KR20110135183A - 플라즈마 세정 장치 - Google Patents

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KR20110135183A KR1020100054945A KR20100054945A KR20110135183A KR 20110135183 A KR20110135183 A KR 20110135183A KR 1020100054945 A KR1020100054945 A KR 1020100054945A KR 20100054945 A KR20100054945 A KR 20100054945A KR 20110135183 A KR20110135183 A KR 20110135183A
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Abstract

본 발명의 일 측면은 이차 전지 및 그 구성 요소를 플라즈마 세정하는 플라즈마 세정 장치를 제공하는 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 세정 장치는, 대기압 공간을 형성하는 챔버, 상기 챔버에 내장되고, 대기압 플라즈마를 발생하여, 상기 챔버에 제공되는 이차 전지를 향하여 상기 대기압 플라즈마를 방출하여 적어도 상기 이차 전지의 일부를 세정하는 플라즈마 헤드, 상기 플라즈마 헤드에 설치되어 상기 이차 전지의 일부와 상기 플라즈마 헤드 사이의 간격을 조절하는 간격 조절부, 및 상기 플라즈마 헤드의 일측에 구비되어 상기 챔버의 외부로 연결되어 세정시 발생되는 가스를 배출하는 배기 덕트를 포함한다.

Description

플라즈마 세정 장치 {PLASMA CLEANING APPARATUS}
본 기재는 이차 전지 및 그 구성 요소를 플라즈마 세정하는 플라즈마 세정 장치에 관한 것이다.
기존의 세정포 및 세정액을 사용하는 세정 방식의 단점을 보완하는 것으로써 플라즈마 세정 방식이 사용된다. 예를 들면, 플라즈마 세정 장치는 대기압 플라즈마 챔버 내의 양쪽에 구비되는 양전극과 음전극 사이에 피세정체를 설치하고, 피세정체의 표면에 대기압 플라즈마를 처리하여 피세정체의 표면을 친수성으로 변화시켜 세정하도록 구성된다.
양전극 및 음전극에 전력을 인가하면 일측 음전극에서 전자가 방출된다. 방출된 전자의 에너지가 대기압 플라즈마 챔버에서 내부 입자의 이온화 에너지 보다 높으면, 방출된 전자와 충돌되는 내부 입자들이 이온화되어 플라즈마를 발생한다. 이때, 양전극과 음전극에 고전압이 인가되어 고온의 플라즈마를 발생하므로 피세정체가 2차 손상될 수 있다. 따라서 피세정체는 일정 수준 이상의 두께로 형성되어야 한다.
본 발명의 일 측면은 이차 전지 및 그 구성 요소를 플라즈마 세정하는 플라즈마 세정 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 세정 장치는, 대기압 공간을 형성하는 챔버, 상기 챔버에 내장되고, 대기압 플라즈마를 발생하여, 상기 챔버에 제공되는 이차 전지를 향하여 상기 대기압 플라즈마를 방출하여 적어도 상기 이차 전지의 일부를 세정하는 플라즈마 헤드, 상기 플라즈마 헤드에 설치되어 상기 이차 전지의 일부와 상기 플라즈마 헤드 사이의 간격을 조절하는 간격 조절부, 및 상기 플라즈마 헤드의 일측에 구비되어 상기 챔버의 외부로 연결되어 세정시 발생되는 가스를 배출하는 배기 덕트를 포함한다.
상기 플라즈마 헤드는 상기 이차 전지의 양측에 서로 마주하여 배치되는 제1 플라즈마 헤드와 제2 플라즈마 헤드를 포함할 수 있다.
상기 간격 조절부는 상기 제1 플라즈마 헤드를 지지하여 상기 챔버에 설치되어 상기 제1 플라즈마 헤드와 상기 이차 전지 사이의 간격을 조절하는 제1 간격 조절부와, 상기 제2 플라즈마 헤드를 지지하여 상기 챔버에 설치되어 상기 제2 플라즈마 헤드와 상기 이차 전지 사이의 간격을 조절하는 제2 간격 조절부를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 세정 장치는, 상기 제1 플라즈마 헤드와 상기 제2 플라즈마 헤드 사이의 수직 하방에 설치되어, 상기 제1 플라즈마 헤드와 상기 제2 플라즈마 헤드 사이에서 상기 이차 전지의 높이를 조절하는 높이 조절부를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 플라즈마 헤드와 상기 이차 전지의 일부 사이의 제1 간격 및 상기 제2 플라즈마 헤드와 상기 이차 전지의 일부 사이의 제2 간격은 각각 2 내지 4mm 범위를 포함할 수 있다.
상기 플라즈마 헤드는 소스 가스를 공급하는 덕트, 상기 덕트의 일측에 구비되어 상기 덕트에 연결되어 서로 마주하는 양전극과 음전극, 상기 양전극과 상기 음전극의 내표면에 형성되어 통로를 형성하는 가이드, 및 상기 양전극, 상기 음전극 및 상기 가이드의 끝에서 상기 통로에 연결되는 방출구를 형성하는 세라믹 단부를 포함할 수 있다.
상기 가이드는 상기 통로에 요철 구조를 형성할 수 있다.
상기 이차 전지에 연결되는 리드탭의 두께는 0.05 내지 0.15mm이고, 상기 세라믹 단부와 상기 리드탭 사이의 간격은 2 내지 4mm 범위를 포함할 수 있다.
상기 이차 전지의 캔의 두께는 0.3 내지 0.4mm이고, 상기 세라믹 단부와 상기 캔 사이의 간격은 2 내지 4mm 범위를 포함할 수 있다.
이와 같이 본 발명의 일 실시예는, 간격 조절부를 개재하여 챔버 내에 플라즈마 헤드를 구비하고, 플라즈마 헤드로부터 이차 전지의 일부를 향하여 대기압 플라즈마를 방출함으로써 이차 전지 및 그 구성 요소를 대기압 플라즈마로 세정할 수 있다.
플라즈마 헤드에 인가되는 전력, 플라즈마 헤드와 이차 전지 일부 사이의 간격 및 대기압 플라즈마를 방출하여 세정하는 처리 시간을 조절함으로써 이차 전지의 일부를 대기압 플라즈마로 세정하는 효과가 있다.
본 발명의 일 실시예는 제1, 제2 플라즈마 헤드 사이에 이차 전지의 리드탭을 구비하여, 제1, 제2 플라즈마 헤드에 인가되는 전압, 제1, 제2 플라즈마 헤드와 리드탭 사이의 제1, 제2 간격 및 대기압 플라즈마를 방출하여 세정하는 처리 시간을 조절함으로써, 두께가 0.05 내지 0.15mm 인 리드탭을 대기압 플라즈마로 세정할 수 있다.
도1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 세정 장치의 구성도이다.
도2는 도1에서 플라즈마 세정되는 이차 전지의 분해 사시도이다.
도3은 도2의 Ⅲ-Ⅲ 선을 따라 자른 단면도이다.
도4는 도1의 제1, 제2 플라즈마 헤드와 리드탭의 배치 상태를 도시한 사시도이다.
도5는 도4의 제1, 제2 플라즈마 헤드의 단면도이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 붙였다.
도1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 세정 장치의 구성도이다. 도1을 참조하면, 플라즈마 세정 장치는 대기압 공간을 형성하여 피세정 대상인 이차 전지(100)를 수용하는 챔버(200), 챔버(200)에 내장되어 대기압 플라즈마를 발생하는 플라즈마 헤드(300), 플라즈마 헤드(300)에 설치되는 간격 조절부(400) 및 플라즈마 헤드(300)의 일측에 구비되는 배기 덕트(500)를 포함한다.
본 실시예의 세정 장치에서 피세정 대상인 이차 전지(100)는 완성된 제품일 수도 있으나, 이차 전지(100)로 제조되는 과정의 재공품(work in process)일 수도 있다. 따라서 피세정 대상인 이차 전지(100)는 이하에서 설명되는 이차 전지(100)의 완전한 구성을 포함하지 않을 수도 있다. 일례로, 피세정 대상인 이차 전지(100)는 도2 및 도3의 이차 전지(100)에서 캡 조립체(30)를 포함하지 않은 상태일 수 있다. 편의상, 기본 구성을 설명하는 도2, 도3에서는 완전한 이차 전지(100)를 예로 들어 설명하고, 플라즈마 세정을 설명하는 도1, 도4, 도5에서 캡 조립체(30)를 포함하지 않은 이차 전지(100)를 예로 들어 설명하며, 서로 동일한 참조부호를 붙였다.
도2는 도1에서 플라즈마 세정되는 이차 전지의 분해 사시도이고, 도3은 도2의 Ⅲ-Ⅲ 선을 따라 자른 단면도이다. 도2 및 도3을 참조하면, 이차 전지(100)는 전극 조립체(10), 전극 조립체(10)를 전해액과 함께 내부에 수용하는 캔(20), 및 캔(20)의 일측에 형성되는 개구를 밀봉하는 캡 조립체(30)를 포함한다.
전극 조립체(10)는 세퍼레이터(2)를 사이에 두고 양극(4)과 음극(6)을 적층하여 젤리롤 형태로 권취하여 형성된다. 전극 조립체(10)는 캔(20) 내부에 삽입되도록 각형 캔(20)의 내부 공간에 대응하는 형상을 가진다.
캔(20)은 일측에 형성된 개구를 통하여 전극 조립체(10)를 수용하며, 전극 단자 역할을 할 수 있도록 도전체로 형성된다. 예를 들면, 캔(20)은 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 형성되고, 전극 조립체(10)의 양극(4)에 전기적으로 연결되어 양극 단자로 작용한다. 이때, 캡 조립체(30)에 구비된 전극 단자(31)는 전극 조립체(10)의 음극(6)에 전기적으로 연결되어 음극 단자로 작용한다. 반대로, 캔(20)이 음극 단자로 작용하고, 전극 단자(31)가 양극 단자로 작용할 수도 있다.
캡 조립체(30)는 캔(20)의 개구에 고정되는 캡 플레이트(32), 절연 개스킷(33)을 개재하여 캡 플레이트(32)의 단자홀(32a)에 삽입되는 전극 단자(31), 전극 단자(31)의 하단에 전기적으로 연결되는 단자 플레이트(54), 캡 플레이트(32)와 단자 플레이트(54) 사이에 위치하는 절연 플레이트(36), 및 전극 조립체(10)와 캡 조립체(30)를 절연시키는 절연 케이스(37)를 포함한다. 절연 개스킷(33)은 전극 단자(31)와 캡 플레이트(32)를 전기적으로 절연하고, 절연 플레이트(36)는 단자 플레이트(54)와 캡 플레이트(32)를 전기적으로 절연한다.
전극 조립체(10)의 양극(4)에 고정되는 양극 리드탭(11)은 캡 플레이트(32)의 내면에 용접되어, 양극(4)의 전류를 캡 플레이트(32) 및 캔(20)으로 전달한다. 즉 캔(20)이 양극 단자로 작용한다. 전극 조립체(10)의 음극(6)에 고정되는 음극 리드탭(12)은 단자 플레이트(54)의 하면에 용접되어, 음극(6)의 전류를 단자 플레이트(54) 및 전극 단자(31)로 전달한다. 즉 전극 단자(31)가 음극 단자로 작용한다. 본 실시예에서 양극 리드탭(11)과 음극 리드탭(12)이 같은 방향으로 인출되어 있으나, 양극 리드탭(11)과 음극 리드탭(12)이 서로 반대 방향으로 인출될 수도 있다(미도시). 이하에서 양극 리드탭(11)과 음극 리드탭(12)을 리드탭(11, 12)으로 통칭한다.
다시 도1을 참조하면, 일 실시예의 플라즈마 세정 장치는 챔버(200) 내부에 제공되는 이차 전지(100)의 제조 공정상, 완성도에 따라 세정 부위를 설정할 수 있다. 예를 들어, 완제품 이차 전지(100)가 챔버(200)에 제공되면, 일 실시예의 플라즈마 세정장치는 캔(20)의 표면을 대기압 플라즈마로 세정하고, 캡 조립체(30)를 조립하지 않은 상태의 이차 전지(100)가 제공되면(도1, 도4, 도5 참조), 캔(20)이나 리드탭(11, 12)을 세정할 수 있다.
챔버(200)는 피세정체, 예를 들면, 제조 공정 중의 이차 전지(100)를 내장하여 이차 전지(100) 또는 구성 요소의 일부를 플라즈마 세정하는 공간을 제공한다. 즉 챔버(200)는 세정 영역을 구분하고, 세정 환경의 항상성을 유지하여, 이차 전지(100)에서 캔(20)이나 리드탭(11, 12) 표면의 액상 오염 물질을 세정하는 공간을 제공한다.
배기 덕트(500)는 플라즈마 헤드(300)의 일측을 챔버(200)의 외부로 연결하여, 세정시, 챔버(200) 내에서 발생되는 오염 가스를 배출하여, 세정 공정을 안전하게 한다. 배기 덕트(500)는 송풍기(미도시)를 구비하여 챔버(200) 내의 오염 가스를 강제 배출할 수 있다.
플라즈마 헤드(300)는 챔버(200) 내에 제공되는 이차 전지(100)의 캔(20)이나 리드탭(11, 12) 표면을 향하여 대기압 플라즈마를 방출함으로써 표면에 부착되어 있는 액상의 오염 물질을 세정하도록 구성된다. 플라즈마 헤드(300) 및 대기압 플라즈마는 캔(20)이나 리드탭(11, 12)에 잔류하는 액상 물질을 신속하고 안전하게 세정하면서, 캔(20)이나 리드탭(11, 12)의 2차 오염 및 손상응 방지하며, 세정 작업 공정을 단순하게 하고, 세정 작업 환경을 청결하게 유지한다.
도4는 도1의 제1, 제2 플라즈마 헤드와 리드탭의 배치 상태를 도시한 사시도이고, 도5는 도4의 제1, 제2 플라즈마 헤드의 단면도이다. 도4 및 도5를 참조하면, 플라즈마 헤드(300)는 이차 전지(100)의 캔(20)이나 리드탭(11, 12)(편의상, 도4, 도5에서 1개만 도시한다)의 양측에 서로 마주하는 상태로 배치되는 제1 플라즈마 헤드(310)와 제2 플라즈마 헤드(320)를 포함한다.
제1, 제2 플라즈마 헤드(310, 320)는 1회의 세정 공정으로 캔(20)이나 리드탭(11, 12)의 양면을 동시에 세정하므로 공정 효율을 향상시키고, 또한 양면을 순차적으로 세정하는 경우, 일면의 오염 물질이 뒷면에 부착될 수 있는 것을 방지한다.
제1, 제2 플라즈마 헤드(310, 320)는 플라즈마를 발생시키는 소스 가스(source gas)를 공급하는 덕트(311, 321), 덕트(311, 321)의 일측에 연결되어 서로 마주하는 양전극(312, 322)과 음전극(313, 323), 양전극(312, 322)과 음전극(313, 323)의 내표면에 형성되어 통로를 형성하는 가이드(314, 324), 및 통로에 연결되는 방출구(315, 325)를 형성하는 세라믹 단부(316, 326)를 포함한다.
덕트(311, 321)는 N2, O2, CF4와 같은 소스 가스를 양전극(312, 322)과 음전극(313, 323) 사이로 공급한다. 양전극(312, 322)과 음전극(313, 323)에 전압이 인가되면, 음전극(313, 323)에서 전자가 방출된다. 이 방출된 전자의 에너지가 양전극(312, 322)과 음전극(313, 323) 사이로 공급되는 소스 가스 입자의 이온화 에너지보다 높아지고, 소스 가스 입자는 방출된 전자와 충돌하면서 이온화되어 대기안 플라즈마를 발생한다. 플라즈마는 가이드(314, 324)의 안내에 따라 세라믹 단부(316, 326)의 방출구(315, 325)로 방출되어 이차 전지(100)의 리드탭(11, 12) 표면을 세정한다.
가이드(314, 324)는 통로에 요철 구조를 형성하여, 대기압 플라즈마 형성을 유도하고 발생되는 대기압 플라즈마로부터 양전극(312, 322) 및 음전극(313, 323)을 보호한다. 예를 들면, 가이드(314, 324)는 세라믹으로 형성될 수 있다.
제1, 제2 플라즈마 헤드(310, 320)의 방출구(315, 325)로 방출되는 대기압 플라즈마로 이차 전지(100)에서 캔(20)이나 리드탭(11, 12) 표면을 세정하기 위하여, 제1, 제2 플라즈마 헤드(310, 320)와 캔(20) 사이 또는 제1, 제2 플라즈마 헤드(310, 320)와 리드탭(11, 12) 사이는 적절한 간격을 유지하여야 한다.
간격 조절부(400)는 챔버(200) 내에서 플라즈마 헤드(300)의 위치를 조절함으로써 플라즈마 헤드(300)와 피세정 대상인 이차 전지(100)의 캔(20)이나 리드탭(11, 12) 사이의 간격을 조절하도록 구성된다. 예를 들면, 간격 조절부(400)는 제1, 제2 플라즈마 헤드(310, 320)에 각각 구비되는 제1, 제2 간격 조절부(410, 420)를 포함한다.
제1 간격 조절부(410)는 제1 플라즈마 헤드(310)를 지지하면서 챔버(200)에 설치되어, 제1 플라즈마 헤드(310)와 이차 전지(100)의 캔(20)이나 리드탭(11, 12) 사이의 제1 간격(G1)을 조절한다. 예를 들면, 제1 간격 조절부(410)는 제1 플라즈마 헤드(310)에 구비되는 제1 브래킷(411)과, 제1 브래킷(411)에 나사 결합되어 챔버(200)에 설치되는 제1 리드 스크류(412)를 포함한다. 제1 리드 스크류(412)를 조작함으로써 제1 브래킷(411) 상의 제1 플라즈마 헤드(310)와 리드탭(11, 12) 사이에 설정되는 제1 간격(G1)이 조절된다.
제2 간격 조절부(420)는 제2 플라즈마 헤드(320)를 지지하면서 챔버(200)에 설치되어, 제2 플라즈마 헤드(320)와 이차 전지(100)의 캔(20)이나 리드탭(11, 12) 사이의 제2 간격(G2)을 조절한다. 예를 들면, 제2 간격 조절부(420)는 제2 플라즈마 헤드(320)에 구비되는 제2 브래킷(421)과, 제2 브래킷(421)에 나사 결합되어 챔버(200)에 설치되는 제2 리드 스크류(422)를 포함한다. 제2 리드 스크류(422)를 조작함으로써 제2 브래킷(421) 상의 제2 플라즈마 헤드(320)와 리드탭(11, 12) 사이에 설정되는 제2 간격(G2)이 조절된다.
제1, 제2 간격(G1, G2)은 이차 전지(100)를 형성하는 구성 요소, 즉 캔(20)의 두께나 리드탭(11, 12)의 두께에 따라 설정될 수 있다. 예를 들면, 리드탭(11, 12)의 두께는 0.05 내지 0.15mm 이고, 양전극(312, 322)과 음전극(313, 323)에 인가되는 전압의 피크가 8.8kV, 주파수가 20kHz, 듀티가 8㎲, 제1, 제2 플라즈마 헤드(310, 320)의 최대 온도가 130도씨, 대기압 플라즈마를 방출하는 처리 속도가 5mm/sec, 소스 가스가 N2 160L/min 또는 O2 2.3L/min인 경우, 세라믹 단부(316, 326)와 리드탭(11, 12) 사이의 제1, 제2 간격(G1, G2)은 2 내지 4mm 범위로 형성된다. 제1, 제2 간격(G1, G2)이 2mm 미만인 경우, 방출되는 대기압 플라즈마가 리드탭(11, 12)에 너무 강하게 작용하여 리드탭(11, 12)을 손상시킬 수 있다. 제1, 제2 간격(G1, G2)이 4mm 초과인 경우, 대기압 플라즈마가 리드탭(11, 12)에 너무 약하게 작용하여 리드탭(11, 12)을 세정할 수 없거나 불완전하게 세정한다. 즉 세정 불량 부위가 존재하게 된다.
캔(20)의 두께는 0.3 내지 0.4mm이며, 일반적으로 리드탭(11, 12)의 두께보다 더 두껍게 형성되어 대기압 플라즈마에 대한 내마모성 및 내구성에서 캔(20)이 리드탭(11, 12)보다 더 크다. 따라서 동일한 조건에서 제1, 제2 간격(G1, G2)은 2 내지 4mm 로 설정될 수 있지만 상대적으로 리드탭(11, 12) 세정시 2mm에 더 가깝고, 캔(20) 세정시 4mm에 가깝게 설정될 수 있다.
한편, 높이 조절부(600)는 제1, 제2 플라즈마 헤드(310, 320) 사이의 수직 하방에 설치되어, 제1, 제2 플라즈마 헤드(310, 320) 사이에서 이차 전지(100)의 높이를 조절하도록 구성된다. 높이 조절부(600)는 이차 전지(100)가 배치되는 지지대(610)를 지지하여 챔버(200)에 설치되어, 제1, 제2 플라즈마 헤드(310, 320) 사이에서 이차 전지(100)의 캔(20)이나 리드탭(11, 12)의 높이를 조절한다.
예를 들면, 높이 조절부(600)는 챔버(200)에 구비되는 회전 지지부(620)과 회전 지지부(620)에 나사 결합되어 지지대(610)에 연결되는 리드 스크류(630)를 포함한다. 리드 스크류(630)를 조작함으로써 지지대(610) 상의 이차 전지(100)의 높이가 조절되어, 캔(20)이나 리드탭(11, 12)이 제1, 제2 플라즈마 헤드(310, 320) 사이에 위치된다.
높이 조절부(600)에 의하여 이차 전지(100)의 높이가 제1, 제2 플라즈마 헤드(310, 320) 사이에 위치하고, 이 상태에서 제1, 제2 간격 조절부(410, 420)에 의하여 제1, 제2 플라즈마 헤드(310, 320)와 이차 전지(100) 사이의 제1, 제2 간격(G1, G2)이 조절된다.
이상을 통해 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.
10 : 전극 조립체 11, 12 : (양, 음극)리드탭
20 : 캔 30 : 캡 조립체
100 : 이차 전지 200 : 챔버
300 : 플라즈마 헤드 400 : 간격 조절부
500 : 배기 덕트 310, 320 : 제1, 제2 플라즈마 헤드
311, 321 : 덕트 312, 322 : 양전극
313, 323 : 음전극 314, 324 : 가이드
315, 325 : 방출구 316, 326 : 세라믹 단부
410, 420 : 제1, 제2 간격 조절부 411, 421 : 제1, 제2 브래킷
412, 422 : 제1, 제2 리드 스크류 600 : 높이 조절부
610 : 지지대 620 : 회전 지지부
630 : 리드 스크류 G1, G2 : 제1, 제2 간격

Claims (9)

  1. 대기압 공간을 형성하는 챔버;
    상기 챔버에 내장되고, 대기압 플라즈마를 발생하여, 상기 챔버에 제공되는 이차 전지를 향하여 상기 대기압 플라즈마를 방출하여 적어도 상기 이차 전지의 일부를 세정하는 플라즈마 헤드;
    상기 플라즈마 헤드에 설치되어 상기 이차 전지의 일부와 상기 플라즈마 헤드 사이의 간격을 조절하는 간격 조절부; 및
    상기 플라즈마 헤드의 일측에 구비되어 상기 챔버의 외부로 연결되어 세정시 발생되는 가스를 배출하는 배기 덕트를 포함하는 플라즈마 세정 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 플라즈마 헤드는,
    상기 이차 전지의 양측에 서로 마주하여 배치되는 제1 플라즈마 헤드와 제2 플라즈마 헤드를 포함하는 플라즈마 세정 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 간격 조절부는,
    상기 제1 플라즈마 헤드를 지지하여 상기 챔버에 설치되어 상기 제1 플라즈마 헤드와 상기 이차 전지 사이의 간격을 조절하는 제1 간격 조절부와
    상기 제2 플라즈마 헤드를 지지하여 상기 챔버에 설치되어 상기 제2 플라즈마 헤드와 상기 이차 전지 사이의 간격을 조절하는 제2 간격 조절부를 포함하는 플라즈마 세정 장치.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 제1 플라즈마 헤드와 상기 제2 플라즈마 헤드 사이의 수직 하방에 설치되어, 상기 제1 플라즈마 헤드와 상기 제2 플라즈마 헤드 사이에서 상기 이차 전지의 높이를 조절하는 높이 조절부를 더 포함하는 플라즈마 세정 장치.
  5. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 플라즈마 헤드와 상기 이차 전지의 일부 사이의 제1 간격 및
    상기 제2 플라즈마 헤드와 상기 이차 전지의 일부 사이의 제2 간격은
    각각 2 내지 4mm 범위를 포함하는 플라즈마 세정 장치.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 플라즈마 헤드는,
    소스 가스를 공급하는 덕트,
    상기 덕트의 일측에 구비되어 상기 덕트에 연결되어 서로 마주하는 양전극과 음전극,
    상기 양전극과 상기 음전극의 내표면에 형성되어 통로를 형성하는 가이드, 및
    상기 양전극, 상기 음전극 및 상기 가이드의 끝에서 상기 통로에 연결되는 방출구를 형성하는 세라믹 단부를 포함하는 플라즈마 세정 장치.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 가이드는,
    상기 통로에 요철 구조를 형성하는 플라즈마 세정 장치.
  8. 제6 항에 있어서,
    상기 이차 전지에 연결되는 리드탭의 두께는 0.05 내지 0.15mm 이고,
    상기 세라믹 단부와 상기 리드탭 사이의 간격은 2 내지 4mm 범위를 포함하는 플라즈마 세정 장치.
  9. 제6 항에 있어서,
    상기 이차 전지의 캔의 두께는 0.3내지 0.4mm이고,
    상기 세라믹 단부와 상기 캔 사이의 간격은 2 내지 4mm 범위를 포함하는 플라즈마 세정 장치.
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