KR20110112368A - 플라즈마 이온 프로세스 균일도 모니터링 - Google Patents

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죠셉 피. 드젠겔레스키
조지 엠. 감멜
버날드 지. 린제이
비크람 싱흐
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베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크.
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Abstract

이온 균일도 모니터링 장치가 플라즈마 프로세스 챔버 내에 위치되며, 이온 균일도 모니터링 장치는 챔버 내의 워크피스로부터 거리를 두고 위쪽에 위치된 복수의 센서들을 포함한다. 센서들은 플라즈마 프로세스에 노출된 워크피스의 표면으로부터 방출된 2차 전자들의 수를 검출하도록 구성된다. 각 센서는 검출된 2차 전자들에 비례하는 전류 신호를 출력한다. 전류 비교 회로는 복수의 전류 신호들 각각으로부터 기인하는 처리된 신호를 출력한다. 플라즈마 프로세싱 동안 워크피스로부터 방출된 2차 전자들의 검출은 워크피스 표면 전체에 걸친 균일도 특성을 나타내며, 이러한 검출은 온-라인 플라즈마 프로세싱 동안 현장에서 수행될 수 있다.

Description

플라즈마 이온 프로세스 균일도 모니터링{PLASMA PROCESS UNIFORMITY MONITOR}
본 발명의 실시예들은 플라즈마 프로세싱 시스템 분야에 관한 것이다. 보다 상세하게, 본 발명은 워크피스(workpiece) 또는 웨이퍼에 적용되는 플라즈마 프로세스의 균일도를 측정하기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다.
이온 주입법(ion implantation)은 워크피스 내로 이온들을 도핑하기 위하여 사용되는 프로세스이다. 이온 주입법의 일 타입은 희망되는 전기적 장치 특성들을 획득하기 위하여 반도체 기판들의 제조 중 불순물 이온들을 주입하기 위하여 사용된다. 이온 주입기는 일반적으로 특정 종류들, 예를 들어, 이온 빔을 제어하기 위한 일련의 빔 라인 컴포넌트들, 이온 빔을 수신하는 웨이퍼를 보호하기 위한 플래튼(platen)에 사용되는 이온들을 생성하는 이온 소스 챔버를 포함한다. 이러한 컴포넌트들은 이온 빔의 오염과 확산을 방지하기 위하여 진공 상태로 하우징된다. 빔 라인 컴포넌트들은 일반적으로 소스 챔버로부터 이온들을 추출하기 위한 일련의 전극들, 특정 자기장에서 희망되는 단위 전하당 질량(mass-to-charge ratio)을 갖는 이온들만이 분석기를 통과해 지나갈 수 있도록 구성된 질량 분석기(mass analyzer), 및 웨이퍼 기판 내로 이온들을 주입하기 위한 이온 빔에 대하여 직교적으로 웨이퍼로 보내지는 리본 빔(ribbon beam)을 제공하기 위한 보정 자석(corrector magnet)을 포함할 수 있다. 이온들은 이온들이 기판 내의 전자들 및 핵들에 충돌하는 경우 에너지를 상실하며, 활성화 에너지에 기초하여 기판 내의 희망되는 깊이에서 멈춘다. 기판 내로의 주입 깊이는 이온 주입 에너지 및 소스 챔버 내에서 생성된 이온들의 질량에 기초한다. 전형적으로, 비소 또는 인은 기판 내에 n-타입 영역을 형성하기 위하여 도핑될 수 있으며, 붕소, 갈륨 또는 인듐은 기판 내에 p-타입 영역을 형성하기 위하여 도핑될 수 있다.
전술한 바와 같은 이온 주입기들은 일반적으로 상대적으로 높은 주입 에너지들과 연관된다. 반도체 장치들의 제조과정 내에서 미세 접합(shallow junctions)이 요구되는 경우, 도펀트 물질을 웨이퍼 표면에 국한시키기 위하여 더 낮은 이온 주입 에너지들이 필요하다. 이러한 상황들에 있어, 주입 깊이가 웨이퍼와 플라즈마 프로세싱 챔버 내의 양극 사이에 인가된 전압과 관계되는 플라즈마 증착법(PLAD)이 사용된다. 보다 상세하게, 웨이퍼는 챔버 내에서 음극으로서 기능하는 플래튼 상에 위치된다. 희망되는 도펀트 물질들을 포함하는 이온화될 수 있는 가스가 플라즈마 챔버 내로 유입된다. 가스는 몇몇의 플라즈마 생성 방법(직류 글로우 방전(DC glow discharge), 축전결합형(capacitively coupled RF), 유도결합형(inductively coupled RF) 등을 포함하나 이에 한정되지 않음) 중 어떤 방법에 의해 이온화된다. 일단 플라즈마가 형성되면, 워크피스를 포함하는 모든 주변 표면들과 플라즈마 사이에 플라즈마 시드(plasma sheathe)가 존재한다. 그리고 플래튼과 워크피스는 플라즈마로부터의 이온들이 플라즈마 시드 전체에 걸쳐 인가된 바이어스 전압에 비례하는 깊이로 웨이퍼 내로 주입되도록 하기 위한 부전압(negative vlotage)으로 바이어스된다. 현재, 패러데이 컵이 웨이퍼로의 주입 도즈량(dosage)을 측정하기 위하여 사용된다. 그러나, 페러데이 컵은 단지 총 이온 전하 수치에 관련된 정보만을 제공할 뿐, 균일도와 관련된 어떤 정보도 제공하지 않는다. 현재, 플라즈마 균일도 측정은 랭뮤어 탐침(langmuir probe)을 통해 추론된다. 이러한 탐침은 주입 프로세스가 시작되기 전 또는 주입 프로세스가 끝난 후에 플라즈마 챔버 내에 위치된다. 이러한 탐침은 탐침의 바이어스와 위치의 함수로서 플라즈마 이온들과 전자들로부터 탐침에 공급된 전류를 나타내는 전류/전압 특성들을 제공하기 위하여 바이어스된다. 이러한 측정 기술이 현장에서 수행된다 하더라도, 주입 중 수행될 수 없고, 따라서 주입 프로세스 중 측정 정보가 직결적으로 제공될 수 없다. 플라즈마 및 프로세스 조건들은 웨이퍼 표면 조건들, 플라즈마 이온화 등을 포함하는 다양한 요인들에 기인하여 사전-주입 측정과 실제 주입 사이의 시간 동안 변화될 수 있다. 따라서, 주입 프로세스 동안 목표 웨이퍼 또는 워크피스의 표면 전체에 걸쳐 두 개의 평면 내의 정확한 플라즈마 주입 균일도 정보 제공하는 플라즈마 챔버 내의 현장에서 사용되는 균일도 모니터링 장치를 제공할 필요성이 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들은 플라즈마 프로세스 균일도 모니터링 장치에 관한 것이다. 예시적인 일 실시예에 있어, 플라즈마 프로세스 균일도 모니터링 장치는 플라즈마 챔버 내에 위치되며, 챔버 내의 워크피스 위에 위치되는 복수의 센서들을 포함한다. 각각의 센서는 플라즈마 프로세스에 노출된 워크피스의 표면으로부터 방출되는 2차 전자들(secondary electrons)을 검출하도록 구성된다. 각각의 센서는 검출된 2차 전자들의 수에 비례하는 전류 신호를 출력한다. 전류 비교 회로는 복수의 센서들 각각에 연결되며, 센서들로부터의 각각의 전류 신호를 수신하도록 구성된다. 전류 비교 회로는 복수의 전류 신호들 각각으로부터 기인하는 차동 전류 신호들(differential current signals)을 출력한다. 만일 플라즈마 프로세스가 워크피스의 표면 전체에 걸쳐 균일하다면, 센서들로부터의 전류 신호들은 동일하고 전류 비교 회로로부터의 차동 전류 신호는 0에 가까울 것이다. 그러나, 만일 차동 전류 신호가 0이 아니거나 또는 0에 가깝지 않다면, 센서들과 연관된 전류 신호들은 동일하지 않고, 이는 워크피스의 대응되는 표면 영역으로부터 2차 전자들을 더 많이 또는 더 적게 수신하는 하나 또는 그 이상의 센서들을 나타낸다. 차동 전류 신호의 존재는 워크피스의 플라즈마 프로세싱이 비-균일함(non-uniform)을 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 챔버 내의 모니터링 장치의 개략도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 예시적인 플라즈마 주입 동작 동안의 플라즈마 챔버 내의 모니터링 장치의 개략도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예예 따른 복수의 센서들과 통합된 가스 배플(gas baffle)의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 균일도 모니터링 과정을 도시한 플로우 차트이다.
본 발명은 이하에서 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세하게 설명될 것이며, 본 발명의 보다 바람직한 실시예들이 개시될 것이다. 그러나, 본 발명은 다양한 형태로 실시될 수 있으며, 이하에서 설명하는 실시예들에 한정적으로 이해되어서는 않될 것이다. 오히려, 이러한 실시예들은 이러한 개시가 철저하고 완전해질 수 있도록 제공되며, 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자에게 본 발명의 범위를 완전히 전달할 수 있도록 제공된다. 도면들 내에서, 유사한 참조 부호들은 지속적으로 유사한 요소들을 나타낸다.
도 1은 플라즈마 증착(PLAD) 시스템 내에 사용되는 모니터링 장치의 개략도이다. PLAD 시스템은 예를 들어, 플라즈마 에칭 툴, 플라즈마 증착 툴 또는 플라즈마 도핑 툴일 수 있다. 플라즈마 시스템 내의 모니터링 장치는 플라즈마 챔버(10)의 배플(15) 내에 장착된 복수의 센서들(20A, 20B)을 포함한다. 배플(15)은 예를 들어, 워크피스(5) 내로의 주입을 위한 플라즈마 프로세싱을 받아들이도록 구성된 플라즈마 챔버의 일단(one end)에서 워크피스(5) 위로 거리를 두고 위치된 가스 배플일 수 있다. 워크피스는 예를 들어, 워크피스를 지지하고 그 사이의 전기적 연결을 제공하는 플래튼(6) 상에 장착된 반도체 웨이퍼일 수 있다. 가스 소스(gas source)(미도시)는 희망되는 압력과 흐름률(flow rate)로 이온화될 수 있는 가스를 챔버(10) 내의 배플(15) 위로 Y 방향을 따라 주입한다. 배플(15)은 챔버 내로 가스를 확산한다. 비록 가스 배플(15)이 개시되어 있다 하더라도, 챔버 내로 인입된 가스를 분배하도록 구성된 워크피스(5) 위에 위치된 어떤 장치가 채택될 수 있다. 가스는 몇몇의 공지된 기술들 중 하나에 의해 이온화된다. 바이어스 전원 공급부(8)는 플래튼(6), 워크피스(5) 및 챔버(10)의 벽들(10A, 10B)과 가스 배플(15)에 의해 형성된 양극에 대하여 네거티브한 패러데이들(7A, 7B)에 전압 펄스를 제공한다. 전압 펄스들은 워크피스 내의 불순물 도펀트들의 영역들을 형성하기 위한 이온 도즈(ion dose)로서 워크피스(5) 내로 주입되는 플라즈마 내의 이온들을 가속한다. 플래튼(6)에 인가되어 그럼으로써 워크피스(5)에 인가되는 전압은 주입을 위하여 플라즈마 시드 전체에 걸쳐 이온들을 끌어들인다. 전압 펄스들의 진폭은 워크피스 내로의 이온들의 주입 깊이에 대응한다. 주입의 균일도와 도즈 레이트(does rate)는 가스 압력, 가스 흐름률, 가스 분포, 양극의 위치 및 펄스들의 지속기간 등에 의해 영향을 받는다. 이온 도즈는 워크피스(5) 내로 주입된 이온들의 수로서, 이온 전류의 시간에 대한 적분 값과 동일하다. 이온 도즈는 워크피스(5)에 인접하게 위치되고, 워크피스와 동시에 펄스되는 한쌍의 패러데이 컵들(7A, 7B)에 의해 측정될 수도 있다.
배플(15)은 배플의 표면을 따라 방사형으로 위치된 복수의 개구들(apertures)(25A, 25B)을 포함한다. 내부에 센서들(20A, 20B)을 수용하고 있는 컵들(30A, 30B)은 각각의 개구들(25A, 25B)에 맞춰 배치된다. 도 1에 도시된 컵들은 설명의 편의를 위하여 강조된 것이며, 전형적으로 배플(15)의 단면 두께에 대응한다. 비록 센서들이 배플(15)과 함께 일체로 형성되어 있는 것으로 개시되어 있으나, 센서들은 별도로 하우징되어 배플(15)에 장착되거나 또는 배플(15)과 별도로 워크피스(5) 위에 위치될 수도 있다. 검출기들(20A, 20B) 앞에 형성된 저전압 정전 그리드들(low voltage electrostatic grids)(50, 55)은 비교적 고 에너지, 주입 생성된(implant generated) 2차 전자들 및 저 에너지 플라즈마 이온 및 전자들을 식별하는데 사용된다. 보다 상세하게, 제 1 그리드(50)는 센서들(20A, 20B)과 워크 피스(5) 사이에 배치되고, 개구들(25A, 25B)을 가로질러 연장한다. 그리드(50)는 각각이 2차 전자들이 개구들을 통과하여 센서들(20A, 20B)로 이동할 수 있도록 개구들(25A, 25B)에 맞춰 배치되는 복수의 스크린 부분들(50A, 50B)을 포함한다. 개구들(25A, 25B)이 바이어스되지 않았기 때문에, 개구들은 원하지 않는 증착 또는, 2차 전자들 또는 저에너지 플라즈마 이온들 및 개구들을 통과하는 전자들로부터의 침식에 시달리지 않는다. 그리드(50)는 직류 정전압(positive DC voltage)(+VDC)으로 바이어스되며, 주입 동안 챔버(10) 내의 플라즈마로부터의 저에너지 이온들의 센서들(20A 및/또는 20B)로의 누설을 방지하도록 구성된다. 제 2 그리드(55)는 센서들(20A, 20B)과 제 1 그리드(50) 사이에 배치되며, 개구들(25A, 25B)을 가로질러 연장한다. 그리드(55)는 각각이 주입 생성된 2차 전자들이 개구들을 통과하여 센서들(20A, 20B)로 이동할 수 있도록 개구들(25A, 25B)에 맞춰 배치되는 대응하는 복수의 스크린 부분들(55A, 55B)을 포함한다. 그리드(55)는 직류 부전압(negative DC voltage)(-VDC)으로 바이어스된다. 이러한 부전압은 주입 생성된 2차 전자들의 에너지 보다 상당히 낮다. 따라서, 2차 전자들이 대응하는 컵(30A 및/또는 30B) 내의 개구들(25A, 25B)을 통과하는 경우, 2차 전자들은 각각의 센서들(20A 또는 20B) 중 하나에 의해 계산된다. 이에 더하여, 센서들(20A 또는 20B)과 주입 생성된 2차 전자들의 충돌에 의해 센서들(20A 또는 20B)의 표면에서 상대적으로 낮은 에너지의 2차 전자들이 생성되고, 내부 그리드(55) 상의 부전압은 이러한 조각들을 센서로 다시 리펄스하기에 충분하도록 높게 세트되며, 따라서 측정이 참(true)을 유지하도록 이러한 조각들은 센서에 의해 수집되고 계산될 수 있다. 그리드(55)는 그것들을 플라즈마(12)로 다시 리펄싱함에 의해 상대적으로 낮은 에너지 플라즈마 전자들이 컵(30A 또는 30B)으로 들어가는 것을 허용하지 않는다는 점에 있어 다른 목적을 수행한다.
이하에서 보다 상세하게 설명되는 바와 같이, 센서(20A)는 개구(25A)를 통과한 상대적으로 높은 에너지, 주입 생성된, 2차 전자들의 수를 검출하고, 검출된 2차 전자들의 수에 비례하는 전류 신호(36)를 생성한다. 이러한 2차 전자들은 개구(25A)에 맞춰 배치된 워크피스(5)의 영역 위에 생성된다. 전류 신호(36)는 연결(35A)을 통해 전류 비교 회로(40)로 공급된다. 유사하게, 센서(20B)는 개구(25B)를 통과한 2차 전자들의 수를 검출하고, 검출된 2차 전자들의 수에 비례하는 전류 신호(38)를 생성한다. 이러한 이차 전자들은 개구(25B)에 맞춰 배치된 워크피스(5)의 영역 위에 생성된다. 전류 신호(38)는 연결(35B)을 통해 전류 비교 회로(40)로 공급된다. 전류 비교 회로(40)는 전류 신호들(36, 38)을 비교하고, 차동 전류 신호(41)를 출력한다. 만일 전류 신호들(35A, 35B)이 동일하면, 차동 전류 신호(41)는 0이 될 것이며, 이는 개구들(25A, 25B)에 맞춰 배치된 워크피스 상의 두 개의 영역에서의 플라즈마 프로세스가 균등함을 나타낸다. 만일 전류 신호들(35A, 35B)이 상이하면, 차동 전류 신호(41)는 0이 되지 않을 것이며, 이는 워크피스(5) 상의 두 개의 영역에서의 플라즈마 프로세스가 동일하지 않음을 나타낸다. 이상의 설명에서 추론될 수 있는 바와 같이, 워크피스(5)의 표면으로부터 방출되는 2차 전자들을 검출하기 위하여 보다 많은 센서들이 사용되면 될수록 워크피스 전체에 걸친 프로세스 균일도에 관련된 정보가 더 많이 획득된다. 이에 더하여, 특정 플라즈마 제조법(recipe)이 워크피스(5) 전체에 걸쳐 희망되는 비균일도 특성을 요구하거나 또는 순환하는 비균일 특성을 요구하는 경우, 전류 비교 회로는 센서들(20A, 20B) 각각에 연관된 비교된 전류 계산을 제공한다.
도 2는 플라즈마 주입 동작 동안의 복수의 센서들(20A, 20B)을 구비한 모니터링 장치의 개략도이다. 보다 상세하게, 이온화될 수 있는 가스는 희망되는 압력과 흐름율로 챔버(10) 내부로 배플(15)의 위쪽에서 Y 방향으로 유입된다. 그러면, 공지된 방법들 중 하나에 의해 에너지가 부가됨으로써 플라즈마 챔버(10) 내에 플라즈마(12)가 생성된다. 바이어스 전원 공급부(8)는 가스 배플(15)과 챔버(10)의 벽들에 의해 형성된 양극에 대한 부전압 바이어스를 워크피스(5)에 공급한다. 이는 양이온들(도 2에서 "+"기호로 묘사된)이 플라즈마 시드(12)를 통해 가속되고, 워크피스(5) 내의 불순물 도펀트들의 균일한 분포를 형성하기 위하여 워크피스(5) 내로 주입되는 것을 야기한다. 이온들이 워크피스(5) 내로 주입된 경우, 2차 전자들(도 2에서 "-"부호로 묘사된)이 워크피스(5)의 표면으로부터 방출되고, 이어서 배플(15)에 대하여 직교적으로 가속된다. 2차 전자들의 에너지는 전자들이 워크피스(5) 위의 플라즈마 시드(12)를 통과해 가속됨에 따른 주입 바이어스 전압에 의해 결정된다. 이러한 에너지는 주입된 이온들의 에너지와 거의 동일하다. 이러한 2차 전자들은 센서들에 의해 검출되며, 비례적인 전류 신호가 생성되고 워크피스의 표면 위에 위치된 다른 센서들에 의해 생성된 전류들과 비교된다. 예를 들어, 2차 전자들(60A, 60B)은 개구들(25A, 25B) 각각을 통해 캐비티들(cavities)(30A, 30B)과 직교적으로 맞추어 배열된 워크피스(5)의 표면으로부터 방출된다. 2차 전자들(60A, 60B)은 제 1 그리드(50)의 스크린 부분들(50A, 50B)과 제 2 그리드(55)의 스크린 부분들(55A, 55B)을 통과하여, 센서들(20A, 20B)에 의해 수신된다. 2차 전자들(60A)의 검출에 응답하여, 센서(20A)는 전류(36)를 생성하고, 생성된 전류를 라인(36)을 통해 비교 회로(40)로 공급한다. 유사하게, 2차 전자들(60B)의 검출에 응답하여, 센서(20B)는 전류(38)를 생성하고 이를 라인(35B)을 통해 비교 회로(40)로 공급한다. 전류 비교 회로(40)는 전류 신호들(36, 38)을 비교하고, 차동 전류 신호(41)를 출력한다. 차동 전류 신호가 검출된 2차 전자들에 기초하여 평가되기 때문에, 워크피스 표면에 이온들의 충돌에 의해 생성된 2차 전자들의 절대적 수를 결정하는 것이 대단히 중요하지는 않다. 오히려, 차동 전류 신호는 센서들(20A, 20B)의 각각의 위치에서 검출된 전자들의 수가 균등하거나 또는 균등하지 않음을 나타낸다. 이상에서 살펴본 바와 같이, 특정 제조방법은 웨이퍼 전체에 걸쳐 특정 위치들과 연관된 비-균일 주입 또는 비-균일 특성들을 요구할 수 있다. 이러한 경우에 있어, 전류 비교 회로는 이러한 비-균일도에 응답하는 특정 전류 신호를 제공할 수 있다.
화살표(621~62N)에 의해 지시되는 바와 같이 캐비티들(30A 또는 30B) 중 어느 하나에도 맞춰 배치되지 않은 워크피스(5)의 표면으로부터 직교적으로 방출된 2차 전자들(611~61N)은 센서들(20A, 20B)에 의해 검출되지 않는다. 다시 한번, 도 2의 센서들(20A, 20B)의 묘사는 설명의 편의를 위한 것이며, 챔버(10) 내에 사용된 모니터링 장치는 균일도 측정을 정확하게 제공하기 위한 충분한 수의 센서들을 구비한다. 개구들(25A, 25B)에 맞추어 배치된 저 에너지 플라즈마 이온들(70)(도 2에서 "x"로 묘사된)은 플라즈마 이온의 에너지를 초과하는 정전압으로 바이어스된 그리드(50)에 의해 센서들(20A 또는 20B)로 진입하는 것이 방지된다. 저 에너지 플라즈마 이온(70)은 화살표(71)에 의해 지시된 바와 같이 플라즈마(12)로 다시 밀려난다. 또한, 플라즈마 이온(73)은 개구들(25A 또는 25B)을 통과할 수 있다. 이러한 정형적인 플라즈마 전자는 개구(25A)를 통과하여 그리드(50) 상의 정 바이어스(positive bias)로부터 에너지를 획득하지만, 그리드(55)가 그리드(50) 상의 바이어스를 초과하는 직류 부전압(-VDS)로 바이어스되었기 때문에, 플라즈마 전자(73)는 화살표(74)가 지시하는 바와 같이 그리드(50) 및 플라즈마(12)로 다시 밀려난다. 이런 식으로, 모니터링 장치는 제자리에 있는 워크피스(5)의 표면으로부터 방출되는 전자들을 검출하고, 이온 주입 동안 일어나는 플라즈마 프로세스의 균일도를 모니터한다.
도 3은 복수의 센서들(20A~20E)이 배플 전체에 걸쳐 방사상으로 통합된 가스 배플(gas baffle)의 대안적 실시예의 단면도이다. 이상에서 살펴본 바와 같이, 배플(15)은 지지 부재들(110)에 의해 플라즈마 챔버 내에서 워크피스의 위에 위치된다. 대안적으로, 이러한 타입의 구조는 플라즈마 챔버의 일 부분일 수도 있다. 배플(15)은 각각의 캐비티가 각각의 센서(20A~20E)를 수용하는 복수의 캐비티들(30A~30E)을 포함한다. 비록 캐비티들(30A~30E)이 배플(15) 전체에 걸쳐 환형으로 동일한 간격을 두고 있는 것으로 도시되어 있으나, 캐비티들의 위치와 장소는 사용자의 재량에 달려있다. 센서들(20A~20E) 각각은 라인들 각각의 라인들(35A~35E)을 통해 비교 회로(도 2 및 3에 도시된 비교 회로(40)와 유사한)에 연결된다. 바닥면(51)은 그리드(50)와 워크피스(5) 사이에 배치된다. 바닥면(51)은 챔버(10) 내에 포함된 플라즈마에 대한 보호막으로서 동작한다. 보다 상세하게, 챔버(10)의 내부는 챔버 내의 플라즈마가 그라운드 전위에 의해 둘러싸일 수 있도록 등전위이다. 바닥면(51) 전체에 걸쳐 위치된 복수의 개구들(25A~25E)은 센서들(20A~20E) 각각에 맞추어 배치된다. 그리드(50)는 캐비티들(30A~30E) 각각을 가로질러 연장하고, 개구들(25A~25E) 및 센서들(20A~20E) 각각 에 맞추어 배치되는 대응하는 스크린 부분들(50A~50E)을 포함한다. 다시 한번 더 살펴보면, 그리드(50)는 저 에너지 플라즈마 이온들이 센서들(20A~20E)에 도달하는 것을 방지하기 위하여 직류 정전압(+VDC)으로 바이어스된다. 유사하게, 그리드(55)는 캐비티들(25A~25E) 각각을 가로질러 연장하고, 개구들(25A~25E) 및 센서들(20A~20E) 각각 에 맞추어 배치되는 대응하는 스크린 부분들(55A~55E)을 포함한다. 그리드(55)는 플라즈마 전자들은 플라즈마로 밀려나게 할 뿐만 아니라, 2차 전자들을 캐비티들(30A~30E)에 트랩하고 센서들(20A~20E)에 의해 검출되게 하기 위하여 이용되는 직류 부전압(-VDC)으로 바이어스된다. 이런 식으로, 복수의 센서들(20A~20E)은 워크피스로부터 방출되고 플라즈마 챔버 내에서 가속된 2차 전자들을 검출할 수 있도록 배플(15) 내에 일체로 형성된다. 충분한 크기의 개구들을 사용함으로써, 워크피스(5)의 비교적 큰 영역으로부터 2차 전자들이 검출되거나 또는 샘플링되고, 그러므로 2차 방출 내의 국부적 차이들 또는 워크피스 상에 주어진 감광 영역(photoresist coverage)에 영향을 받지 않는다.
주입 동안의 균일도 모니터링에 더하여, 그리드들(50, 55)로의 바이어싱 전압들을 제어함으로써, 챔버(10) 내의 플라즈마는 주입 시작 전에 특징지어질 수 있다. 예를 들어, 그리드(55) 상의 부바이어스가 전압들의 범위에서 스윕되는 반면, 그리드(50) 상의 정바이어스는 일정한 전압으로 유지될 수도 있다. 전압 스윕 동안 모니터된 센서들 각각으로부터의 출력은 플라즈마 내의 전자들의 에너지 분포를 설명할 것이다. 유사하게, 정전압이 스윕될 수 있으며, 이는 플라즈마 이온들의 에너지 분포를 설명할 것이다. 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자라면 이러한 전압들의 처리에 의해 플라즈마와 관련된 보다 많은 정보를 추출할 수 있을 것이다. 대안적 구성에 있어서, 센서들(20A~20E)은, 그리드들의 바이어스와 같이 또는 바이어스 없이, 플라즈마 특성들을 추출하기 위하여 그 자체로 정적으로(positively) 또는 부적으로(negatively) 중 하나로 바이어스될 수도 있다.
도 4는 플라즈마 주입 프로세스의 균일도 모니터링과 연관된 단계들을 도시한 플로우 차트이다. 단계 S-10에서 워크피스(5)는 플라즈마 챔버(10) 내의 플래튼 또는 지지부에 장착된다. 이온화될 수 있는 가스는 단계 S-20에서 플라즈마 챔버 내로 유입되고, 단계 S-25에서 플라즈마가 점화된다. 단계 S-30에서 워크피스(5)는 이온화될 수 있는 가스에 포함된 양이온들을 포함하는 플라즈마에 노출된다. 단계 S-35에서 워크피스(5)는 전원 공급부(8)로부터 공급되는 전류 Ibias에 의해 바이어스된다. 단계 S-40에서 양이온들은 워크피스(5) 내로의 주입을 위하여 플래튼을 향하여 주입 에너지까지 가속된다. 단계 S-50 및 S-60에서, 플라즈마 이온들이 워크피스 내로 주입되는 경우, 워크피스(5)의 표면 전체에 걸친 복수의 위치들로부터 방출되는 2차 전자들이 복수의 센서들(20A~20E)에 의해 센싱된다. 단계 S-70에서 복수의 센서들(20A~20E) 각각으로부터 2차 전자들의 센싱에 의해 생성된 전류 신호가 측정된다.
본 발명은 특정 실시예들을 참조하여 개시되었으나, 첨부된 청구항들에서 정의된 바와 같은 본 발명의 범위와 영역으로부터 벗어나지 않고 수 많은 변용들과, 변형들 및 변화들이 가능하다. 따라서, 본 발명은 전술된 실시예들에 한정되지 않으며, 후술되는 청구항들의 표현 및 그 등가물들에 의해 정의되는 모든 범위를 갖는다.

Claims (20)

  1. 플라즈마 프로세스 챔버 내의 프로세스 균일도 모니터링 장치에 있어서,
    상기 챔버 내의 워크피스에 직교적으로 위치된 복수의 센서들로서, 상기 센서들 각각은 플라즈마 프로세싱에 노출된 상기 워크피스의 표면으로부터 방출되는 전자들의 수를 검출하고, 상기 검출된 전자들의 수에 비례하는 전류신호를 출력하도록 구성된 복수의 센서들; 및
    상기 복수의 센서들 각각에 연결되고, 상기 센서들 각각으로부터 상기 전류 신호들 각각을 수신하도록 구성된 전류 신호 프로세싱 회로로서, 상기 전류 신호 프로세싱 회로는 상기 복수의 전류 신호들로부터 신호를 출력하도록 구성되며, 상기 복수의 전류 신호들은 상기 플라즈마 프로세스의 균일도를 나타내는 것인 전류 신호 프로세싱 회로를 포함하는 프로세스 균일도 모니터링 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 프로세스 균일도 모니터링 장치는,
    상기 복수의 센서들에 대응하는 복수의 캐비티들을 구비하는 모니터링 장치 하우징으로서, 상기 캐비티들 각각은 상기 전자들이 통과하는 개구를 형성하고, 그 안에 각각의 센서를 장착하도록 구성된 모니터링 장치 하우징을 더 포함하는 프로세스 균일도 모니터링 장치.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 장치 하우징은 상기 프로세스 챔버 내의 가스 배플(gas baffle)에 장착되는 프로세스 균일도 모니터링 장치.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 복수의 센서들은 상기 프로세스 챔버 내의 가스 배플 내에 일체로 형성되는 프로세스 균일도 모니터링 장치.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 프로세스 균일도 모니터링 장치는,
    상기 복수의 센서들과 상기 워크피스 사이에 배치되며, 직류 정전압으로 바이어스되고, 상기 플라즈마로부터의 저 에너지 이온들이 상기 복수의 센서들 중 어느 하나로 누설되는 것을 방지하도록 구성된 그리드를 더 포함하는 프로세스 균일도 모니터링 장치.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 그리드는 제 1 그리드이며,
    상기 모니터링 장치는,
    상기 제 1 그리드와 상기 복수의 센서들 사이에 배치되며, 저 에너지 플라즈마 전자들 및 음 이온들이 상기 복수의 센서들 중 어느 하나로 진입하는 것을 방지하기 위해 직류 부전압으로 바이어스되고, 발생된 2차 전자들을 상기 센서들 중 하나의 센서 내로 트랩하도록 구성된 제 2 그리드를 더 포함하는 프로세스 균일도 모니터링 장치.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 복수의 전류 신호들은 진행되는 프로세스의 프로파일을 나타내는 프로세스 균일도 모니터링 장치.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 센서들은 상기 워크피스에 대하여 중심 축으로부터 방사상으로 위치된 프로세스 균일도 모니터링 장치.
  9. 플라즈마 프로세싱 시스템으로서,
    이온화 가능 가스를 받아들이도록 구성된 플라즈마 프로세싱 챔버;
    워크피스를 지지하기 위하여 상기 플라즈마 프로세싱 챔버 내에 장착된 플래튼;
    상기 챔버에 연결된 이온화 가능 가스 소스로서, 상기 이온화 가능 가스는 상기 워크피스 프로세싱을 위한 희망되는 도펀트 또는 화학적 성질을 함유하는 이온화 가능 가스 소스;
    상기 이온화 가능 가스의 양이온들 또는 음이온들을 함유한 플라즈마를 생성하고, 상기 워크피스 프로세싱을 위하여 상기 이온들을 상기 플래튼을 향하여 가속하는 플라즈마 소스; 및
    상기 플라즈마 프로세싱 챔버 내의 상기 워크피스 위에 배치되는 복수의 센서들로서, 상기 센서들 각각은 상기 플라즈마가 상기 워크피스의 표면에 프로세싱되고 있는 동안 상기 워크피스로부터 방출된 2차 전자들의 수를 검출하고, 상기 검출된 2차 전자들의 수에 비례하는 전류 신호를 출력하도록 구성된 복수의 센서들을 포함하는 플라즈마 프로세싱 시스템.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 플라즈마 프로세싱 시스템은,
    상기 복수의 센서들 각각에 연결된 전류 신호 프로세싱 회로로서, 상기 신호 프로세싱 회로는 상기 복수의 센서들 각각으로부터 상기 전류 신호들의 각각을 수신하고, 상기 복수의 처리된 전류 신호들 각각으로부터 차동 신호를 출력하도록 구성된 전류 신호 프로세싱 회로를 더 포함하는 플라즈마 프로세싱 시스템.
  11. 청구항 9에 있어서,
    상기 플라즈마 프로세싱 시스템은,
    상기 복수의 센서들에 대응하는 복수의 캐비티들을 구비하는 모니터링 장치 하우징으로서, 상기 캐비티들 각각은 상기 2차 전자들이 통과하는 개구를 형성하고, 그 안에 각각의 센서를 장착하도록 구성된 모니터링 장치 하우징을 더 포함하는 플라즈마 프로세싱 시스템.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 장치 하우징은 상기 플라즈마 프로세싱 챔버 내의 가스 배플에 장착되는 플라즈마 프로세싱 시스템.
  13. 청구항 11에 있어서,
    상기 복수의 센서들은 상기 플라즈마 프로세싱 챔버 내의 가스 배플 내에 일체로 형성되는 플라즈마 프로세싱 시스템.
  14. 청구항 11에 있어서,
    상기 플라즈마 프로세싱 시스템은,
    상기 복수의 센서들과 상기 워크피스 사이에 배치되며, 직류 정전압으로 바이어스되고, 저 에너지 이온들이 상기 개구들 중 어느 하나를 통과하여 상기 대응되는 복수의 센서들 중 하나를 향하여 가는 것을 방지하도록 구성된 그리드를 더 포함하는 플라즈마 프로세싱 시스템.
  15. 청구항 14에 있어서,
    상기 그리드는 제 1 그리드이며,
    상기 플라즈마 프로세싱 시스템은,
    상기 제 1 그리드와 상기 복수의 센서들 사이에 배치되며, 직류 부전압으로 바이어스되고, 저 에너지 플라즈마 전자들이 상기 캐비티들로 진입하는 것을 불허하며, 상기 프로세스에 의해 유도된 2차 전자들을 상기 캐비티들 중 하나의 캐비티 내로 트랩하도록 구성된 제 2 그리드를 더 포함하는 플라즈마 프로세싱 시스템.
  16. 청구항 10에 있어서,
    상기 처리된 전류 신호는 상기 센서들 각각의 전체에 걸친 2차 전자들의 상대적인 수의 프로파일을 나타내는 플라즈마 프로세싱 시스템.
  17. 청구항 9에 있어서,
    상기 복수의 센서들은 상기 워크피스에 대하여 중심 축으로부터 방사상으로 위치된 플라즈마 프로세싱 시스템.
  18. 플라즈마 프로세스 균일도 모니터링 방법에 있어서,
    플라즈마 챔버 내의 플래튼 상에 워크피스를 장착하는 단계;
    상기 플라즈마 챔버 내로 이온화 가능 가스를 주입하는 단계;
    상기 워크피스를 상기 이온화 가능 가스의 양이온들을 함유하는 플라즈마에 노출시키는 단계;
    상기 워크피스의 바이어싱에 의해 상기 양이온들을 주입 에너지까지 가속하는 단계;
    상기 워크피스의 프로세싱을 위하여 상기 가속된 이온들을 상기 플래튼을 향해 보내는 단계; 및
    상기 플라즈마 이온들이 상기 워크피스를 프로세싱하는 경우, 상기 워크피스의 표면 전체에 걸친 복수의 위치들로부터 방출되는 2차 전자들을 센싱하는 단계를 포함하는 플라즈마 프로세스 균일도 모니터링 방법.
  19. 청구항 18에 있어서,
    상기 플라즈마 프로세스 균일도 모니터링 방법은,
    상기 복수의 위치들 각각으로부터의 상기 2차 전자들의 상기 센싱에 의해 생성된 전류 신호를 측정하는 단계를 더 포함하는 플라즈마 프로세스 균일도 모니터링 방법.
  20. 청구항 19에 있어서,
    상기 플라즈마 프로세스 균일도 모니터링 방법은,
    상기 전류 신호들 각각을 비교하고, 상기 전류 신호들 각각의 비교로부터 기인하는 처리된 신호를 출력하며, 상기 처리된 신호는 상기 워크피스의 상기 플라즈마 프로세스의 균일도를 나타내는 것인 단계를 더 포함하는 플라즈마 프로세스 균일도 모니터링 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101398578B1 (ko) * 2012-08-22 2014-05-23 세종대학교산학협력단 플라즈마 쉬스 내의 이온 분포 모니터링 방법 및 장치

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8475673B2 (en) * 2009-04-24 2013-07-02 Lam Research Company Method and apparatus for high aspect ratio dielectric etch
US8749053B2 (en) * 2009-06-23 2014-06-10 Intevac, Inc. Plasma grid implant system for use in solar cell fabrications
KR101307111B1 (ko) * 2010-08-24 2013-09-11 닛신 이온기기 가부시기가이샤 플라즈마 발생 장치
US20120083129A1 (en) 2010-10-05 2012-04-05 Skyworks Solutions, Inc. Apparatus and methods for focusing plasma
US8357263B2 (en) * 2010-10-05 2013-01-22 Skyworks Solutions, Inc. Apparatus and methods for electrical measurements in a plasma etcher
US9478428B2 (en) 2010-10-05 2016-10-25 Skyworks Solutions, Inc. Apparatus and methods for shielding a plasma etcher electrode
SG10201508582WA (en) 2011-11-08 2015-11-27 Intevac Inc Substrate processing system and method
WO2014100506A1 (en) 2012-12-19 2014-06-26 Intevac, Inc. Grid for plasma ion implant
US20140273538A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Tokyo Electron Limited Non-ambipolar electric pressure plasma uniformity control
KR20140137172A (ko) * 2013-05-22 2014-12-02 최대규 자기 관리 기능을 갖는 원격 플라즈마 시스템 및 이의 자기 관리 방법
US10132707B2 (en) * 2015-07-09 2018-11-20 Mks Instruments, Inc. Devices and methods for feedthrough leakage current detection and decontamination in ionization gauges
RU172049U1 (ru) * 2016-06-24 2017-06-27 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский политехнический университет" Катод для ионной имплантации поверхности деталей из конструкционных материалов
US11527385B2 (en) 2021-04-29 2022-12-13 COMET Technologies USA, Inc. Systems and methods for calibrating capacitors of matching networks
US11114279B2 (en) 2019-06-28 2021-09-07 COMET Technologies USA, Inc. Arc suppression device for plasma processing equipment
US11596309B2 (en) 2019-07-09 2023-03-07 COMET Technologies USA, Inc. Hybrid matching network topology
JP2022542093A (ja) * 2019-07-25 2022-09-29 ラム リサーチ コーポレーション 基板処理システムにおける不均一性のｉｎ ｓｉｔｕリアルタイム感知および補償
US11521832B2 (en) * 2020-01-10 2022-12-06 COMET Technologies USA, Inc. Uniformity control for radio frequency plasma processing systems
US11887820B2 (en) 2020-01-10 2024-01-30 COMET Technologies USA, Inc. Sector shunts for plasma-based wafer processing systems
US11830708B2 (en) 2020-01-10 2023-11-28 COMET Technologies USA, Inc. Inductive broad-band sensors for electromagnetic waves
US20210217588A1 (en) * 2020-01-10 2021-07-15 COMET Technologies USA, Inc. Azimuthal sensor array for radio frequency plasma-based wafer processing systems
US12027351B2 (en) * 2020-01-10 2024-07-02 COMET Technologies USA, Inc. Plasma non-uniformity detection
US11670488B2 (en) 2020-01-10 2023-06-06 COMET Technologies USA, Inc. Fast arc detecting match network
US11605527B2 (en) 2020-01-20 2023-03-14 COMET Technologies USA, Inc. Pulsing control match network
US11961711B2 (en) 2020-01-20 2024-04-16 COMET Technologies USA, Inc. Radio frequency match network and generator
US11264212B1 (en) 2020-09-29 2022-03-01 Tokyo Electron Limited Ion angle detector
US11923175B2 (en) 2021-07-28 2024-03-05 COMET Technologies USA, Inc. Systems and methods for variable gain tuning of matching networks
US11657980B1 (en) 2022-05-09 2023-05-23 COMET Technologies USA, Inc. Dielectric fluid variable capacitor

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1159012A (en) * 1980-05-02 1983-12-20 Seitaro Matsuo Plasma deposition apparatus
JPH08111397A (ja) * 1994-10-07 1996-04-30 Hitachi Ltd プラズマ処理方法およびその装置
JP2001351554A (ja) * 2000-06-06 2001-12-21 Tokyo Cathode Laboratory Co Ltd イオン注入におけるドーズ均一性検査装置およびドーズ均一性検査方法
JP3414380B2 (ja) * 2000-11-14 2003-06-09 日新電機株式会社 イオンビーム照射方法ならびに関連の方法および装置
JP2004014320A (ja) * 2002-06-07 2004-01-15 Sony Corp イオンビームの電流密度分布測定方法及び同測定方法を用いたイオン注入方法及びイオン注入装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101398578B1 (ko) * 2012-08-22 2014-05-23 세종대학교산학협력단 플라즈마 쉬스 내의 이온 분포 모니터링 방법 및 장치

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