KR20110121894A - 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 70
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 58
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 41
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims abstract description 25
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 21
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 29
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 8
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 5
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[[4-(2,5-dioxopyrrol-1-yl)phenyl]methyl]phenyl]pyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C(C=C1)=CC=C1CC1=CC=C(N2C(C=CC2=O)=O)C=C1 XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 claims description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229920003192 poly(bis maleimide) Polymers 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 11
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 8
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 8
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 229910000500 β-quartz Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N ZrO Inorganic materials [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 2
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 2
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000002667 nucleating agent Substances 0.000 description 2
- 238000004017 vitrification Methods 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006121 base glass Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004568 cement Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 229910003480 inorganic solid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 239000000088 plastic resin Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
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- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
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- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
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Abstract
실시예는 세라믹 기판; 상기 세라믹 기판 상에 구비되고, 제1 도전형 반도체층과 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 질화물 반도체; 및 상기 제2 도전형 반도체층과 연결되고 상기 세라믹 기판을 관통하여 형성된 제 1 전극; 상기 제1 도전형 반도체층 및 세라믹 기판과 연결된 제 2 전극; 및 상기 질화물 반도체과 상기 제 2 전극을 감싸고, 열팽창율이 상기 세라믹 기판의 열팽창율의 90~110%인 유리로 이루어진 몰딩부를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지를 제공한다.
Description
실시예는 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다.
반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드나 레이저 다이오드와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하다.
이러한 기술의 발달로 디스플레이 소자뿐만 아니라 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등에까지 응용이 확대되고 있다.
여기서, LED의 구조는 기판 상에 P 전극, 활성층, N 전극이 순차적으로 적층되고, 기판과 N 전극이 와이어 본딩되어 있으므로 전류가 상호 통전될 수 있다.
이때, 기판에 전류를 인가하면, 전류가 P전극과 N전극에 공급되기 때문에, P전극으로부터 활성층으로 정공(+)이 방출되고, N 전극으로부터 활성층으로 전자(-)가 방출된다. 따라서, 활성층에서 정공과 전자가 결합하면서 에너지 준위가 낮아지게 되고, 에너지 준위가 낮아짐과 동시에 방출되는 에너지가 빛의 형태로 발산된다.
여기서, 발광 다이오드 패키지의 기판은 플라스틱 수지, 실리콘 몰드 등으로 형성된다.
그러나, 상술한 플라스틱 수지는 고온 환경에 취약하고, 실리콘 몰드는 고온, 단파장 광에 취약하며, 리드 프레임에 변색이 일어나기 쉬운 점 등의 단점이 있다.
그리고, 상술한 문제점을 해결하기 위하여 세라믹 기판을 사용하는 방안이 연구되고 있다. 그러나 세라믹 기판을 사용하면, 실리콘을 주재료로 하는 몰딩부와 재료간의 열팽창계수 차이에 의한 들뜸 발생이 쉽게 발생하여 수분 침투에 의해 광출력 열화가 일어나기 쉽다.
본 실시예는 발광 다이오드 패키지에서 고온 환경에 강하고, 단파장 광에 강각하며, 리드 프레임에 변색이 일어나지 않는 기판 및 몰딩부를 제공하고자 하는 것이다.
본 실시예는 기판과 몰딩부 간의 열팽창계수 차이에 의한 들뜸 발생이 쉽게 발생하지 않고 수분 침투에 의해 광출력 열화가 예방되는 발광 다이오드 소자 및 패키지를 제공하고자 하는 것이다.
실시예는 세라믹 기판; 상기 세라믹 기판 상에 구비되고, 제1 도전형 반도체층과 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 질화물 반도체; 및 상기 제2 도전형 반도체층과 연결되고 상기 세라믹 기판을 관통하여 형성된 제 1 전극; 상기 제1 도전형 반도체층 및 세라믹 기판과 연결된 제 2 전극; 및 상기 질화물 반도체과 상기 제 2 전극을 감싸고, 열팽창율이 상기 세라믹 기판의 열팽창율의 90~110%인 유리로 이루어진 몰딩부를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지를 제공한다.
다른 실시예는, 세라믹 기판 상에, 제1 도전형 반도체층과 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 질화물 반도체을 접합하는 단계; 상기 세라믹 기판을 관통하여 상기 제2 도전형 반도체층과 연결되는 제 1 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 도전형 반도체층을 상기 세라믹 기판에 와이어 본딩하는 단계; 및 열팽창율이 상기 세라믹 기판의 열팽창율의 90~110%인 유리로 상기 질화물 반도체과 상기 제 2 전극을 몰딩하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지의 제조방법을 제공한다.
여기서, 세라믹 기판은 산화 알루미늄 기판, 비스말레이미드 트리아진 수지 기판 및 AlN(Aluminum Nitride) 상에 은(Ag) 페이스트가 인쇄된 기판 중 어느 하나일 수 있다.
그리고, 유리는 SiO2와 Al2O3 및 Li2O를 포함하여 이루질 수 있다.
그리고, 유리는 알칼리토금속 산화물, TiO2 및 ZrO 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.
또한, 유리는 Nb2O5, La2O3 및 Y2O3로 구성되는 그룹으로부터 선택된 물질 및 As2O3 및 Sb2O3로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 물질 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.
상술한 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법의 방법의 효과를 설명하면 다음과 같다.
첫째, 발광 다이오드 패키지에서 세라믹 기판이 유리 기반의 몰딩부가 형성되어, 고온 환경에 강하고, 단파장 광에 각하며, 리드 프레임에 변색이 일어나지 않는다.
둘째, 발광 다이오드 패키지에서 기판과 몰딩부 간의 열팽창계수 차이에 의한 들뜸 발생이 쉽게 발생하지 않고 수분 침투에 의해 광출력 열화가 예방된다.
도 1은 발광 다이오드 패키지의 일실시예를 나타낸 도면이고,
도 2a 내지 도 2g는 발광 다이오드 패키지의 제조방법의 일실시예를 나타낸 도면이다.
도 2a 내지 도 2g는 발광 다이오드 패키지의 제조방법의 일실시예를 나타낸 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예에 따른 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지에 대해 설명한다.
실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
도 1은 발광 다이오드 패키지의 일실시예를 나타낸 도면이다. 이하에서 도 1을 참조하여 발광 다이오드 패키지의 일실시예를 설명한다.
본 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 세라믹 기판(100) 상에 질화물 반도체(110)가 다이 어태치(120)를 통하여 접합된다. 세라믹(ceramic)은 고온에서 구워 만든 비금속 무기질 고체 재료. 유리, 도자기, 시멘트, 내화물 따위의 통칭이나, 본원 발명에서 세라믹 기판(100)은 산화 알루미늄 기판, 비스말레이미드 트리아진 수지 기판 및 AlN(Aluminum Nitride) 상에 은(Ag) 페이스트가 인쇄된 기판 중 어느 하나일 수 있다.
그리고, 질화물 반도체(110)는 형 반도체층과 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하여 이루어진다.
그리고, 상기 제 1 전극(130)이 상기 제2 도전형 반도체층과 연결되고 상기 세라믹 기판을 관통하여 형성되고, 제 2 전극(140)이 상기 제1 도전형 반도체층 및 세라믹 기판과 연결되어 형성된다.
그리고, 상기 질화물 반도체(110)와 상기 제 2 전극(150)을 감싸며 몰딩부(150)이 형성된다. 상기 몰딩부(150)는, 열팽창율이 상기 세라믹 기판(100)의 열팽창율의 90~110%인 유리로 이루어질 수 있다.
그리고, 상기 몰딩부(150)를 이루는 유리는, SiO2, Al2O3 및 Li2O를 포함하여이루어질 수 있다.
또한, 상기 몰딩부(150)는 알칼리토금속 산화물, TiO2, ZrO, Nb2O5, La2O3 및 Y2O3로 구성되는 그룹으로부터 선택된 물질 및 As2O3 및 Sb2O3로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 물질 중 적어도 하나를 포함하여 이루어질 수 있다.
여기서, SiO2는 유리 모재의 가열에 의하여 얻어지는 주결정상으로서 β-석영 또는 β-석영 고용체를 형성한다. SiO2는 결정 입자의 조립질화를 방지하고 우수한 투명성 확보하고, 저온에서 우수한 용융 특성을 확보하고 유리 세라믹의 광학적 균질성을 보존하기 위하여 50~65%의 중량비로 포함되는 것이 바람직하다.
그리고, Al2O3는 β-석영 고용체의 성분며, 유리의 용융 온도를 낮추고 투명한 유리 세라믹을 얻으며, 용융 특성 및 유리화 내성에 있어서의 열화를 방지하기 위하여 20~30%의 중량비로 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 유리는 알칼리 토금속 산화물을 더 포함할 수 있는데, 여기서 알칼리 토금속으로는 Mg, Ca, Ba, Sr 및 Zn 등이 사용될 수 있다. 이때, 유리의 투명성을 손상시키지 않고 유리 모재의 용융 특성과 유리 세라믹의 광학적 균질성을 개선하기 위하여 알칼리 토금속 산화물은 3.5 내지 7%의 중량비로 포함되는 것이 바람직하다.
여기서, ZnO 성분는 상술한 효과를 위하여 0.5 내지 15%의 범위로 포함되는 것이 바람직하다.
또한, 유리 모재의 용융 온도를 낮추기 위해서는 다양한 종류의 알칼리 토금속 성분들이 함유될 수 있는데, 3종류 또는 4종류의 알칼리 토금속 성분이 포함되는 것이 바람직하다.
그리고, MgO는 상술한 효과를 얻기 위하여 0.5% 이상 포함되는 것이 바람직하고, 다만 유리의 투명성 악화를 방지하기 위하여 2% 이내로 포함되는 것이 바람직하다.
또한, SrO는 상술한 효과를 얻기 위하여 0.5% 이상 포함되는 것이 바람직하고, 다만 유리의 투명성 악화를 방지하기 위하여 2% 이내로 포함되는 것이 바람직하다.
또한, SrO 성분은 10%를 넘지 않는 함량으로 첨가될 수 있으며, 상술한 효과들을 위하여 BaO 성분은 1% 이상 포함되되, 유리 모재의 용융 특성 및 유리 내성에 있어서의 악화를 방지하고 유리 세라믹의 광학적 균질성의 보존을 용이하게 하기 위하여 5% 이내로 포함될 수 있다.
또한, LiO는 SiO 및 Al2O3와 함께 β-석영 고용체를 구성하는 중요한 성분 중 하나인데, 유리 모재의 용융 특성의 악화를 방지하고 유리 세라믹의 광학적 균질성의 보존 또는 필요한 양의 미세 결정이 침출 용이를 위하여 1.5% 이상 포함되되, 결정 입자가 조립화되는 것을 방지하고 유리 세라믹의 투명성을 개선하기 위하여 3.5% 이하의 중량비로 포함될 수 있다.
그리고, TiO2는 열팽창 계수를 조절하고 핵 형성제로서 작용하는 중요한 성분인데, 필요한 열팽창 계수를 얻기 위하여 3% 이상 포함될 수 있으며, 유리 모재의 유리화 내성의 악화를 방지하고 유리 세라믹의 광학적 균질성의 보존을 위하여 6% 이하로 포함될 수 있다.
또한, ZrO2 성분은 핵 형성제로서 작용하는데, 원하는 결정을 침출시키기 위하여 1% 이상 포함될 수 있고, 유리 모재의 유리화 내성에 있어서의 열화를 방지하고 유리의 광학적 균질성을 용이하게 보존하면서 유리의 투명성을 개선하기 위하여 5%이하로 포함될 수 있다.
그리고, Nb2O5, La2O3 및 Y2O 3는 상기 알칼리 토금속 산화물과 함께 유리에 포함될 경우, 유리 모재의 용융 특성을 개선하고 유리 세라믹의 투명성 및 광학적 균질성을 현저하게 개선할 수 있다.
다만, 너무 많이 첨가되는 경우에는 모재 유리의 용융 특성이 악화되고, 유리 세라믹의 균질성이 손상되므로, 총량이 5% 이하로 포함될 수 있다.
또한, 유리의 균질성을 획득하기 위하여, As2O3 및/또는 Sb2O3성분이 유리 재료의 용융시 청징제로서 첨가되는데, 총량이 2% 이하이면 충분하다.
도 2a 내지 도 2g는 발광 다이오드 패키지의 제조방법의 일실시예를 나타낸 도면이다. 이하에서, 도 2를 참조하여 발광 다이오드 패키지의 제조방법의 일실시예를 설명한다.
먼저, 도 2a에 도시된 바와 같이, 먼저 사파이어 기판(200) 상에, 제1 도전형 반도체층과 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 질화물 반도체을 형성한다. 여기서, 사파이어 대신 실리콘 등 다른 물질로 기판을 대체할 수도 있다.
그리고, 제1 도전형 반도체층 상에 제 1 전극인 n-전극을 형성하고, 제2 도전형 반도체층 상에 제 2 전극인 p-전극을 형성한다.
도 2는 발광 다이오드 패키지 중 발광 다이오드를 나타낸 도면이다. 이하에서, 도 2를 참조하여 발광 다이오드 패키지 중 발광 다이오드의 제조방법을 설명한다.
도시된 바와 같이 발광 다이오드는 기판(200) 상에 버퍼층(미도시), 제1 도전형 반도체층(210), 활성층(220) 및 제2 도전형 반도체층(230)을 차례로 형성한다.
그리고, 도 2b에 도시된 바와 같이, 상기 질화물 반도체를 패터닝하여 각각의 발광 다이오드 소자 크기로 형성한다.
이어서, 도 2c에 도시된 바와 같이, 제2 도전형 반도체층(230) 상에 p형 전극(240)을 형성하고, 상기 p형 전극(240) 상에 기판(250)을 접합한다.
그리고, 도 2d에 도시된 바와 같이, 상기 사파이어 기판(200)을 각각의 질화물 반도체로부터 분리하는데, 이때 리프트 오프(lift-off)법 등으로 분리할 수 있다.
여기서, 세라믹 기판(250)과 질화물 반도체의 접합은 다이-어태치(die-attach)법으로 이루어질 수 있다. 즉, 세라믹 기판(250) 상에 은-에폭시와 같은 페이스트형 에폭시 수지 접착제를 도포하고, 상기 페이스트형 에폭시 수지 접착제 상에 질화물 반도체를 부착할 수 있다. 그리고, 상기 부착 상태를 지속적으로 유지하기 위하여 열을 가하여 에폭시 수지 접착제를 경화시킬 수 있다.
도 2e에는 세라믹 기판(100) 상에 다이 어태치층(120)을 통하여 질화물 반도체가 부착되고, 상기 질화물 반도체의 제1 도전형 반도체층(210) 상에 n형 전극(260)이 형성되어 있다. 그리고, p형 전극은 미도시되어 있다.
이어서, 도 2f에 도시된 바와 같이 상기 세라믹 기판(100)을 관통하여 비아 홀(130)을 형성하고 상기 p형 전극(미도시)와 연결한다. 이때, 상기 n형 전극(260)이 상기 세라믹 기판(100)과 연결되는데, 와이어 본딩 방법 또는 에어-브릿지법 등으로 연결될 수 있다.
그리고, 전체 발광 다이오드 소자를 몰딩하여 몰딩부(150)를 형성하면, 도 2g에 도시된 발광 다이오드 패키지가 형성된다.
여기서, 몰딩부(150)는 상술한 바와 같이 알칼리토금속 산화물, TiO2, ZrO, Nb2O5, La2O3 및 Y2O3로 구성되는 그룹으로부터 선택된 물질 및 As2O3 및 Sb2O3로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 물질 중 적어도 하나를 포함하여 이루어질 수 있다.
몰딩부를 형성하는 과정을 설명하면 다음과 같다.
먼저, 1500 내지 1600℃ 이하의 용융 온도에서 상술한 재료를 포함하는 재료를 준비한다.
그리고, 상기 재료를 냉각하여 유리 모재를 준비한다. 그리고, 상기 유리 모재를 열처리하여 유리 혼합물 내에서 β-석영 결정 또는 β-석영 고용체 결정을 침출시킨다.
이때, 투명성 및 연마의 용이성을 확보하기 위하여, 결정 입자의 직경은 0.001 내지 0.1 ㎛로 형성될 수 있다.
상술한 조성과 방법으로 형성된 몰딩부(150)는 세라믹 기판(100)의 열팽창율의 90~110% 범위의 열팽창율을 갖도록 형성될 수 있다.
따라서, 몰딩부(150)이 세라믹 기판(100)으로부터 들뜸이 발생하지 않고 기밀성을 유지할 수 있다. 그리고, 와이어 본딩 구조를 이루는 n형 전극과 세라믹 기판(100)의 연결부도, 들뜸이 발생하지 않고 높은 신뢰성을 보일 수 있다.
상술한 발광 소자 패키지는 상기에 개시된 실시 예들의 발광 소자 중 적어도 하나를 하나 또는 복수개로 탑재할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
실시 예에 따른 발광 소자 패키지는 복수 개가 기판 상에 어레이되며, 상기 발광 소자 패키지의 광 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광 소자 패키지, 기판, 광학 부재는 라이트 유닛으로 기능할 수 있다. 또 다른 실시 예는 상술한 실시 예들에 기재된 반도체 발광소자 또는 발광 소자 패키지를 포함하는 표시 장치, 지시 장치, 조명 시스템으로 구현될 수 있으며, 예를 들어, 조명 시스템은 램프, 가로등을 포함할 수 있다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
10, 250 : 세라믹 기판 100 : 발광 다이오드 소자
120 : Die-attach 130 : 제 1 전극
140 : 제 2 전극 150 : 몰딩부
200 : 사파이어 기판 210 : 제1 도전형 반도체층
220 : 활성층 230 : 제2 도전형 반도체층
240 : p형 전극 260 : n형 전극
120 : Die-attach 130 : 제 1 전극
140 : 제 2 전극 150 : 몰딩부
200 : 사파이어 기판 210 : 제1 도전형 반도체층
220 : 활성층 230 : 제2 도전형 반도체층
240 : p형 전극 260 : n형 전극
Claims (16)
- 세라믹 기판;
상기 세라믹 기판 상에 구비되고, 제1 도전형 반도체층과 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 질화물 반도체; 및
상기 제2 도전형 반도체층과 연결되고 상기 세라믹 기판을 관통하여 형성된 제 1 전극;
상기 제1 도전형 반도체층 및 세라믹 기판과 연결된 제 2 전극; 및
상기 질화물 반도체과 상기 제 2 전극을 감싸고, 열팽창율이 상기 세라믹 기판의 열팽창율의 90~110%인 유리로 이루어진 몰딩부를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지. - 제 1 항에 있어서,
상기 세라믹 기판은 산화 알루미늄 기판, 비스말레이미드 트리아진 수지 기판 및 AlN(Aluminum Nitride) 상에 은(Ag) 페이스트가 인쇄된 기판 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지. - 제 1 항에 있어서,
상기 유리는 SiO2와 Al2O3 및 Li2O를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지. - 제 3 항에 있어서,
상기 유리는 알칼리토금속 산화물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지. - 제 3 항에 있어서,
상기 유리는 TiO2를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지. - 제 3 항에 있어서,
상기 유리는 ZrO를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지. - 제 3 항에 있어서,
상기 유리는 Nb2O5, La2O3 및 Y2O3로 구성되는 그룹으로부터 선택된 물질을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지. - 제 3 항에 있어서,
상기 유리는 As2O3 및 Sb2O3로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 물질을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지. - 세라믹 기판 상에, 제1 도전형 반도체층과 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 질화물 반도체을 접합하는 단계;
상기 세라믹 기판을 관통하여 상기 제2 도전형 반도체층과 연결되는 제 1 전극을 형성하는 단계;
상기 제1 도전형 반도체층을 상기 세라믹 기판에 와이어 본딩하는 단계; 및
열팽창율이 상기 기판의 열팽창율의 90~110%인 유리로 상기 질화물 반도체과 상기 제 2 전극을 몰딩하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지의 제조방법. - 제 9 항에 있어서,
상기 세라믹 기판은 산화 알루미늄 기판, 비스말레이미드 트리아진 수지 기판 및 AlN(Aluminum Nitride) 상에 은(Ag) 페이스트가 인쇄된 기판 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지의 제조방법. - 제 9 항에 있어서,
상기 몰딩하는 단계는, SiO2와 Al2O3 및 Li2O로 상기 질화물 반도체과 상기 제 2 전극을 밀봉하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지의 제조방법. - 제 12 항에 있어서,
상기 몰딩하는 단계는, 알칼리토금속 산화물을 함께 사용하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지의 제조방법. - 제 12 항에 있어서,
상기 유리는 TiO2를 함께 사용하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지의 제조방법. - 제 12 항에 있어서,
상기 유리는 ZrO를 함께 사용하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지의 제조방법. - 제 12 항에 있어서,
상기 유리는 Nb2O5, La2O3 및 Y2O3로 구성되는 그룹으로부터 선택된 물질을 함께 사용하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지의 제조방법. - 제 12 항에 있어서,
상기 유리는 As2O3 및 Sb2O3로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 물질을 함께 사용하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지의 제조방법.
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Publications (1)
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Family Applications (1)
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