KR20120026174A - Solar cell - Google Patents

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KR20120026174A
KR20120026174A KR1020100088228A KR20100088228A KR20120026174A KR 20120026174 A KR20120026174 A KR 20120026174A KR 1020100088228 A KR1020100088228 A KR 1020100088228A KR 20100088228 A KR20100088228 A KR 20100088228A KR 20120026174 A KR20120026174 A KR 20120026174A
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electrode lines
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양현진
지광선
이헌민
김형석
최정훈
어영주
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엘지전자 주식회사
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Abstract

PURPOSE: A solar cell is provided to prevent a crack generated in a manufacturing process by forming a electrode pattern to be parallel with the longitudinal side and horizontal side of a substrate. CONSTITUTION: A first electrode(141) and a second electrode(142) are formed in the rear side of a substrate(110). The first electrode comprises a first electrode connecting part(BA1) and a plurality of first electrode slines(FA1). The second electrode comprises a 2A electrode connecting part(BA2) and a plurality of 2A electrode lines(FA2). The plural 2A electrode lines are electrically connected to each other through the 2A electrode connecting part. A part of the first electrode and the second electrode are not partly parallel with the longitudinal side or the length side of the substrate.

Description

태양 전지{SOLAR Cell}Solar cell {SOLAR Cell}

본 발명은 태양 전지에 관한 것이다.The present invention relates to a solar cell.

최근 석유나 석탄과 같은 기존 에너지 자원의 고갈이 예측되면서 이들을 대체할 대체 에너지에 대한 관심이 높아지고 있고, 이에 따라 태양 에너지로부터 전기 에너지를 생산하는 태양 전지가 주목 받고 있다.With the recent prediction of the depletion of existing energy resources such as oil and coal, there is a growing interest in alternative energy to replace them, and accordingly, solar cells that produce electric energy from solar energy are attracting attention.

일반적인 태양 전지는 p형과 n형처럼 서로 다른 도전성 타입(conductive type)의 반도체로 이루어진 기판(substrate) 및 에미터부(emitter layer), 그리고 기판과 에미터부에 각각 연결된 전극을 구비한다. 이때, 기판과 에미터부의 계면에는 p-n 접합이 형성되어 있다.A typical solar cell includes a substrate and an emitter layer made of semiconductors of different conductive types, such as p-type and n-type, and electrodes connected to the substrate and the emitter, respectively. At this time, p-n junction is formed in the interface of a board | substrate and an emitter part.

이러한 태양 전지에 빛이 입사되면 반도체에서 복수의 전자-정공 쌍이 생성되고, 생성된 전자-정공 쌍은 광기전력 효과(photovoltaic effect)에 의해 전하인 전자와 정공으로 각각 분리되어 전자와 정공은 n형의 반도체와 p형 반도체 쪽으로, 예를 들어 에미터부와 기판 쪽으로 각각 이동하고, 기판과 에미터부와 전기적으로 연결된 전극에 의해 수집되며, 이 전극들을 전선으로 연결하여 전력을 얻는다.When light is incident on the solar cell, a plurality of electron-hole pairs are generated in the semiconductor, and the generated electron-hole pairs are separated into electrons and holes charged by the photovoltaic effect, respectively, and the electrons and holes are n-type. Move toward the semiconductor and the p-type semiconductor, for example toward the emitter portion and the substrate, respectively, and are collected by electrodes electrically connected to the substrate and the emitter portion, which are connected by wires to obtain power.

본 발명은 기판의 후면에 형성된 전극 패턴이 기판의 세로변 또는 가로변에 대해 평행하지 않게 형성된 태양 전지를 제공하는 것이다.The present invention provides a solar cell in which the electrode pattern formed on the rear surface of the substrate is not parallel to the longitudinal side or the horizontal side of the substrate.

본 발명의 일례에 따른 태양 전지는 가로 방향의 가로변과 세로 방향의 세로변을 가지는 사각형 형상의 제1 도전성 타입의 기판, 기판과 연결되어 있고 제1 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입을 갖는 적어도 하나의 에미터부, 적어도 하나의 에미터부와 연결되어 있는 제 1 전극, 및 기판과 전기적으로 연결된 제 2 전극을 포함하며, 제 1 전극 및 제 2 전극 각각 중 적어도 일부는 기판의 세로변 또는 가로변에 대해 평행하지 않게 형성된다.The solar cell according to an example of the present invention has at least a substrate having a first conductive type of a rectangular shape having a horizontal side in the horizontal direction and a vertical side in the longitudinal direction, and having a second conductive type connected to the substrate and opposite to the first conductive type. And one emitter portion, a first electrode connected to the at least one emitter portion, and a second electrode electrically connected to the substrate, wherein at least some of each of the first electrode and the second electrode is disposed on a longitudinal side or a horizontal side of the substrate. It is formed so as not to be parallel to.

여기서, 제 1 전극 및 제 2 전극 각각 중 적어도 일부의 길이 방향은 기판의 가로면 또는 세로변에 대해 0˚초과 90˚미만이거나, 90˚초과 180˚미만이거나, 180˚초과 270˚미만이거나, 270˚초과 360˚미만의 각도 범위 내에서 형성될 수 있다.Here, the longitudinal direction of at least some of each of the first electrode and the second electrode is greater than 0 ° and less than 90 °, greater than 90 ° and less than 180 °, less than 180 ° and less than 270 ° with respect to the horizontal surface or the longitudinal side of the substrate, It may be formed within an angle range of more than 270 ° and less than 360 °.

또한, 제 1 전극 및 제 2 전극 각각 중 적어도 일부는 서로 나란하게 형성될 수 있다.In addition, at least some of each of the first electrode and the second electrode may be formed to be parallel to each other.

또한, 제 1 전극 및 제 2 전극 각각 중 적어도 일부는 서로 교번하여 형성될 수 있다.In addition, at least some of each of the first electrode and the second electrode may be alternately formed.

여기서, 제 1 전극은 기판의 가로변 또는 세로변에 인접하여 평행하게 형성되는 제 1A 전극 연결부; 및 제 1A 전극 연결부로부터 연장되어 기판의 세로변 또는 가로변에 대해 평행하지 않게 형성되는 복수 개의 제 1A 전극 라인;을 포함하고, 제 2 전극은 기판에서 제 1A 전극 연결부의 맞은편 가로변 또는 세로변에 인접하여 평행하게 형성되는 제 2A 전극 연결부; 및 제 2A 전극 연결부로부터 연장되어 기판의 세로변 또는 가로변에 대해 평행하지 않게 형성되는 복수 개의 제 2A 전극 라인;을 포함할 수 있다.Here, the first electrode includes a first A electrode connecting portion formed in parallel to the horizontal side or the vertical side of the substrate; And a plurality of first A electrode lines extending from the first A electrode connection portion so as not to be parallel to the longitudinal side or the horizontal side of the substrate, wherein the second electrode is disposed on the opposite side or the horizontal side of the first A electrode connection portion on the substrate. A second A electrode connection portion formed adjacent to and in parallel; And a plurality of second A electrode lines extending from the second A electrode connection portion and not formed to be parallel to the longitudinal side or the horizontal side of the substrate.

여기서, 제 1A 전극 연결부는 복수 개의 제 1A 전극 라인을 서로 연결하고, 제 2A 전극 연결부는 복수 개의 제 2A 전극 라인을 서로 연결할 수 있다.Here, the first A electrode connecting portion may connect the plurality of first A electrode lines to each other, and the second A electrode connecting portion may connect the plurality of second A electrode lines to each other.

또한, 제 1A 전극 연결부와 제 2A 전극 연결부의 폭은 실질적으로 대략 동일할 수 있다.In addition, the width of the first A electrode connection portion and the second A electrode connection portion may be substantially the same.

또한, 복수의 제 1A 전극 라인과 복수의 제 2A전극 라인 각각의 폭은 제 1A전극 연결부와 제 2A전극 연결부 각각의 폭 보다 작을 수 있다.In addition, the width of each of the plurality of first A electrode lines and the plurality of second A electrode lines may be smaller than the width of each of the first A electrode connection part and the second A electrode connection part.

또한, 복수의 제 1A전극 라인의 폭은 복수의 제 2A전극 라인의 폭보다 클 수 있다.In addition, the widths of the plurality of first A electrode lines may be greater than the widths of the plurality of second A electrode lines.

또한, 제 1 전극은 기판의 모서리에 형성된 제 1A 전극 연결부의 끝단으로부터 대각선 방향으로 연장된 제 1B 전극 연결부; 및 제 1B 전극 연결부로부터 연장되어 기판의 세로변 또는 가로변에 대해 평행하지 않게 형성되는 복수 개의 제 1B 전극 라인;을 더 포함하고, 제 2 전극은 제 1B 전극 연결부의 끝단의 맞은편 대각선 모서리로부터 제 1B 전극 연결부의 끝단 방향으로 연장된 제 2B 전극 연결부; 및 제 2B 전극 연결부로부터 연장되어 기판의 세로변 또는 가로변에 대해 평행하지 않게 형성되는 복수 개의 제 2B 전극 라인;을 더 포함 할 수 있다.In addition, the first electrode may include a first B electrode connecting portion extending in a diagonal direction from an end of the first A electrode connecting portion formed at an edge of the substrate; And a plurality of first B electrode lines extending from the first B electrode connecting portion so as not to be parallel to the longitudinal side or the horizontal side of the substrate, wherein the second electrode is formed from an opposite diagonal edge of the end of the first B electrode connecting portion. A second B electrode connecting portion extending in an end direction of the 1B electrode connecting portion; And a plurality of second B electrode lines extending from the second B electrode connection portions so as not to be parallel to the longitudinal side or the horizontal side of the substrate.

여기서, 복수의 제 1A 전극 라인과 복수의 제 2B 전극 라인은 서로 교번하여 나란하게 배치되고, 복수의 제 2A 전극 라인과 복수의 제 1B 전극 라인은 서로 교번하여 나란하게 배치될 수 있다.Here, the plurality of first A electrode lines and the plurality of second B electrode lines may be alternately arranged side by side, and the plurality of second A electrode lines and the plurality of first B electrode lines may be alternately arranged side by side.

또한, 제 1B 전극 연결부와 제 2B 전극 연결부의 각각의 폭은 복수의 제 1B 전극 라인과 복수의 제 2B 전극 라인 각각의 폭보다 클 수 있다.In addition, each of the widths of the first B electrode connection part and the second B electrode connection part may be greater than the width of each of the plurality of first B electrode lines and the plurality of second B electrode lines.

아울러, 복수의 제 1A 전극 라인의 폭은 복수의 제 2B 전극 라인의 폭보다 클 수 있다.In addition, the widths of the plurality of first A electrode lines may be greater than the widths of the plurality of second B electrode lines.

또한, 복수의 제 1B 전극 라인의 폭은 복수의 제 2A 전극 라인의 폭보다 더 클 수 있다.Also, the width of the plurality of first B electrode lines may be greater than the width of the plurality of second A electrode lines.

또한, 복수 개의 제 1 및 제 2 전극 라인은 기판 상의 영역에 따라 서로 다른 각도를 가지고 형성될 수 있다.In addition, the plurality of first and second electrode lines may be formed at different angles according to regions on the substrate.

구체적으로 제 1 전극은 제 1B 전극 연결부의 중간부분으로부터 제 2A 전극 연결부의 모서리 방향으로 연장되는 제 1C 전극 연결부와 제 1C 전극 연결부로부터 제 2A 전극 연결부가 형성된 가로변의 사선방향으로 연장된 복수의 제 1C 전극 라인을 더 포함하고, 제 2 전극은 제 2B 전극 연결부의 중간부분으로부터 제 1A 전극 연결부의 모서리 방향으로 연장되는 제 2C 전극 연결부와 제 2C 전극 연결부로부터 제 1A 전극 연결부가 형성된 가로변의 사선방향으로 연장된 복수의 제 1C 전극 라인을 더 포함할 수 있다.Specifically, the first electrode includes a plurality of first extending in the diagonal direction of the horizontal side where the first C electrode connecting portion extending from the middle portion of the first B electrode connecting portion in the corner direction of the second A electrode connecting portion and the second A electrode connecting portion formed from the first C electrode connecting portion. Further comprising a 1C electrode line, the second electrode is a diagonal direction of the horizontal side formed with the 2C electrode connecting portion extending from the middle portion of the second B electrode connecting portion in the corner direction of the first A electrode connecting portion and the 1A electrode connecting portion from the second C electrode connecting portion. It may further include a plurality of first C electrode lines extending to.

여기서, 복수의 제 1C 전극 라인의 연장 방향은 복수의 제 1A 전극 라인 중 일부 및 복수의 제 1B 전극 라인의 연장 방향과 서로 다르고, 복수의 제 2C 전극 라인의 연장 방향은 복수의 제 2A 전극 라인 중 일부및 복수의 제 2B 전극 라인의 연장 방향과 서로 다르게 형성될 수 있다.
Here, the extending direction of the plurality of first C electrode lines is different from the extending direction of some of the plurality of first A electrode lines and the plurality of first B electrode lines, and the extending direction of the plurality of second C electrode lines is the plurality of second A electrode lines. Some of the plurality of second BB electrodes and the extending direction of the line may be formed differently.

또한, 본 발명의 다른 일례에 따른 태양 전지는 기판과 연결되어 있고 제1 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입을 갖는 적어도 하나의 에미터부, 적어도 하나의 에미터부와 연결되어 있는 제 1 전극, 및 기판과 전기적으로 연결된 제 2 전극을 포함하며, 제 1 전극 및 제 2 전극 각각 중 적어도 일부는 기판에 포함되는 단결정 실리콘의 결정 방향과 사선방향으로 형성된다.In addition, the solar cell according to another embodiment of the present invention is at least one emitter portion connected to the substrate and having a second conductivity type opposite to the first conductivity type, a first electrode connected to the at least one emitter portion, and And a second electrode electrically connected to the substrate, wherein at least some of each of the first electrode and the second electrode is formed in a diagonal direction and a crystal direction of the single crystal silicon included in the substrate.

여기서, 제 1 전극은 기판에 포함되는 단결정 실리콘의 결정 방향과 나란한 방향으로 형성되어 복수의 제 1 전극 라인 각각을 연결하는 제 1 전극 연결부를 더 포함하고, 제 2 전극은 기판에서 제 1 전극 연결부의 맞은편에 단결정 실리콘의 결정 방향과 나란한 방향으로 형성되어 복수의 제 2 전극 라인 각각을 연결하는 제 2 전극 연결부를 더 포함할 수 있다.Here, the first electrode further comprises a first electrode connecting portion formed in a direction parallel to the crystal direction of the single crystal silicon included in the substrate to connect each of the plurality of first electrode lines, the second electrode is a first electrode connecting portion in the substrate Opposite of the may further include a second electrode connecting portion formed in a direction parallel to the crystal direction of the single crystal silicon to connect each of the plurality of second electrode lines.

이와 같이 본 발명의 일례에 따른 태양 전지는 기판의 후면에 형성된 전극 패턴이 기판의 세로변 또는 가로변에 대해 평행하지 않게 형성됨으로써 제조 공정 중에 발생할 수 있는 크랙(Crack)을 방지하여 공정 수율을 향상시키고, 케리어의 이동 경로를 단축시킴으로써 효율을 향상시키는 효과가 있다.As described above, the solar cell according to the exemplary embodiment of the present invention is formed so that the electrode patterns formed on the rear surface of the substrate are not parallel to the longitudinal side or the horizontal side of the substrate, thereby preventing cracks that may occur during the manufacturing process, thereby improving process yield. In addition, there is an effect of improving the efficiency by shortening the moving path of the carrier.

도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 태양 전지의 일부 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시한 태양 전지를 II-II선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 3 및 도 4는 도 1의 실시예에 따른 태양 전지에서 기판(110)의 후면에 형성된 제 1 전극(141)과 제 2 전극(142)의 배열 형태의 제 1 예를 보다 구체적으로 설명하기 위한 도이다.
도 5 및 도 6는 도 1의 실시예에 따른 태양 전지에서 기판(110)의 후면에 형성된 제 1 전극(141)과 제 2 전극(142)의 배열 형태의 제 2 예를 보다 구체적으로 설명하기 위한 도이다.
도 7 및 도 8은 도 1의 실시예에 따른 태양 전지에서 기판(110)의 후면에 형성된 제 1 전극(141)과 제 2 전극(142)의 배열 형태의 제 3 예를 보다 구체적으로 설명하기 위한 도이다.
도 9 및 도 10은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 태양 전지에 대하여 상세하게 설명하기 위한 도이다.
1 is a partial perspective view of a solar cell according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view of the solar cell shown in FIG. 1 taken along line II-II.
3 and 4 illustrate the first example of the arrangement of the first electrode 141 and the second electrode 142 formed on the rear surface of the substrate 110 in the solar cell according to the embodiment of FIG. 1 in more detail. It is for the purpose.
5 and 6 will be described in more detail a second example of the arrangement of the first electrode 141 and the second electrode 142 formed on the rear surface of the substrate 110 in the solar cell according to the embodiment of FIG. It is for the purpose.
7 and 8 illustrate a third example of the arrangement of the first electrode 141 and the second electrode 142 formed on the rear surface of the substrate 110 in the solar cell according to the embodiment of FIG. 1 in more detail. It is for the purpose.
9 and 10 are diagrams for explaining in detail the solar cell according to the second embodiment of the present invention.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 다양한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 부여하였다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention. In the drawings, parts irrelevant to the description are omitted for simplicity of explanation, and like reference numerals designate like parts throughout the specification.

이하에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 따른 태양전지 모듈 및 그 제조 방법에 대하여 설명한다.
Hereinafter, a solar cell module and a manufacturing method thereof according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

먼저, 도 1 및 도 2를 참고로 하여 본 발명의 제 1 실시예에 따른 태양 전지에 대하여 상세하게 설명한다.First, a solar cell according to a first embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 and 2.

도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 태양 전지의 일부 사시도이고, 도 2는 도 1에 도시한 태양 전지를 II-II선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.1 is a partial perspective view of a solar cell according to a first exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view of the solar cell shown in FIG. 1 taken along the line II-II.

도 1 및 도 2를 참고로 하면, 본 발명의 한 실시예의 한 예에 따른 태양 전지(1)는 기판(110), 빛이 입사되는 기판(110)의 면[이하, ‘전면(front surface)’라 함]에 위치하는 전면 전계부(171), 전면 전계부(171) 위에 위치하는 전면 보호부(191), 전면 보호부(191) 위에 위치하는 반사 방지막(130), 빛이 입사되지 않고 기판(110)의 전면과 마주보고 있는 기판(110)의 면[이하, ‘후면(rear surface)’라 함]에 위치하는 복수의 에미터부(121)와 복수의 후면 전계부(122), 복수의 에미터부(121)와 복수의 후면 전계부(122)의 일부 위에 위치하는 있는 후면 보호부(192), 노출된 복수의 에미터부(121)와 연결되어 있는 제 1 전극(141), 그리고 노출된 복수의 후면 전계부(122)와 연결되어 있는 제 2 전극(142)을 구비한다.1 and 2, a solar cell 1 according to an exemplary embodiment of the present invention includes a substrate 110 and a surface of the substrate 110 to which light is incident (hereinafter, referred to as a 'front surface'). 'Front' electric field unit 171, front protective unit 191 positioned on the front electric field unit 171, the anti-reflection film 130 positioned on the front protective unit 191, the light is not incident A plurality of emitter portions 121, a plurality of rear electric field portions 122, and a plurality of emitter portions 121 positioned on a surface of the substrate 110 facing the front surface of the substrate 110 (hereinafter, referred to as a “rear surface”). A rear protection unit 192 positioned on a part of the emitter unit 121 and a plurality of rear electric field units 122, a first electrode 141 connected to the exposed plurality of emitter units 121, and an exposure The second electrode 142 is connected to the plurality of rear electric field 122.

기판(110)은 제1 도전성 타입, 예를 들어 n형 도전성 타입의 실리콘으로 이루어진 반도체 기판이다. 이때, 기판(100)이 n형의 도전성 타입을 가지므로, 기판(110)은 질소(N), 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb), 비스머스(Bi) 등과 같이 5가 원소의 불순물을 함유할 수 있다. 이와 같은 기판(110)은 가로 방향의 가로변과 세로 방향의 세로변을 가지는 사각형 형상을 갖는다.The substrate 110 is a semiconductor substrate made of silicon of a first conductivity type, for example, an n-type conductivity type. In this case, since the substrate 100 has an n-type conductivity type, the substrate 110 may be formed of 5, such as nitrogen (N), phosphorus (P), arsenic (As), antimony (Sb), and bismuth (Bi). It may contain impurities of the element. The substrate 110 has a rectangular shape having a horizontal side in the horizontal direction and a vertical side in the vertical direction.

하지만 이와는 달리, 기판(110)은 p형의 도전성 타입일 수 있고, 이 경우, 기판(110)은 붕소(B), 알루미늄(Na), 갈륨(Ga), 인듐(In), 티타늄(Ti) 등과 같은 3가 원소의 불순물을 함유할 수 있다. 또한 다른 실시예에서, 기판(110)은 실리콘 이외의 다른 반도체 물질로 이루어질 수도 있다. Alternatively, the substrate 110 may be of a p-type conductivity type, in which case the substrate 110 may be boron (B), aluminum (Na), gallium (Ga), indium (In), or titanium (Ti). It may contain impurities of trivalent elements such as the like. In another embodiment, the substrate 110 may be made of a semiconductor material other than silicon.

이러한 기판(110)의 상부 표면은 텍스처링되어 요철면인 텍스처링 표면(textured surface)을 가진다. 이로 인해, 기판(110)의 상부 표면에서의 빛 반사도가 감소하고, 요철면에서 복수 번의 입사와 반사 동작이 행해져 태양 전지(1) 내부에 빛이 갇히게 되고 이로 인해 빛의 흡수율이 증가되므로, 태양 전지(1)의 효율이 향상된다.The upper surface of this substrate 110 is textured to have a textured surface that is an uneven surface. As a result, the light reflectance at the upper surface of the substrate 110 is reduced, and a plurality of incidence and reflection operations are performed on the uneven surface to trap the light inside the solar cell 1, thereby increasing the light absorption rate. The efficiency of the battery 1 is improved.

요철면인 기판(100) 전면에 위치한 전면 전계부(171)는 기판(110) 내에 존재하며, 기판(110)과 동일한 도전성 타입의 불순물이 기판(110)보다 높은 농도로 함유된 불순물부, 예를 들어, n+부이다.The front electric field part 171 located on the front surface of the substrate 100, which is an uneven surface, is present in the substrate 110, and an impurity portion in which impurities of the same conductivity type as the substrate 110 are contained at a higher concentration than the substrate 110, eg, For example, n + part.

따라서, 기판(110)과 전면 전계부(171)와의 불순물 농도 차이로 인해 전위 장벽이 형성되어 기판(110) 전면쪽으로의 정공 이동이 방해되어, 기판(110)의 상부 표면 근처에서 전자와 정공이 재결합하여 소멸되는 것을 감소시킨다. Therefore, a potential barrier is formed due to the difference in the impurity concentration between the substrate 110 and the front surface electric field unit 171, thereby preventing hole movement toward the front surface of the substrate 110. Recombine to reduce extinction.

여기서의 기판(110)은 결정 방향이 일정한 단결정 실리콘 기판이 사용될 수 있다. The substrate 110 may be a single crystal silicon substrate having a constant crystal direction.

따라서, 이와 같이 기판(110)은 단결정 실리콘 기판인 경우, 제조 과정 중에태양 전지의 단위 셀을 형성하기 위해 기판을 가공할 경우, 결정 방향에 따라 세로 방향 또는 세로 방향으로 절단될 수 있다.Thus, when the substrate 110 is a single crystal silicon substrate as described above, when the substrate is processed to form a unit cell of the solar cell during the manufacturing process, the substrate 110 may be cut in the vertical direction or the vertical direction according to the crystal direction.

일례로, 기판(110)이 P-type이고, 결정 방향이 100인 경우, 기판(110)을 절단하는 가공을 하는 경우, 기판(110)의 형태는 결정 방향 100을 따라 세로 방향과 가로 방향으로 절단될 수 있는 것이다. 이와 같이, 기판(110)이 결정 방향을 따라 세로 방향과 가로 방향으로 절단되어 기판(110)에는 세로변과 가로변이 형성된다.For example, when the substrate 110 is a P-type and the crystal direction is 100, when the substrate 110 is cut, the shape of the substrate 110 is longitudinally and horizontally along the crystal direction 100. It can be cut. As described above, the substrate 110 is cut along the crystal direction in the vertical direction and the horizontal direction so that the vertical side and the horizontal side are formed on the substrate 110.

이와 같이 기판(110)을 결정 방향을 따라서 절단하는 것은 절단이 용이할 뿐만 아니라 절단 라인이 결정 방향과 동일하기 때문에 보다 정확하게 절단될 수 있기 때문이다.This is because cutting the substrate 110 along the crystal direction is not only easy to cut, but also because the cutting line is the same as the crystal direction and thus can be more accurately cut.

전면 전계부(171) 위에 위치한 전면 보호부(191)은 기판(110)의 표면 근처에 존재하는 댕글링 결합(dangling bond)과 같은 불안정한 결합을 안정한 결합으로 바꾸어, 불안정한 결합에 의해 기판(110)의 전면쪽으로 이동한 전하, 예를 들어 전자가 소멸되는 현상을 감소시킨다. The front protective part 191 positioned on the front electric field 171 converts an unstable bond such as a dangling bond, which exists near the surface of the substrate 110, into a stable bond, thereby causing the substrate 110 to be unstable. Reduces the charge that has moved towards the front of, for example, the disappearance of electrons.

이러한 전면 보호부(191)은 실리콘 산화물(SiOx) 등으로 이루어진다. The front protection part 191 is made of silicon oxide (SiOx) or the like.

보호막(191) 위에 위치한 반사 방지막(130)은 수소화된 실리콘 질화막(SiNx:H) 등으로 이루어져 있다. 반사 방지막(130)은 태양 전지(1)로 입사되는 빛의 반사도를 줄이고 특정한 파장 영역의 선택성을 증가시켜, 태양 전지(1)의 효율을 높인다. 본 실시예에서, 반사 방지막(130)은 단일막 구조를 갖지만 이중막과 같은 다층막 구조를 가질 수 있고, 필요에 따라 생략될 수 있다.The anti-reflection film 130 disposed on the passivation layer 191 may be formed of a hydrogenated silicon nitride layer (SiNx: H) or the like. The anti-reflection film 130 reduces the reflectivity of light incident on the solar cell 1 and increases the selectivity of a specific wavelength region, thereby increasing the efficiency of the solar cell 1. In the present embodiment, the anti-reflection film 130 may have a single film structure but may have a multilayer film structure such as a double film, and may be omitted as necessary.

기판(110)의 후면 내에 위치하는 복수의 에미터부(121)는 서로 이격되어 있고, 서로 나란하게 정해진 방향으로 뻗어 있다. The plurality of emitter portions 121 positioned in the rear surface of the substrate 110 are spaced apart from each other and extend in parallel to each other in a predetermined direction.

복수의 에미터부(121)는 기판(110)의 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입, 예를 들어, p형의 불순물(p++)이 고농도로 함유되어 있어, 기판(100)과 p-n 접합을 형성한다. 따라서, 에미터부(120)는 붕소(B), 갈륨(Ga), 인듐(In) 등과 같은 3가 원소의 불순물을 포함한다. 이와 같은 복수의 에미터부(121)는 결정질 실리콘 기판(110)의 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입인 p형의 불순물(p++)이 확산 공정을 통하여 고농도로 함유되어 형성될 수 있다.The plurality of emitter portions 121 contains a second conductivity type, for example, p-type impurities (p ++), which are opposite to the conductivity type of the substrate 110 at a high concentration, thereby forming a pn junction with the substrate 100. do. Therefore, the emitter unit 120 includes impurities of trivalent elements such as boron (B), gallium (Ga), indium (In), and the like. The plurality of emitters 121 may be formed by containing a high concentration of p-type impurities p ++, which is a second conductivity type opposite to the conductivity type of the crystalline silicon substrate 110, through a diffusion process.

기판(110)의 후면 내에 위치하는 복수의 후면 전계부(122)는 복수의 에미터부(121)와 분리되어 있고, 서로 거의 평행하게 복수의 에미터부(121)와 동일한 방향으로 뻗어 있다. 따라서, 도 1 및 도 2에 도시한 것처럼, 기판(110)의 후면에서 복수의 에미터부(121)와 복수의 후면 전계부(171)는 교대로 위치한다.The plurality of backside electric fields 122 located in the rear surface of the substrate 110 are separated from the plurality of emitter portions 121 and extend in the same direction as the plurality of emitter portions 121 substantially parallel to each other. Thus, as shown in FIGS. 1 and 2, the plurality of emitter portions 121 and the plurality of rear electric field portions 171 are alternately positioned on the rear surface of the substrate 110.

복수의 후면 전계부(122)는 기판(110)과 동일한 도전성 타입의 불순물이 기판(110)보다 고농도로 함유한 불순물, 예를 들어 n++ 부이다. 이와 같은 복수의 후면 전계부(122)는 결정질 실리콘 기판(110)과 동일한 도전성 타입의 불순물(n++)이 확산 동정을 통하여 고농도로 함유되어 형성될 수 있다. The plurality of backside electric fields 122 is an impurity, for example, n ++ part, in which impurities of the same conductivity type as the substrate 110 are contained at a higher concentration than the substrate 110. The plurality of back surface fields 122 may be formed by containing impurities (n ++) of the same conductivity type as that of the crystalline silicon substrate 110 at a high concentration through diffusion identification.

이로 인해, 전면 전계부(171)와 동일하게, 기판(110)과 복수의 후면 전계부(122)와의 불순물 농도 차이로 인해 전위 장벽이 형성되어 후면 전계부(122)쪽으로 이동한 정공이 제 2 전극(142)쪽으로 이동하는 것이 방지되어, 제 2 전극(142)의 부근에서 전자와 정공이 재결합되어 소멸되는 양이 감소한다. Thus, similar to the front electric field part 171, a potential barrier is formed due to the difference in the impurity concentration between the substrate 110 and the plurality of rear electric field parts 122, and the holes moved toward the rear electric field part 122 are moved. Movement toward the electrode 142 is prevented, so that the amount of electrons and holes recombined and disappears in the vicinity of the second electrode 142 is reduced.

이와 같이 기판(110)과 복수의 에미터부(121) 간에 형성된 p-n 접합에 인한 내부 전위차(built-in potential difference)에 의해, 기판(110)에 입사된 빛에 의해 생성된 전하인 전자-정공 쌍은 전자와 정공으로 분리되어 전자는 n형 쪽으로 이동하고 정공은 p형 쪽으로 이동한다. 따라서, 기판(110)이 n형이고 복수의 에미터부(121)가 p형일 경우, 분리된 정공은 각 에미터부(121)쪽으로 이동하고 분리된 전자는 복수의 후면 전계부(122)쪽으로 이동한다.As such, the electron-hole pair is an electric charge generated by light incident on the substrate 110 due to a built-in potential difference due to a pn junction formed between the substrate 110 and the plurality of emitter portions 121. Is separated into electrons and holes, electrons move toward n-type and holes move toward p-type. Therefore, when the substrate 110 is n-type and the plurality of emitter portions 121 are p-type, the separated holes move toward each emitter portion 121 and the separated electrons move toward the plurality of rear electric field portions 122. .

각 에미터부(121)는 기판(110)과 p-n접합을 형성하므로, 본 실시예와 달리, 기판(110)이 p형의 도전성 타입을 가질 경우, 복수의 에미터부(121)은 n형의 도전성 타입을 가진다. 이 경우, 분리된 전자는 복수의 에미터부(121)쪽으로 이동하고 분리된 정공은 복수의 후면 전계부(172)쪽으로 이동한다.Since each emitter portion 121 forms a pn junction with the substrate 110, unlike the present embodiment, when the substrate 110 has a p-type conductivity type, the plurality of emitter portions 121 are n-type conductivity. Has type In this case, the separated electrons move toward the plurality of emitter parts 121, and the separated holes move toward the plurality of rear electric field parts 172.

후면 보호부(192)은 전면 보호부(191)과 동일하게, 실리콘 산화막(SiOx) 등으로 이루어지고 기판(110) 후면 근처에 존재하는 불안정한 결합을 안정한 결합으로 바꾸어, 기판(110)의 후면쪽으로 이동한 전하가 불안정한 결합에 의해 소멸되는 것을 감소시킨다. The back protection part 192 is made of a silicon oxide film (SiOx) or the like, similar to the front protection part 191, and replaces an unstable bond which exists near the back of the substrate 110 to a stable bond, toward the rear side of the substrate 110. It reduces the dissipation of the charged charge by unstable bonds.

이와 같은 후면 보호부(192)는 복수의 에미터부(121)의 일부와 복수의 후면 전계부(122)의 일부를 드러내는 복수의 개구부(1921)를 구비할 수 있다.. 각 개구부(1921)는 복수의 에미터부(121)와 복수의 후면 전계부(122)를 따라 길게 뻗어 있는 스트라이프(stripe) 형상을 갖는다. The rear protection unit 192 may include a plurality of openings 1921 exposing portions of the plurality of emitter units 121 and portions of the plurality of rear electric fields 122. Each opening 1921 may be provided. It has a stripe shape extending along the plurality of emitters 121 and the plurality of rear electric field 122.

이러한 후면 보호부(192)은, 복수의 개구부(1921)를 통해 노출된 복수의 에미터부(121)와 각각 물리적?전기적으로 연결되어 있는 제 1 전극(141)은 복수의 에미터부(121)를 따라서 연장되며, 복수의 개구부(1921)를 통해 노출된 복수의 후면 전계부(122)와 각각 물리적?전기적으로 연결되어 있는 제 2 전극(142)은 복수의 후면 전계부(122)를 따라서 연장된다. The rear protection unit 192 may include a plurality of emitter units 121. The first electrode 141, which is physically and electrically connected to the plurality of emitter units 121 exposed through the plurality of openings 1921, respectively. Accordingly, the second electrode 142, which is physically and electrically connected to the plurality of rear electric fields 122 exposed through the plurality of openings 1921, extends along the plurality of rear electric fields 122. .

여기서, 기판(110)의 후면 상에서 제 1 전극(141)과 제 2 전극(142)은 서로 물리적 전기적으로 격리되어 있으며, 제 1 전극(141)과 제 2 전극(142) 사이에는 도시된 바와 같이 후면 보호부(192)에 의해 절연될 수 있다.Here, the first electrode 141 and the second electrode 142 are physically and electrically isolated from each other on the rear surface of the substrate 110, and as shown between the first electrode 141 and the second electrode 142. It may be insulated by the back protection 192.

따라서, 에미터부(121) 상에 형성된 제 1 전극(141)은 해당 에미터부(121)쪽으로 이동한 전하, 예를 들어, 정공을 수집하고, 후면 전계부(122) 상에 형성된 제 2 전극(142)은 해당 후면 전계부(122)쪽으로 이동한 전하, 예를 들어, 전자을 수집한다. Accordingly, the first electrode 141 formed on the emitter portion 121 collects charges, for example, holes, which have moved toward the emitter portion 121, and the second electrode (141) formed on the rear electric field portion 122. 142 collects charge, eg, electrons, that have migrated toward the corresponding backside field 122.

이와 같이, 제 1 전극(141)을 통하여 수집된 정공과 제 2 전극(142)를 통하여 수집된 전자는 외부의 회로 장치를 통하여 외부 장치의 전력으로 이용되는 것이다.As such, the holes collected through the first electrode 141 and the electrons collected through the second electrode 142 are used as power of the external device through an external circuit device.

한편, 이와 같이 기판(110)의 후면에 형성된 제 1 전극(141)과 제 2 전극(142) 각각 중 적어도 일부는 기판(110)의 세로변 또는 가로변에 대해 평행하지 않게 형성된다. 즉 제 1 전극(141)과 제 2 전극(142) 중 적어도 일부분은 기판(110)의 측면 라인과 사선 방향으로 형성될 수 있는 것이다. 이에 대한 보다 구체적인 설명은 도 3부터 보다 구체적으로 설명한다.On the other hand, at least some of each of the first electrode 141 and the second electrode 142 formed on the rear surface of the substrate 110 is formed not parallel to the vertical side or the horizontal side of the substrate 110. That is, at least a portion of the first electrode 141 and the second electrode 142 may be formed in an oblique direction with a side line of the substrate 110. A more detailed description thereof will be described in more detail with reference to FIG. 3.

이와 같은 구조를 갖는 본 실시예에 따른 태양 전지(1)는 제 1 전극(141)과 제 2 전극(142)이 빛이 입사되지 않은 기판(110)의 후면에 위치하는 태양 전지로서, 그 동작은 다음과 같다.The solar cell 1 according to the present exemplary embodiment having the structure as described above is a solar cell in which the first electrode 141 and the second electrode 142 are positioned on the rear surface of the substrate 110 to which light is not incident. Is as follows.

태양 전지(1)로 빛이 조사되어 반사 방지막(130), 전면 보호부(191) 및 전면 전계부(171)를 순차적으로 통과하여 기판(110)으로 입사되면 빛 에너지에 의해 기판(110)에서 전자-정공 쌍이 발생한다. 이때, 기판(110)의 표면이 텍스처링 표면이므로 기판(110) 전면에서의 빛 반사도가 감소하고, 텍스처링 표면에서 입사와 반사 동작이 행해져 빛의 흡수율이 증가되므로, 태양 전지(1)의 효율이 향상된다. 이어 더하여, 반사 방지막(130)에 의해 기판(110)으로 입사되는 빛의 반사 손실이 줄어들어 기판(110)으로 입사되는 빛의 양은 더욱더 증가한다.When light is irradiated onto the solar cell 1 and sequentially passes through the anti-reflection film 130, the front protective part 191, and the front electric field part 171 and enters the substrate 110, the light is radiated from the substrate 110 by light energy. Electron-hole pairs occur. At this time, since the surface of the substrate 110 is a texturing surface, the light reflectivity on the entire surface of the substrate 110 is reduced, and incident and reflection operations are performed on the texturing surface to increase light absorption, thereby improving efficiency of the solar cell 1. do. In addition, the reflection loss of light incident on the substrate 110 by the anti-reflection film 130 is reduced, so that the amount of light incident on the substrate 110 is further increased.

이들 전자-정공 쌍은 기판(110)과 에미터부(121)의 p-n 접합에 의해 서로 분리되어 정공은 p형의 도전성 타입을 갖는 복수의 에미터부(121)쪽으로 이동하고, 전자는 n형의 도전성 타입을 갖는 복수의 후면 전계부(122)쪽으로 이동하여, 각각 제1 전극(141)과 제2 전극(142)에 의해 수집된다. 이러한 제1 전극(141)과 제2 전극(142)을 도선으로 연결하면 전류가 흐르게 되고, 이를 외부에서 전력으로 이용하게 된다.These electron-hole pairs are separated from each other by the pn junction of the substrate 110 and the emitter portion 121 so that the holes move toward a plurality of emitter portions 121 having a p-type conductivity type, and the electrons are n-type conductivity. It is moved toward a plurality of rear electric field 122 having a type, and collected by the first electrode 141 and the second electrode 142, respectively. When the first electrode 141 and the second electrode 142 are connected with a conductive wire, a current flows, which is used as power from the outside.

이때, 기판(110)의 후면뿐만 아니라 기판(110)의 전면에 보호막(192, 191)이 위치하므로, 기판(110)의 전면 및 후면 표면 근처에 존재하는 불안정한 결합으로 인해 기판(110)의 표면 근처에서 전하가 손실되는 양이 줄어들어 태양 전지(1)의 효율이 향상된다.In this case, since the passivation layers 192 and 191 are positioned not only on the rear surface of the substrate 110 but also on the front surface of the substrate 110, the surface of the substrate 110 may be formed due to unstable coupling existing near the front and rear surfaces of the substrate 110. The amount of charge lost in the vicinity is reduced, so that the efficiency of the solar cell 1 is improved.

또한, 기판(110)의 후면뿐 아니라 기판(110)의 전면에도 기판(110)과 동일한 도전성 타입의 불순물을 고농도로 함유한 전계부(122, 171)가 위치하므로, 기판(110)의 전면과 후면으로의 정공 이동이 방해된다. 이로 인해, 기판(110)의 후면과 전면에서 전자와 정공이 재결합되어 소멸되는 것이 줄어들어, 태양 전지(1)의 효율은 더욱더 향상된다.In addition, since the electric field parts 122 and 171 containing high concentrations of impurities of the same conductivity type as the substrate 110 are located not only on the rear surface of the substrate 110 but also on the front surface of the substrate 110. Hole movement to the back is obstructed. As a result, the electrons and holes are recombined and extinguished in the rear and front surfaces of the substrate 110, thereby reducing the efficiency of the solar cell 1.

이와 같은 태양 전지(1)는 복수 개가 하나의 모듈에 형성될 수 있으며, 복수 개의 태양 전지(1)는 인터커넥터(또는 리본)를 통하여 서로 전기적으로 직렬로 연결될 수도 있으며, 병렬로 연결될 수도 있다.A plurality of such solar cells 1 may be formed in one module, and the plurality of solar cells 1 may be electrically connected to each other in series through an interconnector (or a ribbon) or may be connected in parallel.

직렬로 연결된 경우, 복수 개의 태양 전지(1)로 형성된 하나의 태양 전지 모듈에서 출력되는 출력 전압을 높일 수 있으며, 병렬로 연결된 경우, 하나의 태양 전지 모듈에서 출력되는 출력 전류를 크게할 수 있는 것이다.
When connected in series, it is possible to increase the output voltage output from one solar cell module formed of a plurality of solar cells (1), and when connected in parallel, it is possible to increase the output current output from one solar cell module. .

이하의 도 3 내지 도 8에서는 본 발명의 일례에 따라 기판의 에미터부의 후면에 형성된 제 1 전극과 후면 전계부의 후면에 형성된 제 2 전극의 배열 형태를 설명하되, 설명의 편의상 기판에서 에미터부와 후면 전계부가 도시되지 않고, 기판의 후면에 제 1 전극과 제 2 전극만 도시하여 설명한다. 또한, 아울러, 비록 에미터부와 후면 전계부가 도시되지는 않고 설명도 생략되었지만, 에미터부와 후면 전계부의 배열 형태는 제 1 전극과 제 2 전극의 배열 형태와 실질적으로 유사하게 형성된다.3 to 8 below illustrate the arrangement of the first electrode formed on the back side of the emitter portion of the substrate and the second electrode formed on the back side of the rear electric field portion, according to an example of the present invention. The rear electric field is not shown, and only the first electrode and the second electrode are shown on the rear surface of the substrate. In addition, although the emitter portion and the rear electric field portion are not shown and explanation is omitted, the arrangement of the emitter portion and the rear electric field portion is formed substantially similarly to the arrangement of the first electrode and the second electrode.

도 3 및 도 4는 도 1의 실시예에 따른 태양 전지에서 기판(110)의 후면에 형성된 제 1 전극(141)과 제 2 전극(142)의 배열 형태의 제 1 예를 보다 구체적으로 설명하기 위한 도이다.3 and 4 illustrate the first example of the arrangement of the first electrode 141 and the second electrode 142 formed on the rear surface of the substrate 110 in the solar cell according to the embodiment of FIG. 1 in more detail. It is for the purpose.

도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 태양 전지는 기판(110)의 후면에 형성된 제 1 전극(141)과 제 2 전극(142) 각각 중 적어도 일부는 기판(110)의 세로변 또는 가로변에 대해 평행하지 않게 형성된다. 다시 말하여, 앞서 설명한 바와 같이 기판(110)이 단결정 실리콘의 결정 방향을 따라 세로 방향 또는 가로 방향으로 절단된 경우, 기판(110)의 세로변과 가로변은 기판(110)의 결정 방향과 일치하고, 제 1 전극(141)과 제 2 전극(142) 중 적어도 일부분이 단결정 실리콘 기판(110)의 결정 방향과 사선방향으로 형성된다.As shown in FIG. 3, in the solar cell according to the present invention, at least some of each of the first electrode 141 and the second electrode 142 formed on the rear surface of the substrate 110 may have a vertical side or a horizontal side of the substrate 110. It is formed not parallel to. In other words, when the substrate 110 is cut in the vertical direction or the horizontal direction along the crystal direction of the single crystal silicon, as described above, the longitudinal side and the horizontal side of the substrate 110 coincide with the crystal direction of the substrate 110. At least a portion of the first electrode 141 and the second electrode 142 are formed in the crystal direction and the diagonal direction of the single crystal silicon substrate 110.

이와 같이, 기판(110)의 세로변 또는 가로변에 대해 평행하지 않게 형성되는 제 1 전극 및 제 2 전극 부분의 길이 방향은 기판(110)의 가로면 또는 세로변에 대해 0˚초과 90˚미만이거나, 90˚초과 180˚미만이거나, 180˚초과 270˚미만이거나, 270˚초과 360˚미만의 각도 범위 내에서 형성될 수 있는 것이다.As such, the length direction of the first electrode and the second electrode portion which are not parallel to the longitudinal side or the horizontal side of the substrate 110 may be greater than 0 ° and less than 90 ° with respect to the horizontal or vertical side of the substrate 110. For example, it may be formed within an angle range of more than 90 ° and less than 180 °, more than 180 ° and less than 270 °, or more than 270 ° and less than 360 °.

이와 같이, 제 1 전극(141)과 제 2 전극(142) 중 적어도 일부분의 배열 형태를 세로변과 가로변과 사선방향으로 형성하거나, 단결정 실리콘 기판(110)의 결정 방향과 사선방향으로 형성하는 것은 제조 공정 중에 기판(110)에 크랙(Crack)이 발생될 수 있는 현상을 방지하기 위한 것이다.As such, the arrangement of at least a portion of the first electrode 141 and the second electrode 142 may be formed in the oblique direction with the vertical side and the horizontal side, or in the crystal direction and the diagonal direction of the single crystal silicon substrate 110. This is to prevent a phenomenon in which cracks may occur in the substrate 110 during the manufacturing process.

보다 구체적으로 설명하면, 태양 전지의 제조 공정 중 온도가 적게는 700℃ ~ 800℃에서 많게는 1000℃ 이상으로 상승하게 된다. 이와 같이, 온도가 고온으로 상승하면, 기판(110)과 기판(110)의 후면에 형성된 제 1 전극(141)과 제 2 전극(142)은 열팽창을 하게 된다.In more detail, during the manufacturing process of the solar cell, the temperature rises from 700 ° C. to 800 ° C. to 1000 ° C. or more. As such, when the temperature rises to a high temperature, the first electrode 141 and the second electrode 142 formed on the rear surface of the substrate 110 and the substrate 110 undergo thermal expansion.

이와 같이 열팽창을 하는 경우, 기판(110)은 결정 방향, 즉 세로 방향과 가로 방향으로 열팽창을 하게되며, 제 1 전극(141)과 제 2 전극(142)은 길이 방향으로 열팽창을 하게 된다.When thermal expansion is performed as described above, the substrate 110 undergoes thermal expansion in the crystal direction, that is, the longitudinal direction and the horizontal direction, and the first electrode 141 and the second electrode 142 undergo thermal expansion in the longitudinal direction.

그러나, 실리콘을 포함하는 기판(110)의 열팽창 계수보다 금속성 물질을 포함하는 제 1 전극(141)과 제 2 전극(142)의 열팽창 계수가 더 크므로, 기판(110)은 제 1 전극(141)과 제 2 전극(142)의 길이 방향으로 더 큰 힘을 받게 된다.However, since the thermal expansion coefficients of the first electrode 141 and the second electrode 142 including the metallic material are greater than the thermal expansion coefficient of the substrate 110 including silicon, the substrate 110 may have the first electrode 141. ) And a greater force in the longitudinal direction of the second electrode 142.

여기서 만약, 제 1 전극(141) 및 제 2 전극(142)의 배열 방향이 기판(110)이 세로 방향 및 가로 방향으로 형성된 경우, 기판(110)의 결정 방향과 전극의 배열 방향이 서로 일치하여 제조 공정 중에 기판(110)의 결정방향으로 기판(110) 본래의 열팽창 계수에 의한 힘보다 더 큰 힘을 받게 되어 기판(110)에 크랙(Crack)이 발생될 가능성이 커진다.Here, when the arrangement direction of the first electrode 141 and the second electrode 142 is formed in the longitudinal direction and the transverse direction, the crystal direction of the substrate 110 and the arrangement direction of the electrodes coincide with each other. During the manufacturing process, a force greater than the force due to the intrinsic thermal expansion coefficient of the substrate 110 is received in the crystallization direction of the substrate 110, so that a crack is generated in the substrate 110.

그러나, 본 발명과 같이, 제 1 전극(141) 및 제 2 전극(142) 중 적어도 일부분의 배열 방향이 기판(110)의 결정 방향, 즉 기판(110)의 세로변 또는 가로변과 사선 방향으로 형성된 경우, 기판(110)의 결정 방향과 제 1, 2 전극(141, 142)의 배열 방향이 서로 달라 기판(110)의 결정방향으로 미칠수 있는 힘을 분산시켜 크랙(Crack)을 방지할 수 있는 것이다.
However, as in the present invention, an arrangement direction of at least a portion of the first electrode 141 and the second electrode 142 is formed in the crystallization direction of the substrate 110, that is, the longitudinal side or the horizontal side of the substrate 110 and the diagonal direction. In this case, the crystal direction of the substrate 110 and the arrangement direction of the first and second electrodes 141 and 142 are different from each other, so that a crack may be prevented by dispersing a force that may be exerted in the crystal direction of the substrate 110. will be.

이와 같은 제 1 전극(141) 및 제 2 전극(142)의 배열 형태를 기판(110)을 중심으로 보다 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.The arrangement of the first electrode 141 and the second electrode 142 as described above will be described in more detail with reference to the substrate 110.

먼저, 기판(110)이 제 1 모서리(E1) 내지 제 4 모서리(E4)를 도시된 바와 같이 차례로 포함하되, 제 2 모서리(E2)와 제 3 모서리(E3)는 서로 대각선 방향에 위치하고, 제 1 모서리(E1)로부터 제 2 모서리(E2)로 이어지는 세로변을 제 1 세로변(LV1), 제 3 모서리(E3)로부터 제 4 모서리(E4)로 이어지는 세로변을 제 2 세로변(LV2), 제 1 모서리(E1)로부터 제 3 모서리(E3)로 이어지는 가로변을 제 1 가로변(LH1), 제 2 모서리(E2)로부터 제 4 모서리(E4)로 이어지는 가로변을 제 2 가로변(LH2)이라고 정의한다.First, the substrate 110 includes the first corner E1 to the fourth corner E4 in order as shown, wherein the second corner E2 and the third corner E3 are located in diagonal directions with each other. The vertical edge extending from the first edge E1 to the second edge E2 is the first longitudinal edge LV1, and the vertical edge extending from the third edge E3 to the fourth edge E4 is the second vertical edge LV2. , The horizontal edge extending from the first edge E1 to the third edge E3 is defined as the second horizontal edge LH2, and the horizontal edge extending from the second edge E2 to the fourth edge E4 is defined as the second horizontal edge LH2. do.

여기서, 제 1 전극(141)은 제 1A 전극 연결부(BA1)와 복수의 제 1A 전극 라인(FA1)를 포함할 수 있다. Here, the first electrode 141 may include a first A electrode connecting portion BA1 and a plurality of first A electrode lines FA1.

여기서, 제 1A 전극 연결부(BA1)는 기판(110)의 가로변 또는 세로변에 인접하여 평행하게 형성될 수 있다. 일례로, 제 1A 전극 연결부(BA1)는 제 1 가로변(LH1)에 나란한 방향으로 인접하여 제 3 모서리(E3)부터 제 1 모서리(E1)까지 형성되고, 제 1 세로변(LV1)에 나란한 방향으로 인접하여 제 1 모서리(E1)부터 제 2 모서리(E2)까지 형성될 수 있는 것이다. Here, the first A electrode connection part BA1 may be formed in parallel to the horizontal side or the vertical side of the substrate 110. For example, the first A electrode connecting portion BA1 is formed in a direction parallel to the first horizontal edge LH1 from the third edge E3 to the first edge E1, and is parallel to the first vertical edge LV1. The first edge E1 to the second edge E2 may be formed adjacent to each other.

복수의 제 1A 전극 라인(FA1)은 제 1A 전극 연결부(BA1)로부터 연장되어 기판(110)의 세로변 또는 가로변에 대해 평행하지 않게 형성될 수 있다. 일례로, 복수의 제 1A 전극 라인(FA1)은 제 1A 전극 연결부(BA1)와 물리적?전기적으로 연결되며 제 1A 전극 연결부(BA1)로부터 사선 방향, 즉 대각선 방향인 제 4 모서리(E4) 방향으로 연장될 수 있다. 이와 같이 됨으로써, 제 1A 전극 라인(FA1)에서 수집된 전하, 즉 정공은 제 1A 전극 라인(FA1)를 통하여 제 1A 전극 연결부(BA1)로 이동될 수 있는 것이다. 이와 같은 복수 개의 제 1A 전극 라인(FA1)은 제 1A 전극 연결부(BA1)를 통하여 서로 전기적으로 연결될 수 있는 것이다.The plurality of first A electrode lines FA1 may extend from the first A electrode connection part BA1 and may not be parallel to the vertical side or the horizontal side of the substrate 110. For example, the plurality of first A electrode lines FA1 may be physically and electrically connected to the first A electrode connection part BA1, and may be diagonally formed from the first A electrode connection part BA1 in a diagonal direction, that is, a fourth edge E4 direction. Can be extended. In this way, the charges collected from the first A electrode line FA1, that is, the holes, may be moved to the first A electrode connection BA1 through the first A electrode line FA1. The plurality of first A electrode lines FA1 may be electrically connected to each other through the first A electrode connection part BA1.

아울러, 제 2 전극(142)은 제 2A 전극 연결부(BA2)와 복수의 제 2A 전극 라인(FA2)를 포함할 수 있다.In addition, the second electrode 142 may include a second A electrode connection part BA2 and a plurality of second A electrode lines FA2.

여기서, 제 2A 전극 연결부(BA2)는 기판(110)에서 제 1A 전극 연결부(BA1)의 맞은편 가로변 또는 세로변에 인접하여 평행하게 형성될 수 있으며, 일례로 도시된 바와 같이 제 2A 전극 연결부(BA2)는 제 2 세로변(LV2)에 나란한 방향으로 인접하여 제 3 모서리(E3)부터 제 4 모서리(E4)까지 형성되고, 제 2 가로변(LH2)에 나란한 방향으로 인접하여 제 4 모서리(E4)부터 제 2 모서리(E2)까지 형성될 수 있는 것이다.Here, the 2A electrode connection part BA2 may be formed to be parallel to the horizontal side or the vertical side opposite to the first A electrode connection part BA1 on the substrate 110, and as illustrated, for example, the 2A electrode connection part BA2. BA2 is formed in the direction parallel to the second longitudinal side LV2 from the third corner E3 to the fourth corner E4, and is adjacent to the second horizontal side LH2 in the direction parallel to the fourth corner E4. ) To the second edge E2.

복수의 제 2A 전극 라인(FA2)는 제 2A 전극 연결부(BA2)로부터 연장되어 기판(110)의 세로변 또는 가로변에 대해 평행하지 않게 형성될 수 있다. 구체적 일례로, 복수의 제 2A 전극 라인(FA2)는 제 2A 전극 연결부(BA2)와 물리적?전기적으로 연결되며 제 2A 전극 연결부(BA2)로부터 사선 방향, 즉 대각선 방향인 제 1 모서리(E1) 방향으로 연장될 수 있다. The plurality of second A electrode lines FA2 may extend from the second A electrode connection part BA2 and may not be parallel to the vertical side or the horizontal side of the substrate 110. As a specific example, the plurality of second A electrode lines FA2 may be physically and electrically connected to the second A electrode connection part BA2, and may be diagonally formed from the second A electrode connection part BA2, ie, in a diagonal direction, ie, in a diagonal direction. It can be extended to.

이와 같이, 복수 개의 제 2A 전극 라인(FA2)은 제 2A 전극 연결부(BA2)를 통하여 서로 전기적으로 연결될 수 있는 것이다.As such, the plurality of second A electrode lines FA2 may be electrically connected to each other through the second A electrode connection part BA2.

이와 같이 됨으로써, 제 2A 전극 라인(FA2)에서 수집된 전하, 즉 전자는 제 2A 전극 라인(FA2)를 통하여 제 2A 전극 연결부(BA2)로 이동될 수 있는 것이다.In this way, the charges collected from the second A electrode line FA2, that is, electrons, may be transferred to the second A electrode connection BA2 through the second A electrode line FA2.

이와 같이 제 1 전극(141) 및 제 2 전극(142) 중 복수의 제 1A 전극 라인(FA1)와 복수의 제 2A 전극 라인(FA2)가 기판(110)의 결정 방향과 나란한 제 1, 2 세로변(LV1, LV2)과 제 1, 2 가로변(LH1, LH2)에 사선 방향으로 형성됨으로써, 태양 전지의 제조 공정 중에 고열이 발생하더라도, 복수의 제 1A 전극 라인(FA1)와 복수의 제 2A 전극 라인(FA2)의 길이 방향으로 열팽창하더라도 기판(110)의 결정방향으로 미칠수 있는 힘을 최대한 분산시켜 크랙(Crack)을 방지할 수 있는 것이다.As described above, the plurality of first A electrode lines FA1 and the plurality of second A electrode lines FA2 of the first electrode 141 and the second electrode 142 are parallel to the crystallographic direction of the substrate 110. By forming diagonal lines on the sides LV1 and LV2 and the first and second horizontal sides LH1 and LH2, even if high heat occurs during the manufacturing process of the solar cell, the plurality of first A electrode lines FA1 and the plurality of second A electrodes Even if the thermal expansion in the longitudinal direction of the line (FA2) it is possible to prevent the crack (Crack) by dispersing the force that can be exerted in the crystal direction of the substrate 110 as much as possible.

여기서, 복수의 제 1A 전극 라인(FA1)와 복수의 제 2A 전극 라인(FA2)는 서로 교번하여 나란하게 배치될 수 있다.
Here, the plurality of first A electrode lines FA1 and the plurality of second A electrode lines FA2 may be alternately arranged side by side.

여기서, 도 3에 도시된 제 1 전극(141) 및 제 2 전극(142)을 보다 구체적으로 설명하면 다음의 도 4와 같다. 도 4는 도 3에서 A부분을 확대한 그림이다. Here, the first electrode 141 and the second electrode 142 illustrated in FIG. 3 will be described in detail with reference to FIG. 4. 4 is an enlarged view of a portion A of FIG. 3.

도 4에 도시된 바와 같이 제 1A 전극 연결부(BA1)와 제 2A 전극 연결부(BA2)의 폭(WBA1, WBA2)은 실질적으로 대략 동일할 수 있다. 이와 같은 제 1 전극(141)의 제 1A 전극 연결부(BA1) 및 제 2 전극(142)의 제 2A 전극 연결부(BA2)의 후면에는 복수의 태양 전지를 서로 전기적으로 연결하는 인터커넥터가 배치될 수 있는 것이다. As illustrated in FIG. 4, the widths WBA1 and WBA2 of the first A electrode connection part BA1 and the second A electrode connection part BA2 may be substantially the same. An interconnector for electrically connecting the plurality of solar cells to each other may be disposed on the rear surface of the first AA connection part BA1 of the first electrode 141 and the second AA connection part BA2 of the second electrode 142. It is.

보다 구체적으로 복수의 태양 전지를 직렬로 연결할 경우, 복수의 태양 전지는 제 1A 전극 연결부(BA1)에서 제 1 세로변(LV1)에 나란한 방향으로 형성된 부분끼리 인터커넥터를 통하여 서로 전기적으로 연결될 수 있으며, 제 2A 전극 연결부(BA2)에서 제 2 세로변(LV2)에 나란한 방향으로 형성된 부분끼리 인터커넥터를 통하여 서로 전기적으로 연결될 수 있는 것이다.More specifically, when the plurality of solar cells are connected in series, the plurality of solar cells may be electrically connected to each other through interconnectors formed in the direction parallel to the first longitudinal side LV1 at the first A electrode connection part BA1. The parts formed in the direction parallel to the second vertical side LV2 in the 2A electrode connection part BA2 may be electrically connected to each other through an interconnector.

또한, 복수의 제 1A 전극 라인(FA1)와 복수의 제 2A 전극 라인(FA2) 각각의 폭(WFA1, WFA2)은 제 1A 전극 연결부(BA1)와 제 2A 전극 연결부(BA2) 각각의 폭(WBA1, WBA2) 보다 작을 수 있으며, 도시되지는 않았지만, 복수의 제 1A 전극 라인(FA1)와 복수의 제 2A 전극 라인(FA2) 각각의 두께는 제 1A 전극 연결부(BA1)와 제 2A 전극 연결부(BA2) 각각의 두께 보다 작을 수 있다. In addition, the widths WFA1 and WFA2 of each of the plurality of first A electrode lines FA1 and the plurality of second A electrode lines FA2 may include a width WBA1 of each of the first A electrode connection part BA1 and the second A electrode connection part BA2. Although not shown, each of the plurality of first A electrode lines FA1 and the plurality of second A electrode lines FA2 may have a thickness of the first A electrode connection part BA1 and the second A electrode connection part BA2. ) May be less than each thickness.

이와 같이 함으로써, 복수의 제 1A 전극 라인(FA1)와 복수의 제 2A 전극 라인(FA2) 각각의 단위 체적을 제 1A 전극 연결부(BA1)와 제 2A 전극 연결부(BA2) 각각의 단위 체적보다 작게 할 수 있어, 복수의 제 1A 전극 라인(FA1) 및 복수의 제 2A 전극 라인(FA2) 각각의 열팽창률이 제 1A 전극 연결부(BA1)와 제 2A 전극 연결부(BA2) 각각의 열팽창률보다 작게 할 수 있는 것이다. In this way, the unit volume of each of the plurality of first A electrode lines FA1 and the plurality of second A electrode lines FA2 may be smaller than the unit volume of each of the first A electrode connection part BA1 and the second A electrode connection part BA2. The thermal expansion rate of each of the plurality of first A electrode lines FA1 and the plurality of second A electrode lines FA2 may be smaller than that of each of the first A electrode connection part BA1 and the second A electrode connection part BA2. It is.

따라서, 복수의 제 1A 전극 라인(FA1)와 복수의 제 2A 전극 라인(FA2)가 열팽창하더라도 기판(110)의 면상에서, 기판(110)의 결정 방향으로 가해지는 힘을 상대적으로 더 작게 할 수 있는 것이다. 또한, 아울러, 복수의 제 1A 전극 라인(FA1)와 복수의 제 2A 전극 라인(FA2) 각각의 폭(WFA1, WFA2)을 상대적으로 더 작게하여 더 많은 개수의 복수의 제 1A 전극 라인(FA1)와 복수의 제 2A 전극 라인(FA2)가 서로 교번하여 배치되도록 함으로써, 태양 전지의 광전 효율을 더 향상시킬 수 있다.Therefore, even if the plurality of first A electrode lines FA1 and the plurality of second A electrode lines FA2 thermally expand, the force applied in the crystal direction of the substrate 110 can be made relatively smaller on the surface of the substrate 110. It is. In addition, the widths WFA1 and WFA2 of each of the plurality of first A electrode lines FA1 and the plurality of second A electrode lines FA2 may be relatively smaller, thereby increasing the number of the plurality of first A electrode lines FA1. And the plurality of second A electrode lines FA2 are alternately arranged, whereby the photoelectric efficiency of the solar cell can be further improved.

이와 함께, 아울러 제 1A 전극 연결부(BA1)와 제 2A 전극 연결부(BA2) 각각의 폭(WBA1, WBA2)을 복수의 제 1A 전극 라인(FA1)와 복수의 제 2A 전극 라인(FA2) 각각의 폭(WFA1, WFA2)보다 크게 함으로써, 복수의 제 1A 전극 라인(FA1)와 복수의 제 2A 전극 라인(FA2) 각각에서 수집된 전공이나 전자가 제 1A 전극 연결부(BA1)와 제 2A 전극 연결부(BA2)로 이동될 때, 제 1A 전극 연결부(BA1)와 제 2A 전극 연결부(BA2)에서의 저항을 상대적으로 복수의 제 1A 전극 라인(FA1)와 복수의 제 2A 전극 라인(FA2)의 저항보다 작게함으로써 전자나 전공의 이동을 보다 원할하게 할 수 있다.In addition, the widths WBA1 and WBA2 of each of the first A electrode connection part BA1 and the second A electrode connection part BA2 are defined by the widths of each of the plurality of first A electrode lines FA1 and the plurality of second A electrode lines FA2. By making it larger than the WFA1 and WFA2, the majors or electrons collected in each of the plurality of first A electrode lines FA1 and the plurality of second A electrode lines FA2 are transferred to the first A electrode connection part BA1 and the second A electrode connection part BA2. ), The resistance at the first A electrode connection part BA1 and the second A electrode connection part BA2 is relatively smaller than that of the plurality of first A electrode lines FA1 and the plurality of second A electrode lines FA2. By doing so, the movement of electrons and majors can be made more smooth.

이와 같은 복수의 제 1A 전극 라인(FA1)와 복수의 제 2A 전극 라인(FA2) 각각의 폭(WFA1, WFA2) 대비 제 1A 전극 연결부(BA1)와 제 2A 전극 연결부(BA2) 각각의 폭(WBA1, WBA2) 비율은 일례로 1 : 5 ~ 40이 되도록 할 수 있다. 즉 일례로, 제 1A 전극 라인(FA1)의 폭(WFA1)이 50um인 경우 제 1A 전극 연결부(BA1)의 폭(WBA1)이 250um 이상 2mm 이하의 범위에서 선택될 수 있는 것이다.The width WBA1 of each of the first A electrode connection part BA1 and the second A electrode connection part BA2 compared to the widths WFA1 and WFA2 of each of the plurality of first A electrode lines FA1 and the plurality of second A electrode lines FA2, respectively. , WBA2) ratio may be 1: 5 to 40, for example. That is, for example, when the width WFA1 of the first A electrode line FA1 is 50 μm, the width WBA1 of the first A electrode connection part BA1 may be selected to be in a range of 250 μm or more and 2 mm or less.

여기서, 폭 비율을 1 : 5 보다 크게하는 것은 복수의 제 1A 전극 라인(FA1) 및 복수의 제 2A 전극 라인(FA2) 각각의 열팽창에 의해 기판(110)에 가해질 수 있는 힘이 최소가 되도록 하기 위함이며, 폭 비율을 1 : 40 보다 크게하는 것은 복수의 제 1A 전극 라인(FA1) 및 복수의 제 2A 전극 라인(FA2) 각각으로 수집된 정공 및 전자가 이동할 때에 미칠 수 있는 저항이 최소가 되도록 하기 위함이다.
Here, the width ratio greater than 1: 5 is such that the force that can be applied to the substrate 110 by thermal expansion of each of the plurality of first A electrode lines FA1 and the plurality of second A electrode lines FA2 is minimized. The width ratio is greater than 1:40 so that the resistance that can be exerted when the holes and electrons collected in each of the plurality of first A electrode lines FA1 and the plurality of second A electrode lines FA2 are moved is minimized. To do this.

또한, 도 4에서는 복수의 제 1A 전극 라인(FA1)의 폭(WFA1)이 복수의 제 2A 전극 라인(FA2)의 폭(WFA2)과 동일한 것을 일례로 도시하였으나, 이와 다르게 복수의 제 1A 전극 라인(FA1)의 폭(WFA1)은 복수의 제 2A 전극 라인(FA2)의 폭(WFA2)보다 크게할 수 있다. 이는 도 1 및 2에서 설명한 바와 같이, 기판(110)이 n형 도전성 타입의 실리콘으로 이루어진 반도체 기판(110)인 경우, 정공은 에미터부(121)쪽으로 이동하며, 전자는 후면 전계부(122)쪽으로 이동하게 된다. 이때, 복수의 제 1A 전극 라인(FA1)의 폭(WFA1)을 복수의 제 2A 전극 라인(FA2)의 폭(WFA2)보다 크게함으로써 제 1 전극(141)으로 수집되는 마이너리티 케리어인 정공의 이동 거리를 단축시킬 수 있어 태양 전지의 광전 효율을 더욱 향상시킬 수 있는 것이다.In FIG. 4, the width WFA1 of the plurality of first A electrode lines FA1 is the same as the width WFA2 of the plurality of second A electrode lines FA2, but the plurality of first A electrode lines are different from each other. The width WFA1 of FA1 may be larger than the width WFA2 of the plurality of second A electrode lines FA2. 1 and 2, when the substrate 110 is a semiconductor substrate 110 made of n-type conductivity type silicon, holes move toward the emitter portion 121, and electrons form a rear electric field portion 122. To the side. At this time, the movement distance of the holes which are the minority carriers collected by the first electrode 141 by making the width WFA1 of the plurality of first A electrode lines FA1 larger than the width WFA2 of the plurality of second A electrode lines FA2. It can be shortened to further improve the photoelectric efficiency of the solar cell.

일례로 복수의 제 2A 전극 라인(FA2)의 폭(WFA2) 대비 복수의 제 1A 전극 라인(FA1)의 폭(WFA2)의 비율은 1 : 1.5 ~ 2.5 사이가 되도록 할 수 있다.For example, the ratio of the width WFA2 of the plurality of first A electrode lines FA1 to the width WFA2 of the plurality of second A electrode lines FA2 may be 1: 1.5 to 2.5.

여기서, 비율이 1 : 1.5 이상이 되도록 하는 것은 전자와 정공의 이동 속도를 고려하여, 정공의 이동 거리가 최소가 되도록 하기 위함이며, 비율은 1 : 2.5 이하가 되도록 하는 것은 전자가 제 2A 전극 라인(FA2)로 수집되어 제 2A 전극 연결부(BA2)로 흐를 때, 전자에 미칠 수 있는 저항이 최소가 되도록 하기 위해 제 2A 전극 라인(FA2)에 적절한 폭을 마련하기 위함이다. 이에 따라 태양 전지의 광전 효율을 최적화 시킬 수 있는 것이다.
Here, the ratio is 1: 1.5 or more in order to minimize the movement distance of the hole in consideration of the moving speed of the electrons and holes, and the ratio is 1: 2.5 or less so that the electrons are the second A electrode line. This is to provide an appropriate width to the second A electrode line FA2 in order to minimize the resistance that may be exerted on the electrons when collected by FA2 and flows to the second A electrode connection BA2. Accordingly, the photoelectric efficiency of the solar cell can be optimized.

도 5 및 도 6는 도 1의 실시예에 따른 태양 전지에서 기판(110)의 후면에 형성된 제 1 전극(141)과 제 2 전극(142)의 배열 형태의 제 2 예를 보다 구체적으로 설명하기 위한 도이다.5 and 6 will be described in more detail a second example of the arrangement of the first electrode 141 and the second electrode 142 formed on the rear surface of the substrate 110 in the solar cell according to the embodiment of FIG. It is for the purpose.

도 5에 도시된 바와 같이, 제 1 전극(141)은 제 1A 전극 연결부(BA1)와 제 1A 전극 라인(FA1) 이외에 제 1B 전극 연결부(BB1)와 제 1B 전극 라인(FB1)를 더 포함하여 형성될 수도 있다.As shown in FIG. 5, the first electrode 141 may further include a first B electrode connection BB1 and a first B electrode line FB1 in addition to the first A electrode connection BA1 and the first A electrode line FA1. It may be formed.

여기서, 도 5에 도시된 바와 같이, 제 1A 전극 연결부(BA1)는 도 3과 동일하며, 제 1A 전극 라인(FA1)의 길이는 도 3에 도시된 제 1A 전극 라인(FA1)의 길이보다 상대적으로 더 짧게 형성되며, 나머지 제 1A 전극 라인(FA1)의 폭이나 두께는 도 3에서 언급한 바와 동일할 수 있다.Here, as shown in FIG. 5, the first A electrode connection part BA1 is the same as that of FIG. 3, and the length of the first A electrode line FA1 is relative to the length of the first A electrode line FA1 shown in FIG. 3. It may be formed shorter, the width or thickness of the remaining first A electrode line FA1 may be the same as mentioned in FIG.

제 1B 전극 연결부(BB1)는 기판(110)의 모서리에 형성된 제 1A 전극 연결부(BA1)의 끝단으로부터 대각선 방향으로 연장되어 형성될 수 있다. 구체적 일례로, 제 1B 전극 연결부(BB1)는 제 2 모서리(E2)에 형성된 제 1A 전극 연결부(BA1)로부터 제 3 모서리(E3) 방향으로 연장되며, 제 2 모서리(E2) 부분에서 제 1B 전극 연결부(BB1)는 제 1A 전극 연결부(BA1)와 물리적?전기적으로 연결된다. The first B electrode connection part BB1 may extend in a diagonal direction from an end of the first A electrode connection part BA1 formed at the edge of the substrate 110. As a specific example, the first B electrode connecting portion BB1 extends from the first A electrode connecting portion BA1 formed at the second corner E2 toward the third corner E3, and the first B electrode at the second corner E2. The connection part BB1 is physically and electrically connected to the first A electrode connection part BA1.

또한, 복수의 제 1B 전극 라인(FB1)은 제 1B 전극 연결부(BB1)로부터 연장되어 기판(110)의 세로변 또는 가로변에 대해 평행하지 않게 형성될 수 있다. 구체적 일례로 도시된 바와 같이 복수의 제 1B 전극 라인(FB1)은 제 1B 전극 연결부(BB1)와 물리적?전기적으로 연결되며, 제 1B 전극 연결부(BB1)로부터 세로 방향, 즉 제 1 모서리(E1)와 대각선 방향에 위치하는 제 4 모서리(E4) 방향으로 연장된다. 이와 같이 복수의 제 1B 전극 라인(FB1)는 제 2 가로변(LH2) 및 제 2 세로변(LV2)의 사선방향으로 형성되는 것이다. 이와 같은 복수의 제 1B 전극 라인(FB1)는 복수의 제 2A 전극 라인(FA2)와 서로 교번하여 나란하게 배치된다.
In addition, the plurality of first B electrode lines FB1 may extend from the first B electrode connection part BB1 so as not to be parallel to the longitudinal side or the horizontal side of the substrate 110. As a specific example, the plurality of first B electrode lines FB1 may be physically and electrically connected to the first B electrode connection part BB1, and may be longitudinally formed from the first B electrode connection part BB1, that is, the first edge E1. And extend in the direction of the fourth corner E4 positioned in the diagonal direction. As described above, the plurality of first B electrode lines FB1 are formed in diagonal directions of the second horizontal side LH2 and the second vertical side LV2. The plurality of first B electrode lines FB1 may be alternately arranged in parallel with the plurality of second A electrode lines FA2.

또한, 제 2 전극(142)도 제 2A 전극 연결부(BA2)와 제 2A 전극 라인(FA2) 이외에 제 2B 전극 연결부(BB2)와 제 2B 전극 라인(FB2)를 더 포함하여 형성될 수도 있다.In addition, the second electrode 142 may further include a second B electrode connection part BB2 and a second B electrode line FB2 in addition to the second A electrode connection part BA2 and the second A electrode line FA2.

여기서, 제 2A 전극 연결부(BA2)는 도 3과 동일하며, 제 2A 전극 라인(FA2)의 길이는 도 3에 도시된 제 2A 전극 라인(FA2)의 길이보다 상대적으로 더 짧게 형성되며, 나머지 제 2A 전극 라인(FA2)의 폭이나 두께는 도 3에서 언급한 바와 동일할 수 있다.Here, the second A electrode connection part BA2 is the same as that of FIG. 3, and the length of the second A electrode line FA2 is formed to be relatively shorter than the length of the second A electrode line FA2 shown in FIG. 3. The width or thickness of the 2A electrode line FA2 may be the same as mentioned in FIG. 3.

여기서, 제 2B 전극 연결부(BB2)는 제 1B 전극 연결부(BB1)의 끝단의 맞은편 대각선 모서리로부터 상기 제 1B 전극 연결부의 끝단 방향으로 연장되어 형성될 수 있다. 구체적 일례로 제 2B 전극 연결부(BB2)는 제 3 모서리(E3)에 형성된 제 2A 전극 연결부(BA2)로부터 제 2 모서리(E2) 방향으로 연장되며, 제 3 모서리(E3) 부분에서 제 2B 전극 연결부(BB2)는 제 2A 전극 연결부(BA2)와 물리적?전기적으로 연결된다. 또한, 복수의 제 2B 전극 라인(FB2)은 제 2B 전극 연결부(BB2)와 물리적?전기적으로 연결되며, 제 2B 전극 연결부(BB2)로부터 세로 방향, 즉 제 4 모서리(E4)와 대각선 방향에 위치하는 제 1 모서리(E1) 방향으로 연장된다. Here, the second B electrode connection part BB2 may be formed extending from the opposite diagonal edge of the end of the first B electrode connection part BB1 toward the end of the first B electrode connection part. In detail, the second B electrode connection part BB2 extends from the second A electrode connection part BA2 formed at the third edge E3 in the direction of the second corner E2, and the second B electrode connection part is formed at the third edge part E3. BB2 is physically and electrically connected to the second A electrode connection part BA2. In addition, the plurality of second B electrode lines FB2 are physically and electrically connected to the second B electrode connecting portion BB2 and are positioned in a longitudinal direction from the second B electrode connecting portion BB2, that is, in a diagonal direction with the fourth corner E4. Extends in the direction of the first edge E1.

이와 같이 복수의 제 2B 전극 라인(FB2)은 제 2B 전극 연결부(BB2)로부터 연장되어 기판(110)의 세로변 또는 가로변에 대해 평행하지 않게 형성될 수 있다. 구체적 일례로 복수의 제 2B 전극 라인(FB2)은 제 1 가로변(LH1) 및 제 1 세로변(LV1)의 사선방향으로 형성되는 것이다. 이와 같은 복수의 제 2B 전극 라인(FB2)은 복수의 제 1A 전극 라인(FA1)와 서로 교번하여 나란하게 배치된다.As described above, the plurality of second B electrode lines FB2 may extend from the second B electrode connection part BB2 so as not to be parallel to the longitudinal side or the horizontal side of the substrate 110. As a specific example, the plurality of second B electrode lines FB2 may be formed in diagonal directions between the first horizontal side LH1 and the first vertical side LV1. Such a plurality of second B electrode lines FB2 are alternately arranged in parallel with the plurality of first A electrode lines FA1.

이와 같이, 도 5에 도시된 제 1 전극(141) 및 제 2 전극(142)의 배열 형태는 도 3에 도시된 배열 형태와 비교하여 각 전극 연결부로부터 연장되는 각 복수의 전극 라인의 배열 방향이 더 다양화되어 있다. As such, the arrangement form of the first electrode 141 and the second electrode 142 illustrated in FIG. 5 may be arranged in a direction in which the plurality of electrode lines extending from each electrode connection portion may be arranged in comparison with the arrangement illustrated in FIG. 3. More diversified

이와 같이 각 복수의 전극 라인의 배열 방향이 더 다양화되도록 함으로써, 기판(110)의 결정방향으로 미칠수 있는 힘을 상대적으로 더 분산시킬 수 있어 크랙(Crack)을 더욱 효과적으로 방지할 수 있다. 아울러 상대적으로 전기 저항이 큰 각 복수의 전극 라인의 길이를 더욱 줄여 각 복수의 전극 라인 내에서 전자와 정공의 이동 경로를 줄이고, 상대적으로 전기 저항이 작은 각 전극 연결부를 더 형성시켜 전자와 정공의 이동을 보다 원할하게 할 수 있다.
As described above, the direction in which the plurality of electrode lines are arranged to be more diversified makes it possible to further disperse the force that may be exerted in the crystal direction of the substrate 110, thereby preventing cracks more effectively. In addition, the length of each of the plurality of electrode lines having a relatively high electrical resistance is further reduced to reduce the movement path of electrons and holes in each of the plurality of electrode lines. You can make the movement smoother.

여기서, 도 5에 도시된 제 1 전극(141) 및 제 2 전극(142)을 보다 구체적으로 설명하면 다음의 도 6과 같다. 도 6은 도 5에서 B부분을 확대한 그림이다. Here, the first electrode 141 and the second electrode 142 illustrated in FIG. 5 will be described in detail with reference to FIG. 6. FIG. 6 is an enlarged view of a portion B in FIG. 5.

도 6에 도시된 바와 같이, 제 1B 전극 연결부(BB1)와 제 2B 전극 연결부(BB2)의 각각의 폭(WBB1, WBB2)은 제 1A 전극 연결부(BA1)와 제 2A 전극 연결부(BA2)의 각각의 폭(WBA1, WBA2)과 동일할 수 있으며, 제 1B 전극 연결부(BB1)와 제 2B 전극 연결부(BB2)의 각각의 폭(WBB1, WBB2)은 복수의 제 1B 전극 라인(FB1)와 복수의 제 2B 전극 라인(FB2) 각각의 폭(WFB1, WFB2)보다 크게 형성될 수도 있다. As shown in FIG. 6, each of the widths WBB1 and WBB2 of the first B electrode connection part BB1 and the second B electrode connection part BB2 is respectively the first A electrode connection part BA1 and the second A electrode connection part BA2. The widths WBA1 and WBA2 may be equal to each other, and each of the widths WBB1 and WBB2 of the first B electrode connection part BB1 and the second B electrode connection part BB2 may have a plurality of first B electrode lines FB1 and a plurality of widths. It may be larger than the widths WFB1 and WFB2 of each of the second B electrode lines FB2.

이는, 상대적으로 저항이 높은 복수의 제 1A 전극 라인(FA1) 및 제 2A 전극 라인(FA2)의 길이를 도 3과 비교하여 더 짧게 형성할 수 있어, 복수의 제 1A 전극 라인(FA1) 및 제 2A 전극 라인(FA2) 내에서 전자와 정공의 이동 경로를 더욱 단축시킬 수 있으며, 상대적으로 저항이 낮은 제 1B 전극 연결부(BB1)와 제 2B 전극 연결부(BB2)를 기판(110)의 모서리에서 대각선 방향으로 더 형성하고, 상대적으로 저항이 높은 복수의 제 1B 전극 라인(FB1) 및 제 2B 전극 라인(FB2)가 각각 제 1B 전극 연결부(BB1)와 제 2B 전극 연결부(BB2)로부터 연장되도록 더 형성함으로써, 상대적으로 저항이 높은 제 1B 전극 라인(FB1) 및 제 2B 전극 라인(FB2)내에서 전자와 정공의 이동 거리를 더 단축함과 아울러, 저항이 낮은 제 1B 전극 연결부(BB1)와 제 2B 전극 연결부(BB2)를 통하여 수집된 전자와 정공이 더욱 원할하게 이동하도록 할 수 있어 태양 전지의 광전 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.The length of the plurality of first A electrode lines FA1 and the second A electrode lines FA2 having a relatively high resistance may be shorter than that of FIG. It is possible to further shorten the movement path of electrons and holes in the 2A electrode line FA2, and the first resistance BB1 and the second resistance BB2 having a relatively low resistance are diagonally formed at the edges of the substrate 110. Further formed in the direction, and further formed such that the plurality of first and second electrode lines FB1 and FB2 having a relatively high resistance extend from the first B electrode connection part BB1 and the second B electrode connection part BB2, respectively. As a result, the distance between electrons and holes in the first and second electrode lines FB1 and FB2 having a relatively high resistance is further shortened, and the first and second electrode connection parts BB1 and 2B having a low resistance are further shortened. More electrons and holes collected through the electrode connection (BB2) It can be moved to desired it is possible to further improve the photoelectric efficiency of the solar cell.

또한, 도 6에서는 복수의 제 1A 전극 라인(FA1), 제 2A 전극 라인(FA2), 제 1B 전극 라인(FB1) 및 제 2B 전극 라인(FB2)의 폭(WFA1, WFA2, WFB1, WFB2)이 서로 동일한 것으로 도시하고 있으나, 이와 다르게 복수의 제 1A 전극 라인(FA1)의 폭(WFA1)은 복수의 제 2B 전극 라인(FB2)의 폭(WFB2)보다 클 수 있으며, 복수의 제 1B 전극 라인(FB1)의 폭(WFB1)은 복수의 제 2A 전극 라인(FA2)의 폭(WFA2)보다 더 클 수 있다.6, the widths WFA1, WFA2, WFB1, and WFB2 of the plurality of first A electrode lines FA1, the second A electrode lines FA2, the first B electrode lines FB1, and the second B electrode lines FB2 are illustrated in FIG. 6. Although illustrated as being identical to each other, the width WFA1 of the plurality of first A electrode lines FA1 may be greater than the width WFB2 of the plurality of second B electrode lines FB2, and the plurality of first B electrode lines ( The width WFB1 of FB1 may be greater than the width WFA2 of the plurality of second A electrode lines FA2.

이와 같이 함으로써, 제 1 전극(141)으로 수집되는 마이너리티 케리어인 정공의 이동 거리를 단축시킬 수 있어 태양 전지의 광전 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.
By doing in this way, the movement distance of the hole which is a minority carrier collected by the 1st electrode 141 can be shortened, and the photoelectric efficiency of a solar cell can be improved further.

도 7 및 도 8은 도 1의 실시예에 따른 태양 전지에서 기판(110)의 후면에 형성된 제 1 전극(141)과 제 2 전극(142)의 배열 형태의 제 3 예를 보다 구체적으로 설명하기 위한 도이다.7 and 8 illustrate a third example of the arrangement of the first electrode 141 and the second electrode 142 formed on the rear surface of the substrate 110 in the solar cell according to the embodiment of FIG. 1 in more detail. It is for the purpose.

복수 개의 제 1 전극 라인 및 제 2 전극 라인은 기판 상의 영역에 따라 서로 다른 각도를 가지고 형성될 수도 있다.The plurality of first electrode lines and the second electrode lines may be formed at different angles according to regions on the substrate.

구체적으로 도 7에 도시된 바와 같이, 제 1 전극(141)은 제 1A 전극 연결부(BA1)와 제 1A 전극 라인(FA1), 제 1B 전극 연결부(BB1)와 제 1B 전극 라인(FB1) 이외에 제 1C 전극 연결부(BC1)와 제 1C 전극 라인(FC1)를 더 포함하여 형성될 수도 있다.In detail, as illustrated in FIG. 7, the first electrode 141 may include a first electrode in addition to the first electrode connection part BA1 and the first electrode line FA1, the first electrode electrode connection part BB1, and the first electrode electrode line FB1. The 1C electrode connection part BC1 and the first C electrode line FC1 may be further included.

여기서, 도 7에 도시된 바와 같이 제 1A 전극 연결부(BA1) 및 제 1B 전극 연결부(BB1)는 도 5와 동일하며, 제 1 세로변(LV1)과 나란한 제 1A 전극 연결부(BA1)로부터 사선 방향으로 연장되는 복수의 제 1A 전극 라인(FA1)와 이에 교번하여 나란하게 제 2B 전극 연결부(BB2)로부터 세로로 연장되는 복수의 제 2B 전극 라인(FB2)은 도 5와 동일할 수 있다. 그리고, 제 1 가로변(LH1)과 나란한 제 1A 전극 연결부(BA1)로부터 연장되는 복수의 제 1A 전극 라인(FA1)는 도 5와 다르게, 도 7에 도시된 바와 같이 제 1A 전극 연결부(BA1)로부터 제 1B 전극 연결부(BB1)나 제 2B 전극 연결부(BB2)와 나란한 사선 방향으로 연장되어 형성될 수 있다.Here, as shown in FIG. 7, the first A electrode connecting portion BA1 and the first B electrode connecting portion BB1 are the same as those of FIG. 5, and are obliquely aligned from the first A electrode connecting portion BA1 parallel to the first longitudinal side LV1. The plurality of first A electrode lines FA1 extending to the plurality of second B electrode lines FB2 extending vertically from the second B electrode connecting portion BB2 in parallel with each other may be the same as in FIG. 5. The plurality of first A electrode lines FA1 extending from the first A electrode connection part BA1 parallel to the first horizontal side LH1 are different from the first A electrode connection part BA1 as shown in FIG. 7, unlike FIG. 5. The first B electrode connection part BB1 or the second B electrode connection part BB2 may be formed to extend in an oblique direction.

제 1C 전극 연결부(BC1)는 제 1B 전극 연결부(BB1)의 중간부분으로부터 상기 제 2A 전극 연결부(BA2)의 모서리 방향으로 연장되어 형성될 수 있다. 구체적으로 제 1C 전극 연결부(BC1)는, 도 7에 도시된 바와 같이, 제 1B 전극 연결부(BB1)의 중간부분으로부터 세로방향인 제 4 모서리(E4) 방향으로 연장되며, 제 1C 전극 연결부(BC1)의 폭(WBC1)과 제 1B 전극 연결부(BB1)의 폭(WBB1)은 도시된 바와 같이 서로 동일하게 형성될 수 있다.The 1C electrode connection part BC1 may extend from the middle of the first B electrode connection part BB1 in the corner direction of the second A electrode connection part BA2. In detail, as illustrated in FIG. 7, the first C electrode connection part BC1 extends from the middle portion of the first B electrode connection part BB1 in the direction of the fourth corner E4 in the vertical direction, and the first C electrode connection part BC1. The width WBC1 of) and the width WBB1 of the first B electrode connection portion BB1 may be formed to be the same as illustrated.

복수의 제 1C 전극 라인(FC1)은 제 1C 전극 연결부(BC1)로부터 세로 방향으로 연장되어 제 2A 전극 연결부가 형성된 제 2 가로변(LH2)에 사선방향으로 형성될 수 있으며, 이와 같은 복수의 제 1C 전극 라인(FC1)은 복수의 제 2A 전극 라인(FA2)와 서로 교번하여 나란하게 배치된다.The plurality of first C electrode lines FC1 may extend in the vertical direction from the first C electrode connection part BC1 and may be formed in an oblique direction on the second horizontal edge LH2 on which the second A electrode connection part is formed. The electrode lines FC1 are arranged side by side alternately with the plurality of second A electrode lines FA2.

제 2 전극(142)도 도 7에 도시된 바와 같이, 제 2A 전극 연결부(BA2)와 제 2A 전극 라인(FA2), 제 2B 전극 연결부(BB2)와 제 2B 전극 라인(FB2) 이외에 제 2C 전극 연결부(BC2)와 제 2C 전극 라인(FC2)를 더 포함하여 형성될 수도 있다. As shown in FIG. 7, the second electrode 142 also has a second C electrode in addition to the second AA connection part BA2 and the second A electrode line FA2, the second B electrode connection part BB2, and the second B electrode line FB2. The connection part BC2 and the second C electrode line FC2 may be further included.

여기서, 도 7에 도시된 바와 같이 제 2A 전극 연결부(BA2) 및 제 2B 전극 연결부(BB2)는 도 5와 동일하며, 제 2 세로변(LV2)과 나란한 제 2A 전극 연결부(BA2)로부터 사선 방향으로 연장되는 복수의 제 2A 전극 라인(FA2)와 이에 교번하여 나란하게 제 1B 전극 연결부(BB1)로부터 세로로 연장되는 복수의 제 1B 전극 라인(FB1)는 도 5와 동일할 수 있다. 그리고, 제 1 가로변(LH1)과 나란한 제 2A 전극 연결부(BA2)로부터 연장되는 복수의 제 2A 전극 라인(FA2)는 도 5와 다르게, 도 7에 도시된 바와 같이 제 2A 전극 연결부(BA2)로부터 제 1B 전극 연결부(BB1)나 제 2B 전극 연결부(BB2)와 나란한 사선 방향으로 연장되어 형성될 수 있다. Here, as shown in FIG. 7, the second A electrode connecting portion BA2 and the second B electrode connecting portion BB2 are the same as those of FIG. 5, and are obliquely aligned from the second A electrode connecting portion BA2 parallel to the second longitudinal side LV2. The plurality of second A electrode lines FA2 extending in parallel to the plurality of first B electrode lines FB1 extending vertically from the first B electrode connecting portion BB1 in parallel with each other may be the same as in FIG. 5. The second A electrode lines FA2 extending from the second A electrode connection part BA2 parallel to the first horizontal side LH1 are different from the second A electrode connection part BA2 as shown in FIG. 7, unlike FIG. 5. The first B electrode connection part BB1 or the second B electrode connection part BB2 may be formed to extend in an oblique direction.

제 2C 전극 연결부(BC2)는 제 2B 전극 연결부(BB2)의 중간부분으로부터 제 1A 전극 연결부의 모서리 방향으로 연장되어 형성될 수 있다. 구체적으로 제 2C 전극 연결부(BC2)는 제 2B 전극 연결부(BB2)의 중간부분으로부터 세로방향인 제 1 모서리(E1) 방향으로 연장되며, 제 2C 전극 연결부(BC2)의 폭(WBC2)과 제 2B 전극 연결부(BB2)의 폭(WBB2)은 도시된 바와 같이 서로 동일하게 형성될 수 있다.The second C electrode connection part BC2 may be formed extending from the middle portion of the second B electrode connection part BB2 in the corner direction of the first A electrode connection part. In detail, the second C electrode connection part BC2 extends from the middle portion of the second B electrode connection part BB2 in the direction of the first edge E1 in the vertical direction, and the width WBC2 and the second B of the second C electrode connection part BC2. Widths WBB2 of the electrode connection part BB2 may be formed to be the same as shown in the figure.

복수의 제 2C 전극 라인(FC2)는 제 2C 전극 연결부(BC2)로부터 세로 방향으로 연장되어 제 1A 전극 연결부가 형성된 제 1 가로변(LH1)에 사선방향으로 형성될 수 있으며, 이와 같은 복수의 제 2C 전극 라인(FC2)는 복수의 제 1A 전극 라인(FA1)와 서로 교번하여 나란하게 배치된다.The plurality of second C electrode lines FC2 may extend in the vertical direction from the second C electrode connection part BC2 and may be formed in an oblique direction on the first horizontal edge LH1 on which the first A electrode connection part is formed. The electrode lines FC2 are alternately arranged in parallel with the plurality of first A electrode lines FA1.

이와 같이, 도 7에 도시된 제 1 전극(141) 및 제 2 전극(142)의 배열 형태는 도 3이나 도 5에 도시된 배열 형태와 비교하여 각 전극 연결부로부터 연장되는 각 복수의 전극 라인의 배열 방향이 매우 다양화되어 있다. As such, the arrangement of the first electrode 141 and the second electrode 142 illustrated in FIG. 7 may be compared with that of each of the plurality of electrode lines extending from each electrode connection as compared with the arrangement illustrated in FIG. 3 or 5. The arrangement direction is very diverse.

구체적으로, 도 7에 도시된 바와 같이 복수의 제 1C 전극 라인(FC1)의 연장 방향은 제 1 세로변(LV1)에 형성된 제 1 전극 연결부(BA1)에서 연장된 복수의 제 1A 전극 라인(FA1) 및 복수의 제 1B 전극 라인(FB1)의 연장 방향과 서로 다르고, 복수의 제 2C 전극 라인의 연장 방향(FC2)은 제 2 세로변(LV2)에 형성된 제 2 전극 연결부(BA2)에서 연장된 복수의 제 2A 전극 라인(FA2) 중 및 복수의 제 2B 전극 라인(FB2)의 연장 방향과 서로 다르게 형성될 수 있는 것이다. In detail, as illustrated in FIG. 7, the extending direction of the plurality of first C electrode lines FC1 is the plurality of first A electrode lines FA1 extending from the first electrode connection part BA1 formed on the first vertical side LV1. ) And the extending direction of the plurality of first B electrode lines FB1, and the extending direction FC2 of the plurality of second C electrode lines extends from the second electrode connection part BA2 formed on the second vertical side LV2. One of the plurality of second A electrode lines FA2 and the plurality of second B electrode lines FB2 may be formed to be different from each other.

이와 같이 각 복수의 전극 라인의 배열 방향이 더 다양화되도록 함으로써, 기판(110)의 결정방향으로 미칠수 있는 힘을 상대적으로 더 분산시킬 수 있어 크랙(Crack)을 더욱 효과적으로 방지할 수 있다. 아울러 상대적으로 전기 저항이 큰 각 복수의 전극 라인의 길이를 더욱 줄여 각 복수의 전극 라인 내에서 전자와 정공의 이동 경로를 줄이고, 상대적으로 전기 저항이 작은 각 전극 연결부를 더 형성시켜 전자와 정공의 이동을 보다 원할하게 할 수 있다.
As described above, the direction in which the plurality of electrode lines are arranged to be more diversified makes it possible to further disperse the force that may be exerted in the crystal direction of the substrate 110, thereby preventing cracks more effectively. In addition, the length of each of the plurality of electrode lines having a relatively high electrical resistance is further reduced to reduce the movement path of electrons and holes in each of the plurality of electrode lines. You can make the movement smoother.

여기서, 도 7에 도시된 제 1 전극(141) 및 제 2 전극(142)을 보다 구체적으로 설명하면 다음의 도 8과 같다. 도 8은 도 7에서 C부분을 확대한 그림이다. Here, the first electrode 141 and the second electrode 142 illustrated in FIG. 7 will be described in detail with reference to FIG. 8. FIG. 8 is an enlarged view of a portion C in FIG. 7.

도 8에 도시된 바와 같이, 제 1C 전극 연결부(BC1)와 제 2C 전극 연결부(BC2)의 각각의 폭(WBC1, WBC2)은 제 1B 전극 연결부(BB1)와 제 2B 전극 연결부(BB2)의 각각의 폭(WBB1, WBB2)과 동일할 수 있으며, 제 1C 전극 연결부(BC1)와 제 2C 전극 연결부(BC2)의 각각의 폭(WBC1, WBC2)은 복수의 제 1C 전극 라인(FC1)와 복수의 제 2C 전극 라인(FC2) 각각의 폭(WFC1, WFC2)보다 크게 형성될 수도 있다. As shown in FIG. 8, each of the widths WBC1 and WBC2 of the first C electrode connection part BC1 and the second C electrode connection part BC2 may correspond to each of the first B electrode connection part BB1 and the second B electrode connection part BB2. The widths WBB1 and WBB2 may be equal to each other, and each of the widths WBC1 and WBC2 of the first C electrode connection part BC1 and the second C electrode connection part BC2 may have a plurality of first C electrode lines FC1 and a plurality of widths. The second C electrode line FC2 may be formed larger than the widths WFC1 and WFC2, respectively.

이와 같이, ,상대적으로 저항이 낮은 제 1C 전극 연결부(BC1)와 제 2C 전극 연결부(BC2)를 기판(110)의 중앙 부분에서 제 1 모서리(E1) 또는 제 4 모서리(E4)로의 대각선 방향으로 더 형성하고, 상대적으로 저항이 높은 복수의 제 1C 전극 라인(FC1) 및 제 2C 전극 라인(FC2)가 각각 제 1C 전극 연결부(BC1)와 제 2C 전극 연결부(BC2)로부터 연장되도록 더 형성함으로써, 전자와 정공의 이동 거리를 더 단축하여 수집된 전자와 정공이 더욱 원할하게 이동하도록 할 수 있어 태양 전지의 광전 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.As such, the relatively low resistance of the first C electrode connection part BC1 and the second C electrode connection part BC2 in the diagonal direction from the central portion of the substrate 110 to the first edge E1 or the fourth edge E4. Further, by further forming a plurality of relatively high resistance of the first C electrode line FC1 and the second C electrode line FC2 so as to extend from the first C electrode connection part BC1 and the second C electrode connection part BC2, respectively, By further shortening the moving distance between electrons and holes, the collected electrons and holes can be moved more smoothly, thereby further improving the photoelectric efficiency of the solar cell.

또한, 도 8에서는 복수의 제 1C 전극 라인(FC1) 및 제 2A 전극 라인(FA2)의 폭(WFC1, WFA2)이 서로 동일한 것으로 도시하고 있으나, 이와 다르게 복수의 제 1C 전극 라인(FC1)의 폭(WFC1)은 복수의 제 2A 전극 라인(FA2)의 폭(WFA2)보다 클 수 있으며, 복수의 제 1A 전극 라인(FA1) 및 제 2C 전극 라인(FC2)의 폭(WFA1, WFC2)이 서로 동일한 것으로 도시하고 있으나, 이와 다르게 복수의 제 1C 전극 라인(FC1)의 폭(WFC1)은 복수의 제 2C 전극 라인(FC2)의 폭(WFC2)보다 클 수 있다. In addition, although the widths WFC1 and WFA2 of the plurality of first C electrode lines FC1 and the second A electrode line FA2 are the same as each other, in FIG. 8, the widths of the plurality of first C electrode lines FC1 are different from each other. WFC1 may be greater than the width WFA2 of the plurality of second A electrode lines FA2, and the widths WFA1 and WFC2 of the plurality of first A electrode lines FA1 and the second C electrode line FC2 are equal to each other. Alternatively, the width WFC1 of the plurality of first C electrode lines FC1 may be greater than the width WFC2 of the plurality of second C electrode lines FC2.

이와 같이 함으로써, 제 1 전극(141)으로 수집되는 마이너리티 케리어인 정공의 이동 거리를 단축시킬 수 있어 태양 전지의 광전 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.
By doing in this way, the movement distance of the hole which is a minority carrier collected by the 1st electrode 141 can be shortened, and the photoelectric efficiency of a solar cell can be improved further.

지금까지의 제 1 실시예에서는 기판(110)이 단결정 실리콘 기판(110)이고, 에미터부와 후면 전계부가 확산 공정을 통하여 형성된 경우를 예로 설명하였으나, 이와 다르게 다음에 설명할 제 2 실시예에서는 에미터부와 후면 전계부가 결정질 실리콘으로 형성된 경우와 다르게 비정질 실리콘 층이 층착하여 형성된 경우를 일례로 설명한다.In the first embodiment thus far, the case where the substrate 110 is the single crystal silicon substrate 110 and the emitter portion and the rear electric field portion are formed through the diffusion process has been described as an example. The case where the amorphous silicon layer is formed by lamination unlike the case where the tab portion and the rear electric field portion are formed of crystalline silicon will be described as an example.

그러나, 이와 같은 제 2 실시예에서도 제 1 실시예와 동일하게 기판(110)의 후면에 형성되는 제 1 전극(141)과 제 2 전극(142)의 배열 형태가 그대로 적용될 수 있다. 따라서, 별도의 설명을 생략하지만, 제 2 실시예에서도 앞서 설명한 제 1 전극(141)과 제 2 전극(142)의 배열 형태가 도 3 내지 도 8에서 설명한 것과 동일하게 적용될 수 있다.
However, in the second embodiment as described above, the arrangement of the first electrode 141 and the second electrode 142 formed on the rear surface of the substrate 110 may be applied as is. Therefore, although a separate description is omitted, the arrangement of the first electrode 141 and the second electrode 142 described above may also be applied to the second embodiment in the same manner as described with reference to FIGS. 3 to 8.

도 9 및 도 10은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 태양 전지에 대하여 상세하게 설명하기 위한 도이다.9 and 10 are diagrams for explaining in detail the solar cell according to the second embodiment of the present invention.

도 9은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 태양 전지의 일부 사시도이고, 도 10는 도 9에 도시한 태양 전지를 X-X 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.9 is a partial perspective view of a solar cell according to a second exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 10 is a cross-sectional view of the solar cell shown in FIG. 9 taken along the line X-X.

도 9 및 도 10에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 태양 전지(2)는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 태양 전지(1)와 같이, 기판(110), 전면 보호부(191), 반사 방지부(130), 후면 보호부(192), 복수의 에미터부(121), 복수의 후면 전계부(back surface field, BSF)(172), 그리고 제1 전극(141)과 제2 전극(142)을 포함할 수 있으며, 제 1 실시예에 따른 태양 전지(1)와 동일한 기능을 수행한다. 아울러 이하에서는 제 2 실시예에 따른 태양 전지(2)가 제 1 실시예에 따른 태양 전지(1)와 구별되는 점을 위주로 설명한다. 따라서, 별도의 설명이 없는 부분은 제 1 실시예에 따른 태양 전지(1)와 동일한 것으로 취급한다.9 and 10, the solar cell 2 according to the second embodiment of the present invention, like the solar cell 1 according to the first embodiment of the present invention, the substrate 110, the front surface protection Part 191, antireflection 130, back protection 192, a plurality of emitters 121, a plurality of back surface fields (BSF) 172, and first electrode 141. And a second electrode 142 and perform the same function as the solar cell 1 according to the first embodiment. In addition, hereinafter, the solar cell 2 according to the second embodiment will be mainly described that the difference from the solar cell 1 according to the first embodiment. Therefore, the parts which are not described separately are treated as the same as the solar cell 1 according to the first embodiment.

기판(110)은 제 1 실시예와 마찬가지로 제1 도전성 타입, 예를 들어 n형 도전성 타입의 실리콘으로 이루어진 반도체 기판일 수 있으며 단결정 실리콘과 같은 결정질 실리콘일 수 있으며, 그 기능은 제 1 실시예와 동일하다. The substrate 110 may be a semiconductor substrate made of silicon of a first conductivity type, for example, an n-type conductivity, like the first embodiment, and may be crystalline silicon such as single crystal silicon, and its function may be the same as that of the first embodiment. same.

기판(110) 상에 형성되는 전면 보호부(191)는 제 1 실시예에 따른 태양 전지(1)와 달리, 진성 비정질 실리콘[intrinsic amorphous silicon(a-Si)]이 증착되어 형성될 수 있으나, 그 기능을 제 1 실시예의 기판(110)과 동일하다. Unlike the solar cell 1 according to the first embodiment, the front protection part 191 formed on the substrate 110 may be formed by depositing intrinsic amorphous silicon (a-Si). The function is the same as that of the substrate 110 of the first embodiment.

기판(110)의 후면에 바로 위치한 후면 보호부(192)는 전면 보호부(191)와 동일하게, 비정질 실리콘 등이 증착되어 형성될 수 있으며, 그 기능은 제 1 실시예의 후면 보호부(192)와 동일하다. The back protection part 192 located directly on the back of the substrate 110 may be formed by depositing amorphous silicon or the like, similar to the front protection part 191, and its function may be formed by the back protection part 192 of the first embodiment. Is the same as

복수의 후면 전계부(172)는 제 1 실시예와 다르게 후면 보호부(192) 상에 배치되며, 기판(110)과 동일한 도전성 타입의 불순물이 기판(110)보다 고농도로 도핑된 영역으로, 비정질 실리콘(a-Si)과 같은 비결정질 반도체층으로 증착에 의해 형성될 수 있으나, 그 기능은 제 1 실시예의 복수의 후면 전계부(172)와 동일하다.Unlike the first embodiment, the plurality of rear electric field parts 172 are disposed on the rear protection part 192, and are an amorphous region in which impurities of the same conductivity type as the substrate 110 are doped at a higher concentration than the substrate 110. The amorphous semiconductor layer, such as silicon (a-Si), may be formed by deposition, but its function is the same as that of the plurality of backside electric fields 172 of the first embodiment.

복수의 에미터부(121)도 제 1 실시예와 다르게 후면 보호부(192) 상에 배치되며, 기판(110)의 후면 위에서 복수의 후면 전계부(172)와 이격되어 있고, 복수의 후면 전계부(172)와 나란하게 형성된다..Unlike the first embodiment, the plurality of emitters 121 are disposed on the rear protection part 192, and are spaced apart from the plurality of rear electric fields 172 on the rear of the substrate 110, and the plurality of rear electric fields. It is formed in parallel with 172.

도 9 및 도 10에 도시한 것처럼, 후면 전계부(172)와 에미터부(121)는 기판(110) 위에서 번갈아 위치한다. As shown in FIGS. 9 and 10, the rear electric field part 172 and the emitter part 121 are alternately positioned on the substrate 110.

각 에미터부(121)는 기판(110)의 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입, 예를 들어, p형의 도전성 타입을 갖고 있고, 기판(110)과 다른 반도체, 예를 들어, 비정질 실리콘으로 이루어져 있다. 따라서, 에미터부(121)는 기판(110)과 p-n 접합뿐만 아니라 이종 접합(hetero junction)을 형성하나, 그 기능은 제 1 실시예의 에미터부(121)와 동일하다.Each emitter portion 121 has a second conductivity type opposite to the conductivity type of the substrate 110, for example, a p-type conductivity type, and is formed of a semiconductor different from the substrate 110, for example, amorphous silicon. consist of. Thus, the emitter portion 121 forms a hetero junction as well as the p-n junction with the substrate 110, but its function is the same as that of the emitter portion 121 of the first embodiment.

이와 같이 제 2 실시예의 경우, 후면 보호부(192)는 복수의 에미터부(121)및 복수의 후면 전계부(172) 하부와 기판(110) 사이에 위치하고, 불순물이 존재하지 않거나 거의 없는 진성 반도체 물질(진성 a-Si)의 후면 보호부(192)로 인해, 결정질 반도체 물질로 이루어진 기판(110) 위에 바로 복수의 에미터부(121)와 복수의 후면 전계부(172)가 위치할 때보다 복수의 에미터부(121)와 복수의 후면 전계부(172) 형성시 결정화 현상이 줄어든다. 이로 인해, 비정질 실리콘 위에 위치하는 복수의 에미터부(121)와 복수의 후면 전계부(172)의 특성이 향상된다.As described above, in the second exemplary embodiment, the backside protection part 192 is positioned between the plurality of emitter parts 121 and the plurality of backside electric field parts 172 and the substrate 110, and is an intrinsic semiconductor having little or no impurities. Due to the backside protection 192 of the material (intrinsic a-Si), a plurality of emitters 121 and a plurality of backside electric fields 172 are placed directly on the substrate 110 made of crystalline semiconductor material. When the emitter portion 121 and the plurality of rear electric field portions 172 are formed, the crystallization phenomenon is reduced. As a result, the characteristics of the plurality of emitter portions 121 and the plurality of rear electric field portions 172 positioned on the amorphous silicon are improved.

또한, 제 1 실시예에 따른 태양 전지(1)와 다르게, 제 2 실시예에 따른 태양 전지(2)에서 전면 보호부(191), 후면 보호부(192), 에미터부(121) 및 후면 전계부(172)는 비정질 실리콘 물질이 결정질 실리콘의 기판(110) 상에 층착되어 형성될 수 있는 것이다.In addition, unlike the solar cell 1 according to the first embodiment, in the solar cell 2 according to the second embodiment, the front protection unit 191, the rear protection unit 192, the emitter unit 121, and the rear surface of the solar cell 2 according to the second embodiment. The step portion 172 may be formed by laminating an amorphous silicon material on the substrate 110 of crystalline silicon.

이와 같은 제 2 실시예에 따른 태양 전지(2)는 제 1 실시예에 따른 태양 전지(1)에 비하여 상대적으로 에너지 밴드갭이 큰 비정질 실리콘과 결정질 실리콘 기판(110)의 이종 접합에 의하여 높은 개방 출력 전압(Voc)을 구현할 수 있으며, 공정 온도가 상대적으로 낮아 생산 비용도 절감할 수 있는 효과가 있다.
The solar cell 2 according to the second embodiment has a high openness due to the heterojunction between amorphous silicon and the crystalline silicon substrate 110 having a larger energy band gap than the solar cell 1 according to the first embodiment. Output voltage (Voc) can be implemented, and the process temperature is relatively low, which can reduce the production cost.

제1 전극(141)은 제 1 실시예와 같이, 복수의 에미터부(121) 위에 위치하며, 복수의 에미터부(121)를 따라서 연장되어 있고, 복수의 에미터부(121)와 전기적으로 연결되어 있다.As in the first embodiment, the first electrode 141 is positioned on the plurality of emitter portions 121, extends along the plurality of emitter portions 121, and is electrically connected to the plurality of emitter portions 121. have.

제2 전극(142)은 복수의 후면 전계부(172) 위에 위치하며, 복수의 후면 전계부(172)를 따라서 길게 연장되어 있고, 복수의 후면 전계부(172)와 전기적?물리적으로 연결되어 있다. The second electrode 142 is positioned on the plurality of rear electric field units 172, extends along the plurality of rear electric field units 172, and is electrically and physically connected to the plurality of rear electric field units 172. .

이와 같이 제 2 실시예에 따른 제1 전극(141) 및 제2 전극(142)가 배열되는 형태는 제 1 실시예의 도 3 내지 도 8과 동일하게 형성될 수 있다.As such, the form in which the first electrode 141 and the second electrode 142 according to the second embodiment are arranged may be formed in the same manner as FIGS. 3 to 8 of the first embodiment.

따라서, 제 2 실시예에 따른 태양 전지(2)도 제 1 전극(141) 및 제 2 전극(142) 중 적어도 일부분의 배열 방향이 기판의 결정 방향, 즉 기판의 세로변 또는 가로변과 사선 방향으로 형성됨으로써, 기판(110)의 결정 방향과 제 1, 2 전극(141, 142)의 배열 방향이 서로 달라 기판의 결정방향으로 미칠수 있는 힘을 분산시켜 기판에 발생할 수 있는 크랙(Crack)을 방지할 수 있다.
Accordingly, in the solar cell 2 according to the second embodiment, the arrangement direction of at least a portion of the first electrode 141 and the second electrode 142 is determined in the crystal direction of the substrate, that is, in the longitudinal direction or the horizontal side of the substrate and the diagonal direction. As a result, the crystal direction of the substrate 110 and the arrangement direction of the first and second electrodes 141 and 142 are different from each other to disperse the force that may be exerted in the crystal direction of the substrate, thereby preventing cracks that may occur in the substrate. can do.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정, 변경 및 치환이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예 및 첨부된 도면들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예 및 첨부된 도면에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The above description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and various modifications, changes, and substitutions may be made by those skilled in the art without departing from the essential characteristics of the present invention. will be. Accordingly, the embodiments disclosed in the present invention and the accompanying drawings are not intended to limit the technical spirit of the present invention but to describe the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by the embodiments and the accompanying drawings. . The protection scope of the present invention should be interpreted by the following claims, and all technical ideas within the equivalent scope should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

Claims (19)

가로 방향의 가로변과 세로 방향의 세로변을 가지는 사각형 형상의 제1 도전성 타입의 기판,
상기 기판과 연결되어 있고 상기 제1 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입을 갖는 적어도 하나의 에미터부,
상기 적어도 하나의 에미터부와 연결되어 있는 제 1 전극, 및
상기 기판과 전기적으로 연결된 제 2 전극을 포함하며,
상기 제 1 전극 및 제 2 전극 각각 중 적어도 일부는 상기 기판의 세로변 또는 가로변에 대해 평행하지 않게 형성되는 것을 특징으로 하는 태양 전지.
A first conductive type substrate having a rectangular shape having a horizontal side in a horizontal direction and a vertical side in a vertical direction,
At least one emitter portion connected to the substrate and having a second conductivity type opposite to the first conductivity type,
A first electrode connected to the at least one emitter portion, and
A second electrode electrically connected to the substrate;
At least some of each of the first electrode and the second electrode is not formed parallel to the longitudinal side or the horizontal side of the substrate.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 전극 및 제 2 전극 각각 중 적어도 일부의 길이 방향은 상기 기판의 가로면 또는 세로변에 대해 0˚초과 90˚미만이거나, 90˚초과 180˚미만이거나, 180˚초과 270˚미만이거나, 270˚초과 360˚미만의 각도 범위 내에서 형성된 것을 특징으로 하는 태양 전지.
The method of claim 1,
At least a portion of each of the first electrode and the second electrode has a length direction of less than 0 ° and less than 90 °, more than 90 ° and less than 180 °, more than 180 ° and less than 270 ° with respect to a horizontal surface or a vertical side of the substrate, Solar cell, characterized in that formed within an angle range of more than 270 ° and less than 360 °.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 전극 및 제 2 전극 각각 중 상기 적어도 일부는 서로 나란하게 형성된 것을 특징으로 하는 태양 전지.
The method of claim 1,
The at least part of each of the first electrode and the second electrode is formed in parallel with each other, the solar cell.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 전극 및 제 2 전극 각각 중 상기 적어도 일부는 서로 교번하여 형성되는 것을 특징으로 하는 태양 전지.
The method of claim 1,
The at least part of each of the first electrode and the second electrode is formed alternately with each other.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 전극은
상기 기판의 가로변 또는 세로변에 인접하여 평행하게 형성되는 상기 제 1A 전극 연결부; 및
상기 제 1A 전극 연결부로부터 연장되어 상기 기판의 세로변 또는 가로변에 대해 평행하지 않게 형성되는 복수 개의 제 1A 전극 라인;을 포함하고,
상기 제 2 전극은
상기 기판에서 상기 제 1A 전극 연결부의 맞은편 가로변 또는 세로변에 인접하여 평행하게 형성되는 제 2A 전극 연결부; 및
상기 제 2A 전극 연결부로부터 연장되어 상기 기판의 세로변 또는 가로변에 대해 평행하지 않게 형성되는 복수 개의 제 2A 전극 라인;을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지.
The method of claim 1,
The first electrode is
The first A electrode connecting portion formed to be parallel to the horizontal side or the vertical side of the substrate; And
And a plurality of first A electrode lines extending from the first A electrode connecting portion so as not to be parallel to a vertical side or a horizontal side of the substrate.
The second electrode is
A second A electrode connecting portion formed to be parallel to the horizontal side or the vertical side opposite to the first A electrode connecting portion in the substrate; And
And a plurality of second AA electrode lines extending from the second A electrode connection portion so as not to be parallel to the longitudinal side or the horizontal side of the substrate.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1A 전극 연결부는 상기 복수 개의 제 1A 전극 라인을 서로 연결하고,
상기 제 2A 전극 연결부는 상기 복수 개의 제 2A 전극 라인을 서로 연결하는 것을 특징으로 하는 태양 전지.
The method of claim 1,
The first A electrode connecting portion connects the plurality of first A electrode lines to each other,
And the second A electrode connecting portion connects the plurality of second A electrode lines to each other.
제 2 항에 있어서,
상기 제 1A 전극 연결부와 상기 제 2A 전극 연결부의 폭은 실질적으로 대략 동일한 것을 특징으로 하는 태양전지.
The method of claim 2,
The solar cell of claim 1, wherein the width of the first A electrode connection portion and the second A electrode connection portion are substantially the same.
제 2 항에 있어서,
상기 복수의 제 1A 전극 라인과 상기 복수의 제 2A전극 라인 각각의 폭은 상기 제 1A전극 연결부와 상기 제 2A전극 연결부 각각의 폭 보다 작은 것을 특징으로 하는 태양전지.
The method of claim 2,
The width of each of the plurality of first A electrode lines and the plurality of second A electrode lines is smaller than the width of each of the first A electrode connection portion and the second A electrode connection portion.
제 2 항에 있어서,
상기 복수의 제 1A전극 라인의 폭은 상기 복수의 제 2A전극 라인의 폭보다 큰 것을 특징으로 하는 태양전지.
The method of claim 2,
The width of the plurality of first A electrode line is larger than the width of the plurality of second A electrode line.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 전극은
상기 기판의 모서리에 형성된 상기 제 1A 전극 연결부의 끝단으로부터 대각선 방향으로 연장된 제 1B 전극 연결부; 및
상기 제 1B 전극 연결부로부터 연장되어 상기 기판의 세로변 또는 가로변에 대해 평행하지 않게 형성되는 복수 개의 제 1B 전극 라인;을 더 포함하고,
상기 제 2 전극은
상기 제 1B 전극 연결부의 끝단의 맞은편 대각선 모서리로부터 상기 제 1B 전극 연결부의 끝단 방향으로 연장된 제 2B 전극 연결부; 및
상기 제 2B 전극 연결부로부터 연장되어 상기 기판의 세로변 또는 가로변에 대해 평행하지 않게 형성되는 복수 개의 제 2B 전극 라인;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지.
The method of claim 1,
The first electrode is
A first electrode connecting portion extending in a diagonal direction from an end of the first electrode connecting portion formed at an edge of the substrate; And
And a plurality of first B electrode lines extending from the first B electrode connecting portion so as not to be parallel to the vertical or horizontal sides of the substrate.
The second electrode is
A second B electrode connecting portion extending in an end direction of the first B electrode connecting portion from an opposite diagonal edge of the end of the first B electrode connecting portion; And
And a plurality of second B electrode lines extending from the second B electrode connection portion so as not to be parallel to the longitudinal side or the horizontal side of the substrate.
제 7 항에 있어서,
상기 복수의 제 1A 전극 라인과 상기 복수의 제 2B 전극 라인은 서로 교번하여 나란하게 배치되고,
상기 복수의 제 2A 전극 라인과 상기 복수의 제 1B 전극 라인은 서로 교번하여 나란하게 배치되는 것을 특징으로 하는 태양전지.
The method of claim 7, wherein
The plurality of first A electrode lines and the plurality of second B electrode lines are alternately arranged side by side,
And the plurality of 2A electrode lines and the plurality of 1B electrode lines are alternately arranged side by side.
제 7 항에 있어서,
상기 제 1B 전극 연결부와 상기 제 2B 전극 연결부의 각각의 폭은 상기 복수의 제 1B 전극 라인과 상기 복수의 제 2B 전극 라인 각각의 폭보다 큰 것을 특징으로 하는 태양전지.
The method of claim 7, wherein
A width of each of the first and second electrode connection portions of the first and second electrode electrodes is greater than the width of each of the plurality of first electrode lines and the plurality of first electrode lines.
제 7 항에 있어서,
상기 복수의 제 1A 전극 라인의 폭은 상기 복수의 제 2B 전극 라인의 폭보다 큰 것을 특징으로 하는 태양전지.
The method of claim 7, wherein
The width of the plurality of first A electrode line is larger than the width of the plurality of second B electrode line.
제 7 항에 있어서,
상기 복수의 제 1B 전극 라인의 폭은 상기 복수의 제 2A 전극 라인의 폭보다 더 큰 것을 특징으로 하는 태양전지.
The method of claim 7, wherein
And a width of the plurality of first B electrode lines is greater than a width of the plurality of second A electrode lines.
제 1 항에 있어서,
상기 복수 개의 제 1 및 제 2 전극 라인은 상기 기판 상의 영역에 따라 서로 다른 각도를 가지고 형성된 것을 특징으로 하는 태양 전지.
The method of claim 1,
And the plurality of first and second electrode lines are formed at different angles according to regions on the substrate.
제 7 항에 있어서,
상기 제 1 전극은
상기 제 1B 전극 연결부의 중간부분으로부터 상기 제 2A 전극 연결부의 모서리 방향으로 연장되는 제 1C 전극 연결부와 상기 제 1C 전극 연결부로부터 상기 제 2A 전극 연결부가 형성된 가로변의 사선방향으로 연장된 복수의 제 1C 전극 라인을 더 포함하고,
상기 제 2 전극은
상기 제 2B 전극 연결부의 중간부분으로부터 상기 제 1A 전극 연결부의 모서리 방향으로 연장되는 제 2C 전극 연결부와 상기 제 2C 전극 연결부로부터 상기 제 1A 전극 연결부가 형성된 가로변의 사선방향으로 연장된 복수의 제 1C 전극 라인을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지.
The method of claim 7, wherein
The first electrode is
A plurality of first C electrodes extending in a diagonal direction of a horizontal side in which the first C electrode connecting portion extending from the middle portion of the first B electrode connecting portion in the corner direction of the second A electrode connecting portion and the second A electrode connecting portion formed from the first C electrode connecting portion; Including more lines,
The second electrode is
A plurality of first C electrodes extending in a diagonal direction of a horizontal side in which the second C electrode connecting portion extending from the middle portion of the second B electrode connecting portion in the corner direction of the first A electrode connecting portion and the first A electrode connecting portion formed from the second C electrode connecting portion; The solar cell further comprises a line.
제 7 항에 있어서,
상기 복수의 제 1C 전극 라인의 연장 방향은 상기 복수의 제 1A 전극 라인 중 일부 및 상기 복수의 제 1B 전극 라인의 연장 방향과 서로 다르고,
상기 복수의 제 2C 전극 라인의 연장 방향은 상기 복수의 제 2A 전극 라인 중 일부및 상기 복수의 제 2B 전극 라인의 연장 방향과 서로 다른 것을 특징으로 하는 태양 전지.
The method of claim 7, wherein
The extending direction of the plurality of first C electrode lines is different from the extending direction of some of the plurality of first A electrode lines and the plurality of first B electrode lines,
The extending direction of the plurality of second C electrode lines is different from the extending direction of some of the plurality of second A electrode lines and the plurality of second B electrode lines.
제1 도전성 타입의 단결정 실리콘 기판,
상기 기판과 연결되어 있고 상기 제1 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입을 갖는 적어도 하나의 에미터부,
상기 적어도 하나의 에미터부와 연결되어 있는 제 1 전극, 및
상기 기판과 전기적으로 연결된 제 2 전극을 포함하며,
상기 제 1 전극 및 제 2 전극 각각 중 적어도 일부는 상기 기판에 포함되는 단결정 실리콘의 결정 방향과 사선방향으로 형성된 것을 특징으로 하는 태양전지.
A single crystal silicon substrate of a first conductivity type,
At least one emitter portion connected to the substrate and having a second conductivity type opposite to the first conductivity type,
A first electrode connected to the at least one emitter portion, and
A second electrode electrically connected to the substrate;
At least a portion of each of the first electrode and the second electrode is a solar cell, characterized in that formed in the diagonal direction and the crystal direction of the single crystal silicon included in the substrate.
제 17 항에 있어서,
상기 제 1 전극은 상기 기판에 포함되는 단결정 실리콘의 결정 방향과 나란한 방향으로 형성되어 상기 복수의 제 1 전극 라인 각각을 연결하는 제 1 전극 연결부를 더 포함하고,
상기 제 2 전극은 상기 기판에서 상기 제 1 전극 연결부의 맞은편에 상기 단결정 실리콘의 결정 방향과 나란한 방향으로 형성되어 상기 복수의 제 2 전극 라인 각각을 연결하는 제 2 전극 연결부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지.
The method of claim 17,
The first electrode may further include a first electrode connection part formed in a direction parallel to a crystal direction of single crystal silicon included in the substrate to connect each of the plurality of first electrode lines.
The second electrode may further include a second electrode connection part formed in a direction parallel to the crystal direction of the single crystal silicon on the substrate, the second electrode connection part connecting each of the plurality of second electrode lines. Solar cell.
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