KR20110140010A - 근적외광 신호를 이용한 이미지 센서 - Google Patents
근적외광 신호를 이용한 이미지 센서 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20110140010A KR20110140010A KR1020100060174A KR20100060174A KR20110140010A KR 20110140010 A KR20110140010 A KR 20110140010A KR 1020100060174 A KR1020100060174 A KR 1020100060174A KR 20100060174 A KR20100060174 A KR 20100060174A KR 20110140010 A KR20110140010 A KR 20110140010A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- light
- region
- filter unit
- filter
- image sensor
- Prior art date
Links
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/201—Filters in the form of arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14621—Colour filter arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14645—Colour imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14649—Infrared imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/10—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof for generating image signals from different wavelengths
- H04N23/11—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof for generating image signals from different wavelengths for generating image signals from visible and infrared light wavelengths
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/10—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof for transforming different wavelengths into image signals
- H04N25/11—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics
- H04N25/13—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements
- H04N25/131—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements including elements passing infrared wavelengths
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Color Television Image Signal Generators (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
Abstract
색 왜곡을 최소화하면서 고감도 영상을 얻을 수 있는 근적외광 신호를 이용한 이미지 센서는 가시광 영역에 대응되는 빛을 통과시키고, 가시광 영역보다 장파장 대역인 제 1 영역에 대응되는 빛을 통과시키고, 제 1 영역보다 장파장 대역인 제 2 영역에 대응되는 빛을 차단하는 제 1 필터부, 제 1 필터부의 하부에 형성되고, 제 1 필터부를 통과한 광 중에서 가시광 영역에 대응되는 빛 중 특정 파장의 빛과 제 1 영역에 대응되는 빛을 통과시키는 제 2 필터부 및 제 2 필터부의 하부에 형성되고, 제 2 필터부를 통과한 빛을 검출하는 센서부를 포함한다.
Description
빛을 검출하고 검출된 빛에 따라 영상을 생성하는 기술과 관련된다.
이미지 센서는 입사된 빛을 검출하고 검출된 빛에 대응되는 영상을 생성한다. 통상적으로, 이미지 센서는 상부의 적외선 차단 필터(IR cutoff filter), 중앙부의 컬러 필터 어레이(color filter, CFA) 그리고 하부의 포토 디텍터(photo detector)로 구성된다.
적외선 차단 필터는 약 650nm 이상의 파장을 갖는 빛, 즉 적외광을 차단하는 일종의 로우 패스 필터(low pass filter, LPF)이다. 컬러 필터 어레이는 대략400nm ~ 700nm 사이의 파장을 갖는 가시광 중에서 적색광, 녹색광, 청색광과 같은 특정한 파장 대역의 가시광을 선택적으로 통과시키는 밴드 패스 필터(band pass filter, BPF)이다. 예컨대, 컬러 필터 어레이는 RG와 GB가 반복되는 베이터 패턴(Bayer pattern)이 될 수 있다. 포토 디텍터는 적외선 차단 필터 및 컬러 필터 어레이를 통과한 빛을 검출하고 검출된 빛에 대응되는 영상 신호를 생성한다.
만약 포토 디텍터에 적외광이 입력되면, 이 적외광으로 인해 영상에 색 왜곡이 발생할 수 있다. 따라서 적외선 차단 필터를 이용하여 포토 디텍터로 입사되는 적외광을 차단하는 것이 일반적이다. 그러나 이러한 색 왜곡에도 불구하고 고감도 영상을 얻기 위해 적외선 차단 필터를 제거하고 사용해야 할 경우도 있다. 적외선 차단 필터를 제거하면 더 많은 빛, 즉 더 넓은 파장 대역의 빛을 이용할 수 있기 때문에 고감도 영상을 얻는 데에 사용될 수 있기 때문이다.
다시 말해, 이미지 센서에 있어서, 적외선 차단 필터를 사용하면 영상의 색 왜곡은 줄어드나 고감도 영상을 얻기가 힘들어지고, 적외선 차단 필터를 사용하지 아니하면 고감도 영상은 얻을 수가 있으나 영상의 색 왜곡 발생 정도가 증가하게 되는 것이다.
색 왜곡을 최소화하면서 고감도 영상을 얻을 수 있는 근적외광 신호를 이용한 이미지 센서가 제공된다.
본 발명의 일 양상에 따른 이미지 센서는 가시광 영역에 대응되는 빛을 통과시키고, 가시광 영역보다 장파장 대역인 제 1 영역에 대응되는 빛을 통과시키고, 제 1 영역보다 장파장 대역인 제 2 영역에 대응되는 빛을 차단하는 필터부 및 상기 필터부를 통과한 빛을 검출하는 센서부를 포함한다.
또한 본 발명의 다른 양상에 따른 이미지 센서는 가시광 영역에 대응되는 빛 중 특정 파장의 빛을 통과시키고, 가시광 영역보다 장파장 대역인 제 1 영역에 대응되는 빛을 통과시키고, 제 1 영역보다 장파장 대역인 제 2 영역에 대응되는 빛을 차단하는 필터부 및 필터부의 하부에 형성되고, 필터부를 통과한 빛을 검출하는 센서부를 포함한다.
또한 본 발명의 또 다른 양상에 따른 이미지 센서는 가시광 영역에 대응되는 빛을 통과시키고, 가시광 영역보다 장파장 대역인 제 1 영역에 대응되는 빛을 통과시키고, 제 1 영역보다 장파장 대역인 제 2 영역에 대응되는 빛을 차단하는 제 1 필터부, 제 1 필터부의 하부에 형성되고, 제 1 필터부를 통과한 광 중에서 가시광 영역에 대응되는 빛 중 특정 파장의 빛과 제 1 영역에 대응되는 빛을 통과시키는 제 2 필터부 및 제 2 필터부의 하부에 형성되고, 제 2 필터부를 통과한 빛을 검출하는 센서부를 포함한다.
또한 본 발명의 또 다른 양상에 따른 이미지 센서는 가시광 영역에 대응되는 빛 중 특정 파장의 빛과 적외광을 통과시키는 필터부 및 필터부의 하부에 형성되고, 필터부를 통과한 빛을 검출하는 센서부를 포함하며, 센서부의 상부는 가시광 영역에 대응되는 빛 중 특정 파장의 빛을 검출하고, 센서부의 하부는 650nm 내지 800nm 사이의 파장을 갖는 빛을 검출하는 것이 가능하다.
개시된 내용에 따르면, 가시광 영역에 대응되는 색 신호 외에 근적외광 신호를 함께 이용하여 영상을 생성하기 때문에 색 왜곡을 최소화하면서도 고감도 영상을 획득할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 빛의 파장 대역을 도시하고,
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서를 도시하고,
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 이미지 센서를 도시하고,
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 이미지 센서를 도시한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서를 도시하고,
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 이미지 센서를 도시하고,
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 이미지 센서를 도시한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시를 위한 구체적인 예를 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 빛의 파장 대역을 도시한다.
도 1을 참조하면, 빛의 파장 대역은 가시광 영역(100), 제 1 영역(101) 및 제 2 영역(102)으로 구분될 수 있다. 제 1 영역(101)은 가시광 영역(100)이 끝나는 지점에서부터 약 800nm 파장에 대응되는 지점까지가 될 수 있다. 제 2 영역(102)은 약 800nm 파장에 대응되는 지점에서부터 약 1100nm 파장에 대응되는 지점까지가 될 수 있다. 가시광 영역(100)은 통상 약 330nm ~ 770nm 정도의 파장 대역을 의미하는데, 본 실시예에서는 약 400nm ~ 650nm 파장에 대응되는 부분으로 정의한다. 따라서 제 1 영역(101)은 약 650nm ~ 800nm 파장에 대응되고, 제 2 영역(102)은 약 800nm 이상의 파장에 대응될 수 있다. 참고로 통상적인 적외선 차단 필터는 약 650nm 이상의 파장을 갖는 빛을 차단한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서를 도시한다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 이미지 센서(200)는 제 1 필터부(201), 제 2 필터부(202), 센서부(203)를 포한한다.
제 1 필터부(201)는 가시광 영역(100)에 대응되는 빛을 통과시키고, 제 1 영역(101)에 대응되는 빛을 통과시키고, 제 2 영역(102)에 대응되는 빛을 차단한다. 즉, 제 1 필터부(201)는 약 800nm 이상의 파장 대역의 빛을 흡수하거나 반사하고 나머지 파장 대역의 빛만 선택적으로 통과시킨다. 예컨대, 제 1 필터부(201)는 형성 두께 및/또는 형성 물질에 따라 필터링 특성이 결정되는 다이크로익(dichroic filter)가 될 수 있다.
제 2 필터부(202)는 제 1 필터부(201)의 하부에 형성되고, 가시광 영역(100)에 대응되는 빛 중 특정 파장의 빛과 제 1 영역(101)에 대응되는 빛을 통과시킨다. 예컨대, 제 2 필터부(202)는 베이어 패턴(Bayer pattern)을 갖는 RGB 컬러 필터가 될 수 있다.
센서부(203)는 제 2 필터부(202)의 하부에 형성되고, 빛을 검출하여 영상 신호를 생성한다. 예컨대, 센서부(203)는 CCD(charge coupled device) 또는 CMOS(complementary metal-oxide semiconductor) 등의 포토 디텍터(photo detector)가 될 수 있다.
제 1 필터부(201)로 입사되는 빛(204)은 모든 파장 대역을 갖는다. 제 1 필터부(201)는 가시광 영역(100) 및 제 1 영역(101)에 해당하는 파장 대역의 빛만 통과시킨다. 따라서 제 1 필터부(201)를 통과한 빛(205)은 가시광 영역(100)과 제 1 영역(101)에 대응되는 파장 대역을 갖는다. 제 1 필터부(201)를 통과한 빛(205)은 제 2 필터부(202)로 입력된다. 제 2 필터부(202)는 가시광 영역(100)에 대응되는 빛 중 RGB와 같은 특정한 색을 갖는 빛과 제 1 영역(101)에 대응되는 빛을 통과시킨다. 따라서 제 2 필터부(202)를 통과한 빛(206, 207, 208)은 가시광 영역(100) 중 특정한 부분과 제 1 영역(101)에 대응되는 파장 대역을 갖는다. 예컨대, 제 2 필터부(202)의 B pixel을 통과한 빛은 청색광(208)에 대응되는 약 460nm ~ 500nm 파장의 빛과 제 1 영역(101)에 대응되는 650nm ~ 800nm 파장의 빛이 될 수 있다. 따라서 센서부(203)가 빛을 검출하여 영상 신호를 생성할 때, 가시광 영역(100)에 대응되는 색 신호 외에 제 1 영역(101)에 대응되는 근적외광 신호를 함께 이용할 수 있기 때문에 색 왜곡을 최소화하면서 고감도 영상을 생성하는 것이 가능하다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 이미지 센서를 도시한다.
도 1 및 도 3을 참조하면, 이미지 센서(300)는 필터부(301) 및 센서부(302)를 포함한다.
필터부(301)는 가시광 영역(100)에 대응되는 빛 중 적색광(R), 녹색광(G), 청색광(B)과 같은 특정 파장의 빛을 통과시킨다. 또한 필터부(301)는 제 1 영역(101)에 대응되는 빛을 통과시키고, 제 2 영역(102)에 대응되는 빛을 차단한다. 즉 필터부(301)는 약 800nm 이상의 파장 대역의 빛을 흡수하거나 반사하고 나머지 파장 대역의 빛 중 적색광(R), 녹색광(G), 또는 청색광(B) 등의 컬러 신호와 약 650nm ~ 800nm 사이의 근적외광 신호를 통과시키는 것이 가능하다.
센서부(302)는 필터부(301)의 하부에 형성되고, 필터부(301)를 통과한 빛을 검출한다.
필터부(301)로 입사되는 빛(303)은 모든 파장 대역을 갖는다. 필터부(301)는 가시광 영역(100)에 대응되는 빛 중 RGB와 같은 특정한 색을 갖는 빛과 제 1 영역(101)에 대응되는 빛을 통과시키므로, 필터부(301)를 통과한 빛(304, 305, 306)은 가시광 영역(100) 중 특정한 부분과 제 1 영역(101)에 대응되는 파장 대역을 갖는다. 예컨대, 필터부(301)의 B pixel을 통과한 빛(306)은 청색광에 대응되는 약 460nm ~ 500nm 파장의 빛과 제 1 영역(101)에 대응되는 650nm ~ 800nm 파장의 빛이 될 수 있다. 따라서 센서부(302)가 빛을 검출하여 영상 신호를 생성할 때, 가시광 영역(100)에 대응되는 색 신호 외에 제 1 영역(101)에 대응되는 근적외광 신호를 함께 이용할 수 있기 때문에 색 왜곡을 최소화하면서 고감도 영상을 생성하는 것이 가능하다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 이미지 센서를 도시한다.
도 1 및 도 4를 참조하면, 이미지 센서(400)는 필터부(401) 및 센서부(402)를 포함한다. 그리고 센서부(402)는 상부(403)와 하부(404)로 구분될 수 있다.
필터부(401)는 가시광 영역(100)에 대응되는 빛 중 적색광(R), 녹색광(G), 청색광(B)과 같은 특정 파장의 빛을 통과시킨다. 또한 필터부(401)는 제 1 영역(101) 및 제 2 영역(102)에 대응되는 빛을 통과시킨다. 즉 필터부(401)는 적색광(R), 녹색광(G), 또는 청색광(B) 등의 컬러 신호와 약 650nm 이상의 적외광 신호를 통과시키는 것이 가능하다. 예컨대, 필터부(401)로 입사된 광(405) 중 B pixel을 통과한 빛(408)은 청색광에 대응되는 약 460nm ~ 500nm 파장의 빛과 제 1 영역(101) 및 제 2 영역(102)에 대응되는 650nm 파장 이상의 빛이 될 수 있다.
필터부(401)를 통과한 빛(406, 407, 408) 중에서, 센서부(402)의 상부(403)는 가시광 영역(100)에 대응되는 빛을 검출하고, 센서부(402)의 하부(404)는 제 1 영역(101)에 대응되는 빛을 검출한다. 센서부(402)가 반도체 기반으로 만들어지는 경우, 센서부(402)의 상부(403)는 상대적으로 단파장의 빛을 검출하고 센서부(402)의 하부(404)는 상대적으로 장파장의 빛을 검출할 수 있다. 따라서 센서부(402)의 두께를 적절히 조절함으로써, 가시광 영역(100)에 대응되는 색 신호와 제 1 영역(101)에 대응되는 근적외광 신호를 함께 이용하는 것이 가능하다.
일반적으로 적외선 차단 필터는 650nm 이하의 파장을 갖는 빛을 차단한다. 따라서 적외선 차단 필터 하부에 위치한 이미지 센서 모듈은 약 400nm ~ 650nm 파장의 빛을 이용하여 영상을 생성한다. 이에 반해 본 실시예에 따른 이미지 센서들은, 전술하였듯이, 약 400nm ~ 800nm 파장의 빛을 이용하여 영상을 생성한다. 즉 약 650nm ~ 800nm 사이, 즉 150nm 정도의 대역폭을 더 사용하는 것인데, 이러한 확장된 대역폭에 따라 감도가 더 높은 영상을 생성할 수 있다. 또한 확장된 대역폭에 따라 유발될 수 있는 색 왜곡은 그리 심하지가 않다. 왜냐하면 본 실시예에 따른 약 800nm 지점은 감도 증가와 색 왜곡 증가 간의 트레이드 오프 지점이기 때문이다. 이와 같이 본 실시예에 따른 이미지 센서를 이용하면 색 왜곡을 최소화하면서도 고감도 영상을 얻을 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시를 위한 구체적인 예를 살펴보았다. 전술한 실시 예들은 본 발명을 예시적으로 설명하기 위한 것으로 본 발명의 권리범위가 특정 실시 예에 한정되지 아니할 것이다.
Claims (10)
- 가시광 영역에 대응되는 빛을 통과시키고, 가시광 영역보다 장파장 대역인 제 1 영역에 대응되는 빛을 통과시키고, 제 1 영역보다 장파장 대역인 제 2 영역에 대응되는 빛을 차단하는 필터부; 및
상기 필터부를 통과한 빛을 검출하는 센서부; 를 포함하는 이미지 센서.
- 제 1 항에 있어서, 상기 필터부는
빛의 파장 대역 상에서, 가시광 영역에서 투과특성을 갖고, 650nm 내지 800nm 사이의 제 1 영역에서 투과특성을 갖고, 800nm 이상의 제 2 영역에서 차단특성을 갖는 이미지 센서.
- 제 2 항에 있어서, 상기 필터부의 광학 특성은
상기 필터부의 두께 또는 형성 물질에 따라 결정되는 이미지 센서.
- 가시광 영역에 대응되는 빛 중 특정 파장의 빛을 통과시키고, 가시광 영역보다 장파장 대역인 제 1 영역에 대응되는 빛을 통과시키고, 제 1 영역보다 장파장 대역인 제 2 영역에 대응되는 빛을 차단하는 필터부; 및
상기 필터부를 통과한 빛을 검출하는 센서부; 를 포함하는 이미지 센서.
- 제 4 항에 있어서, 상기 필터부는
빛의 파장 대역 상에서, 가시광 영역 중 특정한 파장 대역에서 투과특성을 갖고, 650nm 내지 800nm 사이의 제 1 영역에서 투과특성을 갖고, 800nm 이상의 제 2 영역에서 차단특성을 갖는 이미지 센서.
- 제 5 항에 있어서, 상기 필터부의 광학 특성은
상기 필터부의 두께 또는 형성 물질에 따라 결정되는 이미지 센서.
- 가시광 영역에 대응되는 빛을 통과시키고, 가시광 영역보다 장파장 대역인 제 1 영역에 대응되는 빛을 통과시키고, 제 1 영역보다 장파장 대역인 제 2 영역에 대응되는 빛을 차단하는 제 1 필터부;
상기 제 1 필터부를 통과한 광 중에서 상기 가시광 영역에 대응되는 빛 중 특정 파장의 빛과 상기 제 1 영역에 대응되는 빛을 통과시키는 제 2 필터부; 및
상기 제 2 필터부를 통과한 빛을 검출하는 센서부; 를 포함하는 이미지 센서.
- 제 7 항에 있어서, 상기 제 1 필터부는
빛의 파장 대역 상에서, 가시광 영역에서 투과특성을 갖고, 650nm 내지 800nm 사이의 제 1 영역에서 투과특성을 갖고, 800nm 이상의 제 2 영역에서 차단특성을 갖는 이미지 센서.
- 제 8 항에 있어서, 상기 제 1 필터부의 광학 특성은
상기 제 1 필터부의 두께 또는 형성 물질에 따라 결정되는 이미지 센서.
- 가시광 영역에 대응되는 빛 중 특정 파장의 빛과 적외광을 통과시키는 필터부; 및
상기 필터부를 통과한 빛을 검출하는 센서부; 를 포함하며,
상기 센서부의 상부는 상기 가시광 영역에 대응되는 빛 중 특정 파장의 빛을 검출하고, 상기 센서부의 하부는 650nm 내지 800nm 사이의 파장을 갖는 빛을 검출하는 이미지 센서.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020100060174A KR20110140010A (ko) | 2010-06-24 | 2010-06-24 | 근적외광 신호를 이용한 이미지 센서 |
US13/067,755 US9435922B2 (en) | 2010-06-24 | 2011-06-23 | Image sensor and method using near infrared signal |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020100060174A KR20110140010A (ko) | 2010-06-24 | 2010-06-24 | 근적외광 신호를 이용한 이미지 센서 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20110140010A true KR20110140010A (ko) | 2011-12-30 |
Family
ID=45352185
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020100060174A KR20110140010A (ko) | 2010-06-24 | 2010-06-24 | 근적외광 신호를 이용한 이미지 센서 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9435922B2 (ko) |
KR (1) | KR20110140010A (ko) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150037370A (ko) * | 2013-09-30 | 2015-04-08 | 삼성전자주식회사 | 컬러 영상 및 깊이 영상을 생성하는 방법 및 장치 |
US9998730B2 (en) | 2012-10-10 | 2018-06-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Imaging optical system and 3D image acquisition apparatus including the imaging optical system |
KR20190080174A (ko) | 2017-12-28 | 2019-07-08 | 광주대학교산학협력단 | 가시광과 근적외광의 동시 감지가 가능한 단일 칩 이미지 센서 및 그 제조방법 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102015005697B4 (de) * | 2015-05-04 | 2019-10-02 | Mekra Lang Gmbh & Co. Kg | Kamerasystem für ein Kraftfahrzeug |
EP3387675B1 (en) * | 2015-12-07 | 2020-11-25 | Delta ID Inc. | Image sensor configured for dual mode operation |
US10838126B2 (en) | 2016-09-19 | 2020-11-17 | Apple Inc. | Electronic devices with infrared blocking filters |
JP7005317B2 (ja) * | 2017-12-04 | 2022-01-21 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、撮像装置の制御方法およびプログラム |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000059798A (ja) | 1998-08-10 | 2000-02-25 | Sony Corp | 近赤外光/可視光共用撮像装置 |
JP2002320139A (ja) | 2001-04-19 | 2002-10-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | カメラ装置 |
JP2004032243A (ja) * | 2002-06-25 | 2004-01-29 | Sanyo Electric Co Ltd | 撮像装置および光学フィルタ |
US6832515B2 (en) * | 2002-09-09 | 2004-12-21 | Schlumberger Technology Corporation | Method for measuring formation properties with a time-limited formation test |
EP1683345A2 (en) * | 2003-10-31 | 2006-07-26 | VKB Inc. | Optical apparatus for virtual interface projection and sensing |
EP1788627A1 (en) * | 2004-06-30 | 2007-05-23 | Toppan Printing Co., Ltd. | Imaging element |
US7329856B2 (en) * | 2004-08-24 | 2008-02-12 | Micron Technology, Inc. | Image sensor having integrated infrared-filtering optical device and related method |
JP4797432B2 (ja) | 2005-05-06 | 2011-10-19 | 凸版印刷株式会社 | 受光素子 |
JP4984634B2 (ja) * | 2005-07-21 | 2012-07-25 | ソニー株式会社 | 物理情報取得方法および物理情報取得装置 |
US20070145273A1 (en) | 2005-12-22 | 2007-06-28 | Chang Edward T | High-sensitivity infrared color camera |
JP4992446B2 (ja) * | 2006-02-24 | 2012-08-08 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法、並びにカメラ |
JP4375348B2 (ja) * | 2006-03-08 | 2009-12-02 | ソニー株式会社 | 撮像装置及び撮像装置の制御方法 |
EP2007132B1 (en) * | 2006-03-28 | 2013-05-08 | Kyocera Corporation | Night vision device |
TW200813418A (en) * | 2006-09-06 | 2008-03-16 | Inotera Memories Inc | Method of fabricating sample membrane for transmission electron microscopy analysis |
JP4855192B2 (ja) * | 2006-09-14 | 2012-01-18 | 富士フイルム株式会社 | イメージセンサ及びデジタルカメラ |
KR20080069007A (ko) | 2007-01-22 | 2008-07-25 | 엘지이노텍 주식회사 | 적외선 촬영이 가능한 무선 단말기 |
JP5315574B2 (ja) * | 2007-03-22 | 2013-10-16 | 富士フイルム株式会社 | 撮像装置 |
KR100877069B1 (ko) | 2007-04-23 | 2009-01-09 | 삼성전자주식회사 | 이미지 촬상 장치 및 방법 |
US9398346B2 (en) * | 2007-05-04 | 2016-07-19 | Time Warner Cable Enterprises Llc | Methods and apparatus for predictive capacity allocation |
KR100858034B1 (ko) * | 2007-10-18 | 2008-09-10 | (주)실리콘화일 | 단일 칩 활력 이미지 센서 |
US8581174B2 (en) * | 2008-08-26 | 2013-11-12 | Omnivision Technologies, Inc. | Image sensor with prismatic de-multiplexing |
JP2010093081A (ja) * | 2008-10-08 | 2010-04-22 | Panasonic Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
-
2010
- 2010-06-24 KR KR1020100060174A patent/KR20110140010A/ko active Search and Examination
-
2011
- 2011-06-23 US US13/067,755 patent/US9435922B2/en active Active
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9998730B2 (en) | 2012-10-10 | 2018-06-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Imaging optical system and 3D image acquisition apparatus including the imaging optical system |
KR20150037370A (ko) * | 2013-09-30 | 2015-04-08 | 삼성전자주식회사 | 컬러 영상 및 깊이 영상을 생성하는 방법 및 장치 |
KR20190080174A (ko) | 2017-12-28 | 2019-07-08 | 광주대학교산학협력단 | 가시광과 근적외광의 동시 감지가 가능한 단일 칩 이미지 센서 및 그 제조방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110317018A1 (en) | 2011-12-29 |
US9435922B2 (en) | 2016-09-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100818987B1 (ko) | 이미지 촬상 장치 및 상기 이미지 촬상 장치의 동작 방법 | |
KR101475464B1 (ko) | 적층형 이미지 센서 | |
KR20110140010A (ko) | 근적외광 신호를 이용한 이미지 센서 | |
US9484377B2 (en) | CMOS image sensor including infrared pixels having improved spectral properties, and method of manufacturing same | |
KR102571279B1 (ko) | 촬상 소자, 및 전자 장치 | |
KR102532598B1 (ko) | 이미지 센서 및 그 제조 방법 | |
US11747533B2 (en) | Spectral sensor system using optical filter subarrays | |
KR20110084367A (ko) | 촬상 장치 | |
JP2007318753A (ja) | イメージ撮像装置及びその動作方法 | |
US9054001B2 (en) | Imaging device | |
KR101402838B1 (ko) | 조도 및 근접도 센서 | |
JP6008300B2 (ja) | 撮像装置 | |
US20110310276A1 (en) | Optical apparatus and imaging apparatus using the same | |
JP5698873B2 (ja) | カラー撮像素子および撮像装置 | |
US7138663B2 (en) | Color separation device of solid-state image sensor | |
JP2015213172A (ja) | イメージセンサ | |
JP5702892B2 (ja) | カラー撮像素子および撮像装置 | |
JPWO2014007279A1 (ja) | カラー撮像素子および撮像装置 | |
US11696043B2 (en) | White balance compensation using a spectral sensor system | |
JP2005167356A (ja) | 撮像素子 | |
US9055180B2 (en) | Color sensor for accurately detecting color components | |
CN108024035B (zh) | 成像装置和方法 | |
KR100905269B1 (ko) | 적외선 보정 기능을 구비한 이미지센서 | |
US10211242B2 (en) | Image sensor | |
TW202010116A (zh) | 合併選擇性紅外線濾光器之組合可見及紅外線影像感測器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
AMND | Amendment |