KR20120060018A - 마스크리스 노광 장치 - Google Patents

마스크리스 노광 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20120060018A
KR20120060018A KR1020100121568A KR20100121568A KR20120060018A KR 20120060018 A KR20120060018 A KR 20120060018A KR 1020100121568 A KR1020100121568 A KR 1020100121568A KR 20100121568 A KR20100121568 A KR 20100121568A KR 20120060018 A KR20120060018 A KR 20120060018A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light source
light
focusing element
substrate
focusing
Prior art date
Application number
KR1020100121568A
Other languages
English (en)
Inventor
배상우
장상돈
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020100121568A priority Critical patent/KR20120060018A/ko
Priority to US13/293,445 priority patent/US20120140194A1/en
Publication of KR20120060018A publication Critical patent/KR20120060018A/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274Photolithographic processes
    • H01L21/0275Photolithographic processes using lasers
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03BAPPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B27/00Photographic printing apparatus
    • G03B27/32Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera
    • G03B27/52Details
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03BAPPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B27/00Photographic printing apparatus
    • G03B27/32Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera
    • G03B27/52Details
    • G03B27/522Projection optics
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2051Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
    • G03F7/2059Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70383Direct write, i.e. pattern is written directly without the use of a mask by one or multiple beams
    • G03F7/70391Addressable array sources specially adapted to produce patterns, e.g. addressable LED arrays

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

광학계(포커싱 엘리먼트)와 기판 사이의 거리인 작동 거리(working distance)를 증가시킴으로써 용이하게 제작할 수 있으면서도 광의 사용 효율을 향상시킬 수 있는 마스크리스 노광 장치를 제안한다.
복수 개의 광원으로 이루어진 광원 어레이; 각 광원으로부터 출사되는 광 빔을 집속하는 포커싱 엘리먼트가 복수 개 배열되어 이루어진 포커싱 엘리먼트 어레이; 기판에 패턴을 형성하기 위해 포커싱 엘리먼트 어레이와 기판 사이에 배치되어 포커싱 엘리먼트를 통해 집속한 뒤 확산하는 광 빔을 기판의 표면에 집속하여 집광 스팟을 형성하는 이미지 형성 렌즈부를 포함함으로써, 마스크리스 노광 장치를 용이하게 제작할 수 있으면서도 광의 사용 효율을 향상시킬 수 있다.

Description

마스크리스 노광 장치{MASKLESS EXPOSURE APPARATUS}
마스크를 사용하지 않고 어레이 형태의 광원을 직접 변조하여 노광 공정을 수행하는 마스크리스 노광 장치에 관한 것이다.
마스크리스 노광 장치는 마스크를 사용하지 않고 광을 이용하여 필름, 웨이퍼, 글라스(glass) 등의 기판에 직접 패턴을 형성하는 장치이다. 이러한 마스크리스 노광장치는 포토 마스크를 사용하지 않고서도 기판에 패턴을 형성할 수 있기 때문에 고해상도 및 대면적의 마스크를 제작하지 않아도 되고, 이물 또는 손상에 따른 마스크의 교체가 필요 없다는 장점을 가진다.
마스크리스 노광 방식은 크게 공간 광변조 소자(Spatial Light Modulator; SLM)를 이용하여 노광하는 방식과, 광원을 직접 변조하여 노광하는 방식으로 분류할 수 있는데, 본 발명에서는 광원을 직접 변조하여 노광하는 방식에 대해 설명하고자 한다.
도 1은 기존의 광원 어레이를 이용한 마스크리스 노광 장치의 단면도이다. 도 1에 도시된 바와 같이 광원 어레이를 이용한 마스크리스 노광 장치(100)는 광원 어레이(110), 포커싱 엘리먼트 어레이(120) 및 제어장치(130)를 포함한다.
광원 어레이(110)는 지지 기판(114) 위에 복수의 광원(112)이 배열된 1차원 또는 2차원 어레이 구조로 이루어지고, 포커싱 엘리먼트 어레이(120)는 실리콘 기판(124) 위에 광원(112)의 개수에 상응하는 개수의 포커싱 엘리먼트(122)가 배열된 2차원 어레이 구조로 이루어진다.
제어장치(130)는 개별 광원(112)에 제어신호를 보내어 각각의 광원(112)이 턴 온(turn on) 또는 턴 오프(turn off)되도록 제어한다.
이러한 광원 어레이를 이용한 마스크리스 노광 장치(100)는 제어장치(130)로부터 제어신호를 받아 광원(112)으로부터 출사되는 광 빔(light beam)이 포커싱 엘리먼트(122)를 통해 집속되어 기판(150) 위에 집광 스팟(146)을 형성하도록 함으로써 기판(150)에 원하는 패턴을 전사시킨다.
기존의 광원 어레이를 이용한 마스크리스 노광 장치(100)를 이용하여 기판(150) 위에 직경이 약 3.0㎛ 정도인 집광 스팟(146)을 형성하기 위해서는 광원(112)의 발산 각도에 따라 차이가 있을 수 있지만 포커싱 엘리먼트(122)와 기판(150) 사이의 거리(d), 즉 작동 거리(working distance)는 약 250㎛ 이하가 되어야 한다. 하지만, 250㎛ 이하의 미세한 작동 거리(d)를 갖는 마스크리스 노광 장치(100)를 구현(제작)하기에는 현실적으로 많은 어려움이 있다.
도 2는 기존의 광원 어레이를 이용한 마스크리스 노광 장치를 구성하는 광학계의 설계 구조를 예시한 도면이다.
도 2의 (a)는 광원(112)의 직경이 15㎛이고, 포커싱 엘리먼트(122)의 직경이 35㎛인 경우에 직경이 3.0㎛인 집광 스팟(146)을 형성하기 위한 광학계의 설계 구조를 예시한 도면이다. 여기서, 포커싱 엘리먼트(122)로는 마이크로 렌즈 어레이(Micro Lens Array: MLA)가 사용될 수 있다. 도 2의 (a)에 도시된 바와 같이 3.0㎛의 직경을 갖는 집광 스팟(146)을 형성하고자 할 때 포커싱 엘리먼트(122)와 기판(150) 사이의 거리(d)를 500㎛ 정도로 확보하기 위해서는 포커싱 엘리먼트(122)를 광원(112)으로부터 2500㎛ 정도 떨어진 위치에 배치해야 한다. 이 때, 광원(122)으로서 발광 다이오드(Light Emitting Diode; LED)를 사용하는 경우, 광원(122)으로부터 출사되는 광 빔의 발산 각도가 80˚ 정도이기 때문에 광의 사용 효율은 (0.8/80)^2×100=0.01%로 매우 낮다.
도 2의 (b)는 도 2의 (a)에 도시된 구성 요소와 조건 중에서 포커싱 엘리먼트(122)의 직경만을 100㎛로 증가시켜 구성한 경우를 도시한 도면이다. 이 경우에도 광의 사용 효율은 (2.3/80)^2×100=0.08%로 여전히 매우 낮은 수준이다.
광학계(포커싱 엘리먼트)와 기판 사이의 거리인 작동 거리(working distance)를 증가시킴으로써 용이하게 제작할 수 있으면서도 광의 사용 효율을 향상시킬 수 있는 마스크리스 노광 장치를 제안하고자 한다.
이를 위해 본 발명의 일 측면은 복수 개의 광원으로 이루어진 광원 어레이; 각 광원으로부터 출사되는 광 빔을 집속하는 포커싱 엘리먼트가 복수 개 배열되어 이루어진 포커싱 엘리먼트 어레이; 기판에 패턴을 형성하기 위해 포커싱 엘리먼트 어레이와 기판 사이에 배치되어 포커싱 엘리먼트를 통해 집속한 뒤 확산하는 광 빔을 기판의 표면에 집속하여 집광 스팟을 형성하는 이미지 형성 렌즈부를 포함한다.
또한, 광원은 레이저 다이오드(LD)이다.
또한, 광원은 발광 다이오드(LED)이다.
또한, 광원은 VCSEL(vertical cavity surface emitting laser)이다.
또한, 포커싱 엘리먼트는 프레넬 렌즈(Fresnel lens)이다.
또한, 포커싱 엘리먼트는 존 플레이트 렌즈(zone plate lens)이다.
또한, 포커싱 엘리먼트는 마이크로 렌즈(micro lens)이다.
또한, 포커싱 엘리먼트는 각 광원으로부터 출사되는 광 빔을 기판의 표면에 도달하기 전 임의의 지점에 집속한다.
또한, 이미지 형성 렌즈부는 하나 또는 복수 개의 렌즈로 이루어진다.
또한, 광원 어레이와 상기 포커싱 엘리먼트 어레이 사이에 배치되어 상기 광원에서 확산하는 상기 광 빔을 평행광으로 전환시키는 평행광 렌즈를 더 포함한다.
또한, 기판에 노광할 패턴의 정보를 연산하고, 연산된 패턴의 정보에 기초하여 각 광원이 턴 온(turn on) 또는 턴 오프(turn off)되도록 제어하는 제어장치를 더 포함한다.
제안된 마스크리스 노광 장치에 의하면, 광학계(포커싱 엘리먼트)와 기판 사이의 거리인 작동 거리(working distance)를 증가시킴으로써 용이하게 제작할 수 있으면서도 광의 사용 효율을 향상시킬 수 있다.
도 1은 기존의 광원 어레이를 이용한 마스크리스 노광 장치의 단면도이다.
도 2는 기존의 광원 어레이를 이용한 마스크리스 노광 장치를 구성하는 광학계의 설계 구조를 구체적으로 예시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 마스크리스 노광 장치의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 마스크리스 노광 장치를 구성하는 광원 어레이와 포커싱 엘리먼트 어레이의 배치 구조를 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 마스크리스 노광 장치를 구성하는 광학계의 구조를 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 마스크리스 노광 장치를 구성하는 광학계의 구조를 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 마스크리스 노광 장치를 구성하는 광학계의 설계 구조를 구체적으로 예시한 도면이다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명하도록 한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 마스크리스 노광 장치의 단면도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 마스크리스 노광 장치(200)은 광원 어레이(210), 포커싱 엘리먼트 어레이(220), 이미지 형성 렌즈부(226) 및 제어장치(230)를 포함한다.
광원 어레이(210)는 지지 기판(214) 위에 복수의 광원(212)이 배열된 2차원 어레이(array) 구조로 이루어진다. 광원(212)은 기판(250)에 대한 광 빔(242)을 출력한다.
포커싱 엘리먼트 어레이(220)는 실리콘 기판(224) 위에 광원(212)의 개수에 상응하는 개수의 포커싱 엘리먼트(222)가 배열된 2차원 어레이 구조로 이루어진다. 포커싱 엘리먼트(222)는 광원(212)으로부터 출사된 광 빔(242)을 임의의 지점(P)에 집속하여 제 1 집속 빔(244a)을 생성한다.
이미지 형성 렌즈부(226)는 포커싱 엘리먼트(222)를 통해 임의의 지점(P)에 집속한 뒤 확산되는 빔을 다시 집속하여 제 2 집속 빔(244b)을 생성한다. 이미지 형성 렌즈(226)를 통한 제 2 집속 빔(244b)의 생성에 의해 포토레지스트(252)가 도포된 기판(250)의 표면에는 집광 스팟(246)이 형성된다. 이로써, 기판(250)에 원하는 패턴(이미지)을 형성할 수 있다. 이 때, 이미지 형성 렌즈부(226)는 하나의 렌즈로 구성할 수 있다.
제어장치(230)는 노광해야 할 노광 패턴(pattern)의 정보(노광 데이터)를 연산하고, 연산된 노광 패턴 정보에 기초하여 개별 광원(212)에 제어신호를 전송함으로써 각각의 광원(212)이 턴 온(turn on) 또는 턴 오프(turn off)되도록 제어한다. 즉, 광원 어레이(210)으로부터 출사되는 광 빔(242)의 온/오프를 변화시키는 것에 의해 노광 패턴을 기판(250)의 표면 위의 포토레지스트(252)에 마스크 없이 형성한다.
도 3에 도시된 바와 같이 본 발명의 실시예에 따른 마스크리스 노광 장치(200)는 포커싱 엘리먼트 어레이(220)와 기판(250) 사이에 이미지 형성 렌즈부(226)를 배치하고 광원 어레이(210)와 포커싱 엘리먼트 어레이(220) 사이의 간격을 보다 좁게 배치함으로써 광원(212)으로부터 출사된 광 빔(242)이 기판(250)의 표면에 도달하기 전 임의의 지점(P)에서 먼저 집속된 후 이미지 형성 렌즈부(226)를 통해 다시 기판(250)의 표면에 집속되도록 하여 집광 스팟(246)을 형성한다. 이러한 구조를 통해 포커싱 엘리먼트(222)와 기판(250) 사이의 거리 즉, 작동 거리(d)를 증가시킬 수 있다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 마스크리스 노광 장치를 구성하는 광원 어레이와 포커싱 엘리먼트 어레이의 배치 구조를 설명하기 위한 도면이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 복수의 광원(212)이 지지 기판(214) 위에 2차원 어레이 형태로 배치되어 광원 어레이(210)를 구성한다.
광원(212)으로는 반도체 레이저(semiconductor laser), 레이저 다이오드(Laser Diode; LD), 발광 다이오드(Light Emitting Diode; LED), VCSEL(vertical cavity surface emitting laser) 등이 이용될 수 있다. 이러한 광원(212)을 이루는 소자들은 마이크로미터 사이즈 스케일로 배열되고, 매우 높은 변조 주파수(약 1㎓)를 제공하기 때문에 매우 빠른 패터닝 속도로 변조될 수 있다.
또한 광원(212)의 개수에 상응하는 개수의 포커싱 엘리먼트(222)가 실리콘 기판(224) 위에 2차원 어레이 형태로 배치되어 포커싱 엘리먼트 어레이(220)를 구성한다. 각각의 광원(212)은 하나의 포커싱 엘리먼트(222)와 일직선 상으로 배열된다. 또한, 각각의 포커싱 엘리먼트(222)는 기판(250) 상에 단위 격자(unit cell)를 정의하며, 각각의 포커싱 엘리먼트(222)는 해당 단위 격자 내에서만 노광 공정(집광 스팟의 형성)을 수행한다. 포커싱 엘리먼트(222)로는 회절 소자(diffractive element) 또는 굴절 소자(refractive element)가 이용될 수 있다. 따라서, 포커싱 엘리먼트(222)로는 프레넬 렌즈(Fresnel lens), 존 플레이트 렌즈(zone plate lens), 마이크로 렌즈(micro lens) 등이 이용될 수 있다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 마스크리스 노광 장치를 구성하는 광학계의 구조를 설명하기 위한 도면이다.
도 5에서는 설명의 편의를 위해 도 4에서 점선으로 표시된 "A 영역" 내에 포함되는 세 개의 광원(212)에 대응하는 광학계의 구성만을 도시하였다.
도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 마스크리스 노광 장치(200)는 포커싱 엘리먼트 어레이(220)와 기판(250) 사이에 이미지 형성 렌즈부(226)를 배치한다. 여기서, 이미지 형성 렌즈부(226)는 하나의 렌즈로 구성할 수 있다.
도 5를 참조하여 기판(250)의 표면에 집광 스팟(246)을 형성하는 과정을 설명하면, 먼저 제어장치(230)로부터 턴 온(turn on) 제어신호를 전송 받은 광원(212)은 기판(250)의 표면을 노광하기 위한 광 빔(242)을 출력한다. 여기서, 광원 어레이(210)와 포커싱 엘리먼트 어레이(220) 사이에 평행광 렌즈(미도시)를 더 배치하는 것으로 구성할 수도 있다. 이 때에는 광원(212)으로부터 출력된 광 빔(242)이 평행광 렌즈를 통과하면서 평행광으로 전환되고, 전환된 평행광이 포커싱 엘리먼트(222)로 입사하게 된다.
광원(212)을 통해 출력된 광 빔(242)은 포커싱 엘리먼트(222)를 통과하면서 기판(250)의 표면에 도달하기 전 임의의 지점(P)에 집속하여 제 1 집속 빔(244a)을 생성한다.
포커싱 엘리먼트(222)를 통해 임의의 지점(P)에 집속한 뒤 확산하는 광 빔은 이미지 형성 렌즈부(226)를 통과하면서 기판(250)의 표면에 집속하여 제 2 집속 빔(244b)를 생성한다. 이러한 제 2 집속 빔(244b)의 생성을 통해 표면에는 집광 스팟(246)이 형성된다. 이러한 광학계의 구조를 통해 포커싱 엘리먼트(222)와 기판(250) 사이의 거리 즉, 작동 거리(d)를 증가시킬 수 있게 된다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 마스크리스 노광 장치를 구성하는 광학계의 구조를 설명하기 위한 도면이다.
도 6에서는 설명의 편의를 위해 도 4에서 점선으로 표시된 "A 영역" 내에 포함되는 세 개의 광원(212)에 대응하는 광학계의 구성만을 도시하였다.
도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 마스크리스 노광 장치(200)는 포커싱 엘리먼트 어레이(220)와 기판(250) 사이에 제 1 렌즈(226a) 및 제 2 렌즈(226b)로 이루어지는 이미지 형성 렌즈부(226)를 배치한다.
도 6을 참조하여 기판(250)의 표면에 집광 스팟(246)을 형성하는 과정을 설명하면, 먼저 제어장치(230)로부터 턴 온(turn on) 제어신호를 전송 받은 광원(212)은 기판(250)의 표면을 노광하기 위한 광 빔(242)을 출력한다. 여기서, 광원 어레이(210)와 포커싱 엘리먼트 어레이(220) 사이에 평행광 렌즈(미도시)를 더 배치하는 것으로 구성할 수도 있다. 이 때에는 광원(212)으로부터 출력된 광 빔(242)이 평행광 렌즈를 통과하면서 평행광으로 전환되고, 전환된 평행광이 포커싱 엘리먼트(222)로 입사하게 된다.
광원(212)을 통해 출력된 광 빔(242)은 포커싱 엘리먼트(222)를 통과하면서 기판(250)의 표면에 도달하기 전 임의의 지점(P)에 집속하여 제 1 집속 빔(244a)을 생성한다.
포커싱 엘리먼트(222)를 통해 임의의 지점(P)에 집속한 뒤 확산되는 빔은 이미지 형성 렌즈부(226)를 통과하면서 기판(250)의 표면에 집속하여 제 2 집속 빔(244b)를 생성한다. 이러한 제 2 집속 빔(244b)의 생성을 통해 표면에는 집광 스팟(246)이 형성된다. 이러한 광학계의 구조를 통해 포커싱 엘리먼트(222)와 기판(250) 사이의 거리 즉, 작동 거리(d)를 증가시킬 수 있게 된다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 마스크리스 노광 장치를 구성하는 광학계에서는 포커싱 엘리먼트 어레이(220)와 기판(250) 사이에 두 개의 렌즈(226a, 226b)로 이루어진 이미지 형성 렌즈부(226)를 배치하는 구조를 예를 들어 설명하였으나, 포커싱 엘리먼트 어레이(220)와 기판(250) 사이에 세 개 이상의 렌즈로 이루어진 이미지 형성 렌즈부(226)를 배치하는 것으로 구성할 수도 있다. 이 경우, 포커싱 엘리먼트(222)와 기판(250) 사이의 거리 즉, 작동 거리(d)를 더욱 증가시킬 수 있게 된다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 마스크리스 노광 장치를 구성하는 광학계의 설계 구조를 구체적으로 예시한 도면이다.
도 7은 광원(212)의 직경이 15㎛이고, 포커싱 엘리먼트(222)의 직경이 100㎛인 경우에 직경이 3.0㎛인 집광 스팟(246)을 형성하기 위한 광학계의 설계 구조를 예시한 도면이다. 여기서, 포커싱 엘리먼트(222)로는 마이크로 렌즈 어레이(Micro Lens Array: MLA)가 사용될 수 있다. 도 7에 도시된 바와 같이 포커싱 엘리먼트(222)와 기판(250) 사이에 제 1 렌즈(226a) 및 제 2 렌즈(226b)로 이루어지는 이미지 형성 렌즈부(226)를 배치하게 되면 광원(212)을 통해 출력된 광 빔(242)이 포커싱 엘리먼트(222)를 통과하면서 기판(250)의 표면에 도달하기 전 임의의 지점(P)에 집속한 뒤 확산되다가 이미지 형성 렌즈부(226)를 통과하면서 기판(250)의 표면에 집속하여 집광 스팟(246)을 형성하게 된다. 여기서는 포커싱 엘리먼트(222)와 기판(250) 사이에 이미지 형성 렌즈부(226)를 배치함으로써 포커싱 엘리먼트(222)와 기판(250) 사이의 거리 즉, 작동 거리(d)를 증가시킬 수 있게 된다.
이러한 광학계의 구조를 통해 작동 거리(d)를 비교적 길게 확보할 수 있기 때문에 광원 어레이(210)와 포커싱 엘리먼트 어레이(220) 사이의 간격을 보다 좁게 배치할 수 있게 된다.
다시 도 2의 (b)를 참조해 보면 기존의 광원 어레이를 이용한 마스크리스 노광 장치에서 15㎛의 직경을 가지는 광원(112)과 100㎛의 직경을 가지는 포커싱 엘리먼트(122)를 이용하여 3㎛의 직경을 가지는 집광 스팟(146)을 형성하기 위해서는 포커싱 엘리먼트(122)를 광원(112)으로부터 2500㎛ 정도 떨어진 위치에 배치해야 한다. 하지만, 도 7에 도시된 광학계에서는 동일한 직경(15㎛)을 가지는 광원(212)과 동일한 직경(100㎛)을 가지는 포커싱 엘리먼트(222)를 이용하여 동일한 직경(3.0㎛)을 가지는 집광 스팟(246)을 형성하고자 할 때 포커싱 엘리먼트(222)를 광원(212)으로부터 75㎛ 정도 떨어진 위치에 배치하면 된다. 광원(212)과 포커싱 엘리먼트 (222) 사이의 간격을 보다 좁게 배치할 수 있기 때문에 광원(212)으로부터 출력되어 포커싱 엘리먼트(222)로 입사되는 광 빔의 입사 각도는 커진다.
즉, 도 2의 (b)에 도시된 광학계와 도 7에 도시된 광학계를 비교해 볼 때, 광원(112, 212)과 포커싱 엘리먼트(122, 222) 사이의 간격은 2500㎛에서 75㎛로 감소되었고 광원(112, 212)으로부터 출력되어 포커싱 엘리먼트(122, 222)로 입사되는 광 빔의 입사 각도는 2.3˚에서 67˚로 증가하였다.
도 7에 도시된 광학계에서 광원(222)으로 발광 다이오드(Light Emitting Diode; LED)를 사용하는 경우, 광원(222)으로부터 출사되는 광 빔의 발산 각도가 80˚ 정도이기 때문에 광의 사용 효율은 (67/80)^2×100=71%로 급격하게 향상됨을 알 수 있다.
200 : 마스크리스 노광장치 210 : 광원 어레이
212 : 광원 214 : 지지 기판
220 : 포커싱 엘리먼트 어레이 222 : 포커싱 엘리먼트
224 : 실리콘 기판 226 : 이미지 형성 렌즈부
226a : 제 1 렌즈 226b : 제 2 렌즈
250 : 기판

Claims (11)

  1. 복수 개의 광원으로 이루어진 광원 어레이;
    각 광원으로부터 출사되는 광 빔을 집속하는 포커싱 엘리먼트가 복수 개 배열되어 이루어진 포커싱 엘리먼트 어레이;
    기판에 패턴을 형성하기 위해 상기 포커싱 엘리먼트 어레이와 상기 기판 사이에 배치되어 상기 포커싱 엘리먼트를 통해 집속한 뒤 확산하는 광 빔을 상기 기판의 표면에 집속하여 집광 스팟을 형성하는 이미지 형성 렌즈부를 포함하는 마스크리스 노광 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 광원은 레이저 다이오드(LD)인 마스크리스 노광 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 광원은 발광 다이오드(LED)인 마스크리스 노광 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 광원은 VCSEL(vertical cavity surface emitting laser)인 마스크리스 노광 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 포커싱 엘리먼트는 프레넬 렌즈(Fresnel lens)인 마스크리스 노광 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 포커싱 엘리먼트는 존 플레이트 렌즈(zone plate lens)인 마스크리스 노광 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 포커싱 엘리먼트는 마이크로 렌즈(micro lens)인 마스크리스 노광 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 포커싱 엘리먼트는 상기 각 광원으로부터 출사되는 광 빔을 상기 기판의 표면에 도달하기 전 임의의 지점에 집속하는 마스크리스 노광 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 이미지 형성 렌즈부는 하나 또는 복수 개의 렌즈로 이루어지는 마스크리스 노광 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 광원 어레이와 상기 포커싱 엘리먼트 어레이 사이에 배치되어 상기 광원에서 확산하는 상기 광 빔을 평행광으로 전환시키는 평행광 렌즈를 더 포함하는 마스크리스 노광 장치.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판에 노광할 상기 패턴의 정보를 연산하고, 상기 연산된 패턴의 정보에 기초하여 상기 각 광원이 턴 온(turn on) 또는 턴 오프(turn off)되도록 제어하는 제어장치를 더 포함하는 마스크리스 노광 장치.
KR1020100121568A 2010-12-01 2010-12-01 마스크리스 노광 장치 KR20120060018A (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100121568A KR20120060018A (ko) 2010-12-01 2010-12-01 마스크리스 노광 장치
US13/293,445 US20120140194A1 (en) 2010-12-01 2011-11-10 Maskless Exposure Apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100121568A KR20120060018A (ko) 2010-12-01 2010-12-01 마스크리스 노광 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20120060018A true KR20120060018A (ko) 2012-06-11

Family

ID=46161942

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100121568A KR20120060018A (ko) 2010-12-01 2010-12-01 마스크리스 노광 장치

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20120140194A1 (ko)
KR (1) KR20120060018A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200030312A (ko) * 2018-09-12 2020-03-20 세진오엔티 주식회사 광원유닛 및 이를 포함하는 노광장치

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6283798B2 (ja) * 2013-07-01 2018-02-28 株式会社ブイ・テクノロジー 露光装置および照明ユニット
US20160195822A1 (en) * 2013-08-16 2016-07-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, programmable patterning device and lithographic method
US10527946B2 (en) 2015-12-30 2020-01-07 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for direct write maskless lithography
US10928736B2 (en) 2015-12-30 2021-02-23 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for direct write maskless lithography
US10712669B2 (en) 2015-12-30 2020-07-14 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for direct write maskless lithography
CN109521647B (zh) * 2017-09-18 2024-04-26 北京数字光芯科技有限公司 一种基于Micro-LED无掩模扫描式紫外曝光机
WO2019059168A1 (ja) * 2017-09-22 2019-03-28 富士フイルム株式会社 画像露光装置
JP6936868B2 (ja) * 2017-11-07 2021-09-22 富士フイルム株式会社 画像露光装置、及び画像露光方法
NL2021649B1 (en) * 2018-09-17 2020-05-07 Suss Microtec Lithography Gmbh Exposure device for a photolithography method, assembly having an exposure device and method for exposing a substrate coated with a photoresist
CN115113493A (zh) * 2022-08-25 2022-09-27 深圳市先地图像科技有限公司 一种带微透镜阵列的集成半导体激光直接成像装置
CN115113494A (zh) * 2022-08-25 2022-09-27 深圳市先地图像科技有限公司 可调焦的带微透镜阵列的集成半导体激光直接成像装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020171047A1 (en) * 2001-03-28 2002-11-21 Chan Kin Foeng Integrated laser diode array and applications
AU2003274903A1 (en) * 2002-08-02 2004-02-23 Massachusetts Institute Of Technology System and method for maskless lithography using an array of sources and an array of focusing elements
JP4587170B2 (ja) * 2005-01-20 2010-11-24 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイスの製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200030312A (ko) * 2018-09-12 2020-03-20 세진오엔티 주식회사 광원유닛 및 이를 포함하는 노광장치

Also Published As

Publication number Publication date
US20120140194A1 (en) 2012-06-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20120060018A (ko) 마스크리스 노광 장치
JP5582287B2 (ja) 照明光学装置及び露光装置
KR20180105151A (ko) 비 텔레센트릭 방사형 마이크로 픽셀 배열 광 변조기 및 그의 제조 방법
US20040124372A1 (en) System and method for maskless lithography using an array of sources and an array of focusing elements
JP6199591B2 (ja) 光源装置および露光装置
US11448969B2 (en) Illumination optical system, exposure apparatus, and article manufacturing method
US9599906B2 (en) Method for driving spatial light modulator, method for forming pattern for exposure, exposure method, and exposure apparatus
CN108803244B (zh) 照明装置及照明方法和一种光刻机
JP2009111223A (ja) 空間光変調ユニット、照明光学系、露光装置及びデバイスの製造方法
JP2010014797A (ja) マスクレス露光装置
JP2010014796A (ja) マスクレス露光装置
JP2006337834A (ja) 露光装置及び露光方法
JP2007025613A (ja) 露光用光源
JP2007019073A (ja) 露光パターン形成装置及び露光装置
KR20190054815A (ko) 마스크리스 노광 방법, 마스크리스 노광 장치 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
KR20240054419A (ko) Vcsel 기반의 패턴 프로젝터
KR100881909B1 (ko) 라인 빔 조명 광학계
JP4570151B2 (ja) マスク製造方法
TW200417825A (en) Method for fabricating light exposing apparatus, light unit, light exposing apparatus, light exposing method, and adjusting method
US7755741B2 (en) Substrate exposure apparatus and illumination apparatus
US20080205470A1 (en) Monolithic lighting device
WO2013176178A1 (ja) 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP6283798B2 (ja) 露光装置および照明ユニット
JP6746934B2 (ja) 光源装置
KR101619504B1 (ko) Led 조명 광학계 모듈 및 이를 구비하는 노광 공정용 광원

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid