KR20120049779A - 발광 장치의 램프 회로 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 커패시터, 정류 유닛, 한류 유닛, 및 발광 장치를 포함하는 발광 장치의 램프 회로를 제공한다. 커패시터는 전기 안정기의 공진 회로의 공진 주파수를 변경시키기 위해 전기 안정기의 램프 홀더에 있는 두 개의 램프 접점에 연결된다. 정류 유닛은 커패시터에 연결되며, 사인 파 전압을 직류 전압으로 정류하기 위해 사용된다. 한류 유닛은 정류 유닛에 연결되어, 직류 전압에 상응하는 직류를 출력한다. 발광 장치는 광원을 발생시키기 위해 한류 유닛과 정류 유닛에 연결된다. 본 발명으로, 발광 장치는 종래의 형광 램프의 램프 홀더에 직접 설치될 수 있다.

Description

발광 장치의 램프 회로{LAMP CIRCUIT OF LIGHT EMITTING DEVICE}
본 발명은 발광 장치의 램프 회로에 관한 것이며, 특히 일반적인 전기 안정기에 있는 공진 회로의 공진 주파수를 변경하기 위해 커패시터를 사용하는 발광 장치의 램프 회로에 관한 것이다.
지난 수십년 동안의 연구와 개발로, 발광 다이오드들(LEDs)과 같은 발광 장치가 크기의 축소, 무 공해, 에너지 절약, 긴 수명, 및 고효율 발광을 얻는데 까지 그 제조 기술이 향상되었다. 최근에 발광 장치는 다양한 응용 분야에서 널리 사용되고 있으며, 점차적으로 일반 형광 램프에 광원으로 사용되고 있다. 현재 투명한 튜브에 배치된 LED 모듈의 구조는 발광 장치들의 램프 구조로서 이용되고 있고, 일반 형광 램프의 터미날 디자인은 램프의 터미날로서 사용되고 있다.
현재 일반적인 빌딩들에 널리 제공된 형광 램프들은 일반 형광 램프들이고, 높은 공진 주파수를 발생시키고 충분히 높은 활성화 전압을 제공하기 위해 그 회로에는 전형적인 전기 안정기가 구비된다. 그러나, LED가 일반 형광 램프에 설치될 때에, 공진에 의해 생성된 높은 활성화 전압은 LED의 붕괴와 연소를 초래하므로, LED가 종래의 전기 안정기를 갖는 일반 형광 램프에 설치되기에는 서로 호환성이 없다. 따라서, LED가 설치될 때에는, 일반 형광 램프에 있는 종래의 전기 안정기는 제거되어야 하며, 램프의 회로는 광을 발생시키기 위해 재배치되어야 한다. 이는 고객들에게 불편을 초래하고 에너지 절약 및 녹색 에너지에 대한 장벽을 야기한다.
그러므로, 발명자는 위에 언급한 발광 장치와 종래의 전기 안정기 사이의 비호환성의 문제을 해결하기 위해 발광 장치의 램프 회로를 발명할 필요성을 인식한다.
본 발명의 목적은 전기 안정기를 갖는 일반 형광 램프의 램프 홀더에 발광 장기가 직접 설치되도록 한 발광 장치의 램프 회로를 제공하는 것이다.
램프 홀더는 제1 램프 접점과 제2 램프 접점을 갖는다. 램프 회로는 커패시터, 정류 유닛, 한류 유닛, 및 발광 장치를 포함하여 이루어진다.
커패시터는 전기 안정기가 고주파수 공진을 발생시키지 않도록 전기 안정기의 공진 회로의 공진 주파수를 변경시키기 위해 제1 램프 접점과 제2 램프 접점의 사이에 연결된다.
정류 유닛은 커패시터에 연결되며, 발광 장치와 호환성이 있는 작동 전압을 출력시키기 위하여 전기 안정기로부터 출력된 사인 파 전압을 정류하여 직류 전압을 발생시키는데 사용된다.
한류 유닛은 정류 유닛에 연결되며, 광원을 발생시키는 발광 장치를 구동시키기 위해 직류 전압에 상응하는 직류를 발생시킨다.
본 발명에 따르면, 발광 장치는 일반 형광 램프의 램프 홀더에 직접적으로 설치될 수 있고, 전기 안정기와 호환성을 갖는다. 본 발명에 따른 발광 장치의 램프 회로의 사용으로, 추가적으로 램프를 구매하거나 전기 안정기를 제거하여 램프의 회로를 재배치할 필요가 없다.
도 1은 종래의 직렬 공진 전기 안정기의 회로 구조의 개략도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 장치의 램프 회로의 개략도이다.
도 3은 직렬 공진 회로의 주파수-전압 관계의 개략도이다.
도 4a는 본 발명의 제1 실시예에 따른 한류 유닛의 개략도이다.
도 4b는 본 발명의 제2 실시예에 따른 한류 유닛의 개략도이다.
도 4c는 본 발명의 제3 실시예에 따른 한류 유닛의 개략도이다.
도 4d는 본 발명의 제4 실시예에 따른 한류 유닛의 개략도이다.
위의 목적들과 그들의 효과들을 달성하기 위해 본 발명에 의해 사용된 기술들은 첨부된 도면들을 참조하여 예들에 의해 아래에서 설명된다.
종래의 직렬 공진 전기 안정기의 회로 구조의 개략도인 도 1을 참조하면, 도면에서, 교류 전원(10)은 안정기 정류 유닛(20)으로 교류 전압을 출력하고, 안정기 정류 유닛(20)에 의해 정류된 직류 전압은 역률 보정기(30)에 공급된다. 이는 에너지 저장 회로가 입력 전력 및 전류파 형상을 변경시키기 위해 에너지를 저장하거나 방출하도록 상이한 전력 부하에 상응하게 스위치들을 제어할 수 있는 직류 변환 회로이다. 적절한 동작으로, 출력 전류의 파 형상과 진폭이 정확하게 제어될 수 있으며, 이에 의해 역률 보정과 전압 안정화를 달성한다. 현재의 역률 보정기는 수 십 내지 수 백 kHz의 범위의 작동 주파수를 가지며, 이는 고조파(harmonic) 왜곡이 거의 존재하지 않도록 억제하고 역률이 1에 근접하도록 하며, 입력 전력과 부하가 상당히 큰 범위에서 변동하도록 허용한다.
역률 보정기(30)에 의해 출력된 직류 전압이 전기 안정기(40)의 공진 컨버터(50)로 공급되며, 여기서 공진 컨버터(50)는 제1 N-타입 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(NMOSFET)(402), 제2 NMOSFET(404), 제1 컨버터 커패시터(C1) 및 제2 컨버터 커패시터(C2)를 포함하여 이루어진다. 제1 NMOSFET(402)는 제1 다이오드(406)에 병렬 연결되어 있으며, 제2 NMOSFET(404)는 제2 다이오드(408)에 병렬 연결되어 있다. 제1 컨버터 커패시터(C1)는 제1 NMOSFET(402)의 드레인과 제2 컨버터 커패시터(C2) 사이에 연결되어 있으며, 제2 컨버터 커패시터(C2)는 제1 컨버터 커패시터(C1)와 제2 NMOSFET(404)의 소스 사이에 연결되어 있다. 공진 컨버터(50)의 두 개의 NMOSFET(402, 404)은 스위치로서 사용되며, 이들은 공진 회로에 구형파 전압을 발생시키기 위해 제1 NMOSFET 게이트 신호(Vgs1)와 제2 NMOSFET 게이트 신호(Vgs2)에 의해 교대로 전도 상태로 구동된다. 제1 컨버터 커패시터(C1)와 제2 컨버터 커패시터(C2)는 필터로서 작용하며 그들이 일정한 전압 공급원으로서 작용하도록 높은 전기용량을 가진다. 제1 NMOSFET 게이트 신호(Vgs1)와 제2 NMOSFET 게이트 신호(Vgs2)의 듀티 사이클들은 일반적으로 50% 대칭이 되도록 설계되며, 단락을 초래시키는 상태인 두 개의 스위치의 전도 상태를 피하기 위해 제1 NMOSFET 게이트 신호(Vgs1)와 제2 NMOSFET 게이트 신호(Vgs2) 사이에 짧은 불감시간(deadtime)이 존재해야 한다. 제1 NMOSFET(402)가 전도 상태에 있을 때, 입력 전압(Vdc)이 제2 NMOSFET(404)의 두 개의 단부 사이에 존재하며, 제2 NMOSFET(404)가 전도 상태에 있을 때, 입력 전압(Vdc)이 제1 NMOSFET(402)의 두 개의 단부 사이에 존재한다. 두 개의 스위치의 구동 신호 사이의 불감시간은 제1 컨버터 커패시터(C1)와 제2 컨버터 커패시터(C2)에 있는 에너지를 방출시키기 위해 사용될 수 있으며, 각각의 스위치는 스위치의 두 개의 단부 사이의 전압이 영으로 떨어질 때에만 전도 상태에 있게 될 것이므로, 영-전압 스위칭이 달성되고 효율이 향상된다.
그러므로, 공진 컨버터(50)는 두 개의 NMOSFET(402, 404)의 활성화 스위칭을 통해 역률 보정기(30)에 의해 출력된 직류 전압을 고주파수 구형파 전압과 부하로 변환시키게 된다. 형광 램프(416)는 전기 안정기(40)의 부하로서 작용하며, 공진 컨버터(50)의 고주파수 스위칭에 의해 공진 회로의 입력 전력으로 고주파수 전압을 출력한다. 인덕터(410)와 안정기 커패시터(412)는 공진 회로를 구성한다. 공진 회로는 두 가지의 기능적인 방식으로 작용한다. 하나는 형광 램프(416)가 켜질 때에 형광 램프(416)의 활성화 전압을 제공하는 것이며, 다른 하나는 형광 램프(416)가 안정된 작동에 있을 때에 적절한 램프 전류를 제공하는 것이다.
일반적으로, 전기 안정기(40)의 전기용량(capacitance)은 약 33~47nF이며, 인덕턴스(inductance)는 약 0.2~0.3mH이다. 아래에 보여진 LC-직렬 연결 공진 회로의 주파수-유도성 리액턴스 관계식에 따르면, 직렬 연결 공진 주파수(f)는 약 50 kHz이다. 이에 비해, 일반 전기 안정기(40)의 통상적인 작동 주파수는 약 20kHz 내지 70kHz이다.
Figure pat00001
본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 장치의 램프 회로의 개략도인 도 2를 참조하면, 이 도면에서, 전기 안정기(40)의 회로 구조와 동작은 도 1의 것과 동일하며, 이에 대한 상세한 설명은 이하 생략한다. 본 실시예에서의 차이는 본 발명의 발광 장치의 램프 회로(80)가 형광 램프(416)를 대체한다는 점에 있다.
본 발명의 램프 회로(80)는 커패시터(414), 정류 유닛(60), 한류 유닛(70), 및 발광 장치(420)를 포함하여 이루어진다. 커패시터(414)는 공진 상태가 존재하지 않도록 전기 안정기(40)의 공진 회로의 등가 임피던스를 변경시키기 위해 전기 안정기(40)의 램프 홀더의 제1 램프 접점(422)과 제2 램프 접점(424) 사이에 연결된다. 본 실시예에서, 공진 회로의 등가 전기용량은 전기 안정기 커패시터(412)와 커패시터(414)의 병렬 연결에 의해 얻어지며, 이 등가 전기용량은 전기 안정기 커패시터(412)의 전기용량 값보다 더 높으며, 이에 따라 전기 안정기(40)에 있는 공진 회로의 공진 주파수가 변경된다. 이와 같은 방식으로, 공진 컨버터(50)의 스위칭 주파수와 공진 회로의 공진 주파수는 상이하게 된다.
정류 유닛(60)은, 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 램프 접점(422)과 제2 램프 접점(424) 사이에 연결되며, 그리고 정류 유닛(60)은 커패시터(414)에 병렬 연결된다. 정류 유닛(60)은 전기 안정기의 사인 파 전압을 직류 전압으로 정류한다. 정류 유닛(60)은 복수의 다이오드들을 포함하는 브리지 정류기일 수 있으며, 각각의 다이오드들은 공진 주파수를 지원하기 위한 고주파수 다이오드이다.
한류 유닛(70)의 입력 터미날(702)은 정류 유닛(60)에 연결되고, 한류 유닛(70)의 출력 터미날(704)은 발광 장치(420)에 연결된다. 한류 유닛(70)은 정류 유닛(60)에 의해 출력된 직류 전압에 상응하는 직류를 발생시킨다. 발광 장치(420)의 다른 단부는 정류 유닛(60)에 연결되며, 받은 직류에 상응하는 광원을 발생시킨다. 발광 장치(420)는 유기 발광 다이오드(OLED), 발광 다이오드 (LED) 또는 전자발광식 발광 장치 중 어느 하나일 수 있으며, 그리고 상기 발광 장치는 복수개 포함될 수 있다.
이 실시예에서, 커패시터(414)와 안정기 커패시터(412)는 병렬 연결되며, 전기 안정기(40)의 등가 전기용량은 전기 안정기 커패시터(412)의 전기용량 값보다 더 높게 된다. 위에서 언급한 주파수-유도성 리액턴스 관계식에 따르면, 공진 회로의 공진 주파수는 원래의 값과 비교하여 감소될 것이다. 본 발명의 발광 장치의 램프 회로(80)에서, 공진 컨버터(50)의 스위칭 주파수와 공진 회로의 공진 주파수는 공진 상태가 존재하지 않도록 상이하다. 그러므로, 발광 장치(420)에 호환성을 갖는 작동 전압은 발광 장치(420)의 붕괴와 연소가 없이 출력될 수 있다.
직렬 공진 회로의 주파수-전압 관계의 개략도인 도 3을 참조하면, 이 도면에서, f1은 부하로서 일반 형광 램프(416)를 가지는 종래의 전기 안정기(40)의 공진 주파수이며, f2는 전기 안정기(40)에 병렬 연결된 본 발명의 발광 장치의 램프 회로의 공진 주파수이다. 본 발명의 램프 회로(80)는 커패시터(414)를 포함하며, 커패시터(414)는 전기 안정기(40)의 안정기 커패시터(412)에 병렬 연결된다. 그러므로, 커패시터(414)와 안정기 커패시터(412)의 병렬 연결에 의해 얻어진 등가 전기용량은 전기 안정기 커패시터(412)의 전기용량 값보다 더 높다. 위에 언급한 주파수-유도성 리액턴스 관계식에 따르면, 공진 회로의 공진 주파수(f2)는 도면에 도시된 것처럼 원래의 값(f1)과 비교하여 감소될 것이다(f2 < f1). 그러므로, 본 발명의 발광 장치의 램프 회로(80)의 작동 주파수는 전기 안정기(40)의 작동 주파수와 오버랩(overlap)되지 않는다.
본 발명의 제1 실시예에 따른 한류 유닛의 개략도인 도 4a를 참조하면, 도면에 도시된 바와 같이, 한류 유닛은 이의 입력 터미날(702)에 연결된 제1 드레인(D), 제1 드레인(D)에 연결된 제1 게이트(G), 및 제1 소스(S)를 포함한 제1 트랜지스터(706)와; 제1 소스(S)와 한류 유닛의 출력 터미날(704) 사이에 연결되는 제1 저항(710)과; 그리고 제1 게이트(G)와 한류 유닛의 입력 터미날(702) 사이에 연결되는 제2 저항(712)을 포함하여 이루어진다. 한류 유닛의 입력 터미날(702)은 정류 유닛(60)에 연결되고, 한류 유닛의 출력 터미날(704)은 발광 장치(420)에 연결된다. 제1 트랜지스터(706)는 전도 상태에 있도록 정류 유닛(60)에 의해 정류된 전압을 받는다. 소스(S)는 게이트(G)와 소스(S) 사이의 전압 강하에 상응하는 안정화된 전류(ID)를 출력하며, 소스(S)로부터 출력된 안정화된 전류(ID)는 제1 트랜지스터(706)의 게이트 전압을 제어하기 위한 전압(VR)을 발생시키기 위해 제1 저항(710)을 통과하게 되며, 이에 따라 한류가 달성된다.
본 발명의 제2 실시예에 따르는 한류 유닛의 개략도인 도 4b를 참조하면, 한류 유닛은 이의 입력 터미날(702)에 연결된 제1 드레인(D), 제2 저항(712)에 연결된 제1 게이트(G), 및 제1 소스(S)를 포함한 제1 트랜지스터(706)와; 제1 소스(S)와 한류 유닛의 출력 터미날(704) 사이에 연결되는 제1 저항(710)과; 제1 게이트(G)에 연결된 제2 드레인(D), 제1 소스(S)에 연결된 제2 게이트(G) 및 한류 유닛의 출력 터미날(704)에 연결된 제2 소스(S)를 포함한 제2 트랜지스터(708)와; 그리고 제1 게이트(G)와 한류 유닛의 입력 터미날(702) 사이에 연결되는 제2 저항(712)을 포함하여 이루어진다. 한류 유닛의 입력 터미날(702)은 정류 유닛(60)에 연결되고, 한류 유닛의 출력 터미날(704)은 발광 장치(420)에 연결된다. 제2 저항(712)은 외부 전원에 연결된 전류 공급원으로서 역할을 하며, 제2 저항(712)을 통과하는 전압에 상응하는 전류를 출력한다. 상기 외부 전원은 정류된 직류 공급원이다. 제1 트랜지스터(706)의 드레인(D)은 상기 외부 전원에 연결되고, 소스(S)는 게이트(G)와 소스(S) 사이의 전압 강하에 상응하는 안정화된 전류(ID)를 출력한다. 제2 트랜지스터(708)는 제1 저항(710)을 통과하는 전압에 따라 제1 트랜지스터(706)의 게이트(G)의 전압을 제어하며, 제2 트랜지스터(708)는 전압 제어 트랜지스터이다. 본 기술 분야에서 통상의 기술을 가진 사람에 의해 알려진 바와 같이, 외부 전원의 전압이 증가할 때에, 제1 트랜지스터(706)의 드레인(D)과 소스(S)를 흐르는 전류가 증가하여, 결국 제1 트랜지스터(706)는 이의 드레인(D)과 소스(S) 사이의 전압에 의해 제어되는 저항으로서 보여질 수 있다. 그러므로, 제1 저항(710)의 전압이 제2 트랜지스터(708)의 게이트(G)와 소스(S) 사이의 증가된 전류(ID)와 증가된 전압으로 인해 증가할 때에, 제2 트랜지스터(708)의 저항은 크게 감소된다. 그러므로, 제1 트랜지스터(706)의 게이트(G)의 전압을 감소시킴으로써, 제1 트랜지스터(706)의 드레인(D)과 소스(S) 사이의 전류(ID)가 제한되고, 한류가 달성될 수 있다.
본 발명의 제3 실시예에 따른 한류 유닛의 개략도인 도 4c를 참조하면, 한류 유닛은 이의 입력 터미날(702)에 연결된 제1 드레인(D), 제2 저항(712)에 연결된 제1 게이트(G), 및 제1 소스(S)를 포함한 제1 트랜지스터(706)와; 제1 소스(S)와 한류 유닛의 출력 터미날(704) 사이에 연결되는 제1 저항(710)과; 제1 게이트(G)에 연결된 제2 드레인(D), 제1 소스(S)에 연결된 제2 게이트(G), 및 한류 유닛의 출력 터미날(704)에 연결된 제2 소스(S)를 포함한 제2 트랜지스터(708)와; 제1 게이트(G)와 한류 유닛의 입력 터미날(702) 사이에 연결되는 제2 저항(712)과; 그리고 제1 저항(710)에 병렬로 연결된 제1 조절 커패시터(714)를 포함하여 이루어진다. 한류 유닛의 입력 터미날(702)은 정류 유닛(60)에 연결되고, 한류 유닛의 출력 터미날(704)은 발광 장치(420)에 연결된다. 이 실시예에서, 회로 구조와 동작은 도 4b의 것과 동일하며, 이하 동일부분에 대한 상세한 설명은 생략된다. 이 실시예에서의 차이는 제1 저항(710)에 병렬로 연결된 제1 조절 커패시터(714)에 있다. 제1 조절 커패시터(714)는 제1 트랜지스터(706)가 전도 상태에 있을 때에 전력 에너지를 저장하며, 이에 따라 제1 저항(710)을 통과하는 전압을 감소시키기 위해 제1 저항(710)에 역방향 바이어스를 제공한다. 그러므로, 제2 트랜지스터(708)의 게이트(G)와 소스(S) 사이의 전압은 감소되며, 제1 트랜지스터(706)를 통해 흐르는 전류는 조절될 수 있다.
본 발명의 제4 실시예에 따른 한류 유닛의 개략도인 도 4d를 참조하면, 한류 유닛은 이의 입력 터미날(702)에 연결된 제1 드레인(D), 제2 저항(712)에 연결된 제1 게이트(G) 및 제1 소스(S)를 포함한 제1 트랜지스터(706)와; 제1 소스(S)와 한류 유닛의 출력 터미날(704) 사이에 연결되는 제1 저항(710)과; 제1 게이트(G)에 연결된 제2 드레인(D), 제1 소스(S)에 연결된 제2 게이트(G), 및 한류 유닛의 출력 터미날(704)에 연결된 제2 소스(S)를 포함한 제2 트랜지스터(708)와; 제1 게이트(G)와 한류 유닛의 입력 터미날(702) 사이에 연결되는 제2 저항(712)과; 제1 저항(710)에 병렬로 연결되는 제1 조절 커패시터(714)와; 그리고 제2 저항(712)에 병렬로 연결되는 제2 조절 커패시터(716)를 포함하여 이루어진다. 한류 유닛의 입력 터미날(702)은 정류 유닛(60)에 연결되고, 한류 유닛의 출력 터미날(704)은 발광 장치(420)에 연결된다. 이 실시예에서, 회로 구조와 동작은 도 4c의 것과 동일하며, 이하 동일부분에 대한 상세한 설명은 생략된다. 이 실시예에서의 차이는 제2 저항(712)에 병렬로 연결된 제2 조절 커패시터(716)에 있다. 제2 조절 커패시터(716)는 제2 트랜지스터(708)가 전도 상태에 있을 때에 전력 에너지를 저장하며, 이에 따라 제2 저항(712)을 통과하는 전압을 감소시키기 위해 제2 저항(712)에 역방향 바이어스를 제공한다. 그러므로, 제1 트랜지스터(706)의 게이트(G)와 드레인(D) 사이의 전압이 감소되며, 제2 트랜지스터(708)를 통해 흐르는 전류가 조절될 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예들이 예들에서 개시된다. 그러나, 예들은 본 발명의 실제 적용 가능 범위에 대한 한정으로 해석되지 말아야 하며, 이와 같이, 본 발명과 첨부된 청구항들의 정신을 벗어나지 않는 모든 변형들과 변경들은 본 발명의 보호 범위와 청구항들 내에 있을 것이다.
40: 전기 안정기 60: 정류 유닛
70: 한류 유닛 80: 램프 회로
414: 커패시터 420: 발광 장치
422: 제1 램프 접점 423: 제2 램프 접점

Claims (8)

  1. 전기 안정기를 가짐과 함께 제1 램프 접점과 제2 램프 접점을 갖는 램프 홀더를 위한 발광 장치의 램프 회로에 있어서,
    상기 제1 램프 접점과 상기 제2 램프 접점 사이에 연결되는 커패시터;
    상기 제1 램프 접점과 상기 제2 램프 접점에 각각 연결되며, 직류 전압을 발생시키기 위해 상기 램프 홀더에 의해 전송된 교류 전압을 받아 정류하는 정류 유닛;
    상기 정류 유닛에 연결되며, 상기 직류 전압에 상응하는 직류를 발생시키는 한류 유닛; 및
    상기 한류 유닛과 상기 정류 유닛 사이에 연결되며, 상기 직류에 상응하는 광원을 발생시키는 발광 장치를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 램프 회로.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 정류 유닛은 브리지 정류기이며, 상기 브리지 정류기는 복수의 고주파수 다이오드들을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 램프 회로.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 한류 유닛은:
    상기 정류 유닛에 연결된 제1 드레인, 상기 제1 드레인에 연결된 제1 게이트, 및 제1 소스를 포함하는 제1 트랜지스터;
    상기 제1 소스와 상기 발광 장치 사이에 연결되는 제1 저항; 및
    상기 제1 게이트와 상기 정류 유닛 사이에 연결되는 제2 저항을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 램프 회로.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 한류 유닛은:
    제2 드레인, 제2 게이트 및 제2 소스를 포함하는 제2 트랜지스터를 더 포함하여 이루어지고, 상기 제2 드레인은 상기 제1 게이트에 연결되고, 상기 제2 게이트는 상기 제1 소스에 연결되고, 그리고 상기 제2 소스는 상기 발광 장치에 연결되는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 램프 회로.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 한류 유닛은 상기 제1 소스와 상기 발광 장치 사이에 연결되는 제1 조절 커패시터를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 램프 회로.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 한류 유닛은 상기 제1 게이트와 상기 정류 유닛 사이에 연결되는 제2 조절 커패시터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 램프 회로.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 발광 장치는 유기 발광 다이오드(OLED), 발광 다이오드(LED) 또는 전자발광식 발광 장치 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 발광 장치의 램프 회로.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 발광 장치는 복수개 포함되는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 램프 회로.
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