의 함수로서 타원의 방향(orientation)을 검출하기 위하여, 전기 도전층과 전극들이 상이한 전위에 연결된다.
동체는 등방성의 특성 및 매우 낮은 기계적 감쇠(damping) 때문에 실리카로 만들어진다.
널리 이용되는 구현예에서, 공진 부분 및 줄기부는 도전층을 형성하는 크롬층으로 완전히 덮힌다 (예를 들어, 미국 출원 US-A-2003/0019296 참조).
그럼에도 불구하고, 크롬층은 무시할 수 없는 기계적 감쇠에 기여하였다는 것이 추후에 밝혀졌다.
따라서 크롬층이 공진 부분 전체에 걸쳐 연장되지 않은 공진기들이 고려되었다; 크롬층은 줄기부 및 고리형 표면을 덮었으며, 내측 표면에 걸쳐 줄기부로부터 고리형 표면으로 연장되는 분기부(branches)들이 제공되었다. 이것은 감쇠가 현저하게 감소될 수 있게 하였고, 그에 의하여 공진기들을 포함하는 진동 센서의 성능에 큰 향상을 가져왔다.
차후에, 그 공진기들에 있는 크롬을 플래티늄으로 대체하는 것은 진동 센서들의 성능이 더욱 향상될 수 있게 하였다.
유럽 출원 EP-A-1445580 은 도전성 금속 코팅으로 완전하게 덮힌 내측 표면 및 덮히지 않은 외측 표면을 가진 공진기를 개시한다.
그럼에도 불구하고, 실리카는 주위와의 결합을 확립하는 경향이 있는 매우 활성이 있는 표면을 가진 재료이다. 실리카는 실라놀(silanol) Si-OH 또는 실란(silane) Si-H 의 그룹들로 그 표면을 덮는데, 이들은 강한 극성(polar)을 가지며 주위에 있는 재료와 조합될 수 있다. 진동 센서들에서, 실리카의 오염이 발생하지 않도록 공진기들은 진공에 있다. 그럼에도 불구하고, 본 발명에 이르게 하는 연구에 따르면 도전층에 의해 덮히지 않은 실리카의 그러한 오염은 오염의 수준이 낮을 때 조차도 공진기의 기계적 감쇠 및 기하학적 특성들의 불안정하고 이방성인 변형(unstable and anisotropic modification)을 발생시킨다: 그러한 변형은 불안정하기 때문에 전자적으로 보상될 수 없는 드리프트(drift)로 이어지는 것 같다.
본 발명의 목적은 종래 기술의 문제점을 해결할 수 있는 패시베이션 층을 포함하는 공진기, 그러한 공진기를 포함하는 진동 센서 및 그것의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 따르면, 전기 도전층으로 덮힌 적어도 하나의 부분 및 도전층으로 덮히지 않은 적어도 하나의 부분을 포함하는 적어도 하나의 공진 부분을 가진 실리콘에 기초한 재료의 동체를 포함하는 공진기가 제공되는데, 공진 부분에서, 실리콘베이스의 재료가 도전층 및 패시베이션 층에 의해 조합되어 완전하게 덮히는 방식으로, 도전층으로 덮히지 않은 부분이 패시베이션 층으로 덮힌다.
따라서, 패시베이션 층이 실리콘 베이스의 재료를 보호하여 그것이 공진 부분에서의 오염에 더 이상 노출되지 않는다. 패시베이션 층의 주 기능은 단지 실리콘에 기초한 재료를 주위로부터 격리시키는 것이기 때문에, 기계적인 특성을 거의 또는 전혀 저하시키지 않도록, 그리고 특히 공진 부분의 감쇠를 거의 또는 전혀 저하시키지 않도록, 그것은 최소로 감소된 두께일 수 있다.
유리하게는, 패시베이션 층이 귀금속으로 만들어지고, 바람직스럽게는, 귀금속이 플래티늄이다.
공진기의 거동에 미치는 패시베이션 층의 영향은 따라서 최소한이다.
패시베이션 층의 유리한 구현예에서, 도전층 및 패시베이션 층은 같은 재료로 만들어지고 도전층은 패시베이션 층의 두께보다 큰 두께를 가진다.
이것은 공진기의 제조를 더 쉽게 한다.
공진기 동체의 유리한 구현예에서, 공진 부분은 패시베이션 층에 의해 덮힌 내측 표면 및 외측 표면으로 형성된 실질적으로 반구형의 적어도 하나의 웹 부분(web portion)을 포함하고, 그 표면들은 도전층에 의해 덮힌 평면의 고리형 표면에 의해 서로 연결된 자유 가장자리(free edges)를 가지며, 바람직스럽게는, 도전층이 내측 표면에 걸쳐 고리형 표면으로부터 내측 표면의 극(pole)으로 연장된 분기부(branches)를 가진다.
이러한 방식으로 만들어진 공진기는 그것을 포함하는 진동 센서에 우수한 성능을 부여하는 기계적인 특성을 나타낸다.
본 발명은 또한 전극 유지 플레이트 및 공진기를 포함하는 진동 센서를 제공하는데, 전극 유지 플레이트에 고정된 전극들을 향하여 도전층이 연장되는 방식으로, 동체는 공진 부분을 전극 유지 플레이트에 연결하는 줄기부를 포함하고, 줄기부는 전기 연결 수단에 의해 고리형 표면의 도전층에 연결된 전기 도전층으로 덮힌다.
마지막으로, 본 발명은 전기 도전층으로 덮힌 적어도 하나의 제 1 부분 및, 도전층과 같은 재료의 패시베이션 층으로 덮힌 적어도 하나의 제 2 부분을 가진 적어도 하나의 공진 부분을 구비한 실리콘에 기초한 재료의 동체를 포함하는 공진기의 제조 방법을 제공하며, 상기 방법은 패시베이션 층을 형성하기에 충분한 재료의 두께를 제 2 부분 및 제 1 부분 양쪽에 증착하는 단계 및, 제 1 부분에 증착된 재료의 전체 두께가 도전층을 형성하기에 충분한 방식으로 재료의 두께를 제 1 부분에만 한번 더 증착하는 단계를 포함한다.
본 발명의 방법은 특히 간단하게 이루어진다.
본 발명의 다른 특징들 및 장점들은 본 발명의 상세한, 비 제한적인 구현예들에 대한 다음의 설명으로부터 이해될 것이다.
첨부된 도면을 참조하면,
도 1 은 제 1 구현예에서 센서의 축방향 단면을 도시한다.
도 2 는 제 2 구현예에서 센서의 도 1 에 유사한 도면이다.
도면을 참조하면, 본 발명에 따른 진동 센서는 전극 유지 플레이트(1)를 포함하고, 전극(2)들이 플레이트상에 형성되고, 그 전극들은 원형으로 배치되어 제어 유닛(미도시)에 연결된다.
전극 유지 플레이트(1)는 전체적으로 도면 번호 3 으로 표시된 공진기에 고정되며, 공진기는 실리카 동체를 포함한다. 동체는 외측 표면(5) 및 내측 표면에 의해 형성되는 반구형 웹(4)을 포함하며, 상기 표면들은 평면의 고리형 표면(7)에 의해 서로 연결된 자유 가장자리(free edge)를 가진다.
줄기부(8)는 반구형 웹(web, 4)의 극(pole)으로부터 직경 방향으로 연장되는데, 이것은 전극 유지 플레이트(1)에 고정되도록 고리형 표면(7)을 지나서 돌출하는 자유 단부를 가지기 위한 것이다.
웹 높이의 약 80 % 내지 90 % 에 걸쳐 평면 고리형 표면(7)으로부터 극을 향하여 연장된 반구형 웹(4)의 영역(Z)은 공진기(3) 동체의 공진 부분(resonant part)을 구성한다 (그 부분은 영역(Z)을 참조하도록 Z 로 표시되어 있다).
전기적으로 도전성인 도전층(9)이 공진기(3)의 동체에 걸쳐 연장되는데, 상기 도전층은 줄기부(8)를 덮는 실질적으로 실린더형인 부분(9.1), 고리형 표면(7)을 덮는 평면 고리형 부분(9.2) 및, 실린더형 부분(9.1)과 평면 고리형 부분(9.2) 사이의 내측 표면(6)에 걸쳐 연장된 분기부(9.3)를 포함한다.
도 1 에 도시된 제 1 구현예에서, 따라서 도전층(9)은 외측 표면(5)의 전체 및 분기부(9.3)들 사이에 연장된 내측 표면(6)의 부분들을 덮지 않고 둔다. 패시베이션 층(10)은 이들 덮히지 않은 표면 부분들상에 연장된다: 모든 외측 표면(5) 및, 분기부(9.3)들 사이에 연장된 내측 표면(6)의 부분들은 따라서 패시베이션 층(10)에 의해 덮힌다.
도전층(9) 및 페이베이션 층(10)은 동일한 전기 도전성 재료로 만들어지며, 상기 전기 도전성 재료는 사용시에 공진기(3)를 둘러싸는 환경에 대하여 화학적으로 불활성이다. 선택된 재료는 귀금속으로서, 여기에서는 플래티늄이다.
도전층(9)은 패시베이션 층(10)의 두께보다 큰 두께이다. 도전층(9)은 15 나노미터(nm)보다 큰 두께를 가지며, 바람직스럽게는 약 50 nm 와 같고, 그에 반해 패시베이션 층(10)은 1 nm 내지 10 nm 범위에 있는 두께를 가지고, 바람직스럽게는 약 5 nm 와 같다( 도면들에 도시된 두께 비율들은 임의적이다).
공진기를 제조하는 방법은, 패시베이션 층(10)을 형성하기에 충분한 두께의 재료를 공진기(3)의 전체 표면에 걸쳐 증착시키는 단계, 줄기부(8), 평면의 고리형 표면(7) 및, 내측 표면(6)상에 가외의 두께(extra thickness)를 더 증착시키는 단계를 포함하며, 따라서 제 1 부분상에 증착된 재료의 전체 두께는 실린더형 부분(9.1), 평면 고리형 부분(9.2) 및 도전층(9)의 분기부(9.3)들을 형성하기에 충분하다.
예를 들어, 플래티늄의 제 1 층은, 실리카의 실리콘 접합을 파괴하는 수단을 이용하여 플래티늄을 도포하고, 도전층에 대한 전기적인 연속성을 유지하면서 플래티늄에서의 저항성을 감소시키기에 충분하게 높은 온도에서 플래티늄이 어닐링(annealing)을 겪게 함으로써 적용된다. 이러한 예에서 플래티늄은 캐소드 스퍼터링(cathode sputtering)에 의해 도포된다. 어닐링은 400℃ 내지 550℃ 범위에 있는 온도에서 수행되며, 바람직스럽게는 550℃ 에서 수행된다.
도 2 에 도시된 제 2 구현예에서, 패시베이션 층(10')은 도전층에 의해 덮히지 않은 표면 부분을 덮지만, 공진 부분(Z)에서만 그러하다. 외측 표면(5)의 극 영역(polar zone)은 따라서 도전층(9)에 의해서건 또는 패시베이션 층(10')에 의해서건 무관하게 덮히지 않는다.
당연히, 본 발명은 여기에 설명된 구현예들에 제한되지 않으며, 청구항들에 기재된 발명의 범위내에 속하는 그 어떤 변형예도 포괄한다.
특히, 패시베이션 층은 줄기부상의 도전층과 같은 범위로 연장되고 2 개의 도전층들 사이의 전기 도전성을 보장하기에 충분한 두께를 나타낸다.
패시베이션 층의 재료는 언급된 것과 상이할 수 있으며, 도전층의 재료와 상이할 수 있다. 실리콘과의 접합을 향상시키는 성능을 가진 임의의 스테인레스 재료가 패시베이션 층을 형성하도록 이용되는데 적절하며, 예를 들어, 플래티늄, 이리듐, 오스뮴(osmium), 로듐(rhodium) 또는 루테늄(ruthenium)이 이용될 수 있다.
공진기는 전기 도전층(9)으로 덮혀있는 적어도 하나의 부분 및 도전층으로 덮히지 않은 적어도 하나의 부분을 포함하는 적어도 하나의 공진 부분(Z)을 가진 실리콘에 기초한 재료의 동체를 포함하며, 공진 부분에서, 실리콘에 기초한 재료는 도전층 및 패시베이션 층에 의하여 조합되어 완전히 덮히며, 패시베이션 층은 도전층의 재료와 상이한 재료로 되어 있고 도전층의 두께와 동등한 두께를 가지거나 또는 가지지 않는 방식으로, 도전층으로 덮히지 않은 부분이 패시베이션 층(10,10')으로 덮히는 것을 특징으로 한다. 도전층의 재료와 상이한 패시베이션 층의 재료는 금속과 같은 도전성 재료일 수 있다.
변형예에서, 도전층의 부분(9.1)을 도전층의 부분(9.2)에 전기 연결하는 것이 패시베이션 층에 의해 제공될 수 있어서, 전기 전하의 충분한 전달을 보장하기에 충분한, 면적에 대한 두께를 나타낸다 (패시베이션 층의 면적이 상대적으로 넓기 때문에, 두께는 상대적으로 작을 수 있다).
비록 본 발명이 SiO2 로 만들어진 기재(substrate)와 관련하여 설명되었지만, 그것은 다른 실리콘 합성물에도 적용되며, 특히 SiN; SiC; 크리스탈라인(crystalline), 폴리크리스탈라인 또는 다공성 Si; 캐스트 석영(cast quartz)에 적용된다.
공진기는 위에 설명된 것과 다른 형상일 수 있으며, 예를 들어 비임(beam)의 형태일 수 있다.
1. 전극 유지 플레이트 2. 전극
3. 공진기 5. 외측 표면
7. 평면 고리형 표면

Claims (9)

  1. 전기 도전층(9)으로 덮힌 적어도 하나의 부분 및 도전층으로 덮히지 않은 적어도 하나의 부분을 포함하는 적어도 하나의 공진 부분(Z)을 가지는 실리콘에 기초한 재료(silicon based material)의 동체를 포함하는 공진기(3)로서, 공진 부분에서, 실리콘에 기초한 재료가 도전층 및 패시베이션 층(passivation layer)에 의하여 조합되어 완전하게 덮히도록, 도전층으로 덮히지 않은 부분이 패시베이션 층(10,10')으로 덮히는 것을 특징으로 하는, 공진기.
  2. 제 1 항에 있어서,
    패시베이션 층(10,10')은 귀금속으로 만들어지는, 공진기.
  3. 제 2 항에 있어서,
    귀금속은 플래티늄(platinum)인, 공진기.
  4. 제 1 항에 있어서,
    도전층(9) 및 패시베이션 층(10,10')은 동일한 재료로 만들어지고, 도전층은 패시베이션 층의 두께보다 큰 두께인, 공진기.
  5. 제 4 항에 있어서,
    도전층(9)은 15 nm 보다 큰 두께를 가지고, 바람직스럽게는 약 50 nm 와 같은 두께를 가지고, 패시베이션 층(10,10')은 1 nm 내지 10 nm 범위에 놓인 두께를 가지고, 바람직스럽게는 약 5 nm 와 같은 두께를 가지는, 공진기.
  6. 제 1 항에 있어서,
    공진 부분(Z)은 패시베이션 층(10,10')에 의해 덮힌 내측 표면(6) 및 외측 표면(5)으로 형성된 실질적으로 반구형의 적어도 하나의 웹 부분(web portion, 4)을 포함하고, 상기 표면들은 도전층(9)에 의해 덮힌 평탄 고리형 표면(7)에 의해 서로 연결된 자유 가장자리를 가지는, 공진기.
  7. 제 6 항에 있어서,
    도전층(9)은 내측 표면(6)에 걸쳐 고리형 표면(7)으로부터 내측 표면의 극(pole)으로 연장된 분기부(9.3)를 가지는, 공진기.
  8. 제 6 항 또는 제 7 항에 따른 공진기(3) 및 전극 유지 플레이트(1)를 포함하는 진동 센서로서, 동체는, 도전층(9)이 전극 유지 플레이트에 고정된 전극(2)들을 향하여 연장되는 방식으로 공진 부분(Z)을 전극 유지 플레이트에 연결하는 줄기부(8)를 포함하고, 줄기부는 전기적인 연결 수단(9.3)에 의해 고리형 표면의 도전층(9.2)에 연결된 전기 도전층(9.1)으로 덮히는, 진동 센서.
  9. 전기 도전층(9)으로 덮힌 적어도 하나의 제 1 부분 및, 도전층과 같은 재료의 패시베이션 층(10)으로 덮힌 적어도 하나의 제 2 부분을 가진 적어도 하나의 공진 부분(Z)을 구비한 실리콘에 기초한 재료의 동체를 포함하는 공진기(3)의 제조 방법으로서, 상기 방법은 패시베이션 층을 형성하기에 충분한 두께의 재료를 제 2 부분 및 제 1 부분 양쪽에 증착하는 단계 및, 제 1 부분에 증착된 재료의 전체 두께가 도전층을 형성하기에 충분하게 되는 두께의 재료를 제 1 부분에만 한번 더 증착하는 단계를 포함하는, 공진기의 제조 방법.
KR1020127012139A 2009-11-12 2010-11-10 패시베이션 층을 포함하는 공진기, 그러한 공진기를 포함하는 진동 센서 및 그것의 제조 방법 KR20120069760A (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR0905426 2009-11-12
FR0905426A FR2952427B1 (fr) 2009-11-12 2009-11-12 Resonateur comportant une couche de passivation, capteur vibrant comportant un tel resonateur et procede de fabrication
US32504310P 2010-04-16 2010-04-16
US61/325,043 2010-04-16

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020147015563A Division KR101608358B1 (ko) 2009-11-12 2010-11-10 패시베이션 층을 포함하는 공진기, 그러한 공진기를 포함하는 진동 센서 및 그것의 제조 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20120069760A true KR20120069760A (ko) 2012-06-28

Family

ID=42731984

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020127012139A KR20120069760A (ko) 2009-11-12 2010-11-10 패시베이션 층을 포함하는 공진기, 그러한 공진기를 포함하는 진동 센서 및 그것의 제조 방법
KR1020147015563A KR101608358B1 (ko) 2009-11-12 2010-11-10 패시베이션 층을 포함하는 공진기, 그러한 공진기를 포함하는 진동 센서 및 그것의 제조 방법

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020147015563A KR101608358B1 (ko) 2009-11-12 2010-11-10 패시베이션 층을 포함하는 공진기, 그러한 공진기를 포함하는 진동 센서 및 그것의 제조 방법

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8966985B2 (ko)
EP (1) EP2499457B1 (ko)
KR (2) KR20120069760A (ko)
CN (1) CN102667402B (ko)
FR (1) FR2952427B1 (ko)
RU (1) RU2527319C2 (ko)
WO (1) WO2011057766A1 (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11703331B2 (en) * 2020-03-18 2023-07-18 The Regents Of The University Of Michigan Three dimensional microstructures with selectively removed regions for use in gyroscopes and other devices
CN112414388B (zh) * 2020-11-20 2023-03-07 中国电子科技集团公司第二十六研究所 用于角参量检测的半球谐振陀螺电容结构及加工方法
US11874112B1 (en) * 2022-10-04 2024-01-16 Enertia Microsystems Inc. Vibratory gyroscopes with resonator attachments
CN116625344B (zh) * 2023-07-26 2023-10-13 中国船舶集团有限公司第七〇七研究所 一种基于低损耗半球谐振子图案化电极的谐振陀螺

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5450751A (en) * 1993-05-04 1995-09-19 General Motors Corporation Microstructure for vibratory gyroscope
US5438231A (en) * 1993-08-23 1995-08-01 Rockwell International Corporation Thin film micromechanical resonator gyro
US5760304A (en) * 1997-02-18 1998-06-02 Litton Systems, Inc. Vibratory rotation sensor with AC forcing voltages
RU2166734C1 (ru) * 2000-06-05 2001-05-10 Химический факультет МГУ им. М.В. Ломоносова Чувствительный элемент волнового твердотельного гироскопа
RU2196964C1 (ru) * 2001-07-19 2003-01-20 Федеральное государственное унитарное предприятие "Ижевский электромеханический завод "Купол" Твердотельный волновой гироскоп
US6647785B2 (en) * 2001-07-27 2003-11-18 Litton Systems, Inc. Nuclear radiation hard high accuracy rotation sensor system
US6629460B2 (en) * 2001-08-10 2003-10-07 The Boeing Company Isolated resonator gyroscope
FR2851041B1 (fr) * 2003-02-06 2005-03-18 Sagem Procede de mise en oeuvre d'un resonateur sous l'effet de forces electrostatiques
FR2857445B1 (fr) * 2003-07-10 2005-09-02 Sagem Resonateur, notamment pour gyroscope vibrant
US7786653B2 (en) * 2007-07-03 2010-08-31 Northrop Grumman Systems Corporation MEMS piezoelectric switch
FR2920224B1 (fr) * 2007-08-23 2009-10-02 Sagem Defense Securite Procede de determination d'une vitesse de rotation d'un capteur vibrant axisymetrique, et dispositif inertiel mettant en oeuvre le procede
US7987714B2 (en) * 2007-10-12 2011-08-02 The Boeing Company Disc resonator gyroscope with improved frequency coincidence and method of manufacture
RU2362975C1 (ru) * 2008-01-09 2009-07-27 Сергей Михайлович Бражнев Твердотельный волновой гироскоп
FR2936049B1 (fr) * 2008-09-16 2010-09-17 Sagem Defense Securite Resonateur a metallisation partielle pour detecteur de parametre angulaire.
US8393212B2 (en) * 2009-04-01 2013-03-12 The Boeing Company Environmentally robust disc resonator gyroscope
US8101458B2 (en) * 2009-07-02 2012-01-24 Advanced Microfab, LLC Method of forming monolithic CMOS-MEMS hybrid integrated, packaged structures
US8631702B2 (en) * 2010-05-30 2014-01-21 Honeywell International Inc. Hemitoroidal resonator gyroscope
US8610333B2 (en) * 2010-09-24 2013-12-17 Wei Pang Acoustic wave devices

Also Published As

Publication number Publication date
EP2499457A1 (en) 2012-09-19
WO2011057766A1 (en) 2011-05-19
KR101608358B1 (ko) 2016-04-01
FR2952427A1 (fr) 2011-05-13
RU2527319C2 (ru) 2014-08-27
EP2499457B1 (en) 2019-08-21
KR20140081907A (ko) 2014-07-01
US20120216620A1 (en) 2012-08-30
US8966985B2 (en) 2015-03-03
FR2952427B1 (fr) 2012-02-24
CN102667402B (zh) 2015-09-09
CN102667402A (zh) 2012-09-12
RU2012123987A (ru) 2013-12-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2324324B1 (fr) Resonateur pour detecteur de parametre angulaire
KR101489001B1 (ko) 1200℃ 피막 저항기
CN104769400B (zh) 具有高稳定性的高温芯片
KR101608358B1 (ko) 패시베이션 층을 포함하는 공진기, 그러한 공진기를 포함하는 진동 센서 및 그것의 제조 방법
WO2007047571A3 (en) Integrated cmos-mems technology for wired implantable sensors
US10593860B2 (en) Piezoelectric device
US20100156251A1 (en) Piezoelectric actuator and method for producing it
JP5100733B2 (ja) ガスセンサ素子及びその製造方法
FR2952426A1 (fr) Resonateur a couche metallisee partielle
US20200283886A1 (en) Method For Manufacturing A Humidity Sensor And Humidity Sensor
US9052510B2 (en) Micromechanical component and manufacturing method for a micromechanical component
US20230115834A1 (en) Piezoelectric device
JP6877376B2 (ja) Mems素子
US9835511B2 (en) High temperature flexural mode piezoelectric dynamic pressure sensor
US8756996B2 (en) Micromechanical system
US20220340412A1 (en) Thin film getter structure having miniature heater and manufacturing method thereof
US9404938B2 (en) Acceleration sensor
EP3455637B1 (fr) Accelerometre vibrant precontraint
KR101983877B1 (ko) 반도체 압력센서 및 그의 제조방법
JP2009115499A (ja) 物理量センサ及びその製造方法
CN115215283A (zh) 一种具有微型加热器的薄膜吸气剂结构及其制造方法
JP2008198748A (ja) 半導体センサ及びその製造方法
JPH05283764A (ja) 半導体薄膜磁気抵抗素子及びその製造方法
JP2008294369A (ja) 半導体物理量センサの実装構造

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application
A107 Divisional application of patent
J201 Request for trial against refusal decision
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20140609

Effective date: 20150323