KR20120012262A - 평관형 고체산화물 셀 스택 - Google Patents
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Abstract
Description
도2는 도1의 셀 스택의 단위 셀을 분리하여 나타낸 분리 구성도,
도3의 (a) 및 (b)는 도2의 제1단위 셀을 나타내는 평면도 및 단면도,
도4의 (a) 및 (b)는 도2의 제2단위 셀을 나타내는 평면도 및 단면도,
도5는 본 발명의 제1실시예에 의한 평관형 고체산화물 셀 스택의 제1가스 흐름을 나타내는 설명도,
도6은 본 발명의 제2실시예에 의한 평관형 고체산화물 셀 스택을 나타내는 구성도,
도7은 본 발명의 제3실시예에 의한 평관형 고체산화물 셀 스택을 나타내는 구성도,
도8은 도7의 제3단위 셀을 나타내는 길이방향 단면도이다.
111a,121a : 제1전극지지체 111b,121b : 제1전극중간층
111c,121c : 전해질층 111e,121e : 제2전극층
112,122,332 : 제1가스흐름 채널 113,123,333 : 제2가스흐름 채널
114,124,334 : 연결구멍 115,125,335 : 세라믹 도전체
116,126,336 : 밀봉부 120,220,320 : 제2단위 셀
140,240,340:제1가스유입 매니폴드 140',240',340' : 제1가스유출 매니폴드
330 : 제3단위 셀
Claims (5)
- 내부에 제1가스가 흐르는 제1가스흐름 채널이 길이방향을 따라 형성되고, 외부에 제2가스가 흐르는 제2가스흐름 채널이 형성되며, 다공성의 전도성 평관형 전극지지체를 포함하는 다수의 단위 셀이 적층되어 스택을 이루는 평관형 고체산화물 셀 스택에 있어서,
상기 제1가스가 단위 셀의 길이방향을 따라 지그재그식으로 흐르도록 상기 제1가스흐름 채널의 단부에는 인접하여 적층된 단위 셀의 제1가스흐름 채널에 연통하는 연결구멍이 형성된 것을 특징으로 하는 평관형 고체산화물 셀 스택. - 청구항 1에 있어서,
상기 단위 셀 중에서 하측과 상측에 적층된 단위 셀의 제1가스흐름 채널의 일단부에는 제1가스가 출입하는 제1가스출입 매니폴드가 설치되는 것을 특징으로 하는 평관형 고체산화물 셀 스택. - 청구항 2에 있어서,
상기 제1가스가 스택의 중간에서 상하측방향으로 갈라져 단위 셀의 길이방향을 따라 지그재그식으로 흐르도록 상기 제1가스출입 매니폴드는 상기 단위 셀 중에서 중간에 적층된 단위 셀의 제1가스흐름 채널의 일단부에 추가로 형성되는 것을 특징으로 하는 평관형 고체산화물 셀 스택. - 청구항 2 또는 청구항 3에 있어서,
상기 제1가스출입 매니폴드가 설치된 단위 셀의 제1가스흐름 채널의 일단부는 단위 셀의 길이방향으로 트인 것을 특징으로 하는 평관형 고체산화물 셀 스택. - 청구항 1에 있서서,
상기 단위 셀의 제2가스흐름 채널이 형성된 면 또는 그 반대쪽면에는 전기를 연결하거나 집진하도록 세라믹 도전체가 부착된 것을 특징으로 하는 평관형 고체산화물 셀 스택.
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