KR20110110713A - Positive radiation-sensitive composition, interlayer insulating film and method for forming the same - Google Patents

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Abstract

(과제) 우수한 내열성 및 투명성에 더하여, 도포 불균일이 없는 고도의 평탄성(막두께 균일성)을 갖는 층간 절연막을 형성할 수 있고, 그리고 고속의 도포가 가능하고, 높은 방사선 감도를 갖는 포지티브형 감방사선성 조성물의 제공을 목적으로 한다.
(해결 수단) 본 발명은, [A] 동일 또는 상이한 중합체 분자 중에 하기식 (1)로 나타나는 기를 포함하는 구조 단위와 에폭시기 함유 구조 단위를 갖는 중합체, [B] 광산 발생체, 그리고 [C] 불소를 갖는 구성 단위와 규소를 갖는 구성 단위를 갖는 공중합체를 함유하는 포지티브형 감방사선성 조성물이다.

Figure pat00034
(Problem) In addition to excellent heat resistance and transparency, it is possible to form an interlayer insulating film having high flatness (film thickness uniformity) without coating unevenness, and to apply at high speed, and to provide positive radiation with high radiation sensitivity. It is aimed at providing a sex composition.
(Measures) The present invention provides a polymer having a structural unit and an epoxy group-containing structural unit containing a group represented by the following formula (1) in [A] the same or different polymer molecules, [B] photoacid generator, and [C] fluorine It is a positive radiation sensitive composition containing the copolymer which has a structural unit which has a structural unit which has and a silicon.
Figure pat00034

Description

포지티브형 감방사선성 조성물, 층간 절연막 및 그 형성 방법 {POSITIVE RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION, INTERLAYER INSULATING FILM AND METHOD FOR FORMING THE SAME}Positive radiation-sensitive composition, interlayer insulating film and method for forming the same {POSITIVE RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION, INTERLAYER INSULATING FILM AND METHOD FOR FORMING THE SAME}

본 발명은, 액정 표시 소자(LCD), 유기 EL 표시 소자(OLED) 등의 표시 소자의 층간 절연막을 형성하기 위한 재료로서 적합한 포지티브형 감방사선성 조성물, 그 조성물로 형성된 층간 절연막 및, 그 층간 절연막의 형성 방법에 관한 것이다.The present invention provides a positive radiation sensitive composition suitable as a material for forming an interlayer insulating film of a display device such as a liquid crystal display device (LCD), an organic EL display device (OLED), an interlayer insulating film formed from the composition, and the interlayer insulating film. It relates to a method of forming.

표시 소자에는, 일반적으로 층 형상으로 배치되는 배선의 사이를 절연할 목적으로 층간 절연막이 형성되어 있다. 층간 절연막의 형성 재료로서는, 필요한 패턴 형상을 얻기 위한 공정수가 적고, 게다가 충분한 평탄성을 갖는 것이 바람직한 점에서, 포지티브형 감방사선성 조성물이 폭넓게 사용되고 있다. 이러한 층간 절연막을 형성할 때에 이용되는 포지티브형 감방사선성 조성물에는 양호한 방사선 감도 및 보존 안정성이, 얻어지는 층간 절연막에는 우수한 내열성이나 투명성 등이 요구된다.In the display element, an interlayer insulating film is formed in order to insulate between wirings arranged in a layer shape in general. As the material for forming the interlayer insulating film, a positive radiation-sensitive composition has been widely used because there are few processes for obtaining the required pattern shape, and it is preferable to have sufficient flatness. The positive radiation sensitive composition used when forming such an interlayer insulating film requires excellent radiation sensitivity and storage stability, and the interlayer insulating film obtained requires excellent heat resistance and transparency.

상기 포지티브형 감방사선성 조성물의 성분으로서는, 아크릴계 수지가 널리 채용되고 있으며, 예를 들면 일본공개특허공보 2004-4669호에는, 가교제, 산발생제 및, 그 자체는 알칼리 수용액에 불용(不溶) 또는 난용(難溶)이지만, 산의 작용에 의해 해열(解裂)할 수 있는 보호기를 갖고, 당해 보호기가 해열한 후는 알칼리 수용액에 가용성이 되는 수지를 함유하는 것을 특징으로 하는 포지티브형 화학 증폭 레지스터 조성물이 제안되고 있다. 그러나, 이 조성물로부터 얻어지는 절연막에서는 밀착성이 충분하지 않아, 고품질의 액정 표시 소자를 제조하기 위해서는 만족할 수 있는 것은 아니다. 또한 일본공개특허공보 2004-264623호에는, 아세탈 구조 및/또는 케탈 구조 그리고 에폭시기를 함유하는 수지 및 산발생제를 함유하는 것을 특징으로 하는 감방사선성 수지 조성물이 제안되어 있지만, 방사선 감도가 낮아, 만족할 수 있는 것은 아니다.As a component of the said positive radiation sensitive composition, acrylic resin is widely employ | adopted, For example, Unexamined-Japanese-Patent No. 2004-4669 has a crosslinking agent, an acid generator, and itself insoluble in an aqueous alkali solution, or Positive chemical amplification resistor, although it is poorly soluble, has a protecting group which can be dissociated by the action of an acid, and after the protecting group has dissociated, it contains a resin which is soluble in an aqueous alkali solution. Compositions have been proposed. However, in the insulating film obtained from this composition, adhesiveness is not enough and it is not satisfactory in order to manufacture a high quality liquid crystal display element. In addition, Japanese Patent Laid-Open No. 2004-264623 proposes a radiation sensitive resin composition comprising an acetal structure and / or a ketal structure, a resin containing an epoxy group, and an acid generator, but having a low radiation sensitivity, It is not enough.

한편, 최근의 대화면 TV의 보급에 수반하여, 그 제조에 사용되는 유리 기판 사이즈도 대형화되고 있다. 그 때문에, 층간 절연막 형성 공정에 있어서 종래 채용되고 있는 스핀 코팅법으로는, 대형 기판으로의 감방사선성 조성물의 도포가 곤란해지고 있다. 그래서, 이러한 스핀 코팅법 대신에, 감방사선성 조성물을 슬릿 형상의 노즐로부터 토출하여 유리 기판 상에 도포하는 슬릿 도포법이 채용되게 되고 있다.On the other hand, with the spread of the recent large-screen TV, the glass substrate size used for manufacture is also enlarged. Therefore, application of the radiation sensitive composition to a large sized board | substrate becomes difficult by the spin coating method conventionally employ | adopted in the interlayer insulation film formation process. Therefore, instead of such a spin coating method, the slit coating method which discharges a radiation sensitive composition from a slit-shaped nozzle and apply | coats on a glass substrate is employ | adopted.

슬릿 도포법에서는, 구체적으로는, 도포 스테이지에 기판을 진공 흡착에 의해 밀착시킨 후에, 도포 노즐을 일정 방향으로 소인(掃引)하여 기판 상에 도막을 형성하고, 도막 형성 후에 진공 흡착용의 구멍에 격납되어 있는 지지핀이 상승함으로써, 기판은 도포 스테이지로부터 들어올려져, 다음의 공정으로 반송된다. 이러한 슬릿 도포법은, 스핀 코팅법과 비교하여 도포에 필요로 하는 감방사선성 조성물의 양을 저감할 수 있음과 함께, 감방사선성 조성물을 토출하면서 일정 방향으로의 소인으로 도포가 가능한 점에서, 도포 시간의 단축도 도모할 수 있고, 표시 소자의 제조 비용 삭감에도 이바지한다.In the slit coating method, specifically, the substrate is adhered to the application stage by vacuum adsorption, after which the application nozzle is sweeped in a predetermined direction to form a coating film on the substrate. By raising the support pin stored, the board | substrate is lifted from the application | coating stage and conveyed to the next process. This slit coating method can reduce the amount of the radiation-sensitive composition required for the application compared with the spin coating method, and can be applied in a predetermined direction while discharging the radiation-sensitive composition. The time can also be shortened, which also contributes to reducing the manufacturing cost of the display element.

그러나, 이 일련의 공정에 있어서는, 도포시에 도포 불균일이 발생하거나, 진공 흡착을 위한 구멍에 기인하는 미소 요철에 의해 도막에 불균일이 발생하거나 하는 경우가 있어, 층간 절연막의 특성으로서 요구되는 고도의 평탄성을 실현하는 것에 지장이 되고 있다.However, in this series of processes, coating unevenness may occur at the time of coating, or unevenness may occur in the coating film due to unevenness caused by pores for vacuum adsorption, which is required as a characteristic of the interlayer insulating film. There is a problem in achieving flatness.

이러한 상황 속, 층간 절연막으로서 일반적으로 요구되는 내열성 및 투명성이 우수함과 함께, 도포 불균일이 없는 고도의 평탄성(막두께 균일성)을 갖는 경화막을 형성 가능하고, 그리고 고속의 도포가 가능하고, 높은 방사선 감도를 갖는 포지티브형 감방사선성 조성물의 개발이 강하게 요망되고 있다.In such a situation, it is possible to form a cured film having excellent heat resistance and transparency, which is generally required as an interlayer insulating film, and having high flatness (film thickness uniformity) without coating unevenness, and high-speed coating, and high radiation. There is a strong demand for the development of positive radiation-sensitive compositions having sensitivity.

일본공개특허공보 2004-4669호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2004-4669 일본공개특허공보 2004-264623호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2004-264623

본 발명은, 이상과 같은 사정에 기초하여 이루어진 것으로, 그 목적은, 우수한 내열성 및 투명성에 더하여, 도포 불균일이 없는 고도의 평탄성(막두께 균일성)을 갖는 층간 절연막을 형성할 수 있고, 그리고 고속의 도포가 가능하고, 높은 방사선 감도를 갖는 포지티브형 감방사선성 조성물, 그 조성물로 형성된 층간 절연막, 그리고 그 층간 절연막의 형성 방법을 제공하는 것이다.This invention is made | formed based on the above circumstances, The objective is to form the interlayer insulation film which has the high flatness (film thickness uniformity) without application | coating nonuniformity in addition to the outstanding heat resistance and transparency, and high speed. The present invention provides a positive radiation-sensitive composition having a high radiation sensitivity, an interlayer insulating film formed from the composition, and a method of forming the interlayer insulating film.

상기 과제를 해결하기 위해 이루어진 발명은,The invention made to solve the above problems,

[A] 동일 또는 상이한 중합체 분자 중에 하기식 (1)로 나타나는 기를 포함하는 구조 단위와 에폭시기 함유 구조 단위를 갖는 중합체,[A] a polymer having a structural unit and an epoxy group-containing structural unit containing a group represented by the following formula (1) in the same or different polymer molecule,

[B] 광산 발생체 및,[B] mine generators,

[C] 불소를 갖는 구성 단위와 규소를 갖는 구성 단위를 갖는 공중합체[C] Copolymer having a structural unit having a fluorine and a structural unit having a silicon

를 함유하는 포지티브형 감방사선성 조성물이다.It is a positive radiation sensitive composition containing these.

Figure pat00001
Figure pat00001

(식 (1) 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 사이클로알킬기 또는 아릴기이고, 이들 알킬기, 사이클로알킬기 또는 아릴기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 치환기로 치환되어 있어도 좋고(단, R1 및 R2가 모두 수소 원자인 경우는 없음); R3은 알킬기, 사이클로알킬기, 아르알킬기, 아릴기 또는 -M(R3m)3으로 나타나는 기(M은 Si, Ge 또는 Sn이고, R3m은 알킬기임)이고, 이들 수소 원자의 일부 또는 전부가 치환기로 치환되어 있어도 좋고; R1과 R3이 연결되어 환상 에테르를 형성해도 좋음).(In formula (1), R <1> and R <2> is respectively independently a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, or an aryl group, and even if one part or all of the hydrogen atoms of these alkyl groups, a cycloalkyl group, or an aryl group are substituted by the substituent, Good, provided that R 1 and R 2 are not all hydrogen atoms; R 3 is an alkyl group, a cycloalkyl group, an aralkyl group, an aryl group, or a group represented by -M (R 3m ) 3 (M is Si, Ge or Sn and R 3m is an alkyl group, and some or all of these hydrogen atoms may be substituted with a substituent; R 1 and R 3 may be linked to form a cyclic ether).

또한 [C] 공중합체가,Furthermore, the [C] copolymer,

(c1) 하기식 (2)로 나타나는 중합성 화합물,(c1) the polymeric compound represented by following formula (2),

(c2) 하기식 (3)으로 나타나는 중합성 화합물 및,(c2) a polymeric compound represented by the following formula (3), and

(c3) 하기식 (4)로 나타나는 기를 갖는 중합성 화합물(c3) Polymerizable compound which has group represented by following formula (4).

에 유래하는 구조 단위를 적어도 갖는 공중합체Copolymer having at least a structural unit derived from

를 함유하는 포지티브형 감방사선성 조성물이다.It is a positive radiation sensitive composition containing these.

Figure pat00002
Figure pat00002

(식 (2) 중, R4는 수소 원자 또는 메틸기이고; α는 0∼6의 정수이고; β는 1∼20의 정수임);(In formula (2), R 4 is a hydrogen atom or a methyl group; α is an integer of 0 to 6; β is an integer of 1 to 20);

Figure pat00003
Figure pat00003

(식 (3) 중, R5는 수소 원자 또는 메틸기이고; R6은 탄소수 1∼12의 알킬기이고; γ는 2 또는 3이고; a는 구조 단위수이고, 그 수평균치가 1∼30임);(In formula (3), R 5 is a hydrogen atom or a methyl group; R 6 is an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms; γ is 2 or 3; a is the number of structural units and the number average is 1 to 30.) ;

Figure pat00004
Figure pat00004

(식 (4) 중, R7, R8, R9, R10 및 R11은 각각 독립적으로, 탄소수 1∼20의 알킬기, 페닐기, 또는 하기식 (5)로 나타나는 기이고; b는 0∼3의 정수임);(In formula (4), R <7> , R <8> , R <9> , R <10> and R <11> are respectively independently group represented by a C1-C20 alkyl group, a phenyl group, or following formula (5); b is 0- An integer of 3);

Figure pat00005
Figure pat00005

(식 (5) 중, R12, R13 및 R14는 각각 독립적으로, 탄소수 1∼20의 알킬기 또는 페닐기이고; c는 0∼3의 정수임).(In formula (5), R <12> , R <13> and R <14> is respectively independently a C1-C20 alkyl group or a phenyl group; c is an integer of 0-3.).

당해 포지티브형 감방사선성 조성물은, 상기 특정 구조의 [A] 중합체 및 [B] 광산 발생체에 더하여, 특정의 구조를 갖는 중합성 화합물로 형성된 [C] 공중합체가 표면 장력의 저하 성능이 높은 계면 활성제로서 기능함으로써, 내열성 및 투명성이라는 일반적인 요구 특성을 균형 좋게 충족하고, 도포 불균일이 없는 고도의 평탄성(막두께 균일성)을 갖는 층간 절연막을 형성하는 것이 가능하다. 또한, 당해 포지티브형 감방사선성 조성물은, 고속의 도포가 가능함과 함께, 우수한 방사선 감도를 갖는다.In the positive radiation-sensitive composition, in addition to the [A] polymer and [B] photoacid generator having the specific structure, the [C] copolymer formed of a polymerizable compound having a specific structure has a high surface tension-lowering performance. By functioning as a surfactant, it is possible to form an interlayer insulating film having a high degree of flatness (film thickness uniformity) without satisfactorily satisfying the general required characteristics of heat resistance and transparency, and without coating unevenness. In addition, the positive radiation-sensitive composition can be applied at high speed and has excellent radiation sensitivity.

당해 포지티브형 감방사선성 조성물에 있어서, [C] 공중합체가, 추가로 (c4) 탄소수 1∼8의 비치환 알킬에스테르기를 갖는 중합성 화합물에 유래하는 구조 단위를 갖는 것이 바람직하다. 이에 따라, 다른 성분이나 용매에 대한 [C] 공중합체의 친화성을 향상시킬 수 있고, 얻어지는 층간 절연막의 막두께 균일성을 보다 높일 수 있다.In the positive radiation sensitive composition, it is preferable that the [C] copolymer further has a structural unit derived from the polymerizable compound having an (c4) unsubstituted alkyl ester group having 1 to 8 carbon atoms. Thereby, the affinity of the [C] copolymer with respect to another component and a solvent can be improved, and the film thickness uniformity of the interlayer insulation film obtained can be improved more.

당해 포지티브형 감방사선성 조성물에서는, [C] 공중합체가, 추가로 (c5) 1분자 중에 2개 이상의 불포화 결합을 갖는 중합성 화합물에 유래하는 구조 단위를 갖는 것이 바람직하다. 이에 따라, 얻어지는 층간 절연막의 막두께 균일성과 함께 강도를 높일 수 있고, 내열성 등의 일반적 특성도 향상시킬 수 있다.In the said positive radiation sensitive composition, it is preferable that [C] copolymer further has a structural unit derived from the polymeric compound which has a 2 or more unsaturated bond in 1 molecule (c5). Thereby, intensity | strength can be raised with the film thickness uniformity of the interlayer insulation film obtained, and general characteristics, such as heat resistance, can also be improved.

당해 포지티브형 감방사선성 조성물에서는, 화합물(c1)이 하기식 (6)으로 나타나는 중합성 화합물, 화합물(c2)이 하기식 (7)로 나타나는 중합성 화합물이고,In the said positive radiation sensitive composition, a compound (c1) is a polymeric compound represented by following formula (6), and a compound (c2) is a polymeric compound represented by following formula (7),

[C] 공중합체가, 중합성 화합물(c1)∼(c5)의 합계량에 대하여,The copolymer (C) is based on the total amount of the polymerizable compounds (c1) to (c5),

중합성 화합물(c1) 25∼35질량%,25-35 mass% of polymeric compounds (c1),

중합성 화합물(c2) 20∼30질량%,20-30 mass% of polymeric compounds (c2),

중합성 화합물(c3) 15∼20질량%,15-20 mass% of polymeric compounds (c3),

중합성 화합물(c4) 25∼35질량% 및,25-35 mass% of polymeric compounds (c4),

중합성 화합물(c5) 1∼5질량%1-5 mass% of polymeric compounds (c5)

를 포함하는 조성물로 이루어지는 것이 바람직하다.It is preferable that it consists of a composition containing a.

Figure pat00006
Figure pat00006

(식 (6) 중, R4는 상기식 (2)에 있어서의 것과 동일한 의미이고; β는 1∼8의 정수임);(In formula (6), R <4> is synonymous with the thing in said Formula (2); (beta) is an integer of 1-8.);

Figure pat00007
Figure pat00007

(식 (7) 중, R5 및 R6은 각각 상기식 (3)에 있어서의 것과 동일한 의미이고; 구조 단위수(a)의 수평균치는 4∼12임).(In formula (7), R <5> and R <6> is synonymous with the thing in said Formula (3), respectively; the number average value of a structural unit number (a) is 4-12.).

이러한 특정 구조의 [C] 공중합체가 표면 장력의 저하 성능이 높은 계면 활성제로서 기능하여, 이를 적은 비율로 사용한 경우라도, 도막의 표면 평활성을 향상할 수 있고, 그 결과, 형성되는 층간 절연막의 막두께 균일성을 더욱 향상시킬 수 있다.[C] copolymer of such a specific structure functions as a surfactant having high surface tension lowering performance, and even when used in a small ratio, the surface smoothness of the coating film can be improved, and as a result, the film of the interlayer insulating film formed. Thickness uniformity can be further improved.

당해 포지티브형 감방사선성 조성물은, [D] 밀착 보조제를 추가로 함유하는 것이 바람직하다. 이러한 밀착 보조제를 이용함으로써, 얻어지는 경화막의 기판으로의 밀착성을 더욱 향상시키는 것이 가능해진다.It is preferable that the said positive radiation sensitive composition further contains [D] adhesion | attachment adjuvant. By using such an adhesion | attachment adjuvant, it becomes possible to improve the adhesiveness to the board | substrate of the cured film obtained further.

당해 포지티브형 감방사선성 조성물은, 추가로 [E] 염기성 화합물을 함유하는 것이 바람직하다. 이에 따라, 광산 발생체로부터 발생한 산의 확산이 적절히 제어되어, 당해 포지티브형 감방사선성 조성물의 패턴 현상성을 높이는 것이 가능해진다.It is preferable that the said positive radiation sensitive composition contains a [E] basic compound further. Thereby, the diffusion of the acid generated from the photoacid generator can be appropriately controlled to increase the pattern developability of the positive radiation-sensitive composition.

또한, 본 발명의 표시 소자용 층간 절연막의 형성 방법은,Moreover, the formation method of the interlayer insulation film for display elements of this invention,

(1) 당해 포지티브형 감방사선성 조성물의 도막을 기판 상에 형성하는 공정,(1) forming a coating film of the positive radiation-sensitive composition on a substrate;

(2) 공정(1)에서 형성한 도막의 적어도 일부에 방사선을 조사하는 공정,(2) irradiating at least a portion of the coating film formed in step (1) with radiation;

(3) 공정(2)에서 방사선이 조사된 도막을 현상하는 공정 및,(3) developing the coating film irradiated with radiation in step (2), and

(4) 공정(3)에서 현상된 도막을 가열하는 공정(4) Step of heating the coating film developed in step (3)

을 포함하고 있다.It includes.

당해 방법에 있어서는, 고속의 도포가 가능함과 함께, 우수한 방사선 감도를 갖는 상기 포지티브형 감방사선성 조성물을 이용하고, 감방사선성을 이용한 노광·현상·가열에 의해 패턴을 형성함으로써, 용이하게 미세하고 그리고 정교한 패턴을 갖는 표시 소자용 층간 절연막을 형성할 수 있다. 또한, 이렇게 하여 형성된 층간 절연막은, 일반적인 요구 특성, 즉, 내열성 및 투명성이 균형 좋게 우수함과 함께, 도포 불균일이 없고 고도의 평탄성을 갖는다. In this method, it is possible to achieve high-speed application and to form a pattern by exposure, development and heating using radiation, using the positive radiation-sensitive composition having excellent radiation sensitivity. And an interlayer insulating film for display elements which has a fine pattern can be formed. In addition, the interlayer insulating film thus formed has excellent general balance of required properties, that is, heat resistance and transparency, and is free from coating unevenness and has high flatness.

본 명세서에 있어서, [A] 성분의 「중합체」는, 하나의 중합체 분자 중에 하기식 (1)로 나타나는 기를 포함하는 구조 단위를 갖고, 그리고 그 하나의 중합체 분자와는 상이한 중합체 분자 중에 에폭시기 함유 구조 단위를 갖는 경우도 포함하는 개념이다. In the present specification, the "polymer" of the component [A] has a structural unit containing a group represented by the following formula (1) in one polymer molecule, and an epoxy group-containing structure in a polymer molecule different from the one polymer molecule. The concept also includes the case of having a unit.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 포지티브형 감방사선성 조성물은, 상기 [A], [B] 및 [C] 성분을 포함하고 있음으로써, 내열성 및 투명성이라는 일반적인 요구 특성을 균형 좋게 충족시킴과 함께, 도포 불균일이 없는 고도의 평탄성을 갖는 층간 절연막을 형성할 수 있다. 또한, 당해 포지티브형 감방사선성 조성물은, 고속의 도포가 가능하고, 우수한 방사선 감도를 발현한다.As described above, the positive radiation-sensitive composition of the present invention includes the above-mentioned [A], [B], and [C] components, while satisfactorily satisfying the general required characteristics of heat resistance and transparency, An interlayer insulating film having a high flatness without coating unevenness can be formed. Moreover, the said positive radiation sensitive composition can be apply | coated at high speed and expresses the outstanding radiation sensitivity.

본 발명의 포지티브형 감방사선성 조성물은, 동일 또는 상이한 중합체 분자 중에 하기식 (1)로 나타나는 기를 포함하는 구조 단위(이하, 단순히 「구조 단위(1)」라고도 말함)와 에폭시기 함유 구조 단위를 갖는 중합체(이하, 단순히 「중합체 [A] 」라고도 말함), [B] 광산 발생체 및, [C] 특정의 구조를 갖는 중합성 화합물로 형성되는 공중합체(이하, 단순히 「공중합체 [C] 」라고도 말함)를 함유하고, 추가로 그 외의 임의 성분을 함유해도 좋다.The positive radiation-sensitive composition of the present invention has a structural unit (hereinafter referred to simply as "structural unit (1)") and an epoxy group-containing structural unit containing a group represented by the following formula (1) in the same or different polymer molecules. Copolymer formed from a polymer (hereinafter simply referred to as "polymer [A]"), a [B] photoacid generator, and a polymerizable compound having a specific structure of [C] (hereinafter simply referred to as "polymer [C]"). May be contained), and may further contain other arbitrary components.

<중합체 [A] ><Polymer [A]>

중합체 [A]는, 동일 또는 상이한 중합체 분자 중에 구조 단위(1)와 에폭시기 함유 구조 단위를 갖고 있어, 필요에 따라서 그 외의 구조 단위를 갖고 있어도 좋다. 구조 단위(1) 및 에폭시기 함유 구조 단위를 갖는 중합체 [A]의 실시 형태로서는 특별히 한정되지 않고, (i) 동일한 중합체 분자 중에 구조 단위(1) 및 에폭시기 함유 구조 단위의 양쪽을 갖고 있고, 중합체 [A] 중에 1종의 중합체 분자가 존재하는 경우, (ii) 하나의 중합체 분자 중에 구조 단위(1)를 갖고, 그와는 상이한 중합체 분자 중에 에폭시기 함유 구조 단위를 갖고 있고, 중합체 [A] 중에 2종의 중합체 분자가 존재하는 경우, (iii) 하나의 중합체 분자 중에 구조 단위(1) 및 에폭시기 함유 구조 단위의 양쪽을 갖고, 그와는 상이한 중합체 분자 중에 구조 단위(1)를 갖고, 이들과는 또 다른 중합체 분자 중에 에폭시기 함유 구조 단위를 갖고 있고, 중합체 [A] 중에 3종의 중합체 분자가 존재하는 경우, (iv)(i)∼(iii)에 규정한 중합체 분자에 더하여, 중합체 [A] 중에 또 다른 1종 또는 2종 이상의 중합체 분자를 포함하는 경우 등을 들 수 있다. 어느 경우라도 본 발명의 효과를 발휘할 수 있다. 이하, 구조 단위(1), 에폭시기 함유 구조 단위 및 그 외의 구조 단위에 대해서 순서대로 설명한다.The polymer [A] has a structural unit (1) and an epoxy group containing structural unit in the same or different polymer molecule, and may have other structural units as needed. It does not specifically limit as embodiment of the polymer [A] which has a structural unit (1) and an epoxy group containing structural unit, (i) It has both a structural unit (1) and an epoxy group containing structural unit in the same polymer molecule, and a polymer [ When one kind of polymer molecule is present in A], (ii) it has a structural unit (1) in one polymer molecule, has an epoxy group containing structural unit in a different polymer molecule, and 2 in a polymer [A] When a polymer molecule of a species exists, (iii) it has both a structural unit (1) and an epoxy-group containing structural unit in one polymer molecule, and has a structural unit (1) in a different polymer molecule from these, In the case where another polymer molecule has an epoxy group-containing structural unit and three polymer molecules are present in the polymer [A], in addition to the polymer molecules specified in (i ') (i) to (iii), the polymer [A] During The case containing another 1 type, or 2 or more types of polymer molecule, etc. are mentioned. In any case, the effects of the present invention can be obtained. Hereinafter, the structural unit (1), the epoxy group-containing structural unit, and other structural units will be described in order.

<구조 단위(1)><Structural unit (1)>

구조 단위(1)에서는, 상기식 (1)로 나타나는 기가, 산의 존재하에서 해리하여 극성기를 발생시키는 기(이하, 단순히 「산해리성기」라고도 말함)로서 존재하고 있기 때문에, 방사선의 조사에 의해 광산 발생체로부터 발생한 산에 의해 산해리성기가 해리하고, 그 결과, 알칼리 불용성인 중합체 [A]는 알칼리 가용성이 된다. 상기 산해리성기는, 알칼리에 대해서는 비교적 안정된 아세탈 구조 또는 케탈 구조를 갖고 있고, 이들이 산의 작용에 의해 해리되게 된다. In the structural unit (1), since the group represented by the formula (1) exists as a group (hereinafter, simply referred to as an "acid dissociable group") that dissociates in the presence of an acid to generate a polar group, the photon is irradiated by radiation. The acid dissociable group dissociates by the acid generated from the generator, and as a result, the polymer [A] which is alkali insoluble becomes alkali-soluble. The acid dissociable group has a relatively stable acetal structure or ketal structure with respect to alkali, and these are dissociated by the action of an acid.

상기식 (1)에 있어 R1 및 R2로 나타나는 알킬기로서는, 바람직하게는 탄소수 1∼30의 직쇄 및 분기 알킬기이며, 이 알킬쇄 중에 산소 원자, 황 원자, 질소 원자를 갖고 있어도 좋다. 상기 알킬기의 구체예로서는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-옥틸기, n-도데실기, n-테트라데실기, n-옥타데실기 등의 직쇄상 알킬기, i-프로필기, i-부틸기, t-부틸기, 네오펜틸기, 1-헥실기, 2-헥실기, 3-헥실기 등의 분기상 알킬기를 들 수 있다.As said alkyl group represented by R <1> and R <2> in said Formula (1), Preferably it is a C1-C30 linear and branched alkyl group, You may have an oxygen atom, a sulfur atom, and a nitrogen atom in this alkyl chain. As a specific example of the said alkyl group, For example, a methyl group, an ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, n-octyl group, n-dodecyl group, n- tetradecyl group, Branched alkyl groups, such as linear alkyl groups, such as n-octadecyl group, i-propyl group, i-butyl group, t-butyl group, neopentyl group, 1-hexyl group, 2-hexyl group, and 3-hexyl group Can be mentioned.

상기식 (1)에 있어 R1 및 R2로 나타나는 사이클로알킬기로서는, 바람직하게는 탄소수 3∼20의 사이클로알킬기이며, 다환이라도 좋고, 환 내에 산소 원자를 갖고 있어도 좋다. 상기 사이클로알킬기의 구체예로서는, 예를 들면 사이클로프로필기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 사이클로헵틸기, 사이클로옥틸기, 보르닐기, 노르보르닐기, 아다만틸기 등을 들 수 있다.As said cycloalkyl group represented by R <1> and R <2> in said Formula (1), Preferably it is a C3-C20 cycloalkyl group, may be polycyclic, and may have an oxygen atom in a ring. As a specific example of the said cycloalkyl group, a cyclopropyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, a bornyl group, a norbornyl group, an adamantyl group, etc. are mentioned, for example.

상기식 (1)에 있어 R1 및 R2로 나타나는 아릴기로서는, 바람직하게는 탄소수 6∼14의 아릴기이며, 단환이라도 좋고, 단환이 연결된 구조라도 좋고, 축합환이라도 좋다. 상기 아릴기의 구체예로서는, 예를 들면 페닐기, 나프틸기 등을 들 수 있다.As said aryl group represented by R <1> and R <2> in said Formula (1), Preferably, they are a C6-C14 aryl group, may be monocyclic, the structure which monocyclic linked, and condensed ring may be sufficient. As a specific example of the said aryl group, a phenyl group, a naphthyl group, etc. are mentioned, for example.

상기 R1 및 R2의 수소 원자의 일부 또는 전부는 치환기로 치환되어 있어도 좋다. 이러한 치환기로서는, 예를 들면 할로겐 원자, 수산기, 니트로기, 시아노기, 카복실기, 카보닐기, 사이클로알킬기(이 사이클로알킬기로서는, 상기 사이클로알킬기의 설명을 적합하게 적용할 수 있음), 아릴기(이 아릴기로서는, 상기 아릴기의 설명을 적합하게 적용할 수 있음), 알콕시기(바람직하게는 탄소수 1∼20의 알콕시기이며, 예를 들면 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, n-부톡시기, 펜틸옥시기, 헥실옥시기, 헵틸옥시기, 옥틸옥시기 등을 들 수 있음), 아실기(바람직하게는 탄소수 2∼20의 아실기이며, 예를 들면 아세틸기, 프로피오닐기, 부티릴기, i-부티릴기 등을 들 수 있음), 아실옥시기(바람직하게는 탄소수 2∼10의 아실옥시기며, 예를 들면, 아세톡시기, 에티릴옥시기, 부티릴옥시기, t-부티릴옥시기, t-아밀옥시기 등을 들 수 있음), 알콕시카보닐기(바람직하게는 탄소수 2∼20의 알콕시카보닐기이며, 예를 들면, 메톡시카보닐기, 에톡시카보닐기, 프로폭시카보닐기 등을 들 수 있음), 할로 알킬기(상기 알킬기 또는 사이클로알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 할로겐 원자로 치환된 기이며, 예를 들면, 퍼플루오로메틸기, 퍼플루오로에틸기, 퍼플루오로프로필기, 플루오로사이클로프로필기, 플루오로사이클로부틸기 등을 들 수 있음) 등을 들 수 있다. 아릴기, 사이클로알킬기 등에 있어서의 환상 구조에 대해서는, 새로운 치환기로서는 상기 알킬기를 들 수 있다.Some or all of the hydrogen atoms of R 1 and R 2 may be substituted with a substituent. As such a substituent, a halogen atom, a hydroxyl group, a nitro group, a cyano group, a carboxyl group, a carbonyl group, a cycloalkyl group (as this cycloalkyl group, description of the said cycloalkyl group can apply suitably), an aryl group (this As an aryl group, the description of the said aryl group is applicable suitably, and an alkoxy group (preferably a C1-C20 alkoxy group, For example, a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, n-butoxy group) , Pentyloxy group, hexyloxy group, heptyloxy group, octyloxy group, etc.), acyl group (preferably acyl group having 2 to 20 carbon atoms, for example, acetyl group, propionyl group, butyryl group) , i-butyryl group and the like), acyloxy group (preferably acyloxy group having 2 to 10 carbon atoms, for example, acetoxy group, ethylyloxy group, butyryloxy group, t-butyryloxy group, t-amyloxy group etc.), alkoxycarbonyl (Preferably a C2-C20 alkoxycarbonyl group, for example, a methoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group, a propoxycarbonyl group, etc. are mentioned), a halo alkyl group (the hydrogen atom of the said alkyl group or cycloalkyl group) A part or all of which is a group substituted with a halogen atom, for example, a perfluoromethyl group, a perfluoroethyl group, a perfluoropropyl group, a fluorocyclopropyl group, a fluorocyclobutyl group, etc. can be mentioned. Can be mentioned. About the cyclic structure in an aryl group, a cycloalkyl group, etc., the said alkyl group is mentioned as a new substituent.

상기식 (1)에 있어서 R3으로 나타나는 알킬기, 사이클로알킬기 및 아릴기는 R1 및 R2에서의 설명을 적용할 수 있다. 상기식 (1)에 있어서 R3으로 나타나는 아르알킬기로서는, 바람직하게는 탄소수 7∼20의 아르알킬기를 들 수 있으며, 예를 들면, 벤질기, 페네틸기, 나프틸메틸기, 나프틸에틸기 등을 들 수 있다. 상기식 (1)에 있어 R3의 -M(R3m)3으로 나타나는 기로서는, 예를 들면 트리메틸실라닐기, 트리메틸게르밀기 등을 들 수 있다. 이 R3으로 나타나는 아르알킬기 또는 -M(R3m)3으로 나타나는 기의 수소 원자의 일부 또는 전부를 치환하고 있어도 좋은 치환기로서는, 상기 치환기를 적합하게 채용할 수 있다.Description of R <1> and R <2> can apply the alkyl group, cycloalkyl group, and aryl group which are represented by R <3> in said Formula (1). As an aralkyl group represented by R <3> in said Formula (1), Preferably, a C7-C20 aralkyl group is mentioned, For example, a benzyl group, a phenethyl group, a naphthyl methyl group, a naphthyl ethyl group, etc. are mentioned. Can be. As said group represented by -M ( R3m ) 3 of R <3> in said formula (1), a trimethylsilanyl group, a trimethylgeryl group, etc. are mentioned, for example. As a substituent which may replace part or all of the hydrogen atoms of the aralkyl group represented by this R <3> or the group represented by -M (R < 3m ) 3 , the said substituent can be employ | adopted suitably.

R1과 R3이 연결되어 환상 에테르를 형성해도 좋다. 이러한 환상 에테르로서는, 예를 들면 2-옥세타닐기, 2-테트라하이드로푸라닐기, 2-테트라하이드로피라닐기, 2-디옥사닐기 등을 들 수 있다. 이 환상 에테르의 수소 원자의 일부 또는 전부는 상기 치환기로 치환되어 있어도 좋다.R 1 and R 3 may be linked to each other to form a cyclic ether. As such a cyclic ether, 2-oxetanyl group, 2-tetrahydrofuranyl group, 2-tetrahydropyranyl group, 2-dioxanyl group, etc. are mentioned, for example. Some or all of the hydrogen atoms of this cyclic ether may be substituted by the said substituent.

구조 단위(1)는, 기타 탄소 원자에 결합함으로써 아세탈 구조 또는 케탈 구조를 갖게 되는 관능기를 소유함으로써, 그 아세탈 구조 또는 케탈 구조를 가질 수 있다.The structural unit 1 may have acetal structure or a ketal structure by possessing a functional group which has an acetal structure or a ketal structure by bonding to other carbon atoms.

상기 기타 탄소 원자에 결합함으로써 아세탈 구조를 갖게 되는 관능기로서는, 예를 들면 1-메톡시에톡시기, 1-에톡시에톡시기, 1-n-프로폭시에톡시기, 1-i-프로폭시에톡시기, 1-n-부톡시에톡시기, 1-i-부톡시에톡시기, 1-sec-부톡시에톡시기, 1-t-부톡시에톡시기, 1-사이클로펜틸옥시에톡시기, 1-사이클로헥실옥시에톡시기, 1-노르보닐옥시에톡시기, 1-보르닐옥시에톡시기, 1-페닐옥시에톡시기, 1-(1-나프틸옥시)에톡시기, 1-벤질옥시에톡시기, 1-페네틸옥시에톡시기, (사이클로헥실)(메톡시)메톡시기, (사이클로헥실)(에톡시)메톡시기, (사이클로헥실)(n-프로폭시)메톡시기, (사이클로헥실)(i-프로폭시)메톡시기, (사이클로헥실)(사이클로헥실옥시)메톡시기, (사이클로헥실)(페녹시)메톡시기, (사이클로헥실)(벤질옥시)메톡시기, (페닐)(메톡시)메톡시기, (페닐)(에톡시)메톡시기, (페닐)(n-프로폭시)메톡시기, (페닐)(i-프로폭시)메톡시기, (페닐)(사이클로헥실옥시)메톡시기, (페닐)(페녹시)메톡시기, (페닐)(벤질옥시)메톡시기, (벤질)(메톡시)메톡시기, (벤질)(에톡시)메톡시기, (벤질)(n-프로폭시)메톡시기, (벤질)(i-프로폭시)메톡시기, (벤질)(사이클로헥실옥시)메톡시기, (벤질)(페녹시)메톡시기, (벤질)(벤질옥시)메톡시기, 2-테트라하이드로푸라닐옥시기, 2-테트라하이드로피라닐옥시기, 1-트리메틸실라닐옥시에톡시기, 1-트리메틸게르밀옥시에톡시기 등을 들 수 있다.As a functional group which has an acetal structure by couple | bonding with the said other carbon atom, for example, 1-methoxyethoxy group, 1-ethoxyethoxy group, 1-n-propoxyethoxy group, 1-i-propoxy Ethoxy group, 1-n-butoxyethoxy group, 1-i-butoxyethoxy group, 1-sec-butoxyethoxy group, 1-t-butoxyethoxy group, 1-cyclopentyloxye Oxy group, 1-cyclohexyloxyethoxy group, 1-norbornyloxyethoxy group, 1-bornyloxyethoxy group, 1-phenyloxyethoxy group, 1- (1-naphthyloxy) ethoxy group, 1-benzyloxyethoxy group, 1-phenethyloxyethoxy group, (cyclohexyl) (methoxy) methoxy group, (cyclohexyl) (ethoxy) methoxy group, (cyclohexyl) (n-propoxy) methoxy Period, (cyclohexyl) (i-propoxy) methoxy group, (cyclohexyl) (cyclohexyloxy) methoxy group, (cyclohexyl) (phenoxy) methoxy group, (cyclohexyl) (benzyloxy) methoxy group, (Phenyl) (methoxy) methoxy group, (phenyl) (ethoxy) Methoxy group, (phenyl) (n-propoxy) methoxy group, (phenyl) (i-propoxy) methoxy group, (phenyl) (cyclohexyloxy) methoxy group, (phenyl) (phenoxy) methoxy group, ( Phenyl) (benzyloxy) methoxy group, (benzyl) (methoxy) methoxy group, (benzyl) (ethoxy) methoxy group, (benzyl) (n-propoxy) methoxy group, (benzyl) (i-propoxy) Methoxy group, (benzyl) (cyclohexyloxy) methoxy group, (benzyl) (phenoxy) methoxy group, (benzyl) (benzyloxy) methoxy group, 2-tetrahydrofuranyloxy group, 2-tetrahydropyranyloxy group And 1-trimethylsilanyloxyethoxy group, 1-trimethylgeryloxyethoxy group and the like.

이들 중, 1-에톡시에톡시기, 1-사이클로헥실옥시에톡시기, 2-테트라하이드로피라닐옥시기, 1-n-프로폭시에톡시기, 2-테트라하이드로피라닐옥시기를 바람직한 것으로서 들 수 있다.Among these, 1-ethoxyethoxy group, 1-cyclohexyloxyethoxy group, 2-tetrahydropyranyloxy group, 1-n-propoxyoxy group, and 2-tetrahydropyranyloxy group are mentioned as a preferable thing. have.

상기 기타 탄소 원자에 결합함으로써, 케탈 구조를 갖게 되는 관능기로서는, 예를 들면, 1-메틸-1-메톡시에톡시기, 1-메틸-1-에톡시에톡시기, 1-메틸-1-n-프로폭시에톡시기, 1-메틸-1-i-프로폭시에톡시기, 1-메틸-1-n-부톡시에톡시기, 1-메틸-1-i-부톡시에톡시기, 1-메틸-1-sec-부톡시에톡시기, 1-메틸-1-t-부톡시에톡시기, 1-메틸-1-사이클로펜틸옥시에톡시기, 1-메틸-1-사이클로헥실옥시에톡시기, 1-메틸-1-노르보닐옥시에톡시기, 1-메틸-1-보르닐옥시에톡시기, 1-메틸-1-페닐옥시에톡시기, 1-메틸-1-(1-나프틸옥시)에톡시기, 1-메틸-1-벤질옥시에톡시기, 1-메틸-1-페네틸옥시에톡시기, 1-사이클로헥실-1-메톡시에톡시기, 1-사이클로헥실-1-에톡시에톡시기, 1-사이클로헥실-1-n-프로폭시에톡시기, 1-사이클로헥실-1-i-프로폭시에톡시기, 1-사이클로헥실-1-사이클로헥실옥시에톡시기, 1-사이클로헥실-1-페녹시 에톡시기, 1-사이클로헥실-1-벤질옥시에톡시기, 1-페닐-1-메톡시에톡시기, 1-페닐-1-에톡시에톡시기, 1-페닐-1-n-프로폭시에톡시기, 1-페닐-1-i-프로폭시에톡시기, 1-페닐-1-사이클로헥실옥시에톡시기, 1-페닐-1-페닐옥시에톡시기, 1-페닐-1-벤질옥시에톡시기, 1-벤질-1-메톡시에톡시기, 1-벤질-1-에톡시에톡시기, 1-벤질-1-n-프로폭시에톡시기, 1-벤질-1-i-프로폭시에톡시기, 1-벤질-1-사이클로헥실옥시에톡시기, 1-벤질-1-페닐옥시에톡시기, 1-벤질-1-벤질옥시에톡시기, 2-(2-메틸-테트라하이드로후라닐)옥시기, 2-(2-메틸-테트라하이드로피라닐)옥시기, 1-메톡시-사이클로펜틸옥시기, 1-메톡시-사이클로헥실옥시기 등을 들 수 있다.As a functional group which has a ketal structure by couple | bonding with the said other carbon atom, for example, 1-methyl-1- methoxyethoxy group, 1-methyl-1- ethoxyethoxy group, 1-methyl-1- n-propoxyethoxy group, 1-methyl-1-i-propoxyethoxy group, 1-methyl-1-n-butoxyethoxy group, 1-methyl-1-i-butoxyethoxy group, 1-methyl-1-sec-butoxyethoxy group, 1-methyl-1-t-butoxyethoxy group, 1-methyl-1-cyclopentyloxyethoxy group, 1-methyl-1-cyclohexyloxy Ethoxy group, 1-methyl-1-norbornyloxyethoxy group, 1-methyl-1-bornyloxyethoxy group, 1-methyl-1-phenyloxyethoxy group, 1-methyl-1- (1 -Naphthyloxy) ethoxy group, 1-methyl-1-benzyloxyethoxy group, 1-methyl-1-phenethyloxyethoxy group, 1-cyclohexyl-1-methoxyethoxy group, 1-cyclohexyl -1-ethoxyethoxy group, 1-cyclohexyl-1-n-propoxyethoxy group, 1-cyclohexyl-1-i-propoxyethoxy group, 1-cyclohexyl-1-cyclohexyloxye Toxi , 1-cyclohexyl-1-phenoxy ethoxy group, 1-cyclohexyl-1-benzyloxyethoxy group, 1-phenyl-1-methoxyethoxy group, 1-phenyl-1-ethoxyethoxy group, 1-phenyl-1-n-propoxyethoxy group, 1-phenyl-1-i-propoxyethoxy group, 1-phenyl-1-cyclohexyloxyethoxy group, 1-phenyl-1-phenyloxye Oxy group, 1-phenyl-1-benzyloxyethoxy group, 1-benzyl-1-methoxyethoxy group, 1-benzyl-1-ethoxyethoxy group, 1-benzyl-1-n-propoxy Oxy group, 1-benzyl-1-i-propoxyoxy group, 1-benzyl-1-cyclohexyloxyethoxy group, 1-benzyl-1-phenyloxyethoxy group, 1-benzyl-1-benzyloxy Ethoxy group, 2- (2-methyl-tetrahydrofuranyl) oxy group, 2- (2-methyl-tetrahydropyranyl) oxy group, 1-methoxy-cyclopentyloxy group, 1-methoxy-cyclo Hexyloxy group etc. are mentioned.

이들 중, 1-메틸-1-메톡시에톡시기, 1-메틸-1-사이클로헥실옥시에톡시기를 바람직한 것으로서 들 수 있다.Among these, 1-methyl-1-methoxyethoxy group and 1-methyl-1-cyclohexyloxyethoxy group are mentioned as a preferable thing.

상기 아세탈 구조 또는 케탈 구조를 갖는 구조 단위(1)의 구체예로서는, 예를 들면 하기식 (1-1)∼(1-3)으로 나타나는 구조 단위를 들 수 있다.As a specific example of the structural unit (1) which has the said acetal structure or a ketal structure, the structural unit represented by following formula (1-1)-(1-3) is mentioned, for example.

Figure pat00008
Figure pat00008

(식 (1-1) 및 (1-3) 중, R'는 수소 원자 또는 메틸기이고, R1, R2 및 R3은 상기식 (1)의 설명과 동일한 의미임).(In formula (1-1) and (1-3), R 'is a hydrogen atom or a methyl group, and R <1> , R <2> and R <3> are synonymous with description of said Formula (1).

상기식 (1-1)∼(1-3)으로 나타나는 구조 단위(1)를 부여하는 라디칼 중합성을 갖는 단량체(이하, 단순히 「아세탈 구조 함유 단량체」라고도 말함)로서는, 예를 들면 1-알콕시알킬(메타)아크릴레이트, 1-(사이클로알킬옥시)알킬(메타)아크릴레이트, 1-(할로알콕시)알킬(메타)아크릴레이트, 1-(아르알킬옥시)알킬(메타)아크릴레이트, 테트라하이드로피라닐(메타)아크릴레이트 등의 (메타)아크릴레이트계 아세탈 구조 함유 단량체; As a monomer which has the radical polymerizability which gives the structural unit (1) represented by said Formula (1-1)-(1-3) (henceforth simply a "acetal structure containing monomer"), for example, 1-alkoxy Alkyl (meth) acrylate, 1- (cycloalkyloxy) alkyl (meth) acrylate, 1- (haloalkoxy) alkyl (meth) acrylate, 1- (aralkyloxy) alkyl (meth) acrylate, tetrahydro (Meth) acrylate type acetal structure containing monomers, such as pyranyl (meth) acrylate;

2,3-디(1-(트리알킬실라닐옥시)알콕시)카보닐)-5-노르보르넨, 2,3-디(1-(트리알킬게르밀옥시)알콕시)카보닐)-5-노르보르넨, 2,3-디(1-알콕시알콕시카보닐)-5-노르보르넨, 2,3-디(1-(사이클로알킬옥시)알콕시카보닐)-5-노르보르넨, 2,3-디(1-(아르알킬옥시)알콕시카보닐)-5-노르보르넨 등의 노르보르넨계 아세탈 구조 함유 단량체; 2,3-di (1- (trialkylsilanyloxy) alkoxy) carbonyl) -5-norbornene, 2,3-di (1- (trialkylgeryloxy) alkoxy) carbonyl) -5- Norbornene, 2,3-di (1-alkoxyalkoxycarbonyl) -5-norbornene, 2,3-di (1- (cycloalkyloxy) alkoxycarbonyl) -5-norbornene, 2, Norbornene-based acetal structure-containing monomers such as 3-di (1- (aralkyloxy) alkoxycarbonyl) -5-norbornene;

1-알콕시알콕시스티렌, 1-(할로알콕시)알콕시스티렌, 1-(아르알킬옥시)알콕시스티렌, 테트라하이드로피라닐옥시스티렌 등의 스티렌계 아세탈 구조 함유 단량체를 들 수 있다.Styrene-based acetal structure containing monomers, such as 1-alkoxy alkoxy styrene, 1- (haloalkoxy) alkoxy styrene, 1- (aralkyloxy) alkoxy styrene, tetrahydropyranyloxy styrene, are mentioned.

이들 중에서, 1-알콕시알킬(메타)아크릴레이트, 테트라하이드로피라닐(메타)아크릴레이트, 1-알콕시알콕시스티렌, 테트라하이드로피라닐옥시스티렌이 바람직하고, 1-알콕시알킬(메타)아크릴레이트가 보다 바람직하다.Among these, 1-alkoxyalkyl (meth) acrylate, tetrahydropyranyl (meth) acrylate, 1-alkoxyalkoxy styrene, tetrahydropyranyloxystyrene are preferable, and 1-alkoxyalkyl (meth) acrylate is more preferable. desirable.

상기 구성 단위(1)를 부여하는 아세탈 구조 함유 단량체의 구체예로서는, 예를 들면,As a specific example of the acetal structure containing monomer which gives the said structural unit (1), for example,

1-에톡시에틸메타크릴레이트, 1-메톡시에틸메타크릴레이트, 1-n-부톡시에틸메타크릴레이트, 1-이소부톡시에틸메타크릴레이트, 1-t-부톡시에틸메타크릴레이트, 1-(2-클로로에톡시)에틸메타크릴레이트, 1-(2-에틸헥실옥시)에틸메타크릴레이트, 1-n-프로폭시에틸메타크릴레이트, 1-사이클로헥실옥시에틸메타크릴레이트, 1-(2-사이클로헥실에톡시)에틸메타크릴레이트, 1-벤질옥시에틸메타크릴레이트, 2-테트라하이드로피라닐메타크릴레이트,1-ethoxyethyl methacrylate, 1-methoxyethyl methacrylate, 1-n-butoxyethyl methacrylate, 1-isobutoxyethyl methacrylate, 1-t-butoxyethyl methacrylate, 1 -(2-chloroethoxy) ethyl methacrylate, 1- (2-ethylhexyloxy) ethyl methacrylate, 1-n-propoxyethyl methacrylate, 1-cyclohexyloxyethyl methacrylate, 1 -(2-cyclohexylethoxy) ethyl methacrylate, 1-benzyloxyethyl methacrylate, 2-tetrahydropyranyl methacrylate,

1-에톡시에틸아크릴레이트, 1-메톡시에틸아크릴레이트, 1-n-부톡시에틸아크릴레이트, 1-이소부톡시에틸아크릴레이트, 1-t-부톡시에틸아크릴레이트, 1-(2-클로로에톡시)에틸아크릴레이트, 1-(2-에틸헥실옥시)에틸아크릴레이트, 1-n-프로폭시에틸아크릴레이트, 1-사이클로헥실옥시에틸아크릴레이트, 1-(2-사이클로헥실에톡시)에틸아크릴레이트, 1-벤질옥시에틸아크릴레이트, 2-테트라하이드로피라닐아크릴레이트,1-ethoxyethyl acrylate, 1-methoxyethyl acrylate, 1-n-butoxyethyl acrylate, 1-isobutoxyethyl acrylate, 1-t-butoxyethyl acrylate, 1- (2-chloro Ethoxy) ethyl acrylate, 1- (2-ethylhexyloxy) ethyl acrylate, 1-n-propoxyethyl acrylate, 1-cyclohexyloxyethyl acrylate, 1- (2-cyclohexyl ethoxy) Ethyl acrylate, 1-benzyloxyethyl acrylate, 2-tetrahydropyranyl acrylate,

2,3-디(1-(트리메틸실라닐옥시)에톡시)카보닐)-5-노르보르넨, 2,3-디(1-(트리메틸게르밀옥시)에톡시)카보닐)-5-노르보르넨, 2,3-디(1-메톡시에톡시카보닐)-5-노르보르넨, 2,3-디(1-(사이클로헥실옥시)에톡시카보닐)-5-노르보르넨, 2,3-디(1-(벤질옥시)에톡시카보닐)-5-노르보르넨,2,3-di (1- (trimethylsilanyloxy) ethoxy) carbonyl) -5-norbornene, 2,3-di (1- (trimethylgeryloxy) ethoxy) carbonyl) -5- Norbornene, 2,3-di (1-methoxyethoxycarbonyl) -5-norbornene, 2,3-di (1- (cyclohexyloxy) ethoxycarbonyl) -5-norborne 2,3-di (1- (benzyloxy) ethoxycarbonyl) -5-norbornene,

p 또는 m-1-에톡시에톡시스티렌, p 또는 m-1-메톡시에톡시스티렌, p 또는 m-1-n-부톡시에톡시스티렌, p 또는 m-1-이소부톡시에톡시스티렌, p 또는 m-1-(1,1-디메틸에톡시)에톡시스티렌, p 또는 m-1-(2-클로로에톡시)에톡시스티렌, p 또는 m-1-(2-에틸헥실옥시)에톡시스티렌, p 또는 m-1-n-프로폭시에톡시스티렌, p 또는 m-1-사이클로헥실옥시에톡시스티렌, p 또는 m-1-(2-사이클로헥실에톡시)에톡시스티렌, p 또는 m-1-벤질옥시에톡시스티렌 등을 들 수 있다. 상기 구조 단위(1)는, 1종 또는 2종 이상 조합하여 이용할 수 있다.p or m-1-ethoxyethoxystyrene, p or m-1-methoxyethoxystyrene, p or m-1-n-butoxyethoxystyrene, p or m-1-isobutoxyethoxystyrene, p or m-1- (1,1-dimethylethoxy) ethoxystyrene, p or m-1- (2-chloroethoxy) ethoxystyrene, p or m-1- (2-ethylhexyloxy) Ethoxystyrene, p or m-1-n-propoxyethoxystyrene, p or m-1-cyclohexyloxyethoxystyrene, p or m-1- (2-cyclohexylethoxy) ethoxystyrene, p Or m-1-benzyloxyethoxy styrene. The said structural unit 1 can be used 1 type or in combination or 2 or more types.

상기 구성 단위(1)를 부여하는 아세탈 구조 함유 단량체 중에서도, 1-에톡시에틸메타크릴레이트, 1-n-부톡시에틸메타크릴레이트, 2-테트라하이드로피라닐메타크릴레이트, 1-벤질옥시에틸메타크릴레이트가 바람직하다.Among the acetal structure-containing monomers which impart the structural unit (1), 1-ethoxyethyl methacrylate, 1-n-butoxyethyl methacrylate, 2-tetrahydropyranyl methacrylate and 1-benzyloxyethyl Methacrylate is preferred.

구조 단위(1)를 부여하는 아세탈 구조 함유 단량체는, 시판의 것을 이용해도 좋고, 공지의 방법으로 합성한 것을 이용할 수도 있다. 예를 들면, 상기식 (1-1)로 나타나는 구조 단위(1)를 부여하는 아세탈 구조 함유 단량체는, 하기에 나타내는 바와 같이 (메타)아크릴산을 산촉매의 존재하에서 비닐에테르와 반응시킴으로써 합성할 수 있다.As an acetal structure containing monomer which gives a structural unit (1), a commercial thing may be used and what was synthesize | combined by a well-known method can also be used. For example, the acetal structure-containing monomer which gives the structural unit (1) represented by said Formula (1-1) can be synthesize | combined by making (meth) acrylic acid react with vinyl ether in presence of an acid catalyst as shown below. .

Figure pat00009
Figure pat00009

(식 중, R', R1 및 R3은 각각 상기식 (1-1)에 있어서의 R', R1 및 R3에 대응하고, R21 및 R22는 -CH(R21)(R22)로서, 상기식 (1-1)에 있어서의 R2에 대응함).(Wherein R ′, R 1 and R 3 respectively correspond to R ′, R 1 and R 3 in Formula (1-1), and R 21 and R 22 are each —CH (R 21 ) (R 22 ), corresponding to R 2 in the formula (1-1)).

중합체 [A]에 있어서의 구조 단위(1)의 함유량으로서는, 중합체 [A]가 산에 의해 알칼리 가용성을 나타내고, 경화막의 소망하는 내열성이 발휘되는 한 특별히 한정되지 않으며, 하나의 중합체 분자에 구조 단위(1)와 에폭시기 함유 구조 단위 양쪽을 포함하는 경우, 중합체 [A]에 포함되는 전체 구조 단위에 있어서, 단량체 투입비로, 5질량% 이상 70질량% 이하가 바람직하고, 10질량% 이상 60질량% 이하가 보다 바람직하고, 20질량% 이상 50질량% 이하가 특히 바람직하다.The content of the structural unit (1) in the polymer [A] is not particularly limited as long as the polymer [A] exhibits alkali solubility by acid and the desired heat resistance of the cured film is exhibited. When both (1) and an epoxy group containing structural unit are included, 5 mass% or more and 70 mass% or less are preferable at a monomer input ratio in a total structural unit contained in a polymer [A], and 10 mass% or more and 60 mass% The following is more preferable and 20 mass% or more and 50 mass% or less are especially preferable.

한편, 단일한 중합체 분자에 구조 단위(1)를 갖고, 그리고 다른 단일한 중합체 분자에 에폭시기 함유 구조 단위를 갖는 경우, 구조 단위(1)를 갖는 단일한 중합체 분자에 있어서의 구조 단위(1)의 함유량으로서는, 그 중합체 분자에 포함되는 전체 구조 단위에 대하여, 단량체 투입비로, 40질량% 이상 99질량% 이하가 바람직하고, 50질량% 이상 98질량% 이하가 보다 바람직하고, 55질량% 이상 95질량% 이하가 특히 바람직하다.On the other hand, in the case of having a structural unit (1) in a single polymer molecule and an epoxy group-containing structural unit in another single polymer molecule, the structural unit (1) in a single polymer molecule having a structural unit (1) As content, 40 mass% or more and 99 mass% or less are preferable at a monomer input ratio with respect to the whole structural unit contained in the polymer molecule, 50 mass% or more and 98 mass% or less are more preferable, 55 mass% or more and 95 mass% or less % Or less is especially preferable.

<에폭시기 함유 구조 단위><Epoxy group-containing structural unit>

중합체 [A]는, 상기 구조 단위(1)와 함께, 에폭시기 함유 구조 단위를 갖는다. 에폭시기 함유 구조 단위는, 라디칼 중합성을 갖는 에폭시기 함유 단량체에 유래하는 구조 단위이다. 이 에폭시기로서는, 옥시라닐기(1,2-에폭시 구조), 옥세타닐기(1,3-에폭시 구조)를 들 수 있다. 중합체 [A]가 분자 중에 옥시라닐기 또는 옥세타닐기 등을 포함하는 구조 단위를 가짐으로써, 당해 포지티브형 감방사선성 조성물로부터 얻어지는 경화막의 경도를 향상시켜 내열성을 더욱 높일 수 있다.Polymer [A] has an epoxy group containing structural unit with the said structural unit (1). An epoxy group containing structural unit is a structural unit derived from the epoxy group containing monomer which has radical polymerizability. As this epoxy group, an oxiranyl group (1, 2- epoxy structure) and an oxetanyl group (1, 3- epoxy structure) are mentioned. When polymer [A] has a structural unit containing an oxiranyl group, an oxetanyl group, etc. in a molecule | numerator, the hardness of the cured film obtained from the said positive radiation sensitive composition can be improved and heat resistance can be improved further.

상기 에폭시기 함유 구조 단위를 부여하는 에폭시기 함유 단량체의 구체예로서는, 예를 들면 아크릴산 글리시딜, 메타크릴산 글리시딜, 아크릴산-3,4-에폭시부틸, 메타크릴산-3,4-에폭시부틸, 아크릴산-3-메틸-3,4-에폭시부틸, 메타크릴산-3-에틸-3,4-에폭시부틸, 아크릴산-5,6-에폭시헥실, 메타크릴산-5,6-에폭시헥실, 메타크릴산-5-메틸-5,6-에폭시헥실, 메타크릴산-5-에틸-5,6-에폭시헥실, 아크릴산-6,7-에폭시헵틸, 메타크릴산-6,7-에폭시헵틸,As a specific example of the epoxy group containing monomer which provides the said epoxy group containing structural unit, For example, glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, 3, 4- epoxy butyl acrylate, 3, 4- epoxy butyl methacrylate, 3-methyl-3,4-epoxybutyl acrylate, 3-ethyl-3,4-epoxybutyl methacrylate, -5,6-epoxyhexyl acrylate, -5,6-epoxyhexyl methacrylate, methacrylic acid Acid-5-methyl-5,6-epoxyhexyl, methacrylic acid-5-ethyl-5,6-epoxyhexyl, acrylic acid-6,7-epoxyheptyl, methacrylic acid-6,7-epoxyheptyl,

3,4-에폭시사이클로헥실메타크릴레이트, 3,4-에폭시사이클로헥실메틸메타크릴레이트, 3,4-에폭시사이클로헥실에틸메타크릴레이트, 3,4-에폭시사이클로헥실프로필메타크릴레이트, 3,4-에폭시사이클로헥실부틸메타크릴레이트, 3,4-에폭시사이클로헥실헥실메타크릴레이트, 3,4-에폭시사이클로헥실아크릴레이트, 3,4-에폭시사이클로헥실메틸아크릴레이트, 3,4-에폭시사이클로헥실에틸아크릴레이트, 3,4-에폭시사이클로헥실프로필아크릴레이트, 3,4-에폭시사이클로헥실부틸아크릴레이트, 3,4-에폭시사이클로헥실헥실아크릴레이트 등의 옥시라닐기 함유 (메타)아크릴계 화합물; 3,4-epoxycyclohexyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohexylethyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohexylpropyl methacrylate, 3,4 -Epoxycyclohexylbutyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohexylhexyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohexyl acrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl acrylate, 3,4-epoxycyclohexylethyl Oxiranyl-group containing (meth) acrylic-type compounds, such as an acrylate, 3, 4- epoxy cyclohexyl propyl acrylate, 3, 4- epoxy cyclohexyl butyl acrylate, and 3, 4- epoxy cyclohexyl hexyl acrylate;

o-비닐벤질글리시딜에테르, m-비닐벤질글리시딜에테르, p-비닐벤질글리시딜에테르, α-메틸-o-비닐벤질글리시딜에테르, α-메틸-m-비닐벤질글리시딜에테르, α-메틸-p-비닐벤질글리시딜에테르 등의 비닐벤질글리시딜에테르류; o-vinylbenzyl glycidyl ether, m-vinyl benzyl glycidyl ether, p-vinyl benzyl glycidyl ether, α-methyl-o-vinyl benzyl glycidyl ether, α-methyl-m-vinyl benzyl glycy Vinyl benzyl glycidyl ethers such as dil ether and α-methyl-p-vinyl benzyl glycidyl ether;

o-비닐페닐글리시딜에테르, m-비닐페닐글리시딜에테르, p-비닐페닐글리시딜에테르 등의 비닐페닐글리시딜에테르류; vinyl phenyl glycidyl ethers such as o-vinyl phenyl glycidyl ether, m-vinyl phenyl glycidyl ether and p-vinyl phenyl glycidyl ether;

3-(아크릴로일옥시메틸)옥세탄, 3-(아크릴로일옥시메틸)-3-메틸옥세탄, 3-(아크릴로일옥시메틸)-3-에틸옥세탄, 3-(아크릴로일옥시메틸)-3-페닐옥세탄, 3-(2-아크릴로일옥시에틸)옥세탄, 3-(2-아크릴로일옥시에틸)-3-메틸옥세탄, 3-(2-아크릴로일옥시에틸)-3-에틸옥세탄, 3-(2-아크릴로일옥시에틸)-3-페닐옥세탄,3- (acryloyloxymethyl) oxetane, 3- (acryloyloxymethyl) -3-methyloxetane, 3- (acryloyloxymethyl) -3-ethyloxetane, 3- (acryloyl Oxymethyl) -3-phenyloxetane, 3- (2-acryloyloxyethyl) oxetane, 3- (2-acryloyloxyethyl) -3-methyloxetane, 3- (2-acryloyl Oxyethyl) -3-ethyloxetane, 3- (2-acryloyloxyethyl) -3-phenyloxetane,

3-(메타크릴로일옥시메틸)옥세탄, 3-(메타크릴로일옥시메틸)-3-메틸옥세탄, 3-(메타크릴로일옥시메틸)-3-에틸옥세탄, 3-(메타크릴로일옥시메틸)-3-페닐옥세탄, 3-(2-메타크릴로일옥시에틸)옥세탄, 3-(2-메타크릴로일옥시에틸)-3-메틸옥세탄, 3-(2-메타크릴로일옥시에틸)-3-에틸옥세탄, 3-(2-메타크릴로일옥시에틸)-3-페닐옥세탄,3- (methacryloyloxymethyl) oxetane, 3- (methacryloyloxymethyl) -3-methyloxetane, 3- (methacryloyloxymethyl) -3-ethyloxetane, 3- ( Methacryloyloxymethyl) -3-phenyloxetane, 3- (2-methacryloyloxyethyl) oxetane, 3- (2-methacryloyloxyethyl) -3-methyloxetane, 3- (2-methacryloyloxyethyl) -3-ethyl oxetane, 3- (2-methacryloyloxyethyl) -3-phenyloxetane,

2-(아크릴로일옥시메틸)옥세탄, 2-(아크릴로일옥시메틸)-2-메틸옥세탄, 2-(아크릴로일옥시메틸)-2-에틸옥세탄, 2-(아크릴로일옥시메틸)-2-페닐옥세탄, 2-(2-아크릴로일옥시에틸)옥세탄, 2-(2-아크릴로일옥시에틸)-2-메틸옥세탄, 2-(2-아크릴로일옥시에틸)-2-에틸옥세탄, 2-(2-아크릴로일옥시에틸)-2-페닐옥세탄, 2- (acryloyloxymethyl) oxetane, 2- (acryloyloxymethyl) -2-methyloxetane, 2- (acryloyloxymethyl) -2-ethyloxetane, 2- (acryloyl Oxymethyl) -2-phenyloxetane, 2- (2-acryloyloxyethyl) oxetane, 2- (2-acryloyloxyethyl) -2-methyloxetane, 2- (2-acryloyl Oxyethyl) -2-ethyloxetane, 2- (2-acryloyloxyethyl) -2-phenyloxetane,

2-(메타크릴로일옥시메틸)옥세탄, 2-(메타크릴로일옥시메틸)-2-메틸옥세탄, 2-(메타크릴로일옥시메틸)-2-에틸옥세탄, 2-(메타크릴로일옥시메틸)-2-페닐옥세탄, 2-(2-메타크릴로일옥시에틸)옥세탄, 2-(2-메타크릴로일옥시에틸)-2-메틸옥세탄, 2-(2-메타크릴로일옥시에틸)-2-에틸옥세탄, 2-(2-메타크릴로일옥시에틸)-2-페닐옥세탄 등의 옥세타닐기 함유 (메타)아크릴계 화합물 등을 들 수 있다. 상기 에폭시기 함유 구조 단위는, 단독으로 또는 2 종류 이상을 조합하여 이용할 수 있다.2- (methacryloyloxymethyl) oxetane, 2- (methacryloyloxymethyl) -2-methyloxetane, 2- (methacryloyloxymethyl) -2-ethyloxetane, 2- ( Methacryloyloxymethyl) -2-phenyloxetane, 2- (2-methacryloyloxyethyl) oxetane, 2- (2-methacryloyloxyethyl) -2-methyloxetane, 2- Oxetanyl group-containing (meth) acrylic compounds such as (2-methacryloyloxyethyl) -2-ethyl oxetane and 2- (2-methacryloyloxyethyl) -2-phenyl oxetane; have. The said epoxy group containing structural unit can be used individually or in combination of 2 or more types.

상기 에폭시기 함유 단량체 중에서도, 메타크릴산 글리시딜, 메타크릴산-2-메틸글리시딜, 메타크릴산-3,4-에폭시사이클로헥실, 메타크릴산-3,4-에폭시사이클로헥실메틸, 3-(메타크릴로일옥시메틸)-3-메틸옥세탄, 3-(메타크릴로일옥시메틸)-3-에틸옥세탄이 기타 라디칼 중합성 단량체와의 공중합 반응성 및, 포지티브형 감방사선성 조성물의 현상성의 관점에서 바람직하다. Among the said epoxy group containing monomers, methacrylic acid glycidyl, methacrylic acid 2-methylglycidyl, methacrylic acid-3,4-epoxycyclohexyl, methacrylic acid-3,4-epoxycyclohexylmethyl, 3 -(Methacryloyloxymethyl) -3-methyloxetane, 3- (methacryloyloxymethyl) -3-ethyloxetane copolymerize with other radically polymerizable monomers, and positive radiation-sensitive composition It is preferable in terms of developability.

중합체 [A]에 있어서의 에폭시기 함유 구조 단위의 함유량으로서는, 층간 절연막의 소망하는 내열성이 발휘되는 한 특별히 한정되지 않으며, 하나의 중합체 분자에 구조 단위(1)와 에폭시기 함유 구조 단위를 포함하는 경우, 중합체 [A]에 포함되는 전체 구조 단위에 대하여, 단량체 투입비로, 10질량% 이상 60질량% 이하가 바람직하고, 15질량% 이상 55질량% 이하가 보다 바람직하고, 20질량% 이상 50질량% 이하가 특히 바람직하다.The content of the epoxy group-containing structural unit in the polymer [A] is not particularly limited as long as the desired heat resistance of the interlayer insulating film is exhibited, and when one polymer molecule contains the structural unit (1) and the epoxy group-containing structural unit, 10 mass% or more and 60 mass% or less are preferable with a monomer input ratio with respect to all the structural units contained in a polymer [A], 15 mass% or more and 55 mass% or less are more preferable, 20 mass% or more and 50 mass% or less Is particularly preferred.

한편, 하나의 중합체 분자에 구조 단위(1)를 갖고, 그리고 기타 중합체 분자에 에폭시기 함유 구조 단위를 갖는 경우, 에폭시기 함유 구조 단위를 갖는 기타 중합체 분자에 포함되는 전체 구조 단위에 대한 에폭시기 함유 구조 단위의 함유량으로서는, 단량체 투입비로, 20질량% 이상 80질량% 이하가 바람직하고, 30질량% 이상 70질량% 이하가 보다 바람직하고, 35질량% 이상 65질량% 이하가 특히 바람직하다.On the other hand, when one polymer molecule has a structural unit (1) and the other polymer molecule has an epoxy group-containing structural unit, the epoxy group-containing structural unit with respect to the entire structural unit contained in the other polymer molecule having an epoxy group-containing structural unit As content, 20 mass% or more and 80 mass% or less are preferable at a monomer input ratio, 30 mass% or more and 70 mass% or less are more preferable, and 35 mass% or more and 65 mass% or less are especially preferable.

<그 외의 구조 단위><Other structural units>

그 외의 구조 단위를 부여하는 라디칼 중합성 단량체로서는, 카복실기 또는 그 유도체, 수산기를 갖는 라디칼 중합성 단량체 등을 들 수 있다.As a radically polymerizable monomer which gives another structural unit, the carboxyl group or its derivative (s), the radical polymerizable monomer which has a hydroxyl group, etc. are mentioned.

상기 카복실기 또는 그 유도체를 갖는 라디칼 중합체 단량체로서는, 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산, 2-아크릴로일옥시에틸숙신산, 2-메타크릴로일옥시에틸숙신산, 2-아크릴로일옥시에틸헥사하이드로프탈산, 2-메타크릴로일옥시에틸헥사하이드로프탈산 등의 모노카본산; As a radical polymer monomer which has the said carboxyl group or its derivative (s), acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid, 2-acryloyloxyethyl succinic acid, 2-methacryloyloxyethyl succinic acid, 2-acryloyloxyethyl hexahydro Monocarboxylic acids such as phthalic acid and 2-methacryloyloxyethyl hexahydrophthalic acid;

말레산, 푸마르산, 시트라콘산, 메사콘산, 이타콘산 등의 디카본산; Dicarboxylic acids such as maleic acid, fumaric acid, citraconic acid, mesaconic acid and itaconic acid;

상기 디카본산의 산무수물 등을 들 수 있다.And acid anhydrides of the dicarboxylic acids.

상기 수산기를 갖는 라디칼 중합성 단량체의 예로서는,As an example of the radically polymerizable monomer which has the said hydroxyl group,

아크릴산-2-하이드록시에틸에스테르, 아크릴산-3-하이드록시프로필에스테르, 아크릴산-4-하이드록시부틸에스테르, 아크릴산-4-하이드록시메틸사이클로헥실메틸에스테르 등의 아크릴산 하이드록시알킬에스테르; Acrylic acid hydroxyalkyl esters such as acrylic acid-2-hydroxyethyl ester, acrylic acid-3-hydroxypropyl ester, acrylic acid-4-hydroxybutyl ester, and acrylic acid-4-hydroxymethylcyclohexylmethyl ester;

메타크릴산-2-하이드록시에틸에스테르, 메타크릴산-3-하이드록시프로필에스테르, 메타크릴산-4-하이드록시부틸에스테르, 메타크릴산-5-하이드록시펜틸에스테르, 메타크릴산-6-하이드록시헥실에스테르, 메타크릴산-4-하이드록시메틸-사이클로헥실메틸에스테르 등의 메타크릴산 하이드록시알킬에스테르 등을 들 수 있다.Methacrylic acid-2-hydroxyethyl ester, methacrylic acid-3-hydroxypropyl ester, methacrylic acid-4-hydroxybutyl ester, methacrylic acid-5-hydroxypentyl ester, methacrylic acid-6- Methacrylic acid hydroxyalkyl esters, such as hydroxyhexyl ester and methacrylic acid 4-hydroxymethyl cyclohexyl methyl ester, etc. are mentioned.

이들 수산기를 갖는 라디칼 중합성 단량체 중, 그 외의 라디칼 중합성 단량체와의 공중합 반응성 및 얻어지는 층간 절연막의 내열성의 관점에서, 아크릴산-2-하이드록시에틸에스테르, 아크릴산-3-하이드록시프로필에스테르, 아크릴산-4-하이드록시부틸에스테르, 메타크릴산-2-하이드록시에틸에스테르, 메타크릴산-4-하이드록시부틸에스테르, 아크릴산-4-하이드록시메틸-사이클로헥실메틸에스테르, 메타크릴산-4-하이드록시메틸-사이클로헥실메틸에스테르가 바람직하다.Among these radically polymerizable monomers having a hydroxyl group, acrylic acid-2-hydroxyethyl ester, acrylic acid-3-hydroxypropyl ester and acrylic acid- from the viewpoint of copolymerization reactivity with other radical polymerizable monomers and the heat resistance of the resulting interlayer insulating film. 4-hydroxybutyl ester, methacrylic acid-2-hydroxyethyl ester, methacrylic acid-4-hydroxybutyl ester, acrylic acid-4-hydroxymethyl-cyclohexylmethyl ester, methacrylic acid-4-hydroxy Methyl-cyclohexyl methyl ester is preferred.

그 외의 라디칼 중합성 단량체의 예로서는,As an example of another radically polymerizable monomer,

아크릴산 메틸, 아크릴산 i-프로필 등의 아크릴산 알킬에스테르; Acrylic acid alkyl esters such as methyl acrylate and i-propyl acrylate;

메타크릴산 메틸, 메타크릴산 에틸, 메타크릴산 n-부틸, 메타크릴산 sec-부틸, 메타크릴산 t-부틸 등의 메타크릴산 알킬에스테르; Methacrylic acid alkyl esters such as methyl methacrylate, ethyl methacrylate, n-butyl methacrylate, sec-butyl methacrylate, and t-butyl methacrylate;

아크릴산 사이클로헥실, 아크릴산-2-메틸사이클로헥실, 아크릴산 트리사이클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일, 아크릴산-2-(트리사이클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일옥시)에틸, 아크릴산 이소보르닐 등의 아크릴산 지환식 알킬에스테르; Cyclohexyl acrylate, -2-methylcyclohexyl acrylate, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-yl acrylate, acrylic acid-2- (tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-yloxy ) Acrylic alicyclic alkyl esters such as ethyl and isobornyl acrylate;

메타크릴산 사이클로헥실, 메타크릴산-2-메틸사이클로헥실, 메타크릴산 트리사이클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일, 메타크릴산-2-(트리사이클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일옥시)에틸, 메타크릴산 이소보르닐 등의 메타크릴산 지환식 알킬에스테르; Methacrylic acid cyclohexyl, methacrylic acid-2-methylcyclohexyl, methacrylic acid tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yl, methacrylic acid-2- (tricyclo [5.2.1.0 2, 6] decan-8-yloxy) ethyl methacrylate, isobornyl methacrylate, such as aliphatic alkyl esters;

아크릴산 페닐, 아크릴산 벤질 등의 아크릴산의 아릴에스테르 및 아크릴산의 아르알킬에스테르; Aryl esters of acrylic acid such as phenyl acrylate and benzyl acrylate and aralkyl esters of acrylic acid;

메타크릴산 페닐, 메타크릴산 벤질 등의 메타크릴산의 아릴에스테르 및 메타크릴산의 아르알킬에스테르;  Aryl esters of methacrylic acid and aralkyl esters of methacrylic acid such as phenyl methacrylate and benzyl methacrylate;

말레산 디에틸, 푸마르산 디에틸, 이타콘산 디에틸 등의 디카본산 디알킬에스테르; Dicarboxylic acid dialkyl esters such as diethyl maleate, diethyl fumarate and diethyl itaconic acid;

메타크릴산 테트라하이드로푸르푸릴, 메타크릴산 테트라하이드로푸릴, 메타크릴산 테트라하이드로피란-2-메틸 등의 산소 1원자를 포함하는 불포화 복소 5원환 메타크릴산 에스테르 및 불포화 복소 6원환 메타크릴산 에스테르; Unsaturated hetero five-membered ring methacrylic acid esters and unsaturated hetero six-membered ring methacrylic acid esters containing one atom of oxygen such as methacrylic acid tetrahydrofurfuryl, methacrylic acid tetrahydrofuryl, and methacrylic acid tetrahydropyran-2-methyl ;

4-메타크릴로일옥시메틸-2-메틸-2-에틸-1,3-디옥소란, 4-메타크릴로일옥시메틸-2-메틸-2-이소부틸-1,3-디옥소란, 4-메타크릴로일옥시메틸-2-사이클로헥실-1,3-디옥소란, 4-메타크릴로일옥시메틸-2-메틸-2-에틸-1,3-디옥소란, 4-메타크릴로일옥시메틸-2-메틸-2-이소부틸-1,3-디옥소란 등의 산소 2원자를 포함하는 불포화 복소 5원환 메타크릴산 에스테르; 4-methacryloyloxymethyl-2-methyl-2-ethyl-1,3-dioxolane, 4-methacryloyloxymethyl-2-methyl-2-isobutyl-1,3-dioxolane , 4-methacryloyloxymethyl-2-cyclohexyl-1,3-dioxolane, 4-methacryloyloxymethyl-2-methyl-2-ethyl-1,3-dioxolane, 4- Unsaturated hetero 5-membered ring methacrylic acid esters containing oxygen 2 atoms such as methacryloyloxymethyl-2-methyl-2-isobutyl-1,3-dioxolane;

4-아크릴로일옥시메틸-2,2-디메틸-1,3-디옥소란, 4-아크릴로일옥시메틸-2-메틸-2-에틸-1,3-디옥소란, 4-아크릴로일옥시메틸-2,2-디에틸-1,3-디옥소란, 4-아크릴로일옥시메틸-2-메틸-2-이소부틸-1,3-디옥소란, 4-아크릴로일옥시메틸-2-사이클로펜틸-1,3-디옥소란, 4-아크릴로일옥시메틸-2-사이클로헥실-1,3-디옥소란, 4-아크릴로일옥시에틸-2-메틸-2-에틸-1,3-디옥소란, 4-아크릴로일옥시프로필-2-메틸-2-에틸-1,3-디옥소란, 4-아크릴로일옥시부틸-2-메틸-2-에틸-1,3-디옥소란 등의 산소 2원자를 포함하는 불포화 복소 5원환 아크릴산 에스테르; 4-acryloyloxymethyl-2,2-dimethyl-1,3-dioxolane, 4-acryloyloxymethyl-2-methyl-2-ethyl-1,3-dioxolane, 4-acrylo Iloxymethyl-2,2-diethyl-1,3-dioxolane, 4-acryloyloxymethyl-2-methyl-2-isobutyl-1,3-dioxolane, 4-acryloyloxy Methyl-2-cyclopentyl-1,3-dioxolane, 4-acryloyloxymethyl-2-cyclohexyl-1,3-dioxolane, 4-acryloyloxyethyl-2-methyl-2- Ethyl-1,3-dioxolane, 4-acryloyloxypropyl-2-methyl-2-ethyl-1,3-dioxolane, 4-acryloyloxybutyl-2-methyl-2-ethyl- Unsaturated hetero five-membered ring acrylic acid esters containing oxygen two atoms such as 1,3-dioxolane;

스티렌, α-메틸스티렌, m-메틸스티렌, p-메틸스티렌, p-메톡시스티렌, 4-이소프로페닐페놀 등의 비닐 방향족 화합물; Vinyl aromatic compounds such as styrene, α-methylstyrene, m-methylstyrene, p-methylstyrene, p-methoxystyrene and 4-isopropenylphenol;

N-페닐말레이미드, N-사이클로헥실말레이미드, N-벤질말레이미드, N-숙신이미딜-3-말레이미드벤조에이트, N-숙신이미딜-4-말레이미드부틸레이트, N-숙신이미딜-6-말레이미드카프로에이트, N-숙신이미딜-3-말레이미드프로피오네이트, N-(9-아크리디닐)말레이미드 등의 N위치 치환 말레이미드; N-phenylmaleimide, N-cyclohexylmaleimide, N-benzylmaleimide, N-succinimidyl-3-maleimidebenzoate, N-succinimidyl-4-maleimide butyrate, N-succinimidyl N-position substituted maleimides such as -6-maleimide caproate, N-succinimidyl-3-maleimide propionate and N- (9-acridinyl) maleimide;

1,3-부타디엔, 이소프렌, 2,3-디메틸-1,3-부타디엔 등의 공액 디엔계 화합물; Conjugated diene compounds such as 1,3-butadiene, isoprene and 2,3-dimethyl-1,3-butadiene;

아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴, 아크릴아미드, 메타크릴아미드, 염화 비닐, 염화 비닐리덴, 아세트산 비닐 등의 그 외의 불포화 화합물을 들 수 있다.And other unsaturated compounds such as acrylonitrile, methacrylonitrile, acrylamide, methacrylamide, vinyl chloride, vinylidene chloride, and vinyl acetate.

이들 그 외의 라디칼 중합성 단량체 중, 스티렌, 4-이소프로페닐페놀, 메타크릴산 트리사이클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일, 메타크릴산 테트라하이드로푸르푸릴, 1,3-부타디엔, 4-아크릴로일옥시메틸-2-메틸-2-에틸-1,3-디옥소란, N-사이클로헥실말레이미드, N-페닐말레이미드, 메타크릴산 벤질 등이, 상기의 반응 관능기를 갖는 라디칼 중합성 단량체와의 공중합 반응성 및, 당해 포지티브형 감방사선성 조성물의 현상성의 점에서 바람직하다.Among these other radically polymerizable monomers, styrene, 4-isopropenylphenol, methacrylic acid tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-yl, methacrylic acid tetrahydrofurfuryl, 1,3-butadiene , 4-acryloyloxymethyl-2-methyl-2-ethyl-1,3-dioxolane, N-cyclohexylmaleimide, N-phenylmaleimide, benzyl methacrylate, and the like It is preferable at the point of copolymerization reactivity with the radically polymerizable monomer which has, and developability of the said positive radiation sensitive composition.

중합체 [A]의 GPC(겔 투과 크로마토그래피)에 의한 폴리스티렌 환산 질량 평균 분자량(이하, 「Mw」라고 함)은, 바람직하게는 2.0×103∼1.0×105, 보다 바람직하게는 5.0×103∼5.0×104이다. 중합체 [A]의 Mw를 상기 범위로 함으로써, 당해 포지티브형 감방사선성 조성물의 방사선 감도 및 알칼리 현상성을 높일 수 있다.The polystyrene reduced mass average molecular weight (hereinafter referred to as "Mw") by GPC (gel permeation chromatography) of the polymer [A] is preferably 2.0 × 10 3 to 1.0 × 10 5 , and more preferably 5.0 × 10 3 to 5.0 × 10 4 . By making Mw of polymer [A] into the said range, the radiation sensitivity and alkali developability of the said positive radiation sensitive composition can be improved.

또한, 중합체 [A]의 GPC(겔 투과 크로마토그래피)에 의한 폴리스티렌 환산 수평균 분자량(이하, 「Mn」이라고 함)은, 바람직하게는 2.0×103∼1.0×105, 보다 바람직하게는 5.0×103∼5.0×104이다. 공중합체의 Mn를 상기 범위로 함으로써, 당해 포지티브형 감방사선성 조성물의 도막의 경화시의 경화 반응성을 향상시킬 수 있다.Further, the polystyrene reduced number average molecular weight (hereinafter referred to as "Mn") by GPC (gel permeation chromatography) of the polymer [A] is preferably 2.0 × 10 3 to 1.0 × 10 5 , and more preferably 5.0 × 10 3 to 5.0 × 10 4 . By making Mn of a copolymer into the said range, hardening reactivity at the time of hardening of the coating film of the said positive radiation sensitive composition can be improved.

또한, 중합체 [A]의 분자량 분포 「Mw/Mn」는, 바람직하게는 3.0 이하, 보다 바람직하게는 2.6 이하이다. 중합체 [A]의 Mw/Mn를 3.0 이하와 함으로써, 얻어지는 층간 절연막의 현상성을 높일 수 있다. 중합체 [A]를 포함하는 당해 포지티브형 감방사선성 조성물은, 현상할 때에 현상 잔사를 발생시키는 일 없이 용이하게 소망하는 패턴 형상을 형성할 수 있다.Moreover, molecular weight distribution "Mw / Mn" of polymer [A] becomes like this. Preferably it is 3.0 or less, More preferably, it is 2.6 or less. The developability of the interlayer insulation film obtained can be improved by making Mw / Mn of polymer [A] into 3.0 or less. The positive radiation sensitive composition containing the polymer [A] can easily form a desired pattern shape without generating developing residue when developing.

<중합체 [A]의 제조 방법><Method for producing Polymer [A]>

중합체 [A]는, 아세탈 구조 함유 단량체, 에폭시기 함유 단량체, 그 외의 구조 단위를 부여하는 단량체의 라디칼 공중합에 의해 제조할 수 있다. 동일한 중합체 분자에 구조 단위(1) 및 에폭시기 함유 구조 단위의 양쪽을 포함하는 중합체 [A]를 제조하는 경우는, 적어도 아세탈 구조 함유 단량체와 에폭시기 함유 단량체를 포함하는 혼합물을 이용하여 공중합시키면 좋다. 한편, 하나의 중합체 분자에 구조 단위(1)를 갖고, 그리고 그것과는 상이한 중합체 분자에 에폭시기 함유 구조 단위를 갖는 중합체 [A]를 제조하는 경우는, 적어도 아세탈 구조 함유 단량체를 포함하는 중합성 용액을 라디칼 중합시켜 구조 단위(1)를 갖는 중합체 분자를 얻어 두고, 별도로 적어도 에폭시기 함유 단량체를 포함하는 중합성 용액을 라디칼 중합시켜 에폭시기 함유 구조 단위를 갖는 중합체 분자를 얻어, 마지막에 양자를 혼합하여 중합체 [A]로 하면 좋다.Polymer [A] can be manufactured by radical copolymerization of an acetal structure containing monomer, an epoxy group containing monomer, and the monomer which gives another structural unit. When manufacturing polymer [A] containing both a structural unit (1) and an epoxy group containing structural unit in the same polymer molecule, it is good to copolymerize using the mixture containing at least an acetal structure containing monomer and an epoxy group containing monomer. On the other hand, when manufacturing polymer [A] which has a structural unit (1) in one polymer molecule, and has an epoxy group containing structural unit in a polymer molecule different from it, the polymerizable solution containing at least an acetal structure containing monomer Radical polymerization to obtain a polymer molecule having the structural unit (1), and separately polymerizing a polymerizable solution containing at least an epoxy group-containing monomer to obtain a polymer molecule having an epoxy group-containing structural unit, and finally mixing both polymers It is good to make [A].

중합체 [A]를 제조하기 위한 중합 반응에 이용되는 용매로서는, 예를 들면, 알코올류, 에테르류, 글리콜에테르, 에틸렌글리콜알킬에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜알킬에테르, 프로필렌글리콜모노알킬에테르, 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노알킬에테르프로피오네이트, 방향족 탄화 수소류, 케톤류, 기타 에스테르류 등을 들 수 있다.Examples of the solvent used in the polymerization reaction for producing the polymer [A] include alcohols, ethers, glycol ethers, ethylene glycol alkyl ether acetates, diethylene glycol alkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ethers, and propylene glycol mono Alkyl ether acetate, propylene glycol monoalkyl ether propionate, aromatic hydrocarbons, ketones, other esters, etc. are mentioned.

이들 용매로서는,As these solvents,

알코올류로서, 예를 들면 메탄올, 에탄올, 벤질알코올, 2-페닐에틸알코올, 3-페닐-1-프로판올 등; As alcohols, For example, methanol, ethanol, benzyl alcohol, 2-phenylethyl alcohol, 3-phenyl-1-propanol, etc .;

에테르류로서, 예를 들면 테트라하이드로푸란 등; As ethers, For example, tetrahydrofuran etc .;

글리콜에테르로서, 예를 들면 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르 등; As glycol ether, For example, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, etc .;

에틸렌글리콜알킬에테르아세테이트로서, 예를 들면 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 등; As ethylene glycol alkyl ether acetate, For example, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, ethylene glycol monobutyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, etc .;

디에틸렌글리콜알킬에테르로서, 예를 들면 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 등; As diethylene glycol alkyl ether, For example, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether, etc .;

프로필렌글리콜모노알킬에테르로서, 예를 들면 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노프로필에테르, 프로필렌글리콜모노부틸에테르 등; As propylene glycol monoalkyl ether, For example, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, propylene glycol monobutyl ether, etc .;

프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트로서, 예를 들면 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 등; As propylene glycol monoalkyl ether acetate, For example, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, a propylene glycol monopropyl ether acetate, a propylene glycol monobutyl ether acetate, etc .;

프로필렌글리콜모노알킬에테르프로피오네이트로서, 예를 들면 프로필렌모노글리콜메틸에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜모노프로필에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜모노부틸에테르프로피오네이트 등; Examples of the propylene glycol monoalkyl ether propionate include propylene monoglycol methyl ether propionate, propylene glycol monoethyl ether propionate, propylene glycol monopropyl ether propionate, propylene glycol monobutyl ether propionate and the like;

방향족 탄화수소류로서, 예를 들면 톨루엔, 자일렌 등; As aromatic hydrocarbons, For example, toluene, xylene, etc .;

케톤류로서, 예를 들면 메틸에틸케톤, 사이클로헥산온, 4-하이드록시-4-메틸-2-펜탄온 등; As ketones, For example, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, 4-hydroxy-4-methyl- 2-pentanone, etc .;

기타 에스테르류로서는, 예를 들면, 아세트산 메틸, 아세트산 에틸, 아세트산 프로필, 아세트산 부틸, 2-하이드록시프로피온산 에틸, 2-하이드록시-2-메틸프로피온산 메틸, 2-하이드록시-2-메틸프로피온산 에틸, 하이드록시아세트산 메틸, 하이드록시아세트산 에틸, 하이드록시아세트산 부틸, 락트산 메틸, 락트산 에틸, 락트산 프로필, 락트산 부틸, 3-하이드록시프로피온산 메틸, 3-하이드록시프로피온산 에틸, 3-하이드록시프로피온산 프로필, 3-하이드록시프로피온산 부틸, 2-하이드록시-3-메틸부탄산메틸, 메톡시아세트산 메틸, 메톡시아세트산 에틸, 메톡시아세트산 프로필, 메톡시아세트산 부틸, 에톡시아세트산 메틸, 에톡시아세트산 에틸, 에톡시아세트산 프로필, 에톡시아세트산 부틸, 프로폭시아세트산 메틸, 프로폭시아세트산 에틸, 프로폭시아세트산 프로필, 프로폭시아세트산 부틸, 부톡시아세트산 메틸, 부톡시아세트산 에틸, 부톡시아세트산 프로필, 부톡시아세트산 부틸, 2-메톡시프로피온산 메틸, 2-메톡시프로피온산 에틸, 2-메톡시프로피온산 프로필, 2-메톡시프로피온산 부틸, 2-에톡시프로피온산 메틸, 2-에톡시프로피온산 에틸, 2-에톡시프로피온산 프로필, 2-에톡시프로피온산 부틸, 2-부톡시프로피온산 메틸, 2-부톡시프로피온산 에틸, 2-부톡시프로피온산 프로필, 2-부톡시프로피온산 부틸, 3-메톡시프로피온산 메틸, 3-메톡시프로피온산 에틸, 3-메톡시프로피온산 프로필, 3-메톡시프로피온산 부틸, 3-에톡시프로피온산 메틸, 3-에톡시프로피온산 에틸, 3-에톡시프로피온산 프로필, 3-에톡시프로피온산 부틸, 3-프로폭시프로피온산 메틸, 3-프로폭시프로피온산 에틸, 3-프로폭시프로피온산 프로필, 3-프로폭시프로피온산 부틸, 3-부톡시프로피온산 메틸, 3-부톡시프로피온산 에틸, 3-부톡시프로피온산 프로필, 3-부톡시프로피온산 부틸 등의 에스테르류를 각각 들 수 있다.As other esters, for example, methyl acetate, ethyl acetate, propyl acetate, butyl acetate, ethyl 2-hydroxypropionate, methyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, Methyl hydroxyacetic acid, ethyl hydroxyacetic acid, hydroxyacetic acid butyl, methyl lactate, ethyl lactate, propyl lactate, butyl lactate, 3-hydroxypropionate methyl, 3-hydroxypropionate ethyl, 3-hydroxypropionic acid propyl, 3- Butyl hydroxypropionate, methyl 2-hydroxy-3-methylbutyrate, methyl methoxyacetic acid, ethyl methoxyacetic acid, methoxyacetic acid propyl, methoxyacetic acid butyl, ethoxyacetic acid methyl, ethoxyacetic acid ethyl, ethoxyacetic acid Propyl, butyl ethoxyacetate, methyl propoxyacetate, ethyl propoxyacetate, propoxyacetate Acid propyl, butyl propoxyacetic acid, methyl butoxyacetic acid, ethyl butoxyacetic acid, butyl butoxyacetic acid, butyl butoxyacetic acid, 2-methoxypropionate, ethyl 2-methoxypropionic acid, 2-methoxypropionic acid propyl, 2 Butyl methoxypropionate, methyl 2-ethoxypropionate, ethyl 2-ethoxypropionate, propyl 2-ethoxypropionate, butyl 2-ethoxypropionate, methyl 2-butoxypropionate, ethyl 2-butoxypropionate, 2- Propyl butoxypropionate, butyl 2-butoxypropionate, methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate, propyl 3-methoxypropionic acid, butyl 3-methoxypropionate, methyl 3-ethoxypropionate, 3-E Ethyl oxypropionate, propyl 3-ethoxypropionate, butyl 3-ethoxypropionate, methyl 3-propoxypropionate, ethyl 3-propoxypropionate, 3-propoxypropionate Ester, such as a pill, 3-propoxy propionate butyl, 3-butoxy propionate methyl, 3-butoxy ethyl propionate, 3-butoxy propionic acid propyl, and 3-butoxy propionate butyl, is mentioned, respectively.

이들 용매 중, 에틸렌글리콜알킬에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜알킬에테르, 프로필렌글리콜모노알킬에테르, 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트, 메톡시아세트산 부틸이 바람직하고, 특히, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 메톡시아세트산 부틸이 바람직하다.Among these solvents, ethylene glycol alkyl ether acetate, diethylene glycol alkyl ether, propylene glycol monoalkyl ether, propylene glycol monoalkyl ether acetate, and butyl acetate are preferable, and in particular, diethylene glycol dimethyl ether and diethylene glycol ethylmethyl Ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, and butyl acetate butyl acetate are preferable.

중합체 [A]를 제조하기 위한 중합 반응에 이용되는 중합 개시제로서는, 일반적으로 라디칼 중합 개시제로서 알려져 있는 것을 사용할 수 있다. 라디칼 중합 개시제로서는, 예를 들면,As a polymerization initiator used for the polymerization reaction for manufacturing a polymer [A], what is generally known as a radical polymerization initiator can be used. As a radical polymerization initiator, for example,

2,2'- 아조비스이소부티로니트릴, 2,2'-아조비스-(2,4-디메틸발레로니트릴), 2,2'-아조비스-(4-메톡시-2,4-디메틸발레로니트릴) 등의 아조 화합물; 2,2'-azobisisobutyronitrile, 2,2'-azobis- (2,4-dimethylvaleronitrile), 2,2'-azobis- (4-methoxy-2,4-dimethyl Azo compounds such as valeronitrile);

벤조일퍼옥사이드, 라우로일퍼옥사이드, t-부틸퍼옥시피발레이트, 1,1'-비스-(t-부틸퍼옥시)사이클로헥산 등의 유기 과산화물; 및 과산화 수소를 들 수 있다.Organic peroxides such as benzoyl peroxide, lauroyl peroxide, t-butylperoxy pivalate, 1,1'-bis- (t-butylperoxy) cyclohexane; And hydrogen peroxide.

라디칼 중합 개시제로서 과산화물을 이용하는 경우에는, 과산화물을 환원제와 함께 이용하여 레독스(redox)형 개시제로 해도 좋다.When using a peroxide as a radical polymerization initiator, you may use a peroxide together with a reducing agent as a redox type initiator.

중합체 [A]를 제조하기 위한 중합 반응에 있어서, 분자량을 조정하기 위해, 분자량 조정제를 사용할 수 있다. 분자량 조정제의 구체예로서는,In the polymerization reaction for producing the polymer [A], in order to adjust the molecular weight, a molecular weight modifier can be used. As a specific example of a molecular weight modifier,

클로로포름, 4브롬화 탄소 등의 할로겐화 탄화 수소류; Halogenated hydrocarbons such as chloroform and carbon tetrabromide;

n-헥실메르캅탄, n-옥틸메르캅탄, n-도데실메르캅탄, t-도데실메르캅탄, 티오글리콜산 등의 메르캅탄류; mercaptans such as n-hexyl mercaptan, n-octyl mercaptan, n-dodecyl mercaptan, t-dodecyl mercaptan and thioglycolic acid;

디메틸잔토겐술피드, 디이소프로필잔토겐지술피드 등의 잔토겐류; Xanthogens, such as dimethyl xanthogen sulfide and diisopropyl xanthogen gen sulfide;

테르피놀렌, α-메틸스티렌다이머 등을 들 수 있다.Terpinolene, (alpha) -methylstyrene dimer, etc. are mentioned.

<[B] 광산 발생체><[B] mine generator>

[B] 광산 발생체는, 방사선의 조사에 의해 산을 발생하는 화합물이다. 여기에서, 방사선으로서는, 예를 들면 가시광선, 자외선, 원자외선, 전자선, X선 등을 사용할 수 있다. 당해 포지티브형 감방사선성 조성물이 [B] 광산 발생체를 포함함으로써, 포지티브형의 감방사선 특성을 발휘할 수 있다. [B] 광산 발생체는, 방사선의 조사에 의해 산(예를 들면, 카본산, 술폰산 등)을 발생시키는 화합물인 한, 특별히 한정되지 않는다. [B] 광산 발생체의 당해 포지티브형 감방사선성 조성물에 있어서의 함유 형태로서는, 후술하는 화합물인 광산 발생체의 형태라도, 중합체 [A] 또는 기타 중합체의 일부로서 편입된 광산 발생체의 형태라도, 이들 양쪽의 형태라도 좋다. [B] 광산 발생체로서는, 옥심술포네이트 화합물을 대표적으로 들 수 있으며, 디페닐요오도늄염, 트리페닐술포늄염, 술포늄염, 벤조티아조늄염, 암모늄염, 포스포늄염 및 테트라하이드로티오페늄염 등의 오늄염이나, 술폰이미드 화합물, 그리고 퀴논디아지드 화합물을 들 수 있다.The photoacid generator [B] is a compound that generates an acid by irradiation of radiation. Here, as the radiation, for example, visible rays, ultraviolet rays, far ultraviolet rays, electron beams, X rays and the like can be used. When the positive radiation-sensitive composition contains the photo acid generator [B], the positive radiation-sensitive characteristic can be exhibited. [B] The photoacid generator is not particularly limited as long as it is a compound that generates an acid (for example, carboxylic acid, sulfonic acid, etc.) by irradiation of radiation. [B] As a containing form in the said positive radiation sensitive composition of a photo-acid generator, even if it is the form of the photo-acid generator which is a compound mentioned later, or the form of the photo-acid generator incorporated as a part of polymer [A] or other polymers, Or both of these forms. Examples of the photoacid generator [B] include an oxime sulfonate compound, and include a diphenyl iodonium salt, a triphenylsulfonium salt, a sulfonium salt, a benzothiazonium salt, an ammonium salt, a phosphonium salt and a tetrahydrothiophenium salt. Onium salts, sulfonimide compounds, and quinonediazide compounds.

<옥심술포네이트 화합물><Oxime sulfonate compound>

상기 옥심술포네이트 화합물로서는, 하기식 (8)로 나타나는 옥심술포네이트기를 함유하는 화합물이 바람직하다.As said oxime sulfonate compound, the compound containing the oxime sulfonate group represented by following formula (8) is preferable.

Figure pat00010
Figure pat00010

상기식 (8)에 있어서, RB1은 치환되어 있어도 좋은 직쇄상, 분기상, 환상 알킬기, 또는 치환되어 있어도 좋은 아릴기이다. RB1의 알킬기로서는 탄소수 1∼10의 직쇄상 또는 분기상 알킬기가 바람직하다. RB1의 알킬기는 탄소수 1∼10의 알콕시기 또는 지환식기(7, 7-디메틸-2-옥소노르보르닐기 등의 유교식 지환기를 포함하는, 바람직하게는 바이사이클로알킬기 등)로 치환되어 있어도 좋다. RB1의 아릴기로서는 탄소수 6∼11의 아릴기가 바람직하고, 페닐기 또는 나프틸기가 더욱 바람직하다. RB1의 아릴기는 탄소수 1∼5의 알킬기, 알콕시기 또는 할로겐 원자로 치환되어도 좋다.In said Formula (8), R <B1> is the linear, branched, cyclic alkyl group which may be substituted, or the aryl group which may be substituted. As an alkyl group of R <B1> , a C1-C10 linear or branched alkyl group is preferable. The alkyl group of R B1 may be substituted with an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms or an alicyclic group (preferably a bicycloalkyl group or the like including a crosslinked alicyclic group such as 7 and 7-dimethyl-2-oxonorbornyl group). . As an aryl group of R <B1> , a C6-C11 aryl group is preferable and a phenyl group or a naphthyl group is more preferable. The aryl group of R B1 may be substituted with an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an alkoxy group or a halogen atom.

상기식 (8)로 나타나는 옥심술포네이트기를 함유하는 상기 화합물은, 하기식 (9)로 나타나는 옥심술포네이트 화합물인 것이 더욱 바람직하다.It is more preferable that the said compound containing the oxime sulfonate group represented by said formula (8) is an oxime sulfonate compound represented by following formula (9).

Figure pat00011
Figure pat00011

상기식 (9)에 있어서, RB1은 상기식 (8)에 있어서의 RB1의 설명과 동일한 의미이다. X는 알킬기, 알콕시기, 또는 할로겐 원자이다. M은 0∼3의 정수이다. m이 2 또는 3일 때, 복수의 X는 동일해도 달라도 좋다. X로서의 알킬기는 탄소수 1∼4의 직쇄상 또는 분기상 알킬기가 바람직하다.In the formula (9), R B1 has the same meaning as that of R B1 described in the formula (8). X is an alkyl group, an alkoxy group, or a halogen atom. M is an integer of 0-3. When m is 2 or 3, some X may be same or different. The alkyl group as X is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.

X로서의 알콕시기로서는 탄소수 1∼4의 직쇄상 또는 분기상 알콕시기가 바람직하다. X로서의 할로겐 원자는 염소 원자 또는 불소 원자가 바람직하다. M은 0 또는 1이 바람직하다. 특히, 상기식 (9)에 있어서, m이 1, X가 메틸기이며, X의 치환 위치가 오르토인 화합물이 바람직하다.As an alkoxy group as X, a C1-C4 linear or branched alkoxy group is preferable. The halogen atom as X is preferably a chlorine atom or a fluorine atom. M is preferably 0 or 1. In particular, in said Formula (9), the compound whose m is 1, X is a methyl group, and the substitution position of X is ortho is preferable.

옥심술포네이트 화합물의 구체예로서는, 예를 들면, 하기식 (i)∼(v)로 각각 나타나는 화합물(i), 화합물(ii), 화합물(iii), 화합물(iv) 및 화합물(v) 등을 들 수 있다.As a specific example of an oxime sulfonate compound, For example, the compound (i), the compound (ii), the compound (iii), the compound (i '), the compound (i), etc. which are respectively represented by following formula (i)-(i) are mentioned, for example. Can be mentioned.

Figure pat00012
Figure pat00012

이들은 단독 또는 2 종류 이상을 조합하여 사용할 수 있고, [B] 성분으로서의 기타 광산 발생체와 조합하여 사용할 수도 있다. 상기 화합물(i)∼(v)는, 시판품으로서 입수할 수 있다.These can be used individually or in combination of 2 or more types, and can also be used in combination with the other photo-acid generator as a component [B]. The compounds (i) to (iii) can be obtained as a commercial item.

<오늄염><Onium salt>

상기 오늄염 중, 디페닐요오도늄염의 예로서는, 디페닐요오도늄테트라플루오로보레이트, 디페닐요오도늄헥사플루오로포스포네이트, 디페닐요오도늄헥사플루오로아르세네이트, 디페닐요오도늄트리플루오로메탄술포네이트, 디페닐요오도늄트리플루오로아세테이트, 디페닐요오도늄-p-톨루엔술포네이트, 디페닐요오도늄부틸트리스(2,6-디플루오로페닐)보레이트, 4-메톡시페닐페닐요오도늄테트라플루오로보레이트, 비스(4-t-부틸페닐)요오도늄테트라플루오로보레이트, 비스(4-t-부틸페닐)요오도늄헥사플루오로아르세네이트, 비스(4-t-부틸페닐)요오도늄트리플루오로메탄술포네이트, 비스(4-t-부틸페닐)요오도늄트리플루오로아세테이트, 비스(4-t-부틸페닐)요오도늄-p-톨루엔술포네이트, 비스(4-t-부틸페닐)요오도늄캠퍼술폰산 등을 들 수 있다.Among the onium salts, examples of the diphenyl iodonium salt include diphenyl iodonium tetrafluoroborate, diphenyl iodonium hexafluorophosphonate, diphenyl iodonium hexafluoroarsenate, and diphenyl iodo. Donium trifluoromethanesulfonate, diphenyliodonium trifluoroacetate, diphenyliodonium-p-toluenesulfonate, diphenyliodonium butyltris (2,6-difluorophenyl) borate, 4-methoxyphenylphenyl iodonium tetrafluoroborate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium tetrafluoroborate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium hexafluoroarsenate, Bis (4-t-butylphenyl) iodonium trifluoromethanesulfonate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium trifluoroacetate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium-p -Toluene sulfonate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium camphor sulfonic acid, etc. are mentioned.

트리페닐술포늄염의 예로서는, 트리페닐술포늄트리플루오로메탄술포네이트, 트리페닐술포늄캠퍼술폰산, 트리페닐술포늄테트라플루오로보레이트, 트리페닐술포늄트리플루오로아세테이트, 트리페닐술포늄-p-톨루엔술포네이트, 트리페닐술포늄부틸트리스(2,6-디플루오로페닐)보레이트 등을 들 수 있다.Examples of the triphenylsulfonium salt include triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, triphenylsulfonium camphorsulfonic acid, triphenylsulfonium tetrafluoroborate, triphenylsulfonium trifluoroacetate, and triphenylsulfonium-p- Toluenesulfonate, triphenylsulfonium butyl tris (2,6-difluorophenyl) borate, and the like.

술포늄염의 예로서는, 알킬술포늄염, 벤질술포늄염, 디벤질술포늄염, 치환 벤질술포늄염 등을 들 수 있다.Examples of the sulfonium salt include alkyl sulfonium salts, benzyl sulfonium salts, dibenzyl sulfonium salts, substituted benzyl sulfonium salts, and the like.

이들 술포늄염으로서는,As these sulfonium salts,

알킬술포늄염으로서, 예를 들면 4-아세톡시페닐디메틸술포늄헥사플루오로안티모네이트, 4-아세톡시페닐디메틸술포늄헥사플루오로아르세네이트, 디메틸-4-(벤질옥시카보닐옥시)페닐술포늄헥사플루오로안티모네이트, 디메틸-4-(벤조일옥시)페닐술포늄헥사플루오로안티모네이트, 디메틸-4-(벤조일옥시)페닐술포늄헥사플루오로아르세네이트, 디메틸-3-클로로-4-아세톡시페닐술포늄헥사플루오로안티모네이트 등; As the alkylsulfonium salt, for example, 4-acetoxyphenyldimethylsulfonium hexafluoroantimonate, 4-acetoxyphenyldimethylsulfonium hexafluoroarsenate, dimethyl-4- (benzyloxycarbonyloxy) phenyl Sulfonium hexafluoroantimonate, dimethyl-4- (benzoyloxy) phenylsulfonium hexafluoroantimonate, dimethyl-4- (benzoyloxy) phenylsulfonium hexafluoroarsenate, dimethyl-3-chloro 4-acetoxyphenylsulfonium hexafluoroantimonate, etc .;

벤질술포늄염으로서, 예를 들면 벤질-4-하이드록시페닐메틸술포늄헥사플루오로안티모네이트, 벤질-4-하이드록시페닐메틸술포늄헥사플루오로포스페이트, 4-아세톡시페닐벤질메틸술포늄헥사플루오로안티모네이트, 벤질-4-메톡시페닐메틸술포늄헥사플루오로안티모네이트, 벤질-2-메틸-4-하이드록시페닐메틸술포늄헥사플루오로안티모네이트, 벤질-3-클로로-4-하이드록시페닐메틸술포늄헥사플루오로아르세네이트, 4-메톡시벤질-4-하이드록시페닐메틸술포늄헥사플루오로포스페이트 등; As the benzylsulfonium salt, for example, benzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, benzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluorophosphate, 4-acetoxyphenylbenzylmethylsulfonium hexa Fluoroantimonate, benzyl-4-methoxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, benzyl-2-methyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, benzyl-3-chloro- 4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroarsenate, 4-methoxybenzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluorophosphate, etc .;

디벤질술포늄염으로서, 예를 들면 디벤질-4-하이드록시페닐술포늄헥사플루오로안티모네이트, 디벤질-4-하이드록시페닐술포늄헥사플루오로포스페이트, 4-아세톡시페닐디벤질술포늄헥사플루오로안티모네이트, 디벤질-4-메톡시페닐술포늄헥사플루오로안티모네이트, 디벤질-3-클로로-4-하이드록시페닐술포늄헥사플루오로아르세네이트, 디벤질-3-메틸-4-하이드록시-5-t-부틸페닐술포늄헥사플루오로안티모네이트, 벤질-4-메톡시벤질-4-하이드록시페닐술포늄헥사플루오로포스페이트 등; As the dibenzylsulfonium salt, for example, dibenzyl-4-hydroxyphenylsulfonium hexafluoroantimonate, dibenzyl-4-hydroxyphenylsulfonium hexafluorophosphate, 4-acetoxyphenyl dibenzylsulfonium Hexafluoroantimonate, dibenzyl-4-methoxyphenylsulfonium hexafluoroantimonate, dibenzyl-3-chloro-4-hydroxyphenylsulfonium hexafluoroarsenate, dibenzyl-3- Methyl-4-hydroxy-5-t-butylphenylsulfonium hexafluoroantimonate, benzyl-4-methoxybenzyl-4-hydroxyphenylsulfonium hexafluorophosphate and the like;

치환 벤질술포늄염으로서, 예를 들면 p-클로로벤질-4-하이드록시페닐메틸술포늄헥사플루오로안티모네이트, p-니트로벤질-4-하이드록시페닐메틸술포늄헥사플루오로안티모네이트, p-클로로벤질-4-하이드록시페닐메틸술포늄헥사플루오로포스페이트, p-니트로벤질-3-메틸-4-하이드록시페닐메틸술포늄헥사플루오로안티모네이트, 3,5-디클로로벤질-4-하이드록시페닐메틸술포늄헥사플루오로안티모네이트, o-클로로벤질-3-클로로-4-하이드록시페닐메틸술포늄헥사플루오로안티모네이트 등을 각각 들 수 있다.As the substituted benzylsulfonium salt, for example, p-chlorobenzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, p-nitrobenzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, p -Chlorobenzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluorophosphate, p-nitrobenzyl-3-methyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, 3,5-dichlorobenzyl-4- Hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, o-chlorobenzyl-3-chloro-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, and the like.

벤조티아조늄염의 예로서는, 3-벤질벤조티아조늄헥사플루오로안티모네이트, 3-벤질벤조티아조늄헥사플루오로포스페이트, 3-벤질벤조티아조늄테트라플루오로보레이트, 3-(p-메톡시벤질)벤조티아조늄헥사플루오로안티모네이트, 3-벤질-2-메틸티오벤조티아조늄헥사플루오로안티모네이트, 3-벤질-5-클로로벤조티아조늄헥사플루오로안티모네이트 등을 들 수 있다.Examples of the benzothiazonium salts include 3-benzylbenzothiazonium hexafluoroantimonate, 3-benzylbenzothiazonium hexafluorophosphate, 3-benzylbenzothiazonium tetrafluoroborate, 3- (p-methoxybenzyl) Benzothiazonium hexafluoroantimonate, 3-benzyl-2-methylthiobenzothiazonium hexafluoroantimonate, 3-benzyl-5-chlorobenzothiazonium hexafluoroantimonate, etc. are mentioned.

테트라하이드로티오페늄염의 예로서는, 1-(4-n-부톡시나프탈렌-1-일)테트라하이드로티오페늄트리플루오로메탄술포네이트, 1-(4-n-부톡시나프탈렌-1-일)테트라하이드로티오페늄노나플루오로-n-부탄술포네이트, 1-(4-n-부톡시나프탈렌-1-일)테트라하이드로티오페늄-1,1,2,2-테트라플루오로-2-(노르보르난-2-일)에탄술포네이트, 1-(4-n-부톡시나프탈렌-1-일)테트라하이드로티오페늄-2-(5-t-부톡시카보닐옥시바이사이클로[2.2.1]헵탄-2-일)-1,1,2,2-테트라플루오로에탄술포네이트, 1-(4-n-부톡시나프탈렌-1-일)테트라하이드로티오페늄-2-(6-t-부톡시카보닐옥시바이사이클로[2.2.1]헵탄-2-일)-1,1,2,2-테트라플루오로에탄술포네이트, 1-(4,7-디부톡시-1-나프탈레닐)테트라하이드로티오페늄트리플루오로메탄술포네이트 등을 들 수 있다.Examples of tetrahydrothiophenium salts include 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiopheniumtrifluoromethanesulfonate and 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) Tetrahydrothiophenium nonafluoro-n-butanesulfonate, 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium-1,1,2,2-tetrafluoro-2- (Norbornan-2-yl) ethanesulfonate, 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium-2- (5-t-butoxycarbonyloxybicyclo [2.2 .1] heptan-2-yl) -1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate, 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium-2- (6 -t-butoxycarbonyloxybicyclo [2.2.1] heptan-2-yl) -1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate, 1- (4,7-dibutoxy-1-naph Thalenyl) tetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, etc. are mentioned.

이들 오늄염 중에서도, 당해 포지티브형 감방사선성 조성물의 방사선 감도 및 얻어지는 경화물의 밀착성의 향상의 점에서, 트리페닐술포늄염, 술포늄염, 벤조티아조늄염, 테트라하이드로티오페늄염, 술폰이미드 화합물이 적합하게 이용된다. 이 중에서도 특히, 트리페닐술포늄트리플루오로메탄술포네이트, 트리페닐술포늄캠퍼술폰산, 4-아세톡시페닐디메틸술포늄헥사플루오로아르세네이트, 벤질-4-하이드록시페닐메틸술포늄헥사플루오로안티모네이트, 4-아세톡시페닐벤질메틸술포늄헥사플루오로안티모네이트, 디벤질-4-하이드록시페닐술포늄헥사플루오로안티모네이트, 4-아세톡시페닐벤질메틸술포늄헥사플루오로안티모네이트, 3-벤질벤조티아조늄헥사플루오로안티모네이트, 벤질-4-하이드록시페닐메틸술포늄헥사플루오로포스페이트, 1-(4-n-부톡시나프탈렌-1-일)테트라하이드로티오페늄트리플루오로메탄술포네이트, 1-(4,7-디부톡시-1-나프탈레닐)테트라하이드로티오페늄트리플루오로메탄술포네이트가 바람직하게 이용된다.Among these onium salts, triphenylsulfonium salt, sulfonium salt, benzothiazonium salt, tetrahydrothiophenium salt, and sulfonimide compound are used in view of improving the radiation sensitivity of the positive radiation-sensitive composition and the adhesiveness of the cured product obtained. It is suitably used. Among them, triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, triphenylsulfonium camphorsulfonic acid, 4-acetoxyphenyldimethylsulfonium hexafluoroarsenate and benzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoro Antimonate, 4-acetoxyphenylbenzylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, dibenzyl-4-hydroxyphenylsulfonium hexafluoroantimonate, 4-acetoxyphenylbenzylmethylsulfonium hexafluoroanti Monate, 3-benzylbenzothiazonium hexafluoroantimonate, benzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluorophosphate, 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiope Niumtrifluoromethanesulfonate and 1- (4,7-dibutoxy-1-naphthalenyl) tetrahydrothiopheniumtrifluoromethanesulfonate are preferably used.

<술폰이미드 화합물><Sulfonimide compound>

술폰이미드 화합물의 예로서는, N-(트리플루오로메틸술포닐옥시)숙신이미드(상품명 「SI-105」(미도리카가쿠 가부시키가이샤 제조)), N-(캠퍼술포닐옥시)숙신이미드(상품명 「SI-106」(미도리카가쿠 가부시키가이샤 제조)), N-(4-메틸페닐술포닐옥시)숙신이미드(상품명 「SI-101」(미도리카가쿠 가부시키가이샤 제조)), N-(2-트리플루오로메틸페닐술포닐옥시)숙신이미드, N-(4-플루오로페닐술포닐옥시)숙신이미드, N-(트리플루오로메틸술포닐옥시)프탈이미드, N-(캠퍼술포닐옥시)프탈이미드, N-(2-트리플루오로메틸페닐술포닐옥시)프탈이미드, N-(2-플루오로페닐술포닐옥시)프탈이미드, N-(트리플루오로메틸술포닐옥시)디페닐말레이미드(상품명 「PI-105」(미도리카가쿠 가부시키가이샤 제조)), N-(캠퍼술포닐옥시)디페닐말레이미드, 4-메틸페닐술포닐옥시)디페닐말레이미드, N-(2-트리플루오로메틸페닐술포닐옥시)디페닐말레이미드, N-(4-플루오로페닐술포닐옥시)디페닐말레이미드, N-(4-플루오로페닐술포닐옥시)디페닐말레이미드, N-(페닐술포닐옥시)바이사이클로[2.2.1]헵토-5-엔-2,3-디카복실이미드(상품명 「NDI-100」(미도리카가쿠 가부시키가이샤 제조)), N-(4-메틸페닐술포닐옥시)바이사이클로[2.2.1]헵토-5-엔-2,3-디카복실이미드(상품명 「NDI-101」(미도리카가쿠 가부시키가이샤 제조)), N-(트리플루오로메탄술포닐옥시)바이사이클로[2.2.1]헵토-5-엔-2,3-디카복실이미드(상품명 「NDI-105」(미도리카가쿠 가부시키가이샤 제조)), N-(노나플루오로부탄술포닐옥시)바이사이클로[2.2.1]헵토-5-엔-2,3-디카복실이미드(상품명 「NDI-109」(미도리카가쿠 가부시키가이샤 제조)), N-(캠퍼술포닐옥시)바이사이클로[2.2.1]헵토-5-엔-2,3-디카복실이미드(상품명 「NDI-106」(미도리카가쿠 가부시키가이샤 제조)), N-(캠퍼술포닐옥시)-7-옥사바이사이클로[2.2.1]헵토-5-엔-2,3-디카복실이미드, N-(트리플루오로메틸술포닐옥시)-7-옥사바이사이클로[2.2.1]헵토-5-엔-2,3-디카복실이미드, N-(4-메틸페닐술포닐옥시)바이사이클로[2.2.1]헵토-5-엔-2,3-디카복실이미드, N-(4-메틸페닐술포닐옥시)-7-옥사바이사이클로[2.2.1]헵토-5-엔-2,3-디카복실이미드, N-(2-트리플루오로메틸페닐술포닐옥시)바이사이클로[2.2.1]헵토-5-엔-2,3-디카복실이미드, N-(2-트리플루오로메틸페닐술포닐옥시)-7-옥사바이사이클로[2.2.1]헵토-5-엔-2,3-디카복실이미드, N-(4-플루오로페닐술포닐옥시)바이사이클로[2.2.1]헵토-5-엔-2,3-디카복실이미드, N-(4-플루오로페닐술포닐옥시)-7-옥사바이사이클로[2.2.1]헵토-5-엔-2,3-디카복실이미드, N-(트리플루오로메틸술포닐옥시)바이사이클로[2.2.1]헵탄-5,6-옥시-2,3-디카복실이미드, N-(캠퍼술포닐옥시)바이사이클로[2.2.1]헵탄-5,6-옥시-2,3-디카복실이미드, N-(4-메틸페닐술포닐옥시)바이사이클로[2.2.1]헵탄-5,6-옥시-2,3-디카복실이미드, N-(2-트리플루오로메틸페닐술포닐옥시)바이사이클로[2.2.1]헵탄-5,6-옥시-2,3-디카복실이미드, N-(4-플루오로페닐술포닐옥시)바이사이클로[2.2.1]헵탄-5,6-옥시-2,3-디카복실이미드, N-(트리플루오로메틸술포닐옥시)나프틸디카복실이미드(상품명 「NAI-105」(미도리카가쿠 가부시키가이샤 제조)), N-(캠퍼술포닐옥시)나프틸디카복실이미드(상품명 「NAI-106」(미도리카가쿠 가부시키가이샤 제조)), N-(4-메틸페닐술포닐옥시)나프틸디카복실이미드(상품명 「NAI-101」(미도리카가쿠 가부시키가이샤 제조)), N-(페닐술포닐옥시)나프틸디카복실이미드(상품명 「NAI-100」(미도리카가쿠 가부시키가이샤 제조)), N-(2-트리플루오로메틸페닐술포닐옥시)나프틸디카복실이미드, N-(4-플루오로페닐술포닐옥시)나프틸디카복실이미드, N-(펜타플루오로에틸술포닐옥시)나프틸디카복실이미드, N-(헵타플루오로프로필술포닐옥시)나프틸디카복실이미드, N-(노나플루오로부틸술포닐옥시)나프틸디카복실이미드(상품명 「NAI-109」(미도리카가쿠 가부시키가이샤 제조)), N-(에틸술포닐옥시)나프틸디카복실이미드, N-(프로필술포닐옥시)나프틸디카복실이미드, N-(부틸술포닐옥시)나프틸디카복실이미드(상품명 「NAI-1004」(미도리카가쿠 가부시키가이샤 제조)), N-(펜틸술포닐옥시)나프틸디카복실이미드, N-(헥실술포닐옥시)나프틸디카복실이미드, N-(헵틸술포닐옥시)나프틸디카복실이미드, N-(옥틸술포닐옥시)나프틸디카복실이미드, N-(노닐술포닐옥시)나프틸디카복실이미드 등을 들 수 있다As an example of a sulfonimide compound, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) succinimide (brand name "SI-105" (made by Midori Chemical Co., Ltd.)) and N- (camphor sulfonyloxy) succinimide (Brand name "SI-106" (manufactured by Midori Kagaku Co., Ltd.)), N- (4-methylphenylsulfonyloxy) succinimide (brand name "SI-101" (manufactured by Midori Kagaku Co., Ltd.)), N -(2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) succinimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) succinimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) phthalimide, N- ( Campersulfonyloxy) phthalimide, N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) phthalimide, N- (2-fluorophenylsulfonyloxy) phthalimide, N- (trifluoromethylsulphur Phenyloxy) diphenyl maleimide (brand name "PI-105" (made by Midori Chemical Co., Ltd.)), N- (camphor sulfonyloxy) diphenyl maleimide, 4-methylphenyl sulfonyloxy) diphenyl mal Imide, N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) diphenylmaleimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) diphenylmaleimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) Diphenylmaleimide, N- (phenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hepto-5-ene-2,3-dicarboxyimide (trade name "NDI-100" (manufactured by Midorikagaku Co., Ltd.)) , N- (4-methylphenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hepto-5-ene-2,3-dicarboxyimide (trade name "NDI-101" (manufactured by Midorikagaku KK)), N -(Trifluoromethanesulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hepto-5-ene-2,3-dicarboxyimide (trade name "NDI-105" (manufactured by Midorikagaku KK)), N- (Nonafluorobutanesulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hepto-5-ene-2,3-dicarboxyimide (trade name "NDI-109" (manufactured by Midorikagaku KK)), N- ( Camphorsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hepto-5-ene-2,3-dicarboxyl Mead (brand name "NDI-106" (made by Midori Chemical Co., Ltd.)), N- (camphorsulfonyloxy) -7-oxabicyclo [2.2.1] hepto-5-ene-2,3- dicarboxyl Mead, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) -7-oxabicyclo [2.2.1] hepto-5-ene-2,3-dicarboxyimide, N- (4-methylphenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hepto-5-ene-2,3-dicarboxyimide, N- (4-methylphenylsulfonyloxy) -7-oxabicyclo [2.2.1] hepto-5-ene-2,3- Dicarboxyimide, N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hepto-5-ene-2,3-dicarboxyimide, N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy ) -7-oxabicyclo [2.2.1] hepto-5-ene-2,3-dicarboxyimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hepto-5-ene -2,3-dicarboxyimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) -7-oxabicyclo [2.2.1] hepto-5-ene-2,3-dicarboxyimide, N- (tri Fluoromethylsulfonyl Bicyclo [2.2.1] heptan-5,6-oxy-2,3-dicarboxyimide, N- (camphorsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] heptan-5,6-oxy-2, 3-dicarboxyimide, N- (4-methylphenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] heptan-5,6-oxy-2,3-dicarboxyimide, N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyl Oxy) bicyclo [2.2.1] heptan-5,6-oxy-2,3-dicarboxyimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] heptan-5,6- Oxy-2,3-dicarboxylimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) naphthyldicarboxyimide (brand name "NAI-105" (made by Midori Chemical Co., Ltd.)), N- (camphorsulfonyl Oxy) naphthyl dicarboxyl imide (brand name "NAI-106" (made by Midori Chemical Co., Ltd.)), N- (4-methylphenylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylic imide (brand name "NAI-101" (midorikka) Gaku Corporation make), N- (phenylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxyimide (brand name "NAI-100 (Manufactured by Midori Kagaku Co., Ltd.)), N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) naphthyldicarboxyimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) naphthyldicarboxyimide, N- (Pentafluoroethylsulfonyloxy) naphthyldicarboxyimide, N- (heptafluoropropylsulfonyloxy) naphthyldicarboxyimide, N- (nonafluorobutylsulfonyloxy) naphthyldicarboxyimide (brand name `` NAI-109 '' (manufactured by Midori Kagaku Co., Ltd.), N- (ethylsulfonyloxy) naphthyldicarboxyimide, N- (propylsulfonyloxy) naphthyldicarboxyimide, N- (butylsulfonyl Oxy) naphthyl dicarboxyl imide (brand name "NAI-1004" (made by Midori Chemical Co., Ltd.)), N- (pentylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylic imide, N- (hexylsulfonyloxy) naphthyl dica Foxyimide, N- (heptylsulfonyloxy) naphthyldicarboxyimide, N- (octylsulfonyloxy) naphthyldicarboxyimide, N- (nonylsul Carbonyl oxy), and the naphthyl Fifi dicarboxylic imide, etc.

<퀴논디아지드-화합물><Quinonediazide-compound>

퀴논디아지드-화합물은, 방사선의 조사에 의해 카본산을 발생하는 화합물이다. 퀴논디아지드-화합물로서, 페놀성 화합물 또는 알코올성 화합물(이하, 「모핵」이라고 함)과 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산 할라이드와의 축합물을 이용할 수 있다.The quinonediazide compound is a compound that generates carboxylic acid upon irradiation with radiation. As the quinonediazide-compound, a condensate of a phenolic compound or an alcoholic compound (hereinafter referred to as "nucleus") and 1,2-naphthoquinonediazidesulfonic acid halide can be used.

상기 모핵으로서는, 예를 들면 트리하이드록시벤조페논, 테트라하이드록시벤조페논, 펜타하이드록시벤조페논, 헥사하이드록시벤조페논, (폴리하이드록시페닐)알칸, 그 외의 모핵을 들 수 있다.Examples of the mother core include trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, pentahydroxybenzophenone, hexahydroxybenzophenone, (polyhydroxyphenyl) alkane, and other mother cores.

이들 모핵으로서는,As these mother cores,

트리하이드록시벤조페논으로서, 예를 들면 2,3,4-트리하이드록시벤조페논, 2,4,6-트리하이드록시벤조페논 등; Examples of the trihydroxybenzophenone include 2,3,4-trihydroxybenzophenone, 2,4,6-trihydroxybenzophenone, and the like;

테트라하이드록시벤조페논으로서, 예를 들면 2,2'4,4'-테트라하이드록시벤조페논, 2,3,4,3'-테트라하이드록시벤조페논, 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논, 2,3,4,2'-테트라하이드록시-4'-메틸벤조페논, 2,3,4,4'-테트라하이드록시-3'-메톡시벤조페논 등; As tetrahydroxybenzophenone, for example, 2,2'4,4'-tetrahydroxybenzophenone, 2,3,4,3'-tetrahydroxybenzophenone, 2,3,4,4'-tetra Hydroxybenzophenone, 2,3,4,2'-tetrahydroxy-4'-methylbenzophenone, 2,3,4,4'-tetrahydroxy-3'-methoxybenzophenone and the like;

펜타하이드록시벤조페논으로서, 예를 들면 2,3,4,2'6'-펜타하이드록시벤조페논 등; As pentahydroxy benzophenone, it is 2,3,4,2'6'- pentahydroxy benzophenone etc., for example;

헥사하이드록시벤조페논으로서, 예를 들면 2,4,6,3'4'5'-헥사하이드록시벤조페논, 3,4,5,3'4'5'-헥사하이드록시벤조페논 등; Examples of the hexahydroxybenzophenone include 2,4,6,3'4'5'-hexahydroxybenzophenone, 3,4,5,3'4'5'-hexahydroxybenzophenone, and the like;

(폴리하이드록시페닐)알칸으로서, 예를 들면 비스(2,4-디하이드록시페닐)메탄, 비스(p-하이드록시페닐)메탄, 트리스(p-하이드록시페닐)메탄, 1,1,1-트리스(p-하이드록시페닐)에탄, 비스(2,3,4-트리하이드록시페닐)메탄, 2,2-비스(2,3,4-트리하이드록시페닐)프로판, 1,1,3-트리스(2,5-디메틸-4-하이드록시페닐)-3-페닐프로판, 4,4'-[1-[4-[1-[4-하이드록시페닐]-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀, 비스(2,5-디메틸-4-하이드록시페닐)-2-하이드록시페닐메탄, 3,3,3'3'-테트라메틸-1,1'-스피로비인덴-5,6,7,5'6'7'-헥산올, 2,2,4-트리메틸-7,2'4'-트리하이드록시플라반 등; As the (polyhydroxyphenyl) alkanes, for example, bis (2,4-dihydroxyphenyl) methane, bis (p-hydroxyphenyl) methane, tris (p-hydroxyphenyl) methane, 1,1,1 -Tris (p-hydroxyphenyl) ethane, bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) methane, 2,2-bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) propane, 1,1,3 -Tris (2,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) -3-phenylpropane, 4,4 '-[1- [4- [1- [4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] Ethylidene] bisphenol, bis (2,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) -2-hydroxyphenylmethane, 3,3,3'3'-tetramethyl-1,1'-spirobiindene-5, 6,7,5'6'7'-hexanol, 2,2,4-trimethyl-7,2'4'-trihydroxyflavan and the like;

그 외의 모핵으로서, 예를 들면 2-메틸-2-(2,4-디하이드록시페닐)-4-(4-하이드록시페닐)-7-하이드록시크로만, 1-[1-(3-{1-(4-하이드록시페닐)-1-메틸에틸}-4,6-디하이드록시페닐)-1-메틸에틸]-3-(1-(3-{1-(4-하이드록시페닐)-1-메틸에틸}-4,6-디하이드록시페닐)-1-메틸에틸)벤젠, 4,6-비스{1-(4-하이드록시페닐)-1-메틸에틸}-1,3-디하이드록시벤젠을 들 수 있다.As another mother nucleus, for example, 2-methyl-2- (2,4-dihydroxyphenyl) -4- (4-hydroxyphenyl) -7-hydroxychroman, 1- [1- (3- {1- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl} -4,6-dihydroxyphenyl) -1-methylethyl] -3- (1- (3- {1- (4-hydroxyphenyl ) -1-methylethyl} -4,6-dihydroxyphenyl) -1-methylethyl) benzene, 4,6-bis {1- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl} -1,3 -Dihydroxy benzene is mentioned.

이들 모핵 중, 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논, 1,1,1-트리(p-하이드록시페닐)에탄, 4,4'-[1-[4-[1-[4-하이드록시페닐]-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀이 바람직하다.Among these mother nuclei, 2,3,4,4'-tetrahydroxybenzophenone, 1,1,1-tri (p-hydroxyphenyl) ethane, 4,4 '-[1- [4- [1- [ 4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol is preferred.

또한, 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산 할라이드로서는, 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산 클로라이드가 바람직하다. 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산 클로라이드의 구체예로서는, 1,2-나프토퀴논디아지드-4-술폰산 클로라이드 및 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 클로라이드를 들 수 있다. 이 중에서도, 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 클로라이드를 사용하는 것이 특히 바람직하다.As the 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid halide, 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid chloride is preferable. Specific examples of 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid chloride include 1,2-naphthoquinone diazide-4-sulfonic acid chloride and 1,2-naphthoquinone diazide-5-sulfonic acid chloride. Among these, it is especially preferable to use 1,2-naphthoquinone diazide-5-sulfonic acid chloride.

페놀성 화합물 또는 알코올성 화합물과 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산 할라이드와의 축합물의 적합한 예로서는, 1,1,1-트리(p-하이드록시페닐)에탄과 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 클로라이드와의 축합물, 4,4'-[1-[4-[1-[4-하이드록시페닐]-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀과 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 클로라이드와의 축합물을 들 수 있다.Suitable examples of condensates of phenolic or alcoholic compounds with 1,2-naphthoquinonediazidesulfonic acid halides include 1,1,1-tri (p-hydroxyphenyl) ethane and 1,2-naphthoquinonediazide Condensates with -5-sulfonic acid chloride, 4,4 '-[1- [4- [1- [4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol and 1,2-naphtho And condensates with quinonediazide-5-sulfonic acid chloride.

페놀성 화합물 또는 알코올성 화합물(모핵)과, 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산 할라이드와의 축합 반응에서는, 페놀성 화합물 또는 알코올성 화합물 중의 OH기수에 대하여, 바람직하게는 30∼85몰%, 보다 바람직하게는 50∼70몰%에 상당하는 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산 할라이드를 이용할 수 있다. 축합 반응은 공지의 방법에 의해 실시할 수 있다.In the condensation reaction of the phenolic compound or the alcoholic compound (parent nucleus) with the 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid halide, the amount of OH groups in the phenolic compound or the alcoholic compound is preferably 30 to 85 mol%, more Preferably, 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic-acid halide corresponding to 50-70 mol% can be used. Condensation reaction can be performed by a well-known method.

또한, 퀴논디아지드 화합물로서는, 상기 예시한 모핵의 에스테르 결합을 아미드 결합으로 변경한 1,2-나프토퀴논디아지드 술폰산 아미드류, 예를 들면 2,3,4-트리아미노벤조페논 1,2-나프토퀴논디아지드-4-술폰산 아미드 등도 적합하게 사용된다. 이러한 [B] 성분은, 단독으로 또는 2 종류 이상을 조합하여 이용할 수 있다.Moreover, as a quinone diazide compound, the 1, 2- naphthoquinone diazide sulfonic-acid amides which changed the ester bond of the above-mentioned mother core to the amide bond, for example, 2,3, 4- triamino benzophenone 1,2 -Naphthoquinone diazide-4-sulfonic acid amide etc. are also used suitably. These [B] components can be used individually or in combination of 2 or more types.

당해 포지티브형 감방사선성 조성물에 있어서의 [B] 광산 발생체로서의 함유량으로서는, 중합체 [A] 100질량부에 대하여, 바람직하게는 1∼20질량부이며, 보다 바람직하게는 1∼10질량부이다. [B] 성분의 함유량이 상기 범위에 있으면, 현상액이 되는 알칼리 수용액에 대한 방사선의 조사 부분과 미조사 부분과의 용해도의 차이가 커, 패터닝 성능이 양호해지며, 또한 얻어지는 층간 절연막의 내용매성도 양호해진다.As content as a [B] photo-acid generator in the said positive radiation sensitive composition, Preferably it is 1-20 mass parts with respect to 100 mass parts of polymers [A], More preferably, it is 1-10 mass parts. . When the content of the component (B) is within the above range, the difference in solubility between the irradiated portion and the unirradiated portion of the alkaline aqueous solution serving as the developing solution is large, so that the patterning performance is good, and the solvent resistance of the resulting interlayer insulating film is also high. It becomes good.

<공중합체 [C] ><Copolymer [C]>

공중합체 [C]는, 불소를 갖는 구성 단위로 규소를 갖는 구성 단위를 갖는 공중합체이며, 또한 특정 구조를 갖는 중합성 화합물(c1), 중합성 화합물(c2) 및 중합성 화합물(c3)에 유래하는 구조 단위를 적어도 갖는 공중합체이다. 당해 포지티브형 감방사선성 조성물에 있어서, 공중합체 [C]는 표면 장력의 저하 성능이 높은 계면 활성제로서 기능하여, 이것을 적은 비율로 사용한 경우라도, 형성되는 층간 절연막의 표면의 평탄성을 현저하게 향상시킬 수 있다.Copolymer [C] is a copolymer which has a structural unit which has a silicon as a structural unit which has a fluorine, and has a specific structure to the polymeric compound (c1), polymeric compound (c2), and polymeric compound (c3) It is a copolymer which has at least a structural unit derived. In the positive radiation-sensitive composition, the copolymer [C] functions as a surfactant having high surface tension lowering performance, and even when used in a small proportion, the flatness of the surface of the interlayer insulating film formed is remarkably improved. Can be.

당해 포지티브형 감방사선성 조성물에 있어서, 공중합체 [C]는, 또한 (c4) 탄소수 1∼8의 비치환 알킬에스테르기를 갖는 중합성 불포화 화합물(이하, 단순히 「중합성 화합물(c4)」이라고도 말함)에 유래하는 구조 단위를 갖는 것이 바람직하고, 더욱이 (c5) 1분자 중에 2개 이상의 불포화 결합을 갖는 중합성 불포화 화합물(이하, 단순히 「중합성 화합물(c5)」이라고도 말함)에 유래하는 구조 단위를 갖는 것이 보다 바람직하고, 특히 상기 중합성 화합물(c1), 중합성 화합물(c2), 중합성 화합물(c3), 중합성 화합물(c4) 및 중합성 화합물(c5)을 포함하는 조성물로 이루어지는 것이 바람직하다.In the positive radiation-sensitive composition, the copolymer [C] is also referred to as (c4) a polymerizable unsaturated compound having an unsubstituted alkyl ester group having 1 to 8 carbon atoms (hereinafter, simply referred to as "polymerizable compound (c4)"). It is preferable to have a structural unit derived from the same), and furthermore, the structural unit derived from the polymerizable unsaturated compound (henceforth simply called "polymerizable compound (c5)") which has two or more unsaturated bonds in (c5) 1 molecule. It is more preferable to have, and especially what consists of the composition containing the said polymeric compound (c1), a polymeric compound (c2), a polymeric compound (c3), a polymeric compound (c4), and a polymeric compound (c5) desirable.

상기식 (2)에 있어서의 기 -CαH2 α-는, 메틸렌기 또는 알킬메틸렌기, 또는 직쇄상 혹은 분기상의 알킬렌기이다. 기 -CαH2 α-가 좌우 비대칭일 때, 그 결합의 방향은 묻지 않는다. 기 -CαH2 α-의 탄소수 α는 바람직하게는 2∼4이다. 기 -CαH2 α-의 구체예로서는, 예를 들면 1,2-에틸렌기, 1,2-프로필렌기, 1,3-프로필렌기, 1, 4-부틸렌기 등을 들 수 있고, 이들 중 1,2-에틸렌기 또는 1,3-프로필렌기가 바람직하고, 특히 1,2-에틸렌기가 바람직하다.The group -C α H 2 α -in the formula (2) is a methylene group or an alkylmethylene group or a linear or branched alkylene group. When the group -C α H 2 α − is asymmetric, the direction of the bond is not asked. The carbon number α of the group -C α H 2 α − is preferably 2 to 4. Specific examples of the group -C α H 2 α − include 1,2-ethylene groups, 1,2-propylene groups, 1,3-propylene groups, 1,4-butylene groups, and the like. 1,2-ethylene group or 1,3-propylene group is preferable and 1,2-ethylene group is especially preferable.

상기식 (2)에 있어서의 기 -CβF2β+1은 직쇄상 또는 분기상의 플루오로알킬기이다. 기 -CβF2β+1의 탄소수β는 1∼20이며, 바람직하게는 1∼12이며, 보다 바람직하게는 1∼8이며, 특히 바람직하게는 2∼8이다. 기 -CβF2β+1은 직쇄상의 플루오로알킬기인 것이 바람직하다.The group -C β F 2β + 1 in the formula (2) is a linear or branched fluoroalkyl group. Carbon number (beta) of group -C ( beta) F2 ( beta) +1 is 1-20, Preferably it is 1-12, More preferably, it is 1-8, Especially preferably, it is 2-8. Group -C β F 2β + 1 is preferably a fluoroalkyl group of a straight chain.

본 발명에 있어서의 중합성 화합물(c1)로서는, 상기식 (6)으로 나타나는 화합물인 것이 바람직하다. 화합물(c1)의 구체예로서는, 하기식 (c1-1) ∼ (c1-8)의 각각으로 나타나는 화합물 등을 들 수 있다. As a polymeric compound (c1) in this invention, it is preferable that it is a compound represented by said formula (6). As a specific example of a compound (c1), the compound etc. which are represented by each of following formula (c1-1)-(c1-8) are mentioned.

Figure pat00013
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상기식 (3)에 있어서의 기 -CγH2 γ-는, 직쇄상 또는 분기상의 알킬렌기이다. 기 -CγH2 γ-가 좌우 비대칭일 때, 그 결합의 방향은 묻지 않는다. 기 -CγH2 γ-의 구체예로서, 예를 들면 1,2-에틸렌기 및 1,2-프로필렌기를 들 수 있고, 1,2-에틸렌기인 것이 바람직하다.The group -C γ H 2 γ -in the formula (3) is a linear or branched alkylene group. When the group -C γ H 2 γ -is asymmetric, the direction of the bond is not asked. As a specific example of group -C ( gamma) H2 ( gamma) -, a 1,2-ethylene group and a 1,2-propylene group are mentioned, for example, It is preferable that it is a 1,2-ethylene group.

화합물(c2)은, 상기식 (3)에 있어서의 반복 단위수 a의 값이 상이한 화합물의 혼합물로서 사용된다. a의 수평균치는 1∼30이며, 바람직하게는 2∼20이며, 특히 4∼12인 것이 바람직하다. 화합물(c2)에 있어서 γ가 2인 경우 (메타)아크릴산에 에틸렌옥사이드, γ가 3인 경우 (메타)아크릴산에 프로필렌옥사이드를 각각 반응시켜 합성한다. 이때, (메타)아크릴산 1몰에 대하여 도입되는 에틸렌옥사이드 또는 프로필렌옥사이드의 몰수에 따라 a의 값이 달라진다. 이 a의 값은, 화합물(c2)에 대해 겔 투과 크로마토그래피에 의해 측정한 폴리스티렌 환산의 수평균 분자량을 구하여, (메타)아크릴산 1몰에 대하여 도입되는 에틸렌옥사이드 또는 프로필렌옥사이드의 투입 몰수로부터 상기에서 구한 수평균 분자량이 되는 값을 계산함으로써 구할 수 있다.Compound (c2) is used as a mixture of compounds in which the value of the repeating unit number a in the said Formula (3) differs. The number average value of a is 1-30, Preferably it is 2-20, It is especially preferable that it is 4-12. In the compound (c2), when γ is 2, ethylene oxide is reacted with (meth) acrylic acid, and when γ is 3, propylene oxide is reacted with (meth) acrylic acid, respectively. At this time, the value of a varies depending on the number of moles of ethylene oxide or propylene oxide introduced with respect to 1 mole of (meth) acrylic acid. The value of a is obtained from the number of moles of ethylene oxide or propylene oxide introduced into 1 mole of (meth) acrylic acid by obtaining the number average molecular weight of polystyrene conversion measured by gel permeation chromatography for compound (c2). It can obtain | require by calculating the value used as the calculated number average molecular weight.

화합물(c2)로서는, 시판품을 적합하게 사용할 수 있다. 그러한 시판품의 예로서는, 신나카무라카가쿠코교 가부시키가이샤 제조의 NK-에스테르 M-40G, NK-에스테르 M-90G, AM-90G; 니치유 가부시키가이샤 제조의 블렘머(blemmer) PME-200, PME-400, PME-550 등을 들 수 있다.As a compound (c2), a commercial item can be used suitably. As an example of such a commercial item, NK-ester M-40G, NK-ester M-90G, AM-90G by Shin-Nakamura Kagaku Kogyo Co., Ltd .; Blemmer PME-200, PME-400, PME-550 by Nichiyu Corp., etc. are mentioned.

상기 화합물(c3)은, 상기식 (4)에 있어서, R8 및 R9가 각각 복수 존재할 때에는, 각 R8은 동일해도 달라도 좋고, 각 R9는 동일해도 달라도 좋다. 또한, 상기식 (5)에 있어서, R13 및 R14가 각각 복수 존재할 때에는, 각 R13은 동일해도 달라도 좋고, 각 R14는 동일해도 달라도 좋다. 또한, 화합물(c3)로서는, 상기식 (4)에 있어서, R7, R8 및 R9가 각각, 탄소수 1∼20의 알킬기 또는 페닐기이며, 그리고 R10 및 R11이 각각, 상기식 (5)로 나타나는 기를 갖는 중합성 불포화 화합물인 것이 바람직하다.The compounds (c3), in the above formula (4), when the R 8 and R 9 present in plurality, respectively, or different, each R 8 may be the same, each R 9 may be the same or different. In addition, in said Formula (5), when two or more R <13> and R <14> exist, each R <13> may be same or different, and each R <14> may be same or different. In addition, as a compound (c3), in said Formula (4), R <7> , R <8> and R <9> are respectively a C1-C20 alkyl group or a phenyl group, and R <10> and R <11> are respectively said Formula (5) It is preferable that it is a polymerizable unsaturated compound which has group represented by).

화합물(c3)로서 바람직하게는, 하기식 (c3-1)로 나타나는 화합물을 이용할 수 있다.As compound (c3), Preferably, the compound represented by a following formula (c3-1) can be used.

Figure pat00021
Figure pat00021

(식 (c3-1) 중, RSi는 상기식 (4)로 나타나는 기이고, R15는 수소 원자 또는 메틸기이고, d는 1∼3의 정수임).(In formula (c3-1), R Si is a group represented by the formula (4), R 15 is a hydrogen atom or a methyl group, and d is an integer of 1 to 3).

화합물(c3-1)의 구체예로서는, 하기식 (c3-1-1), (c3-1-2) 및 (c3-1-3)의 각각으로 나타나는 화합물 등을 들 수 있다.As a specific example of a compound (c3-1), the compound etc. which are represented by each of following formula (c3-1-1), (c3-1-2), and (c3-1-3) are mentioned.

Figure pat00022
Figure pat00022

(식 (c3-1-1) 중, Me는 메틸기이고, r, s 및 t는 각각 0∼3의 정수임);(In formula (c3-1-1), Me is a methyl group and r, s, and t are each an integer of 0-3.);

Figure pat00023
Figure pat00023

(식 (c3-1-2) 중, Me 및 r, s 및 t는 상기식 (c3-1-1)과 동일하게 정의됨);(In formula (c3-1-2), Me and r, s and t are defined similarly to said formula (c3-1-1).);

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Figure pat00024

(식 (c3-1-3) 중, Me 및 r, s 및 t는 상기식 (c3-1-1)과 동일하게 정의되고, Ph는 페닐기임).(In formula (c3-1-3), Me and r, s, and t are defined similarly to said formula (c3-1-1), and Ph is a phenyl group).

화합물(c4)로서는, 예를 들면, 탄소수 1∼8의 비치환 알킬에스테르기를 갖는 알킬(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 화합물(c4)의 구체예로서는, n-부틸메타크릴레이트, 메틸메타크릴레이트, 2-에틸헥실아크릴레이트 등을 들 수 있다.As a compound (c4), the alkyl (meth) acrylate etc. which have a C1-C8 unsubstituted alkylester group are mentioned, for example. Specific examples of the compound (c4) include n-butyl methacrylate, methyl methacrylate, 2-ethylhexyl acrylate, and the like.

화합물(c5)로서는, 예를 들면 테트라메틸렌글리콜, 중합도 1∼20의 폴리에틸렌글리콜, 중합도 1∼20의 폴리프로필렌글리콜 등의 양 말단을 메타크릴레이트화한 화합물을 들 수 있다. 화합물(c5)로서는, 시판품을 적합하게 사용할 수 있다. 그러한 시판품의 예로서는, 신나카무라카가쿠코교 가부시키가이샤 제조의 NK에스테르 1G, 동 2G, 동 3G, 동 4G, 동 9G, 동 14G 등을 들 수 있다.As a compound (c5), the compound which methacrylated both ends, such as tetramethylene glycol, the polyethyleneglycol of the polymerization degrees 1-20, and the polypropylene glycol of the polymerization degrees 1-20, is mentioned, for example. As a compound (c5), a commercial item can be used suitably. As an example of such a commercial item, NK ester 1G, copper 2G, copper 3G, copper 4G, copper 9G, copper 14G etc. by Shin-Nakamura Kagaku Kogyo Co., Ltd. are mentioned.

공중합체 [C]가 전술한 바와 같은 중합성 화합물(c1), 중합성 화합물(c2) 및 중합성 화합물(c3)에 유래하는 구조 단위를 갖는 경우, 이들 중합성 화합물의 전체량에 대한 각 중합성 화합물의 사용 비율은, 중합성 화합물(c1)에 대해 10∼55질량%이며, 중합성 화합물(c2)에 대해 10∼50질량%이며, 중합성 화합물(c3)에 대해 5∼45질량%이다.When the copolymer [C] has structural units derived from the polymerizable compound (c1), the polymerizable compound (c2), and the polymerizable compound (c3) as described above, each polymerization with respect to the total amount of these polymerizable compounds The use ratio of a polymeric compound is 10-55 mass% with respect to a polymeric compound (c1), it is 10-50 mass% with respect to a polymeric compound (c2), and 5-45 mass% with respect to a polymeric compound (c3). to be.

공중합체 [C]가, 또한 중합성 화합물(c4)에 유래하는 구조 단위를 갖는 경우, 중합성 화합물의 전체량에 대한 각 중합성 화합물의 사용 비율은, 중합성 화합물(c1)에 대해 20∼50질량%이며, 중합성 화합물(c2)에 대해 15∼40질량%이며, 중합성 화합물(c3)에 대해 10∼30질량%이며, 중합성 화합물(c4)에 대해 20∼35질량%이다.When the copolymer [C] further has a structural unit derived from the polymerizable compound (c4), the use ratio of each polymerizable compound to the total amount of the polymerizable compound is from 20 to 20 relative to the polymerizable compound (c1). It is 50 mass%, it is 15-40 mass% with respect to a polymeric compound (c2), it is 10-30 mass% with respect to a polymeric compound (c3), and is 20-35 mass% with respect to a polymeric compound (c4).

공중합체 [C]가, 또한 중합성 화합물(c5)에 유래하는 구조 단위를 갖는 경우, 중합성 불포화 화합물의 전체량에 대한 각 중합성 화합물의 사용 비율은, 중합성 화합물(c1)에 대해 25∼35질량%이며, 중합성 화합물(c2)에 대해 20∼30질량%이며, 중합성 화합물(c3)에 대해 15∼20질량%이며, 중합성 화합물(c4)에 대해 25∼35질량%이며, 그리고 중합성 화합물(c5)에 있어 1∼5질량%이다. 공중합체 [C]를 형성하기 위한 화합물(c1)∼(c5)의 각각은, 단독으로 이용해도 좋고, 복수종의 것을 혼합하여 이용해도 좋다.When the copolymer [C] further has a structural unit derived from the polymerizable compound (c5), the use ratio of each polymerizable compound to the total amount of the polymerizable unsaturated compound is 25 to the polymerizable compound (c1). It is -35 mass%, It is 20-30 mass% with respect to a polymeric compound (c2), It is 15-20 mass% with respect to a polymeric compound (c3), It is 25-35 mass% with respect to a polymeric compound (c4). And 1 to 5% by mass in the polymerizable compound (c5). Each of the compounds (c1) to (c5) for forming the copolymer [C] may be used alone or in combination of a plurality of kinds thereof.

공중합체 [C]의 질량 평균 분자량(Mw)은 5,000∼25,000이지만, 10,000∼25,000인 것이 바람직하고, 15,000∼25,000인 것이 특히 바람직하다. 공중합체 [C]의 분자량 분포(Mw/Mn)(Mw의 수평균 분자량 Mn에 대한 비율)는, 바람직하게는 1∼10이며, 보다 바람직하게는 2∼4이다.Although the mass mean molecular weight (Mw) of copolymer [C] is 5,000-25,000, it is preferable that it is 10,000-25,000, and it is especially preferable that it is 15,000-25,000. The molecular weight distribution (Mw / Mn) (ratio of Mw to number average molecular weight Mn) of copolymer [C] becomes like this. Preferably it is 1-10, More preferably, it is 2-4.

공중합체 [C]의 제조 방법은 특별히 한정되지 않고, 공지의 방법, 예를 들면 라디칼 중합법, 양이온 중합법, 음이온 중합법 등의 중합 기구에 기초하여, 용액 중합법, 괴상(塊狀) 중합법, 에멀젼 중합법 등에 의해 제조할 수 있다. 이러한 제조 방법 중에서도, 용액 중에 있어서의 라디칼 중합법이 간편하기 때문에, 공업적으로 바람직하다.The manufacturing method of copolymer [C] is not specifically limited, Based on well-known methods, for example, polymerization mechanisms, such as a radical polymerization method, a cation polymerization method, and an anion polymerization method, solution polymerization method and block polymerization. It can manufacture by a method, an emulsion polymerization method, etc. Among these manufacturing methods, since the radical polymerization method in a solution is simple, it is industrially preferable.

공중합체 [C]를 제조할 때에 이용되는 중합 개시제로서는, 예를 들면 과산화 벤조일, 과산화 디아실 등의 과산화물; 2,2'-아조비스이소부티로니트릴, 페닐아조트리페닐메탄 등의 아조 화합물 등을 들 수 있다.As a polymerization initiator used when manufacturing copolymer [C], For example, Peroxides, such as benzoyl peroxide and diacyl peroxide; Azo compounds, such as 2,2'- azobisisobutyronitrile and phenyl azo triphenylmethane, etc. are mentioned.

공중합체 [C]의 제조는, 용매의 존재하 또는 비존재하의 어느 쪽으로도 실시할 수 있지만, 작업성의 점에서 용매 존재하에서 행하는 것이 바람직하다. 상기 용매로서는, 예를 들면 알코올, 케톤, 모노카본산의 알킬에스테르, 에테르, 프로필렌글리콜 및 그 에스테르, 할로겐화 탄화수소, 방향족 탄화수소, 불소화 불활성 액체, 그 외의 극성 용매 등을 들 수 있다.Although manufacture of copolymer [C] can be performed in the presence or absence of a solvent, it is preferable to carry out in presence of a solvent from a workability point. Examples of the solvent include alcohols, ketones, alkyl esters of monocarboxylic acids, ethers, propylene glycol and esters thereof, halogenated hydrocarbons, aromatic hydrocarbons, fluorinated inert liquids, other polar solvents, and the like.

이들 용매의 예로서Examples of these solvents

상기 알코올로서는, 예를 들면 에탄올, 이소프로필알코올, n-부탄올, iso-부탄올, tert-부탄올 등; As said alcohol, For example, ethanol, isopropyl alcohol, n-butanol, iso-butanol, tert-butanol, etc .;

상기 케톤으로서는, 예를 들면, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 메틸아미노케톤 등; As said ketone, For example, acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, methyl amino ketone, etc .;

상기 모노카본산의 알킬에스테르로서는, 예를 들면 아세트산 메틸, 아세트산 에틸, 아세트산 부틸, 락트산 메틸, 락트산 에틸, 락트산 부틸, 2-옥시프로피온산 메틸, 2-옥시프로피온산 에틸, 2-옥시프로피온산 프로필, 2-옥시프로피온산 부틸, 2-메톡시프로피온산 메틸, 2-메톡시프로피온산 에틸, 2-메톡시프로피온산 프로필, 2-메톡시프로피온산 부틸 등; As the alkyl ester of the monocarboxylic acid, for example, methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, methyl lactate, ethyl lactate, butyl lactate, 2-oxypropionate methyl, 2-oxypropionate ethyl, 2-oxypropionic acid propyl, 2- Butyl oxypropionate, methyl 2-methoxypropionate, ethyl 2-methoxypropionate, propyl 2-methoxypropionic acid, butyl 2-methoxypropionate and the like;

상기 에테르로서는, 예를 들면 메틸셀로솔브, 셀로솔브, 부틸셀로솔브, 부틸카르비톨, 에틸셀로솔브아세테이트, 테트라하이드로푸란, 디옥산 등; As said ether, For example, methyl cellosolve, cellosolve, butyl cellosolve, butyl carbitol, ethyl cellosolve acetate, tetrahydrofuran, dioxane, etc .;

상기 프로필렌글리콜 및 그 에스테르로서는, 예를 들면 프로필렌글리콜, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 등; As said propylene glycol and its ester, For example, propylene glycol, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, a propylene glycol monobutyl ether acetate, etc .;

상기 할로겐화 탄화수소로서는, 예를 들면 1,1,1-트리클로로에탄, 클로로포름 등; Examples of the halogenated hydrocarbons include 1,1,1-trichloroethane, chloroform and the like;

상기 방향족 탄화수소로서는, 예를 들면 벤젠, 톨루엔, 자일렌 등; As said aromatic hydrocarbon, For example, benzene, toluene, xylene, etc .;

상기 불소화 불활성 액체로서는, 예를 들면 퍼플루오로옥탄, 퍼플루오로트리-n-부틸아민 등; As said fluorinated inert liquid, For example, perfluorooctane, perfluoro tri-n-butylamine, etc .;

상기 그 외의 극성 용매로서는, 예를 들면, 디메틸포름아미드, 디메틸술폭사이드, N-메틸피롤리돈 등을 들 수 있다.As said other polar solvent, dimethylformamide, dimethyl sulfoxide, N-methylpyrrolidone, etc. are mentioned, for example.

이들 용매는, 1 종류를 단독으로 이용해도 좋고, 2 종류 이상을 적절히 혼합하여 이용할 수도 있다.These solvent may be used individually by 1 type, and may mix and use 2 or more types as appropriate.

공중합체 [C]의 제조시에 있어서는, 필요에 따라서, 추가로 라우릴메르캅탄, 2-메르캅토에탄올, 에틸티오글리콜산, 옥틸티오글리콜산 등의 연쇄 이동제를 사용해도 좋다.In the manufacture of copolymer [C], you may further use chain transfer agents, such as lauryl mercaptan, 2-mercaptoethanol, ethyl thioglycolic acid, and octyl thioglycolic acid, as needed.

당해 포지티브형 감방사선성 조성물에 있어서의 공중합체 [C]의 사용 비율은, [A] 성분 100질량부에 대하여, 바람직하게는 0.01∼3질량부이며, 보다 바람직하게는 0.05∼2질량부이다. [C] 성분을 이러한 비율로 이용함으로써, 도포 불균일이 없는 고도의 평탄성을 갖는 층간 절연막을 형성할 수 있다.The use ratio of the copolymer [C] in the positive radiation-sensitive composition is preferably 0.01 to 3 parts by mass, and more preferably 0.05 to 2 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component [A]. . By using the component (C) in such a ratio, an interlayer insulating film having a high flatness without coating unevenness can be formed.

<그 외의 임의 성분><Other optional components>

본 발명의 포지티브형 감방사선성 조성물은, 상기의 [A] ∼[C] 성분에 더하여 소기의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 필요에 따라서 [D] 밀착 보조제, [E] 염기성 화합물 등의 그 외의 임의 성분을 함유할 수 있다.The positive radiation-sensitive composition of the present invention is, in addition to the above-mentioned [A] to [C] components, if necessary, such as a [D] adhesion aid, an [E] basic compound, and the like. It may contain other optional components.

<[D] 밀착 보조제><[D] adhesion aid>

당해 포지티브형 감방사선성 조성물에 있어서는, 기판이 되는 무기물, 예를 들면 실리콘, 산화 실리콘, 질화 실리콘 등의 실리콘 화합물, 금, 구리, 알루미늄 등의 금속과 절연막과의 접착성을 향상시키기 위해 [D] 성분인 밀착 보조제를 사용할 수 있다. 이러한 밀착 보조제로서는, 관능성 실란 커플링제가 바람직하게 사용된다. 관능성 실란 커플링제의 예로서는, 카복실기, 메타크릴로일기, 이소시아네이트기, 에폭시기(바람직하게는 옥시라닐기), 티올기 등의 반응성 치환기를 갖는 실란 커플링제 등을 들 수 있다. In the positive radiation-sensitive composition, in order to improve the adhesion between the inorganic material serving as the substrate, for example, silicon compounds such as silicon, silicon oxide, silicon nitride, metals such as gold, copper, aluminum, and the insulating film [D ] Adhesion aids as ingredients can be used. As this adhesion | attachment adjuvant, a functional silane coupling agent is used preferably. As an example of a functional silane coupling agent, the silane coupling agent etc. which have reactive substituents, such as a carboxyl group, a methacryloyl group, an isocyanate group, an epoxy group (preferably oxiranyl group), a thiol group, etc. are mentioned.

관능성 실란 커플링제의 구체예로서는, 트리메톡시실릴벤조산, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, 비닐트리메톡시실란, γ-이소시아네이트프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필알킬디알콕시실란, γ-클로로프로필트리알콕시실란, γ-메르캅토프로필트리알콕시실란, β-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸트리메톡시실란 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, γ-글리시독시프로필알킬디알콕시실란, β-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란이 바람직하다.Specific examples of the functional silane coupling agent include trimethoxysilylbenzoic acid, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, vinyltrimethoxysilane, γ-isocyanatepropyltriethoxysilane, and γ-glycol. Cidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropylalkyl dialkoxysilane, γ-chloropropyltrialkoxysilane, γ-mercaptopropyltrialkoxysilane, β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimeth Oxysilane, etc. are mentioned. Among these, (gamma)-glycidoxy propyl alkyl dialkoxysilane, (beta)-(3, 4- epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, and (gamma)-methacryloxypropyl trimethoxysilane are preferable.

포지티브형 감방사선성 조성물에 있어서, 이러한 [D] 밀착 보조제는, 중합체 [A] 100질량부에 대하여, 바람직하게는 0.5질량부 이상 20질량부 이하, 보다 바람직하게는 1질량부 이상 10질량부 이하의 양으로 이용된다. [D] 밀착 보조제의 양을 상기 범위로 함으로써, 형성되는 층간 절연막과 기판과의 밀착성이 개선된다. In a positive radiation sensitive composition, such a [D] adhesion | attachment adjuvant becomes like this. Preferably it is 0.5 mass part or more and 20 mass parts or less, More preferably, 1 mass part or more and 10 mass parts with respect to 100 mass parts of polymers [A]. It is used in the following amounts. By setting the amount of the adhesion assistant [D] to the above range, the adhesion between the interlayer insulating film to be formed and the substrate is improved.

<[E] 염기성 화합물><[E] basic compound>

염기성 화합물로서는, 화학 증폭 레지스터로 이용되는 것 중으로부터 임의로 선택하여 사용할 수 있다. 염기성 화합물로서는, 예를 들면, 지방족 아민, 방향족 아민, 복소환식 아민, 4급 암모늄하이드록사이드, 카본산 4급 암모늄염 등을 들 수 있다. 당해 포지티브형 감방사선성 조성물에 [E] 성분인 염기성 화합물을 함유시킴으로써, 노광에 의해 광산 발생체로부터 발생한 산의 확산 길이를 적절히 제어할 수 있어, 패턴 현상성을 양호한 것으로 할 수 있다. As a basic compound, it can select arbitrarily and can use from what is used by a chemical amplification register. As a basic compound, aliphatic amine, aromatic amine, heterocyclic amine, quaternary ammonium hydroxide, carboxylic acid quaternary ammonium salt, etc. are mentioned, for example. By containing the basic compound which is an [E] component in the said positive radiation sensitive composition, the diffusion length of the acid generate | occur | produced from the photo-acid generator by exposure can be controlled suitably, and pattern developability can be made favorable.

지방족 아민으로서는, 예를 들면, 트리메틸아민, 디에틸아민, 트리에틸아민, 디-n-프로필아민, 트리-n-프로필아민, 디-n-펜틸아민, 트리-n-펜틸아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 디사이클로헥실아민, 디사이클로헥실메틸아민 등을 들 수 있다.Examples of the aliphatic amines include trimethylamine, diethylamine, triethylamine, di-n-propylamine, tri-n-propylamine, di-n-pentylamine, tri-n-pentylamine, and diethanolamine. , Triethanolamine, dicyclohexylamine, dicyclohexylmethylamine, etc. are mentioned.

방향족 아민으로서는, 예를 들면, 아닐린, 벤질아민, N,N-디메틸아닐린, 디페닐아민 등을 들 수 있다.As aromatic amine, aniline, benzylamine, N, N- dimethylaniline, diphenylamine, etc. are mentioned, for example.

복소환식 아민으로서는, 예를 들면, 피리딘, 2-메틸피리딘, 4-메틸피리딘, 2-에틸피리딘, 4-에틸피리딘, 2-페닐피리딘, 4-페닐피리딘, N-메틸-4-페닐피리딘, 4-디메틸아미노피리딘, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 4-메틸이미다졸, 2-페닐벤즈이미다졸, 2,4,5-트리페닐이미다졸, 니코틴, 니코틴산, 니코틴산 아미드, 퀴놀린, 8-옥시퀴놀린, 피라진, 피라졸, 피리다진, 푸린, 피롤리딘, 피페리딘, 피페라진, 모르폴린, 4-메틸모르폴린, 1,5-디아자바이사이클로[4,3,0]-5-노넨, 1,8-디아자바이사이클로[5,3,0]-7-운데센 등을 들 수 있다.As the heterocyclic amine, for example, pyridine, 2-methylpyridine, 4-methylpyridine, 2-ethylpyridine, 4-ethylpyridine, 2-phenylpyridine, 4-phenylpyridine, N-methyl-4-phenylpyridine, 4-dimethylaminopyridine, imidazole, benzimidazole, 4-methylimidazole, 2-phenylbenzimidazole, 2,4,5-triphenylimidazole, nicotine, nicotinic acid, nicotinic acid amide, quinoline, 8- Oxyquinoline, pyrazine, pyrazole, pyridazine, purine, pyrrolidine, piperidine, piperazine, morpholine, 4-methylmorpholine, 1,5-diazabicyclo [4,3,0] -5- Nonene, 1,8-diazabicyclo [5,3,0] -7-undecene, and the like.

4급 암모늄하이드록사이드로서는, 예를 들면, 테트라메틸암모늄하이드록사이드, 테트라에틸암모늄하이드록사이드, 테트라-n-부틸암모늄하이드록사이드, 테트라-n-헥실암모늄하이드록사이드 등을 들 수 있다.As quaternary ammonium hydroxide, tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, tetra-n-butylammonium hydroxide, tetra-n-hexyl ammonium hydroxide, etc. are mentioned, for example. .

카본산 4급 암모늄염으로서는, 예를 들면, 테트라메틸암모늄아세테이트, 테트라메틸암모늄벤조에이트, 테트라-n-부틸암모늄아세테이트, 테트라-n-부틸암모늄벤조에이트 등을 들 수 있다.As carboxylic acid quaternary ammonium salt, tetramethylammonium acetate, tetramethylammonium benzoate, tetra-n-butylammonium acetate, tetra-n-butylammonium benzoate, etc. are mentioned, for example.

당해 포지티브형 감방사선성 조성물에 있어서의 [E] 염기성 화합물의 함유량은, 중합체 [A] 100질량부에 대하여, 0.001∼1질량부로 하는 것이 바람직하고, 0.005∼0.2질량부로 하는 것이 보다 바람직하다. [E] 염기성 화합물의 함유량을 상기 범위로 함으로써, 패턴 현상성이 양호해진다. It is preferable to set it as 0.001-1 mass part with respect to 100 mass parts of polymer [A], and, as for content of the [E] basic compound in the said positive radiation sensitive composition, it is more preferable to set it as 0.005-0.2 mass part. Pattern developability becomes favorable by making content of a basic compound (E) into the said range.

<포지티브형 감방사선성 조성물><Positive radiation sensitive composition>

본 발명의 포지티브형 감방사선성 조성물은, 상기 [A] 중합체, [B] 광산 발생체, [C] 특정 구조의 단량체로 형성된 공중합체 및, 필요에 따라서 임의 성분을 혼합함으로써 조제된다. 통상, 포지티브형 감방사선성 조성물은, 바람직하게는 적당한 [F] 용매에 용해 또는 분산시킨 상태로 조제되어 사용된다. 예를 들면 용매 중에서, [A], [B] 및 [C] 성분, 그리고 임의 성분을 소정의 비율로 혼합함으로써, 포지티브형 감방사선성 조성물을 조제할 수 있다.The positive radiation sensitive composition of this invention is prepared by mixing the said [A] polymer, the [B] photoacid generator, the copolymer formed from the monomer of the [C] specific structure, and arbitrary components as needed. Usually, a positive radiation sensitive composition is prepared and used in the state melt | dissolved or disperse | distributed in a suitable [F] solvent preferably. For example, a positive radiation sensitive composition can be prepared by mixing [A], [B], [C] component, and arbitrary components in a predetermined ratio in a solvent.

<[F] 용매><[F] solvent>

당해 포지티브형 감방사선성 조성물의 조제에 이용할 수 있는 [F] 용매로서는, 각 성분을 균일하게 용해 또는 분산하여, 각 성분과 반응하지 않는 것이 적합하게 이용된다. 이러한 용매로서는, 예를 들면, 알코올류, 에테르류, 디에틸렌글리콜알킬에테르류, 에틸렌글리콜알킬에테르아세테이트류, 프로필렌글리콜모노알킬에테르류, 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 프로필렌글리콜모노알킬에테르프로피오네이트류, 방향족 탄화수소류, 케톤류, 에스테르류 등을 들 수 있다.As [F] solvent which can be used for preparation of the said positive radiation sensitive composition, what melt | dissolves or disperse | distributes each component uniformly and does not react with each component is used suitably. Examples of such a solvent include alcohols, ethers, diethylene glycol alkyl ethers, ethylene glycol alkyl ether acetates, propylene glycol monoalkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ether acetates, and propylene glycol monoalkyl ether propios. Nates, aromatic hydrocarbons, ketones, esters, etc. are mentioned.

이들 용매로서는,As these solvents,

알코올류로서, 예를 들면, 벤질알코올, 디아세톤알코올 등; As alcohol, For example, benzyl alcohol, diacetone alcohol etc .;

에테르류로서, 예를 들면, 테트라하이드로푸란이나, 디이소프로필에테르, 디-n-부틸에테르, 디-n-펜틸에테르, 디이소펜틸에테르, 디-n-헥실에테르 등의 디알킬에테르 등; Examples of the ethers include tetrahydrofuran, dialkyl ethers such as diisopropyl ether, di-n-butyl ether, di-n-pentyl ether, diisopentyl ether and di-n-hexyl ether;

디에틸렌글리콜알킬에테르류로서, 예를 들면 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 등; As diethylene glycol alkyl ether, For example, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether, etc .;

에틸렌글리콜알킬에테르아세테이트류로서, 예를 들면 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 등; As ethylene glycol alkyl ether acetates, For example, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, ethylene glycol monobutyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, etc .;

프로필렌글리콜모노알킬에테르류로서, 예를 들면 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노프로필에테르, 프로필렌글리콜모노부틸에테르 등; As propylene glycol monoalkyl ethers, For example, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, propylene glycol monobutyl ether, etc .;

프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류로서, 예를 들면 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 등; As propylene glycol monoalkyl ether acetates, For example, propylene glycol monomethyl ether acetate, a propylene glycol monoethyl ether acetate, a propylene glycol monopropyl ether acetate, a propylene glycol monobutyl ether acetate, etc .;

프로필렌글리콜모노알킬에테르프로피오네이트류로서, 예를 들면 프로필렌글리콜모노메틸에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜모노프로필에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜모노부틸에테르프로피오네이트 등; As propylene glycol monoalkyl ether propionates, a propylene glycol monomethyl ether propionate, a propylene glycol monoethyl ether propionate, a propylene glycol monopropyl ether propionate, a propylene glycol monobutyl ether propionate, etc. are mentioned, for example. ;

방향족 탄화수소류로서, 예를 들면 톨루엔, 자일렌 등; As aromatic hydrocarbons, For example, toluene, xylene, etc .;

케톤류로서, 예를 들면 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 사이클로헥산온, 2-헵탄온, 4-하이드록시-4-메틸-2-펜탄온 등; As ketones, For example, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, 2-heptanone, 4-hydroxy-4-methyl- 2-pentanone, etc .;

에스테르류로서, 예를 들면, 아세트산 메틸, 아세트산 에틸, 아세트산 프로필, 아세트산 i-프로필, 아세트산 부틸, 2-하이드록시프로피온산 에틸, 2-하이드록시-2-메틸프로피온산 메틸, 2-하이드록시-2-메틸프로피온산 에틸, 하이드록시아세트산 메틸, 하이드록시아세트산 에틸, 하이드록시아세트산 부틸, 락트산 메틸, 락트산 에틸, 락트산 프로필, 락트산 부틸, 3-하이드록시프로피온산 메틸, 3-하이드록시프로피온산 에틸, 3-하이드록시프로피온산 프로필, 3-하이드록시프로피온산 부틸, 2-하이드록시-3-메틸부탄산 메틸, 메톡시아세트산 메틸, 메톡시아세트산 에틸, 메톡시아세트산 프로필, 메톡시아세트산 부틸, 에톡시아세트산 메틸, 에톡시아세트산 에틸, 에톡시아세트산 프로필, 에톡시아세트산 부틸, 프로폭시아세트산 메틸, 프로폭시아세트산 에틸, 프로폭시아세트산 프로필, 프로폭시아세트산 부틸, 부톡시아세트산 메틸, 부톡시아세트산 에틸, 부톡시아세트산 프로필, 부톡시아세트산 부틸, 2-메톡시프로피온산 메틸, 2-메톡시프로피온산 에틸, 2-메톡시프로피온산 프로필, 2-메톡시프로피온산 부틸, 2-에톡시프로피온산 메틸, 2-에톡시프로피온산 에틸 등을 각각 들 수 있다.As esters, for example, methyl acetate, ethyl acetate, propyl acetate, i-propyl acetate, butyl acetate, ethyl 2-hydroxypropionate, methyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, 2-hydroxy-2- Ethyl methyl propionate, methyl hydroxyacetic acid, ethyl hydroxyacetic acid, hydroxyacetic acid butyl, methyl lactate, ethyl lactate, propyl lactate, butyl lactate, 3-hydroxypropionic acid methyl, 3-hydroxypropionic acid, 3-hydroxypropionic acid Propyl, butyl 3-hydroxypropionate, methyl 2-hydroxy-3-methylbutanoic acid, methyl methoxyacetic acid, ethyl methoxyacetic acid, methoxyacetic acid propyl, methoxyacetic acid butyl, ethoxyacetic acid methyl, ethoxyacetic acid ethyl Propyl ethoxyacetic acid, butyl ethoxyacetic acid, methyl propoxyacetate, ethyl propoxyacetate, Lopoxyacetic acid propyl, butyl propoxyacetic acid, methyl butoxyacetic acid, ethyl butoxyacetate, butoxyacetic acid propyl, butyl butoxyacetic acid, 2-methoxypropionate methyl, 2-methoxypropionic acid propyl, 2-methoxypropionic acid propyl And butyl 2-methoxypropionate, methyl 2-ethoxypropionate, ethyl 2-ethoxypropionate, and the like.

이들 용매 중에서도, 용해성 혹은 분산성이 우수할 것, 각 성분과 비반응성일 것 및, 도막 형성의 용이성의 관점에서, 디알킬에테르 등의 에테르류, 디에틸렌글리콜알킬에테르류, 에틸렌글리콜알킬에테르아세테이트류, 프로필렌글리콜모노알킬에테르류, 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 케톤류 및 에스테르류가 바람직하고, 특히, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르, 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 사이클로헥산온, 아세트산 프로필, 아세트산 i-프로필, 아세트산 부틸, 2-하이드록시프로피온산 에틸, 2-하이드록시-2-메틸프로피온산 메틸, 2-하이드록시-2-메틸프로피온산 에틸, 락트산 메틸, 락트산 에틸, 락트산 프로필, 락트산 부틸, 2-메톡시프로피온산 메틸, 2-메톡시프로피온산 에틸이 바람직하다. 이들 용매는 단독으로 또는 혼합하여 이용할 수 있다.Among these solvents, those having excellent solubility or dispersibility, being non-reactive with each component, and easy to form a coating film, ethers such as dialkyl ethers, diethylene glycol alkyl ethers, and ethylene glycol alkyl ether acetates Propylene glycol monoalkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ether acetates, ketones and esters are preferable, and in particular, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether, methyl cellosolve acetate, and ethyl cello Solvent acetate, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, cyclohexanone, propyl acetate, i-propyl acetate, butyl acetate, 2-hydroxypropionate ethyl , 2-hydroxy-2-methylpropionic acid , The 2-hydroxy-2-methylpropionic acid ethyl, methyl lactate, ethyl lactate, propyl lactate, butyl, 2-methoxy-propionic acid methyl, 2-methoxy-propionic acid ethyl are preferred. These solvents can be used alone or in combination.

또한, 이들 용매 중에서도, 디이소프로필에테르, 디-n-부틸에테르, 디-n-펜틸에테르, 디이소펜틸에테르, 디-n-헥실에테르 등의 디알킬에테르 등의 에테르류가 바람직하고, 디이소펜틸에테르가 가장 바람직하다. 이러한 용매를 이용함으로써, 감방사선성 조성물을 슬릿 도포법으로 대형 유리 기판에 도포할 때에, 건조 공정 시간을 단축함과 동시에, 도포성을 보다 한층 향상(도포 불균일을 억제)하는 것이 가능해진다.Among these solvents, ethers such as dialkyl ethers such as diisopropyl ether, di-n-butyl ether, di-n-pentyl ether, diisopentyl ether, and di-n-hexyl ether are preferable. Isopentyl ether is most preferred. By using such a solvent, when apply | coating a radiation sensitive composition to a large size glass substrate by a slit coating method, it becomes possible to shorten a drying process time and to improve applicability | paintability further (suppressing application | coating nonuniformity).

상기한 용매에 더하여, 추가로 필요에 따라서, 벤질에틸에테르, 디헥실에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 아세토닐아세톤, 이소포론, 카프로산, 카프릴산, 1-옥탄올, 1-노난올, 벤질알코올, 아세트산 벤질, 벤조산 에틸, 옥살산 디에틸, 말레산 디에틸, γ-부티로락톤, 탄산 에틸렌, 탄산 프로필렌, 페닐셀로솔브아세테이트, 카르비톨아세테이트 등의 고비점 용매를 병용할 수도 있다.In addition to the above-mentioned solvents, benzyl ethyl ether, dihexyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, acetonyl acetone, isophorone, and caproic acid may be further added as necessary. , Caprylic acid, 1-octanol, 1-nonanol, benzyl alcohol, benzyl acetate, ethyl benzoate, diethyl oxalate, diethyl maleate, γ-butyrolactone, ethylene carbonate, propylene carbonate, phenylcellosolve acetate And high boiling point solvents such as carbitol acetate.

포지티브형 감방사선성 조성물을 용액 또는 분산액 상태로서 조제하는 경우, 액 중에서 차지하는 [F] 용매 이외의 성분(즉 [A], [B] 및 [C] 성분 그리고 그 외의 임의 성분의 합계량)의 비율은, 사용 목적이나 소망하는 막두께 등에 따라 임의로 설정할 수 있지만, 바람직하게는 5∼50질량%, 보다 바람직하게는 10∼40질량%, 더욱 바람직하게는 15∼35질량%이다.When preparing a positive radiation sensitive composition as a solution or dispersion state, the ratio of components other than the [F] solvent in a liquid (that is, the total amount of [A], [B] and [C] components, and other arbitrary components) Although silver can be arbitrarily set according to a purpose of use, a desired film thickness, etc., Preferably it is 5-50 mass%, More preferably, it is 10-40 mass%, More preferably, it is 15-35 mass%.

<층간 절연막의 형성><Formation of Interlayer Insulating Film>

다음으로, 상기의 포지티브형 감방사선성 조성물을 이용하여, 기판 상에 층간 절연막의 경화막을 형성하는 방법에 대해서 설명한다. 당해 방법은, 이하의 공정을 이하의 기재 순으로 포함한다.Next, the method of forming the cured film of an interlayer insulation film on a board | substrate using the said positive radiation sensitive composition is demonstrated. The method includes the following steps in the order described below.

(1) 당해 포지티브형 감방사선성 조성물의 도막을 기판 상에 형성하는 공정,(1) forming a coating film of the positive radiation-sensitive composition on a substrate;

(2) 공정(1)에서 형성한 도막의 적어도 일부에 방사선을 조사하는 공정,(2) irradiating at least a portion of the coating film formed in step (1) with radiation;

(3) 공정(2)에서 방사선이 조사된 도막을 현상하는 공정 및,(3) developing the coating film irradiated with radiation in step (2), and

(4) 공정(3)에서 현상된 도막을 가열하는 공정.(4) A step of heating the coating film developed in the step (3).

<(1) 포지티브형 감방사선성 조성물의 도막을 기판 상에 형성하는 공정><(1) Process of Forming Coating Film of Positive Type Radiation-Sensitive Composition on Substrate>

상기 (1)의 공정에 있어서, 기판 상에 당해 포지티브형 감방사선성 조성물의 용액 또는 분산액을 도포한 후, 바람직하게는 도포면을 가열(프리베이킹)함으로써 용매를 제거하여, 도막을 형성한다. 사용할 수 있는 기판의 예로서는, 유리, 석영, 실리콘, 수지 등을 들 수 있다. 수지의 구체예로서는, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에테르술폰, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 환상 올레핀의 개환 중합체 및 그 수소 첨가물 등을 들 수 있다.In the process of said (1), after apply | coating the solution or dispersion liquid of the said positive radiation sensitive composition on a board | substrate, Preferably, a solvent is removed by heating (prebaking) a coating surface, and a coating film is formed. Glass, quartz, silicon, resin, etc. are mentioned as an example of the board | substrate which can be used. Specific examples of the resin include polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyether sulfone, polycarbonate, polyimide, ring-opening polymers of cyclic olefins, and hydrogenated substances thereof.

조성물 용액 또는 분산액의 도포 방법으로서는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 스프레이법, 롤 코팅법, 회전 도포법(스핀 코팅법), 슬릿 다이 도포법, 바 도포법 등의 적절한 방법을 채용할 수 있다. 이들 도포 방법 중에서도, 스핀 코팅법 또는 슬릿 다이 도포법이 바람직하고, 슬릿 다이 도포법이 특히 바람직하다. 프리베이킹의 조건은, 각 성분의 종류, 배합 비율 등에 따라서 다르지만, 바람직하게는 70∼120℃에서 1∼10분간 정도로 할 수 있다.It does not specifically limit as a coating method of a composition solution or a dispersion liquid, For example, the appropriate method, such as a spray method, a roll coating method, the spin coating method (spin coating method), the slit die coating method, the bar coating method, can be employ | adopted. . Among these coating methods, the spin coating method or the slit die coating method is preferable, and the slit die coating method is particularly preferable. Although the conditions of prebaking differ according to the kind, compounding ratio, etc. of each component, Preferably it can be made into about 1 to 10 minutes at 70-120 degreeC.

<(2) 도막의 적어도 일부에 방사선을 조사하는 공정><(2) Process of irradiating at least a part of coating film with radiation>

상기 (2)의 공정에서는, 형성된 도막의 적어도 일부에 노광한다. 이 경우, 도막의 일부에 노광할 때에는, 통상 소정의 패턴을 갖는 포토마스크를 개재하여 노광한다. 노광에 사용되는 방사선으로서는, 광산 발생체에 대하여 이용하는 방사선이 적합하다. 이들 방사선 중에서도, 파장이 190∼450nm의 범위에 있는 방사선이 바람직하고, 특히 365nm의 자외선을 포함하는 방사선이 바람직하다.At the process of said (2), it exposes to at least one part of the formed coating film. In this case, when exposing to a part of coating film, it exposes normally through the photomask which has a predetermined pattern. As radiation used for exposure, the radiation used with respect to a photo-acid generator is suitable. Among these radiations, radiation having a wavelength in the range of 190 to 450 nm is preferable, and radiation containing ultraviolet rays of 365 nm is particularly preferable.

당해 공정에 있어서의 노광량은, 방사선의 파장 365nm에 있어서의 강도를, 조도계(OAI model356, OAI Optical Associates Inc. 제조)에 의해 측정한 값으로서, 바람직하게는 500∼6,000J/㎡, 보다 바람직하게는 1,500∼1,800J/㎡이다.The exposure amount in the said process is the value which measured the intensity | strength in the wavelength of 365 nm of radiation with the illuminometer (OAI model356, OAI Optical Associates Inc. make), Preferably it is 500-6,000 J / m <2>, More preferably, Is 1,500-1,800 J / m 2.

<(3) 현상 공정><(3) image development process>

상기 (3)의 공정에서는, 노광 후의 도막을 현상함으로써, 불필요한 부분(방사선의 조사 부분)을 제거하여 소정의 패턴을 형성한다. 현상 공정에 사용되는 현상액으로서는, 알칼리(염기성 화합물)의 수용액이 바람직하다. 알칼리의 예로서는, 수산화 나트륨, 수산화 칼륨, 탄산 나트륨, 규산 나트륨, 메타규산 나트륨, 암모니아 등의 무기 알칼리; 테트라메틸암모늄하이드록사이드, 테트라에틸암모늄하이드록사이드 등의 4급 암모늄염 등을 들 수 있다.In the process of said (3), by developing the coating film after exposure, an unnecessary part (irradiation part of a radiation) is removed and a predetermined pattern is formed. As a developing solution used for a developing process, the aqueous solution of alkali (basic compound) is preferable. Examples of the alkali include inorganic alkalis such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate and ammonia; And quaternary ammonium salts such as tetramethylammonium hydroxide and tetraethylammonium hydroxide.

또한, 이러한 알칼리 수용액에는, 메탄올, 에탄올 등의 수용성 유기 용매나 계면 활성제를 적당량 첨가하여 사용할 수도 있다. 알칼리 수용액에 있어서의 알칼리의 농도는 적당한 현상성을 얻는 관점에서, 바람직하게는 0.1질량% 이상 5질량% 이하로 할 수 있다. 현상 방법으로서는, 예를 들면 퍼들법, 딥핑법, 요동 침지법, 샤워법 등의 적절한 방법을 이용할 수 있다. 현상 시간은, 포지티브형 감방사선성 조성물의 조성에 따라서 상이하지만, 바람직하게는 10∼180초간 정도이다. 이러한 현상 처리에 있어서, 예를 들면 유수 세정을 30∼90초간 행한 후, 예를 들면 압축 공기나 압축 질소로 풍건시킴으로써, 소망하는 패턴을 형성할 수 있다.In addition, an appropriate amount of water-soluble organic solvents and surfactants such as methanol and ethanol may be added to such an aqueous alkali solution. The concentration of alkali in the aqueous alkali solution is preferably 0.1% by mass or more and 5% by mass or less from the viewpoint of obtaining appropriate developability. As the developing method, for example, a suitable method such as a puddle method, a dipping method, a rocking dipping method or a shower method can be used. Although image development time changes with the composition of a positive radiation sensitive composition, Preferably it is about 10 to 180 second. In such a developing process, for example, the desired pattern can be formed by performing flowing water washing for 30 to 90 seconds and then air drying with, for example, compressed air or compressed nitrogen.

<(4) 가열 공정><(4) heating process>

상기 (4)의 공정에서는, 핫 플레이트, 오븐 등의 가열 장치를 이용하여, 패터닝된 박막을 가열함으로써, 상기 [A] 성분 및 [C] 성분의 경화 반응을 촉진하여, 경화물을 얻을 수 있다. 본 공정에 있어서의 가열 온도는, 예를 들면 120∼250℃이다. 가열 시간은, 가열 기기의 종류에 따라 상이하지만, 예를 들면, 핫 플레이트 상에서 가열 공정을 행하는 경우에는 5∼30분간, 오븐 중에서 가열 공정을 행하는 경우에는 30∼90분간으로 할 수 있다. 2회 이상의 가열 공정을 행하는 스텝베이킹법 등을 이용할 수도 있다. 이와 같이 하여, 목적으로 하는 층간 절연막에 대응하는 패턴 형상 박막을 기판의 표면 상에 형성할 수 있다.In the process of said (4), hardening reaction of the said [A] component and [C] component can be accelerated | stimulated and a hardened | cured material can be obtained by heating a patterned thin film using heating apparatuses, such as a hotplate and oven. . Heating temperature in this process is 120-250 degreeC, for example. Although heating time changes with kinds of a heating apparatus, it can be set as 5 to 30 minutes, for example, when performing a heating process on a hotplate, and 30 to 90 minutes when performing a heating process in an oven. The step baking method etc. which perform two or more heating processes can also be used. In this way, a patterned thin film corresponding to the target interlayer insulating film can be formed on the surface of the substrate.

<층간 절연막><Interlayer Insulation Film>

이와 같이 형성된 층간 절연막의 막두께는, 바람직하게는 0.1∼8㎛, 보다 바람직하게는 0.1∼6㎛, 더욱 바람직하게는 0.1∼4㎛이다.The film thickness of the interlayer insulation film thus formed is preferably 0.1 to 8 µm, more preferably 0.1 to 6 µm, still more preferably 0.1 to 4 µm.

본 발명의 포지티브형 감방사선성 조성물로 형성된 층간 절연막은, 하기의 실시예로부터도 분명해지는 바와 같이, 내열성 및 투명성이라는 일반적인 요구 특성을 균형 좋게 충족시킴과 함께, 도포 불균일이 없는 고도의 평탄성을 갖는다. 그 때문에, 당해 층간 절연막은 표시 소자용으로서 적합하게 이용된다.The interlayer insulating film formed from the positive radiation-sensitive composition of the present invention, as will be apparent from the examples below, satisfies the general required characteristics of heat resistance and transparency, and has a high flatness without application unevenness. . Therefore, the said interlayer insulation film is used suitably for a display element.

(실시예)(Example)

이하에 합성예, 실시예를 나타내어, 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이하의 실시예로 한정되지는 않는다.Although a synthesis example and an Example are shown to the following and this invention is demonstrated to it further more concretely, this invention is not limited to a following example.

이하에 있어서, 중합체의 질량 평균 분자량(Mw) 및 수평균 분자량(Mn)은, 하기 조건에 의한 겔 투과 크로마토그래피(GPC)에 의해 측정했다.Below, the mass average molecular weight (Mw) and number average molecular weight (Mn) of the polymer were measured by the gel permeation chromatography (GPC) by the following conditions.

장치: GPC-101(쇼와덴코 가부시키가이샤 제조)Device: GPC-101 (Showa Denko KK)

칼럼: GPC-KF-801, GPC-KF-802, GPC-KF-803 및 GPC-KF-804를 결합Column: GPC-KF-801, GPC-KF-802, GPC-KF-803, and GPC-KF-804

이동상: 테트라하이드로푸란Mobile phase: tetrahydrofuran

칼럼 온도: 40℃Column temperature: 40 ℃

유속: 1.0mL/분Flow rate: 1.0mL / min

시료 농도: 1.0질량%Sample concentration: 1.0 mass%

시료 주입량: 100μLSample injection volume: 100 μL

검출기: 시차 굴절계Detector: parallax refractometer

표준 물질: 단분산 폴리스티렌Standard material: monodisperse polystyrene

<중합체 [A]의 합성예><Synthesis example of polymer [A]>

[합성예 1] Synthesis Example 1

냉각관 및 교반기를 구비한 플라스크에, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 7질량부, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 200질량부를 넣었다. 계속해서, 메타크릴산 5질량부, 1-에톡시에틸메타크릴레이트 40질량부, 스티렌 5질량부, 메타크릴산 글리시딜 40질량부, 2-하이드록시에틸메타크릴레이트 10질량부 및 α-메틸스티렌다이머 3질량부를 넣고 질소 치환한 후, 천천히 교반을 시작했다. 용액의 온도를 70℃로 상승시키고, 이 온도를 5시간 보존유지하여 중합체(A-1)를 포함하는 중합체 용액을 얻었다. 중합체(A-1)의 폴리스티렌 환산 질량 평균 분자량(Mw)은 9,000이었다. 또한, 여기에서 얻어진 중합체 용액의 고형분 농도(중합체 용액에 포함되는 중합체의 질량이 중합체 용액의 전체 질량에서 차지하는 비율을 말함, 이하 동일)는 32.1질량%였다.In a flask equipped with a cooling tube and a stirrer, 7 parts by mass of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by mass of diethylene glycol ethylmethyl ether were placed. Subsequently, 5 parts by mass of methacrylic acid, 40 parts by mass of 1-ethoxyethyl methacrylate, 5 parts by mass of styrene, 40 parts by mass of glycidyl methacrylate, 10 parts by mass of 2-hydroxyethyl methacrylate, and α After adding 3 parts by mass of methyl styrene dimer and nitrogen-substituting, stirring was started slowly. The temperature of the solution was raised to 70 ° C., and the temperature was maintained for 5 hours to obtain a polymer solution containing the polymer (A-1). The polystyrene reduced mass average molecular weight (Mw) of the polymer (A-1) was 9,000. In addition, solid content concentration (the ratio which the mass of the polymer contained in a polymer solution occupies in the total mass of a polymer solution, the same below) of the polymer solution obtained here was 32.1 mass%.

[합성예 2] Synthesis Example 2

냉각관 및 교반기를 구비한 플라스크에, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 7질량부, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 200질량부를 넣었다. 계속해서 메타크릴산 5질량부, 테트라하이드로-2H-피란-2-일메타크릴레이트 40질량부, 스티렌 5질량부, 메타크릴산 글리시딜 40질량부, 2-하이드록시에틸메타크릴레이트 10질량부 및 α-메틸스티렌다이머 3질량부를 넣고 질소 치환한 후, 천천히 교반을 시작했다. 용액의 온도를 70℃로 상승시키고, 이 온도를 5시간 보존유지하여 중합체(A-2)를 포함하는 중합체 용액을 얻었다. 중합체(A-2)의 폴리스티렌 환산 질량 평균 분자량(Mw)은 9,000이었다. 또한, 여기에서 얻어진 중합체 용액의 고형분 농도는 31.3질량%였다.In a flask equipped with a cooling tube and a stirrer, 7 parts by mass of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by mass of diethylene glycol ethylmethyl ether were placed. Subsequently, 5 parts by mass of methacrylic acid, 40 parts by mass of tetrahydro-2H-pyran-2-yl methacrylate, 5 parts by mass of styrene, 40 parts by mass of glycidyl methacrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate 10 After mass part and 3 mass parts of (alpha) -methylstyrene dimers were added and nitrogen-substituted, stirring was started slowly. The temperature of the solution was raised to 70 ° C., and the temperature was maintained for 5 hours to obtain a polymer solution containing the polymer (A-2). The polystyrene reduced mass average molecular weight (Mw) of the polymer (A-2) was 9,000. In addition, solid content concentration of the polymer solution obtained here was 31.3 mass%.

[합성예 3] Synthesis Example 3

냉각관 및 교반기를 구비한 플라스크에, 2,2'-아조비스(2-메틸프로피온산 메틸) 7질량부, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 200질량부를 넣었다. 계속해서 메타크릴산 1-n-부톡시에틸 67질량부, 메타크릴산 벤질 23질량부, 메타크릴산 10질량부를 넣고 질소 치환한 후, 천천히 교반을 시작했다. 용액의 온도를 80℃로 상승시키고, 이 온도를 6시간 보존유지하여 중합체(a-1)를 포함하는 중합체 용액을 얻었다. 중합체(a-1)의 폴리스티렌 환산 질량 평균 분자량(Mw)은 9,000이었다. 또한, 여기에서 얻어진 중합체 용액의 고형분 농도는 30.3질량%였다.In a flask equipped with a cooling tube and a stirrer, 7 parts by mass of 2,2'-azobis (methyl 2-methylpropionate) and 200 parts by mass of propylene glycol monomethyl ether acetate were placed. Subsequently, 67 mass parts of 1-n-butoxyethyl methacrylic acid, 23 mass parts of benzyl methacrylate, and 10 mass parts of methacrylic acid were put, and nitrogen-substituted, stirring was started slowly. The temperature of the solution was raised to 80 ° C, and the temperature was maintained for 6 hours to obtain a polymer solution containing the polymer (a-1). The polystyrene reduced mass average molecular weight (Mw) of the polymer (a-1) was 9,000. In addition, solid content concentration of the polymer solution obtained here was 30.3 mass%.

[합성예 4] Synthesis Example 4

냉각관 및 교반기를 구비한 플라스크에, 2,2'-아조비스(2-메틸프로피온산 메틸) 7질량부, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 200질량부를 넣었다. 계속해서, 메타크릴산 1-벤질옥시에틸 90질량부, 메타크릴산 2-하이드록시에틸 6질량부, 메타크릴산 4질량부를 넣고 질소 치환한 후, 천천히 교반을 시작했다. 용액의 온도를 80℃로 상승시키고, 이 온도를 6시간 보존유지하여 중합체(a-2)를 포함하는 중합체 용액을 얻었다. 중합체(a-2)의 폴리스티렌 환산 질량 평균 분자량(Mw)은 9,000이었다. 또한, 여기에서 얻어진 중합체 용액의 고형분 농도는 31.2질량%였다.In a flask equipped with a cooling tube and a stirrer, 7 parts by mass of 2,2'-azobis (methyl 2-methylpropionate) and 200 parts by mass of propylene glycol monomethyl ether acetate were placed. Subsequently, after adding 90 mass parts of 1-benzyloxyethyl methacrylic acid, 6 mass parts of 2-hydroxyethyl methacrylic acid, and 4 mass parts of methacrylic acid, and nitrogen-substituted, stirring was started slowly. The temperature of the solution was raised to 80 ° C., and the temperature was maintained for 6 hours to obtain a polymer solution containing the polymer (a-2). The polystyrene reduced mass average molecular weight (Mw) of the polymer (a-2) was 9,000. In addition, solid content concentration of the polymer solution obtained here was 31.2 mass%.

[합성예 5] Synthesis Example 5

냉각관 및 교반기를 구비한 플라스크에, 2,2'-아조비스(2-메틸프로피온산 메틸) 7질량부, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 200질량부를 넣었다. 계속해서 테트라하이드로-2H-피란-2-일메타크릴레이트 85질량부, 메타크릴산 2-하이드록시에틸 7질량부, 메타크릴산 8질량부를 넣고 질소 치환한 후, 천천히 교반을 시작했다. 용액의 온도를 80℃로 상승시키고, 이 온도를 6시간 보존유지하여 중합체(a-3)를 포함하는 중합체 용액을 얻었다. 중합체(a-3)의 폴리스티렌 환산 질량 평균 분자량(Mw)은 10,000이었다. 또한, 여기에서 얻어진 중합체 용액의 고형분 농도는 29.2질량%였다.In a flask equipped with a cooling tube and a stirrer, 7 parts by mass of 2,2'-azobis (methyl 2-methylpropionate) and 200 parts by mass of propylene glycol monomethyl ether acetate were placed. Subsequently, after adding 85 mass parts of tetrahydro-2H-pyran-2-yl methacrylates, 7 mass parts of 2-hydroxyethyl methacrylic acid, and 8 mass parts of methacrylic acid, and nitrogen-substituted, stirring was started slowly. The temperature of the solution was raised to 80 ° C, and the temperature was maintained for 6 hours to obtain a polymer solution containing the polymer (a-3). The polystyrene reduced mass average molecular weight (Mw) of the polymer (a-3) was 10,000. In addition, solid content concentration of the polymer solution obtained here was 29.2 mass%.

[합성예 6] [Synthesis Example 6]

냉각관 및 교반기를 구비한 플라스크에, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 7질량부, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 200질량부를 넣었다. 계속해서 메타크릴산 글리시딜 52질량부, 메타크릴산 벤질 48질량부를 넣고 질소 치환한 후, 천천히 교반을 시작했다. 용액의 온도를 80℃로 상승시키고, 이 온도를 6시간 보존유지하여 중합체(aa-1)를 포함하는 중합체 용액을 얻었다. 중합체(aa-1)의 폴리스티렌 환산 질량 평균 분자량(Mw)은 10,000이었다. 또한, 여기에서 얻어진 중합체 용액의 고형분 농도는 32.3질량%였다.In a flask equipped with a cooling tube and a stirrer, 7 parts by mass of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by mass of diethylene glycol ethylmethyl ether were placed. Subsequently, after putting 52 mass parts of glycidyl methacrylates and 48 mass parts of benzyl methacrylates, and nitrogen-substituted, stirring was started slowly. The temperature of the solution was raised to 80 ° C., and the temperature was maintained for 6 hours to obtain a polymer solution containing polymer (aa-1). The polystyrene reduced mass average molecular weight (Mw) of the polymer (aa-1) was 10,000. In addition, solid content concentration of the polymer solution obtained here was 32.3 mass%.

[합성예 7] [Synthesis Example 7]

냉각관 및 교반기를 구비한 플라스크에, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 7질량부, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 200질량부를 넣었다. 계속해서, 3,4-에폭시사이클로헥실메틸메타크릴레이트 45질량부, 메타크릴산 벤질 45질량부, 메타크릴산 10질량부를 넣고 질소 치환한 후, 천천히 교반을 시작했다. 용액의 온도를 80℃로 상승시키고, 이 온도를 6시간 보존유지하여 중합체(aa-2)를 포함하는 중합체 용액을 얻었다. 중합체(aa-2)의 폴리스티렌 환산 질량 평균 분자량(Mw)은 10,000이었다. 또한, 여기에서 얻어진 중합체 용액의 고형분 농도는 33.2질량%였다.In a flask equipped with a cooling tube and a stirrer, 7 parts by mass of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by mass of diethylene glycol ethylmethyl ether were placed. Subsequently, after adding 45 mass parts of 3, 4- epoxycyclohexyl methyl methacrylates, 45 mass parts of benzyl methacrylate, and 10 mass parts of methacrylic acid, and nitrogen-substituted, stirring was started slowly. The temperature of the solution was raised to 80 ° C., and the temperature was maintained for 6 hours to obtain a polymer solution containing polymer (aa-2). The polystyrene reduced mass average molecular weight (Mw) of the polymer (aa-2) was 10,000. In addition, solid content concentration of the polymer solution obtained here was 33.2 mass%.

[합성예 8] [Synthesis Example 8]

냉각관 및 교반기를 구비한 플라스크에, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 7질량부, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 200질량부를 넣었다. 계속해서, 메타크릴산 1-n-부톡시에틸 35질량부, 메타크릴산 벤질 35질량부, 메타크릴산 글리시딜 30질량부를 넣고 질소 치환한 후, 천천히 교반을 시작했다. 용액의 온도를 80℃로 상승시키고, 이 온도를 6시간 보존유지하여 중합체(aa-3)를 포함하는 중합체 용액을 얻었다. 중합체(aa-3)의 폴리스티렌 환산 질량 평균 분자량(Mw)은 10,000이었다. 또한, 여기에서 얻어진 중합체 용액의 고형분 농도는 32.3질량%였다.In a flask equipped with a cooling tube and a stirrer, 7 parts by mass of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by mass of diethylene glycol ethylmethyl ether were placed. Then, 35 mass parts of 1-n-butoxyethyl methacrylates, 35 mass parts of benzyl methacrylates, and 30 mass parts of glycidyl methacrylates were put, and nitrogen-substituted, and stirring was started slowly. The temperature of the solution was raised to 80 ° C., and the temperature was maintained for 6 hours to obtain a polymer solution containing polymer (aa-3). The polystyrene reduced mass average molecular weight (Mw) of the polymer (aa-3) was 10,000. In addition, solid content concentration of the polymer solution obtained here was 32.3 mass%.

<공중합체 [C]의 합성><Synthesis of Copolymer [C]>

[합성예 9] Synthesis Example 9

교반 장치, 콘덴서 및 온도계를 구비한 유리 플라스크에, (c1) 화합물로서 상기식 (c1-1)로 나타나는 화합물 28.4질량부, (c2) 화합물로서 신나카무라카가쿠 가부시키가이샤 제조의 「NK-에스테르 M-90G」 20.7질량부, (c3) 화합물로서 하기식 (c3-1-1-1)로 나타나는 화합물 18.1질량부, (c4) 화합물로서 메틸메타크릴레이트 5.9질량부 및 2-에틸헥실아크릴레이트 23.5질량부, (c5) 화합물로서 테트라메틸렌글리콜의 양 말단을 메타크릴레이트화한 화합물 3.4질량부, 그리고 용매로서 이소프로필알코올 414질량부를 넣고, 질소 가스 기류 중, 환류하에서, 중합 개시제로서 2,2'-아조비스이소부티로니트릴(AIBN) 0.7질량부, 및 연쇄 이동제로서 라우릴메르캅탄 4질량부를 첨가한 후, 75℃에서 8시간 환류하여 공중합을 행함으로써, 공중합체(C-1)를 함유하는 용액을 얻었다. 그 후, 이배퍼레이터를 이용하여 70℃ 이하의 가열 조건에서 용매를 제거함으로써, 공중합체(C-1)를 단리했다. 얻어진 공중합체(C-1)의 수평균 분자량 Mn은 2,800이고, 질량 평균 분자량 Mw는 5,300이고, 또한 분자량 분포(Mw/Mn)는 1.9였다.28.4 parts by mass of the compound represented by the formula (c1-1) as the compound (c1) in the glass flask provided with a stirring device, a condenser and a thermometer, and `` NK-ester '' manufactured by Shinnakamura Chemical Co., Ltd. as the compound (c2). 20.7 parts by mass of M-90G '', 18.1 parts by mass of the compound represented by the following formula (c3-1-1-1) as the compound (c3), 5.9 parts by mass of methyl methacrylate and 2-ethylhexyl acrylate as the compound (c4). 23.5 mass parts, 3.4 mass parts of compounds which methacrylated both ends of tetramethylene glycol as a compound (c5), and 414 mass parts of isopropyl alcohols as a solvent are put as 2, as a polymerization initiator in reflux in nitrogen gas stream. After adding 0.7 mass part of 2'- azobisisobutyronitrile (AIBN) and 4 mass parts of lauryl mercaptans as a chain transfer agent, copolymerization is carried out by refluxing at 75 degreeC for 8 hours, and a copolymer (C-1) A solution containing was obtained. Then, copolymer (C-1) was isolated by removing a solvent on 70 degreeC or less heating conditions using the evaporator. The number average molecular weight Mn of the obtained copolymer (C-1) was 2,800, the mass average molecular weight Mw was 5,300, and the molecular weight distribution (Mw / Mn) was 1.9.

Figure pat00025
Figure pat00025

(식 중, Me는 메틸기임).Wherein Me is a methyl group.

[합성예 10] Synthesis Example 10

연쇄 이동제로서의 라우릴메르캅탄의 첨가량을 1질량부로 한 것 이외는 상기 합성예 9와 동일하게 하여, 공중합체(C-2)를 얻었다. 얻어진 공중합체(C-2)의 수평균 분자량 Mn은 4,700이고, 질량 평균 분자량 Mw는 11,000이고, 분자량 분포(Mw/Mn)는 2.3이었다.A copolymer (C-2) was obtained in the same manner as in Synthesis Example 9 except that the amount of lauryl mercaptan added as a chain transfer agent was 1 part by mass. The number average molecular weight Mn of the obtained copolymer (C-2) was 4,700, the mass average molecular weight Mw was 11,000, and the molecular weight distribution (Mw / Mn) was 2.3.

[합성예 11] Synthesis Example 11

연쇄 이동제로서의 라우릴메르캅탄을 사용하지 않고, 공중합의 온도 및 시간을, 각각, 73℃ 및 10시간으로 한 것 이외는 합성예 9와 동일하게 하여, 공중합체(C-3)를 얻었다. 얻어진 공중합체(C-3)의 수평균 분자량 Mn은 5,600이고, 질량 평균 분자량 Mw는 21,000이고, 분자량 분포(Mw/Mn)는 3.8이었다.A copolymer (C-3) was obtained in the same manner as in Synthesis Example 9 except that the temperature and time of the copolymerization were 73 ° C and 10 hours, respectively, without using lauryl mercaptan as the chain transfer agent. The number average molecular weight Mn of the obtained copolymer (C-3) was 5,600, the mass average molecular weight Mw was 21,000, and the molecular weight distribution (Mw / Mn) was 3.8.

[합성예 12] Synthesis Example 12

교반 장치, 콘덴서 및 온도계를 구비한 유리 플라스크에, (c1) 화합물로서 상기식 (c1-3)로 나타나는 화합물 31.8질량부, (c2) 화합물로서 신나카무라카가쿠 가부시키가이샤 제조의 「NK-에스테르 M-90G」 31.6질량부, (c3) 화합물로서 상기식 (c3-1-1-1)로 나타나는 화합물 29.0질량부, 및 이소프로필알코올 414질량부를 넣고, 질소 가스 기류 중, 환류하에서, 중합 개시제로서 AIBN를 0.7질량부, 연쇄 이동제로서 라우릴메르캅탄 4질량부를 첨가한 후, 75℃에서 8시간 환류해 공중합을 행하여, 공중합체(C-4)를 함유하는 용액을 얻었다. 그 후, 이배퍼레이터를 이용하여 70℃ 이하의 가열 조건에서 용매를 제거함으로써, 공중합체(C-4)를 단리했다. 얻어진 공중합체(C-4)의 수평균 분자량 Mn은 3,500이고, 질량 평균 분자량 Mw는 7,000이었다. 또한, 분자량 분포(Mw/Mn)는 2.0이었다.In the glass flask provided with a stirring apparatus, a condenser, and a thermometer, 31.8 mass parts of compounds represented by said formula (c1-3) as a (c1) compound, and "NK-ester by Shin-Nakamura Kagaku Co., Ltd. as a (c2) compound. M-90G "31.6 mass parts, 29.0 mass parts of compounds represented by said formula (c3-1-1-1) as a compound (c3), and 414 mass parts of isopropyl alcohols are put, and it is a polymerization initiator in reflux in nitrogen gas stream. After adding 0.7 mass part of AIBN as 4 mass parts and 4 mass part of lauryl mercaptans as a chain transfer agent, it refluxed at 75 degreeC for 8 hours and copolymerized, and the solution containing copolymer (C-4) was obtained. Then, copolymer (C-4) was isolated by removing a solvent on 70 degreeC or less heating conditions using the evaporator. The number average molecular weight Mn of the obtained copolymer (C-4) was 3,500, and the mass average molecular weight Mw was 7,000. In addition, the molecular weight distribution (Mw / Mn) was 2.0.

[합성예 13] [Synthesis Example 13]

교반 장치, 콘덴서 및 온도계를 구비한 유리 플라스크에, (c1) 화합물로서 상기식 (c1-5)로 나타나는 화합물 24.2질량부, (c2) 화합물로서 신나카무라카가쿠 가부시키가이샤 제조의 「NK-에스테르 M-90G」 20.7질량부, (c3) 화합물로서 상기식 (c3-1-1-1)로 나타나는 화합물 21.5질량부, (c4) 화합물로서 n-부틸메타크릴레이트 29.4질량부, 및 이소프로필알코올 414질량부를 넣고, 질소 가스 기류 중, 환류하에서, 중합 개시제로서 AIBN를 0.7질량부, 연쇄 이동제로서 라우릴메르캅탄 4질량부를 첨가한 후, 75℃에서 8시간 환류해 공중합을 행하여, 공중합체(C-6)를 함유하는 용액을 얻었다. 그 후, 이배퍼레이터를 이용하여 70℃ 이하의 가열 조건에서 용매를 제거함으로써, 공중합체(C-5)를 단리했다. 얻어진 공중합체(C-6)의 수평균 분자량 Mn은 3,500이고, 질량 평균 분자량 Mw는 6,000이었다. 또한, 분자량 분포(Mw/Mn)는 1.7이었다.24.2 parts by mass of the compound represented by the formula (c1-5) as the compound (c1), and (c2) the compound `` NK-ester '' manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd. M-90G ", 20.7 parts by mass, 21.5 parts by mass of the compound represented by formula (c3-1-1-1) as the compound (c3), 29.4 parts by mass of n-butyl methacrylate as the compound (c4), and isopropyl alcohol 414 parts by mass was added, and under nitrogen reflux, 0.7 parts by mass of AIBN as a polymerization initiator and 4 parts by mass of lauryl mercaptan as a chain transfer agent were added, and the mixture was refluxed at 75 ° C. for 8 hours to perform copolymerization. A solution containing C-6) was obtained. Then, copolymer (C-5) was isolated by removing a solvent on 70 degreeC or less heating conditions using the evaporator. The number average molecular weight Mn of the obtained copolymer (C-6) was 3,500, and the mass average molecular weight Mw was 6,000. In addition, the molecular weight distribution (Mw / Mn) was 1.7.

[합성예 14] [Synthesis Example 14]

교반 장치, 콘덴서 및 온도계를 구비한 유리 플라스크에, (c1) 화합물로서 상기식 (c1-7)로 나타나는 화합물 16.6질량부, (c2) 화합물로서 신나카무라카가쿠 가부시키가이샤 제조의 「NK-에스테르 M-90G」 20.7질량부, (c3) 화합물로서 상기식 (c3-1-1-1)로 나타나는 화합물 21.5질량부, (c4) 화합물로서 n-부틸메타크릴레이트 29.4질량부, 및 이소프로필알코올 414질량부를 넣고, 질소 가스 기류 중, 환류하에서, 중합 개시제로서 AIBN를 0.7질량부, 연쇄 이동제로서 라우릴메르캅탄 4질량부를 첨가한 후, 75℃에서 8시간 환류해 공중합을 행하여, 공중합체(C-6)를 함유하는 용액을 얻었다. 그 후, 이배퍼레이터를 이용하여 70℃ 이하의 가열 조건에서 용매를 제거함으로써, 공중합체(C-6)를 단리했다. 얻어진 공중합체(C-6)의 수평균 분자량 Mn은 4,000이고, 질량 평균 분자량 Mw는 7,000이었다. 또한, 분자량 분포(Mw/Mn)는 1.8이었다.In a glass flask equipped with a stirring device, a condenser and a thermometer, 16.6 parts by mass of the compound represented by the formula (c1-7) as the compound (c1), and `` NK-ester '' manufactured by Shin-Nakamura Kagaku Co., Ltd. as the (c2) compound. M-90G ", 20.7 parts by mass, 21.5 parts by mass of the compound represented by formula (c3-1-1-1) as the compound (c3), 29.4 parts by mass of n-butyl methacrylate as the compound (c4), and isopropyl alcohol 414 parts by mass was added, and under nitrogen reflux, 0.7 parts by mass of AIBN as a polymerization initiator and 4 parts by mass of lauryl mercaptan as a chain transfer agent were added, and the mixture was refluxed at 75 ° C. for 8 hours to perform copolymerization. A solution containing C-6) was obtained. Then, the copolymer (C-6) was isolated by removing a solvent on 70 degreeC or less heating conditions using the evaporator. The number average molecular weight Mn of the obtained copolymer (C-6) was 4,000, and the mass average molecular weight Mw was 7,000. Moreover, molecular weight distribution (Mw / Mn) was 1.8.

<포지티브형 감방사선성 조성물의 조제><Preparation of a positive radiation sensitive composition>

[실시예 1] Example 1

[A] 성분으로서 합성예 1에서 얻어진 중합체(A-1)를 포함하는 용액(가수분해 축합물(A-1) 100질량부(고형분)에 상당하는 양)에, [B] 성분으로서 IRGACURE PAG 103(치바스페셜티케미컬즈 가부시키가이샤 제조) 3질량부, [C] 성분으로서 합성예 9에서 얻은 공중합체(C-1) 0.50질량부를 혼합하고, 추가로 고형분 농도가 25질량%가 되도록 용매로서 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르를 첨가한 후, 구경 0.2㎛의 멤브레인 필터로 여과함으로써, 포지티브형 감방사선성 조성물(S-1)을 조제했다.IRGACURE PAG as a component [B] in the solution (Amount equivalent to 100 mass parts (solid content) of hydrolysis-condensation product (A-1)) containing the polymer (A-1) obtained by the synthesis example 1 as [A] component. 3 parts by mass of 103 (manufactured by Chiba Specialty Chemicals Co., Ltd.) and 0.50 parts by mass of the copolymer (C-1) obtained in Synthesis Example 9 as the [C] component were further mixed as a solvent such that the solid content concentration was 25% by mass. After adding diethylene glycol ethyl methyl ether, the positive radiation sensitive composition (S-1) was prepared by filtering by the membrane filter of 0.2 micrometer of diameters.

[실시예 2∼12 및 비교예 1∼5] [Examples 2 to 12 and Comparative Examples 1 to 5]

각 성분의 종류 및 양을 표 1에 기재한 대로 한 것 외는, 실시예 1과 동일하게 하여 포지티브형 감방사선성 조성물을 조제했다. 또한 각 실시예 및 비교예에서 이용한 성분은, 이하와 같다.A positive radiation sensitive composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that the type and amount of each component were as described in Table 1. In addition, the components used by each Example and the comparative example are as follows.

(광산 발생체: [B] 성분)(Mining generator: [B] component)

B-1: 상기 화합물(i)(치바스페셜티케미컬즈 가부시키가이샤 제조의 「IRGACURE PAG 103」)B-1: Said compound (i) ("IRGACURE PAG 103" by Chiba Specialty Chemicals)

B-2: 상기 화합물(ii)(치바스페셜티케미컬즈 가부시키가이샤 제조의 「IRGACURE PAG 108」)B-2: Said compound (ii) ("IRGACURE PAG 108" by Chiba Specialty Chemicals)

B-3: 상기 화합물(iii)(치바스페셜티케미컬즈 가부시키가이샤 제조의 「CGI 1380」)B-3: the said compound (iii) ("CGI 1380" by Chiba Specialty Chemicals)

B-4: 상기 화합물(iv)(치바스페셜티케미컬즈 가부시키가이샤 제조의 「IRGACURE PAG 121」)B-4: the said compound (i ') ("IRGACURE PAG 121" by Chiba Specialty Chemicals)

B-5: 상기 화합물(v)(치바스페셜티케미컬즈 가부시키가이샤 제조의 「CGI 725」)B-5: the said compound (VII) ("CGI 725" by Chiba Specialty Chemicals)

(계면 활성제)(Surfactants)

c-1(비교예 1): 실리콘계 계면 활성제(토레·다우코닝·실리콘 가부시키가이샤 제조의 「SH-193」)c-1 (comparative example 1): Silicone type surfactant ("SH-193" by Toray Dow Corning Silicone Co., Ltd.)

c-2(비교예 2): 불소계 계면 활성제(가부시키가이샤 쓰리엠 제조의 「플루오라드(Fluorad) F-430」)c-2 (Comparative Example 2): Fluorine-type surfactant ("Fluorad F-430" by 3M Corporation)

(밀착 보조제: [D] 성분)(Adhesive Auxiliary: [D] Component)

D-1: γ-글리시독시프로필트리메톡시실란D-1: γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane

D-2: β-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸트리메톡시실란D-2: β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane

D-3: γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란D-3: γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane

(염기성 화합물: [E] 성분)(Basic Compound: [E] Component)

E-1: 4-디메틸아미노피리딘E-1: 4-dimethylaminopyridine

E-2: 1,5-디아자바이사이클로[4,3,0]-5-노넨E-2: 1,5-diazabicyclo [4,3,0] -5-nonene

<물성 평가><Property evaluation>

상기와 같이 조제한 각각의 포지티브형 감방사선성 조성물을 사용하여, 이하와 같이 당해 조성물 및, 그 도막 혹은 층간 절연막으로서의 각종 특성을 평가했다.Using each positive radiation sensitive composition prepared as mentioned above, the said composition and various characteristics as its coating film or interlayer insulation film were evaluated as follows.

(1) 도막의 외관 평가(1) Appearance Evaluation of Coating Film

550×650mm의 크롬 성막 유리 상에, 상기와 같이 조제한 감방사선성 조성물을 슬릿 다이 코터(도쿄오카코교 가부시키가이샤 제조, 형식 「TR632105-CL」)을 이용하여 도포하고, 도달 압력을 100Pa로 설정하여 진공하에서 용매를 제거한 후, 추가로 90℃에서 2분간 프리베이킹함으로써, 막두께 3.0㎛의 도막을 형성했다. 나트륨 램프하에 있어서, 육안에 의해 이 도막의 외관의 관찰을 행했다. 이때, 도막의 전체에 발생해 있는 안개 형상의 얼룩을 「안개 얼룩」, 프리베이킹 화로의 프록시핀에 유래하는 얼룩을 「핀 얼룩」으로 하여, 그 출현 상황을 조사했다. 이러한 얼룩이 모두 거의 안 보이는 경우를 「○(양호)」, 이들 얼룩 중 어느 것이 조금 보이는 경우를 「△(약간 불량)」, 분명히 보이는 경우를 「×(불량)」로서 평가했다. 평가 결과를 표 1에 나타냈다.On the 550 * 650mm chromium film-forming glass, the radiation sensitive composition prepared as mentioned above was apply | coated using a slit die coater (The Tokyo Ogyo Co., Ltd. make, model "TR632105-CL"), and the arrival pressure was set to 100 Pa. The solvent was removed under vacuum, and then prebaked at 90 ° C. for 2 minutes to form a coating film having a film thickness of 3.0 μm. Under a sodium lamp, the appearance of this coating film was visually observed. At this time, the appearance of the fog was observed in the fog-like stain generated in the entire coating film, and the stain derived from the proxy pin of the prebaking furnace was referred to as "pin stain". In the case where all of these spots were hardly seen, "○ (good)" and the case where some of these spots were slightly seen were evaluated as "(defective)" and the case where it was clearly seen as "x (bad)". The evaluation results are shown in Table 1.

(2) 막두께 균일성(유니포미티; uniformity)의 평가(2) Evaluation of film thickness uniformity (uniformity)

전술한 바와 같이 하여 제작한 크롬 성막 유리 상의 도막의 막두께를, 바늘 접촉식 측정기(KLA Tencor사 제조 AS200)를 이용하여 측정했다. 유니포미티로서 9개의 측정점에 있어서의 막두께로부터 계산했다. 9개의 측정점이란 기판의 단축 방향을 X, 장축 방향을 Y로 하면, (X[mm], Y[mm])가, (275, 20), (275, 30), (275, 60), (275, 100), (275, 325), (275, 550), (275, 590), (275, 620), (275, 630)이다.The film thickness of the coating film on the chromium film-forming glass produced as mentioned above was measured using the needle contact measuring device (AS200 by KLA Tencor company). It calculated from the film thickness in nine measuring points as unity. Nine measuring points mean that the short axis direction of the substrate is X and the long axis direction is Y, where (X [mm], Y [mm]) is (275, 20), (275, 30), (275, 60), ( 275, 100), (275, 325), (275, 550), (275, 590), (275, 620), (275, 630).

유니포미티의 계산식은 하기식으로 나타난다. 하기식의 FT(X, Y)max는 9개의 측정점에 있어서의 막두께 중의 최대치, FT(X, Y)min는 9개의 측정점에 있어서의 막두께 중의 최소치, FT(X, Y)avg.는 9개의 측정점에 있어서의 막두께 중의 평균치이다. 유니포미티가 2% 이하의 경우는, 막두께 균일성은 양호하다고 판단할 수 있다. 평가 결과를 표 1에 나타냈다.The formula of the uniformity is represented by the following formula. FT (X, Y) max in the following formula is the maximum value in the film thickness at nine measurement points, FT (X, Y) min is the minimum value in the film thickness at nine measurement points, and FT (X, Y) avg. It is an average value in the film thickness in nine measuring points. When uniformity is 2% or less, it can be judged that film thickness uniformity is favorable. The evaluation results are shown in Table 1.

(유니포미티의 계산식)(Uniformity formula)

유니포미티(%)={FT(X, Y)max-FT(X, Y)min}×100/{2×FT(X, Y)avg.}Uniformity (%) = {FT (X, Y) max-FT (X, Y) min} × 100 / {2 × FT (X, Y) avg.}

(3) 고속 도포성의 평가(3) Evaluation of high speed applicability

550mm×650mm의 무알칼리 유리 기판 상에 슬릿 코터를 이용하여 도포하고, 도포 조건으로서, 하지(base)와 노즐의 거리(GAP) 150㎛, 노광 후의 막두께가 2.5㎛가 되도록, 노즐로부터 도포액을 토출하고, 노즐의 이동 속도를 120mm/초∼220mm/초의 범위에서 변량하여, 액 끊김에 의한 줄무늬 형상의 얼룩이 발생하지 않는 최대 속도를 구했다. 이때, 180mm/초 이상의 속도에서도 줄무늬 형상의 얼룩이 발생하지 않는 경우는, 고속 도포에 대응이 가능하다고 판단할 수 있다. 평가 결과를 표 1에 나타냈다.The coating liquid is applied onto a 550mm × 650mm alkali-free glass substrate using a slit coater, and the coating liquid is applied from the nozzle so that the film thickness after exposure and the thickness of the base and the nozzle are 150 μm and the thickness is 2.5 μm. Was discharged, the moving speed of the nozzle was varied in the range of 120 mm / sec to 220 mm / sec, and the maximum speed at which streaky irregularities due to liquid breakup did not occur was determined. At this time, when the stripe-shaped irregularity does not generate | occur | produce even at the speed of 180 mm / sec or more, it can be judged that correspondence with high speed application is possible. The evaluation results are shown in Table 1.

(4) 감방사선성 조성물의 방사선 감도의 평가(4) Evaluation of the radiation sensitivity of the radiation sensitive composition

550×650mm의 크롬 성막 유리 상에, 헥사메틸디실라잔(HMDS)을 도포하고, 60℃에서 1분간 가열했다(HMDS 처리). 이 HMDS 처리 후의 크롬 성막 유리 상에, 상기와 같이 조제한 감방사선성 조성물을 슬릿 다이 코터 「TR632105-CL」을 이용하여 도포하고, 도달 압력을 100Pa로 설정하여 진공하에서 용매를 제거한 후, 추가로 90℃에서 2분간 프리베이킹함으로써, 막두께 3.0㎛의 도막을 형성했다. 계속해서, 캐논 가부시키가이샤 제조의 MPA-600FA 노광기를 이용하여 60㎛의 라인·앤드·스페이스(10 대 1)의 패턴을 갖는 마스크를 개재하여, 도막에 대하여 노광량을 변량으로 하여 방사선을 조사한 후, 표 1에 기재한 농도의 테트라메틸암모늄하이드록사이드 수용액에서 25℃에 있어서 퍼들법으로 현상했다. 여기에서 현상 시간은, 테트라메틸암모늄하이드록사이드 농도가 0.40질량%의 현상액을 이용한 경우는 80초, 2.38질량%의 현상액을 이용한 경우는 50초간으로 했다. 이어서, 초순수로 1분간 유수 세정을 행하고, 그 후 건조함으로써, HMDS 처리 후의 크롬 성막 유리 기판 상에 패턴을 형성했다. 이때, 6㎛의 스페이스·패턴이 완전하게 용해하기 위해 필요한 노광량을 조사했다. 이 값을 방사선 감도로서 표 1에 나타냈다. 이 값이 500J/㎡ 이하의 경우에 감도가 양호하다라고 말할 수 있다.Hexamethyldisilazane (HMDS) was apply | coated on 550x650 mm chromium film-forming glass, and it heated at 60 degreeC for 1 minute (HMDS process). On the chromium film-forming glass after this HMDS process, the radiation sensitive composition prepared as mentioned above was apply | coated using the slit die coater "TR632105-CL", and the reached pressure was set to 100 Pa, and after removing a solvent under vacuum, it was further 90 By prebaking at 2 degreeC for 2 minutes, the coating film of 3.0 micrometers in film thicknesses was formed. Subsequently, after irradiating radiation to a coating film with a variable exposure amount through the mask which has a 60-micrometer line-and-space (10 to 1) pattern using Canon MPA-600FA exposure machine, It developed by the puddle method at 25 degreeC in the tetramethylammonium hydroxide aqueous solution of the density | concentration shown in Table 1. Here, developing time was made into 80 second when the tetramethylammonium hydroxide concentration used the developing solution of 0.40 mass%, and 50 seconds when using the 2.38 mass% developing solution. Subsequently, flowing water wash | cleaned with ultrapure water for 1 minute, and after that, the pattern was formed on the chromium film-forming glass substrate after HMDS process. At this time, the exposure amount required in order for a 6 micrometer space pattern to melt | dissolve completely was investigated. This value is shown in Table 1 as radiation sensitivity. It can be said that sensitivity is favorable when this value is 500 J / m <2> or less.

(5) 층간 절연막의 내열성의 평가(5) Evaluation of heat resistance of interlayer insulating film

상기〔층간 절연막의 내용매성의 평가〕의 경우와 동일하게 하여, 크롬 성막 유리 상에 경화막을 형성했다. 여기에서 얻어진 경화막의 막두께(T2)를 측정했다. 이어서, 이 경화막이 형성된 크롬 성막 유리 기판을, 클린 오븐 내에서 240℃로 1시간 추가의 가열을 행한 후, 재차 경화막의 막두께(t2)를 측정하여, 추가 가열에 의한 막두께 변화율을 하기식에 의해 산출했다. 이 값이 5% 이하일 때, 내열성은 양호하다라고 말할 수 있다. 평가 결과를 표 1에 나타냈다.In the same manner as in the case of [evaluation of solvent resistance of the interlayer insulating film], a cured film was formed on the chromium film-forming glass. The film thickness (T2) of the cured film obtained here was measured. Subsequently, after further heating the chromium film-formed glass substrate on which the cured film was formed at 240 ° C. for 1 hour in a clean oven, the film thickness t2 of the cured film was measured again, and the film thickness change rate due to further heating was obtained by the following formula. Calculated by When this value is 5% or less, it can be said that heat resistance is favorable. The evaluation results are shown in Table 1.

(막두께 변화율의 계산식)(Calculation formula of film thickness change rate)

막두께 변화율(%)={|t2-T2|/T2}×100Film thickness change rate (%) = {| t2-T2 | / T2} × 100

(6) 층간 절연막의 투명성의 평가(6) Evaluation of the transparency of the interlayer insulating film

크롬 성막 유리 기판 대신에 550×650mm의 유리 기판(NH테크노 글래스 가부시키가이샤 제조의 「NA35」)을 이용한 것 이외는, 상기 〔층간 절연막의 내용매성의 평가〕의 경우와 동일하게 유리 기판 상에 경화막을 형성했다. 분광 광도계 「150-20형 더블 빔(가부시키가이샤 히타치 세이사쿠쇼 제조)」을 이용하여, 형성한 경화막을 갖는 유리 기판의 광선 투과율을, 경화막을 갖지 않는 유리 기판을 참조측으로 하여 400∼800nm의 범위의 파장으로 측정했다. 그때의 최저 광선 투과율의 값을 표 1에 나타냈다. 이 값이 90% 이상일 때, 투명성은 양호하다고 말할 수 있다.A glass substrate of 550 × 650 mm (“NA35” manufactured by NH Techno Glass Co., Ltd.) was used in place of the chromium film-forming glass substrate. A cured film was formed. The light transmittance of the glass substrate which has a cured film formed using the spectrophotometer "150-20 type double beam (made by Hitachi Seisakusho)" is made into 400-800 nm of the glass substrate which does not have a cured film as a reference side. It measured by the wavelength of the range. Table 1 shows the values of the minimum light transmittance at that time. When this value is 90% or more, it can be said that transparency is favorable.

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Figure pat00026

표 1의 결과로부터 분명한 바와 같이, [A], [B] 및 [C] 성분을 포함하는 실시예 1∼12의 포지티브형 감방사선성 조성물은, [C] 성분을 포함하지 않는 비교예 1∼3의 포지티브형 감방사선성 조성물과 비교하여, 고속 도포에서도 도막의 외관에 있어서의 도포 불균일 및 층간 절연막의 평탄성의 점에 대해서, 현격히 우수한 것을 알 수 있다. 더불어, 이들 실시예의 포지티브형 감방사선성 조성물은, 높은 방사선 감도를 가짐과 함께, 내열성 및 투명성이라는 일반적인 요구 특성을 충분히 만족하는 층간 절연막을 형성 가능한 것을 알 수 있다.As is clear from the results in Table 1, the positive radiation-sensitive compositions of Examples 1 to 12 containing the components [A], [B] and [C] do not contain the components [C]. Compared with the positive radiation sensitive composition of 3, it turns out that it is remarkably excellent also in the application | coating nonuniformity in the external appearance of a coating film, and the point of the flatness of an interlayer insulation film in high speed application | coating. Moreover, it turns out that the positive radiation sensitive composition of these Examples can form the interlayer insulation film which has high radiation sensitivity and fully satisfies the general required characteristic of heat resistance and transparency.

본 발명의 포지티브형 감방사선성 조성물은, 전술한 바와 같이, 고속 도포가 가능하고, 높은 방사선 감도를 갖고, 충분한 내열성 및 투명성에 더하여, 우수한 평탄성을 갖는 경화막을 형성할 수 있다. 따라서, 당해 포지티브형 감방사선성 조성물은, 표시 소자용의 층간 절연막을 형성하기 위해 적합하게 이용된다.As described above, the positive radiation-sensitive composition of the present invention can be formed at high speed, has a high radiation sensitivity, and can form a cured film having excellent flatness in addition to sufficient heat resistance and transparency. Therefore, the said positive radiation sensitive composition is used suitably in order to form the interlayer insulation film for display elements.

Claims (10)

[A] 동일 또는 상이한 중합체 분자 중에 하기식 (1)로 나타나는 기를 포함하는 구조 단위와 에폭시기 함유 구조 단위를 갖는 중합체,
[B] 광산 발생체 및,
[C] 불소를 갖는 구성 단위와 규소를 갖는 구성 단위를 갖는 공중합체
를 함유하는 포지티브형 감방사선성 조성물:
Figure pat00027

(식 (1) 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 사이클로알킬또는 아릴기이고, 이들 알킬기, 사이클로알킬기 또는 아릴기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 치환기로 치환되어 있어도 좋고(단, R1 및 R2가 모두 수소 원자인 경우는 없음); R3은 알킬기, 사이클로알킬기, 아르알킬기, 아릴기 또는 -M(R3m)3으로 나타나는 기(M은 Si, Ge 또는 Sn이고, R3m은 알킬기임)이고, 이들 수소 원자의 일부 또는 전부가 치환기로 치환되어 있어도 좋고; R1과 R3이 연결되어 환상 에테르를 형성해도 좋음).
[A] a polymer having a structural unit and an epoxy group-containing structural unit containing a group represented by the following formula (1) in the same or different polymer molecule,
[B] mine generators,
[C] Copolymer having a structural unit having a fluorine and a structural unit having a silicon
Positive radiation sensitive composition containing:
Figure pat00027

(In formula (1), R <1> and R <2> is respectively independently a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl, or an aryl group, and even if one part or all part of the hydrogen atom of these alkyl groups, a cycloalkyl group, or an aryl group is substituted by the substituent, Good, provided that R 1 and R 2 are not all hydrogen atoms; R 3 is an alkyl group, a cycloalkyl group, an aralkyl group, an aryl group, or a group represented by -M (R 3m ) 3 (M is Si, Ge or Sn and R 3m is an alkyl group, and some or all of these hydrogen atoms may be substituted with a substituent; R 1 and R 3 may be linked to form a cyclic ether).
제1항에 있어서,
[C] 공중합체가,
(c1) 하기식 (2)로 나타나는 중합성 화합물,
(c2) 하기식 (3)으로 나타나는 중합성 화합물 및,
(c3) 하기식 (4)로 나타나는 기를 갖는 중합성 화합물에 유래하는 구조 단위를 적어도 갖는 공중합체인 포지티브형 감방사선성 조성물:
Figure pat00028

(식 (2) 중, R4는 수소 원자 또는 메틸기이고; α는 0∼6의 정수이고; β는 1∼20의 정수임);
Figure pat00029

(식 (3) 중, R5는 수소 원자 또는 메틸기이고; R6은 탄소수 1∼12의 알킬기이고; γ는 2 또는 3이고; a는 구조 단위수이고, 그 수평균치는 1∼30임);
Figure pat00030

(식 (4) 중, R7, R8, R9, R10 및 R11은 각각 독립적으로, 탄소수 1∼20의 알킬기, 페닐기, 또는 하기식 (5)로 나타나는 기이고; b는 0∼3의 정수임);
Figure pat00031

(식 (5) 중, R12, R13 및 R14는 각각 독립적으로, 탄소수 1∼20의 알킬기 또는 페닐기이고; c는 0∼3의 정수임).
The method of claim 1,
[C] the copolymer is,
(c1) the polymeric compound represented by following formula (2),
(c2) a polymeric compound represented by the following formula (3), and
(c3) Positive radiation sensitive composition which is a copolymer which has a structural unit derived from the polymeric compound which has group represented by following formula (4) at least:
Figure pat00028

(In formula (2), R 4 is a hydrogen atom or a methyl group; α is an integer of 0 to 6; β is an integer of 1 to 20);
Figure pat00029

(In formula (3), R 5 is a hydrogen atom or a methyl group; R 6 is an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms; γ is 2 or 3; a is the number of structural units and the number average is 1 to 30.) ;
Figure pat00030

(In formula (4), R <7> , R <8> , R <9> , R <10> and R <11> are respectively independently group represented by a C1-C20 alkyl group, a phenyl group, or following formula (5); b is 0- An integer of 3);
Figure pat00031

(In formula (5), R <12> , R <13> and R <14> is respectively independently a C1-C20 alkyl group or a phenyl group; c is an integer of 0-3.).
제2항에 있어서,
[C] 공중합체가, 추가로 (c4) 탄소수 1∼8의 비치환 알킬에스테르기를 갖는 중합성 화합물에 유래하는 구조 단위를 갖는 포지티브형 감방사선성 조성물.
The method of claim 2,
[C] The positive radiation-sensitive composition in which the copolymer further has (c4) a structural unit derived from the polymeric compound which has a C1-C8 unsubstituted alkylester group.
제3항에 있어서,
[C] 공중합체가, 추가로 (c5) 1분자 중에 2개 이상의 불포화 결합을 갖는 중합성 화합물에 유래하는 구조 단위를 갖는 포지티브형 감방사선성 조성물.
The method of claim 3,
[C] The positive radiation-sensitive composition in which the copolymer further has a structural unit derived from the polymerizable compound which has a 2 or more unsaturated bond in 1 molecule (c5).
제4항에 있어서,
화합물(c1)이 하기식 (6)으로 나타나는 중합성 화합물, 화합물(c2)이 하기식 (7)로 나타나는 중합성 화합물이고,
[C] 공중합체가, 중합성 화합물(c1)∼(c5)의 합계량에 대하여,
중합성 화합물(c1) 25∼35질량%,
중합성 화합물(c2) 20∼30질량%,
중합성 화합물(c3) 15∼20질량%,
중합성 화합물(c4) 25∼35질량% 및,
중합성 화합물(c5) 1∼5질량%
를 포함하는 조성물로 이루어지는 포지티브형 감방사선성 조성물:
Figure pat00032

(식 (6) 중, R4는 상기식 (2)에 있어서 것과 동일한 의미이고; β는 1∼8의 정수임);
Figure pat00033

(식 (7) 중, R5 및 R6은 각각 상기식 (3)에 있어서의 것과 동일한 의미이고; 구조 단위수(a)의 수평균치는 4∼12임).
The method of claim 4, wherein
A compound (c1) is a polymeric compound represented by following formula (6), and a compound (c2) is a polymeric compound represented by following formula (7),
The copolymer (C) is based on the total amount of the polymerizable compounds (c1) to (c5),
25-35 mass% of polymeric compounds (c1),
20-30 mass% of polymeric compounds (c2),
15-20 mass% of polymeric compounds (c3),
25-35 mass% of polymeric compounds (c4),
1-5 mass% of polymeric compounds (c5)
A positive radiation sensitive composition comprising a composition comprising:
Figure pat00032

(In formula (6), R 4 has the same meaning as in formula (2); β is an integer of 1 to 8);
Figure pat00033

(In formula (7), R <5> and R <6> is synonymous with the thing in said Formula (3), respectively; the number average value of a structural unit number (a) is 4-12.).
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
[D] 밀착 보조제를 추가로 함유하는 포지티브형 감방사선성 조성물.
The method according to any one of claims 1 to 5,
(D) Positive radiation sensitive composition which further contains an adhesion | attachment adjuvant.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
[E] 염기성 화합물을 추가로 함유하는 포지티브형 감방사선성 조성물.
The method according to any one of claims 1 to 5,
[E] A positive radiation sensitive composition further containing a basic compound.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
표시 소자용 층간 절연막을 형성하기 위해 이용되는 포지티브형 감방사선성 조성물.
The method according to any one of claims 1 to 5,
Positive type radiation sensitive composition used for forming the interlayer insulation film for display elements.
(1) 제8항에 기재된 포지티브형 감방사선성 조성물의 도막을 기판 상에 형성하는 공정,
(2) 공정(1)에서 형성한 도막의 적어도 일부에 방사선을 조사하는 공정,
(3) 공정(2)에서 방사선이 조사된 도막을 현상하는 공정 및,
(4) 공정(3)에서 현상된 도막을 가열하는 공정
을 포함하는 표시 소자용 층간 절연막의 형성 방법.
(1) forming the coating film of the positive radiation sensitive composition of Claim 8 on a board | substrate,
(2) irradiating at least a portion of the coating film formed in step (1) with radiation;
(3) developing the coating film irradiated with radiation in step (2), and
(4) Step of heating the coating film developed in step (3)
Method of forming an interlayer insulating film for a display element comprising a.
제8항에 기재된 포지티브형 감방사선성 조성물로 형성되는 표시 소자용 층간 절연막.The interlayer insulation film for display elements formed from the positive radiation sensitive composition of Claim 8.
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