KR20120043094A - 전자 소자 내 픽셀을 위한 전기 구동 방식 - Google Patents

전자 소자 내 픽셀을 위한 전기 구동 방식 Download PDF

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Abstract

본 발명은 펄스 전력 공급을 사용하는 발광 소자를 제조하기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다. 펄스 공급은 일정 전력 공급과 비교하여 발광 효율의 더 낮은 초기 강하를 가져온다. 이러한 방법 및 장치는 더욱 균일한 소자 성능을 달성하기 위해 사용되는 번-인과 같은 전통적인 공정을 피한다.

Description

전자 소자 내 픽셀을 위한 전기 구동 방식 {ELECTRICAL DRIVE SCHEME FOR PIXELS IN ELECTRONIC DEVICES}
관련 출원
본 출원은 전체적으로 본 명세서에 참고로 포함된, 2009년 8월 13일자로 출원된 미국 가특허 출원 제61/233,600호로부터 35 U.S.C.§ 119(e) 하에 우선권을 주장한다.
본 발명은 일반적으로 전자 소자에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 발광 효율(luminescent efficiency) 손실을 최소화하는 구동 방식(drive scheme)을 갖는 방법 및 장치에 관한 것이다.
활성 유기 분자는 전자 소자에서 점점 더 사용되고 있다. 이들 활성 유기 분자는 전계발광을 비롯한 전자 또는 전자 방사 특성을 갖는다. 유기 활성 재료를 포함하는 전자 소자는 전기 에너지를 방사선으로 전환하기 위해 사용될 수 있으며, 발광 다이오드, 발광 다이오드 디스플레이, 또는 다이오드 레이저를 포함할 수 있다.
활성 유기 분자를 사용하는 소자의 한 가지 공통적인 특징은 작동한 지 처음 수 시간 내에 휘도(luminance)가 상당히 손실된다는 점으로, 전형적으로 작동한 지 처음 5시간 이내에 5 내지 30%가 손실된다. 상이한 재료들이 다양한 정도의 초기 휘도 손실을 나타내고, 이러한 재료를 사용하는 전자 소자가 이러한 효과를 나타내는 한, 이러한 문제를 해결하려는 노력이 계속되고 있다. 한 가지 해결책은 번-인(burn-in) 공정을 사용하여, 전자 소자가 제조 공정을 완료하기 전에 초기 휘도 강하를 유도하는 것이다. 이러한 "번-인" 공정은 지정된 시간 동안 고온 또는 고전류에서 전자 소자를 작동시켜 요구되는 초기 휘도 강하를 유도함으로써 달성될 수 있다. 번-인 공정의 사용은 적어도 2가지 문제를 야기한다. 하나는 소자 효율의 영구적인 저하이고, 두 번째는 대규모 제조 공정의 경우 더 높은 비용을 야기하는 추가적인 공정 단계가 제조를 위해 필요하다는 점이다.
번-인 공정을 피하여 비용을 감소시키고 효율 손실을 경감하는 대안책이 추구된다. 유기 발광 다이오드 ("OLED") 디스플레이 및 일반 조명과 같은 응용이 이제 막 소비재에 영향을 미치기 시작했으며, 대량 생산이 앞으로 수년 동안 매년 증가할 것이다.
OLED 소자를 제조하는 한 가지 방법은, 유기 활성 재료를 포함하는, 몇몇 층들을 포함하는 별개의 픽셀 영역들을 형성하는 것을 수반한다. 이러한 픽셀은 단일 픽셀일 수 있거나 또는 둘 이상의 서브-픽셀로 구성될 수 있으며, 예를 들어, 디스플레이 응용에서는 적색, 녹색 및 청색 서브-픽셀을 사용하여 단일 픽셀을 형성할 수 있다. 이러한 픽셀은 전형적으로 전력 버스(power bus)에 직접 접속되어 픽셀을 가로지르는 전압 전위 및 그에 따른 발광을 제공한다.
디스플레이 및 램프 응용에서 초기 휘도 강하를 감소시키기 위해 개선된 소자가 계속적으로 요구된다.
일 실시 형태에서, 장치 및 방법은 제1 전극 및 제2 전극을 제공하는데, 전극들 중 하나는 애노드이고 하나의 전극은 캐소드이다. 하기에 더욱 상세히 기재된 유기 활성 재료가 제1 전극 및 제2 전극과 전기 접속부를 형성하여 유닛을 형성한다. 일 실시 형태에서, 이러한 유닛은 픽셀이다. 각각의 픽셀은 2개 이상의 서브-픽셀로부터 형성될 수 있으며, 일 실시 형태에서 적색, 녹색 및 청색 발광 스펙트럼을 갖는 3개의 서브-픽셀이 하나의 픽셀을 형성한다. 전력이 유닛으로 비연속적으로 전달되거나 펄스 형태로 인가된다(pulsed, 펄스화됨). 일 실시 형태에서, 펄스화는 각각의 픽셀, 서브-픽셀, 또는 픽셀의 세트에 대해 별개일 수 있다. 펄스 속도(pulsing rate)는 50 Hz로부터 최대 1,000 Hz까지 변할 수 있으며, 듀티 사이클(duty cycle) 또는 전원이 "ON"인 시간의 백분율은 30 내지 95 %이다. 일 실시 형태에서, 펄스 속도 및 듀티 사이클은 "ON-OFF"의 교번하는 사이클, 또는 수회의 "ON" 사이클에 이어지는 1회 이상의 "OFF" 사이클, 및 언급된 펄스 속도 및 듀티 시간을 제공하는 다양한 다른 조합을 포함하는 다수의 다양한 시나리오(scenario)를 생성할 수 있다.
일 실시 형태에서, 장치 및 방법은 휴대전화, PDA, GPS, 음악 장치, 데스크탑 및 랩탑 컴퓨터와 같은 전자 소자용 디스플레이로서의 유기 발광 다이오드 (OLED)일 수 있다. 다른 실시 형태에서, OLED는 실내 또는 실외 응용에서의 일반 조명 목적을 위한 램프일 수 있다.
일 실시 형태에서, 기재 (예를 들어, 유리)가 전자 소자를 위한 베이스로서 유용하다. 용어 "유기 전자 소자" 또는 때때로 단지 "전자 소자"는 하나 이상의 유기 반도체 층 또는 재료를 포함하는 소자를 의미하고자 하는 것이다. 유기 전자 소자는 (1) 전기 에너지를 방사선으로 변환하는 소자(예를 들어, 발광 다이오드, 발광 다이오드 디스플레이, 다이오드 레이저, 또는 조명 패널), (2) 전자적 공정을 사용하여 신호를 검출하는 소자(예를 들어, 광검출기, 광전도 셀, 포토레지스터, 광스위치, 광트랜지스터, 광전관, 적외선("IR") 검출기, 또는 바이오센서), (3) 방사선을 전기 에너지로 변환하는 소자(예를 들어, 광전지 소자 또는 태양 전지), (4) 하나 이상의 유기 반도체 층을 포함하는 하나 이상의 전자 구성요소를 포함하는 소자(예를 들어, 트랜지스터 또는 다이오드), 또는 항목 (1) 내지 (4)의 소자들의 임의의 조합을 포함하지만 이로 한정되지 않는다.
<도 1>
도 1은 전자 소자를 예시하는 도면.
<도 2>
도 2는 펄스 전력을 생성하는 데 사용되는 파형(waveform)의 일 실시 형태를 예시하는 도면.
<도 3>
도 3은 펄스 전력이 연속 전력 응용과 비교되는 일 실시 형태를 예시하는 도면.
<도 4>
도 4는 연속 전력과 비교한 듀티 사이클의 개선이 초기 휘도 강하 값에 대하여 제공되는 일 실시 형태를 예시하는 도면.
유기 발광 다이오드 ("OLED")를 포함하는 전자 소자의 일례가 도 1에 도시되며 100으로 표시된다. 소자는 애노드 층(110), 완충 층(120), 광활성 층(130), 및 캐소드 층(150)을 갖는다. 캐소드 층(150)에 인접하여 선택적인 전자-주입/수송 층(140)이 있다. 완충 층(120)과 광활성 층(130) 사이에는, 선택적인 정공 주입/수송 층(도시되지 않음)이 있다.
본 명세서에 사용되는 바와 같이, "완충층" 또는 "완충 재료"라는 용어는 전기적 전도성 또는 반전도성 재료를 의미하고자 하는 것으로, 유기 전자 소자에서, 하부 층의 평탄화, 전하 수송 및/또는 전하 주입 특성, 산소 또는 금속 이온과 같은 불순물의 제거, 및 유기 전자 소자의 성능을 증진하거나 개선하는 다른 측면을 포함하지만 이로 한정되지 않는 하나 이상의 기능을 가질 수 있다. 완충 재료는 중합체, 올리고머 또는 소분자일 수 있고, 용액, 분산물, 현탁액, 에멀젼, 콜로이드 혼합물 또는 다른 조성물의 형태일 수 있다. 층, 재료, 부재 또는 구조물을 언급할 때, 용어 "정공 수송"은, 그러한 층, 재료, 부재 또는 구조물이 상대적으로 효율적으로 그리고 적은 전하 손실로 그러한 층, 재료, 부재 또는 구조물의 두께를 통한 양전하의 이동을 용이하게 함을 의미하고자 한다. 층, 재료, 부재, 또는 구조물을 언급할 때, 용어 "전자 수송"은 그러한 층, 재료, 부재, 또는 구조물이 그러한 층, 재료, 부재, 또는 구조물을 통한 다른 층, 재료, 부재, 또는 구조물로의 음전하의 이동을 촉진하거나 용이하게 함을 의미하고자 한다. 층, 재료, 부재, 또는 구조물을 언급할 때, 용어 "정공 주입"은 그러한 층, 재료, 부재, 또는 구조물이 상대적으로 효율적으로 그리고 적은 전하 손실로 그러한 층, 재료, 부재, 또는 구조물의 두께를 통한 양전하의 주입 및 이동을 용이하게 함을 의미하고자 한다. 층, 재료, 부재, 또는 구조물을 언급할 때, 용어 "전자 주입"은 그러한 층, 재료, 부재, 또는 구조물이 상대적으로 효율적으로 그리고 적은 전하 손실로 그러한 층, 재료, 부재, 또는 구조물의 두께를 통하여 음전하의 주입 및 이동을 용이하게 함을 의미하고자 한다.
소자는 애노드 층(110) 또는 캐소드 층(150)에 인접할 수 있는 (도시되지 않은) 지지체 또는 기재를 포함할 수 있다. 더 빈번하게, 지지체는 애노드 층(110)에 인접한다. 지지체는 가요성 또는 강성, 유기 또는 무기일 수 있다. 일반적으로, 유리 또는 가요성 유기 필름이 지지체로서 사용된다. 애노드 층(110)은 캐소드 층(150)에 비해 정공을 주입하는 데 있어서 더 효율적인 전극이다. 애노드는 금속, 혼합 금속, 합금, 금속 산화물 또는 혼합 산화물을 함유한 재료를 포함할 수 있다. 적합한 재료는 11족 원소, 4, 5 및 6족 내의 원소, 8 내지 10족 전이원소 및 2족 원소(즉, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Ra)의 혼합 산화물을 포함한다. 애노드 층(110)이 투광성이 되게 하려면, 12, 13 및 14족 원소의 혼합 산화물, 예를 들어 인듐-주석-산화물을 사용할 수 있다. 본 명세서에 사용되는 바와 같이, 어구 "혼합 산화물"은 2족 원소 또는 12족, 13족 또는 14족 원소로부터 선택된 둘 이상의 상이한 양이온을 갖는 산화물을 말한다. 애노드층(110)을 위한 재료의 일부 비제한적인 특정 예에는 인듐 주석 산화물("ITO"), 알루미늄 주석 산화물, 금, 은, 구리 및 니켈이 포함되지만 이로 한정되지 않는다. 애노드는 또한 폴리아닐린, 폴리티오펜, 또는 폴리피롤과 같은 유기 재료를 포함할 수 있다. IUPAC 번호 체계가 전반적으로 사용되며, 주기율표의 족은 좌에서 우로 1 내지 18로 번호가 매겨진다(문헌[CRC Handbook of Chemistry and Physics, 81st Edition, 2000]).
일 실시 형태에서, 완충 층(120)은 정공 수송 재료를 포함한다. 층(120)을 위한 정공 수송 재료의 예는, 예를 들어, 문헌[Kirk-Othmer Encyclopedia of Chemical Technology, Fourth Edition, Vol. 18, p. 837-860, 1996, by Y. Wang]에 요약되어 있다. 정공 수송 분자 및 중합체 둘 모두가 사용될 수 있다. 통상적으로 사용되는 정공 수송 분자는 하기를 포함하지만 이로 한정되지 않는다: 4,4',4"-트리스(N,N-다이페닐-아미노)-트라이페닐아민 (TDATA); 4,4',4"-트리스(N-3-메틸페닐-N-페닐-아미노)-트라이페닐아민(MTDATA); N,N'-다이페닐-N,N'-비스(3-메틸페닐)-[1,1'-바이페닐]-4,4'-다이아민(TPD); 1,1-비스[(다이-4-톨릴아미노)페닐]사이클로헥산(TAPC); N,N'-비스(4-메틸페닐)-N,N'-비스(4-에틸페닐)-[1,1'-(3,3'-다이메틸)바이페닐]-4,4'-다이아민 (ETPD); 테트라키스-(3-메틸페닐)-N,N,N',N'-2,5-페닐렌다이아민 (PDA); α-페닐-4-N,N-다이페닐아미노스티렌 (TPS); p-(다이에틸아미노)벤즈알데하이드 다이페닐하이드라존 (DEH); 트라이페닐아민 (TPA); 비스[4-(N,N-다이에틸아미노)-2-메틸페닐](4-메틸페닐)메탄 (MPMP); 1-페닐-3-[p-(다이에틸아미노)스티릴]-5-[p-(다이에틸아미노)페닐]피라졸린(PPR 또는 DEASP); 1,2-트랜스-비스(9H-카르바졸-9-일)사이클로부탄(DCZB); N,N,N',N'-테트라키스(4-메틸페닐)-(1,1'-바이페닐)-4,4'-다이아민(TTB); N,N-비스(나프탈렌-1-일)-N,N-비스-(페닐)벤지딘(α-NPB); 및 포피린성 화합물, 예를 들어 구리 프탈로시아닌. 통상 사용되는 정공 수송 중합체는 폴리(9,9,-다이옥틸-플루오렌-코-N-(4-부틸페닐)다이페닐아민) 등, 폴리비닐카르바졸, (페닐메틸)폴리실란, 폴리(다이옥시티오펜), 폴리아닐린, 및 폴리피롤을 포함하지만 이로 한정되지 않는다. 상기 언급한 것들과 같은 정공 수송 분자를 폴리스티렌 및 폴리카르보네이트와 같은 중합체 내로 도핑함으로써 정공 수송 중합체를 수득할 수도 있다.
광활성 층(130)은 전형적으로 소분자 유기 형광 화합물, 형광 및 인광 금속 착물, 공액 중합체(conjugated polymer), 및 그 혼합물을 포함하지만 이로 한정되지 않는 임의의 유기 전계발광("EL") 재료일 수 있다. 형광 화합물의 예에는 피렌, 페릴렌, 루브렌, 쿠마린, 그 유도체, 및 그 혼합물이 포함되지만 이에 한정되지 않는다. 금속 착물의 예에는 금속 킬레이트된(metal chelated) 옥시노이드 화합물, 예를 들어 트리스(8-하이드록시퀴놀라토)알루미늄(Alq3); 고리금속화(cyclometalated) 이리듐 및 백금 전계발광 화합물, 예를 들어, 페트로브(Petrov) 등의 미국 특허 제6,670,645호와 국제특허 공개 WO 03/063555호 및 WO 2004/016710호에 개시된 바와 같은, 페닐피리딘, 페닐퀴놀린, 또는 페닐피리미딘 리간드와의 이리듐의 착물, 및 예를 들어, 국제특허 공개 WO 03/008424호, WO 03/091688호 및 WO 03/040257호에 기재된 유기금속 착물, 및 이들의 혼합물이 포함되지만 이로 한정되지 않는다. 전하 운반 호스트 재료 및 금속 착물을 포함하는 전계발광 방사성 층이 미국 특허 제6,303,238호에서 톰슨(Thompson)에 의해 그리고 PCT 국제 특허 공개 WO 00/70655호 및 WO 01/41512호에서 버로우즈(Burrows) 및 톰슨에 의해 설명되어 있다. 공액 중합체의 예는 폴리(페닐렌비닐렌), 폴리플루오렌, 폴리(스피로바이플루오렌), 폴리티오펜, 폴리(p-페닐렌), 이들의 공중합체, 및 이들의 혼합물을 포함하지만, 이로 한정되지 않는다.
선택되는 특정 재료는 구체적인 응용, 작동 동안 사용되는 전위, 또는 기타 인자에 따라 좌우될 수 있다. 전계발광 유기 재료를 함유하는 EL 층(130)은 증착, 용액 가공 기술 또는 열전사를 비롯한 임의의 많은 기술을 이용하여 적용될 수 있다. 다른 실시 형태에서, EL 중합체 전구체가 적용되고 그 다음 전형적으로 열 또는 외부 에너지(예를 들어, 가시광 또는 UV 방사선)의 다른 공급원에 의해 중합체로 전환될 수 있다.
선택 층(140)은 전자 주입/수송 양자 모두를 용이하게 하는 기능을 할 수 있으며, 또한 층 계면에서 소광 반응(quenching reaction)을 방지하는 구속 층(confinement layer)으로서 작용할 수 있다. 더욱 구체적으로, 층(140)은 전자 이동성을 촉진하고, 그것이 없이 층(130)과 층(150)이 직접 접촉할 경우의 소광 반응의 가능성을 감소시킬 수 있다. 선택 층(140)을 위한 재료의 예에는 금속 킬레이트된 옥시노이드 화합물, 예를 들어, 트리스(8-하이드록시퀴놀라토)알루미늄 (Alq3), 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀라토)(파라-페닐-페놀라토)알루미늄(III) (BAlQ), 및 테트라키스(8-하이드록시퀴놀리나토)지르코늄 (IV) (ZrQ); 및 아졸 화합물, 예를 들어, 2-(4-바이페닐릴)-5-(4-t-부틸페닐)-1,3,4-옥사다이아졸 (PBD), 3-(4-바이페닐릴)-4-페닐-5-(4-t-부틸페닐)-1,2,4-트라이아졸 (TAZ), 및 1,3,5-트라이(페닐-2-벤즈이미다졸)벤젠 (TPBI); 퀴녹살린 유도체, 예를 들어, 2,3-비스(4-플루오로페닐)퀴녹살린; 페난트롤린, 예를 들어, 4,7-다이페닐-1,10-페난트롤린 (DPA) 및 2,9-다이메틸-4,7-다이페닐-1,10-페난트롤린 (DDPA); 및 그 혼합물이 포함되지만 이로 한정되지 않는다. 대안적으로, 선택 층(140)은 무기일 수 있으며, BaO, LiF 또는 Li2O 등을 포함할 수 있다.
캐소드층(150)은 전자 또는 음성 전하 담체의 주입에 특히 효율적인 전극이다. 캐소드층(150)은 제1 전기 접촉 층(이 경우에는 애노드 층(110))보다 더 낮은 일함수(work function)를 가진 임의의 금속 또는 비금속일 수 있다. 본 명세서에서 사용되는 용어 "더 낮은 일함수"는 약 4.4 eV 이하의 일함수를 가진 재료를 의미하고자 한다. 본 명세서에서 사용되는 "더 높은 일함수"는 적어도 대략 4.4 eV의 일함수를 가진 재료를 의미하고자 한다.
캐소드 층을 위한 재료는 1족(예를 들어, Li, Na, K, Rb, Cs)의 알칼리 금속, 2족 금속(예를 들어, Mg, Ca, Ba 등), 12족 금속, 란탄족 원소(예를 들어, Ce, Sm, Eu 등), 및 악티늄족 원소(예를 들어, Th, U 등)로부터 선택될 수 있다. 알루미늄, 인듐, 이트륨 및 그의 조합과 같은 재료 또한 사용될 수 있다. 캐소드 층(150)을 위한 재료의 구체적인 비제한적 예는 바륨, 리튬, 세륨, 세슘, 유로퓸, 루비듐, 이트륨, 마그네슘, 사마륨 및 그의 합금 및 조합을 포함하지만 이에 한정되지 않는다.
다른 실시 형태에서, 추가 층(들)이 유기 전자 소자 내에 존재할 수 있다. 예를 들어, 완충 층(120)과 EL 층(130) 사이의 층(도시되지 않음)이 양전하 수송, 층들의 밴드 갭 매칭, 보호층으로서의 기능 등을 촉진할 수 있다. 유사하게, EL 층(130)과 캐소드 층(150) 사이의 추가 층(도시되지 않음)이 음전하 수송, 층들 사이의 밴드 갭 매칭, 보호층으로서의 기능 등을 촉진할 수 있다. 당업계에 알려진 층이 사용될 수 있다. 또한, 상기 설명된 층들 중 임의의 것은 둘 이상의 층으로 제조될 수 있다. 대안적으로, 무기 애노드 층(110), 완충 층(120), EL 층(130), 및 캐소드 층(150)의 일부 또는 전부는 표면 처리되어 전하 캐리어 수송 효율을 증가시킬 수 있다. 성분 층의 각각을 위한 재료의 선택은 높은 소자 효율을 가진 소자를 제공하는 목표를 제조 비용, 제조 복잡성, 또는 잠재적인 기타 인자와 균형을 맞춤으로써 결정될 수 있다.
상이한 층들은 임의의 적합한 두께를 가질 수 있다. 일 실시 형태에서, 무기 애노드 층(110)은 통상적으로 대략 500 ㎚ 이하, 예를 들어 대략 10 내지 200 ㎚이며; 완충 층(120)은 통상적으로 대략 250 ㎚ 이하, 예를 들어, 대략 50 내지 200 ㎚이며; EL 층(130)은 통상적으로 대략 100 ㎚ 이하, 예를 들어, 대략 50 내지 80 ㎚이며; 선택 층(140)은 통상적으로 대략 100 ㎚ 이하, 예를 들어, 대략 20 내지 80 ㎚이며; 캐소드 층(150)은 통상적으로 대략 100 ㎚ 이하, 예를 들어, 대략 1 내지 50 ㎚이다. 애노드 층(110) 또는 캐소드 층(150)이 적어도 약간의 광을 투과시킬 필요가 있다면, 그러한 층의 두께는 대략 100 ㎚를 초과하지 않을 수 있다. 유기 발광 다이오드(OLED)에서, 각각 캐소드(150)와 애노드(110)로부터 EL 층(130) 내로 주입된 전자와 정공이 중합체에서 음전하 극성 이온 및 양 전하 극성 이온을 형성한다. 이들 극성 이온은 인가된 전기장의 영향 하에서 이동하여, 반대 전하 종과 극성 이온 여기자를 형성하고 이어서 방사선 재조합을 거친다. 애노드와 캐소드 사이의 충분한 전위차, 통상적으로 대략 12 볼트 미만, 그리고 많은 경우에는 대략 5 볼트 이하가 소자에 인가될 수 있다. 실제 전위차는 더 큰 전자 요소 내의 소자의 용도에 의존할 수 있다. 많은 실시 형태에서, 애노드 층(110)은 양 전압으로 바이어스되고 캐소드 층(150)은 전자 소자의 작동 동안 실질적으로 접지 전위 또는 0 볼트이다. 배터리 또는 다른 전원(들)이 회로의 일부로서 전자 소자에 전기적으로 연결될 수 있으나 도 1에 도시되지는 않는다.
도 2는 펄스 전력을 제공하는 데 사용되는 파형의 두 실시 형태를 나타낸다. 일 실시 형태에서, OFF 기간은 0의 전압으로서 특징지워질 수 있다. 다른 실시 형태에서, OFF 기간은 음의 전압, 예를 들어, -5 볼트에 의해 특징지워질 수 있다. 전형적인 OFF 전압은 0 내지 -8 볼트일 수 있다. 공급되는 전류는 원하는 발광 세기를 제공하도록 임의의 값일 수 있으며, 실시 형태들에서는, 전류가 160 ㎃/㎠인 것으로 나타나있다. 전형적인 주파수 범위는 50 내지 1000 Hz이며, 이때 듀티 사이클은 30 내지 95%의 범위이다.
도 3은 연속 전력 공급이라고도 불리는 직류 전력 공급 및 펄스 시스템과 관련된 초기 휘도 강하의 차이의 일례를 나타낸다. 픽셀들 사이의 변동(variation)을 최소화하기 위해 단일 기재를 사용하면서, 직류(DC)를 하나의 픽셀에 공급하고 100 Hz 및 95% 듀티 사이클의 펄스 전류를 두 번째 픽셀에 공급한다. ON 상태에 있는 동안 픽셀은 둘 모두 160 ㎃/㎠를 받는다. 도 3의 동그라미 친 부분에 나타낸, 작동한 지 처음 20시간에서의 차이는 펄스형 장치(pulsed arragement)에서 휘도의 초기 강하가 더 작으며 후속 작동 시간 동안 더 높은 휘도가 유지됨을 입증한다. 펄스형 시스템에 대한 시간 축을 조정하여, 직류 시스템 및 펄스형 시스템에 대한 ON 시간을 균둥하게 한다.
도 4는 하나의 기재 상의 몇몇 픽셀들을 사용한 성능 측정에 대해, 도 3에서 논의된 비교를 수회 반복한 것을 나타낸다. T97 및 T70은 각각 초기 휘도의 97% 및 초기 휘도의 70%의 경우의 픽셀 휘도의 차이를 나타낸다. 초기 강하의 크기는 작동의 제1 단계 동안 가장 크며, T97 결과에 의해 나타난 바와 같이, 직류 작동과 펄스 작동 사이의 차이가 또한 이 단계에서 가장 크다. 펄스형 구동 데이터는 연속 전력 응용에서보다 더 낮은 초기 휘도 강하 값을 나타내어, 2 내지 10배의 성능 개선을 갖는다. 또한, 펄스형 구동 방식을 사용하면 다량 제조에 번-인이 필요하지 않아서 시간 및 비용이 절약된다.
방사선 방출 유기 활성 층의 경우, 적합한 방사선 방출 재료는 하나 이상의 소분자 재료, 하나 이상의 중합체 재료, 또는 그 조합을 포함한다. 소분자 재료는, 예를 들어, 미국 특허 제4,356,429호 ("탕(Tang)"); 미국 특허 제4,539,507호 ("반 슬리케(Van Slyke)"); 미국 특허 츨원 공개 제2002/0121638호 ("그루신(Grushin)"); 또는 미국 특허 제6,459,199호 ("키도(Kido)")에 기재된 것 중 임의의 하나 이상을 포함할 수 있다. 대안적으로, 중합체 재료는 미국 특허 제5,247,190호 ("프렌드(Friend)"); 미국 특허 제5,408,109호 ("히거(Heeger)"); 또는 미국 특허 제5,317,169호 ("나카노(Nakano)")에 기재된 것 중 임의의 하나 이상을 포함할 수 있다. 예시적 재료는 반전도성 공액 중합체이다. 그러한 중합체의 예는 폴리(파라페닐렌비닐렌)(PPV), PPV 공중합체, 폴리플루오렌, 폴리페닐렌, 폴리아세틸렌, 폴리알킬티오펜, 폴리(n-비닐카르바졸)(PVK) 등을 포함한다. 구체적인 일 실시 형태에서, 임의의 게스트(guest) 재료가 없는 방사선 방출 활성 층이 청색 광을 방출할 수 있다.
방사선 응답성 유기 활성층의 경우, 적합한 방사선 응답성 재료는 공액 중합체 또는 전계발광 재료를 포함할 수 있다. 그러한 재료는, 예를 들어 공액 중합체 또는 전계발광 및 광발광 재료를 포함한다. 구체적인 예는 폴리(2-메톡시,5-(2-에틸-헥실옥시)-1,4-페닐렌 비닐렌) ("MEH-PPV"), 또는 CN-PPV를 갖는 MEH-PPV 복합체를 포함한다.
정공 주입 층, 정공 수송 층, 전자 차단 층, 또는 그의 임의의 조합을 위해, 적합한 재료에는 폴리아닐린 ("PANI"), 폴리(3,4-에틸렌다이옥시티오펜) ("PEDOT"), 폴리피롤, 유기 전하 전달 화합물, 예를 들어, 테트라티아풀발렌 테트라시아노퀴노다이메탄 ("TTF-TCQN"), 키도(Kido)에 기재된 바와 같은 정공 수송 재료, 또는 그의 임의의 조합이 포함된다.
전자 주입 층, 전자 수송 층, 정공 차단 층, 또는 그의 임의의 조합을 위해, 적합한 재료에는 금속 킬레이트된 옥시노이드 화합물 (예를 들어, Alq3 또는 알루미늄(III)비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)4-페닐페놀레이트 ("BAlq")); 페난트롤린계 화합물 (예를 들어, 2,9-다이메틸-4,7-다이페닐-1,10-페난트롤린 ("DDPA") 또는 9,10-다이페닐안트라센 ("DPA")); 아졸 화합물 (예를 들어, 2-tert-부틸페닐-5-바이페닐-1,3,4-옥사다이아졸 ("PBD") 또는 3-(4-바이페닐)-4-페닐-5-(4-t-부틸페닐)-1,2,4-트라이아졸 ("TAZ"); 키도에 기재된 바와 같은 전자 수송 재료; 다이페닐안트라센 유도체; 다이나프틸안트라센 유도체; 4,4-비스(2,2-다이페닐-에텐-1-일)-바이페닐 ("DPVBI"); 9,10-다이-베타-나프틸안트라센; 9,10-다이-(나펜틸)안트라센; 9,10-다이-(2-나프틸)안트라센 ("ADN"); 4,4'-비스(카르바졸-9-일)바이페닐 ("CBP"); 9,10-비스-[4-(2,2-다이페닐비닐)-페닐]-안트라센 ("BDPVPA"); 안트라센, N-아릴벤즈이미다졸 (예를 들어, "TPBI"); 1,4-비스[2-(9-에틸-3-카르바조일)비닐레닐]벤젠; 4,4'-비스[2-(9-에틸-3-카르바조일)비닐레닐]-1,1'-바이페닐; 9,10-비스[2,2-(9,9-플루오레닐렌)비닐레닐]안트라센; 1,4-비스[2,2-(9,9-플루오레닐렌)비닐레닐]벤젠; 4,4'-비스[2,2-(9,9-플루오레닐렌)비닐레닐]-1,1'-바이페닐; 페릴렌, 치환된 페릴렌; 테트라-tert-부틸페릴렌 ("TBPe"); 비스(3,5-다이플루오로-2-(2-피리딜)페닐-(2-카르복시피리딜) 이리듐 III ("F(Ir)Pic"); 피렌, 치환된 피렌; 스티릴아민; 플루오르화 페닐렌; 옥시다졸;1,8-나프탈이미드; 폴리퀴놀린; PPV 내의 하나 이상의 탄소 나노튜브; 또는 그의 임의의 조합이 포함된다.
저항기, 트랜지스터, 커패시터 등과 같은 전자 구성요소의 경우, 유기 층은 하나 이상의 티오펜(예를 들어, 폴리티오펜, 폴리(알킬티오펜), 알킬티오펜, 비스(다이티엔티오펜), 알킬안트라다이티오펜, 등), 폴리아세틸렌, 펜타센, 프탈로시아닌, 또는 그의 임의의 조합 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
유기 염료의 예는 4-다이시안메틸렌-2-메틸-6-(p-다이메틸아미노스티릴)-4H-피란(DCM), 쿠마린, 피렌, 페릴렌, 루브렌, 그 유도체, 또는 그의 임의의 조합을 포함한다.
유기금속 재료의 예는 적어도 하나의 금속에 배위된 하나 이상의 작용기를 포함하는 작용화된 중합체를 포함한다. 사용을 위해 고려되는 예시적인 작용기는 카르복실산, 카르복실산 염, 설폰산 기, 설폰산 염, OH 부분을 가진 기, 아민, 이민, 다이이민, N-옥사이드, 포스핀, 포스핀 옥사이드, β-다이카르보닐 기, 또는 그의 임의의 조합을 포함한다. 사용을 위해 고려되는 예시적인 금속은 란탄계 금속(예를 들어, Eu, Tb), 7족 금속(예를 들어, Re), 8족 금속(예를 들어, Ru, Os), 9족 금속(예를 들어, Rh, Ir), 10족 금속(예를 들어, Pd, Pt), 11족 금속(예를 들어, Au), 12족 금속(예를 들어, Zn), 13족 금속(예를 들어, Al), 또는 그의 임의의 조합을 포함한다. 그러한 유기금속 재료는 금속 킬레이트된 옥시노이드 화합물, 예를 들어, 트리스(8-하이드록시퀴놀라토)알루미늄 (Alq3); 고리금속화(cyclometalated) 이리듐 또는 백금 전계발광 화합물, 예를 들어, 국제특허 출원 공개 WO 02/02714호에 개시된 바와 같은 페닐피리딘, 페닐퀴놀린, 또는 페닐피리미딘 리간드와 이리듐의 착물, 예를 들어 미국 특허 출원 공개 제2001/0019782호, 유럽 특허 출원 공개 제1191612호, 국제 특허 공개 WO 02/15645호 및 WO 02/31896호, 및 유럽 특허 출원 공개 EP 1191614호에 개시된 유기금속 착물; 또는 그의 임의의 혼합물을 포함한다.
공액 중합체의 예는 폴리(페닐렌비닐렌), 폴리플루오렌, 폴리(스피로바이플루오렌), 그 공중합체, 또는 그의 임의의 조합을 포함한다.
액체 매질의 선택이 또한 액체 조성물의 하나 이상의 적합한 특성을 달성하는 데 있어서 중요한 인자일 수 있다. 액체 매질을 선택할 때 고려되는 인자는, 예를 들어 생성되는 용액, 에멀젼, 현탁액 또는 분산물의 점도, 중합체 재료의 분자량, 고형물 로딩, 액체 매질의 유형, 액체 매질의 비점, 하부 기재의 온도, 게스트 재료를 수용하는 유기층의 두께, 또는 그의 임의의 조합을 포함한다.
일부 실시 형태에서, 액체 매질은 적어도 하나의 용매를 포함한다. 예시적인 유기 용매는 할로겐화된 용매, 탄화수소 용매, 방향족 탄화수소 용매, 에테르 용매, 환형 에테르 용매, 알코올 용매, 글리콜 용매, 글리콜 에테르 용매, 에스테르 또는 다이에스테르 용매, 글리콜 에테르 에스테르 용매, 케톤 용매, 니트릴 용매, 설폭사이드 용매, 아미드 용매, 또는 그의 임의의 조합을 포함한다.
예시적인 할로겐화된 용매는 사염화탄소, 염화메틸렌, 클로로포름, 테트라클로로에틸렌, 클로로벤젠, 비스(2-클로로에틸)에테르, 클로로메틸 에틸 에테르, 클로로메틸 메틸 에테르, 2-클로로에틸 에틸 에테르, 2-클로로에틸 프로필 에테르, 2-클로로에틸 메틸 에테르, 또는 그의 임의의 조합을 포함한다.
예시적인 콜로이드 형성 중합체 산은 플루오르화된 설폰산(예를 들어, 퍼플루오르화된 에틸렌설폰산과 같은 플루오르화된 알킬설폰산), 또는 그의 임의의 조합을 포함한다.
예시적인 탄화수소 용매는 펜탄, 헥산, 사이클로헥산, 헵탄, 옥탄, 데카하이드로나프탈렌, 석유 에테르, 리그로인, 또는 그의 임의의 조합을 포함한다.
예시적인 방향족 탄화수소 용매는 벤젠, 나프탈렌, 톨루엔, 자일렌, 에틸 벤젠, 쿠멘 (아이소-프로필 벤젠) 메시틸렌 (트라이메틸 벤젠), 에틸 톨루엔, 부틸 벤젠, 시멘 (아이소-프로필 톨루엔), 다이에틸벤젠, 아이소-부틸 벤젠, 테트라메틸 벤젠, sec-부틸 벤젠, tert-부틸 벤젠, 아니솔, 4-메틸아니솔, 3,4-다이메틸아니솔, 또는 그의 임의의 조합을 포함한다.
예시적인 에테르 용매는 다이에틸 에테르, 에틸 프로필 에테르, 다이프로필 에테르, 다이아이소프로필 에테르, 다이부틸 에테르, 메틸 t-부틸 에테르, 글라임, 다이글라임, 벤질 메틸 에테르, 아이소크로만, 2-페닐에틸 메틸 에테르, n-부틸 에틸 에테르, 1,2-다이에톡시에탄, sec-부틸 에테르, 다이아이소부틸 에테르, 에틸 n-프로필 에테르, 에틸 아이소프로필 에테르, n-헥실 메틸 에테르, n-부틸 메틸 에테르, 메틸 n-프로필 에테르, 또는 그의 임의의 조합을 포함한다.
예시적인 환형 에테르 용매는 테트라하이드로푸란, 다이옥산, 테트라하이드로피란, 4 메틸-1,3-다이옥산, 4-페닐-1,3-다이옥산, 1,3-다이옥솔란, 2-메틸-1,3-다이옥솔란, 1,4-다이옥산, 1,3-다이옥산, 2,5-다이메톡시테트라하이드로푸란, 2,5-다이메톡시-2,5-다이하이드로푸란, 또는 그의 임의의 조합을 포함한다.
예시적인 알코올 용매는 메탄올, 에탄올, 1-프로판올, 2-프로판올, 1-부탄올, 2-부탄올, 2-메틸-1-프로판올(즉, 아이소-부탄올), 2-메틸-2-프로판올(즉, tert-부탄올), 1-펜탄올, 2-펜탄올, 3-펜탄올, 2,2-다이메틸-1-프로판올, 1-헥산올, 사이클로펜탄올, 3-메틸-1-부탄올, 3-메틸-2-부탄올, 2-메틸-1-부탄올, 2,2-다이메틸-1-프로판올, 3-헥산올, 2-헥산올, 4-메틸-2-펜탄올, 2-메틸-1-펜탄올, 2-에틸부탄올, 2,4-다이메틸-3-펜탄올, 3-헵탄올, 4-헵탄올, 2-헵탄올, 1-헵탄올, 2-에틸-1-헥산올, 2,6-다이메틸-4-헵탄올, 2-메틸사이클로헥산올, 3-메틸사이클로헥산올, 4-메틸사이클로헥산올, 또는 그의 임의의 조합을 포함한다.
글리콜 에테르 용매가 또한 사용될 수 있다. 예시적인 글리콜 에테르 용매는 1-메톡시-2-프로판올, 2-메톡시에탄올, 2-에톡시에탄올, 1-메톡시-2-부탄올, 에틸렌 글리콜 모노아이소프로필 에테르, 1-에톡시-2-프로판올, 3-메톡시-1-부탄올, 에틸렌 글리콜 모노아이소부틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노-n-부틸 에테르, 3-메톡시-3-메틸부탄올, 에틸렌 글리콜 모노-tert-부틸 에테르, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르(PGME), 다이프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르(DPGME), 또는 그의 임의의 조합을 포함한다.
예시적인 글리콜 용매는 에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 또는 그의 임의의 조합을 포함한다.
예시적인 글리콜 에테르 에스테르 용매는 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트(PGMEA)를 포함한다.
예시적인 케톤 용매는 아세톤, 메틸에틸 케톤, 메틸 아이소-부틸 케톤, 사이클로헥산온, 아이소프로필 메틸 케톤, 2-펜탄온, 3-펜탄온, 3-헥산온, 다이아이소프로필 케톤, 2-헥산온, 사이클로펜탄온, 4-헵탄온, 아이소-아밀 메틸 케톤, 3-헵탄온, 2-헵탄온, 4-메톡시-4-메틸-2-펜탄온, 5-메틸-3-헵탄온, 2-메틸사이클로헥산온, 다이아이소부틸 케톤, 5-메틸-2-옥탄온, 3-메틸사이클로헥산온, 2-사이클로헥센-1-온, 4-메틸사이클로헥산온, 사이클로헵탄온, 4-tert-부틸사이클로헥산온, 아이소포론, 벤질 아세톤, 또는 그의 임의의 조합을 포함한다.
예시적인 니트릴 용매는 아세토니트릴, 아크릴로니트릴, 트라이클로로아세토니트릴, 프로피오니트릴, 피발로니트릴, 아이소부티로니트릴, n-부티로니트릴, 메톡시아세토니트릴, 2-메틸부티로니트릴, 아이소발레로니트릴, N-발레로니트릴, n-카프로니트릴, 3-메톡시프로피오니트릴, 3-에톡시프로피오니트릴, 3,3'-옥시다이프로피오니트릴, n-헵탄니트릴, 글리콜로니트릴, 벤조니트릴, 에틸렌 시아노하이드린, 석시노니트릴, 아세톤 시아노하이드린, 3-n-부톡시프로피오니트릴, 또는 그의 임의의 조합을 포함한다.
예시적인 설폭사이드 용매는 다이메틸 설폭사이드, 다이-n-부틸 설폭사이드, 테트라메틸렌 설폭사이드, 메틸 페닐 설폭사이드, 또는 그의 임의의 조합을 포함한다.
예시적인 아미드 용매는 다이메틸 포름아미드, 다이메틸 아세트아미드, 아실아미드, 2-아세트아미도에탄올, N,N-다이메틸-m-톨루아미드, 트라이플루오로아세트아미드, N,N-다이메틸아세트아미드, N,N-다이에틸도데칸아미드, 입실론-카프로락탐, N,N-다이에틸아세트아미드, N-tert-부틸포름아미드, 포름아미드, 피발아미드, N-부티르아미드, N,N-다이메틸아세토아세트아미드, N-메틸 포름아미드, N,N-다이에틸포름아미드, N-포르밀에틸아민, 아세트아미드, N,N-다이아이소프로필포름아미드, 1-포르밀피페리딘, N-메틸포름아니리드, 또는 그의 임의의 조합을 포함한다.
고려되는 크라운 에테르는 본 발명에 따라 처리되는 조합의 일부로서 에폭시 화합물 출발 재료의 염화물 함량의 감소를 돕기 위해 작용할 수 있는 임의의 하나 이상의 크라운 에테르를 포함한다. 예시적인 크라운 에테르에는 벤조-15-크라운-5; 벤조-18-크라운-6; 12-크라운-4; 15-크라운-5; 18-크라운-6; 사이클로헥사노-15-크라운-5; 4',4"(5")-다이tert-부틸다이벤조-18-크라운-6; 4',4"(5")-다이tert-부틸다이사이클로헥사노-18-크라운-6; 다이사이클로헥사노-18-크라운-6; 다이사이클로헥사노-24-크라운-8; 4'-아미노벤조-15-크라운-5; 4'-아미노벤조-18-크라운-6; 2-(아미노메틸)-15-크라운-5; 2-(아미노메틸)-18-크라운-6; 4'-아미노-5'-니트로벤조-15-크라운-5; 1-아자-12-크라운-4; 1-아자-15-크라운-5; 1-아자-18-크라운-6; 벤조-12-크라운-4; 벤조-15-크라운-5; 벤조-18-크라운-6; 비스((벤조-15-크라운-5)-15-일메틸)피멜레이트; 4-브로모벤조-18-크라운-6; (+)-(18-크라운-6)-2,3,11,12-테트라-카르복실산; 다이벤조-18-크라운-6; 다이벤조-24-크라운-8; 다이벤조-30-크라운-10; ar-ar'-다이-tert-부틸다이벤조-18-크라운-6; 4'-포르밀벤조-15-크라운-5; 2-(하이드록시메틸)-12-크라운-4; 2-(하이드록시메틸)-15-크라운-5; 2-(하이드록시메틸)-18-크라운-6; 4'-니트로벤조-15-크라운-5; 폴리-[(다이벤조-18-크라운-6)-코-포름알데하이드]; 1,1-다이메틸실라-11-크라운-4; 1,1-다이메틸실라-14-크라운-5; 1,1-다이메틸실라-17-크라운-5; 사이클람; 1,4,10,13-테트라티아-7,16-다이아자사이클로옥타데칸; 포르핀; 또는 그의 임의의 조합이 포함된다.
다른 실시 형태에서, 액체 매질은 물을 포함한다. 수불용성 콜로이드 형성 중합체 산과 복합된 전도성 중합체는 기재 위에 침착되어 전자 수송층으로 사용될 수 있다.
많은 상이한 부류의 액체 매질(예를 들어, 할로겐화된 용매, 탄화수소 용매, 방향족 탄화수소 용매, 물 등)이 상기에 기재되어 있다. 상이한 부류로부터의 액체 매질 중 하나 초과의 혼합물이 또한 사용될 수 있다.
액체 조성물은 또한 결합제 물질, 충전제 물질, 또는 그 조합과 같은 불활성 물질을 포함할 수 있다. 액체 조성물과 관련하여, 불활성 물질은 액체 조성물의 적어도 일부에 의해 형성되거나 적어도 일부를 수용하는 층의 전자적 특성, 방사선 방출 특성, 또는 방사선 응답 특성에 크게 영향을 미치지 않는다.
명확함을 위해 별개의 실시 형태들과 관련하여 상기된 본 발명의 소정 특징부가 조합되어 단일 실시 형태로 또한 제공될 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 역으로, 간결성을 위하여 단일 실시 형태의 맥락에서 설명되는 본 발명의 다양한 특징이 또한 별도로 또는 임의의 하위조합으로 제공될 수 있다. 또한, 범위로 기재된 값의 언급은 그러한 범위 내의 각각의 모든 값을 포함한다.

Claims (14)

  1. 제1 전극을 제공하는 단계;
    제2 전극을 제공하는 단계;
    유기 활성 재료를 제공하는 단계;
    유기 활성 재료를 제1 전극과 제2 전극에 접속시켜 유닛(unit)을 형성하는 단계; 및
    전력을 유닛에 펄스 형태로 인가하는(pulsing) 단계를 포함하는, 전자 소자를 작동시키는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 펄스 속도(pulsing rate)는 50 ㎐ 내지 1,000 ㎐인 방법.
  3. 제2항에 있어서, 듀티 사이클(duty cycle)은 30% 내지 95%인 방법.
  4. 제3항에 있어서, 유닛은 픽셀인 방법.
  5. 제3항에 있어서, 유닛은 서브-픽셀인 방법.
  6. 제1 전극;
    제2 전극;
    제1 전극과 제2 전극에 전기 접속되어 유닛을 형성하는 유기 활성 재료; 및
    유닛으로의 펄스 전력의 공급원을 포함하는 전자 소자.
  7. 제6항에 있어서, OLED 디스플레이인 전자 소자.
  8. 제6항에 있어서, OLED 램프인 전자 소자.
  9. 제1 전극을 제공하는 단계;
    제2 전극을 제공하는 단계;
    유기 활성 재료를 제공하는 단계;
    유기 활성 재료를 제1 전극과 제2 전극에 접속시켜 픽셀을 형성하는 단계; 및
    픽셀로의 펄스 전력의 공급원을 제공하는 단계를 포함하는, OLED 소자를 제조하는 방법.
  10. 제9항에 있어서, 전력은 50 ㎐ 내지 1,000 ㎐의 속도로 펄스화되는 방법.
  11. 제10항에 있어서, 듀티 사이클은 30% 내지 95%인 방법.
  12. 제11항에 있어서, 픽셀은 서브-픽셀인 방법.
  13. 제9항에 있어서, OLED 소자는 OLED 디스플레이인 방법.
  14. 제9항에 있어서, OLED 소자는 OLED 램프인 방법.
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