KR20120024915A - Apparatus for transfering a substrate - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: An apparatus for transferring a substrate is provided to improve the effectiveness of a process by using a substrate holder only in a thermal process. CONSTITUTION: A heater heats a chamber to thermally process a substrate(10) at a predetermined temperature. A boat(130) supports the substrate loaded on the chamber. A gas supply part(140) supplies a heat treatment gas to the chamber for creating a heat treatment atmosphere. A gas discharge part(150) discharges the heat treatment gas in the chamber to the outside of the chamber. A substrate holder(160) prevents the substrate from being deformed while a deposited material on the substrate is thermally treated.

Description

기판 이송 장치{APPARATUS FOR TRANSFERING A SUBSTRATE}Substrate transfer device {APPARATUS FOR TRANSFERING A SUBSTRATE}

본 발명은 기판 이송 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 기판을 이송하는데 소요되는 시간을 단축시켜 공정의 생산성을 향상시킬 수 있는 기판 이송 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate transfer device. More specifically, the present invention relates to a substrate transfer apparatus that can shorten the time required to transfer the substrate and improve the productivity of the process.

평판 디스플레이 제조시 사용되는 대면적 기판 처리 시스템은 크게 증착 장치와 어닐링 장치로 구분될 수 있다. 증착 장치는 평판 디스플레이의 핵심 구성을 이루는 투명 전도층, 절연층, 금속층 또는 실리콘층을 형성하는 단계를 담당하는 장치로서, LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 또는 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)와 같은 화학 증착 장치와 스퍼터링(sputtering)과 같은 물리 증착 장치가 있다.Large area substrate processing systems used in the manufacture of flat panel displays can be broadly divided into deposition apparatuses and annealing apparatuses. The deposition apparatus is a device that is responsible for forming a transparent conductive layer, an insulating layer, a metal layer, or a silicon layer, which constitute a core component of a flat panel display, such as low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) or plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). There are physical vapor deposition devices such as chemical vapor deposition devices and sputtering.

또한, 어닐링 장치는 증착 공정 후에 결정화, 상 변화 등을 위해 수반되는 열처리 단계를 담당하는 장치이다. 예를 들자면, LCD의 경우에 있어서, 대표적인 증착 장치로는 박막 트랜지스터(thin film transistor; TFT)의 액티브 물질에 해당하는 비정질 실리콘을 유리 기판 상에 증착하는 실리콘 증착 장치가 있고, 대표적인 어닐링 장치로는 유리 기판 상에 증착된 비정질 실리콘을 폴리 실리콘으로 결정화시키는 실리콘 결정화 장치가 있다.In addition, the annealing device is a device that is responsible for the subsequent heat treatment step for crystallization, phase change, and the like after the deposition process. For example, in the case of LCD, a typical deposition apparatus includes a silicon deposition apparatus for depositing amorphous silicon corresponding to an active material of a thin film transistor (TFT) on a glass substrate, and a typical annealing apparatus is There is a silicon crystallization apparatus for crystallizing amorphous silicon deposited on a glass substrate with polysilicon.

일반적으로, 증착 공정과 어닐링 공정은 모두 기판을 소정의 온도로 열처리하는 공정을 수행해야 한다. 이와 같은 열처리 공정을 수행하기 위해서는 기판의 히팅이 가능한 챔버 내의 보트에 기판을 로딩 및 언로딩하는 공정을 수행하여야 한다.In general, both the deposition process and the annealing process must perform a process of heat-treating the substrate to a predetermined temperature. In order to perform such a heat treatment process, a process of loading and unloading a substrate into a boat in a chamber in which the substrate can be heated should be performed.

이때, 기판의 에지부만이 보트에 의하여 지지된다면 기판의 중간 부분이 처지면서 기판의 변형을 야기할 수 있기 때문에, 기판의 변형을 방지하기 위한 기판홀더의 사용이 필수적으로 요구된다. 이를 위하여, 처음부터 기판홀더에 기판이 안착된 상태에서 열처리 공정을 포함한 모든 공정을 수행하는 방법이 사용되었다. 그러나, 이와 같은 방법은 기판의 개수와 동일한 개수의 기판홀더를 필요로 할뿐만 아니라, 기판홀더가 필요치 않은 공정에도 기판홀더를 사용하게 되어, 공정의 효율성을 저하시키는 문제점이 있었다.At this time, if only the edge portion of the substrate is supported by the boat, since the middle portion of the substrate may sag and cause deformation of the substrate, use of the substrate holder to prevent deformation of the substrate is essential. To this end, a method of performing all processes including a heat treatment process in a state in which the substrate is mounted on the substrate holder has been used from the beginning. However, such a method requires not only the same number of substrate holders as the number of substrates, but also uses the substrate holders in a process in which the substrate holders are not required, thereby reducing the efficiency of the process.

이러한 문제점을 해결하기 위하여, 보트 내에 기판홀더를 미리 설치해두고 열처리 공정에만 기판홀더를 사용하는 방법이 제안되었다. 그러나, 이와 같은 방법은 열처리 공정이 완료된 이후 기판홀더로부터 기판을 분리시키는 것이 용이하지 않기 때문에, 기판의 로딩 및 언로딩시에 많은 시간이 소요되어 열처리 공정의 생산성을 저하시키는 문제점이 있었다.In order to solve this problem, a method has been proposed in which the substrate holder is installed in the boat in advance and the substrate holder is used only in the heat treatment process. However, since such a method is not easy to separate the substrate from the substrate holder after the heat treatment process is completed, it takes a long time during loading and unloading of the substrate, thereby lowering the productivity of the heat treatment process.

본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해소하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 기판의 로딩 및 언로딩을 수행하는데 소요되는 시간을 단축시켜 공정의 생산성을 향상시킬 수 있는 기판 이송 장치를 제공함에 있다.The present invention has been made to solve the problems of the prior art as described above, an object of the present invention is to reduce the time required to perform the loading and unloading of the substrate to improve the productivity of the substrate transfer apparatus In providing.

본 발명의 다른 목적은 기판홀더의 사용이 필수적으로 요구되는 열처리 공정에만 기판홀더가 사용되도록 함으로써 공정의 효율성을 향상시킬 수 있는 기판 이송 장치를 제공함에 있다.Another object of the present invention is to provide a substrate transfer apparatus that can improve the efficiency of the process by using the substrate holder only in the heat treatment process that is required to use the substrate holder.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 이송 장치는, 기판이 처리되는 챔버, 상기 챔버에 설치된 보트, 상기 보트에 상하로 간격을 가지면서 복수개가 적층 지지되며 상기 기판이 각각 탑재 지지되어 처리되는 기판홀더를 가지는 열처리 장치의 상기 기판홀더에 상기 기판을 로딩하거나 상기 기판홀더로부터 상기 기판을 언로딩하는 기판 이송 장치로서, 상기 열처리 장치와 가까워지고 멀어지는 형태로 운동 가능하게 설치된 바디부; 상기 바디부에 지지되어 상기 바디부와 함께 운동하며, 상기 바디부에 대하여 상하 방향으로 이동, 좌우 방향으로 이동 및 회전 가능하게 설치된 제 1 암; 상기 제 1 암에 설치되며, 상기 제 1 암이 상향 이동하면 상기 기판홀더에 형성된 상기 관통공을 통과하여 상기 기판홀더에 지지된 상기 기판을 상기 기판홀더로부터 이격시켜 지지하고, 상기 제 1 암이 하향 이동하면 상기 관통공으로부터 이탈하여 상기 기판을 상기 기판홀더에 탑재 지지시키는 복수의 하우징; 상기 하우징의 내부에 상하 방향으로 이동 가능하게 설치되고, 상부측이 상기 하우징을 출입함과 동시에 상기 관통공을 관통하며, 상향 이동하면 상기 하우징으로부터 돌출되어 상기 하우징에 지지된 상기 기판을 상기 하우징으로부터 이격시켜 지지하고, 하향 이동하면 상기 하우징의 내부에 삽입되어 상기 기판을 상기 하우징에 지지시키는 복수의 지지핀; 상기 제 1 암 상측의 상기 바디부에 지지되어 상기 바디부와 함께 운동하고, 상기 바디부에 대하여 상하 방향으로 이동, 좌우 방향으로 이동 및 회전 가능하게 설치되며, 상기 기판의 로딩시에서 상기 기판을 수용하여 상기 기판을 상기 지지핀으로 전달하고, 상기 기판의 언로딩시에는 상기 지지핀에 지지된 상기 기판을 수용하는 제 2 암을 포함한다.Substrate transfer apparatus according to the present invention for achieving the above object, the substrate is processed, the boat is installed in the chamber, a plurality of stacked support and spaced up and down on the boat and the substrate is mounted and supported respectively A substrate transfer apparatus for loading or unloading the substrate from the substrate holder of a heat treatment apparatus having a substrate holder, the substrate transfer apparatus comprising: a body portion movably installed in a manner of moving closer to and away from the heat treatment apparatus; A first arm supported by the body part to move together with the body part, the first arm being installed to move in the vertical direction, move in the horizontal direction, and rotate about the body part; The first arm is installed on the first arm, and when the first arm moves upward, passes through the through-hole formed in the substrate holder and supports the substrate supported by the substrate holder at a distance from the substrate holder. A plurality of housings which move from the through-holes when mounted downward to mount and support the substrate in the substrate holder; The substrate is installed to be movable up and down in the housing, and the upper side passes through the through hole at the same time as the housing enters and exits the housing, and moves upward when the substrate protrudes from the housing and is supported by the housing. A plurality of support pins spaced apart from each other and supported downwardly to be inserted into the housing to support the substrate in the housing; It is supported by the body portion on the upper side of the first arm and moves with the body portion, and installed to be able to move in the vertical direction, move in the horizontal direction and rotated relative to the body portion, the substrate at the time of loading the substrate It receives and transfers the substrate to the support pin, and when unloading the substrate includes a second arm for receiving the substrate supported on the support pin.

본 발명에 따르면, 기판의 로딩 및 언로딩을 수행하는데 소요되는 시간을 단축시켜 공정의 생산성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, it is possible to shorten the time required to perform loading and unloading of the substrate, thereby improving productivity of the process.

또한, 본 발명에 따르면, 기판홀더의 사용이 필수적으로 요구되는 열처리 공정에만 기판홀더가 사용되도록 함으로써 공정의 효율성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.In addition, according to the present invention, the substrate holder is used only in the heat treatment process in which the use of the substrate holder is required, thereby improving the efficiency of the process.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 구성을 보인 도.
도 2는 도 1에 도시된 열처리 장치의 사시도.
도 3은 도 2에 도시된 보트의 사시도.
도 4는 도 1에 도시된 기판 이송 장치의 확대도.
도 5는 도 4에 도시된 제 1 암의 내부 구성을 보인 도.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 이송 장치를 이용하여 기판을 로딩하는 것을 보인 도.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 이송 장치를 이용하여 기판을 언로딩하는 것을 보인 도.1 is a view showing the configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a perspective view of the heat treatment apparatus shown in FIG. 1. FIG.
3 is a perspective view of the boat shown in FIG.
4 is an enlarged view of the substrate transfer apparatus shown in FIG. 1.
FIG. 5 is a view illustrating an internal configuration of the first arm shown in FIG. 4.
6 is a view showing a substrate loading by using a substrate transfer apparatus according to an embodiment of the present invention.
7 illustrates unloading a substrate using a substrate transfer apparatus according to an embodiment of the present invention.

후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조하여 설명한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The following detailed description of the invention is described with reference to the accompanying drawings, which show by way of illustration specific embodiments in which the invention may be practiced. These embodiments are described in sufficient detail to enable those skilled in the art to practice the invention. It should be understood that the various embodiments of the present invention are different but need not be mutually exclusive. For example, certain features, structures, and characteristics described herein may be implemented in other embodiments without departing from the spirit and scope of the invention in connection with an embodiment. It is also to be understood that the position or arrangement of the individual components within each disclosed embodiment may be varied without departing from the spirit and scope of the invention.

이하, 기판의 재질은 특별히 제한되지 않으며 글래스, 플라스틱, 폴리머, 실리콘 웨이퍼, 스테인레스 스틸 등 다양한 재질이 사용될 수 있다. 이하에서는 LCD나 OLED와 같은 평판 디스플레이나 박막형 실리콘 태양전지 분야에 가장 일반적으로 사용되는 직사각형 형상의 글래스 기판을 상정하여 설명한다.Hereinafter, the material of the substrate is not particularly limited, and various materials such as glass, plastic, polymer, silicon wafer, stainless steel, and the like may be used. Hereinafter, a description will be given assuming a rectangular glass substrate that is most commonly used in the field of flat panel displays such as LCDs and OLEDs or thin film silicon solar cells.

또한, 기판 처리 장치의 용도는 특별히 제한되지 않으며, 기판 상에 물질을 증착하는 용도 등과 같이 기판의 처리를 다양하게 수행할 수 있도록 구성될 수 있다. 이하에서는 기판을 소정의 온도로 열처리하는 열처리 장치인 것으로 상정하여 설명한다.In addition, the use of the substrate processing apparatus is not particularly limited and may be configured to perform various processing of the substrate, such as the use of depositing a material on the substrate. Hereinafter, it is assumed that the substrate is a heat treatment apparatus for heat treatment at a predetermined temperature.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 구성을 보인 도이다.1 is a view showing the configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 기판 처리 장치(1)는 열처리 장치(100)를 포함한다. 열처리 장치(100)는 복수개의 기판(10)(도 3 참조)을 동시에 열처리할 수 있는 배치식으로 구성되며, 복수개의 기판(10) 상에 각각 증착된 소정의 물질을 열처리한다. 예를 들면, 복수개의 기판(10) 상에 비정질 실리콘이 형성된 경우, 비정질 실리콘을 결정화 열처리하는 기능을 수행할 수 있다.As shown, the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment includes a heat treatment apparatus 100. The heat treatment apparatus 100 is configured in a batch type capable of simultaneously heat treating a plurality of substrates 10 (see FIG. 3), and heats predetermined materials deposited on the plurality of substrates 10, respectively. For example, when amorphous silicon is formed on the plurality of substrates 10, a function of crystallizing the amorphous silicon may be performed.

도 2는 도 1에 도시된 열처리 장치의 사시도이다.FIG. 2 is a perspective view of the heat treatment apparatus shown in FIG. 1. FIG.

도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 열처리 장치(100)는 복수개의 기판(10)이 열처리되는 공간을 제공하는 챔버(110)를 포함하여 구성될 수 있다. 챔버(110)는 공정이 수행되는 동안 실질적으로 내부 공간이 밀폐되도록 구성되며 기판(10)의 로딩 및 언로딩을 수행하기 위하여 상하 방향으로 개폐되는 도어(111)가 설치될 수 있다.As illustrated in FIGS. 1 and 2, the heat treatment apparatus 100 may include a chamber 110 that provides a space in which the plurality of substrates 10 are heat treated. The chamber 110 may be configured such that the internal space is substantially sealed while the process is performed, and a door 111 may be installed to open and close in the vertical direction to perform loading and unloading of the substrate 10.

열처리 장치(100)는 히터(120)를 포함하여 구성될 수 있다. 히터(120)는 기판(10)을 소정의 온도에서 열처리할 수 있도록 챔버(110)를 가열한다. 히터(120)는 석영관 내부에 발열체가 삽입되어 있고 양단에 설치된 단자를 통하여 외부의 전원을 인가받아 열을 발생시키는 복수개의 봉형 단위체로 구성될 수 있다. 이러한 복수개의 봉형 단위체는 기판(10)의 단변 방향과 평행하게 배열되어 층 형태를 이룰 수 있다. 또한, 이러한 층은 기판(10)의 적층 방향을 따라서 일정한 간격을 가지면서 복수개가 배치되는 형태를 이룰 수 있다. 이 경우, 기판(10)은 상하로 적층된 형태로 배치된 히터(120)와 히터(120) 사이의 간격 중앙에 배치될 수 있다. 이에 따라, 기판(10)은 기판(10)의 상부 및 하부에 위치된 복수개의 히터(120)에 의해 열처리되므로, 각 기판(10)은 전면적에 걸쳐 균일하게 열처리되는 효과가 있다.The heat treatment apparatus 100 may include a heater 120. The heater 120 heats the chamber 110 to heat-treat the substrate 10 at a predetermined temperature. The heater 120 may include a plurality of rod-type units generating heat by receiving an external power source through a terminal installed in the quartz tube and having terminals provided at both ends thereof. The plurality of rod-shaped units may be arranged in parallel with the short side direction of the substrate 10 to form a layer. In addition, a plurality of such layers may be formed at regular intervals along the stacking direction of the substrate 10. In this case, the substrate 10 may be disposed in the center of the interval between the heater 120 and the heater 120 arranged in a vertically stacked form. Accordingly, since the substrate 10 is heat treated by the plurality of heaters 120 positioned above and below the substrate 10, each substrate 10 has an effect of uniformly heat treating the entire area.

도 3은 도 2에 도시된 보트의 사시도이다.3 is a perspective view of the boat shown in FIG.

도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 열처리 장치(100)는 보트(130)를 포함하여 구성될 수 있다. 보트(130)는 챔버(110)에 설치되어 챔버(110)로 로딩된 기판(10)을 지지하는 기능을 수행할 수 있다. 복수개의 기판(10)을 안정적으로 지지할 수만 있다면 보트(130)의 형태는 특별한 형태로 한정되지 아니하나, 복수개의 기판(10) 양측 장변을 지지할 수 있도록 구성되는 것이 바람직하다. 또한, 보트(130)는 기판(10)의 양 장변측에 3 곳씩 기판(10) 하나당 모두 6 곳을 지지하는 형태로 되어 있으나, 이러한 보트(130)의 형태는 기판(10)의 안정적인 지지를 위하여 기판(10)의 크기에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 보트(130)의 재질은 석영인 것이 바람직하다.1 to 3, the heat treatment apparatus 100 may include a boat 130. The boat 130 may be installed in the chamber 110 to support the substrate 10 loaded into the chamber 110. The shape of the boat 130 is not limited to a particular shape as long as it can stably support the plurality of substrates 10, but is preferably configured to support the long sides of both sides of the plurality of substrates 10. In addition, the boat 130 is configured to support all six locations per substrate 10 by three locations on both sides of the substrate 10, but the boat 130 forms stable support of the substrate 10. In order to change the size of the substrate 10 may vary. The material of the boat 130 is preferably quartz.

열처리 장치(100)는 복수개의 가스공급부(140)를 포함하여 구성될 수 있다. 가스공급부(140)는 열처리 분위기를 조성하기 위한 열처리 가스를 챔버(110)에 공급하는 기능을 수행한다. 가스공급부(140)는 열처리 가스를 배출하는 배출공(141)이 복수개 형성된 봉 형태로 구성될 수 있다. 가스공급부(140)는 기판(10)의 장변측에 설치하는 것이 바람직하다. 열처리 가스는 Ar, Ne, He, N2와 같은 불활성 가스를 사용할 수 있다. 가스공급부(140)의 반대편에는 챔버(110)의 열처리 가스를 챔버(110) 외부로 배출하는 가스배출부(150)가 설치될 수 있다. 가스배출부(150)는 가스공급부(140)와 유사하게 열처리 가스를 흡입하는 흡입공(미도시)이 복수개 형성된 봉 형태로 구성될 수 있다.The heat treatment apparatus 100 may include a plurality of gas supply units 140. The gas supply unit 140 supplies a heat treatment gas to the chamber 110 to form a heat treatment atmosphere. The gas supply unit 140 may have a rod shape in which a plurality of discharge holes 141 for discharging the heat treatment gas are formed. The gas supply unit 140 is preferably provided at the long side of the substrate 10. As the heat treatment gas, an inert gas such as Ar, Ne, He, or N 2 may be used. On the opposite side of the gas supply unit 140, a gas discharge unit 150 for discharging the heat treatment gas of the chamber 110 to the outside of the chamber 110 may be installed. The gas discharge unit 150 may be configured in the form of a rod having a plurality of suction holes (not shown) in which heat treatment gas is sucked, similar to the gas supply unit 140.

열처리 장치(100)는 복수개의 기판(10)이 안착되는 복수개의 기판홀더(160)를 포함하여 구성될 수 있다. 이러한 기판홀더(160)는 기판(10) 상에 증착된 물질이 열처리되는 동안 기판(10)의 변형을 방지하는 기능을 수행할 수 있다. 기판홀더(160)의 재질은 석영으로 구성되는 것이 바람직하나 반드시 이에 한정되지는 아니한다.The heat treatment apparatus 100 may include a plurality of substrate holders 160 on which the plurality of substrates 10 are seated. The substrate holder 160 may function to prevent deformation of the substrate 10 while the material deposited on the substrate 10 is heat treated. The material of the substrate holder 160 is preferably made of quartz, but is not necessarily limited thereto.

일반적으로, 기판(10)이 안착되는 기판홀더(160)는 단독적으로 또는 기판(10)과 함께 로딩 및 언로딩되나, 본 실시예에 따른 기판홀더(160)는 챔버(110) 내부에 배치되는 보트(130)에 설치되어 있을 수 있다. 즉, 기판홀더(160)는 항상 챔버(110)에 배치되어 있으며 기판(10)과 같이 챔버(110)로 로딩되거나, 챔버(110)로부터 언로딩되지 않는다. 그러므로, 기판홀더(160)의 로딩 및 언로딩에 따른 시간을 단축시켜 공정의 생산성을 향상시킬 수 있다.In general, the substrate holder 160 on which the substrate 10 is seated is loaded and unloaded alone or together with the substrate 10, but the substrate holder 160 according to the present embodiment is disposed inside the chamber 110. It may be installed in the boat (130). That is, the substrate holder 160 is always disposed in the chamber 110 and is not loaded into or unloaded from the chamber 110 like the substrate 10. Therefore, the productivity of the process can be improved by shortening the time for loading and unloading the substrate holder 160.

기판홀더(160)에는 후술하는 제 1 암(210)의 지지핀(211) 또는 하우징(212)이 관통하는 복수개의 관통홀(미도시)이 형성될 수 있다. 상기 관통홀의 개수는 지지핀(211)의 개수와 동일한 것이 바람직하고, 상기 관통홀의 직경은 하우징(212)의 직경보다 다소 크게 형성되는 것이 바람직하다.The substrate holder 160 may have a plurality of through holes (not shown) through which the support pin 211 or the housing 212 of the first arm 210 to be described later passes. The number of the through holes is preferably the same as the number of the support pins 211, and the diameter of the through holes is preferably formed to be somewhat larger than the diameter of the housing 212.

본 실시예에 따른 기판 처리 장치(1)는 기판 이송 장치(200)를 포함하여 구성될 수 있다. 도 4는 도 1에 도시된 기판 이송 장치의 확대도이다.The substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment may include a substrate transfer apparatus 200. 4 is an enlarged view of the substrate transfer apparatus illustrated in FIG. 1.

도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 기판 이송 장치(200)는 제 1 암(210)을 포함하여 구성될 수 있다. 제 1 암(210)은 기판홀더(160)의 하측으로 이동하여, 기판홀더(160)의 하측에서 상향 또는 하향으로 이동하면서, 기판(10)을 기판홀더(160)에 로딩 및 언로딩시킨다. 이를 위하여, 제 1 암(210)은 바디부(230)에 지지 설치되어, 상하 및 좌우 방향으로 이동 가능하게 설치될 수 있다.1 to 4, the substrate transfer apparatus 200 according to the present exemplary embodiment may include a first arm 210. The first arm 210 moves to the lower side of the substrate holder 160, and moves the substrate 10 to the substrate holder 160 while moving upward or downward from the lower side of the substrate holder 160. To this end, the first arm 210 is supported by the body portion 230, it can be installed to be movable in the vertical and horizontal directions.

제 1 암(210)이 기판홀더(160)의 하측에 위치함에 있어서, 후술할 제 1 암(210)의 지지핀(211)이 상향으로 이동한다고 가정할 때, 지지핀(211)이 상기 관통홀을 통과하기 적합한 곳에 제 1 암(210)이 위치되어야 함은 당연하다. 제 1 암(210)의 위치 제어는 공지의 여러 가지 로케이팅(locating) 제어 시스템을 적용하여 제어할 수 있다.When the first arm 210 is positioned below the substrate holder 160, assuming that the support pin 211 of the first arm 210 to be described later moves upward, the support pin 211 passes through the support arm 211. Naturally, the first arm 210 should be positioned where it is suitable to pass through the hole. The position control of the first arm 210 can be controlled by applying various known locating control systems.

본 실시예에서는 기판홀더(160)가 보트(130)에 설치되어 있기 때문에, 열처리 공정 시작시에는 기판(10)만이 로딩되어 기판홀더(160)에 안착되고, 열처리 공정이 완료된 이후에는 기판(10)만이 기판홀더(160)로부터 분리되어 언로딩된다. 그러나, 기판(10)의 언로딩시에 제 1 암(210)이 기판(10)의 하부로 이동하여 기판(10)을 지지하여 언로딩 할 수 있도록 기판(10)과 기판홀더(160) 사이에 소정의 공간 확보가 요구되는 등, 일반적인 암의 구조로는 상술한 과정을 원활하게 수행하는 것이 용이하지 않을 수 있다.In this embodiment, since the substrate holder 160 is installed in the boat 130, only the substrate 10 is loaded at the start of the heat treatment process and seated on the substrate holder 160. After the heat treatment process is completed, the substrate 10 is completed. ) Is separated from the substrate holder 160 and unloaded. However, when the substrate 10 is unloaded, the first arm 210 moves between the substrate 10 and the substrate holder 160 so that the first arm 210 moves to the lower portion of the substrate 10 to support and unload the substrate 10. It is not easy to perform the above-described process smoothly with a general arm structure, such as to require a predetermined space.

제 1 암(210)은 기판(10)의 로딩 및 언로딩이 원활하게 수행되도록 하는 복수개의 지지핀(211)을 포함하여 구성될 수 있다. 복수개의 지지핀(211)은 기판(10)을 지지하면서 상향 또는 하향시키는 기능을 수행할 수 있다. 보다 구체적으로, 기판(10)의 로딩시에는 기판(10)을 지지한 상태에서 기판(10)을 하향시키는 기능을 수행할 수 있으며, 기판(10)의 언로딩시에는 기판(10)을 지지한 상태에서 기판(10)을 상향 이동시키는 기능을 수행할 수 있다.The first arm 210 may include a plurality of support pins 211 for smoothly loading and unloading the substrate 10. The plurality of support pins 211 may perform a function of upwardly or downwardly supporting the substrate 10. More specifically, the loading of the substrate 10 may perform a function of lowering the substrate 10 in a state of supporting the substrate 10, and supporting the substrate 10 when unloading the substrate 10. In one state, the substrate 10 may be moved upward.

기판(10)을 지지한 상태에서 기판(10)을 상향 또는 하향 이동시키기 위하여, 복수개의 지지핀(211)은 수직 방향으로 상향 또는 하향 이동되도록 구성될 필요가 있다. 복수개의 지지핀(211)에, 공지의 여러 가지 상하 이동 수단의 구성 원리가 채용될 수 있으나, 바람직하게는 공압 구동 방식이 채용될 수 있다. 이러한 공압 구동 방식을 이용한 지지핀(211)의 상향 또는 하향 이동 동작에 대해서는 후술하도록 하겠다.In order to move the substrate 10 upward or downward in the state in which the substrate 10 is supported, the plurality of support pins 211 need to be configured to move upward or downward in the vertical direction. In the plurality of support pins 211, a configuration principle of various known vertical movement means may be employed, but preferably a pneumatic driving method may be employed. An upward or downward movement of the support pin 211 using the pneumatic driving method will be described later.

또한, 앞서 언급한 바와 같이 지지핀(211)은 복수개로 구성되는데, 복수개의 지지핀(211)은 기판(10)을 안정적으로 지지할 수 있도록 서로 대칭되는 구조를 가지는 것이 바람직하며, 나아가 기판(10)의 장변측을 지지할 수 있도록 구성되는 것이 바람직하다. 물론, 이러한 경우, 기판홀더(160)에는 지지핀(211)의 개수와 동일한 개수(바람직하게는, 후술하는 하우징(212)의 개수와 동일한 개수)의 상기 관통홀이 각 지지핀(211)에 대응되는 위치에 형성될 수 있을 것이다.In addition, as described above, the support pins 211 are configured in plural, and the plurality of support pins 211 preferably have a structure that is symmetrical with each other so as to stably support the substrate 10. It is preferable to be comprised so that the long side of 10) can be supported. Of course, in this case, the through-holes of the same number as the number of the support pins 211 (preferably the same number as the number of the housings 212 to be described later) in the substrate holder 160 are provided in each of the support pins 211. It may be formed at a corresponding position.

지지핀(211)의 형상은 특별하게 한정되지 아니하나, 지지핀(211)은 원기둥 형상을 갖는 것이 바람직하다. 지지핀(211)의 재질 역시 특별하게 한정되지 아니하나, 지지핀(211)은 기판(10)의 면적과 무게가 커져도 안정적으로 지지할 수 있도록 강도가 높은 물질(예를 들면, 석영)로 구성되는 것이 바람직하다.The shape of the support pin 211 is not particularly limited, but the support pin 211 preferably has a cylindrical shape. Although the material of the support pin 211 is not particularly limited, the support pin 211 is made of a material having high strength (for example, quartz) so that the support pin 211 can be stably supported even if the area and weight of the substrate 10 are increased. It is preferable to be.

제 1 암(210)은 각 지지핀(211)과 대응되는 복수개의 하우징(212)을 포함하여 구성될 수 있다. 복수개의 하우징(212)은 각 지지핀(211)에 대응되게 설치되되, 각 지지핀(211)을 감싸면서 설치된다. 즉, 지지핀(211)은 하우징(212)의 내부에 지지 설치되어, 상향 또는 하향으로 이동 가능하게 설치된다. 지지핀(211)은 후술할 가스 공급라인(213)에서 공급되는 가스에 의하여 상향 또는 하향으로 이동한다.The first arm 210 may include a plurality of housings 212 corresponding to each support pin 211. The plurality of housings 212 are installed to correspond to the respective support pins 211, and are installed while surrounding the support pins 211. That is, the support pin 211 is installed to be supported in the housing 212, so as to be movable upward or downward. The support pin 211 moves upward or downward by the gas supplied from the gas supply line 213 which will be described later.

도 4에는 하우징(212)과 지지핀(211)이 일대일 대응되게 설치된 것을 보이나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 하나의 하우징(212)에 여러 개의 지지핀(211)이 설치될 수 있다.4 shows that the housing 212 and the support pins 211 are installed in a one-to-one correspondence, but are not necessarily limited thereto, and a plurality of support pins 211 may be installed in one housing 212.

복수개의 하우징(212)은 기판홀더(160)에 형성된 상기 관통홀을 관통하여 기판(10)을 지지하며, 기판(10)의 로딩 및 언로딩이 원활하게 이루어지도록 한다. 보다 구체적으로, 하우징(212)은 기판(10)의 언로딩시에는 제 1 암(210)의 상향 이동에 의하여 기판홀더(160)에 형성된 상기 관통홀을 관통하여 기판홀더(160)에 안착되어 있는 기판(10)을 지지하여 올리고, 기판(10)의 로딩시에는 기판홀더(160)에 형성된 상기 관통홀을 관통하여 기판(10)을 지지한 상태에서 제 1 암(210)의 하향 이동에 의하여 기판(10)을 기판홀더(160)에 안착시킨다.The plurality of housings 212 support the substrate 10 by passing through the through-holes formed in the substrate holder 160, and smoothly load and unload the substrate 10. More specifically, when the substrate 10 is unloaded, the housing 212 penetrates through the through hole formed in the substrate holder 160 by upward movement of the first arm 210 and is seated on the substrate holder 160. The substrate 10 is supported and raised, and when the substrate 10 is loaded, the first arm 210 moves downward through the through hole formed in the substrate holder 160 to support the substrate 10. As a result, the substrate 10 is seated on the substrate holder 160.

지지핀(211)은 스스로 기판(10)을 상향 또는 하향 이동시키는 동작을 수행하는데 반하여, 하우징(212)은 제 1 암(210)의 상향 또는 하향 이동에 의하여 기판(10)을 상향 또는 하향 이동시킨다.The support pin 211 performs an operation of moving the substrate 10 upward or downward, whereas the housing 212 moves the substrate 10 upward or downward by the upward or downward movement of the first arm 210. Let's do it.

기판홀더(160)에 형성된 상기 관통홀을 하우징(212)이 관통하여 기판(10)을 지지한 상태에서 하우징(212) 내부에 설치된 지지핀(211)이 상향 이동하여 기판(10)을 상향으로 이동시키면 기판(10)의 언로딩이 이루어진다. 또한, 기판홀더(160)에 형성된 상기 관통홀을 하우징(212)이 관통하고 지지핀(211)이 기판(10)을 지지한 상태에서, 지지핀(211)이 하향 이동한 다음 제 1 암(210)이 하향 이동하면 기판(10)의 로딩이 이루어진다.In the state in which the housing 212 penetrates the through hole formed in the substrate holder 160 to support the substrate 10, the support pin 211 installed inside the housing 212 moves upward to move the substrate 10 upward. When moved, unloading of the substrate 10 is performed. In addition, while the housing 212 penetrates the through hole formed in the substrate holder 160 and the support pin 211 supports the substrate 10, the support pin 211 moves downward and then the first arm ( When the 210 moves downward, the substrate 10 is loaded.

하우징(212)의 형상은 특별하게 한정되지 아니하나, 하우징(212)은 원기둥 형상을 갖는 것이 바람직하다. 하우징(212)의 재질 역시 특별하게 한정되지 아니하나, 하우징(212)은 기판(10)의 면적과 무게가 커져도 안정적으로 지지할 수 있도록 강도가 높은 물질로 구성되는 것이 바람직하다.The shape of the housing 212 is not particularly limited, but the housing 212 preferably has a cylindrical shape. The material of the housing 212 is also not particularly limited, but the housing 212 may be made of a material having a high strength so that the housing 212 can be stably supported even if the area and weight of the substrate 10 increase.

공압 구동 방식, 즉 외부로부터 공급되는 공기의 압력에 의하여 지지핀(211)이 수직으로 상향 또는 하향 이동하는 것에 대하여 도 5를 참조하여 설명한다.Referring to FIG. 5, the support pin 211 vertically moves up or down by the pneumatic driving method, that is, the pressure of air supplied from the outside.

도 5는 도 4에 도시된 제 1 암의 내부 구성을 보인 도이다.FIG. 5 is a diagram illustrating an internal configuration of the first arm shown in FIG. 4.

도시된 바와 같이, 제 1 암(210)에는 각 지지핀(211)과 연통되어 외부로부터 유입시킨 가스를 각 지지핀(211)측으로 공급하기 위한 복수개의 가스 공급라인(213)이 형성된다. 복수개의 가스 공급라인(213)은 하나의 가스 공급라인에서 분기되는 구조로 형성되는 것이 바람직하다.As shown in the drawing, a plurality of gas supply lines 213 are formed in the first arm 210 to communicate with each support pin 211 to supply the gas introduced from the outside to the support pin 211. The plurality of gas supply lines 213 may be formed to have a structure branched from one gas supply line.

제 1 암(210)은 제 1 밸브(214)를 포함하여 구성될 수 있다. 제 1 밸브(214)는 상황에 따라 가스 공급라인(213)을 개폐하여 외부의 가스가 지지핀(211)으로 공급 또는 공급되지 않도록 한다. 제 1 밸브(214)의 개폐 동작은 자동적으로 또는 수동적으로 이루어질 수 있다.The first arm 210 may comprise a first valve 214. The first valve 214 opens and closes the gas supply line 213 according to a situation so that external gas is not supplied or supplied to the support pin 211. The opening and closing operation of the first valve 214 may be performed automatically or manually.

제 1 암(210)은 공압제어부(215)를 포함하여 구성될 수 있다. 공압제어부(215)는 가스 공급라인(213)을 통하여 각 지지핀(211)에 공급되는 가스의 압력을 제어하는 기능을 수행하며, 기판(10)을 보다 안정적으로 지지하기 위하여 각 지지핀(211)에 공급되는 가스의 압력이 동일하도록 제어한다.The first arm 210 may include a pneumatic control unit 215. The pneumatic control unit 215 performs a function of controlling the pressure of the gas supplied to each of the support pins 211 through the gas supply line 213, and each support pin 211 to support the substrate 10 more stably. ) So that the pressure of the gas supplied to the same is the same.

이처럼 각 지지핀(211)에 공급되는 가스의 압력을 동일하게 제어함에 있어서, 지지핀(211)의 위치에 따른 문제가 고려될 필요성이 있다. 만약 각 가스 공급라인(213)에 동일한 물리적 상태를 가지는 가스가 공급된다면, 지지핀(211)의 위치에 따라 가스 압력의 불균형이 발생할 수 있기 때문이다. 예를 들어, 각 가스 공급라인(213)에 동일한 양 및 속도를 가지는 가스가 공급되는 경우, 챔버(110)의 도어(111)를 기준으로, 멀리 떨어진 위치에서 기판(10)을 지지하는 지지핀(211)의 압력은, 상대적으로 가까운 위치에서 기판(10)을 지지하는 지지핀(211)의 압력보다 낮게 형성될 수 있다.As such, in controlling the pressure of the gas supplied to each of the support pins 211, it is necessary to consider a problem depending on the position of the support pins 211. If the gas having the same physical state is supplied to each gas supply line 213, the imbalance of gas pressure may occur depending on the position of the support pin 211. For example, when a gas having the same amount and speed is supplied to each gas supply line 213, a support pin for supporting the substrate 10 at a distant position based on the door 111 of the chamber 110. The pressure of 211 may be lower than the pressure of the support pin 211 supporting the substrate 10 at a relatively close position.

공압제어부(215)는, 이러한 가스 압력의 불균형을 방지하여 각 지지핀(211)에 공급되는 압력을 동일하게 제어하기 위해서, 복수개의 가스 공급라인(213)에 공급되는 가스의 압력을 독립적으로 제어할 수 있다. 예를 들어, 각 가스 공급라인(213)에 공급되는 가스의 양 또는 속도를 각각 다르게(바람직하게는, 챔버(110)의 도어(111)를 기준으로, 멀리 떨어진 위치에서 기판(10)을 지지하는 지지핀(211)에 공급되는 가스의 양을 크게 또는 속도를 높게) 제어할 수 있다. 이러한 제어 동작에 의하여 지지핀(211)의 위치에 따른 가스 압력의 불균형은 방지될 수 있을 것이다.The pneumatic control unit 215 independently controls the pressure of the gas supplied to the plurality of gas supply lines 213 in order to prevent such a gas pressure imbalance and to control the pressure supplied to each of the support pins 211 equally. can do. For example, the substrate 10 may be supported at a distant position with respect to the amount or speed of gas supplied to each gas supply line 213 (preferably, based on the door 111 of the chamber 110). The amount of the gas supplied to the support pin 211 can be controlled to increase or increase the speed. By such a control operation, an imbalance in gas pressure according to the position of the support pin 211 may be prevented.

제 1 암(210)은 모니터링부(216)를 포함하여 구성될 수 있다. 모니터링부(216)는 각 가스 공급라인(213)마다 공급되는 가스의 압력을 모니터링하는 기능을 수행할 수 있으며, 나아가 공급되는 가스의 압력이 소정의 값 이하인 경우 제 1 암(210)이 구동되지 않도록 하는 기능을 수행할 수 있다.The first arm 210 may be configured to include a monitoring unit 216. The monitoring unit 216 may perform a function of monitoring the pressure of the gas supplied to each gas supply line 213. Further, when the pressure of the supplied gas is equal to or less than a predetermined value, the first arm 210 is not driven. You can do this.

제 1 암(210)은 제 2 밸브(217)를 포함하여 구성될 수 있다. 제 2 밸브(217)는, 가스의 압력이 제어된 상태에서 개방되어, 최종적으로 지지핀(211)에 가스의 공급이 이루어지도록 하는 기능을 수행할 수 있다. 이러한 제 2 밸브(217)의 개방은 수동적으로 또는 자동적으로 이루어질 수 있을 것이다.The first arm 210 may include a second valve 217. The second valve 217 may be opened in a state where the pressure of the gas is controlled to finally perform a function of supplying the gas to the support pin 211. This opening of the second valve 217 may be done manually or automatically.

도 4에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 기판 이송 장치(200)는 기판(10)을 이송 및 수용하는 제 2 암(220)을 포함하여 구성될 수 있다. 제 2 암(220)은 기판(10)을 이송 및 수용하는 기능을 수행할 수 있는데, 보다 구체적으로, 기판(10)의 로딩시에는 기판홀더(160)의 상측으로 기판(10)을 이송하는 기능을 수행할 수 있으며, 기판(10)의 언로딩시에는 지지핀(211)에 의하여 지지된 기판(10)을 수용하는 기능을 수행한다. 제 2 암(220)에 의하여 기판(10)의 언로딩이 이루어지는 과정에 대해서는 이후에 상세하게 설명하기로 한다.As shown in FIG. 4, the substrate transfer apparatus 200 according to the present exemplary embodiment may include a second arm 220 that transfers and accommodates the substrate 10. The second arm 220 may perform a function of transporting and accommodating the substrate 10. More specifically, the second arm 220 transfers the substrate 10 to the upper side of the substrate holder 160 when the substrate 10 is loaded. A function may be performed, and when the substrate 10 is unloaded, the substrate 10 supported by the support pin 211 may be accommodated. A process of unloading the substrate 10 by the second arm 220 will be described in detail later.

제 2 암(220)은 기판(10)의 이송 및 수용을 원활하게 수행하기 위해 제 1 암(210) 상측의 바디부(230)에 지지 설치되어, 상하 및 좌우 방향으로 이동 가능하게 설치될 수 있다. 제 2 암(220)에는 공지의 기판 트랜스퍼 로봇 암의 구성 원리가 채용될 수 있다.The second arm 220 may be installed to be supported on the body 230 above the first arm 210 so as to smoothly carry and transport the substrate 10 so that the second arm 220 may move in the vertical and horizontal directions. have. The construction principle of a known substrate transfer robot arm may be employed as the second arm 220.

제 2 암(220)은 기판(10)의 단변 보다는 짧게, 기판(10)의 장변 보다는 길게 구성되는 것이 바람직하다. 이와 같이 구성함으로써, 기판(10)의 장변측을 지지하고 있는 지지핀(211) 사이로 원활하게 삽입되어 기판(10)을 수용 및 이송할 수 있다.The second arm 220 may be configured to be shorter than the short side of the substrate 10 and longer than the long side of the substrate 10. With this configuration, the substrate 10 can be smoothly inserted between the support pins 211 supporting the long side of the substrate 10 to accommodate and transport the substrate 10.

본 실시예에 따른 기판 이송 장치(200)는 제 1 암(210)과 제 2 암(220)이 지지되는 바디부(230)를 포함하여 구성될 수 있다. 바디부(230)는 열처리 장치(100)와 가까워지고 멀어지는 형태로 직선운동 가능하게 설치됨은 당연하다. 이때 제 1 암(210)과 제 2 암(220)은 바디부(230)에 회전 가능하도록 연결될 수 있다. 도 4에는 제 1 암(210)과 제 2 암(220)이 하나의 바디부(230)에 연결되어 동작하는 것으로 도시되어 있지만, 서로 다른 바디부(230)에 연결되어 동작할 수 있음은 물론이다.The substrate transfer apparatus 200 according to the present exemplary embodiment may include a body 230 in which the first arm 210 and the second arm 220 are supported. Naturally, the body 230 is installed to be able to move linearly in a form that is close to and far from the heat treatment apparatus 100. In this case, the first arm 210 and the second arm 220 may be rotatably connected to the body portion 230. Although FIG. 4 illustrates that the first arm 210 and the second arm 220 are connected to one body 230 to operate, the first arm 210 and the second arm 220 may be connected to different body 230 to operate. to be.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 이송 장치를 이용하여 기판을 로딩하는 것을 보인 도로서, 이를 설명한다.FIG. 6 is a diagram showing loading of a substrate using a substrate transfer apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 6의 (a)에 도시된 바와 같이, 제 2 암(220)으로 기판(10)을 수용하여, 기판(10)을 기판홀더(160)의 상측에 위치시킨다.As shown in FIG. 6A, the substrate 10 is accommodated by the second arm 220, and the substrate 10 is positioned above the substrate holder 160.

그리고, 도 6의 (b)에 도시된 바와 같이, 제 1 암(210)을 기판홀더(160)의 하측으로 이동한 다음, 제 1 암(210)을 상향 이동하여, 하우징(212)을 기판홀더(160)의 상기 관통홀에 통과시킨다. 그 후, 복수개의 가스 공급라인(213)(도 5 참조)을 통하여 각 지지핀(211)으로 가스를 공급하여, 지지핀(211)을 상향 이동한다.As shown in FIG. 6B, the first arm 210 is moved below the substrate holder 160, and then the first arm 210 is moved upward to move the housing 212 to the substrate. Pass through the through hole of the holder 160. Thereafter, gas is supplied to each of the support pins 211 through the plurality of gas supply lines 213 (see FIG. 5) to move the support pins 211 upward.

그리고, 도 6의 (c)에 도시된 바와 같이, 제 2 암(220)을 하향 이동시켜 지지핀(211)에 기판(10)을 탑재 지지시키며, 도 6의 (d)에 도시된 바와 같이, 지지핀(211)을 하향 이동시켜, 기판(10)을 하우징(212)에 탑재 지지시킨다.As shown in FIG. 6C, the second arm 220 is moved downward to mount and support the substrate 10 on the support pin 211, and as shown in FIG. 6D. The support pin 211 is moved downward to mount and support the substrate 10 in the housing 212.

그리고, 도 6의 (e)에 도시된 바와 같이, 제 1 암(210)을 하향 이동시키면, 기판(10)이 기판홀더(160)에 탑재 지지되어, 로딩된다.As shown in FIG. 6E, when the first arm 210 is moved downward, the substrate 10 is mounted and supported by the substrate holder 160 and loaded.

도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 이송 장치를 이용하여 기판을 언로딩하는 것을 보인 도로서, 이를 설명한다.FIG. 7 is a diagram illustrating an unloading of a substrate using a substrate transfer apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 7의 (a)에 도시된 바와 같이, 기판홀더(160)에 탑재 지지된 기판(10)을 언로딩하기 위하여, 제 1 암(210)이 기판홀더(160)의 하측의 소정의 위치로 이동한다. 더 구체적으로 설명하면, 제 1 암(210)의 하우징(212)에 설치된 지지핀(211)이 기판홀더(160)에 형성된 상기 관통홀을 관통하기에 적합한 위치로 이동한다.As shown in FIG. 7A, in order to unload the substrate 10 mounted and supported on the substrate holder 160, the first arm 210 is moved to a predetermined position below the substrate holder 160. Move. More specifically, the support pin 211 installed in the housing 212 of the first arm 210 moves to a position suitable to penetrate the through hole formed in the substrate holder 160.

그 후, 도 7의 (b)에 도시된 바와 같이, 제 1 암(210)이 상향 이동하여 복수개의 하우징(212)이 기판홀더(160)에 형성된 상기 관통홀을 관통한다. 그러면, 기판홀더(160) 상에 안착되어 있던 기판(10)은 하우징(212)에 의하여 지지되어 상향 이동한다.Thereafter, as shown in FIG. 7B, the first arm 210 moves upward to pass through the through holes formed in the substrate holder 160. Then, the substrate 10 mounted on the substrate holder 160 is supported by the housing 212 to move upward.

그리고, 도 7의 (c)에 도시된 바와 같이, 복수개의 가스 공급라인(213)(도 5 참조)을 통하여 각 지지핀(211)으로 가스를 공급하면, 공급되는 가스의 압력에 의하여 지지핀(211)이 수직으로 상향 이동한다. 그러면, 하우징(212)에 지지된 기판(10)이 지지핀(211)에 의하여 지지되면서 상향 이동된다.As shown in FIG. 7C, when gas is supplied to each of the support pins 211 through the plurality of gas supply lines 213 (see FIG. 5), the support pins are supported by the pressure of the supplied gas. 211 moves vertically upward. Then, the substrate 10 supported by the housing 212 is moved upward while being supported by the support pin 211.

그 후, 도 7의 (d)에 도시된 바와 같이, 제 2 암(220)이 기판홀더(160)와 기판(10) 사이로 이동하여 지지핀(211)에 의하여 지지된 기판(10)을 수용한다. 이때, 제 2 암(220)은 복수개의 지지핀(211)의 사이를 통과하며 이동할 수 있다.Thereafter, as shown in FIG. 7D, the second arm 220 moves between the substrate holder 160 and the substrate 10 to accommodate the substrate 10 supported by the support pins 211. do. In this case, the second arm 220 may move while passing between the plurality of support pins 211.

마지막으로, 제 2 암(220)에 수용된 기판(10)을 챔버(110) 외부로 이송하면, 기판(10)의 언로딩이 완료된다.Finally, when the substrate 10 accommodated in the second arm 220 is transferred to the outside of the chamber 110, the unloading of the substrate 10 is completed.

본 발명은 상술한 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형과 변경이 가능하다. 그러한 변형예 및 변경예는 본 발명과 첨부된 특허청구범위의 범위 내에 속하는 것으로 보아야 한다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken in conjunction with the present invention. Variations and changes are possible. Such modifications and variations are intended to fall within the scope of the invention and the appended claims.

1: 기판 처리 장치
100: 열처리 장치
110: 챔버
120: 히터
130: 보트
140: 가스공급부
150: 가스배출부
160: 기판홀더
200: 기판 이송 장치
210: 제 1 암
211: 지지핀
212: 하우징
213: 가스 공급라인
214: 제 1 밸브
215: 공압제어부
216: 모니터링부
217: 제 2 밸브
220: 제 2 암
230: 바디부1: substrate processing apparatus
100: heat treatment device
110: chamber
120: heater
130: boat
140: gas supply unit
150: gas discharge unit
160: substrate holder
200: substrate transfer device
210: first arm
211: support pin
212: housing
213: gas supply line
214: first valve
215: pneumatic control unit
216: monitoring unit
217: second valve
220: the second arm
230: body part

Claims (4)

기판이 처리되는 챔버, 상기 챔버에 설치된 보트, 상기 보트에 상하로 간격을 가지면서 복수개가 적층 지지되며 상기 기판이 각각 탑재 지지되어 처리되는 기판홀더를 가지는 열처리 장치의 상기 기판홀더에 상기 기판을 로딩하거나 상기 기판홀더로부터 상기 기판을 언로딩하는 기판 이송 장치로서,
상기 열처리 장치와 가까워지고 멀어지는 형태로 운동 가능하게 설치된 바디부;
상기 바디부에 지지되어 상기 바디부와 함께 운동하며, 상기 바디부에 대하여 상하 방향으로 이동, 좌우 방향으로 이동 및 회전 가능하게 설치된 제 1 암;
상기 제 1 암에 설치되며, 상기 제 1 암이 상향 이동하면 상기 기판홀더에 형성된 상기 관통공을 통과하여 상기 기판홀더에 지지된 상기 기판을 상기 기판홀더로부터 이격시켜 지지하고, 상기 제 1 암이 하향 이동하면 상기 관통공으로부터 이탈하여 상기 기판을 상기 기판홀더에 탑재 지지시키는 복수의 하우징;
상기 하우징의 내부에 상하 방향으로 이동 가능하게 설치되고, 상부측이 상기 하우징을 출입함과 동시에 상기 관통공을 관통하며, 상향 이동하면 상기 하우징으로부터 돌출되어 상기 하우징에 지지된 상기 기판을 상기 하우징으로부터 이격시켜 지지하고, 하향 이동하면 상기 하우징의 내부에 삽입되어 상기 기판을 상기 하우징에 지지시키는 복수의 지지핀;
상기 제 1 암 상측의 상기 바디부에 지지되어 상기 바디부와 함께 운동하고, 상기 바디부에 대하여 상하 방향으로 이동, 좌우 방향으로 이동 및 회전 가능하게 설치되며, 상기 기판의 로딩시에서 상기 기판을 수용하여 상기 기판을 상기 지지핀으로 전달하고, 상기 기판의 언로딩시에는 상기 지지핀에 지지된 상기 기판을 수용하는 제 2 암을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 이송 장치.The substrate is loaded in the substrate holder of the heat treatment apparatus having a chamber in which a substrate is processed, a boat installed in the chamber, and a plurality of substrate holders having a plurality of stacked supports while being spaced up and down on the boat, wherein the substrate is mounted and supported, respectively. Or a substrate transfer device for unloading the substrate from the substrate holder,
A body part provided to be movable in the form of moving closer to and farther from the heat treatment device;
A first arm supported by the body part to move together with the body part, the first arm being installed to move in the vertical direction, move in the horizontal direction, and rotate about the body part;
The first arm is installed on the first arm, and when the first arm moves upward, passes through the through hole formed in the substrate holder and supports the substrate supported by the substrate holder, spaced apart from the substrate holder. A plurality of housings which move from the through-holes when mounted downward to mount and support the substrate in the substrate holder;
The substrate is installed to be movable up and down in the housing, and the upper side passes through the through hole at the same time as the housing enters and exits the housing, and moves upward when the substrate protrudes from the housing and is supported by the housing. A plurality of support pins spaced apart from each other and supported downwardly to be inserted into the housing to support the substrate in the housing;
It is supported by the body portion on the upper side of the first arm and moves with the body portion, and installed to be able to move in the vertical direction, move in the left and right directions and rotate relative to the body portion, the substrate at the time of loading the substrate And a second arm accommodating and transferring the substrate to the support pin, and accommodating the substrate supported by the support pin when the substrate is unloaded. 제1항에 있어서,
상기 제 1 암에는 각각의 상기 지지핀과 연통되어 상기 지지핀을 상하 방향으로 이동시키기 위한 가스 공급라인이 형성된 것을 특징으로 하는 기판 이송 장치.The method of claim 1,
And a gas supply line communicating with each of the support pins to move the support pins in the vertical direction. 제2항에 있어서,
각각의 상기 지지핀과 연통된 상기 가스 공급라인은 각각의 상기 지지핀 별로 독립적으로 제어되는 것을 특징으로 하는 기판 이송 장치.The method of claim 2,
And the gas supply line communicating with each of the support pins is controlled independently for each of the support pins. 제3항에 있어서,
상기 가스 공급라인을 통하여 상기 지지핀에 공급되는 가스의 양 또는 속도 중에서, 어느 하나가 제어되는 것을 특징으로 하는 장치.
The method of claim 3,
Any one of the amount or speed of the gas supplied to the support pin through the gas supply line is controlled.
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