KR20120030841A - Wafer marking device, marking position inspecting member and controlling method of wafer marking device - Google Patents
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Abstract
본 발명은 웨이퍼 상의 미리 결정된 각각의 마킹위치의 오차를 보정할 수 있는 웨이퍼 마킹장치와 마킹위치의 오차를 판단하기 위하여 웨이퍼 대신 웨이퍼 마킹장치에 장착되는 마킹위치 검사부재 및 상기 마킹위치 검사부재를 사용하여 웨이퍼 마킹장치의 마킹위치를 보정할 수 있는 웨이퍼 마킹장치의 제어방법에 관한 것이다.The present invention uses a wafer marking apparatus capable of correcting an error of each predetermined marking position on a wafer, and a marking position inspecting member and the marking position inspecting member mounted on a wafer marking apparatus instead of a wafer to determine an error of the marking position. The present invention relates to a control method of a wafer marking apparatus capable of correcting a marking position of a wafer marking apparatus.
Description
본 발명은 웨이퍼 마캉장치, 마킹위치 검사부재 및 웨이퍼 마킹장치의 제어방법에 관한 것이다. 보다 자세하게, 본 발명은 웨이퍼 상의 미리 결정된 각각의 마킹위치의 오차를 보정할 수 있는 웨이퍼 마킹장치와 마킹위치의 오차를 판단하기 위하여 웨이퍼 대신 웨이퍼 마킹장치에 장착되는 마킹위치 검사부재 및 상기 마킹위치 검사부재를 사용하여 웨이퍼 마킹장치의 마킹위치를 보정할 수 있는 웨이퍼 마킹장치의 제어방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for controlling a wafer marking device, a marking position inspection member and a wafer marking device. More specifically, the present invention provides a wafer marking apparatus capable of correcting an error of each predetermined marking position on a wafer, and a marking position inspection member mounted on a wafer marking apparatus instead of a wafer to determine an error of the marking position and the marking position inspection. A method of controlling a wafer marking apparatus capable of correcting a marking position of a wafer marking apparatus using a member.
일반적으로 반도체 패키지는 웨이퍼 상에 회로패턴을 형성하기 위해서는 소정의 박막을 형성하는 박막증착공정, 증착된 박막에 포토레지스트를 도포하고 노광 및 현상을 통해 포토레지스터 패턴을 형성하는 포토리소그래피 공정, 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 박막을 패터닝하는 식각 공정, 기판의 소정 영역에 특정 이온을 주입하는 이온주입공정, 불순물을 제거하는 세정공정을 포함하여, 실리콘 웨이퍼 상에 회로패턴을 형성하는 공정과 웨이퍼를 각각의 반도체칩으로 다이싱하여 에폭시 수지 등으로 봉지하는 패키징 공정 등을 거쳐 제조된다.In general, a semiconductor package includes a thin film deposition process for forming a predetermined thin film to form a circuit pattern on a wafer, a photolithography process for forming a photoresist pattern by applying photoresist to the deposited thin film, and exposing and developing the photoresist. The process of forming a circuit pattern on a silicon wafer and a wafer, including an etching process of patterning a thin film using a resist pattern, an ion implantation process of injecting specific ions into a predetermined region of the substrate, and a cleaning process of removing impurities, It is manufactured through a packaging step of dicing with a semiconductor chip and sealing with an epoxy resin or the like.
최근 전자제품 등의 경량화 및 소형화는 전자제품을 구성하는 반도체 패키지의 소형화 및 경량화가 기여하고 있다.In recent years, the weight reduction and miniaturization of electronic products have contributed to the miniaturization and weight reduction of semiconductor packages constituting electronic products.
따라서, 종래에는 반도체 패키지를 생산하기 위하여, 웨이퍼를 다이싱하여 각각의 반도체 패키지를 패키징하고 각각의 반도체 패키지의 제품정보를 마킹하는 공정을 통해 반도체 패키지를 완성하였으나, 최근에는 웨이퍼 단계에서 패키징을 수행한 후, 상기 웨이퍼를 각각의 반도체 패키지로 다이싱하기 전에 각각의 반도체 패키지에 대응되는 제품정보를 마킹하는 기술이 요구되고 있다.Therefore, in order to produce a semiconductor package, a semiconductor package is completed by dicing a wafer to package each semiconductor package and marking product information of each semiconductor package, but recently, packaging is performed at a wafer stage. Thereafter, a technique for marking product information corresponding to each semiconductor package is required before dicing the wafer into each semiconductor package.
종래에는 직경이 200mm 정도의 웨이퍼를 많이 사용하였으나, 웨이퍼의 두께는 얇아지고 그 직경은 300mm에 이르는 웨이퍼가 사용되고 있다.Conventionally, a wafer having a diameter of about 200 mm is used a lot, but a wafer having a thin thickness and a diameter of 300 mm are used.
웨이퍼 상태에서의 마킹은 웨이퍼의 배면을 레이저빔을 투사하는 레이저 투사유닛을 사용하여 마킹하는 웨이퍼 마킹장치가 사용되고 있다.In the marking in the wafer state, a wafer marking apparatus for marking the back surface of the wafer using a laser projection unit that projects a laser beam is used.
웨이퍼의 크기는 커지고 회로의 집적도의 향상에 따라 단일 웨이퍼로부터 생산되는 각각의 반도체 패키지의 크기는 점점 더 줄어들고 있다. 따라서, 웨이퍼 상에서 차지하는 반도체 패키지의 면적이 작아짐에 따라 마킹 과정에서 마킹되는 각각의 반도체 패키지의 로트번호, 제품명, 상호 등의 식별기호, 문자 또는 숫자의 크기가 줄어들고, 마킹과정의 정밀도가 요구된다.As wafer sizes increase and circuit density increases, the size of each semiconductor package produced from a single wafer becomes smaller. Therefore, as the area of the semiconductor package occupied on the wafer decreases, the lot numbers, product names, and identification symbols, letters, or numbers of each semiconductor package marked in the marking process are reduced in size, and the accuracy of the marking process is required.
물론 각각의 웨이퍼가 마킹을 위하여 웨이퍼 마킹장치에 장착되면, 각각의 웨이퍼 상에 표시된 피두셜 마크 등을 사용하여 각각의 웨이퍼를 정렬하는 정렬과정이 수행되지만, 이는 정렬 검사장치의 촬영위치와 레이져 투사유닛의 마킹위치가 일치되도록 정렬되어 있음을 전제로 한다.Of course, when each wafer is mounted on the wafer marking apparatus for marking, an alignment process for aligning each wafer is performed by using a physical mark or the like displayed on each wafer, but this is performed by the position and laser projection of the alignment inspection apparatus. It is assumed that the marking positions of the units are aligned to coincide.
웨이퍼 마킹장치의 레이져 투사유닛을 구성하는 갈바노 스케너 또는 f-세타 렌즈 등은 설치 후 또는 작동 후 미리 결정된 마킹위치를 보장하기 위한 마킹위치 보정과정을 필요로 한다.Galvano scanners or f-theta lenses or the like that constitute the laser projection unit of the wafer marking apparatus require marking position correction procedures to ensure a predetermined marking position after installation or operation.
웨이퍼의 정렬 검사장치는 웨이퍼의 상면을 기준으로 웨이퍼 등의 정렬상태를 검사하지만, 마킹 대상면은 웨이퍼의 하면(또는 배면)이므로, 마킹위치의 보정을 위한 마킹위치의 틀어짐 또는 편차를 판단하는 과정은 쉽지 않다. 또한, 정렬 검사장치의 카메라의 영상 소자는 레이져 광을 직접 수신할 수 없다.The wafer alignment inspection device inspects the alignment state of the wafer or the like on the basis of the top surface of the wafer, but since the marking target surface is the bottom surface (or back surface) of the wafer, the process of determining the misalignment or deviation of the marking position for correcting the marking position Is not easy. In addition, the imaging device of the camera of the alignment inspection apparatus cannot directly receive the laser light.
따라서, 보다 간편하고 정확하게 웨이퍼 상의 미리 결정된 각각의 마킹위치의 오차를 보정할 수 있는 웨이퍼 마킹장치와 마킹위치의 오차를 판단하기 위하여 웨이퍼 대신 웨이퍼 마킹장치에 장착되는 마킹위치 검사부재(100) 및 상기 마킹위치 검사부재(100)를 사용하여 웨이퍼 마킹장치의 마킹위치를 보정할 수 있는 웨이퍼 마킹장치의 제어방법이 요구된다.Accordingly, the marking
본 발명은 보다 간편하고 정확하게 웨이퍼 상의 미리 결정된 각각의 마킹위치의 오차를 보정할 수 있는 웨이퍼 마킹장치와 마킹위치의 오차를 판단하기 위하여 웨이퍼 대신 웨이퍼 마킹장치에 장착되는 마킹위치 검사부재 및 상기 마킹위치 검사부재를 사용하여 웨이퍼 마킹장치의 마킹위치를 보정할 수 있는 웨이퍼 마킹장치의 제어방법을 제공하는 것을 해결하고자 하는 과제로 한다.The present invention provides a wafer marking device that can more easily and accurately correct an error of each predetermined marking position on a wafer, and a marking position inspection member and a marking position mounted on a wafer marking device instead of a wafer to determine an error of a marking position. An object of the present invention is to provide a method of controlling a wafer marking apparatus capable of correcting a marking position of a wafer marking apparatus using an inspection member.
상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은 레이저 투사유닛을 구비하는 웨이퍼 마킹장치의 마킹위치 보정을 위한 마킹위치 검사부재에 있어서, 복수 개의 검사용 인덱스가 구비된 검사편 및, 마킹대상 웨이퍼와 동일한 면적을 갖으며, 상기 검사편의 하면이 하방으로 노출되도록 장착될 수 있는 개구부가 형성된 웨이퍼 지그를 포함하는 마킹위치 검사부재를 제공한다.In order to solve the above problems, the present invention is a marking position inspection member for correcting the marking position of the wafer marking apparatus having a laser projection unit, the inspection piece provided with a plurality of inspection index, and the same area as the wafer to be marked And a marking position inspection member including a wafer jig having an opening formed thereon, the lower surface of which may be mounted to be exposed downward.
또한, 상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은 마킹 대상 웨이퍼 또는 웨이퍼와 동일한 크기를 갖는 마킹위치 검사부재가 그 사이에 삽입되어 지지되는 상부 지지부재와 하부 지지부재를 포함하는 지지홀더, 상기 지지홀더 상부에서 마킹 대상 웨이퍼 또는 마킹위치 검사부재의 정렬상태를 검사하는 정렬 검사장치, 상기 지지홀더 하부에서 마킹 대상 웨이퍼 또는 마킹위치 검사부재에 레이져를 투사하는 레이져 투사유닛, 상기 레이져 투사유닛에 의한 마킹 품질을 검사하기 위하여 지지홀더의 이송경로 상에 배치되며, 상기 지지홀더 하부에서 마킹 대상 웨이퍼 또는 마킹위치 검사부재의 마킹 상태를 검사는 마킹 검사장치 및, 상기 정렬 검사장치, 상기 레이져 투사유닛 및 상기 마킹 검사장치를 제어하는 제어부를 포함하며, 상기 레이져 투사유닛의 마킹 위치 보정을 위하여 상기 지지홀더에 마킹위치 검사부재가 장착되는 경우, 상기 제어부는 상기 정렬 검사장치를 통해 정렬된 마킹위치 검사부재의 정렬위치와 상기 레이져 투사유닛의 마킹위치의 편차가 발생되는 경우, 상기 편차를 계산하여 표시하거나, 계산된 편차에 따라 상기 레이져 투사유닛에 의한 마킹위치를 보정하는 웨이퍼 마킹장치를 제공한다.In addition, in order to solve the above problems, the present invention is a support holder including an upper support member and a lower support member inserted and supported between the marking target wafer or the marking position inspection member having the same size as the wafer, the support holder Alignment inspection apparatus for inspecting the alignment state of the marking target wafer or marking position inspection member at the upper portion, Laser projection unit for projecting the laser to the marking target wafer or marking position inspection member at the lower support holder, Marking quality by the laser projection unit It is disposed on the transport path of the support holder to inspect the marking inspection device for inspecting the marking state of the wafer or marking position inspection member to be marked under the support holder, the alignment inspection device, the laser projection unit and the marking It includes a control unit for controlling the inspection device, the laser projection unit When the marking position inspection member is mounted on the support holder for correcting the marking position, the control unit is a deviation of the marking position of the marking position inspection member and the marking position of the laser projection unit aligned by the alignment inspection device. The present invention provides a wafer marking apparatus for calculating and displaying the deviation or correcting the marking position by the laser projection unit according to the calculated deviation.
또한, 상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은 레이저 투사유닛을 구비하는 웨이퍼 마킹장치의 제어방법에 있어서, 마킹 대상 웨이퍼와 동일한 형상을 가지며, 미리 결정된 위치에 검사편이 착탈가능하게 장착되는 마킹위치 검사부재를 웨이퍼 마킹장치에 장착하는 마킹위치 검사부재 장착단계, 상기 마킹위치 검사부재의 검사편의 하면에 웨이퍼 마킹장치를 구성하는 레이져 투사유닛에 의하여 검사용 표식을 마킹하는 검사용 표식 마킹단계, 검사용 표식 마킹단계에서 마킹된 검사용 표식을 마킹위치 검사부재의 하부에서 촬영하는 검사용 표식 촬영단계 및, 검사용 표식 촬영단계에서 촬영된 검사용 표식의 위치를 근거로 레이져 투사유닛의 마킹위치의 오차를 판단하는 마킹위치 판단단계;를 포함하는 웨이퍼 마킹장치의 제어방법을 제공한다.In addition, in order to solve the above problems, the present invention provides a method for controlling a wafer marking apparatus having a laser projection unit, the marking position inspection having the same shape as the wafer to be marked and detachably mounted at a predetermined position. Marking position inspection member mounting step for mounting the member to the wafer marking device, inspection marking marking step for marking the inspection mark by the laser projection unit constituting the wafer marking device on the lower surface of the inspection piece of the marking position inspection member, inspection An error in the marking position of the laser projection unit based on the position of the inspection mark photographed at the lower part of the marking position inspection member and the inspection mark photographed at the lower portion of the marking position inspection member. It provides a control method of the wafer marking apparatus comprising a; marking position determination step of determining.
본 발명에 따른 웨이퍼 마캉장치, 마킹위치 검사부재 및 웨이퍼 마킹장치의 제어방법에 의하면, 웨이퍼 마킹장치의 마킹위치를 정밀하게 제어할 수 있다.According to the control method of the wafer marking apparatus, the marking position inspection member, and the wafer marking apparatus according to the present invention, the marking position of the wafer marking apparatus can be precisely controlled.
또한, 본 발명에 따른 웨이퍼 마캉장치, 마킹위치 검사부재 및 웨이퍼 마킹장치의 제어방법에 의하면, 마킹 불량으로 인한 불량품의 발생을 최소화할 수 있다.In addition, according to the control method of the wafer marking device, the marking position inspection member and the wafer marking device according to the present invention, it is possible to minimize the occurrence of defective products due to marking failure.
또한, 본 발명에 따른 웨이퍼 마캉장치, 마킹위치 검사부재 및 웨이퍼 마킹장치의 제어방법에 의하면, 레이져 투사유닛의 마킹위치를 검사하기 위한 마킹위치 검사부재의 촬영을 레이져 투사유닛에 의한 검사 표식의 마킹과정과 분리하여 수행하므로, 레이져 광에 의한 정렬 검사장치의 카메라의 손상을 방지할 수 있다.Further, according to the control method of the wafer marking device, the marking position inspection member and the wafer marking apparatus according to the present invention, the marking of the inspection mark by the laser projection unit is performed by photographing the marking position inspection member for inspecting the marking position of the laser projection unit. Since it is performed separately from the process, it is possible to prevent damage to the camera of the alignment inspection apparatus by the laser light.
또한, 본 발명에 따른 웨이퍼 마캉장치, 마킹위치 검사부재 및 웨이퍼 마킹장치의 제어방법에 의하면, 마킹위치 검사부재를 반복적으로 사용할 수 있으므로, 마킹위치 검사과정의 효율이 향상될 수 있으며, 소요비용을 최소화할 수 있다.In addition, according to the control method of the wafer marking device, the marking position inspection member and the wafer marking apparatus according to the present invention, since the marking position inspection member can be used repeatedly, the efficiency of the marking position inspection process can be improved and the required cost can be improved. It can be minimized.
도 1은 본 발명에 따른 웨이퍼 마킹장치가 구비되는 웨이퍼 마킹 시스템의 평면도를 도시한다.
도 2는 도 1의 웨이퍼 마킹 시스템의 지지홀더에 마킹위치 검사부재가 장착되는 과정을 도시한다.
도 3은 도 1의 웨이퍼 마킹 시스템을 구성하는 웨이퍼 마킹장치의 레이져 투사유닛 및 정렬 검사장치의 측면도를 도시한다.
도 4는 도 1의 웨이퍼 마킹 시스템의 마킹위치 검사부재가 장착된 지지홀더가 마킹 검사장치에 의한 검사과정을 도시한다.
도 5는 본 발명에 따른 마킹위치 검사부재의 하나의 실시예의 웨이퍼 지그 및 검사편이 분리된 상태의 평면도를 도시한다.
도 6은 도 5에 도시된 마킹위치 검사부재의 측면방향 단면도를 도시한다.
도 7은 도 5에 도시된 마킹위치 검사부재의 평면도 및 요부 확대도를 도시한다.
도 8은 본 발명에 따른 마킹위치 검사부재의 다른 실시예의 검사편의 평면도 및 단면도를 도시한다.
도 9는 도 8에 도시된 마킹위치 검사부재의 검사편의 요부의 평면도 및 요부 확대도를 도시한다.
도 10은 본 발명에 따른 웨이퍼 마킹장치의 제어방법의 블록선도를 도시한다.1 shows a plan view of a wafer marking system equipped with a wafer marking apparatus according to the present invention.
FIG. 2 illustrates a process of mounting a marking position inspecting member to a support holder of the wafer marking system of FIG. 1.
FIG. 3 shows a side view of the laser projection unit and the alignment inspection apparatus of the wafer marking apparatus constituting the wafer marking system of FIG. 1.
4 is a diagram illustrating an inspection process by a marking inspection apparatus of a support holder on which a marking position inspection member of the wafer marking system of FIG. 1 is mounted.
Fig. 5 shows a plan view of the wafer jig and the test piece of one embodiment of the marking position checking member according to the present invention in a separated state.
6 is a side cross-sectional view of the marking position inspection member shown in FIG.
7 is a plan view and an enlarged view of main parts of the marking position inspection member shown in FIG.
8 shows a plan view and a cross-sectional view of an inspection piece of another embodiment of the marking position inspection member according to the present invention.
FIG. 9 shows a plan view and enlarged view of the main portion of the main portion of the inspection piece of the marking position inspection member shown in FIG. 8. FIG.
10 shows a block diagram of a control method of a wafer marking apparatus according to the present invention.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명된 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록, 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein but may be embodied in other forms. Rather, the embodiments disclosed herein are provided so that the disclosure can be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. Like numbers refer to like elements throughout.
도 1은 본 발명에 따른 웨이퍼 마킹장치가 구비되는 웨이퍼 마킹 시스템(1000)의 평면도를 도시한다.1 shows a top view of a wafer marking
본 발명에 따른 웨이퍼 마킹장치(3000)는 마킹 대상 웨이퍼 또는 웨이퍼와 동일한 크기를 갖는 마킹위치 검사부재가 그 사이에 삽입되어 지지되는 상부 지지부재와 하부 지지부재를 포함하는 지지홀더(3200), 상기 지지홀더(3200) 상부에서 마킹 대상 웨이퍼 또는 마킹위치 검사부재의 정렬상태를 검사하는 정렬 검사장치(3600), 상기 지지홀더(3200) 하부에서 마킹 대상 웨이퍼 또는 마킹위치 검사부재에 레이져를 투사하는 레이져 투사유닛(3500), 상기 레이져 투사유닛에 의한 마킹 품질을 검사하기 위하여 지지홀더(3200)의 이송경로 상에 배치되며, 상기 지지홀더 하부에서 마킹 대상 웨이퍼 또는 마킹위치 검사부재의 마킹 상태를 검사는 마킹 검사장치(3400) 및, 상기 정렬 검사장치, 상기 레이져 투사유닛 및 상기 마킹 검사장치를 제어하는 제어부(미도시)를 포함하며, 상기 레이져 투사유닛(3500)의 마킹 위치 보정을 위하여 상기 지지홀더(3200)에 마킹위치 검사부재가 장착되는 경우, 상기 제어부는 상기 정렬 검사장치를 통해 정렬된 마킹위치 검사부재의 정렬위치와 상기 레이져 투사유닛의 마킹위치의 편차가 존재하면, 상기 편차를 계산하여 표시하거나, 계산된 편차에 따라 상기 레이져 투사유닛(3500)에 의한 마킹위치를 보정하는 웨이퍼 마킹장치를 제공한다.The
즉, 상기 제어부는 웨이퍼 마킹과정 전에 웨이퍼 대신 마킹위치 검사부재를 웨이퍼 마킹장치에 장착하여, 검사용 표식을 미리 결정된 자리에 마킹되도록 마킹하여, 그 오차에 따라 레이져 투사유닛의 위치 또는 투사방향을 조절하는 방법으로 웨이퍼 마킹장치의 마킹위치를 보정한다.That is, the control unit is mounted to the marking device for the marking position inspection member instead of the wafer before the wafer marking process to mark the inspection marker to be marked at a predetermined position, and adjust the position or projection direction of the laser projection unit according to the error. The marking position of the wafer marking apparatus is corrected.
이 경우, 마킹위치가 자동으로 보정되도록 할 수도 있고, 별도의 디스플레이(미도시) 등을 통하여 마킹위치의 오차를 표시하도록 하여, 작업자에 의하여 직접 마킹위치의 오차를 보정할 수 있도록 할 수 있다.In this case, the marking position may be automatically corrected, or an error of the marking position may be displayed through a separate display (not shown), so that the error of the marking position may be directly corrected by an operator.
상기 웨이퍼 마킹장치(3000)는 지지홀더(3200)에 안착된 웨이퍼가 미리 결정된 정확한 위치에 도달하게 되면, 지지홀더(3200) 하부에 구비되어 상방향으로 레이져를 투사하는 레이져 투사유닛(3500)에 의하여 마킹과정이 수행된다.The
본 발명에 따른 웨이퍼 마킹장치는 웨이퍼 마킹 시스템(1000)을 구성할 수 있으며, 도 1에 도시된 웨이퍼 마킹 시스템(10000)은 마킹 대상 웨이퍼를 공급하는 웨이퍼 공급부(1000), 마킹 완료된 웨이퍼가 반출되는 웨이퍼 반출부(4000), 상기 마킹대상 웨이퍼가 그 사이에 삽입되어 지지되는 상부 플레이트 및 하부 플레이트를 포함하는 웨이퍼 지지홀더(3200), 상기 웨이퍼 마킹장치(3000), 상기 마킹 대상 웨이퍼를 상기 웨이퍼 공급부(1000)에서 웨이퍼 마킹부(3000)로 공급하고, 상기 웨이퍼 마킹부(3000)에서 마킹 완료된 웨이퍼를 웨이퍼 반출부(4000)로 이송하는 적어도 1개 이상의 웨이퍼 이송로봇(5000)을 포함할 수 있다.The wafer marking apparatus according to the present invention may constitute a
상기 웨이퍼 공급부(1000)는 마킹 대상 웨이퍼가 이격된 상태로 적층되어 공급되는 공급부를 의미한다. The
상기 웨이퍼 공급부(1000)에서 공급된 웨이퍼는 예비 정렬부(2000)에서 예비 정렬된 뒤 웨이퍼 마킹장치(3000)로 이송된다.The wafer supplied from the
상기 예비 정렬부(2000)에서 수행되는 웨이퍼의 예비 정렬은 웨이퍼의 종류 등에 따른 대략의 방향성을 일치시키는 과정으로서, 후술하는 웨이퍼 마킹장치(3000)에서 수행되는 정렬 검사와 그 목적에서 구별될 수 있다.The preliminary alignment of the wafers performed by the
상기 예비 정렬부(2000)에서 정렬된 웨이퍼는 웨이퍼 마킹장치(3000)로 이송된다.The wafers aligned in the
상기 웨이퍼 마킹장치(3000)는 마킹 대상 웨이퍼가 그 사이에 삽입되어 지지되는 상부 지지부재(3210)와 하부 지지부재(3260)를 포함하는 지지홀더(3200) 및 상기 지지홀더(3200)에 안착된 웨이퍼의 배면에 미리 결정된 내용을 마킹하는 레이져 투사유닛(3500)를 포함한다.The
지지홀더(3200)에 안착된 웨이퍼가 미리 결정된 정확한 위치에 도달되었는지 여부는 웨이퍼를 지지하는 지지홀더(3200)의 상부에 구비된 정렬 검사장치(3600)를 통해 웨이퍼 상면 등에 표시된 검사용 인덱스의 위치가 미리 결정된 위치에 존재하는지 여부를 촬영하고, 촬영된 정보에 따라 웨이퍼의 장착위치를 수정할 수 있다.Whether the wafer seated on the
그리고, 웨이퍼의 장착위치가 수정되어 웨이퍼의 장착위치가 미리 결정된 위치에 정확하게 배치되었다고 판단되는 경우, 상기 레이져 투사유닛(3500)에 의하여 웨이퍼 또는 마킹위치 검사부재의 마킹작업이 수행될 수 있다.In addition, when it is determined that the mounting position of the wafer is corrected so that the mounting position of the wafer is accurately disposed at a predetermined position, the marking operation of the wafer or the marking position inspection member may be performed by the
상기 정렬 검사장치(3600)에 의한 웨이퍼 정렬상태의 오류가 없음이 확인되어도 레이져 투사유닛(3500)에 의한 웨이퍼 하면의 레이져 광의 도달위치(이하, “마킹위치”라 칭함)가 미리 결정된 위치를 벗어나는 경우, 웨이퍼의 정렬상태와 무관하게 정확하고 정밀한 마킹과정을 담보할 수 없다.Even if it is confirmed that there is no error in the wafer alignment state by the
반도체 소자의 크기가 점점 작아지는 추세에서 마킹과정의 정밀성이 요구되며, 마킹 불량에 의한 불량품의 발생은 비용 또는 공정의 낭비를 크게 할 수 있다.In the trend that the size of the semiconductor device becomes smaller and smaller, the precision of the marking process is required, and the occurrence of defective products due to the defective marking can increase the cost or waste of the process.
따라서, 본 발명에 따른 웨이퍼 마킹장치는 웨이퍼 마킹장치를 구성하는 레이져 투사유닛(3500)의 마킹위치를 보정하기 위한 새로운 방법을 제시한다.Accordingly, the wafer marking apparatus according to the present invention proposes a new method for correcting the marking position of the
본 발명에 따른 웨이퍼 마킹장치는 본격적인 마킹작업이 수행되기 전에 마킹위치 검사부재(100)를 사용하여 레이져 투사유닛(3500)의 마킹위치를 보정하는 방법을 제공한다.The wafer marking apparatus according to the present invention provides a method of correcting the marking position of the
마킹위치 검사부재(100)는 웨이퍼와 동일한 크기를 갖으며 상기 지지홀더에 장착되어 레이져 투사유닛(3500)에 의한 마킹위치가 정확한지를 판단하는 수단으로서 사용될 수 있다. 마킹위치 검사부재(100)에 대한 자세한 설명은 후술한다.The marking
도 2는 도 1의 웨이퍼 마킹 시스템의 지지홀더에 마킹위치 검사부재(100)가 장착되는 과정을 도시한다.2 illustrates a process in which the marking
상기 지지홀더(3200)를 구성하는 하부 지지부재(3260)에 마킹위치 검사부재(100)가 그 배면이 하방을 향하도록 안착되며, 마킹위치 검사부재(100)가 안착되면 상기 지지홀더(3200)를 구성하는 상부 지지부재(3210)가 마킹 대상 웨이퍼의 상면을 가압 지지한다.The marking
이 경우, 상기 지지홀더(3200)를 구성하는 하부 지지부재(3260)가 상승 또는 하강 가능하게 지지홀더(3200)를 구성할 수도 있고, 상기 지지홀더(3200)를 구성하는 상부 지지부재(3210)가 상승 또는 하강하도록 지지홀더(3200)를 구성할 수도 있다.In this case, the
그리고, 상기 지지홀더(3200)를 구성하는 상부 지지부재(3210)는 상기 웨이퍼의 상면의 미리 결정된 영역을 노출시키는 개방구를 구비하며, 상기 지지홀더(3200)를 구성하는 하부 지지부재(3260)는 마킹위치 검사부재(100)의 배면 중 미리 결정된 영역을 노출시키는 개구부를 갖는다. The
상기 지지홀더(3200)는 수평이송장치(3100)에 의하여 미리 결정된 축방향(Y 축방향, 도 1 참조)으로 이송가능하다.The
상기 수평이송장치(3100)는 상기 웨이퍼 마킹장치(3000) 내부에서 마킹위치 검사부재(100)가 수용된 지지홀더(3200)의 위치를 각각의 공정에 따라 수평방향으로 변위시킬 수 있다.The
상기 수평이송장치(3100)는 Y축 방향으로 왕복 이동시키기 위한 Y축 이송장치(도면부호 미도시)와, 상기 Y축 이송장치를 X축 방향으로 이송시키는 X축 이송장치(도면부호 미도시)를 포함할 수 있다.The
전술한 바와 같이, 상기 지지홀더(3200)를 구성하는 하부 지지부재는 웨이퍼의 배면 중 미리 결정된 영역을 노출시키는 개구부를 갖으며, 마킹위치 검사부재(100)가 상기 지지홀더(3200)에 장착된 상태로 수평이송장치(3100)에 의하여 레이져 투사유닛(3500)로 웨이퍼를 이송하면 상기 레이져 투사유닛(3500)은 상기 하부 지지부재의 개구부를 통해 마킹위치 검사부재(100)의 하면을 마킹한다. 마킹과정에 관한 자세한 설명은 후술한다.As described above, the lower support member constituting the
상기 마킹위치 검사부재(100)는 마킹 대상 웨이퍼와 동일한 크기(면적 또는 두께)를 갖는 금속 플레이트 일 수 있다. 즉, 패키징이 완료된 웨이퍼가 아니라 웨이퍼의 마킹 전에 레이져 투사유닛의 정렬상태를 확인하기 위한 테스터이다.The marking
따라서, 상기 지지홀더에 마킹위치 검사부재(100)를 장착한 후에 레이져 투사유닛의 마킹위치가 정확한지 여부를 판단하기 위하여, 먼저 마킹위치 검사부재(100)의 정렬상태가 맞는지 여부를 확인하고, 상기 레이져 투사유닛(3500)을 기준으로 마킹위치 검사부재(100)의 하면에 검사용 표식을 마킹하여, 검사용 표식이 미리 결정된 위치에 마킹되었지 여부로 상기 레이져 투사유닛(3500)의 정렬상태를 확인할 수 있다. 이하, 도 3 이하를 참조하여 구체적인 마킹위치 보정방법을 설명한다.Therefore, in order to determine whether the marking position of the laser projection unit is correct after mounting the marking
도 3은 도 1의 웨이퍼 마킹 시스템을 구성하는 웨이퍼 마킹장치의 레이져 투사유닛 및 정렬 검사장치의 측면도를 도시한다.FIG. 3 shows a side view of the laser projection unit and the alignment inspection apparatus of the wafer marking apparatus constituting the wafer marking system of FIG. 1.
상기 웨이퍼 마킹장치(3000)는 마킹의 정밀도를 향상시키기 위하여 카메라(3610)를 구비하는 정렬 검사장치(3600)를 더 포함할 수 있다. 상기 정렬 검사장치(3600)는 마킹대상 웨이퍼의 정렬상태를 검사하고, 정확한 위치에 마킹이 되도록 하기 위하여 마킹대상 웨이퍼의 정렬상태를 촬영하여 판독하는 장치이다. The
본 발명에 따른 웨이퍼 마킹장치는 레이져 투사유닛(3500)에 의한 마킹위치가 미리 결정된 위치와 일치되는지를 판단하기 위하여, 마킹대상 웨이퍼 대신 마킹위치 검사부재(100)를 웨이퍼 마킹장치에 장착하여, 레이져 투사유닛(3500)에 의한 마킹위치의 오차를 판독한다.In the wafer marking apparatus according to the present invention, in order to determine whether the marking position by the
상기 정렬 검사장치(3600) 역시 웨이퍼 마킹장치와 마찬가지로 반사경을 이용하여 정렬상태 검사를 위한 촬영을 수행할 수 있다.The
전술한 바와 같이, 상기 지지홀더(3200)를 구성하는 상부 지지부재는 상기 마킹위치 검사부재(100)의 상면의 미리 결정된 영역을 노출시키는 개방구를 구비한다.As described above, the upper support member constituting the
상기 마킹위치 검사부재(100)가 장착된 지지홀더(3200)가 상기 정렬 검사장치(3600) 하부로 이송되면, 상기 정렬 검사장치(3600)는 상기 마킹위치 검사부재(100) 전면 중 상기 상부 지지부재의 개방구로 노출된 부분에 구비된 검사용 인덱스의 위치를 촬영하여 그 촬영정보를 바탕으로 마킹위치 검사부재(100)가 마킹대상 웨이퍼와 마찬가지로 정렬상태를 만족하는지 검사할 수 있다.When the
상기 정렬 검사장치(3600)는 마킹대상 웨이퍼의 정렬상태를 검사하는 경우에는 마킹 직전의 웨이퍼의 정렬상태를 판단하는 것이며, 상기 지지홀더(3200)에 마킹대상 웨이퍼 대신 마킹위치 검사부재(100)가 장착된 경우, 마킹위치 검사부재(100)가 미리 결정된 방향 또는 위치에 배치 되었는지를 검사할 수 있다.When the
상기 마킹위치 검사부재(100)의 정렬상태를 확인하고, 정렬상태의 오차가 있다면 이를 보정하는 방법에 의하여 마킹위치 검사부재(100)의 정렬과정이 수행될 수 있다.The alignment process of the marking
상기 정렬 검사장치(3600)는 구비된 카메라(3610)에 의하여 상기 마킹위치 검사부재(100)에 구비된 검사용 인덱스 근방의 영상을 촬영하고, 촬영된 영상을 근거로 수동 또는 자동으로 검사용 인덱스의 위치와 기준위치가 동일해지도록 마킹위치 검사부재(100)의 장착위치를 보정할 수 있다.The
마킹위치 검사부재(100)의 상면을 기준으로 마킹위치 검사부재(100)의 장착위치의 보정이 완료되면, 상기 마킹위치 검사부재(100)의 하면에 마킹위치 검사용 표식을 상기 레이져 투사유닛을 통해 마킹한다.When correction of the mounting position of the marking
상기 마킹위치 검사용 표식은 마킹위치 검사부재(100)에 착탈가능하게 장착되는 검사편의 하면에 마킹된다. 자세한 설명은 뒤로 미룬다.The marking position inspection mark is marked on the bottom surface of the inspection piece detachably mounted to the marking
정리하면, 웨이퍼를 마킹하기 위한 웨이퍼 마킹장치의 레이져 투사유닛에 의한 웨이퍼의 마킹위치의 오차를 보정하기 위하여, 웨이퍼 마킹장치에 웨이퍼 대신 마킹위치 검사부재(100)를 장착하여, 실제 웨이퍼 마킹과정에서 발생될 수 있는 마킹위치의 오차를 수정할 수 있다.In summary, in order to correct an error in the marking position of the wafer by the laser projection unit of the wafer marking apparatus for marking the wafer, the marking
상기 정렬 검사장치(3600)와 상기 레이져 투사유닛(3500)의 위치는 상기 마킹위치 검사부재(100)가 장착된 지지홀더(3200)를 사이에 두고 각각 수직방향으로 상부와 하부에 배치되고, 상기 정렬 검사장치(3600)와 상기 레이져 투사유닛(3500) 사이로 지지홀더(3200)에 지지된 웨이퍼가 이송되어 작업이 수행될 수 있다.Positions of the
그리고, 상기 웨이퍼 마킹장치(3000)는 웨이퍼의 배면의 마킹상태를 검사하기 위한 마킹 검사장치를 더 구비할 수 있다.The
도 4는 도 1의 웨이퍼 마킹 시스템의 마킹위치 검사부재(100)가 장착된 지지홀더가 마킹 검사장치에 의한 검사과정을 도시한다.4 is a diagram illustrating an inspection process of the support holder on which the marking
상기 마킹 검사장치(3400) 역시 상기 정렬 검사장치(3600)와 마찬가지로 카메라를 구비할 수 있다. 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 마킹 검사장치(3400)에 구비된 카메라는 반사경을 구비하지 않고, 수직방향으로 상기 웨이퍼의 배면을 촬영할 수 있다.The marking
상기 카메라에 의하여 촬영된 정보를 바탕으로 웨이퍼의 마킹 상태를 검사하기 위하여 구비된다. 그러나, 웨이퍼 대신 마킹위치 검사부재(100)가 장착되는 경우, 상기 마킹 검사장치(3400)는 웨이퍼의 마킹 상태를 검사하는 것이 아니라, 마킹위치 검사부재(100)의 하면에 마킹된 검사용 표식이 미리 결정된 위치에 마킹되었는지 여부를 검사하게 된다.It is provided to inspect the marking state of the wafer based on the information photographed by the camera. However, when the marking
레이져 투사유닛(3500)에 의하여 마킹된 검사용 표식이 미리 결정된 위치에 마킹되었는지 여부는 마킹위치 검사부재(100)의 하면에 마킹된 검사용 표식의 위치와 마킹위치 검사부재(100)에 구비된 검사용 인덱스의 위치의 일치여부를 통해 판단한다.Whether the inspection mark marked by the
도 3을 참조한 설명에서 마킹위치 검사부재(100)의 장착위치를 보정하는 방법 역시 마킹위치 검사부재(100)에 구비된 검사용 인덱스가 미리 결정된 위치에 도달되었는지 여부를 기준으로 판단하게 된다.In the description with reference to FIG. 3, the method for correcting the mounting position of the marking
또한, 본 발명에 따른 웨이퍼 마캉장치는 레이져 투사유닛의 마킹위치를 검사하기 위한 마킹위치 검사부재의 촬영을 레이져 투사유닛에 의한 검사 표식의 마킹과정과 분리하여 수행하므로, 레이져 광에 의한 정렬 검사장치의 카메라의 손상을 방지할 수 있다.In addition, since the wafer marking apparatus according to the present invention performs the shooting of the marking position inspection member for inspecting the marking position of the laser projection unit separately from the marking process of the inspection mark by the laser projection unit, the alignment inspection apparatus by the laser light. To prevent damage to the camera.
따라서, 마킹위치 검사부재(100)에 구비된 검사용 인덱스는 마킹위치 검사부재(100)의 상면과 하면에서 모두 관찰될 수 있는 형태여야 한다. 이하, 마킹위치 검사부재(100)의 구조에 대하여 도 5 이하를 참조하여 자세하게 설명한다.Therefore, the inspection index provided in the marking
도 5는 본 발명에 따른 마킹위치 검사부재(100)의 하나의 실시예의 웨이퍼 지그 및 검사편이 분리된 상태의 평면도를 도시한다.Figure 5 shows a plan view of the wafer jig and the test piece of the embodiment of the marking
본 발명에 따른 마킹위치 검사부재는 레이저 투사유닛을 구비하는 웨이퍼 마킹장치의 마킹위치 보정을 위한 마킹위치 검사부재에 있어서, 복수 개의 검사용 인덱스가 구비된 검사편(Zt) 및, 마킹대상 웨이퍼와 동일한 면적을 갖으며, 상기 검사편(Zt)의 하면이 하방으로 노출되도록 장착될 수 있는 개구부(Zo)가 형성된 웨이퍼 지그(Wz)를 포함할 수 있다.The marking position inspection member according to the present invention is a marking position inspection member for correcting a marking position of a wafer marking apparatus including a laser projection unit, the inspection piece (Zt) having a plurality of inspection indexes, and a wafer to be marked; It may include a wafer jig Wz having the same area and having an opening Zo formed therein so that the lower surface of the inspection piece Zt may be mounted downwardly.
상기 마킹위치 검사부재(100)는 마킹대상 웨이퍼와 동일한 형상을 갖을 수 있으며, 그 크기 또는 두께 역시 마킹대상 웨이퍼와 동일한 것이 바람직하다.The marking
상기 마킹위치 검사부재(100)는 웨이퍼 형상과 동일한 형상을 갖는 웨이퍼 지그(Wz)와 상기 웨이퍼 지그(Wz)에 착탈가능하게 장착되는 검사편(Zt)을 포함할 수 있다.The marking
상기 웨이퍼 지그(Wz)는 상기 검사편(Zt)의 하면이 하방으로 노출되도록 개구부를 구비할 수 있다. 상기 개구부는 상기 검사편(Zt)과 동일한 형상을 갖을 수 있다.The wafer jig Wz may have an opening so that the lower surface of the inspection piece Zt is exposed downward. The opening may have the same shape as the test piece Zt.
도 5에 도시된 마킹위치 검사부재(100)의 웨이퍼 지그(Wz)는 원판 형태를 갖는 것으로 도시되며, 상기 검사편(Zt)과 상기 개구부는 사각형(또는 정사각형) 형태를 갖는 것으로 도시된다.The wafer jig Wz of the marking
그리고, 상기 검사편(Zt)에는 복수 개의 검사용 인덱스가 구비된다. 상기 검사용 인덱스는 복수 개가 구비된다. 도 5에 도시된 실시예에서, 상기 검사용 인덱스는 검사용 홀(h)이다. 상기 검사용 홀(h)은 원형 형태로 검사편(Zt)의 상면과 하면을 수직하게 관통하여 형성된다. 상기 검사편은 금속재질로 구성될 수 있다.The inspection piece Zt is provided with a plurality of inspection indices. The inspection index is provided with a plurality. In the embodiment shown in Fig. 5, the inspection index is the inspection hole h. The inspection hole h is formed to vertically penetrate the upper and lower surfaces of the inspection piece Zt in a circular shape. The test piece may be made of a metal material.
또한, 상기 검사용 인덱스로서의 복수 개의 검사용 홀(h)은 복수 개의 행과 열을 형성하며 구비될 수 있다. 각각의 행과 열은 서로 평행하며 등간격으로 형성될 수 있다.In addition, the plurality of inspection holes h as the inspection index may be provided to form a plurality of rows and columns. Each row and column may be parallel to each other and may be formed at equal intervals.
상기 검사용 인덱스의 열과 행은 N 행과 N 열을 형성하며, 미리 결정된 간격으로 평행할 수 있으며, 상기 N은 3의 배수일 수 있다. 동일한 검사편에 의한 검사횟수를 최대화하기 위함이다.The columns and rows of the inspection index form N rows and N columns and may be parallel at predetermined intervals, where N may be a multiple of three. This is to maximize the frequency of inspection by the same specimen.
상기 검사용 홀(h)은 마킹위치 검사부재(100)의 장착위치를 보정하는 과정과 마킹위치 검사용 표식의 마킹하는 과정에서 기준위치가 되므로, 상기 검사용 인덱스로서의 복수 개의 검사용 홀(h)을 형성하여 마킹위치 검사부재(100)의 상면과 하면에서 관찰될 수 있도록 구성한다.The inspection hole h becomes a reference position in the process of correcting the mounting position of the marking
그리고, 마킹위치 검사용 표식의 마킹하는 과정에서 복수 개의 검사용 홀(h)이 동시에 마킹위치의 오차를 판단하기 위한 기준으로 사용될 수 있다. 특정 검사용 홀(h)의 위치가 후술하는 검사용 표식의 위치와 일치하여도 마킹위치의 오차를 정확하게 판단하기 위해서는 복수 개의 검사용 홀(h)을 사용하는 것이 바람직하기 때문이다. 또한, 상기 검사편(Zt)에는 1회 검사에 사용되는 검사용 홀(h)의 개수보다 많은 수의 검사용 홀(h)이 형성될 수 있으며, 이는 하나의 검사편(Zt)에 의하여 복수 회의 검사과정이 수행될 수 있음을 의미하는 것이다.In the process of marking the marking position inspection mark, a plurality of inspection holes h may be used as a reference for determining an error of the marking position at the same time. This is because it is preferable to use a plurality of inspection holes h in order to accurately determine the error of the marking position even when the position of the specific inspection hole h coincides with the position of the inspection mark described later. In addition, a larger number of inspection holes h may be formed in the inspection piece Zt than the number of inspection holes h used for one inspection, which is determined by one inspection piece Zt. This means that the conference inspection process can be carried out.
예를 들어, 한번의 마킹위치의 검사과정에서 3개의 검사홀이 사용된다면 도 5에 도시된 마킹위치 검사부재(100)의 검사편(Zt)은 총 12회(3개*12회=36개)의 검사과정을 수행할 수 있다.For example, if three inspection holes are used in the inspection process of one marking position, the inspection pieces Zt of the marking
도 6은 도 5에 도시된 마킹위치 검사부재(100)의 측면방향 단면도를 도시한다.6 is a side cross-sectional view of the marking
도 6에서 2가지 서로 다른 웨이퍼 지그를 구비하는 마킹위치 검사부재(100)가 도시된다.In FIG. 6, a marking
도 6에 도시된 실시예에서, 상기 검사편은 웨이퍼 지그에 형성된 개구부에 장착된다. 상기 개구부를 통해 상기 검사편의 하면이 하방으로 노출되도록 장착될 수 있다.In the embodiment shown in Fig. 6, the test piece is mounted in an opening formed in the wafer jig. The lower surface of the test piece may be mounted to be exposed downward through the opening.
따라서, 상기 검사편(Zt)을 장착하기 위한 개구부(Zo)에 각각 걸림턱(Zs)이 구비될 수 있다. 상기 걸림턱(Zs)에 의하여 상기 검사편(Zt)의 테두리가 지지되도록 하여 상기 검사편(Zt)이 상기 웨이퍼 지그(Wz)에 장착된 상태를 유지할 수 있도록 할 수 있다. 이하의 설명에서 웨이퍼 지그(Wz)의 두께는 마킹대상 웨이퍼의 두께와 일치되는 것으로 가정한다.Therefore, the locking jaws Zs may be provided in the openings Zo for mounting the test pieces Zt, respectively. The edge of the test piece Zt is supported by the locking step Zs to maintain the test piece Zt mounted on the wafer jig Wz. In the following description, it is assumed that the thickness of the wafer jig Wz coincides with the thickness of the wafer to be marked.
상기 검사편(Zt)의 상면은 마킹위치 검사부재(100)의 장착위치를 판단하기 위하여 정렬 검사장치에 의하여 촬영되며, 정렬 검사장치를 구성하는 카메라의 초첨거리에 배치되어야 한다.The upper surface of the inspection piece Zt is photographed by the alignment inspection device to determine the mounting position of the marking
상기 검사편을 지지하기 위하여, 상기 웨이퍼 지그의 개구부 내측면에 수평방향으로 돌출된 걸림턱이 구비될 수 있다.In order to support the inspection piece, a locking projection protruding in the horizontal direction may be provided on an inner surface of the opening of the wafer jig.
도 6(a)에 도시된 실시예에서, 상기 걸림턱(Zs)은 상기 개구부(Zo)의 내측면에서 수직방향으로 돌출되는 실시예가 도시된다. 상기 웨이퍼 지그(Wz)의 두께를 t이고, 상기 걸림턱(Zs)의 두께가 t2이고 상기 개구부의 측면 두께가 t1이면, 상기 검사편(Zt)의 두께를 t1(t>t1)으로 하면, 상기 검사편(Zt)이 상기 웨이퍼 지그(Wz)에 장착된 상태에서 상기 검사편(Zt)의 상면은 상기 웨이퍼 지그(Wz)의 상면과 동일한 높이를 갖게 된다.In the embodiment illustrated in FIG. 6A, the locking jaw Zs is shown to protrude in the vertical direction from the inner surface of the opening Zo. When the thickness of the wafer jig Wz is t, the thickness of the locking step Zs is t2, and the side surface thickness of the opening is t1, the thickness of the test piece Zt is t1 (t> t1). In the state in which the test piece Zt is mounted on the wafer jig Wz, the upper surface of the test piece Zt has the same height as the upper surface of the wafer jig Wz.
따라서, 마킹위치 검사부재(100)의 장착위치를 정렬하는 단계에서 정렬 검사장치의 카메라의 초점거리 상에 검사편(Zt)의 상면이 배치될 수 있으므로 마킹위치 검사부재(100)의 장착위치의 정렬을 용이하게 한다.Therefore, the upper surface of the inspection piece Zt may be disposed on the focal length of the camera of the alignment inspection device in the step of aligning the mounting position of the marking
상기 검사편(Zt)의 하면은 상기 검사편(Zt)에 마킹된 검사용 표식와 검사용 인덱스의 위치를 비교 및 판단하기 위하여 마킹 검사장치에 의하여 촬영되며, 정렬 검사장치를 구성하는 카메라의 초첨거리에 배치되어야 할 필요가 있다.The lower surface of the inspection piece Zt is photographed by a marking inspection device to compare and determine the position of the inspection mark and the inspection index marked on the inspection piece Zt, and the ultra-short distance of the camera constituting the alignment inspection device. It needs to be placed in.
그러나, 도 6(a)에 도시된 실시예에서, 상기 검사편(Zt)의 하면은 걸림턱(Zs)의 두께 t2 만큼 웨이퍼 지그(Wz)의 하면과 두께가 차이나므로, 실제의 마킹 대상 웨이퍼와 비교하는 경우, 레이져 마킹의 초점거리의 편차가 발생될 수 있다.However, in the embodiment shown in Fig. 6A, the lower surface of the inspection piece Zt is different from the lower surface of the wafer jig Wz by the thickness t2 of the locking step Zs, so that the actual marking target wafer In comparison with, a deviation in the focal length of the laser marking may occur.
따라서, 상기 검사편을 지지하기 위하여, 상기 웨이퍼 지그의 개구부 테두리 하면에 수평방향으로 돌출된 걸림턱이 구비될 수 있다.Therefore, in order to support the inspection piece, a locking projection protruding in the horizontal direction may be provided on a lower surface of the edge of the opening of the wafer jig.
도 6(b)에 도시된 실시예의 웨이퍼 지그(Wz')의 개구부에 구비되는 걸림턱(Zs')은 상기 개구부의 측면에 구비되지 않고, 상기 개구부(Zo')의 테두리 하단에 수평방향으로 구비된다.The latching jaw Zs' provided in the opening of the wafer jig Wz 'of the embodiment shown in FIG. 6 (b) is not provided at the side of the opening, but is disposed in the horizontal direction at the lower end of the edge of the opening Zo'. It is provided.
웨이퍼 지그(Wz)의 두께 t'와 개구부 내측면의 두께 t1'가 동일하게 할 수 있으므로, 웨이퍼 지그(Wz') 하면의 높이와 검사편(Zt')의 하면의 높이를 일치시킬 수 있으므로, 마킹위치 뿐만 아니라 마킹과정에서의 레이져 투사유닛의 초점거리가 맞는지 여부까지 함께 검사할 수 있다.Since the thickness t 'of the wafer jig Wz and the thickness t1' of the inner side of the opening can be made the same, the height of the lower surface of the wafer jig Wz 'and the height of the lower surface of the inspection piece Zt' can be matched. Not only the marking position but also whether the focal length of the laser projection unit in the marking process is correct can be checked together.
따라서, 도 6(b)에 도시된 바와 같이, 각종 초점거리를 일치시키기 위해서, 상기 검사편(Zt)의 두께와 상기 웨이퍼 지그(Wz)의 두께는 일치되도록 하고, 검사편의 상면의 높이가 웨이퍼 지그의 상면의 높이와 일치되도록 구성하는 것이 바람직하다.Therefore, as shown in Fig. 6 (b), in order to match various focal lengths, the thickness of the test piece Zt and the thickness of the wafer jig Wz are matched, and the height of the upper surface of the test piece is the wafer. It is preferable to comprise so that it may correspond with the height of the upper surface of a jig | tool.
도 6에 도시된 실시예에서, 각각의 실시예는 상기 검사편이 상기 웨이퍼 지그의 개구부에 장착된 경우, 상기 검사편의 상면과 상기 웨이퍼 지그의 상면의 높이는 동일할 수 있으며, 상기 검사편의 두께와 상기 웨이퍼 지그의 두께는 동일할 수 있다.In the embodiment shown in Figure 6, each embodiment is the height of the upper surface of the test piece and the upper surface of the wafer jig when the test piece is mounted in the opening of the wafer jig, the thickness of the test piece and the The thickness of the wafer jig may be the same.
도 7은 도 5에 도시된 마킹위치 검사부재(100)의 평면도 및 요부 확대도를 도시한다.FIG. 7 illustrates a plan view and enlarged view of main parts of the marking
도 7에 도시된 마킹위치 검사부재(100)의 검사편(Zt)에 구바된 검사용 인덱스는 검사용 홀(h)이다. 따라서, 상기 레이져 투사유닛(3500)에 의하여 검사용 표식이 마킹되는 경우, 검사용 홀(h)에는 별도의 표식이 남지 않을 수 있다.The inspection index, which is hooked on the inspection piece Zt of the marking
그러나, 검사용 표식은 “╀” 형태를 갖을 수 있으므로, 각각의 검사용 표식의 중심이 대략 어디에 위치하는지 계산할 수 있다.However, the inspection markers may have a “╀” shape, so that the approximate location of the center of each inspection marker can be calculated.
또한, 각각의 검사용 홀(h)의 중심의 위치 역시 계산될 수 있으므로, 상기 마킹 검사장치에 의하여 촬영된 영상에서 검사용 홀(h)의 중심(c1, c2, c3)과 검사용 표식의 중심 사이의 거리(d1,d2,d3)가 각각 계산될 수 있다.In addition, since the position of the center of each inspection hole (h) can also be calculated, the center of the inspection hole (h) (c1, c2, c3) in the image taken by the marking inspection device of the inspection mark The distances d1, d2, d3 between the centers can be calculated respectively.
상기 레이져 투사유닛(3500)에 의하여 마킹되는 검사용 표식은 상기 검사편(Zt)에 구비된 각각의 검사용 인덱스(검사용 홀(h))을 타겟으로 할 수 있다. 즉, 각각의 검사용 인덱스를 겨냥하여 검사용 표식이 마킹되도록 하여, 검사용 표식과 검사용 인덱스의 거리 편차가 발생되면, 레이져 투사유닛의 세팅이 정렬 검사장치의 정렬기준과 불일치 하는 것으로 해석할 수 있다.The inspection mark marked by the
상기 마킹위치 검사부재(100)는 마킹위치 검사부재(100)의 장착위치를 정렬하는 전술한 과정에서, 미리 결정된 위치로 설치위치가 보정된 상태이다.The marking
즉, 레이져 투사유닛 자체의 기계적인 오차가 없다면, 검사용 홀(h)의 중심과 검사용 표식의 중심은 정확하게 일치할 수 있다. 레이져 투사유닛은 웨이퍼 마킹장치의 제어부에 의하여 각각의 검사용 홀(h)의 중심과 검사용 표식의 중심(c1, c2, c3)이 일치되도록 검사편(Zt)의 하면에 마킹하도록 레이져 투사유닛을 제어되었기 때문이다.That is, if there is no mechanical error of the laser projection unit itself, the center of the inspection hole (h) and the center of the inspection mark may be exactly coincident. The laser projection unit is marked by the control unit of the wafer marking apparatus so that the center of each inspection hole h and the center of inspection marks c1, c2, and c3 coincide with each other on the lower surface of the inspection specimen Zt. Because it was controlled.
그러나, 각각의 검사용 홀(h)의 중심과 검사용 표식의 중심 사이의 거리(d1, d2,d3)가 발생되었다는 것은 정렬 검사장치에 의한 정렬과정과 무관하게 정렬과정의 기준위치를 정확하게 마킹하도록 레이져 투사유닛이 세팅되지 않았음을 의미하는 것이다.However, the fact that the distances d1, d2, d3 between the center of each inspection hole h and the center of the inspection mark has been generated accurately marks the reference position of the alignment process regardless of the alignment process by the alignment inspection device. This means that the laser projection unit is not set.
따라서, 상기 마킹 검사장치에 의하여 촬영된 정보를 바탕으로 각각의 검사용 홀(h)의 중심과 검사용 표식의 중심이 일치되도록 상기 레이저 투사유닛의 위치 또는 상기 레이저 투사유닛을 구성하는 갈바노 스케너 또는 f-세타 렌즈를 조절하여 마킹위치를 보정할 수 있다.Therefore, based on the information photographed by the marking inspection apparatus, the center of each inspection hole h and the center of the inspection mark coincide with the position of the laser projection unit or the galvano scanner constituting the laser projection unit. Alternatively, the marking position can be corrected by adjusting the f-theta lens.
복수 개의 검사용 인덱스가 구비되는 마킹위치 검사부재에 의하면, 단일의 마킹위치 검사부재를 복수 회의 검사과정에서 반복적으로 사용할 수 있으므로, 마킹위치 검사과정의 효율이 향상될 수 있으며, 소요비용을 최소화할 수 있다.According to the marking position inspection member having a plurality of inspection indexes, since a single marking position inspection member can be repeatedly used in a plurality of inspection processes, the marking position inspection process can be improved in efficiency and the required cost can be minimized. Can be.
도 8은 본 발명에 따른 마킹위치 검사부재(100)의 다른 실시예의 검사편(Zt")의 평면도 및 단면도를 도시한다.8 shows a plan view and a cross-sectional view of an inspection piece Zt ″ of another embodiment of the marking
도 8에 도시된 실시예에서, 상기 검사편(Zt")은 광투과성 재질일 수 있다. 예를 들어, 유리 재질 또는 수지재질로 구성될 수 있다. 또한, 상기 검사편(Zt")에는 검사용 인덱스로서 검사용 홀(h)이 아닌 복수 개의 검사용 스팟(e)이 구비될 수 있다. 검사용 스팟(e)은 예를 들면, 표면이 에칭 또는 인쇄(또는 부착)된 영역일 수 있다. 상기 검사용 스팟(e)은 광투과성 재질의 상면과 하면에서 모두 관찰될 수 있을 정도여야 한다. 상기 정렬 검사장치와 상기 마킹 검사장치의 촬영시 비교 기준이기 때문이다.In the embodiment illustrated in FIG. 8, the test piece Zt ″ may be a light transmissive material. For example, the test piece Zt ″ may be formed of a glass material or a resin material. As the index for the inspection, a plurality of inspection spots e may be provided instead of the inspection holes h. The inspection spot e may be, for example, an area where the surface is etched or printed (or attached). The inspection spot (e) should be enough to be observed on both the upper and lower surfaces of the light transmissive material. This is because it is a comparison standard when the alignment inspection apparatus and the marking inspection apparatus are photographed.
즉, 에칭 또는 마킹되어도 마킹위치 검사부재(100)의 상부에 구비된 정렬 검사장치 및 마킹위치 검사부재(100)의 하부에 구비된 마킹 검사장치에 의하여 모두 광학적 촬영이 가능하여, 마킹위치 검사부재(100)의 정렬과정 및 마킹위치 보정과정에서 모두 관찰될 수 있으면 된다.That is, even if it is etched or marked, both of the alignment inspection apparatus provided at the upper portion of the marking
도 8에 도시된 마킹위치 검사부재(100)는 도 8(b)에 도시된 바와 같이, 하면에 광투과성 재질의 시트지(S)가 부착될 수 있다. 상기 시트지(S)는 레이져 투사유닛에 의하여 마킹되는 검사용 표식이 마킹되기 위한 구성이다. 유리 등으로 검사용 표식을 구성하는 경우, 레이져에 의한 검사용 표식의 마킹가 불가능할 수 있기 때문이다.As shown in FIG. 8B, the marking
상기 시트지(S) 역시 광투과성 재질로 구성될 수 있으며, 레이져 투사유닛에 의하여 검사용 표식이 마킹된 후에 마킹 검사장치에 의하여 촬영시 검사용 표식과 함께 검사용 스팟이 모두 관찰될 수 있다.The sheet S may also be made of a light transmissive material, and after inspection marks are marked by a laser projection unit, all inspection spots may be observed together with inspection marks when photographing by a marking inspection apparatus.
상기 검사편(Zt)을 아크릴 등의 수지재질로 구성하는 경우, 레이져 투사유닛에 의한 검사용 표식의 마킹가 가능하므로 상기 시트지(S)의 부착은 생략될 수 있다.When the inspection piece Zt is formed of a resin material such as acrylic, the marking for inspection by the laser projection unit can be marked, and thus the attachment of the sheet S may be omitted.
상기 시트지가 부착되는 경우에는 검사편(Zt) 자체는 새로운 시트지(S)를 교환하면 계속 사용할 수 있다.In the case where the sheet paper is attached, the test piece Zt itself can be used continuously when the new sheet paper S is replaced.
도 9는 도 8에 도시된 마킹위치 검사부재(100)의 검사편(Zt)의 요부의 평면도 및 요부 확대도를 도시한다.FIG. 9 shows a plan view and enlarged views of the main parts of the inspection piece Zt of the marking
도 7을 참조한 설명과 중복된 설명은 생략하고, 차이점을 중심으로 설명한다.Descriptions duplicated with the description with reference to FIG. 7 will be omitted and the description will be mainly focused on differences.
도 9에 도시된 실시예에서, 상기 검사편(Zt)의 하면에 마킹되는 검사용 표식의 형상은 검사용 인덱스가 검사용 홀(h)이 아니므로, “╀” 형태를 갖을 필요가 없으며, 검사용 스팟(e1, e2, e3)의 중심(c1, c2, c3)을 겨냥한 점의 형태를 갖을 수 있다. 따라서, 검사용 표식(p1, p2, p3)을 마킹하기 위한 마킹과정의 효율이 향상될 수 있다.In the embodiment shown in FIG. 9, the shape of the inspection mark marked on the lower surface of the inspection piece Zt does not need to have a “╀” shape because the inspection index is not the inspection hole h. It may have the form of a point aimed at the center (c1, c2, c3) of the inspection spot (e1, e2, e3). Therefore, the efficiency of the marking process for marking the inspection marks p1, p2, and p3 can be improved.
각각의 검사용 스팟의 중심과 대응되는 검사용 표식 사이의 각각의 거리(d1, d2, d3)를 계산하여, 레이져 투사유닛을 구성하는 갈바노 스케너 또는 f-세타 렌즈를 조절하여 레이져 투사유닛의 마킹위치를 보정할 수 있음은 도 7을 참조한 실시예와 동일하다.Each distance d1, d2, d3 between the center of each inspection spot and the corresponding inspection mark is calculated and the galvano scanner or f-theta lens constituting the laser projection unit is adjusted to adjust the laser projection unit. The marking position can be corrected as in the embodiment with reference to FIG. 7.
도 10은 본 발명에 따른 웨이퍼 마킹장치의 제어방법의 블록선도를 도시한다.10 shows a block diagram of a control method of a wafer marking apparatus according to the present invention.
본 발명은 레이저 투사유닛을 구비하는 웨이퍼 마킹장치의 제어방법에 있어서, 마킹 대상 웨이퍼와 동일한 형상을 가지며, 미리 결정된 위치에 검사편이 착탈가능하게 장착되는 마킹위치 검사부재를 웨이퍼 마킹장치에 장착하는 마킹위치 검사부재 장착단계(S100), 상기 마킹위치 검사부재의 검사편의 하면에 웨이퍼 마킹장치를 구성하는 레이져 투사유닛에 의하여 검사용 표식을 마킹하는 검사용 표식 마킹단계(S300), 검사용 표식 마킹단계(S300)에서 마킹된 검사용 표식을 마킹위치 검사부재의 하부에서 촬영하는 검사용 표식 촬영단계(S400) 및 검사용 표식 촬영단계(S400)에서 촬영된 검사용 표식의 위치를 근거로 레이져 투사유닛의 마킹위치의 오차를 판단하는 마킹위치 판단단계(S500)를 포함하는 웨이퍼 마킹장치의 제어방법을 제공한다.In the method of controlling a wafer marking apparatus having a laser projection unit, the present invention provides a marking for mounting a marking position inspection member on a wafer marking apparatus, wherein the marking position inspection member has the same shape as the wafer to be marked and is detachably mounted at a predetermined position. Position inspection member mounting step (S100), the inspection marking marking step (S300), the inspection marking marking step for marking the inspection mark by the laser projection unit constituting the wafer marking device on the lower surface of the inspection piece of the marking position inspection member The laser marking unit based on the position of the inspection mark photographed in the inspection mark photographing step (S400) and the inspection mark photographing step (S400) of photographing the inspection mark marked at (S300) at the lower portion of the marking position inspection member. It provides a control method of a wafer marking apparatus comprising a marking position determination step (S500) for determining the error of the marking position.
본 발명에 따른 웨이퍼 마킹장치의 제어방법은 본 발명에 따른 전술한 마킹위치 검사부재 및 마킹위치 검사부재가 장착되는 웨이퍼 마킹장치를 사용하여 레이져 투사유닛의 마킹위치를 정밀하게 보정할 수 있다.The control method of the wafer marking apparatus according to the present invention can precisely correct the marking position of the laser projection unit by using the wafer marking apparatus to which the above-described marking position inspection member and the marking position inspection member are mounted.
그리고, 상기 마킹위치 검사부재 장착단계(S100) 후 상기 마킹위치 검사부재(100)의 장착위치를 정렬하는 마킹위치 검사부재 정렬단계(S200)를 더 포함할 수 있다. 마킹위치 검사부재의 장착과정에서 마킹위치 검사부재의 장착위치의 정확성을 담보할 수 없을 경우, 마킹위치 검사부재 정렬단계(S200)를 추가적으로 수행하여, 레이져 투사유닛의 마킹위치의 오차를 판단하는 전제의 오류를 최소화할 수 있다.Further, the method may further include a marking position inspection member alignment step S200 for aligning the mounting position of the marking
그리고, 전술한 바와 같이, 상기 마킹위치 검사부재 정렬단계(S200)는 카메라를 구비하는 정렬 검사장치에 의하여 상기 검사용 인덱스가 촬영되는 과정(S210)을 포함하며, 상기 마킹위치 검사부재 정렬단계(S200)는 상기 마킹위치 검사부재에 장착된 검사편(Zt)에 구비된 검사용 인덱스의 위치가 미리 결정된 위치에 위치되도록 마킹위치 검사부재를 정렬(S220)하는 방법으로 수행될 수 있다.And, as described above, the marking position inspection member alignment step (S200) includes the step of photographing the inspection index by the alignment inspection device having a camera (S210), the marking position inspection member alignment step ( S200 may be performed by aligning the marking position inspection member (S220) such that the position of the inspection index provided on the inspection piece Zt mounted on the marking position inspection member is positioned at a predetermined position.
상기 마킹위치 검사부재 정렬단계(S200) 후 상기 검사용 표식 마킹단계(S300)가 수행될 수 있다.After the marking position inspection member alignment step (S200), the inspection marking marking step (S300) may be performed.
상기 검사용 표식 마킹단계(S300)는 상기 검사편(Zt)의 하면에 복수 개의 지점에 검사용 표식을 표시하는 방법으로 수행될 수 있다.The inspection marking marking step S300 may be performed by displaying inspection markers on a plurality of points on the lower surface of the inspection piece Zt.
구체적으로 상기 검사용 표식 마킹단계(S300)는 상기 검사편에 형성된 복수 개의 검사용 인덱스의 중심과 상기 검사용 표식 또는 검사용 표식의 중심이 일치되도록 레이져 투사유닛에서 상기 검사편의 하면으로 레이져를 투사하는 방법으로 수행될 수 있다. 여기서, 상기 검사용 표식 마킹단계(S300)는 도 7 및 도 9를 참조한 설명에서 기술된 바와 같이, 3개의 검사용 인덱스의 하면에 각각 검사용 표식을 마킹할 수 있다.Specifically, the marking marking step (S300) is to project the laser from the laser projection unit to the lower surface of the inspection piece so that the center of the plurality of inspection index formed on the inspection piece and the center of the inspection mark or inspection mark coincide. It can be carried out in a way. Here, the inspection marking marking step (S300), as described in the description with reference to Figures 7 and 9, it is possible to mark the inspection markers on the lower surface of the three inspection indexes, respectively.
그리고, 상기 검사용 표식 마킹단계(S300)에서 상기 레이져 투사유닛은 검사용 표식이 "╀" 형태를 갖도록 마킹할 수 있다. 상기 검사용 인덱스가 검사용 홀인 경우, 홀을 관통하는 영역에는 마킹되지 않으므로, 검사용 인덱스의 중심의 위치를 용이하게 계산되도록 하기 위함이다. 여기서, 검사용 표식의 중심은 "╀" 형태의 검사용 표식을 구성하는 수직선과 수평선이 교차되는 지점이다.In addition, the laser marking unit in the inspection marking marking step (S300) can be marked so that the inspection marker has a "╀" form. In the case where the inspection index is an inspection hole, the marking index is not marked in an area penetrating the hole, so that the position of the center of the inspection index can be easily calculated. Here, the center of the inspection mark is a point where the vertical line and the horizontal line constituting the inspection mark in the form of "╀" cross each other.
그리고, 상기 검사용 표식 촬영단계(S400)는 마킹 검사장치의 카메라에 의해 상기 마킹위치 검사부재(100)의 검사편(Zt)의 하면을 촬영(S420)하는 방법으로 될 수 있으며, 상기 검사용 표식 촬영단계(S400)는 상기 검사용 표식 마킹단계(S300) 후 마킹위치 검사부재(100)를 상기 마킹 검사장치의 상부로 이송(S410)시킨 뒤 수행될 수 있다.In addition, the inspection mark photographing step (S400) may be a method of photographing the lower surface of the inspection piece (Zt) of the marking
그리고, 전술한 바와 같이, 상기 마킹위치 판단단계(S500)는 각각의 검사용 인덱스의 중심과 상기 검사용 표식 또는 검사용 표식의 중심 간의 거리를 측정하는 방법으로 수행될 수 있다.As described above, the marking position determining step S500 may be performed by measuring a distance between the center of each inspection index and the center of the inspection mark or inspection mark.
또한, 상기 마킹위치 판단단계(S500)에서 판단된 마킹위치를 조절하기 위하여 레이저 투사유닛의 마킹위치를 보정하는 마킹위치 보정단계(S600)를 더 포함할 수 있다. 상기 마킹위치 보정단계(S600)는 상기 마킹위치 판단단계(S500)의 결과를 근거로 자동으로 보정되도록 웨이퍼 마킹장치를 구성할 수도 있고, 수작업으로 이를 보정하는 것도 가능하다.The method may further include a marking position correction step S600 for correcting the marking position of the laser projection unit in order to adjust the marking position determined in the marking position determination step S500. In the marking position correcting step S600, the wafer marking apparatus may be configured to be automatically corrected based on the result of the marking position determining step S500, or it may be manually corrected.
구체적으로 상기 마킹위치 보정단계(S600)는 상기 마킹위치 검사부재에 장착된 검사편(Zt)에 형성된 복수 개의 검사용 홀의 중심과 상기 검사용 표식의 중심이 일치되도록 상기 레이져 투사유닛의 위치 또는 상기 레이저 투사유닛을 구성하는 갈바노 스케너 또는 f-세타 렌즈를 조절하는 방법으로 수행될 수 있음은 전술한 바와 같다.Specifically, the marking position correction step (S600) is the position or the position of the laser projection unit so that the center of the plurality of inspection holes formed in the inspection piece (Zt) mounted on the marking position inspection member and the center of the inspection mark to match. As described above, the method may be performed by adjusting the galvano scanner or the f-theta lens constituting the laser projection unit.
본 명세서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 당업자는 이하에서 서술하는 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경 실시할 수 있을 것이다. 그러므로 변형된 실시가 기본적으로 본 발명의 특허청구범위의 구성요소를 포함한다면 모두 본 발명의 기술적 범주에 포함된다고 보아야 한다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to preferred embodiments thereof, it will be understood by those skilled in the art that various changes and modifications may be made without departing from the spirit and scope of the invention as defined in the following claims. . It is therefore to be understood that the modified embodiments are included in the technical scope of the present invention if they basically include elements of the claims of the present invention.
100 : 마킹위치 검사부재
1000 : 웨이퍼 공급부 2000 : 예비 정렬부
3000 : 웨이퍼 마킹장치 3100 : 수평이송장치
3200 : 지지홀더 3210 : 상부 지지부재
3260 : 하부 지지부재 3300 : 웨이퍼 변위장치
3400 : 마킹 검사장치 3500 : 레이져 투사유닛
3600 : 정렬 검사장치 4000 : 웨이퍼 반출부
5000 : 웨이퍼 이송로봇 10000 : 웨이퍼 마킹 시스템100: marking position inspection member
1000: wafer supply part 2000: preliminary alignment part
3000: Wafer marking device 3100: Horizontal transfer device
3200: support holder 3210: upper support member
3260: lower support member 3300: wafer displacement device
3400: marking inspection device 3500: laser projection unit
3600: alignment inspection device 4000: wafer carrying part
5000: Wafer Transfer Robot 10000: Wafer Marking System
Claims (34)
복수 개의 검사용 인덱스가 구비된 검사편; 및,
마킹대상 웨이퍼와 동일한 면적을 갖으며, 상기 검사편의 하면이 하방으로 노출되도록 장착될 수 있는 개구부가 형성된 웨이퍼 지그;를 포함하는 마킹위치 검사부재.In the marking position inspection member for correcting the marking position of the wafer marking device having a laser projection unit,
An inspection piece having a plurality of inspection indices; And,
And a wafer jig having the same area as the wafer to be marked and having an opening to be mounted such that the lower surface of the test piece is exposed downward.
상기 검사편은 사각형 형태를 갖으며, 상기 검사용 인덱스는 복수 개의 열과 행을 형성하도록 구비되는 것을 특징으로 하는 마킹위치 검사부재.The method of claim 1,
The inspection piece has a rectangular shape, the inspection index is a marking position inspection member, characterized in that it is provided to form a plurality of columns and rows.
상기 검사용 인덱스의 열과 행은 N 행과 N 열을 형성하며, 미리 결정된 간격으로 평행한 것을 특징으로 하는 마킹위치 검사부재.The method of claim 2,
Marking position inspection member, characterized in that the column and the row of the index for inspection forms N rows and N columns, and parallel to a predetermined interval.
상기 N은 3의 배수인 것을 특징으로 하는 마킹위치 검사부재.The method of claim 3,
Marking position inspection member, characterized in that N is a multiple of three.
상기 검사용 인덱스는 상기 검사편의 상면과 하면을 관통하는 검사용 홀인 것을 특징으로 하는 마킹위치 검사부재.The method of claim 1,
The inspection index is a marking position inspection member, characterized in that the inspection hole penetrating the upper and lower surfaces of the inspection piece.
상기 검사편은 금속재질로 구성되며, 상기 검사용 홀은 상기 검사편의 상면과 하면을 수직으로 관통하는 원형 홀인 것을 특징으로 하는 마킹위치 검사부재.The method of claim 1,
The inspection piece is made of a metal material, the inspection hole is a marking position inspection member, characterized in that the circular hole penetrating vertically through the upper and lower surfaces of the inspection piece.
상기 검사편은 광투과성 재질이며, 상기 검사용 인덱스는 상기 검사편의 상면 또는 하면에 구비된 복수 개의 검사용 스팟인 것을 특징으로 하는 마킹위치 검사부재.The method of claim 1,
The inspection piece is a light-transmissive material, the inspection index is a marking position inspection member, characterized in that the plurality of inspection spots provided on the upper or lower surface of the inspection piece.
상기 검사용 스팟은 상기 검사편의 상면 또는 하면에 식각, 마킹 또는 부착되는 원형 스팟인 것을 특징으로 하는 마킹위치 검사부재.The method of claim 7, wherein
The inspection spot is a marking position inspection member, characterized in that the circular spot which is etched, marked or attached to the upper or lower surface of the test piece.
상기 검사편은 상기 유리재질 또는 수지재질인 것을 특징으로 하는 마킹위치 검사부재.The method of claim 7, wherein
The inspection piece is a marking position inspection member, characterized in that the glass material or resin material.
상기 검사편 하면에 광투과성 재질의 시트지가 부착되는 것을 특징으로 하는 마킹위치 검사부재.The method of claim 7, wherein
Marking position inspection member, characterized in that the sheet of light transmissive material is attached to the lower surface of the inspection piece.
상기 검사편을 지지하기 위하여, 상기 웨이퍼 지그의 개구부 내측면에 수평방향으로 돌출된 걸림턱이 구비되는 것을 특징으로 하는 마킹위치 검사부재.The method of claim 1,
Marking position inspection member, characterized in that the locking projection protruding in the horizontal direction on the inner surface of the opening of the wafer jig to support the inspection piece.
상기 검사편을 지지하기 위하여, 상기 웨이퍼 지그의 개구부 테두리 하면에 수평방향으로 돌출된 걸림턱이 구비되는 것을 특징으로 하는 마킹위치 검사부재.The method of claim 1,
Marking position inspection member, characterized in that the locking projection protruding in the horizontal direction is provided on the lower surface of the edge of the opening of the wafer jig to support the inspection piece.
상기 검사편이 상기 웨이퍼 지그의 개구부에 장착된 경우, 상기 검사편의 상면과 상기 웨이퍼 지그의 상면의 높이는 동일한 것을 특징으로 하는 마키위치 검사부재.The method according to claim 11 or 12, wherein
And the height of the upper surface of the inspection piece and the upper surface of the wafer jig is the same when the inspection piece is mounted in the opening of the wafer jig.
상기 검사편의 두께와 상기 웨이퍼 지그의 두께는 동일한 것을 특징으로 하는 마킹위치 검사부재.The method of claim 12,
Marking position inspection member, characterized in that the thickness of the test piece and the thickness of the wafer jig is the same.
상기 지지홀더 상부에서 마킹 대상 웨이퍼 또는 마킹위치 검사부재의 정렬상태를 검사하는 정렬 검사장치;
상기 지지홀더 하부에서 마킹 대상 웨이퍼 또는 마킹위치 검사부재에 레이져를 투사하는 레이져 투사유닛;
상기 레이져 투사유닛에 의한 마킹 품질을 검사하기 위하여 지지홀더의 이송경로 상에 배치되며, 상기 지지홀더 하부에서 마킹 대상 웨이퍼 또는 마킹위치 검사부재의 마킹 상태를 검사는 마킹 검사장치; 및,
상기 정렬 검사장치, 상기 레이져 투사유닛 및 상기 마킹 검사장치를 제어하는 제어부;를 포함하며,
상기 레이져 투사유닛의 마킹 위치 보정을 위하여 상기 지지홀더에 마킹위치 검사부재가 장착되는 경우, 상기 제어부는 상기 정렬 검사장치를 통해 정렬된 마킹위치 검사부재의 정렬위치와 상기 레이져 투사유닛의 마킹위치의 편차가 발생되는 경우, 상기 편차를 계산하여 표시하거나, 계산된 편차에 따라 상기 레이져 투사유닛에 의한 마킹위치를 보정하는 웨이퍼 마킹장치.A support holder including an upper support member and a lower support member on which a marking target inspection member having the same size as the marking target wafer or the wafer is inserted and supported therebetween;
An alignment inspection device for inspecting an alignment state of a marking target wafer or a marking position inspection member on the support holder;
A laser projection unit projecting the laser onto the marking target wafer or the marking position inspection member under the support holder;
A marking inspection device disposed on a transport path of a support holder for inspecting marking quality by the laser projection unit, and inspecting a marking state of a marking target wafer or a marking position inspection member under the support holder; And,
And a control unit for controlling the alignment inspection device, the laser projection unit, and the marking inspection device.
When the marking position inspection member is mounted on the support holder for correcting the marking position of the laser projection unit, the controller is configured to determine the alignment position of the marking position inspection member aligned with the alignment inspection apparatus and the marking position of the laser projection unit. If a deviation occurs, the wafer marking device for calculating and displaying the deviation, or correcting the marking position by the laser projection unit in accordance with the calculated deviation.
상기 마킹위치 검사부재는 복수 개의 검사용 홀 또는 검사용 스팟이 구비된 검사편 및 마킹대상 웨이퍼와 동일한 면적을 갖으며, 상기 검사편의 하면이 하방으로 노출되도록 장착될 수 있는 개구부가 형성된 웨이퍼 지그를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 마킹장치.16. The method of claim 15,
The marking position inspection member has a wafer jig having a plurality of inspection holes or inspection spots and the same area as the wafer to be marked, and a wafer jig having an opening that can be mounted to expose the lower surface of the inspection piece downward. Wafer marking apparatus comprising a.
상기 레이져 투사유닛의 마킹위치의 편차는 상기 레이져 투사유닛에 의하여 상기 검사편 하면에 인쇄되는 검사용 표식과 복수 개의 검사용 홀 또는 검사용 스팟 사이의 거리인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 마킹장치.The method of claim 16,
The deviation of the marking position of the laser projection unit is a wafer marking apparatus, characterized in that the distance between the inspection mark and a plurality of inspection holes or inspection spots printed on the lower surface of the inspection piece by the laser projection unit.
상기 제어부는 상기 검사편에 형성된 복수 개의 검사용 홀의 중심과 상기 검사용 표식의 중심이 일치되도록 상기 레이져 투사유닛의 위치 또는 상기 레이저 투사유닛을 구성하는 상기 레이져 투사유닛의 위치 또는 갈바노 스케너 또는 f-세타 렌즈를 조절하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 마킹장치.The method of claim 17,
The control unit is a position of the laser projection unit or the position of the laser projection unit constituting the laser projection unit or the galvano scanner or f such that the centers of the plurality of inspection holes formed on the inspection piece and the center of the inspection mark coincide. Wafer marking apparatus, characterized in that for adjusting theta lens.
상기 제어부는 상기 검사편에 형성된 복수 개의 검사용 스팟의 중심과 상기 검사용 표식이 일치되도록 상기 레이져 투사유닛의 위치 또는 상기 레이저 투사유닛을 구성하는 갈바노 스케너 또는 f-세타 렌즈를 조절하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 마킹장치.The method of claim 17,
The control unit adjusts the position of the laser projection unit or the galvano scanner or f-theta lens constituting the laser projection unit such that the centers of the plurality of inspection spots formed on the inspection piece and the inspection mark coincide with each other. Wafer marking apparatus.
상기 제어부는 상기 정렬 검사장치에 의한 마킹위치 검사부재(100)의 정렬이 완료된 후 상기 레이져 투사유닛에 의하여 상기 검사편 하면에 검사용 표식을 마킹하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 마킹장치.The method of claim 17,
The control unit is characterized in that for marking the inspection mark on the lower surface of the inspection piece by the laser projection unit after the alignment of the marking position inspection member 100 by the alignment inspection device.
상기 제어부는 상기 검사편 하면에 상기 레이져 투사유닛에 의한 검사용 표식의 인쇄 후 상기 지지홀더를 상기 마킹 검사장치의 상부로 이송하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 마킹장치.The method of claim 17,
And the control unit transfers the support holder to the upper portion of the marking inspection apparatus after printing of the inspection mark by the laser projection unit on the lower surface of the inspection piece.
마킹 대상 웨이퍼와 동일한 형상을 가지며, 미리 결정된 위치에 검사편이 착탈가능하게 장착되는 마킹위치 검사부재를 웨이퍼 마킹장치에 장착하는 마킹위치 검사부재 장착단계;
상기 마킹위치 검사부재의 검사편의 하면에 웨이퍼 마킹장치를 구성하는 레이져 투사유닛에 의하여 검사용 표식을 마킹하는 검사용 표식 마킹단계;
검사용 표식 마킹단계에서 마킹된 검사용 표식을 마킹위치 검사부재의 하부에서 촬영하는 검사용 표식 촬영단계; 및,
검사용 표식 촬영단계에서 촬영된 검사용 표식의 위치를 근거로 레이져 투사유닛의 마킹위치의 오차를 판단하는 마킹위치 판단단계;를 포함하는 웨이퍼 마킹장치의 제어방법.In the control method of a wafer marking apparatus having a laser projection unit,
A marking position inspection member mounting step of mounting the marking position inspection member on the wafer marking apparatus, the marking position inspection member having the same shape as the marking target wafer and detachably mounted at the predetermined position;
An inspection mark marking step of marking an inspection mark on a lower surface of an inspection piece of the marking position inspection member by a laser projection unit constituting a wafer marking device;
An inspection mark photographing step of photographing the inspection mark marked in the inspection mark marking step under the marking position inspection member; And,
And a marking position determining step of determining an error of a marking position of the laser projection unit on the basis of the position of the inspection mark photographed in the inspection marking photographing step.
상기 마킹위치 검사부재 장착단계 후 상기 마킹위치 검사부재의 장착위치를 정렬하는 마킹위치 검사부재 정렬단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 마킹장치의 제어방법.The method of claim 22,
And a marking position inspection member alignment step of aligning the mounting position of the marking position inspection member after the marking position inspection member mounting step.
상기 마킹위치 검사부재 정렬단계는 상기 마킹위치 검사부재에 장착된 검사편에 구비된 검사용 인덱스의 위치가 미리 결정된 위치에 위치되도록 정렬하는 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 마킹장치의 제어방법.The method of claim 23, wherein
The marking position inspection member alignment step is a control method of a wafer marking apparatus, characterized in that the alignment is performed so that the position of the inspection index provided on the inspection piece mounted on the marking position inspection member is positioned at a predetermined position.
상기 마킹위치 검사부재 정렬단계는 카메라를 구비하는 정렬 검사장치에 의하여 상기 검사용 인덱스가 촬영되는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 마킹장치의 제어방법.25. The method of claim 24,
The marking position inspecting member alignment step includes a step of photographing the inspection index by an alignment inspection apparatus having a camera.
상기 검사용 표식 마킹단계는 상기 검사편의 하면에 복수 개의 지점에 검사용 표식을 표시하는 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 마킹장치의 제어방법.The method of claim 22,
The inspection marking marking step is a control method of the wafer marking apparatus, characterized in that performed by a method for displaying the inspection marks on a plurality of points on the lower surface of the inspection piece.
상기 검사용 표식 마킹단계는 상기 검사편에 형성된 복수 개의 검사용 인덱스의 중심과 상기 검사용 표식 또는 검사용 표식의 중심이 일치되도록 레이져 투사유닛에서 상기 검사편의 하면으로 레이져를 투사하는 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 마킹장치의 제어방법.The method of claim 26,
The marking marking step is performed by projecting the laser onto the lower surface of the inspection piece in the laser projection unit such that the centers of the plurality of inspection indexes formed on the inspection piece and the inspection mark or inspection mark coincide with each other. A method of controlling a wafer marking apparatus, characterized in that.
상기 검사용 표식 마킹단계는 3개의 검사용 인덱스의 하면에 각각 검사용 표식을 마킹하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 마킹장치의 제어방법.The method of claim 26,
The inspection marking marking step is a control method of the wafer marking apparatus, characterized in that for marking the marking for each inspection mark on the lower surface of the three inspection index.
상기 검사용 표식 마킹단계에서 상기 레이져 투사유닛은 검사용 표식이 "╀" 형태를 갖도록 마킹하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 마킹장치의 제어방법.The method of claim 26,
In the inspection marking marking step, the laser projection unit is a control method of the wafer marking device, characterized in that for marking so that the inspection marker has a "╀" form.
상기 검사용 표식 촬영단계는 마킹 검사장치의 카메라에 의해 상기 마킹위치 검사부재의 검사편의 하면을 촬영하는 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 마킹장치의 제어방법.The method of claim 22,
The inspection marking photographing step is a control method of a wafer marking apparatus, characterized in that the method of photographing the lower surface of the inspection piece of the marking position inspection member by a camera of the marking inspection apparatus.
상기 검사용 표식 촬영단계는 상기 검사용 표식 마킹단계 후 마킹위치 검사부재를 상기 마킹 검사장치의 상부로 이송시킨 뒤 수행되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 마킹장치의 제어방법.The method of claim 30,
The inspection marking photographing step is a control method of a wafer marking apparatus, characterized in that is carried out after transferring the marking position inspection member to the upper portion of the marking inspection apparatus after the inspection marking marking step.
상기 마킹위치 판단단계는 각각의 검사용 인덱스의 중심과 상기 검사용 표식 또는 검사용 표식의 중심 간의 거리를 측정하는 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 마킹장치의 제어방법.The method of claim 22,
The marking position determining step is a control method of a wafer marking apparatus, characterized in that for measuring the distance between the center of each inspection index and the center of the inspection mark or inspection mark.
상기 마킹위치 판단단계에서 판단된 마킹위치를 조절하기 위하여 레이저 투사유닛의 레이져 투사방향을 보정하는 마킹위치 보정단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 마킹장치의 제어방법.The method of claim 22,
And a marking position correction step of correcting the laser projection direction of the laser projection unit in order to adjust the marking position determined in the marking position determination step.
상기 마킹위치 보정단계는 상기 웨이퍼 지그에 장착된 검사편에 형성된 복수 개의 검사용 홀의 중심과 상기 검사용 표식의 중심이 일치되도록 상기 레이져 투사유닛의 위치 또는 상기 레이저 투사유닛을 구성하는 갈바노 스케너 또는 f-세타 렌즈를 조절하는 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 마킹장치의 제어방법.The method of claim 33, wherein
The marking position correcting step may include a galvano scanner that configures the position of the laser projection unit or the laser projection unit such that the centers of the plurality of inspection holes formed on the inspection pieces mounted on the wafer jig coincide with the centers of the inspection marks. A method of controlling a wafer marking apparatus, characterized in that it is performed by a method for adjusting the f-theta lens.
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