KR20110134178A - 플라즈마 도핑 장치 및 방법 - Google Patents

플라즈마 도핑 장치 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20110134178A
KR20110134178A KR1020100054019A KR20100054019A KR20110134178A KR 20110134178 A KR20110134178 A KR 20110134178A KR 1020100054019 A KR1020100054019 A KR 1020100054019A KR 20100054019 A KR20100054019 A KR 20100054019A KR 20110134178 A KR20110134178 A KR 20110134178A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
doping
power
plasma
pulse
magnitude
Prior art date
Application number
KR1020100054019A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101098794B1 (ko
Inventor
김남헌
김병철
서상일
임두호
김흥곤
Original Assignee
에이피티씨 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에이피티씨 주식회사 filed Critical 에이피티씨 주식회사
Priority to KR1020100054019A priority Critical patent/KR101098794B1/ko
Publication of KR20110134178A publication Critical patent/KR20110134178A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101098794B1 publication Critical patent/KR101098794B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32412—Plasma immersion ion implantation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
    • H01L21/223—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a gaseous phase
    • H01L21/2236—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a gaseous phase from or into a plasma phase

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

본 발명의 균일한 플라즈마 분포를 갖는 플라즈마 도핑 장치는, 내부의 반응공간을 한정하는 외벽 및 돔과, 반응공간 내의 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼지지대와, 반응공간 내부에 플라즈마 형성을 위한 반응가스와 도핑하고자 하는 불순물이온의 소스가스를 공급하는 가스 주입부와, 반응공간 내부에 플라즈마를 형성하기 위해 돔의 상부에 배치되되, 중심부에 배치되는 도전성 부싱과, 부싱으로부터 연장되어 부싱을 둘러싸도록 나선형으로 배치되는 복수개의 코일들을 포함하는 적응형 플라즈마 소스와, 적응형 플라즈마 소스의 도전성 부싱에 제1 파워를 공급하는 제1 전원과, 그리고 웨이퍼지지대에 제2 파워를 공급하는 제2 전원을 구비한다.

Description

플라즈마 도핑 장치 및 방법{Plasma doping apparatus and method of plasma doping method}
본 발명은 반도체 제조설비 및 방법에 관한 것으로서, 특히 플라즈마 도핑 장치 및 방법에 관한 것이다.
반도체소자의 집적도가 증가하면서 미세한 패턴 형성과 함께 정교한 도핑 기술이 요구되고 있다. 특히 불순물이온의 도핑은 반도체소자의 도전특성에 큰 영향을 끼치며, 이에 따라 반도체소자의 동작특성 또한 도핑 결과에 따라 다양한 양태로 나타난다. 일 예로, 최근 숏채널효과(short channel effect)를 억제하기 위한 여러가지 방법들 중 하나는 얕은 접합(shallow junction) 구조를 채용하는 것인데, 이 얕은 접합 구조의 형성은 도핑 기술에 의해 좌우된다.
기존에는 통상의 이온 임플란트 장치를 사용하여 불순물이온을 주입하였다. 즉 이온빔을 형성한 후 가속장치를 통해 이온빔을 가속화한 후에 웨이퍼상에 주입하는 방법을 사용하였다. 그러나 최근에는 상대적으로 낮은 에너지로의 주입이 가능한 플라즈마 도핑 장치를 사용한 불순물이온 주입방법의 사용이 점점 확대되고 있는 실정이다.
플라즈마 도핑 장치를 이용함으로서 기존의 이온 임플란트 장치에 비하여 공정을 단순화할 수 있으며, 장비 구조가 간단함에 따른 비용 절감 및 고 생상성을 확보할 수 있다. 또한 트랜지스터의 동작을 제한하는 채널링(channeling) 현상을 효과적으로 억제할 수 있으며 웨이퍼의 손상도 감소시킬 수 있다. 무엇보다도 플라즈마 도핑 기술의 장점은 낮은 가속전압을 가지면서도 매우 높은 도즈의 이온주입이 가능하다는 점과 저온 공정이 가능하다는 점이다.
플라즈마 도핑 장치의 원리를 설명하면, 먼저 도핑 대상물이 로딩된 챔버의 상부에 RF 전원을 인가하여 플라즈마를 형성한다. 이때 챔버 내의 플라즈마 밀도는 RF 전원의 크기와 공급되는 가스양에 의해 결정된다. 이 상태에서 도핑 대상물을 지지하는 플레이튼(platen)에 네가티브 디시(DC) 펄스를 인가하면, 플라즈마 내의 이온은 도핑 대상물에 도핑된다. 이때 이온이 도핑되는 깊이는 네가티브 디시(DC) 펄스의 크기에 의해 조절될 수 있다.
그런데 이와 같은 플라즈마 도핑 장치는 도핑 대상물에 적층되는 이온들에 의해 아킹(arching)이 발생될 수 있으며, 이와 같이 아킹이 발생되면 도핑 대상물이 손상받을 수 있으며, 이로 인해 공정 조건을 다양하게 설정하지 못하여 생산성을 저하시킨다는 문제가 있다. 따라서 도핑 대상물 표면에 이온들이 적층되는 현상을 방지하는 동시에 도핑 대상물 위에 적층된 이온들을 중성화시킴으로써 아킹이 발생하는 것을 방지할 필요가 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 도핑 대상물 표면에 이온들이 적층되는 현상을 방지하는 동시에 도핑 대상물 위에 적층된 이온들이 효율적으로 중성화되도록 하여 아킹의 발생을 최소화하고, 이에 따라 공정 조건을 다양하게 설정함으로써 생산성을 향상시킬 수 있도록 하는 플라즈마 도핑 장치 및 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 도핑 장치는, 내부의 반응공간을 한정하는 외벽 및 돔과, 반응공간 내의 도핑 대상물을 지지하는 플레이튼과, 반응공간 내부에 플라즈마 형성을 위한 반응가스와 도핑하고자 하는 불순물이온의 소스가스를 공급하는 가스 주입부와, 반응공간 내부에 플라즈마를 형성하기 위해 돔의 상부에 배치되는 플라즈마 소스와, 플라즈마 소스에 연결되는 RF 전원과, 플레이튼에 디시(DC) 펄스를 인가하는 디시(DC) 펄스 모듈과, 그리고 도핑이 이루어지는 사이클동안, RF 전원에 의해 제1 크기의 RF 파워가 인가되도록 하고, 디시(DC) 펄스 모듈에 의해 네가티브 펄스가 플레이튼에 인가되도록 하며, 도핑이 이루어지는 사이클 사이의 중간 사이클동안에는 RF 전원에 의해 제1 크기보다 작은 제2 크기의 RF 파워가 인가되도록 한 후에 RF 파워 공급을 중단하고, 디시(DC) 펄스 모듈에 의해서는 펄스가 인가되지 않도록 RF 전원 및 디시(DC) 펄스 모듈을 제어하는 컨트롤러를 포함한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 도핑 장치는, 내부의 반응공간을 한정하는 외벽 및 돔과, 반응공간 내의 도핑 대상물을 지지하는 플레이튼과, 반응공간 내부에 플라즈마 형성을 위한 반응가스와 도핑하고자 하는 불순물이온의 소스가스를 공급하는 가스 주입부와, 반응공간 내부에 플라즈마를 형성하기 위해 돔의 상부에 배치되는 플라즈마 소스와, 플라즈마 소스에 연결되는 RF 전원과, 플레이튼에 디시(DC) 펄스를 인가하는 디시(DC) 펄스 모듈과, 그리고 도핑이 이루어지는 사이클동안, RF 전원에 의해 제1 크기의 RF 파워가 인가되도록 하고, 디시(DC) 펄스 모듈에 의해 네가티브 펄스가 상기 플레이튼에 인가되도록 하며, 도핑이 이루어지는 사이클 사이의 중간 사이클동안에는 RF 전원에 의해 제1 크기보다 작은 제2 크기의 RF 파워가 인가되도록 한 후에 제2 크기보다 작은 제3 크기의 RF 파워가 인가되도록 하고, 디시(DC) 펄스 모듈에 의해서는 펄스가 인가되지 않도록 RF 전원 및 디시(DC) 펄스 모듈을 제어하는 컨트롤러를 포함한다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 플라즈마 도핑 장치는, 내부의 반응공간을 한정하는 외벽 및 돔과, 반응공간 내의 도핑 대상물을 지지하는 플레이튼과, 반응공간 내부에 플라즈마 형성을 위한 반응가스와 도핑하고자 하는 불순물이온의 소스가스를 공급하는 가스 주입부와, 반응공간 내부에 플라즈마를 형성하기 위해 돔의 상부에 배치되는 플라즈마 소스와, 플라즈마 소스에 연결되는 RF 전원과, 플레이튼에 디시(DC) 펄스를 인가하는 디시(DC) 펄스 모듈과, 그리고 도핑이 이루어지는 사이클동안, RF 전원에 의해 제1 크기의 RF 파워가 인가되도록 하고, 디시(DC) 펄스 모듈에 의해 네가티브 펄스가 상기 플레이튼에 인가되도록 하며, 도핑이 이루어지는 사이클 사이의 중간 사이클동안에는 RF 전원에 의해 제1 크기보다 작은 제2 크기의 RF 파워가 인가되도록 한 후에 RF 파워 공급을 중단하고, 디시(DC) 펄스 모듈에 의해서는 제2 크기의 RF 파워가 인가되는 동안 포지티브 디시(DC) 펄스가 플레이튼에 인가되도록 RF 전원 및 디시(DC) 펄스 모듈을 제어하는 컨트롤러를 포함한다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 플라즈마 도핑 장치는, 내부의 반응공간을 한정하는 외벽 및 돔과, 반응공간 내의 도핑 대상물을 지지하는 플레이튼과, 반응공간 내부에 플라즈마 형성을 위한 반응가스와 도핑하고자 하는 불순물이온의 소스가스를 공급하는 가스 주입부와, 반응공간 내부에 플라즈마를 형성하기 위해 돔의 상부에 배치되는 플라즈마 소스와, 플라즈마 소스에 연결되는 RF 전원과, 플레이튼에 디시(DC) 펄스를 인가하는 디시(DC) 펄스 모듈과, 그리고 도핑이 이루어지는 사이클동안, RF 전원에 의해 제1 크기의 RF 파워가 인가되도록 하고, 디시(DC) 펄스 모듈에 의해 네가티브 펄스가 플레이튼에 인가되도록 하며, 도핑이 이루어지는 사이클 사이의 중간 사이클동안에는 RF 전원에 의해 제1 크기보다 작은 제2 크기의 RF 파워가 인가되도록 한 후에 상기 제2 크기보다 작은 제3 크기의 RF 파워가 인가되도록 하고, 디시(DC) 펄스 모듈에 의해서는 제2 크기의 RF 파워가 인가되는 동안 포지티브 디시(DC) 펄스가 상기 플레이튼에 인가되도록 상기 RF 전원 및 디시(DC) 펄스 모듈을 제어하는 컨트롤러를 포함한다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 플라즈마 도핑 장치는, 내부의 반응공간을 한정하는 외벽 및 돔과, 반응공간 내의 도핑 대상물을 지지하는 플레이튼과, 반응공간 내부에 플라즈마 형성을 위한 반응가스와 도핑하고자 하는 불순물이온의 소스가스를 공급하는 가스 주입부와, 반응공간 내부에 플라즈마를 형성하기 위해 돔의 상부에 배치되는 플라즈마 소스와, 플라즈마 소스에 연결되는 RF 전원과, 플레이튼에 디시(DC) 펄스를 인가하는 디시(DC) 펄스 모듈과, 그리고 도핑이 이루어지는 사이클동안, RF 전원에 의해 제1 크기의 RF 파워가 인가되도록 하고, 디시(DC) 펄스 모듈에 의해 네가티브 펄스가 플레이튼에 인가되도록 하며, 도핑이 이루어지는 사이클 사이의 중간 사이클동안에는 RF 전원에 의해 제1 크기보다 큰 제2 크기의 RF 파워가 인가되도록 한 후에 RF 파워 공급을 중단하고, 디시(DC) 펄스 모듈에 의해서는 제2 크기의 RF 파워가 인가되는 동안 포지티브 디시(DC) 펄스가 플레이튼에 인가되도록 RF 전원 및 디시(DC) 펄스 모듈을 제어하는 컨트롤러를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 도핑 방법은, 플라즈마 도핑 챔버 내의 플레이튼 위에 도핑 대상물을 로딩시키는 단계와, 그리고 도핑 대상물에 대해 플라즈마 도핑이 이루어지도록 하는 도핑 사이클과, 도핑 사이클 사이의 중간 사이클이 반복적으로 수행되도록 하되, 도핑 사이클동안에는 제1 크기의 RF 파워 및 네가티브 디시(DC) 펄스가 인가되도록 하고, 중간 사이클에는 제1 크기보다 작은 제2 크기의 RF 파워를 인가한 후에 RF 파워 공급을 중단하고 디시(DC) 펄스는 인가되지 않도록 하는 단계를 포함한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 도핑 방법은, 플라즈마 도핑 챔버 내의 플레이튼 위에 도핑 대상물을 로딩시키는 단계와, 그리고 도핑 대상물에 대해 플라즈마 도핑이 이루어지도록 하는 도핑 사이클과, 도핑 사이클 사이의 중간 사이클이 반복적으로 수행되도록 하되, 도핑 사이클동안에는 제1 크기의 RF 파워 및 네가티브 디시(DC) 펄스가 인가되도록 하고, 중간 사이클에는 제1 크기보다 작은 제2 크기의 RF 파워를 인가한 후에 제2 크기보다 작은 제3 크기의 RF 파워를 인가하고, 디시(DC) 펄스는 인가되지 않도록 하는 단계를 포함한다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 플라즈마 도핑 방법은, 플라즈마 도핑 챔버 내의 플레이튼 위에 도핑 대상물을 로딩시키는 단계와, 도핑 대상물에 대해 플라즈마 도핑이 이루어지도록 하는 도핑 사이클과, 도핑 사이클 사이의 중간 사이클이 반복적으로 수행되도록 하되, 도핑 사이클동안에는 제1 크기의 RF 파워 및 네가티브 디시(DC) 펄스가 인가되도록 하고, 중간 사이클에는 제1 크기보다 작은 제2 크기의 RF 파워를 인가한 후에 RF 파워의 공급을 중단하고, 디시(DC) 펄스는 제2 크기의 RF 파워가 인가되는 동안 포지티브 디시(DC) 펄스가 인가되도록 하는 단계를 포함한다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 플라즈마 도핑 방법은, 플라즈마 도핑 챔버 내의 플레이튼 위에 도핑 대상물을 로딩시키는 단계와, 그리고 도핑 대상물에 대해 플라즈마 도핑이 이루어지도록 하는 도핑 사이클과, 도핑 사이클 사이의 중간 사이클이 반복적으로 수행되도록 하되, 도핑 사이클동안에는 제1 크기의 RF 파워 및 네가티브 디시(DC) 펄스가 인가되도록 하고, 중간 사이클에는 제1 크기보다 작은 제2 크기의 RF 파워를 인가한 후에 제2 크기보다 작은 제3 크기의 RF 파워를 인가하고, 디시(DC) 펄스는 제2 크기의 RF 파워가 인가되는 동안 포지티브 디시(DC) 펄스가 인가되도록 하는 단계를 포함한다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 플라즈마 도핑 방법은, 플라즈마 도핑 챔버 내의 플레이튼 위에 도핑 대상물을 로딩시키는 단계와, 그리고 도핑 대상물에 대해 플라즈마 도핑이 이루어지도록 하는 도핑 사이클과, 도핑 사이클 사이의 중간 사이클이 반복적으로 수행되도록 하되, 도핑 사이클동안에는 제1 크기의 RF 파워 및 네가티브 디시(DC) 펄스가 인가되도록 하고, 중간 사이클에는 제1 크기보다 큰 제2 크기의 RF 파워를 인가한 후에 상기 RF 파워의 공급을 중단하고, 디시(DC) 펄스는 제2 크기의 RF 파워가 인가되는 동안 포지티브 디시(DC) 펄스가 인가되도록 하는 단계를 포함한다.
본 발명에 따르면, 플라즈마 소스로서 용량성 특성을 나타내는 도전성 부싱과, 유도성 특성을 나타내는 복수개의 코일로 이루어진 적응형 플라즈마 소스를 사용함으로써 플라즈마 분포의 조절을 용이하게 할 수 있으며, 이에 따라 플라즈마 도핑 장치 내의 플라즈마 분포를 균일하게 하여 웨이퍼에 도핑되는 불순물이온의 도핑 분포를 균일하게 할 수 있다는 이점이 제공된다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 도핑 장치를 나타내 보인 단면도이다.
도 2는 도 1의 적응형 플라즈마 소스의 평면 구조를 나타내 보인 도면이다.
도 3은 도 1의 플라즈마 도핑 장치의 RF 파워 및 디시(DC) 펄스 인가 시스템을 개략적으로 나타내 보인 도면이다.
도 4는 도 1의 플라즈마 도핑 장치에 인가되는 디시(DC) 펄스와 RF 파워의 일 예를 나타내 보인 신호도이다.
도 5는 도 1의 플라즈마 도핑 장치에 인가되는 디시(DC) 펄스와 RF 파워의 다른 일 예를 나타내 보인 신호도이다.
도 6은 도 1의 플라즈마 도핑 장치에 인가되는 디시(DC) 펄스와 RF 파워의 또 다른 일 예를 나타내 보인 신호도이다.
도 7은 도 1의 플라즈마 도핑 장치에 인가되는 디시(DC) 펄스와 RF 파워의 또 다른 일 예를 나타내 보인 신호도이다.
도 8은 도 1의 플라즈마 도핑 장치에 인가되는 디시(DC) 펄스와 RF 파워의 또 다른 일 예를 나타내 보인 신호도이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 도핑 장치를 나타내 보인 단면도이다. 그리고 도 2는 도 1의 적응형 플라즈마 소스의 평면 구조를 나타내 보인 도면이다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 본 실시예에 따른 플라즈마 도핑 장치(100)는, 외벽(103), 상부의 돔(105) 및 하부의 플레이튼(platen)(107)에 의해 내부 반응공간(101)이 한정된다. 외벽(103)의 상부에는 가스 주입부(109a, 109b)가 배치된다. 가스 주입부(109a, 109b)를 통해서는 반응공간(101) 내부에 플라즈마를 형성하기 위한 반응가스와 웨이퍼(200)에 도핑하고자 하는 불순물이온의 소스가스가 공급된다. 외벽(103)의 일 측면에는 반응공간(101) 내부의 플라즈마 상태를 모니터링하기 위한 플라즈마 모니터링 장치(미도시)가 배치될 수 있다. 웨이퍼(200)는 플레이튼(107) 상부면에 배치된다. 일 예에서, 플레이튼(107)은 정전척(ESC; Electro-Static Chuck)이다.
돔(105)의 상부에는 반응공간(101) 내부에 플라즈마를 형성하기 위한 플라즈마 소스(200)가 배치된다. 이 플라즈마 소스(200)는, 돔(105) 상부의 중심부에 배치되는 도전성 부싱(bushing)(120)과, 부싱(120)으로부터 연장되어 부싱(120)을 둘러싸도록 나선형으로 배치되는 복수개의 코일들(131, 132, 133, 134)로 이루어진다. 비록 본 실시예에서는 4개의 코일들을 배치시켰지만, 이는 단지 예시적인 것으로서 코일들의 개수에는 제한이 없다.
도전성 부싱(120)은 용량성(Capacitively) 플라즈마 소스의 특성을 나타내는 반면에, 복수개의 코일(131, 132, 133, 134)은 유도성(Inductively) 플라즈마 소스의 특성을 나타낸다. 따라서 본 실시예에 따른 플라즈마 도핑 장치에서 채용하는 적응형 플라즈마 소스는 이와 같은 용량성 플라즈마 소스의 특성과 유도성 플라즈마 소스의 특성을 모두 나타낼 수 있으며, 이에 따라 플라즈마를 균일한 분포로 형성시킬 수 있다. 특히 도전성 부싱(120)의 크기나 복수개의 코일들의 개수 등을 조절함으로써 용량성 플라즈마 소스 특성과 유도성 플라즈마 소스 특성의 비중을 적절하게 조정할 수 있으며, 그에 따라 플라즈마의 분포 상태를 다양하게 제어할 수 있다.
도전성 부싱(120)에는 지지대(140)를 통해 RF 전원(141)이 연결된다. 이 RF 전원(141)은 도전성 부싱(120)으로 RF 파워를 공급하며, 이 RF 파워는 지지대(140) 및 도전성 부싱(120)을 통해 복수개의 코일들(131, 132, 133, 134)로 전달된다. 플레이튼(107)에는 디시(DC) 펄스전원(143)이 연결되며, 이 디시(DC) 펄스전원(143)을 통해 웨이퍼(200)에는 디시(DC) 펄스가 인가된다.
이와 같은 플라즈마 도핑 장치를 사용하여 플라즈마 도핑을 수행하는 과정을 설명하면, 먼저 도핑하고자 하는 웨이퍼(200)를 플레이튼(107) 위로 로딩시킨다. 그리고 가스 주입부(109a 109b)를 통해 플라즈마 형성을 위한 반응가스 및 도핑하고자 하는 불순물이온의 소스가스를 공급하면서 RF 전원(141)으로부터의 RF 파워를 도전성 부싱(120)으로 공급한다. 이 RF 파워는 도전성 부싱(120)을 통해 복수개의 코일들(131, 132, 133, 134)로 전달되고, 그 결과 반응공간(101) 내에는 플라즈마가 형성된다. 이 상태에서 디시(DC) 펄스 전원(143)으로 플레이튼(107)에 대해 디시(DC) 펄스 전압을 인가한다. 그러면, 플라즈마 상태로 있는 소스가스의 양이온들은 네가티브 디시(DC) 펄스 전압에 의해 웨이퍼(200)로 도핑된다. 이때 디시(DC) 펄스 전압의 크기를 조절하여 웨이퍼(200)에 도핑되는 깊이를 조절할 수 있다.
도 3은 도 1의 플라즈마 도핑 장치의 RF 파워 및 디시(DC) 펄스 인가 시스템을 개략적으로 나타내 보인 도면이다. 도 3을 참조하면, 플라즈마 도핑(PLAD) 챔버(100)로 RF 파워를 인가하는 RF 전원(141)은 RF 발생기(310)에 의해 일정 주기로 RF 파워를 공급하도록 제어된다. 이때 RF 파워의 크기 및 주기는 컨트롤러(340)에 의해 결정된다. 플라즈마 도핑(PLAD) 챔버(100)로 디시(DC) 펄스를 인가하는 디시(DC) 펄스 전원(143)은 디시(DC) 펄스 모듈(320)에 의해 디시(DC) 펄스를 공급받는다. 디시(DC) 펄스 모듈(320)에 의해 발생되는 디시(DC) 펄스는 컨트롤러(340)에 의해 그 크기 및 주기가 제어된다. 디시(DC) 펄스 모듈(320) 및 컨트롤러(340)는 고전압디시(HVDC) 파워서플라이(330)로부터 필요한 전압을 공급받는다. 비록 본 실시예에서는, RF 전원(141) 및 RF 발생기(310)를 구분하였지만, 이는 설명의 용이함을 위한 것으로서 경우에 따라서는 일체화될 수도 있다. 마찬가지로 디시(DC) 펄스 전원(143) 및 디시(DC) 펄스 모듈(320) 또한 일체화될 수 있다.
도 4는 도 1의 플라즈마 도핑 장치에 인가되는 디시(DC) 펄스와 RF 파워의 일 예를 나타내 보인 신호도이다. 도 4를 참조하면, t1~t2, t3~t4, t5~t6, t7~t8, … 구간은 도핑 사이클(C11, C12, C13, C14, …)로서, 이 구간에서는 도핑 대상물, 예컨대 웨이퍼에 대해 도핑이 이루어진다. 반면에 t2~t3, t4~t5, t6~t7, … 구간은 도핑 사이클(C11, C12, C13, C14, …) 사이의 중간 사이클(C21, C22, C23, …)로서, 이 구간에서는 도핑이 이루어지지 않고 도핑 대상물상에 축적되어 있는 이온이 제거되도록 한다. 도핑 사이클(C11, C12, C13, C14, …)에서 플라즈마 도핑이 이루어지도록 하기 위해, 이 구간에서는 제1 크기의 RF 파워(A)가 인가되며, 또한 네가티브 디시(DC) 펄스(a)가 인가된다. 이에 따라 RF 파워(A)에 의해 플라즈마가 형성되고, 플라즈마 내의 양이온은 네가티브 디시(DC) 펄스(a)에 의해 도핑 대상물로 도핑된다. 플라즈마 도핑이 이루어지지 않는 중간 사이클(C21, C22, C23, …)에는 RF 파워가 인가되지 않는 것이 일반적이지만, 본 실시예에서는 도핑 사이클(C11, C12, C13, C14, …)에서 인가되는 RF 파워(A)의 제1 크기보다 작은 제2 크기의 RF 파워(B)가 제1 크기의 RF 파워(A)에 연속적으로 인가된 후에 RF 파워(B)의 인가가 중단된다. 제2 크기의 RF 파워(B)가 인가되는 동안에는 디시(DC) 펄스가 인가되지 않으므로 이 구간에서는 이온 도핑이 이루어지지 않는다. 반면에 제2 크기의 RF 파워(B)에 의해 형성되는 플라즈마 내의 전자들이 도핑 대상물에 축적되어 있는 양이온과 결합하여 결과적으로 양이온이 디스차지(discharge)되는 현상이 발생되며, 이와 같이 도핑 대상물에 축적된 양이온이 디스차지됨에 따라 플라즈마 도핑 챔버 내에서의 아킹(arcing) 발생을 최소화할 수 있다.
도 5는 도 1의 플라즈마 도핑 장치에 인가되는 디시(DC) 펄스와 RF 파워의 다른 예를 나타내 보인 신호도이다. 도 5를 참조하면, 본 예에서는 제2 크기의 RF 펄스(B)가 인가된 후에 RF 파워의 인가가 중단되지 않고 제2 크기보다 작은 제3 크기의 RF 파워(C)가 중간 사이클(C21, C22, C23, …)이 끝나는 시점까지 인가된다. 이와 같은 본 예에 따르면, 도 4를 참조하여 설명한 경우에 비해, 제3 크기의 RF 파워(C)가 지속적으로 인가됨에 따라 도핑 대상물에 축적되어 있는 양이온의 디스차지를 보다 효율적으로 수행할 수 있다.
도 6은 도 1의 플라즈마 도핑 장치에 인가되는 디시(DC) 펄스와 RF 파워의 또 다른 예를 나타내 보인 신호도이다. 도 6을 참조하면, 본 예에서는 제2 크기의 RF 파워(B)가 인가되는 동안 포지티브 디시(DC) 펄스(b)가 인가된다. RF 파워(B)가 인가됨에 따라 플라즈마 도핑 챔버 내에는 일정 양의 플라즈마가 유지되며, 이 플라즈마 내의 전자들은 포지티브 디시(DC) 펄스(b)에 의해 도핑 대상물을 향해 가속된다. 그리고 도핑 대상물에 축적되어 있는 양이온과 결합하며, 이에 따라 도핑 대상물에 축적되어 있던 양이온이 중성화된다. 즉 본 예에 따르면, 포지티브 디시(DC) 펄스(b)를 인가함으로써 플라즈마 내의 전자들이 보다 효율적으로 도핑 대상물에 축적되어 있는 양이온들과 결합하도록 할 수 있다.
도 7은 도 1의 플라즈마 도핑 장치에 인가되는 디시(DC) 펄스와 RF 파워의 또 다른 예를 나타내 보인 신호도이다. 도 7을 참조하면, 본 예에서는 제2 크기의 RF 펄스(B)가 인가된 후에 RF 파워의 인가가 중단되지 않고 제2 크기보다 작은 제3 크기의 RF 파워(C)가 중간 사이클(C21, C22, C23, …)이 끝나는 시점까지 인가된다. 또한 제2 크기의 RF 파워(B)가 인가되는 동안 포지티브 디시(DC) 펄스(b)가 인가된다. 이와 같은 본 예에 따르면, 도 6을 참조하여 설명한 예에 비해, 제3 크기의 RF 파워(C)가 지속적으로 인가됨에 따라 도핑 대상물에 축적되어 있는 양이온의 디스차지를 보다 효율적으로 수행할 수 있으며, 그 결과 경우에 따라서는 제2 크기의 RF 파워(B) 및 포지티브 디시(DC) 펄스(b)가 인가되는 시간을 단축시킬 수도 있다.
도 8은 도 1의 플라즈마 도핑 장치에 인가되는 디시(DC) 펄스와 RF 파워의 또 다른 예를 나타내 보인 신호도이다. 도 8을 참조하면, 본 예에서는 중간 사이클(C21, C22, C23, …)이 시작되면, 도핑 사이클(C11, C12, C13, C14, …)에서 인가되는 RF 파워(A)의 제1 크기보다 큰 제2 크기의 RF 파워(B')를 제1 크기의 RF 파워(A)에 연속적으로 인가시킨 후에 RF 파워(B')의 인가를 중단시킨다. 또한 제2 크기의 RF 파워(B')가 인가되는 동안 포지티브 디시(DC) 펄스(b)가 인가된다. 도핑 사이클(C11, C12, C13, C14, …)에서 인가되는 RF 파워(A)의 제1 크기보다 큰 제2 크기의 RF 파워(B')가 인가됨에 따라 플라즈마 도핑 챔버 내에는 보다 많은 양의 플라즈마가 형성되며, 따라서 플라즈마 내의 전자들의 양도 증가한다. 이와 같이 플라즈마 내의 전자들의 양이 증가함에 따라 포지티브 디시(DC) 펄스에 의해 도핑 대상물에 축적되어 있는 양이온들과 결합되는 전자들의 수도 증가하게 되어 디스차지(discharge)가 보다 빠르게 진행될 수 있다. 경우에 따라서는 RF 파워(B') 및 포지티브 디시(DC) 펄스가 인가되는 시간을 단축시킴으로써 디스차지 시간이 동일하게 유지되더라도 전체 공정 시간을 단축시킬 수 있으며, 필요에 따라 공정 조건을 다양하게 조절할 수 있다.
100...PLAD 챔버 141...RF 전원
143...디시(DC) 펄스전원 310...RF 발생기
320...디시(DC) 펄스 모듈 330...HVDC 파워서플라이
340...컨트롤러

Claims (20)

  1. 내부의 반응공간을 한정하는 외벽 및 돔;
    상기 반응공간 내의 도핑 대상물을 지지하는 플레이튼;
    상기 반응공간 내부에 플라즈마 형성을 위한 반응가스와 도핑하고자 하는 불순물이온의 소스가스를 공급하는 가스 주입부;
    상기 반응공간 내부에 상기 플라즈마를 형성하기 위해 상기 돔의 상부에 배치되는 플라즈마 소스;
    상기 플라즈마 소스에 연결되는 RF 전원;
    상기 플레이튼에 디시(DC) 펄스를 인가하는 디시(DC) 펄스 모듈; 및
    도핑이 이루어지는 사이클동안, 상기 RF 전원에 의해 제1 크기의 RF 파워가 인가되도록 하고, 상기 디시(DC) 펄스 모듈에 의해 네가티브 펄스가 상기 플레이튼에 인가되도록 하며, 상기 도핑이 이루어지는 사이클 사이의 중간 사이클동안에는 상기 RF 전원에 의해 상기 제1 크기보다 작은 제2 크기의 RF 파워가 인가되도록 한 후에 RF 파워 공급을 중단하고, 상기 디시(DC) 펄스 모듈에 의해서는 펄스가 인가되지 않도록 상기 RF 전원 및 디시(DC) 펄스 모듈을 제어하는 컨트롤러를 포함하는 플라즈마 도핑 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 플라즈마 소스는, 중심부에 배치되는 도전성 부싱과, 상기 부싱으로부터 연장되어 상기 부싱을 둘러싸도록 나선형으로 배치되는 복수개의 코일들로 이루어진 적응형 플라즈마 소스인 플라즈마 도핑 장치.
  3. 내부의 반응공간을 한정하는 외벽 및 돔;
    상기 반응공간 내의 도핑 대상물을 지지하는 플레이튼;
    상기 반응공간 내부에 플라즈마 형성을 위한 반응가스와 도핑하고자 하는 불순물이온의 소스가스를 공급하는 가스 주입부;
    상기 반응공간 내부에 상기 플라즈마를 형성하기 위해 상기 돔의 상부에 배치되는 플라즈마 소스;
    상기 플라즈마 소스에 연결되는 RF 전원;
    상기 플레이튼에 디시(DC) 펄스를 인가하는 디시(DC) 펄스 모듈; 및
    도핑이 이루어지는 사이클동안, 상기 RF 전원에 의해 제1 크기의 RF 파워가 인가되도록 하고, 상기 디시(DC) 펄스 모듈에 의해 네가티브 펄스가 상기 플레이튼에 인가되도록 하며, 상기 도핑이 이루어지는 사이클 사이의 중간 사이클동안에는 상기 RF 전원에 의해 상기 제1 크기보다 작은 제2 크기의 RF 파워가 인가되도록 한 후에 상기 제2 크기보다 작은 제3 크기의 RF 파워가 인가되도록 하고, 상기 디시(DC) 펄스 모듈에 의해서는 펄스가 인가되지 않도록 상기 RF 전원 및 디시(DC) 펄스 모듈을 제어하는 컨트롤러를 포함하는 플라즈마 도핑 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 플라즈마 소스는, 중심부에 배치되는 도전성 부싱과, 상기 부싱으로부터 연장되어 상기 부싱을 둘러싸도록 나선형으로 배치되는 복수개의 코일들로 이루어진 적응형 플라즈마 소스인 플라즈마 도핑 장치.
  5. 내부의 반응공간을 한정하는 외벽 및 돔;
    상기 반응공간 내의 도핑 대상물을 지지하는 플레이튼;
    상기 반응공간 내부에 플라즈마 형성을 위한 반응가스와 도핑하고자 하는 불순물이온의 소스가스를 공급하는 가스 주입부;
    상기 반응공간 내부에 상기 플라즈마를 형성하기 위해 상기 돔의 상부에 배치되는 플라즈마 소스;
    상기 플라즈마 소스에 연결되는 RF 전원;
    상기 플레이튼에 디시(DC) 펄스를 인가하는 디시(DC) 펄스 모듈; 및
    도핑이 이루어지는 사이클동안, 상기 RF 전원에 의해 제1 크기의 RF 파워가 인가되도록 하고, 상기 디시(DC) 펄스 모듈에 의해 네가티브 펄스가 상기 플레이튼에 인가되도록 하며, 상기 도핑이 이루어지는 사이클 사이의 중간 사이클동안에는 상기 RF 전원에 의해 상기 제1 크기보다 작은 제2 크기의 RF 파워가 인가되도록 한 후에 RF 파워 공급을 중단하고, 상기 디시(DC) 펄스 모듈에 의해서는 상기 제2 크기의 RF 파워가 인가되는 동안 포지티브 디시(DC) 펄스가 상기 플레이튼에 인가되도록 상기 RF 전원 및 디시(DC) 펄스 모듈을 제어하는 컨트롤러를 포함하는 플라즈마 도핑 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 플라즈마 소스는, 중심부에 배치되는 도전성 부싱과, 상기 부싱으로부터 연장되어 상기 부싱을 둘러싸도록 나선형으로 배치되는 복수개의 코일들로 이루어진 적응형 플라즈마 소스인 플라즈마 도핑 장치.
  7. 내부의 반응공간을 한정하는 외벽 및 돔;
    상기 반응공간 내의 도핑 대상물을 지지하는 플레이튼;
    상기 반응공간 내부에 플라즈마 형성을 위한 반응가스와 도핑하고자 하는 불순물이온의 소스가스를 공급하는 가스 주입부;
    상기 반응공간 내부에 상기 플라즈마를 형성하기 위해 상기 돔의 상부에 배치되는 플라즈마 소스;
    상기 플라즈마 소스에 연결되는 RF 전원;
    상기 플레이튼에 디시(DC) 펄스를 인가하는 디시(DC) 펄스 모듈; 및
    도핑이 이루어지는 사이클동안, 상기 RF 전원에 의해 제1 크기의 RF 파워가 인가되도록 하고, 상기 디시(DC) 펄스 모듈에 의해 네가티브 펄스가 상기 플레이튼에 인가되도록 하며, 상기 도핑이 이루어지는 사이클 사이의 중간 사이클동안에는 상기 RF 전원에 의해 상기 제1 크기보다 작은 제2 크기의 RF 파워가 인가되도록 한 후에 상기 제2 크기보다 작은 제3 크기의 RF 파워가 인가되도록 하고, 상기 디시(DC) 펄스 모듈에 의해서는 상기 제2 크기의 RF 파워가 인가되는 동안 포지티브 디시(DC) 펄스가 상기 플레이튼에 인가되도록 상기 RF 전원 및 디시(DC) 펄스 모듈을 제어하는 컨트롤러를 포함하는 플라즈마 도핑 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 플라즈마 소스는, 중심부에 배치되는 도전성 부싱과, 상기 부싱으로부터 연장되어 상기 부싱을 둘러싸도록 나선형으로 배치되는 복수개의 코일들로 이루어진 적응형 플라즈마 소스인 플라즈마 도핑 장치.
  9. 내부의 반응공간을 한정하는 외벽 및 돔;
    상기 반응공간 내의 도핑 대상물을 지지하는 플레이튼;
    상기 반응공간 내부에 플라즈마 형성을 위한 반응가스와 도핑하고자 하는 불순물이온의 소스가스를 공급하는 가스 주입부;
    상기 반응공간 내부에 상기 플라즈마를 형성하기 위해 상기 돔의 상부에 배치되는 플라즈마 소스;
    상기 플라즈마 소스에 연결되는 RF 전원;
    상기 플레이튼에 디시(DC) 펄스를 인가하는 디시(DC) 펄스 모듈; 및
    도핑이 이루어지는 사이클동안, 상기 RF 전원에 의해 제1 크기의 RF 파워가 인가되도록 하고, 상기 디시(DC) 펄스 모듈에 의해 네가티브 펄스가 상기 플레이튼에 인가되도록 하며, 상기 도핑이 이루어지는 사이클 사이의 중간 사이클동안에는 상기 RF 전원에 의해 상기 제1 크기보다 큰 제2 크기의 RF 파워가 인가되도록 한 후에 RF 파워 공급을 중단하고, 상기 디시(DC) 펄스 모듈에 의해서는 상기 제2 크기의 RF 파워가 인가되는 동안 포지티브 디시(DC) 펄스가 상기 플레이튼에 인가되도록 상기 RF 전원 및 디시(DC) 펄스 모듈을 제어하는 컨트롤러를 포함하는 플라즈마 도핑 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 플라즈마 소스는, 중심부에 배치되는 도전성 부싱과, 상기 부싱으로부터 연장되어 상기 부싱을 둘러싸도록 나선형으로 배치되는 복수개의 코일들로 이루어진 적응형 플라즈마 소스인 플라즈마 도핑 장치.
  11. 플라즈마 도핑 챔버 내의 플레이튼 위에 도핑 대상물을 로딩시키는 단계; 및
    상기 도핑 대상물에 대해 플라즈마 도핑이 이루어지도록 하는 도핑 사이클과, 상기 도핑 사이클 사이의 중간 사이클이 반복적으로 수행되도록 하되, 상기 도핑 사이클동안에는 제1 크기의 RF 파워 및 네가티브 디시(DC) 펄스가 인가되도록 하고, 상기 중간 사이클에는 상기 제1 크기보다 작은 제2 크기의 RF 파워를 인가한 후에 RF 파워 공급을 중단하고 상기 디시(DC) 펄스는 인가되지 않도록 하는 단계를 포함하는 플라즈마 도핑 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 RF 파워는 상기 플라즈마 도핑 챔버 위의 플라즈마 소스를 통해 인가되도록 하고, 상기 디시(DC) 펄스는 상기 플레이튼을 통해 인가되도록 하는 플라즈마 도핑 방법.
  13. 플라즈마 도핑 챔버 내의 플레이튼 위에 도핑 대상물을 로딩시키는 단계; 및
    상기 도핑 대상물에 대해 플라즈마 도핑이 이루어지도록 하는 도핑 사이클과, 상기 도핑 사이클 사이의 중간 사이클이 반복적으로 수행되도록 하되, 상기 도핑 사이클동안에는 제1 크기의 RF 파워 및 네가티브 디시(DC) 펄스가 인가되도록 하고, 상기 중간 사이클에는 상기 제1 크기보다 작은 제2 크기의 RF 파워를 인가한 후에 상기 제2 크기보다 작은 제3 크기의 RF 파워를 인가하고, 상기 디시(DC) 펄스는 인가되지 않도록 하는 단계를 포함하는 플라즈마 도핑 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 RF 파워는 상기 플라즈마 도핑 챔버 위의 플라즈마 소스를 통해 인가되도록 하고, 상기 디시(DC) 펄스는 상기 플레이튼을 통해 인가되도록 하는 플라즈마 도핑 방법.
  15. 플라즈마 도핑 챔버 내의 플레이튼 위에 도핑 대상물을 로딩시키는 단계; 및
    상기 도핑 대상물에 대해 플라즈마 도핑이 이루어지도록 하는 도핑 사이클과, 상기 도핑 사이클 사이의 중간 사이클이 반복적으로 수행되도록 하되, 상기 도핑 사이클동안에는 제1 크기의 RF 파워 및 네가티브 디시(DC) 펄스가 인가되도록 하고, 상기 중간 사이클에는 상기 제1 크기보다 작은 제2 크기의 RF 파워를 인가한 후에 상기 RF 파워의 공급을 중단하고, 상기 디시(DC) 펄스는 상기 제2 크기의 RF 파워가 인가되는 동안 포지티브 디시(DC) 펄스가 인가되도록 하는 단계를 포함하는 플라즈마 도핑 방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 RF 파워는 상기 플라즈마 도핑 챔버 위의 플라즈마 소스를 통해 인가되도록 하고, 상기 디시(DC) 펄스는 상기 플레이튼을 통해 인가되도록 하는 플라즈마 도핑 방법.
  17. 플라즈마 도핑 챔버 내의 플레이튼 위에 도핑 대상물을 로딩시키는 단계; 및
    상기 도핑 대상물에 대해 플라즈마 도핑이 이루어지도록 하는 도핑 사이클과, 상기 도핑 사이클 사이의 중간 사이클이 반복적으로 수행되도록 하되, 상기 도핑 사이클동안에는 제1 크기의 RF 파워 및 네가티브 디시(DC) 펄스가 인가되도록 하고, 상기 중간 사이클에는 상기 제1 크기보다 작은 제2 크기의 RF 파워를 인가한 후에 상기 제2 크기보다 작은 제3 크기의 RF 파워를 인가하고, 상기 디시(DC) 펄스는 상기 제2 크기의 RF 파워가 인가되는 동안 포지티브 디시(DC) 펄스가 인가되도록 하는 단계를 포함하는 플라즈마 도핑 방법.
  18. 제15항에 있어서,
    상기 RF 파워는 상기 플라즈마 도핑 챔버 위의 플라즈마 소스를 통해 인가되도록 하고, 상기 디시(DC) 펄스는 상기 플레이튼을 통해 인가되도록 하는 플라즈마 도핑 방법.
  19. 플라즈마 도핑 챔버 내의 플레이튼 위에 도핑 대상물을 로딩시키는 단계; 및
    상기 도핑 대상물에 대해 플라즈마 도핑이 이루어지도록 하는 도핑 사이클과, 상기 도핑 사이클 사이의 중간 사이클이 반복적으로 수행되도록 하되, 상기 도핑 사이클동안에는 제1 크기의 RF 파워 및 네가티브 디시(DC) 펄스가 인가되도록 하고, 상기 중간 사이클에는 상기 제1 크기보다 큰 제2 크기의 RF 파워를 인가한 후에 상기 RF 파워의 공급을 중단하고, 상기 디시(DC) 펄스는 상기 제2 크기의 RF 파워가 인가되는 동안 포지티브 디시(DC) 펄스가 인가되도록 하는 단계를 포함하는 플라즈마 도핑 방법.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 RF 파워는 상기 플라즈마 도핑 챔버 위의 플라즈마 소스를 통해 인가되도록 하고, 상기 디시(DC) 펄스는 상기 플레이튼을 통해 인가되도록 하는 플라즈마 도핑 방법.
KR1020100054019A 2010-06-08 2010-06-08 플라즈마 도핑 장치 및 방법 KR101098794B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100054019A KR101098794B1 (ko) 2010-06-08 2010-06-08 플라즈마 도핑 장치 및 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100054019A KR101098794B1 (ko) 2010-06-08 2010-06-08 플라즈마 도핑 장치 및 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110134178A true KR20110134178A (ko) 2011-12-14
KR101098794B1 KR101098794B1 (ko) 2011-12-26

Family

ID=45501629

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100054019A KR101098794B1 (ko) 2010-06-08 2010-06-08 플라즈마 도핑 장치 및 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101098794B1 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014159530A1 (en) * 2013-03-14 2014-10-02 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Method of implementing low dose implant in a plasma system
KR20150114056A (ko) * 2014-03-31 2015-10-12 주성엔지니어링(주) 기판 처리 장치와 이를 이용한 박막 형성 방법 및 반도체 소자의 제조 방법
KR101585945B1 (ko) * 2014-07-16 2016-01-18 에이피티씨 주식회사 플라즈마를 이용한 반도체소자 식각장치 및 이를 이용한 반도체소자 식각방법

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200086826A (ko) 2019-01-10 2020-07-20 삼성전자주식회사 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100416715B1 (ko) 2001-02-27 2004-01-31 한국과학기술연구원 펄스 플라즈마를 이용한 이온 주입 방법 및 그 시스템
JP2004158621A (ja) 2002-11-06 2004-06-03 Sumitomo Heavy Ind Ltd ドーピング方法およびその装置
KR100855002B1 (ko) 2007-05-23 2008-08-28 삼성전자주식회사 플라즈마 이온 주입시스템

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014159530A1 (en) * 2013-03-14 2014-10-02 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Method of implementing low dose implant in a plasma system
US9783884B2 (en) 2013-03-14 2017-10-10 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Method for implementing low dose implant in a plasma system
KR20150114056A (ko) * 2014-03-31 2015-10-12 주성엔지니어링(주) 기판 처리 장치와 이를 이용한 박막 형성 방법 및 반도체 소자의 제조 방법
KR101585945B1 (ko) * 2014-07-16 2016-01-18 에이피티씨 주식회사 플라즈마를 이용한 반도체소자 식각장치 및 이를 이용한 반도체소자 식각방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR101098794B1 (ko) 2011-12-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1998062B (zh) 稳定的和可重复的等离子体离子注入的方法
KR100662678B1 (ko) 할로우 캐소드를 포함하는 플라즈마 도핑 시스템
CN103109342B (zh) 用于等离子体处理衬底的技术
KR20190124323A (ko) 플라즈마 반응기 및 플라즈마 반응기에서의 다이아몬드-유사 탄소의 증착 또는 처리
JP2013537706A (ja) 誘電体基板のプラズマ浸漬イオン注入用制御装置
KR101098794B1 (ko) 플라즈마 도핑 장치 및 방법
KR101328800B1 (ko) 다중 주파수의 ｒｆ 펄스 파워를 이용한 펄스 플라즈마의 특성 제어 방법
JP4998972B2 (ja) イオン注入装置およびイオン注入方法
US20080023653A1 (en) Plasma based ion implantation apparatus
US8329055B2 (en) Plasma uniformity control using biased array
KR101385750B1 (ko) 중성빔을 이용하는 기판 처리 장치 및 방법
CN104937691A (zh) 具有多个等离子源体的离子注入机
KR102017520B1 (ko) 저압형 플라즈마 투입 방식 이온주입기
US20130020027A1 (en) Etching equipment
US10340121B2 (en) Plasma processing systems including side coils and methods related to the plasma processing systems
KR101851005B1 (ko) 플라즈마 도핑 장치를 이용한 플라즈마 도핑 방법
US20190096636A1 (en) Plasma processing apparatus, plasma processing method and method of manufacturing semiconductor device using the same
KR20100121981A (ko) 주파수 변조를 이용한 플라즈마 도핑 방법
KR101071246B1 (ko) 등가전기장이 발생되는 정전척 및 이를 포함하는 플라즈마 이온 주입장치
KR20110025273A (ko) 플라즈마 이온 도핑 장치
KR101096490B1 (ko) 플라즈마를 이용한 도핑 방법 및 이에 사용되는 장치
CN110896019A (zh) 等离子体刻蚀设备及刻蚀方法
KR101286710B1 (ko) 유도결합 플라즈마 기판 처리 장치 및 방법
KR101081352B1 (ko) 플라즈마 도핑장치 및 방법
KR101081350B1 (ko) 플라즈마 도핑장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141222

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151221

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161220

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171219

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181210

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191210

Year of fee payment: 9