KR20120017820A - Apparatus for inspecting semiconductor light emitting device - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A method for inspecting a semiconductor light emitting device is provided to reduce test time by simultaneously testing an optical property of one light emitting device and electric properties of the remaining light emitting devices. CONSTITUTION: A probe card(133) with a probe(131) moves to the upper side of a unit light emitting device(120). The probe is contacted with an n type electrode(121a) and a p type electrode(125a) of the unit light emitting device.

Description

반도체 발광소자 검사장치{APPARATUS FOR INSPECTING SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE}Semiconductor light emitting device inspection device {APPARATUS FOR INSPECTING SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE}

본 개시(Disclosure)는 전체적으로 반도체 발광소자 검사장치에 관한 것으로, 특히 복수 개의 반도체 발광소자의 광 특성과 전기적 특성의 검사에 소요되는 시간을 줄일 수 있는 반도체 발광소자 검사장치에 관한 것이다.The present disclosure generally relates to a semiconductor light emitting device inspecting apparatus, and more particularly, to a semiconductor light emitting device inspecting apparatus capable of reducing the time required for inspecting optical and electrical characteristics of a plurality of semiconductor light emitting devices.

여기서, 반도체 발광소자는 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 반도체 광소자를 의미하며, 3족 질화물 반도체 발광소자를 예로 들 수 있다. 3족 질화물 반도체는 Al(x)Ga(y)In(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)로 된 화합물로 이루어진다. 이외에도 적색 발광에 사용되는 GaAs계 반도체 발광소자 등을 예로 들 수 있다.Here, the semiconductor light emitting device refers to a semiconductor optical device that generates light through recombination of electrons and holes, for example, a group III nitride semiconductor light emitting device. The group III nitride semiconductor consists of a compound of Al (x) Ga (y) In (1-x-y) N (0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1, 0 ≦ x + y ≦ 1). A GaAs-based semiconductor light-emitting element used for red light emission, and the like.

여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art).This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art.

도 1은 종래의 반도체 발광소자 웨이퍼 및 그 단면을 보인 도면으로서, 반도체 발광소자 웨이퍼(10)는, 기판(11) 위에 다층 구조의 반도체층(21,23,25)이 성장되어 형성된다.1 is a view showing a conventional semiconductor light emitting device wafer and its cross section. The semiconductor light emitting device wafer 10 is formed by growing semiconductor layers 21, 23, 25 having a multi-layer structure on a substrate 11.

다층 구조의 반도체층(21,23,25)은 기판(11) 위에 순차로 적층되는 n형 반도체층(21), 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 활성층(23), p형 반도체층(25)을 포함한다.The semiconductor layers 21, 23, and 25 of the multi-layered structure are n-type semiconductor layers 21 sequentially stacked on the substrate 11, active layers 23 that generate light by recombination of electrons and holes, and p-type semiconductor layers. (25).

그리고, 반도체 발광소자 웨이퍼(10)는 레이저 또는 다이아몬드 커팅기 등에 의한 스크라이빙 공정에 의해 복수의 단위 발광소자(20)로 구획되며, 각각의 단위 발광소자(20)에 p형 반도체층(25)과 전기적으로 접속되는 p측 전극(25a), n형 반도체층(21)과 전기적으로 접속되는 n측 전극(21a)이 구비된다.The semiconductor light emitting device wafer 10 is divided into a plurality of unit light emitting devices 20 by a scribing process by a laser or a diamond cutting machine, and the p-type semiconductor layer 25 is formed on each unit light emitting device 20. The p-side electrode 25a electrically connected with the n-type semiconductor layer 21 and the n-side electrode 21a electrically connected with the n-type semiconductor layer 21 are provided.

이후, 반도체 발광소자 웨이퍼(10)를 절단하여 서로 분리된 복수의 단위 발광소자(20)를 얻는데, 절단 전에 각각의 단위 발광소자(20)의 특성 검사가 행해지는 것이 일반적이다.Thereafter, the semiconductor light emitting device wafer 10 is cut to obtain a plurality of unit light emitting devices 20 separated from each other. In general, the characteristic inspection of each unit light emitting device 20 is performed before cutting.

도 2는 종래 발광소자 검사장치의 일 예를 설명하는 도면으로서, 단위 발광소자(20)의 전극(21a,25a)에 접속되어 전류 또는 전원을 인가하는 프로브(31), 단위 발광소자(20)에서 발생된 빛을 감지하는 광센서(35), 프로브(31)와 광센서(35)가 구비되는 프로브 카드(33) 및 단위 발광소자(20)의 검사 과정 전반을 제어하는 제어부(40)를 포함한다.FIG. 2 is a view illustrating an example of a conventional light emitting device inspection apparatus, and includes a probe 31 and a unit light emitting device 20 connected to the electrodes 21a and 25a of the unit light emitting device 20 to apply current or power. The control unit 40 for controlling the overall inspection process of the optical sensor 35, the probe 31 and the probe card 33 and the unit light emitting device 20 is provided to detect the light generated by the light sensor 35 Include.

구체적으로, p측 전극(25a)과 n측 전극(21a)에 프로브(31)를 접속시킨 상태에서 소정의 전류 또는 전압(이하, "소스 전류" 또는 "소스 전압")을 인가하여 단위 발광소자(20)의 광 특성 및 전기적 특성을 검사하게 된다.Specifically, the unit light emitting device is applied by applying a predetermined current or voltage (hereinafter, "source current" or "source voltage") while the probe 31 is connected to the p-side electrode 25a and the n-side electrode 21a. The optical and electrical properties of 20 are examined.

검사는 하나의 단위 발광소자(20)의 소스 전류와 소스 전류를 바꾸어 가며 광 특성 및 전기적 특성을 모두 검사한 후 다른 단위 발광소자(20)에 대해 동일한 방식으로 이루어진다.The inspection is performed in the same manner with respect to the other unit light emitting device 20 after inspecting both the optical characteristics and the electrical characteristics by changing the source current and the source current of one unit light emitting device 20.

이러한 검사 방식에 의하면, 각각의 단위 발광소자(20)에 대한 검사가 순차로 진행되므로 검사에 소요되는 시간이 증가하게 되는 문제가 있다.According to this inspection method, since the inspection of each unit light emitting device 20 proceeds sequentially, there is a problem that the time required for inspection increases.

특히, 다층 구조의 반도체층(21,23,25) 성장기술의 발달로 기판(11)의 크기가 점점 커지는 최근의 추세에 미루어 검사 시간을 줄일 수 있는 반도체 발광소자 검사장치의 개발이 필요하다.In particular, it is necessary to develop a semiconductor light emitting device inspection apparatus capable of reducing inspection time in view of the recent trend of increasing the size of the substrate 11 due to the development of the growth technology of the semiconductor layers 21, 23, and 25 having a multilayer structure.

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Implementation of the Invention.

여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).SUMMARY OF THE INVENTION Herein, a general summary of the present disclosure is provided, which should not be construed as limiting the scope of the present disclosure. of its features).

본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 반도체 발광소자 웨이퍼에 형성된 n개(n≥2)의 단위 발광소자를 검사하는 반도체 발광소자 검사장치에 있어서, 제1 단위 발광소자의 광 특성을 검사하는 제1 프로브(probe); 및 제1 단위 발광소자와 다른 제2 단위 발광소자의 전기적 특성을 검사하는 제2 프로브(probe);로서, 제1 프로브와 동시에 검사가 행해지는 제2 프로브;를 포함하는 반도체 발광소자 검사장치가 제공된다.According to one aspect of the present disclosure, in a semiconductor light emitting device inspection apparatus for inspecting n (n ≧ 2) unit light emitting devices formed on a semiconductor light emitting device wafer, the first unit includes: A first probe inspecting optical characteristics of the light emitting device; And a second probe for inspecting electrical characteristics of the first unit light emitting device and the second unit light emitting device, wherein the second probe is simultaneously tested with the first probe. Is provided.

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Implementation of the Invention.

도 1은 종래의 반도체 발광소자 웨이퍼 및 그 단면을 보인 도면,
도 2는 종래 발광소자 검사장치의 일 예를 설명하는 도면,
도 3은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 검사장치의 일 예를 설명하는 도면,
도 4는 본 개시에 따른 반도체 발광소자 검사장치의 다른 예를 설명하는 도면.1 is a view showing a conventional semiconductor light emitting device wafer and its cross section,
2 is a view for explaining an example of a conventional light emitting device inspection apparatus,
3 is a view for explaining an example of a semiconductor light emitting device inspection apparatus according to the present disclosure;
4 is a view for explaining another example of the semiconductor light emitting device inspection apparatus according to the present disclosure.

이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)). The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing (s).

도 3은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 검사장치의 일 예를 설명하는 도면으로서, 프로브(131), 광 센서(135), 프로브(131) 및 광 센서(135)가 설치되는 프로브 카드(133) 및 검사 과정 전반을 제어하는 제어부(140)를 포함한다.3 is a view illustrating an example of a semiconductor light emitting device inspection apparatus according to the present disclosure, and includes a probe card 133 on which a probe 131, an optical sensor 135, a probe 131, and an optical sensor 135 are installed. And a controller 140 for controlling the entire inspection process.

그리고, 본 예에 따른 반도체 발광소자 검사장치에 의해 검사되는 복수의 단위 발광소자(120)는 반도체 발광소자 웨이퍼에 서로 구획되어 구비되며 각각 p측 전극(125a)과 n측 전극(121a)이 구비된다.In addition, the plurality of unit light emitting devices 120 inspected by the semiconductor light emitting device inspecting apparatus according to the present exemplary embodiment are partitioned from each other on a semiconductor light emitting device wafer, and each of the p-side electrode 125a and the n-side electrode 121a is provided. do.

본 예에 따른 반도체 발광소자 검사장치에 의한 검사 과정은 다음과 같다.The inspection process by the semiconductor light emitting device inspection apparatus according to the present example is as follows.

먼저, 반도체 발광소자 웨이퍼가 반도체 발광소자 검사장치에 고정된다.First, the semiconductor light emitting device wafer is fixed to the semiconductor light emitting device inspection apparatus.

반도체 발광소자 웨이퍼의 고정을 위해 반도체 발광소자 검사장치에는 척(chuck)이 더 구비될 수 있다.A chuck may be further provided in the semiconductor light emitting device inspection apparatus to fix the semiconductor light emitting device wafer.

다음으로, 프로브(131)가 구비된 프로브 카드(133)를 이동시켜 검사하고자 하는 단위 발광소자(120)의 상부에 위치되고 프로브(131)는 단위 발광소자(120)의 p측 전극(125a)과 n측 전극(121a)에 각각 접속된다.Next, the probe card 133 including the probe 131 is moved and positioned above the unit light emitting device 120 to be inspected, and the probe 131 is the p-side electrode 125a of the unit light emitting device 120. And n-side electrode 121a, respectively.

프로브(131)는 핀 형태로 구비되며, 한 쌍의 프로브(131)가 단위 발광소자(120)의 전극(121a,125a)에 각각 접속되며, 본 예에서는, 두 개 이상의 단위 발광소자(120)를 동시에 검사하기 위해 두 개 이상의 쌍으로 구비된다. 도 3에서는 4개 쌍의 프로브(131)가 구비된 예를 보인 것이다.The probe 131 is provided in the form of a pin, and a pair of probes 131 are connected to the electrodes 121a and 125a of the unit light emitting device 120, respectively. In this example, two or more unit light emitting devices 120 are provided. It is provided in two or more pairs to examine simultaneously. 3 shows an example in which four pairs of probes 131 are provided.

다음으로, 프로브(131)를 통해 반도체 발광소자의 광 특성 또는 전기적 특성 검사에 필요한 광 특성 인자, 전기적 특성 인자의 측정을 위한 소정의 전류 또는 전압(이하, "소스 전류" 또는 "소스 전압"이라 함.)이 인가된다.Next, through the probe 131, a predetermined current or voltage (hereinafter, referred to as "source current" or "source voltage") for measuring optical characteristic factors and electrical characteristic factors required for optical characteristic or electrical characteristic inspection of the semiconductor light emitting device. Is applied.

이때, 도 3에 도시된 4 개의 프로브(131) 모두에 소스 전류 또는 소스 전압이 동시에 인가하여 4개의 프로브(131)가 접속된 4개의 단위 발광소자(120)의 광 특성 인자 또는 전기적 특성 인자를 동시에 측정하게 된다.At this time, a source current or a source voltage is simultaneously applied to all four probes 131 shown in FIG. 3 to determine the optical or electrical characteristic factors of the four unit light emitting devices 120 to which the four probes 131 are connected. It will be measured at the same time.

여기서, 4개의 단위 발광소자(120)에서 동시에 측정되는 광 특성 인자 또는 전기적 특성 인자는 서로 다르게 된다.Herein, the optical characteristic factors or electrical characteristic factors simultaneously measured by the four unit light emitting devices 120 are different from each other.

또한, 두 개 이상의 단위 발광소자에 대해 동시에 광 특성 인자를 측정하는 경우 간섭에 의해 측정 결과가 왜곡될 수 있으므로, 4개의 단위 발광소자(120) 중 어느 하나만에 대해 광 특성 인자의 측정이 이루어지면, 나머지에 대해서는 전기적 특성 인자의 측정이 이루어진다. In addition, when measuring the optical characteristic factor for two or more unit light emitting devices at the same time, the measurement result may be distorted due to interference, so if the optical characteristic factor is measured for only one of the four unit light emitting devices 120 For the rest, the electrical characteristic parameters are measured.

구체적으로, 광 특성 검사는 광 특성 인자를 측정하여 그 결과를 바탕으로 검사하는 것으로, 20 mA의 소스 전류가 사용되며, 광 특성 인자로는 PO(output power), WP(peak wave length), WD(dominent wave length), WH(halfwave length) 등을 예로 들 수 있다. Specifically, the optical characteristic test is to measure the optical characteristic factor based on the result, the source current of 20 mA is used, and the optical characteristic factors are PO (output power), WP (peak wave length), WD (dominant wave length), half wave length (WH), and the like.

그리고, 전기적 특성 검사는 전기적 특성 인자를 측정하여 그 결과를 바탕으로 검사하는 것으로, 전기적 특성 인자는 VF1(forward voltage), VF2(forward voltage), VR(reverse voltage), IR(reverse current) 등을 예로 들 수 있으며, VF1(forward voltage)는 20 mA의 소스 전류를, VF2(forward voltage)는 1 uA의 소스 전류를, VR(reverse voltage)는 -10 uA의 소스 전류를, IR(reverse current)은 -5 V의 소스 전압이 사용된다.In addition, the electrical characteristic test is to measure the electrical characteristic factor based on the results, the electrical characteristic factor is VF1 (forward voltage), VF2 (forward voltage), VR (reverse voltage), IR (reverse current), etc. For example, VF1 (forward voltage) is 20 mA source current, VF2 (forward voltage) is 1 uA source current, VR (reverse voltage) is -10 uA source current, and IR (reverse current) A source voltage of -5 V is used.

따라서, 단위 발광소자(120)의 검사를 위해, 광 특성 인자로 PO(output power), 전기적 특성 인자로 VF2(forward voltage), VR(reverse voltage), IR(reverse current)의 측정이 필요한 경우를 예로 하면, 도 1에서 단위 발광소자(A)에 PO(output power) 측정을 위한 20 mA의 소스 전류가, 단위 발광소자(B)에 VF2(forward voltage) 측정을 위한 1 uA의 소스 전류가, 단위 발광소자(C)에 VR(reverse voltage) 측정을 위한 -10 uA의 소스 전류가, 단위 발광소자(D)에 IR(reverse current) 측정을 위한 -5 V의 소스 전압이 인가되어 각 단위 발광소자마다 하나의 광 특성 인자 또는 전기적 특성 인자가 측정된다.Therefore, in order to inspect the unit light emitting device 120, a measurement of output power (PO) as an optical characteristic factor, a forward voltage (VF2), reverse voltage (VR), and reverse current (IR) as an electrical characteristic factor is necessary. For example, in FIG. 1, a source current of 20 mA for measuring PO (output power) is measured in the unit light emitting device A, and a source current of 1 uA for VF2 (forward voltage) measurement is measured in the unit light emitting device B. A source current of -10 uA for the reverse voltage (VR) measurement is applied to the unit light emitting device (C), and a source voltage of -5 V for the reverse current (IR) measurement is applied to the unit light emitting device (D). One optical characteristic factor or electrical characteristic factor is measured per device.

다음으로, 4개의 프로브(131)와 4개의 단위 발광소자(120)의 접속이 유지된 상태에서, 각 단위 발광소자에 인가되는 소스 전류 또는 소스 전압을 바꾸어 두 번째 광 특성 인자 또는 전기적 특성 인자를 측정한다. 구체적으로 단위 발광소자(A)에 IR(reverse current) 측정을 위한 소스 전압을, 단위 발광소자(B)에 PO(output power) 측정을 위한 소스 전류를, 단위 발광소자(C)에 VF2(forward voltage) 측정을 위한 소스 전류를, 단위 발광소자(D)에 VR(reverse voltage) 측정을 위한 소스 전류를 인가하여 광 특성 인자 및 전기적 특성 인자를 측정한다.Next, while the connection between the four probes 131 and the four unit light emitting elements 120 is maintained, the second optical characteristic factor or the electrical characteristic factor is changed by changing the source current or the source voltage applied to each unit light emitting element. Measure Specifically, a source voltage for measuring reverse current (IR) in the unit light emitting device A, a source current for measuring output power (PO) in the unit light emitting device B, and VF2 (forward) in the unit light emitting device C. The optical current factor and the electrical property factor are measured by applying a source current for voltage (voltage) measurement and a source current for VR (reverse voltage) measurement to the unit light emitting device (D).

같은 방식으로 각 단위 발광소자의 세 번째 및 네 번째 광 특성 인자 또는 전기적 특성 인자를 동시에 측정할 수 있다. In the same manner, the third and fourth optical characteristic factors or electrical characteristic factors of each unit light emitting device may be simultaneously measured.

결과적으로, 종래 하나의 단위 발광소자에 대한 PO(output power) 측정에 소요되는 시간 동안, 단위 발광소자(A)에 대한 PO(output power) 측정뿐만 아니라, 단위 발광소자(B,C,D)의 전기적 특성 인자의 측정도 함께 이루어지므로 검사에 소요되는 시간이 1/4로 감축시킬 수 있게 된다. As a result, during the time required to measure the output power (PO) for one unit light emitting device, not only the measurement of the output power (PO) for the unit light emitting device A, but also the unit light emitting devices B, C, and D The measurement of the electrical characteristic factor of is also made, so that the time required for inspection can be reduced to 1/4.

다음으로, 프로브 카드(133)가 이동되어 4 개의 단위 발광소자(E,F,G,H)에 프로브(131)가 접속되며 이후의 검사 과정은 앞서 설명한 과정의 반복이다.Next, the probe card 133 is moved so that the probe 131 is connected to the four unit light emitting devices E, F, G, and H, and the subsequent inspection process is repeated.

한편, 이상의 일련의 동작은 제어부(140)에 의해 제어될 수 있다.Meanwhile, the above series of operations may be controlled by the controller 140.

도 4는 본 개시에 따른 반도체 발광소자 검사장치의 다른 예를 설명하는 도면으로, 구성에 있어서는 도 3에서 보인 예와 동일하나 제어부(140)에 의해 제어되는 검사 동작에서 차이가 있다.4 is a view for explaining another example of the semiconductor light emitting device inspection apparatus according to the present disclosure. The configuration is the same as the example shown in FIG. 3, but there is a difference in the inspection operation controlled by the controller 140.

도 3에서는, 4개의 프로브(131)와 4개의 단위 발광소자(120)의 접속이 유지된 상태에서 4개의 광 특성 인자 및 전기적 특성 인자를 모두 측정하였으나, 본 예에서는 복수의 프로브(231)가 설치된 프로브 카드(233)가 순차로 이동되면서 특성 인자를 측정하게 된다.In FIG. 3, all four optical and electrical characteristics factors were measured while the connection between the four probes 131 and the four unit light emitting devices 120 was maintained. In this example, the plurality of probes 231 As the installed probe card 233 is sequentially moved, the characteristic factor is measured.

구체적으로, 프로브 카드(233)에는 4개의 프로브(231)가 구비되며, 각 프로브(231)에 접속된 4개의 단위 발광소자(A,B,C,D)의 광 특성 인자 또는 전기적 특성 인자가 측정된다.Specifically, the probe card 233 is provided with four probes 231, and the optical or electrical characteristic factors of the four unit light emitting devices A, B, C, and D connected to each probe 231 are provided. Is measured.

이때, 앞선 예와 같이 4개의 단위 발광소자(A,B,C,D)에서 측정되는 특성 인자 중 하나는 광 특성 인자이며 나머지는 서로 다른 전기적 특성 인자이다.At this time, one of the characteristic factors measured in the four unit light emitting devices (A, B, C, D) as shown in the previous example is an optical characteristic factor, and the other is a different electrical characteristic factor.

그러나, 각 프로브(231)에 의해 측정되는 특성 인자는 항상 고정된다. 즉, 하나의 프로브(231)에 인가되는 소스 전류 또는 소스 전압의 값은 항상 일정하게 유지된다. However, the characteristic factor measured by each probe 231 is always fixed. That is, the value of the source current or the source voltage applied to one probe 231 is always kept constant.

따라서, 도 3의 예와 비교할 때, 소스 전류와 소스 전압을 바꾸는 과정에서 발생될 수 있는 오류가 방지될 수 있다.Therefore, compared with the example of FIG. 3, an error that may occur in the process of changing the source current and the source voltage can be prevented.

다음으로, 제어부(240)에 의해 프로브 카드(233)가 a 방향으로 이동되고, 4개의 프로브(231)는 4개의 단위 발광소자(B,C,D,E)에 접속되어 그것의 광 특성 인자 또는 전기적 특성 인자를 측정한다. 이 경우, 단위 발광소자(D)는 두 개의 특성 인자가 측정된다.Next, the probe card 233 is moved in the a direction by the controller 240, and the four probes 231 are connected to the four unit light emitting elements B, C, D, and E, and their optical characteristic factors. Or measure electrical property factors. In this case, two characteristic factors of the unit light emitting device D are measured.

다음으로, 제어부(240)에 의해 프로브 카드(233)가 a 방향으로 이동되고, 4개의 프로브(231)는 4개의 단위 발광소자(C,D,E,F)에 접속되어 그것의 광 특성 인자 또는 전기적 특성 인자를 측정한다. 이 경우, 단위 발광소자(D)는 세 개의 특성 인자가 측정된다.Next, the probe card 233 is moved in the a direction by the controller 240, and the four probes 231 are connected to the four unit light emitting elements C, D, E, and F, and their optical characteristic factors. Or measure electrical property factors. In this case, three characteristic factors of the unit light emitting device D are measured.

다음으로, 제어부(240)에 의해 프로브 카드(233)가 a 방향으로 이동되고, 4개의 프로브(231)는 4개의 단위 발광소자(D,E,F,G)에 접속되어 그것의 광 특성 인자 또는 전기적 특성 인자를 측정한다. 이에 의해, 단위 발광소자(D)에 대한 네 개의 특성 인자의 측정이 완료된다.Next, the probe card 233 is moved in the a direction by the controller 240, and the four probes 231 are connected to the four unit light emitting elements D, E, F, and G, and their optical characteristic factors. Or measure electrical property factors. Thereby, the measurement of four characteristic factors with respect to the unit light emitting element D is completed.

따라서, n개의 단위 발광소자에 대해 본 예와 같은 방식으로 프로브 카드(233)의 이동이 계속적으로 진행되면, 각각의 단위 발광소자에 대한 네 개의 특성 인자 측정이 완료되게 된다.Therefore, when the movement of the probe card 233 continues in the same manner as in the present example for the n unit light emitting devices, four characteristic factor measurements for each unit light emitting device are completed.

이하 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.Various embodiments of the present disclosure will be described below.

(1) 프로브는 j개(2≤j≤n)로 구비되고, 각각의 프로브가 j개의 단위 발광소자에 각각 접속된 상태에서 각각의 프로브에 의해 j개의 단위 발광소자의 광 특성 검사가 순차적으로 행해지며, 어느 하나의 프로브가 광 특성을 검사할 때, 나머지 (j-1)개의 프로브는 전기적 특성을 검사하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 검사장치.(1) j probes (2 ≦ j ≦ n) are provided, and the optical property inspection of the j unit light emitting elements is sequentially performed by each probe while each probe is connected to the j unit light emitting elements, respectively. And the other (j-1) probes inspect the electrical characteristics when any one probe inspects the optical characteristics.

이러한 구성에 의해, j개의 프로브와 j개의 단위 발광소자의 접속을 유지시킨 채로 각 단위 발광소자의 광 특성 및 전기적 특성을 검사할 수 있게 되므로, 프로브와 단위 발광소자의 접속과 분리에 소요되는 시간을 절약할 수 있게 된다.With this configuration, the optical and electrical characteristics of each unit light emitting device can be inspected while maintaining the connection between the j probes and the j unit light emitting devices, and thus the time required for connecting and disconnecting the probes and the unit light emitting devices. You can save money.

(2) (j-1)개(j≥3)의 프로브는 서로 다른 전기적 특성을 검사하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 검사장치.(2) A device for inspecting semiconductor light emitting devices, characterized in that (j-1) probes (j≥3) inspect different electrical characteristics.

(3) 제1 프로브가 a 번째(1≤a<n)의 단위 발광소자의 광 특성을 검사할 때, 제2 프로브는 a+1 번째의 단위 발광소자의 전기적 특성을 검사하며, 제1 프로브가 n번째의 단위 발광소자의 광 특성을 검사할 때, 제2 프로브는 첫 번째의 단위 발광소자의 전기적 특성을 시험하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 검사장치.(3) When the first probe examines the optical characteristics of the unit light emitting device of the a-th (1≤a <n), the second probe examines the electrical characteristics of the unit light emitting device of the a + 1th, and the first probe The second probe examines the electrical characteristics of the first unit light emitting device when the optical properties of the nth unit light emitting device are inspected.

이러한 구성에 의해, 제1 프로브가 n개의 단위 발광소자를 순차적으로 검사하는데 소요되는 시간만으로 n개의 단위 발광소자의 광학적 특성 및 전기적 특성을 검사할 수 있게 된다.With such a configuration, the optical and electrical characteristics of the n unit light emitting devices can be inspected only by the time required for the first probe to sequentially inspect the n unit light emitting devices.

(4) 제1,2 프로브는 b개(2≤b≤n/2)의 단위 발광소자로 구성되는 적어도 둘 이상의 발광소자 그룹을 순차로 검사하며, 각각의 발광소자 그룹에서, 제1 프로브가 c 번째(1≤a<b)의 단위 발광소자의 광 특성을 검사할 때, 제2 프로브는 c+1 번째의 단위 발광소자의 전기적 특성을 검사하며, 제1 프로브가 b번째의 단위 발광소자의 광 특성을 검사할 때, 제2 프로브는 첫 번째의 단위 발광소자의 전기적 특성을 시험하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 검사장치.(4) The first and second probes sequentially examine at least two or more light emitting device groups consisting of b unit light emitting elements (2 ≦ b ≦ n / 2), and in each light emitting device group, the first probe may be When examining the optical characteristics of the unit light emitting device of the c-th (1≤a <b), the second probe examines the electrical characteristics of the unit light emitting device of the c + 1, the first probe is the unit light emitting device of the b-th When inspecting the optical properties of the second probe is a semiconductor light emitting device testing device, characterized in that for testing the electrical properties of the first unit light emitting device.

이러한 구성에 의해, 발광소자 그룹별로 광 특성 및 전기적 특성을 검사하므로, 반도체 발광소자 웨이퍼의 일부 영역에 대한 선택적 검사가 가능해지게 된다. With this configuration, since the optical characteristics and the electrical characteristics are inspected for each light emitting device group, selective inspection of a portion of the semiconductor light emitting device wafer becomes possible.

(5) 제1 프로브와 제2 프로브가 함께 구비되는 프로브 카드(probe card);를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 검사장치. And (5) a probe card having a first probe and a second probe together.

(6) 제1,2 단위 발광소자와 다른 제3 단위 발광소자의 전기적 특성을 검사하는 제3 프로브(prober);로서, 제1,2 프로브와 동시에 검사가 행해지는 제3 프로브; 및 제1,2,3 프로브가 함께 구비되는 프로브 카드(probe card);를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 검사장치.(6) a third probe for inspecting electrical characteristics of the first and second unit light emitting devices and another third unit light emitting device, the third probe being tested simultaneously with the first and second probes; And a probe card provided with the first, second, and third probes.

본 개시에 따른 하나의 반도체 발광소자 검사장치에 의하면, 복수 개의 발광소자의 검사 시 하나의 발광소자에 대한 광 특성 검사와 나머지 발광소자에 대한 전기적 특성 검사가 동시에 행해지므로 검사에 소요되는 시간을 줄일 수 있게 된다. 따라서 반도체 발광소자의 공정 수율을 향상시킬 수 있게 된다.According to one semiconductor light emitting device inspection apparatus according to the present disclosure, since the optical property test for one light emitting device and the electrical property test for the other light emitting device are simultaneously performed during the inspection of the plurality of light emitting devices, the time required for the inspection is reduced. It becomes possible. Therefore, the process yield of the semiconductor light emitting device can be improved.

또한 본 개시에 따른 다른 반도체 발광소자에 의하면, 복수 개의 발광소자의 검사 시 각각의 발광소자에 프로브가 접속된 상태에서 하나의 발광소자에 대한 광 특성 검사와 나머지 발광소자에 대한 전기적 특성 검사가 동시에 행해지므로 발광소자와 프로브의 접속 및 분리에 소요되는 시간을 줄일 수 있으며, 반복적인 접속 및 분리로 인한 발광소자가 손상을 방지할 수 있게 된다.In addition, according to another semiconductor light emitting device according to the present disclosure, when inspecting a plurality of light emitting devices, the optical property test for one light emitting device and the electrical property test for the other light emitting device at the same time while the probe is connected to each light emitting device Since the time required for connection and disconnection of the light emitting device and the probe can be reduced, the light emitting device can be prevented from being damaged due to repeated connection and disconnection.

프로브(131), 광 센서(135), 프로브(131), 광 센서(135)Probe 131, optical sensor 135, probe 131, optical sensor 135

Claims (7)

반도체 발광소자 웨이퍼에 형성된 n개(n≥2)의 단위 발광소자를 검사하는 반도체 발광소자 검사장치에 있어서,
제1 단위 발광소자의 광 특성을 검사하는 제1 프로브(probe); 및
제1 단위 발광소자와 다른 제2 단위 발광소자의 전기적 특성을 검사하는 제2 프로브(probe);로서, 제1 프로브와 동시에 검사가 행해지는 제2 프로브;를 포함하는 반도체 발광소자 검사장치.A semiconductor light emitting device inspection apparatus for inspecting n (n≥2) unit light emitting devices formed on a semiconductor light emitting device wafer,
A first probe inspecting an optical characteristic of the first unit light emitting device; And
And a second probe for inspecting electrical characteristics of the first unit light emitting device and another second unit light emitting device, wherein the second probe is simultaneously tested with the first probe. 청구항 1에 있어서,
프로브는 j개(2≤j≤n)로 구비되고,
각각의 프로브가 j개의 단위 발광소자에 각각 접속된 상태에서 각각의 프로브에 의해 j개의 단위 발광소자의 광 특성 검사가 순차적으로 행해지며,
어느 하나의 프로브가 광 특성을 검사할 때, 나머지 (j-1)개의 프로브는 전기적 특성을 검사하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 검사장치.The method according to claim 1,
J probes (2 ≦ j ≦ n) are provided,
In the state in which each probe is connected to the j unit light emitting elements, the optical property inspection of the j unit light emitting elements is sequentially performed by each probe,
When one of the probes to check the optical properties, the remaining (j-1) probes to test the electrical properties, characterized in that the semiconductor light emitting device inspection apparatus. 청구항 2에 있어서,
(j-1)개(j≥3)의 프로브는 서로 다른 전기적 특성을 검사하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 검사장치.The method according to claim 2,
and (j-1) probes (j≥3) for inspecting different electrical characteristics. 청구항 1에 있어서,
제1 프로브가 a 번째(1≤a<n)의 단위 발광소자의 광 특성을 검사할 때, 제2 프로브는 a+1 번째의 단위 발광소자의 전기적 특성을 검사하며,
제1 프로브가 n번째의 단위 발광소자의 광 특성을 검사할 때, 제2 프로브는 첫 번째의 단위 발광소자의 전기적 특성을 시험하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 검사장치.The method according to claim 1,
When the first probe inspects the optical characteristics of the unit light emitting device of the a-th (1≤a <n), the second probe examines the electrical characteristics of the unit light emitting device of the a + 1th,
And when the first probe inspects optical characteristics of the n-th unit light emitting device, the second probe tests electrical characteristics of the first unit light emitting device. 청구항 1에 있어서,
제1,2 프로브는 b개(2≤b≤n/2)의 단위 발광소자로 구성되는 적어도 둘 이상의 발광소자 그룹을 순차로 검사하며,
각각의 발광소자 그룹에서,
제1 프로브가 c 번째(1≤a<b)의 단위 발광소자의 광 특성을 검사할 때, 제2 프로브는 c+1 번째의 단위 발광소자의 전기적 특성을 검사하며,
제1 프로브가 b번째의 단위 발광소자의 광 특성을 검사할 때, 제2 프로브는 첫 번째의 단위 발광소자의 전기적 특성을 시험하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 검사장치.The method according to claim 1,
The first and second probes sequentially inspect at least two groups of light emitting devices consisting of b unit light emitting devices (2 ≦ b ≦ n / 2),
In each group of light emitting elements,
When the first probe examines the optical characteristics of the unit light emitting device of the c-th (1≤a <b), the second probe examines the electrical characteristics of the unit light emitting device of the c + 1th,
And when the first probe inspects the optical characteristics of the b-th unit light emitting device, the second probe tests the electrical characteristics of the first unit light emitting device. 청구항 1에 있어서,
제1 프로브와 제2 프로브가 함께 구비되는 프로브 카드(probe card);를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 검사장치.The method according to claim 1,
And a probe card provided with a first probe and a second probe together. 청구항 1에 있어서,
제1,2 단위 발광소자와 다른 제3 단위 발광소자의 전기적 특성을 검사하는 제3 프로브(prober);로서, 제1,2 프로브와 동시에 검사가 행해지는 제3 프로브; 및
제1,2,3 프로브가 함께 구비되는 프로브 카드(probe card);를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 검사장치.
The method according to claim 1,
A third probe inspecting electrical characteristics of the first and second unit light emitting devices and another third unit light emitting device, the third probe being simultaneously tested with the first and second probes; And
And a probe card provided with the first, second, and third probes.
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KR101959484B1 (en) * 2018-10-17 2019-03-18 주식회사 아이프리시전 Characteristices measuring apparatus for micro LED and measuring method thereof

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