KR20120036535A - 엔아이제트엔씨유 페라이트 조성물, 이의 제조방법, 및 이를 이용한 적층형 칩 부품 - Google Patents

엔아이제트엔씨유 페라이트 조성물, 이의 제조방법, 및 이를 이용한 적층형 칩 부품

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KR20120036535A
KR20120036535A KR1020100098274A KR20100098274A KR20120036535A KR 20120036535 A KR20120036535 A KR 20120036535A KR 1020100098274 A KR1020100098274 A KR 1020100098274A KR 20100098274 A KR20100098274 A KR 20100098274A KR 20120036535 A KR20120036535 A KR 20120036535A
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안성용
한진우
김정욱
김성룡
손수환
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Abstract

본 발명은 NiZnCu 페라이트 조성물에서, Ni, Zn, Cu, Fe 중에서 선택되는 2종 이상의 금속 산화물을 다른 금속 염으로 포함하는 페라이트 조성물과 이의 제조방법, 및 이로부터 제조된 적층형 칩 부품에 관한 것이다.
본 발명의 실시예에 따르면, 페라이트 조성물을 구성하는 2종 이상의 금속을 산화물 대신 다른 금속 염을 사용함으로써 제조된 페라이트 입자의 크기를 작게 만들 수 있고, 페라이트 입도가 균일하도록 제조할 수 있다. 따라서, 이러한 페라이트 조성물을 이용하는 경우 페라이트 조성물의 소성 온도를 낮출 수 있으며, 이로부터 제조된 칩 부품의 경우 투자율, 품질계수 Q값, 및 밀도 값을 증가시킬 수 있다.

Description

엔아이제트엔씨유 페라이트 조성물, 이의 제조방법, 및 이를 이용한 적층형 칩 부품{NiZnCu ferrite composition, method of preparing the same, and multi layered chip materials comprising the same}
본 발명은 NiZnCu 페라이트 조성물, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 적층형 칩 부품에 관한 것으로, 상세하게는 입자 크기가 작고 소성 온도를 낮출 수 있는 페라이트 조성물과 이의 제조방법 및 이를 이용한 적층형 칩 부품에 관한 것이다.
근래　휴대전화를 비롯한 이동통신 시장의 발달에 힘입어 전자회로기판이나　적층 세라믹 전자부품의 재료로서 자성 세라믹 재료의 수요가 증대하고 있다.　내부배선 회로로서 저융점 고전도도 재료인　Ag 및 Cu 등을 사용하면서 자성세라믹 재료에서도 저온 소성이 가능한 제품이 요구되고 있다.
일반적으로 적층형 칩 인덕터, 적층형 칩 비드, 파워 인덕터 등과 같은 자성세라믹 부품의 자성체 재료로 니켈-아연 페라이트, 니켈-아연-동 페라이트 등이 주로 사용되고 있다. 니켈-아연 페라이트에 소결성을 좀 더 증가시키고자 동(Cu)을 첨가하여 니켈-아연-동 페라이트로 주로 제조하고 있다.
니켈, 아연, 동 및 산화철의 함량에 따라 소결성　및 전기적 특성이　달라지기 때문에, 상기 금속의 함량을 변화시켜 NiZnCu Ferrite의 특성을 향상시키고 있다.
일반적으로, NiZnCu ferrite는 산화물 원료인 NiO, ZnO, CuO 및 Fe2O3　를 이용하여 제조하고 있는데, 그 제조 방법은 다음 도 1에 나타낸 바와 같으며, 이를 참조하여 설명하면 다음과 같다.
건식 혹은 습식법으로 출발원료(재료)를 혼합하며, 습식법으로 혼합하는 경우에는 일반적으로 증류수를 이용한다. 재료 혼합이 끝나면 건조를 하고 건조된 분말을 해쇄(Disintegration)시킨다. 상기 해쇄된 분말을 하소를 진행하게 되는데, 이때 스피넬 구조의 페라이트 상이 합성되어 상합성(Congruity)을 가지도록 700~800℃ 정도의 온도에서 하소를 진행하게 된다. 하소 공정 후 밀링을 통하여 원하는 입자 크기로 그 크기를 줄여 주는데 이때도 역시 습식법을 많이 이용한다. 밀링이 끝난 후 건조 과정을 거쳐서 분말을 얻고 이 분말을 해쇄하면 페라이트 분말이 완성되며 이 분말을 이용하여 적층형 칩 부품을 제조하게 된다.
상기와 같은 단계를 거쳐 제조된 페라이트 분말을 이용하여 적층형 칩 소자를 만드는데 적층형 칩 인덕터, 적층형 칩 비드 및 파워 인덕터는 모두 현재 내부전극으로 Ag를 사용하고 있으며 Ag의 녹는점이 961℃이므로 칩을 구현하기 위해서는 961℃ 이하에서 소성이 되는 페라이트 조성이 필요하게 된다.
소성온도를 900℃라고 했을 때 이때의 소결 밀도는 최소 약 4.8 g/㎤ 이상이 되면 좋다. 품질계수 Q값은 크면 클수록 좋은데 이것은 Q값이 크면 손실이 적음을 의미하기 때문이다.
상기 페라이트 조성물의 제조시 사용되는 출발원료(원재료)는 NiO, ZnO, CuO 및 Fe2O3　로서, 일반적으로 상기 페라이트 조성을 구성하는 각 금속의 산화물(oxide)을 주원료로 사용하고 있다.
그러나, 상기와 같이 출발물질로서 각 금속의 산화물을 사용하는 경우, 상기 출발원료인NiO, ZnO, CuO, Fe2O3의 입경은 수 ㎛로서, 입경이 매우 크기 때문에 분쇄의 어려움이 있다. 일반적으로 출발원료의 입경이 작을수록 가격이 비싸다.
상기와 같이 출발 원료의 입경이 크면 합성되는 최종 페라이트 분말의 입경도 비교적 큰데, 이 경우 동일 조성이라도 최종 분말의 입경이 크게 되면 투자율, 밀도, 수축율 등이 증가되지 못하는 문제가 있다. 따라서, 상기와 같은 다양한 칩 소자의 부품으로 사용되기 위해서는 최종 페라이트 입자의 크기를 줄이고 페라이트 입도가 균일하도록 제조하는 것이 필요하다.
본 발명에서는 상기와 같은 종래 기술의 문제들을 해결하기 위한 것으로서, 최종 제조되는 페라이트 분말의 크기를 줄여 투자율, 밀도, 수축율 등이 우수하여 적층형 칩 부품 제조시 Q 특성을 향상시키고 좀 더 낮은 온도에서 소성이 가능한 페라이트 조성물을 제공하는 데 그 목적이 있다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 상기와 같은 페라이트 조성물의 제조방법을 제공하는 데 있다.
또한, 본 발명의 추가의 다른 목적은 상기 페라이트 조성물로부터 제조된 적층형 칩 부품을 제공하는 데 있다.
상기와 같은 과제를 해결하기 위한 본 발명의 페라이트 조성물은 NiZnCu 페라이트 조성물에서, Ni, Zn, Cu, Fe 중에서 선택되는 2종 이상의 금속 산화물을 다른 금속 염으로 포함하는 것일 수 있다.
상기 금속 염은 수산화물(hydroxide), 질화물(nitrate), 아세테이트(acetate), 알콕사이드(alkoxide), 및 염화물(chloride), 및 탄산화물(carbonate)로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상일 수 있다.
상기 페라이트 조성물은 산화물로 환산한 각 함량이 Fe2O3 48.0~52.0몰%, NiO 15.0~25.0몰%, ZnO 15.0~30.0몰%, 및 CuO 3.0~13.0몰%로 포함될 수 있다.
상기 페라이트 조성물을 구성하는 분말의 중량 대비 수계 분산제를 5중량부 이내로 포함할 수 있다.
상기 페라이트 조성물을 구성하는 분말의 중량 대비 겔레이션 방지제를 5 중량부 이내로 포함할 수 있다.
상기 겔레이션 방지제는 헥실렌글리콜 및 트리에탄올아민 중에서 선택된 1종일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
또한, 상기 페라이트 조성물로부터 제조된 페라이트 분말의 입자 크기는 0.3 ~ 1.0 ㎛로서 입경이 작고, 그 분포가 균일하다.
또한, 상기 페라이트 조성물은 920℃ 이하의 온도에서 저온 소결되는 것일 수 있다.
또한, 상기 다른 과제를 해결하기 위하여 출발물질로서 Ni, Zn, Cu, Fe 중에서 선택되는 2종 이상의 금속 산화물을 다른 금속 염으로 사용하여 혼합하는 공정을 포함하는 NiZnCu 페라이트의 제조방법을 제공한다.
상기 금속 염은 수산화물, 질화물, 아세테이트, 알콕사이드, 및 클로라이드로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상일 수 있다.
상기 출발물질의 혼합시, 분산제와 겔레이션 방지제를 첨가할 수 있다.
상기 다른 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은 상기 페라이트 조성물을 이용한 적층형 칩 비드 재료(칩 인덕터 등)를 제공할 수 있다.
상기 추가의 다른 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은 상기 페라이트 조성물을 이용한 토로이달 코어(toroidal core)를 제공할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 페라이트 조성물을 구성하는 2종 이상의 금속을 산화물 대신 다른 금속 염을 사용함으로써 제조된 페라이트 입자의 크기를 작게 만들 수 있고, 페라이트 입도가 균일하도록 제조할 수 있다.
따라서, 이러한 페라이트 조성물을 이용하는 경우 페라이트 조성물의 소성 온도를 낮출 수 있으며, 이로부터 제조된 칩 부품의 경우 투자율, 품질계수 Q값, 및 밀도 값을 증가시킬 수 있다.
따라서, 본 발명에 따른 페라이트 조성물은 다양한 적층형 칩 비드 제품에 응용할 수 있다.
도 1은 통상의 페라이트 조성물의 제조과정을 나타낸 것이다.
도 2는 본 발명에 따른 페라이트 조성물의 제조과정을 나타낸 것이다.
이하에서 본 발명을 더욱 상세하게 설명하면 다음과 같다.
본 명세서에서 사용된 용어는 특정 실시예를 설명하기 위하여 사용되며, 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 단수 형태는 문맥상 다른 경우를 분명히 지적하는 것이 아니라면, 복수의 형태를 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 경우 "포함한다(comprise)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급한 형상들, 숫자, 단계, 동작, 부재, 요소 및/또는 이들 그룹의 존재를 특정하는 것이며, 하나 이상의 다른 형상, 숫자, 동작, 부재, 요소 및/또는 그룹들의 존재 또는 부가를 배제하는 것이 아니다.
본 발명의 명세서 전반에서 사용되는 '분쇄' 라는 용어는 결정?광물 등의 덩어리를 부수어 미세하게 하는 것을 의미한다.
또한, 본 발명의 명세서 전반에서 사용되는 '해쇄' 라는 용어는 화학적 합성법 등에서 소정의 크기의 미세입자를 제조하는 경우 입자끼리 달라붙어 덩어리 상태로 되어 있는 것을 풀어 입자 하나씩 나누는 것을 의미한다.
또한, 본 발명의 명세서 전반에서 사용되는 '분산' 이라는 용어는 분쇄?해쇄된 분말을 액 중에 균일하게 혼합하고 응집 덩어리 등이 없는 상태로 만드는 것을 의미한다.
본 발명에 따른 페라이트 조성물은 NiZnCu로 표시되며, 상기 페라이트 조성물을 구성하는 Ni, Zn, Cu, Fe 중에서 선택되는 2종 이상의 금속 산화물을 다른 금속 염으로 포함하는 것을 특징으로 한다.
즉, 종래에는 페라이트 조성물 제조시 모든 출발물질을 상기 금속의 산화물을 사용하였다. 그러나, 본 발명에서는 상기 금속 중 2종 이상을 산화물이 아닌 다른 금속 염으로 대체하여 페라이트 조성물을 제조하였다. 나머지 금속은 산화물을 사용해도 무방하다.
상기 산화물로 대체되는 다른 금속 염으로는 수산화물(hydroxide), 질화물(nitrate), 아세테이트(acetate), 알콕사이드(alkoxide), 및 염화물(chloride), 및 탄산화물(carbonate)로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상인 것일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
따라서, 본 발명에 따른 페라이트 조성물은 산화물 형태로 환산한 각 조성비는 Fe2O3 48.0~52 몰%, NiO 15.0~25.0 몰%, ZnO 15.0~30.0 몰%, CuO 3.0~13.0 몰%로 포함될 수 있다.
상기 각 함량이 상기 범위를 벗어나는 경우 920℃ 이하에서 소결이 되지 않아서 밀도 값 및 수축율이 작아 칩 인덕터에 적용을 못할 수 있고 또한 투자율이 50 이하 이거나 혹은 500 이상으로 너무 커 원하는 주파수 특성을 만족할 수 없는 문제가 있을 수 있어 바람직하지 못하다.
본 발명에서 출발물질로서 2종 이상의 금속 염을 산화물이 아닌 다른 금속 염으로 사용함으로써, 최종 페라이트 조성물의 제조 과정에서 산화물을 형성할 수 있다. 예를 들어, 다음과 같이 각 금속의 수산화물을 이용하는 경우, 다음 반응식 1과 같이 산화물이 형성될 수 있다.
반응식 1
2FeO(OH) --> Fe2O3 + H2O
Ni(OH)2 　--> NiO + H2O
Zn(OH)2 　--> ZnO + H2O
Cu(OH)2 　--> CuO + H2O
상기와 같이 출발물질로서 2종 이상의 수산화물을 사용하게 되면 최종 제조된 NiZnCu 페라이트 분말은 그 입자 크기가 전체 출발 원료를 산화물만을 사용한 것 보다 훨씬 작게 형성되며. 동일한 조성에서 투자율, 밀도, 수축율 등이 증가되는 효과를 얻을 수 있다.
또한 입자가 작고 특성이 우수함으로 낮은 온도에서 소성이 가능하고, 낮은 온도에서 소성이 가능한 NiZnCu 페라이트를 이용하여 적층형 칩 부품을 제조하면 균일한 입자 사이즈를 가지므로 칩 파워 인덕터의 DC-bias 특성을 증가시키거나 품질계수 Q값을 증대시킬 수 있다.
물론 상기 반응식 1은 수산화물을 이용한 일례만 나타낸 것이지만, 다른 금속 염으로 사용해도 그 결과는 마찬가지이다.
예를 들어, Fe의 출발원료로 Iron nitrate, Iron acetate, Iron hydroxide, Iron carbonate, Iron alkoxide 중에서 선택된 1종을 사용할 수 도 있고, Ni의 경우 Nickel nitrate, Nickel acetate, Nickel hydroxide, Nickel carbonate, Nickel alkoxide 중에서 선택된 1종, Zn의 경우 Zinc nitrate, Zinc acetate, Zinc hydroxide, Zinc carbonate, Zinc alkoxide 중에서 선택된 1종, Cu의 경우 Copper nitrate, Copper acetate, Copper hydroxide, Copper carbonate, Copper alkoxide 중에서 선택된 1종을 선택하여 이 중에서 선택된 2종 이상의 출발원료를 사용해도 종래보다 입자 크기가 작은 NiZnCu 페라이트 분말을 제조할 수 있다.
상기와 같은 본 발명의 NiZnCu 페라이트 분말의 제조방법을 다음 도 2를 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 발명에서는 2종 이상의 금속의 염을 산화물 대신 다른 금속 염을 선택하고, 나머지 2종의 금속 산화물을 선택하여 원재료를 혼합한다. 이때 출발원료간 분산이 잘 되도록 분산제를 상기 페라이트 조성물을 구성하는 금속의 파우더 중량 대비 5중량부 이내로 첨가하는 것이 좋다. 분산제가 너무 많이 들어가게 되면 입자가 작게 부서지기 힘들게 되므로 상기 함량으로 적절한 양을 넣어주는 것이 바람직하다. 사용되는 분산제는 통상의 페라이트 조성물에 포함되는 수계분산제로서, 특별히 한정되지 않는다.
또한, 습식 밀링 중 겔레이션이 진행되어 점도가 상승하게 되고 진흙처럼 점도가 매우 커질 수 있다. 따라서, 본 발명에서는 분산제와 더불어 겔레이션 방지제를 넣어 주는 것을 특징으로 하는데 겔레이션 방지제는 헥실렌글리콜 및 트리에탄올아민 중에서 선택된 1종을 이용하는 것이 바람직하나, 이에 한정되는 것은 아니다. 겔레이션 방지제는 상기 페라이트 조성물을 구성하는 금속의 파우더 중량 대비 5 중량부 이내로 첨가하는 것이 바람직하다.
또한, 추가적으로 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위 내에서 소량의 소포제(예를 들어, 알코올)를 포함하는 기타첨가제를 포함할 수 있음은 물론이다.
상기 출발원료를 혼합한 후, 혼합이 끝나면 건조를 진행하고 건조 후 해쇄 한 후 가소를 진행한다. 가소는 700~800℃ 사이의 온도에서 스피넬 페라이트 상이 합성 되는 온도로 설정한다. 하소 후 밀링 과정을 거치고 건조, 해쇄하여 페라이트 분말을 얻는다.
본 발명에 따른 페라이트 분말은 공지된 고상법, 액상법에 의해 제조될 수 있으며, 그 제조방법에 특별히 한정되지는 않는다.
한편, 본 발명은 상기 페라이트 조성물을 이용하여 850~920℃, 바람직하기로는 880~920℃ 사이의 온도에서 소결시켜 적층형 칩 비드 재료, 칩 인덕터 및 토로이달 코어를 제공할 수 있다.
본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려, 이들 실시예는 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다.
　
실시예 1
NiZnCu ferrite를 합성하기 위한 출발원료로서, FeO(OH), Ni(OH)2, ZnO, 및 CuO를 선정하였다. 상기 출발원료간 분산이 잘 되도록 수계 분산제를 파우더 대비 5중량부 첨가하였다. 또한, 겔레이션 방지제로서 헥실렌글리콜을 5 중량부로 첨가하였다. 상기 각 구성성분의 몰%는 산화물로 환산한 각 함량이 Fe2O3 49몰%, NiO 20몰%, ZnO 21몰%, 및 CuO 10몰%로 하였으며, 이들 함량비는 이하의 실시예에서 모두 동일하다.
출발원료를 저울에서 칭량한 후 증류수와 증류수 대비 10 중량부 이내의 약간의 알코올을 첨가하고 혼합하였다. 혼합이 끝나면 건조를 진행하고 건조 후 해쇄한 후 700~800℃ 사이의 온도에서 스피넬 페라이트 상이 합성되는 온도에서 소성시켰다. 하소 후 밀링 과정을 거치고 건조, 해쇄하여 페라이트 분말을 얻었다.
얻어진 페라이트 분말의 평균 입경 크기는 0.48 ㎛였다.
실시예2
Fe, Ni, Zn, Cu 중에서 Zn와 Cu의 2종 수산화물과, Fe2O3, NiO 산화물을 출발원료로 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실시예1과 같이 합성하여 NiZnCu 페라이트 분말을 얻었다. 얻어진 페라이트 분말의 평균 입경 크기는 0.72 ㎛였다.
실시예3
Fe, Ni, Zn, Cu 중에서 Ni와 Cu의 2종 수산화물과, Fe2O3, ZnO 산화물을 출발원료로 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실시예1과 같이 합성하여 NiZnCu 페라이트 분말을 얻었다. 얻어진 페라이트 분말의 평균 입경 크기는 0.56 ㎛였다.
　
실시예4
Fe, Ni, Zn, Cu 중에서 Ni와 Zn의 2종 수산화물과, Fe2O3, CuO 산화물을 출발원료로 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실시예1과 같이 합성하여 NiZnCu 페라이트 분말을 얻었다. 얻어진 페라이트 분말의 평균 입경 크기는 0.65 ㎛였다.
　
실시예5
Fe, Ni, Zn, Cu 중에서 Ni와 Zn, 및 Cu의 3종 수산화물과 Fe2O3 산화물을 출발원료로 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실시예1과 같이 합성하여 NiZnCu 페라이트 분말을 얻었다. 얻어진 페라이트 분말의 평균 입경 크기는 0.63 ㎛였다.
　
비교예 1
Fe, Ni, Zn, Cu 모두 그 산화물을 사용하여 페라이트 분말을 제조하였다. Fe2O3 49몰%, ZnO 21몰%, NiO 20몰%, 및 CuO 10몰%을 출발물질로 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 페라이트 분말을 제조하였다. 얻어진 페라이트 분말의 평균 입경 크기는 1.10 ㎛였다.
상기 실시예와 비교예에 따른 페라이트 조성물로부터 최종 제조된 분말의 입자 크기에서 확인할 수 있는 바와 같이, 본 발명 실시예에 따른 페라이트 조성으로부터 입자크기가 작은 페라이트 분말을 제조할 수 있었다.
실험예
상기 실시예에 따른 각 페라이트 분말을 토로이달 코어 형태로 제작한 후 880~920℃에서 소성하고, 투자율과 Q 값, 및 밀도를 측정하고, 그 결과를 다음 표 1에 나타내었다. 측정 주파수는 1 MHz이다. 모든 실시예 및 비교예의 조성은 동일하게 구성하였다.
소성온도(℃) 투자율 Q 밀도(g/cc)
비교예 1 880 103.3 103.1 4.89
900 167.3 115.2 5.16
920 218.5 117.5 5.36
실시예1 880 106.6 108.8 4.98
900 163.8 109.0 5.22
920 238.8 85.9 5.29
실시예2 880 109.5 126.8 4.98
900 159.8 151.6 5.05
920 231.8 157.0 5.18
실시예3 880 122.5 140.5 4.97
900 178.8 155.8 5.04
920 234.5 149.4 5.10
실시예4 880 118.1 127.0 4.99
900 168.7 143.3 5.05
920 241.4 149.5 5.11
실시예5 880 111.3 133.6 4.94
900 161.2 153.1 5.16
920 222.4 158.5 5.28
상기 표 1의 결과에서 확인할 수 있는 바와 같이, 본 발명과 같이 NiZnCu 페라이트 조성물에서 출발물질로서 상기 금속 중 2종 이상을 종래 산화물 대신 다른 금속염으로 대체한 페라이트 조성물로부터 제조된 토로이달 코어의 경우 금속 산화물만을 사용한 비교예에 따른 페라이트 조성물보다 밀도 값이 증가된 것을 알 수 있는데, 이로부터 페라이트 조성물의 소성 온도를 낮출 수 있음이 입증되었다. 또한, 투자율, 품질계수 Q값을 증가시킬 수 있음도 확인되었다. 따라서, 본 발명에 따른 페라이트 조성물은 다양한 칩 비드 제품(칩 인덕터, 토로이달 코어 등)에 응용할 수 있다.

Claims (13)

  1. NiZnCu 페라이트 조성물에서,
    Ni, Zn, Cu, Fe 중에서 선택되는 2종 이상의 금속 산화물을 다른 금속 염으로 포함하는 페라이트 조성물.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 금속 염은 수산화물(hydroxide), 질화물(nitrate), 아세테이트(acetate), 알콕사이드(alkoxide), 및 염화물(chloride), 및 탄산화물(carbonate)로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상인 페라이트 조성물.
  3. 제 1항에 있어서, 산화물로 환산한 각 함량이 Fe2O3 48.0~52.0몰%, NiO 15.0~25.0몰%, ZnO 15.0~30.0몰%, 및 CuO 3.0~13.0몰%로 포함되는 페라이트 조성물.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 페라이트 조성물을 구성하는 분말의 중량 대비 수계 분산제를 5중량부 이내로 포함하는 페라이트 조성물.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 페라이트 조성물을 구성하는 분말의 중량 대비 겔레이션 방지제를 5.0중량부 이내로 포함하는 페라이트 조성물.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 겔레이션 방지제는 헥실렌글리콜 및 트리에탄올아민 중에서 선택된 1종인 페라이트 조성물.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 페라이트 조성물로부터 제조된 페라이트 분말의 평균 입자 크기는 0.3~ 1.0 ㎛인 것인 페라이트 조성물.
  8. 제 1항에 있어서, 상기 페라이트 조성물은 850~920℃ 이하의 온도에서 소결되는 것인 페라이트 조성물.
  9. 출발물질로서 Ni, Zn, Cu, Fe 중에서 선택되는 2종 이상의 금속 산화물을 다른 금속 염으로 사용하여 혼합하는 공정을 포함하는 NiZnCu 페라이트의 제조방법.
  10. 제 8항에 있어서, 상기 금속 염은 수산화물(hydroxide), 질화물(nitrate), 아세테이트(acetate), 알콕사이드(alkoxide), 및 염화물(chloride), 및 탄산화물(carbonate)로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상인 제조방법.
  11. 제 8항에 있어서, 상기 출발물질의 혼합시, 분산제와 겔레이션 방지제를 첨가하는 것인 제조방법.
  12. 제 1항에 따른 페라이트 조성물을 이용한 칩 소자 제품.
  13. 제 1항에 따른 페라이트 조성물을 이용한 토로이달 코어(toroidal core).
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