KR20120035783A - 기판척 및 이를 이용한 기판처리장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 기판척은 중공이 형성된 하우징, 하우징의 중공 내부에 삽입 설치되며 공기가 흡출 가능하도록 흡출홀이 형성된 지지부, 지지부에 설치되어 흡출홀에서 토출되는 공기에 의하여 기판 측으로 팽창되는 다이아프램, 다이아프램이 팽창되는 부분의 주변에 기판을 점착하는 점착부재, 다이아프램의 저면 일부에 설치되어 다이아프램이 팽창됨에 따라 기판을 밀어내는 돌출부를 구비한 기판척과 이 기판척을 이용한 기판처리장치는 기판척에서 분리되는 기판이 정렬된 위치를 유지하며 분리되도록 하여 기판의 합착불량을 방지하는 효과가 있다.

Description

기판척 및 이를 이용한 기판처리장치{Substrate chuck and apparatus for processing substrate using the same}
본 발명은 기판척 및 이를 이용한 기판처리장치에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 기판을 점착부재로 점착하는 기판척과 이 기판척을 이용하여 소정 공정을 수행하는 기판처리장치에 관한 것이다.
기판처리장치에 있어서 기판을 파지하거나 지지하기 위하여 기판척(substrate chuck)이 사용된다. 척(chuck)에는 여러 종류가 있는데, 가장 대표적인 것이 정전척이다. 정전척은 쿨롱힘과 존슨-라벡(Johnsen-Rahbeck) 힘을 이용하여 기판을 점착하는데, 이를 위해 전원을 공급하여야 한다.
정전척은 전원이 필요하고, 또한 제조와 제어가 매우 어렵고, 제조비용이 매우 고가이다. 따라서 이를 대체할 수 있는 척장치로 기판척이 최근 개발되었다. 기판척에 대한 종래기술로는 대한민국 공개특허 "10-2006-0133942", "점착 척 장치"가 있다. 상기 종래기술에서는 점착부재를 이용하여 기판을 점착하고, 기판의 분리를 위한 기구적인 구조물을 개시하고 있다.
이와 같은 종래의 기판척 장치는 기판을 기판척에서 분리할 때, 점착부재와 기판 사이에 작용하는 점착력 보다 강한 물리력을 이용해 기판척에서 기판을 분리한다.
그런데 이 과정에서 점착력에 의한 저항 및 기판과 기판분리장치의 미끌림 등으로 기판이 정렬된 위치에서 어긋나게 분리되는 경우가 발생할 수 있다. 이는 특히 평판 디스플레이 장치의 제조 과정 중 TFT기판과 유리기판을 합착하는 공정에서 두 기판의 정렬이 어긋난 채로 합착됨을 유발해 불량 패널 발생의 원인이 된다.
본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위한 것으로 본 발명의 목적은 기판의 분리가 용이한 기판척과 이 기판척을 이용한 기판처리장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명에 따른 기판척은 중공이 형성된 하우징; 상기 하우징의 상기 중공 내부에 삽입 설치되며 공기가 흡출 가능하도록 흡출홀이 형성된 지지부;,상기 지지부에 설치되어 상기 흡출홀에서 토출되는 공기에 의하여 기판 측으로 팽창되는 다이아프램; 상기 다이아프램이 팽창되는 부분의 주변에 상기 기판을 점착하는 점착부재 및; 상기 다이아프램의 저면 일부에 설치되어, 상기 다이아프램이 팽창됨에 따라 상기 기판을 밀어내는 돌출부를 포함한다.
상기 돌출부는 상기 다이아프램의 저면 중앙에 위치될 수 있다.
상기 돌출부는 복수 개가 상기 다이아프램의 저면 중앙을 중심으로 방사형으로 위치될 수 있다.
상기 돌출부는 상기 다이아프램이 상기 기판 측으로 팽창될 때 상기 기판 측을 향해 돌출될 수 있다.
상기 하우징의 중공의 내경에는 단턱이 형성되고, 상기 지지부의 외경에는 지지턱이 형성되며, 상기 다이아프램은 상기 단턱과 상기 지지턱 사이에 개재되도록 설치될 수 있다.
본 발명에 따른 기판처리장치는 제1챔버; 상기 제1챔버와 결합하여 기판처리공간을 형성하는 제2챔버; 상기 제1챔버 내측면에 마련되어 기판을 점착하는 정반; 상기 정반이 기판을 점착할 수 있도록 중공이 형성된 하우징, 상기 하우징의 상기 중공 내부에 삽입 설치되며 공기가 흡출 가능하도록 흡출홀이 형성된 지지부, 상기 지지부에 설치되어 상기 흡출홀에서 토출되는 공기에 의하여 기판 측으로 팽창되는 다이아프램, 상기 다이아프램이 팽창되는 부분의 주변에 상기 기판을 점착하는 점착부재, 상기 다이아프램의 저면 일부에 설치되어 상기 다이아프램이 팽창됨에 따라 상기 기판을 밀어내는 돌출부를 구비하는 기판척을 포함한다.
상기 돌출부는 상기 다이아프램의 저면 중앙에 위치될 수 있다.
상기 돌출부는 복수 개가 상기 다이아프램의 저면 중앙을 중심으로 방사형으로 위치될 수 있다.
상기 돌출부는 상기 다이아프램이 상기 기판 측으로 팽창될 때 돌출될 수 있다.
상기 하우징의 중공의 내경에는 단턱이 형성되고, 상기 지지부의 외경에는 지지턱이 형성되며, 상기 다이아프램은 상기 단턱과 상기 지지턱 사이에 개재되도록 설치될 수 있다.
본 발명에 따른 기판척과 이를 이용한 기판처리장치는 기판의 분리가 용이한 기판척을 구비한 기판처리장치를 이용하여 기판이 정렬된 위치에서 벗어나지 않고 분리되게 할 수 있다. 따라서 기판 합착 또는 공정 불량을 최소화할 수 있다.
이상과 같은 본 발명의 기술적 효과는 이상에서 언급한 효과로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 효과들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 기판처리장치를 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판척을 도시한 부분 확대 사시도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판척의 저면도이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판척의 저면도이다.
도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판척의 기판 점착 상태를 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판척의 기판 분리 직전의 상태를 도시한 도면이다.
도 7은 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판척의 기판 분리 상태를 도시한 도면이다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 위하여 과장되게 표현된 부분이 있을 수 있으며, 도면상에서 동일 부호로 표시된 요소는 동일 요소를 의미한다. 이하에서 개시되는 실시예에서는 기판합착장치를 실시예로 하여 설명한다. 본 발명의 기판척은 기판합착장치 뿐만 아니라 기판처리를 위한 식각장치, 증착장치 및 기타 다양한 장치에서 기판을 점착하기 위하여 사용될 수 있다.
도 1은 본 실시예에 따른 기판처리장치를 나타낸 개략도이다.
본 실시예에 따른 기판처리장치는 제 1 기판(S1)과 제 2 기판(S2)이 안착되는 제 1 챔버(100)와 제 2 챔버(200)를 구비한다. 제 2 챔버(200)는 베이스(미부호)에 고정되고, 제 1 챔버(100)는 승강부(300)에 의해 승강된다.
제 1 챔버(100)에는 제 1 기판(S1)을 안착시킬 수 있는 제 1 기판척(110)이 구비되고, 제 2 챔버(200)에는 제 2 기판(S2)을 안착시킬 수 있는 제 2 기판척(210)이 구비된다. 제 1 기판척(110)과 제 2 기판척(210)은 각각 제 1 챔버(100)에 제 1 정반(101)과 제 2 챔버(200)에 구비된 제 2 정반(201)에 설치된다.
제 2 기판척(210)은 제 2 기판(S2)을 안착하기 위하여 정전기력으로 흡착하는 정전척(Electro Static Chuck, ESC)일 수 있고, 또는 그 외의 다른 종류의 척장치일 수 있다. 제 2 정반(201)에는 제 2 정반(201)과 제 2기판척(210)을 관통하여 출몰하는 다수개의 리프트 핀(220, Lift Pin)이 구비된다.
리프트 핀(220)은 제 2 기판척(210)에 위치하는 제 2 기판(S2)이 반입될 경우 상승하여 제 2 기판(S2)을 수취한 후 하강하여 제 2 기판척(210)에 위치시키는 역할을 하며, 합착공정이 완료되어 상부의 제 1 기판(S1)과 하부의 제 2 기판(S2)이 합착되어 패널이 되었을 경우 합착된 패널을 외부로 반출하기 위해 상승시키는 역할을 한다.
그리고 제 1 챔버(100)에는 제 1 기판(S1)과 제 2 기판(S2)에 표시된 정렬마크(Align mark)를 촬영하여 기판들이 정확한 합착지점에 위치하였는지를 확인할 수 있도록 하는 카메라(130)가 설치된다. 카메라(130)는 제 1 챔버(100)를 관통하는 촬영홀을 통하여 정렬 마크를 촬영한다. 이때, 카메라(130)가 정렬 마크를 촬영할 수 있도록 조명장치(230)가 제 2 챔버(200)의 하측에 설치되어 카메라(130)로 조명을 제공하게 된다.
또한, 도시되지는 않았으나 제 1 챔버(100)와 제 2 챔버(200)에는 이들의 밀착으로 공정 공간을 형성할 경우 내부를 진공상태로 형성하기 위한 고진공분자펌프(Turbo Molecular Pump, TMP) 및 드라이 펌프(Dry pump)가 연결된다. 한편, 제 1 기판척(110)은 다수개가 제 1 정반(101)에 분포하여 설치된다.
한편, 도 2, 도 3, 도 4 그리고 도 5에 도시된 바와 같이 제 1기판척(110)은 중앙부에 중공이 형성되어 제 1정반(101)에 삽입되어 설치되는 하우징(111)과, 이 하우징(111)의 중공 내부에 삽입 설치되며 공기가 흡출 가능하도록 흡출홀(112a)이 형성된 지지부(112)를 구비한다.
하우징(111)의 중공(111a) 내경에는 단턱(111b)이 형성되고, 하우징(111)의 중공(111a)에 삽입되는 지지부(112)의 외경에는 지지턱(112b)이 형성된다. 따라서 하우징(111)의 중공(111a) 내부로 삽입된 지지부(112)의 지지턱(112b)은 단턱(111b)에 걸쳐져서 설치된다.
그리고 지지부(112)의 하부 표면에는 다이아프램(113)이 밀착 설치된다. 다이아프램(113)의 단부는 단턱(111b)과 지지턱(112b) 사이에 개재되어 고정된다. 하우징(111) 중 다이아프램(113)이 팽창되는 부분의 주변에는 다수개가 이격 설치되어 제 1기판(S1)을 점착하는 점착부재(114)가 구비된다.
다이아프램(113)은 흡출홀(112a)에서 토출되는 기체에 의하여 제 1기판(S1) 측으로 팽창하고, 흡출홀(112a)로의 기체 공급이 차단되거나, 흡출홀(112a)에서의 흡입작용에 의하여 탄성력 또는 흡입력에 의하여 지지부(112)의 표면으로 밀착 복원된다.
흡출홀(112a)에서 토출되는 기체에 의하여 다이아프램(113)이 제 1기판(S1) 측으로 팽창하게 되는 부분의 저면에는 제 1기판(S1) 측으로 돌출된 돌출부(113a)가 형성된다.
흡출홀(112a)에서 토출되는 기체에 의하여 다이아프램(113)이 팽창함에 따라 돌출부(113a)는 제 1기판(S1)과 접촉하게 된다. 그리고 다이아프램(113)이 더욱 팽창하면, 다이아프램(113)과 돌출부(113a)는 제 1기판(S1)을 밀어내어 점착부재(114)로부터 분리시킨다.
돌출부(113a)는, 제 1기판(S1)을 점착부재(114) 및 제 1 기판척(110)으로부터 분리시킬 때, 제 1기판(S1)과 다이아프램(113)의 접촉 면적을 줄인다. 이를 통해 제 1기판(S1)과 다이아프램(113) 사이의 마찰을 개선하고, 제 1기판(S1)이 분리되는 과정에서 제 1기판(S1)과 다이아프램(113) 사이에서 발생하는 미끌림 등으로 인해 제 1기판(S1)의 정렬이 어긋나게 되는 것을 방지할 수 있다.
도 3에 도시된 바와 같이, 돌출부(113a)는 다이아프램(113) 저면의 중앙에 한 개가 형성될 수 있다. 또는 도 4에 도시된 바와 같이, 다이아프램(113)의 저면의 중앙을 중심으로 복수 개의 돌출부(113a)가 방사형으로 형성될 수 있다. 또는 도시되지 않았지만, 다이아프램(113)의 저면의 중앙에 중심이 되는 돌출부(113a)가 형성되고 이를 중심으로 복수 개의 돌출부(113a)가 방사형으로 형성될 수 있다.
그리고 돌출부(113a)는 다이아프램(113)과 일체로 형성될 수 있다.
한편, 돌출부(113a)는 다이아프램(113)이 팽창되지 않은 상태에서는 지지부(112)를 향해 함몰되어 있고, 흡출홀(112a)로 기체가 분출되어 다이아프램(113)이 팽창될 때, 제 1기판(S1)을 향해 돌출되도록 형성될 수 있다. 제 1기판(S1)이 분리된 이후, 흡출홀(112a)로의 기체 공급이 차단되거나 흡출홀(112a)을 통해 흡입이 시작되면 탄성력 또는 흡입력에 의해 돌출부(113a)는 다시 제 1 기판척(110) 내부를 향해 함몰될 수 있다. 이 경우, 돌출부(113a)가 함몰 시 지지부(112)와의 간섭을 방지하기 위해 지지부(112)에는 함몰된 돌출부(113a)를 수용할 수 있는 공간(115)이 형성될 수 있다.
이하에서는 상술한 바와 같은 구성의 본 실시예에 따른 기판척과 기판처리장치의 작동상태를 설명하기로 한다.
제 1 챔버(100)와 제 2 챔버(200)가 이격된 상태에서 먼저 로봇(미도시)이 제 1 챔버(100)와 제 2 챔버(200)의 사이의 공간으로 제 1기판(S1)을 반입되고, 이후 제 1 정반(101)에 구비된 진공척(120)이 하강하면, 진공척(120)은 제 1 기판(S1)을 흡착하여 상승한다. 본 실시예에서 진공척(120) 외에 제 1정반(101)에 진공흡착홀(미부호)이 형성되어 기판을 흡착할 수 있다. 진공척(120)에 의해 흡착된 상태로 상승하던 제 1 기판(S1)은 도 5에 도시된 바와 같이 제 1 정반(101)에 구비된 점착부재(114)에 부착된다.
그리고 로봇에 의해 제 2 기판(S2)이 반입되면 제 2 기판(S2)의 수취를 위해 리프트 핀(220)이 상승하여 제 2 기판(S2)을 지지한 상태에서 로봇은 외부로 빠져나간다. 이후 리프트 핀(220)은 하강하여 제 2 정반(201)에 안착시키고, 제 2기판(S2)는 제 2 기판척(210)에 부착된다.
이후 승강부(300)에 의해 제 1 챔버(100)가 하강하여 제 2 챔버(200)와 밀착됨으로 공정 공간이 형성된다. 공정 공간이 형성되면 드라이 펌프와 고진공분자펌프에 의해 공정공간 내부가 진공상태를 형성하게 된다. 이후 제 1 정반(101)이 하강하여 제 1 기판(S1)과 제 2 기판(S2)의 정렬을 실시하게 된다.
그리고 도 6에 도시된 바와 같이, 제 1기판척(110)의 흡출홀(112a)로부터 공기가 분출되면 다이아프램(113)이 제 1 기판(S1)을 향해 팽창하게 된다. 이 때, 다이아프램(113)의 저면에 형성된 돌출부(113a)는 지지부(112) 내부를 향해 함몰된 상태에서, 흡출홀(112a)로부터 분출되는 공기에 의해 제 1 기판(S1)을 향해 돌출될 수 있다. 다이아프램(113)이 팽창을 계속하여 돌출부(113a)가 제 1 기판(S1)과 접촉함과 동시에 제 1 기판(S1)을 제 1 기판척(110)으로부터 밀어낸다.
돌출부(113a)에 의해 다이아프램(113)과 제 1 기판(S1) 사이의 접촉 면적이 줄어들게 되어, 분리 과정에서 제 1 기판(S1)이 미끄러지지 않고 정렬된 위치에서 정확히 분리될 수 있다.
그리고 도 7에 도시된 바와 같이, 제 1 기판(S1)은 점착부재(114)로부터 분리되어 아래쪽에 위치한 제 2 기판(S2)으로 낙하함으로써 제 1기판(S1)과 제 2기판(S2)의 합착이 이루어진다.
제 1 기판(S1)과 제 2 기판(S2)의 합착이 되면, 챔버(100)(200)의 내부를 대기 상태가 되도록 한다. 이때 도시하지는 않았으나 제 1 정반(100) 측의 진공척 또는 진공 흡착홀(미도시)로부터 비활성 가스를 공급하여 제 1기판(S1)과 제 2기판(S2)이 더욱 견고하게 합착되도록 할 수 있다.
상술한 바와 같은 과정이 완료되면, 제 1 챔버(100)와 제 2 챔버(200)는 이격되고, 제 2 챔버(200)의 리프트 핀(220)은 상승하게 되며, 외부에서 로봇이 반입되어 합착된 패널을 반출하는 과정을 통해 합착공정은 완료된다.
이상의 본 발명의 실시예는, 본 발명의 기술적 사상을 한정하는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 발명의 보호범위는 청구범위에 기재된 사항에 의하여만 제한되고, 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상을 다양한 형태로 개량 변경하는 것이 가능하다. 따라서 이러한 개량 및 변경은 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것인 한 본 발명의 보호범위에 속하게 될 것이다.
100...제 1챔버
101...제 1정반
110...제 1기판척
111...하우징
112...지지부
113...다이아프램
114...점착부재
200...제 2챔버
201...제 2정반

Claims (10)

  1. 중공이 형성된 하우징;
    상기 하우징의 상기 중공 내부에 삽입 설치되며 공기가 흡출 가능하도록 흡출홀이 형성된 지지부;
    상기 지지부에 설치되어 상기 흡출홀에서 토출되는 공기에 의하여 기판 측으로 팽창되는 다이아프램;
    상기 다이아프램이 팽창되는 부분의 주변에 상기 기판을 점착하는 점착부재 및;
    상기 다이아프램의 저면 일부에 설치되어, 상기 다이아프램이 팽창됨에 따라 상기 기판을 밀어내는 돌출부를 포함하는 기판척.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 돌출부는 상기 다이아프램의 저면 중앙에 위치한 것을 특징으로 하는 기판척.
  3. 제 1항 내지 제 2항에 있어서,
    상기 돌출부는 복수 개가 상기 다이아프램의 저면 중앙을 중심으로 방사형으로 위치한 것을 특징으로 하는 기판척.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 돌출부는 상기 다이아프램이 상기 기판 측으로 팽창될 때 상기 기판 측을 향해 돌출되는 것을 특징으로 하는 기판척.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 하우징의 중공의 내경에는 단턱이 형성되고, 상기 지지부의 외경에는 지지턱이 형성되며, 상기 다이아프램은 상기 단턱과 상기 지지턱 사이에 개재되도록 설치된 것을 특징으로 하는 기판척.
  6. 제1챔버;
    상기 제1챔버와 결합하여 기판처리공간을 형성하는 제2챔버;
    상기 제1챔버 내측면에 마련되어 기판을 점착하는 정반;
    상기 정반이 기판을 점착할 수 있도록 중공이 형성된 하우징, 상기 하우징의 상기 중공 내부에 삽입 설치되며 공기가 흡출 가능하도록 흡출홀이 형성된 지지부, 상기 지지부에 설치되어 상기 흡출홀에서 토출되는 공기에 의하여 기판 측으로 팽창되는 다이아프램, 상기 다이아프램이 팽창되는 부분의 주변에 상기 기판을 점착하는 점착부재, 상기 다이아프램의 저면 일부에 설치되어 상기 다이아프램이 팽창됨에 따라 상기 기판을 밀어내는 돌출부를 구비하는 기판척을 포함하는 기판처리장치.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 돌출부는 상기 다이아프램의 저면 중앙에 위치한 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  8. 제 6항 내지 제 7항에 있어서,
    상기 돌출부는 복수 개가 상기 다이아프램의 저면 중앙을 중심으로 방사형으로 위치한 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  9. 제 6항에 있어서,
    상기 돌출부는 상기 다이아프램이 상기 기판 측으로 팽창될 때 돌출되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  10. 제 6항에 있어서,
    상기 하우징의 중공의 내경에는 단턱이 형성되고, 상기 지지부의 외경에는 지지턱이 형성되며, 상기 다이아프램은 상기 단턱과 상기 지지턱 사이에 개재되도록 설치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101456692B1 (ko) * 2012-12-27 2014-11-04 엘아이지에이디피 주식회사 기판 합착장치 및 합착방법
KR20220095039A (ko) * 2020-12-29 2022-07-06 주식회사 테스 진공척 및 진공척의 구동방법

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1777832B (zh) * 2004-04-09 2010-05-05 信越工程株式会社 粘结卡盘装置
CN100447622C (zh) * 2004-10-28 2008-12-31 信越工程株式会社 粘结卡盘装置
KR100850238B1 (ko) 2007-09-03 2008-08-04 주식회사 에이디피엔지니어링 기판척 및 이를 가진 기판합착장치
KR101066603B1 (ko) * 2009-01-20 2011-09-22 에이피시스템 주식회사 기판 지지 유닛 및 이를 구비하는 기판 접합 장치

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101456692B1 (ko) * 2012-12-27 2014-11-04 엘아이지에이디피 주식회사 기판 합착장치 및 합착방법
KR20220095039A (ko) * 2020-12-29 2022-07-06 주식회사 테스 진공척 및 진공척의 구동방법
WO2022145849A1 (ko) * 2020-12-29 2022-07-07 주식회사 테스 진공척 및 진공척의 구동방법

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