KR20120053664A - 시스템 내부 온도 제어 방법 및 장치 - Google Patents

시스템 내부 온도 제어 방법 및 장치 Download PDF

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Abstract

시스템 내부 온도 제어 방법에 있어서, 적어도 하나 이상의 외부온도와 적어도 하나 이상의 내부온도를 측정하는 과정과, 상기 측정된 외부온도와 내부온도를 임계온도와 비교하여, 제1 온도조건을 만족하는지 확인하는 과정과, 상기 제1 온도조건을 만족할 시, RB(Resource Block) 개수 그리고 전력증폭기(Power Amplifier: PA) 입력전압 중 적어도 하나 이상을 조정하는 과정을 포함하며, 상기 RB 개수 그리고 PA 입력전압 중 적어도 하나 이상을 조정한 후, 상기 제1 온도조건을 계속 만족할 시, PA 감쇠(attenuation) 값을 조정하는 과정과, 상기 PA 감쇠(attenuation) 값을 조정한 후, 상기 제1 온도조건을 계속 만족할 시, MIMO에서 SIMO로 모드 변환하는 과정을 더 포함한다.

Description

시스템 내부 온도 제어 방법 및 장치{METHOD AND APPARATUS FOR INTERNAL TEMPERATURE CONTROL}
본 발명은 일반적으로 무선통신 시스템에 관한 것으로, 특히 본 발명은 외부 온도에 노출된 옥외형 시스템에서 상기 외부 온도가 특정 온도 이상으로 상승하는 경우, 시스템 내부 온도를 제어하기 위한 방법 및 장치에 관한 것이다.
셀룰러 시스템은 전체 서비스영역을 다수의 기지국 서비스영역, 즉 셀로 구분하고, 각 셀마다 하나의 기지국을 두어 셀간을 이동하는 이동 단말기에 서비스를 제공한다. 옥외용 기지국은 기지국의 유지보수를 용이하기 위하여 소형경량으로 제작된 소규모의 기지국으로서, 하나의 함체와 상기 함체의 내부에 있는 기지국 내부 시스템 및 상기 함체에 부착된 도어로 구성된다.
한편, 상기 옥외형 기지국은, 외부에 노출되어 설치되기 때문에 외부온도에 직간접으로 영향을 받는다. 종래의 경우 외부 온도에 노출된 옥외형 시스템에서 외부 온도가 특정 온도 이상으로 상승하는 경우 높은 외부 온도로 인해서 시스템 내부의 온도가 임계치까지 상승할 경우 알람 발생 및 자체적으로 시스템을 셧다운(Shut down) 시킨다. 즉, 서비스가 지속하여야 하는 시스템임에도 외부 온도 상승에 의한 서비스 단절이 발생하며 시스템을 복구하기 위한 시간 및 인력이 소요된다. 특히, 중동 같은 나라에서는 외부온도가 섭씨 40~50도까지 올라갈 수 있으므로, 그만큼 옥외형 기지국은 외부온도에 크게 영향을 받을 수 있다.
따라서, 외부 온도에 노출된 옥외형 시스템에서 외부 온도가 특정 온도 이상으로 상승하는 경우, 시스템이 비정상 동작 또는 셧다운(Shut down)되지 않도록 시스템 내부 온도를 제어하기 위한 방법 및 장치를 제공함에 있다.
본 발명의 목적은 외부 온도에 노출된 옥외형 시스템에서 외부 온도가 특정 온도 이상으로 상승하는 경우, 시스템 내부 온도를 제어하기 위한 방법 및 장치를 제공함에 있다.
본 발명의 다른 목적은 외부온도 상승으로 인해, 시스템이 비정상 동작 또는 셧다운(Shut down)되지 않도록 하기 위한 방법 및 장치를 제공함에 있다.
상기한 목적들을 달성하기 위한 본 발명의 제 1 견지에 따르면, 시스템 내부 온도 제어 방법에 있어서, 적어도 하나 이상의 외부온도와 적어도 하나 이상의 내부온도를 측정하는 과정과, 상기 측정된 외부온도와 내부온도를 임계온도와 비교하여, 제1 온도조건을 만족하는지 확인하는 과정과, 상기 제1 온도조건을 만족할 시, RB(Resource Block) 개수 그리고 전력증폭기(Power Amplifier: PA) 입력전압 중 적어도 하나 이상을 조정하는 과정을 포함하며, 상기 RB 개수 그리고 PA 입력전압 중 적어도 하나 이상을 조정한 후, 상기 제1 온도조건을 계속 만족할 시, PA 감쇠(attenuation) 값을 조정하는 과정과, 상기 PA 감쇠(attenuation) 값을 조정한 후, 상기 제1 온도조건을 계속 만족할 시, MIMO에서 SIMO로 모드 변환하는 과정을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기한 목적들을 달성하기 위한 본 발명의 제 2 견지에 따르면, 시스템 내부 온도 제어 방법에 있어서, 적어도 하나 이상의 외부온도와 적어도 하나 이상의 내부온도를 측정하는 과정과, 상기 측정된 외부온도와 내부온도를 임계온도와 비교하여, 제2 온도조건을 만족하는지 확인하는 과정과, 상기 제2 온도조건을 만족할 시, SIMO에서 MIMO로 모드 변환하는 과정을 포함하며, SIMO에서 MIMO로 모드 변환한 후, 상기 제2 온도조건을 계속 만족할 시, PA 감쇠(attenuation) 값을 조정하는 과정과, 상기 PA 감쇠(attenuation) 값을 조정한 후, 상기 제2 온도조건을 계속 만족할 시, RB(Resource Block) 개수 그리고 전력증폭기(Power Amplifier: PA) 입력전압 중 적어도 하나 이상을 조정하는 과정을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기한 목적들을 달성하기 위한 본 발명의 제 3 견지에 따르면, 시스템 내부 온도 제어 장치에 있어서, 적어도 하나 이상의 외부온도와 적어도 하나 이상의 내부온도를 측정하는 센서부와, 상기 측정된 외부온도와 내부온도를 임계온도와 비교하여, 제1 온도조건을 만족하는지 확인하고, 상기 제1 온도조건을 만족할 시, RB(Resource Block) 개수 그리고 전력증폭기(Power Amplifier: PA) 입력전압 중 적어도 하나 이상을 조정하는 프로세서를 포함하며, 상기 프로세서는, 상기 RB 개수 그리고 PA 입력전압 중 적어도 하나 이상을 조정한 후, 상기 제1 온도조건을 계속 만족할 시, PA 감쇠(attenuation) 값을 조정하고, 상기 PA 감쇠(attenuation) 값을 조정한 후, 상기 제1 온도조건을 계속 만족할 시, MIMO에서 SIMO로 모드 변환하는 것을 특징으로 한다.
상기한 목적들을 달성하기 위한 본 발명의 제 4 견지에 따르면, 시스템 내부 온도 제어 장치에 있어서, 적어도 하나 이상의 외부온도와 적어도 하나 이상의 내부온도를 측정하는 센서부와, 상기 측정된 외부온도와 내부온도를 임계온도와 비교하여, 제2 온도조건을 만족하는지 확인하고, 상기 제2 온도조건을 만족할 시, SIMO에서 MIMO로 모드 변환하는 프로세서를 포함하며, 상기 프로세서는, SIMO에서 MIMO로 모드 변환한 후, 상기 제2 온도조건을 계속 만족할 시, PA 감쇠(attenuation) 값을 조정하고, 상기 PA 감쇠(attenuation) 값을 조정한 후, 상기 제2 온도조건을 계속 만족할 시, RB(Resource Block) 개수 그리고 전력증폭기(Power Amplifier: PA) 입력전압 중 적어도 하나 이상을 조정하는 것을 특징으로 한다.
상술한 바와 같이, 외부 온도에 노출된 시스템에서 높은 외기온도로 인해 시스템 내부가 동작온도 이상으로 상승할 시, RB(Resource Block) 개수 및 PA(Power Amplifier) 감쇠(attenuation) 조절, 그리고 모드 전환을 이용하여 내부 시스템 온도 조절함으로써, 시스템 셧다운(shutdown) 및 시스템 오동작을 방지할 수 있는 이점이 있다. 또한, 시스템 내부의 온도가 상승하여 시스템이 비정상 동작 또는 시스템 셧다운되지 않도록 운용함으로써, 서비스를 지속적으로 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 시스템 내부 온도 제어 장치도,
도 2는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 시스템 내부 온도 제어를 위한 흐름도,
도 3은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 시스템 내부 온도 제어를 위한 흐름도 및,
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 시스템 내부 온도 제어를 위한 흐름도.
이하 본 발명의 바람직한 실시 예를 첨부된 도면의 참조와 함께 상세히 설명한다. 그리고, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단된 경우 그 상세한 설명은 생략할 것이다. 그리고 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
이하, 본 발명은 외부 온도에 노출된 옥외형 시스템에서 상기 외부 온도가 특정 온도 이상으로 상승하는 경우, 시스템 내부 온도를 제어하기 위한 방법 및 장치에 관해 설명하기로 한다.
특히, 본 발명은 RB(Resource Block) 개수 및 전력증폭기(Power Amplifier: PA) 감쇠(attenuation) 값 조절, 그리고 모드 변환을 통해 구현되며, 이는 LRU(Logical Resource Unit)의 출력을 감소시켜 시스템 내부에서 발생하는 열량을 감소시킨다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 시스템 내부 온도 제어 장치를 도시하고 있다.
상기 도 1을 참조하면, 옥외형 기지국은 ECM(100), RU(110), DU(130)를 포함하여 구성된다.
상기 옥외형 기지국은 온도상승으로 인한 시스템 오동작을 방지하기 위하여, 매 일정시간마다 다음과 같은 3가지 온도를 측정한다.
● ECM 온도 (외기온도:AMB)
● RU온도 (L9RU)
● DU온도 (L9DU Octeon Processor(CN5860))
즉, ECM(100)은 랙 전면 도어로 인입되는 온도(이하 ECM 온도라 칭함)를 측정하여 상태정보 메시지(105)를 통해 그 정보를 OAM(Operation, Administration and Maintenance) 프로세서(135)로 제공한다.
RU(110)는 내부 온도센서를 통해 내부 온도를 인지하고 상기 그 정보를 상태정보 메시지(115)를 통해 그 정보를 OAM 프로세서(135)로 제공한다.
프로세서(140)는 OAM 프로세서(135)로 DU 온도 정보를 제공한다.
상기 OAM 프로세서(135)는 ECM 온도, RU 온도, DU 온도들이 각각 해당 임계치를 만족하는지 판단하여, RB(Resource Block) 개수 및 전력증폭기(Power Amplifier: PA) 감쇠(attenuation) 값 조절, 그리고 모드 변환을 통해 시스템 내부의 온도를 조정한다. 시스템 내부의 온도를 조정에 대한 설명은 상세한 설명은 도 2 내지 도 4에서 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 시스템 내부 온도 제어를 위한 흐름도를 도시하고 있다.
상기 도 2를 참조하면, 시스템은 200단계에서 모니터링 주기 동안에, ECM 온도, RU 온도, 그리고 DU 온도를 측정한다. 상기 ECM 온도는 외기온도로써, 예를 들어, 옥외 기지국의 랙(RACK) 전면 도어에 인입되는 온도이다. 상기 RU 온도는 상기 옥외 기지국의 RF 관련 보드에서 발생하는 열로 인한 내부온도이다. 그리고 상기 옥외 기지국의 메인보드(즉, RF 관련 보드를 제외한 보드)에서 발생하는 열로 인한 내부온도이다.
이후, 상기 시스템은 상기 ECM 온도, 상기 RU 온도, 그리고 상기 DU 온도를 이용하여, 제1 온도조건을 만족하는지 판단한다. 여기서, 상기 제1 온도조건은 상기 ECM 온도가 ECM 임계온도보다 같거나 크고, 그리고 상기 RU 온도 혹은 상기 DU 온도가 기정의된 임계치보다 같거나 클 경우로 정의한다. 그리고, 상기 제1 온도조건에 사용된 상기 ECM 온도, 상기 RU 온도, 그리고 상기 DU 온도는, 상기 모니터링 주기 동안에 측정된 각각의 온도들의 통계 값이다. 예를 들어, 상기 모니터링 주기 동안에 n번의 온도측정이 수행되면, 각각 n개의 측정온도의 평균으로 결정된다.
즉, 하기와 같은 온도 조건을 만족할 경우, 상기 제1 온도조건은 하기 <수학식 1>과 같다.
▶ 외기 임계 온도 50℃ 초과
▶ RU 임계 온도 95 ℃ 이상
▶ DU 임계 온도 76 ℃ 이상
Figure pat00001
여기서, ENVtemp는 외기 측정 온도, TH_ENVtemp는 외기 임계 온도, RUtemp는 RU 측정 온도이고, TH_RUtemp는 RU 임계 온도이고, DUtemp는 DU 측정 온도이고, TH_DUtemp는 DU 임계 온도이다.
다른 구현에 있어서, n개의 측정온도 값들 중 가장 최근에 측정된 온도 값이 상기 제1 온도조건에 이용될 수 있다.
만약, 상기 시스템은 상기 제1 온도조건을 만족할 시, 204단계로 진행하고 상기 제1 온도조건을 만족하지 않을 시, 200단계로 진행한다. 즉, 상기 제1 온도조건을 만족할 시, 상기 시스템 내부 온도를 조정하기 위해 204단계 내지 212단계를 수행하고, 상기 제1 온도조건을 만족하지 않을 시, 상기 시스템 내부 온도를 조정할 필요가 없다.
다른 구현에 따라서, n개의 연속적인 측정온도 값을 분석하여, 시스템 내부온도를 조정할지를 결정할 수도 있다. 예를 들어, 연속적인 측정온도가 계속 증가할 경우 내부온도 조정을 결정하고, 연속적인 측정온도가 계속 감소할 경우 내부온도 조정을 하지 않는다.
이후, 상기 시스템은 204단계에서 RB 수 그리고 PA 입력전압 값 중 적어도 하나 이상을 조정한다. 이는 LRU의 출력을 감소시켜 시스템 내부에서 발생하는 열량을 감소시킬 수 있다. 이때, 상기 시스템은 MIMO 혹은 SIMO로 동작한다.
예를 들어, 모니터링 주기 20초 동안에, 3회 연속 측정된 ECM 온도가 TH_ENVtemp 초과하고, 모니터링 주기 20초 동안에, 3회 연속 측정된 RU 온도가 TH_RUtemp 이상일 경우이거나 혹은 모니터링 주기 20초 동안에, 3회 연속 측정된 DU 온도가 TH_DUtemp 이상일 경우에, RB 수와 PA 입력 전압 중 적어도 하나 이상을 조정한다. 예를 들면, 초기 RB 수 25 RBs가 13 RBs수로 조정되고, 초기 PA 입력 전압 31V가 25V로 조정된다. 구현에 따라서, RB 수 및 PA 입력 전압은 단계별(25RBs->20RBs->15RBs->13RBs, 31V->29V->27V->25V)로 조정될 수 있다.
이후, 상기 시스템은 206단계에서 RB 수 그리고 PA 감쇠 값 중 적어도 하나 이상을 조정한 후에도 계속 온도가 상승할 경우(혹은 상기 제1 조건을 만족하는 경우), 208단계로 진행하여 PA 감쇠 값을 조정한다. 반면 RB 수 그리고 PA 감쇠 값 중 적어도 하나 이상을 조정한 후 온도가 하강하는 경우(혹은 상기 제1 조건을 만족하지 않는 경우), 상기 시스템 내부온도 조정을 중단한다. 상기 시스템은 MIMO 혹은 SIMO로 동작한다. 예를 들어, PA 감쇠 조정은 TxAtten 값을 1 ~ 4 단계 적용(Atten_0 < Atten_1 < Atten_2 < Atten_3 < Atten_4 )하여 하기와 같이 조정한다.
Atten_0(Origin: 0dB) -> Atten_1(2dB) -> Atten_2(4dB) -> Atten_3(6dB) -> Atten_4(8dB)
이후, 상기 시스템은 210단계에서 PA 감쇠 값을 조정한 후에도 계속 온도가 증가할 경우(혹은 상기 제1 조건을 만족하는 경우), 212단계로 진행하여 모드 전환을 수행한다. 반면 PA 감쇠 값을 조정한 후 온도가 하강하는 경우(혹은 상기 제1 조건을 만족하지 않는 경우), 상기 시스템 내부온도 조정을 중단한다.이 경우는 상기 시스템이 MIMO로 동작하고 있는 경우에 적용된다. 즉, MIMO에서 SIMO로 모드전환을 수행하기 위해, 해당 경로(path)에 대해 Tx Off를 수행한다,
도 2는 상기 제1 온도조건에 따라, RB 수, PA 입력전압, PA 감쇠 값, 그리고 모드전환을 수행하여 내부온도를 하강하는 경우이다. 이하 도 3에서는 상기 도 2와 같이 시스템 내부 온도를 하강시킨 이후의, 시스템 내부 온도 제어에 대해서 설명하기로 한다. 즉, 하기 도 3은 RB 수가 25RBs에서 13RBs로 조정되었고, PA 입력전압이 31V에서 25V로 조정되었고, PA 감쇠 값이 0dB에서 8dB로 조정되었고, 그리고 SIMO에서 MIMO로 모드전환된 후의 시스템 내부 온도 제어에 대한 것이다.
도 3은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 시스템 내부 온도 제어를 위한 흐름도를 도시하고 있다.
상기 도 3을 참조하면, 시스템은 300단계에서 모니터링 주기 동안에 n번의 횟수만큼 외기온도, RU 온도, DU 온도를 측정한다.
이후, 상기 시스템은 302단계에서 각각 n개 외기온도 측정값, RU 온도 측정값, DU 온도 측정값을 이용하여, 제2 온도조건을 만족하는지 판단한다. 상기 제2 온도조건은 하기 <수학식 2>와 같다.
Figure pat00002
여기서, ENVtemp는 외기 측정 온도, TH_ENVtemp는 외기 임계 온도, RUtemp는 RU 측정 온도이고, TH_RUtemp는 RU 임계 온도이고, DUtemp는 DU 측정 온도이고, TH_DUtemp는 DU 임계 온도이다.
만약 상기 제2 온도조건을 만족할 시, 304단계로 진행하고 상기 제2 온도조건을 만족하지 않을 시, 300단계로 진행한다. 즉, 상기 시스템은 상기 제2 온도조건을 만족할 시 304단계 내지 312단계를 수행하여 상기 도 2에서 수행된 내부온도 조정과 반대로 내부 온도조정을 수행하고, 상기 제2 온도조건을 만족하지 않을 시, 상기 도 2에서의 시스템 내부 온도 제어 상태를 유지한다.
이후, 상기 시스템은 304단계에서 해당 경로에 대해 Tx On하여, SIMO에서 MIMO로 모드전환을 수행한다.
즉, 상기 시스템은
▶ Monitoring 주기 : 20초
- ECM : 20초, 3회 연속 측정 값이 TH_ENVtemp 이하 일 경우
- RU : 20초, 3회 연속 측정 값이 TH_RUtemp 미만일 경우
- DU : 20초, 3회 연속 측정 값이 TH_Dutemp 미만일 경우
예를 들어, 모니터링 주기 20초 동안에, 3회 연속 측정된 ECM 온도가 TH_ENVtemp 이하이거나, 혹은 모니터링 주기 20초 동안에, 3회 연속 측정된 RU 온도가 TH_RUtemp 미만일 경우 그리고 혹은 모니터링 주기 20초 동안에, 3회 연속 측정된 DU 온도가 TH_DUtemp 미만일 경우에, 304단계로 진행하여 모드전환을 수행한다.
이후, 상기 시스템은 306단계에서 모드전환을 수행한 후에도 계속 온도가 하강할 경우(혹은 상기 제2 조건을 만족하는 경우), 308단계로 진행하여 PA 감쇠 값을 조정한다. 반면 서 모드전환을 수행한 후 온도가 상승하는 경우(혹은 상기 제2 조건을 만족하지 않는 경우), 상기 시스템 내부온도 조정을 중단한다.
예를 들어, PA 감쇠 조정은 Tx Atten 값을 1 ~ 4 단계 적용(Atten_0 < Atten_1 < Atten_2 < Atten_3 < Atten_4 )하여 하기와 같이 조정한다.
Atten_4(8dB) -> Atten_3(6dB) -> Atten_2(4dB) -> Atten_1(2dB) -> Atten_0(Origin : 0dB)
이후, 상기 시스템은 310단계에서 PA 감쇠 값을 조정한 후에도 계속 온도가 하강할 경우(혹은 상기 제2 조건을 만족하는 경우), 312단계로 진행하여 RB 수 그리고 PA 입력전압 값 중 적어도 하나 이상을 조정한다. 예를 들면, RB 수 13 RBs가 25 RBs수로 조정되고, PA 입력 전압 25V가 31V로 조정된다. 구현에 따라서, RB 수 및 PA 입력 전압은 단계별(13RBs->15RBs->20RBs->25RBs, 25V->27V->29V->31V)로 조정될 수 있다.
반면, 상기 PA 감쇠 값을 조정한 후 온도가 상승하는 경우(혹은 상기 제2 조건을 만족하지 않는 경우), 상기 시스템 내부온도 조정을 중단한다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 시스템 내부 온도 제어를 위한 흐름도를 도시하고 있다.
상기 도 4를 참조하면, 시스템은 400단계에서 ContinueCount=0으로 설정한다. 상기 ContinueCount 변수는 모니터링 주기 동안에 온도측정 횟수를 위한 카운트 값이다.
이후, 상기 시스템은 402단계에서 GuardTime 변수를 이용하여 모니터링 주기를 확인한다. 즉, 모니터링 주기 동안이면 404단계로 진행하고 모니터링 주기가 종료되면 400단계로 진행하여 ContinueCount=0으로 설정한다.
상기 시스템은 404단계에서 ECM 온도(ENVtemp)를 읽어오고 상기 406단계에서 상기 ECM 온도(ENVtemp)와 ECM 임계온도(TH_ENVtemp)와 비교한다.
만약 상기 ECM 온도(ENVtemp)가 ECM 임계온도(TH_ENVtemp)보다 작을 시 422단계로 진행하고 반면 상기 ECM 온도(ENVtemp)가 ECM 임계온도(TH_ENVtemp)보다 클 시, 408단계로 진행하여 DU 온도(DU temp) 값을 읽어온다.
이후, 상기 시스템은 410단계에서 상기 DU 온도(DU temp)와 DU 임계온도(TH_DUtemp)와 비교하여, 상기 DU 온도(DU temp)가 DU 임계온도(TH_DUtemp)보다 작을 시 412단계로 진행하고 반면 상기 DU 온도(DU temp)가 DU 임계온도(TH_DUtemp)보다 클 시, 416단계로 진행한다.
상기 시스템은 412단계에서 RU 온도(RU temp) 값을 읽어와, 414단계에서 상기 RU 온도(RUtemp)와 RU 임계온도(TH_RUtemp)와 비교한다.
만약 상기 RU 온도(RU temp)가 RU 임계온도(TH_RUtemp)보다 작을 시 422단계로 진행하고 반면 상기 RU 온도(RU temp)가 RU 임계온도(TH_RUtemp)보다 클 시, 416단계로 진행한다.
상기 시스템은 416단계에서 ContinueCount를 하나 증가시킨 후 증가된 ContinueCount이 3보다 큰지 비교하여, 3보다 클 시, 418단계로 진행하여 txAttenReconfigFlag 값이 ON되어 있는지 확인하다. 즉, 상기 시스템은 GuardTime 동안에 3번의 측정온도가 읽어온다.
만약,txAttenReconfigFlag이 ON되어 있을 시 400단계로 진행하고, txAttenReconfigFlag이 OFF되어 있을 시, 420단계로 진행하여 내부 온도를 제어한다. 즉, 상기 시스템은 GuardTIme=30, DefaultTxAtten = txAtten(RUConf), txAtten = ModifiedTxAtten, dbiSetAttribute(RUConf), RuConfiRequest(txAtten), txAttenReconfigFlag=ON을 설정한다.
한편, 상기 시스템은 422단계에서 txAttenReconfigFlag 값이 ON되어 있는지 확인하다. 만약,txAttenReconfigFlag이 ON되어 있을 시 424단계로 진행하고, txAttenReconfigFlag이 OFF되어 있을 시, 400단계로 진행한다. 즉, 상기 시스템은 txAtten = DefaultTxAtten, dbiSetAttribute(RUConf), RuConfiRequest(txAtten), txAttenReconfigFlag=OFF을 설정한다.
한편 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시 예에 관해 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 그러므로 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 아니 되며 후술하는 특허청구의 범위뿐만 아니라 이 특허청구의 범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
100: ECM, 110: RU, 130: DU.

Claims (28)

  1. 시스템 내부 온도 제어 방법에 있어서,
    적어도 하나 이상의 외부온도와 적어도 하나 이상의 내부온도를 측정하는 과정과,
    상기 측정된 외부온도와 내부온도를 임계온도와 비교하여, 제1 온도조건을 만족하는지 확인하는 과정과,
    상기 제1 온도조건을 만족할 시, RB(Resource Block) 개수 또는 전력증폭기(Power Amplifier: PA) 입력전압 중 적어도 하나 이상을 조정하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 RB 개수 그리고 PA 입력전압 중 적어도 하나 이상을 조정한 후, 상기 제1 온도조건을 계속 만족할 시, PA 감쇠(attenuation) 값을 조정하는 과정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 PA 감쇠(attenuation) 값을 조정한 후, 상기 제1 온도조건을 계속 만족할 시, MIMO에서 SIMO로 모드 변환하는 과정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 외부온도는 랙 전면 도어에 인입되는 온도인 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 내부온도는 RF 관련 보드에서 발생하는 열로 인한 온도 그리고 메인보드에서 발생하는 열로 인한 온도 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 적어도 하나 이상의 외부온도와 적어도 하나 이상의 내부온도를 측정하는 과정은,
    감시 주기 동안 n 회수만큼 상기 적어도 하나 이상의 외부온도와 적어도 하나 이상의 내부온도를 측정하는 과정과,
    상기 n 회수만큼 측정된 하나 이상의 외부온도와 적어도 하나 이상의 내부온도 값들에 대한 통계 값을 결정하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 온도조건은 하기 수학식으로 정의되는 것을 특징으로 하는 방법.
    (ENVtemp > TH_ENVtemp) AND [(RUtemp ≥ TH_RUtemp) ] OR (DUtemp ≥ TH_DUtemp)]
    여기서, ENVtemp는 외기 측정 온도, TH_ENVtemp는 외기 임계 온도, RUtemp는 RU 측정 온도이고, TH_RUtemp는 RU 임계 온도이고, DUtemp는 DU 측정 온도이고, TH_DUtemp는 DU 임계 온도임.
  8. 시스템 내부 온도 제어 방법에 있어서,
    적어도 하나 이상의 외부온도와 적어도 하나 이상의 내부온도를 측정하는 과정과,
    상기 측정된 외부온도와 내부온도를 임계온도와 비교하여, 제2 온도조건을 만족하는지 확인하는 과정과,
    상기 제2 온도조건을 만족할 시, SIMO에서 MIMO로 모드 변환하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제 8항에 있어서,
    SIMO에서 MIMO로 모드 변환한 후, 상기 제2 온도조건을 계속 만족할 시, PA 감쇠(attenuation) 값을 조정하는 과정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 PA 감쇠(attenuation) 값을 조정한 후, 상기 제2 온도조건을 계속 만족할 시, RB(Resource Block) 개수 그리고 전력증폭기(Power Amplifier: PA) 입력전압 중 적어도 하나 이상을 조정하는 과정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제 8항에 있어서,
    상기 외부온도는 랙 전면 도어에 인입되는 온도인 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제 8항에 있어서,
    상기 내부온도는 RF 관련 보드에서 발생하는 열로 인한 온도 그리고 메인보드에서 발생하는 열로 인한 온도 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 제 8항에 있어서,
    상기 적어도 하나 이상의 외부온도와 적어도 하나 이상의 내부온도를 측정하는 과정은,
    감시 주기 동안 n 회수만큼 상기 적어도 하나 이상의 외부온도와 적어도 하나 이상의 내부온도를 측정하는 과정과,
    상기 n 회수만큼 측정된 하나 이상의 외부온도와 적어도 하나 이상의 내부온도 값들에 대한 통계 값을 결정하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 제 8항에 있어서,
    상기 제1 온도조건은 하기 수학식으로 정의되는 것을 특징으로 하는 방법.
    (ENVtemp ≤ TH_ENVtemp) OR [(RUtemp < TH_RUtemp) AND (DUtemp < TH_DUtemp)]
    여기서, ENVtemp는 외기 측정 온도, TH_ENVtemp는 외기 임계 온도, RUtemp는 RU 측정 온도이고, TH_RUtemp는 RU 임계 온도이고, DUtemp는 DU 측정 온도이고, TH_DUtemp는 DU 임계 온도임.
  15. 시스템 내부 온도 제어 장치에 있어서,
    적어도 하나 이상의 외부온도와 적어도 하나 이상의 내부온도를 측정하는 센서부와,
    상기 측정된 외부온도와 내부온도를 임계온도와 비교하여, 제1 온도조건을 만족하는지 확인하고,
    상기 제1 온도조건을 만족할 시, RB(Resource Block) 개수 또는 전력증폭기(Power Amplifier: PA) 입력전압 중 적어도 하나 이상을 조정하는 프로세서를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  16. 제 15항에 있어서,
    상기 프로세서는,
    상기 RB 개수 그리고 PA 입력전압 중 적어도 하나 이상을 조정한 후, 상기 제1 온도조건을 계속 만족할 시, PA 감쇠(attenuation) 값을 조정하는 것을 특징으로 하는 장치.
  17. 제 16항에 있어서,
    상기 프로세서는,
    상기 PA 감쇠(attenuation) 값을 조정한 후, 상기 제1 온도조건을 계속 만족할 시, MIMO에서 SIMO로 모드 변환하는 것을 특징으로 하는 장치.
  18. 제 17항에 있어서,
    상기 외부온도는 랙 전면 도어에 인입되는 온도인 것을 특징으로 하는 장치.
  19. 제 15항에 있어서,
    상기 내부온도는 RF 관련 보드에서 발생하는 열로 인한 온도 그리고 메인보드에서 발생하는 열로 인한 온도 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 장치.
  20. 제 15항에 있어서,
    상기 센서부는,
    감시 주기 동안 n 회수만큼 상기 적어도 하나 이상의 외부온도와 적어도 하나 이상의 내부온도를 측정하고,
    상기 프로세서는,
    상기 n 회수만큼 측정된 하나 이상의 외부온도와 적어도 하나 이상의 내부온도 값들에 대한 통계 값을 결정하는 것을 특징으로 하는 장치.
  21. 제 15항에 있어서,
    상기 제1 온도조건은 하기 수학식으로 정의되는 것을 특징으로 하는 장치.
    (ENVtemp > TH_ENVtemp) AND [(RUtemp ≥ TH_RUtemp) ] OR (DUtemp ≥ TH_DUtemp)]
    여기서, ENVtemp는 외기 측정 온도, TH_ENVtemp는 외기 임계 온도, RUtemp는 RU 측정 온도이고, TH_RUtemp는 RU 임계 온도이고, DUtemp는 DU 측정 온도이고, TH_DUtemp는 DU 임계 온도임.
  22. 시스템 내부 온도 제어 장치에 있어서,
    적어도 하나 이상의 외부온도와 적어도 하나 이상의 내부온도를 측정하는 센서부와,
    상기 측정된 외부온도와 내부온도를 임계온도와 비교하여, 제2 온도조건을 만족하는지 확인하고,
    상기 제2 온도조건을 만족할 시, SIMO에서 MIMO로 모드 변환하는 프로세서를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  23. 제 22항에 있어서,
    상기 프로세서는,
    SIMO에서 MIMO로 모드 변환한 후, 상기 제2 온도조건을 계속 만족할 시, PA 감쇠(attenuation) 값을 조정하는 것을 특징으로 하는 장치.
  24. 제 23항에 있어서,
    상기 프로세서는,
    상기 PA 감쇠(attenuation) 값을 조정한 후, 상기 제2 온도조건을 계속 만족할 시, RB(Resource Block) 개수 그리고 전력증폭기(Power Amplifier: PA) 입력전압 중 적어도 하나 이상을 조정하는 것을 특징으로 하는 장치.
  25. 제 23항에 있어서,
    상기 외부온도는 랙 전면 도어에 인입되는 온도인 것을 특징으로 하는 장치.
  26. 제 23항에 있어서,
    상기 내부온도는 RF 관련 보드에서 발생하는 열로 인한 온도 그리고 메인보드에서 발생하는 열로 인한 온도 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 장치.
  27. 제 23항에 있어서,
    상기 센서부는,
    감시 주기 동안 n 회수만큼 상기 적어도 하나 이상의 외부온도와 적어도 하나 이상의 내부온도를 측정하고,
    상기 프로세서는,
    상기 n 회수만큼 측정된 하나 이상의 외부온도와 적어도 하나 이상의 내부온도 값들에 대한 통계 값을 결정하는 것을 특징으로 하는 장치.
  28. 제 23항에 있어서,
    상기 제1 온도조건은 하기 수학식으로 정의되는 것을 특징으로 하는 장치.
    (ENVtemp ≤ TH_ENVtemp) OR [(RUtemp < TH_RUtemp) AND (DUtemp < TH_DUtemp)]
    여기서, ENVtemp는 외기 측정 온도, TH_ENVtemp는 외기 임계 온도, RUtemp는 RU 측정 온도이고, TH_RUtemp는 RU 임계 온도이고, DUtemp는 DU 측정 온도이고, TH_DUtemp는 DU 임계 온도임.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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