KR20120023430A - 웨이퍼 에지 검출방법 - Google Patents

Abstract

가공용 웨이퍼의 에지를 검출하는 방법이 개시된다. 개시된 웨이퍼 에지 검출방법은 웨이퍼의 에지를 포함하는 영역에 대한 이미지를 이진화하는 단계와, 상기 이진화된 이지미로부터 웨이퍼의 에지를 검출하는 단계;를 포함한다.

Description

웨이퍼 에지 검출방법{Method for detecting edges of wafer}

본 발명은 웨이퍼의 에지를 검출하는 방법에 관한 것으로, 상세하게는 이미지 이진화법을 이용하여 웨이퍼의 에지들을 검출함으로써 웨이퍼의 중심부에서 가공 작업을 수행할 수 있고, 이에 따라 가공을 위해 웨이퍼에 부착된 테이프가 손상되는 것을 방지할 수 있는 웨이퍼 에지 검출방법에 관한 것이다.

일반적으로 피가공물인 실리콘 웨이퍼 등과 같은 웨이퍼를 레이저를 이용하여 그루빙(grooving) 작업을 하는 경우에는 웨이퍼는 그 하면이 테이프에 부착된 상태로 가공된다. 이러한 웨이퍼에 부착되는 테이프로는 레이저(laser)에 의해 손상될 수 있는 테이프가 있고, 레이저에 의해서도 손상되지 않는 테이프가 있다.

웨이퍼 가공에 있어서 레이저에 의해 손상될 수 있는 테이프가 사용되는 경우에는 예를 들어 웨이퍼의 그루빙(grooving) 작업시 레이저에 의해 웨이퍼의 에지 부분에 있는 테이프가 손상되게 되면, 그 이후의 후속 공정, 예를 들면 기계적 절단 공정(mechanical sawing process) 등에서 문제가 발생될 여지가 있다.

따라서, 웨이퍼에 부착된 테이프가 손상되는 문제를 해결하기 위해서는 레이저 가공작업이 웨이퍼의 에지 부분에서 이루어지는 것을 방지하여야 하며, 이를 위해서는 웨이퍼의 중심점을 찾기 위해 웨이퍼의 에지들을 정확하게 검출할 필요가 있다.

한편, 동일한 이미지를 찾기 위해서 패턴 매칭(pattern matching) 방법을 사용하는 것이 일반적이다. 그러나, 웨이퍼에 테이프를 붙이는 공정이 자동화 핸들러를 이용해서 수행될 수도 있고, 또는 작업자가 수동으로 할 수도 있기 때문에 항상 같은 위치에서 동일한 이미지가 형성되는 것은 아니므로, 패턴 매칭 방법을 이용하여 테이프가 부착된 웨이퍼의 에지를 정확히 검출하기는 불가능하다.

본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 이미지 이진화 방법을 이용하여 웨이퍼의 에지들을 정확히 검출함으로써 웨이퍼에 부착된 테이프가 손상되는 것을 방지할 수 있는 웨이퍼 에지 검출방법을 제공하는데 그 목적이 있다.

본 발명의 구현예에 따르면,

가공용 웨이퍼의 에지를 검출하는 방법에 있어서,

상기 웨이퍼의 에지를 포함하는 영역에 대한 이미지를 이진화하는 단계; 및

상기 이진화된 이지미로부터 상기 웨이퍼의 에지를 검출하는 단계;를 포함하는 웨이퍼 에지 검출방법이 제공된다.

상기 웨이퍼의 에지를 포함하는 영역에 대한 이미지는 모노 이미지(mono image, 단색 화상)이 될 수 있다. 여기서, 상기 모노 이미지의 이진화 과정은 상기 모노 이미지의 픽셀들 각각에 대한 그레이 스케일(gray scale) 값을 이진화함으로써 이루어질 수 있다.

상기 모노 이미지의 이진화를 통하여 상기 웨이퍼의 적어도 3개의 에지를 검출할 수 있다. 그리고, 상기 웨이퍼는 테이프 상에 부착될 수 있다.

본 발명의 실시예에 의하면, 이미지의 이진화를 통하여 웨이퍼의 에지들을 정확히 검출함으로써 웨이퍼의 중심부에서 가공 작업을 수행할 수 있으며, 이에 따라, 웨이퍼의 하면에 부착된 테이프가 손상되는 것을 방지할 수 있다.

도 1a 및 도 1b는 모노 이미지(단색 화상)를 이진화하는 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 에지를 검출하기 위한 방법을 설명하는 도면이다.
도 3은 도 2에 도시된 A부분의 이미지를 이진화한 이미지를 도시한 것이다.

본 발명은 웨이퍼의 에지를 포함하는 영역에 대한 이미지를 이진화함으로써 웨이퍼의 에지를 정확하게 검출하는 방법을 제공한다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 도면에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭하며, 각 구성요소의 크기나 두께는 설명의 명료성을 위하여 과장되어 있을 수 있다.

도 1a 및 도 1b는 모노 이미지를 이진화하는 방법을 설명하기 위한 도면들이다.

도 1a는 일반적인 모노 이미지(mono imgae, 단색 화상)의 픽셀들(pixels,100)을 예시적으로 도시한 것이다. 도 1a를 참조하면, 모노 이미지의 픽셀들(100) 각각이 소정의 다양한 그레이 스케일(gray scale) 값들을 가지고 있다. 이러한 모노 이미지의 픽셀들(100) 각각은 소정 범위(예를 들면, 0 ~ 255) 내에서 그레이 스케일 값이 정해지게 된다. 예를 들어, 흑백 이미지에서는 그레이 스케일 값이 0인 경우에는 흑색을 나타내며, 그레이 스케일 값이 255인 경우에는 백색을 나타낼 수 있다. 한편, 상기 그레이 스케일 값의 범위는 사용되는 영상 장비에 따라 다양하게 정해질 수 있다.

도 1b는 도 1a에 도시된 모노 이미지를 이진화하여 얻은 이미지를 도시한 것이다. 도 1b를 참조하면, 이진화된 이미지의 픽셀들(100) 각각은 0 또는 1의 그레이 스케일 값을 가지게 된다. 이에 따라, 도 1b에 도시된 이미지의 픽셀들 각각은 두가지 색상, 예를 들면 흑색과 백색 중 어느 한 가지 색상만을 가지게 된다. 이러한 모노 이미지의 이진화는 다음과 같은 방법으로 수행될 수 있다. 가령, 도 1a에 도시된 모노 이미지의 픽셀들(100)의 그레이 스케일 값의 범위가 0 ~ 255 인 경우에, 이진화 방법에 의해 예를 들어 그레이 스케일 값이 100 이하인 경우는 그레이 스케일 값을 0으로 처리하고, 그레이 스케일 값이 100을 초과하는 경우에는 그레이 스케일 값을 1로 처리한다. 이에 따라, 도 1a에 도시된 모노 이미지의 픽셀들100) 중 0 ~ 100 범위의 그레이 스케일 값을 가지는 픽셀들(100)은 이진화에 의하여 0의 그레이 스케일 값을 가지게 된다. 이에 따라, 이러한 픽셀들(100)은 도 1b에 도시된 바와 같이 예를 들면 흑색을 띌 수 있다. 그리고, 도 1a에 도시된 모노 이미지의 픽셀들(100) 중 101 ~ 255 범위의 그레이 스케일 값을 가지는 픽셀들(100)은 이진화에 의하여 1의 그레이 스케일 값을 가지게 된다. 이에 따라, 이러한 픽셀들(100)은 도 1b에 도시된 바와 같이 예를 들면 백색을 띌 수 있다. 한편, 이상에서는 이진화를 위해 그레이 스케일 값을 100을 기준으로 설명하였으나, 이는 단지 예시적인 것으로 다른 다양한 값을 기준값으로 정할 수 있고, 또한 그레이 스케일 값의 범위도 다양하게 변형될 수 있다.

이상과 같이 도 1a에 도시된 모노 이미지를 이진화시키게 되면 도 1b에 도시된 바와 같이 두 색상, 예를 들면 흑색과 백색 사이의 경계를 명확하게 검출할 수 있게 된다. 따라서, 본 발명에서는 이상에서 설명된 모노 이미지의 이진화 방법을 이용하여 테이프에 부착된 가공용 웨이퍼의 에지들을 정확하게 검출하는 방법을 제공한다.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 에지를 검출하기 위한 방법을 설명하는 도면이다.

도 2을 참조하면, 그루빙(grooving) 또는 기계적 절단(mechanical sawing) 등과 같은 가공 공정이 수행될 웨이퍼(200)가 놓여져 있다. 그리고, 이러한 웨이퍼(200)의 일면, 즉 하면에는 웨이퍼(200)의 가공을 위한 테이프(150)가 부착되어 있다. 여기서, 예를 들면 레이저에 의해 웨이퍼(200)를 그루빙 가공하는 경우, 레이저가 웨이퍼(200)의 에지 부분까지 도달하게 되면, 웨이퍼(200)의 하면에 부착된 테이프(150)가 레이저에 의해 손상을 입을 염려가 있으며, 이러한 테이프(150)의 손상에 의해 이후의 후속 공정을 원활하게 진행될 수 없게 된다. 따라서, 레이저 가공은 웨이퍼(200)의 에지에서 일정 거리 떨어진 웨이퍼(200) 상에서 수행되어야 하며, 이를 위해서는 웨이퍼(200)의 에지를 정확하게 검출할 필요가 있다.

본 발명에 따른 실시예는 이러한 웨이퍼의 에지를 정확하게 검출하기 위한 방법으로서, 전술한 모노 이미지의 이진화 방법을 사용한다. 도 3은 도 2에 도시된 웨이퍼(200)의 에지점(a,b,c)를 포함하는 영역들(A,B,C) 중 하나 예를 들면 A 영역을 찍은 이미지를 이진화하여 얻은 이지미이다. 도 3을 참조하면, A 영역에 대한 이진화된 이미지로부터 웨이퍼(200)와 테이프(150)의 경계선 상에 있는 웨이퍼(200)의 에지점(a)를 정확하게 검출할 수 있다. 그리고, 웨이퍼(200)의 다른 에지점(b,c)를 포함하는 다른 영역들(B,C)에 대해서도 상기한 이진화 방법을 통하여 에지점들(b,c)을 정확하게 검출할 수 있다.

이와 같이, 웨이퍼 에지의 검출 작업을 통하여 웨이퍼(200) 상에 있는 적어도 3개의 에지점들(a,b,c)을 검출하게 되면, 웨이퍼(200)의 중심점(P)을 찾을 수 있게 되고, 이 중심점(P)으로부터 일정 범위 내의 웨이퍼(200) 상에서만 레이저 그루빙 등의 작업을 하게 되면 웨이퍼(200)의 에지 부근에 있는 테이프(150)가 레이저에 의해 손상될 염려는 없게 된다.

이상에서 본 발명의 실시예가 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다.

100... 모노 이미지의 픽셀 150... 테이프
200... 웨이퍼
A, B, C... 웨이퍼의 에지를 포함하는 영역
a, b, c... 웨이퍼의 에지점
P... 웨이퍼의 중심점

Claims (5)

1. 가공용 웨이퍼의 에지를 검출하는 방법에 있어서,
   상기 웨이퍼의 에지를 포함하는 영역에 대한 이미지를 이진화하는 단계; 및
   상기 이진화된 이지미로부터 상기 웨이퍼의 에지를 검출하는 단계;를 포함하는 웨이퍼 에지 검출방법.
2. 제 1 항에 있어서,
   상기 웨이퍼의 에지를 포함하는 영역에 대한 이미지는 모노 이미지(mono image, 단색 화상)인 웨이퍼 에지 검출방법.
3. 제 2 항에 있어서,
   상기 모노 이미지의 이진화 과정은 상기 모노 이미지의 픽셀들 각각에 대한 그레이 스케일(gray scale) 값을 이진화함으로써 이루어지는 웨이퍼 에지 검출방법.
4. 제 3 항에 있어서,
   상기 모노 이미지의 이진화를 통하여 상기 웨이퍼의 적어도 3개의 에지를 검출하는 웨이퍼 에지 검출방법.
5. 제 1 항에 있어서,
   상기 웨이퍼는 테이프 상에 부착되어 있는 웨이퍼 에지 검출방법.

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