KR20120000122A - 고효율 발광 다이오드 - Google Patents

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KR20120000122A
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Abstract

지지기판; 상기 지지기판 상에 위치하고, p형 화합물 반도체층, 활성층 및 n형 화합물 반도체층을 포함하는 반도체 적층 구조체; 상기 지지기판과 상기 반도체 적층 구조체 사이에 위치하여 상기 반도체 적층 구조체에 오믹 콘택하고, 상기 반도체 적층 구조체의 외부로 노출된 영역을 갖는 제1 전극; 상기 제1 전극의 외부로 노출된 영역 상에 위치하고, 상기 제1 전극에 전기적으로 접속된 제1 본딩 패드; 및 상기 반도체 적층 구조체 상에 위치하는 제2 전극을 포함하되; 상기 반도체 적층 구조체는 상부 표면에 복수의 콘들이 형성되되, 상기 복수의 콘들은 에칭 표면과, 상기 에칭 표면위에 형성된 유전 물질의 증착 표면을 가지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드가 제공된다.

Description

고효율 발광 다이오드{HIGH EFFICIENCY LIGHT EMITTING DIODE}
본 발명은 발광 다이오드에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기판 분리 공정을 적용하여 성장기판을 제거한 질화갈륨 계열의 고효율 발광 다이오드에 관한 것이다.
일반적으로 질화갈륨(GaN), 질화알루미늄(AlN) 등과 같은 Ⅲ족 원소의 질화물은 열적 안정성이 우수하고 직접 천이형의 에너지 밴드(band) 구조를 가지므로, 최근 가시광선 및 자외선 영역의 발광소자용 물질로 많은 각광을 받고 있다. 특히, 질화인듐갈륨(InGaN)을 이용한 청색 및 녹색 발광 소자는 대규모 천연색 평판 표시 장치, 신호등, 실내 조명, 고밀도광원, 고해상도 출력 시스템과 광통신 등 다양한 응용 분야에 활용되고 있다.
이러한 III족 원소의 질화물 반도체층은 그것을 성장시킬 수 있는 동종의 기판을 제작하는 것이 어려워, 유사한 결정 구조를 갖는 이종 기판에서 금속유기화학기상증착법(MOCVD) 또는 분자선 증착법(molecular beam epitaxy; MBE) 등의 공정을 통해 성장된다. 이종기판으로는 육방 정계의 구조를 갖는 사파이어(Sapphire) 기판이 주로 사용된다. 그러나, 사파이어는 전기적으로 부도체이므로, 발광 다이오드 구조를 제한한다. 이에 따라, 최근에는 사파이어와 같은 이종기판 상에 질화물 반도체층과 같은 에피층들을 성장시키고, 상기 에피층들에 지지기판을 본딩한 후, 레이저 리프트 오프 기술 등을 이용하여 이종기판을 분리하여 수직형 구조의 고효율 발광 다이오드를 제조하는 기술이 개발되고 있다(예컨대, 미국등록특허공보 US7,704,763호 참조).
도 1은 종래의 발광 다이오드를 설명하기 위한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 종래의 수직형 구조의 발광 다이오드는 성장기판(도시하지 않음) 상에 질화갈륨계열의 n형 층(23), 활성층(25) 및 p형 층(27)을 차례로 형성하고, p형 층(27) 상에 p형 전극(39)을 형성하고, p형 전극(39)을 본딩 금속(43)을 통해 Si 서브마운트(41)에 플립본딩한 후, 성장 기판을 제거하고, 노출된 n형 층(23) 상에 n-전극(37)을 형성함으로써 제조된다. 한편, Si 서브마운트(41)의 하부면에는 n형 전극(45)이 형성된다. 나아가, 상기 미국등록특허공보 US7,704,763호는 노출된 n형 층(23)의 표면에 건식 또는 PEC 에칭 기술을 사용하여 거칠어진 면을 형성함으로써 광 추출 효율을 향상시킨다.
미국등록특허공보 US7,704,763호
본 발명이 해결하려는 과제는, 광추출 효율을 극대화할 수 있는 고효율 발광 다이오드를 제공하는 것이다.
본 발명의 일측면에 의하면, 지지기판; 상기 지지기판 상에 위치하고, p형 화합물 반도체층, 활성층 및 n형 화합물 반도체층을 포함하는 반도체 적층 구조체; 상기 지지기판과 상기 반도체 적층 구조체 사이에 위치하여 상기 반도체 적층 구조체에 오믹 콘택하고, 상기 반도체 적층 구조체의 외부로 노출된 영역을 갖는 제1 전극; 상기 제1 전극의 외부로 노출된 영역 상에 위치하고, 상기 제1 전극에 전기적으로 접속된 제1 본딩 패드; 및 상기 반도체 적층 구조체 상에 위치하는 제2 전극을 포함하되; 상기 반도체 적층 구조체는 상부 표면에 복수의 콘들이 형성되되, 상기 복수의 콘들은 에칭 표면과, 상기 에칭 표면위에 형성된 유전 물질의 증착 표면을 가지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드가 제공된다.
상기 증착 표면 및 상기 에칭 표면은, 임의의 에칭 표면에 형성된 콘의 경사도보다 해당 증착 표면에 형성된 콘의 경사도가 완만할 수 있다.
상기 에칭 표면은 육각형 피라미드 콘 형상을 가지며, 상기 증착 표면은 원뿔 콘 형상을 가질 수 있다.
상기 증착 표면에 형성된 하나의 콘은, 상기 에칭 표면에 형성된 적어도 두개의 콘을 덮어 형성될 수 있다.
상기 증착 표면은, 상기 에칭 표면의 바닥면에 추가적으로 돌출되어 형성된 추가 콘을 포함할 수 있다.
상기 에칭 표면은 PEC 에칭에 의해 형성될 수 있다.
상기 지지기판은 도전성일 필요가 없으며, 예컨대 사파이어 기판일 수 있다. 견고한 사파이어 기판을 지지기판으로 사용함으로써 발광 다이오드의 변형을 방지할 수 있다.
한편, 상기 제1 전극은 반사층을 포함할 수 있으며, 나아가 상기 반사층을 보호하기 위한 보호 금속층을 포함할 수 있다. 또한, 상기 반사층은 상기 보호 금속층과 상기 반도체 적층 구조체 사이에 매립되고, 상기 보호 금속층이 외부로 노출될 수 있다.
상기 p형 화합물 반도체층이 n형 화합물 반도체층보다 지지기판측에 가깝게 위치할 수 있으며, 상기 제1 전극은 p형 화합물 반도체층에 오믹 콘택할 수 있다.
본 발명에 따르면, n형 화합물 반도체층의 표면을 PEC 에칭하고, 그 에칭 표면위에 유전 물질을 증착하여 유전 물질의 증착 표면을 형성하게 되면, 표면에 형성된 콘들의 경사도가 완만해져서 표면에서의 광추출 효율을 향상시킬 수 있다. 이에 따라, 활성층에서 생성된 광들중에서 내부로 전반사되는 광들이 줄어들게 되고 외부로 더 많은 광들이 방출될 수 있다.
도 1은 종래기술에 따른 수직형 구조의 발광 다이오드를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 단면도이다.
도 3은 도 2에서 발광 다이오드의 일부 표면을 확대한 도면이다.
도 4 및 도 5는 유전 물질에 의해 완만한 경사도를 가지는 증착 표면을 보여주는 SEM 사진이다.
도 6 및 도 7은 유전 물질이 제거된 상태의 가파른 경사도를 가지는 에칭 표면을 보여주는 SEM 사진이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 다음에 소개되는 실시예는 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 동일한 참조번호는 동일한 구성요소를 나타내며, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다.
도 2는 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 단면도이며, 도 3은 도 2에서 발광 다이오드의 일부 표면(A)을 확대한 도면이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 발광 다이오드는 지지기판(71), 본딩 금속(73), 반도체 적층 구조체(50), p-전극(61), n-전극(69), p-본딩 패드(65)를 포함한다.
지지기판(71)은 화합물 반도체층들을 성장시키기 위한 성장기판과 구분되며, 이미 성장된 화합물 반도체층들에 부착된 2차 기판이다. 상기 지지기판(71)은 사파이어 기판일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 종류의 절연 또는 도전 기판일 수 있다. 특히, 성장 기판으로 사파이어 기판을 사용하는 경우, 성장 기판과 동일한 열팽창계수를 갖기 때문에 지지기판을 본딩하고 성장기판을 제거할 때, 웨이퍼 휨을 방지할 수 있으며, 또한 반도체 적층 구조체(50)를 견고하게 지지할 수 있다.
반도체 적층 구조체(50)는 지지기판(51) 상에 위치하며, p형 화합물 반도체층(57), 활성층(55) 및 n형 화합물 반도체층(53)을 포함한다. 여기서, 상기 반도체 적층 구조체(50)는 일반적인 수직형 발광 다이오드와 유사하게 p형 화합물 반도체층(57)이 n형 화합물 반도체층(53)에 비해 지지기판(71) 측에 가깝게 위치한다. 상기 반도체 적층 구조체(50)는 지지기판(71)의 일부 영역 상에 위치한다. 즉, 지지기판(71)이 반도체 적층 구조체(50)에 비해 상대적으로 넓은 면적을 가지며, 반도체 적층 구조체(50)는 상기 지지기판(71)의 가장자리로 둘러싸인 영역 내에 위치한다.
n형 화합물 반도체층(53), 활성층(55) 및 p형 화합물 반도체층(57)은 III-N 계열의 화합물 반도체, 예컨대 (Al, Ga, In)N 반도체로 형성될 수 있다. n형 화합물 반도체층(53) 및 p형 화합물 반도체층(57)은 각각 단일층 또는 다중층일 수 있다. 예를 들어, n형 화합물 반도체층(53) 및/또는 p형 화합물 반도체층(57)은 콘택층과 클래드층을 포함할 수 있으며, 또한 초격자층을 포함할 수 있다. 또한, 상기 활성층(55)은 단일 양자우물 구조 또는 다중 양자우물 구조일 수 있다. 저항이 상대적으로 작은 n형 화합물 반도체층(53)이 지지기판(71)의 반대쪽에 위치함으로써 n형 화합물 반도체층(53)의 상부면에 거칠어진 면을 형성하는 것이 용이하며, 거칠어진 면은 활성층(55)에서 생성된 광의 추출 효율을 향상시킨다.
n형 화합물 반도체층(53)은 표면에 거칠어진 면을 가질 수 있다. 도 3에 도시된 바와 같이, n형 화합물 반도체층(53)의 상부 표면에는 복수의 콘들이 형성되어 있다. 복수의 콘들은 에칭 표면(63)과, 에칭 표면(63)위에 형성된 유전 물질의 증착 표면(64)을 가지고 있다.
p-전극(59, 61)은 p형 화합물 반도체층(57)과 지지기판(71) 사이에 위치하며, p형 화합물 반도체층(57)에 오믹 콘택한다. p-전극(59, 61)은 반사층(59) 및 보호 금속층(61)을 포함할 수 있으며, 반사층(59)이 반도체 적층 구조체(50)와 지지기판(71) 사이에 매립되도록 보호 금속층(61)이 반사층(59)을 감쌀 수 있다. 상기 반사층(59)은 예컨대 Ag와 같은 반사 금속으로 형성될 수 있으며, 보호 금속층(61)은 예컨대, Ni로 형성될 수 있다. 상기 p-전극, 예컨대 상기 보호 금속층(61)은 지지기판(71)의 전면 상에 위치할 수 있으며, 따라서, 상기 보호 금속층(61)은 반도체 적층 구조체(50)의 외부로 노출된 영역을 갖는다.
반도체 적층 구조체(50)의 외부로 노출된 p-전극, 예컨대 보호 금속층(61) 상에 p형 본딩 패드(65)가 위치할 수 있다. 상기 p형 본딩 패드(65)는 p-전극(59, 61)을 통해 p형 화합물 반도체층(57)에 전기적으로 접속한다.
한편, 본딩 금속(73)은 지지기판(71)과 p-전극(59, 61) 사이에 위치하여 반도체 적층 구조체(30)와 지지기판(71)을 결합시킨다. 본딩 금속(73)은 예컨대 Au-Sn으로 공융 본딩을 이용하여 형성될 수 있다.
p형 전극(59, 61)은 본딩 금속(73)을 통해 지지기판(71)에 플립본딩되고, n형 화합물 반도체층(53)은 성장 기판의 제거를 통해 노출된다.
한편, n-전극(69)은 반도체 적층 구조체(50) 상에 위치하며, 성장 기판의 제거를 통해 노출된 n형 화합물 반도체층(53)에 전기적으로 접속된다.
노출된 n형 화합물 반도체층(53)은 건식 또는 PEC 에칭 기술을 사용하여 표면에 거칠어진 면을 가지게 되어 광 추출 효율을 향상시키게 된다.
에칭 표면(63)은 PEC 에칭에 의해 형성될 수 있다. 즉, n형 화합물 반도체층(53)의 표면에 건식 또는 PEC(photo electro chemical) 에칭 기술을 사용하여 거칠어진 면을 형성함으로써 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.
PEC 에칭은 발광 다이오드에 GaN의 에너지 밴드갭보다 에너지가 큰 자외선 영역의 광을 쏘여주면서 수용액 상태에서 수행될 수 있다. PEC 에칭은 예를 들어 KOH 용액을 전해액으로, Xe 램프를 광원으로 사용하여 PEC 에칭을 수행할 수 있다. 이때, KOH 용액에는 산화제와 Ga2O3 같은 중간체를 에칭하는 에천트가 포함될 수 있다. 한편, 광원으로는 Hg 램프가 사용될 수도 있다. 이에 따라, n형 화합물 반도체층(53)의 표면들이 에칭되어진다. n형 화합물 반도체층(53)의 표면들이 에칭되는 것은 반도체층의 결정성 방향과 관계가 있다. 즉, 반도체층의 표면에 PEC(photo electro chemical) 에칭을 수행하게 되면 반도체층 표면의 결정 방향 차이에 의해 콘이 형성된다.
결정성을 가지는 화합물 반도체층에 대하여 PEC(photo electro chemical) 에칭을 수행하게 되는 경우, 표면의 결정 방향에 따라 에칭의 진행 속도에 차이가 있다. 이에 따라, 표면에서 물질의 결정면을 따라 에칭이 진행되며 결과적으로 결정면이 드러나도록 에칭이 이루어진다.
이 과정 중에 표면에는 피라미드 형태의 콘들이 형성 되어진다. GaN의 10-1-1면은 안정하기 때문에 일반적으로 육각형태의 피라미드 콘이 형성 되어진다. 또한 표면에 형성되는 콘들은 GaN내에 존재하는 결정 결함과 연관되어져 있다. 그렇기 때문에 표면에는 여러 형태의 피라미드 콘들이 형성 되어지거나 이러한 콘이 형성되지 않은 표면이 존재하게 된다.
한편, 증착 표면(64)은 에칭 표면(63)에 유전 물질을 증착하여 형성될 수 있다. 이때 사용되는 유전 물질에는 SiO2, TiO2, Si2N2와 같은 물질이 사용될 수 있다.
증착 표면(64) 및 에칭 표면(63)은 임의의 에칭 표면(63)에 형성된 콘의 경사도보다 해당 증착 표면(64)에 형성된 콘의 경사도가 완만함을 볼 수 있다. 에칭 표면(63)은 육각형 피라미드 콘 형상을 가진다. 증착 표면(64)은 원뿔 콘 형상을 가진다. 증착 표면(64)에 형성된 하나의 콘은, 에칭 표면(63)에 형성된 적어도 두개의 콘을 덮어 형성될 수 도 있다. 즉, PEC 에칭 과정에서 콘이 갈라지거나 불규칙하게 합쳐질 수 있는데, 이러한 콘의 갈라짐이나 합쳐짐들이 유전 물질에 의해 하나의 콘으로 균일해질 수 있다. 이뿐 아니라, 도시되지 않았지만, 증착 표면은, 에칭 표면의 평평한 바닥면에 추가적으로 돌출되어 형성된 추가 콘을 포함할 수 있다.
증착 표면(64) 및 에칭 표면(63)은 에칭 표면(63)에 형성된 콘의 경사도보다 증착 표면(64)에 형성된 콘의 경사도가 완만함을 볼 수 있다.
에칭 표면(63)위에 유전 물질을 증착하여 유전 물질의 증착 표면(64)을 형성하게 되면, 표면에 형성된 콘들의 경사도가 완만해진다. 이에 따라, 활성층에서 생성된 광들중에서 내부로 전반사되는 광들이 줄어들게 되고 외부로 더 많은 광들이 방출될 수 있다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 발광 다이오드 표면을 보여주는 것으로, 유전 물질에 의해 완만한 경사도를 가지는 증착 표면을 보여주는 SEM 사진이다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 발광 다이오드의 표면들에 다수의 콘들이 형성되어 있는데, 각 콘들은 끝부분이 대체로 완만하여 원형의 형상을 가지고 있으며, 전체적으로 경사가 완만한 형태를 가지고 있음을 볼 수 있다.
도 6 및 도 7은 유전 물질이 제거된 상태의 가파른 경사도를 가지는 에칭 표면을 보여주는 SEM 사진이다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 유전 물질이 증착되어 있지 않고 PEC 에칭에 의해 형성된 다수의 콘들을 가지고 있는 에칭 표면을 볼 수 있다. 각 콘의 형상들을 보면 전체적으로 끝부분이 날카로움을 볼 수 있다.
이와 같이, n형 화합물 반도체층의 표면을 PEC 에칭하고, 그 에칭 표면위에 유전 물질을 증착하여 유전 물질의 증착 표면을 형성하게 되면, 표면에 형성된 콘들의 경사도가 완만해져서 표면에서의 광추출 효율을 향상시킬 수 있다. 이에 따라, 활성층에서 생성된 광들중에서 내부로 전반사되는 광들이 줄어들게 되고 외부로 더 많은 광들이 방출될 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예들에 대해 예시적으로 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서 앞서 설명된 실시예들은 본 발명의 기술사상을 한정하기 위한 것이 아니라 단지 더 잘 이해할 수 있도록 설명하기 위한 것으로 이해되어야 한다. 본 발명의 권리 범위는 이러한 실시예들에 의해 한정되지 않으며, 아래 청구범위에 의해 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
예컨대, 앞에서 설명한 실시예들에 있어서, p형 화합물 반도체층(57)이 n형 화합물 반도체층(53)에 비해 지지기판(71)측에 가깝게 위치하는 것으로 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 그 역으로 배치될 수도 있다. 이 경우, n-전극(69)과 p-전극(59, 61) 및 p형 본딩 패드(65)는 극성이 서로 바뀐다.

Claims (10)

  1. 지지기판;
    상기 지지기판 상에 위치하고, p형 화합물 반도체층, 활성층 및 n형 화합물 반도체층을 포함하는 반도체 적층 구조체; 및
    상기 지지기판과 상기 반도체 적층 구조체 사이에 위치하여 상기 반도체 적층 구조체에 오믹 콘택하고, 상기 반도체 적층 구조체의 외부로 노출된 영역을 갖는 제1 전극;
    상기 제1 전극의 외부로 노출된 영역 상에 위치하고, 상기 제1 전극에 전기적으로 접속된 제1 본딩 패드; 및
    상기 반도체 적층 구조체 상에 위치하는 제2 전극을 포함하되;
    상기 반도체 적층 구조체는 상부 표면에 복수의 콘들이 형성되되
    상기 복수의 콘들은 에칭 표면과, 상기 에칭 표면위에 형성된 유전 물질의 증착 표면을 가지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 증착 표면 및 상기 에칭 표면은,
    임의의 에칭 표면에 형성된 콘의 경사도보다 해당 증착 표면에 형성된 콘의 경사도가 완만한 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 에칭 표면은 육각형 피라미드 콘 형상을 가지며,
    상기 증착 표면은 원뿔 콘 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 증착 표면에 형성된 하나의 콘은, 상기 에칭 표면에 형성된 적어도 두개의 콘을 덮고 있는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 증착 표면은, 상기 에칭 표면의 바닥면에 추가적으로 돌출되어 형성된 추가 콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 에칭 표면은 PEC 에칭에 의해 형성된 표면인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 지지기판은 사파이어인 발광 다이오드.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 전극은 반사층; 및
    상기 반사층을 보호하기 위한 보호 금속층을 포함하는 발광 다이오드.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 반사층은 상기 보호 금속층과 상기 반도체 적층 구조체 사이에 매립되고, 상기 보호 금속층이 외부로 노출된 발광 다이오드.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 전극은 p형 화합물 반도체층에 오믹 콘택하는 발광 다이오드.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2009010012A (ja) 2007-06-26 2009-01-15 Panasonic Electric Works Co Ltd 半導体発光素子、その製造方法及び発光装置
KR101507129B1 (ko) * 2008-03-28 2015-03-31 서울바이오시스 주식회사 발광 다이오드 및 그 제조방법
KR101457209B1 (ko) * 2008-09-29 2014-10-31 서울바이오시스 주식회사 발광 소자 및 그 제조방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US9425410B2 (en) * 2013-02-13 2016-08-23 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode

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