KR20120012093A - 마이크로 니들 제조 방법 및 그에 의한 마이크로 니들 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 고분자 수지, 특히 PDMS를 에칭 마스크로 하여 에칭하는 방법을 통해 실리콘 블록으로부터 실리콘 기둥을 형성시키는 마이크로 니들 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명은, 에칭 패턴이 관통되어 형성되는 에칭 마스크를 제조하는 단계; 및 상기 에칭 마스크를 이용하여 실리콘 블록을 에칭하여 실리콘 기둥을 형성하는 단계;를 포함하며, 상기 에칭 마스크를 제조하는 단계는, 상부틀 및 하부틀을 준비하는 단계; 상기 상부틀 및 상기 하부틀 표면을 플라즈마 처리하는 단계; 상기 상부틀과 상기 하부틀 사이의 공간에 고분자 수지 용액을 충전하는 단계; 상기 고분자 수지 용액을 경화시키는 단계; 및 경화된 상기 고분자 수지를 상기 상부틀 및 하부틀로부터 이형시키는 단계;를 포함한다.

Description

마이크로 니들 제조 방법 및 그에 의한 마이크로 니들{Method for fabricating micro needle and micro needle thereby}
본 발명은 마이크로 니들 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 에칭 마스크의 재료로서 고분자 수지, 특히 PDMS를 이용해서 실리콘 블록을 에칭하여 실리콘 기둥을 형성시키는 마이크로 니들 제조 방법에 관한 것이다.
단일의 니들 또는 니들 어레이를 형성하여 사람의 피부에 침투시켜 약물 등을 투여하거나 미세 전류를 전달하는 마이크로 니들에 대한 제조 방법이 종래에 소개된다. 마이크로 니들은 주사위 형태의 실리콘 블록으로부터 일정한 길이를 가지는 실리콘 기둥을 형성한 후 이를 가공함으로써 제조된다. 따라서 마이크로 니들의 제조 시 실리콘 블록으로부터 원하는 지름 및 길이를 가지는 실리콘 기둥을 형성하는 것이 전제되어야 한다.
종래의 경우 주사위 형태의 실리콘 블록을 톱으로 잘라서 기둥을 형성하였으나 이 방법에 의할 경우 실리콘 기둥에 불규칙한 모양의 톱 자국이 남게 되는 문제점이 있다. 따라서 깨끗한 표면을 가지는 실리콘 기둥을 얻기 위하여 실리콘 블록을 에칭하여 실리콘 기둥을 형성하는 방법이 제안된다.
실리콘 블록을 에칭하기 위한 방법으로써 DRIE(Deep Reactive Ion Etching, 심도 반응성 이온 에칭) 또는 플라즈마 에칭 등의 이방성 에칭 기법들이 사용된다. 통상적으로 DRIE 또는 플라즈마 에칭은 에칭 패턴으로서 포토 레지스트를 이용하는데 포토 레지스트의 물리적 강도는 높지 않기 때문에 에칭 공정 시 포토 레지스트가 함께 제거된다. 따라서 포토 레지스트 대신 물리적 강도가 높은 SiO2(실리콘 옥사이드) 또는 SiN(실리콘 나이트라이드)를 이용할 수 있는데, SiO2나 SiN 또한 에칭 공정 중 실리콘과 함께 식각됨으로써 큰 종횡비(aspect ratio)를 가지는 홈을 가공하기 어려워, 결과적으로 길이가 긴 실리콘 기둥을 형성하기 어려운 문제점이 있었다.
또한 SiO2나 SiN를 실리콘 블록상에 형성하고 에칭 패턴을 형성하여 에칭 마스크로 이용하기 위해서는 그 공정이 복잡하고 시간이 많이 걸리는 문제가 있었다.
본 발명은 전술한 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 에칭 공정을 이용하여 실리콘 블록으로부터 실리콘 기둥을 형성함으로써 실리콘 기둥에 톱 자국이 형성되지 않고 깨끗한 표면을 가지는 마이크로 니들 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
또한 본 발명은 에칭 공정 중 식각이 되지 않는 재료로 제조되는 에칭 마스크를 이용하여 실리콘 블록을 에칭함으로써 종횡비가 큰 실리콘 기둥을 형성할 수 있는 마이크로 니들 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
또한 에칭 시 에칭 마스크로서 SiO2나 SiN를 사용하지 않아 마이크로 니들의 제작이 간편할 뿐만 아니라 공정 시간이 단축되며 제조 원가가 절감될 수 있는 마이크로 니들 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은, 에칭 패턴이 관통되어 형성되는 에칭 마스크를 제조하는 단계; 및 상기 에칭 마스크를 이용하여 실리콘 블록을 에칭하여 실리콘 기둥을 형성하는 단계;를 포함하며, 상기 에칭 마스크를 제조하는 단계는, 상부틀 및 하부틀을 준비하는 단계; 상기 상부틀 및 상기 하부틀 표면을 플라즈마 처리하는 단계; 상기 상부틀과 상기 하부틀 사이의 공간에 고분자 수지 용액을 충전하는 단계; 상기 고분자 수지 용액을 경화시키는 단계; 및 경화된 상기 고분자 수지를 상기 상부틀 및 하부틀로부터 이형시키는 단계;를 포함하는 마이크로 니들 제조 방법을 제공한다.
본 발명에 있어서, 상기 고분자 수지는 PDMS(Polydimethylsiloxane, 폴리디메틸실록산)일 수 있고, 상기 플라즈마는 메탈 및 헬륨 혼합물로부터 생성될 수 있으며, 상기 고분자 수지 용액을 충전하는 단계는, 상기 상부틀 및 상기 하부틀 사이의 공간에 진공을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
또한 실리콘 기둥의 형성 시, 상기 실리콘 기둥은 이방성(anisotropic) 에칭 방법에 의해 형성될 수 있으며, 특히 심도 반응성 이온 에칭 방법에 의할 수 있다.
다른 실시 형태로서, 상기 실리콘 기둥을 등방성(isotropic) 에칭 방법에 의해 끝단을 뾰족하게 만드는 단계를 더 포함할 수 있는 한편, 상기 실리콘 기둥의 끝단에 금속 박막을 증착하는 단계를 더 포함할 수 있다.
또한 본 발명은, 상기와 같은 방법에 의해 제조된 마이크로 니들을 제공한다.
본 발명에 의하면, 실리콘 기둥의 형성 시 톱을 이용하지 않으므로 톱 자국이 남지 않아 깨끗한 표면을 가지는 실리콘 기둥을 얻을 수 있는 효과가 있다.
또한 본 발명에 의하면, 에칭 공정 시 실리콘 블록과 함께 식각되지 않는 재료로 이루어지는 에칭 마스크를 이용함으로써 원하는 길이만큼 긴 실리콘 기둥을 얻을 수 있는 효과가 있다.
또한 본 발명에 의하면, 에칭 마스크가 간편하게 대량으로 생산될 수 있어 마이크로 니들의 제작 공정이 간단해질 뿐만 아니라, 제조 시간이 단축되며 제조 원가가 절감되는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 에칭 마스크의 제조 과정을 도시하는 공정도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리된 틀 표면의 분자 구조를 도시하는 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 기둥을 형성하고 금속 박막을 증착하는 과정을 도시하는 공정도이다.
이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 자세히 설명한다. 우선 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
도 1의 (a) 내지 (f)는 본 발명의 일 실시예에 따른 에칭 마스크의 제조 과정을 도시하는 공정도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따라 플라즈마 처리된 틀 표면의 분자 구조를 도시하는 도면이며, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따라 실리콘 블록을 가공하여 실리콘 기둥을 형성하고, 실리콘 기둥의 끝단에 금속 박막을 증착하는 과정을 도시하는 공정도이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 니들 제조 방법은 실리콘 블록(50)을 에칭하기 위한 에칭 마스크(40)를 제조하는 단계와, 제조된 에칭 마스크(40)를 이용하여 실리콘 블록(50)을 에칭하여 실리콘 기둥(54)을 형성하는 단계와, 실리콘 기둥(54)의 끝단(54a)을 뾰족하게 만드는 단계와, 실리콘 기둥(54)의 끝단(54a)에 금속 박막(80)을 증착하는 단계로 크게 구성될 수 있다.
먼저, 도 1 및 도 2를 참조하여 에칭 마스크(40)를 제조하는 단계를 자세히 살펴본다.
본 발명의 일 실시예에 따른 에칭 마스크 제조 단계는, 틀(10)을 준비하는 단계와, 틀(10) 표면에 플라즈마 처리를 하는 단계와, 틀(10)에 고분자 수지 용액(30)을 충전하는 단계와, 고분자 수지 용액(30)을 경화시키는 단계와, 경화된 고분자 수지(40)를 틀(10)로부터 이형시키는 단계를 포함한다.
틀(10)은 상부틀(12)과 하부틀(14)로 구성되며 상부틀(12)과 하부틀(14) 중 어느 하나에는 에칭 패턴(18)이 돌출되어 형성된다. 따라서 상부틀(12)과 하부틀(14)의 접합 시 사이에 공간(16)을 형성하게 되며, 고분자 수지 용액(30)이 이 공간으로 주입된다. 틀(10)의 공간(16)으로 주입된 고분자 수지 용액(30)은 돌출 패턴(18)을 제외한 나머지 부분에만 충전됨으로써 최종적으로 고분자 수지 용액(30)이 경화되어 형성되는 에칭 마스크(40)에는 에칭 패턴(18)에 의한 관통부(42)가 형성된다.
도 1의 (a)를 참조하면 본 실시예의 경우 패턴(18)은 상부틀(12)에 형성될 수 있는데, 에칭 패턴(18)을 쉽게 형성하기 위하여 상부틀(12)은 PDMS(polydimethylsiloxane, 폴리디메틸실록산)로 형성될 수 있으며, 하부틀(14)은 평탄한 슬라이드 글라스(slide glass)로 이루어질 수 있다. 한편 다른 실시예에서, 패턴(18)은 하부틀(14)에 형성되며 상부틀(12)은 평판으로 구성될 수도 있다.
틀(10)이 준비되면 상부틀(12)과 하부틀(14) 각각의 표면, 특히 고분자 수지 용액(30)이 주입되는 공간(16)에 접하는 상부틀(12)의 표면(12a)과 하부틀(14)의 표면(14a)에 플라즈마 처리를 한다(도 1의 (b) 참조). 상부틀(12)과 하부틀(14)의 표면(12a, 14a)이 플라즈마 처리가 되면 플라즈마 처리된 표면(20) 부분의 분자구조가 소수성을 띄는 구조로 변경된다. 따라서 틀(10)의 표면(20) 성질이 소수성으로 변경됨으로써 추후에 고분자 수지 용액(30)이 완전히 경화된 후 틀(10)로부터 쉽게 떨어질 수 있다.
본 실시예의 경우 틀(10) 표면을 처리하기 위한 플라즈마는 메탄(CH4)과 헬륨(He) 혼합물로부터 생성될 수 있다. 이때 메탄은 1sccm, 헬륨은 15sccm의 유량으로 공급되어 메탄-헬륨 혼합물을 생성할 수 있다.
메탈-헬륨 플라즈마를 이용하여 상부틀(12) 및 하부틀(14)을 표면처리 할 경우 그 표면(20)에는 도 2의 도시와 같은 분자 구조가 형성된다. 즉, 상부틀(12)과 하부틀(14) 표면에 CH2와 CH3로 이루어진 수십 나노미터의 박막이 형성되는데, 이 박막은 화학적으로 매우 안정한 상태여서 다른 물질과 반응을 하지 않는다. 따라서 고분자 수지가 틀(10)에 주입되어 틀(10) 표면(20)과 접촉하더라도 플라즈마 처리된 틀(10) 표면(20)에의 점착이 최소화 됨으로써 경화된 고분자 수지를 틀(10)로부터 쉽게 떼어낼 수 있다.
틀(10) 표면(12a, 14a)에 대한 플라즈마 처리가 완료되면 상부틀(12)과 하부틀(14)을 서로 접합시켜 공간을 형성시킨다(도 1의 (c) 참조). 그 후 틀(10) 사이의 공간(16)으로 고분자 수지 용액(30)을 주입시킨다(도 1의 (d) 참조). 틀(10)의 공간(16) 일 측으로 고분자 수지 용액(30)을 공급시켜 주면 모세관 현상에 의해 공간(16) 전체로 고분자 수지 용액(30)이 충전된다. 이때 공간(16) 내부에 진공을 형성시켜줄 경우 고분자 수지 용액(30) 내의 기포를 완벽하게 제거할 수 있으며, 충전 효율을 높일 수 있다.
본 실시예의 경우 고분자 수지는 PDMS가 이용될 수 있다. PDMS는 투명한 비활성의 고분자로서 표면에너지가 매우 낮고 형태의 변화가 용이하며 소수성을 가지는 물질로서 다음과 같은 장점을 갖고 있다.
PDMS는 상대적으로 넓은 기판 영역에 안정적으로 점착되며, 이는 평탄하지 않은 표면에 대해서도 동일하게 만족한다. 그리고 PDMS는 면간 자유에너지(interfacial free energy)가 낮으므로 다른 고분자와 몰딩 시에 접착이 잘 일어나지 않는다. 또한 PDMS는 균질(homogeneous)의 등방성(isotropic)을 가지며 광학적으로는 300nm의 두께까지 투명한 성질을 가지며, 매우 내구성이 강해 아주 오랜 시간이 경화하더라도 성질의 열화(degradation)가 일어나지 않는다.
이와 같이 탄성체인 PDMS는 에칭 목적물인 실리콘 블록(50) 표면과 균일하게 접촉됨으로써 밀착성이 우수하다. 또한 표면에너지가 낮으므로 실리콘 블록(50) 표면과의 접착력이 작아 에칭 공정 후 실리콘 블록(50) 표면으로부터 쉽게 분리가 가능하다. 따라서 PDMS를 에칭 마스크의 재료로 이용하면 종래의 SiO2 또는 SiN 막이 가지는 문제점을 해소할 수 있다. 그러나 본 발명에 따른 에칭 마스크의 재료는 PDMS에 한정되지 않고, 틀을 이용하여 성형이 가능하고, 에칭 공정 중 식각되지 않으며, 실리콘 블록(50)에 확실히 밀착되는 한편 쉽게 분리될 수 있는 특성을 가지는 재료라면 어떤 것이라도 가능하다.
한편 본 실시예의 경우 PDMS를 틀(10)에 충전 시 PDMS와 경화제를 10:1 비율로 균일하게 혼합한 후 돌출 패턴(18)이 형성된 공간(16)에 충전할 수 있다. 이때 PDMS에 적절한 점성을 부여하기 위해 자일렌(xylene)이나 톨루엔(toluene)과 같은 유기용매를 이용하여 녹인 형태의 것을 사용할 수 있고, 경화(hardening) 및 고분자화(polymerization)시키기 위하여 DMAP(dymethoxy phenyl acetophenone)과 같은 물질을 경화제로 사용할 수 있다.
고분자 수지 용액(30)이 틀(10) 사이의 공간(16)에 완전히 충전되면(도 1의 (e) 참조) 섭씨 80도의 오븐에서 1시간 동안 경화시킨다. 고분자 수지 용액(30)이 완전히 경화되면 틀(10)로부터 고분자 수지를 떼어낸다(도 1의 (e) 참조). 틀(10)에서 이형된 고분자 수지는 에칭 마스크(40)가 되는데, 최종적으로 만들어진 에칭 마스크(40)에는 틀(10)에 형성된 돌출 패턴(18)에 의하여 실리콘 블록(50)의 에칭될 부분의 대응되는 위치에만 선택적으로 관통공(42)이 형성된다.
다음으로 도 3을 참조하여 실리콘 블록(50)으로부터 실리콘 기둥(54)을 형성하며, 형성된 실리콘 기둥(54)을 가공하고 전극을 형성하는 방법을 살펴본다.
먼저 세정된 실리콘 블록(50)을 준비하여 유리기판(slide glass, 60) 위에 부착한다(도 3의 (a)참조). 필요에 따라서 실리콘 블록(50)은 바닥면까지 완전히 식각될 수 있는데, 이때 유리기판(60)은 각 실리콘 기둥(54)을 지지하는 역할을 한다. 그러나 유리기판(60)은 본 발명에 있어서 필수적인 구성요소는 아니며 생략되어도 무방하다.
유리기판(60)에 부착된 실리콘 블록(50)에 에칭 마스크(40)를 밀착하여 접합시킨다(도 3의 (b)참조). 에칭 마스크(40)가 실리콘 블록(50)에 접합되면 다른 부위는 에칭 마스크(40)에 의해 가려지고 오직 에칭 마스크(40)의 관통공(42)을 통해서만 노출된다.
이후 실리콘 블록(50)의 에칭 마스크(40)에 의해 노출된 부위를 원하는 깊이까지 형상식각하게 되는데(도 3의 (c)참조), 이때 에칭 방법은 여러 가지가 가능한데, 염소계열의 플라즈마 식각공정, 보쉬(Bosch) 공정 또는 DRIE(Deep Reactive Ion Etching)와 같은 이방성(anisotropic) 에칭 기법이 바람직하다.
이중 DRIE는 특정 물질에만 반응하는 반응성 가스(reactive gas)를 주입하는 선택적 건식 에칭(dry etching) 방법으로서, 건식 에칭 기법 중에서도 이온(ion) 가속에 반응성 가스(reactive gas)를 함께 사용하는 식각 방법이다. 일반적으로 DRIE 기법을 이용할 경우 수 ㎛의 패턴에 대해서도 수직으로 식각이 가능하다. 이러한 DRIE 방법을 이용하여 에칭 마스크(40)의 관통공(42)을 통해 노출된 실리콘 블록(50)에 수직으로 원하는 깊이만큼 에칭을 하여 홈(52)을 형성하면 마이크로 니들의 모태가 되는 실리콘 기둥(54)을 형성할 수 있다. 특히 DRIE 방법을 이용하여 실리콘 블록(50)을 에칭하면, 종횡비(aspect ratio)가 1:50 ~ 1:100인 홈(52)을 제작할 수 있어, 결과적으로 종횡비가 큰 실리콘 기둥(54)을 형성할 수 있다.
에칭 공정에 의해 형성되는 홈(52)의 깊이는 성형하고자 하는 마이크로 니들의 길이에 맞추어 공정 조건을 제어함으로써 조절이 가능하고, 에칭 마스크(40)에 형성되는 관통공(42) 패턴의 설계에 따라 원형 기둥이나, 육각형, 사각형, 삼각형 등의 다양한 형상의 실리콘 기둥(54)을 형성시킬 수 있다.
실리콘 기둥(54)의 형성이 완료되면 에칭 마스크(40)를 실리콘 블록(50)으로부터 제거한다(도 3의 (d)참조). 이때 에칭 마스크(40)는 그 재질 특성상 실리콘 블록(50)과의 접착력이 약하기 때문에 쉽게 제거될 수 있다.
에칭 마스크(40)를 제거한 후 가공된 실리콘 블록(50)에 다시 한번 습식 에칭(wet etching)을 수행하여 실리콘 기둥(54)의 끝단(54a)을 뾰족하게 만든다. 습식 에칭은 목적물을 등방성(isotropic)으로 식각하는 특성을 가지고 있으므로, 기둥 형상의 실리콘 기둥(54)을 습식 에칭할 경우 기둥 상단이 기둥 밑단에 비해 표족한 형상으로 식각된다. 마이크로 니들이 피부에 원활하게 침투하기 위해서는 실리콘 기둥(54)의 끝단(54a)이 뾰족하게 형성되는 것이 바람직한데, 실리콘 기둥(54)을 습식 에칭하는 단계를 통해 이를 구현할 수 있다. 그러나 실리콘 기둥(54)의 지름이 피부에 침투하기에 충분히 작은 경우 등과 같은 일정한 조건 하에서는 이 공정은 생략될 수도 있다.
상기와 같이 제조된 마이크로 니들은 그 자체로 사용될 수 있으나 제조되는 마이크로 니들이 미세전류를 전달하기 위한 목적을 가져 전극이 형성될 필요가 있는 경우, 뾰족하게 가공된 실리콘 기둥(54)의 끝단(54a) 중 피부에 삽입되는 부위에 금속 박막(80)을 증착하여 전극을 형성한다(도 3의 (e)참조). 이때 증착 마스크(70)를 이용하여 실리콘 기둥(54)의 원하는 부위에만 금속 박막(80)을 증착시킬 수 있다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정, 변경 및 치환이 가능할 것이다. 따라서 본 발명에 개시된 실시예는 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
10 : 틀 12 : 상부틀
14 : 하부틀 16 : 공간
18 : 돌출 패턴 20 : 플라즈마 처리 표면
30 : 고분자 수지 용액 40 : 에칭 마스크
42 : 관통공 50 : 실리콘 블록
52 : 홈 54 : 실리콘 기둥
54a : 실리콘 기둥의 끝단 60 : 유리기판
70 : 증착 마스크 80 : 금속 박막

Claims (8)

  1. 에칭 패턴이 관통되어 형성되는 에칭 마스크를 제조하는 단계;
    상기 에칭 마스크를 이용하여 실리콘 블록을 에칭하여 실리콘 기둥을 형성하는 단계; 및
    상기 실리콘 기둥을 등방성(isotropic) 에칭 방법에 의해 끝단을 뾰족하게 만드는 단계;
    를 포함하며,
    상기 에칭 마스크를 제조하는 단계는,
    상부틀 및 하부틀을 준비하는 단계;
    상기 상부틀 및 상기 하부틀 표면을 플라즈마 처리하는 단계;
    상기 상부틀과 상기 하부틀 사이의 공간에 고분자 수지 용액을 충전하는 단계;
    상기 고분자 수지 용액을 경화시키는 단계; 및
    경화된 상기 고분자 수지를 상기 상부틀 및 하부틀로부터 이형시키는 단계;
    를 포함하는 마이크로 니들 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 고분자 수지는 PDMS(Polydimethylsiloxane, 폴리디메틸실록산)인 마이크로 니들 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 플라즈마는 메탈 및 헬륨 혼합물로부터 생성되는 마이크로 니들 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 고분자 수지 용액을 충전하는 단계는,
    상기 상부틀 및 상기 하부틀 사이의 공간에 진공을 형성하는 단계를 포함하는 마이크로 니들 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 실리콘 기둥은 이방성(anisotropic) 에칭 방법에 의해 형성되는 마이크로 니들 제조 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 이방성 에칭 방법은 심도 반응성 이온 에칭(Deep Reactive Ion Etching, DRIE) 방법인 마이크로 니들 제조 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 실리콘 기둥의 끝단에 금속 박막을 증착하는 단계를 더 포함하는 마이크로 니들 제조 방법.
  8. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항의 제조 방법에 의해 제조된 마이크로 니들.
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