KR20120029282A - 태양전지 및 이의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

태양전지 및 이의 제조방법이 개시된다. 태양전지는 기판; 및 상기 기판 상에 배치되는 전극층을 포함하고, 상기 기판은 지지층; 및 상기 지지층 상에 배치되고, 상기 전극층에 인접하는 열팽창 완화층을 포함한다. 열팽창 완화층에 의해서, 태양전지의 강도 및 신뢰성이 향상된다.

Description

태양전지 및 이의 제조방법{SOLAR CELL AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}
실시예는 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
근 에너지의 수요가 증가함에 따라서, 태양광 에너지를 전기에너지로 변환시키는 태양전지에 대한 개발이 진행되고 있다.
특히, 유리기판, 금속 후면 전극층, p형 CIGS계 광 흡수층, 고 저항 버퍼층, n형 윈도우층 등을 포함하는 기판 구조의 pn 헤테로 접합 장치인 CIGS계 태양전지가 널리 사용되고 있다.
실시예는 크랙 등이 방지되고, 향상된 강도를 가지는 태양전지 및 이의 제조방법을 제공하고자 한다.
일 실시예에 따른 태양전지는 기판; 및 상기 기판 상에 배치되는 전극층을 포함하고, 상기 기판은 지지층; 및 상기 지지층 상에 배치되고, 상기 전극층에 인접하는 열팽창 완화층을 포함한다.
일 실시예에 따른 태양전지는 금속이 주입된 폴리머 기판; 및 상기 폴리머 기판 상에 형성되는 전극층을 포함한다.
일 실시예에 따른 태양전지의 제조방법은 기판에 금속을 주입하여, 열팽창 완화층을 형성하는 단계; 및 상기 열팽창 완화층 상에 전극층을 형성하는 단계를 포함한다.
실시예에 따른 태양전지는 열팽창 완화층을 포함한다. 열팽창 완화층은 전극층 및 지지층 사이에 개재되어, 지지층 및 전극층 사이의 열팽창 차이를 완화할 수 있다.
즉, 열팽창 완화층은 전극층과 유사하게 열팽창되기 때문에, 실시예에 따른 태양전지는 기판 및 전극층 사이의 크랙을 방지할 수 있다. 특히, 기판으로 플렉서블한 폴리머 기판이 사용되는 경우에 발생하기 쉬운 크랙이 용이하게 방지될 수 있다.
또한, 열팽창 완화층은 기판에 금속이 주입되어 형성된다. 이와 같이, 금속이 주입되는 과정에서 기판의 상면은 표면 처리되고, 기판의 상면에 요철이 형성될 수 있다.
따라서, 기판의 상면에 요철을 형성하기 위한 별도의 공정이 진행될 필요가 없다. 실시예에 따른 태양전지는 추가적인 공정 없이 전극층 및 기판 사이의 결합력을 향상시킬 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 태양전지를 도시한 단면도이다.
도 2 내지 도 7은 실시예에 따른 태양전지를 제조하는 과정을 도시한 도면들이다.
실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 층, 막 또는 전극 등이 각 기판, 층, 막, 또는 전극 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
도 1은 실시예에 따른 태양전지를 도시한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 태양전지는 지지기판(100), 이면전극층(200), 광 흡수층(300), 버퍼층(400), 고저항 버퍼층(500) 및 윈도우층(600)을 포함한다.
상기 지지기판(100)은 플레이트 형상을 가지며, 상기 이면전극층(200), 상기 광 흡수층(300), 버퍼층(400), 고저항 버퍼층(500) 및 상기 윈도우층(600)을 지지한다.
상기 지지기판(100)은 절연체일 수 있다. 상기 기판은 플렉서블할 수 있다. 상기 지지기판(100)은 폴리머 기판(101)이다. 더 자세하게, 상기 지지기판(100)은 폴리 이미드(polyimide;PI) 기판일 수 있다. 상기 지지기판(100)은 투명할 수 있다.
상기 지지기판(100)으로 사용되는 물질의 예로서는 폴리이미드계 수지(polyimide resin) 이외에 폴리에틸렌테레프탈레이트계 수지(polyethylene terephtalate resin), 폴리우레탄계 수지(polyurethane resion) 또는 폴리메틸메타아크릴레이트계 수지(polymethylmethacrylate resin) 등과 같은 다양한 폴리머 등을 들 수 있다.
상기 지지기판(100)에는 금속(122)이 주입된다. 더 자세하게, 상기 지지기판(100)의 상부에 금속(122)이 주입된다. 상기 지지기판(100)은 지지층(110) 및 열팽창 완화층(120)을 포함한다.
상기 지지층(110)은 상기 열팽창 완화층(120), 상기 이면전극층(200), 상기 광 흡수층(300), 상기 버퍼층(400), 상기 고저항 버퍼층(500) 및 상기 윈도우층(600)을 지지한다. 상기 지지층(110)은 폴리이미드계 수지 등과 같은 폴리머로 이루어질 수 있다. 상기 지지층(110)의 두께는 약 0.05㎜ 내지 약 0.6㎜ 일 수 있다.
상기 지지층(110)은 상대적으로 낮은 열팽창률을 가질 수 있다. 더 자세하게, 상기 지지층(110)으로 사용되는 물질의 열팽창 계수는 상기 이면전극층(200)으로 사용되는 물질의 열팽창계수 보다 작을 수 있다. 예를 들어, 약 3ppm 내지 4ppm의 열팽창 계수를 가지는 폴리이미드계 수지가 상기 지지층(110)으로 사용될 수 있다.
상기 열팽창 완화층(120)은 상기 지지층(110) 상에 배치된다. 상기 열팽창 완화층(120)은 상기 지지층(110)과 일체로 형성된다. 또한, 상기 열팽창 완화층(120)은 상기 이면전극층(200)에 인접한다. 더 자세하게, 상기 열팽창 완화층(120)은 상기 이면전극층(200)에 직접 접촉된다.
상기 열팽창 완화층(120)의 상면에는 요철(102)이 형성된다. 즉, 상기 열팽창 완화층(120)의 상면의 거칠기는 매우 크다. 이에 따라서, 상기 열팽창 완화층(120)의 상면에는 다수 개의 돌기들 및 다수 개의 홈들이 형성된다.
상기 열팽창 완화층(120)의 상면에 형성된 요철(102)에 의해서, 상기 이면전극층(200) 및 상기 지지기판(100) 사이의 결합력이 향상된다.
상기 열팽창 완화층(120)은 금속(122)을 포함한다. 더 자세하게, 상기 열팽창 완화층(120)에는 상기 금속(122)이 도핑된다. 예를 들어, 상기 열팽창 완화층(120)에 상기 금속(122)이 주입될 수 있다.
즉, 상기 열팽창 완화층(120)은 상기 지지층(110)과 일체로 형성되는 폴리머층(121)에 상기 금속(122)이 도핑되는 구조를 가진다. 상기 열팽창 완화층(120)은 금속(122)이 도핑된 폴리머층(121)을 포함한다. 즉, 상기 열팽창 완화층(120)은 호스트인 폴리머층(121)에 금속(122)이 도핑된 구조를 가진다.
상기 열팽창 완화층(120)으로 사용되는 폴리머는 앞서 설명한 상기 지지층(110)으로 사용되는 폴리머와 같을 수 있다.
상기 열팽창 완화층(120)에 도핑되는 금속(122)은 상기 지지층(110)으로 사용되는 폴리머의 열팽창 계수와 상기 전극층으로 사용되는 물질의 열팽창 계수 사이의 값을 가질 수 있다. 또한, 상기 열팽창 완화층(120)에 주입되는 금속(122)은 상기 이면전극층(200)으로 사용되는 물질과 동일할 수 있다.
예를 들어, 상기 열팽창 완화층(120)에 주입되는 금속(122)은 크롬(Cr), 바나듐(V), 네오디뮴(Nd), 탄탈륨(Ta) 또는 몰리브덴(Mo) 등으로부터 선택될 수 있다.
상기 열팽창 완화층(120)은 약 50㎚ 내지 약 500㎚의 두께를 가질 수 있다.
또한, 상기 열팽창 완화층(120) 내에서 상기 금속(122)의 농도는 위치에 따라서 달라질 수 있다. 더 자세하게, 상기 금속(122)의 농도는 상기 열팽창 완화층(120)의 상면에 가까워질 수록 점점 더 커질 수 있다. 즉, 상기 금속(122)의 농도는 상기 열팽창 완화층(120)의 위치에 따라서, 구배를 가지며 변화될 수 있다.
상기 열팽창 완화층(120)에 상기 금속(122)이 주입되기 때문에, 상기 열팽창 완화층(120)은 상기 지지층(110)보다 더 높은 열팽창률을 가진다. 또한, 상기 열팽창 완화층(120)은 상기 이면전극층(200)보다 더 낮은 열팽창률을 가진다. 즉, 상기 열팽창 완화층(120)의 열팽창 계수는 상기 지지층(110)의 열팽창 계수 및 상기 이면전극층(200)의 열팽창 계수 사이의 값을 가진다.
도 1에서는 상기 지지기판(100)의 특정 부분에 상기 금속(122)이 주입되는 것으로 설명하였지만, 이에 한정되지 않고, 상기 지지기판(100)에 전체적으로 상기 금속(122)이 주입될 수 있다. 예를 들어, 상기 지지기판(100)은 상대적으로 현저히 높은 농도로 상기 금속(122)이 주입된 영역 및 상대적으로 현저히 낮은 농도로 상기 금속(122)이 주입된 영역으로 구분될 수 있다. 이때, 높은 농도로 상기 금속(122)이 주입된 영역은 열팽창 완화층(120)으로 정의되고, 낮은 농도로 상기 금속(122)이 주입된 영역은 지지층(110)으로 정의될 수 있다.
상기 이면전극층(200)은 상기 지지기판(100) 상에 배치된다. 더 자세하게, 상기 이면전극층(200)은 상기 열팽창 완화층(120) 상에 배치된다. 더 자세하게, 상기 이면전극층(200)은 상기 열팽창 완화층(120)에 직접 접촉된다.
상기 이면전극층(200)은 도전층이다. 상기 이면전극층(200)으로 사용되는 물질의 예로서는 몰리브덴(Mo) 등의 금속(122)을 들 수 있다.
상기 이면전극층(200)은 높은 열팽창률을 가진다. 더 자세하게, 상기 이면전극층(200)의 열팽창률은 상기 지지층(110)의 열팽창률 및 상기 열팽창 완화층(120)의 열팽창률보다 더 높을 수 있다.
또한, 상기 이면전극층(200)은 두 개 이상의 층들을 포함할 수 있다. 이때, 각각의 층들은 같은 금속(122)으로 형성되거나, 서로 다른 금속(122)으로 형성될 수 있다.
상기 광 흡수층(300)은 상기 이면전극층(200) 상에 배치된다. 상기 광 흡수층(300)은 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ족계 화합물을 포함한다. 예를 들어, 상기 광 흡수층(300)은 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계) 결정 구조, 구리-인듐-셀레나이드계 또는 구리-갈륨-셀레나이드계 결정 구조를 가질 수 있다.
상기 광 흡수층(300)의 에너지 밴드갭(band gap)은 약 1eV 내지 1.8eV일 수 있다.
상기 버퍼층(400)은 상기 광 흡수층(300) 상에 배치된다. 상기 버퍼층(400)은 상기 광 흡수층(300)에 직접 접촉한다. 상기 버퍼층(400)은 황화 카드뮴을 포함한다. 상기 버퍼층(400)의 에너지 밴드갭은 약 1.9eV 내지 약 2.3eV일 수 있다.
상기 고저항 버퍼층(500)은 상기 버퍼층(400) 상에 배치된다. 상기 고저항 버퍼층(500)은 불순물이 도핑되지 않은 징크 옥사이드(i-ZnO)를 포함한다. 상기 고저항 버퍼층(500)의 에너지 밴드갭은 약 3.1eV 내지 3.3eV일 수 있다.
상기 윈도우층(600)은 상기 광 흡수층(300) 상에 배치된다. 더 자세하게, 상기 윈도우층(600)은 상기 고저항 버퍼층(500) 상에 배치된다. 상기 윈도우층(600)은 도전층이다. 상기 윈도우층(600)으로 사용되는 물질의 예로서는 알루미늄이 도핑된 징크 옥사이드(Al doped ZnO;AZO), 인듐 징크 옥사이드(indium zinc oxide;IZO) 또는 인듐 틴 옥사이드(indium tin oxide;ITO) 등을 들 수 있다. 또한, 상기 윈도우층(600)의 두께는 약 내지 약 일 수 있다.
앞서 살펴본 바와 같이, 상기 열팽창 완화층(120)은 상기 지지층(110) 및 상기 이면전극층(200) 사이에 개재되고, 상기 지지층(110)의 열팽창률 및 상기 이면전극층(200)의 열팽창률의 사이의 값을 가진다.
이에 따라서, 상기 열팽창 완화층(120)은 상기 지지층(110) 및 상기 이면전극층(200)의 열팽창률의 차이를 완화시킨다. 이에 따라서, 상기 열팽창 완화층(120)은 온도 변화에 따라서, 상기 이면전극층(200)이 벗겨지는 것을 방지한다.
상기 열팽창 완화층(120)은 상기 지지층(110)과 일체로 형성되고, 상기 이면전극층(200)과 향상된 결합력으로 결합된다. 이에 따라서, 상기 열팽창 완화층(120)은 상기 지지층(110) 및 상기 이면전극층(200)을 견고하게 접합시킨다.
따라서, 실시예에 따른 태양전지는 향상된 기계적인 강도를 가진다. 또한, 실시에에 따른 태양전지는 온도 변화에 따른 손상을 최소화하고, 높은 신뢰성을 가진다.
도 2 내지 도 7은 실시예에 따른 태양전지를 제조하기 위한 공정을 도시한 도면들이다. 본 제조방법에서는 앞서 설명한 태양전지를 참고하여 설명한다. 본 제조방법에 대한 설명에, 앞선 태양전지에 관한 설명은 본질적으로 결합될 수 있다.
도 2를 참조하면, 폴리머 기판(101)이 제공된다. 상기 폴리머 기판(101)으로 사용되는 물질의 예로서는 폴리이미드계 수지 이외에 폴리에틸렌테레프탈레이트계 수지, 폴리우레탄계 수지 또는 폴리메틸메타아크릴레이트계 수지 등과 같은 다양한 폴리머 등을 들 수 있다.
상기 폴리머 기판(101)의 두께는 약 0.05㎜ 내지 약 0.6㎜일 수 있으며, 상기 폴리머 기판(101)은 플렉서블하다.
도 3을 참조하면, 상기 폴리머 기판(101)의 상면을 통하여 금속(122)이 주입된다. 이에 따라서, 지지층(110) 및 열팽창 완화층(120)을 포함하는 지지기판(100)이 형성된다. 상기 폴리머 기판(101)에 금속(122)이 주입되기 위해서, 다양한 이온 주입 공정이 적용될 수 있다.
예를 들어, 먼저, 냉각 장치가 설치된 진공 챔버 내의 지지대에 폴리머 기판(101)이 위치한다. 이후, 상기 진공 챔버는 진공 상태를 형성하고, 상기 폴리머 기판(101)의 표면은 플라즈마 에칭(plasma etching)에 의해서, 클리닝된다.
이후, 상기 클리닝된 폴리머 기판(101)의 상면에 플라즈마 상태의 가스 이온 및 금속 이온이 주입된다. 금속 이온의 소스로 크롬, 바나듐, 네오디뮴, 탄탈륨 또는 몰리브덴 등이 바람직하나, 이에 한정되지 않는다.
상기 플라즈마 상태의 금속 이온을 발생시키는 장치는 스퍼터(sputter) 또는 아크(arc)가 바람직하다. 또한, 상기 플라즈마 금속이온발생장치는 듀얼 마그네트론 스퍼터링 소스(Dual Magnetron Sputtering source)로 구성하여 사용할 수도 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 가스 이온 및 금속 이온이 주입될 때, 펄서에 의해서, 상기 폴리머 기판(101) 아래에 배치되는 전극에 소정의 전압이 인가된다. 상기 전극에 약 (-) 1 내지 (-)100kV의 전압이 인가될 수 있다.
이에 따라서, 주입되는 금속 이온은 상기 폴리머 기판(101)을 향하여 가속화되고, 상기 폴리머 기판(101)에 주입된다. 이때, 상기 전극에 인가되는 전압의 세기 및 유입되는 금속 이온의 양에 따라서, 상기 열팽창 완화층(120)의 두께 및 상기 열팽창 완화층(120) 내의 금속(122)의 농도가 결정될 수 있다.
이와 같은 금속 이온 주입 공정에서, 상기 열팽창 완화층(120)이 형성됨과 동시에, 상기 지지기판(100)의 상면에는 요철(102)이 형성된다. 즉, 상기 금속 이온이 주입되는 과정에서, 상기 지지기판(100)의 상면의 거칠기가 증가된다.
도 4를 참조하면, 상기 열팽창 완화층(120) 상에 스퍼터링 공정에 의해서 몰리브덴 등과 같은 금속(122)이 증착되고, 이면전극층(200)이 형성된다. 상기 이면전극층(200)은 공정 조건이 서로 다른 두 번의 공정들에 의해서 형성될 수 있다.
이때, 상기 폴리머 기판(101)에 주입되는 금속(122)이 몰리브덴인 경우, 상기 열팽창 완화층(120)을 형성하는 공정 및 상기 이면전극층(200)을 형성하는 공정은 연속 공정으로 진행될 수 있다.
즉, 상기 전극에 인가되는 전압의 세기를 조절하여, 상기 지지기판(100)에 몰리브덴을 주입하다가, 곧 바로, 상기 지지기판(100) 상에 몰리브덴을 증착할 수 있다.
상기 지지기판(100) 및 상기 이면전극층(200) 사이에는 확산 방지막과 같은 추가적인 층이 개재될 수 있다.
도 5를 참조하면, 상기 이면전극층(200) 상에 광 흡수층(300)이 형성된다.
상기 광 흡수층(300)은 스퍼터링 공정 또는 증발법 등에 의해서 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 광 흡수층(300)을 형성하기 위해서 구리, 인듐, 갈륨, 셀레늄을 동시 또는 구분하여 증발시키면서 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계)의 광 흡수층(300)을 형성하는 방법과 금속(122) 프리커서 막을 형성시킨 후 셀레니제이션(Selenization) 공정에 의해 형성시키는 방법이 폭넓게 사용되고 있다.
금속(122) 프리커서 막을 형성시킨 후 셀레니제이션 하는 것을 세분화하면, 구리 타겟, 인듐 타겟, 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정에 의해서, 상기 이면전극(200) 상에 금속(122) 프리커서 막이 형성된다.
이후, 상기 금속(122) 프리커서 막은 셀레이제이션(selenization) 공정에 의해서, 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계)의 광 흡수층이 형성된다.
이와는 다르게, 상기 구리 타겟, 인듐 타겟, 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정 및 상기 셀레니제이션 공정은 동시에 진행될 수 있다.
이와는 다르게, 구리 타겟 및 인듐 타겟 만을 사용하거나, 구리 타겟 및 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정 및 셀레니제이션 공정에 의해서, CIS계 또는 CIG계 광 흡수층이 형성될 수 있다.
이와는 다르게, 구리 입자, 인듐 입자, 갈륨 입자 및 셀레늄 입자를 포함하는 페이스트가 사용되어, 상기 광 흡수층은 비진공 방식에 의해서도 형성될 수 있다.
도 6을 참조하면, 상기 광 흡수층(300) 상에 버퍼층(400) 및 고저항 버퍼층(500)이 형성된다.
상기 버퍼층(400)은 화학 용액 증착 공정(chemical bath deposition;CBD)에 의해서 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 광 흡수층(300)이 형성된 후, 상기 광 흡수층(300)은 황화 카드뮴을 형성하기 위한 물질들을 포함하는 용액에 침지되고, 상기 광 흡수층(300) 상에 황화 카드뮴을 포함하는 상기 버퍼층(400)이 형성된다.
이후, 상기 버퍼층(400) 상에 징크 옥사이드가 스퍼터링 공정 등에 의해서 증착되고, 상기 고저항 버퍼층(500)이 형성된다.
도 7을 참조하면, 상기 고저항 버퍼층(500) 상에 윈도우층(600)이 형성된다.
상기 윈도우층(600)을 형성하기 위해서, 상기 고저항 버퍼층(500) 상에 투명한 도전물질이 적층된다. 상기 투명한 도전물질의 예로서는 알루미늄 도핑된 징크 옥사이드, 인듐 징크 옥사이드 또는 인듐 틴 옥사이드 등을 들 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 상기 열팽창 완화층(120)을 포함하여, 향상된 기계적인 강도 및 향상된 신뢰성을 가지는 태양전지가 제공될 수 있다.
특히, 상기 열팽창 완화층(120)이 형성됨과 동시에 상기 지지기판(100)의 상면에 요철(102)패턴이 형성될 수 있다. 또한, 상기 금속 이온으로 몰리브덴이 사용되는 경우, 상기 열팽창 완화층(120) 및 상기 이면전극층(200)은 동시에 형성될 수 있다.
따라서, 실시예에 따른 태양전지의 제조방법은 용이하게 향상된 기계적인 강도 및 향상된 신뢰성을 가지는 태양전지를 제공할 수 있다.
또한, 이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (12)

  1. 기판; 및
    상기 기판 상에 배치되는 전극층을 포함하고,
    상기 기판은
    지지층; 및
    상기 지지층 상에 배치되고, 상기 전극층에 인접하는 열팽창 완화층을 포함하는 태양전지.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 지지층 및 상기 열팽창 완화층은 일체로 형성되는 태양전지.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 열팽창 완화층은 폴리머층을 포함하고, 상기 폴리머층에는 금속이 도핑되는 태양전지.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 금속은 크롬, 바나듐, 네오디뮴, 탄탈륨 또는 몰리브덴으로부터 선택되는 태양전지.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 열팽창 완화층의 두께는 50㎚ 내지 500㎚인 태양전지.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 지지층 및 상기 열팽창 완화층은 폴리이미드를 포함하고,
    상기 전극층은 몰리브덴을 포함하고,
    상기 열팽창 완화층에는 금속이 도핑되는 태양전지.
  7. 금속이 주입된 폴리머 기판; 및
    상기 폴리머 기판 상에 형성되는 전극층을 포함하는 태양전지.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 폴리머 기판은 폴리이미드를 포함하고,
    상기 전극층은 몰리브덴을 포함하고,
    상기 금속의 열팽창 계수는 몰리브덴의 열팽창 계수보다 낮고, 폴리이미드의 열팽창 계수보다 더 높은 태양전지.
  9. 기판에 금속을 주입하여, 열팽창 완화층을 형성하는 단계; 및
    상기 열팽창 완화층 상에 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조방법.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 금속의 열팽창 계수는 상기 전극층의 열팽창 계수보다 낮은 태양전지의 제조방법.
  11. 제 9 항에 있어서, 상기 금속은 상기 전극층에 포함된 금속과 다른 태양전지의 제조방법.
  12. 제 9 항에 있어서, 상기 기판에 금속을 주입하는 단계에서, 상기 기판의 상면에 요철이 형성되는 태양전지의 제조방법.
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