KR102098068B1 - White organic light emitting diode display device using micro cavity - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 36
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 10
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims description 7
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 7
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 92
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 12
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 10
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 9
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 9
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 6
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- -1 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
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- H10K59/876—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
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- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
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Abstract
본 발명의 마이크로 캐비티(micro-cavity) 구조를 적용한 화이트 유기발광다이오드(White Organic Light Emitting Diode; W-OLED) 표시장치는 W-OLED를 이용하여 발광하고 컬러필터를 이용하여 컬러를 구현하는 W-OLED 표시장치에 있어, 적어도 하나의 컬러 화소에 대해 서브화소를 2개의 영역으로 분할하여 분할된 하나의 서브화소에만 마이크로 캐비티 구조를 적용함으로써 시야각에 따른 색변이(color shift) 현상을 방지하면서 고휘도를 구현하기 위한 것으로, 적, 녹 및 청색의 서브화소로 이루어진 다수의 화소가 배치되는 기판; 상기 적, 녹 및 청색의 서브화소 각각에 형성된 적, 녹 및 청색의 컬러필터; 상기 적, 녹 및 청색의 컬러필터가 형성된 기판 위에 형성된 오버코트층; 상기 오버코트층 위의 상기 적, 녹 및 청색의 서브화소 각각에 형성된 화소전극; 상기 화소전극 위에 형성된 유기 화합물층; 및 상기 유기 화합물층 위에 형성된 공통전극을 포함하며, 상기 적, 녹 및 청색의 서브화소 중 적어도 하나의 서브화소에 대해 서브화소를 제 1, 제 2 서브화소 영역으로 분할하여 분할된 제 1 서브화소 영역에만 마이크로 캐비티 구조를 적용한 것을 특징으로 한다.The white organic light emitting diode (W-OLED) display device using the micro-cavity structure of the present invention emits light using W-OLED and implements color using a color filter. In an OLED display device, a sub-pixel is divided into two regions for at least one color pixel, and a micro-cavity structure is applied to only one divided sub-pixel to prevent color shift according to a viewing angle and to achieve high luminance. A substrate for arranging a plurality of pixels composed of red, green, and blue subpixels; Red, green and blue color filters formed on each of the red, green and blue sub-pixels; An overcoat layer formed on a substrate on which the red, green and blue color filters are formed; A pixel electrode formed on each of the red, green and blue sub-pixels on the overcoat layer; An organic compound layer formed on the pixel electrode; And a common electrode formed on the organic compound layer, the first subpixel region divided by dividing the subpixel into first and second subpixel regions for at least one subpixel among the red, green, and blue subpixels. It is characterized by applying a micro-cavity structure only.
Description
본 발명은 화이트 유기발광다이오드 표시장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 마이크로 캐비티(micro-cavity) 구조를 적용한 화이트 유기발광다이오드 표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to a white organic light emitting diode display device, and more particularly, to a white organic light emitting diode display device to which a micro-cavity (micro-cavity) structure is applied.
최근 정보 디스플레이에 관한 관심이 고조되고 휴대가 가능한 정보매체를 이용하려는 요구가 높아지면서 기존의 표시소자인 브라운관(Cathode Ray Tube; CRT)을 대체하는 경량 박형 평판표시소자(Flat Panel Display; FPD)에 대한 연구 및 상업화가 중점적으로 이루어지고 있다.Recently, as interest in information display has been heightened and the demand to use a portable information medium has increased, a lightweight flat panel display (FPD) that replaces the existing display element, a cathode ray tube (CRT), Korea's research and commercialization are focused.
이러한 평판표시소자 분야에서, 지금까지는 가볍고 전력소모가 적은 액정표시장치(Liquid Crystal Display Device; LCD)가 가장 주목받는 디스플레이 장치였지만, 다양한 요구에 따라 새로운 디스플레이 장치에 대한 개발이 활발하게 전개되고 있다.In the field of flat panel display devices, a liquid crystal display device (LCD), which is light and has low power consumption, has been the most popular display device, but development of new display devices has been actively developed according to various demands.
새로운 디스플레이 장치 중 하나인 유기발광다이오드 표시장치는 자체발광형이기 때문에 상기 액정표시장치에 비해 시야각과 명암비 등이 우수하며 백라이트(backlight)가 필요하지 않기 때문에 경량 박형이 가능하고, 소비전력 측면에서도 유리하다. 그리고, 직류 저전압 구동이 가능하고 응답속도가 빠르다는 장점이 있으며, 특히 제조비용 측면에서도 유리한 장점을 가지고 있다.The organic light emitting diode display device, which is one of the new display devices, is self-emission type, so it has a better viewing angle and contrast ratio than the liquid crystal display device, and it is possible to thin and light weight since it does not require a backlight, and is also advantageous in terms of power consumption. Do. In addition, it has the advantage of being capable of driving a DC low voltage and having a fast response speed, particularly in terms of manufacturing cost.
이하, 상기 유기발광다이오드 표시장치의 기본적인 구조 및 동작 특성에 대해서 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the basic structure and operating characteristics of the organic light emitting diode display device will be described in detail with reference to the drawings.
도 1은 유기발광다이오드의 발광원리를 설명하는 다이어그램이다.1 is a diagram for explaining the light emission principle of the organic light emitting diode.
일반적인 유기발광다이오드 표시장치는 상기 도 1과 같이, 유기발광다이오드를 구비한다. 상기 유기발광다이오드는 화소전극인 양극(anode)(18)과 공통전극인 음극(cathode)(28) 사이에 형성된 다수의 유기 화합물층(30a, 30b, 30c, 30d, 30e)을 구비한다.A typical organic light emitting diode display device includes an organic light emitting diode as shown in FIG. 1. The organic light emitting diode includes a plurality of
이때, 상기 유기 화합물층(30a, 30b, 30c, 30d, 30e)은 정공주입층(hole injection layer)(30a), 정공수송층(hole transport layer)(30b), 발광층(emission layer)(30c), 전자수송층(electron transport layer)(30d) 및 전자주입층(electron injection layer)(30e)을 포함한다.At this time, the organic compound layer (30a, 30b, 30c, 30d, 30e) is a hole injection layer (hole injection layer) (30a), hole transport layer (hole transport layer) (30b), emission layer (emission layer) (30c), electrons It includes a transport layer (electron transport layer) (30d) and an electron injection layer (electron injection layer) (30e).
상기 양극(18)과 음극(28)에 구동전압이 인가되면 상기 정공수송층(30b)을 통과한 정공과 상기 전자수송층(30d)을 통과한 전자가 발광층(30c)으로 이동되어 여기자를 형성하고, 그 결과 발광층(30c)이 가시광선을 발산하게 된다.When a driving voltage is applied to the
유기발광다이오드 표시장치는 전술한 구조의 유기발광다이오드를 가지는 화소를 매트릭스 형태로 배열하고 그 화소들을 데이터전압과 스캔전압으로 선택적으로 제어함으로써 화상을 표시한다.The organic light emitting diode display device displays an image by arranging pixels having an organic light emitting diode having the above-described structure in a matrix form and selectively controlling the pixels with a data voltage and a scan voltage.
상기 유기발광다이오드 표시장치는 수동 매트릭스(passive matrix) 방식 또는 스위칭소자로써 TFT를 이용하는 능동 매트릭스 방식의 표시장치로 나뉘어진다. 이 중에서, 상기 능동 매트릭스 방식은 능동소자인 TFT를 선택적으로 턴-온(turn on)시켜 화소를 선택하고 스토리지 커패시터(storage capacitor)에 유지되는 전압으로 화소의 발광을 유지한다.The organic light emitting diode display is divided into a passive matrix display or an active matrix display using TFT as a switching element. Among them, the active matrix method selects a pixel by selectively turning on a TFT, which is an active element, and maintains light emission of the pixel at a voltage maintained in a storage capacitor.
도 2는 일반적인 유기발광다이오드 표시장치에 있어, 하나의 화소에 대한 등가 회로도로써, 능동 매트릭스 방식의 유기발광다이오드 표시장치에 있어, 일반적인 2T1C(2개의 트랜지스터와 1개의 커패시터를 포함)의 화소에 대한 등가 회로도를 예를 들어 나타내고 있다.FIG. 2 is an equivalent circuit diagram for one pixel in a general organic light emitting diode display, and for a typical 2T1C (including two transistors and one capacitor) pixels in an active matrix type organic light emitting diode display. The equivalent circuit diagram is shown as an example.
상기 도 2를 참조하면, 능동 매트릭스 방식의 유기발광다이오드 표시장치의 화소는 유기발광다이오드(OLED), 서로 교차하는 데이터라인(DL)과 게이트라인(GL), 스위칭 TFT(SW), 구동 TFT(DR) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 구비한다.Referring to FIG. 2, the pixels of the active matrix type organic light emitting diode display device include an organic light emitting diode (OLED), a data line (DL) and a gate line (GL), a switching TFT (SW), and a driving TFT (crossing each other). DR) and a storage capacitor (Cst).
이때, 상기 스위칭 TFT(SW)는 게이트라인(GL)으로부터의 스캔펄스에 응답하여 턴-온됨으로써 자신의 소오스전극과 드레인전극 사이의 전류패스를 도통시킨다. 상기 스위칭 TFT(SW)의 온-타임기간 동안 데이터라인(DL)으로부터의 데이터전압은 스위칭 TFT(SW)의 소오스전극과 드레인전극을 경유하여 구동 TFT(DR)의 게이트전극과 스토리지 커패시터(Cst)에 인가된다.At this time, the switching TFT SW is turned on in response to the scan pulse from the gate line GL to conduct a current path between its source and drain electrodes. During the on-time period of the switching TFT SW, the data voltage from the data line DL passes through the source and drain electrodes of the switching TFT SW and the gate electrode and storage capacitor Cst of the driving TFT DR. Is applied to.
이때, 상기 구동 TFT(DR)는 자신의 게이트전극에 인가되는 데이터전압에 따라 상기 유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 전류를 제어한다. 그리고, 스토리지 커패시터(Cst)는 데이터전압과 저전위 전원전압(VSS) 사이의 전압을 저장한 후, 한 프레임기간동안 일정하게 유지시킨다.At this time, the driving TFT DR controls the current flowing through the organic light emitting diode OLED according to the data voltage applied to its gate electrode. Then, the storage capacitor Cst stores the voltage between the data voltage and the low potential power supply voltage VSS, and then keeps it constant for one frame period.
이와 같이 구성되는 일반적인 유기발광다이오드 표시장치는 발광 방식에 따라 배면발광(bottom emission) 방식과 전면발광(top emission) 방식으로 나뉘며, 상기 배면발광 방식에서는 양극을 상기 전면발광 방식에서는 음극을 반투명 전극으로 사용함으로써 양극과 음극 사이를 광 공진기(optical cavity)로 사용할 수 있다.The general organic light emitting diode display configured as described above is divided into a bottom emission method and a top emission method according to a light emission method, and in the back emission method, an anode is used, and in the front emission method, a cathode is a translucent electrode. By using, it can be used as an optical cavity between the anode and the cathode.
이러한 마이크로 캐비티(micro-cavity) 구조를 적용한 유기발광다이오드 표시장치는 적, 녹 및 청색의 서브화소별 전극과 유기 화합물층의 두께 조절을 통해 각 파장에 맞는 보강간섭을 발생시킴으로써 유기발광다이오드 표시장치의 효율을 향상시킬 수 있게 된다.The organic light emitting diode display using the micro-cavity structure generates reinforcement interference for each wavelength by controlling the thickness of the red, green, and blue sub-pixel electrodes and the organic compound layer, so that the organic light emitting diode display device The efficiency can be improved.
다만, 이러한 마이크로 캐비티 구조에서는 시야각이 정면에서 측면으로 이동할 때 보강되는 두 빛간의 광학거리(optical path length) 차이가 작아져 보강 파장대가 단파장 방향으로 이동하여 정면에서 발생하는 색과 달라지는 색변이(color shift) 현상이 발생하는 문제점이 있다.However, in such a micro-cavity structure, the difference in optical path length between two lights reinforced when the viewing angle moves from the front to the side is small, so the reinforcing wavelength band moves in the short wavelength direction and changes color from the front. There is a problem that a shift) phenomenon occurs.
본 발명은 상기한 문제를 해결하기 위한 것으로, 화이트 유기발광다이오드를 이용하여 발광하고 컬러필터를 이용하여 컬러를 구현하는 화이트 유기발광다이오드표시장치에 있어, 마이크로 캐비티 구조를 적용한 서브화소의 면적을 조절함으로써 시야각에 따른 색변이 현상을 방지하면서 고휘도를 구현하도록 한 마이크로 캐비티 구조를 적용한 화이트 유기발광다이오드표시장치를 제공하는데 목적이 있다.The present invention is to solve the above problems, in a white organic light emitting diode display device that emits light using a white organic light emitting diode and realizes color using a color filter, the area of a sub-pixel applied with a micro-cavity structure is adjusted. Accordingly, it is an object of the present invention to provide a white organic light emitting diode display device to which a micro-cavity structure is applied so as to realize high luminance while preventing color shift according to a viewing angle.
기타, 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 후술되는 발명의 구성 및 특허청구범위에서 설명될 것이다.In addition, other objects and features of the present invention will be described in the configuration and claims of the invention described below.
상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 캐비티 구조를 적용한 화이트 유기발광다이오드 표시장치는 적, 녹 및 청색의 서브화소로 이루어진 다수의 화소가 배치되는 기판; 상기 적, 녹 및 청색의 서브화소 각각에 형성된 적, 녹 및 청색의 컬러필터; 상기 적, 녹 및 청색의 컬러필터가 형성된 기판 위에 형성된 오버코트층; 상기 오버코트층 위의 상기 적, 녹 및 청색의 서브화소 각각에 형성된 화소전극; 상기 화소전극 위에 형성된 유기 화합물층; 및 상기 유기 화합물층 위에 형성된 공통전극을 포함하며, 상기 적, 녹 및 청색의 서브화소 중 적어도 하나의 서브화소에 대해 서브화소를 제 1, 제 2 서브화소 영역으로 분할하여 분할된 제 1 서브화소 영역에만 마이크로 캐비티(micro-cavity) 구조를 적용한 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a white organic light emitting diode display device to which a micro-cavity structure according to an embodiment of the present invention is applied includes a substrate on which a plurality of pixels composed of red, green and blue sub-pixels are disposed; Red, green and blue color filters formed on each of the red, green and blue sub-pixels; An overcoat layer formed on a substrate on which the red, green and blue color filters are formed; A pixel electrode formed on each of the red, green and blue sub-pixels on the overcoat layer; An organic compound layer formed on the pixel electrode; And a common electrode formed on the organic compound layer, the first subpixel region divided by dividing the subpixel into first and second subpixel regions for at least one subpixel among the red, green, and blue subpixels. It is characterized by applying a micro-cavity (micro-cavity) structure only.
이때, 상기 화소는 백색의 서브화소를 포함할 수 있다.In this case, the pixel may include a white sub-pixel.
이때, 상기 백색의 서브화소에 형성된 백색의 컬러필터를 추가로 포함할 수 있다.In this case, a white color filter formed on the white sub-pixel may be further included.
상기 유기 화합물층은 화이트를 발광할 수 있다.The organic compound layer may emit white light.
상기 화소전극은 인듐-틴-옥사이드(Indium Tin Oxide; ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(Indium Zinc Oxide; IZO)를 포함하는 투명한 도전물질로 이루어질 수 있다.The pixel electrode may be made of a transparent conductive material including indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO).
이때, 상기 제 1 서브화소 영역은 상기 화소전극 하부에 반투과층이 적층되어 마이크로 캐비티 구조를 이룰 수 있다.In this case, in the first sub-pixel area, a semi-transmissive layer is stacked under the pixel electrode to form a micro-cavity structure.
이때, 상기 반투과층은 칼슘(Ca), 바륨(Ba), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 은(Ag)을 포함하는 반사성 도전물질로 이루어질 수 있다.At this time, the semi-transmissive layer may be made of a reflective conductive material including calcium (Ca), barium (Ba), magnesium (Mg), aluminum (Al), and silver (Ag).
상기 반투과층 하부에 상기 투명한 도전물질로 형성된 버퍼층을 추가로 포함할 수 있다.A buffer layer formed of the transparent conductive material may be further included under the semi-transmissive layer.
상기 제 1 서브화소 영역의 화소전극은 상기 적, 녹 및 청색의 서브화소별로 서로 다른 두께를 가질 수 있다.The pixel electrodes of the first sub-pixel region may have different thicknesses for each of the red, green, and blue sub-pixels.
이때, 상기 제 2 서브화소 영역 및 상기 마이크로 캐비티 구조가 적용되지 않은 서브화소의 화소전극은 서로 동일한 두께를 가질 수 있다.In this case, the pixel electrodes of the second sub-pixel region and the sub-pixel to which the micro-cavity structure is not applied may have the same thickness.
상기 제 1 서브화소 영역과 제 2 서브화소 영역은 동일한 면적을 가질 수 있다.The first sub-pixel area and the second sub-pixel area may have the same area.
상기 제 1 서브화소 영역과 제 2 서브화소 영역은 서로 다른 면적을 가질 수 있다.The first sub-pixel area and the second sub-pixel area may have different areas.
상술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 캐비티 구조를 적용한 화이트 유기발광다이오드 표시장치는 화이트 유기발광다이오드를 이용하여 발광하고 컬러필터를 이용하여 컬러를 구현하는 화이트 유기발광다이오드 표시장치에 있어, 적어도 하나의 컬러 화소에 대해 서브화소를 2개의 영역으로 분할하여 분할된 하나의 서브화소에만 마이크로 캐비티 구조를 적용함으로써 시야각에 따른 색변이 현상을 방지하면서 고휘도를 구현할 수 있는 효과를 제공한다.As described above, the white organic light emitting diode display device to which the micro-cavity structure according to an embodiment of the present invention is applied is embodied in a white organic light emitting diode display device that emits light using a white organic light emitting diode and implements color using a color filter. Thus, by providing a micro-cavity structure for only one sub-pixel divided by dividing the sub-pixel into two regions for at least one color pixel, it provides an effect capable of realizing high luminance while preventing color shift according to the viewing angle.
도 1은 유기발광다이오드의 발광원리를 설명하는 다이어그램.
도 2는 일반적인 유기발광다이오드 표시장치에 있어, 하나의 화소에 대한 등가 회로도.
도 3은 본 발명에 따른 화이트 유기발광다이오드 표시장치의 구조를 개략적으로 나타내는 단면도.
도 4는 본 발명에 적용된 마이크로 캐비티 구조를 예시적으로 나타내는 단면도.
도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 마이크로 캐비티 구조를 적용한 화이트 유기발광다이오드 표시장치에 있어, 하나의 화소 구조를 예시적으로 나타내는 도면.
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 마이크로 캐비티 구조를 적용한 화이트 유기발광다이오드 표시장치에 있어, 하나의 화소 구조를 예시적으로 나타내는 도면.
도 7은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 마이크로 캐비티 구조를 적용한 화이트 유기발광다이오드 표시장치에 있어, 하나의 화소 구조를 예시적으로 나타내는 도면.
도 8은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 마이크로 캐비티 구조를 적용한 화이트 유기발광다이오드 표시장치에 있어, 하나의 화소 구조를 예시적으로 나타내는 도면.
도 9는 본 발명에 따른 마이크로 캐비티 구조를 적용한 화이트 유기발광다이오드 표시장치의 효율을 일반적인 화이트 유기발광다이오드 표시장치와 비교하여 나타내는 그래프.
도 10은 본 발명에 따른 마이크로 캐비티 구조를 적용한 화이트 유기발광다이오드 표시장치의 시야각 특성을 일반적인 화이트 유기발광다이오드 표시장치와 비교하여 나타내는 그래프.
도 11a 내지 도 11d는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 마이크로 캐비티 구조를 적용한 화이트 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법 일부를 개략적으로 나타내는 단면도.1 is a diagram for explaining the light emission principle of the organic light emitting diode.
2 is an equivalent circuit diagram of one pixel in a general organic light emitting diode display.
3 is a cross-sectional view schematically showing a structure of a white organic light emitting diode display device according to the present invention.
Figure 4 is a cross-sectional view showing a micro-cavity structure applied to the present invention by way of example.
5 is a diagram illustrating one pixel structure in a white organic light emitting diode display device to which a micro-cavity structure according to a first embodiment of the present invention is applied.
6 is a diagram illustrating an exemplary pixel structure in a white organic light emitting diode display device to which a micro-cavity structure according to a second embodiment of the present invention is applied.
7 is a diagram illustrating an exemplary pixel structure in a white organic light emitting diode display device to which a micro cavity structure is applied according to a third embodiment of the present invention.
8 is a diagram illustrating an exemplary pixel structure in a white organic light emitting diode display device to which a micro-cavity structure according to a fourth embodiment of the present invention is applied.
9 is a graph showing the efficiency of a white organic light emitting diode display device to which a micro-cavity structure according to the present invention is applied, compared to a general white organic light emitting diode display device.
10 is a graph showing a viewing angle characteristic of a white organic light emitting diode display device to which a micro-cavity structure according to the present invention is applied, compared to a general white organic light emitting diode display device.
11A to 11D are cross-sectional views schematically showing a part of a manufacturing method of a white organic light emitting diode display device to which a micro-cavity structure according to a first embodiment of the present invention is applied.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 마이크로 캐비티 구조를 적용한 화이트 유기발광다이오드 표시장치의 바람직한 실시예를 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the white organic light emitting diode display device to which the micro-cavity structure according to the present invention is applied will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art to which the present invention pertains can easily carry out. .
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다. 도면에서 층 및 영역들의 크기 및 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장될 수 있다.Advantages and features of the present invention, and methods for achieving them will be clarified with reference to embodiments described below in detail together with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various different forms, and only the present embodiments allow the disclosure of the present invention to be complete, and common knowledge in the art to which the present invention pertains. It is provided to completely inform the person having the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims. The same reference numerals refer to the same components throughout the specification. The size and relative size of layers and regions in the drawings may be exaggerated for clarity of explanation.
소자(element) 또는 층이 다른 소자 또는 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않는 것을 나타낸다.An element or layer referred to as another element or “on” or “on” includes all other layers or other elements in the middle as well as directly above the other element or layer. do. On the other hand, when a device is referred to as “directly on” or “directly above”, it indicates that no other device or layer is interposed therebetween.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below, beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)" 또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다.The spatially relative terms "below, beneath", "lower", "above", "upper", etc. are a device or component as shown in the figure. And other devices or components. The spatially relative terms should be understood as terms including different directions of the device in use or operation in addition to the directions shown in the drawings. For example, if the device shown in the figure is turned over, a device described as "below" or "beneath" the other device may be placed "above" the other device. Thus, the exemplary term “below” can include both the directions below and above.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며, 따라서 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprise)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for describing the embodiments, and therefore is not intended to limit the present invention. In this specification, the singular form also includes the plural form unless otherwise specified in the phrase. As used herein, "comprise" and / or "comprising" refers to the components, steps, operations and / or elements mentioned above, the presence of one or more other components, steps, operations and / or elements. Or do not exclude additions.
도 3은 본 발명에 따른 화이트 유기발광다이오드 표시장치의 구조를 개략적으로 나타내는 단면도로써, 화이트 유기발광다이오드를 이용하여 발광하고 컬러필터를 이용하여 컬러를 구현하는 화이트 유기발광다이오드 표시장치의 구조를 나타내고 있다.3 is a cross-sectional view schematically showing the structure of a white organic light emitting diode display device according to the present invention, showing a structure of a white organic light emitting diode display device that emits light using a white organic light emitting diode and implements color using a color filter. have.
이때, 상기 화이트 유기발광다이오드 표시장치는 적, 녹 및 청색의 컬러를 각각의 서브화소별로 구현하는 것이 아니라 발광층에서 화이트를 발광한 뒤 컬러필터를 이용하여 적, 녹 및 청색의 컬러를 구현하는 방식이다.In this case, the white organic light emitting diode display device does not implement red, green, and blue colors for each sub-pixel, but emits white, and then emits red, green, and blue colors using a color filter. to be.
상기 도 3에 도시된 화이트 유기발광다이오드 표시장치는 코플라나 구조의 TFT를 이용한 배면발광 방식의 화이트 유기발광다이오드 표시장치의 TFT부를 포함하는 하나의 서브화소를 예를 들어 나타내고 있으나, 본 발명이 상기 코플라나 구조의 TFT를 이용한 배면발광 방식에 한정되는 것은 아니다.The white organic light emitting diode display device shown in FIG. 3 shows one sub-pixel including, for example, a TFT portion of a back light emitting white organic light emitting diode display device using a coplanar TFT. It is not limited to the back light emission method using a coplanar structured TFT.
그리고, 도 4는 본 발명에 적용된 마이크로 캐비티 구조를 예시적으로 나타내는 단면도이다.And, Figure 4 is a cross-sectional view showing an exemplary micro-cavity structure applied to the present invention.
본 발명에 따른 화이트 유기발광다이오드 표시장치는 크게 영상을 표시하는 패널 어셈블리와 상기 패널 어셈블리에 연결되는 연성 회로기판을 포함한다.The white organic light emitting diode display device according to the present invention includes a panel assembly for displaying a large image and a flexible circuit board connected to the panel assembly.
상기 패널 어셈블리는 표시영역과 패드영역이 정의되는 TFT 기판과 상기 표시영역을 덮으면서 상기 TFT 기판 위에 형성되는 봉지층(encapsulation layer)을 포함한다.The panel assembly includes a TFT substrate on which a display area and a pad area are defined, and an encapsulation layer formed on the TFT substrate while covering the display area.
TFT와 유기발광다이오드 등을 포함하는 상기 TFT 기판은 베이스가 되는 기판으로 폴리이미드 기판을 적용할 수 있으며, 이때 그 배면에는 백 플레이트(back plate)가 부착될 수 있다.The TFT substrate including a TFT, an organic light emitting diode, etc. may be a polyimide substrate as a base substrate, and a back plate may be attached to the rear surface.
그리고, 상기 봉지층 위에는 외부로부터 입사된 광의 반사를 막기 위한 편광판이 부착될 수 있다.In addition, a polarizing plate for preventing reflection of light incident from the outside may be attached on the encapsulation layer.
이때, 상기 TFT 기판의 표시영역에는 서브화소(sub pixel)들이 매트릭스 형태로 배치되며, 상기 표시영역의 외측에는 상기 서브화소들을 구동시키기 위한 스캔 드라이버와 데이터 드라이버 등의 구동소자 및 기타 부품들이 위치한다.At this time, sub-pixels are arranged in a matrix form in the display area of the TFT substrate, and driving elements and other components such as scan drivers and data drivers for driving the sub-pixels are located outside the display area. .
이러한 TFT 기판의 표시영역을 상기 도 3을 참조하여 구체적으로 설명하면, 투명한 유리 또는 플라스틱 등의 절연물질로 이루어진 기판(101) 위에 버퍼층(111)이 형성되고, 그 위에 액티브층(124)이 형성되어 있다.When the display area of the TFT substrate is specifically described with reference to FIG. 3, a
그리고, 상기 액티브층(124) 위에는 실리콘질화막(SiNx) 또는 실리콘산화막(SiO2) 등으로 이루어진 게이트절연막(115a)이 형성되어 있으며, 그 위에 게이트전극(121)을 포함하는 게이트라인(미도시) 및 제 1 유지전극(미도시)이 형성되어 있다.In addition, a
이때, 상기 게이트전극(121)을 포함하는 게이트라인 및 제 1 유지전극 위에는 실리콘질화막 또는 실리콘산화막 등으로 이루어진 층간절연막(inter insulation layer)(115b)이 형성되어 있으며, 그 위에 데이터라인(미도시), 구동 전압라인(미도시), 소오스/드레인전극(122, 123) 및 제 2 유지전극(미도시)이 형성되어 있다.At this time, an
이때, 도시하지 않았지만, 상기 제 2 유지전극은 상기 층간절연막(115b)을 사이에 두고 그 하부의 제 1 유지전극의 일부와 중첩하여 스토리지 커패시터를 형성하게 된다.In this case, although not illustrated, the second storage electrode overlaps a portion of the first storage electrode under the
상기 소오스/드레인전극(122, 123)은 콘택홀을 통해 상기 액티브층(124)의 소오스/드레인영역에 전기적으로 접속하게 된다.The source /
상기 데이터라인, 구동 전압라인, 소오스/드레인전극(122, 123) 및 제 2 유지전극이 형성된 기판(101) 위에는 실리콘질화막 또는 실리콘산화막 등으로 이루어진 보호막(115c)이 형성되어 있다.A
그리고, 상기 보호막(115c) 위에는 적, 녹 및 청색의 컬러필터(CF)가 형성되어 있으며, 그 위에는 오버코트층(115d)이 기판(101) 전면에 형성되어 있다.Further, red, green, and blue color filters CF are formed on the
그리고, 상기 오버코트층(115d) 위에는 화소전극(118)이 형성되어 있다.Further, a
이때, 양극인 상기 화소전극(118)은 콘택홀을 통해 상기 드레인전극(123)과 전기적으로 접속하게 된다.At this time, the anode, the
상기 화소전극(118)이 형성된 기판(101) 위에는 격벽(partition)(115e)이 형성되어 있다. 이때, 상기 격벽(115e)은 화소전극(118) 가장자리 주변을 둑(bank)처럼 둘러싸서 개구부(opening)를 정의하며 유기 절연물질 또는 무기 절연물질로 만들어진다. 상기 격벽(115e)은 또한 검정색 안료를 포함하는 감광제로 만들어질 수 있는데, 이 경우 격벽(115e)은 차광부재의 역할을 하게 된다.A
상기 격벽(115e)이 형성된 기판(101) 위에는 유기 화합물층(130)이 형성되어 있다.The
이때, 상기 유기 화합물층(130)은 빛을 내는 발광층 외에 발광층의 발광 효율을 향상하기 위한 부대층(auxiliary layer)을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. 상기 부대층에는 전자와 정공의 균형을 맞추기 위한 전자수송층 및 정공수송층과 전자와 정공의 주입을 강화하기 위한 전자주입층 및 정공주입층 등이 있다.In this case, the
상기 유기 화합물층(130) 위에는 음극인 공통전극(common electrode)(128)이 형성되어 있다.A
그리고, 도시하지 않았지만, 상기 TFT 기판의 패드영역에는 스캔 드라이버와 데이터 드라이버로 전기 신호를 전달하기 위한 패드전극들이 위치한다.In addition, although not shown, pad electrodes for transmitting an electrical signal to a scan driver and a data driver are positioned in a pad region of the TFT substrate.
상기 봉지층은 TFT 기판에 형성된 TFT와 유기발광다이오드 위에 형성되어 TFT와 유기발광다이오드를 외부로부터 밀봉하여 보호한다.The encapsulation layer is formed on the TFT and the organic light emitting diode formed on the TFT substrate to protect the TFT and the organic light emitting diode by sealing it from the outside.
이렇게 구성된 패널 어셈블리의 패드영역에는 칩 온 글라스(chip on glass) 방식으로 집적회로 칩이 실장 된다.The integrated circuit chip is mounted on the pad area of the panel assembly configured in a chip-on-glass manner.
상기 연성 회로기판에는 구동 신호를 처리하기 위한 전자 소자들이 칩 온 필름(chip on film) 방식으로 실장되고, 외부 신호를 연성 회로기판으로 전송하기 위한 커넥터가 설치된다.On the flexible circuit board, electronic devices for processing driving signals are mounted in a chip on film manner, and a connector for transmitting an external signal to the flexible circuit board is installed.
한편, 본 발명에 따른 화이트 유기발광다이오드 표시장치는 상기 양극(118)을 반투명 전극으로 사용함으로써 양극(118)과 음극(128) 사이를 광 공진기로 사용한 마이크로 캐비티 구조를 적용한 것을 특징으로 한다.On the other hand, the white organic light emitting diode display device according to the present invention is characterized in that a micro-cavity structure using an
이때, 상기 음극(128)으로 일함수가 작은 재료를 사용할 수 있으며, 따라서 Ca, Li, Mg 등과 같이 일함수가 작은 금속을 단독으로 증착하여 사용하거나 일함수는 다소 높지만 안정적이고 증착이 용이한 Al, Cu, Ag 등과 같은 금속과 동시에 증착하여 합금을 만들어 사용할 수도 있다. 이러한 상기 음극(128)은 단일 막이나 다층막으로 제작하여 사용할 수 있다.At this time, a material having a small work function may be used as the
배면발광의 경우 상기 양극(118)은 ITO가 사용될 수 있으며, 이러한 ITO에 반투과막을 추가하면 마이크로 캐비티 구조가 형성되어 효율이 향상되게 된다.In the case of back light emission, ITO may be used as the
상기 도 4를 참조하면, 마이크로 캐비티는 반사전극, 즉 상기 음극(128)의 반사도와 반투명 전극, 즉 상기 양극(118)의 투과도에 의해 상호간 빛의 간섭 효과와 두 전극 사이의 거리, 즉 유기 화합물층(130)의 두께에 의해 발광 스펙트럼이 변화하는 현상이다.Referring to FIG. 4, the micro-cavity is a reflective electrode, that is, the reflectivity of the
즉, 상기 마이크로 캐비티 구조를 적용한 유기발광다이오드 표시장치는 적, 녹 및 청색의 서브화소별 전극, 즉 양극(118)과 유기 화합물층(130)의 두께 조절을 통해 각 파장에 맞는 보강간섭을 발생시킴으로써 유기발광다이오드 표시장치의 효율을 향상시킬 수 있게 된다.That is, the organic light emitting diode display device using the micro-cavity structure generates reinforcement interference for each wavelength by adjusting the thickness of the red, green, and blue sub-pixel electrodes, that is, the
상기 유기 화합물층(130)은 정공주입층(130a), 정공수송층(130b), 발광층(130c), 전자수송층(130d) 및 전자주입층(130e)을 포함하며, 마이크로 캐비티를 유기발광다이오드에 적용하면 선폭이 좁은 스펙트럼, 효율의 향상, 높은 색순도 등 많은 이점을 가진다.The
이러한 마이크로 캐비티 구조는 공진 현상을 이용해 고휘도가 가능하지만 파장의 각도 의존성이 커지는 단점이 있다. 즉, 시야각에 따라 발광 스펙트럼의 피크 위치가 광학거리에 의해 △nd=n×d×(1-cosθ)만큼 단파장 쪽으로 이동하게 된다.Such a micro-cavity structure is capable of high luminance using a resonance phenomenon, but has a disadvantage in that the angle dependence of the wavelength is increased. That is, according to the viewing angle, the peak position of the emission spectrum moves toward the short wavelength by Δnd = n × d × (1-cosθ) by the optical distance.
이에 본 발명에서는 적어도 하나의 컬러 화소에 대해 서브화소를 2개의 영역으로 분할하여 분할된 하나의 서브화소에만 마이크로 캐비티 구조를 적용하는 한편, 마이크로 캐비티 구조를 적용한 서브화소의 면적을 조절함으로써 시야각에 따른 색변이 현상을 방지하면서 고휘도를 구현할 수 있는 것을 특징으로 한다.Accordingly, in the present invention, a sub-pixel is divided into two regions for at least one color pixel, and a micro-cavity structure is applied to only one sub-pixel that is divided, while an area of a sub-pixel to which the micro-cavity structure is applied is adjusted according to a viewing angle. It is characterized by being able to realize high luminance while preventing color shift phenomenon.
이때, 일 예로 마이크로 캐비티를 적용한 서브화소를 2개로 분할하여 제 1 서브화소는 마이크로 캐비티 구조로 하는 한편, 제 2 서브화소는 비-마이크로 캐비티 구조로 설계할 수 있다. 이렇게 마이크로 캐비티 구조를 면적 분할하여 적용할 경우 마이크로 캐비티 구조를 적용하지 않은 일반적인 유기발광다이오드 표시장치(이하, 비교예1이라 함)에 비해 효율이 향상되는 한편, 전체 서브화소에 마이크로 캐비티 구조를 적용한 유기발광다이오드 표시장치(이하, 비교예2라 함)에 비해 색변이 현상이 감소되게 된다.In this case, as an example, the sub-pixel to which the micro-cavity is applied may be divided into two to make the first sub-pixel a micro-cavity structure, while the second sub-pixel may be designed as a non-micro-cavity structure. When the micro-cavity structure is divided and applied in this way, the efficiency is improved compared to a general organic light emitting diode display device (hereinafter, referred to as Comparative Example 1) without applying the micro-cavity structure, and the micro-cavity structure is applied to all sub-pixels. Compared to the organic light emitting diode display device (hereinafter referred to as Comparative Example 2), the color shift phenomenon is reduced.
도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 마이크로 캐비티 구조를 적용한 화이트 유기발광다이오드 표시장치에 있어, 하나의 화소 구조를 예시적으로 나타내는 도면이다.5 is a diagram illustrating an exemplary pixel structure in a white organic light emitting diode display device to which a micro-cavity structure is applied according to a first embodiment of the present invention.
즉, 상기 도 5는 화이트 유기발광다이오드를 이용하여 발광하고 컬러필터를 이용하여 컬러를 구현하는 화이트 유기발광다이오드 표시장치에 있어, 적색의 서브화소(R1, R2), 녹색의 서브화소(G), 청색의 서브화소(B) 및 백색의 서브화소(W)로 이루어진 하나의 화소 구조를 예를 들어 나타내고 있다.That is, in FIG. 5, in the white organic light emitting diode display device that emits light using a white organic light emitting diode and implements color using a color filter, the red subpixels R1 and R2 and the green subpixel G , A pixel structure consisting of a blue sub-pixel B and a white sub-pixel W is illustrated, for example.
도면에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 마이크로 캐비티 구조를 적용한 화이트 유기발광다이오드 표시장치는 적어도 하나의 컬러 화소, 일 예로 적색의 서브화소(R1, R2)에 대해 마이크로 캐비티 구조를 적용하는 것을 특징으로 한다.As shown in the figure, the white organic light emitting diode display device to which the micro-cavity structure according to the first embodiment of the present invention is applied has a micro-cavity structure for at least one color pixel, for example, red sub-pixels R1 and R2. It is characterized by applying.
다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 적색의 서브화소(R1, R2) 이외의 상기 녹색의 서브화소(G)나 청색의 서브화소(B)에 대해 마이크로 캐비티 구조를 적용할 수 있다. 또한, 백색의 서브화소(W)를 제외한 2개 이상의 서브화소(R1, R2, G, B)에 대해서 마이크로 캐비티 구조를 적용할 수도 있다.However, the present invention is not limited to this, and the micro-cavity structure may be applied to the green sub-pixel G or the blue sub-pixel B other than the red sub-pixels R1 and R2. In addition, a micro cavity structure may be applied to two or more sub-pixels R1, R2, G, and B except for the white sub-pixel W.
특히, 상기 본 발명의 제 1 실시예에 따른 마이크로 캐비티 구조를 적용한 화이트 유기발광다이오드 표시장치는 상기 적색의 서브화소(R1, R2) 전체에 마이크로 캐비티 구조를 적용하는 것이 아니라, 상기 적색의 서브화소(R1, R2)를 2개의 영역, 즉 제 1 적색의 서브화소(R1)와 제 2 적색의 서브화소(R2)로 분할하여 분할된 하나의 서브화소, 일 예로 상기 제 1 적색의 서브화소(R1)에만 마이크로 캐비티 구조를 적용하는 것을 특징으로 한다.In particular, the white organic light emitting diode display device to which the micro-cavity structure according to the first embodiment of the present invention is applied does not apply the micro-cavity structure to all of the red sub-pixels R1 and R2, but the red sub-pixel. (R1, R2) is divided into two regions, i.e., the first red sub-pixel R1 and the second red sub-pixel R2, and is divided into one sub-pixel, for example, the first red sub-pixel ( It is characterized by applying a micro-cavity structure only to R1).
이와 같이 마이크로 캐비티를 적용한 상기 적색의 서브화소(R1, R2)를 2개의 영역으로 분할하여 제 1 적색의 서브화소(R1)는 마이크로 캐비티 구조로 하는 한편, 제 2 적색의 서브화소(R2)는 비-마이크로 캐비티 구조로 설계할 수 있다. 이렇게 마이크로 캐비티 구조를 면적 분할하여 적용할 경우 비교예1에 비해 효율이 향상되는 동시에 비교예2에 비해 색변이 현상이 감소되게 된다.In this way, the red sub-pixels R1 and R2 to which the micro-cavity is applied are divided into two regions, so that the first red sub-pixel R1 has a micro-cavity structure, while the second red sub-pixel R2 is It can be designed with a non-micro cavity structure. When the micro-cavity structure is applied by dividing the area, efficiency is improved compared to Comparative Example 1 and color shift is reduced compared to Comparative Example 2.
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 마이크로 캐비티 구조를 적용한 화이트 유기발광다이오드 표시장치에 있어, 하나의 화소 구조를 예시적으로 나타내는 도면이다.6 is a diagram illustrating an exemplary pixel structure in a white organic light emitting diode display device to which a micro-cavity structure according to a second embodiment of the present invention is applied.
즉, 상기 도 6은 화이트 유기발광다이오드를 이용하여 발광하고 컬러필터를 이용하여 컬러를 구현하는 화이트 유기발광다이오드 표시장치에 있어, 적색의 서브화소(R1, R2), 녹색의 서브화소(G1, G2), 청색의 서브화소(B1, B2) 및 백색의 서브화소(W)로 이루어진 하나의 화소 구조를 예를 들어 나타내고 있다.That is, in FIG. 6, in the white organic light emitting diode display device that emits light using a white organic light emitting diode and realizes color using a color filter, the red subpixels R1 and R2 and the green subpixel G1, G2), one pixel structure composed of blue sub-pixels B1 and B2 and white sub-pixels W is shown, for example.
도면에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 마이크로 캐비티 구조를 적용한 화이트 유기발광다이오드 표시장치는 백색의 서브화소(W)를 제외한 적색의 서브화소(R1, R2), 녹색의 서브화소(G1, G2) 및 청색의 서브화소(B1, B2)에 대해 마이크로 캐비티 구조를 적용하는 것을 특징으로 한다.As shown in the figure, the white organic light emitting diode display device to which the micro-cavity structure according to the second embodiment of the present invention is applied has red sub-pixels R1 and R2 except for the white sub-pixel W and green sub It is characterized in that a micro-cavity structure is applied to the pixels G1 and G2 and the blue sub-pixels B1 and B2.
특히, 상기 본 발명의 제 2 실시예에 따른 마이크로 캐비티 구조를 적용한 화이트 유기발광다이오드 표시장치는 상기 적색의 서브화소(R1, R2), 녹색의 서브화소(G1, G2) 및 청색의 서브화소(B1, B2) 전체에 마이크로 캐비티 구조를 적용하는 것이 아니라, 상기 적색의 서브화소(R1, R2), 녹색의 서브화소(G1, G2) 및 청색의 서브화소(B1, B2)를 2개의 영역, 즉 제 1 적색의 서브화소(R1)와 제 2 적색의 서브화소(R2), 제 1 녹색의 서브화소(G1)와 제 2 녹색의 서브화소(G2) 및 제 1 청색의 서브화소(B1)와 제 2 청색의 서브화소(B2)로 각각 분할하여 분할된 하나의 서브화소, 일 예로 상기 제 1 적색의 서브화소(R1), 제 1 녹색의 서브화소(G1) 및 제 1 청색의 서브화소(B1)에만 마이크로 캐비티 구조를 적용하는 것을 특징으로 한다.In particular, the white organic light emitting diode display device to which the micro-cavity structure according to the second embodiment of the present invention is applied includes the red subpixels R1 and R2, the green subpixels G1 and G2, and the blue subpixels ( B1, B2) instead of applying a micro-cavity structure to the entire area, the red subpixels R1 and R2, the green subpixels G1 and G2, and the blue subpixels B1 and B2 are divided into two regions, That is, the first red subpixel R1 and the second red subpixel R2, the first green subpixel G1 and the second green subpixel G2, and the first blue subpixel B1 And a second sub-pixel divided into blue sub-pixels B2, for example, the first red sub-pixel R1, the first green sub-pixel G1, and the first blue sub-pixel. It is characterized by applying a micro-cavity structure only to (B1).
다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 제 2 적색의 서브화소(R2), 제 2 녹색의 서브화소(G2) 및 제 2 청색의 서브화소(B2)에만 마이크로 캐비티 구조를 적용할 수도 있다.However, the present invention is not limited thereto, and the micro-cavity structure may be applied only to the second red subpixel R2, the second green subpixel G2, and the second blue subpixel B2. .
이와 같이 상기 본 발명의 제 1, 제 2 실시예에 따른 마이크로 캐비티 구조를 적용한 화이트 유기발광다이오드 표시장치는 배면발광 방식을 적용하는 경우 양극인 ITO의 두께를 조절하여 마이크로 캐비티 효과를 구현할 수 있으며, 상기 ITO의 두께는 적, 녹 및 청색의 파장별 최적 조건이 다르게 된다.As described above, the white organic light-emitting diode display device to which the micro-cavity structures according to the first and second embodiments of the present invention are applied can implement a micro-cavity effect by adjusting the thickness of ITO, which is an anode, when a back light-emitting method is applied. The optimum thickness of the ITO is different for each wavelength of red, green, and blue.
한편, 상기 본 발명의 제 1, 제 2 실시예에 따른 마이크로 캐비티 구조를 적용한 화이트 유기발광다이오드 표시장치는 마이크로 캐비티 구조를 적용한 서브화소를 2개의 동등한 영역으로 분할한 경우를 예를 들고 있다. 그러나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 2개로 분할된 서브화소의 면적 비율은 임의로 선택 가능하며, 이를 다음의 본 발명의 제 3, 제 4 실시예를 통해 상세히 설명한다.Meanwhile, the white organic light emitting diode display device to which the micro-cavity structure according to the first and second embodiments of the present invention is applied exemplifies a case where the sub-pixel to which the micro-cavity structure is applied is divided into two equal regions. However, the present invention is not limited to this, and the area ratio of the two sub-pixels can be arbitrarily selected, which will be described in detail through the following third and fourth embodiments of the present invention.
도 7은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 마이크로 캐비티 구조를 적용한 화이트 유기발광다이오드 표시장치에 있어, 하나의 화소 구조를 예시적으로 나타내는 도면이다.7 is a diagram illustrating an exemplary pixel structure in a white organic light emitting diode display device to which a micro-cavity structure is applied according to a third embodiment of the present invention.
그리고, 도 8은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 마이크로 캐비티 구조를 적용한 화이트 유기발광다이오드 표시장치에 있어, 하나의 화소 구조를 예시적으로 나타내는 도면이다.And, FIG. 8 is a diagram illustrating an exemplary pixel structure in a white organic light emitting diode display device to which a micro-cavity structure according to a fourth embodiment of the present invention is applied.
전술한 본 발명의 제 1 실시예와 동일하게 상기 도 7 및 도 8은 화이트 유기발광다이오드를 이용하여 발광하고 컬러필터를 이용하여 컬러를 구현하는 화이트 유기발광다이오드 표시장치에 있어, 적색의 서브화소(R1, R2), 녹색의 서브화소(G), 청색의 서브화소(B) 및 백색의 서브화소(W)로 이루어진 하나의 화소 구조를 예를 들어 나타내고 있다.7 and 8, as in the first embodiment of the present invention described above, in the white organic light emitting diode display device that emits light using a white organic light emitting diode and implements color using a color filter, a red sub-pixel One pixel structure consisting of (R1, R2), a green subpixel (G), a blue subpixel (B), and a white subpixel (W) is shown as an example.
상기 도면들에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 3, 제 4 실시예에 따른 마이크로 캐비티 구조를 적용한 화이트 유기발광다이오드 표시장치는 적어도 하나의 컬러 화소, 일 예로 적색의 서브화소(R1, R2)에 대해 마이크로 캐비티 구조를 적용하는 것을 특징으로 한다.As shown in the drawings, the white organic light emitting diode display device to which the micro-cavity structure according to the third and fourth embodiments of the present invention is applied has at least one color pixel, for example, red sub-pixels (R1, R2). It is characterized by applying a micro-cavity structure for.
다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 적색의 서브화소(R1, R2) 이외의 상기 녹색의 서브화소(G)나 청색의 서브화소(B)에 대해 마이크로 캐비티 구조를 적용할 수 있다. 또한, 백색의 서브화소(W)를 제외한 2개 이상의 서브화소(R1, R2, G, B)에 대해서 마이크로 캐비티 구조를 적용할 수도 있다.However, the present invention is not limited to this, and the micro-cavity structure may be applied to the green sub-pixel G or the blue sub-pixel B other than the red sub-pixels R1 and R2. In addition, a micro cavity structure may be applied to two or more sub-pixels R1, R2, G, and B except for the white sub-pixel W.
전술한 본 발명의 제 1 실시예와 동일하게 상기 본 발명의 제 3, 제 4 실시예에 따른 마이크로 캐비티 구조를 적용한 화이트 유기발광다이오드 표시장치는 상기 적색의 서브화소(R1, R2) 전체에 마이크로 캐비티 구조를 적용하는 것이 아니라, 상기 적색의 서브화소(R1, R2)를 2개의 영역, 즉 제 1 적색의 서브화소(R1)와 제 2 적색의 서브화소(R2)로 분할하여 분할된 하나의 서브화소, 일 예로 상기 제 1 적색의 서브화소(R1)에만 마이크로 캐비티 구조를 적용하는 것을 특징으로 한다.In the same manner as the first embodiment of the present invention described above, the white organic light emitting diode display device to which the micro-cavity structures according to the third and fourth embodiments of the present invention are applied are microscopically applied to all of the red sub-pixels R1 and R2. Rather than applying a cavity structure, the red sub-pixels R1 and R2 are divided into two regions, that is, the first red sub-pixel R1 and the second red sub-pixel R2, which are divided. A sub-pixel, for example, is characterized in that a micro-cavity structure is applied only to the first red sub-pixel R1.
다만, 상기 본 발명의 제 3, 제 4 실시예에 따른 마이크로 캐비티 구조를 적용한 화이트 유기발광다이오드 표시장치는 전술한 본 발명의 제 1 실시예와는 달리 상기 2개로 분할된 적색의 서브화소(R1, R2)의 면적 비율을 서로 다르게 설정한 것을 특징으로 한다.However, unlike the first embodiment of the present invention, the white organic light emitting diode display device to which the microcavity structure according to the third and fourth embodiments of the present invention is applied is divided into two red subpixels (R1). , R2) are set to different area ratios.
즉, 마이크로 캐비티를 적용한 상기 제 1 적색의 서브화소(R1)의 면적을 마이크로 캐비티를 적용하지 않은 상기 제 2 적색의 서브화소(R2)의 면적보다 작게 설정(상기 도 7 참조)하거나, 또는 크게 설정(상기 도 8 참조)할 수 있다.That is, the area of the first red sub-pixel R1 to which the micro-cavity is applied is set smaller than the area of the second red sub-pixel R2 to which the micro-cavity is not applied (see FIG. 7 above) or larger It can be set (see FIG. 8 above).
이때, 상기 도면들에는 적색의 서브화소(R1, R2)의 경우에만 마이크로 캐비티 구조를 적용하는 동시에 2개로 분할된 적색의 서브화소(R1, R2)의 면적 비율을 다르게 설정한 경우를 예를 들어 나타내고 있으나, 전술한 바와 같이 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 마이크로 캐비티 구조의 적용 유무 및 서브화소의 분할 방식은 적, 녹 및 청색의 서브화소별로 다양한 조합을 가지도록 선택 가능하다.In this case, in the drawings, the case where the area ratios of the red subpixels R1 and R2 divided into two are set differently while applying a micro cavity structure only in the case of the red subpixels R1 and R2, for example As shown above, the present invention is not limited to this, and the presence or absence of application of the micro-cavity structure and the division method of sub-pixels can be selected to have various combinations for each sub-pixel of red, green and blue.
도 9는 본 발명에 따른 마이크로 캐비티 구조를 적용한 화이트 유기발광다이오드 표시장치의 효율을 일반적인 화이트 유기발광다이오드 표시장치와 비교하여 나타내는 그래프로써, 하나의 컬러 화소에서만 측정된 결과를 나타내고 있다.9 is a graph showing the efficiency of a white organic light emitting diode display device to which a micro-cavity structure according to the present invention is applied, compared to a general white organic light emitting diode display device, and shows results measured in only one color pixel.
이때, 비교예1은 전술한 바와 같이 마이크로 캐비티 구조를 적용하지 않은 일반적인 유기발광다이오드 표시장치를 나타내며, 비교예2는 전체 서브화소에 마이크로 캐비티 구조를 적용한 유기발광다이오드 표시장치를 나타낸다.In this case, Comparative Example 1 shows a general organic light emitting diode display device without applying a micro-cavity structure as described above, and Comparative Example 2 shows an organic light emitting diode display device with a micro cavity structure applied to all sub-pixels.
상기 도 9를 참조하면, 비교예1과 실시예 및 비교예2에 대한 효율은 각각 6.4cd/A와 7.7cd/A 및 9.0cd/A로 측정이 되었으며, 이에 따라 마이크로 캐비티 구조를 적용한 상기 실시예 및 비교예2는 마이크로 캐비티 구조를 적용하지 않은 상기 비교예1에 비해 효율이 각각 20% 및 39%로 증가한 것을 알 수 있다.9, the efficiency for Comparative Example 1 and Example and Comparative Example 2 was measured to be 6.4 cd / A and 7.7 cd / A and 9.0 cd / A, respectively. Example and Comparative Example 2 can be seen that the efficiency increased to 20% and 39%, respectively, compared to the Comparative Example 1 without applying the micro-cavity structure.
참고로, 적색 서브화소 및 녹색 서브화소에 마이크로 캐비티 구조를 적용하였을 때 효율이 가장 크게 증가하여 가장 큰 소비전력 개선효과를 볼 수 있었다.For reference, when the micro-cavity structure was applied to the red sub-pixel and the green sub-pixel, the efficiency was most increased, and the greatest power improvement effect was seen.
도 10은 본 발명에 따른 마이크로 캐비티 구조를 적용한 화이트 유기발광다이오드 표시장치의 시야각 특성을 일반적인 화이트 유기발광다이오드 표시장치와 비교하여 나타내는 그래프로써, 하나의 컬러 화소에서만 측정된 결과를 나타내고 있다.10 is a graph showing a viewing angle characteristic of a white organic light emitting diode display device to which a micro-cavity structure according to the present invention is applied, compared to a general white organic light emitting diode display device, and shows results measured in only one color pixel.
이때, 시야각 평가는 색좌표를 사용하여 할 수 있으며, 색좌표는 크게 CIE 1931, CIE 1972가 있는데, 색감 변화 평가 부분에서 CIE 1972를 주로 사용하게 됩니다.At this time, the viewing angle can be evaluated using color coordinates, and the color coordinates are largely CIE 1931 and CIE 1972, and CIE 1972 is mainly used in the evaluation of color change.
상기 CIE 1972의 좌표축은 CIE u'(x축), CIE v'(y축)로 표현되는데, 시야각에 따라 바뀐 △u'v' 값이 0.02보다 클 경우 일반적으로 사람이 색감 변화를 인지하는 기준으로 삼을 수 있다.The coordinate axes of the CIE 1972 are represented by CIE u '(x-axis) and CIE v' (y-axis). When the △ u'v 'value changed according to the viewing angle is greater than 0.02, a person generally recognizes a color change. Can be used as
상기 도 10을 참조하면, 상기 비교예1과 실시예의 경우에는 시야각에 따라 △u'v' 값이 0.02보다 큰 경우가 없는데 비해 전체 서브화소에 마이크로 캐비티 구조를 적용한 상기 비교예2의 경우에는 대부분의 시야각에서 △u'v' 값이 0.02보다 큰 값을 가져 색변이 현상이 발생하는 것을 알 수 있다.Referring to FIG. 10, in the case of Comparative Example 1 and Example, Δu'v 'value is not greater than 0.02 depending on the viewing angle, whereas in Comparative Example 2 in which the micro-cavity structure is applied to all sub-pixels, It can be seen that the color shift phenomenon occurs because the Δu'v 'value is greater than 0.02 at the viewing angle of.
참고로, 청색에서 색변이가 가장 심하고, 전체 서브화소에 마이크로 캐비티를 적용할 경우 적, 녹 및 청색 모두에서 시야각에 따라 색변이 현상이 발생한다.For reference, the color shift is most severe in blue, and when a micro cavity is applied to all sub-pixels, color shift occurs in red, green, and blue depending on the viewing angle.
이렇게 마이크로 캐비티 구조를 면적 분할하여 적용한 실시예의 경우 마이크로 캐비티 구조를 적용하지 않은 상기 비교예1에 비해 효율이 향상되는 한편, 전체 서브화소에 마이크로 캐비티 구조를 적용한 상기 비교예2라 함에 비해 색변이 현상이 감소하게 된다.In the case where the micro-cavity structure is applied by dividing the area, the efficiency is improved compared to the comparative example 1 in which the micro-cavity structure is not applied, while the color shift phenomenon is compared to the comparison example 2 in which the micro-cavity structure is applied to all sub-pixels This decreases.
이하, 본 발명의 마이크로 캐비티 구조를 적용한 화이트 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법을 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a white organic light emitting diode display device to which the micro-cavity structure of the present invention is applied will be described in detail with reference to the drawings.
도 11a 내지 도 11d는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 마이크로 캐비티 구조를 적용한 화이트 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법 일부를 개략적으로 나타내는 단면도이다.11A to 11D are cross-sectional views schematically showing a part of a method of manufacturing a white organic light emitting diode display device to which a micro cavity structure according to a first embodiment of the present invention is applied.
유기발광다이오드 패널 어셈블리는 소정의 기판 위에 다수의 TFT 및 유기발광다이오드들을 구비하며, 상기 유기발광다이오드는 다수의 적층구조를 갖는데, 이를 위해 도 11a에 도시된 바와 같이, 폴리이미드로 이루어진 기판(101)을 준비한다.The organic light emitting diode panel assembly includes a plurality of TFTs and organic light emitting diodes on a predetermined substrate, and the organic light emitting diode has a plurality of stacked structures. To this end, as shown in FIG. 11A, a
이후, 상기 기판(101) 위에 소정의 TFT 공정을 진행하여 다수의 TFT를 형성하는데, 설명의 편의상 도면에는 도시하지 않았지만, 우선 버퍼층이 형성된 상기 기판(101) 위에 수소화 비정질 규소(hydrogenated amorphous silicon), 다결정 규소(polycrystalline silicon) 또는 산화물 반도체(oxide semiconductor)로 이루어진 액티브층이 형성될 수 있다.Thereafter, a predetermined TFT process is performed on the
상기 액티브층을 포함하는 기판(101) 위에는 질화규소(SiNx) 또는 이산화규소(SiO2) 등으로 이루어진 게이트절연막이 형성되어 있으며, 그 위에 게이트전극, 게이트라인 및 유지전극(storage electrode)이 형성될 수 있다.A gate insulating film made of silicon nitride (SiNx) or silicon dioxide (SiO 2 ) is formed on the
상기 게이트전극, 게이트라인 및 유지전극이 형성된 기판(101) 위에는 질화규소 또는 이산화규소 등으로 이루어진 게이트절연막이 형성되어 있으며, 그 위에 데이터라인과 구동 전압라인 및 소오스/드레인전극이 형성될 수 있다.A gate insulating film made of silicon nitride or silicon dioxide is formed on the
상기 데이터라인, 구동 전압라인 및 소오스/드레인전극이 형성된 기판(101) 위에는 질화규소 또는 이산화규소 등으로 이루어진 보호막이 형성될 수 있다.A protective film made of silicon nitride or silicon dioxide may be formed on the
상기 보호막이 형성된 기판(101) 위에는 적, 녹 및 청색의 컬러필터(CF)가 형성되어 있으며, 그 위에는 오버코트층(115d)이 기판(101) 전면에 형성되어 있다.Red, green, and blue color filters CF are formed on the
이때, 설명의 편의를 위해 상기 보호막을 포함하는 그 하부의 구성요소들을 도면보호 110으로 표시하며, 상기 컬러필터(CF)는 백색의 컬러필터를 포함할 수 있다.At this time, for convenience of description, components below the layer including the protective layer are indicated as drawing
그리고, 상기 오버코트층(115d) 전면에는 제 1 도전막(140')과 반투과막(150) 및 제 2 도전막(140")이 차례로 형성된다.In addition, a first conductive film 140 ', a semi-transmissive film 150, and a second
이때, 상기 제 2 도전막(140")은 화소전극을 형성하기 위해 인듐-틴-옥사이드(Indium Tin Oxide; ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(Indium Zinc Oxide; IZO) 등의 투명한 도전물질로 이루어질 수 있으며, 상기 제 1 도전막(140')은 상기 반투과막(150)과 오버코트층(115d) 사이의 계면특성을 향상시키기 위해 상기 ITO 또는 IZO 등의 투명한 도전물질로 이루어질 수 있다.At this time, the second
또한, 상기 반투과막(150)은 마이크로 캐비티 구조를 적용하기 위해 칼슘(Ca), 바륨(Ba), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 은(Ag) 등을 포함하는 반사성 도전물질로 이루어질 수 있다.In addition, the semi-transmissive film 150 is made of a reflective conductive material including calcium (Ca), barium (Ba), magnesium (Mg), aluminum (Al), silver (Ag), etc. in order to apply a micro-cavity structure. You can.
이후, 도 11b에 도시된 바와 같이, 제 1 마스크공정을 통해 상기 제 1 도전막과 반투과막 및 제 2 도전막을 선택적으로 패터닝하여 상기 적색의 서브화소(R)의 소정영역, 즉 제 1 적색의 서브화소에 버퍼층(140a)과 반투과층(150a) 및 적색의 서브화소(R)용 제 1 화소전극(118a')을 형성한다.Thereafter, as illustrated in FIG. 11B, the first conductive film, the semi-transmissive film, and the second conductive film are selectively patterned through a first mask process to form a predetermined region of the red sub-pixel R, that is, the first red. A
이후, 도 11c에 도시된 바와 같이, 상기 적색의 서브화소(R)용 제 1 화소전극(118a')이 형성된 기판(101) 전면에 제 3 도전막(140'")을 형성한다.Thereafter, as illustrated in FIG. 11C, a third
이때, 상기 제 3 도전막(140'")은 상기 제 2 도전막과 함께 화소전극을 형성하기 위해 ITO 또는 IZO 등의 투명한 도전물질로 이루어질 수 있다.At this time, the third conductive film 140 '"may be formed of a transparent conductive material such as ITO or IZO to form a pixel electrode together with the second conductive film.
이후, 도 11d에 도시된 바와 같이, 제 2 마스크공정을 통해 상기 제 3 도전막을 선택적으로 패터닝하여 상기 적색의 서브화소(R)에 적색의 서브화소(R)용 제 2 화소전극(118a")을 형성하는 한편, 상기 녹색의 서브화소(G)와 청색의 서브화소(B)에 각각 녹색의 서브화소(G)용 화소전극(118b)과 청색의 서브화소(B)용 화소전극(118c)을 형성한다.Thereafter, as illustrated in FIG. 11D, the third conductive layer is selectively patterned through a second mask process to red the
상기 제 1 적색의 서브화소의 경우에는 화소전극이 상기 적색의 서브화소(R)용 제 1 화소전극(118a')과 제 2 화소전극(118a")으로 이루어지는 한편, 제 2 적색의 서브화소의 경우에는 화소전극이 상기 적색의 서브화소(R)용 제 2 화소전극(118a")으로만 이루어지게 된다.In the case of the first red sub-pixel, the pixel electrode consists of the
이때, 상기 제 1 적색의 서브화소의 화소전극을 적색의 서브화소(R)용 제 1 화소전극(118a')과 제 2 화소전극(118a")의 이중층으로 구성하는 이유는 현재 ITO 증착 공정상 마스크를 이용하여 적, 녹 및 청색의 서브화소(R, G, B)별 각각 다른 두께의 ITO를 증착하는 것이 쉽지 않기 때문이며, 이에 따라 적, 녹 및 청색의 서브화소(R, G, B)별 ITO의 두께를 정한 뒤에 두꺼운 막부터 순차적으로 증착하여 패터닝하게 된다.At this time, the reason why the pixel electrode of the first red sub-pixel is composed of a double layer of the
따라서, 적색의 서브화소(R)에만 마이크로 캐비티 구조를 적용한 본 발명의 제 1 실시예의 경우에는 마이크로 캐비티 구조가 적용된 제 1 적색의 서브화소의 화소전극과 다른 화소전극들(즉, 제 2 적색의 서브화소의 화소전극, 녹색의 서브화소(G)용 화소전극(118b) 및 청색의 서브화소(B)용 화소전극(118c)) 사이에 ITO의 두께 차이를 가지게 되며, 이에 따라 2번의 마스크공정이 필요하게 된다.Accordingly, in the case of the first embodiment of the present invention in which the micro-cavity structure is applied only to the red sub-pixel R, pixel electrodes different from the pixel electrode of the first red sub-pixel to which the micro-cavity structure is applied (ie, the second red color) There is a difference in thickness of ITO between the pixel electrode of the sub-pixel, the
일 예로, 상기 제 1 적색의 서브화소의 화소전극의 경우 약 1300Å의 두께를 가지고, 다른 화소전극들은 약 500Å의 두께를 가질 경우 상기 제 2 도전막은 약 800Å의 두께로 증착하고 상기 제 3 도전막은 약 500Å의 두께로 증착할 수 있다.For example, when the pixel electrode of the first red sub-pixel has a thickness of about 1300Å, and the other pixel electrodes have a thickness of about 500Å, the second conductive film is deposited to a thickness of about 800Å and the third conductive film is It can be deposited to a thickness of about 500
이후, 도시하지 않았지만, 상기 화소전극(118a', 118a", 118b, 118c)이 형성된 기판(101) 위에는 격벽(partition)이 형성될 수 있다.Subsequently, although not illustrated, a partition may be formed on the
이때, 상기 격벽은 화소전극 가장자리 주변을 둑(bank)처럼 둘러싸서 개구부(opening)를 정의하며 유기 절연물질 또는 무기 절연물질로 만들어진다. 상기 격벽은 또한 검정색 안료를 포함하는 감광제로 만들어질 수 있는데, 이 경우 격벽은 차광부재의 역할을 하게 된다.At this time, the partition wall surrounds the edge of the pixel electrode like a bank to define an opening and is made of an organic insulating material or an inorganic insulating material. The partition wall may also be made of a photosensitizer comprising a black pigment, in which case the partition wall serves as a light blocking member.
상기 격벽이 형성된 기판(101) 위에는 유기 화합물층으로 이루어진 유기발광다이오드가 형성될 수 있다.An organic light emitting diode made of an organic compound layer may be formed on the
이때, 상기 유기 화합물층은 빛을 내는 발광층 외에 발광층의 발광 효율을 향상하기 위한 부대층을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. 상기 부대층에는 전자와 정공의 균형을 맞추기 위한 전자수송층 및 정공수송층과 전자와 정공의 주입을 강화하기 위한 전자주입층 및 정공주입층 등이 있다.At this time, the organic compound layer may have a multi-layer structure including an auxiliary layer for improving the luminous efficiency of the light-emitting layer in addition to the light-emitting layer emitting light. The sub-layer includes an electron transport layer and a hole transport layer for balancing electrons and holes, an electron injection layer and a hole injection layer for enhancing injection of electrons and holes, and the like.
상기 유기 화합물층 위에는 캐소드인 공통전극(common electrode)이 형성될 수 있다.A cathode, a common electrode, may be formed on the organic compound layer.
상기 공통전극이 형성된 기판(101) 위에는 봉지수단으로 1차 보호막과 유기막 및 2차 보호막이 차례대로 형성될 수 있다.A primary protective film, an organic film, and a secondary protective film may be sequentially formed on the
상기 유기막은 폴리머와 같은 고분자 유기물질로 이루어질 수 있으며, 일 예로 올레핀(olefin)계 고분자, PET, 에폭시 수지(epoxy resin), 플루오르 수지(fluorine resin), 폴리실록산(polysiloxane) 등이 사용될 수 있다.The organic film may be made of a polymer organic material such as a polymer, and for example, an olefin polymer, PET, epoxy resin, fluorine resin, polysiloxane, or the like can be used.
또한, 상기 1차 보호막 및 2차 보호막은 질화규소 또는 이산화규소 등의 무기절연막으로 이루어질 수 있다.In addition, the primary protective film and the secondary protective film may be made of an inorganic insulating film such as silicon nitride or silicon dioxide.
다음으로, 상기 2차 보호막을 포함하는 기판(101) 전면에는 패널 어셈블리의 봉지를 위해 다층으로 이루어진 보호필름이 대향하여 위치하게 되며, 상기 기판(101)과 보호필름 사이에는 투명하며 접착 특성을 갖는 점착제가 개재될 수 있다.Next, on the front surface of the
상기 점착제는 일 예로, 접착테이프(Pressure Sensitive Adhesive Tape; PSA Tape)를 사용할 수 있다.The adhesive may be, for example, an adhesive tape (Pressure Sensitive Adhesive Tape; PSA Tape).
그리고, 상기 봉지층 위에는 외부로부터 입사된 광의 반사를 막기 위한 편광판이 부착될 수 있으며, 후공정인 조립공정 및 검사를 거쳐 유기발광다이오드 표시장치의 제조를 완료하게 된다.In addition, a polarizing plate for preventing reflection of light incident from the outside may be attached on the encapsulation layer, and the manufacturing process of the organic light-emitting diode display device is completed through a post-assembly process and inspection.
상기한 설명에 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나 이것은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 따라서 발명은 설명된 실시예에 의하여 정할 것이 아니고 특허청구범위와 특허청구범위에 균등한 것에 의하여 정하여져야 한다.Although many matters are specifically described in the above description, this should be construed as an example of a preferred embodiment rather than limiting the scope of the invention. Therefore, the invention should not be determined by the described embodiments, but should be determined by equivalents to the claims and claims.
101 : 기판
118,118a',118a",118b,118c : 화소전극
128 : 공통전극 130 : 유기 화합물층
B,B1,B2 : 청색의 서브화소 CF : 컬러필터
G,G1,G2 : 녹색의 서브화소 R,R1,R2 : 적색의 서브화소101: substrate
118,118a ', 118a ", 118b, 118c: Pixel electrode
128: common electrode 130: organic compound layer
B, B1, B2: Blue sub-pixel CF: Color filter
G, G1, G2: Green sub-pixel R, R1, R2: Red sub-pixel
Claims (12)
상기 적, 녹 및 청색의 서브화소 각각에 형성된 적, 녹 및 청색의 컬러필터;
상기 적, 녹 및 청색의 컬러필터가 형성된 상기 기판 위에 형성된 오버코트층;
상기 오버코트층 위의 상기 제1 서브화소 각각에 형성된 버퍼층, 반투과층 및 제1 화소전극;
상기 제1 화소전극 위의 상기 제1 서브화소 각각에 형성되는 한편, 상기 오버코트층 위의 상기 제2 서브화소 및 상기 적어도 하나의 서브화소 이외의 다른 나머지 서브화소 및 상기 청색의 서브화소 각각에 형성되는 제2 화소전극;
상기 제2 화소전극 위에 형성된 유기 화합물층; 및
상기 유기 화합물층 위에 형성된 공통전극을 포함하는 화이트 유기발광다이오드 표시장치.A substrate in which a plurality of pixels including red, green, and blue subpixels are disposed, and at least one subpixel of the red and green subpixels is divided into first and second subpixels;
Red, green and blue color filters formed on each of the red, green and blue sub-pixels;
An overcoat layer formed on the substrate on which the red, green and blue color filters are formed;
A buffer layer, a semi-transmissive layer and a first pixel electrode formed on each of the first sub-pixels on the overcoat layer;
While being formed in each of the first sub-pixels on the first pixel electrode, formed in each of the remaining sub-pixels other than the second sub-pixel and the at least one sub-pixel on the overcoat layer and the blue sub-pixels A second pixel electrode;
An organic compound layer formed on the second pixel electrode; And
A white organic light emitting diode display device including a common electrode formed on the organic compound layer.
상기 제1 화소전극은 상기 적 및 녹색의 서브화소별로 서로 다른 두께를 가지는 화이트 유기발광다이오드 표시장치.The method of claim 1, wherein each of the red and green subpixels is divided into first and second subpixels,
The first pixel electrode is a white organic light emitting diode display device having different thicknesses for each of the red and green subpixels.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020130096099A KR102098068B1 (en) | 2013-08-13 | 2013-08-13 | White organic light emitting diode display device using micro cavity |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020130096099A KR102098068B1 (en) | 2013-08-13 | 2013-08-13 | White organic light emitting diode display device using micro cavity |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20150019347A KR20150019347A (en) | 2015-02-25 |
| KR102098068B1 true KR102098068B1 (en) | 2020-04-07 |
Family
ID=52578492
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020130096099A KR102098068B1 (en) | 2013-08-13 | 2013-08-13 | White organic light emitting diode display device using micro cavity |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102098068B1 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180085862A (en) | 2017-01-19 | 2018-07-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light emitting display apparatus |
| CN110265463B (en) * | 2019-06-27 | 2021-08-03 | 昆山国显光电有限公司 | Display panel and display device |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7030553B2 (en) * | 2003-08-19 | 2006-04-18 | Eastman Kodak Company | OLED device having microcavity gamut subpixels and a within gamut subpixel |
| JP2005108644A (en) * | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Sanyo Electric Co Ltd | Organic el element |
| KR100669728B1 (en) * | 2004-09-20 | 2007-01-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | Pixel electrode-spilt flat panel device |
| JP4573672B2 (en) * | 2005-02-28 | 2010-11-04 | 三洋電機株式会社 | Organic EL panel |
| KR101458908B1 (en) * | 2008-04-01 | 2014-11-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same |
| KR101450905B1 (en) * | 2008-06-18 | 2014-10-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic light emitting diodde desplay device and fabricating method therof |
| KR101736929B1 (en) * | 2011-06-01 | 2017-05-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | White organic light emitting diode display device |
| KR101400389B1 (en) * | 2011-11-01 | 2014-05-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic light emitting diode |
-
2013
- 2013-08-13 KR KR1020130096099A patent/KR102098068B1/en active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20150019347A (en) | 2015-02-25 |
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