KR20110103693A - 기판척 및 이를 이용한 기판처리장치 - Google Patents

기판척 및 이를 이용한 기판처리장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20110103693A
KR20110103693A KR1020100022875A KR20100022875A KR20110103693A KR 20110103693 A KR20110103693 A KR 20110103693A KR 1020100022875 A KR1020100022875 A KR 1020100022875A KR 20100022875 A KR20100022875 A KR 20100022875A KR 20110103693 A KR20110103693 A KR 20110103693A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
diaphragm
adhesive member
chuck
housing
Prior art date
Application number
KR1020100022875A
Other languages
English (en)
Inventor
심석희
Original Assignee
엘아이지에이디피 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘아이지에이디피 주식회사 filed Critical 엘아이지에이디피 주식회사
Priority to KR1020100022875A priority Critical patent/KR20110103693A/ko
Publication of KR20110103693A publication Critical patent/KR20110103693A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명에 따른 기판척은 중공이 형성된 하우징, 상기 하우징의 상기 중공 내부에 삽입 설치되며 공기가 흡출 가능하도록 흡출홀이 형성된 지지부, 상기 지지부에 설치되어 상기 흡출홀에서 흡출되는 공기에 의하여 기판 측으로 팽창 및 수축되는 다이아프램, 상기 다이아프램이 팽창되는 부분의 주변에 다수개가 이격 설치되어 상기 기판을 점착하는 수지재질의 점착부재를 구비하며, 이 기판척을 이용한 기판처리장치는 아웃개싱을 최소화한 기판척을 이용함으로써 기판처리장치를 이용하여 공정을 수행할 때 공정 공간 내부의 진공 형성을 보다 빠르게 수행할 수 있도록 하고, 또한 공정 수행중 발생한 아웃개싱에 의한 기판 합착 또는 공정 불량을 최소화할 수 있으며, 점착부재의 사용을 최소화함으로써 기판척의 제조비용을 절감 할 수 있는 효과가 있다.

Description

기판척 및 이를 이용한 기판처리장치{Substrate chuck and apparatus for processing substrate using the same}
본 발명은 기판척 및 이를 이용한 기판처리장치에 관한 것으로, 본 발명의 목적은 기판을 수지 재질의 점착부재로 점착하는 기판척과 이 기판척을 이용하여 소정 공정을 수행하는 기판처리장치에 관한 것이다.
기판처리장치에 있어서 기판을 파지하거나 지지하기 위하여 기판척(substrate chuck)이 사용된다. 척(chuck)에는 여러 종류가 있는데, 가장 대표적인 것이 정전척이다. 정전척은 정전력을 이용하여 기판을 점착하는데, 이때의 정전력을 발생시키기 위하여 전원을 공급하여야 한다.
정전척은 전원이 필요하고, 또한 제조와 제어가 매우 어렵고, 제조비용이 매우 고가이다. 따라서 이를 대체할 수 있는 척장치로 기판척이 최근 개발되었다. 기판척에 대한 종래기술로는 대한민국 공개특허 "10-2006-0133942", "점착 척 장치"가 있다. 상기 종래기술에서는 점착부재를 이용하여 기판을 점착하고, 기판의 분리를 위한 기구적인 구조물을 개시하고 있다.
그런데 이와 같은 종래의 기판척 장치에서 점착부재는 기판을 점착하는 부분이 기판을 박리하는 기구장치의 주변을 둘러싸도록 설치되어 있다. 즉 다량의 점착부재가 사용하도록 되어 있다. 이 점착부재는 수지 재질로 되어 있는데, 내부에 미세한 다량의 기공을 가지고 있다.
이와 같은 점착부재는 예를 들어 진공처리장치에서 사용되는 경우 챔버 내부를 진공 펌핑할 때 점착부재의 기공으로부터 공기가 빠져나가는 아웃개싱(Outgassing)현상으로 인하여 챔버 내부의 필요한 진공도 확보를 위한 시간이 길어지게 되어 공정효율을 떨어뜨리는 원인이 된다. 더욱이 아웃개싱이 느리게 발생하여 공정 수행중에 아웃개싱이 발생하면 박막 처리 또는 기판 합착시에 공기가 박막 또는 기판 사이로 침투하여 기판 처리공정 자체를 불량으로 만들게 되는 문제점을 발생시킨다.
본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위한 것으로 본 발명의 목적은 아웃개싱 발생을 최소화한 점착부재를 구비한 기판척과 이 기판척을 이용한 기판처리장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명에 따른 기판척은 중공이 형성된 하우징; 상기 하우징의 상기 중공 내부에 삽입 설치되며 공기가 흡출 가능하도록 흡출홀이 형성된 지지부; 상기 지지부에 설치되어 상기 흡출홀에서 흡출되는 공기에 의하여 기판 측으로 팽창 및 수축되는 다이아프램; 상기 다이아프램이 팽창되는 부분의 주변에 다수개가 이격 설치되어 상기 기판을 점착하는 수지재질의 점착부재를 구비한다.
상기 하우징의 상기 점착부재가 설치되는 면에는 각각의 상기 점착부재가 일부 삽입되어 설치되도록 하는 설치홈이 형성될 수 있다.
상기 점착부재의 상기 기판과 점착되는 표면 외의 다른 표면에는 밀폐막이 코팅돌 수 있다.
상기 점착부재는 상기 기판과 점착하는 표면 중 상기 다이아프램 측을 향하는 일단의 폭이 좁고, 상기 다이아프램 측에 대하여 반대하는 타단의 폭이 넓은 것일 수 있다.
상기 하우징의 중공의 내경에는 단턱이 형성되고, 상기 지지부의 외경에는 지지턱이 형성되며, 상기 다이아프램은 상기 단턱과 상기 지지턱 사이에 개재되도록 설치될 수 있다.
상기 기판과 접촉하는 상기 점착부재 이외의 부분은 상기 기판처리공간으로 금속재질만이 노출될 수 있다.
본 발명에 따른 기판처리장치는 제1챔버; 상기 제1챔버와 결합하여 기판처리공간을 형성하는 제2챔버; 상기 제1챔버 내측면에 마련되어 기판을 점착하는 정반; 상기 정반이 기판을 점착할 수 있도록 중공이 형성된 하우징, 상기 하우징의 상기 중공 내부에 삽입 설치되며 공기가 흡출 가능하도록 흡출홀이 형성된 지지부, 상기 지지부에 설치되어 상기 흡출홀에서 흡출되는 공기에 의하여 기판 측으로 팽창 및 수축되는 다이아프램, 상기 다이아프램이 팽창되는 부분의 주변에 다수개가 이격 설치되어 상기 기판을 점착하는 수지재질의 점착부재를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판척.를 구비하는 기판척을 포함한다.
상기 하우징의 상기 점착부재가 설치되는 면에는 각각의 상기 점착부재가 일부 삽입되어 설치되도록 하는 설치홈이 형성될 수 있다.
상기 점착부재의 상기 기판과 점착되는 표면 외의 다른 표면에는 밀폐막이 코팅될 수 있다.
상기 점착부재는 상기 기판과 점착하는 표면 중 상기 다이아프램 측을 향하는 일단의 폭이 좁고, 상기 다이아프램 측에 대하여 반대하는 타단의 폭이 넓은 것일 수 있다.
상기 하우징의 중공의 내경에는 단턱이 형성되고, 상기 지지부의 외경에는 지지턱이 형성되며, 상기 다이아프램은 상기 단턱과 상기 지지턱 사이에 개재되도록 설치될 수 있다.
상기 기판과 접촉하는 상기 점착부재 이외의 부분은 상기 기판처리공간으로 금속재질만이 노출될 수 있다.
본 발명에 따른 기판척과 이를 이용한 기판처리장치는 아웃개싱을 최소화한 기판척을 이용함으로써 기판처리장치를 이용하여 공정을 수행할 때 공정 공간 내부의 진공 형성을 보다 빠르게 수행할 수 있도록 하고, 또한 공정 수행중 발생한 아웃개싱에 의한 기판 합착 또는 공정 불량을 최소화할 수 있으며, 점착부재의 사용을 최소화함으로써 기판척의 제조비용을 절감 할 수 있는 효과가 있다.
이상과 같은 본 발명의 기술적 효과는 이상에서 언급한 효과로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 효과들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치를 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판척을 도시한 부분 확대 사시도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 기판척에 점착부재가 설치된 상태를 도시한 평면도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 기판척의 기판 점착 상태를 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 기판척의 기판 분리 상태를 도시한 도면이다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 이하에서 개시되는 실시예에서는 기판합착장치를 실시예로 하여 설명한다. 그러나 본 발명의 기판척은 기판합착장치 뿐만 아니라 기판처리를 위한 식각장치, 증착장치 및 기타 다양한 장치에서 기판을 점착하기 위하여 사용될 수 있다.
도 1은 본 실시예에 따른 기판처리장치를 나타낸 개략도이다.
본 실시예에 따른 기판처리장치는 제 1 기판(S1)과 제 2 기판(S2)이 안착되는 제 1 챔버(100)와 제 2 챔버(200)를 구비한다. 제 2 챔버(200)는 베이스(미부호)에 고정되고, 제 1 챔버(100)는 승강부(300)에 의해 승강된다.
제 1 챔버(100)에는 제 1 기판(S1)을 안착시킬 수 있는 제 1 기판척(110)이 구비되고, 제 2 챔버(200)에는 제 2 기판(S2)을 안착시킬 수 있는 제 2 기판척(210)이 구비된다. 제 1 기판척(110)과 제 2 기판척(210)은 각각 제 1 챔버(100)에 제 1 정반(101)과 제 2 챔버(200)에 구비된 제 2 정반(201)에 설치된다.
제 2 기판척(210)은 제 2 기판(S2)을 안착하기 위하여 정전기력으로 흡착하는 정전척(Electro Static Chuck, ESC)일 수 있고, 또는 그 외의 다른 종류의 척장치일 수 있다. 제 2 정반(201)에는 제 2 정반(201)과 제 2기판척(210)을 관통하여 출몰하는 다수개의 리프트 핀(220, Lift Pin)이 구비된다.
리프트 핀(220)은 제 2 기판척(210)에 위치하는 제 2 기판(S2)이 반입될 경우 상승하여 제 2 기판(S2)을 수취한 후 하강하여 제 2 기판척(210)에 위치시키는 역할을 하며, 합착공정이 완료되어 상부의 제 1 기판(S1)과 하부의 제 2 기판(S2)이 합착되어 패널이 되었을 경우 합착된 패널을 외부로 반출하기 위해 상승시키는 역할을 한다.
그리고 제 1 챔버(100)에는 제 1 기판(S1)과 제 2 기판(S2)에 표시된 정렬마크(Align mark)를 촬영하여 기판들이 정확한 합착지점에 위치하였는지를 확인할 수 있도록 하는 카메라(130)가 설치된다. 카메라(130)는 제 1 챔버(100)를 관통하는 촬영홀을 통하여 정렬 마크를 촬영한다. 이때, 카메라(130)가 정렬 마크를 촬영할 수 있도록 조명장치(230)가 제 2 챔버(200)의 하측에 설치되어 카메라(130)로 조명을 제공하게 된다.
또한, 도시되지는 않았으나 제 1 챔버(100)와 제 2 챔버(200)에는 이들의 밀착으로 공정 공간을 형성할 경우 내부를 진공상태로 형성하기 위한 고진공분자펌프(Turbo Molecular Pump, TMP) 및 드라이 펌프(Dry pump)가 연결된다. 한편, 제 1 기판척(110)은 다수개가 제 1 정반(101)에 분포하여 설치된다.
한편, 도 2, 도 3 그리고 도 4에 도시된 바와 같이 이 제 1기판척(110)은 중앙부에 중공(111a)이 형성되어 제 1정반(101)에 삽입되어 설치되는 하우징(111)과, 이 하우징(111)의 중공(111a) 내부에 삽입 설치되며 공기가 흡출 가능하도록 흡출홀(112a)이 형성된 지지부(112)를 구비한다.
하우징(111)의 중공(111a) 내경에는 단턱(111b)이 형성되고, 하우징(111)의 중공(111a)에 삽입되는 지지부(112)의 외경에는 지지턱(112b)이 형성된다. 따라서 하우징(111)의 중공(111a) 내부로 삽입된 지지부(112)의 지지턱(112b)은 단턱(111b)에 걸쳐져서 설치된다.
그리고 지지부(112)의 하부 표면에는 다이아프램(113)이 밀착 설치된다. 다이아프램(113)의 단부는 단턱(111b)과 지지턱(112b) 사이에 개재되어 고정된다. 다이아프램(113)은 흡출홀(112a)에서 토출되는 기체에 의하여 제 1기판(S1) 측으로 팽창하고, 흡출홀(112a)로의 기체 공급이 차단되거나, 흡출홀(112a)에서의 흡입작용에 의하여 탄성력 또는 흡입력에 의하여 지지부(112)의 표면으로 밀착 복원된다.
하우징(111) 중 다이아프램(113)이 팽창되는 부분의 주변에는 다수개가 이격 설치되어 제 1기판(S1)을 점착하는 수지재질의 점착부재(114)가 구비된다. 이 점착부재(114)의 설치를 위하여 하우징(111)의 점착부재(114)가 설치되는 면에는 각각의 점착부재(114)가 일부 삽입되어 설치되도록 하는 다수개의 설치홈(111c)이 형성될 수 있다.
또한 점착부재(114)는 제 1기판(S1)과 점착하는 표면 중 다이아프램(113) 측을 향하는 일단의 폭이 좁고, 다이아프램(113) 측에 대하여 반대하는 타단의 폭이 넓게 대체로 삼각형 형상으로 형성된다. 점착부재(114)를 삼각형 형태로 형성한 이유는 점착 후 기판을 점착부재(114)로부터 떨어뜨릴 때 다이아프램(113)에 의하여 제 1기판(S1)측으로 가해지는 힘이 가장 근접하는 위치의 점착부재(114)의 점착 표면을 최소화하여 최초 분리가 시작될 때 점착부재(114)에 점착된 기판(S1)의 분리가 보다 신속하게 이루어지도록 하기 위한 것이다.
이러한 점착부재(114)는 소량의 규소 원자와 결합하는 알케닐게를 함유하는 오르가노폴리실록산(10 내지 75 중량부), 오르가노히드로젠폴리실록산(5 내지 30 중량부) 및 부가 반응 촉매 등을 주성분으로 하는 부가 반응 경화형 실리콘 고무 조성물을 경화시킴으로써 제조된다. 또한 점착부재(114)는 압축성형이나 주입성형, 사출 성형, 타발 등에 의해 직접 외형이 형성될 수 있다.
그리고 점착부재(114)의 기판과 점착되는 표면 외의 다른 표면에는 필요에 따라 밀폐막(114a)이 코팅될 수 있다. 점착부재(114)의 표면에 형성되는 밀폐막(114a)은 액상 실리콘 고무(LSR)(Liquid Silicone Rubber (LSR)), 상온 경화(RTV) 탄성체(Room-Temperature-Vulcanizing (RTV ) Elastomers), 고밀도실리콘고무(HCR)(High Consistency Silicone Rubber (HCR)), 실리콘 변성 유기화합물(SMO) 탄성체 에멀젼(Silicon-Modified Organic (SMO) Elastomeric Emulsion) 및 그 외의 밀폐 기능을 수행할 수 있는 성분으로 코팅되어 형성될 수 있다. 이와 같이 본 실시예에 따른 제 1기판척(110)은 기판과 접촉하는 점착부재(114) 이외의 부분은 기판처리공간으로 아웃개싱이 점착부재(114)에 비하여 매우 적은 금속재질만이 노출되도록 형성된다.
이하에서는 상술한 바와 같은 구성의 본 실시예에 따른 기판척과 기판처리장치의 작동상태를 설명하기로 한다.
제 1 챔버(100)와 제 2 챔버(200)가 이격된 상태에서 먼저 로봇(미도시)이 제 1 챔버(100)와 제 2 챔버(200)의 사이의 공간으로 제 1기판(S1)을 반입되고, 이후 제 1 정반(101)에 구비된 진공척(120)이 하강하면, 진공척(120)은 제 1 기판(S1)을 흡착하여 상승한다. 본 실시예에서 진공척(120) 외에 제 1정반(101)에 진공흡착홀(미부호)이 형성되어 기판을 흡착할 수 있다. 진공척(120)에 의해 흡착된 상태로 상승하던 제 1 기판(S1)은 도 4에 도시된 바와 같이 제 1 정반(101)에 구비된 점착부재(114)에 부착된다.
그리고 로봇에 의해 제 2 기판(S2)이 반입되면 제 2 기판(S2)의 수취를 위해 리프트 핀(220)이 상승하여 제 2 기판(S2)을 지지한 상태에서 로봇은 외부로 빠져나간다. 이후 리프트 핀(220)은 하강하여 제 2 정반(201)에 안착시키고, 제 2기판(S2)는 제 2 기판척(210)에 부착된다.
이후 승강부(300)에 의해 제 1 챔버(100)가 하강하여 제 2 챔버(200)와 밀착됨으로 공정 공간이 형성된다. 공정 공간이 형성되면 드라이 펌프와 고진공분자펌프에 의해 공정공간 내부가 진공상태를 형성하게 된다.
이때 본 실시예에서의 점착부재(114)는 일체로 형성되어 있지 않고, 다이아프램(113)의 주변에 다수개가 분산되어 설치되어 있기 때문에 공정 공간의 진공 형성시에 점착부재(114)에서 발생하는 아웃개싱이 최소화되어 진공상태의 형성을 위한 시간이 종래에 비하여 단축된다. 더욱이 점착부재(114)의 표면중 제 1기판(S1)과 접하지 않고, 공정 공간으로 노출된 표면에 밀폐막(114a)을 형성하게 되면 점착부재(114)에서의 아웃개싱이 거의 발생하지 않아 보다 빠른 진공상태의 형성이 가능하다.
이후 제 1 정반(101)이 하강하여 제 1 기판(S1)과 제 2 기판(S2)의 정렬을 실시하게 된다. 그리고 도 5에 도시된 바와 같이 제 1기판척(110)의 흡착홀(112a)로부터 공기가 분출되면 다이아프램(113)이 팽창한다. 이에 따라 제 1 기판(S1)은 점착부재(114)로부터 분리되어 아래쪽에 위치한 제 2 기판(S2)으로 낙하함으로써 제 1기판(S1)과 제 2기판(S2)의 합착이 이루어진다.
제 1 기판(S1)과 제 2 기판(S2)의 합착이 되면, 챔버(100)(200)의 내부를 대기 상태가 되도록 한다. 이때 도시하지는 않았으나 제 1 정반(100) 측의 진공척 또는 진공 흡착홀(미도시)로부터 비활성 가스를 공급하여 제 1기판(S1)과 제 2기판(S2)이 더욱 견고하게 합착되도록 할 수 있다.
상술한 바와 같은 과정이 완료되면, 제 1 챔버(100)와 제 2 챔버(200)는 이격되고, 제 2 챔버(200)의 리프트 핀(220)은 상승하게 되며, 외부에서 로봇이 반입되어 합착된 패널을 반출하는 과정을 통해 합착공정은 완료된다.
이상의 본 발명의 일 실시예는, 본 발명의 기술적 사상을 한정하는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 발명의 보호범위는 청구범위에 기재된 사항에 의하여만 제한되고, 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상을 다양한 형태로 개량 변경하는 것이 가능하다. 따라서 이러한 개량 및 변경은 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것인 한 본 발명의 보호범위에 속하게 될 것이다.
100...제 1챔버
101...제 1정반
110...제 1기판척
111...하우징
112...지지부
113...다이아프램
114...점착부재
200...제 2챔버

Claims (12)

  1. 중공이 형성된 하우징;
    상기 하우징의 상기 중공 내부에 삽입 설치되며 공기가 흡출 가능하도록 흡출홀이 형성된 지지부;
    상기 지지부에 설치되어 상기 흡출홀에서 흡출되는 공기에 의하여 기판 측으로 팽창 및 수축되는 다이아프램;
    상기 다이아프램이 팽창되는 부분의 주변에 다수개가 이격 설치되어 상기 기판을 점착하는 수지재질의 점착부재를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판척.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 하우징의 상기 점착부재가 설치되는 면에는 각각의 상기 점착부재가 일부 삽입되어 설치되도록 하는 설치홈이 형성된 것을 특징으로 하는 기판척.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 점착부재의 상기 기판과 점착되는 표면 외의 다른 표면에는 밀폐막이 코팅된 것을 특징으로 하는 기판척.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 점착부재는 상기 기판과 점착하는 표면 중 상기 다이아프램 측을 향하는 일단의 폭이 좁고, 상기 다이아프램 측에 대하여 반대하는 타단의 폭이 넓은 것을 특징으로 하는 기판척.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 하우징의 중공의 내경에는 단턱이 형성되고, 상기 지지부의 외경에는 지지턱이 형성되며, 상기 다이아프램은 상기 단턱과 상기 지지턱 사이에 개재되도록 설치된 것을 특징으로 하는 기판척.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 기판과 접촉하는 상기 점착부재 이외의 부분은 상기 기판처리공간으로 금속재질이 노출된 것을 특징으로 하는 기판척.
  7. 제1챔버;
    상기 제1챔버와 결합하여 기판처리공간을 형성하는 제2챔버;
    상기 제1챔버 내측면에 마련되어 기판을 점착하는 정반;
    상기 정반이 기판을 점착할 수 있도록 중공이 형성된 하우징, 상기 하우징의 상기 중공 내부에 삽입 설치되며 공기가 흡출 가능하도록 흡출홀이 형성된 지지부, 상기 지지부에 설치되어 상기 흡출홀에서 흡출되는 공기에 의하여 기판 측으로 팽창 및 수축되는 다이아프램, 상기 다이아프램이 팽창되는 부분의 주변에 다수개가 이격 설치되어 상기 기판을 점착하는 수지재질의 점착부재를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판척.를 구비하는 기판척을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  8. 제 7항에 있어서, 상기 하우징의 상기 점착부재가 설치되는 면에는 각각의 상기 점착부재가 일부 삽입되어 설치되도록 하는 설치홈이 형성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  9. 제 7항에 있어서, 상기 점착부재의 상기 기판과 점착되는 표면 외의 다른 표면에는 밀폐막이 코팅된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  10. 제 7항에 있어서, 상기 점착부재는 상기 기판과 점착하는 표면 중 상기 다이아프램 측을 향하는 일단의 폭이 좁고, 상기 다이아프램 측에 대하여 반대하는 타단의 폭이 넓은 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  11. 제 7항에 있어서, 상기 하우징의 중공의 내경에는 단턱이 형성되고, 상기 지지부의 외경에는 지지턱이 형성되며, 상기 다이아프램은 상기 단턱과 상기 지지턱 사이에 개재되도록 설치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  12. 제 7항에 있어서, 상기 기판과 접촉하는 상기 점착부재 이외의 부분은 상기 기판처리공간으로 금속재질이 노출된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
KR1020100022875A 2010-03-15 2010-03-15 기판척 및 이를 이용한 기판처리장치 KR20110103693A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100022875A KR20110103693A (ko) 2010-03-15 2010-03-15 기판척 및 이를 이용한 기판처리장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100022875A KR20110103693A (ko) 2010-03-15 2010-03-15 기판척 및 이를 이용한 기판처리장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20110103693A true KR20110103693A (ko) 2011-09-21

Family

ID=44954821

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100022875A KR20110103693A (ko) 2010-03-15 2010-03-15 기판척 및 이를 이용한 기판처리장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20110103693A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200025901A (ko) * 2018-08-31 2020-03-10 이지스코 주식회사 고무 탄성체 다이아프램 타입 정전척 및 그 제조방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200025901A (ko) * 2018-08-31 2020-03-10 이지스코 주식회사 고무 탄성체 다이아프램 타입 정전척 및 그 제조방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9457552B2 (en) Method for detaching a product substrate off a carrier substrate
KR100850238B1 (ko) 기판척 및 이를 가진 기판합착장치
JP2010098289A (ja) 静電チャック及びこれを備えた基板接合装置
JP2009010072A (ja) 基板貼付装置
CN108074854A (zh) 定位装置
JP2015038982A (ja) 基板の保持装置及び密着露光装置並びに近接露光装置
WO2009128376A1 (ja) 基板貼り合わせ装置
JP6171316B2 (ja) 剥離装置および剥離方法
KR20120024364A (ko) 기판합착장치 및 기판합착방법
JP2006310338A (ja) ウェハー用真空テープ貼付装置
KR100718017B1 (ko) 진공척
JP2009302237A (ja) テープ貼付装置
TWI662651B (zh) 支撐夾具和基板處理設備
JP6376871B2 (ja) 密着露光装置
JP2007157822A (ja) 粘着性シート及び保持治具
KR20110103693A (ko) 기판척 및 이를 이용한 기판처리장치
KR20120087462A (ko) 기판합착장치 및 기판합착방법
KR101221034B1 (ko) 기판척 및 이를 이용한 기판처리장치
KR101278703B1 (ko) 기판합착장치의 점착력 측정장치 및 점착력 측정방법
KR20130054307A (ko) 기판합착장치 및 기판합착방법
KR101288864B1 (ko) 기판합착장치
JPH11277422A (ja) ウェーハの接着装置
KR101268397B1 (ko) 기판합착장치
JP4173170B2 (ja) フィルムマウント用コレットおよびフィルムマウント方法
JP6399124B2 (ja) 粘着剤硬化装置および粘着剤硬化方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application