KR20120016011A - Liquid processing apparatus, liquid processing method and storage medium - Google Patents

Liquid processing apparatus, liquid processing method and storage medium Download PDF

Info

Publication number
KR20120016011A
KR20120016011A KR1020110079911A KR20110079911A KR20120016011A KR 20120016011 A KR20120016011 A KR 20120016011A KR 1020110079911 A KR1020110079911 A KR 1020110079911A KR 20110079911 A KR20110079911 A KR 20110079911A KR 20120016011 A KR20120016011 A KR 20120016011A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
liquid
processing
nozzle
unit
liquid nozzle
Prior art date
Application number
KR1020110079911A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101670095B1 (en
Inventor
고오끼 요시무라
야스시 다끼구찌
다로오 야마모또
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20120016011A publication Critical patent/KR20120016011A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101670095B1 publication Critical patent/KR101670095B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting

Abstract

PURPOSE: A liquid treatment apparatus and method, and storage media are provided to prevent yield drop due to the generation of a watermark by supplying washing solution to a processing liquid nozzle and eliminating attachment of the processing liquid nozzle. CONSTITUTION: A processing liquid nozzle supplies processing liquid to a substrate. The processing liquid nozzle is placed in a standby part(66). A transfer means transfers the processing liquid nozzle between the upper side of a liquid treatment part and the standby part. A washing solution supplying means supplies washing solution to the processing liquid nozzle. A liquid delete part(101) contacts to droplet of the washing solution and eliminates the droplet from the processing liquid nozzle. The liquid delete part comprises a corn-shaped part(102) and liquid exhausting part(103).

Description

액 처리 장치, 액 처리 방법 및 기억 매체{LIQUID PROCESSING APPARATUS, LIQUID PROCESSING METHOD AND STORAGE MEDIUM}LIQUID PROCESSING APPARATUS, LIQUID PROCESSING METHOD AND STORAGE MEDIUM

본 발명은, 기판에 처리액을 공급하여 액 처리를 행하는 액 처리 장치, 액 처리 방법 및 기억 매체에 관한 것이다.The present invention relates to a liquid processing apparatus, a liquid processing method, and a storage medium for supplying a processing liquid to a substrate to perform liquid processing.

반도체 제조 공정의 하나인 포토레지스트 공정에 있어서는, 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고 함)의 표면에 레지스트를 도포하고, 이 레지스트를 소정의 패턴으로 노광한 후에 현상하여 레지스트 패턴을 형성하고 있다. 이와 같은 처리는, 일반적으로 레지스트의 도포, 현상을 행하는 도포, 현상 장치에 노광 장치를 접속한 시스템을 사용하여 행해진다.In a photoresist step, which is one of the semiconductor manufacturing steps, a resist is applied to the surface of a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer), and the resist is exposed after exposure in a predetermined pattern to develop a resist pattern. Such a process is generally performed using the system which apply | coated a resist, the application | coating which performs image development, and the exposure apparatus to the developing apparatus.

이 도포, 현상 장치에는 웨이퍼에 처리액을 공급하여 액 처리를 행하는 액 처리 모듈이 설치되어 있다. 이 액 처리 모듈로서는 예를 들어 현상액을 공급하여 현상을 행하는 현상 모듈(현상 장치)이 있다. 현상 모듈은, 웨이퍼를 보유 지지하는 기판 보유 지지부와, 액 배출 수단 및 배기 수단을 구비하고, 그 기판 보유 지지부에 보유 지지된 웨이퍼를 둘러싸도록 설치된 컵체를 포함하는 현상 처리부를 구비하고 있다. 또한, 그 밖에 현상 모듈은 상기 웨이퍼에 현상액을 공급하기 위한 현상액 노즐과, 그 현상액 노즐을 대기시키기 위한 대기부와, 현상액 공급 후에 세정액을 공급하는 세정액 노즐을 구비하고 있다.This application | coating and developing apparatus is provided with the liquid processing module which supplies a process liquid to a wafer, and performs a liquid process. As this liquid processing module, for example, there is a developing module (developing device) which supplies a developing solution and performs development. The developing module includes a developing part including a substrate holding part for holding a wafer, a cup body including a liquid discharge means and an exhausting means, and a cup body provided to surround the wafer held in the substrate holding part. In addition, the developing module includes a developer nozzle for supplying a developer solution to the wafer, a standby part for waiting for the developer nozzle, and a cleaning solution nozzle for supplying a cleaning solution after developer supply.

처리량의 향상을 도모하기 위해, 이 현상 모듈에 있어서 상기 현상 처리부를 횡방향으로 복수 배치하고, 그 현상 처리부의 배열 방향의 연장선 상에 상기 대기부를 설치하고, 그리고 각 컵에 공통의 현상액 노즐이 각 현상 처리부의 상방 영역과 대기부 사이를 이동하여 현상액을 공급하는 구성으로 하는 경우가 있다. 이 경우, 하나의 현상 처리부의 웨이퍼에 현상액의 공급이 행해지고 있는 동안에 다른 현상 처리부에서는 웨이퍼에 세정액이 공급되거나, 기판 보유 지지부를 회전시켜 스핀 건조가 행해지거나 한다.In order to improve the throughput, in the developing module, a plurality of the developing processing units are disposed in the lateral direction, the waiting section is provided on an extension line in the arrangement direction of the developing processing unit, and a developing solution nozzle common to each cup is provided. It may be set as the structure which moves between the upper area | region of an image development part, and a standby part, and supplies a developing solution. In this case, while the developing solution is supplied to the wafer of one developing part, the cleaning solution is supplied to the wafer in another developing part or spin-dried by rotating the substrate holding part.

그런데 웨이퍼에 현상액 공급을 행한 후, 현상액 노즐의 하단부에 현상액의 액적이 부착되어, 아래로 떨어지는 경우가 있다. 그리고 현상 장치를 상기와 같이 구성한 경우, 현상액 노즐이 현상 처리부간을 이동하는 동안에 이 액적이 건조를 끝낸 웨이퍼 상에 낙하하여, 워터 마크로 되게 될 우려가 있다. 따라서, 이와 같이 현상액 노즐로부터 아래로 떨어지는 액적을 제거하는 요구가 높아지고 있다.By the way, after developing solution supply to a wafer, the droplet of a developing solution adheres to the lower end part of a developing solution nozzle, and may fall down. And when the developing apparatus is comprised as mentioned above, there exists a possibility that this droplet may fall on the wafer which completed drying, and become a water mark, while the developing solution nozzle moves between developing parts. Thus, there is an increasing demand for removing the droplets falling from the developer nozzle in this way.

이 액적의 제거를 행하기 위해서는, 현상액 노즐에 흡인 기구를 설치하여 현상액 노즐의 토출구로부터 흡인을 행하여, 액적을 흡입하는 것이나, 웨이퍼 이외의 장소를 향하여 현상액을 토출하고, 액적을 흘리는 소위 더미 디스펜스라고 불리는 처리를 행하는 것이 생각된다. 그러나 상기 흡인 기구를 설치하는 것은 고비용으로 되고, 더미 디스펜스를 행하는 것은 처리 택트의 연장에 의한 처리량의 저하나 현상 처리의 비용 상승을 초래할 우려가 있다.In order to remove the droplets, a suction mechanism is provided in the developer nozzle to draw suction from the discharge port of the developer nozzle, to suck the droplet, or to discharge the developer toward a place other than the wafer, so-called dummy dispensing. It is conceivable to carry out a process called. However, provision of the suction mechanism is expensive, and there is a fear that performing the dummy dispensing may cause a decrease in the throughput due to the extension of the processing tact and an increase in the cost of the developing treatment.

또한, 웨이퍼에의 현상액의 공급 방법으로서는, 회전하는 웨이퍼에 현상액 노즐로부터 현상액을 토출시키면서, 그 현상액 노즐을 웨이퍼의 직경 방향으로 이동시켜 그 표면에 액막을 형성하는 경우가 있다. 이 경우, 웨이퍼(W)에 토출된 현상액이 웨이퍼(W) 상에서 튕겨 파티클로 되는 것을 억제하기 위해, 현상액 노즐(11)은 도 43에 도시한 바와 같이 그 토출구(12)가 비스듬하게 기울어진 상태로 이동 수단에 설치되고, 그 이동 수단에 의해서 기울어진 상태 그대로, 웨이퍼(W) 상 및 현상 처리부간을 이동시키는 것이 검토되고 있다.Moreover, as a supply method of the developing solution to a wafer, the developing solution nozzle may be moved to the radial direction of a wafer, and a liquid film may be formed in the surface, discharging a developing solution from a developing solution nozzle to a rotating wafer. In this case, in order to suppress the developer discharged to the wafer W from being thrown on the wafer W to form particles, the developer nozzle 11 is inclined at an angle of the discharge port 12 as shown in FIG. It is considered to move the wafer W and the developing processing portion as it is installed in the furnace moving means and in an inclined state by the moving means.

그러나, 이와 같이 현상액 노즐(11)을 기울인 경우에는 도면 중의 쇄선간에서 도시하는 토출구(12)의 투영 영역(14)으로부터 하방으로 어긋난 위치에 액적(13)이 형성되기 때문에, 상기와 같이 흡인 기구를 설치하거나, 더미 디스펜스를 행하거나 해도 충분히 액적(13)을 제거할 수 없을 우려가 있다.However, in the case where the developer nozzle 11 is inclined in this manner, since the droplet 13 is formed at a position shifted downward from the projection area 14 of the discharge port 12 shown between the chain lines in the drawing, the suction mechanism as described above. There is a possibility that the droplets 13 cannot be sufficiently removed even if the isoproduced or a dummy dispense is performed.

그런데, 현상액 노즐(11)로부터 현상액을 웨이퍼에 토출하면, 토출구(12) 및 그 주변에 부착된 현상액이 건조하고, 당해 현상액에 포함되는 성분이 석출된다. 그리고, 이 석출물이 현상액 노즐(11)로부터 낙하하고, 웨이퍼에 부착되면 현상 결함이 발생될 우려가 있다. 따라서, 세정액에 의해 현상액 노즐(11)을 세정하는 것도 생각되지만, 이 세정액의 방울이 현상액 노즐(11)로부터 처리 중의 웨이퍼에 떨어지면 결함을 야기하게 될 우려가 있다.By the way, when the developer is discharged from the developer nozzle 11 to the wafer, the developer 12 attached to the discharge port 12 and its periphery dries, and the components contained in the developer are precipitated. And when this precipitate falls from the developing solution nozzle 11 and adheres to a wafer, there exists a possibility that a development defect may arise. Therefore, it is conceivable to clean the developer nozzle 11 with the cleaning solution, but if the droplet of the cleaning solution falls from the developer nozzle 11 onto the wafer during processing, there is a risk of causing a defect.

현상 장치에 대해서 설명해 왔지만, 현상액 대신에 레지스트 등의 각종 처리액을 도포하는 액 처리 장치에 대해서도, 사용하는 처리액이 현상액과 다른 것 외에는, 상술한 현상 장치와 같은 장치 구성으로 되는 경우가 있다. 그리고, 그 액 처리 장치에 대해서도 이와 같이 처리액을 공급하는 노즐로부터 액적이 아래로 떨어지고, 아래로 떨어지는 동안에 그 액적에 포함되는 용제가 휘발하여, 액적 중의 성분의 농도가 변화되는 것이 생각된다. 그리고, 그와 같이 성분의 농도가 변화된 액적이 액 처리 전, 액 처리 후의 웨이퍼 상에 낙하하면 그 액적이 파티클로 되어 웨이퍼를 오염시키거나, 웨이퍼의 면내에 있어서의 처리의 균일성이 저하되거나 함으로써, 역시 수율이 저하될 우려가 있다. 또한, 이 액 처리 장치에 있어서도 처리액의 성분이 건조하여, 노즐로부터 웨이퍼(W)에 낙하할 우려가 있다.Although the developing apparatus has been described, the processing liquid to be used may have the same device configuration as the developing apparatus described above, except that the processing liquid to be used differs from the developing liquid in the liquid processing apparatus which applies various processing liquids such as resist instead of the developing solution. In this manner, the liquid processing apparatus also drops downward from the nozzle for supplying the processing liquid in this manner, and while falling down, the solvent contained in the droplet volatilizes, so that the concentration of the components in the droplet is changed. Then, if the droplets with such concentrations of components fall on the wafer before the liquid treatment and after the liquid treatment, the droplets become particles to contaminate the wafer, or the uniformity of the treatment in the surface of the wafer is reduced. In addition, there is a possibility that the yield may decrease. Moreover, also in this liquid processing apparatus, there exists a possibility that the component of a process liquid may dry and fall to the wafer W from a nozzle.

특허 문헌 1에는 하나의 컵체의 측방 위치에 액적 제거용의 침(針)을 설치하는 것이 기재되어 있다. 그러나 상기와 같이 복수의 컵체를 설치하여 처리를 행하는 것에 대해서는 기재되어 있지 않고, 또한, 상기의 처리액으로부터의 석출물에 대해서 대처하는 수단에 대해서는 기재되어 있지 않다. 따라서, 상기의 문제를 해결하기 위해서는 불충분하다.Patent Document 1 describes the provision of a drop for drop removal at a side position of one cup body. However, it does not describe about providing a some cup body as above and performing a process, and it does not describe the means which cope with the precipitate from said process liquid. Therefore, it is insufficient to solve the above problem.

일본 특허 출원 공개 평10-261609(단락 0020 등)Japanese Patent Application Laid-open No. Hei 10-261609 (paragraph 0020, etc.)

본 발명은 이와 같은 사정 하에 이루어진 것이며, 그 목적은, 액 처리 장치에 있어서, 상기 처리액 노즐에 부착된 처리액으로부터의 석출물에 의해 기판이 오염되는 것을 방지하고, 수율의 저하를 방지할 수 있는 액 처리 장치, 액 처리 방법 및 기억 매체를 제공하는 것에 있다.This invention is made | formed under such a situation, The objective is that in a liquid processing apparatus, the board | substrate can be prevented from being contaminated by the deposit from the processing liquid adhering to the said processing liquid nozzle, and the fall of a yield can be prevented. A liquid processing apparatus, a liquid processing method, and a storage medium are provided.

본 발명의 액 처리 장치는, 상측에 개구부가 형성된 컵체의 중에 기판을 수평으로 보유 지지하는 기판 보유 지지부를 설치하여 구성되는 액 처리부와, The liquid processing apparatus of this invention is the liquid processing part comprised by providing the board | substrate holding part which hold | maintains a board | substrate horizontally in the cup body in which the opening part was formed in the upper side,

기판에 처리액을 공급하기 위한 처리액 노즐과, A processing liquid nozzle for supplying the processing liquid to the substrate;

상기 컵체의 외측에 설치되고, 상기 처리액 노즐을 대기시키기 위한 대기부와, A standby portion provided outside the cup body to hold the processing liquid nozzle;

상기 액 처리부의 상방 영역과, 대기부 사이에서 처리액 노즐을 이동시키기 위한 이동 수단과, Moving means for moving the processing liquid nozzle between the upper region of the liquid processing portion and the atmospheric portion;

상기 대기부에 설치되고, 대기부에서 대기하는 처리액 노즐에 세정액을 공급하여 세정하는 세정액 공급 수단과, Washing liquid supply means which is provided in the atmospheric portion and supplies the washing liquid to the processing liquid nozzle waiting in the atmospheric portion;

상기 대기부에 설치되고, 당해 대기부에서 대기하는 처리액 노즐로부터 떨어진 상기 세정액의 액적에 접촉하여, 당해 액적을 처리액 노즐로부터 제거하는 액 제거부를 구비한 것을 특징으로 한다.It is provided with the liquid removal part provided in the said atmospheric part and contacting the droplet of the said washing | cleaning liquid separated from the process liquid nozzle waiting in the said atmospheric part, and removing the said liquid droplet from a process liquid nozzle.

상기 액 처리 장치는 예를 들어,The liquid processing apparatus is, for example,

(a) 상기 액 처리부는, 횡방향으로 일렬로 복수 설치되고, (a) The said liquid processing part is provided in multiple numbers by one line in the horizontal direction,

상기 처리액 노즐은 이들 복수의 액 처리부에 대하여 공용화되고, The processing liquid nozzle is commonly used for the plurality of liquid processing units,

상기 대기부는, 액 처리부의 열의 연장선 상에 설치되고, The waiting section is provided on an extension line of the column of the liquid processing section,

상기 이동 수단은, 상기 액 처리부의 각각의 상방 영역과 상기 대기부 사이에서 상기 처리액 노즐을 액 처리부의 열에 따라서 이동시키도록 구성된다.The moving means is configured to move the processing liquid nozzle in accordance with a column of the liquid processing portion between each upper region of the liquid processing portion and the atmospheric portion.

본 발명의 다른 액 처리 장치는, 상측에 개구부가 형성된 컵체의 중에 기판을 수평으로 보유 지지하는 기판 보유 지지부를 설치하여 구성되고, 각각 횡방향으로 일렬로 배치된 복수의 액 처리부와, Another liquid processing apparatus of the present invention comprises a plurality of liquid processing portions arranged in a horizontal direction, each having a substrate holding portion for holding a substrate horizontally in a cup body having an opening formed thereon, and

이들 복수의 액 처리부에 대하여 공용화되고, 기판에 처리액을 공급하기 위한 처리액 노즐과, A processing liquid nozzle common to these plurality of liquid processing units, for supplying the processing liquid to the substrate;

상기 액 처리부의 열의 연장선 상에 설치되고, 처리액 노즐을 대기시키기 위한 대기부와, A standby portion provided on an extension line of a row of the liquid treatment portion and waiting for the treatment liquid nozzle;

상기 액 처리부의 각각의 상방 영역과 상기 대기부 사이에서 상기 처리액 노즐을 액 처리부의 열에 따라서 이동시키기 위한 이동 수단과, Moving means for moving the processing liquid nozzle in accordance with a column of the liquid processing portion between each upper region of the liquid processing portion and the atmospheric portion;

서로 인접하는 컵체의 개구부간에 설치되고, 처리액 노즐에 세정액을 공급하여 세정하는 세정액 공급 수단과, Washing liquid supply means provided between the openings of the cup bodies adjacent to each other and supplying the washing liquid to the treating liquid nozzle, and washing the liquid;

서로 인접하는 컵체의 개구부간에 설치되고, 상기 이동 수단에 의해 이동하는 처리액 노즐로부터 떨어진 상기 세정액의 액적에 접촉하여, 당해 액적을 처리액 노즐로부터 제거하는 액 제거부를 구비한 것을 특징으로 한다.It is provided between the opening part of the cup body which adjoins mutually, and the liquid removal part which contacts the droplet of the said washing | cleaning liquid separated from the processing liquid nozzle moved by the said moving means, and removes the said liquid droplet from a processing liquid nozzle is characterized by the above-mentioned.

이들의 액 처리 장치의 구체적인 형태로서는 이하와 같다.As a specific form of these liquid processing apparatuses, it is as follows.

(b) 상기 액 제거부는, 상기 대기부에서 대기하는 처리액 노즐의 토출구의 투영 영역으로부터 벗어난 위치에 설치된다.(b) The liquid removing unit is provided at a position away from the projection area of the discharge port of the processing liquid nozzle waiting in the waiting unit.

(c) 상기 세정액 공급 수단은 액 제거부에 설치되고, 상기 액 제거부는 세정액을 공급하는 공급구를 구비한다.(c) The washing liquid supplying means is provided in the liquid removing portion, and the liquid removing portion includes a supply port for supplying the washing liquid.

(d) 상기 액 제거부의 상방에 위치하는 처리액 노즐에 가스를 토출하고, 처리액 노즐에 부착된 세정액을 당해 처리액 노즐의 하방측으로 흘리는 가스 공급부가 설치된다.(d) The gas supply part which discharges gas to the process liquid nozzle located above the said liquid removal part, and flows the washing liquid attached to the process liquid nozzle below the process liquid nozzle is provided.

(e) 처리액 노즐에 가스를 토출하여, 상기 세정액 공급 수단으로부터 공급되는 세정액이 처리액 노즐에 충돌하는 압력을 제어하는 제2 가스 공급부가 설치된다.(e) A second gas supply unit for discharging gas to the processing liquid nozzle to control the pressure at which the cleaning liquid supplied from the cleaning liquid supply means collides with the processing liquid nozzle is provided.

(f) 상기 처리액은 현상액이며, 상기 기판은 그 표면에 레지스트가 도포되어, 노광된 것이다.(f) The treatment solution is a developer, and the substrate is exposed by applying a resist to the surface thereof.

본 발명의 액 처리 방법은, 상측에 개구부가 형성된 컵체의 중에 설치되는 기판 보유 지지부에 기판을 수평으로 보유 지지하는 공정과, The liquid processing method of this invention is a process of holding a board | substrate horizontally in the board | substrate holding part provided in the cup body in which the opening part was formed in the upper side,

처리액 노즐로부터 기판에 처리액을 공급하는 공정과, Supplying the processing liquid to the substrate from the processing liquid nozzle;

상기 컵체의 외측에 설치된 대기부에, 상기 처리액 노즐을 대기시키는 공정과, Allowing the processing liquid nozzle to stand by in the atmospheric section provided outside the cup body;

상기 컵체 및 기판 보유 지지부를 구성하는 상기 액 처리부의 상방 영역과, 대기부 사이에서 처리액 노즐을 이동시키는 공정과, Moving the processing liquid nozzle between an upper region of the liquid processing portion constituting the cup body and the substrate holding portion and a standby portion;

상기 대기부에 설치되는 세정액 공급 수단에 의해, 처리액 노즐에 세정액을 공급하여 처리액 노즐을 세정하는 공정과, A step of cleaning the processing liquid nozzle by supplying the cleaning liquid to the processing liquid nozzle by the cleaning liquid supplying means provided in the atmospheric section;

세정 후의 처리액 노즐로부터 떨어진 세정액의 액적을, 대기부에서 대기하는 처리액 노즐의 하방측에 설치되는 액 제거부에 접촉시켜 제거하는 공정을 구비한 것을 특징으로 한다.And the process of removing the droplet of the washing | cleaning liquid which removed from the process liquid nozzle after washing | cleaning in contact with the liquid removal part provided in the lower side of the process liquid nozzle waiting in a standby part.

상기 액 처리 장치의 구체적 형태로서는 예를 들어 이하와 같다.As a specific form of the said liquid processing apparatus, it is as follows, for example.

(g) 상기 액 처리부는, 횡방향으로 일렬로 복수 설치되고, (g) The said liquid processing part is provided in multiple numbers by one line in the horizontal direction,

상기 처리액 노즐은 이들 복수의 액 처리부에 대하여 공용화되고, The processing liquid nozzle is commonly used for the plurality of liquid processing units,

상기 대기부는, 액 처리부의 열의 연장선 상에 설치되고, The waiting section is provided on an extension line of the column of the liquid processing section,

상기 액 처리부의 각각의 상방 영역과 상기 대기부 사이에서 상기 처리액 노즐을 액 처리부의 열에 따라서 이동시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.And moving the processing liquid nozzle in accordance with the heat of the liquid processing unit between each upper region of the liquid processing unit and the atmospheric unit.

본 발명의 다른 액 처리 방법은, 상측에 개구부가 형성된 컵체의 중에 기판을 수평으로 보유 지지하는 기판 보유 지지부를 설치하여 구성되고, 각각 횡방향으로 일렬로 배치된 복수의 액 처리부에 대하여 공용화된 처리액 노즐로부터, 상기 기판에 처리액을 공급하는 공정과, The other liquid processing method of this invention is comprised by providing the board | substrate holding part which hold | maintains a board | substrate horizontally in the cup body in which the opening part was formed in the upper side, and the process commonized to the some liquid processing part arrange | positioned in the horizontal direction, respectively Supplying a processing liquid from the liquid nozzle to the substrate;

상기 액 처리부의 열의 연장선 상에 설치된, 처리액 노즐을 대기시키기 위한 대기부와, 상기 액 처리부의 각각의 상방 영역 사이에서 상기 처리액 노즐을 액 처리부의 열에 따라서 이동 수단에 의해 이동시키는 공정과, A step of moving the processing liquid nozzle by moving means in accordance with the heat of the liquid processing portion between a waiting portion for waiting for the processing liquid nozzle, provided on an extension line of the row of the liquid processing portion, and respective upper regions of the liquid processing portion;

서로 인접하는 컵체의 개구부간에 설치된 세정액 공급 수단에 의해, 처리액 노즐에 세정액을 공급하여 세정하는 공정과, A process of supplying and cleaning the cleaning liquid to the processing liquid nozzle by the cleaning liquid supply means provided between the openings of the cup bodies adjacent to each other;

서로 인접하는 컵체의 개구부간에 있어서의 처리액 노즐의 이동로의 하방측에 설치된 액 제거부를, 상기 이동 수단에 의해 이동하는 처리액 노즐로부터 떨어진 세정액의 액적에 접촉시키는 공정과, A step of bringing a liquid removing unit provided below the moving path of the processing liquid nozzle between the openings of the cup bodies adjacent to each other in contact with the droplets of the cleaning liquid separated from the processing liquid nozzle moving by the moving means;

상기 액 제거부에 접촉한 액적을 당해 액 제거부에 의해 처리액 노즐로부터 제거하는 공정을 구비한 것을 특징으로 한다.And removing the droplet contacting the liquid removing unit from the processing liquid nozzle by the liquid removing unit.

본 발명의 기억 매체는, 기판에 대한 액 처리를 행하는 액 처리 장치에 사용되는 컴퓨터 프로그램이 기억된 기억 매체이며,The storage medium of the present invention is a storage medium in which a computer program used for a liquid processing apparatus for performing a liquid processing on a substrate is stored.

상기 컴퓨터 프로그램은, 액 처리 방법을 실시한다.The computer program implements a liquid processing method.

본 발명에 따르면, 대기부에 설치된 세정액 공급 수단에 의해, 처리액 노즐에 세정액을 공급하여 처리액 노즐의 부착물을 제거하고, 상기 대기부에서 대기하는 처리액 노즐의 하방측에 위치하는 액 제거부가, 세정액의 액적을 처리액 노즐로부터 제거한다. 따라서, 처리액의 부착물 및 세정액의 방울이 기판에 낙하하여, 기판에 결함이 발생되거나, 워터 마크가 발생하여, 기판에 정상 처리를 행할 수 없게 되는 것을 방지할 수 있기 때문에, 수율의 저하를 억제할 수 있다.According to the present invention, by the cleaning liquid supplying means provided in the atmospheric section, the cleaning liquid is supplied to the processing liquid nozzle to remove deposits of the processing liquid nozzle, and the liquid removing unit located below the processing liquid nozzle waiting in the atmospheric section. The droplet of the cleaning liquid is removed from the processing liquid nozzle. Therefore, since the adherend of the processing liquid and the drop of the cleaning liquid fall on the substrate, defects or watermarks may occur on the substrate, and normal processing cannot be performed on the substrate. Can be.

도 1은 본 발명의 실시 형태에 따른 현상 장치의 개략도.
도 2는 상기 현상 장치의 사시도.
도 3은 상기 현상 장치의 평면도.
도 4는 상기 현상 장치에 설치된 현상액 노즐 및 대기부의 사시도.
도 5는 상기 현상액 노즐과 액 제거부의 위치 관계를 도시하는 설명도 및 상기 현상액 노즐의 하방측 사시도.
도 6은 상기 현상액 노즐에 의해 현상액이 웨이퍼에 공급되는 모습을 도시한 설명도.
도 7은 현상액 노즐의 이동 경로에 있어서 현상액 노즐의 액적이 제거되는 모습을 도시한 설명도.
도 8은 대기부에 있어서 현상액 노즐의 액적이 제거되는 모습을 도시한 설명도.
도 9는 상기 현상 장치에 의한 현상 공정을 도시한 작용도.
도 10은 상기 현상 장치에 의한 현상 공정을 도시한 작용도.
도 11은 상기 현상 장치에 의한 현상 공정을 도시한 작용도.
도 12는 상기 현상 장치의 다른 현상 공정을 도시한 작용도.
도 13은 액 제거부의 다른 구성을 도시한 설명도.
도 14는 액 제거부의 또 다른 구성을 도시한 설명도.
도 15는 또 다른 액 제거부 및 당해 액 제거부를 구비한 대기부의 사시도.
도 16은 상기 대기부의 종단 측면도.
도 17은 상기 액 제거부의 정면도.
도 18은 노즐의 세정 및 액 제거를 행하는 모습을 도시한 공정도.
도 19는 노즐의 세정 및 액 제거를 행하는 모습을 도시한 공정도.
도 20은 노즐의 세정 및 액 제거를 행하는 모습을 도시한 공정도.
도 21은 노즐의 세정 및 액 제거를 행하는 모습을 도시한 공정도.
도 22는 노즐의 세정 및 액 제거를 행하는 모습을 도시한 공정도.
도 23은 노즐의 세정 및 액 제거를 행하는 모습을 도시한 공정도.
도 24는 다른 액 제거부의 사시도.
도 25는 상기 액 제거부의 측면도.
도 26은 다른 액 제거부의 사시도.
도 27은 상기 액 제거부의 측면도.
도 28은 다른 액 제거부의 사시도.
도 29는 상기 액 제거부의 종단 측면도.
도 30은 다른 액 제거부의 사시도.
도 31은 상기 액 제거부의 종단 측면도.
도 32는 상기 액 제거부의 정면도.
도 33은 또 다른 액 제거부의 종단 측면도.
도 34는 상기 액 제거부의 평면도.
도 35는 상기 액 제거부에 의해 노즐이 세정되는 모습을 도시하는 설명도.
도 36은 또 다른 액 제거부 및 당해 액 제거부를 구비한 대기부의 사시도.
도 37은 상기 대기부에 설치되는 세정부의 종단 측면도.
도 38은 상기 액 제거부에 의해 액 제거를 행하는 모습을 도시한 설명도.
도 39는 상기 대기부에 설치되는 세정부의 종단 측면도.
도 40은 상기 현상 장치를 구비한 도포, 현상 장치의 평면도.
도 41은 상기 도포, 현상 장치의 사시도.
도 42는 상기 도포, 현상 장치의 종단 평면도.
도 43은 현상액 노즐로부터 액적이 아래로 떨어진 모습을 도시한 설명도.1 is a schematic view of a developing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a perspective view of the developing apparatus.
3 is a plan view of the developing apparatus.
4 is a perspective view of a developer nozzle and a standby unit installed in the developing apparatus.
5 is an explanatory view showing a positional relationship between the developer nozzle and the liquid removing unit and a perspective view of the lower side of the developer nozzle;
6 is an explanatory diagram showing how a developer is supplied to a wafer by the developer nozzle;
7 is an explanatory diagram showing how liquid droplets of the developer nozzle are removed in the moving path of the developer nozzle;
FIG. 8 is an explanatory diagram showing how liquid droplets of a developer nozzle are removed in the atmospheric portion; FIG.
9 is a functional diagram illustrating a developing step by the developing device.
10 is a functional diagram illustrating a developing step by the developing device.
11 is a functional diagram showing a developing step by the developing device.
12 is a functional diagram showing another developing step of the developing apparatus.
13 is an explanatory diagram showing another configuration of the liquid removing unit;
14 is an explanatory diagram showing still another configuration of the liquid removing unit;
Fig. 15 is a perspective view of an atmospheric portion having another liquid removing portion and the liquid removing portion.
16 is a longitudinal side view of the standby portion;
17 is a front view of the liquid removing unit;
18 is a process chart showing a state in which the nozzle is washed and the liquid is removed.
19 is a process chart showing a state in which the nozzle is washed and the liquid is removed.
20 is a process chart showing a state of washing the nozzle and removing the liquid.
Fig. 21 is a process diagram showing a state in which nozzles are washed and liquid is removed.
Fig. 22 is a process diagram showing a state of washing the nozzle and removing the liquid.
Fig. 23 is a process diagram showing a state of washing the nozzle and removing the liquid.
24 is a perspective view of another liquid removing unit;
25 is a side view of the liquid removing unit;
26 is a perspective view of another liquid removing unit;
27 is a side view of the liquid removing unit;
28 is a perspective view of another liquid removing unit;
29 is a longitudinal side view of the liquid removing unit;
30 is a perspective view of another liquid removing unit;
31 is a longitudinal side view of the liquid removing unit;
32 is a front view of the liquid removing unit;
33 is a longitudinal side view of still another liquid removing unit;
34 is a plan view of the liquid removing unit;
35 is an explanatory diagram showing how a nozzle is cleaned by the liquid removing unit;
36 is a perspective view of an atmospheric portion having another liquid removing portion and the liquid removing portion;
Fig. 37 is a vertical side view of a washing unit provided in the waiting unit.
FIG. 38 is an explanatory diagram showing how liquid is removed by the liquid removing unit; FIG.
39 is a longitudinal side view of a cleaning unit provided in the standby unit;
40 is a plan view of the coating and developing apparatus including the developing apparatus.
Fig. 41 is a perspective view of the coating and developing apparatus.
42 is a longitudinal plan view of the coating and developing apparatus;
Fig. 43 is an explanatory diagram showing a state in which the droplets drop downward from the developer nozzle;

본 발명의 액 처리 장치의 일례인 현상 장치(2)에 대해서, 그 개략 구성도인 도 1을 참조하면서 설명한다. 현상 장치(2)는 3개의 액 처리부인 현상 처리부(21a, 21b, 21c)와, 복합 노즐부(4a 내지 4c)와, 현상액 노즐(6)을 구비하고 있다.The developing apparatus 2 which is an example of the liquid processing apparatus of this invention is demonstrated, referring FIG. 1 which is a schematic block diagram. The developing apparatus 2 is provided with the developing processing part 21a, 21b, 21c which are three liquid processing parts, the composite nozzle parts 4a-4c, and the developing solution nozzle 6. As shown in FIG.

현상 처리부(21a 내지 21c)는 횡방향으로 일렬로 배열되어 있다. 각 현상 처리부(21a 내지 21c)는 각각 마찬가지로 구성되어 있고, 여기서는 현상 처리부(21a)를 예로 들어 설명한다. 현상 처리부(21a)는 각각 웨이퍼(W)의 이면 중앙부를 흡착하여 수평으로 보유 지지하는 기판 보유 지지부인 스핀 척(22a)을 구비하고, 스핀 척(22a)은 회전축(23a)을 통하여 회전 구동 기구(24a)와 접속되어 있다. 스핀 척(22a)은, 회전 구동 기구(24a)를 통하여 웨이퍼(W)를 보유 지지한 상태에서 연직축 주위에 회전 가능하게 구성되어 있고, 그 회전축 상에 웨이퍼(W)의 중심이 위치하도록 설정되어 있다. 회전 구동 기구(24a)는 후술하는 제어부(100)로부터의 제어 신호를 받아서 스핀 척(22a)의 회전 속도를 제어한다.The developing units 21a to 21c are arranged in a row in the transverse direction. Each of the developing processing units 21a to 21c is similarly configured, and here, the developing processing unit 21a will be described as an example. Each of the developing units 21a includes a spin chuck 22a, which is a substrate holding unit that sucks and holds a central portion of the back surface of the wafer W and holds it horizontally, and the spin chuck 22a rotates through a rotating shaft 23a. It is connected with 24a. The spin chuck 22a is configured to be rotatable around a vertical axis in a state where the wafer W is held through the rotation drive mechanism 24a, and the center of the wafer W is positioned on the rotation axis. have. The rotation drive mechanism 24a receives the control signal from the control part 100 mentioned later, and controls the rotation speed of the spin chuck 22a.

스핀 척(22a)의 주위에는 스핀 척(22a) 상의 웨이퍼(W)를 둘러싸도록 하여 상방측에 개구부(30a)를 구비한 컵체(31a)가 설치되어 있고, 컵체(31a)의 측 주위면 상단부측은 내측에 경사진 경사부(32a)를 형성하고 있다. 컵체(31a)의 저부측에는, 도 1에 도시한 바와 같이 예를 들어 오목부 형상을 이루는 액 수용부(33a)가 설치되어 있다. 액 수용부(33a)는, 도시하지 않은 격벽에 의해 웨이퍼(W)의 주연 하방측에 전체 둘레에 걸쳐서 외측 영역과 내측 영역으로 구획되어 있다. 외측 영역의 저부에는 저류한 현상액 등의 드레인을 배출하기 위한 도시하지 않은 폐액구가 설치되고, 내측 영역의 저부에는 처리 분위기를 배기하기 위한 배기구(34a, 34a)가 설치되어 있다.Around the spin chuck 22a, a cup body 31a having an opening 30a is provided to surround the wafer W on the spin chuck 22a, and the upper end of the side circumferential surface of the cup body 31a. The side forms the inclined part 32a inclined inward. On the bottom side of the cup body 31a, as shown in FIG. 1, the liquid container part 33a which forms a recessed shape, for example is provided. The liquid container part 33a is partitioned by the partition which is not shown in the outer side area | region and the inner side area | region over the periphery below the periphery of the wafer W. As shown in FIG. A waste liquid port (not shown) for discharging the drain of stored developer or the like is provided at the bottom of the outer region, and exhaust ports 34a and 34a for exhausting the processing atmosphere are provided at the bottom of the inner region.

배기구(34a, 34a)에는 배기관(35a)의 일단부가 접속되어 있고, 배기관(35a)의 타단부는, 배기 댐퍼(36a)를 통하여 현상 처리부(21b 및 21c)의 배기관(35b, 35c)과 합류하고, 예를 들어 현상 장치(2)가 설치된 공장의 배기로에 접속되어 있다. 배기 댐퍼(36a)는, 제어부(100)로부터의 제어 신호를 받아서 컵체(31a) 내의 배기량을 제어한다.One end of the exhaust pipe 35a is connected to the exhaust ports 34a and 34a, and the other end of the exhaust pipe 35a joins the exhaust pipes 35b and 35c of the developing units 21b and 21c through the exhaust damper 36a. For example, it is connected to the exhaust path of the factory in which the developing apparatus 2 was installed. The exhaust damper 36a receives the control signal from the control unit 100 and controls the amount of exhaust in the cup body 31a.

도 2, 도 3은, 도 1의 현상 장치(2)를 실제로 구성한 것을 각각 모식적으로 도시한 사시도, 상면도이다. 도면 중 참조 부호 25a는, 승강 가능하게 구성된 승강 핀이며, 컵체(31a) 내에 3개 설치되어 있다. 현상 장치(2)에 웨이퍼(W)를 반송하는 도시하지 않은 기판 반송 수단의 동작에 따라서 승강 핀(25a)이 승강하고, 그 기판 반송 수단과 스핀 척(22a) 사이에서 웨이퍼(W)가 전달된다.2 and 3 are perspective and top views schematically showing what actually constitutes the developing apparatus 2 of FIG. 1, respectively. In the figure, reference numeral 25a is a lifting pin configured to be able to move up and down, and three are provided in the cup body 31a. In accordance with the operation of the substrate conveying means (not shown) which conveys the wafer W to the developing apparatus 2, the lifting pins 25a are raised and lowered, and the wafer W is transferred between the substrate conveying means and the spin chuck 22a. do.

현상 처리부(21b)의 각 부에 대해서 현상 처리부(21a)의 각 부에 대응하는 부분에 대해서는, 현상 처리부(21a)의 설명에서 사용한 숫자와 동일한 숫자를 사용하고, 또한 a 대신에 b를 부여하여 각 도면 중에 도시하고 있다. 또한, 현상 처리부(21c)의 각 부에 대해서 현상 처리부(21a)의 각 부에 대응하는 부분에 대해서는, 현상 처리부(21a)의 설명에서 사용한 숫자와 동일한 숫자를 사용하고, 또한 a 대신에 c를 부여하여 각 도면 중에 도시하고 있다.For each part of the developing part 21b For the part corresponding to each part of the developing part 21a, the same number as used in the description of the developing part 21a is used, and b is given instead of a. It is shown in each figure. In addition, for the part corresponding to each part of the developing part 21a about the part of the developing part 21c, the same number as the number used in description of the developing part 21a is used, and c is used instead of a. The figure is given and shown in each figure.

계속해서 복합 노즐부(4a, 4b, 4c)에 대해서 설명한다. 이들 복합 노즐부(4a, 4b, 4c)는 각각 현상 처리부(21a, 21b, 21c)의 웨이퍼(W)에 순수 및 N2(질소) 가스를 공급하도록 구성되어 있고, 각 복합 노즐부(4a 내지 4c)는 마찬가지로 구성되어 있다. 여기서는 대표적으로 복합 노즐부(4a)를 예로 들어 설명한다. 복합 노즐부(4a)는 각각 순수 노즐(41a) 및 N2 가스 노즐(42a)을 구비하고 있고, 이들 각 노즐(41a, 42a)은 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 서로 연접되고, 각 노즐(41a, 42a)은 예를 들어 각각 연직 하방으로 개방된 원형의 세공인 토출구를 각각 구비하고 있다.Subsequently, the composite nozzle portions 4a, 4b, and 4c will be described. These composite nozzle portions 4a, 4b, 4c are configured to supply pure water and N 2 (nitrogen) gas to the wafers W of the developing portions 21a, 21b, 21c, respectively. 4c) is configured similarly. Here, the composite nozzle part 4a is demonstrated as an example. Multiple nozzle section (4a) are each pure nozzle (41a) and N 2 provided with a gas nozzle (42a), each of these nozzles (41a, 42a) are concatenated to each other in the radial direction of the wafer (W), each nozzle ( 41a and 42a are each provided with the discharge port which is a circular pore each opened perpendicularly downward, for example.

도 1에 도시한 바와 같이, 순수 노즐(41a)은 공급로(43a)를 통하여 순수가 저류된 순수 공급원(5B)에, N2 가스 노즐(42a)은 공급로(44a)를 통하여 N2 가스가 저류된 N2 가스 공급원(5C)에 각각 접속되어 있다. 순수는 웨이퍼(W)에 현상액을 공급하기 전에 그 현상액의 습윤성을 높이기 위해 공급되는 프리 웨트 처리를 행하기 위한 표면 처리액이며, 또한 현상 후, 불필요해진 현상액을 씻어 내기 위한 린스액이기도 하다. N2 가스는 웨이퍼(W)를 건조시키기 위해 당해 웨이퍼(W)에 분사되는 건조용 가스이며, 이 예에서는 스핀 척(22a 내지 22c)의 회전에 의한 액의 원심 탈수 외에, 이 N2 가스에 의한 공급에 의해 세정 후의 웨이퍼(W)가 건조된다.As shown in FIG. 1, the pure water nozzle 41a is supplied to the pure water source 5B in which pure water is stored through the supply passage 43a, and the N 2 gas nozzle 42a is supplied to the N 2 gas through the supply passage 44a. Is connected to each of the stored N 2 gas supply sources 5C. Pure water is a surface treatment liquid for prewet treatment which is supplied to increase the wettability of the developer before supplying the developer to the wafer W, and is also a rinse liquid for washing away the developer which has become unnecessary after development. The N 2 gas is a drying gas that is injected onto the wafer W to dry the wafer W. In this example, the N 2 gas is used in addition to the centrifugal dehydration of the liquid by the rotation of the spin chucks 22a to 22c. The wafer W after cleaning is dried by the supply by this.

공급로(43a, 44a)에는 유량 제어부(45a, 46a)가 각각 개재 설치되어 있다. 각 유량 제어부(45a 및 46a)는 밸브나 매스 플로우 컨트롤러 등을 포함하고, 제어부(100)로부터의 제어 신호에 기초하여 각 노즐(41a, 42a)로부터 웨이퍼(W)에의 각 순수 및 가스의 급단(給斷)을 제어한다.Flow control parts 45a and 46a are interposed in supply paths 43a and 44a, respectively. Each of the flow control sections 45a and 46a includes a valve, a mass flow controller, and the like, and the flow rate of each pure water and gas from the nozzles 41a and 42a to the wafer W based on the control signal from the control section 100 ( I) control.

도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이 복합 노즐부(4a)에는 당해 복합 노즐부(4a)를 지지하는 아암체(47a)의 일단부가 접속되어 있고, 아암체(47a)의 타단부는 이동 수단인 구동 기구(48a)에 접속되어 있다. 구동 기구(48a)는, 현상 처리부(21a 내지 21c)의 배열 방향을 따라서 형성된 베이스(37) 상을, 그 배열 방향으로 신장한 가이드(49a)를 따라서 이동하고, 또한 아암체(47a)를 통하여 복합 노즐부(4a)를 승강시킨다. 이 구동 기구(48a)의 이동 및 구동 기구(48a)에 의한 승강에 의해서, 순수 노즐(41a), N2 가스 노즐(42a)의 토출구가 스핀 척(22a)에 적재된 웨이퍼(W)의 중심부 상으로 이동하고, 순수, N2 가스를 각각 웨이퍼(W)의 중심으로 공급할 수 있다. 구동 기구(48a)의 동작은 제어부(100)로부터의 제어 신호를 받아서 제어된다.2 and 3, one end of the arm body 47a supporting the composite nozzle part 4a is connected to the composite nozzle portion 4a, and the other end of the arm body 47a is a moving means. It is connected to the phosphorus drive mechanism 48a. The drive mechanism 48a moves on the base 37 formed along the arrangement direction of the developing units 21a to 21c along the guide 49a extending in the arrangement direction, and also through the arm body 47a. The composite nozzle part 4a is raised and lowered. Due to the movement of the drive mechanism 48a and the lifting by the drive mechanism 48a, the discharge port of the pure water nozzle 41a and the N 2 gas nozzle 42a is mounted on the spin chuck 22a in the center of the wafer W. As shown in FIG. moved onto, and can be supplied to the pure water, N 2 gas to the center of the wafer (W), respectively. The operation of the drive mechanism 48a is controlled by receiving a control signal from the controller 100.

현상 처리부의 도시한 바와 마찬가지로, 복합 노즐부(4b, 4c)에 있어서의 복합 노즐부(4a)와 마찬가지로 구성된 각 부에 대해서는, 복합 노즐부의 설명에 사용한 부호와 동일한 숫자를 사용하고, 또한 부호 중의 ａ를 b 또는 c로 각각 변경하여 도시하고 있다.As shown in the development processing section, the same numerals as those used for the description of the composite nozzle section are used for the respective sections configured similarly to the composite nozzle section 4a in the composite nozzle sections 4b and 4c. a is changed to b or c, respectively.

각 현상 처리부(21a 내지 21c)의 측방에는 상측이 개방된 컵 형상의 노즐 대기부(51a 내지 51c)가 각각 설치되고, 그 대기부(51a 내지 51c)의 내부는 복합 노즐부(4a 내지 4c)의 대기 영역(52a 내지 52c)으로서 구성되어 있다. 그리고, 복합 노즐부(4a 내지 4c)는 웨이퍼(W)에 처리를 행하지 않을 때에는, 이들 대기 영역(52a 내지 52c)에 각각 수납된다.Cup-shaped nozzle atmospheric portions 51a to 51c having an open upper side are provided on the side of each of the developing portions 21a to 21c, respectively, and inside of the atmospheric portions 51a to 51c are composite nozzle portions 4a to 4c. It is comprised as the waiting area | region 52a-52c of the. And the composite nozzle parts 4a-4c are accommodated in these waiting areas 52a-52c, respectively, when a process is not performed to the wafer W. As shown in FIG.

계속해서, 처리액 노즐인 현상액 노즐(6)에 대해서 도 4, 도 5의 (a), (b)도 참조하면서 설명한다. 현상액 노즐(6)은 그 하단부면에 당해 현상액 노즐(6)의 이동 방향을 따라서 편평한 슬릿 형상으로 개방된 토출구(61)를 구비하고 있고, 그 토출구(61)의 길이 방향은 웨이퍼(W)의 직경 및 현상액 노즐(6)의 이동 방향으로 병행하고 있다. 또한, 도 5의 (a)에 도시한 바와 같이 토출구(61)는 비스듬하게 향하여 형성되어 있다.Then, the developing solution nozzle 6 which is a process liquid nozzle is demonstrated, also referring FIG. 4, FIG. 5 (a), (b). The developing solution nozzle 6 has a discharge port 61 which is opened in a flat slit shape along the moving direction of the developer nozzle 6 on the lower end surface thereof, and the discharge port 61 has a longitudinal direction of the wafer W. As shown in FIG. It is parallel to the diameter and the moving direction of the developing solution nozzle 6. In addition, as shown in Fig. 5A, the discharge port 61 is formed obliquely.

도 1에 도시한 바와 같이 현상액 노즐(6)에는 현상액 공급로(62)의 일단부가 접속되어 있다. 현상액 공급로(62)의 타단부는 밸브나 매스 플로우 컨트롤러 등을 포함한 유량 제어부(63)를 통하여 현상액 공급원(5A)에 접속되어 있고, 제어부(100)로부터의 제어 신호에 따라서, 유량 제어부(63)가 현상액 노즐(6)로부터 웨이퍼(W)에의 현상액의 급단을 제어한다.As shown in FIG. 1, one end of the developer supply path 62 is connected to the developer nozzle 6. The other end of the developing solution supply passage 62 is connected to the developing solution supply source 5A through a flow control section 63 including a valve, a mass flow controller, and the like, and according to a control signal from the control section 100, the flow rate control section 63 ) Controls the feeding of the developer from the developer nozzle 6 to the wafer W. FIG.

도 2 및 도 4에 도시한 바와 같이 현상액 노즐(6)은 아암체(64)의 일단부에 접속되어 지지되어 있고, 아암체(64)의 타단부는 베이스(37) 상에 설치된 구동 기구(65)에 접속되어 있다. 구동 기구(65)는, 베이스(37)에 현상 처리부(21a 내지 21c)의 배열 방향으로 신장하도록 설치된 가이드(60)를 따라서 횡방향으로 이동할 수 있게 구성되어 있다. 또한, 구동 기구(65)는 아암체(64)를 통하여 현상액 노즐(6)을 승강시킬 수 있다. 구동 기구(65)의 동작은 제어부(100)로부터의 제어 신호를 받아서 제어된다.As shown in FIGS. 2 and 4, the developer nozzle 6 is connected to and supported by one end of the arm body 64, and the other end of the arm body 64 is provided with a driving mechanism (provided on the base 37). 65). The drive mechanism 65 is comprised so that it may move to the base 37 along the guide 60 provided so that it may extend in the arrangement direction of the developing process parts 21a-21c. Moreover, the drive mechanism 65 can raise and lower the developing solution nozzle 6 via the arm body 64. The operation of the drive mechanism 65 is controlled by receiving a control signal from the control unit 100.

현상액 노즐(6)은, 그 구동 기구(65)에 의해 각 현상 처리부(21a 내지 21c)의 상방 영역과 후술하는 대기부(66) 사이를 이동한다. 또한, 도 6에 도시한 바와 같이, 현상액 노즐(6)은 각 현상 처리부(21a 내지 21c)에 반입된 웨이퍼(W)의 회전 방향을 따라서 비스듬하게 띠 형상으로 현상액을 공급하면서, 화살표로 나타낸 바와 같이 당해 웨이퍼(W)의 주연부로부터 중심부를 향하여 이동하여, 웨이퍼(W)의 표면 전체에 현상액(L)의 액막을 형성할 수 있다.The developing solution nozzle 6 moves between the upper region of each of the developing units 21a to 21c and the standby unit 66 described later by the drive mechanism 65. In addition, as shown in FIG. 6, the developer nozzle 6 supplies the developer in an oblique band shape along the rotational direction of the wafer W carried in each of the developing units 21a to 21c, as indicated by the arrow. As described above, the liquid film of the developing solution L can be formed on the entire surface of the wafer W by moving from the peripheral portion of the wafer W toward the center portion.

현상 처리부(21a)의 컵체(31a)와 현상 처리부(21b)의 컵체(31b) 사이에 있어서, 대기 영역(52b)의 상방 위치에는 액 제거부(7A)가 설치되어 있다. 또한, 현상 처리부(21b)의 컵체(31b)와 현상 처리부(21c)의 컵체(31c) 사이에 있어서, 대기 영역(52c)의 상방 위치에는 액 제거부(7B)가 설치되어 있다. 이들 액 제거부(7A, 7B)는 현상액 노즐(6)의 횡방향으로의 이동로의 하방측에 설치되어 있다.Between the cup body 31a of the developing part 21a and the cup body 31b of the developing part 21b, the liquid removal part 7A is provided in the upper position of the waiting area 52b. Moreover, between the cup body 31b of the image development part 21b and the cup body 31c of the image development part 21c, the liquid removal part 7B is provided in the upper position of the waiting area 52c. These liquid removal parts 7A, 7B are provided below the movement path of the developing solution nozzle 6 in the horizontal direction.

액 제거부(7A, 7B)는 서로 마찬가지로 구성되어 있고, 도 5의 (a) 및 도 7의 (a)를 사용하여 설명한다. 이들의 도면에 도시한 바와 같이 액 제거부(7A, 7B)는, 수평으로 설치된 베이스부(71)와, 베이스부(71)로부터 경사 방향으로 신장된 판 형상의 액 수용부(72)를 구비하고 있고, 그 액 수용부(72)의 선단부는 현상액 노즐(6)의 횡방향으로의 이동 방향과 병행하고, 또한 그와 같이 횡방향으로 이동하는 현상액 노즐(6)의 하단부와 근접하도록 형성되어 있다. 이들의 액 제거부(7A, 7B)는, 현상액 노즐(6)로부터 현상액의 액적을 효율적으로 제거하기 위해, 예를 들어 높은 친수성을 갖는 다공질의 세라믹스에 의해 구성되어 있고, 모세관 현상에 의해 액적을 그 내부에 흡수하여 제거한다.The liquid removal parts 7A and 7B are similarly comprised, and it demonstrates using FIG. 5 (a) and FIG. 7 (a). As shown in these figures, the liquid removing portions 7A and 7B include a base portion 71 provided horizontally and a plate-shaped liquid container portion 72 extending in an oblique direction from the base portion 71. The tip end portion of the liquid container portion 72 is formed to be parallel to the moving direction of the developer nozzle 6 in the lateral direction and to be close to the lower end of the developer nozzle 6 moving in the lateral direction. have. These liquid removing portions 7A and 7B are made of porous ceramics having high hydrophilicity, for example, in order to efficiently remove the droplets of the developer from the developer nozzle 6, and the droplets are removed by capillary action. Absorb inside and remove it.

도 7의 (a) 내지 도 7의 (d)는, 현상액 노즐(6)이 횡방향으로 이동할 때의 모습을 도시하고 있고, 현상액 노즐(6)이 이동할 때에 액 제거부(7A 및 7B)는 현상액 노즐(6)에 근접하고, 현상액 노즐(6)의 하단부에 아래로 떨어져 형성된 액적(D)에 접촉하고, 이 액적(D)을 그 내부에 도입하여 제거한다. 그런데 현상액 노즐(6)의 하단부에 아래로 떨어져 형성되는 현상액의 액적(D)으로서는, 반복하여 현상 처리를 행하는 과정에서 그 하단부에의 현상액의 축적에 의해서 점차 커지고, 소정의 크기로 되었을 때에 중력에 의해서 현상액 노즐(6)로부터 낙하하지만, 이 낙하 전에 제거할 수 있으면 되므로, 도 5의 (a) 중의 현상액 노즐(6)의 하단부와 액 제거부(7A)의 거리 h1은 이 액적(D)이 낙하할 때의 크기에 따라서 임의로 설정되고, 예를 들어 1.5㎜이다.7 (a) to 7 (d) show a state when the developer nozzle 6 moves in the lateral direction, and when the developer nozzle 6 moves, the liquid removal parts 7A and 7B Close to the developer nozzle 6, the lower end of the developer nozzle 6 is brought into contact with the droplet D formed downward, and the droplet D is introduced into and removed therefrom. By the way, as the droplet D of the developing solution formed to fall down at the lower end of the developing nozzle 6, it gradually increases due to the accumulation of the developing solution at the lower end in the course of performing the developing process repeatedly, and when it reaches a predetermined size, It falls from the developing solution nozzle 6, but since it can only be removed before this fall, the distance h1 of the lower end part of the developing solution nozzle 6 and the liquid removal part 7A in FIG. It is set arbitrarily according to the magnitude | size at the time of falling, for example, 1.5 mm.

베이스(37)에 있어서, 현상 처리부(21a 내지 21c)의 배열 방향의 연장선 상에는 상측이 개방된 컵 형상으로 형성된 대기부(66)가 설치되어 있고, 그 대기부(66)의 내부는 현상액 노즐(6)의 대기 영역(67)으로서 구성되어 있다. 현상액 노즐(6)은, 웨이퍼(W)에 처리를 행하지 않을 때에는 이 대기 영역(67)에 수납되고, 현상 처리를 행할 때에 상기 구동 기구(65)를 통하여 당해 대기 영역(67)으로부터 각 현상 처리부(21a 내지 21c)로 이동한다.In the base 37, on the extension line of the arrangement direction of the developing process parts 21a-21c, the atmospheric part 66 formed in the cup shape which opened the upper side is provided, The inside of the atmospheric part 66 is a developer nozzle ( It is comprised as the waiting area 67 of 6). The developing solution nozzle 6 is housed in this waiting area 67 when the processing is not performed on the wafer W, and each developing processing part from the waiting area 67 through the drive mechanism 65 when performing the developing process. Go to (21a to 21c).

대기 영역(67)에는 액 제거부(7C)가 설치되어 있다. 도 4에 도시한 바와 같이 액 제거부(7C)는, 액 제거부(7A, 7B)와 마찬가지로 구성되어 있고, 현상액 노즐(6)이 대기부(66)에 수납되었을 때에 액 수용부(72)의 선단부는 현상액 노즐(6)의 토출구(61)에 근접하고, 또한 토출구(61)의 길이 방향과, 이 선단부가 병행하도록 설치되어 있다. 도 8의 (a) 내지 (d)는, 현상액 노즐(6)이 대기부(66)에 수납되고, 현상액 노즐(6)로부터 떨어진 현상액의 액적(D)을 액 제거부(7C)가 흡수하여, 제거하는 모습을 도시하고 있다. 도 8의 (d) 중에 도시한 대기부(66)에 수납되었을 때의 현상액 노즐(6)의 하단부와 액 제거부(7C)의 거리 h2는 이 액적(D)이 낙하할 때의 크기에 따라서 임의로 설정되고, 예를 들어 1.5㎜이다.The liquid removal part 7C is provided in the waiting area 67. As shown in FIG. 4, the liquid removing part 7C is configured similarly to the liquid removing parts 7A and 7B, and the liquid containing part 72 when the developer nozzle 6 is housed in the waiting part 66. The distal end portion of the developer nozzle 6 is close to the discharge port 61 of the developer nozzle 6, and is provided such that the distal end portion thereof is parallel to the longitudinal direction of the discharge port 61. 8 (a) to 8 (d), the developer nozzle 6 is housed in the standby part 66, and the liquid removal part 7C absorbs the droplet D of the developer away from the developer nozzle 6. , Showing how to remove. The distance h2 between the lower end of the developing solution nozzle 6 and the liquid removing part 7C when accommodated in the waiting part 66 shown in FIG. 8D depends on the size of the drop D falling. It is set arbitrarily and is 1.5 mm, for example.

계속해서 제어부(100)에 대해서 설명한다. 제어부(100)는 예를 들어 컴퓨터로 이루어지고, 도시하지 않은 프로그램 저장부를 갖고 있다. 이 프로그램 저장부에는, 후술하는 작용으로 설명하는 현상 처리가 행해지도록 명령이 짜여진 예를 들어 소프트웨어로 이루어지는 프로그램이 저장되고, 이 프로그램이 제어부(100)에 판독됨으로써 제어부(100)는 웨이퍼의 회전 속도, 각 노즐의 이동, 웨이퍼에의 현상액, 순수 및 N2 가스의 공급 등을 제어한다. 이 프로그램은, 예를 들어 하드 디스크, 콤팩트 디스크, 마그네트 옵티컬 디스크 또는 메모리 카드 등의 기억 매체에 수납된 상태에서 프로그램 저장부에 저장된다.Subsequently, the control unit 100 will be described. The control part 100 consists of a computer, for example, and has the program storage part which is not shown in figure. The program storage unit stores, for example, a program composed of software in which a command is executed to perform development processing described by the operation described below, and the program is read into the control unit 100 so that the control unit 100 can rotate the wafer. Control of movement of each nozzle, supply of developer, pure water and N 2 gas to the wafer, and the like. This program is stored in the program storage unit in a state of being stored in a storage medium such as a hard disk, a compact disk, a magnet optical disk or a memory card, for example.

계속해서, 이 현상 장치(2)에 순차적으로 웨이퍼(W)가 반입되었을 때에, 행해지는 처리의 일례에 대해서 도 9 내지 도 12를 참조하면서 설명한다. 웨이퍼(W)는 예를 들어 도시하지 않은 기판 반송 수단에 의해 현상 처리부(21a, 21b, 21c)의 순서대로 반송되고, 또한 각 웨이퍼(W)의 표면에는 레지스트가 도포되어 있고, 그 레지스트가 소정의 노광 처리를 받고 있는 것으로 한다. 또한 편의상, 현상 처리부(21a, 21b, 21c)에 반입되는 웨이퍼(W)를 각각 편의상, 웨이퍼(W1, W2, W3)로 기재한다.Subsequently, an example of the processing performed when the wafers W are sequentially loaded into the developing apparatus 2 will be described with reference to FIGS. 9 to 12. The wafer W is conveyed in the order of the developing parts 21a, 21b, 21c by, for example, a substrate conveying means (not shown), and a resist is coated on the surface of each wafer W, and the resist is predetermined. It is assumed that the exposure treatment of is performed. For convenience, the wafers W carried in the developing units 21a, 21b, and 21c are described as wafers W1, W2, and W3 for convenience.

또한, 상술한 바와 같이 반복하여 현상 처리를 행할 때에 현상액 노즐(6)의 하단부에 현상액이 저류되고, 당해 노즐(6)에 부착된 액적(D)이 커진다. 그리고, 액적(D)이 소정의 사이즈로 이루어졌을 때에 액 제거부(7A 내지 7C)에 의해 제거할 수 있게 현상액 노즐(6)과 각 액 제거부의 거리를 조정하면 되지만, 하기의 설명에서는 현상액의 액적(D)이 제거되는 모습을 명확하게 도시하기 때문에 설명의 편의상, 이 액적(D)이 웨이퍼(W)에 처리를 행할 때에 현상액 노즐(6)에 아래로 떨어져, 처리를 행할 때에 그 액적(D)이 제거되도록 액 제거부(7A 내지 7C)의 위치가 조정되어 있는 것으로 한다.Moreover, when repeatedly developing as mentioned above, the developing solution is stored in the lower end part of the developing solution nozzle 6, and the droplet D adhering to the said nozzle 6 becomes large. And when the droplet D is made into the predetermined | prescribed size, what is necessary is just to adjust the distance of the developing solution nozzle 6 and each liquid removing part so that removal may be carried out by the liquid removal parts 7A-7C, In the following description, Since the liquid droplet D is clearly shown, for convenience of explanation, the liquid droplet D falls down to the developer nozzle 6 when performing the processing on the wafer W, and the liquid droplet D when the processing is performed. The position of the liquid removal parts 7A to 7C is adjusted so that (D) is removed.

도 9의 (a)에 도시한 바와 같이 처리 개시 전에 있어서 현상액 노즐(6), 복합 노즐부(4a 내지 4c)는, 각각 대기부(66, 51a 내지 51c)에 수납되어 있다. 각 컵체(31a 내지 31c) 내의 배기량이 소정의 배기량으로 되고, 웨이퍼(W1)가 현상 처리부(21a)의 스핀 척(22a)에 전달되어, 소정의 회전수로 회전하는 동시에 복합 노즐부(4a)가 웨이퍼(W1) 상으로 이동하고, 순수 노즐(41a)이 웨이퍼(W1)의 중심부에 순수(F)를 토출한다. 토출된 순수(F)는, 원심력에 의해 주연부로 신전되는 소위 스핀 코팅에 의해서 웨이퍼(W1)를 덮고, 상술한 프리 웨트가 행해진다(도 9의 (b)).As shown in Fig. 9A, the developer nozzles 6 and the composite nozzle portions 4a to 4c are stored in the standby portions 66, 51a to 51c before the start of processing. The discharge amount in each cup body 31a-31c becomes a predetermined | prescribed discharge amount, the wafer W1 is transmitted to the spin chuck 22a of the image development part 21a, it rotates by predetermined | prescribed rotation speed, and is the composite nozzle part 4a. Moves onto the wafer W1, and the pure water nozzle 41a discharges the pure water F to the center of the wafer W1. The discharged pure water F covers the wafer W1 by so-called spin coating extended to the periphery by centrifugal force, and the above-mentioned prewet is performed (FIG. 9B).

순수(F)의 공급이 정지되어, 복합 노즐부(4a)가 웨이퍼(W1)의 주연부측으로 이동하는 동시에 현상액 노즐(6)이 대기부(66)로부터 웨이퍼(W1)의 주연부 상으로 이동한다. 그리고, 현상액 노즐(6)은 현상액(L)을 공급하면서 웨이퍼(W1)의 중심부 상으로 이동하고(도 9의 (c)), 웨이퍼(W1)의 표면 전체가 현상액(L)에 의해 덮여진다. 그 후, 현상액 노즐(6)로부터의 현상액(L)의 토출이 정지되어, 현상액 노즐(6)이 대기부(66)로 복귀된다(도 9의 (d)).Supply of the pure water F is stopped, and the composite nozzle part 4a moves to the peripheral part side of the wafer W1, and the developing solution nozzle 6 moves from the standby part 66 to the peripheral part of the wafer W1. Then, the developer nozzle 6 moves over the center of the wafer W1 while supplying the developer L (Fig. 9 (c)), and the entire surface of the wafer W1 is covered by the developer L. . Then, discharge of the developing solution L from the developing solution nozzle 6 is stopped, and the developing solution nozzle 6 is returned to the standby part 66 (FIG. 9D).

현상액 노즐(6)이 대기부(66) 내의 대기 영역(67)에 수납되고, 도 8의 (a) 내지 (d)에서 도시한 바와 같이 현상액 노즐(6)의 하단부가 액 제거부(7C)에 근접하고, 그 하단부로부터 떨어진 액적(D)이 액 제거부(7C)에 접촉하여, 당해 액 제거부(7C)에 흡수되어 제거된다. 또한, 복합 노즐부(4a)가 웨이퍼(W1)의 중심부 상으로 이동하고, 웨이퍼(W1)의 중심부 상에 순수(F)가 공급되어 웨이퍼(W1) 표면의 현상액(L)이 씻어 내어진다. 그 한편, 기판 처리부(21b)의 스핀 척(22b)에 웨이퍼(W2)가 전달된다(도 9의 (e)).The developing solution nozzle 6 is accommodated in the waiting area 67 in the waiting part 66, and the lower end of the developing solution nozzle 6 is the liquid removing part 7C as shown in Figs. 8A to 8D. And the droplet D separated from the lower end portion is in contact with the liquid removing portion 7C and is absorbed and removed by the liquid removing portion 7C. In addition, the composite nozzle portion 4a moves on the center portion of the wafer W1, and pure water F is supplied onto the center portion of the wafer W1 to wash away the developer L on the surface of the wafer W1. On the other hand, the wafer W2 is transferred to the spin chuck 22b of the substrate processing unit 21b (FIG. 9E).

그러한 후, 웨이퍼(W2)가 소정의 회전수로 회전하고, 복합 노즐부(4b)가 대기부(51b)로부터 웨이퍼(W2) 상으로 이동하고, 순수 노즐(41b)이 웨이퍼(W2)의 중심부 상에 순수(F)를 토출하여, 웨이퍼(W2)의 표면이 순수(F)에 의해 덮여지는 동시에, 현상액 노즐(6)이 웨이퍼(W2)의 주연부 상으로 이동한다. 그 한편, 순수 노즐(41a)로부터 웨이퍼(W1)에의 순수(F)의 공급이 정지된다(도 10의 (a)).Thereafter, the wafer W2 rotates at a predetermined rotational speed, the composite nozzle portion 4b moves from the standby portion 51b onto the wafer W2, and the pure water nozzle 41b moves to the center of the wafer W2. Pure water F is discharged onto the surface, and the surface of the wafer W2 is covered with pure water F, and the developer nozzle 6 moves on the periphery of the wafer W2. On the other hand, supply of the pure water F from the pure water nozzle 41a to the wafer W1 is stopped (FIG. 10 (a)).

N2 가스 노즐(42a)이 웨이퍼(W1)의 중심부 상으로 이동하고, N2 가스가 웨이퍼(W1)에 토출되어, 회전에 의한 순수의 원심 탈수가 가스 공급의 상승 작용으로 웨이퍼(W1)가 건조된다. 그 한편, 순수 노즐(41b)로부터 웨이퍼(W2)에의 순수(F)의 토출이 정지되어, 복합 노즐부(4b)가 웨이퍼(W2)의 주연부 상으로 이동하고, 현상액 노즐(6)이 현상액(L)을 토출하면서 웨이퍼(W2)의 주연부 상으로부터 중심부 상으로 이동하여(도 10의 (b)), 웨이퍼(W2)의 표면 전체가 현상액(L)에 피복된다.The N 2 gas nozzle 42a moves over the center portion of the wafer W1, the N 2 gas is discharged to the wafer W1, and the wafer W1 is moved due to the synergistic action of the gas supply by centrifugal dehydration of rotation. To dry. On the other hand, discharge of the pure water F from the pure water nozzle 41b to the wafer W2 is stopped, the composite nozzle portion 4b moves on the periphery of the wafer W2, and the developer nozzle 6 moves to the developer ( While discharging L, it moves from the peripheral part of the wafer W2 to the center part (FIG. 10 (b)), and the whole surface of the wafer W2 is coat | covered with the developing solution L. FIG.

그 후, 상기 웨이퍼(W1)에의 N2 가스의 토출이 정지되는 동시에 웨이퍼(W1)의 회전이 정지되어, 복합 노즐부(4a)가 대기부(51a)로 복귀되는 한편, 웨이퍼(W2)에의 현상액(L)의 공급이 정지된다. 계속해서, 현상액 노즐(6)은 도면 중 화살표로 나타낸 바와 같이 액 제거부(7A)의 상방을 통과하여, 도 7의 (a) 내지 (d)에서 설명한 바와 같이 현상액 노즐(6)의 하단부에 떨어진 액적(D)이 액 제거부(7A)에 접촉하고, 흡수되어 제거되고(도 10의 (c), (d)), 현상액 노즐(6)은 웨이퍼(W1)의 상방을 통과하여 대기부(66)로 복귀된다(도 10의 (e)). 또한, 복합 노즐부(4b)가 웨이퍼(W2)의 중심부 상으로 이동하고, 순수(F)를 웨이퍼(W2)에 공급하여, 웨이퍼(W2) 표면의 현상액(L)이 씻어 내어진다. 그 한편, 현상 처리부(21c)의 스핀 척(22c)에 웨이퍼(W3)가 전달된다(도 11의 (a)).Thereafter, the discharge of the N 2 gas to the wafer W1 is stopped, and the rotation of the wafer W1 is stopped, and the composite nozzle portion 4a is returned to the standby portion 51a while being transferred to the wafer W2. Supply of the developing solution L is stopped. Subsequently, the developer nozzle 6 passes through the liquid removing part 7A as indicated by the arrow in the figure, and as shown in FIGS. 7A to 7D, the developer nozzle 6 is disposed at the lower end of the developer nozzle 6. The dropped liquid droplet D contacts the liquid removing portion 7A, is absorbed and removed (FIGS. 10C and 10D), and the developer nozzle 6 passes through the upper portion of the wafer W1 to the atmospheric portion. Returning to (66) (Fig. 10 (e)). Moreover, the composite nozzle part 4b moves to the center part of the wafer W2, the pure water F is supplied to the wafer W2, and the developing solution L of the surface of the wafer W2 is wash | cleaned. On the other hand, the wafer W3 is transferred to the spin chuck 22c of the developing unit 21c (FIG. 11A).

계속해서 웨이퍼(W3)가 소정의 회전수로 회전하고, 복합 노즐부(4c)가 대기부(51c)로부터 웨이퍼(W3) 상으로 이동하고, 순수 노즐(41c)이 웨이퍼(W3)의 중심 부 상에 순수(F)를 토출하여, 스핀 코팅에 의해 웨이퍼(W3)의 표면이 순수(F)에 의해 덮여지는 동시에 현상액 노즐(6)이 웨이퍼(W3)의 주연부 상으로 이동한다. 또한, 한편 순수 노즐(41b)로부터의 순수(F)의 공급이 정지되어, N2 가스 노즐(42b)이 웨이퍼(W2)의 중심부 상으로 이동한다(도 11의 (b)).Subsequently, the wafer W3 rotates at a predetermined rotational speed, the composite nozzle portion 4c moves from the standby portion 51c onto the wafer W3, and the pure water nozzle 41c moves to the center portion of the wafer W3. Pure water F is discharged onto the surface, so that the surface of the wafer W3 is covered by the pure water F by spin coating, and the developer nozzle 6 moves on the periphery of the wafer W3. On the other hand, the supply of pure water F from the pure water nozzle 41b is stopped, and the N 2 gas nozzle 42b moves on the center portion of the wafer W2 (FIG. 11B).

그리고, N2 가스가 웨이퍼(W2)의 중심부 상으로 토출되어 웨이퍼(W2)가 건조되는 한편, 순수 노즐(41c)로부터의 순수(F)의 토출이 정지되어, 복합 노즐부(4c)가 웨이퍼(W3)의 주연부 상으로 이동한다. 그리고, 현상액 노즐(6)이 현상액(L)을 토출하면서 웨이퍼(W3)의 주연부 상으로부터 중심부 상으로 이동하고(도 11의 (c)), 웨이퍼(W3)의 표면 전체가 현상액(L)으로 피복된다.Then, the N 2 gas is discharged onto the center portion of the wafer W2 to dry the wafer W2, while discharge of the pure water F from the pure water nozzle 41c is stopped, and the composite nozzle portion 4c is moved to the wafer. Move on to the periphery of (W3). Then, while the developer nozzle 6 discharges the developer L, the developer nozzle 6 moves from the peripheral edge of the wafer W3 to the center (Fig. 11 (c)), and the entire surface of the wafer W3 is transferred to the developer L. Is covered.

그 후, 상기 웨이퍼(W2)에의 N2 가스의 토출이 정지되는 동시에 웨이퍼(W2)의 회전이 정지되어, 복합 노즐부(4b)가 대기부(51b)로 복귀되는 한편, 웨이퍼(W3)에의 현상액(L)의 공급이 정지된다. 그리고, 현상액 노즐(6)은 도면 중 화살표로 나타낸 바와 같이 액 제거부(7B)의 상방을 통과하여, 도 7에서 설명한 바와 같이 현상액 노즐(6)의 하단부에 떨어진 액적(D)이 액 제거부(7B)에 접촉하여 흡수되고, 제거된다(도 11의 (d), (e)). 그 후, 현상액 노즐(6)은 현상 처리부(21b, 21a)의 상방을 통과하여 대기부(66)로 복귀된다(도 12의 (a)). 또한, 복합 노즐부(4c)가 웨이퍼(W3)의 중심부 상으로 이동하고, 웨이퍼(W3)의 중심부 상에 순수(F)가 공급되어 웨이퍼(W3) 표면의 현상액(L)이 씻어 내어진다(도 12의 (b)).Thereafter, the discharge of the N 2 gas to the wafer W2 is stopped, and the rotation of the wafer W2 is stopped, and the composite nozzle portion 4b is returned to the standby portion 51b while being transferred to the wafer W3. Supply of the developing solution L is stopped. Then, the developer nozzle 6 passes above the liquid removing unit 7B as indicated by the arrow in the figure, and as illustrated in FIG. 7, the liquid droplet D dropped to the lower end of the developer nozzle 6 is removed. It is absorbed and removed by contacting with 7B (FIGS. 11D and 11E). Thereafter, the developing solution nozzle 6 passes over the developing sections 21b and 21a and returns to the standby section 66 (Fig. 12 (a)). In addition, the composite nozzle portion 4c moves over the center portion of the wafer W3, pure water F is supplied onto the center portion of the wafer W3, and the developer L on the surface of the wafer W3 is washed away ( (B) of FIG. 12).

그 후, 순수 노즐(41c)로부터의 순수(F)의 공급이 정지되어, N2 가스 노즐(42c)이 웨이퍼(W3)의 중심부 상으로 이동하여, N2 가스 노즐(42c)로부터 N2 가스가 웨이퍼(W3)의 중심부 상에 토출되어 웨이퍼(W3)가 건조된다(도 12의 (c)). 그 후 N2 가스의 공급이 정지되는 동시에 웨이퍼(W3)의 회전이 정지되어, 복합 노즐부(4c)가 대기부(51c)로 복귀되고(도 12의 (d)), 기판 반송 수단에 의해 웨이퍼(W3)가 현상 처리부(21c)로부터 반출된다.Thereafter, the supply of pure water F from the pure water nozzle 41c is stopped, and the N 2 gas nozzle 42c moves over the center portion of the wafer W3, and the N 2 gas from the N 2 gas nozzle 42c. Is discharged onto the center portion of the wafer W3, and the wafer W3 is dried (Fig. 12 (c)). Subsequently, the supply of the N 2 gas is stopped and the rotation of the wafer W3 is stopped, and the composite nozzle portion 4c is returned to the standby portion 51c (FIG. 12 (d)). The wafer W3 is carried out from the developing processing unit 21c.

이 현상 장치(2)에 따르면, 횡방향으로 일렬로 배열된 현상 처리부(21a 내지 21c)의 컵체(31a 내지 31c)간에 있어서, 구동 기구(65)에 의해 이동하는 현상액 노즐(6)의 이동로의 하방측에, 그 현상액 노즐(6)의 하단부에 근접하고, 당해 현상액 노즐(6)로부터 떨어진 현상액의 액적(D)에 접촉하고, 그 액적(D)을 현상액 노즐(6)로부터 제거하기 위한 액 제거부(7A, 7B)가, 그 현상액 노즐(6)의 이동 궤도 상에 설치되어 있다. 따라서 현상액 노즐(6)이 웨이퍼(W)에 처리를 행하기 위해 대기부(66)와 각 현상 처리부(21a 내지 21c)를 이동하고, 현상액이 제거되어 건조한 웨이퍼(W) 상을 통과하는 데 있어서, 그 건조한 웨이퍼(W) 상에의 현상액 노즐(6)로부터의 상기 액적(D)의 낙하를 방지할 수 있다. 따라서 그 액적이 파티클로 되어 웨이퍼(W)를 오염시키는 것이 방지되므로, 수율의 저하를 억제할 수 있다. 또한, 현상액 노즐(6)의 이동 중에 그 액적(D)이 제거되므로, 액적(D)을 제거하기 위한 시간을 필요로 하지 않는다. 그 결과적으로 처리량의 저하를 억제할 수 있다.According to this developing apparatus 2, the movement path of the developing solution nozzle 6 moved by the drive mechanism 65 between the cup bodies 31a to 31c of the developing units 21a to 21c arranged in a line in the lateral direction. To the lower end of the developer nozzle 6 in contact with the lower end of the developer solution 6, and to contact the droplet D of the developer separated from the developer nozzle 6, and to remove the droplet D from the developer nozzle 6; Liquid removal parts 7A and 7B are provided on the moving track of the developer nozzle 6. Therefore, the developer nozzle 6 moves the standby part 66 and each of the developing parts 21a to 21c to process the wafer W, and the developer is removed to pass through the dry wafer W. The fall of the droplet D from the developer nozzle 6 on the dry wafer W can be prevented. Therefore, since the droplets are prevented from contaminating the wafer W by the particles, it is possible to suppress a decrease in the yield. In addition, since the droplet D is removed during the movement of the developer nozzle 6, no time for removing the droplet D is required. As a result, the decrease in throughput can be suppressed.

또한, 이 현상 장치(2)는 대기부(66)에 있어서도 액 제거부(7C)를 구비하고 있고, 노즐(6)이 횡방향으로 이동할 때뿐만 아니라 대기부(66)에 수납되었을 때에도 액적(D)의 제거가 행해지므로, 보다 확실하게 상술한 현상액 노즐(6)로부터 건조한 웨이퍼(W)에의 액적(D)의 낙하를 방지할 수 있다.In addition, this developing apparatus 2 is provided with the liquid removal part 7C also in the standby part 66, and it is not only when the nozzle 6 moves in the horizontal direction but also when it is accommodated in the waiting part 66, Since the D) is removed, it is possible to more reliably prevent the drop D from falling from the developer nozzle 6 to the dry wafer W.

상기의 예에서는 3매의 웨이퍼(W)가 현상 처리되는 모습을 설명하고 있지만, 3매 이상의 웨이퍼(W)를 처리하는 경우에는, 예를 들어 계속해서 현상 처리부(21a, 21b, 21c)의 순서대로 반복하여 웨이퍼(W)가 반송되어, 상기의 예와 마찬가지로 현상 처리가 행해진다.In the above example, the state in which the three wafers W are developed is explained. However, when the three or more wafers W are processed, for example, the sequence of the developing units 21a, 21b, 21c is continued. The wafer W is repeatedly conveyed as described above, and the developing process is performed in the same manner as in the above example.

또한, 상기의 예에서는 웨이퍼(W)에 현상액을 공급할 때마다 현상액 노즐(6)이 대기부(66)로 복귀되어 있지만 이와 같이 처리시에 대기부(66)로 복귀되지 않고, 하나의 현상 처리부에서 현상액을 공급하면 직접 다른 현상 처리부로 이동하여 현상액을 공급하고, 몇 매인가 웨이퍼(W)에 현상액을 공급한 후에 대기부(66)로 복귀되어도 된다. 또한, 현상 처리부(21a 내지 21c)에의 웨이퍼(W)의 반송순도 상기한 바와 같지 않아도 되고, 예를 들어 현상 처리부(21a, 21b)에 이 순으로 반복하여 웨이퍼(W)가 반송되고, 소정의 매수 이들 현상 처리부(21a 및 21b)에 웨이퍼(W)가 반송되면 현상 처리부(21c)에 웨이퍼(W)가 반송되게 하고, 이 반송순으로 현상 처리가 행해지도록 해도 된다. 이들과 같이 현상 처리를 행하는 경우도 각 현상 처리부(21a 내지 21c)간을 이동할 때에 액적이 제거되므로 상기의 실시 형태와 마찬가지의 효과가 얻어진다.In the above example, each time the developer solution 6 is supplied to the wafer W, the developer nozzle 6 is returned to the standby part 66. In this manner, however, the developer nozzle 6 is not returned to the standby part 66 at the time of processing. When the developer is supplied at, the developer may be moved directly to another developer to supply the developer, and some may be returned to the standby part 66 after supplying the developer to the wafer W. In addition, the conveyance order of the wafers W to the developing units 21a to 21c may not be the same as described above. For example, the wafers W are conveyed to the developing units 21a and 21b in this order repeatedly, and a predetermined amount is transferred. When the wafers W are conveyed to these developing units 21a and 21b, the wafers W may be conveyed to the developing unit 21c, and the developing processes may be performed in this conveying order. In the case of performing the developing treatment as described above, the droplets are removed when moving between the developing units 21a to 21c, and thus the same effects as in the above-described embodiments are obtained.

액 제거부로서는 예를 들어 도 13의 (a)에 그 외관을, 도 13의 (b)에 그 측면을 각각 도시한 바와 같이 구성해도 된다. 액적의 높은 제거 효과를 얻기 위해 이 액 제거부(81)는 빗형으로 형성되어 있고, 그 표면에는 현상액 노즐(6)의 이동 방향을 따라서 다수의 홈(오목부)(82)이 형성되어 있다. 그리고, 상술한 실시 형태와 마찬가지로 현상액 노즐(6)의 하단부가 근접하여, 액적(D)이 그 액 제거부(81)의 표면에 부착되면, 도 13의 (b)에 화살표로 나타낸 바와 같이 액적(D)이 모세관 현상에 의해 그 홈(82) 내에 진입한다. 또한, 홈(82) 내에 현상액을 많이 저류시킴으로써, 당해 액 제거부(81)의 교환의 빈도가 높아지는 것을 방지하기 때문에, 이 액 제거부(81)에 있어서 도 13의 (c)에 도시한 바와 같이 홈(82)의 하방측이 퍼지도록 구성되어 있어도 된다.As a liquid removal part, you may comprise, for example as shown in FIG. 13A, the external appearance, and FIG. 13B, the side surface. In order to obtain a high removal effect of the droplets, the liquid removing portion 81 is formed in a comb shape, and a plurality of grooves (concave portions) 82 are formed on the surface along the moving direction of the developer nozzle 6. And when the lower end part of the developing solution nozzle 6 is close and the liquid droplet D adheres to the surface of the liquid removal part 81 similarly to the above-mentioned embodiment, as shown by an arrow to FIG. 13 (b), a droplet (D) enters into the groove 82 by capillary action. In addition, since a large amount of developing solution is stored in the groove 82, the frequency of the replacement of the liquid removing unit 81 is prevented from increasing, so that the liquid removing unit 81 is shown in FIG. 13C. Similarly, the lower side of the groove 82 may be spread.

그런데, 이 예에서는 현상액 노즐(6)의 토출구(61)는 비스듬하게 개방되는 대신에, 수직 방향으로 개방되어 있어도 되지만, 배경 기술의 란에서 설명한 바와 같이, 경사 방향으로 개방된 현상액 노즐(6)을 사용한 경우의 쪽이 더미 디스펜스나 액의 흡인 등을 행하여도, 현상액 노즐로부터의 액적의 낙하를 방지하기 어려우므로, 상술한 액 제거부를 설치하는 것이 특히 유효해진다.By the way, in this example, the discharge port 61 of the developer nozzle 6 may be opened in the vertical direction instead of being opened obliquely, but as described in the column of the background art, the developer nozzle 6 opened in the inclined direction In this case, it is difficult to prevent the drop of the droplet from the developer nozzle even when the dummy dispense, the suction of the liquid, or the like is performed, so that the above-described liquid removing unit is particularly effective.

상기의 각 액 제거부를 구성하는 재료로서는 세라믹스에 한정되지 않지만, 액적(D)의 높은 제거 효과를 얻기 위해 친수성의 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 그 표면 상태를 거칠게 함으로써, 높은 현상액의 제거 효과를 얻을 수 있으므로 바람직하다. 또한, 각 액 제거부를 탄성재를 사용하여 구성해도 좋고, 이 경우에는 현상액 노즐(6)이 각 액 제거부와 접촉하여도, 이들 액 제거부 및 현상액 노즐의 파손을 방지할 수 있으므로, 현상액 노즐과 액 제거부의 간격의 조정에 시간이 드는 것을 억제할 수 있다.Although it is not limited to ceramics as a material which comprises each said liquid removal part, It is preferable to use a hydrophilic material in order to acquire the high removal effect of a droplet (D). Moreover, since the high developer removal effect can be obtained by making the surface state rough, it is preferable. Moreover, each liquid removal part may be comprised using an elastic material, In this case, even if the developing solution nozzle 6 contacts each liquid removal part, damage of these liquid removal parts and a developing solution nozzle can be prevented, and therefore, a developing solution nozzle It can suppress that time takes for adjustment of the space of a liquid removal part.

또한, 웨이퍼(W)에의 액적(D)의 낙하를 방지할 수 있으면 되므로, 액 제거부(7A, 7B)는 컵체(31a 내지 31c)의 개구부(30a 내지 30c)간에 설치되어 있으면 되고, 예를 들어 컵체(31a 내지 31c)의 상측의 경사부(32a 내지 32c) 상에 설치되어 있어도 된다.In addition, since the falling of the droplet D to the wafer W can be prevented, the liquid removal parts 7A and 7B should just be provided between the opening parts 30a-30c of the cup bodies 31a-31c, for example, For example, you may be provided on the inclined parts 32a-32c above the cup bodies 31a-31c.

또한, 상기의 예에서는 현상 처리부(21a 내지 21c)가 직선 방향으로 배열되고, 그 열의 연장선 상에 대기부(66)가 설치되어 있지만, 현상 처리부(21a 내지 21c) 및 대기부(66)가 주위 방향으로 배열되어 있고, 현상액 노즐(6)이 그 배열 방향으로 이동하고, 그 현상액 노즐(6)의 이동로의 하방측에 액 제거부(7A, 7B)가 설치되어도 된다. 현상 처리부 및 액 제거부의 수로서는 상술한 실시 형태에 한정되는 것은 아니다.Incidentally, in the above example, the developing units 21a to 21c are arranged in a linear direction, and the standby unit 66 is provided on the extension line of the row, but the developing units 21a to 21c and the standby unit 66 are surrounded by the surroundings. Direction, the developing solution nozzle 6 may move to the arrangement direction, and the liquid removal parts 7A and 7B may be provided below the movement path of the developing solution nozzle 6. The number of the developing processing unit and the liquid removing unit is not limited to the above-described embodiment.

또한, 액 제거부로서는 도 14의 (a), (b)에 도시한 구성으로 해도 된다. 이 액 제거부(9)는 베이스(91) 상에 측면시 삼각 형상의 액 수용부(92)를 구비하고 있다. 또한, 베이스(91) 상에는 경사 방향으로 순수 등의 세정액을 토출하는 세정액 노즐(93)이 설치되어 있다. 도면 중 참조 부호 94는 베이스(91)에 설치된 액 배출구이며, 도시하지 않은 액 배출로에 접속되어 있다. 이 액 제거부(9)는 예를 들어 액 수용부(7A 내지 7C) 대신에 각 컵체(31a 내지 31c)간 및 대기 영역(67)에 설치된다. 이 예에서는 현상 처리를 행하기 위한 현상액 노즐(90)은 경사 방향으로 원형으로 개방된 토출구(97)를 구비하고 있고, 베이스부(96)를 통하여 상술한 아암체(64)에 접속되고, 현상액 노즐(6)과 마찬가지로 승강 및 횡방향으로의 이동을 행할 수 있다.In addition, it is good also as a liquid removal part as a structure shown to FIG. 14 (a), (b). This liquid removal part 9 is provided with the liquid receiving part 92 of the triangular view at the side surface on the base 91. As shown in FIG. Moreover, on the base 91, the washing | cleaning liquid nozzle 93 which discharges washing liquid, such as pure water, in the diagonal direction is provided. In the figure, reference numeral 94 denotes a liquid discharge port provided in the base 91 and is connected to a liquid discharge path (not shown). This liquid removal part 9 is provided between each cup body 31a-31c and the standby area 67 instead of the liquid accommodation parts 7A-7C, for example. In this example, the developer nozzle 90 for developing is provided with a discharge port 97 opened in a circular direction in the oblique direction, and is connected to the above-described arm body 64 through the base part 96, and the developer solution. Similarly to the nozzle 6, the raising and lowering can be performed in the lateral direction.

예를 들어, 컵체(31a 내지 31c)간에 있어서 설치된 액 수용부(92)에 현상액 노즐(90)이 횡방향으로부터 이동하여 근접하면, 현상액의 액적(D)이 액 수용부(92)에 접촉하고, 액 수용부(92)를 타고 베이스(91)에 흘러 떨어진다. 또한 세정액 노즐(93)로부터 현상액 노즐(90)을 향하여 세정액이 토출되어, 그 세정액에 의해 액적(D)이 씻어 내어진다. 그리고 씻어 내어진 액은 노즐(90)의 하단부로부터 액 수용부(92)에 전해져, 그 베이스(91)로 흘러 떨어지고, 그 흘러 떨어진 액 배출은, 액 배출구(94)로부터 제거된다. 이 액 제거부(9)는, 액 제거부(7C) 대신에 대기 영역(67)에 설치해도 된다. 또한, 이 예에 있어서 세정액 노즐(93)을 설치하지 않고, 액 수용부(92)에 접촉한 액적을 당해 액 수용부(92)의 하방으로 전해지게 하는 것만으로 현상액 노즐(90)로부터의 액적의 제거를 행해도 된다.For example, when the developing solution nozzle 90 moves from the horizontal direction and approaches the liquid receiving part 92 provided between the cup bodies 31a-31c, the droplet D of the developing solution contacts the liquid receiving part 92, Then, the liquid container 92 flows down to the base 91. Further, the cleaning liquid is discharged from the cleaning liquid nozzle 93 toward the developing solution nozzle 90, and the droplet D is washed out by the cleaning liquid. The washed out liquid is transmitted from the lower end of the nozzle 90 to the liquid container 92, flows down to the base 91, and the discharged liquid is removed from the liquid discharge port 94. The liquid removing unit 9 may be provided in the standby region 67 instead of the liquid removing unit 7C. In addition, in this example, the liquid from the developer nozzle 90 is transferred to the lower portion of the liquid containing portion 92 by passing the droplets in contact with the liquid containing portion 92 without providing the cleaning liquid nozzle 93. You may remove an enemy.

세정액을 토출하는 노즐(93)로서는, 현상액 노즐(90)에 대한 높은 세정 효과를 얻어서 액적(D)의 제거 효과를 높이기 위해, 예를 들어 세정액의 액체와 기체를 혼합하여 세정액의 안개를 발생시켜 그 안개를 분무하는 소위 2 유체 노즐을 사용해도 된다. 또한, 그와 같이 제거 효과를 높이는 목적을 위해 예를 들어 1㎒ 정도의 초음파를 가한 세정액을 토출하는, 소위 메가소닉 노즐을 사용해도 된다. 또한, 현상액 노즐(90) 대신에 상술한 현상액 노즐(6)에 대하여 이 액 제거부(9)를 사용해도 된다.As the nozzle 93 for discharging the cleaning liquid, in order to obtain a high cleaning effect on the developer nozzle 90 and to enhance the removal effect of the droplet D, for example, a liquid of the cleaning liquid and a gas are mixed to generate a mist of the cleaning liquid. You may use what is called a 2 fluid nozzle which sprays the mist. Moreover, you may use what is called megasonic nozzle which discharges the washing | cleaning liquid which applied the ultrasonic wave of 1 degree, for example for the purpose of heightening a removal effect. In addition, you may use this liquid removal part 9 with respect to the developing solution nozzle 6 mentioned above instead of the developing solution nozzle 90.

액 제거부의 또 다른 예인 액 제거부(101)와, 이 액 제거부(101)가 설치된 대기부(66)의 구성에 대해서, 그 사시도인 도 15와 종단 측면도인 도 16을 참조하면서 설명한다. 액 제거부(101)는, 도 14의 액 제거부(9)와 마찬가지로 현상액 노즐을 세정하는 기구를 구비하고 있다. 액 제거부(101)는 측면시 산형으로 형성된 산형부(102)와, 편평한 방형상으로 형성된 액 배출부(103)를 구비하고 있다. 현상액 노즐(6)을 지지하는 아암체(64)의 선단부측을 전방측, 기단부측을 후방측으로 하면, 액 배출부(103)는 산형부(102)의 후방측에 위치하고 있다.The structure of the liquid removal part 101 which is another example of the liquid removal part, and the standby part 66 provided with this liquid removal part 101 is demonstrated, referring FIG. 15 which is its perspective view and FIG. 16 which is a longitudinal side view. . The liquid removing unit 101 is provided with a mechanism for cleaning the developer nozzle similarly to the liquid removing unit 9 in FIG. 14. The liquid removal part 101 is provided with the mountain part 102 formed in the side view shape, and the liquid discharge part 103 formed in the flat square shape. When the front end side and the proximal end side of the arm body 64 supporting the developing solution nozzle 6 are the rear side, the liquid discharge part 103 is located at the rear side of the ridge 102.

산형부(102)는, 전방측으로부터 후방측을 향하여 오르는 경사면(104)과, 후방측으로부터 전방측을 향하여 오르는 경사면(105)을 구비하고 있다. 또한 산형부(102)는 경사면(104, 105)에 각각 연속해서 형성된 수직면(106)을 구비하고, 수직면(106)과 경사면(105)은 산형부(102)의 정상부(107)를 구성하고 있다. 정상부(107)와, 경사면(105)은 현상액 노즐(6)로부터 액적을 제거하기 쉽도록, 상술한 액 제거부(7A 내지 7C)와 마찬가지로 친수성이 높은 부재에 의해 구성된다. 현상액 노즐(6)로부터 떨어지는 액적은, 그 크기가 1㎜ 이하의 경우는 현상액 노즐(6)로부터 낙하하기 어렵기 때문에, 대기부(66)에서 대기하는 현상액 노즐(6)의 하단부와, 상기 정상부(107)의 간격 h3은, 예를 들어 2㎜로 설정된다. 또한, 도 16 중 θ로 나타낸 수직면(106)과 경사면(105)이 이루는 각도는, 중력에 의해 현상액 노즐(6)로부터 부착된 액적을 효율적으로 하방으로 낙하시키는 각도, 예를 들어 45도로 구성된다. 후술하는 바와 같이 대기 중의 현상액 노즐(6)로부터 현상액을 토출하는 경우가 있고, 이 때 토출된 현상액이 산형부(102)에 충돌하여 비산하지 않도록, 당해 산형부(102)는 상기 현상액 노즐(6)의 토출구(61)의 토출 방향을 향하는 투영 영역으로부터 벗어나도록 형성되어 있다.The mountainous part 102 is provided with the inclined surface 104 which rises toward the back side from the front side, and the inclined surface 105 which rises toward the front side from the rear side. In addition, the ridge 102 has a vertical surface 106 continuously formed on the inclined surfaces 104 and 105, respectively, and the vertical surface 106 and the inclined surface 105 constitute the top portion 107 of the ridge 102. . The top portion 107 and the inclined surface 105 are made of a high hydrophilic member similarly to the liquid removing portions 7A to 7C described above so that the liquid droplets can be easily removed from the developer nozzle 6. Since the droplets falling from the developer nozzle 6 are hard to fall from the developer nozzle 6 when the size is 1 mm or less, the lower end part of the developer nozzle 6 waiting in the standby part 66 and the top part. The interval h3 of 107 is set to 2 mm, for example. Incidentally, the angle formed by the vertical plane 106 and the inclined plane 105 indicated by θ in FIG. 16 is an angle at which the droplet attached from the developer nozzle 6 is efficiently dropped downward by gravity, for example, 45 degrees. . As described later, the developer may be discharged from the developing developer nozzle 6 in the air, and the developer 102 may be discharged from the developer 102 so that the discharged developer does not collide with the scattering portion 102 and scatter. It is formed so as to deviate from the projection area | region which faces the discharge direction of the discharge port 61 of (circle).

도 17은 산형부(102)의 정면도이며, 도면 중 E1로 나타낸 산형부(102)의 폭은 예를 들어 45㎜이다. 또한, 현상액 노즐(6)의 폭 E2는, 예를 들어 15㎜이다. 이 도 17에 도시한 바와 같이, 상기 경사면(104)에는, 현상액 노즐(6)의 폭 방향을 따라서 복수의 세정액 토출 구멍(108)이 형성되어 있다. 세정액 토출 구멍(108)은, 산형부(102) 내에 형성된 세정액의 유로(109)에 접속되어 있고, 상방의 현상액 노즐(6)을 향하여 세정액, 예를 들어 순수를 공급한다. 유로(109) 및 세정액 토출 구멍(108)은, 세정액 공급 수단을 구성한다. 도 15 및 도 16으로 복귀하여, 액 배출부(103)는, 상기 경사면(105)의 하단부로부터 횡방향을 향하여 신장되는 상면(111)을 구비하고, 상면(111)에는 경사면(105)을 타고 낙하한 액적을 제거하는 액 배출구(112)가 개방되어 있다.FIG. 17: is a front view of the mountain part 102, The width | variety of the mountain part 102 shown by E1 in the figure is 45 mm, for example. In addition, the width E2 of the developing solution nozzle 6 is 15 mm, for example. As shown in FIG. 17, a plurality of cleaning solution discharge holes 108 are formed in the inclined surface 104 along the width direction of the developing solution nozzle 6. The cleaning liquid discharge hole 108 is connected to the cleaning liquid flow path 109 formed in the ridge 102, and supplies the cleaning liquid, for example, pure water, toward the upper developer liquid nozzle 6. The flow path 109 and the cleaning liquid discharge hole 108 constitute a cleaning liquid supplying means. Returning to FIG. 15 and FIG. 16, the liquid discharge part 103 has an upper surface 111 extending in the transverse direction from the lower end of the inclined surface 105, and the upper surface 111 is mounted on the inclined surface 105. The liquid discharge port 112 for removing the dropped droplets is open.

대기부(66) 내의 대기 영역(67)에 대해서, 더욱 설명한다. 상기 액 제거부(101)의 전방측에는 편평한 방형상의 액 배출부(113)가 설치되어 있고, 액 배출부(113)의 상면은, 상기 경사면(104)의 하단부보다도 낮게 형성되어 있다. 이 상면에는 액 배출구(114)가 개방되어 있고, 현상액 노즐(6)로부터 토출된 현상액을 배출한다. 도면 중 참조 부호 110은, 이 액 배출구(114)에 접속되는 액 배출로이다.The standby area 67 in the standby part 66 is further demonstrated. The flat liquid discharge part 113 is provided in the front side of the said liquid removal part 101, and the upper surface of the liquid discharge part 113 is formed lower than the lower end part of the said inclined surface 104. As shown in FIG. The liquid discharge port 114 is opened on this upper surface, and the developer discharged from the developer nozzle 6 is discharged. In the figure, reference numeral 110 denotes a liquid discharge passage connected to the liquid discharge port 114.

액 제거부(101)의 측방에는 유로 형성부(115)가 설치되어 있다. 유로 형성부(115) 내에 형성된 유로(116)는, 산형부(102)의 상기 유로(109)에 접속되어 있고, 당해 유로(109)에 세정액으로서 순수를 공급한다. 유로(116)의 상류측은 도시하지 않은 순수 공급원에 접속되어 있고, 제어부(100)에 의해 상기 순수 공급원(5B)으로부터 유로(116)에의 순수의 급단이 제어된다. 또한, 대기부(66)의 저면에는 배기구(117)가 개방되어 있다. 이 배기구(117)는, 더미 디스펜스나 현상액 노즐(6)의 세정을 행하는 동안, 대기 영역(67)을 배기한다. 그것에 의해서 발생한 미스트를 제거하고, 당해 미스트가 현상액 노즐(6)에 부착되는 것을 방지하는 역할을 갖는다.The flow path forming part 115 is provided on the side of the liquid removing part 101. The flow path 116 formed in the flow path formation part 115 is connected to the said flow path 109 of the mountain-shaped part 102, and supplies pure water to the said flow path 109 as a washing | cleaning liquid. The upstream side of the flow path 116 is connected to a pure water supply source (not shown), and the supply / discharge of pure water from the pure water supply source 5B to the flow path 116 is controlled by the control unit 100. In addition, the exhaust port 117 is opened in the bottom surface of the standby part 66. The exhaust port 117 exhausts the standby region 67 while the dummy dispense and the developer nozzle 6 are cleaned. The mist generated thereby is removed, and the mist is prevented from adhering to the developer nozzle 6.

상기 더미 디스펜스는, 현상액의 유로에서의 막힘을 방지하거나, 열화된 현상액이 웨이퍼(W)에 공급되는 것을 방지하는 등의 목적으로, 현상액 노즐(6)로부터 웨이퍼(W) 이외의 장소에 현상액을 토출하는 처리이다. 정기적으로 행하거나, 로트의 전환시에, 후속의 로트의 선두의 웨이퍼(W)를 처리하기 전에 행한다.The dummy dispensing agent is used to place the developer in a place other than the wafer W from the developer nozzle 6 for the purpose of preventing clogging in the flow path of the developer or preventing the deteriorated developer from being supplied to the wafer W. It is a process of discharging. It is performed regularly or at the time of switching of lots, before processing the wafer W of the head of a subsequent lot.

도 18에는 더미 디스펜스 실행시의 모습을 도시하고 있다. 상술한 바와 같이 현상액 노즐(6)로부터 토출된 현상액(L)은, 산형부(102)에는 간섭하지 않고 액 배출부(113)를 향하여 토출되고, 대기 영역(67)에서의 현상액의 비산이 억제되게 되어 있다. 현상액(L)의 토출 정지 후, 현상액 노즐(6)로부터 떨어진 현상액의 액적(D)은, 산형부(102)의 정상부(107)에 부착되고(도 19), 경사면(104, 105)을 타고, 액 배출구(112, 114)에 유입하여 액 배출된다(도 20).FIG. 18 shows the dummy dispensing process. As described above, the developing solution L discharged from the developing solution nozzle 6 is discharged toward the liquid discharge part 113 without interfering with the ridge 102, and scattering of the developing solution in the atmospheric region 67 is suppressed. It is supposed to be. After the discharge of the developing solution L is stopped, the droplet D of the developing solution away from the developing solution nozzle 6 is attached to the top portion 107 of the ridge 102 (FIG. 19), and rides the inclined surfaces 104 and 105. , The liquid flows into the liquid outlets 112 and 114 and is discharged (FIG. 20).

계속해서, 현상액 노즐(6)의 세정이 행해지는 공정에 대해서 설명한다. 세정액 토출 구멍(108)으로부터 현상액 노즐(6)을 향하여 순수(A)가 공급된다. 순수(A)는, 현상액이 건조됨으로써 현상액 노즐(6)의 토출구(61) 및 그 주위에 부착된 석출물을 씻어 내고, 경사면(104, 105)을 타고 액 배출구(112, 114)로부터 제거된다(도 21). 소정의 시간 경과 후에 순수(A)의 공급이 정지되어, 세정 처리가 종료된다. 세정 처리 종료 후, 현상액 노즐(6)로부터 떨어지는 순수(A)의 액적은, 현상액의 액적(D)과 마찬가지로 산형부(102)의 정상부(107)에 부착되고(도 22), 경사면(104, 105)을 타고, 현상액 노즐(6)로부터 제거된다(도 23).Subsequently, a process in which the developer nozzle 6 is cleaned will be described. Pure water A is supplied from the cleaning liquid discharge hole 108 toward the developer nozzle 6. The pure water A is washed out of the discharge port 61 of the developer nozzle 6 and the precipitate attached to the periphery thereof by drying the developer, and is removed from the liquid discharge ports 112 and 114 on the inclined surfaces 104 and 105 ( Figure 21). After a predetermined time elapses, the supply of pure water A is stopped, and the washing process is finished. After completion of the cleaning process, the droplets of pure water A falling from the developer nozzle 6 adhere to the top 107 of the ridge 102 similarly to the droplets D of the developer (FIG. 22), and the inclined surface 104. 105 is removed from the developer nozzle 6 (FIG. 23).

이와 같은 세정 처리는, 더미 디스펜스 마찬가지로 정기적으로 행해도 되고, 웨이퍼(W)의 로트의 전환시에 행해도 된다. 또한, 예를 들어 상기 더미 디스펜스 종료 후에 행해도 된다. 이와 같이 현상액의 석출물 및 현상액 노즐(6)의 세정에 사용한 세정액이 당해 현상액 노즐(6)로부터 제거됨으로써, 현상액 노즐(6)이 컵체(31a 내지 31c) 상을 통과할 때에, 상기 석출물이 웨이퍼(W)에 낙하하여 현상 결함이 발생되는 것이나, 세정액의 방울이 현상 장치(2)에서 처리 중 또는 처리 후 반출 전의 웨이퍼(W)에 낙하하여 워터 마크가 형성되게 되는 것을 방지할 수 있다. 배경 기술의 항목에서 설명한 바와 같이 현상액 노즐(6)은, 토출구(61)가 비스듬히 형성되어 있기 때문에 흡인 기구 등을 설치하여도 액적의 제거가 어려우므로, 이와 같이 액 제거부를 설치하는 것이 유효하다. 또한, 이 예에서는 현상액 노즐(6)을 세정하는 기구가 액 제거부에 일체적으로 설치되어 있으므로, 대기부(66)의 대형화를 방지하여, 장치의 설치 면적을 억제할 수 있다. 그런데, 상기 현상액의 석출물은 빠르게 순수로 용해하는 것이 확인되어 있다. 따라서, 미스트의 발생이 억제되는 낮은 수압으로 세정액을 현상액 노즐(6)에 공급하는 것이 득책이다.Such a cleaning process may be performed regularly similarly to a dummy dispense, or may be performed at the time of switching of the lot of the wafer W. FIG. For example, you may carry out after completion | finish of the said dummy dispense. In this way, the precipitates of the developer and the cleaning solution used for cleaning the developer nozzle 6 are removed from the developer nozzle 6, so that when the developer nozzle 6 passes over the cups 31a to 31c, the precipitates are wafers. It can be prevented that a drop of the cleaning liquid is generated due to a drop in the W), and that a drop of the cleaning liquid falls in the developing device 2 onto the wafer W before being taken out during or after the processing. As described in the section of the background art, since the discharge port 61 is formed at an angle, the developer nozzle 6 is difficult to remove the droplets even when a suction mechanism or the like is provided. In addition, in this example, since the mechanism for cleaning the developer nozzle 6 is provided integrally with the liquid removing unit, the enlargement of the standby unit 66 can be prevented, and the installation area of the apparatus can be suppressed. By the way, it is confirmed that the precipitate of the said developing solution melt | dissolves into pure water quickly. Therefore, it is advantageous to supply the cleaning solution to the developer nozzle 6 at a low water pressure where generation of mist is suppressed.

액 제거부 및 유로 형성부의 다른 예에 대해서, 그 사시도 및 측면도를 참조하면서 상술한 액 제거부(101) 및 유로 형성부(115)의 차이점을 중심으로 설명한다. 도 24 및 도 25에 도시한 액 제거부(121)는, 상기 액 제거부(101)와 마찬가지의 형상으로 구성되어 있지만, 세정액 토출 구멍(108)을 구비하지 않고 있다. 그리고, 도면 중의 유로 형성부(122)는, 대기하는 현상액 노즐(6)의 전방측에서 수평 방향으로 신장하는 아암(123)을 구비한다. 이 아암(123)에는, 당해 아암(123)이 신장되는 방향을 따라서 세정액의 유로(124)가 형성되어 있다. 아암(123)에는, 상기 현상액 노즐(6)에 면하도록, 당해 아암(123)의 신장 방향으로 신장한 슬릿(125)이 개방되어 있고, 상기 유로(124)로부터 슬릿(125)에 순수가 공급되고, 당해 순수가 현상액 노즐(6)의 토출구(61)에 공급된다.Other examples of the liquid removing unit and the flow channel forming unit will be described based on the difference between the liquid removing unit 101 and the channel forming unit 115 described above with reference to the perspective view and the side view thereof. Although the liquid removal part 121 shown in FIG. 24 and FIG. 25 is comprised in the same shape as the said liquid removal part 101, it does not have the cleaning liquid discharge hole 108. FIG. And the flow path formation part 122 in the figure is provided with the arm 123 extended in the horizontal direction from the front side of the developing solution nozzle 6 to wait. The arm 123 is provided with a flow path 124 of the cleaning liquid along the direction in which the arm 123 extends. In the arm 123, the slit 125 extending in the extending direction of the arm 123 is opened to face the developer nozzle 6, and pure water is supplied from the flow path 124 to the slit 125. The pure water is supplied to the discharge port 61 of the developer nozzle 6.

도 26 및 도 27에 도시한 예에서는 상기 액 제거부(121)가 설치되어 있다. 이들의 도면에 도시한 유로 형성부(126)는, 그 측방에 순수의 유로(116)에 연통한 토출구(127)를 구비하고 있다. 이 토출구(127)로부터 현상액 노즐(6)의 하단부에 세정액을 토출하고, 상기 석출물을 씻어낸다. 도 28 및 도 29에서는 액 제거부(131)와 유로 형성부(115)를 도시하고 있다. 액 제거부(131)는, 액 제거부(101)와 마찬가지로 대략 마찬가지로 형성되어 있지만, 세정액 토출 구멍(108) 대신에 현상액 노즐(6)의 폭 방향으로 퍼지는 슬릿(132)이 형성되어 있다. 슬릿(132)으로부터 공급된 순수는, 세정액 토출 구멍(108)으로부터 공급되는 순수와 마찬가지로 현상액 노즐(6)의 토출구(61)에 공급된다.In the example shown in FIG. 26 and FIG. 27, the said liquid removal part 121 is provided. The flow path forming part 126 shown in these figures is provided with the discharge port 127 which communicated with the pure water flow path 116 in the side. The cleaning solution is discharged from the discharge port 127 to the lower end of the developer nozzle 6, and the precipitate is washed out. 28 and 29 illustrate the liquid removing unit 131 and the flow path forming unit 115. The liquid removing unit 131 is formed in substantially the same manner as the liquid removing unit 101, but instead of the cleaning liquid discharge hole 108, a slit 132 that spreads in the width direction of the developer nozzle 6 is formed. The pure water supplied from the slit 132 is supplied to the discharge port 61 of the developer nozzle 6 similarly to the pure water supplied from the cleaning liquid discharge hole 108.

계속해서, 액 제거부(141)에 대해서 각각 그 사시도, 측면도, 정면도인 도 30, 도 31, 도 32를 참조하면서 설명한다. 액 제거부(141)는 그 내부에 유로 형성부(115)의 유로(116)에 연통하는 유로(142)를 구비하고 있고, 당해 유로(142)는 횡방향으로 형성되어 있다. 이 유로(142)로부터 상방측을 향하는 유로(143)가, 좌우로 간격을 두고 복수 형성되어 있다. 각 유로(143)의 하류측은, 액 제거부(141) 내를 후방측을 향한 후, 상방측에 굴곡되도록 형성된 유로(144)에 접속되어 있다. 그리고, 유로(144)의 하류 단부는, 액 제거부(141)의 경사면(104)에 좌우로 퍼지도록 개방된 슬릿(145)에 접속되어 있다. 이와 같이 굴곡된 유로(144)를 통하여 세정액을 현상액 노즐(6)에 공급함으로써, 현상액 노즐(6)에 공급되는 순수의 토출압을 억제하고, 순수의 비산을 방지하여, 미스트의 발생을 억제할 수 있다.Subsequently, the liquid removing unit 141 will be described with reference to FIGS. 30, 31, and 32 that are a perspective view, a side view, and a front view, respectively. The liquid removal part 141 has a flow path 142 communicating with the flow path 116 of the flow path forming part 115 therein, and the flow path 142 is formed in the transverse direction. A plurality of flow passages 143 facing upward from this flow passage 142 are formed at intervals from side to side. The downstream side of each flow path 143 is connected to the flow path 144 formed so as to be bent upward after the inside of the liquid removal part 141 toward the back side. And the downstream end of the flow path 144 is connected to the slit 145 opened so that it may spread left and right by the inclined surface 104 of the liquid removal part 141. FIG. By supplying the cleaning solution to the developer nozzle 6 through the curved flow path 144 in this way, the discharge pressure of the pure water supplied to the developer nozzle 6 can be suppressed, the scattering of the pure water can be prevented, and the generation of mist can be suppressed. Can be.

도 33에는 아암체(64)에 현상액 노즐(6) 및 린스 노즐(151)을 설치한 예를 나타내고 있다. 이 린스 노즐(151)은, 상술한 순수 노즐(41a 내지 41c) 대신에 사용되고, 예를 들어 계면 활성제를 포함한 처리액을 웨이퍼(W)에 공급하여, 웨이퍼(W)로부터 현상액을 씻어낸다. 도 33에 도시한 액 제거부(153)는, 액 제거부(101)와 마찬가지로 현상액 노즐(6)을 세정하는 것 외에, 린스 노즐(151)에 부착된 상기 처리액으로부터의 석출물을 세정하여 제거하는 기능을 갖는다. 액 제거부(101)와의 차이점으로서, 액 제거부(153)는, 산형부(102)의 전방측에 기립한 원통부(154)가 설치되어 있다.33 shows an example in which the developer nozzle 6 and the rinse nozzle 151 are provided in the arm body 64. The rinse nozzle 151 is used in place of the pure water nozzles 41a to 41c described above, and for example, a processing liquid containing a surfactant is supplied to the wafer W to wash the developer from the wafer W. The liquid removing unit 153 shown in FIG. 33 not only cleans the developer nozzle 6 in the same manner as the liquid removing unit 101 but also cleans and removes precipitates from the processing liquid attached to the rinse nozzle 151. Has the function to As a difference from the liquid removing unit 101, the liquid removing unit 153 is provided with a cylindrical portion 154 standing up on the front side of the mountain forming unit 102.

　도 34에는 액 제거부(153)의 상면을 도시하고 있다. 원통부(154)의 상단부는 외측이 내측에 대하여 하강하는 경사면(155)으로서 형성되어 있고, 상측을 향하여 링 형상의 슬릿(156)이 개방되어 있다. 슬릿(156)은 원통부(154)의 길이 방향으로 형성된 순수의 유로(157)에 접속되어 있다. 원통부(154) 내는 액 배출구(158)로서 구성되어 있다.34 shows the upper surface of the liquid removing unit 153. The upper end of the cylindrical portion 154 is formed as an inclined surface 155 whose outer side descends with respect to the inner side, and the ring-shaped slit 156 is opened toward the upper side. The slit 156 is connected to the pure water flow path 157 formed in the longitudinal direction of the cylindrical portion 154. The inside of the cylindrical part 154 is comprised as the liquid discharge port 158.

현상액 노즐(6)이 대기하고 있을 때에, 이 린스 노즐(151)이 원통부(154) 상에 위치하고, 린스 노즐(151)의 세정이 행해진다. 도 35의 (a)는 이 세정시의 모습을 도시하고 있고, 슬릿(156)으로부터 공급된 순수(A)는, 린스 노즐(151)의 토출구 및 그 주위에 부착된 처리액의 석출물을 씻어낸 후, 중력에 의해 경사면(155)을 하방으로 타고, 액 배출구(158)에 유입하여 제거된다. 순수(A)의 토출 정지 후는, 도 35의 (b)에 도시한 바와 같이 이 린스 노즐(151)의 토출구(150)로부터 처리액이 토출되어, 더미 디스펜스가 행해진다. 토출구(150)는 수직으로 개방되어 있기 때문에, 토출구(150) 및 그 주위의 순수(A)는 토출된 처리액(F)에 흘러가게 되어 제거된다. 또한, 린스 노즐은, 아암체(64)에 복수 설치되어도 되고, 그 수에 따라서 원통부(154)가 설치된다.When the developing solution nozzle 6 is waiting, this rinse nozzle 151 is located on the cylindrical part 154, and the rinse nozzle 151 is wash | cleaned. FIG. 35A shows the state at the time of cleaning, and the pure water A supplied from the slit 156 washes out the discharge port of the rinse nozzle 151 and the precipitate of the treatment liquid adhered to the periphery thereof. Thereafter, the inclined surface 155 is driven downward by gravity, and flows into and is removed from the liquid discharge port 158. After discharge of pure water A is stopped, as shown in FIG.35 (b), a process liquid is discharged from the discharge port 150 of this rinse nozzle 151, and dummy dispensing is performed. Since the discharge port 150 is opened vertically, the discharge port 150 and the pure water A around it flow in the discharged processing liquid F and are removed. In addition, the rinse nozzle may be provided in multiple numbers in the arm body 64, and the cylindrical part 154 is provided according to the number.

또한, 액 제거부와, 현상액 노즐(6)의 세정을 행하는 세정부를 다른 개소에 설치해도 된다. 도 36은, 그와 같이 세정부(161)와 액 제거부(162)를 설치한 대기부(66)를 도시하고 있고, 세정부(161)와, 액 제거부(162)가 현상액 노즐(6)의 폭 방향으로 설치되어 있다. 도 37에는 세정부(161)의 종단 측면도를 도시하고 있다. 세정부(161)는 각 기둥 형상으로 구성되어 있다. 도면 중 참조 부호 E3으로 나타내는 세정부(161)의 폭은 예를 들어 30㎜이다. 세정부(161)의 상면은 전방측의 액 배출부(113)를 향하여 내리는 경사면(163)으로서 구성되어 있고, 토출한 액을 당해 액 배출부(113)에 액 배출할 수 있게, 후방측일수록 그 높이가 높게 형성되어 있다. 경사면(163)에는 전후 방향으로 간격을 두고 순수의 토출구(164, 165, 166)를 구비하고 있다. 도 37 중의 화살표는 순수의 토출 방향을 도시하고 있고, 토출구(165)는 상방향으로, 토출구(164, 166)는 현상액 노즐(6)을 향하여 경사 방향으로 현상액을 토출하도록 각각 개방되어 있다. 세정시에 현상액 노즐(6)의 하단부의 바로 아래에 위치하는 토출구(165)는, 현상액 노즐(6)의 하단부 전체에 순수를 공급할 수 있도록, 토출구(164, 166)보다도 크게 형성되어 있다.In addition, you may provide a liquid removal part and the washing | cleaning part which wash | cleans the developing solution nozzle 6 in another place. FIG. 36 shows the standby section 66 provided with the cleaning section 161 and the liquid removing section 162 as described above, and the cleaning section 161 and the liquid removing section 162 are the developer solution nozzles 6. ) Is installed in the width direction. 37 shows a longitudinal side view of the cleaning unit 161. The washing | cleaning part 161 is comprised in each columnar shape. In the figure, the width | variety of the washing | cleaning part 161 shown with the reference numeral E3 is 30 mm, for example. The upper surface of the cleaning portion 161 is configured as an inclined surface 163 falling toward the liquid discharge portion 113 on the front side, so that the liquid discharged to the liquid discharge portion 113 can be discharged to the rear side. Its height is formed high. The inclined surface 163 is provided with discharge ports 164, 165, and 166 of pure water at intervals in the front-rear direction. The arrow in FIG. 37 shows the discharge direction of pure water, and the discharge ports 165 are open to discharge the developer in the upward direction, and the discharge ports 164 and 166 are discharged in the inclined direction toward the developer nozzle 6. The discharge port 165 located immediately below the lower end of the developer nozzle 6 at the time of cleaning is formed larger than the discharge ports 164 and 166 so that pure water can be supplied to the entire lower end of the developer nozzle 6.

액 제거부(162)는, 산형부(171)를 구비하고 있고, 도 36 중 참조 부호 E4로 나타낸 당해 산형부(171)의 폭은 예를 들어 30㎜이다. 산형부(171)는, 액적을 전방측의 액 배출부(113), 후방측의 액 배출부(103)에 가이드할 수 있도록 경사면(172, 173)을 구비하고 있다(도 38 참조). 산형부(171)의 전후 상방에는, 가스 공급 노즐(174, 175)이 설치되어 있고, 이들 가스 공급 노즐(174, 175)은 토출구(176)를 구비하고 있다.The liquid removal part 162 is equipped with the mountain part 171, The width | variety of the said mountain part 171 shown with the reference numeral E4 in FIG. 36 is 30 mm, for example. The ridge 171 is provided with inclined surfaces 172 and 173 so as to guide the droplets to the liquid discharge part 113 on the front side and the liquid discharge part 103 on the rear side (see FIG. 38). Gas supply nozzles 174 and 175 are provided in front and rear of the mountain-shaped part 171, and these gas supply nozzles 174 and 175 are provided with the discharge port 176. As shown in FIG.

현상 처리를 종료하고, 대기부(66)에 현상액 노즐(6)이 복귀되면, 현상액 노즐(6)은 세정부(161)의 상방에 위치하고, 세정부(161)로부터 순수가 공급되어, 현상액 노즐(6)이 세정된다. 순수의 공급 정지 후, 현상액 노즐(6)은 횡방향으로 이동하고, 산형부(171)의 상방에 위치하면 정지한다. 그 후, 도 38에 도시한 바와 같이 가스 공급 노즐(174, 175)로부터 경사 하방을 향하여, 에어가 토출된다. 토출된 에어는 현상액 노즐(6)에 맞닿아, 현상액 노즐(6)을 하방으로 향하는 기류가 형성되고, 현상액 노즐(6)에 부착된 순수(A)의 액적은 이 기류에 흘려져 현상액 노즐(6)의 하단부로 전해진다. 그리고, 산형부(171)에 부착되고, 당해 산형부(171)의 경사면(172, 173)으로부터 액 배출부(113, 103)에 흘러서 제거된다. 그 후, 에어의 토출이 정지된다.When the developing process is finished and the developing solution nozzle 6 returns to the standby part 66, the developing solution nozzle 6 is located above the cleaning part 161, pure water is supplied from the cleaning part 161, and the developing solution nozzle (6) is washed. After stopping the supply of pure water, the developer nozzle 6 moves in the lateral direction and stops when positioned above the ridge portion 171. Thereafter, as shown in FIG. 38, the air is discharged downward from the gas supply nozzles 174 and 175 downwardly. The discharged air is brought into contact with the developer nozzle 6 to form an air stream facing the developer nozzle 6 downward, and droplets of pure water A attached to the developer nozzle 6 flow into the air stream to develop the developer nozzle ( It is transmitted to the lower part of 6). It is attached to the ridge portion 171 and flows out from the inclined surfaces 172 and 173 of the ridge portion 171 to the liquid discharge portions 113 and 103. Thereafter, the discharge of air is stopped.

이와 같이 대기부(66)를 구성하여 처리를 행해도, 액 제거부(101)를 설치하는 경우와 마찬가지의 효과가 얻어진다. 또한, 상기와 같이 제1 가스 공급부인 가스 공급 노즐(174, 175)을 설치함으로써, 보다 확실하게 현상액 노즐(6)에 부착된 순수를 제거할 수 있으므로, 당해 순수가 웨이퍼(W)에 낙하하여, 워터 마크가 형성되는 것을 억제할 수 있다. 이 예에서 더미 디스펜스를 행하는 경우는, 현상액 노즐(6)은, 현상액의 토출을 방해할 수 없도록 산형부(171)의 상방에 위치한다. 산형부(171)는 상술한 예와 마찬가지로, 토출구(61)의 투영 영역으로부터 벗어나도록 형성된다.In this way, even when the atmospheric portion 66 is configured and processed, the same effects as in the case of providing the liquid removing portion 101 can be obtained. In addition, by providing the gas supply nozzles 174 and 175 which are the 1st gas supply part as mentioned above, since the pure water adhering to the developing solution nozzle 6 can be removed more reliably, the said pure water falls to the wafer W, The formation of the watermark can be suppressed. In this example, in the case of performing the dummy dispense, the developer nozzle 6 is located above the ridge portion 171 so that the discharge of the developer cannot be prevented. The ridge portion 171 is formed to deviate from the projection area of the discharge port 61 as in the above-described example.

도 39에 도시한 바와 같이 세정부(161)의 전후 상방에 제2 가스 공급부인 가스 공급 노즐(177, 178)을 설치하여, 현상액 노즐(6)의 세정 중에 각 가스 공급 노즐(177, 178)로부터 경사 하방에 에어를 토출해도 된다. 상기 에어가 현상액 노즐(6)의 하단부를 향함으로써, 각 토출구(164 내지 166)로부터 토출된 순수의 현상액 노즐(6)에의 충돌력이 억제되어, 당해 순수로부터 미스트가 발생하는 것을 억제할 수 있다.As shown in FIG. 39, the gas supply nozzles 177 and 178 which are 2nd gas supply parts are provided in front and back of the washing | cleaning part 161, and each gas supply nozzle 177 and 178 is wash | cleaned during the cleaning of the developing solution nozzle 6. As shown in FIG. You may discharge air from the inclination downward. When the air is directed to the lower end of the developer nozzle 6, the impact force of the pure water discharged from the respective discharge ports 164 to 166 to the developer nozzle 6 can be suppressed, and generation of mist from the pure water can be suppressed. .

상기의 세정액 공급 수단을 구비한 액 제거부 및 세정액 공급 수단과 함께 설치되는 액 제거부는, 현상액 노즐(6)의 대기부(66)에 설치되는 것에 한정되지 않고, 상술한 액 제거부(7A, 7B)와 마찬가지로 컵체(31a 내지 31c)의 사이에 설치할 수 있다. 또한, 상기 액 제거부의 구조나 재질로서는, 상술한 빗살 구조나 세라믹스 등의 각 구조, 각 재질을 적용할 수 있다. 또한, 복수의 현상 처리부(21a 내지 21c)를 구비한 현상 장치(2)에 대해서 설명하였지만, 현상 처리부가 1개만 설치되도록 구성한 경우도, 대기부에서 상기 석출물이나 세정액이 제거됨으로써, 이들이 웨이퍼(W)에 낙하하는 것을 방지할 수 있기 때문에, 본 발명을 적용하는 것이 유효하다.The liquid removing unit provided with the cleaning liquid supplying means and the liquid removing unit provided with the cleaning liquid supplying means are not limited to those provided in the atmospheric portion 66 of the developing solution nozzle 6, and the liquid removing portions 7A, Like 7B), it can provide between cup bodies 31a-31c. Moreover, as a structure and a material of the said liquid removal part, each structure and each material, such as a comb-tooth structure and ceramics, mentioned above can be applied. In addition, although the developing apparatus 2 including the plurality of developing units 21a to 21c has been described, even in the case where only one developing unit is provided, the precipitates and the cleaning liquid are removed from the standby unit, whereby the wafers W It is effective to apply the present invention, because it can be prevented from falling on the back side.

본 발명의 현상 장치에의 적용예에 대해서 설명해 왔지만, 예를 들어 레지스트 도포 장치 등의 다른 액 처리 장치에도 본 발명을 적용할 수 있다. 이 경우, 처리액 노즐로부터의 처리액이, 당해 처리액에 의한 처리 전 및 처리 후의 기판에 낙하하는 것을 방지하여, 파티클이 발생되거나, 기판의 처리의 면내 균일성이 저하되거나 하는 것을 방지할 수 있다. 그 결과적으로 수율의 저하를 방지할 수 있다.Although the application example to the developing apparatus of this invention was demonstrated, this invention can be applied also to other liquid processing apparatuses, such as a resist coating apparatus. In this case, the processing liquid from the processing liquid nozzle can be prevented from falling onto the substrate before and after the processing by the processing liquid, so that particles can be prevented or the in-plane uniformity of the processing of the substrate is lowered. have. As a result, the fall of a yield can be prevented.

이하, 상기의 현상 장치(2)가 내장된 도포, 현상 장치(201)에 대해서 설명한다. 도 40은 도포, 현상 장치(201)에 노광 장치(C4)가 접속된 레지스트 패턴 형성 시스템의 평면도를 도시하고 있고, 도 41은 상기 시스템의 사시도이다. 또한, 도 42는 도포, 현상 장치(201)의 종단면도이다. 이 도포, 현상 장치(201)에는 캐리어 블록(C1)이 설치되어 있고, 그 적재대(211) 상에 적재된 밀폐형의 캐리어(210)로부터 전달 아암(212)이 웨이퍼(W)를 취출하여 처리 블록(C2)에 전달하고, 처리 블록(C2)으로부터 전달 아암(212)이 처리 완료된 웨이퍼(W)를 수취하여 캐리어(210)로 복귀시키도록 구성되어 있다. 캐리어(210)는 다수매의 웨이퍼(W)를 포함하고, 각 웨이퍼(W)는 순차적으로 처리 블록(C2)에 반송된다.Hereinafter, the coating | coating in which the said developing apparatus 2 was built, and the developing apparatus 201 are demonstrated. FIG. 40 shows a plan view of a resist pattern forming system in which the exposure apparatus C4 is connected to the coating and developing apparatus 201, and FIG. 41 is a perspective view of the system. 42 is a longitudinal cross-sectional view of the coating and developing apparatus 201. Carrier block C1 is provided in this application | coating and developing apparatus 201, and the transfer arm 212 takes out the wafer W from the sealed carrier 210 mounted on the mounting table 211, and processes it. The transfer arm 212 receives the processed wafer W from the processing block C2 and returns it to the carrier 210. The carrier 210 includes a plurality of wafers W, and each wafer W is conveyed to the processing block C2 sequentially.

상기 처리 블록(C2)은, 도 41에 도시한 바와 같이 이 예에서는 현상 처리를 행하기 위한 제1 블록(DEV층)(B1), 레지스트막의 하층에 형성되는 반사 방지막의 형성 처리를 행하기 위한 제2 블록(BCT층)(B2), 레지스트막의 도포를 행하기 위한 제3 블록(COT층)(B3), 레지스트막의 상층측에 형성되는 보호막의 형성을 행하기 위한 제4 블록(ITC층)(B4)을, 아래로부터 순서대로 적층하여 구성되어 있다.As shown in Fig. 41, the processing block C2 is a block for forming a first block (DEV layer) B1 for performing development processing and an antireflection film formed under the resist film. 2nd block (BCT layer) B2, the 3rd block (COT layer) B3 for apply | coating a resist film, and the 4th block (ITC layer) for forming a protective film formed in the upper layer side of a resist film. (B4) is laminated | stacked in order from the bottom, and is comprised.

처리 블록(C2)의 각 층은 평면에서 보아 마찬가지로 구성되어 있다. 제3 블록(COT층)(B3)을 예로 들어 설명하면, COT층(B3)은 도포막으로서 레지스트막을 형성하기 위한 레지스트막 형성 모듈과, 이 레지스트막 형성 모듈로 행해지는 처리의 전처리 및 후처리를 행하기 위한 가열ㆍ냉각계의 처리 모듈군을 구성하는 선반 유닛과, 상기 레지스트막 형성 모듈과 가열ㆍ냉각계의 처리 모듈군 사이에 설치되고, 이들의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 반송 아암(A3)에 의해 구성되어 있다.Each layer of the processing block C2 is similarly configured in plan view. Taking the third block (COT layer) B3 as an example, the COT layer B3 is a resist film forming module for forming a resist film as a coating film, and pretreatment and post-treatment of the processing performed by the resist film forming module. A shelf unit constituting a group of processing modules of a heating / cooling system for performing the process, and a wafer module between the resist film forming module and a group of processing modules of a heating / cooling system to transfer the wafer W therebetween. It is comprised by the conveyance arm A3.

상기 선반 유닛은 반송 아암(A3)이 이동하는 반송 영역을 따라서 배열되고, 각각 상기의 가열 모듈, 냉각 모듈이 적층됨으로써 구성된다. 가열 모듈은 적재된 웨이퍼를 가열하기 위한 가열판을 구비하고 있고, 냉각 모듈은 적재된 웨이퍼를 냉각하기 위한 냉각판을 구비하고 있다.The said shelf unit is arrange | positioned along the conveyance area | region to which conveyance arm A3 moves, and is comprised by laminating said heating module and cooling module, respectively. The heating module has a heating plate for heating the loaded wafer, and the cooling module has a cooling plate for cooling the loaded wafer.

제2 블록(BCT층)(B2), 제4 블록(ITC층)(B4)에 대해서는, 상기 레지스트막 형성 모듈에 상당하는 반사 방지막 형성 모듈, 보호막 형성 모듈이 각각 설치되고, 이들 모듈에 있어서 레지스트 대신에 처리액으로서 반사 방지막 형성용의 약액, 보호막 형성용의 약액이 각각 웨이퍼(W)에 공급되는 것을 제외하면 COT층(B3)과 마찬가지의 구성이다.For the second block (BCT layer) B2 and the fourth block (ITC layer) B4, an antireflection film forming module and a protective film forming module corresponding to the resist film forming module are provided, respectively. Instead, it is the same structure as COT layer B3 except that the chemical liquid for anti-reflective film formation and the chemical liquid for protective film formation are respectively supplied to the wafer W as a process liquid.

제1 블록(DEV층)(B1)에 대해서는 하나의 DEV층(B1) 내에 레지스트막 형성 모듈에 대응하는 현상 모듈(213)이 2단으로 적층되어 있고, 각 현상 모듈(213)은 각각 상술한 현상 장치(2)에 상당하고, 공통의 하우징 내에 3기의 현상 처리부나 상술한 각 노즐을 포함하고 있다. 또한, DEV층(B1)에는 이 현상 모듈(213)의 전처리 및 후처리를 행하기 위한 가열ㆍ냉각계의 처리 모듈군을 구성하는 선반 유닛(U1 내지 U4)이 설치되어 있다. 그리고 DEV층(B1) 내에는, 이들 2단의 현상 모듈과, 상기 가열ㆍ냉각계의 처리 모듈에 웨이퍼(W)를 반송하기 위한 반송 아암(A1)이 설치되어 있다. 즉 2단의 현상 모듈에 대하여 반송 아암(A1)이 공통화되어 있는 구성으로 되어 있다. 이 반송 아암(A1)이 상기의 기판 반송 수단에 상당한다.As for the first block (DEV layer) B1, a developing module 213 corresponding to a resist film forming module is stacked in two stages in one DEV layer B1, and each developing module 213 is described above. It corresponds to the developing apparatus 2, and contains three developing processing parts and each nozzle mentioned above in the common housing. Further, the DEV layer B1 is provided with the shelf units U1 to U4 constituting a group of processing modules of a heating / cooling system for pretreatment and post-treatment of the developing module 213. And in the DEV layer B1, the conveyance arm A1 for conveying the wafer W is provided in these two stage development modules and the said heating / cooling system processing module. In other words, the transfer arm A1 is commonly used for the two-stage developing module. This conveyance arm A1 is corresponded to the said substrate conveyance means.

또한 처리 블록(C2)에는, 도 40 및 도 42에 도시한 바와 같이 선반 유닛(U5)이 설치되고, 캐리어 블록(C1)으로부터의 웨이퍼(W)는 상기 선반 유닛(U5)의 하나의 전달 유닛, 예를 들어 제2 블록(BCT층)(B2)이 대응하는 전달 유닛(CPL2)에 순차적으로 반송된다. 제2 블록(BCT층)(B2) 내의 반송 아암(A2)은, 이 전달 유닛(CPL2)으로부터 웨이퍼(W)를 수취하여 각 유닛(반사 방지막 형성 모듈 및 가열ㆍ냉각계의 처리 유닛군)에 반송하고, 이들 유닛으로 웨이퍼(W)에는 반사 방지막이 형성된다.Moreover, as shown in FIG. 40 and FIG. 42, the shelf unit U5 is provided in the process block C2, and the wafer W from the carrier block C1 carries one transfer unit of the said shelf unit U5. For example, the second block (BCT layer) B2 is sequentially conveyed to the corresponding delivery unit CPL2. The transfer arm A2 in the second block (BCT layer) B2 receives the wafer W from the transfer unit CPL2 and sends it to each unit (anti-reflection film forming module and processing unit group of a heating / cooling system). An anti-reflection film is formed on the wafer W by these units.

그 후, 웨이퍼(W)는 선반 유닛(U5)의 전달 유닛(BF2), 전달 아암(D1), 선반 유닛(U5)의 전달 유닛(CPL3)에 반송되고, 거기서 예를 들어 23℃로 온도 조정된 후, 반송 아암(A3)을 통하여 제3 블록(COT층)(B3)에 반입되고, 레지스트막 형성 모듈로 레지스트막이 형성된다. 또한 웨이퍼(W)는, 반송 아암(A3)→선반 유닛(U5)의 전달 유닛(BF3)에 전달된다. 또한 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)는, 제4 블록(ITC층)(B4)으로 또한 보호막이 형성되는 경우도 있다. 이 경우에는, 웨이퍼(W)는 전달 유닛(CPL4)을 통하여 반송 아암(A4)에 전달되고, 보호막이 형성된 후 반송 아암(A4)에 의해 전달 유닛(TRS4)에 전달된다.Thereafter, the wafer W is conveyed to the delivery unit BF2 of the shelf unit U5, the transfer arm D1, and the transfer unit CPL3 of the shelf unit U5, and the temperature is adjusted to 23 ° C., for example. After that, it is carried in to 3rd block (COT layer) B3 through conveyance arm A3, and a resist film is formed with a resist film formation module. In addition, the wafer W is transferred from the transfer arm A3 to the transfer unit BF3 of the shelf unit U5. In addition, the protective film may be further formed in the wafer W in which the resist film was formed by the 4th block (ITC layer) B4. In this case, the wafer W is transferred to the transfer arm A4 via the transfer unit CPL4, and is transferred to the transfer unit TRS4 by the transfer arm A4 after the protective film is formed.

한편 DEV층(B1) 내의 상부에는, 선반 유닛(U5)에 설치된 전달 유닛(CPL11)으로부터 선반 유닛(U6)에 설치된 전달 유닛(CPL12)에 웨이퍼(W)를 직접 반송하기 위한 전용의 반송 수단인 셔틀 아암(215)이 설치되어 있다. 레지스트막이나 또한 보호막이 형성된 웨이퍼(W)는, 전달 아암(D1)을 통하여 전달 유닛(BF3, TRS4)으로부터 수취하여 전달 유닛(CPL11)에 전달되고, 여기서 셔틀 아암(215)에 의해 선반 유닛(U6)의 전달 유닛(CPL12)에 직접 반송되어, 인터페이스 블록(C3)에 받아들이게 된다. 또한 도 42 중의 CPL이 부여되어 있는 전달 유닛은 온도 조절용의 냉각 유닛을 겸하고 있고, BF가 부여되어 있는 전달 유닛은 복수매의 웨이퍼(W)를 적재 가능한 버퍼 유닛을 겸하고 있다.On the other hand, in the upper part in DEV layer B1, it is an exclusive conveyance means for conveying the wafer W directly from the delivery unit CPL11 provided in the shelf unit U5 to the delivery unit CPL12 provided in the shelf unit U6. The shuttle arm 215 is provided. The wafer W on which the resist film or the protective film is formed is received from the transfer units BF3 and TRS4 through the transfer arm D1 and transferred to the transfer unit CPL11, where the shelf unit (215) is used by the shuttle arm 215. It is conveyed directly to the delivery unit CPL12 of U6, and is received by the interface block C3. In addition, the delivery unit given with CPL in FIG. 42 serves as a cooling unit for temperature regulation, and the delivery unit with BF serves as a buffer unit which can load a plurality of wafers W. As shown in FIG.

계속해서, 웨이퍼(W)는 인터페이스 아암(216)에 의해 노광 장치(C4)에 반송되고, 여기서 소정의 노광 처리가 행해진 후, 선반 유닛(U6)의 전달 유닛(TRS6)에 적재되어 처리 블록(C2)으로 복귀된다. 복귀된 웨이퍼(W)는, 제1 블록(DEV층)(B1)으로 현상 처리가 행해져, 반송 아암(A1)에 의해 선반 유닛(U5)의 전달 유닛(TRS1)에 전달된다. 그 후, 전달 아암(212)을 통하여 캐리어(210)로 복귀된다.Subsequently, the wafer W is conveyed to the exposure apparatus C4 by the interface arm 216, and after a predetermined exposure process is performed here, the wafer W is stacked on the transfer unit TRS6 of the shelf unit U6 and processed into a processing block ( Return to C2). The returned wafer W is subjected to development in the first block (DEV layer) B1, and is transferred to the transfer unit TRS1 of the shelf unit U5 by the transfer arm A1. Thereafter, it returns to the carrier 210 via the delivery arm 212.

(평가 시험 1) (Evaluation examination 1)

현상액 노즐(6)에 있어서, 그 하단부로부터 어느 정도 하방까지 아래로 떨어진 액적(D)이 낙하하는 것인지를 확인하였다. 결과적으로 액적의 크기가 1㎜, 2㎜, 3㎜의 경우에 있어서는 액적의 낙하는 일어나지 않았지만, 액적의 크기가 4㎜로 되면 현상액 노즐(6)의 선단부로부터 낙하하는 것이 확인되었다. 그리고, 이 결과를 근거로 하여, 현상액 노즐(6)이 대기부(66)에 수납되었을 때 당해 현상액 노즐(6)의 하단부와 액 제거부(7C)의 거리 h2를 2㎜로 설정하고, 계속해서 현상액 노즐(6)을 액 제거부(7C)에 대하여 상승시켜, 현상액 노즐의 하단부로부터 약 2㎜ 하측에 아래로 떨어진 액적을 형성하였다. 그리고, 현상액 노즐(6)을 하강시켜, 대기부(66)에 수납한 후, 현상액 노즐(6)을 상승시켜, 액적의 유무를 관찰하였다. 이 현상액 노즐(6)을 상승시킨 액적의 형성과 현상액 노즐(6)의 대기부(66)에의 수납을 50회 반복하여 행하였다.In the developing solution nozzle 6, it confirmed whether the droplet D which fell below to some extent from the lower end part falls. As a result, in the case where the droplets were 1 mm, 2 mm, and 3 mm in size, the drop did not occur. However, when the size of the droplets became 4 mm, it was confirmed that the droplets fall from the tip of the developer nozzle 6. And based on this result, when the developing solution nozzle 6 was accommodated in the waiting part 66, the distance h2 of the lower end part of the developing solution nozzle 6 and the liquid removal part 7C was set to 2 mm, and it continued. Thus, the developer nozzle 6 was raised with respect to the liquid removing part 7C to form droplets dropped downward by about 2 mm from the lower end of the developer nozzle. Then, the developer nozzle 6 was lowered and stored in the atmospheric section 66, and then the developer nozzle 6 was raised to observe the presence or absence of droplets. The formation of the droplet which raised this developer nozzle 6 and storing of the developer nozzle 6 in the waiting part 66 were repeated 50 times.

평가 시험 1의 결과, 현상액 노즐(6)이 하강할 때마다 액적은 현상액 노즐(6)의 하단부로부터 제거되었다. 이 시험으로부터 상기의 실시 형태와 같이 현상 장치(2)에 액 제거부(7C)를 설치함으로써 액적의 제거를 행할 수 있는 것이 도시되었다. 또한, 현상액 노즐(6)이 접근하는 방향은 다르지만, 이 실험에서 액 제거부(7A, 7B)에 있어서도 유효하게 현상액 노즐(6)로부터 액적(D)의 제거를 행할 수 있는 것이 예상된다.As a result of the evaluation test 1, the droplet was removed from the lower end part of the developing solution nozzle 6 every time the developing solution nozzle 6 fell. From this test, it was shown that the droplets can be removed by providing the liquid removing unit 7C in the developing apparatus 2 as in the above embodiment. In addition, although the direction in which the developing solution nozzle 6 approaches differs, it is anticipated that the droplet D can be removed from the developing solution nozzle 6 effectively also in the liquid removal parts 7A and 7B in this experiment.

(평가 시험 2)(Evaluation examination 2)

액 제거부(7C)를 그림 물감으로 칠하여, 평가 시험 1과 마찬가지의 시험을 행하여, 현상액 노즐(6)이 그림 물감으로 오염되는지의 여부를 조사하였다. 결과적으로 현상액 노즐(6)에의 그림 물감의 부착은 없었다. 따라서, 현상액 노즐(6)로부터 액 제거부(7C)에 부착된, 액적은 다시 현상액 노즐(6)에 부착되지 않고, 액 제거부(7C)에 의해 제거되어 있는 것을 알 수 있다. 이 시험으로부터도 상기의 실시 형태와 같이 현상 장치에 액 제거부(7C)를 설치하는 것이 유효한 것을 알 수 있고, 또한 액 제거부(7A, 7B)를 설치하는 것이 유효한 것이 예상된다.The liquid removal part 7C was painted with paint, and the same test as in Evaluation Test 1 was conducted to check whether the developer nozzle 6 was contaminated with paint. As a result, there was no adhesion of paint to the developer nozzle 6. Therefore, it turns out that the droplet which adhered to the liquid removal part 7C from the developing solution nozzle 6 is removed by the liquid removal part 7C, without attaching again to the developing solution nozzle 6 again. This test also shows that it is effective to provide the liquid removing unit 7C in the developing apparatus as in the above embodiment, and it is expected that the liquid removing units 7A and 7B are effective.

D : 액적
L : 현상액
W : 웨이퍼
2 : 현상 장치
21a 내지 21c : 현상 처리부
22a 내지 22c : 스핀 척
30a 내지 30c : 개구부
31a 내지 31c : 컵체
4a 내지 4c : 복합 노즐부
41a 내지 41c : 순수 노즐
42a 내지 42c : N2 가스 노즐
6 : 현상액 노즐
61 : 토출구
65 : 구동 기구
66 : 대기부
7A 내지 7C : 액 제거부
100 : 제어부
101 : 액 제거부
102 : 산형부
103 : 액 배출부
108 : 세정액 토출 구멍
113 : 액 배출부
114 : 액 배출구 D: Droplets
L: Developer
W: Wafer
2: developing device
21a to 21c: development processing unit
22a to 22c: spin chuck
30a to 30c: opening
31a to 31c: cup body
4a to 4c: compound nozzle unit
41a to 41c: pure nozzle
42a to 42c: N 2 gas nozzle
6: developer nozzle
61 outlet
65: drive mechanism
66: waiting
7A to 7C: Liquid removing part
100:
101: liquid removal unit
102: mountain
103: liquid discharge part
108: cleaning liquid discharge hole
113: liquid discharge part
114: liquid outlet

Claims (13)

상측에 개구부가 형성된 컵체의 중에 기판을 수평으로 보유 지지하는 기판 보유 지지부를 설치하여 구성되는 액 처리부와,
기판에 처리액을 공급하기 위한 처리액 노즐과,
상기 컵체의 외측에 설치되고, 상기 처리액 노즐을 대기시키기 위한 대기부와,
상기 액 처리부의 상방 영역과, 대기부 사이에서 처리액 노즐을 이동시키기 위한 이동 수단과,
상기 대기부에 설치되고, 대기부에서 대기하는 처리액 노즐에 세정액을 공급하여 세정하는 세정액 공급 수단과,
상기 대기부에 설치되고, 당해 대기부에서 대기하는 처리액 노즐로부터 떨어진 상기 세정액의 액적에 접촉하여, 당해 액적을 처리액 노즐로부터 제거하는 액 제거부
를 구비한 것을 특징으로 하는, 액 처리 장치.A liquid processor configured to provide a substrate holding part for holding a substrate horizontally in a cup body having an opening formed thereon;
A processing liquid nozzle for supplying the processing liquid to the substrate;
A standby portion provided outside the cup body to hold the processing liquid nozzle;
Moving means for moving the processing liquid nozzle between the upper region of the liquid processing portion and the atmospheric portion;
Washing liquid supply means which is provided in the atmospheric portion and supplies the washing liquid to the processing liquid nozzle waiting in the atmospheric portion;
A liquid removing unit provided in the atmospheric section and contacting the droplet of the cleaning liquid away from the processing liquid nozzle waiting in the atmospheric section to remove the droplet from the processing liquid nozzle.
The liquid processing apparatus characterized by the above-mentioned. 제1항에 있어서,
상기 액 처리부는, 횡방향으로 일렬로 복수 설치되고,
상기 처리액 노즐은 이들 복수의 액 처리부에 대하여 공용화되고,
상기 대기부는, 액 처리부의 열의 연장선 상에 설치되고,
상기 이동 수단은, 상기 액 처리부의 각각의 상방 영역과 상기 대기부 사이에서 상기 처리액 노즐을 액 처리부의 열에 따라서 이동시키는 것을 특징으로 하는, 액 처리 장치.The method of claim 1,
The liquid processing unit is provided in plural in a row in the horizontal direction,
The processing liquid nozzle is commonly used for the plurality of liquid processing units,
The waiting section is provided on an extension line of the column of the liquid processing section,
The moving unit moves the processing liquid nozzle in accordance with a column of the liquid processing unit between each upper region of the liquid processing unit and the atmospheric unit. 상측에 개구부가 형성된 컵체의 중에 기판을 수평으로 보유 지지하는 기판 보유 지지부를 설치하여 구성되고, 각각 횡방향으로 일렬로 배치된 복수의 액 처리부와,
이들 복수의 액 처리부에 대하여 공용화되고, 기판에 처리액을 공급하기 위한 처리액 노즐과,
상기 액 처리부의 열의 연장선 상에 설치되고, 처리액 노즐을 대기시키기 위한 대기부와,
상기 액 처리부의 각각의 상방 영역과 상기 대기부 사이에서 상기 처리액 노즐을 액 처리부의 열에 따라서 이동시키기 위한 이동 수단과,
서로 인접하는 컵체의 개구부간에 설치되고, 처리액 노즐에 세정액을 공급하여 세정하는 세정액 공급 수단과,
서로 인접하는 컵체의 개구부간에 설치되고, 상기 이동 수단에 의해 이동하는 처리액 노즐로부터 떨어진 상기 세정액의 액적에 접촉하여, 당해 액적을 처리액 노즐로부터 제거하는 액 제거부
를 구비한 것을 특징으로 하는, 액 처리 장치.A plurality of liquid processing portions each provided with a substrate holding portion for holding a substrate horizontally in a cup body having an opening formed thereon, each of which is arranged in a row in the horizontal direction;
A processing liquid nozzle common to these plurality of liquid processing units, for supplying the processing liquid to the substrate;
A standby portion provided on an extension line of a row of the liquid treatment portion and waiting for the treatment liquid nozzle;
Moving means for moving the processing liquid nozzle in accordance with a column of the liquid processing portion between each upper region of the liquid processing portion and the atmospheric portion;
Washing liquid supply means provided between the openings of the cup bodies adjacent to each other and supplying the washing liquid to the treating liquid nozzle, and washing the liquid;
A liquid removal unit provided between openings of the cup bodies adjacent to each other and in contact with the droplets of the cleaning liquid separated from the processing liquid nozzle moving by the moving means, thereby removing the droplets from the processing liquid nozzle.
The liquid processing apparatus characterized by the above-mentioned. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 액 제거부는, 상기 대기부에서 대기하는 처리액 노즐의 토출구의 투영 영역으로부터 벗어난 위치에 설치되는 것을 특징으로 하는, 액 처리 장치.The method according to claim 1 or 2,
And the liquid removing unit is provided at a position deviating from the projection area of the discharge port of the processing liquid nozzle waiting in the waiting unit. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 세정액 공급 수단은 액 제거부에 설치되고, 상기 액 제거부는 세정액을 공급하는 토출구를 구비하는 것을 특징으로 하는, 액 처리 장치.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
And the cleaning liquid supplying means is provided in the liquid removing portion, and the liquid removing portion includes a discharge port for supplying the cleaning liquid. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 액 제거부의 상방에 위치하는 처리액 노즐에 가스를 토출하고, 처리액 노즐에 부착된 세정액을 당해 처리액 노즐의 하방측으로 흘리기 위한 제1 가스 공급부가 설치된 것을 특징으로 하는, 액 처리 장치.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
And a first gas supply unit for discharging gas to a processing liquid nozzle located above the liquid removing unit, and for flowing a cleaning liquid attached to the processing liquid nozzle to a lower side of the processing liquid nozzle. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
처리액 노즐에 가스를 토출하여, 상기 세정액 공급 수단으로부터 공급되는 세정액이 처리액 노즐에 충돌하는 압력을 제어하는 제2 가스 공급부가 설치된 것을 특징으로 하는, 액 처리 장치.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
And a second gas supply unit for discharging gas to the processing liquid nozzle to control the pressure at which the cleaning liquid supplied from the cleaning liquid supply means collides with the processing liquid nozzle. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 처리액 노즐은, 경사 하방에 상기 처리액을 토출하는 토출구를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는, 액 처리 장치.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The processing liquid nozzle is provided with a discharge port for discharging the processing liquid under a slope. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 처리액은 현상액이며, 상기 기판은 그 표면에 레지스트가 도포되어, 노광된 것인 것을 특징으로 하는, 액 처리 장치.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The processing liquid is a developing solution, and the substrate is a liquid processing apparatus, characterized in that a resist is applied to the surface of the substrate and exposed. 상측에 개구부가 형성된 컵체의 중에 설치되는 기판 보유 지지부에 기판을 수평으로 보유 지지하는 공정과,
처리액 노즐로부터 기판에 처리액을 공급하는 공정과,
상기 컵체의 외측에 설치된 대기부에, 상기 처리액 노즐을 대기시키는 공정과,
상기 컵체 및 기판 보유 지지부를 구성하는 상기 액 처리부의 상방 영역과, 대기부 사이에서 처리액 노즐을 이동시키는 공정과,
상기 대기부에 설치되는 세정액 공급 수단에 의해, 처리액 노즐에 세정액을 공급하여 처리액 노즐을 세정하는 공정과,
세정 후의 처리액 노즐로부터 떨어진 세정액의 액적을, 대기부에서 대기하는 처리액 노즐의 하방측에 설치되는 액 제거부에 접촉시켜 제거하는 공정
을 구비한 것을 특징으로 하는, 액 처리 방법.Holding a substrate horizontally in a substrate holding portion provided in a cup body having an opening formed in an upper side thereof;
Supplying the processing liquid to the substrate from the processing liquid nozzle;
Allowing the processing liquid nozzle to stand by in the atmospheric section provided outside the cup body;
Moving the processing liquid nozzle between an upper region of the liquid processing portion constituting the cup body and the substrate holding portion and a standby portion;
A step of cleaning the processing liquid nozzle by supplying the cleaning liquid to the processing liquid nozzle by the cleaning liquid supplying means provided in the atmospheric section;
The process of removing the droplet of the washing | cleaning liquid which removed from the process liquid nozzle after washing | cleaning in contact with the liquid removal part provided below the process liquid nozzle waiting in a waiting part.
The liquid processing method characterized by the above-mentioned. 제10항에 있어서,
상기 액 처리부는, 횡방향으로 일렬로 복수 설치되고,
상기 처리액 노즐은 이들 복수의 액 처리부에 대하여 공용화되고,
상기 대기부는, 액 처리부의 열의 연장선 상에 설치되고,
상기 액 처리부의 각각의 상방 영역과 상기 대기부 사이에서 상기 처리액 노즐을 액 처리부의 열에 따라서 이동시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는, 액 처리 방법.The method of claim 10,
The liquid processing unit is provided in plural in a row in the horizontal direction,
The processing liquid nozzle is commonly used for the plurality of liquid processing units,
The waiting section is provided on an extension line of the column of the liquid processing section,
And moving the processing liquid nozzle in accordance with the heat of the liquid processing unit between each upper region of the liquid processing unit and the atmospheric unit. 상측에 개구부가 형성된 컵체의 중에 기판을 수평으로 보유 지지하는 기판 보유 지지부를 설치하여 구성되고, 각각 횡방향으로 일렬로 배치된 복수의 액 처리부에 대하여 공용화된 처리액 노즐로부터, 상기 기판에 처리액을 공급하는 공정과,
상기 액 처리부의 열의 연장선 상에 설치된, 처리액 노즐을 대기시키기 위한 대기부와, 상기 액 처리부의 각각의 상방 영역 사이에서 상기 처리액 노즐을 액 처리부의 열에 따라서 이동 수단에 의해 이동시키는 공정과,
서로 인접하는 컵체의 개구부간에 설치된 세정액 공급 수단에 의해, 처리액 노즐에 세정액을 공급하여 세정하는 공정과,
서로 인접하는 컵체의 개구부간에 있어서의 처리액 노즐의 이동로의 하방측에 설치된 액 제거부를, 상기 이동 수단에 의해 이동하는 처리액 노즐로부터 떨어진 세정액의 액적에 접촉시키는 공정과,
상기 액 제거부에 접촉한 액적을 당해 액 제거부에 의해 처리액 노즐로부터 제거하는 공정
을 구비한 것을 특징으로 하는, 액 처리 방법.A substrate holding portion for holding a substrate horizontally in a cup body having an opening formed on the upper side thereof is configured, and a processing liquid is applied to the substrate from a processing liquid nozzle common to a plurality of liquid processing portions arranged in a horizontal direction. Supplying process,
A step of moving the processing liquid nozzle by moving means in accordance with the heat of the liquid processing portion between a waiting portion for waiting for the processing liquid nozzle, provided on an extension line of the row of the liquid processing portion, and respective upper regions of the liquid processing portion;
A process of supplying and cleaning the cleaning liquid to the processing liquid nozzle by the cleaning liquid supply means provided between the openings of the cup bodies adjacent to each other;
A step of bringing a liquid removing unit provided below the moving path of the processing liquid nozzle between the openings of the cup bodies adjacent to each other in contact with the droplets of the cleaning liquid separated from the processing liquid nozzle moving by the moving means;
Removing the droplets in contact with the liquid removing unit from the processing liquid nozzle by the liquid removing unit;
The liquid processing method characterized by the above-mentioned. 기판에 대한 액 처리를 행하는 액 처리 장치에 사용되는 컴퓨터 프로그램이 기억된 기억 매체이며,
상기 컴퓨터 프로그램은, 제10항 내지 제12항 중 어느 한 항에 기재된 액 처리 방법을 실시하기 위한 것인 것을 특징으로 하는, 기억 매체.A storage medium storing a computer program used in a liquid processing apparatus for performing a liquid processing on a substrate,
The said computer program is for implementing the liquid processing method in any one of Claims 10-12, The storage medium characterized by the above-mentioned.
KR1020110079911A 2010-08-12 2011-08-11 Liquid processing apparatus KR101670095B1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010181094A JP5440441B2 (en) 2010-08-12 2010-08-12 Liquid processing equipment
JPJP-P-2010-181094 2010-08-12

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120016011A true KR20120016011A (en) 2012-02-22
KR101670095B1 KR101670095B1 (en) 2016-10-27

Family

ID=45838543

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110079911A KR101670095B1 (en) 2010-08-12 2011-08-11 Liquid processing apparatus

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP5440441B2 (en)
KR (1) KR101670095B1 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160049985A (en) * 2014-10-28 2016-05-10 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Substrate liquid processing apparatus
KR20160117987A (en) * 2015-04-01 2016-10-11 세메스 주식회사 Apparatus for fabricating integrated circuit
KR20170063779A (en) * 2014-09-30 2017-06-08 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 Substrate processing device

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5933993B2 (en) * 2012-03-08 2016-06-15 旭サナック株式会社 Nozzle cleaning device
TWI544291B (en) 2012-05-22 2016-08-01 斯克林半導體科技有限公司 Development processing device
JP6714346B2 (en) * 2015-11-10 2020-06-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Nozzle standby device and substrate processing device
KR102000017B1 (en) 2017-07-21 2019-07-18 세메스 주식회사 Substrate treating apparatus and substrate treating method
JP7236318B2 (en) * 2019-04-26 2023-03-09 東京エレクトロン株式会社 LIQUID PROCESSING APPARATUS AND LIQUID PROCESSING METHOD

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09152717A (en) * 1995-11-30 1997-06-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Nozzle standby device
JPH09232212A (en) * 1996-02-26 1997-09-05 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Developing apparatus
JPH10261609A (en) 1997-03-21 1998-09-29 Sony Corp Equipment and method for chemical treatment
JP3992488B2 (en) * 2000-12-15 2007-10-17 東京エレクトロン株式会社 Liquid processing apparatus and liquid processing method
JP2010087323A (en) * 2008-10-01 2010-04-15 Sokudo Co Ltd Development processor

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0430521A (en) * 1990-05-28 1992-02-03 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Rotary type apparatus for surface treatment for substrate
JP4328658B2 (en) * 2004-04-09 2009-09-09 東京エレクトロン株式会社 Coating apparatus and coating method
JP2007258462A (en) * 2006-03-23 2007-10-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Apparatus and method for processing substrate
JP4582654B2 (en) * 2006-05-23 2010-11-17 東京エレクトロン株式会社 NOZZLE CLEANING DEVICE, NOZZLE CLEANING METHOD, NOZZLE CLEANING PROGRAM, AND COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIUM CONTAINING THE PROGRAM

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09152717A (en) * 1995-11-30 1997-06-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Nozzle standby device
JPH09232212A (en) * 1996-02-26 1997-09-05 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Developing apparatus
JPH10261609A (en) 1997-03-21 1998-09-29 Sony Corp Equipment and method for chemical treatment
JP3992488B2 (en) * 2000-12-15 2007-10-17 東京エレクトロン株式会社 Liquid processing apparatus and liquid processing method
JP2010087323A (en) * 2008-10-01 2010-04-15 Sokudo Co Ltd Development processor

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170063779A (en) * 2014-09-30 2017-06-08 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 Substrate processing device
KR20160049985A (en) * 2014-10-28 2016-05-10 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Substrate liquid processing apparatus
KR20160117987A (en) * 2015-04-01 2016-10-11 세메스 주식회사 Apparatus for fabricating integrated circuit

Also Published As

Publication number Publication date
JP2012043836A (en) 2012-03-01
JP5440441B2 (en) 2014-03-12
KR101670095B1 (en) 2016-10-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101530959B1 (en) Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium
KR20120016011A (en) Liquid processing apparatus, liquid processing method and storage medium
KR100897428B1 (en) Substrate cleaning apparatus and substrate cleaning method
KR100626959B1 (en) Washing and Drying Processing Equipment and Cleaning and Drying Processing Method
KR101085320B1 (en) Washing apparatus, coating and development apparatus and the washing method
US11031261B2 (en) Liquid processing apparatus
KR101529741B1 (en) Developing device, developing method and storage medium
CN101840853B (en) Substrate processing device, substrate processing method, coating and developing apparatus, coating and developing method and storage medium
JP7197376B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
KR102482211B1 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium
CN108335995B (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method, and computer-readable recording medium
JP5425745B2 (en) Liquid processing apparatus, liquid processing method, and recording medium on which a computer program for executing the liquid processing method is recorded
JP5293790B2 (en) Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium
JP6961362B2 (en) Board processing equipment
JP5676362B2 (en) Liquid processing apparatus and cleaning method for liquid processing apparatus
JPH07283184A (en) Processing device
JP2018129476A (en) Substrate processing device
KR102378337B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
JP6125449B2 (en) Substrate liquid processing apparatus and substrate liquid processing method
JP7008546B2 (en) Substrate processing equipment, substrate liquid treatment method and nozzle
KR102415323B1 (en) Nozzle unit and apparatus for treating substrate
KR102008305B1 (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method
JP2024050440A (en) Lift pin cleaning method and substrate processing apparatus
JP2022110505A (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
KR100885242B1 (en) Apparatus for treating substrates, and method for treating substrates using the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191001

Year of fee payment: 4