KR20120020857A - 면접촉 프로브판, 그의 면접촉 프로브판 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 디스플레이장치의 평판표시패널을 검사하는 프로브블록의 면접촉으로 검사하는 면접촉 프로브판을 미소전기기계시스템(MEMS) 기술으로 제조함으로서, 협소피치로 된 디스플레이장치의 평판표시패널를 정확하게 검사할 수 있는 것이다.
상기 면접촉으로 검사하는 면접촉 프로브판 제조방법은 희생기판 위에 금속판을 제조하는 a단계; 상기 금속판의 단면에 절연막을 형성하는 b단계; 상기 금속판의 단면에 형성된 절연막 위에 2차전도촉진층을 형성하는 c단계; 상기 금속판의 단면에 형성된 2차전도촉진층 위에 시그널 배선패턴부을 형성하는 d단계; 상기 금속판의 단면에 형성된 시그널 배선패턴부의 동일선상 배선패턴 상단부에 형성된 접촉돌기부의 주형에 전도성금속을 충진하는 e단계; 상기 금속판의 단면에 형성된 시그널 배선패턴부의 점착제의 주형과 접촉돌기부의 점착제의 주형을 제거한 후, 상기 시그널 배선패턴과 인접한 시그널 배선패턴의 피치 사이에 형성된 2차전도촉진층을 제거하는 f단계; 상기 희생기판에서 금속판을 분리하고 세정하는 g단계; 및 상기 금속판의 배면에 절연필름을 부착하는 h단계; 를 포함한다.
상기 금속판을 상기 a단계 내지 상기 h단계로 제조하면 면접촉으로 검사하는 면접촉 프로브판이 형성되는 것이다.
금속판, 시그널 배선패턴, 접촉돌기, 면접촉 프로브판

Description

면접촉 프로브판, 그의 면접촉 프로브판 제조방법{Face Contact Probe Sheet, method of manufacturing the Face Contact Probe Sheet thereof}
본 발명은 평판표시패널을 검사하는 프로브블록의 면접촉으로 검사하는 프로브판과 그의 면접촉 프로브판 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 미소전기기계시스템(Micro Electro Mechanical System) 기술에 의해서 금속판을 제조한 후, 상기 금속판의 단면 또는 양면에 시그널 배선패턴과 접촉돌기를 형성하여 면접촉으로 검사하는 프로브판을 제공하여 평판표시패널의 정상 유무를 검사하는 것에 관한 것이다.
본 발명은 프로브블록에 조립되는 면접촉 프로브판에 관한 것이다.
최근에 차세대 평판표시패널은 LCD(Liquid Crystal Display), 유기EL(Organic Electro-Luminescence)와 동영상 응답속도와 평판표시패널의 두께와 무게가 가벼고 BCU(백라이트유닛)이 필요 없는 유기발광다이오드(AMOLED), 등과 같은 디스플레이장치의 평판표시패널의 제조는 최종 검사 공정에서 평판표시패널의 시그널 배선패턴 단자들에 전기신호를 인가함으로써 평판표시패널의 정상 유무를 검사하기 위한 프로브블록의 면접촉으로 검사하는 면접촉 프로브판에 관한 것이다.
상기 평판표시패널의 정상 유무를 검사하는 프로브블록은 니들(Needle)프로브형, 블레이드(Blade)프로브형, 필름(Film)프로브형 및 멤스(MEMS)프로브형 등과 같이 다양한 형태로 제공되여 프로브유닛에 조립되고 있다
상기 필름(Film)프로브형의 프로브블록은 필름 만 을 베이스 필름으로 사용하기 때문에, 평판표시패널에 잔재하는 표면 이물질에 취약하여 필름파손이 많고, 또한, 평판표시패널의 개별 시그널 배선패턴 단자에 접촉성이 일정하지 않아 평판 표시패널 검사의 정확성이 떨어지는 문제점 있다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 제안되는 것으로서, 본 발명의 목적은 면접촉 프로브판을 제공하여 시그널 배선패턴 단자가 협소피치로 된 평판표시패널을 검사할 수 있고, 희망하는 접촉압으로 평판표시패널의 시그널 배선패턴 단자가 손상이 없고, 검사하는 프로브판이 손상이 적은 면접촉 프로브판 제조방법.
본 발명은 상기에서 문제점으로 지적되고 있는 사항을 해소하기 위하여 제안된 것으로서, 희생기판 위에 금속판(110)을 제조하여 상기 금속판(110)의 단면에 시그널 배선패턴(123)과 접촉돌기(127)를 미소전기기계시스템(MEMS) 기술으로 형성하여 협소피치로 된 평판표시패널를 검사할 수 있는 것이다.
본 발명에 따른 금속판의 단면에 시그널 배선패턴과 동일선상 배선패턴 상단부에 접촉돌기를 형성하여 면접촉으로 검사하는 면접촉 프로브판(100)을 제공하는 것이다.
본 발명에 따른 면접촉 프로브판의 바람직한 제조방법은 희생기판 위에 금속판(110)을 제조하는 a단계; 상기 금속판(110)의 단면에 절연막(113)을 형성하는 b단계; 상기 금속판(110)의 단면에 형성된 절연막(113) 위에 2차전도촉진층(115)을 형성하는 c단계; 상기 금속판(110)의 단면에 형성된 2차전도촉진층(115) 위에 시그널 배선패턴부(123)을 형성하는 d단계; 상기 금속판(110)의 단면에 형성된 시그널 배선패턴부(123)의 동일선상 배선패턴 상단부에 형성된 접촉돌기부(127)의 주형에 전도성 금속을 충진하는 e단계; 상기 금속판(110)의 단면에 형성된 시그널 배선패턴부(123)의 점착제(117a)의 주형과 접촉돌기부(127)의 점착제(117b)의 주형을 제거한 후, 상기 시그널 배선패턴과 인접한 시그널 배선패턴의 피치 사이에 형성된 2차전도촉진층(115)을 제거하는 f단계; 희생기판에서 상기 금속판(110)을 분리하고 세정하는 g단계; 및 상기 금속판(110)의 배면에 절연필름(141)을 부착하는 h단계; 를 포함하는 단계로 실시하여 면접촉 프로브판(100)으로 제조하는 것이 바람직하다.
상기 금속판(110)을 상기 a단계 내지 상기 h단계로 제조하면 면접촉으로 검사하는 면접촉 프로브판(100)이 형성되는 것이다.
본 발명의 면접촉으로 검사하는 면접촉 프로브판은 미소전기기계시스템(MEMS) 기술으로 제조함으로서, 협소피치 간격과 점유면적이 미세한 시그널 배선패턴 단자를 갖는 평판표시패널를 정확히 검사할 수 있고, 검사하는 프로브판이 손상 이 적은 면접촉 프로브판을 제공하는 효과가 있다
이하, 본 발명의 구성상태 및 이로부터 얻게 되는 특유의 효과 등에 대하여 첨부 도 1 내지 도 5을 참조하여 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 면접촉 프로브판의 구성된 상태를 도시한 것이다.
먼저, 베이스기판은 미세한 두께를 갖는 금속판(110)을 제조하여 상기 금속판(110)의 단면에 시그널 배선패턴을 형성하여 프로브블록(미도시됨)에 조립되는 면접촉으로 검사하는 면접촉 프로브판(100)을 제공하는 것이다.
상기 금속판(110)의 단면에 형성되는 시그널 배선패턴은 동일 배선패턴 선상에 시그널 배선패턴부(123)와 접촉돌기부(127)가 형성되는 것이다.
상기 금속판(110)의 배면에는 외부로 노출된 금속판(100)을 보호와 절연을 위하여 절연필름(141)이 적층되는 것이다.
상기 면접촉 프로브판(100)의 제조방법은 희생기판을 선정하여 희생기판 위에 베이스기판이 되는 금속으로 전해도금 충진으로 금속판(110)을 희망하는 두께로 제조하는 것이다.
이하, 도 2은 면접촉 프로브판(100)의 제조방법을 a단계 내지 h단계의 순서도를 참조하여 설명하는 것이다.
상기 면접촉 프로브판(100) 제조방법은 희생기판 위에 금속판(110)을 형성하는 a단계; 상기 금속판의 단면에 절연막(113)을 형성하는 b단계; 상기 금속판(110)의 단면에 형성된 절연막(113) 위에 2차전도촉진층(115b)(seed layer)을 형성하는 c단계; 상기 금속판(110)의 단면에 형성된 2차전도촉진층(115b) 위에 시그널 배선패턴부(123)을 형성하는 d단계; 상기 금속판(110)의 단면에 형성된 시그널 배선패턴부(123)의 동일선상 배선패턴 상단부에 형성된 접촉돌기부(127)의 주형에 전도성금속을 충진하는 e단계; 상기 금속판(110)의 단면에 형성된 시그널 배선패턴의 점착제(117a)의 주형과 접촉돌기의 점착제(117b)의 주형을 제거한 후, 상기 시그널 배선패턴과 인접한 시그널 배선패턴의 피치 사이에 형성된 2차전도촉진층(115b)을 제거하는 f단계; 상기 희생기판에서 금속판(110)을 분리하고 세정하는 g단계; 및 상기 금속판(110)의 배면에 절연필름(141)을 부착하는 h단계; 를 포함한다.
이하, 면접촉 프로브판(100)의 제조방법을 상기 a단계 내지 상기 h단계의 순서도를 참조하여 상세하게 설명하는 것이다.
도 3은 본 발명의 희생기판 위에 금속판을 형성하는 a단계의 a-1과정 내지 a-5과정의 세부과정 순서도를 도시한 것이다.
도 4은 본 발명의 금속판의 단면에 시그널 배선패턴부를 형성하는 d단계의 d-1과정 내지 d-5과정의 세부과정 순서도를 도시한 것이다.
도 5은 본 발명의 금속판의 단면에 접촉돌기부를 형성하는 e단계의 e-1과정 내지 e-3과정의 세부과정 순서도를 도시한 것이다.
먼저, 희생기판 위에 금속판(110)을 형성하는 a단계는 상기 희생기판 위에 산화막(111)을 증착하는 a-1과정, 상기 희생기판 위에 증착된 산화막(111) 위에 1차전도촉진층(115a)을 증착하는 a-2과정, 상기 1차전도촉진층(115a) 위에 희망하는 두께를 갖는 금속판을 전해도금으로 실시하는 a-3과정, 상기 전해도금으로 형성된 금속판을 화학적기계연마로 평탄화하는 a-4과정, 및 상기 금속판을 세정공정을 실시하는 a-5과정, 을 포함하는 것이다.
상기 금속판(110)은 니켈, 니켈합금, 구리, 구리합금 중에서 어느 하나의 금속을 선정하여 전해도금으로 희망하는 두께를 갖는 금속판(110)을 제조하는 것이다.
상기 희생기판 위에 금속판(110)을 전해도금 하기 전에 희생기판 표면을 폴리싱 연마를 실시하고, 금속이 희생기판 위에 전해도금시 밀착력을 강화시키는 크리닝을 수행하는 것이 바람직하다.
상기 금속판(110)의 단면에 절연막(113)을 형성하는 b단계는 상기 금속판(110)의 단면에 절연막(113)을 증착하여 금속판(110)의 단면에 형성되는 시그널 배선패턴(123)과 금속판(110)이 절연되는 것이다.
상기 절연막(113)은 화학적기상증착(Chemical Vapor Deposition)공정, 물리적기상증착(Phisycal Vapor Deposition), 진공챔버증착 및 스퍼터링증착 중에서 하나를 선정하여 금속판(110)의 단면 위에 절연막(113)을 증착하는 것이다.
상기 금속판(110)의 단면 위에 증착으로 형성되는 절연막(113)은 산화막, 질화막, 폴라스막, 절연성폴리머 중에서 어느 하나을 선정하여 1000Å(옹스트롬) 내지 10000Å(옹스트롬) 두께로 증착으로 형성하는 것이다.
다음으로, 상기 금속판(110)의 단면에 형성된 절연막(113) 위에 2차전도촉진층(115b)을 형성하는 c단계는 상기 금속판(110)의 단면에 형성된 절연막(113)과 시그널 배선패턴(123)이 접착력이 양호하게 하기 위해서 스퍼터링(Sputtering) 증착 또는 전자빔(E-beam) 증착으로 금속판(110)의 단면의 형성된 절연막(113) 위에 2차전도촉진층(115b)을 증착하는 것이다.
상기 금속판(110)의 절연막(113) 위에 형성된 2차전도촉진층(115b)은 금(Au), 구리(Cu), Cr(크롬), Ni(니켈), Ti(티타늄) 중에서 어느 하나의 금속을 선정하여 1000Å(옹스트롬) 내지 5000Å(옹스트롬) 두께로 증착으로 형성하는 것이다.
다음으로, 상기 금속판(110)의 절연막(113) 위에 형성된 2차전도촉진층(115b) 위에 시그널 배선패턴을 형성하는 d단계는 상기 금속판(110)의 단면에 형성된 전도촉진층(115) 위에 점착제(117)를 적층하는 d-1과정을 실시한 후, 시그널 배선패턴부(123)와 접촉돌기부(127)부가 패턴된 마스크를 상기 점착제(117) 위에 노광장치를 이용하여 시그널 배선패턴(123)부와 접촉돌기(127)부를 상기 점착제(117) 위에 노광하는 d-2과정을 실시하는 것이다.
계속해서, 노광된 시그널 배선패턴(123)부의 점착제(117a) 만을 현상장치를 이용하여 현상하는 d-3과정을 실시하는 것이다.
계속해서, 에칭으로 시그널 배선패턴(123)부가 형성된 점착제(117a)를 패터닝하여 시그널 배선패턴(123)부의 점착제 주형(Mold)을 형성하는 d-4과정 실시하는 것이다.
계속해서, 상기 금속판(110)의 단면에 형성된 시그널 배선패턴부(123)의 점착제(117a) 주형에 전도성이 우수한 구리, 니켈 또는 구리합금, 니켈합금 등과 같은 금속을 전해도금 충진 또는 무전해도금 충진을 실시하는 d-5과정을 포함하는 것이다.
상기 점착제(117) 위에 시그널 배선패턴부(123)의 점착제(117a) 주형(Mold)을 형성하는 노광과 현상은 포토리소그래픽공정으로 실시하는 것이다.
상기 금속판(110)의 단면에 형성되는 시그널 배선패턴부(123) 금속이 구리합금, 니켈합금 등으로 전해도금 충진 또는 무전해도금으로 충진할 시는 화학적기계연마(Chemical Mechanical Polishing) 등의 방법으로 평탄화하여 희망하는 시그널 배선패턴부(123)의 두께를 형성하는 것이다.
다음으로, 상기 금속판(110)의 단면에 형성된 시그널 배선패턴의 동일선상 배선패턴 상단부에 형성된 접촉돌기부(127)의 주형에 전도성금속을 충진하는 e단계는 상기 접촉돌기부(127)의 패턴이 노광된 접촉돌기부의 점착제(117b) 만을 현상장치를 이용하여 현상하는 e-1과정을 실시하는 것이다.
계속해서, 에칭으로 접촉돌기부(127)의 패턴이 노광된 접촉돌기부의 점착제(117b)을 패터닝하고, 시그널 배선패턴부(123)와 접촉돌기부(127) 사이에 잔재한 점착제를 제거한 후, 접촉돌기부의 점착제(117a) 주형(Mold)을 형성하는 e-2과정을 실시하는 것이다.
계속해서, 상기 시그널 배선패턴의 동일선상 배선패턴 상단부에 형성된 접촉돌기부(127) 주형에 복수개의 접촉돌기를 전도성이 우수한 니켈 또는 니켈합금 등과 같은 금속을 전해도금 충진 또는 무전해도금 충진을 실시하는 e-3과정을 포함하는 것이다.
상기 금속판(110)의 2차전도촉진층(115b) 위에 적층된 점착제(117)의 시그널 배선패턴부(123)는 점착제(117a)이고 접촉돌기부(127)는 점착제(117b)로 구분되는 것이다.
상기 점착제(117)에 접촉돌기부(127)의 점착제(117b) 주형을 형성하는 노광과 현상은 포토리소그래픽공정으로 수행하는 것이다.
상기 d단계 및 상기 e단계에서 사용되는 점착제(117)(adhesive)은 점착성폴리머(adhesive Polymer), 플렉시블폴리머(Flexible Polymer), 열적리플로우폴리머(Thermal reflow Polymer), 폴리디메틸실록산(PDMS:Polydimethylsilioxine), 감광액(Photo Resist), 감광필름(Dry Film Resist) 중에서 어느 하나를 선정하여 핫프레스(Hot press) 또는 라미네이팅(Laminating)으로 압착으로 적층하거나 또는 스핀코터장치를 이용하여 도포할 수 있는 것이다.
상기 금속판(110)의 일면에 형성된 시그널 배선패턴(123)의 동일선상 배선패턴 상단부에 형성된 접촉돌기(127) 패턴의 점착제(117a) 주형에 전해도금 충진 또는 무전해도금으로 충진하는 금속이 구리, 니켈 일 경우에는 평탄화공정을 생략할 수 있고, 상기 금속판(110)의 일면에 형성된 시그널 배선패턴부(123)의 동일선상 배선패턴 상단부에 접촉돌기부(127) 패턴의 점착제(117a) 주형에 전해도금 충진 또는 무전해도금으로 충진하는 금속이 구리합금, 니켈합금으로 충진할 시는 화학적기계연마(Chemical Mechanical Polishing) 등의 방법으로 평탄화하여 접촉돌기(127)을 형성하는 것이다.
상기 평탄화공정을 수행하면 부가적으로 세정공정을 더 수행함으로서 금속판(110)에 잔류한 유기물과 파티클을 제거하는 것이 바람직하다.
상기 금속판(110)의 시그널 배선패턴부(123)의 동일선상 배선패턴 상단부에 형성된 접촉돌기부(127)는 평판표시패널의 시그널 배선패턴 단자(미도시됨)에 접촉하여 상기 금속판(110)의 시그널 배선패턴이 통전되는 것이다.
다음으로, 상기 금속판(110)의 단면에 잔재한 점착제(117a,117b) 주형을 제거한 후, 시그널 배선패턴 피치 사이에 형성된 2차전도촉진층(115b)을 제거하는 f단계는 상기 금속판(110)의 단면에 형성된 인접한 시그널 배선패턴부의 점착제(117a) 주형과 접촉돌기부(127) 패턴의 점착제(117b) 주형을 플라스마 애셔(Asher) 장치 또는 포토레지스트 스트리퍼 장치로 제거한 후, 상기 시그널 배선패턴과 인접한 시그널 배선패턴의 피치 사이에 형성된 2차전도촉진층(115b)을 제거하는 것이다.
상기 금속판(110)의 단면에 형성된 시그널 배선패턴과 인접한 시그널 배선패턴의 피치 사이에 형성된 2차전도촉진층(115b)은 전용화학약품을 사용하여 에칭으로 제거하는 것이다.
다음으로, 희생기판에서 금속판(110)을 분리하는 g단계는 전용화학약품을 사용하여 산화막을 제거하여 희생기판에서 금속판(110)을 분리하는 것이다.
마지막으로, 상기 금속판(110)의 배면에 절연필름(141)을 적층하는 h단계를 포함한다.
상기 h단계는 상기 금속판(110)의 배면 위에는 절연필름(141)을 라미네이팅(Laminating)공정으로 희망하는 두께의 절연필름(141)을 적층하는 것이다.
상기 금속판(110)의 배면에 적층되는 절연필름(141)은 폴리머필름 (Polymer Film), 커버레이어필름(Cover Layer Film), 페릴린필름(Parylene Film), 루버 (Rubber Film) 중에서 어느 하나를 선정하여 희망하는 두께의 절연필름(141)을 라미네이팅 공정으로 적층하는 것이다.
상기 금속판(110)은 대면적의 베이스 금속판(110)에 상기 a단계 내지 상기 h단계로 제조되여 복수개의 면접촉 프로브판(100)이 금속판(110)에 형성되는 것이다.
상기 복수개의 면접촉 프로브판(100) 어레이를 레이저절단 또는 다이싱절단 등으로 면접촉 프로브판(100)을 개별로 절단하여 블록버디(미도시됨)에 개별로 형성된 면접촉 프로브판(100)이 조립되어 프로브블록으로 되는 것이다.
본 발명의 금속판(110)의 베이스금속판으로 선정되는 니켈, 니켈합금, 구리, 구리합금으로 한정하는 것이 아니고 연성과 경도가 있는 금속은 베이스 금속판으로 적용하여 시그널 배선패턴이 형성된 면접촉 프로브판으로 제조할 수 있는 것이다.
본 발명의 기술적 사상과 범위 내에서 당업자에 의해 시그널 배선패턴이 형성된 면접촉 프로브판 제조방법의 단계를 변경하여 실시하는 것은 첨부된 특허청구범위에 속하는 것은 당연한 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 면접촉 프로브판의 구성된 상태를 도시한 것이다.
도 2은 본 발명에 따른 면접촉 프로브판 제조방법 순서도를 도시한 것이다.
도 3은 본 발명의 희생기판 위에 금속판을 형성하는 a단계의 a-1과정 내지 a-5과정의 세부과정 순서도를 도시한 것이다.
도 4은 본 발명의 금속판의 단면에 시그널 배선패턴부를 형성하는 d단계의 d-1과정 내지 d-5과정의 세부과정 순서도를 도시한 것이다.
도 5은 본 발명의 금속판의 단면에 접촉돌기부를 형성하는 e단계의 e-1과정 내지 e-3과정의 세부과정 순서도를 도시한 것이다.
＜도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명＞
100…면접촉 프로브판 110…금속판 111…산화막
113…절연막 115a…1차전도촉진층 115b…2차전도촉진층
117…점착제 117a…시그널 배선패턴부 점착제
117b…접촉돌기부 점착제 123…시그널 배선패턴부 127…접촉돌기부
141…절연필름

Claims (6)

  1. 면접촉 프로브판 제조방법은,
    희생기판 위에 금속판을 형성하는 a단계;
    상기 금속판의 단면에 절연막을 형성하는 b단계;
    상기 금속판의 단면에 형성된 절연막 위에 2차전도촉진층을 형성하는 c단계;
    상기 금속판의 단면에 형성된 2차전도촉진층 위에 시그널 배선패턴부을 형성하는 d단계;
    상기 금속판의 단면에 형성된 시그널 배선패턴의 동일선상 배선패턴 상단부에 형성된 접촉돌기부의 주형에 전도성금속을 충진하는 e단계;
    상기 금속판의 단면에 형성된 시그널 배선패턴부의 점착제의 주형과 접촉돌기부의 점착제의 주형을 제거한 후, 상기 시그널 배선패턴과 인접한 시그널 배선패턴의 피치 사이에 형성된 2차전도촉진층을 제거하는 f단계;
    상기 희생기판에서 금속판을 분리하고 세정하는 g단계; 및
    상기 금속판의 배면에 절연필름을 부착하는 h단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 면접촉 프로브판 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 a단계는,
    희생기판 위에 산화막을 증착하는 a-1과정,
    상기 산화막 위에 1차전도촉진층을 증착하는 a-2과정,
    상기 1차전도촉진층 위에 희망하는 두께를 갖는 금속판을 전해도금으로 형성하는 a-3과정,
    상기 전해도금으로 형성된 금속판을 화학적기계연마로 평탄화하는 a-4과정, 및
    상기 금속판을 세정공정을 실시하는 a-5과정, 을 포함하는 것을 특징으로 하는 면접촉 프로브판 제조방법..
  3. 제1항에 있어서,
    상기 d단계는,
    상기 금속판의 검사면에 형성된 2차전도촉진층 위에 점착제를 도포하는 d-1과정,
    시그널 배선패턴부와 접촉돌기부가 패턴된 마스크를 상기 점착제 위에 노광장치를 이용하여 시그널 배선패턴부와 접촉돌기부를 상기 점착제 위에 노광하는 d-2과정,
    노광된 시그널 배선패턴부의 점착제 만을 현상장치를 이용하여 현상하는 d-3과정,
    에칭으로 시그널 배선패턴부가 형성된 점착제을 패터닝하여 시그널 배선패턴부의 점착제 주형을 형성하는 d-4과정, 및
    상기 금속판의 단면에 형성된 시그널 배선패턴부의 점착제 주형에 금속을 전 해도금 충진 또는 무전해도금 충진을 실시하는 d-5과정, 을 포함하는 것을 특징으로 하는 면접촉 프로브판 제조방법.
  4. 제3항 있어서, 상기 d단계의 점착제은 점착성폴리머, 플렉시블폴리머, 열적리플로우폴리머, 폴리디메틸실록산, 감광액, 감광필름 중에서 어느 하나를 선정하여 핫프레스 또는 라미네이팅으로 압착으로 적층하거나 또는 스핀코터장치를 이용하여 도포할 수 있는 것을 특징으로 하는 면접촉 프로브판 제조방법.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 e단계는,
    상기 접촉돌기부의 패턴이 노광된 점착제 만을 현상장치를 이용하여 현상하는 e-1과정,
    에칭으로 접촉돌기부의 패턴이 노광된 점착제을 패터닝하고, 시그널 배선패턴부와 접촉돌기부 사이에 잔재한 점착제를 제거한 후, 접촉돌기부의 점착제 주형을 형성하는 e-2과정, 및
    상기 시그널 배선패턴부의 동일선상 배선패턴 상단부에 형성된 접촉돌기부 주형에 복수개의 접촉돌기를 금속을 전해도금 충진 또는 무전해도금 충진을 실시하는 e-3과정, 을 포함하는 것을 특징으로 하는 면접촉 프로브판 제조방법.
  6. 제5항 있어서, 상기 e단계의 점착제는 점착성폴리머, 플렉시블폴리머, 열적 리플로우폴리머, 폴리디메틸실록산, 감광액, 감광필름 중에서 어느 하나를 선정하여 핫프레스 또는 라미네이팅으로 압착으로 적층하거나 또는 스핀코터장치를 이용하여 도포할 수 있는 것을 특징으로 하는 면접촉 프로브판 제조방법.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160095497A (ko) * 2015-02-03 2016-08-11 주식회사 나노리퀴드디바이시스코리아 디스플레이 패널 검사용 프로브 필름, 이를 포함하는 프로브 블록과 프로브 유니트 그리고 그 프로브 필름의 제조방법
WO2019190102A1 (ko) * 2018-03-26 2019-10-03 영남대학교 산학협력단 마이크로 엘이디 검증용 기판과, 이의 제작 방법 및 이를 이용한 마이크로 엘이디 검증 방법
US11728225B2 (en) 2018-03-26 2023-08-15 Research Cooperation Foundation Of Yeungnam University Micro LED verification substrate, manufacturing method therefor, and micro LED verification method using same

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100580784B1 (ko) 2004-02-24 2006-05-16 주식회사 파이컴 전기적 접촉체의 제조방법

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160095497A (ko) * 2015-02-03 2016-08-11 주식회사 나노리퀴드디바이시스코리아 디스플레이 패널 검사용 프로브 필름, 이를 포함하는 프로브 블록과 프로브 유니트 그리고 그 프로브 필름의 제조방법
WO2019190102A1 (ko) * 2018-03-26 2019-10-03 영남대학교 산학협력단 마이크로 엘이디 검증용 기판과, 이의 제작 방법 및 이를 이용한 마이크로 엘이디 검증 방법
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