KR100669728B1 - Pixel electrode-spilt flat panel device - Google Patents

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Abstract

본 발명은 각 화소영역을 2개의 서브 화소영역으로 분할하고 분할된 서브 화소영역에 화소전극패턴을 각각 배열하여, 게이트 라인을 사이에 두고 인접한 화소영역에 배열된 분할전극패턴중 서로 다른 화소영역에 배열된 화소전극패턴을 하나의 화소로 구성하여 줌으로써 시감을 향상시키고 수율을 향상시킬 수 있는 유기전계 발광표시장치를 개시한다.The present invention divides each pixel region into two sub-pixel regions, and arranges pixel electrode patterns in the divided sub-pixel regions, respectively, to different pixel regions among the divided electrode patterns arranged in adjacent pixel regions with gate lines therebetween. An organic light emitting display device capable of improving visibility and improving yield by configuring an array of pixel electrode patterns as one pixel is disclosed.

본 발명의 유기전계 발광표시장치는 기판과; 기판상에 배열된 다수의 게이트라인, 데이터라인 및 전원라인과; 상기 다수의 게이트라인, 데이터라인 및 전원라인에 의해 한정되는 다수의 화소영역과; 각 화소영역에 배열되는 다수의 서브 화소전극패턴을 각각 구비하는 다수의 화소전극을 구비하며, 상기 게이트라인, 데이터라인 및 전원라인중 하나의 라인을 사이에 두고 서로 이웃하는 2개의 화소영역에 각각 배열된 다수의 서브 화소전극패턴중 일부 서브 화소전극패턴을 한 화소의 화소전극으로 구성한다.An organic light emitting display device of the present invention comprises: a substrate; A plurality of gate lines, data lines and power lines arranged on the substrate; A plurality of pixel regions defined by the plurality of gate lines, data lines, and power lines; A plurality of pixel electrodes each having a plurality of sub-pixel electrode patterns arranged in each pixel area, each of which is disposed in two neighboring pixel areas with one line among the gate line, the data line, and the power line interposed therebetween; Some of the sub pixel electrode patterns of the arranged plurality of sub pixel electrode patterns are configured as pixel electrodes of one pixel.

Description

분할된 화소전극을 구비한 유기전계 발광표시장치{Pixel electrode-spilt flat panel device}Organic electroluminescent display device having divided pixel electrode {Pixel electrode-spilt flat panel device}

도 1a는 종래의 유기전계 발광표시장치의 평면구조도,1A is a planar structure diagram of a conventional organic light emitting display device;

도 1b는 종래의 유기전계 발광표시장치에 있어서, 하나의 화소에 대한 평면구조도,1B is a planar structure diagram of one pixel in a conventional organic light emitting display device;

도 1c는 종래의 유기전계 발광표시장치에 있어서, 하나의 화소에 대한 단면구조도,1C is a cross-sectional structure diagram of one pixel in a conventional organic light emitting display device;

도 2a는 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치의 평면구조도,2A is a planar structure diagram of an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention;

도 2b는 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치에 있어서, 하나의 화소에 대한 평면구조도,2B is a plan view of one pixel in an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention;

도 2c는 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치에 있어서, 하나의 화소에 대한 단면구조도,2C is a cross-sectional structure diagram of one pixel in an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention;

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

200 : 유기전계 발광표시장치 211, 212, 213 : 게이트라인200: organic light emitting display device 211, 212, 213: gate line

220 : 데이터라인 230 : 전원라인220: data line 230: power line

260, 280 : 박막 트랜지스터 270 : 캐패시터260, 280: thin film transistor 270: capacitor

241, 242, 243, 241a, 241b, 242a, 242b, 243a : 화소영역241, 242, 243, 241a, 241b, 242a, 242b, 243a: pixel area

251, 252, 253 : 화소 263, 325 : 게이트전극251, 252, and 253 pixels 263 and 325 gate electrodes

265, 267, 341, 345 : 소오스/드레인 전극265, 267, 341, 345: source / drain electrodes

264, 266, 268, 331, 335 : 콘택홀 261, 310 : 반도체층264, 266, 268, 331, 335: contact holes 261, 310: semiconductor layer

320 : 게이트 절연막 330 : 층간 절연막320: gate insulating film 330: interlayer insulating film

350 : 보호막 370 : 화소분리막350: protective film 370: pixel separation film

361a, 361b, 362a, 362b, 363a : 서브 화소전극 패턴361a, 361b, 362a, 362b, 363a: sub pixel electrode pattern

371a, 371b, 372a, 372b, 373a : 개구부371a, 371b, 372a, 372b, 373a: opening

355 : 비어홀 381b, 382a, 382b : 유기막층 355 via holes 381b, 382a, and 382b: organic layer

본 발명은 평판표시장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 화소전극을 분할하고 게이트라인을 사이에 두고 이웃하는 분할전극패턴을 하나의 화소로 구성하여 시감을 향상시키고 수율을 향상시킬 수 있는 유기전계 발광표시장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a flat panel display, and more particularly, to organic light emitting diodes that can improve visibility and improve yield by dividing pixel electrodes and interposing adjacent electrode patterns with one pixel. It relates to a display device.

도 1a는 종래의 유기전계 발광표시장치의 평면구조를 도시한 것이다.1A illustrates a planar structure of a conventional organic light emitting display device.

도 1a를 참조하면, 종래의 유기전계 발광표시장치(15)는 다수의 게이트라인(10)과 다수의 데이터라인(20) 및 다수의 전원라인(30)을 구비한다. 상기 다수의 라인들(10, 20, 30)에 한정되는 다수의 화소영역(40)을 구비하고, 상기 화소영역(40)에는 상기 게이트라인(10), 데이터라인(20) 및 전원라인(30)에 연결되는 다수의 화소(50)가 각각 배열된다.Referring to FIG. 1A, a conventional organic light emitting display device 15 includes a plurality of gate lines 10, a plurality of data lines 20, and a plurality of power lines 30. And a plurality of pixel regions 40 defined in the plurality of lines 10, 20, and 30, and the gate line 10, the data line 20, and the power line 30 in the pixel region 40. A plurality of pixels 50 connected to each other are arranged.

각 화소(50)는 도 1b에 도시된 바와같이 스위칭 박막 트랜지스터(60) 및 구동 박막 트랜지스터(80)의 2개의 박막 트랜지스터와 하나의 캐패시터(70)그리고 화소전극인 애노드전극(160)을 구비하는 유기전계 발광소자(EL)를 구비한다. 도면중 도면부호 155는 상기 구동 박막 트랜지스터(80)와 화소전극(160)을 연결하기 위한 비어홀을 나타낸다.Each pixel 50 includes two thin film transistors of the switching thin film transistor 60 and the driving thin film transistor 80, one capacitor 70, and an anode electrode 160 as a pixel electrode, as shown in FIG. 1B. An organic light emitting element EL is provided. In the drawing, reference numeral 155 denotes a via hole for connecting the driving thin film transistor 80 and the pixel electrode 160.

도 1b는 종래의 유기전계 발광표시장치에 있어서, 하나의 화소영역(40)에 배열되는 하나의 화소에 대한 평면도를 도시한 것이다. FIG. 1B illustrates a plan view of one pixel arranged in one pixel area 40 in a conventional organic light emitting display device.

도 1b를 참조하면, 스위칭 박막 트랜지스터(60)는 소오스/드레인영역(도면상에는 도시되지 않음)을 구비하는 반도체층(61)과, 게이트라인(10)에 연결되는 게이트전극(63)과 상기 데이터라인(20)에 연결되는 소오스전극(65) 및 캐패시터(70)에 연결되는 드레인전극(67)을 구비한다. 상기 소오스/드레인 전극(65), (67)은 콘택홀(64), (66)을 통해 상기 반도체층(61)에 연결된다.Referring to FIG. 1B, the switching thin film transistor 60 includes a semiconductor layer 61 having a source / drain region (not shown), a gate electrode 63 connected to the gate line 10, and the data. A source electrode 65 connected to the line 20 and a drain electrode 67 connected to the capacitor 70 are provided. The source / drain electrodes 65 and 67 are connected to the semiconductor layer 61 through contact holes 64 and 66.

캐패시터(70)는 콘택홀(68)을 통해 상기 스위칭 박막 트랜지스터(60)의 드레인 전극(67)에 연결되는 하부전극(71)과, 상기 하부전극(61)과 오버랩되어 상기 전원라인(30)에 연결되는 상부전극(75)을 구비한다.The capacitor 70 overlaps the lower electrode 71 connected to the drain electrode 67 of the switching thin film transistor 60 through the contact hole 68 and the lower electrode 61 so as to overlap the power line 30. It is provided with an upper electrode 75 connected to.

구동 박막 트랜지스터(80)는 소오스/드레인영역(도 1c의 111, 115)을 구비한 반도체층(110)과, 상기 캐패시터(70)의 하부전극(71)에 연결되는 게이트전극(125)과, 상기 전원라인(30)에 연결되는 소오스전극(141) 및 애노드전극(160)에 비어홀 (155)을 통해 연결되는 드레인전극(145)을 구비한다. 상기 소오스/드레인전극(141), (145)은 콘택홀(131), (135)을 통해 상기 반도체층(110)의 소오스/드레인 영역(111), (115)에 연결된다. The driving thin film transistor 80 includes a semiconductor layer 110 having a source / drain region (111 and 115 in FIG. 1C), a gate electrode 125 connected to the lower electrode 71 of the capacitor 70, A source electrode 141 connected to the power line 30 and a drain electrode 145 connected to the anode electrode 160 through the via hole 155 are provided. The source / drain electrodes 141 and 145 are connected to the source / drain regions 111 and 115 of the semiconductor layer 110 through contact holes 131 and 135.

도 1c는 종래의 유기전계 발광표시장치에 있어서, 하나의 화소에 대한 단면도를 도시한 것으로서, 도 1c는 도 1b의 IC-IC 선에 따른 단면구조를 도시한 것이다.FIG. 1C illustrates a cross-sectional view of one pixel in a conventional organic light emitting display device, and FIG. 1C illustrates a cross-sectional structure along the IC-IC line of FIG. 1B.

도 1c를 참조하면, 기판(100)의 버퍼층(105)상에 구동 박막 트랜지스터(80)가 형성된다. 구동 박막 트랜지스터(80)는 소오스/드레인 영역(111), (115) 및 채널영역(113)을 구비하는 반도체층(110)과, 게이트 절연막(120)상에 형성된 게이트전극(125) 및 층간 절연막(130)상에 형성되어 콘택홀(131), (135)을 통해 상기 소오스/드레인 영역(111), (115)과 연결되는 소오스/드레인 전극(141), (145)을 구비한다. Referring to FIG. 1C, the driving thin film transistor 80 is formed on the buffer layer 105 of the substrate 100. The driving thin film transistor 80 includes a semiconductor layer 110 including source / drain regions 111, 115, and a channel region 113, a gate electrode 125 and an interlayer insulating layer formed on the gate insulating layer 120. Source / drain electrodes 141 and 145 are formed on the 130 and are connected to the source / drain regions 111 and 115 through contact holes 131 and 135.

보호막(150)상에는 상기 소오스/드레인 전극(141), (145)중 드레인 전극(145)에 비어홀(155)을 통해 연결되는 애노드전극(160)이 형성된다. 화소분리막(170)은 상기 애노드전극(160)의 일부분을 노출시키는 개구부(175)를 구비한다. 개구부(175)내의 애노드전극(160)상에 유기발광층(180)이 형성되고, 기판전면에 캐소드전극(190)이 형성된다.An anode electrode 160 connected to the drain electrode 145 of the source / drain electrodes 141 and 145 through the via hole 155 is formed on the passivation layer 150. The pixel isolation layer 170 includes an opening 175 that exposes a portion of the anode electrode 160. The organic light emitting layer 180 is formed on the anode electrode 160 in the opening 175, and the cathode electrode 190 is formed on the entire surface of the substrate.

유기전계 발광표시장치에서 발생되는 불량은 대부분이 암점불량(dark pixel)으로서, 암점불량의 주요원인중 하나는 이물질이나 애노드전극인 투명도전막의 돌기에 의한 애노드전극과 캐소드전극간의 단락현상이다. 암점불량의 또 다른 원인으로는 유기발광층을 미세메탈마스크(fine metal mask)를 이용하여 증착하는 경우, 마스크의 이물질에 의한 유기발광층의 패턴불량이다.The defects generated in the organic light emitting display device are mostly dark pixels, and one of the main causes of the dark spot defects is a short circuit between the anode electrode and the cathode electrode due to the projection of the transparent conductive film which is the foreign material or the anode electrode. Another cause of dark spot defects is a pattern defect of the organic light emitting layer due to foreign substances in the mask when the organic light emitting layer is deposited using a fine metal mask.

마스크의 이물질에 의한 암점불량은 유기전계 발광표시장치의 화면상에서는 비발광화소 또는 저휘도 발광화소로 검출된다. 종래에 도트(dot) 타입의 미세메탈 마스크를 이용하여 유기발광층을 증착하는 경우 하나의 화소에 하나의 도트를 대응시켜 하나의 화소의 유기발광층을 증착하였다.Dark spot defects caused by foreign substances in the mask are detected as non-emission pixels or low luminance light emitting pixels on the screen of the organic light emitting display device. Conventionally, in the case of depositing an organic light emitting layer using a dot-type micrometal mask, an organic light emitting layer of one pixel is deposited by corresponding one dot to one pixel.

도트타입의 미세메탈 마스크를 이용하면 하나의 도트에 이상증착에 의한 유기이물질 등이 부착되는 경우 마스크에 부착된 이물질에 의해 유기발광물질이 블록킹되기 때문에 이물질이 부착된 도트에 대응하는 화소에는 유기발광층이 제대로 증착되지 않게 되고, 이로 인하여 유기발광층의 패턴불량이 발생하게 된다. 또한, 마스크에 부착된 이물질이 유기발광층의 증착공정중에 유기전계 발광표시장치를 제조하기 위한 기판에 부착되는 경우가 발생하는데, 이와같이 기판상에 부착된 유기 이물질이 쇼트를 유발하는 파티클로 작용하는 문제점이 있었다.When a dot type micrometal mask is used, when an organic foreign material such as abnormal deposition is attached to one dot, the organic light emitting material is blocked by the foreign matter attached to the mask, so that the organic light emitting layer is applied to the pixel corresponding to the dot with the foreign material attached thereto. This may not be deposited properly, resulting in a pattern defect of the organic light emitting layer. In addition, the foreign matter attached to the mask is attached to the substrate for manufacturing the organic light emitting display device during the deposition process of the organic light emitting layer, the problem that the organic foreign matter attached to the substrate acts as a particle causing a short There was this.

본 발명은 상기한 바와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 하나의 화소전극을 분할하고 분할된 화소전극패턴중 게이트라인을 사이에 두고 이웃하는 화소전극패턴을 하나의 화소로 구성하여 시감을 향상시키고 패턴불량에 따른 수율을 향상시키는 데 그 목적이 있다.The present invention is to solve the problems of the prior art as described above, by dividing one pixel electrode, the neighboring pixel electrode pattern of the divided pixel electrode pattern with a gate line interposed therebetween to test The purpose is to improve and improve the yield according to the pattern defect.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 기판과; 기판상에 배열된 다수의 게이트라인, 데이터라인 및 전원라인과; 상기 다수의 게이트라인, 데이터라인 및 전원라인에 의해 한정되는 다수의 화소영역과; 각 화소영역에 배열되는 다수의 서브 화소전극패턴을 각각 구비하는 다수의 화소전극을 구비하며, 상기 게이트라인, 데이터라인 및 전원라인중 하나의 라인을 사이에 두고 서로 이웃하는 2개의 화소영역에 각각 배열된 다수의 서브 화소전극패턴중 일부 서브 화소전극패턴을 한 화소의 화소전극으로 구성하는 분할된 화소전극을 구비한 평판표시장치를 제공하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the present invention is a substrate; A plurality of gate lines, data lines and power lines arranged on the substrate; A plurality of pixel regions defined by the plurality of gate lines, data lines, and power lines; A plurality of pixel electrodes each having a plurality of sub-pixel electrode patterns arranged in each pixel area, each of which is disposed in two neighboring pixel areas with one line among the gate line, the data line, and the power line interposed therebetween; According to an aspect of the present invention, there is provided a flat panel display device having a divided pixel electrode, in which a plurality of sub pixel electrode patterns are arranged as pixel electrodes of one pixel.

상기 하나의 라인은 다수의 게이트라인이며, 상기 한 화소의 화소전극은 하나의 화소영역에 배열된 다수의 서브 화소전극패턴중 게이트에 인접한 서브 화소전극패턴과 다른 화소영역에 배열된 다수의 서브 화소전극패턴중 게이트에 인접한 서브 화소전극패턴을 포함한다. The one line is a plurality of gate lines, and the pixel electrodes of one pixel are a plurality of sub pixels arranged in a pixel region different from a sub pixel electrode pattern adjacent to a gate among the plurality of sub pixel electrode patterns arranged in one pixel region. The electrode pattern includes a sub pixel electrode pattern adjacent to a gate.

상기 하나의 화소전극을 구성하는 하나의 화소영역에 배열된 서브 화소전극패턴과 다른 화소영역에 배열된 서브 화소전극패턴은 상기 게이트 라인과 교차하는 연결패턴에 의해 전기적으로 서로 연결된다.The sub pixel electrode pattern arranged in one pixel region constituting the one pixel electrode and the sub pixel electrode pattern arranged in another pixel region are electrically connected to each other by a connection pattern intersecting the gate line.

또한, 본 발명은 기판과; 기판상에 배열된 다수의 게이트라인, 데이터라인 및 전원라인과; 상기 다수의 게이트라인, 데이터라인 및 전원라인에 의해 한정되고, 다수의 게이트라인, 데이터라인 및 전원라인중 해당하는 하나의 다수의 라인의 인접하는 2개의 라인중 하나에 인접하여 배열되는 적어도 하나이상의 제1서브 화소영역과, 다른 라인에 인접하여 배열되는 적어도 하나이상의 제2서브 화소영역을 각각 구비하는 다수의 화소영역과; 상기 적어도 하나이상의 제1서브 화소영역에 배열되는 적어도 하나이상의 제1서브 화소전극패턴과, 상기 적어도 하나이상의 제2서브 화소영역에 배열되는 적어도 하나이상의 제2서브 화소전극패턴을 각각 구비하는 다수의 화소전극을 구비하며, 다수의 화소영역중 이웃하는 2개의 화소영역이 상기 하나의 다수의 라인중 하나의 라인 양측에 각각 배열되고, 이웃하는 2개의 화소영역중 상기 하나의 라인의 일측에 배열된 화소영역의 제2서브 화소전극패턴과 상기 하나의 라인의 타측에 배열된 화소영역의 제1서브 화소전극패턴이 하나의 화소를 구성하는 분할된 화소전극을 구비한 평판표시장치를 제공하는 것을 특징으로 한다.In addition, the present invention is a substrate; A plurality of gate lines, data lines and power lines arranged on the substrate; At least one defined by the plurality of gate lines, data lines, and power lines, and arranged adjacent to one of two adjacent lines of a corresponding one of the plurality of gate lines, data lines, and power lines A plurality of pixel regions each having a first sub pixel region and at least one second sub pixel region arranged adjacent to another line; A plurality of at least one first sub pixel electrode pattern arranged in the at least one first sub pixel area and at least one second sub pixel electrode pattern arranged in the at least one second sub pixel area A pixel electrode, and two neighboring pixel regions of the plurality of pixel regions are respectively arranged on both sides of one line of the plurality of lines, and one side of the one line of the two neighboring pixel regions is arranged A flat display device comprising a divided pixel electrode in which a second sub pixel electrode pattern of a pixel area and a first sub pixel electrode pattern of a pixel area arranged on the other side of the one line constitute one pixel. It is done.

또한, 본 발명은 기판과; 기판상에 배열된 다수의 게이트라인, 데이터라인 및 전원라인과; 상기 다수의 게이트라인, 데이터라인 및 전원라인에 의해 한정되고, 다수의 게이트라인중 이웃하는 2개의 게이트라인중 하나의 게이트라인에 인접하여 배열되는 적어도 하나이상의 제1서브 화소영역과, 다른 게이트라인에 인접하여 배열되는 적어도 하나이상의 제2서브 화소영역을 각각 구비하는 다수의 화소영역과; 상기 적어도 하나이상의 제1서브 화소영역에 배열되는 적어도 하나이상의 제1서브 화소전극패턴과, 상기 적어도 하나이상의 제2서브 화소영역에 배열되는 적어도 하나이상의 제2서브 화소전극패턴을 각각 구비하는 다수의 화소전극과; 상기 다수의 화소전극을 각각 구동하기 위한 다수의 구동수단을 구비하며, 다수의 화소영역중 이웃하는 2개의 화소영역이 상기 다수의 라인중 하나의 게이트 라인 양측에 각각 배열되고, 이웃하는 2개의 화소영역중 상기 하나의 게이트 라인의 일측에 배열된 화소영역의 제2서브 화소전극패턴과 상기 하나의 게이트 라인의 타측에 배열된 화소영역의 제1서브 화소전극패턴이 하나의 화소를 구성하며, 상기 하나의 화소를 구성하는 제1서브 화소전극패턴과 제2서브 화소전극패턴은 상기 다수의 구동수 단중 해당하는 하나의 구동수단에 의해 동시에 구동되는 분할된 화소전극을 구비한 평판표시장치를 제공한다.In addition, the present invention is a substrate; A plurality of gate lines, data lines and power lines arranged on the substrate; At least one first sub pixel region defined by the plurality of gate lines, data lines, and power lines, and arranged adjacent to one gate line of two neighboring gate lines among the plurality of gate lines, and another gate line; A plurality of pixel regions each having at least one second sub pixel region arranged adjacent to the plurality of pixel regions; A plurality of at least one first sub pixel electrode pattern arranged in the at least one first sub pixel area and at least one second sub pixel electrode pattern arranged in the at least one second sub pixel area A pixel electrode; A plurality of driving means for driving the plurality of pixel electrodes, respectively, wherein two neighboring pixel regions of the plurality of pixel regions are arranged on both sides of one gate line of the plurality of lines, respectively; The second sub pixel electrode pattern of the pixel region arranged on one side of the one gate line and the first sub pixel electrode pattern of the pixel region arranged on the other side of the one gate line constitute one pixel. A first sub pixel electrode pattern and a second sub pixel electrode pattern constituting one pixel provide a flat panel display having divided pixel electrodes simultaneously driven by one driving means among the plurality of driving steps. .

상기 다수의 구동수단중 해당하는 하나의 구동수단은 하나의 화소를 구성하는 게이트라인의 일측에 배열된 화소영역의 제2서브 화소전극패턴과 게이트 라인의 타측에 배열된 화소영역의 제1서브 화소전극패턴중 하나에 연결된다. A corresponding one of the plurality of driving means includes a second sub pixel electrode pattern of a pixel region arranged on one side of a gate line constituting one pixel and a first sub pixel of a pixel region arranged on the other side of the gate line. It is connected to one of the electrode patterns.

상기 각 화소는 상기 제1서브 화소전극패턴과 제2서브 화소전극패턴을 포함하는 하부전극과; 상기 하부전극상에 형성된 유기막층과; 기판상에 형성된 캐소드전극인 상부전극을 포함하는 유기발광소자를 더 구비한다. Each pixel includes a lower electrode including the first sub pixel electrode pattern and a second sub pixel electrode pattern; An organic layer formed on the lower electrode; Further comprising an organic light emitting device comprising an upper electrode which is a cathode electrode formed on the substrate.

상기 구동수단은 적어도 상기 게이트라인에 제공되는 신호에 따라 상기 데이터라인으로부터 제공되는 데이터신호를 스위칭하기 위한 스위칭 박막 트랜지스터와; 상기 데이터신호를 저장하기 위한 캐패시터와; 상기 데이터신호에 상응하여 상기 유기전계 발광소자를 구동하기 위한 구동 박막 트랜지스터를 포함한다.The driving means includes a switching thin film transistor for switching a data signal provided from the data line according to at least a signal provided to the gate line; A capacitor for storing the data signal; And a driving thin film transistor for driving the organic light emitting diode according to the data signal.

또한, 본 발명의 평판표시장치는 기판상에 배열된 다수의 게이트라인, 데이터라인 및 전원라인과; 상기 다수의 게이트라인, 데이터라인 및 전원라인에 의해 한정되고, 각각 제1 및 제2서브화소영역으로 분할되는 다수의 화소영역과; 제1 및 제2서브 화소영역에 각각 배열되는 제1 및 제2서브 화소전극패턴을 각각 구비하며, 게이트라인을 사이에 두고 이웃하는 2개의 화소영역중 하나의 화소영역의 제2서브 화소영역에 배열된 제2서브 화소전극패턴과 다른 화소영역의 제1서브 화소영역에 배열된 제1서브 화소전극패턴이 하나의 화소로 구성되는 다수의 화소전극과; 각각 상기 제1서브 화소전극패턴에 연결되는 박막 트랜지스터를 구비하고, 상기 다수의 화소전극을 각각 구동하기 위한 다수의 구동수단을 포함한다. In addition, the flat panel display of the present invention includes a plurality of gate lines, data lines and power lines arranged on a substrate; A plurality of pixel regions defined by the plurality of gate lines, data lines, and power lines, each divided into first and second subpixel regions; First and second subpixel electrode patterns respectively arranged in the first and second subpixel regions, respectively, and having a gate line therebetween, in a second subpixel region of one pixel region of two adjacent pixel regions. A plurality of pixel electrodes in which the first sub pixel electrode pattern arranged in the first sub pixel area of the pixel area different from the arranged second sub pixel electrode pattern is composed of one pixel; And a thin film transistor connected to the first sub pixel electrode pattern, respectively, and a plurality of driving means for driving the plurality of pixel electrodes, respectively.

각 화소는 제1서브화소영역에 대응하는 기판상에 형성된 게이트 및 소오스/드레인 전극을 구비한 박막 트랜지스터와; 상기 제1서브화소영역에 대응하는 제1절연막상에 형성되어, 상기 소오스/드레인 전극중 하나의 전극에 연결되는 제1서브화소전극패턴과; 상기 제2서브 화소영역에 대응하는 제1절연막상에 형성되는 제2서브 화소전극패턴과; 상기 제1서브 화소전극패턴의 일부분을 노출시키는 제1개구부와 상기 제2서브화소전극패턴의 일부분을 노출시키는 제2개구부를 구비하는 제2절연막과; 상기 제1개구부내의 제1서브 화소전극패턴상에 형성된 제1유기막층 및 상기 제2개구부내의 제2서브화소전극패턴상에 형성된 제2유기막층과; 기판상에 형성된 상부전극을 구비한다.Each pixel comprises a thin film transistor having a gate and a source / drain electrode formed on a substrate corresponding to the first sub-pixel region; A first subpixel electrode pattern formed on a first insulating layer corresponding to the first subpixel region and connected to one electrode of the source / drain electrodes; A second sub pixel electrode pattern formed on the first insulating layer corresponding to the second sub pixel area; A second insulating film having a first opening exposing a portion of the first sub pixel electrode pattern and a second opening exposing a portion of the second sub pixel electrode pattern; A first organic film layer formed on the first sub pixel electrode pattern in the first opening and a second organic film layer formed on the second subpixel electrode pattern in the second opening; An upper electrode formed on the substrate is provided.

하나의 화소영역에 배열되어 서로 다른 화소를 구성하는 제1 및 제2서브 화소전극패턴상에 형성된 제1유기막층 및 제2유기막층은 측벽형태의 제2절연막에 의해 서로 분리된다.The first organic layer and the second organic layer formed on the first and second sub pixel electrode patterns arranged in one pixel area to form different pixels are separated from each other by a second insulating layer having a sidewall.

상기 게이트라인은 하나의 화소영역의 제2서브 화소영역과 다른 화소영역의 제1서브 화소영역사이의 기판상에 배열되고, 상기 하나의 화소를 구비하는 서로 다른 화소영역에 배열된 제1 및 제2서브 화소전극패턴은 게이트라인과 교차하는 연결패턴에 의해 전기적으로 연결되며, 상기 연결패턴은 상기 제1 및 제2서브 화소전극패턴과 동일한 물질을 포함한다.The gate lines are arranged on a substrate between a second sub pixel region of one pixel region and a first sub pixel region of another pixel region, and are arranged in different pixel regions including the one pixel. The second sub pixel electrode pattern is electrically connected to each other by a connection pattern crossing the gate line, and the connection pattern includes the same material as the first and second sub pixel electrode patterns.

이하 본 발명의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 2a는 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치의 평면구조를 도시 한 것이다.2A illustrates a planar structure of an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2a를 참조하면, 본 발명의 유기전계 발광표시장치(200)는 다수의 게이트라인(211, 212, 213), 다수의 데이터라인(220) 및 다수의 전원라인(230)과, 상기 다수의 게이트라인(211, 212, 213), 다수의 데이터라인(220) 및 다수의 전원라인(230)에 의해 한정되는 다수의 화소영역(241, 242, 243)을 구비한다. 다수의 화소영역(241, 242, 243)은 각각 2개의 서브화소영역(241a, 241b), (242a, 242b), (243a, ..)으로 분할된다.Referring to FIG. 2A, the organic light emitting display device 200 according to the present invention includes a plurality of gate lines 211, 212, 213, a plurality of data lines 220, a plurality of power lines 230, and a plurality of the plurality of gate lines 211. A plurality of pixel regions 241, 242, and 243 are defined by gate lines 211, 212, and 213, a plurality of data lines 220, and a plurality of power lines 230. The plurality of pixel areas 241, 242, and 243 are divided into two sub-pixel areas 241a and 241b, 242a and 242b, and 243a and.

다수의 화소영역(241, 242, 243)에는 각각 애노드전극인 화소전극이 2개의 서브 화소전극 패턴(361a, 361b), (362a, 362b), (363a, ..)으로 분할되어 배열되는데, 화소영역(241)의 제1서브화소영역(241a)에는 제1서브 화소전극 패턴(361a)이 배열되고, 제2서브화소영역(241b)에는 제2서브 화소전극 패턴(361b)이 배열된다. 화소영역(242)의 제1서브화소영역(242a)에는 제1서브 화소전극 패턴(362a)이 배열되고, 제2서브화소영역(242b)에는 제2서브 화소전극 패턴(362b)이 배열된다. 화소영역(243)의 제1서브화소영역(243a)에는 제1서브 화소전극 패턴(363a)이 배열된다. In the plurality of pixel regions 241, 242, and 243, pixel electrodes, which are anode electrodes, are divided into two sub-pixel electrode patterns 361a and 361b, 362a and 362b, and 363a and. The first subpixel electrode pattern 361a is arranged in the first subpixel region 241a of the region 241, and the second subpixel electrode pattern 361b is arranged in the second subpixel region 241b. The first subpixel electrode pattern 362a is arranged in the first subpixel region 242a of the pixel region 242, and the second subpixel electrode pattern 362b is arranged in the second subpixel region 242b. The first sub pixel electrode pattern 363a is arranged in the first sub pixel area 243a of the pixel area 243.

상기 다수의 화소영역(241, 242, 243)중 인접하는 2개의 화소영역사이에는 게이트라인(211, 212, 213)이 배열되는데, 2개의 인접한 화소영역(241, 242)사이에는 게이트라인(212)이 배열되고, 2개의 인접한 화소영역(242, 243)사이에는 게이트라인(213)이 배열된다.  Gate lines 211, 212, and 213 are arranged between two adjacent pixel areas among the plurality of pixel areas 241, 242, and 243, and gate lines 212 between two adjacent pixel areas 241 and 242. ) Is arranged, and the gate line 213 is arranged between two adjacent pixel regions 242 and 243.

즉, 하나의 게이트 라인을 사이에 두고 인접한 2개의 화소영역에 있어서, 게이트 라인을 사이에 두고 인접한 서브 화소영역에 하나의 화소가 배열된다. 따라 서, 본 발명의 실시예에서는, 하나의 화소영역에 하나의 화소가 배열되는 것이 아니라 2개의 이웃하는 화소영역에 걸쳐 하나의 화소가 배열된다. That is, in two adjacent pixel areas with one gate line interposed, one pixel is arranged in the adjacent sub pixel area with the gate line interposed therebetween. Thus, in the embodiment of the present invention, one pixel is not arranged in one pixel region but one pixel is arranged over two neighboring pixel regions.

예를 들어, 게이트라인(212)의 경우, 상기 게이트라인(212)을 사이에 두고 2개의 화소영역(241), (242)가 배열되고, 2개의 화소영역(241), (242)의 서브 화소영역(241a, 241b), (242a, 242b)중 게이트 라인(212)을 사이에 두고 배열된 2개의 서브 화소영역(241b), (242a)에 하나의 화소(252)가 배열된다. 게이트 라인(213)의 경우, 2개의 화소영역(242), (243)의 서브 화소영역(242a, 242b), (243a, ..)중 게이트 라인(213)을 사이에 두고 배열된 2개의 서브 화소영역(242b), (243a)에 하나의 화소(253)가 배열된다.For example, in the case of the gate line 212, two pixel regions 241 and 242 are arranged with the gate line 212 interposed therebetween, and the subpixels of the two pixel regions 241 and 242 are arranged. One pixel 252 is arranged in two sub-pixel areas 241b and 242a arranged with the gate line 212 in the pixel areas 241a, 241b and 242b. In the case of the gate line 213, two subs arranged in the two pixel areas 242 and 243 with the gate line 213 interposed between the sub pixel areas 242a and 242b and 243a and. One pixel 253 is arranged in the pixel areas 242b and 243a.

하나의 게이트라인에 인접한 2개의 서브 화소영역에 배열된 서브 화소전극 패턴이 하나의 화소의 화소전극으로 작용한다. 즉, 게이트라인(212)에 인접하게 배열된 서브화소영역(241b), (242a)에 각각 서브 화소전극 패턴(361b), (362a)이 배열되고, 2개의 서브 화소전극 패턴(361b), (362a)은 연결패턴(362c)에 의해 연결되어 하나의 화소(252)의 화소전극으로 작용한다. 또한, 게이트라인(213)에 인접하게 배열된 서브화소영역(242b), (243a)에 각각 서브 화소전극 패턴(362b), (363a)이 배열되고, 2개의 화소전극 패턴(362b), (363a)은 연결패턴(363c)에 의해 연결되어 하나의 화소(253)의 화소전극으로 작용한다. A sub pixel electrode pattern arranged in two sub pixel areas adjacent to one gate line serves as a pixel electrode of one pixel. That is, the sub pixel electrode patterns 361b and 362a are arranged in the sub pixel regions 241b and 242a arranged adjacent to the gate line 212, and the two sub pixel electrode patterns 361b and ( 362a is connected by a connection pattern 362c to serve as a pixel electrode of one pixel 252. Sub-pixel electrode patterns 362b and 363a are arranged in sub-pixel regions 242b and 243a arranged adjacent to the gate line 213, respectively, and two pixel electrode patterns 362b and 363a are arranged. ) Is connected by the connection pattern 363c to serve as a pixel electrode of one pixel 253.

따라서, 게이트라인(212)을 사이에 두고 서로 다른 화소영역(241), (242)의 인접한 2개의 서브 화소영역(241b), (242a)에 배열된 2개의 서브 화소전극 패턴(361b, 362a)은 상기 연결패턴(362c)에 의해 서로 연결되고, 비어홀(355)을 통해 구동수단에 연결되어 구동된다. 또한, 게이트라인(213)을 사이에 두고 서로 다른 화소영역(242), (243)의 인접한 2개의 서브 화소영역(242b), (243a)에 배열된 2개의 서브 화소전극 패턴(362b, 363a)은 상기 연결패턴(363c)에 의해 서로 연결되고, 비어홀(355)을 통해 구동수단에 연결되어 구동된다.Accordingly, two sub pixel electrode patterns 361b and 362a arranged in two adjacent pixel regions 241b and 242a of different pixel regions 241 and 242 with the gate line 212 interposed therebetween. Are connected to each other by the connection pattern 362c, and are connected to the driving means through the via hole 355 to be driven. In addition, two sub pixel electrode patterns 362b and 363a arranged in two adjacent pixel regions 242b and 243a of different pixel regions 242 and 243 with the gate line 213 interposed therebetween. Are connected to each other by the connection pattern 363c and connected to the driving means through the via hole 355 to be driven.

도2b는 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치에 있어서, 인접하는 2개의 화소영역에 배열되는 하나의 화소에 대한 평면도를 도시한 것으로서, 다수의 게이트라인중 하나의 게이트라인(212)을 사이에 두고 2개의 화소영역(241), (242)에 배열되는 하나의 화소(252)에 대한 평면구조를 도시한 것이다.FIG. 2B is a plan view of one pixel arranged in two adjacent pixel areas in the organic light emitting display according to the exemplary embodiment of the present invention, and one gate line 212 of the plurality of gate lines is shown. The planar structure of one pixel 252 arranged in two pixel regions 241 and 242 with a gap therebetween is shown.

도 2b를 참조하면, 게이트라인(212)을 사이에 두고 2개의 화소영역(241), (242)가 배열되고, 각 화소영역(241), (242)은 2개의 서브 화소영역(241a, 241b), (242a, 242b)으로 분할되며, 게이트라인(212)을 사이에 두고 배열되는 2개의 다른 화소영역(241), (242)의 서브 화소영역(241a, 241b), (242a, 24b)중 게이트라인(212)을 사이에 두고 인접한 2개의 서브 화소영역(241b, 242a)에 하나의 화소(252)가 배열된다.Referring to FIG. 2B, two pixel regions 241 and 242 are arranged with the gate line 212 interposed therebetween, and each of the pixel regions 241 and 242 includes two sub pixel regions 241a and 241b. ), Divided into (242a, 242b), and among the two other pixel regions (241, 241b, 242a, 24b) of the other pixel regions (241, 242) arranged with the gate line (212) therebetween. One pixel 252 is arranged in two adjacent sub pixel areas 241b and 242a with the gate line 212 interposed therebetween.

상기 화소는 스위칭 박막 트랜지스터(260) 및 구동 박막 트랜지스터(280)의 2개의 박막 트랜지스터와 하나의 캐패시터(270) 그리고 화소전극인 애노드전극(362)을 구비하는 유기전계 발광소자(EL)를 구비한다. 본 발명의 실시예에서는 상기 EL 소자를 구동하기 위한 박막 트랜지스터와 캐패시터는 서브 화소영역(241b, 242a)중 하나의 서브 화소영역(242a)에 배열되었으나, 다른 서브 화소영역(241b)에 배열될 수도 있다. 또한, 본 발명의 실시예에서는 각 화소가 EL소자를 구동하기 위하여 2개의 박막 트랜지스터와 캐패시터를 구비하였으나, 다양한 형태의 화소구조에 적용할 수 있다.The pixel includes an organic light emitting diode EL including two thin film transistors of the switching thin film transistor 260 and the driving thin film transistor 280, one capacitor 270, and an anode electrode 362 that is a pixel electrode. . In the embodiment of the present invention, the thin film transistor and the capacitor for driving the EL element are arranged in one sub pixel region 242a of the sub pixel regions 241b and 242a, but may be arranged in another sub pixel region 241b. have. Further, in the embodiment of the present invention, each pixel includes two thin film transistors and a capacitor for driving the EL element, but it can be applied to various types of pixel structures.

상기 화소전극(362)은 2개의 서브 화소전극 패턴(361b, 362a)을 구비한다. 서브 화소전극 패턴(361b), (362a)중 하나의 서브 화소전극 패턴(361b)은 게이트라인(212)을 사이에 두고 인접하게 배열되는 서브 화소영역(241b), (242a)중 서브 화소영역(241b)에 배열되고, 다른 하나의 서브 화소전극 패턴(362a)은 다른 서브 화소영역(242a)에 배열된다. The pixel electrode 362 includes two sub pixel electrode patterns 361b and 362a. One of the sub pixel electrode patterns 361b of the sub pixel electrode patterns 361b and 362a includes the sub pixel regions 241b and 242a of the sub pixel regions 241b and 242a arranged adjacent to each other with the gate line 212 interposed therebetween. The other sub pixel electrode pattern 362a is arranged in another sub pixel region 242a.

각각의 서브 화소영역(241b), (242a)에 배열되는 서브 화소 전극패턴(361b, 362a)은 게이트 라인(212)과 교차하는 연결패턴(362c)에 의해 연결된다. 서브 화소전극 패턴(361b), (362a)은 각각의 개구부(371b), (372a)에 의해 일정부분만이 노출되어진다. The sub pixel electrode patterns 361b and 362a arranged in each of the sub pixel areas 241b and 242a are connected by a connection pattern 362c crossing the gate line 212. Only a portion of the sub pixel electrode patterns 361b and 362a are exposed through the openings 371b and 372a, respectively.

상기 스위칭 박막 트랜지스터(260)는 소오스/드레인영역(도면상에는 도시되지 않음)을 구비하는 반도체층(261)과, 게이트라인(212)에 연결되는 게이트전극(263)과, 상기 데이터라인(210)에 연결되는 소오스전극(265) 및 캐패시터(270)에 연결되는 드레인전극(267)을 구비한다. 상기 소오스/드레인 전극(265), (267)은 콘택홀(264), (266)을 통해 상기 반도체층(261)에 연결된다.The switching thin film transistor 260 includes a semiconductor layer 261 having a source / drain region (not shown), a gate electrode 263 connected to a gate line 212, and the data line 210. And a drain electrode 267 connected to the source electrode 265 connected to the capacitor 270. The source / drain electrodes 265 and 267 are connected to the semiconductor layer 261 through contact holes 264 and 266.

상기 캐패시터(270)는 콘택홀(268)을 통해 상기 스위칭 박막 트랜지스터(260)의 드레인 전극(267)에 연결되는 하부전극(271)과, 상기 하부전극(271)과 오버랩되어 상기 전원라인(230)에 연결되는 상부전극(275)을 구비한다.The capacitor 270 overlaps the lower electrode 271 connected to the drain electrode 267 of the switching thin film transistor 260 through the contact hole 268 and the lower electrode 271 and the power line 230. And an upper electrode 275 connected to it.

상기 구동 박막 트랜지스터(280)는 소오스/드레인영역(도 2c의 311, 315) 및 채널영역(도 2c의 313)을 구비한 반도체층(310)과, 상기 캐패시터(270)의 하부전극(271)에 연결되는 게이트전극(325)과, 상기 전원라인(230)에 연결되는 소오스전극(341) 및 화소전극(362)에 비어홀(355)을 통해 연결되는 드레인전극(345)을 구비한다. 상기 소오스/드레인전극(341), (345)은 콘택홀(331), (335)을 통해 상기 반도체층(310)의 소오스/드레인 영역(311), (315)에 연결된다. The driving thin film transistor 280 includes a semiconductor layer 310 having a source / drain region (311 and 315 of FIG. 2C) and a channel region (313 of FIG. 2C), and a lower electrode 271 of the capacitor 270. And a drain electrode 345 connected to the gate electrode 325 connected to the power supply line 230, the source electrode 341 connected to the power line 230, and the pixel electrode 362 through the via hole 355. The source / drain electrodes 341 and 345 are connected to the source / drain regions 311 and 315 of the semiconductor layer 310 through contact holes 331 and 335.

도 2c는 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치에 있어서, 하나의 화소에 대한 단면도를 도시한 것으로서, 게이트라인(212)을 사이에 두고 서로 인접하게 배열되는 서브 화소영역(241b, 242a)에 배열되는 하나의 화소(252)에 대한 단면도이다. 도 2c는 도 2b의 IIC-IIC 선에 따른 단면구조를 도시한 것으로서, 화소전극(362) 및 그에 연결되는 구동 박막 트랜지스터(280)의 단면구조를 도시한 것이다.FIG. 2C is a cross-sectional view of one pixel in the organic light emitting display according to the exemplary embodiment of the present invention, and the sub pixel areas 241b and 242a are arranged adjacent to each other with the gate line 212 interposed therebetween. 1 is a cross-sectional view of one pixel 252 arranged in FIG. FIG. 2C illustrates a cross-sectional structure along the IIC-IIC line of FIG. 2B, and illustrates a cross-sectional structure of the pixel electrode 362 and the driving thin film transistor 280 connected thereto.

도 2c를 참조하면, 기판(300)의 버퍼층(305)중 서브화소영역(242a)에 대응하는 부분에 구동 박막 트랜지스터(280), 스위칭 박막 트랜지스터(260) 및 캐패시터(270)가 형성된다. 본 발명의 유기전계 발광표시장치(200)에 있어서, 구동 박막 트랜지스터(280), 스위칭 박막 트랜지스터(260) 및 캐패시터(270)의 배열구조 및 단면구조가 다양하게 적용될 수 있으며, 도 2c에는 화소전극에 연결되는 구동 박막 트랜지스터(280)의 단면구조만을 예시하였다.Referring to FIG. 2C, a driving thin film transistor 280, a switching thin film transistor 260, and a capacitor 270 are formed in a portion of the buffer layer 305 of the substrate 300 corresponding to the subpixel region 242a. In the organic light emitting display device 200 according to the present invention, various arrangements and cross-sectional structures of the driving thin film transistor 280, the switching thin film transistor 260, and the capacitor 270 may be applied. Only the cross-sectional structure of the driving thin film transistor 280 connected to is illustrated.

기판(300)상에 버퍼층(305)을 형성하고, 상기 버퍼층(305)중 서브 화소영역(242a)에 대응하는 부분에 통상적인 방법으로 반도체층(310)을 형성한다. 상기 반도체층(310)과 버퍼층(305)상에 게이트 절연막(320)을 증착한다. 상기 게이트 절연 막(320)상에 게이트 전극물질을 증착한 다음 패터닝하여 게이트(325) 및 게이트라인(212)을 형성한다.A buffer layer 305 is formed on the substrate 300, and a semiconductor layer 310 is formed in a portion of the buffer layer 305 corresponding to the sub pixel region 242a by a conventional method. A gate insulating layer 320 is deposited on the semiconductor layer 310 and the buffer layer 305. A gate electrode material is deposited on the gate insulating layer 320 and then patterned to form a gate 325 and a gate line 212.

게이트(325)를 형성한 다음 상기 반도체층(310)으로 소정 도전형, 예를 들어 p형 불순물을 이온주입하여 소오스/드레인 영역(311), (315)을 형성한다. 이때, 반도체층(310)중 소오스/드레인 영역(311), (315)사이의 부분은 박막 트랜지스터의 채널영역(313)으로 작용한다.After the gate 325 is formed, source / drain regions 311 and 315 are formed by ion implanting a predetermined conductivity type, for example, p-type impurity, into the semiconductor layer 310. In this case, a portion between the source / drain regions 311 and 315 of the semiconductor layer 310 serves as the channel region 313 of the thin film transistor.

이어서, 게이트(325) 및 게이트라인(212)과 게이트 절연막(320)상에 층간 절연막(330)을 증착하고, 상기 층간 절연막(330)과 게이트 절연막(320)을 식각하여 상기 소오스/드레인 영역(311), (315)의 일부분을 노출시키는 콘택홀(331), (335)을 형성한다. Subsequently, an interlayer insulating film 330 is deposited on the gate 325, the gate line 212, and the gate insulating film 320, and the interlayer insulating film 330 and the gate insulating film 320 are etched to form the source / drain regions ( 311 and 315, contact holes 331 and 335 are formed.

상기 콘택홀(331), (335)을 포함한 층간 절연막(330)상에 소오스/드레인 전극물질을 증착한 다음 패터닝하여, 상기 콘택홀(331), (335)을 통해 상기 소오스/드레인 영역(311), (315)에 연결되는 소오스/드레인 전극(341), (345)을 형성한다. 이때, 도면상에는 도시되지 않았으나, 도 2a 및 도 2b에 도시된 데이터라인(220)과 전원라인(230)이 형성된다.The source / drain electrode material is deposited on the interlayer insulating layer 330 including the contact holes 331 and 335 and then patterned to form the source / drain regions 311 through the contact holes 331 and 335. ) And source / drain electrodes 341 and 345 connected to 315. In this case, although not shown in the drawing, the data line 220 and the power line 230 shown in FIGS. 2A and 2B are formed.

기판상에 보호막(350)을 증착한 다음, 상기 소오스/드레인 전극(341), (345)중 드레인 전극(345)을 노출시키는 비어홀(355)을 형성한다. 상기 비어홀(355)을 포함한 보호막(350)상에 화소전극물질을 증착한 다음 패터닝하여 서브화소영역(241b), (242a)에 서브 화소전극 패턴(361b), (362a)을 각각 형성한다. 이때, 상기 서브 화소전극 패턴(361b), (362a)중 서브화소영역(242a)에 배열된 서브 화소전극 패턴(362a)은 비어홀(355)을 통해 상기 드레인 전극(345)에 연결된다. 상기 서브 화소전극 패턴(361b)은 연결패턴(362c)에 의해 상기 서브 화소전극 패턴(362a)에 연결된다.After the deposition of the passivation layer 350 on the substrate, a via hole 355 exposing the drain electrode 345 of the source / drain electrodes 341 and 345 is formed. Subpixel electrode materials 361b and 362a are formed in the subpixel regions 241b and 242a by depositing and patterning a pixel electrode material on the passivation layer 350 including the via hole 355. In this case, the sub pixel electrode pattern 362a arranged in the sub pixel region 242a among the sub pixel electrode patterns 361b and 362a is connected to the drain electrode 345 through a via hole 355. The sub pixel electrode pattern 361b is connected to the sub pixel electrode pattern 362a by a connection pattern 362c.

기판상에 화소분리막(370)을 증착한 다음 패터닝하여, 각각의 서브 화소전극 패턴(361b), (362a)의 일부분이 노출시키는 개구부(371b), (372a)를 형성한다. 이어서, 도트형태의 미세 메탈마스크(도면상에는 도시되지 않음)를 이용하여 각 개구부(371b), (372a)를 통해 노출되는 서브 화소전극 패턴(361b), (362a)에 유기막층(381b), (382a)을 각각 증착한다. 그리고, 기판전면에 캐소드전극을 증착한다. The pixel isolation layer 370 is deposited on the substrate and then patterned to form openings 371b and 372a exposing portions of the sub-pixel electrode patterns 361b and 362a. Subsequently, the organic film layers 381b and (3b) are exposed to the sub pixel electrode patterns 361b and 362a exposed through the openings 371b and 372a using a dot-shaped fine metal mask (not shown in the drawing). 382a) are deposited respectively. Then, a cathode electrode is deposited on the entire surface of the substrate.

이때, 상기 서브 화소전극 패턴(362a), (362b)상에 유기막층(382a), (382b)을 형성할 때, 상기 유기막층(382a), (382b)은 하나의 도트마스크에 의해 증착되므로 격벽(370a)상에도 유기막층이 증착되어 유기박층(382a), (382b)이 서로 연결되어지도록 형성된다. 하지만, 상기 2개의 서브 화소전극 패턴상에 공통적으로 형성된 유기막층(382a), (382b)의 발광층은 수평방향의 전도성이 작기 때문에 각각의 서브 화소전극 패턴(362a), (362b)에 대해서만 서로 독립적으로 구동된다.In this case, when the organic layer 382a and 382b are formed on the sub pixel electrode patterns 362a and 362b, the organic layer 338a and 382b are deposited by one dot mask. An organic film layer is also deposited on 370a so that the organic thin layers 382a and 382b are connected to each other. However, the light emitting layers of the organic film layers 382a and 382b commonly formed on the two subpixel electrode patterns have low horizontal conductivity, and thus are independent of each other only for the respective subpixel electrode patterns 362a and 362b. Driven by.

하나의 화소영역(242)의 각 서브 화소영역(242a), (242b)에 배열된 서브 화소전극 패턴(362a), (362b)은 격벽형태의 화소분리막(370a)에 의해 서로 분리되어진다. 상기 유기막층(381b), (382a)은 발광층에 대해서만 도시되었으나, 정공주입층, 정공수송층, 유기 발광층, 전자수송층, 전자주입층 및 정공억제층으로부터 선택되는 유기막을 포함한다.The sub pixel electrode patterns 362a and 362b arranged in each of the sub pixel areas 242a and 242b of one pixel area 242 are separated from each other by the partition pixel pixel 370a. The organic layer 381b and 382a are shown only for the light emitting layer, but include an organic layer selected from a hole injection layer, a hole transport layer, an organic light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and a hole suppression layer.

종래의 각 화소의 화소전극을 미세메탈 마스크의 각 도트를 대응시켜 유기발광층을 증착시키는 방법 대신에 본 발명에서는 각 화소의 화소전극이 2개의 서브 화소전극 패턴으로 분할 형성되므로, 각 서브 화소전극 패턴을 미세 메탈 마스크의 각 도트에 대응시켜 유기발광층을 증착시켜준다. 그러므로, 미세 메탈 마스크의 임의 하나의 도트에 이물질등이 부착되어 임의 화소의 유기발광층에 패턴불량이 발생되는 경우, 종래에는 하나의 화소가 암점으로 되거나 휘도저하를 초래하였다. Instead of the conventional method of depositing an organic light emitting layer by matching pixel electrodes of respective pixels to each dot of a fine metal mask, in the present invention, since the pixel electrodes of each pixel are formed into two sub-pixel electrode patterns, each sub-pixel electrode pattern The organic light emitting layer is deposited by corresponding to each dot of the fine metal mask. Therefore, when a foreign material or the like is attached to any one dot of the fine metal mask to cause a pattern defect in the organic light emitting layer of any pixel, conventionally, one pixel becomes a dark spot or a luminance decrease.

하지만, 본 발명에서는 하나의 화소가 2개의 서브 화소전극 패턴을 구비하고, 각각의 서브 화소전극 패턴에 대하여 미세 메탈 마스크의 도트를 각각 대응시켜 유기발광층을 증착하므로써, 서브 화소전극 패턴중 하나에 유기발광층의 패턴불량이 발생하더라도 나머지 하나의 서브 화소전극 패턴상에 증착되는 유기발광층이 정상적인 패턴형태를 가지므로, 화소의 암점발생 또는 휘도저하를 방지할 수 있게 된다. 또한 본 발명에서는, 게이트 라인을 사이에 두고 서로 인접한 서브 화소영역을 하나의 화소영역으로 배열하는 방식을 채택하므로써 광이 발광되는 면적은 동일하지만 게이트라인을 사이에 두고 발광영역이 존재하게 되어 사람의 눈으로 인식되는 면적은 증대되어 시감을 향상시키는 효과를 갖을 수 있다.However, in the present invention, one pixel includes two sub pixel electrode patterns, and the organic light emitting layer is deposited by matching the dots of the fine metal mask with respect to each sub pixel electrode pattern. Even if a pattern defect of the light emitting layer occurs, the organic light emitting layer deposited on the other sub-pixel electrode pattern has a normal pattern shape, thereby preventing dark spots or luminance deterioration of the pixel. In addition, in the present invention, by adopting a method of arranging adjacent sub pixel areas into one pixel area with the gate line interposed therebetween, the area where light is emitted is the same, but the light emitting area is present with the gate line interposed therebetween. The area recognized by the eye may be increased to have an effect of improving the sense of vision.

본 발명의 실시예에서는 게이트라인을 사이에 두고 서브 화소영역이 인접하도록 화소영역을 분할하고, 게이트 라인을 사이에 두고 인접한 서브 화소영역에 배열되는 서브 화소전극 패턴을 하나의 화소로 구성하여 불량 및 휘도저하를 방지하고자 하였으나, 도 2a 및 도 2b에서 게이트라인, 데이타라인 및 전원라인의 배열상태를 변경하여, 즉, 게이트라인 및 전원라인이 나란하게 배열되고 데이타라인이 상기 게이트라인 및 전원라인과 교차하도록 배열하거나 또는 게이트라인 및 데이타라인을 나란하게 배열하고 전원라인을 상기 게이트라인 및 데이타라인과 나란하게 배열하므로써, 데이타 라인 또는 전원라인을 사이에 두고 서브화소영역이 인접하도록 화소영역을 분할하고, 데이타 라인 또는 전원라인을 사이에 두고 서로 인접한 서브 화소영역에 배열되는 서브 화소전극 패턴을 하나의 화소로 구성할 수도 있다.In the exemplary embodiment of the present invention, the pixel region is divided so that the sub pixel regions are adjacent to each other with the gate line interposed therebetween, and the sub pixel electrode pattern arranged in the adjacent sub pixel region with the gate line therebetween is configured as one pixel. In order to prevent a decrease in luminance, the arrangement of the gate lines, the data lines, and the power lines is changed in FIGS. 2A and 2B, that is, the gate lines and the power lines are arranged side by side, and the data lines are aligned with the gate lines and the power lines. By arranging to intersect or arranging gate lines and data lines side by side and arranging power lines side by side with the gate lines and data lines, the pixel region is divided so that the subpixel regions are adjacent with the data lines or power lines interposed therebetween. In the adjacent sub-pixel areas with data lines or power lines The sub-pixel electrode pattern that is open may be formed in a pixel.

또한, 본 발명은 각 화소의 화소전극이 2개의 서브 화소전극 패턴으로 분할구성하는 것을 예시하였으나, 각 화소의 화소전극을 다수개의 서브 화소전극 패턴으로 분할하고 다수의 서브 화소전극 패턴중 일부를 게이트 라인을 사이에 두고 인접한 서브 화소영역에 배열하여 줌으로써, 게이트 라인을 사이에 두고 인접한 서브 화소영역에 배열되는 다수의 서브 화소전극 패턴을 하나의 화소로 구성할 수도 있다. In addition, the present invention illustrates that the pixel electrode of each pixel is divided into two sub pixel electrode patterns, but the pixel electrode of each pixel is divided into a plurality of sub pixel electrode patterns, and a part of the plurality of sub pixel electrode patterns is gated. By arranging the lines in adjacent sub-pixel regions with the lines therebetween, a plurality of sub-pixel electrode patterns arranged in the adjacent sub-pixel regions with the gate lines interposed therebetween may be formed of one pixel.

예를 들어, 도 2a를 참조하면, 게이트라인(212)을 따라 다수개의 서브화소영역(241b)을 나란히 배열하고, 다수개의 서브 화소영역에 다수의 서브 화소전극 패턴을 각각 배열하여 게이트라인을 따라 나란히 배열한다. 또한, 게이트 라인(212)을 따라 서브화소영역(242a)을 나란히 배열하고, 다수개의 서브 화소영역에 다수의 서브 화소전극 패턴을 각각 배열하여 게이트 라인을 따라 나란히 배열한다. 따라서, 게이트 라인을 사이에 두고 나란히 배열하여 다수의 서브 화소전극 패턴을 하나의 화소로 구성한다. 또한, 게이트라인을 따라 나란히 배열하지 않고 데이터라인을 따라 나란히 배열하거나 또는 매트릭스형태로 배열하여 하나의 화소를 구성할 수도 있다.For example, referring to FIG. 2A, a plurality of subpixel regions 241b are arranged side by side along the gate line 212, and a plurality of subpixel electrode patterns are arranged in the plurality of subpixel regions, respectively, along the gate line. Arrange them side by side. In addition, the subpixel regions 242a are arranged side by side along the gate line 212, and a plurality of subpixel electrode patterns are arranged in the plurality of subpixel regions, respectively, and are arranged side by side along the gate line. Accordingly, the plurality of sub pixel electrode patterns are formed as one pixel by arranging the gate lines side by side. In addition, one pixel may be configured by arranging the data lines side by side or in a matrix form without arranging the gate lines side by side.

또한, 본 발명은 화소전극을 분할하여 분할된 화소전극을 동일한 구동수단으로 구동하는 유기전계 발광표시장치에 대하여 예시하였으나, 화소전극을 박막 트랜지스터 등을 이용하여 구동하는 액티브 매트릭스 액정표시장치와 같은 평판표시장치에도 적용가능하다.In addition, the present invention exemplifies an organic light emitting display device in which a pixel electrode is divided to drive the divided pixel electrodes by the same driving means, but a flat panel such as an active matrix liquid crystal display device which drives the pixel electrode using a thin film transistor or the like. It is also applicable to a display device.

상기한 바와같은 본 발명의 실시예에 따르면, 각 화소전극을 다수의 전극패턴으로 분할하고, 게이트 라인을 사이에 두고 서로 인접한 서브 화소영역에 배열하여 하나의 화소로 구성하므로써, 발광층의 증착불량에 의한 암점불량 및 휘도저하를 방지할 수 있으며, 이에 따라 휘도 및 시감을 향상시킬 수 있는 이점이 있다. According to the embodiment of the present invention as described above, by dividing each pixel electrode into a plurality of electrode patterns, and arranged in a sub-pixel region adjacent to each other with a gate line therebetween, so as to constitute a single pixel, It is possible to prevent dark spot defects and luminance decrease due to this, and thus there is an advantage of improving luminance and visibility.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the above has been described with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will be able to variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below. It will be appreciated.

Claims (15)

기판과;A substrate; 기판상에 배열된 다수의 게이트라인, 데이터라인 및 전원라인과;A plurality of gate lines, data lines and power lines arranged on the substrate; 상기 다수의 게이트라인, 데이터라인 및 전원라인에 의해 한정되는 다수의 화소영역과;A plurality of pixel regions defined by the plurality of gate lines, data lines, and power lines; 각 화소영역에 배열되는 다수의 서브 화소전극패턴을 각각 구비하는 다수의 화소전극을 구비하며,A plurality of pixel electrodes each having a plurality of sub pixel electrode patterns arranged in each pixel region; 상기 게이트라인, 데이터라인 및 전원라인중 하나의 라인을 사이에 두고 서로 이웃하는 2개의 화소영역에 각각 배열된 다수의 서브 화소전극패턴중 일부 서브 화소전극패턴을 한 화소의 화소전극으로 구성하는 것을 특징으로 하는 분할된 화소전극을 구비한 평판표시장치.Some sub pixel electrode patterns of a plurality of sub pixel electrode patterns arranged in two adjacent pixel areas with one line among the gate line, the data line and the power line interposed therebetween are configured as pixel electrodes of one pixel. A flat panel display having a divided pixel electrode. 제1항에 있어서, 상기 하나의 라인은 다수의 게이트라인인 것을 특징으로 하는 분할된 화소전극을 구비한 평판표시장치.The flat panel display of claim 1, wherein the one line is a plurality of gate lines. 제1항에 있어서, 상기 한 화소의 화소전극은 하나의 화소영역에 배열된 다수의 서브 화소전극패턴중 게이트에 인접한 서브 화소전극패턴과 다른 화소영역에 배열된 다수의 서브 화소전극패턴중 게이트에 인접한 서브 화소전극패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 분할된 화소전극을 구비한 평판표시장치.The pixel electrode of claim 1, wherein the pixel electrode of one pixel is disposed on a gate of a plurality of sub pixel electrode patterns arranged in a pixel area different from a sub pixel electrode pattern adjacent to a gate of a plurality of sub pixel electrode patterns arranged in one pixel area. A flat panel display device having divided pixel electrodes, wherein the pixel electrodes include adjacent sub pixel electrode patterns. 제3항에 있어서, 상기 하나의 화소전극을 구성하는 하나의 화소영역에 배열된 서브 화소전극패턴과 다른 화소영역에 배열된 서브 화소전극패턴은 상기 게이트 라인과 교차하는 연결패턴에 의해 전기적으로 서로 연결되는 것을 특징으로 하는 분할된 화소전극을 구비한 평판표시장치. The method of claim 3, wherein the sub pixel electrode patterns arranged in one pixel area constituting the one pixel electrode and the sub pixel electrode patterns arranged in another pixel area are electrically connected to each other by a connection pattern crossing the gate line. A flat panel display having a divided pixel electrode, characterized in that connected. 기판과;A substrate; 기판상에 배열된 다수의 게이트라인, 데이터라인 및 전원라인과;A plurality of gate lines, data lines and power lines arranged on the substrate; 상기 다수의 게이트라인, 데이터라인 및 전원라인에 의해 한정되고, 다수의 게이트라인, 데이터라인 및 전원라인중 해당하는 하나의 다수의 라인의 인접하는 2개의 라인중 하나에 인접하여 배열되는 적어도 하나이상의 제1서브 화소영역과, 다른 라인에 인접하여 배열되는 적어도 하나이상의 제2서브 화소영역을 각각 구비하 는 다수의 화소영역과;At least one defined by the plurality of gate lines, data lines, and power lines, and arranged adjacent to one of two adjacent lines of a corresponding one of the plurality of gate lines, data lines, and power lines A plurality of pixel regions each having a first sub pixel region and at least one second sub pixel region arranged adjacent to another line; 상기 적어도 하나이상의 제1서브 화소영역에 배열되는 적어도 하나이상의 제1서브 화소전극패턴과, 상기 적어도 하나이상의 제2서브 화소영역에 배열되는 적어도 하나이상의 제2서브 화소전극패턴을 각각 구비하는 다수의 화소전극을 구비하며,A plurality of at least one first sub pixel electrode pattern arranged in the at least one first sub pixel area and at least one second sub pixel electrode pattern arranged in the at least one second sub pixel area A pixel electrode, 다수의 화소영역중 이웃하는 2개의 화소영역이 상기 하나의 다수의 라인중 하나의 라인 양측에 각각 배열되고, Two neighboring pixel regions of the plurality of pixel regions are arranged on both sides of one line of the plurality of lines, respectively, 이웃하는 2개의 화소영역중 상기 하나의 라인의 일측에 배열된 화소영역의 제2서브 화소전극패턴과 상기 하나의 라인의 타측에 배열된 화소영역의 제1서브 화소전극패턴이 하나의 화소를 구성하는 것을 특징으로 하는 분할된 화소전극을 구비한 평판표시장치.The second sub pixel electrode pattern of the pixel region arranged on one side of the one line among the two neighboring pixel regions and the first sub pixel electrode pattern of the pixel region arranged on the other side of the one line constitute one pixel. A flat panel display having a divided pixel electrode. 제5항에 있어서, 상기 다수의 게이트라인, 데이터라인 및 전원라인중 상기 하나의 다수의 라인은 다수의 게이트라인인 것을 특징으로 하는 분할된 화소전극을 구비한 평판표시장치.The flat panel display of claim 5, wherein the one of the plurality of gate lines, the data lines, and the power lines is a plurality of gate lines. 제3항에 있어서, 하나의 화소를 구성하는, 상기 게이트라인의 일측에 배열된 화소영역의 제2서브 화소전극패턴과 게이트 라인의 타측에 배열된 화소영역의 제1서브 화소전극패턴은 게이트라인과 교차하는 연결패턴에 의해 서로 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 분할된 화소전극을 구비한 평판표시장치.The gate line of claim 3, wherein the second sub pixel electrode pattern of the pixel region arranged on one side of the gate line and the first sub pixel electrode pattern of the pixel region arranged on the other side of the gate line constituting one pixel are formed in the gate line. A flat panel display device having a divided pixel electrode, wherein the pixel electrodes are electrically connected to each other by a connection pattern intersecting with each other. 기판과;A substrate; 기판상에 배열된 다수의 게이트라인, 데이터라인 및 전원라인과;A plurality of gate lines, data lines and power lines arranged on the substrate; 상기 다수의 게이트라인, 데이터라인 및 전원라인에 의해 한정되고, 다수의 게이트라인중 이웃하는 2개의 게이트라인중 하나의 게이트라인에 인접하여 배열되는 적어도 하나이상의 제1서브 화소영역과, 다른 게이트라인에 인접하여 배열되는 적어도 하나이상의 제2서브 화소영역을 각각 구비하는 다수의 화소영역과;At least one first sub pixel region defined by the plurality of gate lines, data lines, and power lines, and arranged adjacent to one gate line of two neighboring gate lines among the plurality of gate lines, and another gate line; A plurality of pixel regions each having at least one second sub pixel region arranged adjacent to the plurality of pixel regions; 상기 적어도 하나이상의 제1서브 화소영역에 배열되는 적어도 하나이상의 제1서브 화소전극패턴과, 상기 적어도 하나이상의 제2서브 화소영역에 배열되는 적어도 하나이상의 제2서브 화소전극패턴을 각각 구비하는 다수의 화소전극과;A plurality of at least one first sub pixel electrode pattern arranged in the at least one first sub pixel area and at least one second sub pixel electrode pattern arranged in the at least one second sub pixel area A pixel electrode; 상기 다수의 화소전극을 각각 구동하기 위한 다수의 구동수단을 구비하며,A plurality of driving means for driving each of the plurality of pixel electrodes, 다수의 화소영역중 이웃하는 2개의 화소영역이 상기 다수의 라인중 하나의 게이트 라인 양측에 각각 배열되고, Two neighboring pixel regions of the plurality of pixel regions are respectively arranged on both sides of one gate line of the plurality of lines, 이웃하는 2개의 화소영역중 상기 하나의 게이트 라인의 일측에 배열된 화소영역의 제2서브 화소전극패턴과 상기 하나의 게이트 라인의 타측에 배열된 화소영역의 제1서브 화소전극패턴이 하나의 화소를 구성하며, One pixel includes a second sub pixel electrode pattern of a pixel region arranged on one side of the gate line among two neighboring pixel regions and a first sub pixel electrode pattern of a pixel region arranged on the other side of the one gate line. Constitute 상기 하나의 화소를 구성하는 제1서브 화소전극패턴과 제2서브 화소전극패턴은 상기 다수의 구동수단중 해당하는 하나의 구동수단에 의해 동시에 구동되는 것을 특징으로 하는 분할된 화소전극을 구비한 평판표시장치.The first sub pixel electrode pattern and the second sub pixel electrode pattern constituting the one pixel are simultaneously driven by a corresponding one of the plurality of driving means. Display. 제8항에 있어서, 하나의 화소를 구성하는 게이트라인의 일측에 배열된 화소영역의 제2서브 화소전극패턴과 게이트 라인의 타측에 배열된 화소영역의 제1서브 화소전극패턴은 게이트라인과 교차하는 연결패턴에 의해 서로 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 분할된 화소전극을 구비한 평판표시장치.10. The method of claim 8, wherein the second sub pixel electrode pattern of the pixel region arranged on one side of the gate line constituting one pixel and the first sub pixel electrode pattern of the pixel region arranged on the other side of the gate line intersect with the gate line. A flat panel display device having a divided pixel electrode, which is electrically connected to each other by a connection pattern. 제9항에 있어서, 상기 다수의 구동수단중 해당하는 하나의 구동수단은 하나의 화소를 구성하는 게이트라인의 일측에 배열된 화소영역의 제2서브 화소전극패턴과 게이트 라인의 타측에 배열된 화소영역의 제1서브 화소전극패턴중 하나에 연결되는 것을 특징으로 하는 분할된 화소전극을 구비한 평판표시장치.10. The pixel of claim 9, wherein one of the plurality of driving means corresponds to a second sub pixel electrode pattern of a pixel region arranged on one side of a gate line constituting one pixel and a pixel arranged on the other side of the gate line. A flat panel display device having a divided pixel electrode, which is connected to one of the first sub pixel electrode patterns of a region. 제8항에 있어서, 상기 각 화소는 The method of claim 8, wherein each pixel is 상기 제1서브 화소전극패턴과 제2서브 화소전극패턴을 포함하는 하부전극과;A lower electrode including the first sub pixel electrode pattern and the second sub pixel electrode pattern; 상기 하부전극상에 형성된 유기막층과;An organic layer formed on the lower electrode; 기판상에 형성된 캐소드전극인 상부전극을 포함하는 유기발광소자를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 분할된 화소전극을 구비한 평판표시장치.A flat panel display having divided pixel electrodes, further comprising an organic light emitting device including an upper electrode which is a cathode electrode formed on a substrate. 제11항에 있어서, 상기 구동수단은 적어도12. The apparatus of claim 11, wherein the drive means is at least 상기 게이트라인에 제공되는 신호에 따라 상기 데이터라인으로부터 제공되는 데이터신호를 스위칭하기 위한 스위칭 박막 트랜지스터와;A switching thin film transistor for switching a data signal provided from the data line according to the signal provided to the gate line; 상기 데이터신호를 저장하기 위한 캐패시터와;A capacitor for storing the data signal; 상기 데이터신호에 상응하여 상기 유기전계 발광소자를 구동하기 위한 구동 박막 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 분할된 화소전극을 구비한 평판표시장치.And a driving thin film transistor for driving the organic light emitting diode according to the data signal. 기판상에 배열된 다수의 게이트라인, 데이터라인 및 전원라인과;A plurality of gate lines, data lines and power lines arranged on the substrate; 상기 다수의 게이트라인, 데이터라인 및 전원라인에 의해 한정되고, 각각 제1 및 제2서브화소영역으로 분할되는 다수의 화소영역과;A plurality of pixel regions defined by the plurality of gate lines, data lines, and power lines, each divided into first and second subpixel regions; 제1 및 제2서브 화소영역에 각각 배열되는 제1 및 제2서브 화소전극패턴을 각각 구비하며, 게이트라인을 사이에 두고 이웃하는 2개의 화소영역중 하나의 화소영역의 제2서브 화소영역에 배열된 제2서브 화소전극패턴과 다른 화소영역의 제1서브 화소영역에 배열된 제1서브 화소전극패턴이 하나의 화소로 구성되는 다수의 화소전극과;First and second subpixel electrode patterns respectively arranged in the first and second subpixel regions, respectively, and having a gate line therebetween, in a second subpixel region of one pixel region of two adjacent pixel regions. A plurality of pixel electrodes in which the first sub pixel electrode pattern arranged in the first sub pixel area of the pixel area different from the arranged second sub pixel electrode pattern is composed of one pixel; 각각 상기 제1서브 화소전극패턴에 연결되는 박막 트랜지스터를 구비하고, 상기 다수의 화소전극을 각각 구동하기 위한 다수의 구동수단을 포함하며, A thin film transistor connected to the first sub pixel electrode pattern, and a plurality of driving means for driving the plurality of pixel electrodes, respectively; 각 화소는 Each pixel 제1서브화소영역에 대응하는 기판상에 형성된 게이트 및 소오스/드레인 전극을 구비한 박막 트랜지스터와;A thin film transistor having a gate and a source / drain electrode formed on a substrate corresponding to the first sub-pixel region; 상기 제1서브화소영역에 대응하는 제1절연막상에 형성되어, 상기 소오스/드레인 전극중 하나의 전극에 연결되는 제1서브화소전극패턴과;A first subpixel electrode pattern formed on a first insulating layer corresponding to the first subpixel region and connected to one electrode of the source / drain electrodes; 상기 제2서브 화소영역에 대응하는 제1절연막상에 형성되는 제2서브 화소전 극패턴과;A second sub pixel electrode pattern formed on the first insulating layer corresponding to the second sub pixel area; 상기 제1서브 화소전극패턴의 일부분을 노출시키는 제1개구부와 상기 제2서브화소전극패턴의 일부분을 노출시키는 제2개구부를 구비하는 제2절연막과;A second insulating film having a first opening exposing a portion of the first sub pixel electrode pattern and a second opening exposing a portion of the second sub pixel electrode pattern; 상기 제1개구부내의 제1서브 화소전극패턴상에 형성된 제1유기막층 및 상기 제2개구부내의 제2서브화소전극패턴상에 형성된 제2유기막층과;A first organic film layer formed on the first sub pixel electrode pattern in the first opening and a second organic film layer formed on the second subpixel electrode pattern in the second opening; 기판상에 형성된 상부전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 분할된 화소전극을 구비한 평판표시장치.A flat panel display device having a divided pixel electrode, wherein the upper electrode is formed on a substrate. 제13항에 있어서, 하나의 화소영역에 배열되어 서로 다른 화소를 구성하는 제1 및 제2서브 화소전극패턴상에 형성된 제1유기막층 및 제2유기막층은 측벽형태의 제2절연막에 의해 서로 분리되는 것을 특징으로 하는 분할된 화소전극을 구비한 평판표시장치.The first organic film layer and the second organic film layer formed on the first and second sub pixel electrode patterns arranged in one pixel area to form different pixels are separated from each other by a second insulating film having sidewalls. A flat panel display having a divided pixel electrode, characterized in that the separation. 제13항에 있어서, 상기 게이트라인은 하나의 화소영역의 제2서브 화소영역과 다른 화소영역의 제1서브 화소영역사이의 기판상에 배열되고,The method of claim 13, wherein the gate line is arranged on a substrate between the second sub pixel region of one pixel region and the first sub pixel region of another pixel region, 상기 하나의 화소를 구비하는 서로 다른 화소영역에 배열된 제1 및 제2서브 화소전극패턴은 게이트라인과 교차하는 연결패턴에 의해 전기적으로 연결되며, The first and second sub pixel electrode patterns arranged in different pixel areas including the one pixel are electrically connected to each other by a connection pattern crossing the gate line. 상기 연결패턴은 상기 제1 및 제2서브 화소전극패턴과 동일한 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 분할된 화소전극을 구비한 평판표시장치.And the connection pattern includes the same material as the first and second sub pixel electrode patterns.
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