KR20110126884A

KR20110126884A - Organic light emitting display device

Info

Publication number: KR20110126884A
Application number: KR1020100046384A
Authority: KR
Inventors: 유충근
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Priority date: 2010-05-18
Filing date: 2010-05-18
Publication date: 2011-11-24
Also published as: KR101777864B1

Abstract

PURPOSE: An organic light emitting display device is provided to prevent the infiltration of ultra violet into the organic light-emitting layer formed in a display unit by forming an ultraviolet ray filter in an electrode radiating light. CONSTITUTION: In an organic light emitting display device, a first electrode is formed on a substrate(110). A display unit(130) is formed on the first electrode. A second electrode is formed on the display unit. An ultraviolet ray filter layer(140) is formed on an emission electrode of the first electrode and the second electrode. A multi protective film(150) is formed on the ultraviolet ray filter layer.

Description

Organic Light Emitting Display Device

본 발명의 실시예는 유기전계발광표시장치에 관한 것이다.Embodiments of the present invention relate to an organic light emitting display device.

유기전계발광표시장치에 사용되는 유기전계발광소자는 기판 상에 위치하는 두 개의 전극 사이에 발광층이 형성된 자발광소자이다. 유기전계발광표시장치는 빛이 방출되는 방향에 따라 전면발광(Top-Emission) 방식, 배면발광(Bottom-Emission) 방식 또는 양면발광(Dual-Emission) 방식 등이 있다. 그리고, 구동방식에 따라 수동매트릭스형(Passive Matrix)과 능동매트릭스형(Active Matrix) 등으로 나누어져 있다.The organic light emitting display device used in the organic light emitting display device is a self-light emitting device having a light emitting layer formed between two electrodes positioned on a substrate. The organic light emitting display includes a top emission type, a bottom emission type, or a dual emission type according to a direction in which light is emitted. According to the driving method, it is divided into a passive matrix type and an active matrix type.

유기전계발광표시장치의 표시패널에 배치된 서브 픽셀은 스위칭 트랜지스터, 구동 트랜지스터 및 커패시터를 포함하는 트랜지스터부와 트랜지스터부에 포함된 구동 트랜지스터에 연결된 제1전극, 유기 발광층 및 제2전극을 포함하는 유기 발광다이오드를 포함한다.The subpixels disposed on the display panel of the organic light emitting display device may include a transistor unit including a switching transistor, a driving transistor, and a capacitor, and an organic layer including a first electrode, an organic light emitting layer, and a second electrode connected to the driving transistor included in the transistor unit. It includes a light emitting diode.

유기전계발광표시장치는 매트릭스 형태로 배치된 복수의 서브 픽셀에 스캔 신호, 데이터 신호 및 전원 등이 공급되면, 선택된 서브 픽셀이 발광을 하게 됨으로써 영상을 표시할 수 있다.When the scan signal, the data signal, and the power are supplied to the plurality of subpixels arranged in a matrix form, the organic light emitting display device may display an image by emitting light of the selected subpixel.

유기전계발광표시장치의 표시패널은 수분이나 산소 등 외기에 취약하여 표시패널 제작시 소자를 보호하기 위한 밀봉 공정이 요구된다. 종래에는 표시패널 제작시 무기층과 유기층이 교번하여 형성된 멀티보호막을 이용하여 소자를 외기로부터 보호하는 방법이 제안되고 있다. 그런데, 종래 멀티보호막이 채택된 유기전계발광표시장치는 멀티보호막 형성시 발생하는 자외선에 의해 유기 발광층이 손상되어 수명 저하 등과 같은 불량이 야기되고 있어 이의 개선이 요구된다.
Since the display panel of the organic light emitting display device is vulnerable to moisture such as moisture or oxygen, a sealing process is required to protect the device when manufacturing the display panel. Background Art Conventionally, a method of protecting an element from external air by using a multi-protective film formed by alternating an inorganic layer and an organic layer when manufacturing a display panel has been proposed. However, in the conventional organic light emitting display device adopting the multi-protective film, the organic light emitting layer is damaged by ultraviolet rays generated when the multi-protective film is formed, resulting in a defect such as a decrease in the lifespan, and the improvement thereof is required.

상술한 배경기술의 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 실시예는, 무기층과 유기층이 교번하여 형성된 멀티보호막 형성시 유기 발광층이 손상되는 문제를 방지하고 소자의 기밀성과 수명을 향상시키고 표시패널 제작시 야기되는 불량 발생률을 감소시킬 수 있는 유기전계발광표시장치를 제공하는 것이다.
Embodiments of the present invention for solving the above problems of the background art, to prevent the problem of damage to the organic light emitting layer when forming a multi-protective film formed by alternating the inorganic layer and the organic layer, to improve the airtightness and life of the device and to manufacture the display panel It is an object of the present invention to provide an organic light emitting display device capable of reducing the incidence of defects caused.

상술한 과제 해결 수단으로 본 발명의 실시예는, 기판; 기판 상에 형성된 제1전극; 제1전극 상에 형성된 유기 발광층; 유기 발광층 상에 형성된 제2전극; 제1전극 및 제2전극 중 출광하는 전극 상에 형성된 자외선 여과층; 및 자외선 여과층 상에 복층으로 형성된 멀티보호막을 포함하는 유기전계발광표시장치를 제공한다.Embodiments of the present invention as a means for solving the above problems, the substrate; A first electrode formed on the substrate; An organic light emitting layer formed on the first electrode; A second electrode formed on the organic light emitting layer; An ultraviolet filtration layer formed on the light emitting electrode among the first electrode and the second electrode; And it provides an organic light emitting display device comprising a multi-protective film formed in multiple layers on the ultraviolet filter layer.

자외선 여과층의 두께는, 50nm ~ 150nm일 수 있다.The ultraviolet filter layer may have a thickness of 50 nm to 150 nm.

자외선 여과층의 굴절률은, 1.8 ~ 2.0일 수 있다.The refractive index of the ultraviolet filter layer may be 1.8 to 2.0.

자외선 여과층은, 자외선의 파장 365nm 이하에서 투과율이 80% 미만일 수 있다.The ultraviolet filter layer may have a transmittance of less than 80% at a wavelength of 365 nm or less.

자외선 여과층은, SiOx, SiOC, SiOCN, SiON, SiNx 및 SiC 중 어느 하나로 형성될 수 있다.The ultraviolet filtration layer may be formed of any one of SiOx, SiOC, SiOCN, SiON, SiNx, and SiC.

자외선 여과층이 SiNx로 형성된 경우, 이는 SiH₄ 및 N₂의 조합으로 형성될 수 있다.If the ultraviolet filtration layer is formed of SiNx, it may be formed of a combination of SiH ₄ and N ₂ .

자외선 여과층이 SiON으로 형성된 경우, 이는 SiH₄, N₂ 및 N₂O의 조합으로 형성될 수 있다.When the ultraviolet filtration layer is formed of SiON, it may be formed by a combination of SiH ₄ , N ₂ and N ₂ O.

자외선 여과층은, 제1전극 및 제2전극 중 출광하는 전극을 모두 덮도록 형성될 수 있다.The ultraviolet filtration layer may be formed to cover all of the light emitting electrodes of the first electrode and the second electrode.

멀티보호막은, 자외선 여과층을 모두 덮도록 형성될 수 있다.The multi passivation layer may be formed to cover all of the ultraviolet filtration layers.

멀티보호막은, 무기층과 유기층이 순차적으로 교번 적층된 구조 또는 유기층과 무기층이 순차적으로 교번 적층된 구조일 수 있다.
The multi-protective film may have a structure in which an inorganic layer and an organic layer are sequentially stacked or a structure in which an organic layer and an inorganic layer are sequentially stacked.

본 발명의 실시예는, 무기층과 유기층이 교번하여 형성된 멀티보호막 형성시 유기 발광층이 손상되는 문제를 방지하고 소자의 기밀성과 수명을 향상시키고 표시패널 제작시 야기되는 불량 발생률을 감소시킬 수 있는 유기전계발광표시장치를 제공하는 효과가 있다.
According to an embodiment of the present invention, the organic light emitting layer may prevent the organic light emitting layer from being damaged when the multi-layer protective layer formed by alternating the inorganic layer and the organic layer is formed, improve the airtightness and lifespan of the device, and reduce an incidence of defects caused during display panel fabrication. It is effective to provide an electroluminescent display.

도 1은 본 발명의 유기전계발광표시장치의 개략적인 블록도.
도 2는 도 1에 도시된 서브 픽셀의 회로 구성 예시도.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 개략적인 단면도.
도 4 내지 도 6은 멀티보호막의 다양한 예시도.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 자외선 여과층의 두께별 투과율의 변화 관계를 나타낸 그래프.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 자외선 여과층의 굴절률에 따른 투과율의 관계를 나타낸 그래프.
도 9 내지 도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 도면.
도 14 및 도 15는 비교예의 구조와 실시예의 구조를 비교 설명하기 위한 도면.1 is a schematic block diagram of an organic light emitting display device of the present invention.
FIG. 2 is an exemplary circuit diagram of a subpixel illustrated in FIG. 1. FIG.
3 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention;
4 to 6 are various exemplary views of the multi passivation film.
Figure 7 is a graph showing the change in transmittance for each thickness of the ultraviolet filter layer according to an embodiment of the present invention.
8 is a graph showing the relationship between the transmittance according to the refractive index of the ultraviolet filter layer according to an embodiment of the present invention.
9 to 13 illustrate a method of manufacturing an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.
14 and 15 are diagrams for comparing the structure of the comparative example and the structure of the embodiment.

이하, 본 발명의 실시를 위한 구체적인 내용을 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, the specific content for the practice of the present invention will be described.

도 1은 본 발명의 유기전계발광표시장치의 개략적인 블록도이고, 도 2는 도 1에 도시된 서브 픽셀의 회로 구성 예시도 이다.FIG. 1 is a schematic block diagram of an organic light emitting display device of the present invention, and FIG. 2 is an exemplary circuit diagram of a subpixel illustrated in FIG. 1.

도 1에 도시된 바와 같이 유기전계발광표시장치는 타이밍구동부(TCN), 표시패널(PNL), 스캔구동부(SDRV) 및 데이터구동부(DDRV)를 포함한다.As shown in FIG. 1, the organic light emitting display device includes a timing driver TCN, a display panel PNL, a scan driver SDRV, and a data driver DVB.

타이밍구동부(TCN)는 외부로부터 수직 동기신호(Vsync), 수평 동기신호(Hsync), 데이터 인에이블 신호(Data Enable, DE), 클럭신호(CLK), 데이터신호(RGB)를 공급받는다. 타이밍구동부(TCN)는 수직 동기신호(Vsync), 수평 동기신호(Hsync), 데이터 인에이블 신호(Data Enable, DE), 클럭신호(CLK) 등의 타이밍신호를 이용하여 데이터구동부(DDRV)와 스캔구동부(SDRV)의 동작 타이밍을 제어한다. 타이밍구동부(TCN)는 1 수평기간의 데이터 인에이블 신호(DE)를 카운트하여 프레임기간을 판단할 수 있으므로 외부로부터 공급되는 수직 동기신호(Vsync)와 수평 동기신호(Hsync)는 생략될 수 있다. 타이밍구동부(TCN)에서 생성되는 제어신호들에는 스캔구동부(SDRV)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 타이밍 제어신호(GDC)와 데이터구동부(DDRV)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 타이밍 제어신호(DDC)가 포함될 수 있다. 게이트 타이밍 제어신호(GDC)에는 게이트 스타트 펄스(Gate Start Pulse, GSP), 게이트 시프트 클럭(Gate Shift Clock, GSC), 게이트 출력 인에이블신호(Gate Output Enable, GOE) 등이 포함된다. 게이트 스타트 펄스(GSP)는 첫 번째 스캔신호가 발생하는 스캔구동부(SDRV)에 공급된다. 게이트 시프트 클럭(GSC)은 스캔구동부(SDRV)에 공통으로 입력되는 클럭신호로써 게이트 스타트 펄스(GSP)를 시프트시키기 위한 클럭신호이다. 게이트 출력 인에이블신호(GOE)는 스캔구동부(SDRV)의 출력을 제어한다. 데이터 타이밍 제어신호(DDC)에는 소스 스타트 펄스(Source, Start Pulse, SSP), 소스 샘플링 클럭(Source Sampling Clock, SSC), 소스 출력 인에이블신호(Source Output Enable, SOE) 등이 포함된다. 소스 스타트 펄스(SSP)는 데이터구동부(DDRV)의 데이터 샘플링 시작 시점을 제어한다. 소스 샘플링 클럭(SSC)은 라이징 또는 폴링 에지에 기준하여 데이터구동부(DDRV) 내에서 데이터의 샘플링 동작을 제어하는 클럭신호이다. 소스 출력 인에이블신호(SOE)는 데이터구동부(DDRV)의 출력을 제어한다. 한편, 데이터구동부(DDRV)에 공급되는 소스 스타트 펄스(SSP)는 데이터전송 방식에 따라 생략될 수도 있다.The timing driver TCN receives a vertical synchronization signal Vsync, a horizontal synchronization signal Hsync, a data enable signal Data Enable, DE, a clock signal CLK, and a data signal RGB from the outside. The timing driver TCN scans the data driver DDRV using timing signals such as the vertical synchronization signal Vsync, the horizontal synchronization signal Hsync, the data enable signal Data Enable, and the clock signal CLK. The operation timing of the driver SDRV is controlled. Since the timing driver TCN may determine the frame period by counting the data enable signal DE of one horizontal period, the vertical synchronization signal Vsync and the horizontal synchronization signal Hsync supplied from the outside may be omitted. The control signals generated by the timing driver TCN include a gate timing control signal GDC for controlling the operation timing of the scan driver SDRV and a data timing control signal DDC for controlling the operation timing of the data driver DDR. ) May be included. The gate timing control signal GDC includes a gate start pulse (GSP), a gate shift clock (GSC), a gate output enable signal (Gate Output Enable, GOE), and the like. The gate start pulse GSP is supplied to the scan driver SDRV where the first scan signal is generated. The gate shift clock GSC is a clock signal commonly input to the scan driver SDRV, and is a clock signal for shifting the gate start pulse GSP. The gate output enable signal GOE controls the output of the scan driver SDRV. The data timing control signal DDC includes a source start pulse (Source, Start Pulse, SSP), a source sampling clock (SSC), a source output enable signal (Source Output Enable, SOE), and the like. The source start pulse SSP controls the data sampling start time of the data driver DDRV. The source sampling clock SSC is a clock signal that controls the sampling operation of data in the data driver DDRV based on the rising or falling edge. The source output enable signal SOE controls the output of the data driver DDRV. Meanwhile, the source start pulse SSP supplied to the data driver DVV may be omitted according to the data transmission method.

표시패널(PNL)은 매트릭스형태로 배치된 서브 픽셀(SP)을 갖는 표시부를 포함한다. 서브 픽셀들(SP)은 수동매트릭스형(Passive Matrix) 또는 능동매트릭스형(Active Matrix)으로 형성될 수 있다. 서브 픽셀들(SP)이 능동매트릭스형으로 형성된 경우, 이는 스위칭 트랜지스터, 구동 트랜지스터, 커패시터 및 유기 발광다이오드를 포함하는 2T(Transistor)1C(Capacitor) 구조로 구성되거나 3T1C, 4T1C, 5T2C 등과 같이 트랜지스터 및 커패시터가 더 추가된 구조로 구성될 수도 있다. 위와 같은 구성을 갖는 서브 픽셀들(SP)은 구조에 따라 전면발광(Top-Emission) 방식, 배면발광(Bottom-Emission) 방식 또는 양면발광(Dual-Emission) 방식으로 형성될 수 있다. 한편, 2T1C 구조를 갖는 서브 픽셀들(SP)의 경우, 도 2와 같은 구조를 가질 수 있는데 이에 대해 설명하면 다음과 같다. 스위칭 트랜지스터(S1)는 스캔신호가 공급되는 스캔배선(SL1)에 게이트 전극이 연결되고 데이터신호가 공급되는 데이터배선(DL1)에 일단이 연결되며 제1노드(A)에 타단이 연결된다. 구동 트랜지스터(T1)는 제1노드(A)에 게이트 전극이 연결되고 제2노드(B)에 일단이 연결되며 저 전위전원이 공급되는 제2전원 배선(VSS)에 연결된 제3노드(C)에 타단이 연결된다. 커패시터(Cst)는 제1노드(A)에 일단이 연결되고 제3노드(C)에 타단이 연결된다. 유기 발광다이오드(D)는 고 전위전원이 공급되는 제1전원 배선(VDD)에 애노드 전극이 연결되고 제2노드(B) 및 구동 트랜지스터(T1)의 일단에 캐소드 전극이 연결된다. 위의 설명에서는 하나의 서브 픽셀(SP)에 포함된 트랜지스터들(S1, T1)이 N-Type으로 구성된 것을 일례로 설명하였으나 본 발명의 실시예는 이에 한정되지 않는다. 그리고 제1전원 배선(VDD)을 통해 공급되는 고 전위전원은 제2전원 배선(VSS)을 통해 공급되는 저 전위전원보다 높을 수 있으며, 제1전원 배선(VDD) 및 제2전원 배선(VSS)을 통해 공급되는 전원의 레벨은 구동방법에 따라 스위칭이 가능하다. 앞서 설명한 서브 픽셀(SP)은 다음과 같이 동작할 수 있다. 스캔배선(SL1)을 통해 스캔신호가 공급되면 스위칭 트랜지스터(S1)가 턴온된다. 다음, 데이터배선(DL1)을 통해 공급된 데이터신호가 턴온된 스위칭 트랜지스터(S1)를 거쳐 제1노드(A)에 공급되면 데이터신호는 커패시터(Cst)에 데이터전압으로 저장된다. 다음, 스캔신호가 차단되고 스위칭 트랜지스터(S1)가 턴오프되면 구동 트랜지스터(T1)는 커패시터(Cst)에 저장된 데이터전압에 대응하여 구동된다. 다음, 제1전원 배선(VDD)을 통해 공급된 고 전위전원이 제2전원 배선(VSS)을 통해 흐르게 되면 유기 발광다이오드(D)는 빛을 발광하게 된다. 그러나 이는 구동방법의 일례에 따른 것일 뿐, 본 발명의 실시예는 이에 한정되지 않는다.The display panel PNL includes a display unit having subpixels SP arranged in a matrix. The subpixels SP may be formed in a passive matrix type or an active matrix type. When the subpixels SP are formed in an active matrix type, they are composed of a 2T (Capacitor) structure including a switching transistor, a driving transistor, a capacitor, and an organic light emitting diode, or a transistor such as 3T1C, 4T1C, 5T2C, or the like. It may also be of a structure in which a capacitor is further added. The subpixels SP having the above configuration may be formed in a top-emission method, a bottom-emission method, or a dual-emission method according to a structure. Meanwhile, the subpixels SP having the 2T1C structure may have a structure as illustrated in FIG. 2, which will be described below. In the switching transistor S1, a gate electrode is connected to the scan line SL1 to which the scan signal is supplied, and one end thereof is connected to the data line DL1 to which the data signal is supplied, and the other end thereof is connected to the first node A. The driving transistor T1 is a third node C connected to a second power line VSS to which a gate electrode is connected to the first node A, one end is connected to the second node B, and a low potential power is supplied. The other end is connected. One end of the capacitor Cst is connected to the first node A, and the other end thereof is connected to the third node C. In the organic light emitting diode D, an anode electrode is connected to the first power line VDD to which a high potential power is supplied, and a cathode electrode is connected to one end of the second node B and the driving transistor T1. In the above description, the transistors S1 and T1 included in one sub-pixel SP are configured as N-types as an example, but embodiments of the present invention are not limited thereto. The high potential power supplied through the first power wiring VDD may be higher than the low potential power supplied through the second power wiring VSS, and the first power wiring VDD and the second power wiring VSS. The level of power supplied through the switch can be switched according to the driving method. The subpixel SP described above may operate as follows. When the scan signal is supplied through the scan line SL1, the switching transistor S1 is turned on. Next, when the data signal supplied through the data line DL1 is supplied to the first node A through the switching transistor S1 turned on, the data signal is stored as a data voltage in the capacitor Cst. Next, when the scan signal is blocked and the switching transistor S1 is turned off, the driving transistor T1 is driven in response to the data voltage stored in the capacitor Cst. Next, when the high potential power supplied through the first power line VDD flows through the second power line VSS, the organic light emitting diode D emits light. However, this is only an example of the driving method, the embodiment of the present invention is not limited thereto.

스캔구동부(SDRV)는 타이밍구동부(TCN)로부터 공급된 게이트 타이밍 제어신호(GDC)에 응답하여 표시패널(PNL)에 포함된 서브 픽셀들(SP)의 트랜지스터들이 동작 가능한 게이트 구동전압의 스윙폭으로 신호의 레벨을 시프트시키면서 스캔신호를 순차적으로 생성한다. 스캔구동부(SDRV)는 스캔라인들(SL1~SLm)을 통해 생성된 스캔신호를 표시패널(PNL)에 포함된 서브 픽셀들(SP)에 공급한다.The scan driver SDRV is a swing width of the gate driving voltage at which the transistors of the subpixels SP included in the display panel PNL can operate in response to the gate timing control signal GDC supplied from the timing driver TCN. Scan signals are sequentially generated while shifting the level of the signals. The scan driver SDRV supplies the scan signals generated through the scan lines SL1 to SLm to the subpixels SP included in the display panel PNL.

데이터구동부(DDRV)는 타이밍구동부(TCN)로부터 공급된 데이터 타이밍 제어신호(DDC)에 응답하여 타이밍구동부(TCN)로부터 공급되는 디지털 형태의 데이터신호(RGB)를 샘플링하고 래치하여 병렬 데이터 체계의 데이터로 변환한다. 데이터구동부(DDRV)는 병렬 데이터 체계의 데이터로 변환할 때, 디지털 형태의 데이터신호(RGB)를 감마 기준전압으로 변환하여 아날로그 형태의 데이터신호로 변환한다. 데이터구동부(DDRV)는 데이터라인들(DL1~DLn)을 통해 변환된 데이터신호를 표시패널(PNL)에 포함된 서브 픽셀들(SP)에 공급한다.
The data driver DDRV samples and latches the digital data signal RGB supplied from the timing driver TCN in response to the data timing control signal DDC supplied from the timing driver TCN. Convert to The data driver DVV converts the digital data signal RGB into a gamma reference voltage and converts the data into an analog data signal. The data driver DDRV supplies the data signal converted through the data lines DL1 to DLn to the subpixels SP included in the display panel PNL.

이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치에 대해 더욱 자세히 설명한다.Hereinafter, an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention will be described in more detail.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 개략적인 단면도이고, 도 4 내지 도 6은 멀티보호막의 다양한 예시도 이며, 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 자외선 여과층의 두께별 투과율의 변화 관계를 나타낸 그래프이고, 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 자외선 여과층의 굴절률에 따른 투과율의 관계를 나타낸 그래프이다.3 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention, FIGS. 4 to 6 are various views of a multi-layer protective film, and FIG. 7 is an ultraviolet filtration layer according to an embodiment of the present invention. Is a graph showing the change in transmittance for each thickness, Figure 8 is a graph showing the relationship between the transmittance according to the refractive index of the ultraviolet filter layer according to an embodiment of the present invention.

도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치는 기판(110), 표시부(130), 자외선 여과층(140) 및 멀티보호막(150)을 포함한다.As shown in FIG. 3, the organic light emitting display device according to the exemplary embodiment includes a substrate 110, a display unit 130, an ultraviolet filtration layer 140, and a multi passivation layer 150.

기판(110)은 표시부(130)를 포함하는 표시패널이 형성되는 재료로 플라스틱, 유리, 필름 및 SUS(Steel Use Stainless) 등이 사용될 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The substrate 110 may be formed of a display panel including the display unit 130, and may include plastic, glass, film, stainless steel (SUS), and the like, but is not limited thereto.

표시부(130)는 서브 픽셀이 형성되는 표시영역이며 표시부(130) 이외의 영역은 비표시영역으로 정의된다. 표시부(130)에 매트릭스 형태로 형성된 서브 픽셀은 트랜지스터부와 유기 발광다이오드를 각각 포함한다. 유기 발광다이오드는 두 개의 전극 사이에 형성된 유기 발광층을 포함한다.The display unit 130 is a display area in which subpixels are formed, and an area other than the display unit 130 is defined as a non-display area. The subpixels formed in the matrix in the display unit 130 include a transistor unit and an organic light emitting diode, respectively. The organic light emitting diode includes an organic light emitting layer formed between two electrodes.

자외선 여과층(140)은 표시부(130)의 상부에 형성된 전극인 애노드 또는 캐소드 전극 중 출광하는 전극 상에 형성된다. 자외선 여과층(140)은 표시부(130) 내에 형성된 유기 발광층에 자외선(Ultra Violet)이 침투되는 것을 방지 및 여과하는 역할을 한다. 자외선 여과층(140)은 실리콘계 물질인 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 산화탄화물(SiOC), 실리콘 산화탄화질화물(SiOCN), 실리콘 산화질화물(SiON), 실리콘 질화물(SiNx) 및 실리콘 탄화물(SiC) 중 어느 하나로 형성된다. 자외선 여과층(140)은 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition; CVD)방식으로 형성될 수 있다. 자외선 여과층(140)이 SiNx로 형성된 경우, 이는 모노실란(SiH₄) 및 질소(N₂)의 조합으로 형성될 수 있다. 이와 달리, 자외선 여과층(140)이 SiON으로 형성된 경우, 이는 SiH₄, N₂ 및 아산화질소(N₂O)의 조합으로 형성될 수 있다. 한편, 자외선 여과층(140)에는 자외선이 표시부(130)의 내부로 침투되는 것을 방지 및 여과하기 위한 수단으로 앞서 설명한 재료 외에 금속, 산화물 등과 같은 물질이 더 부가될 수도 있다.The ultraviolet filtration layer 140 is formed on the light emitting electrode among the anode or the cathode, which is an electrode formed on the display unit 130. The ultraviolet filtration layer 140 serves to prevent and filter ultraviolet rays from penetrating the organic light emitting layer formed in the display unit 130. The ultraviolet filtration layer 140 is formed of silicon oxide (SiOx), silicon oxycarbide (SiOC), silicon oxynitride (SiOCN), silicon oxynitride (SiON), silicon nitride (SiNx) and silicon carbide (SiC). It is formed of either. The ultraviolet filtration layer 140 may be formed by chemical vapor deposition (CVD). When the ultraviolet filtration layer 140 is formed of SiNx, it may be formed of a combination of monosilane (SiH ₄ ) and nitrogen (N ₂ ). In contrast, when the ultraviolet filtration layer 140 is formed of SiON, it may be formed of a combination of SiH ₄ , N ₂ and nitrous oxide (N ₂ O). Meanwhile, as the means for preventing and filtering ultraviolet rays from penetrating the inside of the display unit 130, a material such as a metal or an oxide may be further added to the ultraviolet filter layer 140.

멀티보호막(150)은 자외선 여과층(140) 상에 형성된다. 멀티보호막(150)은 기판(110) 상에 형성된 표시부(130)를 외기(수분이나 산소 등)로부터 보호하는 역할을 한다. 멀티보호막(150)은 무기층과 유기층이 순차적으로 교번 적층된 구조 또는 유기층과 무기층이 순차적으로 교번 적층된 구조로 형성된다. 일 예로, 멀티보호막(150)은 도 4와 같이 기판(110) 상에서 자외선 여과층(140)을 덮도록 제1 내지 제4보호막층(151, 152, 153, 154)으로 형성될 수 있다. 여기서, 도 4의 멀티보호막(150)은 상위층이 하위층을 모두 덮는 구조로 형성된 것을 나타낸다. 다른 예로, 멀티보호막(150)은 도 5와 같이, 기판(110) 상에서 자외선 여과층(140)을 덮도록 제1 내지 제4보호막층(151, 152, 153, 154)으로 형성된다. 여기서, 도 5의 멀티보호막(150)은 제1보호막층(151)과 제4보호막층(154)만이 하위층을 모두 덮는 구조로 형성되고 나머지 제2 및 제3보호막층(152, 153)은 층간에만 형성된 것을 나타낸다. 또 다른 예로, 멀티보호막(150)은 도 6과 같이, 기판(110) 상에서 자외선 여과층(140)을 덮도록 제1 내지 제8보호막층(151, 152, 153, 154, 155, 156, 157, 158)으로 형성된다. 여기서, 도 6의 멀티보호막(150)은 제1보호막층(151)과 제8보호막층(158)만이 하위층을 모두 덮는 구조로 형성되고 나머지 제2 내지 제7보호막층(152, 153, 154, 155, 156, 157)은 층간에만 형성된 것을 나타낸다. 도 4 내지 도 6에 도시된 구조는 멀티보호막(150)의 이해를 돕기 위한 것일 뿐 실시예는 이에 한정되지 않는다.The multi passivation layer 150 is formed on the ultraviolet filtration layer 140. The multi passivation layer 150 protects the display unit 130 formed on the substrate 110 from outside air (moisture or oxygen). The multi passivation layer 150 has a structure in which an inorganic layer and an organic layer are sequentially stacked or a structure in which an organic layer and an inorganic layer are sequentially stacked. For example, the multi passivation layer 150 may be formed of the first to fourth passivation layers 151, 152, 153, and 154 to cover the ultraviolet filtration layer 140 on the substrate 110 as shown in FIG. 4. Here, the multi passivation layer 150 of FIG. 4 indicates that the upper layer has a structure covering all of the lower layers. As another example, the multi passivation layer 150 is formed of the first to fourth passivation layers 151, 152, 153, and 154 to cover the ultraviolet filtration layer 140 on the substrate 110, as shown in FIG. 5. Here, the multi passivation layer 150 of FIG. 5 has a structure in which only the first passivation layer 151 and the fourth passivation layer 154 cover all lower layers, and the remaining second and third passivation layers 152 and 153 are interlayered. Indicates that only formed. As another example, the multi passivation layer 150 may include the first to eighth passivation layers 151, 152, 153, 154, 155, 156, and 157 to cover the ultraviolet filtration layer 140 on the substrate 110 as shown in FIG. 6. , 158). Here, the multi passivation layer 150 of FIG. 6 has a structure in which only the first passivation layer 151 and the eighth passivation layer 158 cover all lower layers, and the remaining second to seventh passivation layers 152, 153, 154, 155, 156, and 157 represent those formed only between the layers. 4 to 6 are merely to assist in understanding the multi passivation layer 150, but embodiments are not limited thereto.

한편, 멀티보호막(150)을 구성하는 유기층의 재료로는 폴리머(polymer)가 선택될 수 있고 무기층의 재료로는 알루미늄 산화물(AlOx)이 선택될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 멀티보호막(150) 형성시, 무기층의 재료는 스퍼터(sputter) 공정이 요구되고 유기층의 재료는 모노머(monomer)를 폴리머로 경화하기 위한 큐어링(curing) 공정이 요구된다.Meanwhile, a polymer may be selected as a material of the organic layer constituting the multi passivation layer 150, and aluminum oxide (AlOx) may be selected as a material of the inorganic layer, but is not limited thereto. In forming the multi passivation layer 150, the material of the inorganic layer requires a sputtering process, and the material of the organic layer requires a curing process for curing a monomer into a polymer.

멀티보호막(150)을 형성하는 공정에서, 무기층을 형성할 때에는 스퍼터 공정시 발생하는 플라즈마(plasma)의 영향으로 이온들에 의한 자외선이 미량 발생하지만, 유기층을 형성할 때에는 큐어링(curing) 공정시 대향의 자외선이 발생하게 된다. 멀티보호막(150)을 형성하는 공정에서 발생하는 자외선광(UV light)이 유기 발광층을 구성하는 물질까지 침투할 경우 자외선에 노출된 발광 재료는 수명이 줄거나 발광 불량을 일으키는 손상을 받게 된다. 따라서, 실시예에서는 자외선 여과층(140)의 두께나 굴절률을 고려하여 형성함은 물론 자외선의 파장에 따른 투과율을 고려하여 형성한다. 일례로, 자외선 여과층(140)의 두께는 50nm ~ 150nm으로 형성된다. 자외선 여과층(140)의 두께가 50nm ~ 150nm으로 형성되면 멀티보호막(150) 형성시 발생하는 자외선이 표시부(130)의 내부로 침투되는 영향을 방지 및 차단할 수 있는 기능을 효율적으로 발휘할 수 있게 되고 공정시 택트타임(tact time)을 만족할 수 있게 된다. 여기서, 자외선 여과층(140)의 두께별 투과율의 변화 관계는 시료인 도 7의 그래프를 참조한다.In the process of forming the multi-protective film 150, when the inorganic layer is formed, a small amount of ultraviolet light is generated by the ions due to the plasma generated during the sputtering process, but the curing process is performed when the organic layer is formed. Ultraviolet rays of time are generated. When UV light generated in the process of forming the multi passivation layer 150 penetrates into the material constituting the organic light emitting layer, the light emitting material exposed to ultraviolet light may be damaged to reduce its lifespan or cause poor light emission. Therefore, in the embodiment, the thickness and the refractive index of the ultraviolet filter layer 140 are formed in consideration of the transmittance according to the wavelength of the ultraviolet light. In one example, the thickness of the ultraviolet filter layer 140 is formed to 50nm ~ 150nm. When the thickness of the ultraviolet filtration layer 140 is formed to be 50nm ~ 150nm it is possible to effectively exhibit the function to prevent and block the effect of the ultraviolet rays generated when the multi-protective film 150 is penetrated into the display unit 130. It is possible to satisfy the tact time during the process. Here, the relation of change in transmittance for each thickness of the ultraviolet filtration layer 140 refers to the graph of FIG. 7 as a sample.

다른 일례로, 자외선 여과층(140)의 굴절률(Refractive Index; RI)은 1.8 ~ 2.0일 수 있다. 자외선 여과층(140)의 굴절률이 1.8 ~ 2.0으로 형성되면 멀티보호막(150) 형성시 발생하는 자외선이 표시부(130)의 내부로 침투되는 영향을 방지 및 차단할 수 있는 기능을 효율적으로 발휘할 수 있게 된다. 또한, 표시부(130)가 전면발광(Top-Emission) 방식으로 형성된 경우, 유기 발광층으로부터 생성된 광이 매질에 의한 간섭이나 소실 등의 문제 없이 효율적으로 출사될 수 있게 된다. 여기서, 자외선 여과층(140)의 굴절률에 따른 투과율의 관계는 시료인 도 8의 그래프를 참조한다.As another example, the refractive index (RI) of the ultraviolet filter layer 140 may be 1.8 to 2.0. When the refractive index of the ultraviolet filtration layer 140 is formed to be 1.8 to 2.0, it is possible to efficiently exhibit the function of preventing and blocking the effect of ultraviolet rays generated when the multi-protection layer 150 is penetrated into the display unit 130. . In addition, when the display unit 130 is formed by a top emission method, the light generated from the organic emission layer may be efficiently emitted without problems such as interference or loss due to a medium. Here, the relation of the transmittance according to the refractive index of the ultraviolet filter layer 140 refers to the graph of FIG.

위 설명을 기반으로 실시예에 의해 표시부(130) 상에 형성된 자외선 여과층(140)은 자외선의 파장 365nm 이하에서 투과율이 80% 미만일 때, 자외선 여과층(140)으로써 효율적인 기능을 발휘하는 것으로 시뮬레이션 결과가 도출되었으나 이에 한정되진 않는다.
Based on the above description, the ultraviolet filtration layer 140 formed on the display unit 130 according to the embodiment is simulated to exhibit an efficient function as the ultraviolet filtration layer 140 when the transmittance is less than 80% at a wavelength of 365 nm or less of ultraviolet rays. Results have been obtained, but not limited to these.

이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 제조방법에 대해 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention will be described.

도 9 내지 도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 도면이고, 도 14 및 도 15는 비교예의 구조와 실시예의 구조를 비교 설명하기 위한 도면이다.9 to 13 are views for explaining a method of manufacturing an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention, Figures 14 and 15 are views for comparing the structure of the comparative example and the structure of the embodiment.

도 9 내지 도 13을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 제조방법은 표시부(130)를 형성하는 단계(도 9), 자외선 여과층(140)을 형성하는 단계(도 12), 멀티보호막(150)을 형성하는 단계(도 13)를 포함한다.9 to 13, in the method of manufacturing the organic light emitting display device according to the exemplary embodiment, forming the display unit 130 (FIG. 9) and forming the ultraviolet filter layer 140 ( 12), forming the multi-protective film 150 (FIG. 13).

표시부(130)를 형성하는 단계(도 9)는 기판(110) 상에 표시영역을 정의하고 그 영역 내에 서브 픽셀(SP)을 매트릭스 형태로 형성하는 단계이다. 표시부(130)를 형성하는 단계에서 형성된 서브 픽셀(SP)은 도 10과 같은 구조를 가질 수 있는데 이에 대해 설명하면 다음과 같다. 기판(110) 상에는 버퍼층(111)이 형성된다. 버퍼층(111)은 기판(110)에서 유출되는 알칼리 이온 등과 같은 불순물로부터 후속 공정에서 형성되는 박막 트랜지스터를 보호하기 위해 형성할 수 있다. 버퍼층(111)은 SiOx, SiNx 등을 사용할 수 있다. 버퍼층(111) 상에는 게이트 전극(112)이 형성된다. 게이트 전극(112)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다. 게이트 전극(112) 상에는 제1절연막(113)이 형성된다. 제1절연막(113)은 SiOx, SiNx 또는 이들의 다중층일 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 제1절연막(113) 상에는 액티브층(114)이 형성된다. 액티브층(114)은 비정질 실리콘 또는 이를 결정화한 다결정 실리콘을 포함할 수 있다. 여기서 도시하지는 않았지만, 액티브층(114)은 채널 영역, 소오스 영역 및 드레인 영역을 포함할 수 있으며, 소오스 영역 및 드레인 영역에는 P형 또는 N형 불순물이 도핑될 수 있다. 또한, 액티브층(114)은 접촉 저항을 낮추기 위한 오믹 콘택층을 포함할 수도 있다. 액티브층(114) 상에는 소오스 전극(115a) 및 드레인 전극(115b)이 형성된다. 소오스 전극(115a) 및 드레인 전극(115b)은 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있으며, 소오스 전극(115a) 및 드레인 전극(115b)이 단일층일 경우에는 Mo, Al, Cr, Au, Ti, Ni, Nd 및 Cu로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다. 이와 달리, 소오스 전극(115a) 및 드레인 전극(115b)이 다중층일 경우에는 Mo/Al-AlNd의 2중층, Mo/Al/Mo 또는 Mo/Al-AlNd/Mo의 3중층으로 이루어질 수 있다. 소오스 전극(115a) 및 드레인 전극(115b) 상에는 제2절연막(116)이 위치한다. 제2절연막(116)은 SiOx, SiNx 또는 이들의 다중층일 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 제2절연막(116)은 패시베이션막일 수 있다. 제2절연막(116) 상에는 제3절연막(117)이 형성된다. 제3절연막(117)은 SiOx, SiNx 또는 이들의 다중층일 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 제3절연막(117)은 평탄화막일 수 있다. 이상은 기판(110) 상에 위치하는 바탐 게이트형 구동 트랜지스터를 포함하는 트랜지스터부에 대한 설명이다. 이하에서는 구동 트랜지스터 상에 위치하는 유기 발광다이오드에 대해 설명한다. 제3절연막(117) 상에는 트랜지스터부에 포함된 구동 트랜지스터의 소오스/드레인 전극에 연결된 제1전극(119)이 형성된다. 제1전극(119)은 애노드 또는 캐소드 전극으로 선택될 수 있다. 애노드 전극으로 선택된 제1전극(119)은 투명한 재료 예컨대, ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide) 등을 사용할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 제1전극(119) 상에는 제1전극(119)의 일부를 노출하는 개구부를 갖는 뱅크층(120)이 형성된다. 뱅크층(120)은 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene; BCB)계 수지, 아크릴계 수지 또는 폴리이미드 수지 등의 유기물을 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 뱅크층(120)의 개구부 내에는 유기 발광층(121)이 형성된다. 유기 발광층(121)은 도 11과 같이, 정공주입층(121a), 정공수송층(121b), 발광층(121c), 전자수송층(121d) 및 전자주입층(121e)을 포함한다. 정공주입층(121a)은 정공의 주입을 원활하게 하는 역할을 할 수 있으며, CuPc(cupper phthalocyanine), PEDOT(poly(3,4)-ethylenedioxythiophene), PANI(polyaniline) 및 NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 정공수송층(121b)은 정공의 수송을 원활하게 하는 역할을 하며, NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine), TPD(N,N'-bis-(3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)-benzidine), s-TAD 및 MTDATA(4,4',4"-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 발광층(121c)은 적어도 하나의 호스트와 적어도 하나의 도펀트를 포함한다. 발광층(121c)은 적색, 녹색, 청색 및 백색을 발광하는 물질을 포함할 수 있으며, 인광 또는 형광물질을 이용하여 형성할 수 있다. 발광층(121c)이 적색을 발광하는 경우, CBP(carbazole biphenyl) 또는 mCP(1,3-bis(carbazol-9-yl)를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, PIQIr(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(tris(1-phenylquinoline)iridium) 및 PtOEP(octaethylporphyrin platinum)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 도펀트를 포함하는 인광물질로 이루어질 수 있고, 이와는 달리 PBD:Eu(DBM)3(Phen) 또는 Perylene을 포함하는 형광물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 발광층(121c)이 녹색을 발광하는 경우, CBP 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, Ir(ppy)3(fac tris(2-phenylpyridine)iridium)을 포함하는 도펀트 물질을 포함하는 인광물질로 이루어질 수 있고, 이와는 달리, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)을 포함하는 형광물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 발광층(121c)이 청색을 발광하는 경우, CBP, 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, (4,6-F2ppy)2Irpic 를 포함하는 도펀트 물질을 포함하는 인광물질로 이루어질 수 있다. 이와는 달리, spiro-DPVBi, spiro-6P, 디스틸벤젠(DSB), 디스트릴아릴렌(DSA), PFO계 고분자 및 PPV계 고분자로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 형광물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 전자수송층(121d)은 전자의 수송을 원활하게 하는 역할을 하며, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq 및 SAlq로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 전자주입층(121e)은 전자의 주입을 원활하게 하는 역할을 하며, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, LiF, spiro-PBD, BAlq 또는 SAlq로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 본 발명의 실시예는 도 11에 한정되는 것은 아니며, 정공주입층(121a), 정공수송층(121b), 전자수송층(121d) 및 전자주입층(121e) 중 적어도 어느 하나가 생략되거나 기타 다른 기능층들이 더 포함될 수도 있다. 유기 발광층(121) 상에는 제2전극(122)이 형성된다. 제2전극(122)은 캐소드 또는 애노드 전극으로 선택될 수 있다. 캐소드 전극으로 선택된 제2전극(122)은 알루미늄(Al) 등을 사용할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 위 설명에서도 알 수 있듯이, 유기 발광다이오드의 제1전극(119) 및 제2전극(122)은 서브 픽셀(SP)을 구성하는 회로의 구조에 따라 애노드 전극이나 캐소드 전극 중 하나로 선택되어 형성될 수 있다. 한편, 서브 픽셀(SP)을 형성하는 과정에서 트랜지스터부에 포함된 트랜지스터의 경우 앞서 설명된 구조뿐만 아니라 유기 트랜지스터나 산화물 트랜지스터 등 다양한 형태로 형성될 수 있다.The forming of the display unit 130 (FIG. 9) is a step of defining a display area on the substrate 110 and forming the sub-pixels SP in the matrix form. The sub-pixel SP formed at the step of forming the display unit 130 may have a structure as shown in FIG. 10. The buffer layer 111 is formed on the substrate 110. The buffer layer 111 may be formed to protect the thin film transistor formed in a subsequent process from impurities such as alkali ions flowing out of the substrate 110. The buffer layer 111 may use SiOx, SiNx, or the like. The gate electrode 112 is formed on the buffer layer 111. The gate electrode 112 is selected from the group consisting of molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd), and copper (Cu). It may be formed of a single layer or multiple layers of any one or alloys thereof. The first insulating layer 113 is formed on the gate electrode 112. The first insulating layer 113 may be SiOx, SiNx, or multiple layers thereof, but is not limited thereto. The active layer 114 is formed on the first insulating layer 113. The active layer 114 may include amorphous silicon or polycrystalline silicon crystallized therefrom. Although not illustrated, the active layer 114 may include a channel region, a source region, and a drain region, and the source region and the drain region may be doped with P-type or N-type impurities. In addition, the active layer 114 may include an ohmic contact layer to lower the contact resistance. The source electrode 115a and the drain electrode 115b are formed on the active layer 114. The source electrode 115a and the drain electrode 115b may be formed of a single layer or multiple layers. When the source electrode 115a and the drain electrode 115b have a single layer, Mo, Al, Cr, Au, Ti, Ni, It may be made of any one or an alloy thereof selected from the group consisting of Nd and Cu. In contrast, when the source electrode 115a and the drain electrode 115b are multiple layers, the source electrode 115a and the drain electrode 115b may be formed of a double layer of Mo / Al-AlNd, a triple layer of Mo / Al / Mo, or Mo / Al-AlNd / Mo. The second insulating layer 116 is positioned on the source electrode 115a and the drain electrode 115b. The second insulating layer 116 may be SiOx, SiNx, or multiple layers thereof, but is not limited thereto. The second insulating layer 116 may be a passivation layer. The third insulating layer 117 is formed on the second insulating layer 116. The third insulating layer 117 may be SiOx, SiNx, or multiple layers thereof, but is not limited thereto. The third insulating layer 117 may be a planarization layer. The above is a description of the transistor unit including the batam gate type driving transistor located on the substrate 110. Hereinafter, the organic light emitting diode on the driving transistor will be described. The first electrode 119 connected to the source / drain electrodes of the driving transistor included in the transistor unit is formed on the third insulating layer 117. The first electrode 119 may be selected as an anode or a cathode electrode. The first electrode 119 selected as the anode electrode may be made of a transparent material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), but is not limited thereto. The bank layer 120 having an opening exposing a part of the first electrode 119 is formed on the first electrode 119. The bank layer 120 may include organic materials such as benzocyclobutene (BCB) resin, acrylic resin, or polyimide resin, but is not limited thereto. The organic emission layer 121 is formed in the opening of the bank layer 120. As illustrated in FIG. 11, the organic emission layer 121 includes a hole injection layer 121a, a hole transport layer 121b, a light emitting layer 121c, an electron transport layer 121d, and an electron injection layer 121e. The hole injection layer 121a may play a role of smoothly injecting holes. CuPc (cupper phthalocyanine), PEDOT (poly (3,4) -ethylenedioxythiophene), PANI (polyaniline), and NPD (N, N-dinaphthyl) -N, N'-diphenyl benzidine) may be composed of any one or more selected from the group consisting of, but is not limited thereto. The hole transport layer 121b serves to facilitate the transport of holes, NPD (N, N-dinaphthyl-N, N'-diphenyl benzidine), TPD (N, N'-bis- (3-methylphenyl) -N , N'-bis- (phenyl) -benzidine), s-TAD and MTDATA (4,4 ', 4 "-Tris (N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino) -triphenylamine) The light emitting layer 121c may include at least one host and at least one dopant The light emitting layer 121c may include a material emitting red, green, blue, and white light. When the light emitting layer 121c emits red, a host material including CBP (carbazole biphenyl) or mCP (1,3-bis (carbazol-9-yl) may be formed. PIQIr (acac) (bis (1-phenylisoquinoline) acetylacetonate iridium), PQIr (acac) (bis (1-phenylquinoline) acetylacetonate iridium), PQIr (tris (1-phenylquinoline) iridium) and PtOEP (octaethylporphyriri) n platinum) may be made of a phosphor including a dopant containing any one or more selected from the group consisting of, alternatively, may be made of a fluorescent material containing PBD: Eu (DBM) 3 (Phen) or perylene, but is not limited thereto. When the light emitting layer 121c emits green, phosphorescent light includes a host material including CBP or mCP and a dopant material including Ir (ppy) 3 (fac tris (2-phenylpyridine) iridium). It may be made of a material, and alternatively, may be made of a fluorescent material including Alq3 (tris (8-hydroxyquinolino) aluminum), but is not limited thereto. When the light emitting layer 121c emits blue light, the light emitting layer 121c may include a host material including CBP or mCP and may be formed of a phosphor including a dopant material including (4,6-F2ppy) 2Irpic. Alternatively, it may be made of a fluorescent material including any one selected from the group consisting of spiro-DPVBi, spiro-6P, distilbenzene (DSB), distriarylene (DSA), PFO-based polymer and PPV-based polymer, but It is not limited. The electron transport layer 121d serves to facilitate the transport of electrons, and may be made of any one or more selected from the group consisting of Alq3 (tris (8-hydroxyquinolino) aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq, and SAlq. However, the present invention is not limited thereto. The electron injection layer 121e serves to facilitate the injection of electrons, and at least one selected from the group consisting of Alq3 (tris (8-hydroxyquinolino) aluminum), PBD, TAZ, LiF, spiro-PBD, BAlq, or SAlq. It may be made of but is not limited thereto. An embodiment of the present invention is not limited to FIG. 11, and at least one of the hole injection layer 121a, the hole transport layer 121b, the electron transport layer 121d, and the electron injection layer 121e is omitted or another functional layer. May be further included. The second electrode 122 is formed on the organic emission layer 121. The second electrode 122 may be selected as a cathode or an anode electrode. The second electrode 122 selected as the cathode may use aluminum (Al) or the like, but is not limited thereto. As can be seen from the above description, the first electrode 119 and the second electrode 122 of the organic light emitting diode may be formed by selecting one of the anode electrode and the cathode electrode according to the circuit structure of the subpixel SP. have. Meanwhile, in the process of forming the subpixel SP, the transistor included in the transistor unit may be formed in various forms such as an organic transistor or an oxide transistor as well as the structure described above.

자외선 여과층(140)을 형성하는 단계(도 12)는 표시부(130)의 상부에 형성된 출광 전극인 제2전극(122) 상에 자외선 여과층(140)을 형성하는 단계이다. 자외선 여과층(140)은 표시부(130) 내에 형성된 유기 발광층(121)에 자외선(Ultra Violet)이 침투되는 것을 방지 및 여과하는 역할을 한다. 자외선 여과층(140)은 실리콘계 물질인 SiOx, SiOC, SiOCN, SiON, SiNx 및 SiC 중 어느 하나로 형성된다. 자외선 여과층(140)은 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition; CVD)방식으로 형성될 수 있다. 자외선 여과층(140)이 SiNx로 형성된 경우, 이는 SiH₄ 및 N₂의 조합으로 형성될 수 있다. 이와 달리, 자외선 여과층(140)이 SiON으로 형성된 경우, 이는 SiH₄, N₂ 및 N₂O의 조합으로 형성될 수 있다. 한편, 자외선 여과층(140)에는 자외선이 표시부(130)의 내부로 침투되는 것을 방지 및 여과하기 위한 수단으로 앞서 설명한 재료 외에 금속, 산화물 등과 같은 물질이 더 부가될 수도 있다.The forming of the ultraviolet filtration layer 140 (FIG. 12) is a step of forming the ultraviolet filtration layer 140 on the second electrode 122, which is the light emitting electrode formed on the display unit 130. The ultraviolet filtration layer 140 serves to prevent and filter the penetration of ultraviolet (Ultra Violet) into the organic light emitting layer 121 formed in the display unit 130. The ultraviolet filtration layer 140 is formed of any one of silicon-based materials, SiOx, SiOC, SiOCN, SiON, SiNx, and SiC. The ultraviolet filtration layer 140 may be formed by chemical vapor deposition (CVD). When the ultraviolet filtration layer 140 is formed of SiNx, it may be formed of a combination of SiH ₄ and N ₂ . Alternatively, when the ultraviolet filtration layer 140 is formed of SiON, it may be formed of a combination of SiH ₄ , N ₂ and N ₂ O. Meanwhile, as the means for preventing and filtering ultraviolet rays from penetrating the inside of the display unit 130, a material such as a metal or an oxide may be further added to the ultraviolet filter layer 140.

멀티보호막(150)을 형성하는 단계(도 13)는 자외선 여과층(140) 상에 멀티보호막(150)을 형성하는 단계이다. 멀티보호막(150)은 기판(110) 상에 형성된 표시부(130)를 외기(수분이나 산소 등)로부터 보호하는 역할을 한다. 멀티보호막(150)은 무기층과 유기층이 순차적으로 교번 적층된 구조 또는 유기층과 무기층이 순차적으로 교번 적층된 구조로 형성된다. 멀티보호막(150)의 구조는 도 4 내지 도 6의 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 멀티보호막(150)을 구성하는 유기층의 재료로는 폴리머(polymer)가 선택될 수 있고 무기층의 재료로는 알루미늄 산화물(AlOx)이 선택될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 멀티보호막(150) 형성시, 무기층의 재료는 스퍼터 공정이나 열증착(thermal evaporation) 공정 등이 선택될 수 있고 유기층의 재료는 스핀코팅 공정이나 스크린프린팅 공정 등이 선택될 수 있다. 여기서, 유기층의 재료인 모노머의 경우 이를 폴리머로 경화하기 위해 자외선을 이용한 큐어링이 실시된다.The forming of the multi passivation layer 150 (FIG. 13) is a step of forming the multi passivation layer 150 on the ultraviolet filtration layer 140. The multi passivation layer 150 protects the display unit 130 formed on the substrate 110 from outside air (moisture or oxygen). The multi passivation layer 150 has a structure in which an inorganic layer and an organic layer are sequentially stacked or a structure in which an organic layer and an inorganic layer are sequentially stacked. The structure of the multi passivation layer 150 may be formed as shown in FIGS. 4 to 6, but is not limited thereto. Polymer may be selected as the material of the organic layer constituting the multi passivation layer 150, and aluminum oxide (AlOx) may be selected as the material of the inorganic layer, but is not limited thereto. When forming the multi passivation layer 150, the material of the inorganic layer may be a sputtering process, a thermal evaporation process, or the like, and the material of the organic layer may be a spin coating process or a screen printing process. Here, in the case of the monomer which is a material of the organic layer, curing using ultraviolet rays is performed to harden it into a polymer.

도 14 및 도 15를 참조하면, 비교예(Ref)의 구조는 표시부(130) 상에 멀티보호막(150)을 바로 형성하기 때문에 자외선(UV)이 표시부(130)의 내부에 침투되는 현상으로, 서브 픽셀 내에 암점 등의 불량이 발생하였다. 반면, 실시예(Emb)의 구조는 표시부(130) 상에 형성된 자외선 여과층(140)이 멀티보호막(150) 형성시 발생하는 자외선(UV)을 여과하여 표시부(130)의 내부로 자외선(UV)이 침투되는 현상이 방지되어, 서브 픽셀 내에 암점 등의 불량이 미발생하였고 수명 또한 대거 향상된 것으로 나타났다.
Referring to FIGS. 14 and 15, the structure of Comparative Example Ref is a phenomenon in which ultraviolet rays penetrate the inside of the display unit 130 because the multi protection layer 150 is formed directly on the display unit 130. A defect such as dark spots occurred in the subpixel. On the other hand, the structure of the embodiment (Emb) is the ultraviolet filtration layer 140 formed on the display 130, the ultraviolet (UV) generated when the multi-protective film 150 is formed to filter the ultraviolet (UV) into the interior of the display 130 ) Is prevented from penetrating, so that defects such as dark spots do not occur in the subpixels, and the lifespan is also greatly improved.

이상 본 발명은 무기층과 유기층이 교번하여 형성된 멀티보호막 형성시 유기 발광층이 손상되는 문제를 방지하고 소자의 기밀성과 수명을 향상시키고 표시패널 제작시 야기되는 불량 발생률을 감소시킬 수 있는 유기전계발광표시장치를 제공하는 효과가 있다.
The present invention provides an organic light emitting display that can prevent the organic light emitting layer from being damaged when forming a multi passivation layer formed by alternating an inorganic layer and an organic layer, improve the airtightness and lifespan of the device, and reduce the incidence of defects caused during display panel fabrication. There is an effect to provide a device.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
Although the embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, the technical configuration of the present invention described above may be modified in other specific forms by those skilled in the art to which the present invention pertains without changing its technical spirit or essential features. It will be appreciated that it may be practiced. Therefore, the embodiments described above are to be understood as illustrative and not restrictive in all aspects. In addition, the scope of the present invention is shown by the claims below, rather than the above detailed description. Also, it is to be construed that all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalent concepts are included in the scope of the present invention.

110: 기판 130: 표시부
140: 자외선 여과층 150: 멀티보호막110: substrate 130: display unit
140: ultraviolet filtration layer 150: multi protective film

Claims

Board;
A first electrode formed on the substrate;
An organic emission layer formed on the first electrode;
A second electrode formed on the organic light emitting layer;
An ultraviolet filtration layer formed on the light emitting electrode among the first electrode and the second electrode; And
An organic light emitting display device comprising a multi passivation layer formed on a plurality of layers on the ultraviolet filter layer.

The method of claim 1,
The thickness of the ultraviolet filtration layer,
An organic light emitting display device, characterized in that 50nm ~ 150nm.

The method of claim 1,
The refractive index of the ultraviolet filter layer,
An organic light emitting display device, characterized in that 1.8 to 2.0.

The method of claim 1,
The ultraviolet filtration layer,
An organic light emitting display device having a transmittance of less than 80% at a wavelength of 365 nm or less.

The method of claim 1,
The ultraviolet filtration layer,
An organic light emitting display device, characterized in that formed of any one of SiOx, SiOC, SiOCN, SiON, SiNx, and SiC.

The method of claim 5,
When the ultraviolet filter layer is formed of the SiNx,
The organic light emitting display device, characterized in that formed by a combination of SiH ₄ and N ₂ .

The method of claim 5,
When the ultraviolet filter layer is formed of the SiON,
The organic light emitting display device, characterized in that formed by a combination of SiH ₄ , N ₂ and N ₂ O.

The method of claim 1,
The ultraviolet filtration layer,
The organic light emitting display device of claim 1, wherein the organic light emitting display device is formed to cover all of the first and second electrodes.

The method of claim 1,
The multi protective film,
The organic light emitting display device, characterized in that formed to cover all the ultraviolet filter layer.

The method of claim 1,
The multi protective film,
An organic light emitting display device comprising a structure in which an inorganic layer and an organic layer are sequentially stacked or a structure in which an organic layer and an inorganic layer are sequentially stacked.