KR20120037738A - Organic electro luminescent device - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: An organic electroluminescent device is provided to improve luminous efficiency by maximizing total reflection due to a refractive index. CONSTITUTION: A switching thin film transistor and a driving thin film transistor are formed on each pixel region of a first substrate(110). A protection layer(140) covers the switching tin film transistor and the driving thin film transistor. An organic electroluminescent diode(101) is connected to a drain electrode(136) of the driving thin film transistor on the upper side of the protection layer. A second substrate(170) faces the first substrate. A seal pattern is interposed into a non-display region between the first substrate and the second substrate.

Description

유기전계 발광소자{Organic electro luminescent device} Organic electroluminescent device

본 발명은 유기전계 발광소자(Organic electroluminescent device)에 관한 것이며, 광효율을 극대화 시킬 수 있는 유기전계 발광소자에 관한 것이다.
The present invention relates to an organic electroluminescent device, and to an organic electroluminescent device capable of maximizing light efficiency.

평판 디스플레이(FPD ; Flat Panel Display)중 하나인 유기전계 발광소자는 높은 휘도와 낮은 동작 전압 특성을 갖는다. 또한 스스로 빛을 내는 자체발광형이기 때문에 명암대비(contrast ratio)가 크고, 초박형 디스플레이의 구현이 가능하며, 응답시간이 수 마이크로초(㎲) 정도로 동화상 구현이 쉽고, 시야각의 제한이 없으며 저온에서도 안정적이고, 직류 5 내지 15V의 낮은 전압으로 구동하므로 구동회로의 제작 및 설계가 용이하다.The organic light emitting diode, which is one of the flat panel displays (FPDs), has high luminance and low operating voltage characteristics. In addition, the self-luminous self-illuminating type provides high contrast ratio, enables ultra-thin display, easy response time with several microsecond response time, no restriction on viewing angle, and stable at low temperatures. Since it is driven at a low voltage of 5 to 15V DC, it is easy to manufacture and design a driving circuit.

또한 상기 유기전계 발광소자의 제조공정은 증착(Deposition) 및 인캡슐레이션(encapsulation) 장비가 전부라고 할 수 있기 때문에 제조 공정이 매우 단순하다. In addition, the manufacturing process of the organic light emitting device is very simple because the deposition (deposition) and encapsulation (encapsulation) equipment is all.

이러한 특성을 갖는 유기전계 발광소자는 크게 패시브 매트릭스 타입과 액티브 매트릭스 타입으로 나뉘어지는데, 패시브 매트릭스 방식에서는 주사선(scan line)과 신호선(signal line)이 교차하면서 매트릭스 형태로 소자를 구성하므로, 각각의 픽셀을 구동하기 위하여 주사선을 시간에 따라 순차적으로 구동하므로, 요구되는 평균 휘도를 나타내기 위해서는 평균 휘도에 라인수를 곱한 것 만큼의 순간 휘도를 내야만 한다. The organic light emitting diode having such characteristics is largely divided into a passive matrix type and an active matrix type. In the passive matrix method, since the scan lines and the signal lines cross each other to form a device in a matrix form, each pixel Since the scan lines are sequentially driven over time in order to drive, the instantaneous luminance must be equal to the average luminance multiplied by the number of lines in order to represent the required average luminance.

그러나, 액티브 매트릭스 방식에서는, 화소영역을 온(on)/오프(off)하는 스위칭 소자인 박막트랜지스터(Thin Film Transistor: TFT)가 각 화소영역별로 위치하고, 이러한 스위칭 박막트랜지스터와 연결되며 구동 박막트랜지스터가 전원배선 및 유기전계 발광 다이오드와 연결되며 각 화소영역별로 형성되고 있다. However, in the active matrix method, a thin film transistor (TFT), which is a switching element for turning on / off a pixel region, is positioned for each pixel region, and is connected to the switching thin film transistor, and the driving thin film transistor is It is connected to power supply wiring and organic light emitting diode and is formed for each pixel area.

이때, 상기 구동 박막트랜지스터와 연결된 제 1 전극은 화소영역 단위로 온(on)/오프(off)되고, 상기 제 1 전극과 대향하는 제 2 전극은 공통전극의 역할을 함으로서 이들 두 전극 사이에 개재된 유기 발광층과 더불어 상기 유기전계 발광 다이오드를 이룬다. In this case, a first electrode connected to the driving thin film transistor is turned on / off in a pixel area unit, and a second electrode facing the first electrode serves as a common electrode and is interposed between these two electrodes. Together with the organic light emitting layer, the organic light emitting diode is formed.

이러한 구성적 특징을 갖는 액티브 매트릭스 방식에서는 화소영역에 인가된 전압이 스토리지 커패시터(StgC)에 충전되어 있어, 그 다음 프레임(frame) 신호가 인가될 때까지 전원을 인가해 주도록 함으로써, 주사선 수에 관계없이 한 화면동안 계속해서 구동한다. 따라서, 낮은 전류를 인가하더라도 동일한 휘도를 나타내므로 저소비전력, 고정세, 대형화가 가능한 장점을 가지므로 최근에는 액티브 매트릭스 타입의 유기전계 발광소자가 주로 이용되고 있다. In the active matrix method having such a constitutive characteristic, the voltage applied to the pixel region is charged in the storage capacitor StgC, and the power is applied until the next frame signal is applied, thereby relating to the number of scan lines. Run continuously for one screen without Therefore, since low luminance, high definition, and large size can be obtained even when a low current is applied, an active matrix type organic light emitting diode is mainly used in recent years.

이하, 이러한 액티브 매트릭스형 유기전계발광 소자의 기본적인 구조 및 동작특성에 대해서 도면을 참조하여 상세히 설명한다. Hereinafter, the basic structure and operation characteristics of the active matrix organic light emitting display device will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 일반적인 액티브 매트릭스형 유기전계 발광소자의 하나의 화소영역에 대한 회로도이다. 1 is a circuit diagram of one pixel area of a general active matrix type organic light emitting display device.

도시한 바와 같이 액티브 매트릭스형 유기전계 발광소자의 하나의 화소영역은 스위칭 박막트랜지스터(STr)와 구동 박막트랜지스터(DTr), 스토리지 커패시터(StgC), 그리고 유기전계 발광 다이오드(E)로 이루어진다. As illustrated, one pixel area of the active matrix organic light emitting diode includes a switching thin film transistor STr, a driving thin film transistor DTr, a storage capacitor StgC, and an organic light emitting diode E.

제 1 방향으로 게이트 배선(GL)이 형성되어 있고, 이 제 1 방향과 교차되는 제 2 방향으로 배치되어 상기 게이트 배선(GL)과 더불어 화소영역(P)을 정의하며 데이터 배선(DL)이 형성되어 있으며, 상기 데이터 배선(DL)과 이격하며 전원전압을 인가하기 위한 전원배선(PL)이 형성되어 있다. A gate line GL is formed in a first direction, and is disposed in a second direction crossing the first direction to define a pixel region P together with the gate line GL, and a data line DL is formed. The power line PL is spaced apart from the data line DL to apply a power voltage.

또한, 상기 데이터 배선(DL)과 게이트 배선(GL)이 교차하는 부분에는 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 형성되어 있으며, 상기 각 화소영역(P) 내부에는 상기 스위칭 박막트랜지스터(STr)와 전기적으로 연결된 구동 박막트랜지스터(DTr)가 형성되어 있다. In addition, a switching thin film transistor STr is formed at a portion where the data line DL and the gate wiring GL cross each other, and are electrically connected to the switching thin film transistor STr inside each pixel region P. FIG. The driving thin film transistor DTr is formed.

이때, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)는 유기전계 발광 다이오드(E)와 전기적으로 연결되고 있다. 즉, 상기 유기전계발광 다이오드(E)의 일측 단자인 제 1 전극은 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극과 연결되고, 타측 단자인 제 2 전극은 전원배선(PL)과 연결되고 있다. 이때, 상기 전원배선(PL)은 전원전압을 상기 유기전계 발광 다이오드(E)로 전달하게 된다. 또한, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트 전극과 소스 전극 사이에는 스토리지 커패시터(StgC)가 형성되고 있다. In this case, the driving thin film transistor DTr is electrically connected to the organic light emitting diode E. That is, the first electrode, which is one terminal of the organic light emitting diode E, is connected to the drain electrode of the driving thin film transistor DTr, and the second electrode, which is the other terminal, is connected to the power supply line PL. In this case, the power line PL transfers a power supply voltage to the organic light emitting diode E. In addition, a storage capacitor StgC is formed between the gate electrode and the source electrode of the driving thin film transistor DTr.

따라서 상기 게이트 배선(GL)을 통해 신호가 인가되면 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 온(on) 되고, 상기 데이터 배선(DL)의 신호가 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트 전극에 전달되어 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)가 온(on) 되므로 유기전계발광 다이오드(E)를 통해 빛이 출력된다. 이때, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)가 온(on) 상태가 되면, 전원배선(PL)으로부터 유기전계발광 다이오드(E)에 흐르는 전류의 레벨이 정해지며 이로 인해 상기 유기전계 발광 다이오드(E)는 그레이 스케일(gray scale)을 구현할 수 있게 되며, 상기 스토리지 커패시터(StgC)는 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 오프(off) 되었을 때, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트 전압을 일정하게 유지시키는 역할을 함으로써 상기 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 오프(off) 상태가 되더라도 다음 프레임(frame)까지 상기 유기전계 발광 다이오드(E)에 흐르는 전류의 레벨을 일정하게 유지할 수 있게 된다.Therefore, when a signal is applied through the gate line GL, the switching thin film transistor STr is turned on, and the signal of the data line DL is transferred to the gate electrode of the driving thin film transistor DTr, thereby driving the thin film. Since the transistor DTr is turned on, light is output through the organic light emitting diode E. At this time, when the driving thin film transistor DTr is in an on state, the level of the current flowing from the power supply line PL to the organic light emitting diode E is determined, and thus the organic light emitting diode E is The gray scale may be implemented, and the storage capacitor StgC maintains the gate voltage of the driving thin film transistor DTr constant when the switching thin film transistor STr is turned off. As a result, even when the switching thin film transistor STr is turned off, the level of the current flowing through the organic light emitting diode E may be maintained until the next frame.

한편, 도 2는 종래의 일반적인 유기전계 발광소자의 하나의 화소영역에 대한 단면도이다. 2 is a cross-sectional view of one pixel area of a conventional organic EL device.

도시한 바와 같이, 종래의 유기전계 발광소자(1)는 제 1, 2 기판(10, 70)이 서로 대향되게 배치되어 있다. As shown in the drawing, in the conventional organic light emitting device 1, the first and second substrates 10 and 70 are disposed to face each other.

상기 제 1 기판(10)에는 게이트 배선(미도시)과 데이터 배선(미도시)에 의해 포획되는 영역이라 정의되는 화소영역(P)이 다수 구비되고 있으며, 상기 데이터 배선(미도시)과 나란하게 전원배선(미도시)이 구비되고 있다. The first substrate 10 includes a plurality of pixel regions P, which are defined as regions captured by gate wirings (not shown) and data wirings (not shown), and are parallel to the data wirings (not shown). Power wiring (not shown) is provided.

다수의 각 화소영역(P)에는 하나의 스위칭 박막트랜지스터와 하나 이상의 구동 박막트랜지스터(미도시, DTr)가 형성되어 있으며, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)와 연결되며 제 1 전극(47)이 형성되어 있다. One switching thin film transistor and at least one driving thin film transistor (DTr) are formed in each of the plurality of pixel regions P, are connected to the driving thin film transistor DTr, and a first electrode 47 is formed. have.

또한, 상기 제 1 전극(47) 상부에는 적(Red), 녹(Green), 청(Blue)색을 발광하는 유기 발광물질로 이루어진 유기 발광층(55)이 형성되어 있으며, 유기 발광층(55) 상부에는 표시영역 전면에 제 2 전극(58)이 형성되어 있다. In addition, an organic light emitting layer 55 formed of an organic light emitting material emitting red, green, and blue colors is formed on the first electrode 47, and an upper portion of the organic light emitting layer 55 is formed. The second electrode 58 is formed over the entire display area.

그리고 전술한 구성요소가 구비된 상기 제 1 기판(10)에 대응하여 인캡슐레이션을 위해 제 2 기판(70)이 대향하여 구비되고 있으며, 상기 제 1 및 제 2 기판(10, 70)의 사이에는 상기 제 1 및 제 2 기판(10, 70)의 가장자리를 따라 씰패턴(미도시)이 구비됨으로써 상기 제 1 기판(10)과 제 2 기판(70)이 합착되어 패널을 이루는 상태를 유지하도록 하고 있다. In addition, a second substrate 70 is provided to face the first substrate 10 having the above-described components for encapsulation, and between the first and second substrates 10 and 70. Seal patterns (not shown) are provided along edges of the first and second substrates 10 and 70 so that the first substrate 10 and the second substrate 70 are bonded to each other to maintain a panel. Doing.

이때, 종래의 유기전계 발광소자(1)는 상기 제 1 전극(47)과 제 2 전극(58) 및 이들 두 전극(47, 58) 사이에 위치하는 유기 발광층(55)의 표면이 평탄하게 형성되고 있음을 알 수 있다.In this case, in the conventional organic light emitting diode 1, the surface of the organic light emitting layer 55 positioned between the first electrode 47 and the second electrode 58 and the two electrodes 47 and 58 is formed flat. It can be seen that.

이러한 구성을 갖는 종래의 유기전계 발광소자(1)에 있어서 빛의 경로를 도 3(종래의 하부 발광 방식 유기전계 발광소자에 있어서 유기 발광층으로부터 나온 빛의 경로를 도시한 도면)을 참조하여 살펴보면, 제 1 및 제 2 전극(47, 58)에 전압이 가해짐으로써 유기 발광층(55)에 전자와 홀이 공급되고, 상기 유기 발광층(55) 내에서 재결합이 이루어짐으로써 빛이 생성되며, 이렇게 유기 발광층(55)에서 발생된 빛은 하부발광 방식인 경우 제 1 전극(47) 및 제 1 기판(10)을 통과해 외부로 빠져나오게 되며, 이렇게 제 1 기판(10)면을 통과하여 외부로 나온 빛이 사용자의 눈으로 입사됨으로서 사용자는 화상을 시청할 수 있는 것이다.Looking at the path of light in the conventional organic light emitting device 1 having such a configuration with reference to Figure 3 (drawing showing the path of light from the organic light emitting layer in the conventional lower emission organic light emitting device), By applying voltage to the first and second electrodes 47 and 58, electrons and holes are supplied to the organic light emitting layer 55, and light is generated by recombination in the organic light emitting layer 55. In the case of the bottom emission method, the light emitted from the 55 passes through the first electrode 47 and the first substrate 10 and exits to the outside, and thus the light exits through the first substrate 10 surface. The incident on the user's eyes allows the user to watch the image.

하지만, 유기 발광층(55)에서 생성된 빛은 유기 발광층(55) 하부에 위치하는 상기 제 1 전극(47)과 제 1 기판(10)을 투과하면서 손실이 발생됨으로써 실질적으로 사용자의 눈으로 입사되는 빛은 유기 발광층(55)에서 발생된 빛의 약 19% 정도가 되고 있는 실정이다.However, the light generated in the organic light emitting layer 55 is transmitted through the first electrode 47 and the first substrate 10 positioned below the organic light emitting layer 55 and is substantially incident to the eyes of the user. Light is about 19% of the light generated from the organic light emitting layer 55.

조금 더 상세히 설명하면, 유기 발광층(55) 내부에서 생성된 빛은 상기 제 1 전극(47)과 제 1 기판(10)을 통과하면서 일정각도 이상에서는 스넬의 법칙에 기인한 전반사 조건을 만족하게 되어 빛이 외부로 나가지 않고 전반사되며, 이렇게 전반사되는 빛은 마치 빛이 도파관을 통과하듯이 유기전계 발광소자(1)의 측면을 향해 나아가게 됨으로서 최종적으로는 소실되어 사라지게 된다. In more detail, the light generated inside the organic light emitting layer 55 passes through the first electrode 47 and the first substrate 10, and satisfies the total reflection condition due to Snell's law at a predetermined angle or more. The light is totally reflected without going out, and the totally reflected light moves toward the side of the organic light emitting device 1 as if light passes through the waveguide, and finally disappears and disappears.

따라서 이러한 구성을 갖는 종래의 유기전계 발광소자(1)는 발광 효율을 향상시키는 것이 필요로 되고 있다.
Therefore, the conventional organic electroluminescent element 1 having such a structure needs to improve luminous efficiency.

본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 굴절율 차이에 기인한 전반사를 최소화하여 내부 구성요소 내에서 소실되는 빛을 줄여 광 효율을 극대화 할 수 있는 유기전계 발광소자를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
The present invention has been made to solve the above problems, to minimize the total reflection due to the difference in refractive index to reduce the light lost in the internal components to provide an organic light emitting device that can maximize the light efficiency do.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계 발광소자는, 다수의 화소영역을 포함하는 표시영역과 이의 외측으로 비표시영역이 정의된 제 1 기판과; 상기 제 1 기판 상의 상기 각 화소영역에 형성된 스위칭 박막트랜지스터 및 구동 박막트랜지스터와; 상기 스위칭 및 구동 박막트랜지스터를 덮으며 상기 각 화소영역에 대응하여 그 표면이 올록볼록한 엠보싱 구조를 가지며 형성된 보호층과; 상기 보호층 상부로 상기 구동 박막트랜지스터의 드레인 전극과 연결되며 형성된 유기전계 발광 다이오드와; 상기 제 1 기판과 마주하며 위치한 제 2 기판과; 상기 제 1 기판과 제 2 기판 사이의 상기 비표시영역에 개재되어 상기 제 1 기판 및 제 2 기판을 접착하여 패널상태를 이루도록 하는 씰패턴을 포함하며, 상기 보호층 상부에 형성된 상기 유기전계 발광 다이오드는 상기 보호층의 영향으로 이를 구성하는 구성요소가 올록볼록한 엠보싱 구조를 가지며 형성된 것이 특징이다. In order to achieve the above object, an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention, a display area including a plurality of pixel areas and a first substrate having a non-display area defined outside thereof; A switching thin film transistor and a driving thin film transistor formed in each pixel area on the first substrate; A protective layer covering the switching and driving thin film transistor and having an embossed structure whose surface is convex corresponding to each pixel area; An organic light emitting diode connected to the drain electrode of the driving thin film transistor above the protective layer; A second substrate facing the first substrate; And a seal pattern interposed in the non-display area between the first substrate and the second substrate to form a panel state by adhering the first substrate and the second substrate, wherein the organic light emitting diode is formed on the protective layer. Under the influence of the protective layer is characterized in that the components constituting it have a convex embossed structure formed.

이때, 상기 제 1 전극은 은(Ag), 은 합금, 알루미늄(Al), 알루미늄 합금 중 어느 하나로 이루어진 하부층과, 투명 도전성 물질인 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)로 이루어진 상부층의 이중층 구조를 가지며, 상기 제 2 전극은 마그네슘-은 합금(MgAg)으로 이루어져 상기 제 2 기판면을 향하여 발광하는 것이 특징이다. In this case, the first electrode is a lower layer made of any one of silver (Ag), silver alloy, aluminum (Al), and aluminum alloy, and indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), which is a transparent conductive material. It has a double layer structure of the upper layer consisting of, the second electrode is made of magnesium-silver alloy (MgAg) is characterized in that it emits toward the second substrate surface.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기전계 발광소자는, 다수의 화소영역을 포함하는 표시영역과 이의 외측으로 비표시영역이 정의된 제 1 기판과; 상기 제 1 기판 상의 상기 각 화소영역에 형성된 스위칭 박막트랜지스터 및 구동 박막트랜지스터와; 상기 스위칭 및 구동 박막트랜지스터를 덮으며 상기 각 화소영역에 대응하여 그 표면이 올록볼록한 엠보싱 구조를 가지며 형성된 보호층과; 상기 보호층 상부에 상기 보호층의 영향으로 올록볼록한 엠보싱 구조를 가지며 형성된 반사판과; 상기 반사판 상부로 평탄한 표면을 가지며 형성된 평탄화층과; 상기 평탄화층 위로 상기 구동 박막트랜지스터의 드레인 전극과 연결되며 형성된 유기전계 발광 다이오드와; 상기 제 1 기판과 마주하며 위치한 제 2 기판과; 상기 제 1 기판과 제 2 기판 사이의 상기 비표시영역에 개재되어 상기 제 1 기판 및 제 2 기판을 접착하여 패널상태를 이루도록 하는 씰패턴을 포함한다. In accordance with still another aspect of the present invention, there is provided an organic light emitting display device, comprising: a first substrate having a display area including a plurality of pixel areas and a non-display area defined outside thereof; A switching thin film transistor and a driving thin film transistor formed in each pixel area on the first substrate; A protective layer covering the switching and driving thin film transistor and having an embossed structure whose surface is convex corresponding to each pixel area; A reflection plate formed on the protective layer and having an embossed structure convex under the influence of the protective layer; A planarization layer formed on the reflector and having a flat surface; An organic light emitting diode connected to the drain electrode of the driving thin film transistor on the planarization layer; A second substrate facing the first substrate; And a seal pattern interposed in the non-display area between the first substrate and the second substrate to bond the first substrate and the second substrate to form a panel state.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기전계 발광소자는, 다수의 화소영역을 포함하는 표시영역과 이의 외측으로 비표시영역이 정의된 제 1 기판과; 상기 제 1 기판 상의 상기 각 화소영역에 형성된 스위칭 박막트랜지스터 및 구동 박막트랜지스터와; 상기 스위칭 및 구동 박막트랜지스터를 덮으며 상기 각 화소영역에 대응하여 그 표면이 올록볼록한 요철을 가지며 형성된 보호층과; 상기 보호층 상부에 상기 보호층의 영향으로 올록볼록한 요철 구조를 가지며 형성된 절연층과; 상기 절연층 상부로 평탄한 표면을 가지며 형성된 평탄화층과; 상기 평탄화층 위로 상기 구동 박막트랜지스터의 드레인 전극과 연결되며 형성된 유기전계 발광 다이오드와; 상기 제 1 기판과 마주하며 위치한 제 2 기판과; 상기 제 1 기판과 제 2 기판 사이의 상기 비표시영역에 개재되어 상기 제 1 기판 및 제 2 기판을 접착하여 패널상태를 이루도록 하는 씰패턴을 포함하며, 상기 평탄화층 그 하부에 위치한 상기 보호층의 영향으로 상기 절연층과 접하는 면에는 상기 보호층의 요철 중 요부에 대응하여 볼록렌즈의 역할을 하며 상기 평탄화층의 평탄한 표면을 기준으로 볼록한 볼록부가 형성되며, 상기 유기전계 발광 다이오드로부터 발생된 빛은 상기 제 2 기판면을 향하여 발광한다. In accordance with still another aspect of the present invention, there is provided an organic light emitting display device, comprising: a first substrate having a display area including a plurality of pixel areas and a non-display area defined outside thereof; A switching thin film transistor and a driving thin film transistor formed in each pixel area on the first substrate; A protective layer covering the switching and driving thin film transistor and having a convex-concave and convex surface corresponding to each pixel area; An insulating layer formed on the protective layer and having an uneven structure convex under the influence of the protective layer; A planarization layer having a flat surface above the insulating layer; An organic light emitting diode connected to the drain electrode of the driving thin film transistor on the planarization layer; A second substrate facing the first substrate; A seal pattern interposed in the non-display area between the first substrate and the second substrate to bond the first substrate and the second substrate to a panel state, wherein the protective layer is disposed below the planarization layer. The convex portion serves as a convex lens to correspond to the concave and convex portions of the protective layer on the surface contacting the insulating layer under the influence, and a convex portion is formed based on the flat surface of the planarization layer, and the light generated from the organic light emitting diode Light is emitted toward the second substrate surface.

이때, 상기 보호층에 구비된 요철 중 요부는 그 폭이 철부 폭의 2배 내지 5배의 크기를 가지며, 상기 요부는 그 단면 형태가 반원 또는 반타원형 형태인 것이 특징이다. At this time, the concave-convex portion provided in the protective layer has a width of 2 to 5 times the width of the convex portion, the concave portion is characterized in that the cross-sectional shape is semi-circular or semi-elliptic.

또한, 상기 평탄화층은 유기절연물질인 포토아크릴 또는 벤조사이클로부텐으로 이루어진 것이 특징이다. In addition, the planarization layer is characterized by consisting of a photoacryl or benzocyclobutene which is an organic insulating material.

또한, 제 1 전극은 투명 도전성 물질인 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)로 이루어지며, 상기 제 2 전극은 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금(AlNd)으로 이루어져 상기 제 1 기판면을 향하여 발광하는 것이 특징이다. In addition, the first electrode is made of indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), which is a transparent conductive material, and the second electrode is made of aluminum (Al) or aluminum alloy (AlNd). 1 It is characterized by emitting light toward the substrate surface.

또한, 상기 유기전계 발광 다이오드는, 각 화소영역별로 형성된 제 1 전극과; 상기 제 1 전극 위로 형성된 유기 발광층과; 상기 유기 발광층을 덮으며 상기 표시영역 전면에 형성된 제 2 전극으로 구성되며, 이때, 상기 보호층 상부로 상기 각 화소영역의 경계에는 상기 각 제 1 전극의 가장자리와 중첩하며 뱅크가 형성된 것이 특징이다. The organic light emitting diode may include a first electrode formed for each pixel region; An organic light emitting layer formed on the first electrode; And a second electrode covering the organic emission layer and formed over the display area, wherein a bank is formed on the boundary of the pixel area and overlaps an edge of the first electrode.

또한, 상기 제 1 및 제 2 기판은 투명한 유리, 플라스틱, 고분자 필름 중 어느 하나로 이루어진 것이 특징이다. In addition, the first and the second substrate is characterized in that it is made of any one of transparent glass, plastic, polymer film.

또한, 상기 제 1 기판에는 각 화소영역의 경계를 따라 서로 교차하여 상기 화소영역을 정의하는 게이트 배선 및 데이터 배선이 구비되며, 상기 게이트 배선 또는 데이터 배선과 나란하게 이격하며 전원배선이 구비되며, 상기 게이트 배선은 상기 스위칭 박막트랜지스터의 게이트 전극과 연결되며, 상기 데이터 배선은 상기 스위칭 박막트랜지스터의 소스 전극과 연결되며, 상기 전원배선은 상기 구동 박막트랜지스터의 소스 전극과 연결되도록 형성된 것이 특징이다. In addition, the first substrate may include a gate line and a data line crossing each other along a boundary of each pixel area to define the pixel area, spaced apart from the gate line or data line, and provided with power line. The gate wiring is connected to the gate electrode of the switching thin film transistor, the data wiring is connected to the source electrode of the switching thin film transistor, and the power wiring is formed to be connected to the source electrode of the driving thin film transistor.

또한, 상기 스위칭 및 구동 박막트랜지스터는, 순수한 폴리실리콘의 제 1 영역과, 상기 제 1 영역의 양측으로 폴리실리콘에 불순물이 도핑된 제 2 영역으로 구성된 반도체층과, 상기 반도체층을 덮으며 형성된 게이트 절연막과, 상기 제 1 영역에 대응하여 형성된 게이트 전극과, 상기 게이트 전극 위로 형성되며 상기 제 2 영역을 각각 노출시키는 반도체층 콘택홀을 갖는 층간절연막과, 상기 층간절연막 위로 상기 반도체층 콘택홀을 통해 각각 상기 제 2 영역과 접촉하며 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극으로 이루어지거나, 또는, 게이트 전극과, 상기 게이트 전극 위로 형성된 게이트 절연막과, 상기 게이트 절연막 위로 상기 게이트 전극에 대응하여 형성된 비정질 실리콘의 액티브층과, 상기 액티브층 상부로 서로 이격하며 형성된 불순물 비정질 실리콘의 오믹콘택층과, 상기 오믹콘택층 상부로 서로 이격하며 형성된 소스 및 드레인 전극으로 이루어진 것이 특징이다. The switching and driving thin film transistor may further include a semiconductor layer including a first region of pure polysilicon, a second region doped with polysilicon on both sides of the first region, and a gate formed to cover the semiconductor layer. An interlayer insulating film having an insulating film, a gate electrode formed corresponding to the first region, a semiconductor layer contact hole formed on the gate electrode and exposing the second region, respectively, and through the semiconductor layer contact hole over the interlayer insulating film. An active layer of amorphous silicon formed of a source electrode and a drain electrode that are in contact with the second region and spaced apart from each other, or formed of a gate electrode, a gate insulating film formed over the gate electrode, and a gate electrode formed over the gate insulating film. And impurity amorphous silicide formed on the active layer and spaced apart from each other. The ohmic contact layer of the cone, and the source and drain electrodes formed to be spaced apart from each other over the ohmic contact layer.

또한, 상기 보호층은 유기절연물질인 포토아크릴 또는 벤조사이클로부텐으로 이루어진 것이 특징이다.
In addition, the protective layer is characterized by consisting of a photoacryl or benzocyclobutene which is an organic insulating material.

본 발명에 따른 유기전계 발광소자는 유기 발광층으로부터 발생된 빛의 진행방향에 위치하는 구성요소의 표면이 굴곡을 갖도록 요철을 구비함으로써 전반사 조건이 만족되어 전반사가 발생하더라도 반사되는 빛의 입사각이 변화되도록 하여 하나의 구성요소 내에서 계속적으로 전반사가 발생되는 것을 방지함으로서 최종적으로 사용자가 바라보는 면으로의 투과해 나오는 빛량을 늘려 광효율을 극대화시키는 효과가 있다. The organic light emitting device according to the present invention is provided with irregularities so that the surface of the component located in the direction of the light generated from the organic light emitting layer is curved so that the total incident condition is satisfied so that the incident angle of the reflected light changes even if total reflection occurs Therefore, the total reflection is prevented from occurring continuously in one component, thereby increasing the amount of light transmitted through the face of the user, thereby maximizing the light efficiency.

나아가 종래의 유기전계 발광소자와 동일한 수준의 광효율을 유지시키는 경우는 소비전력을 저감시킬 수 있는 효과가 있다.
Furthermore, when maintaining the same level of light efficiency as the conventional organic light emitting device, there is an effect that can reduce the power consumption.

도 1은 일반적인 액티브 매트릭스형 유기전계 발광소자의 하나의 화소영역에 대한 회로도.
도 2는 종래의 일반적인 유기전계 발광소자의 하나의 화소영역에 대한 개략적인 단면도.
도 3은 종래의 하부 발광방식 유기전계 발광소자에 있어서 유기 발광층으로부터 나온 빛의 경로를 도시한 도면.
도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 하나의 화소영역에 대한 단면도.
도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자 중 하부발광 방식의 유기전계 발광소자에 있어서 각 화소영역 내부에서 빛의 진행을 도시한 도면.
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 하나의 화소영역에 대한 단면도로서 반사판을 구비한 상부발광 방식 유기전계 발광소자에 대한 도면.
도 7은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 하부 발광방식 유기전계 발광소자의 하나의 화소영역에 대한 단면도로서 유기전계 발광 다이오드와 보호층이 형성된 화소영역의 중앙부에 대한 도면 1 is a circuit diagram of one pixel area of a general active matrix organic electroluminescent device.
2 is a schematic cross-sectional view of one pixel area of a conventional organic electroluminescent device.
3 is a view showing a path of light emitted from an organic light emitting layer in a conventional bottom emission type organic light emitting device.
4 is a cross-sectional view of one pixel area of an organic light emitting diode according to a first exemplary embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a diagram showing the progress of light in each pixel area in the organic light emitting diode of the bottom emission type among the organic light emitting diodes according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a cross-sectional view of one pixel area of an organic light emitting diode according to a second exemplary embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a cross-sectional view of one pixel area of a bottom emission type organic light emitting diode according to a third exemplary embodiment of the present invention, and illustrates a central portion of a pixel area in which an organic light emitting diode and a protective layer are formed.

이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 하나의 화소영역에 대한 단면도이다. 설명의 편의를 위해 화소영역(P)내에 구동 박막트랜지스터(DTr)가 형성되는 영역을 구동영역(DA), 스위칭 박막트랜지스터가 형성되는 영역을 스위칭 영역(미도시)이라 정의한다. 4 is a cross-sectional view of one pixel area of an organic light emitting diode according to a first exemplary embodiment of the present invention. For convenience of description, an area in which the driving thin film transistor DTr is formed in the pixel area P is defined as a driving area DA and an area in which the switching thin film transistor is formed is a switching area (not shown).

도시한 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)는 각 화소영역(P) 내에 구동 및 스위칭 박막트랜지스터(DTr, 미도시)와 제 1 전극(147)과 유기 발광층(155) 및 제 2 전극(158)으로 이루어진 유기전계 발광 다이오드(E)가 구비된 제 1 기판(110)과 이와 대응하여 인캡슐레이션을 위한 제 2 기판(170)이 서로 대향하며 가장자리에 구비된 씰패턴(미도시)에 의해 접합되어 합착된 상태를 유지하고 있다. As illustrated, the organic light emitting diode 101 according to the first exemplary embodiment of the present invention may drive and switch a thin film transistor DTr (not shown), a first electrode 147, and an organic light emitting layer in each pixel region P. Referring to FIG. The first substrate 110 including the organic light emitting diode E including the second electrode 158 and the second electrode 158 and the second substrate 170 for encapsulation face each other and are provided at the edge thereof. It is bonded by the seal pattern (not shown), and the state where it adhere | attached is maintained.

이때, 상기 제 1 및 제 2 기판(110, 170)은 투명한 유리재질로 이루어지거나 또는 플레서블한 유기전계 발광소자(101)를 구현하기 위해 유연성이 우수한 투명한 플라스틱이나 또는 고분자 필름으로 이루어지고 있다. In this case, the first and second substrates 110 and 170 are made of a transparent glass material or a flexible plastic or polymer film having excellent flexibility to implement the flexible organic electroluminescent device 101.

한편, 상기 제 1 기판(110)에 있어서 각 화소영역(P)의 경계에 서로 교차하며 게이트 및 데이터 배선(미도시, 130)이 형성되고 있으며, 상기 게이트 배선(121) 또는 데이터 배선(미도시)과 나란하게 전원배선(미도시)이 형성되고 있다.  Meanwhile, in the first substrate 110, gates and data lines (not shown) 130 are formed to cross each other at the boundary of each pixel region P, and the gate lines 121 or data lines (not shown) are formed. Parallel to the power supply wiring (not shown) is formed.

또한, 다수의 각 화소영역(P)에는 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(미도시, DTr)가 형성되어 있으며, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(136)과 연결되며 제 1 전극(147)이 형성되어 있다. In addition, switching and driving thin film transistors (DTr) are formed in each of the plurality of pixel regions P, are connected to the drain electrode 136 of the driving thin film transistor DTr, and the first electrode 147 is Formed.

또한, 상기 제 1 전극(147) 상부에는 적(Red), 녹(Green), 청(Blue)색을 발광하는 유기 발광 패턴(미도시)을 포함하는 유기 발광층(155)이 형성되어 있으며, 상기 유기 발광층(155) 상부에는 표시영역 전면에 제 2 전극(158)이 형성되어 있다. 이때, 상기 제 1 전극(147)과 유기 발광층(155)과 상기 제 2 전극(158)은 유기전계 발광 다이오드(E)를 이룬다.In addition, an organic emission layer 155 including an organic emission pattern (not shown) emitting red, green, and blue colors is formed on the first electrode 147. The second electrode 158 is formed over the display area on the organic emission layer 155. In this case, the first electrode 147, the organic emission layer 155, and the second electrode 158 form an organic light emitting diode (E).

이때, 상기 제 1 전극(147)과 유기 발광층(155)과 제 2 전극(158)은 평탄한 표면을 갖지 않고 엠보싱 또는 요철 구조를 이루고 있는 것이 본 발명의 가장 특징적인 구성이 되고 있다. At this time, the first electrode 147, the organic light emitting layer 155 and the second electrode 158 does not have a flat surface to form an embossed or uneven structure is the most characteristic configuration of the present invention.

그리고, 전술한 구성을 갖는 제 1 기판(110)과 대응하여 인캡슐레이션을 위한 제 2 기판(170)이 구비되고 있으며, 이들 두 기판(110, 170) 사이에는 가장자리를 따라 실란트로 이루어진 씰패턴(미도시)이 구비되고 있으며, 이러한 씰패턴(미도시)이 접착제로 작용하여 상기 제 1 및 제 2 기판(110, 170)이 합착된 상태를 유지하여 패널상태를 이루고 있다. In addition, a second substrate 170 for encapsulation is provided to correspond to the first substrate 110 having the above-described configuration, and a seal pattern made of sealant along an edge between the two substrates 110 and 170 is provided. Not shown), and the seal pattern (not shown) serves as an adhesive to maintain the bonded state of the first and second substrates 110 and 170 to form a panel state.

조금 더 상세히 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)의 구성에 대해 설명한다. The structure of the organic light emitting diode 101 according to the embodiment of the present invention will be described in more detail.

도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)의 상기 제 1 기판(110)에는 전면에 절연물질 예를 들면 무기절연물질인 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)으로 이루어진 버퍼층(111)이 형성되어 있다. 상기 버퍼층(111)을 구비하는 것은 이의 상부에 반도체층(113)을 형성 시 진행되는 결정화 공정에 의해 상기 제 1 기판(110) 내부로부터 나오는 알카리 이온의 방출에 의한 상기 반도체층(113)의 특성 저하를 방지하기 위함이다. As shown, the first substrate 110 of the organic light emitting device 101 according to an embodiment of the present invention is an insulating material, for example, silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiNx) as an insulating material on the front surface. Buffer layer 111 is formed. The buffer layer 111 may include the characteristics of the semiconductor layer 113 due to the release of alkali ions emitted from the inside of the first substrate 110 by a crystallization process performed when the semiconductor layer 113 is formed thereon. This is to prevent degradation.

또한, 상기 버퍼층(111) 상부로 각 화소영역(P)에는 상기 구동영역(DA) 및 스위칭 영역(미도시)에 대응하여 순수 폴리실리콘으로 이루어지며 채널이 형성되는 제 1 영역(113a)과, 상기 제 1 영역(113a) 양측면으로 고농도의 불순물이 도핑된 제 2 영역(113b)으로 구성된 폴리실리콘의 반도체층(113)이 형성되어 있다. In addition, a first region 113a formed of pure polysilicon corresponding to the driving region DA and a switching region (not shown) in each pixel region P above the buffer layer 111 and in which a channel is formed; The polysilicon semiconductor layer 113 including the second region 113b doped with a high concentration of impurities is formed on both sides of the first region 113a.

또한, 상기 반도체층(113)을 덮으며 절연물질로 이루어진 게이트 절연막(116)이 상기 제 1 기판(110) 전면에 형성되어 있으며, 상기 게이트 절연막(116) 위로는 상기 구동영역(DA) 및 스위칭 영역(미도시)에 있어 상기 각 반도체층(113)의 제 1 영역(113a)에 대응하여 게이트 전극(120)이 형성되어 있다. In addition, a gate insulating layer 116 covering the semiconductor layer 113 and made of an insulating material is formed on the entire surface of the first substrate 110, and the driving area DA and the switching are formed on the gate insulating layer 116. In the region (not shown), the gate electrode 120 is formed to correspond to the first region 113a of each of the semiconductor layers 113.

또한, 상기 게이트 절연막(116) 위로는 상기 스위칭 영역(미도시)에 형성된 게이트 전극(미도시)과 연결되며 일방향으로 연장하며 게이트 배선(미도시)이 형성되어 있다. 이때, 상기 게이트 전극(120)과 상기 게이트 배선(미도시)은 저저항 특성을 갖는 제 1 금속물질 예를 들면 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 구리(Cu), 구리합금, 몰리브덴(Mo), 몰리티타늄(MoTi) 중 어느 하나로 이루어져 단일층 구조를 이룰 수도 있으며, 또는 전술한 제 1 금속물질 중 둘 이상의 금속물질로 이루어짐으로써 이중층 또는 삼중층 구조를 이룰 수도 있다. 도면에 있어서는 상기 게이트 전극(120)과 게이트 배선(미도시)이 단일층 구조를 갖는 것을 일례로 도시하였다. In addition, the gate insulating layer 116 is connected to a gate electrode (not shown) formed in the switching region (not shown), extends in one direction, and a gate wiring (not shown) is formed. In this case, the gate electrode 120 and the gate wiring (not shown) is a first metal material having low resistance, for example, aluminum (Al), aluminum alloy (AlNd), copper (Cu), copper alloy, molybdenum ( Mo) may be formed of any one of the molybdenum (MoTi), or may be made of two or more metal materials of the above-described first metal material to form a double layer or triple layer structure. In the drawing, the gate electrode 120 and the gate wiring (not shown) are illustrated as one example.

한편, 상기 게이트 전극(120)과 게이트 배선(미도시) 위로 화상을 표시하는 표시영역 전면에 무기절연물질 예를 들면 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)으로 이루어진 층간절연막(123)이 형성되어 있다. 이때, 상기 층간절연막(123)과 그 하부의 게이트 절연막(116)에는 상기 각 반도체층의 제 1 영역(113a) 양측면에 위치한 상기 제 2 영역(113b)을 각각 노출시키는 반도체층 콘택홀(125)이 구비되고 있다. On the other hand, an interlayer insulating film 123 made of an inorganic insulating material, for example, silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiNx), is formed on the entire display area for displaying an image on the gate electrode 120 and the gate wiring (not shown). Formed. In this case, the interlayer insulating layer 123 and the gate insulating layer 116 below the semiconductor layer contact hole 125 exposing the second region 113b located on both sides of the first region 113a of the semiconductor layer, respectively. Is provided.

또한, 상기 반도체층 콘택홀(125)을 구비한 상기 층간절연막(123) 상부에는 상기 게이트 배선(미도시)과 교차하며 상기 화소영역(P)을 정의하며 제 2 금속물질 예를 들면 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 구리(Cu), 구리합금, 몰리브덴(Mo), 몰리티타늄(MoTi), 크롬(Cr), 티타늄(Ti) 중 어느 하나 또는 둘 이상의 물질로서 이루어진 데이터 배선(130)과, 이와 이격하여 전원배선(미도시)이 형성되고 있다. 이때, 상기 전원배선(미도시)은 상기 게이트 배선(미도시)이 형성된 층 즉, 상기 게이트 절연막(116) 상에 상기 게이트 배선(미도시)과 이격하며 나란하게 형성될 수도 있다. In addition, an upper portion of the interlayer insulating layer 123 including the semiconductor layer contact hole 125 intersects the gate wiring (not shown) to define the pixel region P, and to form a second metal material, for example, aluminum (Al). ), A data wire 130 made of any one or two or more of aluminum alloy (AlNd), copper (Cu), copper alloy, molybdenum (Mo), molybdenum (MoTi), chromium (Cr), titanium (Ti) And spaced apart from each other, power wiring (not shown) is formed. In this case, the power line (not shown) may be formed parallel to the gate line (not shown) on the layer where the gate line (not shown) is formed, that is, the gate insulating layer 116.

또한, 상기 층간절연막(123) 위로 상기 각 구동영역(DA) 및 스위칭 영역(미도시)에는 서로 이격하며 상기 반도체층 콘택홀(125)을 통해 노출된 상기 제 2 영역(113b)과 각각 접촉하며 상기 데이터 배선(130)과 동일한 제 2 금속물질로 이루어진 소스 및 드레인 전극(133, 136)이 형성되어 있다. In addition, the driving area DA and the switching area (not shown) are spaced apart from each other on the interlayer insulating layer 123 and contact the second area 113b exposed through the semiconductor layer contact hole 125. Source and drain electrodes 133 and 136 made of the same second metal material as the data line 130 are formed.

이때, 상기 구동영역(DA)에 순차 적층된 상기 반도체층(113)과 게이트 절연막(116)과 게이트 전극(120)과 층간절연막(123)과 서로 이격하며 형성된 상기 소스 및 드레인 전극(133, 136)은 구동 박막트랜지스터(DTr)를 이룬다. In this case, the source and drain electrodes 133 and 136 formed to be spaced apart from the semiconductor layer 113, the gate insulating layer 116, the gate electrode 120, and the interlayer insulating layer 123 sequentially stacked in the driving area DA. ) Forms a driving thin film transistor DTr.

한편, 도면에 있어서는 상기 데이터 배선(130)과 소스 및 드레인 전극(133, 136)은 모두 단일층 구조를 갖는 것을 일례로 보이고 있지만, 이들 구성요소는 이중층 또는 삼중층 구조를 이룰 수도 있다. In the drawing, the data line 130 and the source and drain electrodes 133 and 136 all have a single layer structure, but these components may have a double layer or triple layer structure.

이때, 도면에 나타내지 않았지만, 상기 스위칭 영역(미도시)에도 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)와 동일한 적층 구조를 갖는 스위칭 박막트랜지스터(미도시) 가 형성되고 있다. 이때, 상기 스위칭 박막트랜지스터(미도시)는 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)와 상기 게이트 배선(미도시) 및 데이터 배선(130)과 전기적으로 연결되고 있다. 즉, 상기 게이트 및 데이터 배선(미도시, 130)은 각각 상기 스위칭 박막트랜지스터(미도시)의 게이트 전극(미도시) 및 소스 전극(미도시)과 연결되고 있으며, 상기 스위칭 박막트랜지스터(미도시)의 드레인 전극(미도시)은 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트 전극(120)과 전기적으로 연결되고 있다.Although not shown in the drawings, a switching thin film transistor (not shown) having the same stacked structure as the driving thin film transistor DTr is formed in the switching region (not shown). In this case, the switching thin film transistor (not shown) is electrically connected to the driving thin film transistor DTr, the gate line (not shown), and the data line 130. That is, the gate and the data line (not shown) 130 are connected to the gate electrode (not shown) and the source electrode (not shown) of the switching thin film transistor (not shown), respectively, and the switching thin film transistor (not shown) The drain electrode of is electrically connected to the gate electrode 120 of the driving thin film transistor DTr.

한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계 발광소자용 제 1 기판(110)에 있어서는 상기 구동 및 스위칭 박막트랜지스터(미도시)는 폴리실리콘의 반도체층(113)을 가지며 탑 게이트 타입(Top gate type)으로 구성된 것을 일례로 보이고 있지만, 상기 구동 및 스위칭 박막트랜지스터(DTr, 미도시)는 비정질 실리콘의 반도체층을 갖는 보텀 게이트 타입(Bottom gate type)으로 구성될 수도 있음은 자명하다. Meanwhile, in the first substrate 110 for an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention, the driving and switching thin film transistor (not shown) has a semiconductor layer 113 of polysilicon and has a top gate type (Top gate). type), the driving and switching thin film transistor DTr (not shown) may be configured as a bottom gate type having a semiconductor layer of amorphous silicon.

상기 구동 및 스위칭 박막트랜지스터가 보텀 게이트 타입으로 구성되는 경우, 그 적층구조는 게이트 전극/게이트 절연막/순수 비정질 실리콘의 액티브층과 서로 이격하며 불순물 비정질 실리콘의 오믹 콘택층으로 이루어진 반도체층과/서로 이격하는 소스 및 드레인 전극으로 이루어지게 된다. 이때, 게이트 배선은 상기 게이트 전극이 형성된 층에 상기 스위칭 박막트랜지스터의 게이트 전극과 연결되도록 형성되며, 상기 데이터 배선은 상기 스위칭 박막트랜지스터의 소스 전극이 형성된 층에 상기 소스 전극과 연결되도록 형성되는 것이 특징이다. When the driving and switching thin film transistor is configured as a bottom gate type, the stacked structure is spaced apart from the active layer of the gate electrode / gate insulating film / pure amorphous silicon and spaced apart from the semiconductor layer made of an ohmic contact layer of impurity amorphous silicon. It is made of a source and a drain electrode. In this case, the gate line is formed to be connected to the gate electrode of the switching thin film transistor on the layer where the gate electrode is formed, and the data line is formed to be connected to the source electrode on the layer where the source electrode of the switching thin film transistor is formed. to be.

한편, 상기 구동 및 스위칭 박막트랜지스터(DTr, 미도시) 위로는 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(136)을 노출시키는 드레인 콘택홀(143)을 갖는 보호층(140)이 형성되어 있다. 이때, 상기 보호층(140)은 유기절연물질 예를들면 포토아크릴 또는 벤조사이클로부텐으로 1㎛ 내지 3㎛ 정도의 두께를 가지며 형성되며, 각 화소영역(P)의 중앙부 더욱 정확히는 유기 발광층(155)이 형성되는 부분에 대응해서는 그 표면이 올록볼록한 엠보싱 구조를 이루는 것이 특징이다. 이렇게 보호층(140) 표면이 올록볼록한 엠보싱 구조를 갖도록 형성하는 것을 이의 상부에 구성되는 구성요소가 모두 그 표면에 올록볼록한 엠보싱 구조를 갖도록 하기 위함이다. 이때, 상기 올록볼록한 엠보싱은 일정한 폭과 크기를 가지며 형성될 수도 있고 또는, 랜덤한 형태를 이룰 수도 있다. Meanwhile, a passivation layer 140 having a drain contact hole 143 exposing the drain electrode 136 of the driving thin film transistor DTr is formed on the driving and switching thin film transistor DTr (not shown). In this case, the protective layer 140 is formed of an organic insulating material, for example, photoacrylic or benzocyclobutene, having a thickness of about 1 μm to 3 μm, and more precisely in the center of each pixel area P, more specifically, the organic light emitting layer 155. Corresponding to this formed portion, the surface is characterized by a convex embossed structure. The protective layer 140 is formed to have a convex embossing structure in order to have all the components configured thereon have a convex embossing structure on the surface thereof. In this case, the convex embossing may be formed to have a predetermined width and size, or may form a random form.

또한, 그 표면에 올록볼록한 엠보싱 형태를 갖는 상기 보호층(140) 위로는 상기 드레인 콘택홀(143)을 통해 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(136)과 접촉하며 각 화소영역(P) 별로 분리된 형태를 갖는 제 1 전극(147)이 형성되어 있다. 이때, 상기 제 1 전극(147)은 상기 유기전계 발광소자가 상부발광 방식 또는 하부 발광방식 중 어떠한 방식을 취하는가에 따라 이를 이루는 물질이 달라질 수 있다. In addition, the protective layer 140 having an embossed shape on the surface thereof is in contact with the drain electrode 136 of the driving thin film transistor DTr through the drain contact hole 143. The first electrode 147 having a separate shape is formed. In this case, the material of the first electrode 147 may vary depending on whether the organic light emitting diode is a top emission method or a bottom emission method.

상기 유기전계 발광소자(101)가 하부 발광 방식을 이루는 경우, 상기 제 1 전극(147)은 비교적 높은 일함수 값을 갖는 투명 도전성 물질인 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)의 단일층으로 이루어지며, 또한, 상부발광 방식을 이루는 경우 상기 제 1 전극(147)은 반사효율이 우수한 금속물질 예를들면 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 은(Ag), 은 합금(AgAl)으로 이루어진 하부층과 비교적 높은 일함수 값을 갖는 투명 도전성 물질인 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드로 이루어진 상부층으로 구성되어 이중층 구조를 이룰 수도 있다.When the organic light emitting diode 101 forms a bottom light emission method, the first electrode 147 may be formed of indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (ITO), which is a transparent conductive material having a relatively high work function value. IZO) and a top light emitting method, the first electrode 147 is a metal material having excellent reflection efficiency, for example, aluminum (Al), aluminum alloy (AlNd), silver (Ag), A double layer structure may be formed by forming a lower layer made of silver alloy (AgAl) and an upper layer made of indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide, which is a transparent conductive material having a relatively high work function value.

이때, 상기 제 1 전극(147)은 단일층 구조 또는 이중층 구조에 관계없이 그 하부에 구비된 보호층(140)의 형태에 영향을 받아 그 표면이 올록볼록한 엠보싱 구조를 갖는 것이 특징이다.In this case, the first electrode 147 has an embossed structure in which the surface thereof is convex, depending on the shape of the protective layer 140 provided below, regardless of the single layer structure or the double layer structure.

다음, 전술한 바와같이 그 표면이 올록볼록한 엠보싱 형태를 갖는 제 1 전극(147)간의 이격영역 즉, 각 화소영역(P)간의 경계에는 뱅크(150)가 구비되고 있다. 이때, 상기 뱅크(150)는 상기 각 화소영역(P)별로 형성된 상기 제 1 전극(147)의 가장자리와 중첩하도록 형성됨으로서 표시영역 전체적으로는 다수의 개구를 갖는 격자형태를 이루고 있으며, 상기 뱅크(150)로 둘러싸인 영역에는 상기 제 1 전극(147)의 표면이 노출되고 있다.Next, as described above, the bank 150 is provided at a separation area between the first electrodes 147 having an embossed surface whose surface is convex, that is, at the boundary between the pixel areas P. In this case, the bank 150 is formed to overlap the edge of the first electrode 147 formed for each pixel region P, thereby forming a lattice shape having a plurality of openings as a whole of the display area. ), The surface of the first electrode 147 is exposed.

다음, 상기 뱅크(150)로 둘러싸인 영역의 상기 제 1 전극(147) 상부에는 각 화소영역별로 순차 반복하며 적, 녹, 청색을 발광하는 유기 발광층(155)이 형성되고 있다. 이때, 이러한 유기 발광층(155) 또한 하부에 위치하는 상기 제 1 전극(147)의 엠보싱 구조를 갖는 표면 형태의 영향으로 그 표면이 올록볼록한 엠보싱 구조를 이루고 있는 것이 특징이다. Next, an organic emission layer 155 is formed on the first electrode 147 in an area surrounded by the bank 150 and sequentially emits red, green, and blue colors for each pixel area. At this time, the organic light emitting layer 155 also has an embossed structure in which the surface is convex due to the influence of the surface shape having the embossed structure of the first electrode 147 located below.

이때, 상기 유기 발광층(155)은 도면에 나타난 바와 같이 유기 발광 물질로 이루어진 단일층으로 구성될 수도 있으며, 또는 도면에 나타나지 않았지만 발광 효율을 높이기 위해 정공주입층(hole injection layer), 정공수송층(hole transporting layer), 발광 물질층(emitting material layer), 전자수송층(electron transporting layer) 및 전자주입층(electron injection layer)의 다중층으로 구성될 수도 있다. In this case, the organic light emitting layer 155 may be composed of a single layer made of an organic light emitting material, as shown in the figure, or not shown in the drawing to increase the luminous efficiency, a hole injection layer (hole injection layer), a hole transport layer (hole) It may be composed of multiple layers of a transporting layer, an emitting material layer, an electron transporting layer, and an electron injection layer.

다음, 상기 유기 발광층(155)과 상기 뱅크(150)의 상부에는 상기 표시영역 전면에 제 2 전극(158)이 형성되어 있다. 이때, 상기 제 2 전극(158)은 하부에 구성된 구성요소의 영향을 받아 상기 뱅크(150)가 형성된 부분에 대해서는 평탄한 표면을 가지며 상기 유기 발광층(155)이 형성된 부분에 대해서는 올록볼록한 엠보싱 구조를 갖는 것이 특징이다. Next, a second electrode 158 is formed over the display area on the organic emission layer 155 and the bank 150. At this time, the second electrode 158 has a flat surface for the portion where the bank 150 is formed under the influence of the components formed therein and has a convex embossing structure for the portion where the organic light emitting layer 155 is formed. Is characteristic.

또한, 상기 제 2 전극(158)은 상기 유기전계 발광소자(101)가 하부발광 방식을 이루는 경우, 반사효율이 우수하며 일함수 값이 비교적 낮은 금속물질인 알루미늄(Al)으로 이루어지며, 상기 유기전계 발광소자(101)가 상부발광 방식을 이루는 경우 투과율 향상을 위해 마그네슘-은(MgAg) 합금으로 이루어지고 있다.In addition, the second electrode 158 is made of aluminum (Al), which is a metal material having excellent reflection efficiency and a relatively low work function value when the organic light emitting diode 101 forms a bottom emission method. The electroluminescent device 101 is made of a magnesium-silver (MgAg) alloy to improve the transmittance when the upper light emitting method is achieved.

이때, 상기 제 1 전극(147)과 제 2 전극(158)과 이들 두 전극(147, 158) 사이에 개재된 유기 발광층(155)은 유기전계 발광 다이오드(E)를 이룬다.In this case, the organic light emitting layer 155 interposed between the first electrode 147 and the second electrode 158 and the two electrodes 147 and 158 forms an organic light emitting diode (E).

다음, 전술한 구성을 갖는 제 1 기판(110)과 대응하여 상기 유기발광 다이오드(E)의 인캡슐레이션을 위해 제 2 기판(170)이 대향하여 위치하고 있으며, 상기 제 1 기판(110)과 제 2 기판(170)의 사이에는 그 테두리를 따라 씰패턴(미도시)이 구비됨으로서 상기 씰패턴(미도시)에 의해 상기 제 1 및 제 2 기판(110, 170)이 고정되어 패널 상태를 이룸으로써 본 발명에 따른 유기전계 발광소자(101)가 완성되고 있다.Next, in order to encapsulate the organic light emitting diode E, the second substrate 170 is disposed to face the first substrate 110 having the above-described configuration, and the first substrate 110 and the first substrate 110 are disposed to face each other. The second and second substrates 170 are provided with a seal pattern (not shown) along the edge thereof, so that the first and second substrates 110 and 170 are fixed by the seal pattern (not shown) to form a panel state. The organic EL device 101 according to the present invention is completed.

이러한 구성을 갖는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)는 유기 발광층(155)에서 발광된 빛이 발광방식에 따라 하부에 위치한 제 1 전극(147)측으로 입사되거나, 또는 상부에 위치한 제 2 전극(158)측으로 입사되는 경우 전반사 조건(밀한 매질에서 소한 매질로 빛이 진행할 때 빛의 입사각이 임계각보다 커지는 경우)이 만족되어 전반사가 발생된다 하더라도 도 5(본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자 중 하부발광 방식의 유기전계 발광소자에 있어서 각 화소영역 내부에서 빛의 진행을 도시한 도면)에 도시한 바와같이, 상기 제 1 전극(147)과 제 2 전극(158)의 표면이 올록볼록한 엠보싱 구조를 이룸으로써 지속적으로 동일한 반사각을 가지며 반사되는 거울반사는 발생하지 않는다. In the organic light emitting device 101 according to the first embodiment of the present invention having the above configuration, the light emitted from the organic light emitting layer 155 is incident on the side of the first electrode 147 located below or according to the light emission method. When the total reflection condition (when the incident angle of light becomes larger than the critical angle when the light proceeds from the dense medium to the small medium) is satisfied when incident on the side of the second electrode 158 located in FIG. 5 (first embodiment of the present invention) In the organic light emitting diode of the organic light emitting diode according to the embodiment, the first electrode 147 and the second electrode ( The surface of 158 has a convex embossing structure so that the mirror reflecting continuously has the same angle of reflection and no reflection occurs.

따라서, 유기 발광층(155)으로부터 발생한 빛이 제 1 전극(147) 또는 제 2 전극(158)측으로 입사되어 최초에는 전반사 조건이 만족되어 전반사가 발생된다 하더라도 반사된 빛의 입사각이 지속적으로 변화되어 전반사를 일으키게 되는 임계각보다 작아지게 되어 전반사 조건을 탈피하게 됨으로써 상기 제 1 전극(147) 내부 또는 제 2 전극(158) 내부에서 도파관처럼 상기 제 1 기판의 측면으로 진행되는 빛은 현저히 줄어들게 된다. 또한, 몇 번의 전반사가 진행된 후 입사각의 변화에 의해 전반사 조건을 탈피하게 되는 빛은 상기 제 1 전극(147) 또는 제 2 전극(158)을 투과하여 최종적으로 사용자가 바라보는 측으로 나아가게 됨으로 광효율이 향상될 수 있다.Therefore, even though the light generated from the organic light emitting layer 155 is incident on the first electrode 147 or the second electrode 158 and the total reflection condition is satisfied at first, total reflection occurs, the incident angle of the reflected light is continuously changed to total reflection. Since the light beam is smaller than the critical angle that causes the light to escape from the total reflection condition, the light traveling toward the side of the first substrate like the waveguide in the first electrode 147 or the second electrode 158 is significantly reduced. In addition, the light that escapes the total reflection condition due to the change of the incident angle after a few total reflections passes through the first electrode 147 or the second electrode 158 and finally goes to the side that the user views, thereby improving light efficiency. Can be.

통상적으로 유기 발광층(155)은 평균적으로 1.7정도의 굴절율을 가지며, 유기절연물질인 포토아크릴 또는 벤조사이클로부텐으로 이루어진 물질층(도면에 있어서는 보호층(140))은 1.7, 투명 도전성 물질인 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)로 이루어진 물질층은 1.8 정도의 굴절율을 갖는다. Typically, the organic light emitting layer 155 has a refractive index of about 1.7 on average, and a material layer (photoprotective layer 140 in the drawing) made of an organic insulating material photoacryl or benzocyclobutene is 1.7, and an indium- transparent material. The material layer made of tin-oxide (ITO) or indium-zinc-oxide (IZO) has a refractive index of about 1.8.

유기 발광층(155)에서 발생한 빛은 각 물질층의 계면에서 반사 또는 전반사 조건 만족에 의한 전반사가 발생하게 되며, 특히 투명 도전성 물질로 이루어진 제 1 전극(147)에 입사하여 타 물질층으로 진행하는 경우 전반사가 발생될 여지가 큼을 알 수 있다. The light generated in the organic light emitting layer 155 is totally reflected by the reflection or the total reflection condition at the interface of each material layer, in particular when the incident to the first electrode 147 made of a transparent conductive material to proceed to another material layer It can be seen that the total reflection is likely to occur.

본 발명의 제 1 실시예에 있어서는 제 1 전극(147)은 그 양 표면이 모두 엠보싱 구조를 이룸으로써 그 위치별로 반사되는 빛의 진행방향으로의 입사각을 변화시킬 수 있으므로 전반사를 억제하여 광효율을 향상시킬 수 있다. In the first embodiment of the present invention, since both surfaces of the first electrode 147 form an embossing structure, the incident angle in the traveling direction of the light reflected for each position can be changed, thereby suppressing total reflection to improve light efficiency. You can.

본 발명의 제 1 실시예에 따른 하부발광 방식의 유기전계 발광소자(101)는 유기 발광층(155)으로부터 나온 빛이 제 1 전극(147)측으로 입사되며, 제 2 전극(158)측으로 입사된 빛은 제 2 전극(158)이 반사특성을 가지므로 상기 제 2 전극(158)에서 반사된 후 유기 발광층(155)을 통과하여 상기 제 1 전극(147)으로 입사됨을 알 수 있다. 따라서, 상기 제 1 전극(147)의 구조 특성 상 상기 제 1 전극(147) 내부에서 전반사에 의해 상기 제 1 기판(110)의 측면으로 도파되는 빛은 최소화될 수 있음을 알 수 있다.In the bottom emission type organic light emitting diode 101 according to the first embodiment of the present invention, light emitted from the organic light emitting layer 155 is incident on the first electrode 147 side, and light incident on the second electrode 158 side. Since the second electrode 158 has a reflective characteristic, it can be seen that the second electrode 158 is reflected by the second electrode 158 and then passes through the organic light emitting layer 155 to be incident to the first electrode 147. Therefore, it can be seen that the light guided to the side of the first substrate 110 by total reflection inside the first electrode 147 can be minimized due to the structural characteristics of the first electrode 147.

한편, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 상부발광 방식의 유기전계 발광소자(101)는 유기 발광층(155)으로부터 발생한 빛의 일부는 제 2 전극(158)측으로 진행하며, 제 1 전극(147)측으로 진행한 빛은 제 1 전극(147)이 이중층 구조로 이루어짐으로써 반사특성이 우수한 금속물질로 이루어진 하부층(미도시)에 의해 반사되어 투명 도전성 물질로 이루어진 상부층(미도시)에 입사되며, 이때, 상기 제 1 전극(147)의 상부층(미도시)은 굴절율이 더 작은 물질로 이루어진 유기 발광층(155)과 계면을 이룸으로 전반사 조건을 만족할 수 있지만, 그 표면이 엠보싱 구조를 이룸으로써 입사각이 변화되어 전반사를 탈피할 수 있으므로 최종적으로 유기 발광층(155) 및 제 2 전극(158)을 투과하여 사용자가 바라보는 측면으로 나오게 됨으로서 광효율을 향상시킬 수 있는 것이다. On the other hand, in the organic light emitting device 101 of the top emission type according to the first embodiment of the present invention, a part of the light generated from the organic light emitting layer 155 proceeds to the second electrode 158, and the first electrode 147 The light propagated toward the side is reflected by a lower layer (not shown) made of a metal material having excellent reflection characteristics by the first electrode 147 having a double layer structure, and incident to an upper layer (not shown) made of a transparent conductive material. The upper layer (not shown) of the first electrode 147 may satisfy the total reflection condition by forming an interface with the organic light emitting layer 155 made of a material having a smaller refractive index, but the incident angle may be changed by forming an embossed surface. Since total reflection can be avoided, light efficiency can be improved by finally passing through the organic light emitting layer 155 and the second electrode 158 to the side viewed by the user.

또한, 이러한 구성을 갖는 본 발명에 따른 유기전계 발광소자는 제 1 전극(147) 뿐만 아니라 유기 발광층(155)과 제 2 전극(158) 또한 그 표면이 모두 엠보싱 구조를 가지므로 상기 제 1 전극(147) 이외의 구성요소의 계면에서 반사 또는 전반사가 발생되더라도 반사되는 빛의 입사각이 엠보싱을 갖는 표면의 위치에 따라 달라짐으로써 지속적인 전반사 발생에 의해 제 1 기판(101)의 측면으로 진행되어 사라지는 빛을 최소화할 수 있으므로 더욱더 광효율을 향상시킬 수 있는 것이 특징이다.In addition, in the organic light emitting device according to the present invention having the above configuration, not only the first electrode 147 but also the organic light emitting layer 155 and the second electrode 158 also have embossed surfaces, so that the first electrode ( 147) Even if reflection or total reflection occurs at an interface of a component other than the light source, the incident angle of the reflected light varies depending on the position of the surface having embossing, so that the light disappears as it progresses to the side of the first substrate 101 due to continuous total reflection. Because it can minimize, it is possible to further improve the light efficiency.

전술한 구성을 갖는 본 발명에 따른 유기전계 발광소자는 광량 측정 장치를 이용하여 측정한 결과 유기 발광층(155)으로부터 발생한 빛 중 53%정도가 최종적으로 사용자가 바라보는 면으로 출사됨이 됨을 알 수 있었으며, 유기 발광층(155)에서 발생한 빛의 19% 정도가 최종적으로 출사되는 종래의 유기전계 발광소자(도 2의 1) 대비 34% 정도의 많은 빛이 출사됨을 알 수 있다.
In the organic light emitting device according to the present invention having the above-described configuration, as a result of measuring by using a light quantity measuring device, it can be seen that about 53% of the light emitted from the organic light emitting layer 155 is finally emitted to the user's viewing surface. As much as about 19% of the light generated by the organic light emitting layer 155 is emitted, much light is emitted by about 34% compared to the conventional organic light emitting device (1 of FIG. 2).

도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 하나의 화소영역에 대한 단면도로서 반사판을 구비한 상부발광 방식 유기전계 발광소자에 대한 도면이다. 설명의 편의를 위해 화소영역(P)내에 구동 박막트랜지스터(DTr)가 형성되는 영역을 구동영역(DA), 스위칭 박막트랜지스터가 형성되는 영역을 스위칭 영역(미도시)이라 정의하며, 제 1 실시예와 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하였으며, 대부분의 구성요소는 전술한 제 1 실시예에 따른 상부발광 방식 유기전계 발광소자와 동일하므로 제 1 실시예와 차별점이 있는 부분을 위주로 설명한다.FIG. 6 is a cross-sectional view of one pixel area of an organic light emitting diode according to a second exemplary embodiment of the present invention, and illustrates a top emission type organic light emitting diode having a reflective plate. For convenience of description, an area in which the driving thin film transistor DTr is formed in the pixel area P is defined as a driving area DA and an area in which the switching thin film transistor is formed as a switching area (not shown). Like reference numerals refer to like elements, and most of the elements are the same as those of the top emission type organic light emitting diode according to the first embodiment.

도시한 바와같이, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 상부 발광방식 유기전계 발광소자(101)의 제 1 기판(110)에는 각 화소영역(P)의 경계에 서로 교차하며 게이트 및 데이터 배선(미도시, 130)이 형성되어 있으며, 상기 게이트 배선(미도시) 또는 데이터 배선(130)과 이격하며 전원배선(미도시)이 형성되어 있다. As illustrated, the first substrate 110 of the top emission type organic light emitting diode 101 according to the second embodiment of the present invention crosses each other at the boundary of each pixel region P and has gate and data lines (not shown). 130 is formed and is spaced apart from the gate wiring (not shown) or the data wiring 130 and a power wiring (not shown) is formed.

또한, 각 화소영역(P)에는 상기 게이트 배선(alehtl) 및 데이터 배선(130)과 연결되며 스위칭 박막트랜지스터(미도시)가 구비되고 있으며, 상기 스위칭 박막트랜지스터(미도시) 및 전원배선(미도시)과 연결되며 구동 박막트랜지스터(DTr)가 형성되어 있다.In addition, each pixel area P is connected to the gate line ahltl and the data line 130 and includes a switching thin film transistor (not shown), and the switching thin film transistor (not shown) and a power wiring (not shown). ) And a driving thin film transistor DTr is formed.

한편, 상기 구동 및 스위칭 박막트랜지스터(DTr, 미도시) 위로는 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(136)을 노출시키는 드레인 콘택홀(143)을 갖는 보호층(140)이 형성되어 있다. 이때, 상기 보호층(140)은 유기절연물질 예를들면 포토아크릴 또는 벤조사이클로부텐으로 1㎛ 내지 3㎛ 정도의 두께를 가지며 형성되며, 각 화소영역(P)의 중앙부 더욱 정확히는 유기 발광층(155)이 형성되는 부분에 대응해서는 그 표면이 올록볼록한 엠보싱 구조를 이루는 것이 특징이다. Meanwhile, a passivation layer 140 having a drain contact hole 143 exposing the drain electrode 136 of the driving thin film transistor DTr is formed on the driving and switching thin film transistor DTr (not shown). In this case, the protective layer 140 is formed of an organic insulating material, for example, photoacrylic or benzocyclobutene, having a thickness of about 1 μm to 3 μm, and more precisely in the center of each pixel area P, more specifically, the organic light emitting layer 155. Corresponding to this formed portion, the surface is characterized by a convex embossed structure.

다음, 상기 올록볼록한 엠보싱 표면을 갖는 상기 보호층(140) 위에는 반사효율이 우수한 금속물질 예를들면 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금(AlNd)으로 이루어진 반사판(144)이 형성되어 있다. 이때, 상기 반사판(144)은 그 하부에 형성된 상기 보호층(140)의 영향으로 그 표면이 올록볼록한 엠보싱 형태를 이루는 것이 특징이며, 상기 보호층(140)에 구비된 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(136)을 노출시키는 드레인 콘택홀(143)에 대응하여 개구가 형성되고 있으며, 각 화소영역(P)별로 분리 형성될 수도 있으며, 또는 표시영역 전면에 형성될 수도 있다. Next, on the protective layer 140 having the convex embossing surface, a reflecting plate 144 made of a metal material having excellent reflection efficiency, for example, aluminum (Al) or aluminum alloy (AlNd), is formed. At this time, the reflector plate 144 is characterized in that the surface of the embossed shape is convex, due to the influence of the protective layer 140 formed on the lower, of the driving thin film transistor (DTr) provided in the protective layer 140. An opening is formed corresponding to the drain contact hole 143 exposing the drain electrode 136, and may be separately formed for each pixel area P, or may be formed over the entire display area.

다음, 상기 반사판(144) 상부에는 유기절연물질로 이루어진 평탄화층(145)이 구비되고 있으며, 상기 평탄화층(145)과 상기 보호층(140)에는 상기 반사판(144)에 구비된 개구를 관통하여 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(136)을 노출시키는 드레인 콘택홀(143)이 구비되어 있다.Next, a planarization layer 145 made of an organic insulating material is provided on the reflective plate 144, and the planarization layer 145 and the protective layer 140 pass through an opening provided in the reflective plate 144. A drain contact hole 143 exposing the drain electrode 136 of the driving thin film transistor DTr is provided.

또한, 상기 평탄화층(145) 상부에는 상기 드레인 콘택홀(143)을 통해 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(136)과 접촉하며 각 화소영역(P) 별로 분리된 형태를 갖는 제 1 전극(147)이 형성되어 있다. 이때, 상기 제 1 전극(147)은 그 하부에 위치한 평탄한 표면을 갖는 평탄화층(145)에 영향으로 평탄한 표면을 갖도록 형성되고 있으며, 이의 상부에 구비된 유기 발광층(155)과 상기 유기 발광층(155)에 대응하는 부분의 제 2 전극(158) 또한 평탄한 표면을 가지며 형성되고 있는 것이 특징이다. In addition, a first electrode on the planarization layer 145 is in contact with the drain electrode 136 of the driving thin film transistor DTr through the drain contact hole 143 and is separated for each pixel region P. 147 is formed. In this case, the first electrode 147 is formed to have a flat surface under the influence of the planarization layer 145 having a flat surface disposed below the organic light emitting layer 155 and the organic light emitting layer 155 provided thereon. The second electrode 158 in the portion corresponding to) also has a flat surface.

상기 제 2 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)에 있어서 엠보싱 구조를 갖는 반사판과, 평탄화층(145)과 평탄한 표면을 갖는 제 1 전극(147)과 유기 발광층(155) 및 제 2 전극(158) 이외에 구성요소는 전술한 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자와 동일하므로 그 설명은 생략한다. In the organic light emitting device 101 according to the second embodiment, a reflecting plate having an embossing structure, a first electrode 147 having a flat surface and a flat surface 145, an organic light emitting layer 155, and a second electrode ( In addition, since the components are the same as those of the organic light emitting device according to the first embodiment, the description thereof is omitted.

전술한 구성을 갖는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)는 상기 제 1 전극(147)과 유기 발광층(155)과 제 2 전극(158)이 화소영역(P)에 대응하는 부분이 평탄한 표면을 갖는다 할지라도 상기 반사판(144) 자체가 그 하부에 위치한 유기절연물질로 이루어지며 그 표면이 올록볼록한 엠보싱 구조를 갖는 보호층(140)의 영향으로 올록볼록한 표면을 갖도록 형성됨으로서 상기 반사판(140)에 입사되는 빛은 거울 반사가 억제되며, 상기 반사판(144)에 의해 반사되어 제 2 기판(170)을 향하여 진행하는 빛의 입사각이 조절되어 상기 제 2 기판(170)면을 향하여 진행하는 빛량을 증가시킬 수 있다. 따라서, 광효율을 향상시킬 수 있는 것이 특징이다.
In the organic light emitting device 101 according to the second embodiment of the present invention having the above-described configuration, the first electrode 147, the organic light emitting layer 155, and the second electrode 158 correspond to the pixel region P. FIG. Although the part having a flat surface, the reflecting plate 144 itself is made of an organic insulating material located below it, and its surface is formed to have a convex surface under the influence of the protective layer 140 having a convex embossing structure. Light incident on the reflector plate 140 is suppressed from mirror reflection, and the incident angle of light reflected by the reflector plate 144 and traveling toward the second substrate 170 is adjusted to adjust the surface of the second substrate 170. You can increase the amount of light going toward it. Therefore, it is a characteristic that the light efficiency can be improved.

도 7은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 하부 발광방식 유기전계 발광소자의 하나의 화소영역에 대한 단면도로서 유기전계 발광 다이오드와 보호층이 형성된 화소영역의 중앙부에 대한 도면이다. 대부분의 구성요소는 전술한 제 1 실시예에 따른 하부발광 방식 유기전계 발광소자와 동일하므로 제 1 실시예와 차별점이 있는 부분을 위주로 설명한다.FIG. 7 is a cross-sectional view of one pixel area of a bottom emission type organic light emitting diode according to a third exemplary embodiment of the present invention, and illustrates a central portion of a pixel area in which an organic light emitting diode and a protective layer are formed. Since most of the components are the same as those of the bottom emission type organic light emitting diode according to the first embodiment described above, the description will be mainly focused on the parts that are different from the first embodiment.

본 발명의 제 3 실시예에 따른 하부 발광방식 유기전계 발광소자(101)에 있어서 제 1 기판(110)에는 버퍼층(111)과 게이트 절연막(116)이 형성되어 있으며, 상기 게이트 절연막(116) 상부로 층간절연막(123)을 개재하여 서로 교차하는 게이트 및 데이터 배선(미도시)이 형성되어 있으며, 상기 게이트 및 데이터 배선(미도시) 중 어느 하나의 배선과 이격하며 나란하게 전원배선(미도시)이 구비되고 있다. 또한, 각 화소영역(P)에는 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(미도시)가 형성되어 있다.In the bottom emission type organic light emitting diode 101 according to the third exemplary embodiment of the present invention, a buffer layer 111 and a gate insulating layer 116 are formed on a first substrate 110 and an upper portion of the gate insulating layer 116. The gate and data lines (not shown) intersecting with each other are formed through the interlayer insulating layer 123, and the power lines (not shown) are spaced apart from one of the gate and data lines (not shown). Is provided. In addition, a switching and driving thin film transistor (not shown) is formed in each pixel area P. FIG.

상기 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(미도시)를 덮으며 상기 층간절연막(123) 위로 그 표면이 올록볼록한 요철 구조를 갖는 제 1 보호층(140)이 형성되어 있다. 이때, 상기 제 1 보호층(140)에 구현되고 있는 요철을 살펴보면, 상기 층간절연막(123)을 기준으로 제 1 두께를 갖는 볼록한 철부(140a)는 제 1 폭을 가지며, 상기 층간절연막(123)을 기준으로 상기 제 1 두께보다 얇은 제 2 두께를 갖는 오목한 요부(140b)는 상기 제 1 폭보다 2배 내지 5배 정도 더 큰 제 2 폭을 가지며 형성되고 있는 것이 특징이다. 이때, 상기 요부는 그 단면 구조가 반원 또는 반타원 형태를 이루는 것이 특징이다. A first passivation layer 140 is formed on the switching and driving thin film transistor (not shown) and has a concave-convex structure whose surface is convex on the interlayer insulating layer 123. In this case, referring to the unevenness of the first protective layer 140, the convex convex portions 140a having the first thickness with respect to the interlayer insulating layer 123 have a first width and the interlayer insulating layer 123. The concave recess 140b having a second thickness thinner than the first thickness is formed with a second width that is about 2 to 5 times larger than the first width. At this time, the main portion is characterized in that the cross-sectional structure forms a semi-circle or semi-ellipse.

또한, 전술한 구성을 갖는 제 1 보호층(140) 위로는 무기절연물질로서 제 2 보호층(141)이 구비되어 있으며, 상기 제 2 보호층(141) 위로는 유기절연물질로서 그 표면이 평탄한 평탄화층(144)이 형성되어 있다. In addition, a second protective layer 141 is provided as an inorganic insulating material on the first protective layer 140 having the above-described configuration, and an organic insulating material is flat on the second protective layer 141. The planarization layer 144 is formed.

그리고 상기 평탄화층(144) 위로는 상기 평탄화층(144)에 영향을 받아 그 표면이 평탄한 제 1 전극(147)과 유기 발광층(155)과 제 2 전극(158)으로 이루어진 유기전계 발광 다이오드(E)가 구비되고 있다. 그 외의 구성요소는 제 1 실시예에 따른 하부 발광방식 유기전계 발광소자와 동일한 구성을 가지므로 그 설명은 생략한다.In addition, the organic light emitting diode E including the first electrode 147, the organic emission layer 155, and the second electrode 158 having a flat surface due to the planarization layer 144 is affected by the planarization layer 144. ) Is provided. Since other components have the same configuration as the bottom emission type organic light emitting device according to the first embodiment, description thereof is omitted.

전술한 구성을 갖는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 하부 발광방식 유기전계 발광소자(101)는 상기 평탄화층(144)은 상기 유기전계 발광 다이오드(E)를 기준으로 할 때, 상기 보호층(140)의 요부(141b)에 대응하는 부분이 볼록한 마이크로 렌즈(ML)를 이루게 되며, 이러한 평탄화층(144)에 구현된 다수의 볼록한 마이크로 렌즈(ML)의 작용에 의해 유기 발광층(155)으로 나온 빛을 제 1 기판(110) 면에 수직한 방향으로 집중시키는 역할을 함으로써 퍼짐에 의해 전반사가 발생하여 상기 제 1 기판(110)의 측면으로 도파되어 사라지는 빛을 최소화함으로써 광효율을 향상시키는 것이 특징이다.In the bottom emission type organic light emitting device 101 according to the third embodiment of the present invention having the above-described configuration, the planarization layer 144 is based on the organic light emitting diode E. A portion corresponding to the recessed portion 141b of the 140 forms a convex micro lens ML, which is emitted to the organic light emitting layer 155 by the action of the plurality of convex micro lenses ML implemented in the planarization layer 144. By concentrating the light in a direction perpendicular to the surface of the first substrate 110, it is characterized in that the light efficiency is improved by minimizing the light that is totally reflected by the spread, which is guided to the side of the first substrate 110 disappears. .

이러한 마이크로 렌즈(ML)가 형성된 평탄화층(144)을 구비한 본 발명의 제 3 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)는 광량 측정 장치를 이용하여 측정 시 평균적으로 종래의 유기전계 발광소자(도 2의 1) 대비 29%정도의 광효율 향상이 이루어짐을 알 수 있었다.
The organic light emitting device 101 according to the third exemplary embodiment of the present invention having the planarization layer 144 having the microlens ML formed thereon has a conventional organic light emitting device on average when measured using a light quantity measuring device. It can be seen that the light efficiency is improved by about 29% compared to 1) of FIG. 2.

101 : 유기전계 발광소자 110 : 제 1 기판
113 : 반도체층 113a : 제 1 영역
113b : 제 2 영역 116 : 게이트 절연막
120 : 게이트 전극 123 : 층간절연막
125 : 반도체층 콘택홀 130 : 데이터 배선
133 : 소스 전극 136 : 드레인 전극
140 : 보호층 143 : 드레인 콘택홀
147 : 제 1 전극 150 : 뱅크
155 : 유기 발광층 158 : 제 2 전극
163 : 절연패턴 170 : 제 2 기판
DA : 구동영역 DTr : 구동 박막트랜지스터
P : 화소영역101 organic light emitting device 110 first substrate
113: semiconductor layer 113a: first region
113b: second region 116: gate insulating film
120: gate electrode 123: interlayer insulating film
125 semiconductor layer contact hole 130 data wiring
133: source electrode 136: drain electrode
140: protective layer 143: drain contact hole
147: first electrode 150: bank
155: organic light emitting layer 158: second electrode
163: insulating pattern 170: second substrate
DA: driving area DTr: driving thin film transistor
P: pixel area

Claims (13)

다수의 화소영역을 포함하는 표시영역과 이의 외측으로 비표시영역이 정의된 제 1 기판과;
상기 제 1 기판 상의 상기 각 화소영역에 형성된 스위칭 박막트랜지스터 및 구동 박막트랜지스터와;
상기 스위칭 및 구동 박막트랜지스터를 덮으며 상기 각 화소영역에 대응하여 그 표면이 올록볼록한 엠보싱 구조를 가지며 형성된 보호층과;
상기 보호층 상부로 상기 구동 박막트랜지스터의 드레인 전극과 연결되며 형성된 유기전계 발광 다이오드와;
상기 제 1 기판과 마주하며 위치한 제 2 기판과;
상기 제 1 기판과 제 2 기판 사이의 상기 비표시영역에 개재되어 상기 제 1 기판 및 제 2 기판을 접착하여 패널상태를 이루도록 하는 씰패턴
을 포함하며, 상기 보호층 상부에 형성된 상기 유기전계 발광 다이오드는 상기 보호층의 영향으로 이를 구성하는 구성요소가 올록볼록한 엠보싱 구조를 가지며 형성된 것이 특징인 유기전계 발광소자.
A first substrate having a display area including a plurality of pixel areas and a non-display area defined outside thereof;
A switching thin film transistor and a driving thin film transistor formed in each pixel area on the first substrate;
A protective layer covering the switching and driving thin film transistor and having an embossed structure whose surface is convex corresponding to each pixel area;
An organic light emitting diode connected to the drain electrode of the driving thin film transistor above the protective layer;
A second substrate facing the first substrate;
A seal pattern interposed in the non-display area between the first substrate and the second substrate to bond the first substrate and the second substrate to form a panel state
And an organic light emitting diode formed on the protective layer, wherein the organic light emitting diode has an embossed structure in which the constituent elements are convex, due to the influence of the protective layer.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 전극은 은(Ag), 은 합금, 알루미늄(Al), 알루미늄 합금 중 어느 하나로 이루어진 하부층과, 투명 도전성 물질인 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)로 이루어진 상부층의 이중층 구조를 가지며,
상기 제 2 전극은 마그네슘-은 합금(MgAg)으로 이루어져 상기 제 2 기판면을 향하여 발광하는 것이 특징인 유기전계 발광소자.
The method of claim 1,
The first electrode is formed of a lower layer made of any one of silver (Ag), silver alloy, aluminum (Al), and aluminum alloy, and indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), which are transparent conductive materials. Has a double layer structure of the upper layer,
And the second electrode is made of magnesium-silver alloy (MgAg) to emit light toward the second substrate surface.
다수의 화소영역을 포함하는 표시영역과 이의 외측으로 비표시영역이 정의된 제 1 기판과;
상기 제 1 기판 상의 상기 각 화소영역에 형성된 스위칭 박막트랜지스터 및 구동 박막트랜지스터와;
상기 스위칭 및 구동 박막트랜지스터를 덮으며 상기 각 화소영역에 대응하여 그 표면이 올록볼록한 엠보싱 구조를 가지며 형성된 보호층과;
상기 보호층 상부에 상기 보호층의 영향으로 올록볼록한 엠보싱 구조를 가지며 형성된 반사판과;
상기 반사판 상부로 평탄한 표면을 가지며 형성된 평탄화층과;
상기 평탄화층 위로 상기 구동 박막트랜지스터의 드레인 전극과 연결되며 형성된 유기전계 발광 다이오드와;
상기 제 1 기판과 마주하며 위치한 제 2 기판과;
상기 제 1 기판과 제 2 기판 사이의 상기 비표시영역에 개재되어 상기 제 1 기판 및 제 2 기판을 접착하여 패널상태를 이루도록 하는 씰패턴
을 포함하는 유기전계 발광소자.
A first substrate having a display area including a plurality of pixel areas and a non-display area defined outside thereof;
A switching thin film transistor and a driving thin film transistor formed in each pixel area on the first substrate;
A protective layer covering the switching and driving thin film transistor and having an embossed structure whose surface is convex corresponding to each pixel area;
A reflection plate formed on the protective layer and having an embossed structure convex under the influence of the protective layer;
A planarization layer formed on the reflector and having a flat surface;
An organic light emitting diode connected to the drain electrode of the driving thin film transistor on the planarization layer;
A second substrate facing the first substrate;
A seal pattern interposed in the non-display area between the first substrate and the second substrate to bond the first substrate and the second substrate to form a panel state
An organic light emitting device comprising a.
다수의 화소영역을 포함하는 표시영역과 이의 외측으로 비표시영역이 정의된 제 1 기판과;
상기 제 1 기판 상의 상기 각 화소영역에 형성된 스위칭 박막트랜지스터 및 구동 박막트랜지스터와;
상기 스위칭 및 구동 박막트랜지스터를 덮으며 상기 각 화소영역에 대응하여 그 표면이 올록볼록한 요철을 가지며 형성된 보호층과;
상기 보호층 상부에 상기 보호층의 영향으로 올록볼록한 요철 구조를 가지며 형성된 절연층과;
상기 절연층 상부로 평탄한 표면을 가지며 형성된 평탄화층과;
상기 평탄화층 위로 상기 구동 박막트랜지스터의 드레인 전극과 연결되며 형성된 유기전계 발광 다이오드와;
상기 제 1 기판과 마주하며 위치한 제 2 기판과;
상기 제 1 기판과 제 2 기판 사이의 상기 비표시영역에 개재되어 상기 제 1 기판 및 제 2 기판을 접착하여 패널상태를 이루도록 하는 씰패턴
을 포함하며, 상기 평탄화층 그 하부에 위치한 상기 보호층의 영향으로 상기 절연층과 접하는 면에는 상기 보호층의 요철 중 요부에 대응하여 볼록렌즈의 역할을 하며 상기 평탄화층의 평탄한 표면을 기준으로 볼록한 볼록부가 형성되며, 상기 유기전계 발광 다이오드로부터 발생된 빛은 상기 제 2 기판면을 향하여 발광하는 유기전계 발광소자.
A first substrate having a display area including a plurality of pixel areas and a non-display area defined outside thereof;
A switching thin film transistor and a driving thin film transistor formed in each pixel area on the first substrate;
A protective layer covering the switching and driving thin film transistor and having a convex-concave and convex surface corresponding to each pixel area;
An insulating layer formed on the protective layer and having an uneven structure convex under the influence of the protective layer;
A planarization layer having a flat surface above the insulating layer;
An organic light emitting diode connected to the drain electrode of the driving thin film transistor on the planarization layer;
A second substrate facing the first substrate;
A seal pattern interposed in the non-display area between the first substrate and the second substrate to bond the first substrate and the second substrate to form a panel state
And a surface in contact with the insulating layer under the influence of the protective layer positioned below the planarization layer, which serves as a convex lens corresponding to the recessed and unevenness of the protective layer, and is convex based on the flat surface of the planarization layer. A convex portion is formed, and the light generated from the organic light emitting diode emits light toward the second substrate surface.
제 4 항에 있어서,
상기 보호층에 구비된 요철 중 요부는 그 폭이 철부 폭의 2배 내지 5배의 크기를 가지며,
상기 요부는 그 단면 형태가 반원 또는 반타원형 형태인 것이 특징인 유기전계 발광소자.
The method of claim 4, wherein
Of the concave and convex provided in the protective layer has a width of 2 to 5 times the width of the convex portion,
The main portion is an organic light emitting device, characterized in that the cross-sectional shape of the semi-circle or semi-elliptic form.
제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,
상기 평탄화층은 유기절연물질인 포토아크릴 또는 벤조사이클로부텐으로 이루어진 것이 특징인 유기전계 발광소자.
The method according to claim 3 or 4,
The planarization layer is an organic light emitting device, characterized in that made of organic insulating material photoacryl or benzocyclobutene.
제 1 항 또는 제 4 항에 있어서,
제 1 전극은 투명 도전성 물질인 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)로 이루어지며,
상기 제 2 전극은 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금(AlNd)으로 이루어져 상기 제 1 기판면을 향하여 발광하는 것이 특징인 유기전계 발광소자.
The method according to claim 1 or 4,
The first electrode is made of indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), which is a transparent conductive material.
And the second electrode is made of aluminum (Al) or aluminum alloy (AlNd) to emit light toward the first substrate surface.
제 1 항, 제 3 항 및 제 4 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 유기전계 발광 다이오드는,
각 화소영역별로 형성된 제 1 전극과;
상기 제 1 전극 위로 형성된 유기 발광층과;
상기 유기 발광층을 덮으며 상기 표시영역 전면에 형성된 제 2 전극으로 구성된 유기전계 발광소자.
The method according to any one of claims 1, 3 and 4,
The organic light emitting diode,
A first electrode formed for each pixel region;
An organic light emitting layer formed on the first electrode;
An organic light emitting device comprising a second electrode formed over the organic light emitting layer and covering the display area.
제 8 항에 있어서,
상기 보호층 상부로 상기 각 화소영역의 경계에는 상기 각 제 1 전극의 가장자리와 중첩하며 뱅크가 형성된 것이 특징인 유기전계 발광소자.
The method of claim 8,
And an bank overlapping an edge of each of the first electrodes at a boundary of each pixel region above the passivation layer.
제 1 항, 제 3 항 및 제 4 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 기판은 투명한 유리, 플라스틱, 고분자 필름 중 어느 하나로 이루어진 것이 특징인 유기전계 발광소자.
The method according to any one of claims 1, 3 and 4,
The first and second substrates are organic light emitting diodes, characterized in that made of any one of transparent glass, plastic, polymer film.
제 1 항, 제 3 항 및 제 4 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 제 1 기판에는 각 화소영역의 경계를 따라 서로 교차하여 상기 화소영역을 정의하는 게이트 배선 및 데이터 배선이 구비되며,
상기 게이트 배선 또는 데이터 배선과 나란하게 이격하며 전원배선이 구비되며,
상기 게이트 배선은 상기 스위칭 박막트랜지스터의 게이트 전극과 연결되며, 상기 데이터 배선은 상기 스위칭 박막트랜지스터의 소스 전극과 연결되며, 상기 전원배선은 상기 구동 박막트랜지스터의 소스 전극과 연결되도록 형성된 것이 특징인 유기전계 발광소자.
The method according to any one of claims 1, 3 and 4,
The first substrate is provided with gate lines and data lines crossing each other along a boundary of each pixel area to define the pixel area.
Power lines are provided to be spaced apart from each other and parallel to the gate lines or data lines.
The gate wiring is connected to the gate electrode of the switching thin film transistor, the data wiring is connected to the source electrode of the switching thin film transistor, and the power wiring is formed to be connected to the source electrode of the driving thin film transistor. Light emitting element.
제 1 항, 제 3 항 및 제 4 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 스위칭 및 구동 박막트랜지스터는,
순수한 폴리실리콘의 제 1 영역과, 상기 제 1 영역의 양측으로 폴리실리콘에 불순물이 도핑된 제 2 영역으로 구성된 반도체층과, 상기 반도체층을 덮으며 형성된 게이트 절연막과, 상기 제 1 영역에 대응하여 형성된 게이트 전극과, 상기 게이트 전극 위로 형성되며 상기 제 2 영역을 각각 노출시키는 반도체층 콘택홀을 갖는 층간절연막과, 상기 층간절연막 위로 상기 반도체층 콘택홀을 통해 각각 상기 제 2 영역과 접촉하며 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극으로 이루어지거나,
또는, 게이트 전극과, 상기 게이트 전극 위로 형성된 게이트 절연막과, 상기 게이트 절연막 위로 상기 게이트 전극에 대응하여 형성된 비정질 실리콘의 액티브층과, 상기 액티브층 상부로 서로 이격하며 형성된 불순물 비정질 실리콘의 오믹콘택층과, 상기 오믹콘택층 상부로 서로 이격하며 형성된 소스 및 드레인 전극으로 이루어진 것이 특징인 유기전계 발광소자.
The method according to any one of claims 1, 3 and 4,
The switching and driving thin film transistor,
A semiconductor layer comprising a first region of pure polysilicon, a second region doped with polysilicon on both sides of the first region, a gate insulating film formed covering the semiconductor layer, and the first region An interlayer insulating film having a formed gate electrode, a semiconductor layer contact hole formed over the gate electrode and exposing the second region, and contacting the second region through the semiconductor layer contact hole over the interlayer insulating film, and being spaced apart from each other. Consisting of source and drain electrodes,
Or a gate electrode, a gate insulating layer formed over the gate electrode, an active layer of amorphous silicon formed on the gate insulating layer corresponding to the gate electrode, an ohmic contact layer of impurity amorphous silicon formed to be spaced apart from each other above the active layer; And a source and a drain electrode formed to be spaced apart from each other above the ohmic contact layer.
제 1 항, 제 3 항 및 제 4 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 보호층은 유기절연물질인 포토아크릴 또는 벤조사이클로부텐으로 이루어진 것이 특징인 유기전계 발광소자.The method according to any one of claims 1, 3 and 4,
The protective layer is an organic light emitting device, characterized in that consisting of organic insulating material photoacryl or benzocyclobutene.
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