KR20110119546A

KR20110119546A - Ultraviolet irradiation apparatus, ultraviolet irradiation method, and method for manufacturing ultraviolet irradiation apparatus

Info

Publication number: KR20110119546A
Application number: KR1020110037217A
Authority: KR
Inventors: 아키히코 다우치; 가즈히로 시라이시; 유키 이나가와; 아츠시 후지오카
Original assignee: 하리슨 도시바 라이팅 가부시키가이샤
Priority date: 2010-04-27
Filing date: 2011-04-21
Publication date: 2011-11-02
Also published as: JP2011245479A; CN102306609B; JP5857435B2; TWI497560B; TW201201247A; CN102306609A

Abstract

PURPOSE: An ultraviolet ray irradiation apparatus, an ultraviolet ray irradiation method, and a manufacturing method of the ultraviolet ray irradiation apparatus are provided to cut an ultraviolet ray by including an ultraviolet ray cut filter of low costs. CONSTITUTION: A metal halide lamp(100) the light emission tube of a quartz glass material. A double pipe comprises an inner tube(12) and an outer tube(13). A space between a first pipe and a second pipe of the double pipe is closed. An optical filter locates in the space between the inner tube and the outer tube of the double pipe in order to surround the inner tube with as a cylindrical form. An oxide film(16) contain tantalum besides titanium.

Description

Ultraviolet irradiation apparatus, ultraviolet irradiation method, manufacturing method of ultraviolet irradiation apparatus {ULTRAVIOLET IRRADIATION APPARATUS, ULTRAVIOLET IRRADIATION METHOD, AND METHOD FOR MANUFACTURING ULTRAVIOLET IRRADIATION APPARATUS}

본 발명은 예를 들면 액정 패널의 제조용으로서 제조 도중의 패널(피처리 기판)에 자외선을 조사하기 위한 자외선 조사 장치, 자외선 조사 방법 및 이와 같은 자외선 조사 장치를 제조하는 방법에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD This invention relates to the ultraviolet irradiation device for irradiating an ultraviolet-ray to the panel (to-be-processed substrate) in the middle of manufacture, for example for liquid crystal panel manufacture, an ultraviolet irradiation method, and the method of manufacturing such an ultraviolet irradiation device.

액정 패널의 제조용 자외선 조사 장치로서 자외선 램프와, 상기 자외선 램프의 외측에 위치하여 내부에 자외역 투과 필터가 설치된 수냉(水冷) 쟈켓관을 구비한 구성이 있다. 자외역 투과 필터는 피조사물에서 필요하게 되는 소정의 파장 범위의 자외선을 투과시키는 분광 필터이다. 이와 같은 분광 필터는 자외선 램프로부터의 자외선에 의해 그 자체에 자외선 투과 특성의 열화가 발생하므로 이 자외선 조사 장치에서는 자외선 램프로부터의 자외선이 분광 필터에 도달하기 전에 미리 상기 소정의 파장 범위 보다 더 단파장의 자외선을 컷트하는 수단이 필요해지고 있다(예를 들면, JPH6-267509(KOKAI) 참조). 이와 같은 수단에 의해 자외선 조사 장치로서 자외선 출력 동정 특성을 개선할 수 있고, 그 장수명화를 도모할 수 있다.As an ultraviolet irradiation device for manufacturing a liquid crystal panel, there is a structure provided with an ultraviolet lamp and a water-cooled jacket tube positioned outside the ultraviolet lamp and having an ultraviolet light transmission filter therein. The ultraviolet light transmission filter is a spectroscopic filter that transmits ultraviolet rays in a predetermined wavelength range required by the irradiated object. Since such a spectroscopic filter deteriorates the ultraviolet transmission characteristic by itself by ultraviolet rays from an ultraviolet lamp, in this ultraviolet irradiation device, ultraviolet rays from the ultraviolet lamp are shorter than the predetermined wavelength range before reaching the spectroscopic filter. Means for cutting ultraviolet rays are required (see JPH6-267509 (KOKAI), for example). By such means, the ultraviolet ray output identification characteristic can be improved as the ultraviolet ray irradiation device, and its life can be extended.

상기 특허문헌에서 자외선 컷트 수단은 유리나 석영 소재에 보다 단파장의 자외선을 억제하는 금속 산화물을 미리 첨가 또는 표면에 증착하는 등의 가공을 실시하여 얻은 자외선 컷트 필터이다. 상기 특허문헌에서는 이와 같은 자외선 컷트 필터를 공간적으로 자외선 투과 필터 보다도 자외선 램프측에 위치시킨다. 이 종류의 자외선 컷트 필터는 제조에 수고가 들어 고가이다.In the said patent document, an ultraviolet cut means is an ultraviolet cut filter obtained by giving the glass or quartz material the process which adds the metal oxide which suppresses short wavelength ultraviolet rays previously, or deposits on the surface. In the said patent document, such an ultraviolet cut filter is spatially located in the ultraviolet lamp side rather than an ultraviolet transmission filter. This kind of UV cut filter is expensive to manufacture.

액정 패널의 제조용 자외선 조사 장치로서는 상기와 같은 구성 외에 피조사물에서 필요해지는 소정의 파장 범위(예를 들면, 320 nm 내지 380 nm)의 자외선을 투과시키기 위해 단파장측의 자외선 컷트 필터와 장파장측의 광 컷트 필터를 공간적으로 종렬로 배치한 구성의 것도 생각할 수 있다. 이와 같은 구성에서도 단파장측의 자외선 컷트 필터로서 상기 특허문헌에 개시된 금속 산화물을 유리로의 첨가 또는 유리 표면으로의 증착에 의해 형성한 것을 이용할 수 있다. 이 경우, 대형의 액정 패널을 제조하는 설비에서는 자외선 컷트 필터를 일정한 대면적을 빈틈없이 까는 구성을 채용할 수 있지만, 그 구성으로는 그 맞댐면에서 광 누출이 발생하거나 열에 의한 팽창 수축에 의한 응력이 발생할 가능성이 있다.As the ultraviolet irradiation device for manufacturing a liquid crystal panel, in addition to the above-described configuration, an ultraviolet cut filter on the short wavelength side and light on the long wavelength side in order to transmit ultraviolet rays in a predetermined wavelength range (for example, 320 nm to 380 nm) required by the irradiated object. It is also conceivable to have a structure in which the cut filters are arranged in a spatial column. Even in such a structure, what formed the metal oxide disclosed by the said patent document by addition to glass or vapor deposition on the glass surface can be used as an ultraviolet cut filter on a short wavelength side. In this case, in a facility for manufacturing a large liquid crystal panel, a configuration in which the UV cut filter is uniformly covered with a constant large area can be adopted. However, in such a configuration, light leakage occurs at the abutting surface or stress due to expansion and contraction caused by heat. This is likely to occur.

본 발명의 목적은 예를 들면 액정 패널의 제조용으로서 제조 도중의 패널(피처리 기판)에 자외선을 조사하기 위한 자외선 조사 장치, 자외선 조사 방법 및 이와 같은 자외선 조사 장치를 제조하는 방법에 있어서, 불필요한 자외선을 컷트하는 효과가 높고, 또한 저비용의 자외선 컷트 필터를 구비한 자외선 조사 장치, 자외선 조사 방법 및 자외선 조사 장치의 제조 방법을 제공하는 데에 있다.An object of the present invention is, for example, for the manufacture of a liquid crystal panel, an ultraviolet ray irradiator for irradiating ultraviolet rays to a panel (to-be-processed substrate) in the middle of manufacture, an ultraviolet ray irradiation method, and a method for producing such an ultraviolet ray irradiation apparatus. It is an object to provide an ultraviolet irradiating apparatus, an ultraviolet irradiating method, and a manufacturing method of an ultraviolet irradiating apparatus provided with the effect of cutting the highly, and low-cost ultraviolet cut filter.

상기 과제를 해결하기 위해 본 발명의 일 형태인 자외선 처리 장치는 통형상인 석영유리 소재의 발광관을 구비한 메탈할라이드 램프; 상기 메탈할라이드 램프의 상기 발광관을 통형상으로 둘러싸는 위치에 설치된 통형상인 석영유리 소재의 제 1 관인 내관과, 상기 내관을 통형상으로 둘러싸는 위치에 설치된 통형상인 석영유리 소재의 제 2 관인 외관을 구비하고, 상기 제 1 관과 상기 제 2 관 사이의 공간에 유체를 흐르게 할 수 있도록 상기 제 1 관과 상기 제 2 관 사이의 상기 공간이 폐쇄된 공간인 이중관; 및 상기 이중관의 상기 외관의 외면상 또는 상기 이중관의 상기 내관의 상기 메탈할라이드 램프에 대향하는 면상에 형설(形設)된 막두께가 0.3 ㎛ 이상, 1.3 ㎛ 이하인 티탄을 함유하는 산화막을 구비하는 것을 특징으로 한다.In order to solve the above problems, an ultraviolet treatment device of one embodiment of the present invention includes a metal halide lamp having a light emitting tube made of a quartz glass material having a cylindrical shape; An inner tube, which is a first tube of quartz glass material, which is tubular, installed in a position surrounding the light emitting tube of the metal halide lamp in a tubular shape, and a second, tubular, quartz glass material, which is installed in a position that surrounds the inner tube in a tubular shape; A double tube having an exterior that is a tube, wherein the space between the first tube and the second tube is a closed space to allow fluid to flow in the space between the first tube and the second tube; And an oxide film containing titanium having a film thickness of 0.3 µm or more and 1.3 µm or less on the outer surface of the outer tube of the double tube or on the surface of the inner tube that faces the metal halide lamp of the inner tube. It features.

본 발명에 의하면 불필요한 자외선을 컷트하는 효과가 높고, 또한 저비용의 자외선 컷트 필터를 구비한 자외선 조사 장치, 자외선 조사 방법 및 그와 같은 자외선 조사 장치의 제조 방법을 제공할 수 있다.ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the ultraviolet irradiation device, the ultraviolet irradiation method, and the manufacturing method of such an ultraviolet irradiation device which have a high effect of cutting unnecessary ultraviolet rays, and are equipped with a low cost ultraviolet cut filter can be provided.

도 1은 본 발명의 일 실시형태인 자외선 조사 장치의 구성을 도시한 종단면도,
도 2는 도 1에 도시한 A-Aa 위치의 화살표 방향의 단면도,
도 3은 도 1에 도시한 메탈할라이드 램프의 구성을 도시한 종단면도,
도 4는 도 3의 도시를 일부 확대하여 도시한 종단면도,
도 5는 도 1에 도시한 메탈할라이드 램프가 방사하는 광의 분광 분포의 예를 나타내는 특성도,
도 6은 도 1에 도시한 자외선 조사 장치가 구비한 산화막(불필요 자외선 컷트 필터)의 분광 투과율의 예를 나타내는 특성도,
도 7a, 도 7b 및 도 7c는 불필요 자외선 컷트 필터가 그 외면 상에 형성된 비교예로서의 수냉 쟈켓관의 그 축방향으로 다른 각 영역의 표면 상태를 본 현미경 사진,
도 8은 불필요 자외선 컷트 필터가 그 외면 상에 형성된 비교예로서의 수냉 쟈켓관의 그 축방향으로 다른 각 영역에서의 분광 투과율의 예를 나타내는 특성도,
도 9는 도 6에 도시한 특성이 산화막의 두께에 따라서 어떻게 변화하는지를 나타내는 특성 비교도,
도 10은 도 1에 도시한 자외선 조사 장치가 방사하는 광의 분광 분포의 예를 나타내는 특성도,
도 11은 도 10에 나타낸 도시 중 파장 360 nm 이하의 부분을 확대하여 나타내는 특성도,
도 12a, 도 12b는 도 1에 도시한 자외선 조사 장치가 방사하는 자외선의 강도 측정의 결과예를 나타내는 표,
도 13은 도 5와는 다른 도 1에 도시한 메탈할라이드 램프가 방사하는 광의 분광 분포의 예를 나타내는 특성도,
도 14는 도 10과는 다른 도 1에 도시한 자외선 조사 장치가 방사하는 광의 분광 분포의 예를 나타내는 특성도,
도 15는 도 14에 나타낸 도시 중의 파장 360 nm 이하를 확대하여 나타내는 특성도,
도 16a, 도 16b는 도 12a, 도 12b에 도시한 것과는 다른 도 1에 도시한 자외선 조사 장치가 방사하는 자외선의 강도 측정의 결과예를 나타내는 표,
도 17은 도 1에 도시한 자외선 조사 장치에 의한 자외선 조사로 양호하게 경화하는 수지 조성물에 필요한 광개시제의 예시적인 분광 흡수율을 나타내는 특성도,
도 18은 본 발명의 다른 실시형태인 자외선 조사 장치의 구성을 도시한 종단면도,
도 19는 도 18에 도시한 B-Ba 위치의 화살표 방향의 단면도,
도 20은 도 1에 도시한 자외선 조사 장치가 가진 산화막(불필요 자외선 컷트 필터)의 분광 투과율의 예를 그 형성 막두께의 차이로 비교하여 나타내는 특성도,
도 21은 산화막(16)의 성막 원료의 중량%를 변경했을 때 수득되는 각종 산화막(16)에 대해 그 분광 특성(불필요 자외선의 컷트 특성, 필요 자외선의 투과 특성) 및 크랙의 발생을 평가한 결과를 나타내는 표,
도 22는 본 발명의 또 다른 실시형태인 자외선 조사 장치의 구성을 도시한 종단면도,
도 23은 도 22에 도시한 C-Ca 위치의 화살표 방향의 단면도,
도 24는 도 22에 도시한 열선 반사 필터의 분광 투과율의 예를 나타내는 특성도,
도 25는 현재 존재하는 열선 흡수 필터의 분광 투과율의 예를 나타내는 특성도,
도 26은 도 22에 도시한 자외선 조사 장치의 변형예로서의 자외선 조사 장치가 방사하는 자외선의 분광 분포의 예를 나타내는 특성도,
도 27은 도 22에 도시한 자외선 조사 장치가 방사하는 자외선의 분광 분포의 예를 나타내는 특성도,
도 28은 메탈할라이드 램프에 봉입되는 금속 종(種)을 변경했을 때의 발광의 파장 분포를 비교하여 나타내는 특성도,
도 29는 예를 들면 클로로포름의 용매 중의 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온의 광개시제의 농도를 0.1%, 0.01%, 0.001%로 한 경우의 흡광도를 도시한 특성도,
도 30은 비교예의 메탈할라이드 램프에 의해 상기 광개시제에 작용시킨 경우와, 보다 바람직한 예의 메탈할라이드 램프에 의해 상기 광개시제에 작용시킨 경우의 수지 경화의 비율을 비교하여 나타내는 표,
도 31은 메탈할라이드 램프의 Zn의 봉입량(단, 요오드화 아연으로 환산한 양)을 변화시켰을 때의 필요 자외선역에서의 발광의 분광 분포를 비교하여 나타내는 그래프,
도 32는 도 31의 결과로부터 산출한 특정 파장역의 적산 자외선 강도를 나타내는 표,
도 33은 메탈할라이드 램프의 Zn의 봉입량(단, 요오드화 아연으로 환산한 양)을 변화시켰을 때의 파장 320 nm 내지 파장 340 nm의 적산 자외선 강도의 변화를 나타내는 그래프, 및
도 34는 Zn의 봉입량을 변화시킨 메탈할라이드 램프에 의해 광개시제에 작용시킨 경우의 수지 경화의 비율을 비교하여 나타내는 표이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The longitudinal cross-sectional view which shows the structure of the ultraviolet irradiation device which is one Embodiment of this invention,
2 is a cross-sectional view of the arrow direction in the A-Aa position shown in FIG.
3 is a longitudinal cross-sectional view showing the configuration of the metal halide lamp shown in FIG.
4 is a longitudinal cross-sectional view showing a portion of the enlarged view of FIG. 3;
5 is a characteristic diagram showing an example of a spectral distribution of light emitted by the metal halide lamp shown in FIG. 1;
6 is a characteristic diagram showing an example of a spectral transmittance of an oxide film (unnecessary ultraviolet cut filter) included in the ultraviolet irradiation device shown in FIG. 1;
7A, 7B and 7C are micrographs showing the surface state of each other region in the axial direction of the water-cooled jacket tube as a comparative example in which the unnecessary ultraviolet cut filter was formed on the outer surface thereof;
Fig. 8 is a characteristic diagram showing an example of spectral transmittance in each axial direction of the water-cooled jacket tube as a comparative example in which an unnecessary ultraviolet cut filter is formed on the outer surface thereof;
FIG. 9 is a characteristic comparison diagram showing how the characteristics shown in FIG. 6 vary depending on the thickness of the oxide film; FIG.
10 is a characteristic diagram showing an example of a spectral distribution of light emitted by the ultraviolet irradiation device shown in FIG. 1;
11 is an enlarged characteristic view showing a portion having a wavelength of 360 nm or less in the illustration shown in FIG. 10;
12A and 12B are tables showing examples of the results of intensity measurement of ultraviolet rays emitted by the ultraviolet irradiation device shown in FIG. 1;
FIG. 13 is a characteristic diagram showing an example of a spectral distribution of light emitted by the metal halide lamp shown in FIG. 1 different from FIG. 5; FIG.
14 is a characteristic diagram showing an example of a spectral distribution of light emitted by the ultraviolet irradiation device shown in FIG. 1 different from FIG. 10;
15 is an enlarged characteristic view showing a wavelength of 360 nm or less in the illustration shown in FIG. 14;
16A and 16B are tables showing examples of the results of intensity measurement of ultraviolet rays emitted from the ultraviolet irradiation device shown in FIG. 1 different from those shown in FIGS. 12A and 12B;
17 is a characteristic diagram showing an exemplary spectral absorption rate of a photoinitiator required for a resin composition to be cured satisfactorily by ultraviolet irradiation by the ultraviolet irradiation device shown in FIG. 1;
18 is a longitudinal sectional view showing the configuration of an ultraviolet irradiation device according to another embodiment of the present invention;
19 is a cross-sectional view of the arrow direction in the B-Ba position shown in FIG. 18;
20 is a characteristic diagram showing an example of the spectral transmittance of an oxide film (unnecessary ultraviolet cut filter) included in the ultraviolet irradiation device shown in FIG.
21 shows the results of evaluating the spectral characteristics (cut characteristics of unnecessary ultraviolet rays, transmission characteristics of necessary ultraviolet rays) and the occurrence of cracks for various oxide films 16 obtained when the weight% of the film forming raw material of the oxide film 16 is changed. A table indicating,
Fig. 22 is a longitudinal sectional view showing the structure of an ultraviolet irradiation device according to still another embodiment of the present invention;
FIG. 23 is a cross-sectional view of the arrow direction at the C-Ca position shown in FIG. 22;
24 is a characteristic diagram showing an example of a spectral transmittance of the heat ray reflection filter shown in FIG. 22;
25 is a characteristic diagram showing an example of a spectral transmittance of a heat ray absorption filter presently present;
FIG. 26 is a characteristic diagram showing an example of a spectral distribution of ultraviolet rays emitted by an ultraviolet irradiation device as a modification of the ultraviolet irradiation device shown in FIG. 22;
FIG. 27 is a characteristic diagram showing an example of spectral distribution of ultraviolet rays emitted by the ultraviolet irradiation device shown in FIG. 22;
Fig. 28 is a characteristic diagram showing the wavelength distribution of light emission when the metal species encapsulated in the metal halide lamp is changed;
29 is a graph showing the absorbance when the concentration of the photoinitiator of 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethan-1-one in the solvent of chloroform is set to 0.1%, 0.01%, and 0.001%, for example. Degree,
30 is a table showing a comparison of the ratio of curing of the resin when the photoinitiator is acted on by the metal halide lamp of the comparative example and the photoinitiator by the metal halide lamp of the more preferred example;
31 is a graph showing a comparison of the spectral distribution of luminescence in a required ultraviolet region when the amount of Zn encapsulation (the amount converted into zinc iodide) of a metal halide lamp is changed;
32 is a table showing integrated ultraviolet ray intensity in a specific wavelength range calculated from the results in FIG. 31;
FIG. 33 is a graph showing a change in integrated ultraviolet light intensity having a wavelength of 320 nm to a wavelength of 340 nm when the amount of Zn encapsulation (in terms of zinc iodide) of a metal halide lamp is changed;
It is a table which compares and shows the ratio of resin hardening when it acts on a photoinitiator by the metal halide lamp which changed the amount of Zn encapsulation.

(실시예의 설명)(Description of Example)

본 발명의 실시예는 도면을 참조하여 기술되지만, 이들 도면은 도해만의 목적을 위해 제공되고, 어떠한 경우에도 발명을 한정하지 않는다.Although embodiments of the invention are described with reference to the drawings, these drawings are provided for the purpose of illustration only and in no case limit the invention.

이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대해 도면을 참조하면서 상세히 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the form for implementing this invention is demonstrated in detail, referring drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시형태인 자외선 조사 장치의 구성을 나타내는 종단면도이고, 도 2는 도 1에 도시한 A-Aa 위치의 화살표 방향의 단면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a longitudinal cross-sectional view which shows the structure of the ultraviolet irradiation device which is one Embodiment of this invention, and FIG. 2 is sectional drawing of the arrow direction of the A-Aa position shown in FIG.

도 1, 도 2에 도시한 바와 같이 이 자외선 조사 장치는 메탈할라이드 램프(100)와 냉각 유닛(200)으로 구성된다. 메탈할라이드 램프(100)와 냉각 유닛(200)(그 이중관)의 사이는 메탈할라이드 램프(100)의 소켓(351, 352)에 장착된 홀더(111, 112)에 의해 소정의 간격으로 설정된다.As shown in FIG. 1, FIG. 2, this ultraviolet irradiation device is comprised from the metal halide lamp 100 and the cooling unit 200. As shown in FIG. The space between the metal halide lamp 100 and the cooling unit 200 (the double pipe thereof) is set at predetermined intervals by holders 111 and 112 mounted to the sockets 351 and 352 of the metal halide lamp 100.

도 3 및 도 4를 참조하여 메탈할라이드 램프(100)에 대해 설명한다. 도 3은 도 1에 도시한 메탈할라이드 램프의 구성을 나타내는 종단면도이고, 도 4는 도 3의 도시를 일부 확대하여 나타내는 종단면도이다.A metal halide lamp 100 will be described with reference to FIGS. 3 and 4. FIG. 3 is a longitudinal cross-sectional view showing the configuration of the metal halide lamp shown in FIG. 1, and FIG. 4 is a longitudinal cross-sectional view showing an enlarged view of part of FIG.

도 3, 도 4에 도시한 바와 같이 메탈할라이드 램프(100)는 자외선 투과성을 가진 예를 들면 석영유리로 방전 공간(30)이 형성된 발광관(31)을 구비한다. 발광관(31)은 통형상의 형상을 가지며, 그 길이 방향 양단의 내부에는 예를 들면 텅스텐제 전극(321, 322)이 배치되어 있다.As shown in FIGS. 3 and 4, the metal halide lamp 100 includes a light emitting tube 31 in which a discharge space 30 is formed of, for example, quartz glass having ultraviolet ray permeability. The light emitting tube 31 has a cylindrical shape, and for example, tungsten electrodes 321 and 322 are disposed inside both longitudinal ends thereof.

전극(321, 322)은 각각 이너 리드(331, 332)를 통해 예를 들면 몰리브덴제의 금속박(341, 342)의 일단에 용접되어 있다. 금속박(341, 342)의 타단에는 도시하지 않은 아우터 리드의 일단이 용접되어 있다. 금속박(341, 342)의 부분은 이너 리드(331, 332)와 아우터 리드의 사이의 발광관(31)을 가열하여 밀봉한 것이다. 발광관(31)의 내부에는 희가스 외에 예를 들면 수은, 철, 주석, 요오드화 수은이 밀봉되어 있다.The electrodes 321 and 322 are welded to one end of, for example, the metal foils 341 and 342 made of molybdenum through the inner leads 331 and 332, respectively. One end of an outer lead (not shown) is welded to the other ends of the metal foils 341 and 342. The portions of the metal foils 341 and 342 are obtained by heating and sealing the light emitting tube 31 between the inner leads 331 and 332 and the outer leads. The light tube 31 is sealed with, for example, mercury, iron, tin, and mercury iodide in addition to the rare gas.

금속박(341, 342)은 발광관(31)을 형성하는 석영유리의 열팽창률에 가까운 재료이면 어느 것이라도 좋지만, 이 조건에 적합한 것으로서 몰리브덴을 사용하고 있다. 금속박(341, 342)에 일단이 각각 접속된 아우터 리드의 타단에는 예를 들면 세라믹제의 소켓(351, 352) 내에 절연 밀봉되어 있는 급전용 리드선(361, 362)이 전기적으로 접속되고, 또한 리드선(121, 122)은 도시하지 않은 전원 회로에 접속된다.The metal foils 341 and 342 may be any material that is close to the thermal expansion coefficient of the quartz glass forming the light emitting tube 31, but molybdenum is used as the material suitable for this condition. The other end of the outer lead, one end of which is connected to the metal foils 341 and 342, is electrically connected to the lead wires 361 and 362, for example, insulated and sealed in the sockets 351 and 352 made of ceramic. Reference numerals 121 and 122 are connected to a power supply circuit (not shown).

이상과 같이 구성된 메탈할라이드 램프(100)는 예를 들면 외부 직경이 27.5 mm이고, 발광 길이가 1000 mm인 롱아크 대응의 것으로 할 수 있다. 도 5는 도 1에 도시한 메탈할라이드 램프가 방사하는 광의 분광 분포의 예를 나타내는 특성도이다. 보다 구체적으로 램프 전압을 1310 V, 램프 전류를 10.3 A, 램프 전력을 12 kW로 점등시킨 경우의 분광 분포를 나타내고 있다.The metal halide lamp 100 configured as described above can be, for example, a long arc compatible one having an outer diameter of 27.5 mm and a light emission length of 1000 mm. FIG. 5 is a characteristic diagram showing an example of spectral distribution of light emitted by the metal halide lamp shown in FIG. 1. FIG. More specifically, the spectral distribution is shown when the lamp voltage is 1310 V, the lamp current is 10.3 A, and the lamp power is turned on at 12 kW.

다시 도 1, 도 2를 참조하여 냉각 유닛(200)은 메탈할라이드 램프(100)의 발광관(31)과 동일한 자외선 투과성을 가진 석영유리제의 내관(12)(내부 직경 32 mm, 외부 직경 36 mm)과, 내관(12)의 외측에 설치된 발광관(31)과 동일한 자외선 투과성을 가진 석영유리제 외관(13)(내부 직경 64 mm, 외부 직경 70 mm)을 구비한 이중관을 갖고 있다. 내관(12)은 발광관(31)을 통형상으로 둘러싸는 위치에 설치되어 있고, 외관(13)은 내관(12)을 통형상으로 둘러싸는 위치에 설치되어 있다. 내관(12)과 외관(13) 사이는 유체를 흐르게 할 수 있도록 폐쇄된 공간으로 되어 있고, 이 공간을 통해 외부둘레 단부에 설치된 접속관(141)으로부터 접속관(142)으로 외부로부터 냉각용 매체인 물 등의 수온 25 ℃ 정도의 냉각수(15)를 순환시킬 수 있다.Referring again to FIGS. 1 and 2, the cooling unit 200 includes a quartz glass inner tube 12 (inner diameter 32 mm and outer diameter 36 mm) having the same ultraviolet ray permeability as the light emitting tube 31 of the metal halide lamp 100. ) And a double tube provided with a quartz glass appearance 13 (inner diameter 64 mm, outer diameter 70 mm) having the same ultraviolet ray permeability as the light emitting tube 31 provided outside the inner tube 12. The inner tube 12 is provided at a position that surrounds the light emitting tube 31 in a cylindrical shape, and the outer tube 13 is provided at a position that surrounds the inner tube 12 in a cylindrical shape. Between the inner tube 12 and the outer tube 13 is a closed space to allow fluid to flow, and the cooling medium from the outside from the connecting tube 141 provided at the outer peripheral end to the connecting tube 142 through the space. Cooling water 15 having a water temperature of 25 ° C. or the like can be circulated.

보다 구체적으로 접속관(141)으로부터는 온도가 낮은 냉각수(15)를 입수하고, 접속관(142)으로부터는 메탈할라이드 램프(100)의 냉각을 실시하여 데워진 냉각수(15)를 출수한다. 데워진 냉각수(15)가 재냉각되어 다시 접속관(141)으로부터 입수되도록 냉각 유닛(200)은 전체로서 순환 구조로 되어 있다.More specifically, cooling water 15 with a low temperature is obtained from the connection pipe 141, and cooling water 15 heated by cooling the metal halide lamp 100 is discharged from the connection pipe 142. The cooling unit 200 has a circulation structure as a whole so that the warmed cooling water 15 is recooled and obtained from the connection pipe 141 again.

외관(13)은 예를 들면 적어도 SiO₂를 50% 이상 포함하는 석영유리제로 형성되고, 또한 외관(13)의 외면 상에는 Ti를 주성분으로 한 산화막(16)이 형성되어 있다. 산화막(16)은 원료가 되는 산화물 용액을 디핑 등의 방법을 이용하여 도포하고, 그 후 예를 들면 1100 ℃ 정도의 고온으로 가열 처리(베이킹, 소성)하고, 외관(13)의 외면 상에 동일하게 정착, 피착시킨 것이다.The outer appearance 13 is made of quartz glass containing at least 50% SiO ₂ , for example, and an oxide film 16 containing Ti as a main component is formed on the outer surface of the outer appearance 13. The oxide film 16 is coated with an oxide solution, which is a raw material, by a method such as dipping, and then heated (baked, baked) to a high temperature of, for example, about 1100 ° C., and the same on the outer surface of the appearance 13. It is settled and deposited.

디핑에 의한 용액의 도포는 냉각 유닛(200)의 이중관을 긴 방향으로 그 방향을 바꾸고, 복수회, 산화물의 용액이 수납된 조 내로부터 끌어올리도록 실시한다. 이에 의해 도포된 막두께가 동일해져 산화막(16)의 동일한 형성에 연결된다.Application of the solution by dipping is carried out so that the double pipe of the cooling unit 200 is changed in the longitudinal direction and pulled up from the tank in which the solution of the oxide was accommodated several times. As a result, the applied film thickness becomes the same and is connected to the same formation of the oxide film 16.

산화막(16)은 메탈할라이드 램프(100)로부터 방사되는 광 중, 파장 320 nm 미만의 불필요 자외선을 컷트한다. 그 분광 특성은 예를 들면 도 6에 도시한 바와 같이 냉각 유닛(200)의 이중관의 Ia의 영역, Ib의 영역에서 거의 동일한 분광 투과율이 되고 있다. 이는 산화막(16)의 동일한 형성 막두께에 의해서이다(도 6에 도시한 경우의 명목(名目) 형성 막두께는 0.7 ㎛임).The oxide film 16 cuts unnecessary ultraviolet rays having a wavelength of less than 320 nm among the light emitted from the metal halide lamp 100. For example, as shown in FIG. 6, the spectral characteristics have almost the same spectral transmittance in the region of Ia and the region of Ib of the double tube of the cooling unit 200. This is due to the same formed film thickness of the oxide film 16 (the nominal formed film thickness in the case shown in Fig. 6 is 0.7 µm).

도 7a, 도 7b 및 도 7c는 불필요 자외선 컷트 필터가 그 외면 상에 형성된 비교예로서의 수냉 쟈켓관의 그 축방향으로 다른 각 영역의 표면 상태를 본 현미경 사진이다. 디핑은 비교적 저렴한 막 형성 방법이지만, 막두께를 얇게 형성하면 소정 파장(예를 들면 320 nm) 미만의 자외선을 컷트하는 효과가 충분해지지 않고, 반대로 두껍게 형성하면 크랙이 발생하기 쉬워지는 등 기계적인 특성에 어려움이 발생하기 쉽다. 크랙이 발생하면 그곳으로부터 불필요 자외선이 새어나가므로 불필요 자외선을 컷트하는 효과가 충분해지지 않게 된다. 이와 같은 크랙 발생의 예를 비교예로서 도 7a, 도 7b, 도 7c 및 도 8을 참조하여 설명한다. 이 예에서의 불필요 자외선 컷트 필터는 수냉 쟈켓관의 외측의 면 위에 소정의 용액(용매와 용질)을 디핑하고 그 후에 이를 가열 처리하여 형성한 필터이다. 막두께와 크랙 발생의 관계를 보기 위해 디핑에 있어서는 고의로 수냉 쟈켓관의 축 방향으로 디핑에 의한 막의 두께를 바꾸고 있다.7A, 7B and 7C are micrographs which looked at the surface state of each other area | region in the axial direction of the water cooling jacket tube as a comparative example in which the unnecessary ultraviolet cut filter was formed on the outer surface. Dipping is a relatively inexpensive film forming method, but if the film thickness is formed thinly, the effect of cutting ultraviolet rays less than a predetermined wavelength (for example, 320 nm) is not sufficient. Difficulties are likely to occur. When a crack occurs, unnecessary ultraviolet rays will leak from there, and the effect of cutting unnecessary ultraviolet rays will not be sufficient. An example of such crack generation will be described with reference to FIGS. 7A, 7B, 7C, and 8 as comparative examples. The unnecessary ultraviolet cut filter in this example is a filter formed by dipping a predetermined solution (solvent and solute) on the outer surface of the water-cooled jacket tube and then heating it. In order to see the relationship between film thickness and crack occurrence, the thickness of the film by dipping is deliberately changed in the axial direction of the water-cooled jacket pipe in dipping.

도 7a, 도 7b 및 도 7c의 (Ⅱ), (Ⅲ), (Ⅳ)는 각각 이와 같은 불필요 자외선 컷트 필터가 그 외면상에 형성된 수냉 쟈켓관의 축 방향으로 다른 각 영역의 표면 상태를 도시하고 있다. 각 영역은 도 8의 그래프 가로에 대응이 도시되어 있다. (Ⅱ)로부터 (Ⅳ)를 향해 차례로 자외선 컷트 필터의 막두께가 두껍지만, 도 7a, 도 7b 및 도 7c에 도시한 바와 같이 이것과 마찬가지로 (Ⅱ)로부터 (Ⅳ)의 방향으로 크랙 발생이 현저하다. 그리고 도 8의 그래프에 나타내는 바와 같이 (Ⅳ)측일수록 불필요 자외선 컷트의 특성이 열화하고 있다. 도 8은 불필요 자외선 컷트 필터의 분광 투과율을 측정한 그래프이고, (Ⅱ), (Ⅲ), (Ⅳ)의 각각의 복수의 그래프는 각 영역 내의 다른 위치에서의 측정 결과에 대응하고 있다.7A, 7B, and 7C, (II), (III), and (IV) respectively show surface states of different regions in the axial direction of a water-cooled jacket tube in which such an unnecessary ultraviolet cut filter is formed on the outer surface thereof. have. Each region is shown corresponding to the graph width in FIG. Although the film thickness of the ultraviolet cut filter was thick in order from (II) to (IV), as shown in Figs. 7A, 7B and 7C, cracks were remarkable in the directions of (II) to (IV) similarly to this. Do. And as shown in the graph of FIG. 8, the characteristic of an unnecessary ultraviolet cut deteriorates as the (IV) side. 8 is a graph in which the spectral transmittances of the unnecessary ultraviolet cut filter are measured, and a plurality of graphs of (II), (III), and (IV) correspond to measurement results at different positions in the respective regions.

도 1, 도 2에 도시한 산화막(16)은 일반적으로 성막 원료의 비율, 용액의 도포 두께 조건, 그 가열 처리 조건 등에 의해 그 자외선 컷트 특성이 변동한다. 이를 이용하여 어느 정도의 범위 내이지만, 원하는 자외선 컷트 특성을 가진 분광 필터를 얻을 수 있다. 원하는 자외선 컷트 특성을 얻기 위해 산화막(16)의 막두께를 두껍게 형성할 필요가 있을 경우에는 원료 용액의 도포 횟수를 많게 하면 좋다. 또한 두꺼운 막두께로 형성되는 산화막(16)의 기계적인 강도를 향상시키기 위해서는 성막 원료로서 Ta를 첨가하는 것이 효과적이다(후술함).In the oxide film 16 shown in Figs. 1 and 2, the ultraviolet cut characteristics of the oxide film 16 generally vary depending on the ratio of the film forming raw material, the coating thickness condition of the solution, the heat treatment condition and the like. It can be used to obtain a spectroscopic filter which is within a certain range but has a desired ultraviolet cut characteristic. When it is necessary to form the film thickness of the oxide film 16 thickly in order to acquire desired ultraviolet cut characteristic, it is good to increase the application frequency of a raw material solution. In addition, in order to improve the mechanical strength of the oxide film 16 formed to a thick film thickness, it is effective to add Ta as a film forming raw material (to be described later).

특성예로서 원료 용액에서의 중량비가 SiO₂:TiO₂:Ta₂O₅=45:45:10인 경우에 형성되는 산화막(16)에서는 파장 350 nm 부근에서 투과율이 50% 정도, 파장 320 nm 부근에서 투과율이 5% 이하의 분광 필터로 할 수 있다.As an example, in the oxide film 16 formed when the weight ratio in the raw material solution is SiO ₂ : TiO ₂ : Ta ₂ O ₅ = 45: 45: 10, the transmittance is about 50% at wavelength 350 nm and around 320 nm wavelength. The transmittance may be a spectroscopic filter having a transmittance of 5% or less.

도 9는 도 6에 도시한 특성이 산화막(16)의 두께에 의해 어떻게 변화하는지를 나타내는 특성 비교도이다. 도시한 A에서 D를 향해 막두께가 두꺼운 경우의 특성을 도시하고 있다. 도 9에 도시한 바와 같이 산화막(16)의 막두께를 바꿔 자외선 컷트 특성을 제어성을 갖고 변동시킬 수 있다.FIG. 9 is a characteristic comparison diagram showing how the characteristics shown in FIG. 6 vary with the thickness of the oxide film 16. The characteristic in the case where film thickness is thick toward A to D shown is shown. As shown in Fig. 9, the film thickness of the oxide film 16 can be changed to change the ultraviolet cut characteristic with controllability.

상기 자외선 조사 장치를 1 유닛으로 하고, 이를 복수(예를 들면, 5 유닛) 이용하여 액정 패널 제조 장치를 구성할 수 있다. 이 액정 패널 제조 장치는 액정 패널 제조 공정에서 필요한, 예를 들면 도 10에 도시한 분광 분포를 가진 광을 방사시키는 것이 가능하다. 이에 의해 액정 패널 제조 공정에 있어서, 액정 패널로의 악영향을 억제하면서 그 공정에 적합한 자외광을 방사할 수 있다. 도 11은 도 10에 나타낸 도시 중의 파장 360 nm 이하의 부분을 확대하여 나타내는 특성도이다. 또한, 도 10 및 도 11은 감광 필터(광강도를 감소시키는 측정용 필터)를 사용하여 측정한 결과이다.A liquid crystal panel manufacturing apparatus can be comprised using the said ultraviolet irradiation device as 1 unit, and using a some (for example, 5 unit). This liquid crystal panel manufacturing apparatus can emit light having a spectral distribution, for example, shown in FIG. 10 required in the liquid crystal panel manufacturing process. Thereby, in the liquid crystal panel manufacturing process, the ultraviolet light suitable for the process can be emitted, suppressing the bad influence to a liquid crystal panel. FIG. 11 is an enlarged characteristic view of a portion having a wavelength of 360 nm or less in the illustration shown in FIG. 10. 10 and 11 show results measured using a photosensitive filter (a measurement filter for reducing light intensity).

도 12a, 도 12b는 도 1에 도시한 자외선 조사 장치가 방사하는 자외선의 강도 측정의 결과예를 나타내는 표이다. 도 12a, 도 12b를 참조하여 이 자외선 조사 장치의 제조 도중의 액정 패널에 악영향이 있는 파장역의 자외선 강도에 대해 설명한다. 상기 도면은 감광 필터를 통하지 않고 측정한 결과이다.12A and 12B are tables showing examples of results of intensity measurement of ultraviolet rays emitted by the ultraviolet irradiation device shown in FIG. 1. With reference to FIG. 12A and FIG. 12B, the ultraviolet intensity of the wavelength range which has a bad influence on the liquid crystal panel during manufacture of this ultraviolet irradiation device is demonstrated. The figure is a result measured without passing through the photosensitive filter.

도 12a는 파장 340 nm ~ 400 nm에서 감도 피크를 가지며, 예를 들면 오크사제의 강도계 「UV-35」 또는 우시오 덴키제의 강도계 「UVD-S365」로 측정한 결과이다. 도 12b는 파장 300 nm ~ 320 nm에서 감도 피크를 가지며, 예를 들면 오크사제의 강도계 「UV-31」로 측정한 결과이다. 제조 도중의 액정 패널에 열화 대미지를 주는 자외선의 파장은 320 nm 미만에서 볼 수 있다. 한편, 제조 도중의 액정 패널에 필요한 자외선의 파장은 예를 들면 320 nm ~ 380 nm이다. 따라서 도 12a에 도시한 측정 결과를 100%로 한 경우, 도 12B에 도시한 측정 결과는 작은 쪽이 좋고, 구체적으로는 5% 이하가 바람직하다. 더 바람직하게는 1% 이하가 좋다.FIG. 12A shows a sensitivity peak at a wavelength of 340 nm to 400 nm, and is measured by, for example, an intensity meter "UV-35" manufactured by Oak Corporation or an intensity meter "UVD-S365" manufactured by Ushio Denki. FIG. 12B shows a sensitivity peak at a wavelength of 300 nm to 320 nm, and is measured by, for example, a strength meter "UV-31" manufactured by Oak Corporation. The wavelength of the ultraviolet rays that cause deterioration damage to the liquid crystal panel during manufacturing can be seen at less than 320 nm. In addition, the wavelength of the ultraviolet-ray required for the liquid crystal panel during manufacture is 320 nm-380 nm, for example. Therefore, when the measurement result shown in FIG. 12A is made into 100%, the smaller one is preferable, and 5% or less is preferable. More preferably, it is 1% or less.

도 12a는 파장 340 nm ~ 400 nm에서 감도 피크를 가진 강도계에 의한 결과로서, 광의 강도가 최대 90 mW/㎠, 최소 77.2 mW/㎠, 평균 85.6 mW/㎠인 것을 도시하고 있다. 또한, 도 12b는 파장 300 nm ~ 320 nm에서 감도 피크를 가진 강도계에 의한 결과로서 광의 강도가 최대 0.118 mW/㎠, 최소 0.09 mW/㎠, 평균 0.105 mW/㎠인 것을 나타내고 있다.FIG. 12A shows that the intensity of the light is as high as 90 mW / cm 2, at least 77.2 mW / cm 2, and average 85.6 mW / cm 2 as a result of an intensity meter having a sensitivity peak at wavelengths 340 nm to 400 nm. 12B shows that the intensity of the light is 0.118 mW / cm 2 at the minimum, 0.09 mW / cm 2 at the average, and 0.105 mW / cm 2 at the average as a result of the intensity meter having a sensitivity peak at the wavelength of 300 nm to 320 nm.

따라서 최대값들의 비교로 약 0.13%, 최소값들의 비교로 약 0.12%, 평균값들의 비교로 약 0.12%이다. 이들은 매우 바람직해지는 1% 보다 더 작다. 따라서 이 자외선 조사 장치에 의하면 제조 도중의 액정 패널로의 열화 대미지를 억제하면서 이것에 원하는 파장의 자외선을 조사할 수 있다.Therefore, it is about 0.13% by comparison of the maximum values, about 0.12% by comparison of the minimum values, and about 0.12% by comparison of the average values. These are smaller than 1%, which becomes very desirable. Therefore, according to this ultraviolet irradiation device, ultraviolet-ray of a desired wavelength can be irradiated to this, restraining deterioration damage to the liquid crystal panel during manufacture.

계속해서 도 13은 도 5와는 다른 도 1에 도시한 메탈할라이드 램프가 방사하는 광의 분광 분포의 예를 나타내는 특성도이다. 이 경우의 메탈할라이드 램프(100)는 희가스 외에 수은, 요오드화 탈륨(TlI)을 봉입하고 있다. 그 점등의 조건은 램프 전압이 1.31 kV, 램프 전류가 10.3 A, 램프 전력이 12 kW이다.13 is a characteristic diagram which shows the example of the spectral distribution of the light which the metal halide lamp shown in FIG. 1 differs from FIG. The metal halide lamp 100 in this case encapsulates mercury and thallium iodide (TlI) in addition to the rare gas. The lighting conditions are 1.31 kV in lamp voltage, 10.3 A in lamp current, and 12 kW in lamp power.

도 14는 도 10과는 다른 도 1에 도시한 자외선 조사 장치가 방사하는 광의 분광 분포의 예를 나타내는 특성도이고, 구체적으로는 도 13에 특성을 나타낸 메탈할라이드 램프(100)를 사용한 자외선 조사 장치의 경우이다. 이와 같은 분광 분포의 자외선 방사라도 제조 도중의 액정 패널로의 악영향을 억제하면서 그 공정에 적합한 자외선 조사가 가능하다. 또한, 도 15는 도 14에 나타낸 도시 중의 파장 360 nm 이하를 확대하여 나타내는 특성도이다. 도 14, 도 15는 도 10, 도 11에 도시한 경우와 마찬가지로 감광 필터를 사용하여 측정한 결과이다.FIG. 14 is a characteristic diagram showing an example of a spectral distribution of light emitted by the ultraviolet irradiation device shown in FIG. 1 different from FIG. 10. Specifically, the ultraviolet irradiation device using the metal halide lamp 100 having the characteristics shown in FIG. Is the case. Even the ultraviolet radiation of such spectral distribution can irradiate ultraviolet-ray suitable for the process, suppressing the bad influence to the liquid crystal panel during manufacture. 15 is a characteristic diagram which expands and shows wavelength 360 nm or less in the illustration shown in FIG. 14 and 15 are the results measured using the photosensitive filter as in the case shown in FIGS. 10 and 11.

도 16a, 도 16b는 도 12a, 도 12b에 도시한 것과는 다른 도 1에 도시한 자외선 조사 장치가 방사하는 자외선의 강도 측정의 결과예를 나타내는 표이다. 도 16a, 도 16b를 참조하여 이 자외선 조사 장치의 제조 도중의 액정 패널에 악영향이 있는 파장역의 자외선 강도에 대해 설명한다. 도 16a, 도 16b는 감광 필터를 통하지 않고 측정한 결과이다. 또한, 도 16a, 도 16b에 대해서는 그 사용한 강도계, 그 관점이나 평가에 대해 도 12a, 도 12b에서의 설명과 동일하다.16A and 16B are tables showing examples of the results of intensity measurement of ultraviolet rays emitted from the ultraviolet irradiation device shown in FIG. 1 different from those shown in FIGS. 12A and 12B. With reference to FIG. 16A and FIG. 16B, the ultraviolet intensity of the wavelength range which has a bad influence on the liquid crystal panel during manufacture of this ultraviolet irradiation device is demonstrated. 16A and 16B show results obtained without passing through the photosensitive filter. 16A and 16B are the same as the description in FIG. 12A and FIG. 12B for the strength meter used, the viewpoint and the evaluation thereof.

도 16a는 파장 340 nm ~ 400 nm에서 감도 피크를 가진 강도계에 의한 결과로서, 광의 강도가 최대 83.3 mW/㎠, 최소 71 mW/㎠, 평균 78.4 mW/㎠인 것을 도시하고 있다. 또한, 도 16b는 파장 300 nm ~ 320 nm에서 감도 피크를 가진 강도계에 의한 결과로서 광의 강도가 최대 0.093 mW/㎠, 최소 0.077 mW/㎠, 평균 0.086 mW/㎠인 것을 나타내고 있다.FIG. 16A shows that the intensity of light is 83.3 mW / cm 2, at least 71 mW / cm 2, and average 78.4 mW / cm 2 as a result of an intensity meter having a sensitivity peak at wavelengths 340 nm to 400 nm. 16B shows that the intensity of the light is 0.093 mW / cm 2 at least, 0.077 mW / cm 2 at minimum, and 0.086 mW / cm 2 at an average as a result of an intensity meter having a sensitivity peak at a wavelength of 300 nm to 320 nm.

따라서 최대값들의 비교로 약 0.112%, 최소값들의 비교로 약 0.108%, 평균값들의 비교로 약 0.110%이다. 이들은 매우 바람직하게 되는 1% 이하 보다 더 작다. 따라서 요오드화 탈륨이 봉입된 메탈할라이드 램프를 사용한 자외선 조사 장치라고 해도 제조 도중의 액정 패널로의 열화 대미지를 억제하면서 이것에 원하는 파장의 자외선을 조사할 수 있다.Therefore, it is about 0.112% by comparison of the maximum values, about 0.108% by comparison of the minimum values, and about 0.110% by comparison of the average values. They are smaller than 1% or less which becomes very desirable. Therefore, even if it is an ultraviolet irradiation device using the metal halide lamp in which thallium iodide was enclosed, the ultraviolet-ray of a desired wavelength can be irradiated to this, restraining deterioration damage to the liquid crystal panel during manufacture.

계속해서 제조 도중의 액정 패널에 필요한 자외선의 파장에 대해 설명한다. 이것은 액정 패널을 제조할 때 사용하는 자외선 경화형 수지를 경화 개시하는 광개시제의 흡수 파장 대역으로서 규정할 수 있고, 예를 들면 320 nm ~ 380 nm이다. 이와 같은 광개시제로서 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논을 예로 들 수 있다. 이 광개시제의 광흡수 특성을 도 17에 도시한다. 도 17에서 「0.0020%」, 「0.0011%」는 수지 중의 농도를 나타낸다. 도 17에서 파장 200 nm대에서 큰 흡수 특성이 도시되어 있지만, 실제로 조사되는 자외선의 파장인 320 nm ~ 380 nm에서의 자외선 흡수에 의해 상기 물질은 광개시제로서 기능한다.Subsequently, the wavelength of the ultraviolet ray required for the liquid crystal panel during manufacturing will be described. This can be prescribed | regulated as the absorption wavelength band of the photoinitiator which hardens-initiates the ultraviolet curable resin used at the time of manufacturing a liquid crystal panel, and is 320 nm-380 nm, for example. 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone is mentioned as such a photoinitiator. The light absorption characteristic of this photoinitiator is shown in FIG. In FIG. 17, "0.0020%" and "0.0011%" represent the concentration in resin. Although large absorption characteristics are shown in FIG. 17 at a wavelength of 200 nm, the material functions as a photoinitiator by ultraviolet absorption at 320 nm to 380 nm, which is the wavelength of ultraviolet rays actually irradiated.

이상의 실시형태에서는 산화물(16)에 의한 불필요 자외선 컷트 필터가 이중관의 외관(13)의 외면 상에 형성되어 있으므로, 대면적을 조사할 때 과제가 되는 맞댐면으로부터의 광 누출이나 열에 의한 팽창 수축에 의한 필터들의 충돌에 의한 균열 등의 문제를 억제할 수 있다. 또한, 불필요 자외선 컷트 필터가 여러 가지 형상의 물체(物)의 표면에 원료 용액을 도포하여 가열 처리하여 형성할 수 있으므로 형성의 자유도가 높고, 또한 저렴하다는 이점이 있다. 형성의 자유도가 높다는 의미에서 산화물(16)에 의한 불필요 자외선 컷트 필터는 이중관의 내관(12)의 메탈할라이드 램프(100)에 대향하는 면 위에 형설할 수도 있다.In the above embodiment, since the unnecessary ultraviolet cut filter by the oxide 16 is formed on the outer surface of the outer surface 13 of the double pipe, the expansion and contraction due to light leakage or heat from the butt surface, which is a problem when irradiating a large area, is a problem. It is possible to suppress problems such as cracking due to collision of filters. In addition, since the unnecessary ultraviolet cut filter can be formed by applying a raw material solution to a surface of an object having various shapes and performing heat treatment, there is an advantage that the degree of freedom of formation is high and inexpensive. In the sense that the degree of freedom of formation is high, the unnecessary UV cut filter by the oxide 16 may be formed on the surface of the inner tube 12 of the double tube facing the metal halide lamp 100.

이 실시형태에서는 이하와 같은 변형을 가할 수 있다. 산화막(16)은 외관(13)의 외면 상에 형설한 경우를 설명했지만, 이미 설명한 바와 같이 이중관의 내관(12)의 메탈할라이드 램프(100)에 대향하는 면 상에 형설하도록 해도 좋고, 또는 이들의 양자를 형설하도록 해도 좋다. 또한 산화막(16)을 내관(12), 외관(13)의 냉각액과 면하는 표면 상에 형설하는 것도 생각할 수 있다. 그 경우도 산화막(16)의 형성 방법으로서는 원료 용액을 디핑 등의 방법으로 도포하고, 그 후 가열 처리하여 정착시키는 방법을 채용할 수 있다.In this embodiment, the following modifications can be applied. Although the case where the oxide film 16 was formed on the outer surface of the exterior 13 was demonstrated, you may form on the surface which opposes the metal halide lamp 100 of the inner tube 12 of a double pipe as already demonstrated, or these Both may be formed. It is also conceivable to form the oxide film 16 on the surface facing the cooling liquid of the inner tube 12 and the exterior 13. Also in this case, as the formation method of the oxide film 16, the method of apply | coating a raw material solution by methods, such as dipping, and heat-processing and fixing after that can be employ | adopted.

원료 용액의 디핑은 이미 설명한 바와 같이, 냉각 유닛(200)의 이중관을 긴 방향으로 그 방향을 바꿔 복수회 산화물의 용액이 수납된 조 내로부터 끌어올리도록 실시할 수 있지만, 이하와 같은 방법을 채용할 수도 있다. 즉, 한번에 외관(13)의 긴 방향 전체에 도포하는 것이 아니라 예를 들면 절반마다 실시해도 좋다. 보다 구체적으로 첫번째는 외관(13)의 중간 부근까지 도포하고, 두번째는 반대측으로부터 그 중간 부근까지 도포한다. 이 때 디핑 영역이 충분하지 않고 자외선의 컷트 특성이 불완전해지는 영역이 발생하는 것을 해소하기 위해, 외관(13)의 긴 방향의 중앙에서 일부 막이 겹치도록 디핑하는 것이 바람직하다. 이에 의하면 보다 장척(長尺)의 외관(13)의 경우에도 전체로서 동일한 막두께의 디핑이 가능해진다. 더 균일한 막두께로 하기 위해 상기 첫번째, 두번째의 조작을 다시 한번(즉, 합계 네번의 도포를) 실시하도록 해도 좋다.As described above, the dipping of the raw material solution can be carried out so that the double pipe of the cooling unit 200 is changed in the longitudinal direction to be pulled up from the tank in which the solution of the oxide is stored a plurality of times. You may. That is, instead of applying to the entire longitudinal direction of the appearance 13 at once, for example, you may carry out every half. More specifically, the first is applied to the vicinity of the middle of the appearance 13, the second is applied from the opposite side to the vicinity of the middle. At this time, in order to eliminate the occurrence of a region in which the dipping region is not sufficient and the cut characteristic of the ultraviolet rays is incomplete, it is preferable to dip so that some films overlap in the center of the long direction of the appearance 13. According to this, even in the case of the longer appearance 13, dipping of the same film thickness as a whole is attained. In order to achieve a more uniform film thickness, the above first and second operations may be performed once again (that is, four times in total).

계속해서 도 18은 본 발명의 다른 실시형태인 자외선 조사 장치의 구성을 도시한 종단면도이고, 도 19는 도 18에 도시한 B-Ba 위치의 화살표 방향의 단면도이다. 이미 설명한 실시형태와 동일한 구성 부분에는 동일 부호를 붙이고, 그 설명은 생략한다.18 is a longitudinal cross-sectional view which shows the structure of the ultraviolet irradiation device which is another embodiment of this invention, and FIG. 19 is sectional drawing of the arrow direction of the B-Ba position shown in FIG. The same code | symbol is attached | subjected to the same component part as embodiment mentioned above, and the description is abbreviate | omitted.

이 실시형태는 냉각 유닛(200)의 이중관의 외면 상에 산화막을 형성하지 않고, 냉각 유닛(200)의 외관(13)으로부터 이간(離間)하여 대향 배치한 자외선 투과성 유리판(162)의 면 위에 Ti를 주 성분으로 한 산화막(161)을 형설한 것이다. 산화막(161)은 예를 들면 인쇄 등의 수법에 의해 원하는 분광 투과 특성을 가진 막두께로서 형성할 수 있다.In this embodiment, without forming an oxide film on the outer surface of the double tube of the cooling unit 200, the Ti film is formed on the surface of the ultraviolet-transmissive glass plate 162 spaced apart from the outer surface 13 of the cooling unit 200 so as to face each other. An oxide film 161 having a main component is formed. The oxide film 161 can be formed as a film thickness having desired spectral transmission characteristics by, for example, printing or the like.

산화막(161)은 도시한 바와 같이 유리판(162)의 냉각 유닛(200)에 대향하는 면(표의 면) 상에 형성하는 것 이외에 유리판(162)의 내면 상에 형성할 수도 있다. 또는 양면 상에 형성해도 좋다.The oxide film 161 may be formed on the inner surface of the glass plate 162 in addition to being formed on the surface (surface of the table) facing the cooling unit 200 of the glass plate 162 as shown. Or you may form on both surfaces.

이 실시형태의 경우, 자외선 투과성 유리판(162) 상에 원료 용액을 인쇄하는 등을 한 후에 가열 처리하여 산화막(161)을 형성하므로 인쇄 시점에서 그 막두께의 조정이 용이하다. 이에 의해 산화막(161)으로서 원하는 분광 투과 특성을 얻는 것도 용이해진다.In the case of this embodiment, since the oxide film 161 is formed by heat-processing after printing a raw material solution on the ultraviolet permeable glass plate 162, etc., it is easy to adjust the film thickness at the time of printing. This also makes it easy to obtain desired spectral transmission characteristics as the oxide film 161.

또한, 변형예로서 도 18에 도시한 자외선 조사 장치에 추가로 열선 흡수 필터를 부가하도록 구성해도 좋다. 일종의 광학 필터인 열선 흡수 필터를 부가하여 설치하는 것에 의해 피조사물에서 필요가 없는 예를 들면 400 nm 이상의 광을 더 확실히 컷트할 수 있다. 이와 같은 열선 흡수 필터는 도 18에 도시한 냉각 유닛(200)의 이중관 내에 설치할 수 있다. 보다 구체적으로 이중관의 내관(12)과 외관(13) 사이의 공간 내에 내관(12)을 통형상으로 둘러싸도록 위치시킬 수 있다. 이중관 내에 설치하여 이 열선 흡수 필터가 열선에서 과열되는 것을 억제한다.In addition, as a modification, you may comprise so that a heat ray absorption filter may be further added to the ultraviolet irradiation device shown in FIG. By providing and installing a heat ray absorption filter which is a kind of optical filter, the light which is not necessary in the irradiated object, for example, 400 nm or more can be cut more reliably. Such a heat ray absorption filter can be installed in the double pipe of the cooling unit 200 shown in FIG. More specifically, the inner tube 12 may be positioned in a space between the inner tube 12 and the outer tube 13 of the double tube in a cylindrical shape. It is provided in a double pipe and suppresses this heat ray absorption filter from overheating in a heat ray.

또한, 다른 변형예로서 유리판(162) 상에 산화막(161)의 광학 필터를 설치하고, 또한 열선 반사 필터를 추가로 구비하도록 구성할 수도 있다. 이 경우도 일종의 광학 필터인 열선 반사 필터를 부가적으로 설치하는 것에 의해 피조사물에서 필요가 없는 예를 들면 400 nm 이상의 광을 더 확실히 컷트할 수 있다. 열선 반사 필터에 대해서는 후술하는 실시형태(도 22)에서 설명하는 구성의 것을 이용할 수 있다.As another modification, the optical filter of the oxide film 161 may be provided on the glass plate 162 and may further include a heat ray reflection filter. Also in this case, by additionally providing a heat ray reflection filter, which is a kind of optical filter, it is possible to more reliably cut, for example, 400 nm or more of light that is not necessary in the irradiated object. About the heat ray reflection filter, the thing of the structure demonstrated in embodiment (FIG. 22) mentioned later can be used.

또한, 메탈할라이드 램프(100)에 봉입하는 발광 금속으로서는 파장 예를 들면 320 nm ~ 380 nm의 자외선을 발광할 수 있는 금속이면 채용할 수 있다.As the light emitting metal encapsulated in the metal halide lamp 100, any metal that can emit ultraviolet light having a wavelength of, for example, 320 nm to 380 nm can be employed.

계속해서 상기 설명한 자외선 조사 장치의 산화막(16)(또는 산화막(161)이라도 동일함, 이하 동일)에 대해 그 막두께 및 그 제조 공정에 대해 보충하여 이하 설명한다. 이미 산화막(16)의 막두께를 바꿔 자외선 컷트 특성을 제어성을 가지고 변동시킬 수 있는 것을 설명했지만, 우선 이 바람직한 막두께의 범위에 대해 보다 구체적으로 설명한다.Subsequently, the oxide film 16 (or even the oxide film 161 is the same, or the same below) of the ultraviolet irradiation device described above will be described below by supplementing the film thickness and the manufacturing process thereof. Although the film thickness of the oxide film 16 was changed already and the ultraviolet cut characteristic was changed with controllability, it demonstrated first more concretely about the range of this preferable film thickness.

도 20은 도 1에 도시한 자외선 조사 장치가 가진 산화막(불필요 자외선 컷트 필터)의 분광 투과율의 예를 그 형성 막두께의 차이로 비교하여 나타내는 특성도이다. 형성 막 두께로서 0.1 ㎛, 0.3 ㎛, 0.5 ㎛, 1.0 ㎛, 1.3 ㎛, 1.5 ㎛의 6종의 것을 시료로 준비하여 측정했다. 또한, 도 6 등에서 투과 특성을 나타낸 산화막(16)의 경우의 그 막두께는 이미 설명한 바와 같이 0.7 ㎛이고, 그 성막 원료는 SiO₂:TiO₂:Ta₂O₅=45:45:10의 비(比)의 중량%의 용질을 소정의 용액에 용해시킨 것이다. 또한 형성된 이들의 산화막의 막두께는 예를 들면 투과형 전자현미경(TEM)을 이용하여 측정할 수 있다.FIG. 20 is a characteristic diagram showing an example of the spectral transmittance of an oxide film (unnecessary ultraviolet cut filter) included in the ultraviolet irradiation device shown in FIG. 1 compared with the formed film thickness. As the formed film thickness, six kinds of 0.1 µm, 0.3 µm, 0.5 µm, 1.0 µm, 1.3 µm and 1.5 µm were prepared as samples and measured. In addition, in the case of the oxide film 16 showing the permeation characteristics in FIG. 6 and the like, the film thickness is 0.7 µm as described above, and the film forming raw material has a ratio of SiO ₂ : TiO ₂ : Ta ₂ O ₅ = 45: 45: 10. (%) Of the solute is dissolved in a predetermined solution. In addition, the film thickness of these formed oxide films can be measured, for example using a transmission electron microscope (TEM).

도 20으로부터 이해할 수 있는 바와 같이 막두께가 0.1 ㎛인 경우의 자외선 컷트 특성과 비교하여 막두께가 1.5 ㎛까지 증가할수록 차례로 그 자외선 컷트 특성은 장파장측으로 어긋나간다. 실제로 필요한 분광 특성을 감안하면 막두께가 0.3 ㎛ 내지 1.3 ㎛의 경우는 필요한 자외선(파장 320 nm 내지 380 nm)을 투과시키고, 또한 불필요한 자외선(파장 320 nm 미만)을 컷트하는 특성으로서 바람직하다고 생각된다.As can be understood from FIG. 20, compared with the ultraviolet cut characteristic when the film thickness is 0.1 micrometer, as the film thickness increases to 1.5 micrometers, the ultraviolet cut characteristic shifts to the long wavelength side in order. Considering the spectral characteristics actually required, the film thickness of 0.3 µm to 1.3 µm is considered to be preferable as a characteristic of transmitting the necessary ultraviolet rays (wavelengths 320 nm to 380 nm) and cutting unnecessary ultraviolet rays (less than wavelength 320 nm). .

즉, 막두께가 0.3 ㎛ 미만이면 불필요한 자외선을 충분히 컷트할 수 없다고 볼 수 있다. 한편, 막두께가 1.3 ㎛ 초과의 경우는 필요한 자외선을 충분히 투과시키는 작용이 손상된다.That is, when the film thickness is less than 0.3 µm, it can be said that unnecessary ultraviolet rays cannot be cut sufficiently. On the other hand, when the film thickness is more than 1.3 mu m, the effect of sufficiently transmitting the necessary ultraviolet rays is impaired.

산화막(16)의 바람직한 막두께에 대해서는 그 기계적인 견뢰성(크랙 발생의 어려움)도 고려할 필요가 있다. 이를 위해서는 산화막(16)의 성막 원료로서 Ta를 첨가하는 것이 효과적인 것을 이미 설명했지만, 이 점은 다음에 참조하는 도 21을 봐도 도시되어 있다. 또한 산화막(16)의 불필요 자외선 컷트 특성 및 기계적 특성을 고려하면, 실용상 막두께를 0.5 ㎛ 이상, 1.0 ㎛ 이하로 하는 것이 더 좋은 감촉을 발명자들은 얻고 있다.As for the preferable film thickness of the oxide film 16, it is also necessary to consider the mechanical fastness (difficult to generate cracks). For this purpose, it has already been explained that adding Ta as a film forming raw material of the oxide film 16 is effective, but this point is illustrated even with reference to FIG. In view of the unnecessary ultraviolet cut characteristics and the mechanical characteristics of the oxide film 16, the inventors have obtained a better feel for practically making the film thickness 0.5 µm or more and 1.0 µm or less.

도 21은 산화막(16)의 성막 원료의 중량%를 변경했을 때 얻어지는 각종 산화막(16)에 대해 그 분광 특성(불필요 자외선 컷트 특성, 필요 자외선의 투과 특성) 및 크랙의 발생을 평가한 결과를 나타내는 표이다. 성막 원료로서 TiO₂, Ta₂O₅의 각각의 중량%를 바꾼 용질을 포함하는 용액을 이용하여 산화막(16)을 형성했다. 중량%의 나머지는 SiO₂이다. 또한, 형성 막두께는 0.7 ㎛이다.FIG. 21 shows the results of evaluating the spectral characteristics (unnecessary ultraviolet ray cut characteristics, required ultraviolet ray transmission characteristics) and the occurrence of cracks for various oxide films 16 obtained when the weight% of the film forming raw material of the oxide film 16 is changed. Table. The oxide film 16 by using a solution containing a solute changing each weight% of TiO _{_2,} Ta ₂ O ₅ as a film-forming material was formed. The balance by weight is SiO ₂ . In addition, the formation film thickness is 0.7 micrometer.

도 21에서 「×」는 사용할 수 없다(불가)고 판단되는 것, 「○」은 사용할 수 있다(가능)고 판단할 수 있는 것, 「◎」은 특히 우수하다(양호)고 판단되는 것을 나타내고 있다.In Fig. 21, "x" indicates that it is judged to be unavailable (not possible), "○" indicates that it can be used (possible), and "◎" indicates that it is judged to be particularly excellent (good). have.

도 21에 나타낸 결과를 결론부터 말하면, TiO₂가 30 중량% 내지 50 중량%이고, 또한 Ta₂O₅가 1 중량% 내지 15 중량%인 경우에는 분광 특성으로서 불가가 없고, 또한 크랙 발생도 불가가 없으므로 이들을 종합해도 불가가 없다고 평가할 수 있다. 또한, TiO₂가 40 중량% 내지 50 중량%이고, 또한 Ta₂O₅가 5 중량% 내지 15 중량%인 경우는 더 좋다고 생각된다. 또한, 크랙의 발생은 거의 동일하게 Ta₂O₅의 함유가 많을수록 적어지고, Ta₂O₅를 성막 원료에 첨가하는 것의 효과가 나타나 있다.Referring to the results shown in FIG. 21 from the conclusion, when TiO ₂ is 30% by weight to 50% by weight, and when Ta ₂ O ₅ is 1% by weight to 15% by weight, there is no impossibility as spectral characteristics and cracks are not possible. It can be estimated that there is no impossibility to synthesize these because there is no. If addition, the TiO ₂ and 40 wt.% To 50 wt%, and Ta ₂ O ₅ of 5% by weight to 15% by weight is considered better. Further, the occurrence of cracks is almost the same as the less the more the content of Ta ₂ O _5, it is shown the effect of the addition of Ta ₂ O ₅ in the film-forming raw material.

계속해서 상기 설명한 자외선 조사 장치의 제조에 대해 그 개략적인 과정을 설명한다.Subsequently, the outline process for the manufacture of the above-described ultraviolet irradiation device will be described.

우선, 도 1에 도시한 내관(12)과 외관(13)을 구비한 이중관을 준비한다. 계속해서 이중관의 외관(13)의 외면 상 또는 이중관의 내관(12)의 폐쇄된 공간을 면하는 측이 아닌 측의 면 위에 산화막(16)의 성막 원료인 용질을 함유하는 용액을 예를 들면 디핑에 의해 도포한다. 용질은 도 21을 참조하여 설명한 바람직한(○이상의) 원료비(原料比) 중에서 선택한다.First, a double tube having an inner tube 12 and an outer tube 13 shown in FIG. 1 is prepared. Subsequently, for example, a solution containing a solute as a raw material for film formation of the oxide film 16 is dipped on the outer surface of the outer tube 13 or on the side of the double tube that is not the side facing the closed space of the inner tube 12. By coating. The solute is selected from the preferred (greater than or equal) raw material ratio described with reference to FIG.

계속해서 용액이 도포된 이중관을 가열 처리하고, 이중관의 면 위에 피착하여 산화막(16)을 소정 막두께로 형성(베이킹)한다. 이 소정 막두께는 도 20을 참조하여 설명한 바람직한 막두께이다. 설명이 전후하지만 이와 같이 바람직한 막두께로 형성되는 바와 같이 상기 디핑으로는 그 용액의 도포 막두께를 제어한다. 가열 처리에 의해 얻어지는 산화막(16)에는 Ti, Si는 잔류하지만, Ta는 약간 잔류할 뿐이다. 이는 가열 처리에 의해 Ta가 기중(氣中)에 방산(放散)하기 때문이라고 생각된다. 단, 가열 처리 중에서 Ta가 존재하는 것에 의해 크랙이 발생하기 어려운 일양성(一樣性)이 높은 막의 형성에 기여하고 있다. 이 기여한 점은 도 21에 도시한 바와 같다.Subsequently, the double tube to which the solution is applied is heat-treated and deposited on the surface of the double tube to form (bak) the oxide film 16 to a predetermined film thickness. This predetermined film thickness is a preferable film thickness described with reference to FIG. Before and after the description, as described above, the dipping is used to control the coating film thickness of the solution. Ti and Si remain in the oxide film 16 obtained by the heat treatment, but only Ta remains slightly. This is considered to be because Ta dissipates in the air by heat treatment. However, the presence of Ta in the heat treatment contributes to the formation of a mono-monotropic film that is hardly cracked. This contribution is as shown in FIG.

이중관에 산화막(16)을 형성하면, 계속해서 이 이중관의 내관(12)의 내측에 통형상인 석영유리 소재의 발광관(31)을 구비한 메탈할라이드 램프(100)를 배치한다. 이상에 의해 도 1에 도시한 자외선 조사 장치를 제조할 수 있다.When the oxide film 16 is formed in the double tube, a metal halide lamp 100 having a tubular quartz glass light emitting tube 31 is disposed inside the inner tube 12 of the double tube. The ultraviolet irradiation device shown in FIG. 1 can be manufactured by the above.

계속해서 또 다른 실시형태에 대해 도 22, 도 23을 참조하여 설명한다. 도 22는 본 발명의 또 다른 실시형태인 자외선 조사 장치의 구성을 나타내는 종단면도이고, 도 23은 도 22에 도시한 C-Ca 위치의 화살표 방향의 단면도이다. 도 22, 도 23에서 이미 설명한 구성 요소에는 동일 부호를 붙이고, 부가하는 사항이 없는 한 그 설명을 생략한다.Subsequently, another embodiment will be described with reference to FIGS. 22 and 23. FIG. 22 is a longitudinal cross-sectional view showing the structure of an ultraviolet irradiation device according to still another embodiment of the present invention, and FIG. 23 is a cross-sectional view of the arrow direction at the C-Ca position shown in FIG. The components already described with reference to FIGS. 22 and 23 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted unless there are additional items.

이 실시형태의 발광관(31) 내에는 램프의 시동성(始動性)을 안정시키기 위해 충분한 양인 1.3 kPa의 희가스(아르곤)가 봉입되는 것 외에 수은 0.9 mg/㎤, 요오드화 수은 0.08 mg/㎤, 철 0.01 mg/㎤, 주석 0.005 mg/㎤가 봉입되어 있다.The light emitting tube 31 of this embodiment is filled with 1.3 kPa of rare gas (argon), which is sufficient to stabilize the startability of the lamp, and 0.9 mg / cm 3 of mercury, 0.08 mg / cm 3 of mercury iodide, and iron. 0.01 mg / cm 3 and 0.005 mg / cm 3 of tin are encapsulated.

메탈할라이드 램프(100)의 봉입물로서는 요오드화 탈륨(TlI)을 첨가 또는 철 대신에 봉입하도록 해도 좋다. 이에 의하면 도 11에 도시한 바와 같이 새롭게 파장 352 nm, 378 nm의 자외선의 강도가 높아지고, 필요한 자외선역의 강도를 늘릴 수 있다. 도 11은 이미 설명한 도면이지만, 도 22에 도시한 메탈할라이드 램프가 방사하는 광의 분광 분포의 예를 나타내는 특성도이다.As an enclosure of the metal halide lamp 100, thallium iodide (TlI) may be added or sealed in place of iron. As a result, as shown in Fig. 11, the intensity of ultraviolet rays having wavelengths of 352 nm and 378 nm is newly increased, and the intensity of the required ultraviolet region can be increased. Although FIG. 11 is the figure demonstrated already, it is a characteristic view which shows the example of the spectral distribution of the light which the metal halide lamp shown in FIG. 22 emits.

도 22에 도시한 산화막(16)의 분광 투과율 특성이 그 두께에 따라서 어떻게 변화하는지에 대해서는 이미 설명한 도 7을 참조할 수 있다. 도 7에 도시한 바와 같이 산화막(16)의 막두께를 바꿔 자외선 컷트 특성을 제어성을 가지고 변동시킬 수 있다.Referring to FIG. 7 described above, how the spectral transmittance characteristics of the oxide film 16 shown in FIG. 22 changes depending on its thickness can be referred to. As shown in Fig. 7, the film thickness of the oxide film 16 can be changed to vary the ultraviolet cut characteristic with controllability.

상기 자외선 조사 장치를 1 유닛으로 하고, 이것을 복수(예를 들면 5 유닛) 이용하여 액정 패널 제조 장치를 구성할 수 있다. 이 액정 패널 제조 장치는 액정 패널 제조 공정에 있어서 필요한 이미 설명한 도 10에 도시한 분광 분포를 가진 광을 방사시키는 것이 가능하다. 이에 의해 액정 패널 제조 공정에 있어서, 액정 패널로의 악영향을 억제하면서 그 공정에 적합한 자외광을 방사할 수 있다.A liquid crystal panel manufacturing apparatus can be comprised using the said ultraviolet irradiation device as 1 unit, and using a some (for example, 5 unit). This liquid crystal panel manufacturing apparatus can emit light having the spectral distribution shown in FIG. 10 described above which is necessary for the liquid crystal panel manufacturing process. Thereby, in the liquid crystal panel manufacturing process, the ultraviolet light suitable for the process can be emitted, suppressing the bad influence to a liquid crystal panel.

도 22에 도시한 자외선 조사 장치가 방사하는 자외선의 강도 측정의 결과예에 대해서는 이미 설명한 도 12a, 도 12b를 참조할 수 있다. 도 12a, 도 12b에 대해서는 그 사용한 강도계, 그 관점이나 평가에 대해 이미 설명한 바와 같다.As a result of measuring the intensity of ultraviolet light emitted by the ultraviolet irradiation device shown in FIG. 22, reference may be made to FIGS. 12A and 12B described above. 12A and 12B have already been described with reference to the used strength meter, its viewpoint and evaluation.

다시 도 22 및 도 23을 참조하여 도면 부호 "17"은 냉각 유닛(200)과 피조사체인 액정 패널(18) 사이에 배치된 일종의 광학 필터인 열선 반사 필터이다. 열선 반사 필터(17)는 예를 들면 SiO₂과 ZrO₂ 또는 CeO₂와 SiO₂로 이루어진 막(다층이라도 좋음)이고, 예를 들면 유리판 상에 형성할 수 있다.Referring to FIGS. 22 and 23 again, reference numeral “17” is a heat ray reflection filter, which is a kind of optical filter disposed between the cooling unit 200 and the liquid crystal panel 18 as the irradiated body. The heat ray reflection filter 17 is, for example, a film made of SiO ₂ and ZrO ₂ or CeO ₂ and SiO ₂ (which may be multiple layers), and can be formed on a glass plate, for example.

열선 반사 필터(17)가 설치되는 것에 의해 메탈할라이드 램프(100)로부터 방사되는 불필요 광인 파장 400 nm 정도 이상의 가시광 및 적외광(열선)이 피조사체에 도달하는 것을 방지할 수 있다. 이 열선 반사 필터(17)는 도 24에 도시한 분광 투과 특성을 가진 현재 존재하는 열선 흡수 필터에 비해 도 25에 도시한 바와 같이 파장 360 nm 내지 380 nm의 파장역의 투과율이 향상되어 있다. 따라서 열선 반사 필터(17)를 구비한 자외선 조사 장치에 의하면 필요한 파장역에 포함되는 파장 360 nm ~ 380 nm의 자외선 강도를 향상시키는 것이 가능하다.By providing the heat ray reflection filter 17, visible light and infrared rays (heat ray) of wavelength 400 nm or more which are unnecessary light radiated from the metal halide lamp 100 can be prevented from reaching an irradiated object. This heat ray reflection filter 17 has an improved transmittance in the wavelength range of 360 nm to 380 nm, as shown in Fig. 25, compared to the existing heat ray absorption filter having the spectral transmission characteristics shown in Fig. 24. Therefore, according to the ultraviolet irradiation device provided with the heat ray reflection filter 17, it is possible to improve the ultraviolet intensity of 360 nm-380 nm of wavelengths contained in a required wavelength range.

도 26은 산화막(16)과 열선 흡수 필터(이중관 내에 배치)를 조합한 경우의 조사광의 분광 분포의 예를 도시하고, 도 27은 산화막(16)과 열선 반사 필터(17)를 조합한 경우의 조사광의 분광 분포의 예를 도시하고 있다. 이들 도면을 비교하여 이해할 수 있는 바와 같이 열선 반사 필터(17)를 사용한 조합으로는 파장 340~380 nm의 적산 에너지가 현저히 높아진다.FIG. 26 shows an example of the spectral distribution of the irradiation light when the oxide film 16 and the heat ray absorption filter (arranged in the double tube) are combined, and FIG. 27 shows the case where the oxide film 16 and the heat ray reflection filter 17 are combined. An example of the spectral distribution of the irradiation light is shown. As can be understood by comparing these figures, the combination using the heat ray reflection filter 17 significantly increases the integration energy having a wavelength of 340 to 380 nm.

이와 같이 열선 반사 필터(17)를 설치하는 것에 의하면 열선을 방지하는 효과를 유지할 뿐만 아니라 또한 이것을 메탈할라이드 램프(100)와 피조사체의 사이의 비교적 넓은 영역 내에 용이하게 배치할 수 있는 이점이 있다. 이 때문에 메탈할라이드 램프(100)에 가까운 영역에서의 구성적인 부담이 줄어들고, 예를 들면 리플렉터를 설치하는 등 하여 효율적인 자외선의 이용이 가능해진다.By providing the heat ray reflection filter 17 in this way, not only the effect of preventing the heat ray is maintained, but also there is an advantage that it can be easily disposed in a relatively large area between the metal halide lamp 100 and the irradiated object. For this reason, the structural burden in the area close to the metal halide lamp 100 is reduced, and efficient ultraviolet light can be utilized by, for example, providing a reflector.

또한, 도 26을 참조한 설명으로 언급한 열선 흡수 필터에 대해 보충한다. 이와 같은 열선 흡수 필터는 상기에서도 언급한 바와 같이 도 22에 도시한 냉각 유닛(200)의 이중관 내에 설치할 수 있다. 보다 구체적으로 이중관의 내관(12)과 외관(13) 사이의 공간 내에 내관(12)을 통형상으로 둘러싸도록 위치시킬 수 있다. 이중관 내에 설치하여 이 열선 흡수 필터가 열선에서 과열되는 것을 억제한다.In addition, the heat radiation absorption filter mentioned in the description with reference to FIG. 26 is supplemented. As described above, the heat ray absorption filter may be installed in the double pipe of the cooling unit 200 illustrated in FIG. 22. More specifically, the inner tube 12 may be positioned in a space between the inner tube 12 and the outer tube 13 of the double tube in a cylindrical shape. It is provided in a double pipe and suppresses this heat ray absorption filter from overheating in a heat ray.

계속해서 상기 설명한 각 실시형태에서 사용하는 메탈할라이드 램프(100)가 가진 봉입물에 대해 변형예를 이하 설명한다. 봉입물을 변경하여 필요한 예를 들면 파장 320 nm 내지 파장 380 nm의 자외선의 방사 강도를 증가시킬 수 있다.Subsequently, a modification will be described below with respect to the encapsulated material of the metal halide lamp 100 used in each of the above-described embodiments. The inclusions can be altered to increase the emission intensity of ultraviolet light as needed, for example, wavelengths 320 nm to 380 nm.

우선, 메탈할라이드 램프(100) 내의 봉입물로서 희가스(아르곤) 외에 수은(Hg), 철(Fe), 요오드화 탈륨(TlI), 주석(Sn), 요오드화 아연(ZnI₂), 요오드화 수은(HgI₂)을 봉입한 경우를 설명한다.First, in addition to the rare gas (argon), the mercury (Hg), iron (Fe), thallium iodide (TlI), tin (Sn), zinc iodide (ZnI ₂ ), and mercury iodide (HgI ₂ ) are included as inclusions in the metal halide lamp 100. Will be described.

이와 같은 메탈할라이드 램프는 자외선역에 발광 특성을 가진 금속으로서 Fe, Tl, Sn, Zn, Hg를 갖게 된다. 이 메탈할라이드 램프에 의한 자외선은 물론 자외선 경화성 수지 조성물에 유효하고, 이 수지 조성물에 함유되는 광개시제에 작용하는 수지의 중합을 개시시킬 수 있다.Such a metal halide lamp has Fe, Tl, Sn, Zn, Hg as a metal having light emission characteristics in the ultraviolet region. It is effective not only the ultraviolet-ray by this metal halide lamp but an ultraviolet curable resin composition, and the superposition | polymerization of resin which acts on the photoinitiator contained in this resin composition can be started.

예로서 직경(φ) 27.5 mm, 두께(m) 1.5 mm, 발광 길이(L) 1000 mm의 메탈할라이드 램프(100)(용적 490 ㎤)를 준비했다. 그 하나는 비교예로서 발광관(31) 내에 Fe를 9 mg, Sn을 2 mg, HgI₂를 45 mg의 각 량, 미량 첨가 봉입하고, 또한 Hg를 1.04 mg/㎤의 봉입량으로 한 메탈할라이드 램프로 하며, 또 하나는 보다 바람직한 예로서 발광관(31) 내에 Fe를 9 mg, Sn을 2 mg, HgI₂를 40 mg, TlI를 5 mg, ZnI₂를 12 mg의 각 량, 미량 첨가 봉입하고, 또한 Hg를 1.00 mg/㎤의 봉입량으로 한 메탈할라이드 램프로 했다.As an example, a metal halide lamp 100 (volume 490 cm 3) having a diameter of 27.5 mm, a thickness of 1.5 mm, and an emission length L of 1000 mm was prepared. As a comparative example, a metal halide containing 9 mg of Fe, 2 mg of Sn, 45 mg of HgI ₂ , and a small amount of HgI ₂ contained in the light emitting tube 31, and Hg of 1.04 mg / cm 3. As a more preferable example, 9 mg of Fe, 2 mg of Sn, 40 mg of HgI ₂ , 5 mg of TlI, 12 mg of ZnI ₂ , and a small amount of addition are enclosed in the light-emitting tube 31. Moreover, it was set as the metal halide lamp which made Hg the sealing amount of 1.00 mg / cm <3>.

비교예와 바람직한 예의 비교를 도 28에 도시한다. 도 28은 메탈할라이드 램프에 봉입되는 금속 종을 변경했을 때의 발광의 파장 분포를 비교하여 나타내는 특성도이다. 이 특성도에서 메탈할라이드 램프로의 입력 전력은 1200 W이다.The comparison of a comparative example and a preferable example is shown in FIG. FIG. 28 is a characteristic diagram comparing wavelength distribution of light emission when a metal species encapsulated in a metal halide lamp is changed. FIG. In this characteristic diagram, the input power to the metal halide lamp is 1200 W.

도 28에 도시된 바와 같이 바람직한 예의 메탈할라이드 램프는 비교예의 메탈할라이드 램프에 비해 파장 320~380 nm의 대역에서 적산적으로 강도가 강한 자외선을 방사하는 것을 알 수 있다.As shown in FIG. 28, it can be seen that the metal halide lamp of the preferred example emits intensely strong ultraviolet rays in the wavelength range of 320 to 380 nm compared to the metal halide lamp of the comparative example.

도 29는 예를 들면 클로로포름의 용매 중의 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온의 광개시제의 농도를 0.1%, 0.01%, 0.001%로 한 경우의 흡광도를 나타내는 특성도이다. 상기 도면에 나타내는 바와 같이 용매에 대한 광개시제의 농도가 0.1%인 경우에 파장 320~380 nm의 범위에서 높은 흡광도가 있다.29 is a characteristic diagram showing the absorbance when the concentration of the photoinitiator of 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethan-1-one in the solvent of chloroform is set to 0.1%, 0.01%, 0.001%, for example. to be. As shown in the figure, when the concentration of the photoinitiator to the solvent is 0.1%, there is high absorbance in the range of wavelength 320 to 380 nm.

따라서 도 30은 비교예의 메탈할라이드 램프에 의해 상기 광개시제에 작용시킨 경우와 더 바람직한 예의 메탈할라이드 램프에 의해 상기 광개시제에 작용시킨 경우의 수지 경화의 비율을 비교하여 나타내는 표이다.Therefore, FIG. 30 is a table which compares the ratio of resin hardening when it acts on the said photoinitiator by the metal halide lamp of a comparative example, and when acts on the said photoinitiator by the metal halide lamp of a more preferable example.

즉, Fe, Sn, HgI₂, Hg를 봉입물로 한 비교예의 메탈할라이드 램프에 의한 광개시제로의 조사로 이루어지는 수지 경화의 비율을 100으로 한 경우, Fe, Sn, HgI₂, TlI, ZnI₂, Hg를 봉입물로 한, 더 바람직한 예의 메탈할라이드 램프에 의한 광개시제로의 조사로 이루어지는 수지 경화의 비율은 121이다. 따라서 더 바람직한 예의 메탈할라이드 램프에 의하면 자외선 경화성 수지의 경화 속도를 높여 액정 패널 등의 생산성 향상에 기여할 수 있다.That is, Fe, Sn, HgI _2, when a the ratio of the cured resin formed by irradiation of a photoinitiator according to the comparative example, a metal halide lamp for Hg in enclosure to _{100, Fe, Sn, HgI 2} , TlI, ZnI 2, The ratio of resin hardening which consists of irradiation with the photoinitiator by the metal halide lamp of the more preferable example which made Hg the enclosure is 121. Therefore, according to the metal halide lamp of a more preferable example, it can contribute to productivity improvement, such as a liquid crystal panel, by increasing the hardening rate of ultraviolet curable resin.

계속해서 보다 바람직한 다른 예로서 발광관(31) 내에 Fe를 9 mg, Sn을 2 mg, HgI₂를 25 mg, TlI를 3 mg, ZnI₂를 6 mg(전형값)의 각 량, 미량 첨가 봉입하고, 또한 Hg를 1.00 mg/㎤의 봉입량으로 한 메탈할라이드 램프(100)(용적 490 ㎤)를 준비했다. 이에 대해 이하 설명한다.In still another preferred example, 9 mg of Fe, 2 mg of Sn, 25 mg of HgI ₂ , 3 mg of TlI, and 6 mg (typical) of ZnI ₂ were added and a small amount was added to the light emitting tube 31. Further, a metal halide lamp 100 (volume 490 cm 3) having Hg of 1.00 mg / cm 3 encapsulated was prepared. This will be described below.

도 31은 이와 같은 메탈할라이드 램프의 Zn의 봉입량(단, 요오드화 아연으로 환산한 양)을 변화시켰을 때의 필요 자외선역에서의 발광의 분광 분포를 비교하여 나타내는 그래프이다. 또한, 상기와 같이 ZnI₂를 6 mg 봉입한 경우는 약 12.2 ㎍/㎤의 농도에 상당한다. 도 32는 도 31의 결과로부터 산출한 특정 파장역의 적산 자외선 강도를 나타내는 표이다. 도 32에 도시한 바와 같이 필요한 자외선 파장역에 포함되는 파장 320 nm 내지 파장 340 nm, 파장 320 nm 내지 파장 360 nm, 파장 320 nm 내지 파장 380 nm 모두 평가해도 Zn의 봉입량이 많을수록 그 파장역의 자외선 강도는 높아지고 있다.FIG. 31 is a graph showing a comparison of the spectral distribution of luminescence in the required ultraviolet region when the amount of Zn encapsulation (the amount converted into zinc iodide) of the metal halide lamp is changed. In addition, when 6 mg of ZnI ₂ is enclosed as mentioned above, it corresponds to the density | concentration of about 12.2 microgram / cm <3>. FIG. 32 is a table showing integrated ultraviolet ray intensity in a specific wavelength range calculated from the result of FIG. 31. FIG. As shown in FIG. 32, even if the wavelength 320 nm-the wavelength 340 nm, the wavelength 320 nm-the wavelength 360 nm, and the wavelength 320 nm-the wavelength 380 nm included in the required ultraviolet-ray wavelength range are evaluated, the more the amount of Zn encapsulation, the ultraviolet-ray of the said wavelength range is shown. The intensity is increasing.

도 33은 상기 메탈할라이드 램프의 Zn의 봉입량(단, 요오드화 아연으로 환산한 양)을 변화시켰을 때의 파장 320 nm 내지 파장 340 nm의 적산 자외선 강도의 변화를 나타내는 그래프이다. 도 33에 도시한 결과로부터 이 파장역에서의 적산 자외선 강도는 Zn이 25 ㎍/㎤를 초과하면 한계가 되어 그 이상 증가가 보이지 않는 것을 알 수 있다. 따라서 필요한 파장의 자외선 강도를 증가시키기 위한 Zn의 첨가량은 데이터가 있는 최소값인 2 ㎍/㎤에서 한계가 되는 25 ㎍/㎤의 범위를 일단 추장값(推奬値)으로 할 수 있다. 25 ㎍/㎤를 초과해도 그 의미에서는 효과가 있지만, Zn의 양이 발광관(31) 내에서 농도가 커지면 폐해가 있어 농도의 그 이상의 증가는 바람직하지 않다. 즉, Zn이 증가하면 발광관(31) 내에서 Zn의 증발이 충분히 발생하기 어려워지고, 분리 발광 등의 불안정 발광을 초래할 가능성이 있다.Fig. 33 is a graph showing a change in integrated ultraviolet light intensity of wavelength 320 nm to wavelength 340 nm when the amount of Zn encapsulation (the amount converted into zinc iodide) of the metal halide lamp is changed. The results shown in FIG. 33 show that the accumulated ultraviolet light intensity in this wavelength range is limited when Zn exceeds 25 µg / cm 3, and no further increase is observed. Therefore, the addition amount of Zn for increasing the ultraviolet intensity of a required wavelength can be made into the recommended value once in the range of 25 microgram / cm <3> which becomes a limit from 2 microgram / cm <3> which is a minimum value with data. Although it is effective in the meaning even if it exceeds 25 microgram / cm <3>, when the density | concentration of Zn increases in the light emitting tube 31, there will be a detriment, and further increase of concentration is not preferable. That is, when Zn increases, the evaporation of Zn in the light emitting tube 31 hardly occurs sufficiently, and there is a possibility of causing unstable light emission such as separated light emission.

또한, 도 34는 Zn의 봉입량을 변화시킨 메탈할라이드 램프에 의해 광개시제에 작용시킨 경우의 수지 경화의 비율을 비교하여 나타내는 표이다. 이 표는 당연하지만 도 32에 도시한 파장 320 nm 내지 파장 380 nm의 결과와 일치한다(∵파장 320 nm ~ 380 nm가 필요 자외선역).34 is a table which compares and shows the ratio of resin hardening when it acts on a photoinitiator by the metal halide lamp which changed the amount of Zn encapsulation. This table is, of course, consistent with the results of wavelength 320 nm to wavelength 380 nm shown in FIG. 32 (wavelength 320 nm to 380 nm is required ultraviolet region).

이상의 도 31 내지 도 34를 참조하여 설명한, 보다 바람직한 다른 메탈할라이드 램프의 예는 봉입물로서 Tl(탈륨)을 포함하고 있다. Zn의 첨가가 바람직한 효과를 얻기 위한 Tl의 첨가 농도와의 관계에 대해 이하 보충한다. Zn의 첨가 농도를 증가시키면, 도 31에 도시한 바와 같이 Tl에 의한 발광 파장인 352 nm나 378 nm의 자외선에 대해서는 그 강도가 약해진다. Zn을 첨가하지 않은 경우와 비교하여 Zn(단, 요오드화 아연으로 환산)을 15 ㎍/㎤ 첨가한 경우, 이들 파장의 강도는 약 20%의 감소이다.Another example of the more preferable metal halide lamp described above with reference to FIGS. 31 to 34 includes Tl (thallium) as an enclosure. The addition of Zn supplements the following with respect to the relationship with the addition concentration of Tl to obtain the desired effect. When the concentration of Zn is increased, the intensity is weakened for ultraviolet rays of 352 nm and 378 nm, which are light emission wavelengths by Tl, as shown in FIG. When 15 µg / cm 3 of Zn (in terms of zinc iodide) is added as compared with the case where Zn is not added, the intensity of these wavelengths is reduced by about 20%.

필요한 파장역에서의 적산 강도 외에 Tl이 봉입된 메탈할라이드 램프에서는 이와 같은 관점에서도 바람직한 Zn과 Tl의 농도 비를 생각할 수 있다. 이미 설명한 바와 같이 Zn(요오드화 아연으로 환산한 양, 이하 동일)의 첨가량을 2 ㎛/㎤ 내지 25 ㎛/㎤로 하는 경우, 발광관(31) 내에서 3 mg으로 한 Tl(요오드화 탈륨으로 환산한 양)의 첨가량은 Zn의 첨가량을 기준으로 보면 그 0.24 배에서 3배로 산출할 수 있다.In addition to the integration intensity in the required wavelength range, in the metal halide lamp in which Tl is encapsulated, a preferable concentration ratio of Zn and Tl can be considered even in this respect. As described above, when the amount of Zn (amount converted into zinc iodide, which is the same below) is set to 2 µm / cm 3 to 25 µm / cm 3, the Tl converted to 3 mg in thallium iodide in the light-emitting tube 31 is used. Amount) can be calculated from 0.24 times to 3 times based on the amount of Zn added.

본 발명은 여기에 도해하여 설명한 특정의 형태에 한정되지 않는 것으로서 이하의 특허청구범위에 들어가는 변형된 것은 모두 포함하는 것으로 이해된다.It is understood that the present invention is not limited to the specific forms illustrated and illustrated herein, and includes all modifications falling within the scope of the following claims.

100 : 메탈할라이드 램프
200 : 냉각 유닛
111, 112 : 홀더
12 : 내관
13 : 외관
141, 142 : 접속관
15 : 냉각수
16, 161 : 산화막
17 : 열선 반사 필터
162 : 유리판
30 : 방전 공간
31 : 발광관
321, 322 : 전극
331, 332 : 이너 리드
341, 342 : 금속박
351, 352 : 소켓
361, 362 : 리드선100: metal halide lamp
200: cooling unit
111, 112: Holder
12: inner tube
13: appearance
141, 142: connection pipe
15: coolant
16, 161: oxide film
17: heat ray reflection filter
162: glass plate
30: discharge space
31: light emitting tube
321, 322: electrode
331, 332: inner lead
341, 342: metal foil
351, 352 socket
361, 362: lead wire

Claims

A metal halide lamp having a tubular quartz glass light emitting tube;
An inner tube, which is a first tube of quartz glass material, which is tubular, installed in a position surrounding the light emitting tube of the metal halide lamp in a tubular shape, and a second, tubular, quartz glass material, which is installed in a position that surrounds the inner tube in a tubular shape; A double tube having an exterior that is a tube, wherein the space between the first tube and the second tube is a closed space to allow fluid to flow in the space between the first tube and the second tube; And
An oxide film containing titanium having a film thickness of 0.3 µm or more and 1.3 µm or less on the outer surface of the outer tube of the double tube or on the surface of the inner tube that faces the metal halide lamp of the inner tube;
Ultraviolet irradiation device characterized in that it comprises a.

The method of claim 1,
And an optical filter having a characteristic of cutting at least a hot wire, which is disposed to surround the inner tube in a cylindrical shape in the space between the inner tube and the outer tube of the double tube.

The method of claim 1,
A glass plate spaced apart from the double pipe on the outer side of the double pipe as viewed from the metal halide lamp, and
And an optical filter having a characteristic of cutting at least the hot wire, which is formed on the surface of the glass plate.

A metal halide lamp having a tubular quartz glass light emitting tube;
An inner tube, which is a first tube of quartz glass material, which is tubular, installed in a position surrounding the light emitting tube of the metal halide lamp in a tubular shape, and a second, tubular, quartz glass material, which is installed in a position that surrounds the inner tube in a tubular shape; A double tube having an exterior that is a tube, wherein the space between the first tube and the second tube is a closed space to allow fluid to flow in the space between the first tube and the second tube;
A glass plate spaced apart from the double tube on an outer side of the double tube as viewed from the metal halide lamp; And
An oxide film containing titanium having a film thickness formed on the surface of the glass plate of 0.3 µm or more and 1.3 µm or less;
Ultraviolet irradiation device characterized in that it comprises a.

The method of claim 4, wherein
And an optical filter having a characteristic of cutting at least a hot wire, which is disposed to surround the inner tube in a cylindrical shape in the space between the inner tube and the outer tube of the double tube.

The method of claim 4, wherein
And an optical filter having a characteristic of cutting at least the hot wire, which is further formed on the surface of the glass plate.

The method according to any one of claims 1 to 6,
And said oxide film is an oxide film containing tantalum in addition to titanium.

The method according to any one of claims 1 to 6,
The metal halide lamp has a rare gas, mercury, and zinc as an enclosure in the light emitting tube.

The method of claim 8,
And said zinc in said light emitting tube of said metal halide lamp is an amount of 2 µg / cm 3 to 25 µg / cm 3 encapsulated in said emitting tube in terms of zinc iodide.

The method of claim 9,
The metal halide lamp includes thallium in addition to the rare gas, mercury, and zinc as the inclusions in the light emitting tube, wherein the thallium in the light emitting tube is converted to thallium iodide, and the zinc in the light emitting tube is converted into zinc iodide. Ultraviolet irradiation device characterized in that the amount of encapsulation of 0.24 times to 3 times.

Preparing a resin composition containing a photoinitiator having an absorption band at a wavelength of 320 nm to 380 nm, and
A metal halide lamp having a tubular quartz glass material emitting tube, an inner tube of a tubular quartz glass material provided at a position surrounding the light emitting tube of the metal halide lamp in a cylindrical shape, and the inner tube A second tube made of a tubular quartz glass material provided at a cylindrically enclosed position, the first tube and the second tube allowing fluid to flow in a space between the first tube and the second tube; Titanium having a film thickness of 0.3 μm or more and 1.3 μm or less formed on a double tube in which the space between the tubes is a closed space, and on the outer surface of the outer tube of the double tube or on a surface opposite the metal halide lamp of the inner tube of the double tube. And irradiating the resin composition with ultraviolet rays from an ultraviolet irradiation device having an oxide film containing the oxide film.

Preparing a resin composition containing a photoinitiator having an absorption band at a wavelength of 320 nm to 380 nm, and
A metal halide lamp having a tubular quartz glass material emitting tube, an inner tube of a tubular quartz glass material provided at a position surrounding the light emitting tube of the metal halide lamp in a cylindrical shape, and the inner tube A second tube made of a tubular quartz glass material provided at a cylindrically enclosed position, the first tube and the second tube allowing fluid to flow in a space between the first tube and the second tube; The double tube, the space between which the tube is closed, the glass plate provided apart from the double tube on the outer side of the double tube from the metal halide lamp, and the film thickness formed on the surface of the glass plate is 0.3 μm or more and 1.3 μm. Ultraviolet rays are irradiated to the resin composition through the glass plate of the ultraviolet irradiation device from an ultraviolet irradiation device having an oxide film containing titanium which is below. UV irradiation method comprising the step of irradiating.

An inner tube, which is a first tube of quartz glass material having a tubular shape, and an outer tube, which is a second tube of quartz glass material, which is formed at a position surrounding the inner tube in a cylindrical shape, and which is formed between the first tube and the second tube. Preparing a double tube in which the space between the first tube and the second tube is a closed space to allow fluid to flow through the space;
Contain 30 wt% to 50 wt% of TiO ₂ on the outer surface of the outer tube of the double tube or on the side of the double tube other than the side facing the closed space of the inner tube, and further contain Ta ₂ O ₅ Applying a solution containing a solute containing from 15% by weight to 15% by weight;
Heat-treating the double pipe to which the solution is applied, and depositing on the surface of the double pipe to form an oxide film containing titanium; And
Disposing a metal halide lamp having a tubular quartz glass material emitting tube inside the inner tube of the double tube on which the oxide film is formed;
The manufacturing method of the ultraviolet irradiation device characterized by the above-mentioned.