KR20110139894A - 평판 표시 장치 드라이버용 메모리 리프레쉬 방법 - Google Patents

평판 표시 장치 드라이버용 메모리 리프레쉬 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 리드/라이트 동작을 하지 않는 구간에서는 더미 리드동작을 수행하여 리프레쉬동작을 수행하고, 스탠바이 모드에서는 메모리 블록 내부에서 리프레쉬 인에이블신호를 발생하여 셀프 리프레쉬동작을 수행하도록 하는 평판 표시 장치 드라이버용 메모리 리프레쉬 방법을 개시한다.
본 발명의 로직 블록에 의해 콘트롤되는 메모리 블록의 메모리 셀들을 리프레쉬하는 평판 표시 소자 드라이버용 메모리 리프레쉬 방법은 디스플레이 모드에서는 더미 리드 동작을 수행하여 상기 메모리 블록의 메모리 셀들을 리프레쉬시켜주고; 및 스탠바이 모드에서는 상기 메모리 블록 자체에서 발생되는 리프레쉬 인에이블 신호에 의해 상기 메모리 셀들을 셀프 리프레쉬시켜 주는 것을 포함한다.

Description

평판 표시 장치 드라이버용 메모리 리프레쉬 방법{Refresh method of memory device for flat panel display device driver}
본 발명은 평판 표시 장치 드라이버용 메모리 리프레쉬 방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 리드/라이트 동작속도를 개선할 수 있는 평판 표시 장치 드라이버용 메모리 리프레쉬 방법에 관한 것이다.
액정 표시 장치를 구동하기 위하여 액정 드라이버 IC(LDI, liquid driver Integrated circuit)가 사용된다. LDI 에 사용되는 메모리는 LDI 에서 처리해야 될 데이타를 임시로 저장하는 버퍼 메모리 역할을 한다. 이러한 LDI 에서, 메모리가 차지하는 면적을 줄이기 위하여 SRAM 대신 DRAM 을 채용하고 있는데, 상기 DRAM 은 일정 주기마다 반복적으로 리프레쉬 동작을 수행하여 저장된 데이터를 유시시켜 주어야 한다.
상기 DRAM 의 리프레쉬 동작은 크게 오토 리프레쉬 동작과 셀프 리프레쉬 동작이 있으며, 오토 리프레쉬 동작과 셀프 리프레쉬 동작은 모두 리프레쉬 진입/탈출(entry/exit) 동작을 주기적으로 반복해야만 데이터의 기억을 유지한다. 상기 오토 리프레쉬동작과 상기 셀프 리프레쉬 동작의 진입/탈출은 외부로부터 DRAM 으로 해당하는 리프레쉬를 명령하여 콘트롤하였다.
도 1은 통상적인 DRAM 의 동작 개념도를 도시한 것이다. 도 1을 참조하면, 통상적인 DRAM 은 크게 3 가지의 동작 모드로 동작한다. 즉, 노말 리드/라이트 동작 모드, 오토 리프레쉬 동작 모드 및 셀프 리프레쉬 동작 모드가 있다. 상기 3가지 동작 모드는 어떠한 제약 조건없이 항상 랜덤하게 조합이 가능하다. 예를 들어, 오토 리프레쉬동작이 끝나고 곧바로 리드/라이트 동작이 수행되고, 또한 리드/라이트 동작이 끝나고 곧바로 오토 리프레쉬 동작이 수행될 수 있다.
한편, 노말 리드 동작 또는 노말 라이트 동작사이에 리프레쉬 명령이 외부로부터 입력되면, 상기 DRAM 은 리드 동작 또는 라이트 동작을 완료하고. 상기 오토 리프레쉬동작 또는 상기 셀프 리프레쉬 동작을 수행하여야 하며, 상기 리프레쉬 동작을 수행한 후에야 다시 리드 동작 또는 라이트 동작을 수행하게 된다. 따라서, 리드 동작 또는 라이트 동작중에 리프레쉬 동작을 수행하게 되면, 전체 동작시간이 리프레쉬 동작의 수행에 따라 길어지게 된다.
예를 들어 리드 동작, 라이트 동작 및 리프레쉬 동작을 수행하는 데 소요되는 시간을 각각 50ns 라 하면, 통상적으로 2번의 라이트 동작을 수행하는 경우에는 라이트 동작/라이트 동작의 2사이클이 요구되므로, 100ns 의 시간이 필요하다. 그러나, 라이트 동작중에 리프레쉬 동작을 수행하라는 명령이 외부로부터 입력되면, 라이트 동작/리프레쉬동작/라이트동작의 3사이클이 요구되므로, 150ns 의 시간이 필요하게 된다.
상기 LDI 는 최대한 빠른 시간에 리드 및 라이트 동작을 수행하여야 하는데, 상기와 같이 리드/라이트 동작중에 리프레쉬 동작을 수행하는 경우에는 리드/라이트 동작을 하는데 소요되는 시간이 리프레쉬 동작 시간만큼 증가하게 된다. 이와 같이, 리프레쉬 동작에 의해 전체 동작시간이 길어지게 되므로, LDI는 리드/라이트 동작을 빠르게 수행할 수 없게 된다.
게다가, 오토 리프레쉬/셀프 리프레쉬 동작을 수행하기 위한 명령이 외부로부터 입력 패드를 통해 제공되어 DRAM 이 리프레쉬 동작을 수행하므로, 리프레쉬 동작을 콘트롤하는데 많은 시간을 필요로 한다.
본 발명의 목적은 평판표시장치용 드라이버 내부에서 리프레쉬 명령을 발생하여 자체적으로 리프레쉬동작을 수행하는 평판 표시 장치용 메모리 리프레쉬 방법을 제공한다.
본 발명의 실시예에 따른 로직 블록에 의해 콘트롤되는 메모리 블록의 메모리 셀들을 리프레쉬하는 평판 표시 소자 드라이버용 메모리 리프레쉬 방법은 디스플레이 모드에서는 더미 리드 동작을 수행하여 상기 메모리 블록의 메모리 셀들을 리프레쉬시켜주고; 및 스탠바이 모드에서는 상기 메모리 블록 자체에서 발생되는 리프레쉬 인에이블 신호에 의해 상기 메모리 셀들을 셀프 리프레쉬시켜 주는 것을 포함한다.
상기 디스플레이 모드중 디스플레이 온 상태에서는 노말 리드/라이트 동작에 의해 상기 메모리 블럭의 상기 메모리 셀들이 리프레쉬된다. 상기 더미 리드 동작은 상기 디스플레이 모드중 온상태에서 상기 리드/라이트 동작이 없는 구간에서 수행될 수 있다. 상기 더미 리드 동작은 상기 디스플레이 모드중 온상태에서 리드/라이트 동작이 느리게 이루어져서 상기 메모리 셀의 데이타를 유지하는데 시간이 부족한 경우 수행될 수 있다.
상기 더미 리드 동작은 상기 디스플레이 모드중 디스플레이 오프상태에서, 주기적으로 수행될 수 있다. 상기 더미 리드 동작은 상기 로직 블럭으로부터 상기 메모리 블럭으로 주기적으로 더미 리드 신호를 제공하여 수행될 수 있다.
상기 더미 리드 동작은 로직 블럭으로부터 제공되는 어드레스 신호에 근거하여 상기 메모리 블럭으로부터 발생된 노말 어드레스에 따라 수행될 수 있다.
상기 리프레쉬 인에이블 신호는 상기 메모리 블럭내의 칩 인에이블 신호에 근거하여 발생될 수 있다. 상기 리프레쉬 인에이블 신호는 상기 로직 블럭으로부터 제공되는 테스트 옵션 신호에 근거하여 그 주기가 결정될 수 있다. 상기 셀프 리프레쉬동작은 상기 메모리 블록의 상기 리프레쉬 인에이블 신호에 근거하여 상기 메모리 블럭으로부터 발생되는 리프레쉬 어드레스에 따라 수행될 수 있다.
상기 노말 어드레스는 상기 로직 블록으로부터 제공되는 노말 리드/라이트 인에이블 신호에 의해 선택되고, 상기 리프레쉬 어드레스는 상기 리프레쉬 인에이블 신호에 의해 선택될 수 있다.
본 발명의 평판 표시 장치 드라이버용 메모리 리프레쉬 방법은 디스플레이 모드에서는 리드/라이트 동작이 없는 구간에서만 더미 리드 동작을 수행하여 리프레쉬 동작을 수행하여 줌으로써, 리프레쉬 수행에 따른 리드/라이트 동작에 소요되는 시간의 증가를 방지하여 줄 수 있으며, 리프레쉬동작이 리드/라이트 동작에 영향을미치는 것을 방지하여 줄 수 있다. 또한, 스탠바이 모드에서는 메모리 블럭내에서 칩 인에이블 신호에 근거하여 리프레쉬 신호를 발생하여 일정 주기마다 리프레쉬 동작을 수행하므로써, 리프레쉬 동작의 콘트롤이 용이할 뿐만 아니라 리프레쉬 동작을 빠르게 처리할 수 있다.
도 1은 종래의 평판 표시 장치 드라이버용 메모리 동작을 설명하기 위한 개념도를 도시한 것이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 평판 표시 장치 드라이버의 블럭 구성도이다.
도 3은 도 2의 평판 표시 장치 드라이버용 메모리 리프레쉬 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 평판 표시 장치 드라이버용 메모리 어드레스를 발생하는 것을 설명하기 위한 구성도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 구체적으로 설명한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 평판 표시 장치의 블록도를 도시한 것이다. 도 2를 참조하면, 상기 평판 표시 장치는 크게 표시 패널(100) 및 상기 표시 패널(100)을 구동하기 위한 드라이버 회로(200)를 포함한다. 상기 표시 패널(100)은 상기 도면상에는 도시되지 않았으나, 서로 교차하는 복수의 게이트 라인들과 복수의 데이터 라인들의 교차점에 표시 셀들이 배열되고, 상기 드라이버 회로(200)에 의해 상기 표시 셀들이 구동되어 화상을 표시하게 된다. 상기 표시 패널(100)은 액정 패널을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 드라이버 회로(200)는 게이트 드라이버(210), 소오스 드라이버(220), 전압 발생기(230), 로직 블록(240) 및 메모리 블록(250)을 구비한다. 상기 게이트 드라이버(210)는 상기 로직 블록(240)에 의해 콘트롤되어 상기 표시 패널(100)의 상기 게이트 라인들을 구동하기 위한 구동 신호들을 제공한다. 상기 소오스 드라이버(220)는 상기 로직 블록(240)에 의해 콘트롤되어 상기 표시 패널(100)의 상기 데이터 라인들로 데이터 신호들을 제공한다. 상기 전압 발생기(230)는 상기 로직 블록(240)에 의해 콘트롤되어 상기 표시 패널(100)에 필요한 구동 전압을 제공한다.
상기 로직 블록(240)은 상기 표시 패널(100)을 구동하도록 상기 게이트 드라이버(210), 상기 소오스 드라이버(220), 상기 전압 발생기(230) 및 상기 메모리 블록(250)을 콘트롤한다. 상기 메모리 블록(250)은 상기 표시 패널(100)에 표시될 화상 데이터를 임시로 저장하는 버퍼 메모리로서 동작한다. 상기 메모리 블록(250)은 다수의 워드 라인들(미도시)과 다수의 비트 라인들(미도시)의 교차점에 배열되는 다수의 메모리 셀들(미도시)을 포함할 수 있으며, 상기 메모리 셀들은 DRAM 셀들을 포함할 수 있다. 상기 메모리 블록(250)은 상기 로직 블록(240)의 콘트롤하에 노말 리드/라이트 동작 및 리프레쉬 동작을 수행할 수 있다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 평판 표시 장치 드라이버용 메모리 리프레쉬 방법을 설명하기 위한 개념도를 도시한 것이다. 도 3을 참조하면, 본 발명의 메모리 리프레쉬 방법은 스탠바이 모드 동작과 디스플레이 동작으로 분류되며, 상기 디스플레이 동작은 디스플레이 온상태와 디스플레이 오프상태로 나뉘어진다.
먼저, 디스플레이 온구간에서, 노말 리드/라이트 동작이 상기 메모리 블록(250)의 상기 메모리 셀들의 데이타를 유지할 수 있을 정도로 수행되는 경우에는, 별도의 리프레쉬 동작은 수행되지 않는다. 이는, 노말 리드/라이트 동작 자체만으로 상기 메모리 블록(250)의 상기 메모리 셀들의 리프레쉬 동작이 이루어지므로, 별도의 리프레쉬 동작을 수행할 필요가 없기 때문이다.
만약, 노말 리드/라이트 동작중 리드/라이트 동작이 느리게 수행되어 상기 메모리 블록(250)의 상기 메모리 셀들의 데이터를 유지하기 위한 시간이 부족한 경우에는, 상기 로직 블록(240)에 의해 더미 리드 동작을 수행하여 상기 메모리 셀들을 리프레쉬시켜 준다.
상기 더미 리드 동작은 상기 메모리 블록(250)의 상기 워드라인들을 인에이블시켜 상기 메모리 셀들로부터 데이터를 비트라인 감지증폭기를 통해 리드함으로써, 상기 메모리 셀들에 대한 리프레쉬 동작을 수행한다. 이때, 상기 더미 리드 동작은 단순히 리프레쉬를 위해서 수행되므로, 상기 메모리 셀들로부터 리드된 데이터는 상기 로직 블록(240)으로 전달되지 않는다. 상기 더미 리드 동작은 상기 메모리 블록의 맨처음 워드라인부터 마지막 워드라인까지 순차적으로 하나씩 증가시켜 수행하게 된다.
한편, 디스플레이 오프 구간에서는, 상기 로직 블록(240)으로부터 상기 메모리 블록(250)으로 주기적으로 더미 리드 동작을 수행하라는 명령을 제공한다. 이에 따라, 상기 메모리 블록(250)은 상기와 같은 방식으로 더미 리드 동작을 수행하여 상기 메모리 셀들로부터 데이터를 리드함으로써, 리프레쉬 동작을 수행하게 된다. 이때, 상기 더미 리드 동작은 상기 메모리 셀의 리프레쉬 주기내에서 이루어지는 것이 바람직하다.
한편, 상기 메모리 셀들이 스탠바이 모드로 진입하게 되면, 상기 메모리 블록(250)내에서 자체적으로 리프레쉬 인에이블 신호를 발생하여 주기적으로 리프레쉬 동작을 수행한다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 평판 표시 장치 드라이버에서 메모리 리프레쉬동작을 위한 리프레쉬 어드레스를 발생하는 구성도를 도시한 것이다.
도 4를 참조하면, 디스플레이 모드에서는 상기 로직 블록(240)의 콘트롤 블록(241)으로부터 어드레스 신호(AD)가 상기 메모리 블록(250)의 어드레스 입력부(251)로 제공된다. 상기 어드레스 입력부(251)는 상기 콘트롤 블록(241)으로부터의 상기 어드레스 신호(AD)에 근거하여 더미 리드 동작을 수행하는데 필요한 어드레스(AXn_NOR)를 발생한다.
한편, 스탠바이모드에서는, 상기 메모리 블록(250)내의 칩 인에이블 신호(CH_EN)에 근거하여 셀프 리프레쉬 진입/탈출이 결정된다. 예를 들어, 상기 칩 인에이블 신호(CH_EN)가 로우 레벨인 경우에는, 디스플레이 모드로 동작하고, 상기 칩 인에이블 신호(CH_EN)가 하이 레벨인 경우에는 스탠바이 모드로 동작한다.
따라서, 하이 레벨의 칩 인에이블 신호(CH_EN)에 의해 스탠바이 모드로 진입하면, 상기 메모리 블록(250)의 리프레쉬 신호 발생부(252)는 상기 칩 인에이블 신호(CH_EN)에 근거하여 리프레쉬 인에이블 신호(RFH_EN)를 발생한다.
상기 리프레쉬 인에이블 신호(RFH_EN)는 상기 메모리 블록(250)내의 리프레쉬 어드레스 카운터(253)로 제공되고, 상기 리프레쉬 어드레스 카운터(253)는 순차적으로 하나씩 증가하는 리프레쉬 어드레스(AXn_RFH)를 발생한다.
상기 어드레스 선택부(254)는 상기 리프레쉬신호 발생부(252)로부터 발생된 상기 리프레쉬 인에이블 신호(RFH_EN)에 근거하여 상기 리프레쉬 어드레스 카운터(253)로부터 발생된 리프레쉬 어드레스(AXn_RFH)를 선택한다.
한편, 상기 로직 블록(240)의 콘트롤부(241)는 리드 인에이블 신호(RD), 라이트 인에이블 신호(WR) 및 클럭 신호(CLK)를 입력하여 노말 리드/라이트 인에이블 신호(NOR_EN)를 발생한다. 따라서, 상기 어드레스 선택부(254)는 상기 노말 리드/라이트 인에이블 신호(NOR_EN)에 근거하여 상기 어드레스 입력부(251)로부터 제공되는 어드레스(AXn_NOR)를 디스플레이 모드에서 더미 리드 동작을 수행하는데 필요한 어드레스로서 선택하게 된다.
이와 같이 메모리가 스탠바이 모드로 진입하여 리프레쉬를 수행할 경우, 메모리 셀들의 데이터를 유지하기 위하여 주기적으로 리프레쉬 동작이 수행되어야 한다. 상기 리프레쉬 인에이블 신호(RFH_EN)가 회로 설계시 매우 중요한 파라미터이므로, 본 발명의 실시예에서는 테스트 옵션 신호(test_op<0:n>)에 근거하여 상기 리프레쉬 인에이블 신호(RFH_EN)의 주기를 콘트롤할 수 있도록 한다.
예를 들어, test_op<0>이 선택되면 가장 빠른 주기의 리프레쉬 인에이블신호(RFH_EN)가 선택되고, test_op<n>이 선택되면 가장 느린 주기의 리프레쉬 인에이블신호(RFH_EN)가 선택되도록 한다. 즉, 메모리 셀의 데이타 리프레쉬 특성이 좋지 않을 경우에는 리프레쉬 주기가 빠르게 되도록 선택하고, 메모리 셀의 데이타 리프레쉬 특성이 좋을 경우에는 리프레쉬 주기가 느리게 되도록 선택할 수 있다.
그러므로, 상기 테스트 옵션 신호(test_op<0:n>)에 근거하여 상기 리프레쉬 신호 발생부(252)는 메모리 셀들의 데이터를 지속적으로 유지하도록 원하는 주기를 갖는 리프레쉬 신호(RFH_EN)를 발생할 수 있다. 상기 테스트 옵션 신호(test_op<0:n>)는 상기 로직 블록(240)으로부터 상기 메모리 블록(250)으로 제공되는 신호로서, 상기 로직 블록(240)에서 상기 메모리 블록(250)으로 평판 표시 장치 드라이버에 필요한 MRS(mode register setting) 신호가 입력될 때마다 test_op<0:n>을 변경하도록 설계할 수 있다. 상기 test_op <0:n>은 원 타이밍 프로그래밍 퓨즈나 전기 휴즈로 대체하여 원하는 주기를 선택할 수도 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 디스플레이모드에서는, 상기 로직 블록(240)의 상기 콘트롤부(241)로부터 발생된 노말 리드/라이트 인에이블 신호(NOR_EN)에 근거하여 상기 어드레스 선택부(254)가 상기 어드레스 입력부(251)로부터 제공되는 노말 어드레스(AXn_NOR)를 선택하고, 이에 따라 상기 메모리 블록(250)의 메모리 셀들은 더미 리드 동작에 의해 리프레쉬를 수행하게 된다.
또한, 스탠바이 모드에서는, 상기 메모리 블록(250)의 상기 리프레쉬신호 발생부(252)의 리프레쉬 인에이블 신호(RFH_EN)에 근거하여 상기 어드레스 선택부(253)가 리프레쉬 어드레스(AXn_RFH)를 선택하고, 이에 따라 상기 메모리 블록(250)의 상기 메모리 셀들이 셀프 리프레쉬를 수행하게 된다.
상술한 본 발명의 실시 예는 예시의 목적을 위한 것으로, 당업자라면 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상과 범위를 통해 다양한 수정, 변경, 대체 및 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정 변경 등은 이하의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.
100: 표시 패널 200: 평판 표시 패널 드라이버
210: 게이트 드라이버 220: 소오스 드라이버
240: 로직 블럭 250: 메모리 블럭
241: 콘트롤부 251: 어드레스 입력부
252: 리프레쉬신호 발생부 253: 리프레쉬 어드레스 카운터
254: 어드레스 선택부

Claims (14)

  1. 로직 블록에 의해 콘트롤되는 메모리 블록의 메모리 셀들을 리프레쉬하는 평판 표시 소자 드라이버용 메모리 리프레쉬 방법에 있어서,
    디스플레이 모드에서는 더미 리드 동작을 수행하여 상기 메모리 블록의 메모리 셀들을 리프레쉬시켜주고; 및
    스탠바이 모드에서는 상기 메모리 블록 자체에서 발생되는 리프레쉬 인에이블 신호에 의해 상기 메모리 셀들을 셀프 리프레쉬시켜 주는 것을 포함하는 평판 표시 장치 드라이버용 메모리 리프레쉬 방법..
  2. 제1항에 있어서, 상기 디스플레이 모드중 디스플레이 온 상태에서는 노말 리드/라이트 동작에 의해 상기 메모리 블럭의 상기 메모리 셀들이 리프레쉬되는 것을 특징으로 하는 평판 표시 장치 드라이버용 메모리 리프레쉬 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 더미 리드 동작은 상기 디스플레이 모드중 온상태에서 상기 리드/라이트 동작이 없는 구간에서 수행되는 것을 특징으로 하는 평판 표시 장치 드라이버용 메모리 리프레쉬 방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 더미 리드 동작은 상기 디스플레이 모드중 온상태에서 리드/라이트 동작이 느리게 이루어져서 상기 메모리 셀의 데이타를 유지하는데 시간이 부족한 경우 수행되는 것을 특징으로 하는 평판 표시 장치 드라이버용 메모리 리프레쉬 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 더미 리드 동작은 상기 디스플레이 모드중 디스플레이 오프상태에서, 주기적으로 수행되는 것을 특징으로 하는 평판 표시 장치 드라이버용 메모리 리프레쉬 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 더미 리드 동작은 상기 로직 블럭으로부터 상기 메모리 블럭으로 주기적으로 더미 리드 신호를 제공하여 수행되는 것을 특징으로 하는 평판 표시 장치 드라이버용 메모리 리프레쉬 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 더미 리드 동작은 로직 블럭으로부터 제공되는 어드레스 신호에 근거하여 상기 메모리 블럭으로부터 발생된 노말 어드레스에 따라 수행되는 것을 특징으로 하는 평판 표시 장치 드라이버용 메모리 리프레쉬 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 더미 리드 동작은 상기 메모리 블럭내의 워드라인을 하나씩 순차적으로 구동시켜 수행하며, 상기 메모리 블럭내의 메모리 셀로부터 리드된 데이타는 상기 로직 블럭으로 전달되지 않는 것을 특징으로 하는 평판 표시 장치 드라이버용 메모리 리프레쉬 방법.
  9. 제7항에 있어서, 상기 리프레쉬 인에이블 신호는 상기 메모리 블럭내의 칩 인에이블 신호에 근거하여 발생되는 것을 특징으로 하는 평판 표시 장치 드라이버용 메모리 리프레쉬 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 리프레쉬 인에이블 신호는 상기 로직 블럭으로부터 제공되는 테스트 옵션 신호에 근거하여 그 주기가 결정되는 것을 특징으로 하는 평판 표시 장치 드라이버용 메모리 리프레쉬 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 리프레쉬 인에이블 신호의 주기는 상기 로직 블럭에서 칩 동작 모드를 결정하는 모드 레지스터 셋팅 신호를 셋팅할 때 변경 가능한 것을 특징으로 하는 평판 표시 장치 드라이버용 메모리 리프레쉬 방법.
  12. 제8항에 있어서, 상기 셀프 리프레쉬동작은 상기 메모리 블록의 상기 리프레쉬 인에이블 신호에 근거하여 상기 메모리 블럭으로부터 발생되는 리프레쉬 어드레스에 따라 수행되는 것을 특징으로 하는 평판 표시 장치 드라이버용 메모리 리프레쉬 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 리프레쉬 어드레스는 순차적으로 1씩 증가하여 발생되는 것을 특징으로 하는 평판 표시 장치 드라이버용 메모리 리프레쉬 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 노말 어드레스는 상기 로직 블록으로부터 제공되는 노말 리드/라이트 인에이블 신호에 의해 선택되고, 상기 리프레쉬 어드레스는 상기 리프레쉬 인에이블 신호에 의해 선택되는 것을 특징으로 하는 평판 표시 장치 드라이버용 메모리 리프레쉬 방법.
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