JP4591625B1 - Positive radiation-sensitive composition, interlayer insulating film and method for forming the same - Google Patents

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Abstract

【課題】優れた耐熱性及び透明性に加え、塗布ムラのない高度な平坦性(膜厚均一性)を有する層間絶縁膜を形成することができ、かつ高速での塗布が可能で、高い放射線感度を有するポジ型感放射線性組成物の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、[A]同一又は異なる重合体分子中に下記式(1)で表される基を含む構造単位とエポキシ基含有構造単位とを有する重合体、[B]光酸発生体、並びに[C](c1)下記式(2)で表される重合性化合物、(c2)下記式(3)で表される重合性化合物、及び(c3)下記式(4)で表される基を有する重合性化合物に由来する構造単位を少なくとも有する共重合体を含有するポジ型感放射線性組成物である。

Figure 0004591625
【選択図】なしIt is possible to form an interlayer insulating film having high flatness (film thickness uniformity) without application unevenness in addition to excellent heat resistance and transparency, and can be applied at high speed, and high radiation. An object is to provide a positive radiation-sensitive composition having sensitivity.
The present invention relates to [A] a polymer having a structural unit containing a group represented by the following formula (1) and an epoxy group-containing structural unit in the same or different polymer molecules, and [B] a photoacid. Generator, [C] (c1) a polymerizable compound represented by the following formula (2), (c2) a polymerizable compound represented by the following formula (3), and (c3) represented by the following formula (4) It is a positive radiation sensitive composition containing a copolymer having at least a structural unit derived from a polymerizable compound having a group.
Figure 0004591625
[Selection figure] None

Description

本発明は、液晶表示素子(LCD)、有機EL表示素子(OLED)等の表示素子の層間絶縁膜を形成するための材料として好適なポジ型感放射線性組成物、その組成物から形成された層間絶縁膜、及びその層間絶縁膜の形成方法に関する。   The present invention is formed from a positive radiation-sensitive composition suitable as a material for forming an interlayer insulating film of a display element such as a liquid crystal display element (LCD) or an organic EL display element (OLED), and the composition. The present invention relates to an interlayer insulating film and a method for forming the interlayer insulating film.

表示素子には、一般に層状に配置される配線の間を絶縁する目的で層間絶縁膜が設けられている。層間絶縁膜の形成材料としては、必要なパターン形状を得るための工程数が少なく、しかも十分な平坦性を有するものが好ましいことから、ポジ型感放射線性組成物が幅広く使用されている。このような層間絶縁膜を形成する際に用いられるポジ型感放射線性組成物には良好な放射線感度及び保存安定性が、得られる層間絶縁膜には優れた耐熱性や透明性等が求められる。   The display element is generally provided with an interlayer insulating film for the purpose of insulating between wirings arranged in layers. As the material for forming the interlayer insulating film, positive radiation-sensitive compositions are widely used because the number of steps for obtaining a necessary pattern shape is small and a material having sufficient flatness is preferable. The positive radiation sensitive composition used in forming such an interlayer insulating film is required to have good radiation sensitivity and storage stability, and the obtained interlayer insulating film is required to have excellent heat resistance and transparency. .

上記ポジ型感放射線性組成物の成分としては、アクリル系樹脂が広く採用されており、例えば特開2004−4669号公報には、架橋剤、酸発生剤、及びそれ自体はアルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが、酸の作用により解裂しうる保護基を有し、該保護基が解裂した後はアルカリ水溶液に可溶性となる樹脂を含有することを特徴とするポジ型化学増幅レジスト組成物が提案されている。しかし、この組成物より得られる絶縁膜では密着性が十分でなく、高品質の液晶表示素子を製造するためには満足できるものではない。また特開2004−264623号公報には、アセタール構造及び/又はケタール構造並びにエポキシ基を含有する樹脂及び酸発生剤を含有することを特徴とする感放射線性樹脂組成物が提案されているが、放射線感度が低く、満足できるものではない。   As a component of the positive radiation sensitive composition, an acrylic resin is widely employed. For example, in JP-A-2004-4669, a crosslinking agent, an acid generator, and itself are insoluble in an alkaline aqueous solution or A positive chemically amplified resist composition comprising a resin which is hardly soluble but has a protecting group which can be cleaved by the action of an acid, and which is soluble in an alkaline aqueous solution after cleaving the protecting group Things have been proposed. However, the insulating film obtained from this composition does not have sufficient adhesion and is not satisfactory for producing a high-quality liquid crystal display element. JP 2004-264623 A proposes a radiation-sensitive resin composition comprising an acetal structure and / or a ketal structure and a resin containing an epoxy group and an acid generator. The radiation sensitivity is low and not satisfactory.

他方、近年の大画面テレビの普及に伴い、その製造に使用されるガラス基板サイズも大型化している。そのため、層間絶縁膜形成工程において従来採用されているスピンコート法では、大型基板への感放射線性組成物の塗布が困難となってきている。そこで、このようなスピンコート法に代わり、感放射線性組成物をスリット状のノズルから吐出してガラス基板上に塗布するスリット塗布法が採用されるようになっている。   On the other hand, with the recent widespread use of large-screen televisions, the size of the glass substrate used for the production is also increasing. For this reason, it has become difficult to apply a radiation-sensitive composition to a large substrate by the spin coating method conventionally employed in the interlayer insulating film forming step. Therefore, instead of such a spin coating method, a slit coating method in which a radiation-sensitive composition is ejected from a slit-like nozzle and applied onto a glass substrate has been adopted.

スリット塗布法では、具体的には、塗布ステージに基板を真空吸着により密着させた上で、塗布ノズルを一定方向に掃引して基板上に塗膜を形成し、塗膜形成後に真空吸着用の穴に格納されている支持ピンが上昇することで、基板は塗布ステージから持ち上げられ、次の工程へ搬送される。このようなスリット塗布法は、スピンコート法と比較して塗布に要する感放射線性組成物の量が低減できると共に、感放射線性組成物を吐出しながらの一定方向での掃引で塗布が可能であることから、塗布時間の短縮も図れ、表示素子の製造コスト削減にも資する。   In the slit coating method, specifically, after the substrate is brought into close contact with the coating stage by vacuum suction, the coating nozzle is swept in a certain direction to form a coating film on the substrate. As the support pins stored in the holes are raised, the substrate is lifted from the coating stage and transferred to the next step. Such a slit coating method can reduce the amount of the radiation-sensitive composition required for coating compared to the spin coating method, and can be applied by sweeping in a certain direction while discharging the radiation-sensitive composition. For this reason, the coating time can be shortened, and the manufacturing cost of the display element can be reduced.

しかしながら、この一連の工程においては、塗布の際に塗布ムラが生じたり、真空吸着のための穴に起因する微小凹凸により塗膜にムラが発生したりする場合があり、層間絶縁膜の特性として要求される高度な平坦性を実現することへの支障となっている。   However, in this series of processes, uneven coating may occur during coating, or unevenness may occur in the coating film due to minute irregularities caused by holes for vacuum adsorption. This is an obstacle to achieving the required high level of flatness.

このような状況の中、層間絶縁膜として一般的に要求される耐熱性及び透明性が優れていると共に、塗布ムラのない高度な平坦性(膜厚均一性)を有する硬化膜を形成可能であり、かつ高速での塗布が可能で、高い放射線感度を有するポジ型感放射線性組成物の開発が強く望まれている。   Under such circumstances, it is possible to form a cured film having excellent heat resistance and transparency generally required as an interlayer insulating film, and having high flatness (film thickness uniformity) without coating unevenness. There is a strong demand for the development of positive-type radiation-sensitive compositions that can be applied at high speed and have high radiation sensitivity.

特開2004−4669号公報JP 2004-4669 A 特開2004−264623号公報JP 2004-264623 A

本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、優れた耐熱性及び透明性に加え、塗布ムラのない高度な平坦性(膜厚均一性)を有する層間絶縁膜を形成することができ、かつ高速での塗布が可能で、高い放射線感度を有するポジ型感放射線性組成物、その組成物から形成された層間絶縁膜、並びにその層間絶縁膜の形成方法を提供することである。   The present invention has been made based on the circumstances as described above, and its purpose is interlayer insulation having high flatness (film thickness uniformity) without coating unevenness in addition to excellent heat resistance and transparency. A positive-type radiation-sensitive composition capable of forming a film and capable of being applied at high speed and having high radiation sensitivity, an interlayer insulating film formed from the composition, and a method for forming the interlayer insulating film Is to provide.

上記課題を解決するためになされた発明は、
[A]同一又は異なる重合体分子中に下記式(1)で表される基を含む構造単位とエポキシ基含有構造単位とを有する重合体、
[B]光酸発生体、並びに
[C](c1)下記式(2)で表される重合性化合物、
(c2)下記式(3)で表される重合性化合物、及び
(c3)下記式(4)で表される基を有する重合性化合物
に由来する構造単位を少なくとも有する共重合体
を含有するポジ型感放射線性組成物である。

Figure 0004591625
(式(1)中、R及びRは、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらのアルキル基、シクロアルキル基又はアリール基の水素原子の一部又は全部が置換基で置換されていてもよい(但し、R及びRが共に水素原子である場合はない)。Rは、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アリール基又は−M(R3mで表される基(MはSi、Ge又はSnであり、R3mはアルキル基である。)であり、これらの水素原子の一部又は全部が置換基で置換されていてもよい。RとRとが連結して環状エーテルを形成してもよい。)
Figure 0004591625
(式(2)中、Rは水素原子又はメチル基である。αは0〜6の整数である。βは1〜20の整数である。)
Figure 0004591625
(式(3)中、Rは水素原子又はメチル基である。Rは炭素数1〜12のアルキル基である。γは2又は3である。aは構造単位数であり、その数平均値が1〜30である。)
Figure 0004591625
(式(4)中、R、R、R、R10及びR11は、それぞれ独立して、炭素数1〜20のアルキル基、フェニル基、又は下記式(5)で表される基である。bは0〜3の整数である。)
Figure 0004591625
(式(5)中、R12、R13及びR14は、それぞれ独立して、炭素数1〜20のアルキル基又はフェニル基である。cは0〜3の整数である。) The invention made to solve the above problems is
[A] a polymer having a structural unit containing a group represented by the following formula (1) and an epoxy group-containing structural unit in the same or different polymer molecules;
[B] a photoacid generator, and [C] (c1) a polymerizable compound represented by the following formula (2),
(C2) a positive compound containing a polymerizable compound represented by the following formula (3), and (c3) a copolymer having at least a structural unit derived from the polymerizable compound having a group represented by the following formula (4) Type radiation sensitive composition.
Figure 0004591625
(In Formula (1), R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, or an aryl group, and one of the hydrogen atoms of these alkyl group, cycloalkyl group, or aryl group) Part or all may be substituted with a substituent (provided that R 1 and R 2 are not both hydrogen atoms) R 3 represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an aralkyl group, an aryl group, or — A group represented by M (R 3m ) 3 (M is Si, Ge or Sn, R 3m is an alkyl group), and some or all of these hydrogen atoms are substituted with substituents; R 1 and R 3 may be linked to form a cyclic ether.)
Figure 0004591625
(In formula (2), R 4 is a hydrogen atom or a methyl group. Α is an integer of 0 to 6. β is an integer of 1 to 20.)
Figure 0004591625
(In Formula (3), R 5 is a hydrogen atom or a methyl group. R 6 is an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms. Γ is 2 or 3. a is the number of structural units, and the number thereof. The average value is 1-30.)
Figure 0004591625
(In Formula (4), R < 7 >, R < 8 >, R <9> , R < 10 > and R < 11 > are each independently represented by a C1-C20 alkyl group, a phenyl group, or the following formula (5). And b is an integer of 0 to 3.)
Figure 0004591625
(In Formula (5), R <12> , R <13> and R < 14 > are respectively independently a C1-C20 alkyl group or a phenyl group. C is an integer of 0-3.)

当該ポジ型感放射線性組成物は、上記特定構造の[A]重合体及び[B]光酸発生体に加えて、特定の構造を有する重合性化合物から形成された[C]共重合体が表面張力の低下性能の高い界面活性剤として機能することによって、耐熱性及び透明性という一般的な要求特性をバランス良く満たし、塗布ムラのない高度な平坦性(膜厚均一性)を有する層間絶縁膜を形成することが可能である。また、当該ポジ型感放射線性組成物は、高速での塗布が可能であると共に、優れた放射線感度を有する。   The positive radiation sensitive composition includes a [C] copolymer formed from a polymerizable compound having a specific structure in addition to the [A] polymer and [B] photoacid generator having the specific structure. By functioning as a surfactant with high surface tension reduction performance, it satisfies the general requirements of heat resistance and transparency in a well-balanced manner, and has a high level of flatness (film thickness uniformity) without coating unevenness. It is possible to form a film. The positive radiation sensitive composition can be applied at high speed and has excellent radiation sensitivity.

当該ポジ型感放射線性組成物において、[C]共重合体が、さらに(c4)炭素数1〜8の非置換アルキルエステル基を有する重合性化合物に由来する構造単位を有することが好ましい。これにより、他の成分や溶媒に対する[C]共重合体の親和性を向上させることができ、得られる層間絶縁層の膜厚均一性をより高めることができる。   In the positive radiation-sensitive composition, the [C] copolymer preferably further includes (c4) a structural unit derived from a polymerizable compound having an unsubstituted alkyl ester group having 1 to 8 carbon atoms. Thereby, the affinity of the [C] copolymer for other components and solvents can be improved, and the film thickness uniformity of the obtained interlayer insulating layer can be further increased.

当該ポジ型感放射線性組成物では、[C]共重合体が、さらに(c5)一分子中に2個以上の不飽和結合を有する重合性化合物に由来する構造単位を有することが好ましい。これにより、得られる層間絶縁膜の膜厚均一性とともに強度を高めることができ、耐熱性等の一般的特性も向上させることができる。   In the positive radiation sensitive composition, the [C] copolymer preferably further has (c5) a structural unit derived from a polymerizable compound having two or more unsaturated bonds in one molecule. Thereby, the strength can be increased together with the film thickness uniformity of the obtained interlayer insulating film, and general characteristics such as heat resistance can also be improved.

当該ポジ型感放射線性組成物では、化合物(c1)が下記式(6)で表される重合性化合物、化合物(c2)が下記式(7)で表される重合性化合物であり、
[C]共重合体が、重合性化合物(c1)〜(c5)の合計量に対して、
重合性化合物(c1)25〜35質量%、
重合性化合物(c2)20〜30質量%、
重合性化合物(c3)15〜20質量%、
重合性化合物(c4)25〜35質量%、及び
重合性化合物(c5)1〜5質量%
を含む組成物からなることが好ましい。

Figure 0004591625
(式(6)中、Rは上記式(2)におけるのと同義である。βは1〜8の整数である。)
Figure 0004591625
(式(7)中、R及びRは、それぞれ上記式(3)におけるのと同義である。構造単位数aの数平均値は4〜12である。) In the positive radiation sensitive composition, the compound (c1) is a polymerizable compound represented by the following formula (6), and the compound (c2) is a polymerizable compound represented by the following formula (7).
[C] The copolymer is based on the total amount of the polymerizable compounds (c1) to (c5).
Polymerizable compound (c1) 25-35% by mass,
Polymerizable compound (c2) 20-30% by mass,
Polymerizable compound (c3) 15-20% by mass,
Polymerizable compound (c4) 25-35 mass%, and Polymerizable compound (c5) 1-5 mass%
It is preferable to consist of a composition containing.
Figure 0004591625
(In Formula (6), R 4 has the same meaning as in Formula (2) above. Β is an integer of 1 to 8.)
Figure 0004591625
(In the formula (7), R 5 and R 6 are each the same definition as in the formula (3). The number average value of the structural unit number a is 4-12.)

このような特定構造の[C]共重合体が表面張力の低下性能が高い界面活性剤として機能し、これを少ない割合で使用した場合であっても、塗膜の表面平滑性を向上することができ、その結果、形成される層間絶縁膜の膜厚均一性をさらに向上させることができる。   The [C] copolymer having such a specific structure functions as a surfactant having a high surface tension reducing performance, and improves the surface smoothness of the coating film even when used in a small proportion. As a result, the film thickness uniformity of the formed interlayer insulating film can be further improved.

当該ポジ型感放射線性組成物は、[D]密着助剤をさらに含有することが好ましい。このような密着助剤を用いることによって、得られる硬化膜の基板への密着性を一層向上させることが可能となる。   The positive radiation sensitive composition preferably further contains [D] an adhesion assistant. By using such an adhesion assistant, it is possible to further improve the adhesion of the obtained cured film to the substrate.

当該ポジ型感放射線性組成物は、さらに、[E]塩基性化合物を含有することが好ましい。これにより、光酸発生体から発生した酸の拡散が適度に制御されて、当該ポジ型感放射線性組成物のパターン現像性を高めることが可能となる。   The positive radiation-sensitive composition preferably further contains an [E] basic compound. Thereby, the diffusion of the acid generated from the photoacid generator is appropriately controlled, and the pattern developability of the positive radiation sensitive composition can be enhanced.

また、本発明の表示素子用層間絶縁膜の形成方法は、
(1)当該ポジ型感放射線性組成物の塗膜を基板上に形成する工程、
(2)工程(1)で形成した塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程、
(3)工程(2)で放射線を照射された塗膜を現像する工程、及び
(4)工程(3)で現像された塗膜を加熱する工程
を含んでいる。
Moreover, the method for forming an interlayer insulating film for a display element of the present invention includes:
(1) The process of forming the coating film of the said positive type radiation sensitive composition on a board | substrate,
(2) A step of irradiating at least a part of the coating film formed in step (1),
(3) a step of developing the coating film irradiated with radiation in step (2), and (4) a step of heating the coating film developed in step (3).

当該方法においては、高速での塗布が可能であると共に、優れた放射線感度を有する上記ポジ型感放射線性組成物を用い、感放射線性を利用した露光・現像・加熱によってパターンを形成することによって、容易に微細かつ精巧なパターンを有する表示素子用層間絶縁膜を形成することができる。さらに、こうして形成された層間絶縁膜は、一般的な要求特性、すなわち、耐熱性及び透明性がバランス良く優れていると共に、塗布ムラがなく高度な平坦性を有する。   In this method, the positive-type radiation-sensitive composition that can be applied at high speed and has excellent radiation sensitivity is used, and a pattern is formed by exposure, development, and heating using radiation sensitivity. Thus, an interlayer insulating film for a display element having a fine and elaborate pattern can be easily formed. Furthermore, the interlayer insulating film formed in this way is excellent in general required characteristics, that is, heat resistance and transparency in a well-balanced manner, and has high flatness without application unevenness.

本明細書において、[A]成分の「重合体」は、一の重合体分子中に構造単位(1)を有し、かつその一の重合体分子とは異なる重合体分子中にエポキシ基含有構造単位を有する場合も含む概念である。   In the present specification, the “polymer” of the component [A] has the structural unit (1) in one polymer molecule and contains an epoxy group in a polymer molecule different from the one polymer molecule. It is a concept including the case of having a structural unit.

以上説明したように、本発明のポジ型感放射線性組成物は、上記[A]、[B]及び[C]成分を含んでいることによって、耐熱性及び透明性という一般的な要求特性をバランス良く満たすと共に、塗布ムラのない高度な平坦性を有する層間絶縁膜を形成することができる。また、当該ポジ型感放射線性組成物は、高速での塗布が可能であり、優れた放射線感度を発現する。   As described above, the positive radiation-sensitive composition of the present invention includes the above-mentioned [A], [B], and [C] components, thereby providing general required characteristics such as heat resistance and transparency. It is possible to form an interlayer insulating film satisfying a good balance and having high flatness without coating unevenness. In addition, the positive radiation sensitive composition can be applied at high speed and exhibits excellent radiation sensitivity.

本発明のポジ型感放射線性組成物は、同一又は異なる重合体分子中に下記式(1)で表される基を含む構造単位(以下、単に「構造単位(1)」ともいう。)とエポキシ基含有構造単位とを有する重合体(以下、単に「重合体[A]」ともいう。)、[B]光酸発生体、及び[C]特定の構造を有する重合性化合物から形成される共重合体(以下、単に「共重合体[C]」ともいう。)を含有し、さらにその他の任意成分を含有してもよい。   The positive-type radiation-sensitive composition of the present invention includes a structural unit containing a group represented by the following formula (1) in the same or different polymer molecule (hereinafter also simply referred to as “structural unit (1)”). It is formed from a polymer having an epoxy group-containing structural unit (hereinafter also simply referred to as “polymer [A]”), [B] a photoacid generator, and [C] a polymerizable compound having a specific structure. It contains a copolymer (hereinafter also referred to simply as “copolymer [C]”), and may contain other optional components.

<重合体[A]>
重合体[A]は、同一又は異なる重合体分子中に構造単位(1)とエポキシ基含有構造単位とを有しており、必要に応じてその他の構造単位を有していてもよい。構造単位(1)及びエポキシ基含有構造単位を有する重合体[A]の態様としては特に限定されず、(i)同一の重合体分子中に構造単位(1)及びエポキシ基含有構造単位の両方を有しており、重合体[A]中に1種の重合体分子が存在する場合、(ii)一の重合体分子中に構造単位(1)を有し、それとは異なる重合体分子中にエポキシ基含有構造単位を有しており、重合体[A]中に2種の重合体分子が存在する場合、(iii)一の重合体分子中に構造単位(1)及びエポキシ基含有構造単位の両方を有し、それとは異なる重合体分子中に構造単位(1)を有し、これらとはさらに異なる重合体分子中にエポキシ基含有構造単位を有しており、重合体[A]中に3種の重合体分子が存在する場合、(iv)(i)〜(iii)に規定の重合体分子に加え、重合体[A]中にさらに別の1種又は2種以上の重合体分子を含む場合等が挙げられる。いずれの場合であっても本発明の効果を享受することができる。以下、構造単位(1)、エポキシ基含有構造単位及びその他の構造単位について順に説明する。
<Polymer [A]>
The polymer [A] has the structural unit (1) and the epoxy group-containing structural unit in the same or different polymer molecules, and may have other structural units as necessary. The embodiment of the polymer [A] having the structural unit (1) and the epoxy group-containing structural unit is not particularly limited, and (i) both the structural unit (1) and the epoxy group-containing structural unit in the same polymer molecule. In the case where one polymer molecule is present in the polymer [A], (ii) in one polymer molecule, the structural unit (1) is present in a different polymer molecule. When the polymer [A] has two polymer molecules in the polymer [A], (iii) the structural unit (1) and the epoxy group-containing structure in one polymer molecule. Having both of the units, the structural unit (1) in a different polymer molecule, and further having an epoxy group-containing structural unit in a different polymer molecule, the polymer [A] When three polymer molecules are present in (iv) (i) to (iii), The addition to the polymer molecule, etc. When the polymer [A] comprising one or more polymer molecules yet another during the like. In either case, the effects of the present invention can be enjoyed. Hereinafter, the structural unit (1), the epoxy group-containing structural unit, and other structural units will be described in order.

<構造単位(1)>
構造単位(1)では、上記式(1)で表される基が、酸の存在下で解離して極性基を生じる基(以下、単に「酸解離性基」ともいう。)として存在しているので、放射線の照射により光酸発生体から生じた酸により酸解離性基が解離し、その結果、アルカリ不溶性であった重合体[A]はアルカリ可溶性となる。上記酸解離性基は、アルカリに対しては比較的安定なアセタール構造又はケタール構造を有しており、これらが酸の作用によって解離することとなる。
<Structural unit (1)>
In the structural unit (1), the group represented by the above formula (1) exists as a group that dissociates in the presence of an acid to generate a polar group (hereinafter, also simply referred to as “acid-dissociable group”). Therefore, the acid-dissociable group is dissociated by the acid generated from the photoacid generator upon irradiation with radiation, and as a result, the polymer [A] that has been alkali-insoluble becomes alkali-soluble. The acid dissociable group has an acetal structure or a ketal structure that is relatively stable with respect to an alkali, and these are dissociated by the action of an acid.

上記式(1)においてR及びRで表されるアルキル基としては、好ましくは炭素数1〜30の直鎖状及び分岐状アルキル基が挙げられ、このアルキル鎖中に酸素原子、硫黄原子、窒素原子を有していてもよい。上記アルキル基の具体例としては、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−オクチル基、n−ドデシル基、n−テトラデシル基、n−オクタデシル基等の直鎖状アルキル基、i−プロピル基、i−ブチル基、t−ブチル基、ネオペンチル基、2−ヘキシル基、3−ヘキシル基等の分岐状アルキル基を挙げることができる。 In the above formula (1), the alkyl group represented by R 1 and R 2 is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, and an oxygen atom and a sulfur atom in the alkyl chain. And may have a nitrogen atom. Specific examples of the alkyl group include, for example, methyl group, ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, n-octyl group, n-dodecyl group, and n-tetradecyl group. A branched alkyl group such as a straight-chain alkyl group such as n-octadecyl group, i-propyl group, i-butyl group, t-butyl group, neopentyl group, 2-hexyl group, 3-hexyl group Can do.

上記式(1)においてR及びRで表されるシクロアルキル基としては、好ましくは炭素数3〜20のシクロアルキル基であり、多環でもよく、環内に酸素原子を有していてもよい。上記シクロアルキル基の具体例としては、例えばシクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル、シクロオクチル、ボルニル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等を挙げることができる。 In the above formula (1), the cycloalkyl group represented by R 1 and R 2 is preferably a cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms, may be polycyclic, and has an oxygen atom in the ring. Also good. Specific examples of the cycloalkyl group include cyclopropyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl, cyclooctyl, bornyl group, norbornyl group, adamantyl group and the like.

上記式(1)においてR及びRで表されるアリール基としては、好ましくは炭素数6〜14のアリール基であり、単環でもよく、単環が連結した構造であってもよく、縮合環であってもよい。上記アリール基の具体例としては、例えばフェニル基、ナフチル基等を挙げることができる。 In the above formula (1), the aryl group represented by R 1 and R 2 is preferably an aryl group having 6 to 14 carbon atoms, which may be a single ring or a structure in which single rings are connected, It may be a condensed ring. Specific examples of the aryl group include a phenyl group and a naphthyl group.

上記R及びRの水素原子の一部又は全部は置換基で置換されていてもよい。このような置換基としては、例えばハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、カルボニル基、シクロアルキル基(このシクロアルキル基としては、上記シクロアルキル基の説明を好適に適用することができる。)、アリール基(このアリール基としては、上記アリール基の説明を好適に適用することができる。)、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜20のアルコキシ基であり、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、n−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基等が挙げられる。)、アシル基(好ましくは炭素数2〜20のアシル基であり、例えばアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、i−ブチリル基等が挙げられる。)、アシロキシ基(好ましくは炭素数2〜10のアシロキシ基であり、例えば、アセトキシ基、エチリルオキシ基、ブチリルオキシ基、t−ブチリルオキシ基、t−アミリルオキシ基等が挙げられる。)、アルコキシカルボニル基(好ましくは炭素数2〜20のアルコキシカルボニル基であり、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基等が挙げられる。)、ハロアルキル基(上記アルキル基又はシクロアルキル基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基であり、例えば、パーフルオロメチル基、パーフルオロエチル基、パーフルオロプロピル基、フルオロシクロプロピル基、フルオロシクロブチル基等が挙げられる。)等が挙げられる。アリール基、シクロアルキル基等における環状構造については、さらなる置換基としては上記アルキル基を挙げることができる。 Some or all of the hydrogen atoms of R 1 and R 2 may be substituted with a substituent. As such a substituent, for example, a halogen atom, a hydroxyl group, a nitro group, a cyano group, a carboxyl group, a carbonyl group, a cycloalkyl group (for this cycloalkyl group, the description of the cycloalkyl group can be preferably applied. ), An aryl group (as the aryl group, the description of the aryl group can be preferably applied), an alkoxy group (preferably an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, such as a methoxy group, ethoxy Group, propoxy group, n-butoxy group, pentyloxy group, hexyloxy group, heptyloxy group, octyloxy group, etc.), acyl group (preferably an acyl group having 2 to 20 carbon atoms, for example, acetyl Group, propionyl group, butyryl group, i-butyryl group, etc.), acyloxy group (preferably An acyloxy group having 2 to 10 carbon atoms, for example, an acetoxy group, an ethylyloxy group, a butyryloxy group, a t-butyryloxy group, a t-amylyloxy group, etc.), an alkoxycarbonyl group (preferably having a carbon number of 2 to 20). An alkoxycarbonyl group, for example, a methoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group, a propoxycarbonyl group, etc.), a haloalkyl group (a part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group or cycloalkyl group are substituted with halogen atoms). And examples thereof include a perfluoromethyl group, a perfluoroethyl group, a perfluoropropyl group, a fluorocyclopropyl group, and a fluorocyclobutyl group. As for the cyclic structure in the aryl group, cycloalkyl group and the like, examples of the further substituent include the above alkyl groups.

上記式(1)においてRで表されるアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基はR及びRでの説明を適用することができる。上記式(1)においてRで表されるアラルキル基としては、好ましくは炭素数7〜20のアラルキル基が挙げられ、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基等が挙げられる。上記式(1)においてRの−M(R3mで表される基としては、例えばトリメチルシラニル基、トリメチルゲルミル基等が挙げられる。このRで表されるアラルキル基又は−M(R3mで表される基の水素原子の一部又は全部を置換していてもよい置換基としては、上記置換基を好適に採用することができる。 In the above formula (1), the description of R 1 and R 2 can be applied to the alkyl group, cycloalkyl group and aryl group represented by R 3 . In the above formula (1), the aralkyl group represented by R 3 is preferably an aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms, and examples thereof include a benzyl group, a phenethyl group, a naphthylmethyl group, and a naphthylethyl group. . The group represented by -M (R 3m) 3 of R 3 in the above formula (1), for example trimethylsilanyl group, trimethylgermyl group and the like. As the substituent which may substitute part or all of the hydrogen atoms of the aralkyl group represented by R 3 or the group represented by —M (R 3m ) 3 , the above substituents are preferably employed. be able to.

とRとが連結して環状エーテルを形成してもよい。このような環状エーテルとしては、例えば2−オキセタニル基、2−テトラヒドロフラニル基、2−テトラヒドロピラニル基、2−ジオキサニル基等が挙げられる。この環状エーテルの水素原子の一部又は全部は上記置換基で置換されていてもよい。 R 1 and R 3 may be linked to form a cyclic ether. Examples of such cyclic ethers include 2-oxetanyl group, 2-tetrahydrofuranyl group, 2-tetrahydropyranyl group, 2-dioxanyl group and the like. Part or all of the hydrogen atoms of this cyclic ether may be substituted with the above substituents.

構造単位(1)は、他の炭素原子に結合することによりアセタール構造又はケタール構造を有することとなるべき官能基を有することにより、そのアセタール構造又はケタール構造を持つことができる。   The structural unit (1) can have an acetal structure or a ketal structure by having a functional group that should have an acetal structure or a ketal structure by bonding to another carbon atom.

上記他の炭素原子に結合することによりアセタール構造を有することとなるべき官能基としては、例えば1−メトキシエトキシ基、1−エトキシエトキシ基、1−n−プロポキシエトキシ基、1−i−プロポキシエトキシ基、1−n−ブトキシエトキシ基、1−i−ブトキシエトキシ基、1−sec−ブトキシエトキシ基、1−t−ブトキシエトキシ基、1−シクロペンチルオキシエトキシ基、1−シクロヘキシルオキシエトキシ基、1−ノルボルニルオキシエトキシ基、1−ボルニルオキシエトキシ基、1−フェニルオキシエトキシ基、1−(1−ナフチルオキシ)エトキシ基、1−ベンジルオキシエトキシ基、1−フェネチルオキシエトキシ基、(シクロヘキシル)(メトキシ)メトキシ基、(シクロヘキシル)(エトキシ)メトキシ基、(シクロヘキシル)(n−プロポキシ)メトキシ基、(シクロヘキシル)(i−プロポキシ)メトキシ基、(シクロヘキシル)(シクロヘキシルオキシ)メトキシ基、(シクロヘキシル)(フェノキシ)メトキシ基、(シクロヘキシル)(ベンジルオキシ)メトキシ基、(フェニル)(メトキシ)メトキシ基、(フェニル)(エトキシ)メトキシ基、(フェニル)(n−プロポキシ)メトキシ基、(フェニル)(i−プロポキシ)メトキシ基、(フェニル)(シクロヘキシルオキシ)メトキシ基、(フェニル)(フェノキシ)メトキシ基、(フェニル)(ベンジルオキシ)メトキシ基、(ベンジル)(メトキシ)メトキシ基、(ベンジル)(エトキシ)メトキシ基、(ベンジル)(n−プロポキシ)メトキシ基、(ベンジル)(i−プロポキシ)メトキシ基、(ベンジル)(シクロヘキシルオキシ)メトキシ基、(ベンジル)(フェノキシ)メトキシ基、(ベンジル)(ベンジルオキシ)メトキシ基、2−テトラヒドロフラニルオキシ基、2−テトラヒドロピラニルオキシ基、1−トリメチルシラニルオキシエトキシ基、1−トリメチルゲルミルオキシエトキシ基等を挙げることができる。   Examples of the functional group that should have an acetal structure by bonding to the other carbon atom include 1-methoxyethoxy group, 1-ethoxyethoxy group, 1-n-propoxyethoxy group, 1-i-propoxyethoxy. Group, 1-n-butoxyethoxy group, 1-i-butoxyethoxy group, 1-sec-butoxyethoxy group, 1-t-butoxyethoxy group, 1-cyclopentyloxyethoxy group, 1-cyclohexyloxyethoxy group, 1- Norbornyloxyethoxy group, 1-bornyloxyethoxy group, 1-phenyloxyethoxy group, 1- (1-naphthyloxy) ethoxy group, 1-benzyloxyethoxy group, 1-phenethyloxyethoxy group, (cyclohexyl) (Methoxy) methoxy group, (cyclohexyl) (ethoxy) methoxy group (Cyclohexyl) (n-propoxy) methoxy group, (cyclohexyl) (i-propoxy) methoxy group, (cyclohexyl) (cyclohexyloxy) methoxy group, (cyclohexyl) (phenoxy) methoxy group, (cyclohexyl) (benzyloxy) methoxy group , (Phenyl) (methoxy) methoxy group, (phenyl) (ethoxy) methoxy group, (phenyl) (n-propoxy) methoxy group, (phenyl) (i-propoxy) methoxy group, (phenyl) (cyclohexyloxy) methoxy group , (Phenyl) (phenoxy) methoxy group, (phenyl) (benzyloxy) methoxy group, (benzyl) (methoxy) methoxy group, (benzyl) (ethoxy) methoxy group, (benzyl) (n-propoxy) methoxy group, Benzyl) (i-propo Ii) methoxy group, (benzyl) (cyclohexyloxy) methoxy group, (benzyl) (phenoxy) methoxy group, (benzyl) (benzyloxy) methoxy group, 2-tetrahydrofuranyloxy group, 2-tetrahydropyranyloxy group, 1 -A trimethylsilanyloxyethoxy group, a 1-trimethylgermyloxyethoxy group, etc. can be mentioned.

これらのうち、1−エトキシエトキシ基、1−シクロヘキシルオキシエトキシ基、2−テトラヒドロピラニルオキシ基、1−n−プロポキシエトキシ基、2−テトラヒドロピラニルオキシ基を好ましいものとして挙げることができる。   Among these, 1-ethoxyethoxy group, 1-cyclohexyloxyethoxy group, 2-tetrahydropyranyloxy group, 1-n-propoxyethoxy group, and 2-tetrahydropyranyloxy group can be mentioned as preferable examples.

上記他の炭素原子に結合することにより、ケタール構造を有することとなるべき官能基としては、例えば、1−メチル−1−メトキシエトキシ基、1−メチル−1−エトキシエトキシ基、1−メチル−1−n−プロポキシエトキシ基、1−メチル−1−i−プロポキシエトキシ基、1−メチル−1−n−ブトキシエトキシ基、1−メチル−1−i−ブトキシエトキシ基、1−メチル−1−sec−ブトキシエトキシ基、1−メチル−1−t−ブトキシエトキシ基、1−メチル−1−シクロペンチルオキシエトキシ基、1−メチル−1−シクロヘキシルオキシエトキシ基、1−メチル−1−ノルボルニルオキシエトキシ基、1−メチル−1−ボルニルオキシエトキシ基、1−メチル−1−フェニルオキシエトキシ基、1−メチル−1−(1−ナフチルオキシ)エトキシ基、1−メチル−1−ベンジルオオキシエトキシ基、1−メチル−1−フェネチルオキシエトキシ基、1−シクロヘキシル−1−メトキシエトキシ基、1−シクロヘキシル−1−エトキシエトキシ基、1−シクロヘキシル−1−n−プロポキシエトキシ基、1−シクロヘキシル−1−i−プロポキシエトキシ基、1−シクロヘキシル−1−シクロヘキシルオキシエトキシ基、1−シクロヘキシル−1−フェノキシエトキシ基、1−シクロヘキシル−1−ベンジルオキシエトキシ基、1−フェニル−1−メトキシエトキシ基、1−フェニル−1−エトキシエトキシ基、1−フェニル−1−n−プロポキシエトキシ基、1−フェニル−1−i−プロポキシエトキシ基、1−フェニル−1−シクロヘキシルオキシエトキシ基、1−フェニル−1−フェニルオキシエトキシ基、1−フェニル−1−ベンジルオキシエトキシ基、1−ベンジル−1−メトキシエトキシ基、1−ベンジル−1−エトキシエトキシ基、1−ベンジル−1−n−プロポキシエトキシ基、1−ベンジル−1−i−プロポキシエトキシ基、1−ベンジル−1−シクロヘキシルオキシエトキシ基、1−ベンジル−1−フェニルオキシエトキシ基、1−ベンジル−1−ベンジルオキシエトキシ基、2−(2−メチル−テトラヒドロフラニル)オキシ基、2−(2−メチル−テトラヒドロピラニル)オキシ基、1−メトキシ−シクロペンチルオキシ基、1−メトキシ−シクロヘキシルオキシ基等を挙げることができる。   Examples of the functional group that should have a ketal structure by bonding to the other carbon atom include 1-methyl-1-methoxyethoxy group, 1-methyl-1-ethoxyethoxy group, 1-methyl- 1-n-propoxyethoxy group, 1-methyl-1-i-propoxyethoxy group, 1-methyl-1-n-butoxyethoxy group, 1-methyl-1-i-butoxyethoxy group, 1-methyl-1- sec-butoxyethoxy group, 1-methyl-1-t-butoxyethoxy group, 1-methyl-1-cyclopentyloxyethoxy group, 1-methyl-1-cyclohexyloxyethoxy group, 1-methyl-1-norbornyloxy Ethoxy group, 1-methyl-1-bornyloxyethoxy group, 1-methyl-1-phenyloxyethoxy group, 1-methyl-1- (1-na Tiloxy) ethoxy group, 1-methyl-1-benzyloxyoxyethoxy group, 1-methyl-1-phenethyloxyethoxy group, 1-cyclohexyl-1-methoxyethoxy group, 1-cyclohexyl-1-ethoxyethoxy group, 1- Cyclohexyl-1-n-propoxyethoxy group, 1-cyclohexyl-1-i-propoxyethoxy group, 1-cyclohexyl-1-cyclohexyloxyethoxy group, 1-cyclohexyl-1-phenoxyethoxy group, 1-cyclohexyl-1-benzyl Oxyethoxy group, 1-phenyl-1-methoxyethoxy group, 1-phenyl-1-ethoxyethoxy group, 1-phenyl-1-n-propoxyethoxy group, 1-phenyl-1-i-propoxyethoxy group, Phenyl-1-cyclohexyloxyethoxy group 1-phenyl-1-phenyloxyethoxy group, 1-phenyl-1-benzyloxyethoxy group, 1-benzyl-1-methoxyethoxy group, 1-benzyl-1-ethoxyethoxy group, 1-benzyl-1-n- Propoxyethoxy group, 1-benzyl-1-i-propoxyethoxy group, 1-benzyl-1-cyclohexyloxyethoxy group, 1-benzyl-1-phenyloxyethoxy group, 1-benzyl-1-benzyloxyethoxy group, 2 -(2-Methyl-tetrahydrofuranyl) oxy group, 2- (2-methyl-tetrahydropyranyl) oxy group, 1-methoxy-cyclopentyloxy group, 1-methoxy-cyclohexyloxy group and the like can be mentioned.

これらのうち、1−メチル−1−メトキシエトキシ基、1−メチル−1−シクロヘキシルオキシエトキシ基を好ましいものとして挙げることができる。   Among these, 1-methyl-1-methoxyethoxy group and 1-methyl-1-cyclohexyloxyethoxy group can be mentioned as preferable ones.

上記アセタール構造又はケタール構造を有する構造単位(1)の具体例としては、例えば下記式(1−1)〜(1−3)で表される構造単位が挙げられる。   Specific examples of the structural unit (1) having the acetal structure or ketal structure include structural units represented by the following formulas (1-1) to (1-3).

Figure 0004591625
(式(1−1)及び(1−3)中、R´は水素原子又はメチル基である。R、R及びRは上記式(1)の説明と同義である。)
Figure 0004591625
(In formulas (1-1) and (1-3), R ′ is a hydrogen atom or a methyl group. R 1 , R 2, and R 3 have the same meanings as those in formula (1) above.)

上記式(1−1)〜(1−3)で表される構造単位(1)を与えるラジカル重合性を有する単量体(以下、単に「アセタール構造含有単量体」ともいう。)としては、例えば
1−アルコキシアルキル(メタ)アクリレート、1−(シクロアルキルオキシ)アルキル(メタ)アクリレート、1−(ハロアルコキシ)アルキル(メタ)アクリレート、1−(アラルキルオキシ)アルキル(メタ)アクリレート、テトラヒドロピラニル(メタ)アクリレート等の(メタ)アクリレート系アセタール構造含有単量体;
2,3−ジ(1−(トリアルキルシラニルオキシ)アルコキシ)カルボニル)−5−ノルボルネン、2,3−ジ(1−(トリアルキルゲルミルオキシ)アルコキシ)カルボニル)−5−ノルボルネン、2,3−ジ(1−アルコキシアルコキシカルボニル)−5−ノルボルネン、2,3−ジ(1−(シクロアルキルオキシ)アルコキシカルボニル)−5−ノルボルネン、2,3−ジ(1−(アラルキルオキシ)アルコキシカルボニル)−5−ノルボルネン等のノルボルネン系アセタール構造含有単量体;
1−アルコキシアルコキシスチレン、1−(ハロアルコキシ)アルコキシスチレン、1−(アラルキルオキシ)アルコキシスチレン、テトラヒドロピラニルオキシスチレン等のスチレン系アセタール構造含有単量体
が挙げられる。
As a monomer having radical polymerizability that gives the structural unit (1) represented by the above formulas (1-1) to (1-3) (hereinafter also simply referred to as “acetal structure-containing monomer”). For example, 1-alkoxyalkyl (meth) acrylate, 1- (cycloalkyloxy) alkyl (meth) acrylate, 1- (haloalkoxy) alkyl (meth) acrylate, 1- (aralkyloxy) alkyl (meth) acrylate, tetrahydropyrani (Meth) acrylate-based acetal structure-containing monomers such as ru (meth) acrylate;
2,3-di (1- (trialkylsilanyloxy) alkoxy) carbonyl) -5-norbornene, 2,3-di (1- (trialkylgermyloxy) alkoxy) carbonyl) -5-norbornene, 2, 3-di (1-alkoxyalkoxycarbonyl) -5-norbornene, 2,3-di (1- (cycloalkyloxy) alkoxycarbonyl) -5-norbornene, 2,3-di (1- (aralkyloxy) alkoxycarbonyl ) Norbornene-based acetal structure-containing monomers such as -5-norbornene;
Examples thereof include styrene acetal structure-containing monomers such as 1-alkoxyalkoxystyrene, 1- (haloalkoxy) alkoxystyrene, 1- (aralkyloxy) alkoxystyrene, and tetrahydropyranyloxystyrene.

これらの中で、1−アルコキシアルキル(メタ)アクリレート、テトラヒドロピラニル(メタ)アクリレート、1−アルコキシアルコキシスチレン、テトラヒドロピラニルオキシスチレンが好ましく、1−アルコキシアルキル(メタ)アクリレートがより好ましい。   Among these, 1-alkoxyalkyl (meth) acrylate, tetrahydropyranyl (meth) acrylate, 1-alkoxyalkoxystyrene, and tetrahydropyranyloxystyrene are preferable, and 1-alkoxyalkyl (meth) acrylate is more preferable.

上記構成単位(1)を与えるアセタール構造含有単量体の具体例としては、例えば、
1−エトキシエチルメタクリレート、1−メトキシエチルメタクリレート、1−n−ブトキシエチルメタクリレート、1−イソブトキシエチルメタクリレート、1−t−ブトキシエチルメタクリレート、1−(2−クロルエトキシ)エチルメタクリレート、1−(2−エチルヘキシルオキシ)エチルメタクリレート、1−n−プロポキシエチルメタクリレート、1−シクロヘキシルオキシエチルメタクリレート、1−(2−シクロヘキシルエトキシ)エチルメタクリレート、1−ベンジルオキシエチルメタクリレート、2−テトラヒドロピラニルメタクリレート、
1−エトキシエチルアクリレート、1−メトキシエチルアクリレート、1−n−ブトキシエチルアクリレート、1−イソブトキシエチルアクリレート、1−t−ブトキシエチルアクリレート、1−(2−クロルエトキシ)エチルアクリレート、1−(2−エチルヘキシルオキシ)エチルアクリレート、1−n−プロポキシエチルアクリレート、1−シクロヘキシルオキシエチルアクリレート、1−(2−シクロヘキシルエトキシ)エチルアクリレート、1−ベンジルオキシエチルアクリレート、2−テトラヒドロピラニルアクリレート、
2,3−ジ(1−(トリメチルシラニルオキシ)エトキシ)カルボニル)−5−ノルボルネン、2,3−ジ(1−(トリメチルゲルミルオキシ)エトキシ)カルボニル)−5−ノルボルネン、2,3−ジ(1−メトキシエトキシカルボニル)−5−ノルボルネン、2,3−ジ(1−(シクロヘキシルオキシ)エトキシカルボニル)−5−ノルボルネン、2,3−ジ(1−(ベンジルオキシ)エトキシカルボニル)−5−ノルボルネン、
p又はm−1−エトキシエトキシスチレン、p又はm−1−メトキシエトキシスチレン、p又はm−1−n−ブトキシエトキシスチレン、p又はm−1−イソブトキシエトキシスチレン、p又はm−1−(1,1−ジメチルエトキシ)エトキシスチレン、p又はm−1−(2−クロルエトキシ)エトキシスチレン、p又はm−1−(2−エチルヘキシルオキシ)エトキシスチレン、p又はm−1−n−プロポキシエトキシスチレン、p又はm−1−シクロヘキシルオキシエトキシスチレン、p又はm−1−(2−シクロヘキシルエトキシ)エトキシスチレン、p又はm−1−ベンジルオキシエトキシスチレン
等を挙げることができる。上記構造単位(1)は、1種又は2種以上組み合わせて用いることができる。
Specific examples of the acetal structure-containing monomer that gives the structural unit (1) include, for example,
1-ethoxyethyl methacrylate, 1-methoxyethyl methacrylate, 1-n-butoxyethyl methacrylate, 1-isobutoxyethyl methacrylate, 1-t-butoxyethyl methacrylate, 1- (2-chloroethoxy) ethyl methacrylate, 1- (2 -Ethylhexyloxy) ethyl methacrylate, 1-n-propoxyethyl methacrylate, 1-cyclohexyloxyethyl methacrylate, 1- (2-cyclohexylethoxy) ethyl methacrylate, 1-benzyloxyethyl methacrylate, 2-tetrahydropyranyl methacrylate,
1-ethoxyethyl acrylate, 1-methoxyethyl acrylate, 1-n-butoxyethyl acrylate, 1-isobutoxyethyl acrylate, 1-t-butoxyethyl acrylate, 1- (2-chloroethoxy) ethyl acrylate, 1- (2 -Ethylhexyloxy) ethyl acrylate, 1-n-propoxyethyl acrylate, 1-cyclohexyloxyethyl acrylate, 1- (2-cyclohexylethoxy) ethyl acrylate, 1-benzyloxyethyl acrylate, 2-tetrahydropyranyl acrylate,
2,3-di (1- (trimethylsilanyloxy) ethoxy) carbonyl) -5-norbornene, 2,3-di (1- (trimethylgermyloxy) ethoxy) carbonyl) -5-norbornene, 2,3- Di (1-methoxyethoxycarbonyl) -5-norbornene, 2,3-di (1- (cyclohexyloxy) ethoxycarbonyl) -5-norbornene, 2,3-di (1- (benzyloxy) ethoxycarbonyl) -5 -Norbornene,
p or m-1-ethoxyethoxystyrene, p or m-1-methoxyethoxystyrene, p or m-1-n-butoxyethoxystyrene, p or m-1-isobutoxyethoxystyrene, p or m-1- ( 1,1-dimethylethoxy) ethoxystyrene, p or m-1- (2-chloroethoxy) ethoxystyrene, p or m-1- (2-ethylhexyloxy) ethoxystyrene, p or m-1-n-propoxyethoxy Examples include styrene, p or m-1-cyclohexyloxyethoxystyrene, p or m-1- (2-cyclohexylethoxy) ethoxystyrene, p or m-1-benzyloxyethoxystyrene. The said structural unit (1) can be used 1 type or in combination of 2 or more types.

上記構成単位(1)を与えるアセタール構造含有単量体の中でも、1−エトキシエチルメタクリレート、1−n−ブトキシエチルメタクリレート、2−テトラヒドロピラニルメタクリレート、1−ベンジルオキシエチルメタクリレートが好ましい。   Among the acetal structure-containing monomers that give the structural unit (1), 1-ethoxyethyl methacrylate, 1-n-butoxyethyl methacrylate, 2-tetrahydropyranyl methacrylate, and 1-benzyloxyethyl methacrylate are preferable.

構造単位(1)を与えるアセタール構造含有単量体は、市販のものを用いてもよいし、公知の方法で合成したものを用いることもできる。例えば、上記式(1−1)で表される構造単位(1)を与えるアセタール構造含有単量体は、下記に示すように(メタ)アクリル酸を酸触媒の存在下でビニルエーテルと反応させることにより合成することができる。   A commercially available thing may be used for the acetal structure containing monomer which gives structural unit (1), and what was synthesize | combined by the well-known method can also be used. For example, the acetal structure-containing monomer that gives the structural unit (1) represented by the above formula (1-1) reacts (meth) acrylic acid with vinyl ether in the presence of an acid catalyst as shown below. Can be synthesized.

Figure 0004591625
(式中、R´、R及びRは、それぞれ上記式(1−1)におけるR´、R及びRに対応し、R21及びR22は、−CH(R21)(R22)として、上記式(1−1)におけるRに対応する。)
Figure 0004591625
(In the formula, R ′, R 1 and R 3 respectively correspond to R ′, R 1 and R 3 in the above formula (1-1), and R 21 and R 22 represent —CH (R 21 ) (R 22 ) corresponds to R 2 in the above formula (1-1).)

重合体[A]における構造単位(1)の含有量としては、重合体[A]が酸によりアルカリ可溶性を示し、硬化膜の所望の耐熱性が発揮される限り特に限定されず、一の重合体分子に構造単位(1)とエポキシ基含有構造単位とを両方含む場合、重合体[A]に含まれる全構造単位に対して、単量体仕込み比で、5質量%以上70質量%以下が好ましく、10質量%以上60質量%以下がより好ましく、20質量%以上50質量%以下が特に好ましい。   The content of the structural unit (1) in the polymer [A] is not particularly limited as long as the polymer [A] exhibits alkali solubility with an acid and exhibits the desired heat resistance of the cured film. When the polymer molecule contains both the structural unit (1) and the epoxy group-containing structural unit, the monomer charge ratio is 5% by mass or more and 70% by mass or less with respect to all the structural units contained in the polymer [A]. Is preferably 10% by mass or more and 60% by mass or less, and particularly preferably 20% by mass or more and 50% by mass or less.

一方、一の重合体分子に構造単位(1)を有し、かつこれとは異なる重合体分子にエポキシ基含有構造単位を有する場合、構造単位(1)を有するその一の重合体分子における構造単位(1)の含有量としては、その重合体分子に含まれる全構造単位に対して、単量体仕込み比で、40質量%以上99質量%以下が好ましく、50質量%以上98質量%以下がより好ましく、55質量%以上95質量%以下が特に好ましい。   On the other hand, when one polymer molecule has the structural unit (1) and the polymer molecule different from this has an epoxy group-containing structural unit, the structure in the one polymer molecule having the structural unit (1) The content of the unit (1) is preferably 40% by mass or more and 99% by mass or less, more preferably 50% by mass or more and 98% by mass or less, based on the monomer charge ratio with respect to all the structural units contained in the polymer molecule. Is more preferable, and 55 mass% or more and 95 mass% or less are especially preferable.

<エポキシ基含有構造単位>
重合体[A]は、上記構造単位(1)と共に、エポキシ基含有構造単位を有する。エポキシ基含有構造単位は、ラジカル重合性を有するエポキシ基含有単量体に由来する構造単位である。このエポキシ基としては、オキシラニル基(1,2−エポキシ構造)、オキセタニル基(1,3−エポキシ構造)が挙げられる。重合体[A]が分子中にオキシラニル基又はオキセタニル基等を含む構造単位を有することで、当該ポジ型感放射線性組成物から得られる硬化膜の硬度を向上させて耐熱性をさらに高めることができる。
<Epoxy group-containing structural unit>
The polymer [A] has an epoxy group-containing structural unit together with the structural unit (1). The epoxy group-containing structural unit is a structural unit derived from an epoxy group-containing monomer having radical polymerizability. Examples of the epoxy group include an oxiranyl group (1,2-epoxy structure) and an oxetanyl group (1,3-epoxy structure). When the polymer [A] has a structural unit containing an oxiranyl group or an oxetanyl group in the molecule, the hardness of the cured film obtained from the positive radiation-sensitive composition can be improved to further increase the heat resistance. it can.

上記エポキシ基含有構造単位を与えるエポキシ基含有単量体の具体例としては、例えば
アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル、アクリル酸−3,4−エポキシブチル、メタクリル酸−3,4−エポキシブチル、アクリル酸−3−メチル−3,4−エポキシブチル、メタクリル酸−3−エチル−3,4−エポキシブチル、アクリル酸−5,6−エポキシヘキシル、メタクリル酸−5,6−エポキシヘキシル、メタクリル酸−5−メチル−5,6−エポキシヘキシル、メタクリル酸−5−エチル−5,6−エポキシヘキシル、アクリル酸−6,7−エポキシヘプチル、メタクリル酸−6,7−エポキシヘプチル、
Specific examples of the epoxy group-containing monomer that gives the epoxy group-containing structural unit include, for example, glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, acrylic acid-3,4-epoxybutyl, methacrylic acid-3,4-epoxybutyl, and acrylic. Acid-3-methyl-3,4-epoxybutyl, methacrylate-3-ethyl-3,4-epoxybutyl, acrylic acid-5,6-epoxyhexyl, methacrylic acid-5,6-epoxyhexyl, methacrylic acid 5-methyl-5,6-epoxyhexyl, methacrylic acid-5-ethyl-5,6-epoxyhexyl, acrylic acid-6,7-epoxyheptyl, methacrylic acid-6,7-epoxyheptyl,

3,4−エポキシシクロへキシルメタクリレート、3,4−エポキシシクロへキシルメチルメタクリレート、3,4−エポキシシクロへキシルエチルメタクリレート、3,4−エポキシシクロへキシルプロピルメタクリレート、3,4−エポキシシクロへキシルブチルメタクリレート、3,4−エポキシシクロへキシルヘキシルメタクリレート、3,4−エポキシシクロへキシルアクリレート、3,4−エポキシシクロへキシルメチルアクリレート、3,4−エポキシシクロへキシルエチルアクリレート、3,4−エポキシシクロへキシルプロピルアクリレート、3,4−エポキシシクロへキシルブチルアクリレート、3,4−エポキシシクロへキシルヘキシルアクリレート等のオキシラニル基含有(メタ)アクリル系化合物;   3,4-epoxycyclohexyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohexylethyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohexylpropyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohex Xylbutyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohexylhexyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohexyl acrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl acrylate, 3,4-epoxycyclohexylethyl acrylate, 3,4 -Oxylanyl group-containing (meth) acrylic compounds such as epoxycyclohexylpropyl acrylate, 3,4-epoxycyclohexylbutyl acrylate, 3,4-epoxycyclohexylhexyl acrylate;

o−ビニルベンジルグリシジルエーテル、m−ビニルベンジルグリシジルエーテル、p−ビニルベンジルグリシジルエーテル、α−メチル−o−ビニルベンジルグリシジルエーテル、α−メチル−m−ビニルベンジルグリシジルエーテル、α−メチル−p−ビニルベンジルグリシジルエーテル等のビニルベンジルグリシジルエーテル類;
o−ビニルフェニルグリシジルエーテル、m−ビニルフェニルグリシジルエーテル、p−ビニルフェニルグリシジルエーテル等のビニルフェニルグリシジルエーテル類;
o-vinyl benzyl glycidyl ether, m-vinyl benzyl glycidyl ether, p-vinyl benzyl glycidyl ether, α-methyl-o-vinyl benzyl glycidyl ether, α-methyl-m-vinyl benzyl glycidyl ether, α-methyl-p-vinyl Vinyl benzyl glycidyl ethers such as benzyl glycidyl ether;
vinyl phenyl glycidyl ethers such as o-vinyl phenyl glycidyl ether, m-vinyl phenyl glycidyl ether, p-vinyl phenyl glycidyl ether;

3−(アクリロイルオキシメチル)オキセタン、3−(アクリロイルオキシメチル)−3−メチルオキセタン、3−(アクリロイルオキシメチル)−3−エチルオキセタン、3−(アクリロイルオキシメチル)−3−フェニルオキセタン、3−(2−アクリロイルオキシエチル)オキセタン、3−(2−アクリロイルオキシエチル)−3−エチルオキセタン、3−(2−アクリロイルオキシエチル)−3−エチルオキセタン、3−(2−アクリロイルオキシエチル)−3−フェニルオキセタン、   3- (acryloyloxymethyl) oxetane, 3- (acryloyloxymethyl) -3-methyloxetane, 3- (acryloyloxymethyl) -3-ethyloxetane, 3- (acryloyloxymethyl) -3-phenyloxetane, 3- (2-acryloyloxyethyl) oxetane, 3- (2-acryloyloxyethyl) -3-ethyloxetane, 3- (2-acryloyloxyethyl) -3-ethyloxetane, 3- (2-acryloyloxyethyl) -3 -Phenyloxetane,

3−(メタクリロイルオキシメチル)オキセタン、3−(メタクリロイルオキシメチル)−3−メチルオキセタン、3−(メタクリロイルオキシメチル)−3−エチルオキセタン、3−(メタクリロイルオキシメチル)−3−フェニルオキセタン、3−(2−メタクリロイルオキシエチル)オキセタン、3−(2−メタクリロイルオキシエチル)−3−エチルオキセタン、3−(2−メタクリロイルオキシエチル)−3−エチルオキセタン、3−(2−メタクリロイルオキシエチル)−3−フェニルオキセタン、   3- (methacryloyloxymethyl) oxetane, 3- (methacryloyloxymethyl) -3-methyloxetane, 3- (methacryloyloxymethyl) -3-ethyloxetane, 3- (methacryloyloxymethyl) -3-phenyloxetane, 3- (2-methacryloyloxyethyl) oxetane, 3- (2-methacryloyloxyethyl) -3-ethyloxetane, 3- (2-methacryloyloxyethyl) -3-ethyloxetane, 3- (2-methacryloyloxyethyl) -3 -Phenyloxetane,

2−(アクリロイルオキシメチル)オキセタン、2−(アクリロイルオキシメチル)−2−メチルオキセタン、2−(アクリロイルオキシメチル)−2−エチルオキセタン、2−(アクリロイルオキシメチル)−2−フェニルオキセタン、2−(2−アクリロイルオキシエチル)オキセタン、2−(2−アクリロイルオキシエチル)−2−エチルオキセタン、2−(2−アクリロイルオキシエチル)−2−エチルオキセタン、2−(2−アクリロイルオキシエチル)−2−フェニルオキセタン、   2- (acryloyloxymethyl) oxetane, 2- (acryloyloxymethyl) -2-methyloxetane, 2- (acryloyloxymethyl) -2-ethyloxetane, 2- (acryloyloxymethyl) -2-phenyloxetane, 2- (2-acryloyloxyethyl) oxetane, 2- (2-acryloyloxyethyl) -2-ethyloxetane, 2- (2-acryloyloxyethyl) -2-ethyloxetane, 2- (2-acryloyloxyethyl) -2 -Phenyloxetane,

2−(メタクリロイルオキシメチル)オキセタン、2−(メタクリロイルオキシメチル)−2−メチルオキセタン、2−(メタクリロイルオキシメチル)−2−エチルオキセタン、2−(メタクリロイルオキシメチル)−2−フェニルオキセタン、2−(2−メタクリロイルオキシエチル)オキセタン、2−(2−メタクリロイルオキシエチル)−2−エチルオキセタン、2−(2−メタクリロイルオキシエチル)−2−エチルオキセタン、2−(2−メタクリロイルオキシエチル)−2−フェニルオキセタン等のオキセタニル基含有(メタ)アクリル系化合物等を挙げることができる。上記エポキシ基含有構造単位は、単独で又は2種類以上を組み合わせて用いることができる。   2- (methacryloyloxymethyl) oxetane, 2- (methacryloyloxymethyl) -2-methyloxetane, 2- (methacryloyloxymethyl) -2-ethyloxetane, 2- (methacryloyloxymethyl) -2-phenyloxetane, 2- (2-methacryloyloxyethyl) oxetane, 2- (2-methacryloyloxyethyl) -2-ethyloxetane, 2- (2-methacryloyloxyethyl) -2-ethyloxetane, 2- (2-methacryloyloxyethyl) -2 An oxetanyl group-containing (meth) acrylic compound such as phenyl oxetane can be used. The said epoxy group containing structural unit can be used individually or in combination of 2 or more types.

上記エポキシ基含有単量体の中でも、メタクリル酸グリシジル、メタクリル酸−2−メチルグリシジル、メタクリル酸−3,4−エポキシシクロヘキシル、メタクリル酸−3,4−エポキシシクロヘキシルメチル、3−(メタクリロイルオキシメチル)−3−メチルオキセタン、3−(メタクリロイルオキシメチル)−3−エチルオキセタンが他のラジカル重合性単量体との共重合反応性、及びポジ型感放射線性組成物の現像性の観点から好ましい。   Among the above epoxy group-containing monomers, glycidyl methacrylate, 2-methylglycidyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohexyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate, 3- (methacryloyloxymethyl) -3-Methyloxetane and 3- (methacryloyloxymethyl) -3-ethyloxetane are preferable from the viewpoint of copolymerization reactivity with other radical polymerizable monomers and developability of the positive radiation sensitive composition.

重合体[A]におけるエポキシ基含有構造単位の含有量としては、層間絶縁膜の所望の耐熱性が発揮される限り特に限定されず、一の重合体分子に構造単位(1)とエポキシ基含有構造単位とを含む場合、重合体[A]に含まれる全構造単位に対して、単量体仕込み比で、10質量%以上60質量%以下が好ましく、15質量%以上55質量%以下がより好ましく、20質量%以上50質量%以下が特に好ましい。   The content of the epoxy group-containing structural unit in the polymer [A] is not particularly limited as long as the desired heat resistance of the interlayer insulating film is exhibited, and the structural unit (1) and the epoxy group are contained in one polymer molecule. When the structural unit is included, the monomer charge ratio is preferably 10% by mass or more and 60% by mass or less, and more preferably 15% by mass or more and 55% by mass or less with respect to all the structural units contained in the polymer [A]. It is preferably 20% by mass or more and 50% by mass or less.

一方、一の重合体分子に構造単位(1)を有し、かつ他の重合体分子にエポキシ基含有構造単位を有する場合、エポキシ基含有構造単位を有する他の重合体分子に含まれる全構造単位に対するエポキシ基含有構造単位の含有量としては、単量体仕込み比で、20質量%以上80質量%以下が好ましく、30質量%以上70質量%以下がより好ましく、35質量%以上65質量%以下が特に好ましい。   On the other hand, when one polymer molecule has the structural unit (1) and the other polymer molecule has an epoxy group-containing structural unit, the entire structure contained in the other polymer molecule having the epoxy group-containing structural unit The content of the epoxy group-containing structural unit relative to the unit is preferably 20% by mass to 80% by mass, more preferably 30% by mass to 70% by mass, and more preferably 35% by mass to 65% by mass in terms of monomer charge. The following are particularly preferred:

<その他の構造単位>
その他の構造単位を与えるラジカル重合性単量体としては、カルボキシル基又はその誘導体、水酸基を有するラジカル重合性単量体等が挙げられる。
上記カルボキシル基又はその誘導体を有するラジカル重合体単量体としては、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、2−アクリロイルオキシエチルコハク酸、2−メタクリロイルオキシエチルコハク酸、2−アクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸、2−メタクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸等のモノカルボン酸;
マレイン酸、フマル酸、シトラコン酸、メサコン酸、イタコン酸等のジカルボン酸;
上記ジカルボン酸の酸無水物等を挙げることができる。
<Other structural units>
Examples of the radical polymerizable monomer that gives other structural units include a carboxyl group or a derivative thereof, a radical polymerizable monomer having a hydroxyl group, and the like.
Examples of the radical polymer monomer having a carboxyl group or a derivative thereof include acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid, 2-acryloyloxyethyl succinic acid, 2-methacryloyloxyethyl succinic acid, 2-acryloyloxyethyl hexahydrophthal Acids, monocarboxylic acids such as 2-methacryloyloxyethyl hexahydrophthalic acid;
Dicarboxylic acids such as maleic acid, fumaric acid, citraconic acid, mesaconic acid, itaconic acid;
The acid anhydride of the said dicarboxylic acid etc. can be mentioned.

上記水酸基を有するラジカル重合性単量体の例としては、
アクリル酸−2−ヒドロキシエチルエステル、アクリル酸−3−ヒドロキシプロピルエステル、アクリル酸−4−ヒドロキシブチルエステル、アクリル酸−4−ヒドロキシメチルシクロヘキシルメチルエステル等のアクリル酸ヒドロキシアルキルエステル;
メタクリル酸−2−ヒドロキシエチルエステル、メタクリル酸−3−ヒドロキシプロピルエステル、メタクリル酸−4−ヒドロキシブチルエステル、メタクリル酸−5−ヒドロキシペンチルエステル、メタクリル酸−6−ヒドロキシヘキシルエステル、メタクリル酸−4−ヒドロキシメチル−シクロヘキシルメチルエステル等のメタクリル酸ヒドロキシアルキルエステル等を挙げることができる。
As an example of the radical polymerizable monomer having a hydroxyl group,
Acrylic acid hydroxyalkyl esters such as acrylic acid-2-hydroxyethyl ester, acrylic acid-3-hydroxypropyl ester, acrylic acid-4-hydroxybutyl ester, acrylic acid-4-hydroxymethylcyclohexylmethyl ester;
Methacrylic acid-2-hydroxyethyl ester, methacrylic acid-3-hydroxypropyl ester, methacrylic acid-4-hydroxybutyl ester, methacrylic acid-5-hydroxypentyl ester, methacrylic acid-6-hydroxyhexyl ester, methacrylic acid-4- Mention may be made of methacrylic acid hydroxyalkyl esters such as hydroxymethyl-cyclohexylmethyl ester.

これらの水酸基を有するラジカル重合性単量体のうち、その他のラジカル重合性単量体との共重合反応性及び得られる層間絶縁膜の耐熱性の観点から、アクリル酸−2−ヒドロキシエチルエステル、アクリル酸−3−ヒドロキシプロピルエステル、アクリル酸−4−ヒドロキシブチルエステル、メタクリル酸−2−ヒドロキシエチルエステル、メタクリル酸−4−ヒドロキシブチルエステル、アクリル酸−4−ヒドロキシメチル−シクロヘキシルメチルエステル、メタクリル酸−4−ヒドロキシメチル−シクロヘキシルメチルエステルが好ましい。   Among these radical polymerizable monomers having a hydroxyl group, acrylic acid-2-hydroxyethyl ester, from the viewpoint of copolymerization reactivity with other radical polymerizable monomers and heat resistance of the resulting interlayer insulating film, Acrylic acid-3-hydroxypropyl ester, acrylic acid-4-hydroxybutyl ester, methacrylic acid-2-hydroxyethyl ester, methacrylic acid-4-hydroxybutyl ester, acrylic acid-4-hydroxymethyl-cyclohexylmethyl ester, methacrylic acid -4-Hydroxymethyl-cyclohexylmethyl ester is preferred.

その他のラジカル重合性単量体の例としては、
アクリル酸メチル、アクリル酸i−プロピル等のアクリル酸アルキルエステル;
メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸n−ブチル、メタクリル酸sec−ブチル、メタクリル酸t−ブチル等のメタクリル酸アルキルエステル;
アクリル酸シクロヘキシル、アクリル酸−2−メチルシクロヘキシル、アクリル酸トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イル、アクリル酸−2−(トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イルオキシ)エチル、アクリル酸イソボルニル等のアクリル酸脂環式アルキルエステル;
メタクリル酸シクロヘキシル、メタクリル酸−2−メチルシクロヘキシル、メタクリル酸トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イル、メタクリル酸−2−(トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イルオキシ)エチル、メタクリル酸イソボルニル等のメタクリル酸脂環式アルキルエステル;
アクリル酸フェニル、アクリル酸ベンジル等のアクリル酸のアリールエステル及びアクリル酸のアラルキルエステル;
メタクリル酸フェニル、メタクリル酸ベンジル等のメタクリル酸のアリールエステル及びメタクリル酸のアラルキルエステル;
マレイン酸ジエチル、フマル酸ジエチル、イタコン酸ジエチル等のジカルボン酸ジアルキルエステル;
メタクリル酸テトラヒドロフルフリル、メタクリル酸テトラヒドロフリル、メタクリル酸テトラヒドロピラン−2−メチル等の酸素1原子を含む不飽和複素五員環メタクリル酸エステル及び不飽和複素六員環メタクリル酸エステル;
4−メタクリロイルオキシメチル−2−メチル−2−エチル−1,3−ジオキソラン、4−メタクリロイルオキシメチル−2−メチル−2−イソブチル−1,3−ジオキソラン、4−メタクリロイルオキシメチル−2−シクロヘキシル−1,3−ジオキソラン、4−メタクリロイルオキシメチル−2−メチル−2−エチル−1,3−ジオキソラン、4−メタクリロイルオキシメチル−2−メチル−2−イソブチル−1,3−ジオキソラン等の酸素2原子を含む不飽和複素五員環メタクリル酸エステル;
Examples of other radical polymerizable monomers include
Alkyl acrylates such as methyl acrylate and i-propyl acrylate;
Alkyl methacrylates such as methyl methacrylate, ethyl methacrylate, n-butyl methacrylate, sec-butyl methacrylate, t-butyl methacrylate;
Cyclohexyl acrylate, acrylate-2-methylcyclohexyl, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yl acrylate, acrylate-2- (tricyclo [5.2.1.0 2, 6 ] Acrylic alicyclic alkyl ester such as decan-8-yloxy) ethyl, isobornyl acrylate;
Cyclohexyl methacrylate, methacrylic acid-2-methylcyclohexyl, methacrylic acid tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yl, methacrylic acid-2- (tricyclo [5.2.1.0 2, 6 ] decane-8-yloxy) ethyl, methacrylic acid alicyclic alkyl ester such as isobornyl methacrylate;
Aryl esters of acrylic acid such as phenyl acrylate and benzyl acrylate and aralkyl esters of acrylic acid;
Aryl esters of methacrylic acid such as phenyl methacrylate and benzyl methacrylate and aralkyl esters of methacrylic acid;
Dicarboxylic acid dialkyl esters such as diethyl maleate, diethyl fumarate, diethyl itaconate;
Unsaturated 5-membered ring methacrylates and unsaturated 6-membered ring methacrylates containing one oxygen atom, such as tetrahydrofurfuryl methacrylate, tetrahydrofuryl methacrylate, tetrahydropyran-2-methyl methacrylate;
4-methacryloyloxymethyl-2-methyl-2-ethyl-1,3-dioxolane, 4-methacryloyloxymethyl-2-methyl-2-isobutyl-1,3-dioxolane, 4-methacryloyloxymethyl-2-cyclohexyl- 2 oxygen atoms such as 1,3-dioxolane, 4-methacryloyloxymethyl-2-methyl-2-ethyl-1,3-dioxolane, 4-methacryloyloxymethyl-2-methyl-2-isobutyl-1,3-dioxolane Unsaturated heterocyclic 5-membered methacrylates containing:

4−アクリロイルオキシメチル−2,2−ジメチル−1,3−ジオキソラン、4−アクリロイルオキシメチル−2−メチル−2−エチル−1,3−ジオキソラン、4−アクリロイルオキシメチル−2、2−ジエチル−1,3−ジオキソラン、4−アクリロイルオキシメチル−2−メチル−2−イソブチル−1,3−ジオキソラン、4−アクリロイルオキシメチル−2−シクロペンチル−1,3−ジオキソラン、4−アクリロイルオキシメチル−2−シクロヘキシル−1,3−ジオキソラン、4−アクリロイルオキシエチル−2−メチル−2−エチル−1,3−ジオキソラン、4−アクリロイルオキシプロピル−2−メチル
−2−エチル−1,3−ジオキソラン、4−アクリロイルオキシブチル−2−メチル−2−エチル−1,3−ジオキソラン等の酸素2原子を含む不飽和複素五員環アクリル酸エステル;
スチレン、α−メチルスチレン、m−メチルスチレン、p−メチルスチレン、p−メトキシスチレン、4−イソプロペニルフェノール等のビニル芳香族化合物;
N−フェニルマレイミド、N−シクロヘキシルマレイミド、N−ベンジルマレイミド、N−スクシンイミジル−3−マレイミドベンゾエート、N−スクシンイミジル−4−マレイミドブチレート、N−スクシンイミジル−6−マレイミドカプロエート、N−スクシンイミジル−3−マレイミドプロピオネート、N−(9−アクリジニル)マレイミド等のN位置換マレイミド;
1,3−ブタジエン、イソプレン、2,3−ジメチル−1,3−ブタジエン等の共役ジエン系化合物;
アクリロニトリル、メタクリロニトリル、アクリルアミド、メタクリルアミド、塩化ビニル、塩化ビニリデン、酢酸ビニル等のその他の不飽和化合物を挙げることができる。
4-acryloyloxymethyl-2,2-dimethyl-1,3-dioxolane, 4-acryloyloxymethyl-2-methyl-2-ethyl-1,3-dioxolane, 4-acryloyloxymethyl-2, 2-diethyl- 1,3-dioxolane, 4-acryloyloxymethyl-2-methyl-2-isobutyl-1,3-dioxolane, 4-acryloyloxymethyl-2-cyclopentyl-1,3-dioxolane, 4-acryloyloxymethyl-2- Cyclohexyl-1,3-dioxolane, 4-acryloyloxyethyl-2-methyl-2-ethyl-1,3-dioxolane, 4-acryloyloxypropyl-2-methyl-2-ethyl-1,3-dioxolane, 4- Acryloyloxybutyl-2-methyl-2-ethyl-1,3-dioxola Unsaturated five-membered heterocyclic acrylic acid esters containing oxygen 2 atoms and the like;
Vinyl aromatic compounds such as styrene, α-methylstyrene, m-methylstyrene, p-methylstyrene, p-methoxystyrene, 4-isopropenylphenol;
N-phenylmaleimide, N-cyclohexylmaleimide, N-benzylmaleimide, N-succinimidyl-3-maleimidobenzoate, N-succinimidyl-4-maleimidobutyrate, N-succinimidyl-6-maleimidocaproate, N-succinimidyl-3 -N-substituted maleimides such as maleimide propionate, N- (9-acridinyl) maleimide;
Conjugated diene compounds such as 1,3-butadiene, isoprene and 2,3-dimethyl-1,3-butadiene;
Other unsaturated compounds such as acrylonitrile, methacrylonitrile, acrylamide, methacrylamide, vinyl chloride, vinylidene chloride and vinyl acetate can be mentioned.

これらのその他のラジカル重合性単量体のうち、スチレン、4−イソプロペニルフェノール、メタクリル酸トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イル、メタクリル酸テトラヒドロフルフリル、1,3−ブタジエン、4−アクリロイルオキシメチル−2−メチル−2−エチル−1,3−ジオキソラン、N−シクロヘキシルマレイミド、N−フェニルマレイミド、メタクリル酸ベンジル等が、上記の反応官能基を有するラジカル重合性単量体との共重合反応性、及び当該ポジ型感放射線性組成物の現像性の点で好ましい。 Among these other radical polymerizable monomers, styrene, 4-isopropenylphenol, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yl methacrylate, tetrahydrofurfuryl methacrylate, 1, 3-Butadiene, 4-acryloyloxymethyl-2-methyl-2-ethyl-1,3-dioxolane, N-cyclohexylmaleimide, N-phenylmaleimide, benzyl methacrylate and the like have the above-mentioned reactive functional groups. It is preferable in terms of copolymerization reactivity with monomers and developability of the positive radiation sensitive composition.

重合体[A]のGPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー)によるポリスチレン換算質量平均分子量(以下、「Mw」という。)は、好ましくは2.0×10〜1.0×10、より好ましくは5.0×10〜5.0×10である。重合体[A]のMwを上記範囲とすることによって、当該ポジ型感放射線性組成物の放射線感度及びアルカリ現像性を高めることができる。 The polystyrene equivalent mass average molecular weight (hereinafter referred to as “Mw”) of the polymer [A] by GPC (gel permeation chromatography) is preferably 2.0 × 10 3 to 1.0 × 10 5 , more preferably. 5.0 × 10 3 to 5.0 × 10 4 . By making Mw of polymer [A] into the said range, the radiation sensitivity and alkali developability of the said positive type radiation sensitive composition can be improved.

また、重合体[A]のGPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー)によるポリスチレン換算数平均分子量(以下、「Mn」という。)は、好ましくは2.0×10〜1.0×10、より好ましくは5.0×10〜5.0×10である。共重合体のMnを上記範囲とすることによって、当該ポジ型感放射線性組成物の塗膜の硬化時の硬化反応性を向上させることができる。 Moreover, the number average molecular weight (hereinafter referred to as “Mn”) in terms of polystyrene by GPC (gel permeation chromatography) of the polymer [A] is preferably 2.0 × 10 3 to 1.0 × 10 5 , and more. Preferably it is 5.0 * 10 < 3 > -5.0 * 10 < 4 >. By setting Mn of the copolymer within the above range, the curing reactivity at the time of curing the coating film of the positive radiation sensitive composition can be improved.

さらに、重合体[A]の分子量分布「Mw/Mn」は、好ましくは3.0以下、より好ましくは2.6以下である。重合体[A]のMw/Mnを3.0以下とすることにより、得られる層間絶縁膜の現像性を高めることができる。重合体[A]を含む当該ポジ型感放射線性組成物は、現像する際に現像残りを生じることなく容易に所望のパターン形状を形成することができる。   Furthermore, the molecular weight distribution “Mw / Mn” of the polymer [A] is preferably 3.0 or less, more preferably 2.6 or less. By making Mw / Mn of the polymer [A] 3.0 or less, the developability of the obtained interlayer insulating film can be improved. The positive-type radiation-sensitive composition containing the polymer [A] can easily form a desired pattern shape without causing a development residue during development.

<重合体[A]の製造方法>
重合体[A]は、アセタール構造含有単量体、エポキシ基含有単量体、その他の構造単位を与える単量体のラジカル共重合により製造することができる。同一の重合体分子に構造単位(1)及びエポキシ基含有構造単位の両方を含む重合体[A]を製造する場合は、少なくともアセタール構造含有単量体とエポキシ基含有単量体とを含む混合物を用いて共重合させればよい。一方、一の重合体分子に構造単位(1)を有し、かつそれとは異なる重合体分子にエポキシ基含有構造単位を有する重合体[A]を製造する場合は、少なくともアセタール構造含有単量体を含む重合性溶液をラジカル重合させて構造単位(1)を有する重合体分子を得ておき、別途少なくともエポキシ基含有単量体を含む重合性溶液をラジカル重合させてエポキシ基含有構造単位を有する重合体分子を得て、最後に両者を混合して重合体[A]とすればよい。
<Method for Producing Polymer [A]>
The polymer [A] can be produced by radical copolymerization of an acetal structure-containing monomer, an epoxy group-containing monomer, and other monomers that give structural units. When producing the polymer [A] containing both the structural unit (1) and the epoxy group-containing structural unit in the same polymer molecule, a mixture containing at least an acetal structure-containing monomer and an epoxy group-containing monomer May be used for copolymerization. On the other hand, when the polymer [A] having the structural unit (1) in one polymer molecule and the epoxy group-containing structural unit in a different polymer molecule is produced, at least an acetal structure-containing monomer A polymer solution containing the structural unit (1) is obtained by radical polymerization of a polymerizable solution containing, and a polymer solution containing at least an epoxy group-containing monomer is radically polymerized to have an epoxy group-containing structural unit. What is necessary is just to obtain a polymer molecule | numerator and finally to mix both into a polymer [A].

重合体[A]を製造するための重合反応に用いられる溶媒としては、例えば、アルコール類、エーテル類、グリコールエーテル、エチレングリコールアルキルエーテルアセテート、ジエチレングリコールアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノアルキルエーテルプロピオネート、芳香族炭化水素類、ケトン類、他のエステル類等を挙げることができる。   Examples of the solvent used in the polymerization reaction for producing the polymer [A] include alcohols, ethers, glycol ethers, ethylene glycol alkyl ether acetates, diethylene glycol alkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ethers, and propylene glycol monoalkyls. Examples include ether acetate, propylene glycol monoalkyl ether propionate, aromatic hydrocarbons, ketones, and other esters.

これらの溶媒としては、
アルコール類として、例えばメタノール、エタノール、ベンジルアルコール、2−フェニルエチルアルコール、3−フェニル−1−プロパノール等;
エーテル類として、例えばテトラヒドロフラン等;
グリコールエーテルとして、例えばエチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル等;
エチレングリコールアルキルエーテルアセテートとして、例えばメチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等;
ジエチレングリコールアルキルエーテルとして、例えばジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル等;
プロピレングリコールモノアルキルエーテルとして、例えばプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル等;
These solvents include
Examples of alcohols include methanol, ethanol, benzyl alcohol, 2-phenylethyl alcohol, 3-phenyl-1-propanol and the like;
Ethers such as tetrahydrofuran;
Examples of glycol ethers include ethylene glycol monomethyl ether and ethylene glycol monoethyl ether;
Examples of the ethylene glycol alkyl ether acetate include methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, ethylene glycol monobutyl ether acetate, and ethylene glycol monoethyl ether acetate;
Examples of the diethylene glycol alkyl ether include diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether, and the like;
Examples of propylene glycol monoalkyl ethers include propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, propylene glycol monobutyl ether and the like;

プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテートとして、例えばプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート等;
プロピレングリコールモノアルキルエーテルプロピオネートとして、例えばプロピレンモノグリコールメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノエチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノブチルエーテルプロピオネート等;
芳香族炭化水素類として、例えばトルエン、キシレン等;
ケトン類として、例えばメチルエチルケトン、シクロヘキサノン、4−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンタノン等;
Examples of the propylene glycol monoalkyl ether acetate include propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, propylene glycol monobutyl ether acetate;
As propylene glycol monoalkyl ether propionate, for example, propylene monoglycol methyl ether propionate, propylene glycol monoethyl ether propionate, propylene glycol monopropyl ether propionate, propylene glycol monobutyl ether propionate and the like;
Examples of aromatic hydrocarbons include toluene and xylene;
Examples of ketones include methyl ethyl ketone, cyclohexanone, 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone and the like;

他のエステル類としては、例えば、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、2−ヒドロキシプロピオン酸エチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸メチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸エチル、ヒドロキシ酢酸メチル、ヒドロキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、3−ヒドロキシプロピオン酸メチル、3−ヒドロキシプロピオン酸エチル、3−ヒドロキシプロピオン酸プロピル、3−ヒドロキシプロピオン酸ブチル、2−ヒドロキシ−3−メチルブタン酸メチル、メトキシ酢酸メチル、メトキシ酢酸エチル、メトキシ酢酸プロピル、メトキシ酢酸ブチル、エトキシ酢酸メチル、エトキシ酢酸エチル、エトキシ酢酸プロピル、エトキシ酢酸ブチル、プロポキシ酢酸メチル、プロポキシ酢酸エチル、プロポキシ酢酸プロピル、プロポキシ酢酸ブチル、ブトキシ酢酸メチル、ブトキシ酢酸エチル、ブトキシ酢酸プロピル、ブトキシ酢酸ブチル、2−メトキシプロピオン酸メチル、2−メトキシプロピオン酸エチル、2−メトキシプロピオン酸プロピル、2−メトキシプロピオン酸ブチル、2−エトキシプロピオン酸メチル、2−エトキシプロピオン酸エチル、2−エトキシプロピオン酸プロピル、2−エトキシプロピオン酸ブチル、2−ブトキシプロピオン酸メチル、2−ブトキシプロピオン酸エチル、2−ブトキシプロピオン酸プロピル、2−ブトキシプロピオン酸ブチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸エチル、3−メトキシプロピオン酸プロピル、3−メトキシプロピオン酸ブチル、3−エトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸プロピル、3−エトキシプロピオン酸ブチル、3−プロポキシプロピオン酸メチル、3−プロポキシプロピオン酸エチル、3−プロポキシプロピオン酸プロピル、3−プロポキシプロピオン酸ブチル、3−ブトキシプロピオン酸メチル、3−ブトキシプロピオン酸エチル、3−ブトキシプロピオン酸プロピル、3−ブトキシプロピオン酸ブチル等のエステル類をそれぞれ挙げることができる。   Examples of other esters include methyl acetate, ethyl acetate, propyl acetate, butyl acetate, ethyl 2-hydroxypropionate, methyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, Methyl hydroxyacetate, ethyl hydroxyacetate, butyl hydroxyacetate, methyl lactate, ethyl lactate, propyl lactate, butyl lactate, methyl 3-hydroxypropionate, ethyl 3-hydroxypropionate, propyl 3-hydroxypropionate, 3-hydroxypropionic acid Butyl, methyl 2-hydroxy-3-methylbutanoate, methyl methoxyacetate, ethyl methoxyacetate, propyl methoxyacetate, butyl methoxyacetate, methyl ethoxyacetate, ethyl ethoxyacetate, propyl ethoxyacetate, butyl ethoxyacetate Methyl propoxyacetate, ethyl propoxyacetate, propylpropoxyacetate, butyl propoxyacetate, methyl butoxyacetate, ethyl butoxyacetate, propylbutoxyacetate, butylbutoxyacetate, methyl 2-methoxypropionate, ethyl 2-methoxypropionate, 2-methoxypropionate Propyl acid, butyl 2-methoxypropionate, methyl 2-ethoxypropionate, ethyl 2-ethoxypropionate, propyl 2-ethoxypropionate, butyl 2-ethoxypropionate, methyl 2-butoxypropionate, 2-butoxypropionic acid Ethyl, propyl 2-butoxypropionate, butyl 2-butoxypropionate, methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate, propyl 3-methoxypropionate, 3- Butyl toxipropionate, methyl 3-ethoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate, propyl 3-ethoxypropionate, butyl 3-ethoxypropionate, methyl 3-propoxypropionate, ethyl 3-propoxypropionate, 3-propoxy Examples include esters such as propyl propionate, butyl 3-propoxypropionate, methyl 3-butoxypropionate, ethyl 3-butoxypropionate, propyl 3-butoxypropionate, and butyl 3-butoxypropionate.

これらの溶媒のうち、エチレングリコールアルキルエーテルアセテート、ジエチレングリコールアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、メトキシ酢酸ブチルが好ましく、特に、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、メトキシ酢酸ブチルが好ましい。   Of these solvents, ethylene glycol alkyl ether acetate, diethylene glycol alkyl ether, propylene glycol monoalkyl ether, propylene glycol monoalkyl ether acetate, and butyl methoxyacetate are preferred, particularly diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether, propylene glycol monomethyl ether, Propylene glycol monomethyl ether acetate and butyl methoxyacetate are preferred.

重合体[A]を製造するための重合反応に用いられる重合開始剤としては、一般的にラジカル重合開始剤として知られているものが使用できる。ラジカル重合開始剤としては、例えば、
2,2’−アゾビスイソブチロニトリル、2,2’−アゾビス−(2,4−ジメチルバレロニトリル)、2,2’−アゾビス−(4−メトキシ−2,4−ジメチルバレロニトリル)、2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオン酸メチル)等のアゾ化合物;
ベンゾイルペルオキシド、ラウロイルペルオキシド、t−ブチルペルオキシピバレート、1,1’−ビス−(t−ブチルペルオキシ)シクロヘキサン等の有機過酸化物;及び
過酸化水素が挙げられる。
As the polymerization initiator used in the polymerization reaction for producing the polymer [A], those generally known as radical polymerization initiators can be used. Examples of radical polymerization initiators include:
2,2′-azobisisobutyronitrile, 2,2′-azobis- (2,4-dimethylvaleronitrile), 2,2′-azobis- (4-methoxy-2,4-dimethylvaleronitrile), Azo compounds such as 2,2′-azobis (methyl 2-methylpropionate);
And organic peroxides such as benzoyl peroxide, lauroyl peroxide, t-butylperoxypivalate, 1,1′-bis- (t-butylperoxy) cyclohexane; and hydrogen peroxide.

ラジカル重合開始剤として過酸化物を用いる場合には、過酸化物を還元剤とともに用いてレドックス型開始剤としてもよい。   When a peroxide is used as the radical polymerization initiator, the peroxide may be used together with a reducing agent to form a redox initiator.

重合体[A]を製造するための重合反応において、分子量を調整するために、分子量調整剤を使用することができる。分子量調整剤の具体例としては、
クロロホルム、四臭化炭素等のハロゲン化炭化水素類;
n−ヘキシルメルカプタン、n−オクチルメルカプタン、n−ドデシルメルカプタン、t−ドデシルメルカプタン、チオグリコール酸等のメルカプタン類;
ジメチルキサントゲンスルフィド、ジイソプロピルキサントゲンジスルフィド等のキサントゲン類;
ターピノーレン、α−メチルスチレンダイマー等が挙げられる。
In the polymerization reaction for producing the polymer [A], a molecular weight modifier can be used to adjust the molecular weight. Specific examples of molecular weight regulators include
Halogenated hydrocarbons such as chloroform and carbon tetrabromide;
mercaptans such as n-hexyl mercaptan, n-octyl mercaptan, n-dodecyl mercaptan, t-dodecyl mercaptan, thioglycolic acid;
Xanthogens such as dimethylxanthogen sulfide and diisopropylxanthogen disulfide;
Examples include terpinolene and α-methylstyrene dimer.

<[B]光酸発生体>
[B]光酸発生体は、放射線の照射によって酸を発生する化合物である。ここで、放射線としては、例えば可視光線、紫外線、遠紫外線、電子線、X線等を使用することができる。当該ポジ型感放射線性組成物が酸解離性基を有する重合体[A]と[B]光酸発生体とを含むことで、ポジ型の感放射線特性を発揮することができる。[B]光酸発生体は、放射線の照射によって酸(例えば、カルボン酸、スルホン酸等)を発生させる化合物である限り、特に限定されない。[B]光酸発生体の当該ポジ型感放射線性組成物における含有形態としては、後述するような化合物である光酸発生剤(以下、単に「[B]光酸発生剤」ともいう。)の形態でも、重合体[A]又は他の重合体の一部として組み込まれた光酸発生基の形態でも、これらの両方の形態でもよい。[B]光酸発生剤としては、オキシムスルホネート化合物が代表的に挙げられ、ジフェニルヨードニウム塩、トリフェニルスルホニウム塩、スルホニウム塩、ベンゾチアゾニウム塩、アンモニウム塩、ホスホニウム塩及びテトラヒドロチオフェニウム塩等のオニウム塩や、スルホンイミド化合物、並びにキノンジアジド化合物が挙げられる。
<[B] Photoacid generator>
[B] The photoacid generator is a compound that generates an acid upon irradiation with radiation. Here, as the radiation, for example, visible light, ultraviolet light, far ultraviolet light, electron beam, X-ray or the like can be used. By including the polymer [A] having an acid dissociable group and the [B] photoacid generator, the positive radiation sensitive composition can exhibit positive radiation sensitive characteristics. [B] The photoacid generator is not particularly limited as long as it is a compound that generates an acid (for example, carboxylic acid, sulfonic acid, etc.) by irradiation with radiation. [B] The photoacid generator is contained in the positive radiation-sensitive composition in a form as described below, and is a photoacid generator (hereinafter, also simply referred to as “[B] photoacid generator”). Or in the form of a photoacid generating group incorporated as part of the polymer [A] or other polymer, or both forms. [B] The photoacid generator typically includes oxime sulfonate compounds, such as diphenyliodonium salt, triphenylsulfonium salt, sulfonium salt, benzothiazonium salt, ammonium salt, phosphonium salt, and tetrahydrothiophenium salt. Onium salts, sulfonimide compounds, and quinonediazide compounds.

<オキシムスルホネート化合物>
上記オキシムスルホネート化合物としては、下記式(8)で表されるオキシムスルホネート基を含有する化合物が好ましい。
<Oxime sulfonate compound>
As said oxime sulfonate compound, the compound containing the oxime sulfonate group represented by following formula (8) is preferable.

Figure 0004591625
Figure 0004591625

上記式(8)において、RB1は、置換されていてもよい直鎖状、分岐状、環状アルキル基、又は置換されていてもよいアリール基である。RB1のアルキル基としては、炭素数1〜10の直鎖状又は分岐状アルキル基が好ましい。RB1のアルキル基は、炭素数1〜10のアルコキシ基又は脂環式基(7,7−ジメチル−2−オキソノルボルニル基等の有橋式脂環式基を含む、好ましくはビシクロアルキル基等)で置換されていてもよい。RB1のアリール基としては、炭素数6〜11のアリール基が好ましく、フェニル基又はナフチル基がさらに好ましい。RB1のアリール基は、炭素数1〜5のアルキル基、アルコキシ基又はハロゲン原子で置換されてもよい。 In the above formula (8), R B1 is a linear, branched, or cyclic alkyl group that may be substituted, or an aryl group that may be substituted. The alkyl group for R B1 is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms. The alkyl group of R B1 includes an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms or an alicyclic group (including a bridged alicyclic group such as a 7,7-dimethyl-2-oxonorbornyl group, preferably bicycloalkyl. Group) and the like. The aryl group for R B1 is preferably an aryl group having 6 to 11 carbon atoms, and more preferably a phenyl group or a naphthyl group. The aryl group of R B1 may be substituted with an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an alkoxy group, or a halogen atom.

上記式(8)で表されるオキシムスルホネート基を含有する上記化合物は、下記式(9)で表されるオキシムスルホネート化合物であることがさらに好ましい。   The compound containing the oxime sulfonate group represented by the above formula (8) is more preferably an oxime sulfonate compound represented by the following formula (9).

Figure 0004591625
Figure 0004591625

上記式(9)において、RB1は、上記式(8)におけるRB1の説明と同義である。Xは、アルキル基、アルコキシ基、又はハロゲン原子である。mは0〜3の整数である。mが2又は3であるとき、複数のXは同一でも異なっていてもよい。Xとしてのアルキル基は、炭素数1〜4の直鎖状若しくは分岐状アルキル基が好ましい。 In the above formula (9), R B1 has the same meaning as the description of R B1 in the above formula (8). X is an alkyl group, an alkoxy group, or a halogen atom. m is an integer of 0-3. When m is 2 or 3, the plurality of X may be the same or different. The alkyl group as X is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.

Xとしてのアルコキシ基としては、炭素数1〜4の直鎖状又は分岐状アルコキシ基が好ましい。Xとしてのハロゲン原子は、塩素原子又はフッ素原子が好ましい。mは0又は1が好ましい。特に、上記式(9)において、mが1、Xがメチル基であり、Xの置換位置がオルトである化合物が好ましい。   The alkoxy group as X is preferably a linear or branched alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms. The halogen atom as X is preferably a chlorine atom or a fluorine atom. m is preferably 0 or 1. In particular, in the above formula (9), a compound in which m is 1, X is a methyl group, and the substitution position of X is ortho is preferable.

オキシムスルホネート化合物の具体例としては、例えば、下記式(i)〜(v)でそれぞれ表される化合物(i)、化合物(ii)、化合物(iii)、化合物(iv)及び化合物(v)等が挙げられる。   Specific examples of the oxime sulfonate compound include, for example, compound (i), compound (ii), compound (iii), compound (iv) and compound (v) represented by the following formulas (i) to (v), respectively. Is mentioned.

Figure 0004591625
Figure 0004591625

これらは単独又は2種類以上を組み合わせて使用することができ、[B]成分としての他の光酸発生剤と組み合わせて使用することもできる。上記化合物(i)〜(v)は、市販品として、入手することができる。   These can be used individually or in combination of 2 or more types, and can also be used in combination with other photoacid generators as the [B] component. The said compounds (i)-(v) can be obtained as a commercial item.

<オニウム塩>
上記オニウム塩のうち、ジフェニルヨードニウム塩の例としては、ジフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスホネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロアセテート、ジフェニルヨードニウム−p−トルエンスルホナート、ジフェニルヨードニウムブチルトリス(2,6−ジフルオロフェニル)ボレート、4−メトキシフェニルフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムテトラフルオロボレート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムトリフルオロアセテート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウム−p−トルエンスルホナート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムカンファースルホン酸等が挙げられる。
<Onium salt>
Among the above onium salts, examples of diphenyliodonium salts include diphenyliodonium tetrafluoroborate, diphenyliodonium hexafluorophosphonate, diphenyliodonium hexafluoroarsenate, diphenyliodonium trifluoromethanesulfonate, diphenyliodonium trifluoroacetate, diphenyliodonium-p -Toluenesulfonate, diphenyliodonium butyltris (2,6-difluorophenyl) borate, 4-methoxyphenylphenyliodonium tetrafluoroborate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium tetrafluoroborate, bis (4-t-butyl) Phenyl) iodonium hexafluoroarsenate, bis (4-t-butylphenyl) iodo Um trifluoromethanesulfonate, bis (4-tert-butylphenyl) iodonium trifluoroacetate, bis (4-tert-butylphenyl) iodonium-p-toluenesulfonate, bis (4-tert-butylphenyl) iodonium camphorsulfonic acid Etc.

トリフェニルスルホニウム塩の例としては、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、トリフェニルスルホニウムカンファースルホン酸、トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボレート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロアセテート、トリフェニルスルホニウム−p−トルエンスルホナート、トリフェニルスルホニウムブチルトリス(2、6−ジフルオロフェニル)ボレート等が挙げられる。   Examples of triphenylsulfonium salts include triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, triphenylsulfonium camphorsulfonic acid, triphenylsulfonium tetrafluoroborate, triphenylsulfonium trifluoroacetate, triphenylsulfonium-p-toluenesulfonate, triphenyl Examples include sulfonium butyl tris (2,6-difluorophenyl) borate.

スルホニウム塩の例としては、アルキルスルホニウム塩、ベンジルスルホニウム塩、ジベンジルスルホニウム塩、置換ベンジルスルホニウム塩等を挙げることができる。   Examples of the sulfonium salt include alkylsulfonium salts, benzylsulfonium salts, dibenzylsulfonium salts, substituted benzylsulfonium salts and the like.

これらのスルホニウム塩としては、
アルキルスルホニウム塩として、例えば4−アセトキシフェニルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4−アセトキシフェニルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、ジメチル−4−(ベンジルオキシカルボニルオキシ)フェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジメチル−4−(ベンゾイルオキシ)フェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジメチル−4−(ベンゾイルオキシ)フェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、ジメチル−3−クロロ−4−アセトキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート等;
ベンジルスルホニウム塩として、例えばベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、4−アセトキシフェニルベンジルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−4−メトキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−2−メチル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−3−クロロ−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、4−メトキシベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート等;
ジベンジルスルホニウム塩として、例えばジベンジル−4−ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル−4−ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、4−アセトキシフェニルジベンジルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル−4−メトキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル−3−クロロ−4−ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、ジベンジル−3−メチル−4−ヒドロキシ−5−t−ブチルフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−4−メトキシベンジル−4−ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート等;
置換ベンジルスルホニウム塩として、例えばp−クロロベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、p−ニトロベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、p−クロロベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、p−ニトロベンジル−3−メチル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、3,5−ジクロロベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、o−クロロベンジル−3−クロロ−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート等をそれぞれ挙げることができる。
As these sulfonium salts,
Examples of the alkylsulfonium salt include 4-acetoxyphenyldimethylsulfonium hexafluoroantimonate, 4-acetoxyphenyldimethylsulfonium hexafluoroarsenate, dimethyl-4- (benzyloxycarbonyloxy) phenylsulfonium hexafluoroantimonate, dimethyl-4- ( Benzoyloxy) phenylsulfonium hexafluoroantimonate, dimethyl-4- (benzoyloxy) phenylsulfonium hexafluoroarsenate, dimethyl-3-chloro-4-acetoxyphenylsulfonium hexafluoroantimonate, etc .;
Examples of benzylsulfonium salts include benzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, benzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluorophosphate, 4-acetoxyphenylbenzylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, and benzyl-4-methoxyphenylmethyl. Sulfonium hexafluoroantimonate, benzyl-2-methyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, benzyl-3-chloro-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroarsenate, 4-methoxybenzyl-4-hydroxyphenylmethyl Sulfonium hexafluorophosphate, etc .;
Examples of dibenzylsulfonium salts include dibenzyl-4-hydroxyphenylsulfonium hexafluoroantimonate, dibenzyl-4-hydroxyphenylsulfonium hexafluorophosphate, 4-acetoxyphenyl dibenzylsulfonium hexafluoroantimonate, dibenzyl-4-methoxyphenylsulfonium hexa Fluoroantimonate, dibenzyl-3-chloro-4-hydroxyphenylsulfonium hexafluoroarsenate, dibenzyl-3-methyl-4-hydroxy-5-t-butylphenylsulfonium hexafluoroantimonate, benzyl-4-methoxybenzyl-4 -Hydroxyphenylsulfonium hexafluorophosphate and the like;
Examples of substituted benzylsulfonium salts include p-chlorobenzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, p-nitrobenzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, and p-chlorobenzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium. Hexafluorophosphate, p-nitrobenzyl-3-methyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, 3,5-dichlorobenzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, o-chlorobenzyl-3-chloro Examples include -4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate.

ベンゾチアゾニウム塩の例としては、3−ベンジルベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート、3−ベンジルベンゾチアゾニウムヘキサフルオロホスフェート、3−ベンジルベンゾチアゾニウムテトラフルオロボレート、3−(p−メトキシベンジル)ベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート、3−ベンジル−2−メチルチオベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート、3−ベンジル−5−クロロベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート等が挙げられる。   Examples of benzothiazonium salts include 3-benzylbenzothiazonium hexafluoroantimonate, 3-benzylbenzothiazonium hexafluorophosphate, 3-benzylbenzothiazonium tetrafluoroborate, 3- (p-methoxy Benzyl) benzothiazonium hexafluoroantimonate, 3-benzyl-2-methylthiobenzothiazonium hexafluoroantimonate, 3-benzyl-5-chlorobenzothiazonium hexafluoroantimonate, and the like.

テトラヒドロチオフェニウム塩の例としては、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウム−1,1,2,2−テトラフルオロ−2−(ノルボルナン−2−イル)エタンスルホネート、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウム−2−(5−t−ブトキシカルボニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル)−1,1,2,2−テトラフルオロエタンスルホネート、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウム−2−(6−t−ブトキシカルボニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル)−1,1,2,2−テトラフルオロエタンスルホネート、1−(4,7−ジブトキシ−1−ナフタレニル)テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホナート等が挙げられる。   Examples of tetrahydrothiophenium salts include 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium Nonafluoro-n-butanesulfonate, 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium-1,1,2,2-tetrafluoro-2- (norbornan-2-yl) ethanesulfonate, 1- (4-n-Butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium-2- (5-t-butoxycarbonyloxybicyclo [2.2.1] heptan-2-yl) -1,1,2, 2-tetrafluoroethanesulfonate, 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydro Ofenium-2- (6-t-butoxycarbonyloxybicyclo [2.2.1] heptan-2-yl) -1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate, 1- (4,7-dibutoxy-1 -Naphthalenyl) tetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate and the like.

これらのオニウム塩の中でも、当該ポジ型感放射線性組成物の放射線感度及び得られる硬化物の密着性の向上の点から、トリフェニルスルホニウム塩、スルホニウム塩、ベンゾチアゾニウム塩、テトラヒドロチオフェニウム塩、スルホンイミド化合物が好適に用いられる。この中でも特に、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、トリフェニルスルホニウムカンファースルホン酸、4−アセトキシフェニルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、ベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4−アセトキシフェニルベンジルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル−4−ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4−アセトキシフェニルベンジルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、3−ベンジルベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1−(4,7−ジブトキシ−1−ナフタレニル)テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホナートが好ましく用いられる。   Among these onium salts, triphenylsulfonium salt, sulfonium salt, benzothiazonium salt, tetrahydrothiophenium from the viewpoint of improving the radiation sensitivity of the positive-type radiation-sensitive composition and the adhesion of the resulting cured product. Salts and sulfonimide compounds are preferably used. Among these, triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, triphenylsulfonium camphorsulfonic acid, 4-acetoxyphenyldimethylsulfonium hexafluoroarsenate, benzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, 4-acetoxyphenylbenzylmethylsulfonium Hexafluoroantimonate, dibenzyl-4-hydroxyphenylsulfonium hexafluoroantimonate, 4-acetoxyphenylbenzylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, 3-benzylbenzothiazonium hexafluoroantimonate, benzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexa Fluorophosphate, 1- (4-n-butoxynaphtha Down-1-yl) tetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 1- (4,7-dibutoxy-1-naphthalenyl) tetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate are preferred.

<スルホンイミド化合物>
スルホンイミド化合物の例としては、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)スクシンイミド(商品名「SI−105」(みどり化学(株)製))、N−(カンファスルホニルオキシ)スクシンイミド(商品名「SI−106」(みどり化学(株)製))、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)スクシンイミド(商品名「SI−101」(みどり化学(株)製))、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(カンファスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(2−フルオロフェニルスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド(商品名「PI−105」(みどり化学(株)製))、N−(カンファスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、4−メチルフェニルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(フェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド(商品名「NDI−100」(みどり化学(株)製))、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド(商品名「NDI−101」(みどり化学(株)製))、N−(トリフルオロメタンスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド(商品名「NDI−105」(みどり化学(株)製))、N−(ノナフルオロブタンスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド(商品名「NDI−109」(みどり化学(株)製))、N−(カンファスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド(商品名「NDI−106」(みどり化学(株)製))、N−(カンファスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(カンファスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド(商品名「NAI−105」(みどり化学(株)製))、N−(カンファスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド(商品名「NAI−106」(みどり化学(株)製))、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド(商品名「NAI−101」(みどり化学(株)製))、N−(フェニルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド(商品名「NAI−100」(みどり化学(株)製))、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(ペンタフルオロエチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(ヘプタフルオロプロピルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(ノナフルオロブチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド(商品名「NAI−109」(みどり化学(株)製))、N−(エチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(プロピルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(ブチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド(商品名「NAI−1004」(みどり化学(株)製))、N−(ペンチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(ヘキシルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(ヘプチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(オクチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(ノニルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド等が挙げられる
<Sulfonimide compound>
Examples of the sulfonimide compound include N- (trifluoromethylsulfonyloxy) succinimide (trade name “SI-105” (manufactured by Midori Chemical Co., Ltd.)), N- (camphorsulfonyloxy) succinimide (trade name “SI-”). 106 "(manufactured by Midori Chemical Co., Ltd.)), N- (4-methylphenylsulfonyloxy) succinimide (trade name" SI-101 "(manufactured by Midori Chemical Co., Ltd.)), N- (2-trifluoromethylphenyl) Sulfonyloxy) succinimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) succinimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) phthalimide, N- (camphorsulfonyloxy) phthalimide, N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) phthalimide N- (2-fluoropheny Sulfonyloxy) phthalimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) diphenylmaleimide (trade name “PI-105” (manufactured by Midori Chemical Co., Ltd.)), N- (camphorsulfonyloxy) diphenylmaleimide, 4-methylphenylsulfonyloxy ) Diphenylmaleimide, N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) diphenylmaleimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) diphenylmaleimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) diphenylmaleimide, N- (phenylsulfonyl) Oxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide (trade name “NDI-100” (manufactured by Midori Chemical Co., Ltd.)), N- (4-methylphenylsulfonyloxy) ) Bishik [2.2.1] Hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide (trade name “NDI-101” (manufactured by Midori Chemical Co., Ltd.)), N- (trifluoromethanesulfonyloxy) bicyclo [2. 2.1] Hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide (trade name “NDI-105” (manufactured by Midori Chemical Co., Ltd.)), N- (nonafluorobutanesulfonyloxy) bicyclo [2.2. 1] Hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide (trade name “NDI-109” (manufactured by Midori Chemical Co., Ltd.)), N- (camphorsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept- 5-ene-2,3-dicarboxylimide (trade name “NDI-106” (manufactured by Midori Chemical Co., Ltd.)), N- (camphorsulfonyloxy) -7-oxabicyclo [2.2.1] hept- 5- Ene-2,3-dicarboxylimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) -7-oxabicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (4- Methylphenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (4-methylphenylsulfonyloxy) -7-oxabicyclo [2.2.1] hept -5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- ( 2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) -7-oxabicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (4- (Luorophenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) -7-oxabicyclo [2.2.1] Hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] heptane-5,6-oxy-2,3-dicarboxylimide, N- ( Camphorsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] heptane-5,6-oxy-2,3-dicarboxylimide, N- (4-methylphenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] heptane-5 6-oxy-2,3-dicarboxylimide, N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] heptane- , 6-oxy-2,3-dicarboxylimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] heptane-5,6-oxy-2,3-dicarboxylimide, N- ( Trifluoromethylsulfonyloxy) naphthyl dicarboximide (trade name “NAI-105” (manufactured by Midori Chemical Co., Ltd.)), N- (camphorsulfonyloxy) naphthyl dicarboxyimide (trade name “NAI-106” (Midori Chemical) N- (4-methylphenylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide (trade name “NAI-101” (manufactured by Midori Chemical Co., Ltd.)), N- (phenylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide (Trade name “NAI-100” (manufactured by Midori Chemical Co., Ltd.)), N- (2-trifluoromethylphenol) Nylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (pentafluoroethylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (heptafluoropropylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxyl Imido, N- (nonafluorobutylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide (trade name “NAI-109” (manufactured by Midori Chemical Co., Ltd.)), N- (ethylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (propylsulfonyl) Oxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (butylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide (trade name “NAI-1004” (manufactured by Midori Chemical Co., Ltd.)), N- (pentylsulfonyloxy) na Tildicarboxylimide, N- (hexylsulfonyloxy) naphthyldicarboxylimide, N- (heptylsulfonyloxy) naphthyldicarboxylimide, N- (octylsulfonyloxy) naphthyldicarboxylimide, N- (nonylsulfonyloxy) naphthyldi Examples include carboxyl imide

<キノンジアジド化合物>
キノンジアジド化合物は、放射線の照射によりカルボン酸を発生する化合物である。キノンジアジド化合物として、フェノール性化合物又はアルコール性化合物(以下、「母核」という。)と1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドとの縮合物を用いることができる。
<Quinonediazide compound>
A quinonediazide compound is a compound that generates a carboxylic acid upon irradiation with radiation. As the quinonediazide compound, a condensate of a phenolic compound or an alcoholic compound (hereinafter referred to as “mother nucleus”) and 1,2-naphthoquinonediazidesulfonic acid halide can be used.

上記母核としては、例えばトリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、ペンタヒドロキシベンゾフェノン、ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、(ポリヒドロキシフェニル)アルカン、その他の母核を挙げることができる。   Examples of the mother nucleus include trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, pentahydroxybenzophenone, hexahydroxybenzophenone, (polyhydroxyphenyl) alkane, and other mother nuclei.

これらの母核としては、
トリヒドロキシベンゾフェノンとして、例えば2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,4,6−トリヒドロキシベンゾフェノン等;
テトラヒドロキシベンゾフェノンとして、例えば2,2’,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,3’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,2’−テトラヒドロキシ−4’−メチルベンゾフェノン、2,3,4,4’−テトラヒドロキシ−3’−メトキシベンゾフェノン等;
ペンタヒドロキシベンゾフェノンとして、例えば2,3,4,2’,6’−ペンタヒドロキシベンゾフェノン等;
ヘキサヒドロキシベンゾフェノンとして、例えば2,4,6,3’,4’,5’−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、3,4,5,3’,4’,5’−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン等;
As these mother cores,
Examples of trihydroxybenzophenone include 2,3,4-trihydroxybenzophenone and 2,4,6-trihydroxybenzophenone;
Examples of tetrahydroxybenzophenone include 2,2 ′, 4,4′-tetrahydroxybenzophenone, 2,3,4,3′-tetrahydroxybenzophenone, 2,3,4,4′-tetrahydroxybenzophenone, 2,3, 4,2′-tetrahydroxy-4′-methylbenzophenone, 2,3,4,4′-tetrahydroxy-3′-methoxybenzophenone, etc .;
Examples of pentahydroxybenzophenone include 2,3,4,2 ′, 6′-pentahydroxybenzophenone and the like;
Examples of hexahydroxybenzophenone include 2,4,6,3 ′, 4 ′, 5′-hexahydroxybenzophenone, 3,4,5,3 ′, 4 ′, 5′-hexahydroxybenzophenone and the like;

(ポリヒドロキシフェニル)アルカンとして、例えばビス(2,4−ジヒドロキシフェニル)メタン、ビス(p−ヒドロキシフェニル)メタン、トリス(p−ヒドロキシフェニル)メタン、1,1,1−トリス(p−ヒドロキシフェニル)エタン、ビス(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)メタン、2,2−ビス(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)プロパン、1,1,3−トリス(2,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−3−フェニルプロパン、4,4’−〔1−〔4−〔1−〔4−ヒドロキシフェニル〕−1−メチルエチル〕フェニル〕エチリデン〕ビスフェノール、ビス(2,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン、3,3,3’,3’−テトラメチル−1,1’−スピロビインデン−5,6,7,5’,6’,7’−ヘキサノール、2,2,4−トリメチル−7,2’,4’−トリヒドロキシフラバン等;   Examples of (polyhydroxyphenyl) alkanes include bis (2,4-dihydroxyphenyl) methane, bis (p-hydroxyphenyl) methane, tris (p-hydroxyphenyl) methane, 1,1,1-tris (p-hydroxyphenyl). ) Ethane, bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) methane, 2,2-bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) propane, 1,1,3-tris (2,5-dimethyl-4) -Hydroxyphenyl) -3-phenylpropane, 4,4 '-[1- [4- [1- [4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol, bis (2,5-dimethyl- 4-hydroxyphenyl) -2-hydroxyphenylmethane, 3,3,3 ′, 3′-tetramethyl-1,1′-spirobiin Down -5,6,7,5 ', 6', 7'-hexanol, 2,2,4-trimethyl -7,2 ', 4'-trihydroxy flavan like;

その他の母核として、例えば2−メチル−2−(2,4−ジヒドロキシフェニル)−4−(4−ヒドロキシフェニル)−7−ヒドロキシクロマン、1−[1−(3−{1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル}−4,6−ジヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル]−3−(1−(3−{1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル}−4,6−ジヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル)ベンゼン、4,6−ビス{1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル}−1,3−ジヒドロキシベンゼンが挙げられる。   As other mother nucleus, for example, 2-methyl-2- (2,4-dihydroxyphenyl) -4- (4-hydroxyphenyl) -7-hydroxychroman, 1- [1- (3- {1- (4- Hydroxyphenyl) -1-methylethyl} -4,6-dihydroxyphenyl) -1-methylethyl] -3- (1- (3- {1- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl} -4, 6-dihydroxyphenyl) -1-methylethyl) benzene and 4,6-bis {1- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl} -1,3-dihydroxybenzene.

これらの母核のうち、2,3,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、1,1,1−トリ(p−ヒドロキシフェニル)エタン、4,4’−〔1−〔4−〔1−〔4−ヒドロキシフェニル〕−1−メチルエチル〕フェニル〕エチリデン〕ビスフェノールが好ましい。   Among these mother nuclei, 2,3,4,4′-tetrahydroxybenzophenone, 1,1,1-tri (p-hydroxyphenyl) ethane, 4,4 ′-[1- [4- [1- [ 4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol is preferred.

また、1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドとしては、1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸クロリドが好ましい。1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸クロリドの具体例としては、1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸クロリド及び1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロリドを挙げることができる。この中でも、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロリドを使用することが特に好ましい。   The 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid halide is preferably 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid chloride. Specific examples of 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid chloride include 1,2-naphthoquinone diazide-4-sulfonic acid chloride and 1,2-naphthoquinone diazide-5-sulfonic acid chloride. Among these, it is particularly preferable to use 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride.

フェノール性化合物又はアルコール性化合物と1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドとの縮合物の好適例としては、1,1,1−トリ(p−ヒドロキシフェニル)エタンと1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロリドとの縮合物、4,4’−〔1−〔4−〔1−〔4−ヒドロキシフェニル〕−1−メチルエチル〕フェニル〕エチリデン〕ビスフェノールと1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロリドとの縮合物が挙げられる。   Preferable examples of the condensate of a phenolic compound or alcoholic compound and 1,2-naphthoquinonediazide sulfonic acid halide include 1,1,1-tri (p-hydroxyphenyl) ethane and 1,2-naphthoquinonediazide-5. -Condensate with sulfonic acid chloride, 4,4 '-[1- [4- [1- [4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol and 1,2-naphthoquinonediazide-5 A condensate with sulfonic acid chloride is mentioned.

フェノール性化合物又はアルコール性化合物(母核)と、1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドとの縮合反応では、フェノール性化合物又はアルコール性化合物中のOH基数に対して、好ましくは30〜85モル%、より好ましくは50〜70モル%に相当する1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドを用いることができる。縮合反応は、公知の方法によって実施することができる。   In the condensation reaction of the phenolic compound or alcoholic compound (mother nucleus) and 1,2-naphthoquinonediazide sulfonic acid halide, preferably 30 to 85 mol% based on the number of OH groups in the phenolic compound or alcoholic compound. More preferably, 1,2-naphthoquinonediazide sulfonic acid halide corresponding to 50 to 70 mol% can be used. The condensation reaction can be carried out by a known method.

また、キノンジアジド化合物としては、上記例示した母核のエステル結合をアミド結合に変更した1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸アミド類、例えば2,3,4−トリアミノベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸アミド等も好適に使用される。これらの[B]成分は、単独で又は2種類以上を組み合わせて用いることができる。   Examples of the quinonediazide compound include 1,2-naphthoquinonediazidesulfonic acid amides in which the ester bond of the mother nucleus exemplified above is changed to an amide bond, such as 2,3,4-triaminobenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide- 4-sulfonic acid amide and the like are also preferably used. These [B] components can be used individually or in combination of 2 or more types.

当該ポジ型感放射線性組成物における[B]光酸発生剤としての含有量としては、重合体[A]100質量部に対して、好ましくは1〜20質量部であり、より好ましくは1〜10質量部である。[B]成分の含有量が上記範囲にあると、現像液となるアルカリ水溶液に対する放射線の照射部分と未照射部分との溶解度の差が大きく、パターニング性能が良好となり、また得られる層間絶縁膜の耐溶媒性も良好となる。   The content of [B] photoacid generator in the positive radiation sensitive composition is preferably 1 to 20 parts by mass, more preferably 1 to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the polymer [A]. 10 parts by mass. When the content of the component [B] is in the above range, the difference in solubility between the irradiated portion and the unirradiated portion in the alkaline aqueous solution serving as the developer is large, the patterning performance is improved, and the obtained interlayer insulating film The solvent resistance is also improved.

<共重合体[C]>
共重合体[C]は、上記の特定構造を有する重合性化合物(c1)、重合性化合物(c2)及び重合性化合物(c3)に由来する構造単位を少なくとも有する共重合体である。当該ポジ型感放射線性組成物において、共重合体[C]は表面張力の低下性能が高い界面活性剤として機能し、これを少ない割合で使用した場合でも、形成される層間絶縁膜の表面の平坦性を顕著に向上させることができる。
<Copolymer [C]>
The copolymer [C] is a copolymer having at least a structural unit derived from the polymerizable compound (c1), the polymerizable compound (c2), and the polymerizable compound (c3) having the specific structure. In the positive radiation sensitive composition, the copolymer [C] functions as a surfactant having a high surface tension reducing performance, and even when used in a small proportion, the copolymer [C] Flatness can be remarkably improved.

当該ポジ型感放射線性組成物において、共重合体[C]は、さらに(c4)炭素数1〜8の非置換アルキルエステル基を有する重合性不飽和化合物(以下、単に「重合性化合物(c4)」ともいう。)に由来する構造単位を有することが好ましく、なおさらに(c5)一分子中に2個以上の不飽和結合を有する重合性不飽和化合物(以下、単に「重合性化合物(c5)」ともいう。)に由来する構造単位を有することがより好ましく、特に上記重合性化合物(c1)、重合性化合物(c2)、重合性化合物(c3)、重合性化合物(c4)及び重合性化合物(c5)を含む組成物からなることが好ましい。   In the positive radiation-sensitive composition, the copolymer [C] further comprises (c4) a polymerizable unsaturated compound having an unsubstituted alkyl ester group having 1 to 8 carbon atoms (hereinafter simply referred to as “polymerizable compound (c4 It is preferable to have a structural unit derived from the above), and (c5) a polymerizable unsaturated compound having two or more unsaturated bonds in one molecule (hereinafter simply referred to as “polymerizable compound (c5)”. It is more preferable to have a structural unit derived from the above-mentioned polymerizable compound (c1), polymerizable compound (c2), polymerizable compound (c3), polymerizable compound (c4), and polymerizable. It is preferable to consist of a composition containing a compound (c5).

上記式(2)における基−Cα2α−は、メチレン基若しくはアルキルメチレン基、又は直鎖状若しくは分岐状のアルキレン基である。基−Cα2α−が左右非対称であるとき、その結合の方向は問わない。基−Cα2α−の炭素数αは好ましくは2〜4である。基−Cα2α−の具体例としては、例えば1,2−エチレン基、1,2−プロピレン基、1,3−プロピレン基、1,4−ブチレン基等を挙げることができ、これらのうち1,2−エチレン基又は1,3−プロピレン基が好ましく、特に1,2−エチレン基が好ましい。 The group —C α H — in the above formula (2) is a methylene group or an alkylmethylene group, or a linear or branched alkylene group. When the group -C [ alpha] H2 [ alpha] -is asymmetrical, the direction of the bond is not limited. The carbon number α of the group —C α H — is preferably 2-4. Specific examples of the group —C α H — include, for example, 1,2-ethylene group, 1,2-propylene group, 1,3-propylene group, 1,4-butylene group, and the like. Of these, a 1,2-ethylene group or a 1,3-propylene group is preferable, and a 1,2-ethylene group is particularly preferable.

上記式(2)における基−Cβ2β+1は直鎖状又は分岐状のフルオロアルキル基である。基−Cβ2β+1の炭素数βは1〜20であり、好ましくは1〜12であり、より好ましくは1〜8であり、特に好ましくは2〜8である。基−Cβ2β+1は直鎖状のフルオロアルキル基であることが好ましい。 The group —C β F 2β + 1 in the above formula (2) is a linear or branched fluoroalkyl group. Carbon number (beta) of group -C ( beta) F2 ( beta) +1 is 1-20, Preferably it is 1-12, More preferably, it is 1-8, Most preferably, it is 2-8. The group —C β F 2β + 1 is preferably a linear fluoroalkyl group.

本発明における重合性化合物(c1)としては、上記式(6)で表される化合物であることが好ましい。化合物(c1)の具体例としては、下記式(c1−1)及び(c1−8)のそれぞれで表される化合物等を挙げることができる。   The polymerizable compound (c1) in the present invention is preferably a compound represented by the above formula (6). Specific examples of the compound (c1) include compounds represented by the following formulas (c1-1) and (c1-8).

Figure 0004591625
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上記式(3)における基−Cγ2γ−は、直鎖状又は分岐状のアルキレン基である。基−Cγ2γ−が左右非対称であるとき、その結合の方向は問わない。基−Cγ2γ−の具体例として、例えば1,2−エチレン基及び1,2−プロピレン基を挙げることができ、1,2−エチレン基であることが好ましい。 The formula (3) group -C in gamma H 2 [gamma - is a linear or branched alkylene group. When the group -C [ gamma] H2 [ gamma] -is asymmetrical, the direction of the bond is not limited. Specific examples of the group —C γ H — include a 1,2-ethylene group and a 1,2-propylene group, and a 1,2-ethylene group is preferable.

化合物(c2)は、上記式(3)における繰り返し単位数aの値が異なる化合物の混合物として使用される。aの数平均値は1〜30であり、好ましくは2〜20であり、特に4〜12であることが好ましい。化合物(c2)においてγが2の場合(メタ)アクリル酸にエチレンオキサイド、γが3の場合(メタ)アクリル酸にプロピレンオキサイドをそれぞれ反応させて合成する。このとき、(メタ)アクリル酸1モルに対して導入されるエチレンオキサイド又はプロピレンオキサイドのモル数によりaの値が異なる。このaの値は、化合物(c2)につきゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定したポリスチレン換算の数平均分子量を求め、(メタ)アクリル酸1モルに対して導入されるエチレンオキサイド又はプロピレンオキサイドの仕込みのモル数から上記で求めた数平均分子量となる値を計算することにより求めることができる。   The compound (c2) is used as a mixture of compounds having different values of the repeating unit number a in the above formula (3). The number average value of a is 1 to 30, preferably 2 to 20, and particularly preferably 4 to 12. In the compound (c2), when γ is 2, (meth) acrylic acid is reacted with ethylene oxide, and when γ is 3, (meth) acrylic acid is reacted with propylene oxide. At this time, the value of a varies depending on the number of moles of ethylene oxide or propylene oxide introduced per mole of (meth) acrylic acid. The value of a is the number average molecular weight in terms of polystyrene measured by gel permeation chromatography for compound (c2), and is the mole of ethylene oxide or propylene oxide charged per 1 mole of (meth) acrylic acid. It can be determined by calculating a value that is the number average molecular weight determined above from the number.

化合物(c2)としては、市販品を好適に使用することができる。そのような市販品の例としては、新中村化学工業(株)製のNK−エステルM−40G、NK−エステルM−90G、AM−90G;日油(株)製のブレンマーPME−200、PME−400、PME−550等を挙げることができる。   As the compound (c2), a commercially available product can be suitably used. Examples of such commercially available products include NK-ester M-40G, NK-ester M-90G, AM-90G manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd .; Bremer PME-200, PME manufactured by NOF Corporation. -400, PME-550 and the like.

上記化合物(c3)は、上記式(4)において、R及びRがそれぞれ複数存在するときには、各Rは同一であっても異なっていてもよく、各Rは同一であっても異なっていてもよい。また、上記式(5)において、R13及びR14がそれぞれ複数存在するときには、各R13は同一であっても異なっていてもよく、各R14は同一であっても異なっていてもよい。また、化合物(c3)としては、上記式(4)において、R、R及びRが、それぞれ、炭素数1〜20のアルキル基又はフェニル基であり、且つR10及びR11が、それぞれ、上記式(5)で表される基を有する重合性不飽和化合物であることが好ましい。 In the compound (c3), when a plurality of R 8 and R 9 are present in the formula (4), each R 8 may be the same or different, and each R 9 may be the same. May be different. In the above formula (5), when a plurality of R 13 and R 14 are present, each R 13 may be the same or different, and each R 14 may be the same or different. . As the compound (c3), in the above formula (4), R 7 , R 8 and R 9 are each an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms or a phenyl group, and R 10 and R 11 are Each is preferably a polymerizable unsaturated compound having a group represented by the above formula (5).

化合物(c3)として、好ましくは、下記式(c3−1)で表される化合物を用いることができる。   As the compound (c3), a compound represented by the following formula (c3-1) can be preferably used.

Figure 0004591625
(式(c3−1)中、RSiは上記式(4)で表される基であり、R15は水素原子又はメチル基であり、dは1〜3の整数である。)
Figure 0004591625
(In formula (c3-1), R Si is a group represented by the above formula (4), R 15 is a hydrogen atom or a methyl group, and d is an integer of 1 to 3.)

化合物(c3−1)の具体的な例としては、下記式(c3−1−1)、(c3−1−2)及び(c3−1−3)のそれぞれで表される化合物等を挙げることができる。   Specific examples of the compound (c3-1) include compounds represented by the following formulas (c3-1-1), (c3-1-2) and (c3-1-3). Can do.

Figure 0004591625
(式(c3−1−1)中、Meはメチル基であり、r、s及びtは、それぞれ0〜3の整数である。)
Figure 0004591625
(In formula (c3-1-1), Me is a methyl group, and r, s, and t are each an integer of 0-3.)

Figure 0004591625
(式(c3−1−2)中、Me並びにr、s及びtは、上記式(c3−1−1)と同様に定義される。)
Figure 0004591625
(In formula (c3-1-2), Me and r, s, and t are defined in the same manner as in formula (c3-1-1) above.)

Figure 0004591625
(式(c3−1−3)中、Me並びにr、s及びtは、上記式(c3−1−1)と同様に定義され、Phはフェニル基である。)
Figure 0004591625
(In the formula (c3-1-3), Me and r, s, and t are defined in the same manner as in the above formula (c3-1-1), and Ph is a phenyl group.)

化合物(c4)としては、例えば、炭素数1〜8の非置換アルキルエステル基を有するアルキル(メタ)アクリレート等を挙げることができる。化合物(c4)の具体例としては、n−ブチルメタクリレート、メチルメタクリレート、2−エチルへキシルアクリレート等を挙げることができる。   Examples of the compound (c4) include alkyl (meth) acrylates having an unsubstituted alkyl ester group having 1 to 8 carbon atoms. Specific examples of the compound (c4) include n-butyl methacrylate, methyl methacrylate, 2-ethylhexyl acrylate and the like.

化合物(c5)としては、例えばテトラメチレングリコール、重合度1〜20のポリエチレングリコール、重合度1〜20のポリプロピレングリコール等の両末端をメタクリレート化した化合物を挙げることができる。化合物(c5)としては、市販品を好適に使用することができる。そのような市販品の例としては、新中村化学工業(株)社製のNKエステル1G、同2G、同3G、同4G、同9G、同14G等を挙げることができる。   Examples of the compound (c5) include compounds obtained by methacrylate formation at both ends, such as tetramethylene glycol, polyethylene glycol having a polymerization degree of 1 to 20, and polypropylene glycol having a polymerization degree of 1 to 20. As the compound (c5), a commercially available product can be suitably used. Examples of such commercially available products include NK Ester 1G, 2G, 3G, 4G, 9G, and 14G manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.

共重合体[C]が上述のような重合性化合物(c1)、重合性化合物(c2)及び重合性化合物(c3)に由来する構造単位を有する場合、これらの重合性化合物の全量に対する各重合性化合物の使用割合は、重合性化合物(c1)につき10〜55質量%であり、重合性化合物(c2)につき10〜50質量%であり、重合性化合物(c3)につき5〜45質量%である。   When the copolymer [C] has a structural unit derived from the polymerizable compound (c1), the polymerizable compound (c2) and the polymerizable compound (c3) as described above, each polymerization with respect to the total amount of these polymerizable compounds The use ratio of the polymerizable compound is 10 to 55% by mass for the polymerizable compound (c1), 10 to 50% by mass for the polymerizable compound (c2), and 5 to 45% by mass for the polymerizable compound (c3). is there.

共重合体[C]が、さらに重合性化合物(c4)に由来する構造単位を有する場合、重合性化合物の全量に対する各重合性化合物の使用割合は、重合性化合物(c1)につき20〜50質量%であり、重合性化合物(c2)につき15〜40質量%であり、重合性化合物(c3)につき10〜30質量%であり、重合性化合物(c4)につき20〜35質量%である。   When the copolymer [C] further has a structural unit derived from the polymerizable compound (c4), the use ratio of each polymerizable compound with respect to the total amount of the polymerizable compound is 20 to 50 mass per polymerizable compound (c1). %, 15 to 40% by mass per polymerizable compound (c2), 10 to 30% by mass per polymerizable compound (c3), and 20 to 35% by mass per polymerizable compound (c4).

共重合体[C]が、さらに重合性化合物(c5)に由来する構造単位を有する場合、重合性不飽和化合物の全量に対する各重合性化合物の使用割合は、重合性化合物(c1)につき25〜35質量%であり、重合性化合物(c2)につき20〜30質量%であり、重合性化合物(c3)につき15〜20質量%であり、重合性化合物(c4)につき25〜35質量%であり、そして重合性化合物(c5)につき1〜5質量%である。共重合体[C]を形成するための化合物(c1)〜(c5)の各々は、単独で用いてもよく、複数種のものを混合して用いてもよい。   When the copolymer [C] further has a structural unit derived from the polymerizable compound (c5), the use ratio of each polymerizable compound relative to the total amount of the polymerizable unsaturated compound is 25 to 25 per polymerizable compound (c1). 35% by mass, 20-30% by mass with respect to the polymerizable compound (c2), 15-20% by mass with respect to the polymerizable compound (c3), and 25-35% by mass with respect to the polymerizable compound (c4). , And 1 to 5% by mass with respect to the polymerizable compound (c5). Each of the compounds (c1) to (c5) for forming the copolymer [C] may be used alone or in combination of two or more.

共重合体[C]の質量平均分子量(Mw)は、5,000〜25,000であるが、10,000〜25,000であることが好ましく、15,000〜25,000であることが特に好ましい。共重合体[C]の分子量分布(Mw/Mn)(Mwの数平均分子量Mnに対する比率)は、好ましくは1〜10であり、より好ましくは2〜4である。   The copolymer [C] has a mass average molecular weight (Mw) of 5,000 to 25,000, preferably 10,000 to 25,000, and preferably 15,000 to 25,000. Particularly preferred. The molecular weight distribution (Mw / Mn) of the copolymer [C] (ratio of Mw to the number average molecular weight Mn) is preferably 1 to 10, more preferably 2 to 4.

共重合体[C]の製造方法は、特に限定されず、公知の方法、例えばラジカル重合法、カチオン重合法、アニオン重合法等の重合機構に基づき、溶液重合法、塊状重合法、エマルジョン重合法等によって製造することができる。これらの製造方法の中でも、溶液中におけるラジカル重合法が簡便であるため、工業的に好ましい。   The method for producing the copolymer [C] is not particularly limited, and is based on a known method, for example, a polymerization mechanism such as a radical polymerization method, a cationic polymerization method, or an anionic polymerization method, a solution polymerization method, a bulk polymerization method, an emulsion polymerization method. Etc. can be manufactured. Among these production methods, the radical polymerization method in a solution is simple and industrially preferable.

共重合体[C]を製造する際に用いられる重合開始剤としては、例えば過酸化ベンゾイル、過酸化ジアシル等の過酸化物;2,2’−アゾビスイソブチロニトリル、フェニルアゾトリフェニルメタン等のアゾ化合物等を挙げることができる。   Examples of the polymerization initiator used in producing the copolymer [C] include peroxides such as benzoyl peroxide and diacyl peroxide; 2,2′-azobisisobutyronitrile, phenylazotriphenylmethane An azo compound such as

共重合体[C]の製造は、溶媒の存在下又は非存在下のいずれでも実施することができるが、作業性の点から溶媒存在下で行うことが好ましい。上記溶媒としては、例えばアルコール、ケトン、モノカルボン酸のアルキルエステル、エーテル、プロピレングリコール及びそのエステル、ハロゲン化炭化水素、芳香族炭化水素、フッ素化イナートリキッド、その他の極性溶媒等を挙げることができる。   The copolymer [C] can be produced in the presence or absence of a solvent, but it is preferably carried out in the presence of a solvent from the viewpoint of workability. Examples of the solvent include alcohols, ketones, alkyl esters of monocarboxylic acids, ethers, propylene glycol and esters thereof, halogenated hydrocarbons, aromatic hydrocarbons, fluorinated inert liquids, and other polar solvents. .

これらの溶媒の例として、
上記アルコールとしては、例えばエタノール、イソプロピルアルコール、n−ブタノール、iso−ブタノール、tert−ブタノール等;
上記ケトンとしては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルアミノケトン等;
上記モノカルボン酸のアルキルエステルとしては、例えば酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、2−オキシプロピオン酸メチル、2−オキシプロピオン酸エチル、2−オキシプロピオン酸プロピル、2−オキシプロピオン酸ブチル、2−メトキシプロピオン酸メチル、2−メトキシプロピオン酸エチル、2−メトキシプロピオン酸プロピル、2−メトキシプロピオン酸ブチル等;
上記エーテルとしては、例えばメチルセロソルブ、セロソルブ、ブチルセロソルブ、ブチルカルビトール、エチルセロソロブアセテート、テトラヒドロフラン、ジオキサン等;
上記プロピレングリコール及びそのエステルとしては、例えばプロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート等;
上記ハロゲン化炭化水素としては、例えば1,1,1−トリクロルエタン、クロロホルム等;
上記芳香族炭化水素としては、例えばベンゼン、トルエン、キシレン等;
上記フッ素化イナートリキッドとしては、例えばパーフルオロオクタン、パーフロロトリ−n−ブチルアミン等;
上記その他の極性溶媒としては、例えば、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、N−メチルピロリドン等、を挙げることができる。
これらの溶媒は、1種類を単独で用いてもよいし、2種類以上を適宜混合して用いることもできる。
Examples of these solvents include
Examples of the alcohol include ethanol, isopropyl alcohol, n-butanol, iso-butanol, tert-butanol and the like;
Examples of the ketone include acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, and methyl amino ketone.
Examples of the alkyl ester of monocarboxylic acid include, for example, methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, methyl lactate, ethyl lactate, butyl lactate, methyl 2-oxypropionate, ethyl 2-oxypropionate, propyl 2-oxypropionate, Butyl 2-oxypropionate, methyl 2-methoxypropionate, ethyl 2-methoxypropionate, propyl 2-methoxypropionate, butyl 2-methoxypropionate and the like;
Examples of the ether include methyl cellosolve, cellosolve, butyl cellosolve, butyl carbitol, ethyl cellosolve acetate, tetrahydrofuran, dioxane and the like;
Examples of the propylene glycol and esters thereof include propylene glycol, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monobutyl ether acetate and the like;
Examples of the halogenated hydrocarbon include 1,1,1-trichloroethane, chloroform and the like;
Examples of the aromatic hydrocarbon include benzene, toluene, xylene and the like;
Examples of the fluorinated inert liquid include perfluorooctane and perfluorotri-n-butylamine;
Examples of the other polar solvent include dimethylformamide, dimethyl sulfoxide, N-methylpyrrolidone and the like.
One kind of these solvents may be used alone, or two or more kinds may be appropriately mixed and used.

共重合体[C]の製造に際しては、必要に応じて、更にラウリルメルカプタン、2−メルカプトエタノール、エチルチオグリコール酸、オクチルチオグリコール酸等の連鎖移動剤を使用してもよい。   In production of the copolymer [C], a chain transfer agent such as lauryl mercaptan, 2-mercaptoethanol, ethylthioglycolic acid, octylthioglycolic acid or the like may be used as necessary.

当該ポジ型感放射線性組成物における共重合体[C]の使用割合は、[A]成分100質量部に対して、好ましくは0.01〜3質量部であり、より好ましくは0.05〜2質量部である。[C]成分をこのような割合で用いることによって、塗布ムラのない高度な平坦性を有する層間絶縁膜を形成することができる。   The proportion of copolymer [C] used in the positive radiation-sensitive composition is preferably 0.01 to 3 parts by mass, more preferably 0.05 to 100 parts by mass with respect to 100 parts by mass of component [A]. 2 parts by mass. By using the component [C] at such a ratio, an interlayer insulating film having a high degree of flatness without coating unevenness can be formed.

<その他の任意成分>
本発明のポジ型感放射線性組成物は、上記の[A]〜[C]成分に加え、所期の効果を損なわない範囲で、必要に応じて[D]密着助剤、[E]塩基性化合物等の他の任意成分を含有することができる。
<Other optional components>
In addition to the components [A] to [C] described above, the positive radiation-sensitive composition of the present invention includes [D] an adhesion assistant and [E] base as necessary within a range not impairing the intended effect. Other optional components such as a functional compound can be contained.

<[D]密着助剤>
当該ポジ型感放射線性樹脂組成物においては、基板となる無機物、例えばシリコン、酸化シリコン、窒化シリコン等のシリコン化合物、金、銅、アルミニウム等の金属と絶縁膜との接着性を向上させるために[D]成分である密着助剤を使用することができる。このような密着助剤としては、官能性シランカップリング剤が好ましく使用される。官能性シランカップリング剤の例としては、カルボキシル基、メタクリロイル基、イソシアネート基、エポキシ基(好ましくはオキシラニル基)、チオール基等の反応性置換基を有するシランカップリング剤等が挙げられる。
<[D] Adhesion aid>
In the positive-type radiation-sensitive resin composition, in order to improve the adhesion between an inorganic material serving as a substrate, for example, a silicon compound such as silicon, silicon oxide, or silicon nitride, a metal such as gold, copper, or aluminum, and an insulating film The adhesion assistant as component [D] can be used. As such an adhesion assistant, a functional silane coupling agent is preferably used. Examples of functional silane coupling agents include silane coupling agents having reactive substituents such as carboxyl groups, methacryloyl groups, isocyanate groups, epoxy groups (preferably oxiranyl groups), thiol groups, and the like.

官能性シランカップリング剤の具体例としては、トリメトキシシリル安息香酸、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルアルキルジアルコキシシラン、γ−クロロプロピルトリアルコキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリアルコキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン等が挙げられる。これらの中でも、γ−グリシドキシプロピルアルキルジアルコキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランが好ましい。   Specific examples of functional silane coupling agents include trimethoxysilylbenzoic acid, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, vinyltrimethoxysilane, γ-isocyanatopropyltriethoxysilane, γ-glycidoxy Examples include propyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropylalkyldialkoxysilane, γ-chloropropyltrialkoxysilane, γ-mercaptopropyltrialkoxysilane, β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, and the like. . Among these, γ-glycidoxypropylalkyldialkoxysilane, β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, and γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane are preferable.

ポジ型感放射線性樹脂組成物において、このような密着助剤は、重合体[A]100質量部に対して、好ましくは0.5質量部以上20質量部以下、より好ましくは1質量部以上10質量部以下の量で用いられる。密着助剤の量を上記範囲とすることによって、形成される層間絶縁膜と基板との密着性が改善される。   In the positive radiation-sensitive resin composition, such an adhesion assistant is preferably 0.5 parts by mass or more and 20 parts by mass or less, more preferably 1 part by mass or more with respect to 100 parts by mass of the polymer [A]. It is used in an amount of 10 parts by mass or less. By setting the amount of the adhesion assistant in the above range, the adhesion between the formed interlayer insulating film and the substrate is improved.

<[E]塩基性化合物>
塩基性化合物としては、化学増幅レジストで用いられるものの中から任意に選択して使用することができる。塩基性化合物としては、例えば、脂肪族アミン、芳香族アミン、複素環式アミン、4級アンモニウムヒドロキシド、カルボン酸4級アンモニウム塩等が挙げられる。当該ポジ型感放射線性組成物に塩基性化合物を含有させることにより、露光により光酸発生体から発生した酸の拡散長を適度に制御することができ、パターン現像性を良好なものとすることができる。
<[E] basic compound>
The basic compound can be arbitrarily selected from those used in chemically amplified resists. Examples of the basic compound include aliphatic amines, aromatic amines, heterocyclic amines, quaternary ammonium hydroxides, carboxylic acid quaternary ammonium salts, and the like. By including a basic compound in the positive radiation-sensitive composition, the diffusion length of the acid generated from the photoacid generator by exposure can be appropriately controlled, and the pattern developability should be good. Can do.

脂肪族アミンとしては、例えば、トリメチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジ−n−プロピルアミン、トリ−n−プロピルアミン、ジ−n−ペンチルアミン、トリ−n−ペンチルアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジシクロヘキシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン等が挙げられる。   Examples of the aliphatic amine include trimethylamine, diethylamine, triethylamine, di-n-propylamine, tri-n-propylamine, di-n-pentylamine, tri-n-pentylamine, diethanolamine, triethanolamine, and dicyclohexylamine. , Dicyclohexylmethylamine and the like.

芳香族アミンとしては、例えば、アニリン、ベンジルアミン、N,N−ジメチルアニリン、ジフェニルアミン等が挙げられる。   Examples of the aromatic amine include aniline, benzylamine, N, N-dimethylaniline, diphenylamine and the like.

複素環式アミンとしては、例えば、ピリジン、2−メチルピリジン、4−メチルピリジン、2−エチルピリジン、4−エチルピリジン、2−フェニルピリジン、4−フェニルピリジン、N−メチル−4−フェニルピリジン、4−ジメチルアミノピリジン、イミダゾール、ベンズイミダゾール、4−メチルイミダゾール、2−フェニルベンズイミダゾール、2,4,5−トリフェニルイミダゾール、ニコチン、ニコチン酸、ニコチン酸アミド、キノリン、8−オキシキノリン、ピラジン、ピラゾール、ピリダジン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、ピペラジン、モルホリン、4−メチルモルホリン、1,5−ジアザビシクロ[4,3,0]−5−ノネン、1,8−ジアザビシクロ[5,3,0]−7ウンデセン等が挙げられる。   Examples of the heterocyclic amine include pyridine, 2-methylpyridine, 4-methylpyridine, 2-ethylpyridine, 4-ethylpyridine, 2-phenylpyridine, 4-phenylpyridine, N-methyl-4-phenylpyridine, 4-dimethylaminopyridine, imidazole, benzimidazole, 4-methylimidazole, 2-phenylbenzimidazole, 2,4,5-triphenylimidazole, nicotine, nicotinic acid, nicotinamide, quinoline, 8-oxyquinoline, pyrazine, Pyrazole, pyridazine, purine, pyrrolidine, piperidine, piperazine, morpholine, 4-methylmorpholine, 1,5-diazabicyclo [4,3,0] -5-nonene, 1,8-diazabicyclo [5,3,0] -7 Undecene etc. are mentioned.

4級アンモニウムヒドロキシドとしては、例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−n−ブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−n−ヘキシルアンモニウムヒドロキシド等が挙げられる。   Examples of the quaternary ammonium hydroxide include tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, tetra-n-butylammonium hydroxide, tetra-n-hexylammonium hydroxide, and the like.

カルボン酸4級アンモニウム塩としては、例えば、テトラメチルアンモニウムアセテート、テトラメチルアンモニウムベンゾエート、テトラ−n−ブチルアンモニウムアセテート、テトラ−n−ブチルアンモニウムベンゾエート等が挙げられる。   Examples of the carboxylic acid quaternary ammonium salt include tetramethylammonium acetate, tetramethylammonium benzoate, tetra-n-butylammonium acetate, and tetra-n-butylammonium benzoate.

当該ポジ型感放射線性組成物における塩基性化合物の含有量は、重合体[A]100質量部に対して、0.001〜1質量部とすることが好ましく、0.005〜0.2質量部とすることがより好ましい。塩基性化合物の含有量を上記範囲とすることで、パターン現像性が良好となる。   It is preferable that content of the basic compound in the said positive radiation sensitive composition shall be 0.001-1 mass part with respect to 100 mass parts of polymers [A], and 0.005-0.2 mass. More preferably, it is a part. Pattern developability becomes favorable by making content of a basic compound into the said range.

<ポジ型感放射線性組成物>
本発明のポジ型感放射線性組成物は、上記[A]重合体、[B]光酸発生体、[C]特定構造の単量体から形成された共重合体、及び、必要に応じて任意成分を混合することによって調製される。通常、ポジ型感放射線性組成物は、好ましくは適当な[F]溶媒に溶解又は分散させた状態に調製され、使用される。例えば溶媒中で、[A]、[B]及び[C]成分、並びに任意成分を所定の割合で混合することにより、ポジ型感放射線性組成物を調製することができる。
<Positive radiation sensitive composition>
The positive radiation-sensitive composition of the present invention includes the above-mentioned [A] polymer, [B] photoacid generator, [C] a copolymer formed from a monomer having a specific structure, and, if necessary, Prepared by mixing optional ingredients. Usually, the positive radiation-sensitive composition is preferably prepared and used in a state dissolved or dispersed in an appropriate [F] solvent. For example, a positive radiation-sensitive composition can be prepared by mixing [A], [B] and [C] components, and optional components in a solvent in a predetermined ratio.

<[F]溶媒>
当該ポジ型感放射線性組成物の調製に用いることができる[F]溶媒としては、各成分を均一に溶解又は分散し、各成分と反応しないものが好適に用いられる。このような溶媒としては、例えば、アルコール類、エーテル類、ジエチレングリコールアルキルエーテル類、エチレングリコールアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコールモノアルキルエーテル類、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコールモノアルキルエーテルプロピオネート類、芳香族炭化水素類、ケトン類、エステル類等を挙げることができる。
<[F] solvent>
As the [F] solvent that can be used for the preparation of the positive radiation sensitive composition, those that uniformly dissolve or disperse each component and do not react with each component are preferably used. Examples of such solvents include alcohols, ethers, diethylene glycol alkyl ethers, ethylene glycol alkyl ether acetates, propylene glycol monoalkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ether acetates, propylene glycol monoalkyl ether propionate. , Aromatic hydrocarbons, ketones, esters and the like.

これらの溶媒としては、
アルコール類として、例えば、ベンジルアルコール、ジアセトンアルコール等;
エーテル類として、例えば、テトラヒドロフランや、ジイソプロピルエーテル、ジn−ブチルエーテル、ジn−ペンチルエーテル、ジイソペンチルエーテル、ジn−ヘキシルエーテル等のジアルキルエーテル等;
ジエチレングリコールアルキルエーテル類として、例えばジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル等;
エチレングリコールアルキルエーテルアセテート類として、例えばメチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等;
プロピレングリコールモノアルキルエーテル類として、例えばプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル等;
プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類として、例えばプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート等;
プロピレングリコールモノアルキルエーテルプロピオネート類として、例えばプロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノエチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノブチルエーテルプロピオネート等;
These solvents include
Examples of alcohols include benzyl alcohol and diacetone alcohol;
Examples of ethers include dialkyl ethers such as tetrahydrofuran, diisopropyl ether, di n-butyl ether, di n-pentyl ether, diisopentyl ether, and di n-hexyl ether;
Examples of diethylene glycol alkyl ethers include diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, and diethylene glycol ethyl methyl ether;
Examples of ethylene glycol alkyl ether acetates include methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, ethylene glycol monobutyl ether acetate, and ethylene glycol monoethyl ether acetate;
Examples of propylene glycol monoalkyl ethers include propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, and propylene glycol monobutyl ether;
Examples of propylene glycol monoalkyl ether acetates include propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, and propylene glycol monobutyl ether acetate;
Examples of propylene glycol monoalkyl ether propionates include propylene glycol monomethyl ether propionate, propylene glycol monoethyl ether propionate, propylene glycol monopropyl ether propionate, propylene glycol monobutyl ether propionate and the like;

芳香族炭化水素類として、例えばトルエン、キシレン等;
ケトン類として、例えばメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、2−ヘプタノン、4−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンタノン等;
エステル類として、例えば、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸i−プロピル、酢酸ブチル、2−ヒドロキシプロピオン酸エチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸メチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸エチル、ヒドロキシ酢酸メチル、ヒドロキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、3−ヒドロキシプロピオン酸メチル、3−ヒドロキシプロピオン酸エチル、3−ヒドロキシプロピオン酸プロチル、3−ヒドロキシプロピオン酸ブチル、2−ヒドロキシ−3−メチルブタン酸メチル、メトキシ酢酸メチル、メトキシ酢酸エチル、メトキシ酢酸プロピル、メトキシ酢酸ブチル、エトキシ酢酸メチル、エトキシ酢酸エチル、エトキシ酢酸プロピル、エトキシ酢酸ブチル、プロポキシ酢酸メチル、プロポキシ酢酸エチル、プロポキシ酢酸プロピル、プロポキシ酢酸ブチル、ブトキシ酢酸メチル、ブトキシ酢酸エチル、ブトキシ酢酸プロピル、ブトキシ酢酸ブチル、2−メトキシプロピオン酸メチル、2−メトキシプロピオン酸エチル、2−メトキシプロピオン酸プロピル、2−メトキシプロピオン酸ブチル、2−エトキシプロピオン酸メチル、2−エトキシプロピオン酸エチル等をそれぞれ挙げることができる。
Examples of aromatic hydrocarbons include toluene and xylene;
Examples of ketones include methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, 2-heptanone, 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone, etc.
Examples of esters include methyl acetate, ethyl acetate, propyl acetate, i-propyl acetate, butyl acetate, ethyl 2-hydroxypropionate, methyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, 2-hydroxy-2-methylpropionic acid Ethyl, methyl hydroxyacetate, ethyl hydroxyacetate, butyl hydroxyacetate, methyl lactate, ethyl lactate, propyl lactate, butyl lactate, methyl 3-hydroxypropionate, ethyl 3-hydroxypropionate, protyl 3-hydroxypropionate, 3-hydroxy Butyl propionate, methyl 2-hydroxy-3-methylbutanoate, methyl methoxyacetate, ethyl methoxyacetate, propyl methoxyacetate, butyl methoxyacetate, methyl ethoxyacetate, ethyl ethoxyacetate, propyl ethoxyacetate, ethoxy Butyl acetate, methyl propoxyacetate, ethyl propoxyacetate, propylpropoxyacetate, butyl propoxyacetate, methyl butoxyacetate, ethyl butoxyacetate, propylbutoxyacetate, butylbutoxyacetate, methyl 2-methoxypropionate, ethyl 2-methoxypropionate, 2 Examples thereof include propyl methoxypropionate, butyl 2-methoxypropionate, methyl 2-ethoxypropionate, ethyl 2-ethoxypropionate and the like.

これらの溶媒の中でも、溶解性あるいは分散性が優れていること、各成分と非反応性であること、及び塗膜形成の容易性の観点から、ジアルキルエーテル等のエーテル類、ジエチレングリコールアルキルエーテル類、エチレングリコールアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコールモノアルキルエーテル類、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、ケトン類及びエステル類が好ましく、特に、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、シクロヘキサノン、酢酸プロピル、酢酸i−プロピル、酢酸ブチル、2−ヒドロキシプロピオン酸エチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸メチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、2−メトキシプロピオン酸メチル、2−メトキシプロピオン酸エチルが好ましい。これらの溶媒は、単独で又は混合して用いることができる。   Among these solvents, from the viewpoint of excellent solubility or dispersibility, non-reactivity with each component, and ease of coating film formation, ethers such as dialkyl ethers, diethylene glycol alkyl ethers, Ethylene glycol alkyl ether acetates, propylene glycol monoalkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ether acetates, ketones and esters are preferred, especially diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, propylene Glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol Noethyl ether acetate, cyclohexanone, propyl acetate, i-propyl acetate, butyl acetate, ethyl 2-hydroxypropionate, methyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, methyl lactate, Ethyl lactate, propyl lactate, butyl lactate, methyl 2-methoxypropionate and ethyl 2-methoxypropionate are preferred. These solvents can be used alone or in combination.

また、これらの溶媒の中でも、ジイソプロピルエーテル、ジn−ブチルエーテル、ジn−ペンチルエーテル、ジイソペンチルエーテル、ジn−ヘキシルエーテル等のジアルキルエーテル等のエーテル類が好ましく、ジイソペンチルエーテルが最も好ましい。このような溶媒を用いることによって、感放射線性組成物をスリット塗布法で大型ガラス基板に塗布する際に、乾燥工程時間を短縮すると同時に、塗布性をより一層向上(塗布ムラを抑制)することが可能となる。   Among these solvents, ethers such as diisopropyl ether such as diisopropyl ether, di n-butyl ether, di n-pentyl ether, diisopentyl ether and di n-hexyl ether are preferable, and diisopentyl ether is most preferable. . By using such a solvent, when applying the radiation-sensitive composition to a large glass substrate by the slit coating method, the drying process time is shortened, and at the same time, the coating property is further improved (coating unevenness is suppressed). Is possible.

上記した溶媒に加え、さらに必要に応じて、ベンジルエチルエーテル、ジヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、アセトニルアセトン、イソホロン、カプロン酸、カプリル酸、1−オクタノール、1−ノナノール、ベンジルアルコール、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、γ−ブチロラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、フェニルセロソルブアセテート、カルビトールアセテート等の高沸点溶媒を併用することもできる。   In addition to the above-mentioned solvents, benzyl ethyl ether, dihexyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, acetonyl acetone, isophorone, caproic acid, caprylic acid, 1-octanol, 1-octanol High-boiling solvents such as nonanol, benzyl alcohol, benzyl acetate, ethyl benzoate, diethyl oxalate, diethyl maleate, γ-butyrolactone, ethylene carbonate, propylene carbonate, phenyl cellosolve acetate, carbitol acetate and the like can also be used in combination.

ポジ型感放射線性組成物を溶液又は分散液状態として調製する場合、液中に占める[F]溶媒以外の成分(すなわち[A]、[B]及び[C]成分並びにその他の任意成分の合計量)の割合は、使用目的や所望の膜厚等に応じて任意に設定することができるが、好ましくは5〜50質量%、より好ましくは10〜40質量%、さらに好ましくは15〜35質量%である。   When preparing a positive radiation sensitive composition in a solution or dispersion state, components other than the [F] solvent in the solution (that is, the sum of the components [A], [B] and [C] and other optional components) The ratio of (amount) can be arbitrarily set according to the purpose of use, desired film thickness, etc., but is preferably 5 to 50% by mass, more preferably 10 to 40% by mass, and still more preferably 15 to 35% by mass. %.

<層間絶縁膜の形成>
次に、上記のポジ型感放射線性組成物を用いて、基板上に層間絶縁膜の硬化膜を形成する方法について説明する。当該方法は、以下の工程を以下の記載順で含む。
(1)当該ポジ型感放射線性組成物の塗膜を基板上に形成する工程、
(2)工程(1)で形成した塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程、
(3)工程(2)で放射線を照射された塗膜を現像する工程、及び
(4)工程(3)で現像された塗膜を加熱する工程。
<Formation of interlayer insulating film>
Next, a method for forming a cured film of an interlayer insulating film on a substrate using the positive radiation sensitive composition will be described. The method includes the following steps in the order described below.
(1) The process of forming the coating film of the said positive type radiation sensitive composition on a board | substrate,
(2) A step of irradiating at least a part of the coating film formed in step (1),
(3) A step of developing the coating film irradiated with radiation in the step (2), and (4) A step of heating the coating film developed in the step (3).

<(1)ポジ型感放射線性組成物の塗膜を基板上に形成する工程>
上記(1)の工程において、基板上に当該ポジ型感放射線性組成物の溶液又は分散液を塗布した後、好ましくは塗布面を加熱(プレベーク)することによって溶媒を除去して、塗膜を形成する。使用できる基板の例としては、ガラス、石英、シリコン、樹脂等を挙げることができる。樹脂の具体例としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリカーボネート、ポリイミド、環状オレフィンの開環重合体及びその水素添加物等を挙げることができる。
<(1) Step of forming a coating film of positive radiation sensitive composition on substrate>
In the step (1), after applying the solution or dispersion of the positive radiation sensitive composition on the substrate, the coating surface is preferably removed by heating (pre-baking) the coated surface. Form. Examples of the substrate that can be used include glass, quartz, silicon, and resin. Specific examples of the resin include polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyethersulfone, polycarbonate, polyimide, a ring-opening polymer of cyclic olefin, and hydrogenated products thereof.

組成物溶液又は分散液の塗布方法としては、特に限定されず、例えばスプレー法、ロールコート法、回転塗布法(スピンコート法)、スリットダイ塗布法、バー塗布法等の適宜の方法を採用することができる。これらの塗布方法の中でも、スピンコート法又はスリットダイ塗布法が好ましく、スリットダイ塗布法が特に好ましい。プレベークの条件は、各成分の種類、配合割合等によっても異なるが、好ましくは70〜120℃で1〜10分間程度とすることができる。   The coating method of the composition solution or dispersion is not particularly limited, and an appropriate method such as a spray method, a roll coating method, a spin coating method (spin coating method), a slit die coating method, a bar coating method, or the like is employed. be able to. Among these coating methods, a spin coating method or a slit die coating method is preferable, and a slit die coating method is particularly preferable. Prebaking conditions vary depending on the type of each component, the blending ratio, and the like, but are preferably 70 to 120 ° C. for about 1 to 10 minutes.

<(2)塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程>
上記(2)の工程では、形成された塗膜の少なくとも一部に露光する。この場合、塗膜の一部に露光する際には、通常所定のパターンを有するフォトマスクを介して露光する。露光に使用される放射線としては、光酸発生体に対して用いる放射線が好適である。これらの放射線の中でも、波長が190〜450nmの範囲にある放射線が好ましく、特に365nmの紫外線を含む放射線が好ましい。
<(2) Step of irradiating radiation to at least part of coating film>
In the step (2), at least a part of the formed coating film is exposed. In this case, when a part of the coating film is exposed, it is usually exposed through a photomask having a predetermined pattern. As the radiation used for exposure, the radiation used for the photoacid generator is suitable. Among these radiations, radiation having a wavelength in the range of 190 to 450 nm is preferable, and radiation including ultraviolet light of 365 nm is particularly preferable.

当該工程における露光量は、放射線の波長365nmにおける強度を、照度計(OAI model356、OAI Optical Associates Inc.製)により測定した値として、好ましくは500〜6,000J/m、より好ましくは1,500〜1,800J/mである。 The exposure amount in this step is preferably 500 to 6,000 J / m 2 , more preferably 1, as a value obtained by measuring the intensity of radiation at a wavelength of 365 nm with an illuminometer (OAI model 356, manufactured by OAI Optical Associates Inc.). it is a 500~1,800J / m 2.

<(3)現像工程>
上記(3)の工程では、露光後の塗膜を現像することにより、不要な部分(放射線の照射部分)を除去して所定のパターンを形成する。現像工程に使用される現像液としては、アルカリ性水溶液が好ましい。アルカリの例としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア等の無機アルカリ;テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の4級アンモニウム塩等を挙げることができる。
<(3) Development process>
In the step (3), by developing the exposed coating film, unnecessary portions (radiation irradiated portions) are removed to form a predetermined pattern. As the developer used in the development step, an alkaline aqueous solution is preferable. Examples of alkalis include inorganic alkalis such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, and ammonia; quaternary ammonium salts such as tetramethylammonium hydroxide and tetraethylammonium hydroxide. be able to.

また、このようなアルカリ水溶液には、メタノール、エタノール等の水溶性有機溶媒や界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。アルカリ水溶液におけるアルカリの濃度は、適当な現像性を得る観点から、好ましくは0.1質量%以上5質量%以下とすることができる。現像方法としては、例えば液盛り法、ディッピング法、揺動浸漬法、シャワー法等の適宜の方法を利用することができる。現像時間は、ポジ型感放射線性組成物の組成によって異なるが、好ましくは10〜180秒間程度である。このような現像処理に続いて、例えば流水洗浄を30〜90秒間行った後、例えば圧縮空気や圧縮窒素で風乾させることによって、所望のパターンを形成することができる。   In addition, an appropriate amount of a water-soluble organic solvent such as methanol or ethanol or a surfactant can be added to such an alkaline aqueous solution. The concentration of the alkali in the alkaline aqueous solution is preferably from 0.1% by mass to 5% by mass from the viewpoint of obtaining appropriate developability. As a developing method, for example, an appropriate method such as a liquid piling method, a dipping method, a rocking dipping method, a shower method, or the like can be used. The development time varies depending on the composition of the positive radiation-sensitive composition, but is preferably about 10 to 180 seconds. Following such development processing, for example, after washing with running water for 30 to 90 seconds, a desired pattern can be formed by, for example, air drying with compressed air or compressed nitrogen.

<(4)加熱工程>
上記(4)の工程では、ホットプレート、オーブン等の加熱装置を用い、パターニングされた薄膜を加熱することで、上記[A]成分及び[C]成分の硬化反応を促進して、硬化物を得ることができる。本工程における加熱温度は、例えば120〜250℃である。加熱時間は、加熱機器の種類により異なるが、例えば、ホットプレート上で加熱工程を行う場合には5〜30分間、オーブン中で加熱工程を行う場合には30〜90分間とすることができる。2回以上の加熱工程を行うステップベーク法等を用いることもできる。このようにして、目的とする層間絶縁膜に対応するパターン状薄膜を基板の表面上に形成することができる。
<(4) Heating process>
In the process (4), the patterned thin film is heated by using a heating device such as a hot plate or an oven to accelerate the curing reaction of the [A] component and the [C] component, and a cured product is obtained. Obtainable. The heating temperature in this step is, for example, 120 to 250 ° C. Although heating time changes with kinds of heating apparatus, for example, when performing a heating process on a hotplate, it can be set to 30 to 90 minutes when performing a heating process in an oven. The step baking method etc. which perform a heating process 2 times or more can also be used. In this way, a patterned thin film corresponding to the target interlayer insulating film can be formed on the surface of the substrate.

<層間絶縁膜>
このように形成された層間絶縁膜の膜厚は、好ましくは0.1〜8μm、より好ましくは0.1〜6μm、さらに好ましくは0.1〜4μmである。
<Interlayer insulation film>
The film thickness of the interlayer insulating film thus formed is preferably 0.1 to 8 μm, more preferably 0.1 to 6 μm, and still more preferably 0.1 to 4 μm.

本発明のポジ型感放射線性組成物から形成された層間絶縁膜は、下記の実施例からも明らかにされるように、耐熱性及び透明性という一般的な要求特性をバランス良く満たすと共に、塗布ムラのない高度な平坦性を有する。そのため、当該層間絶縁膜は、表示素子用として好適に用いられる。   The interlayer insulating film formed from the positive-type radiation-sensitive composition of the present invention satisfies the general required characteristics of heat resistance and transparency in a well-balanced manner, as will be apparent from the following examples. High flatness without unevenness. Therefore, the interlayer insulating film is suitably used for display elements.

以下に合成例、実施例を示して、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。   The present invention will be described more specifically with reference to synthesis examples and examples. However, the present invention is not limited to the following examples.

以下において、重合体の質量平均分子量(Mw)及び数平均分子量(Mn)は、下記の条件によるゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)により測定した。
装置:GPC−101(昭和電工(株)製)
カラム:GPC−KF−801、GPC−KF−802、GPC−KF−803及びGPC−KF−804を結合
移動相:テトラヒドロフラン
カラム温度:40℃
流速:1.0mL/分
試料濃度:1.0質量%
試料注入量:100μL
検出器:示差屈折計
標準物質:単分散ポリスチレン



Below, the mass average molecular weight (Mw) and the number average molecular weight (Mn) of the polymer were measured by gel permeation chromatography (GPC) under the following conditions.
Apparatus: GPC-101 (made by Showa Denko KK)
Column: GPC-KF-801, GPC-KF-802, GPC-KF-803 and GPC-KF-804 are combined Mobile phase: Tetrahydrofuran Column temperature: 40 ° C
Flow rate: 1.0 mL / min Sample concentration: 1.0% by mass
Sample injection volume: 100 μL
Detector: Differential refractometer Standard material: Monodisperse polystyrene



<重合体[A]の合成例>
[合成例1]
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)7質量部、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル200質量部を仕込んだ。引き続き、メタクリル酸5質量部、1−エトキシエチルメタクリレート40質量部、スチレン5質量部、メタクリル酸グリシジル40質量部、2−ヒドロキシエチルメタクリレート10質量部及びα−メチルスチレンダイマー3質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を70℃に上昇させ、この温度を5時間保持し重合体(A−1)を含む重合体溶液を得た。重合体(A−1)のポリスチレン換算質量平均分子量(Mw)は9,000であった。また、ここで得られた重合体溶液の固形分濃度(重合体溶液に含まれる重合体の質量が重合体溶液の全質量に占める割合をいう。以下同じ。)は、32.1質量%であった。
<Synthesis Example of Polymer [A]>
[Synthesis Example 1]
A flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 7 parts by mass of 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether. Subsequently, 5 parts by mass of methacrylic acid, 40 parts by mass of 1-ethoxyethyl methacrylate, 5 parts by mass of styrene, 40 parts by mass of glycidyl methacrylate, 10 parts by mass of 2-hydroxyethyl methacrylate and 3 parts by mass of α-methylstyrene dimer were charged. After that, stirring was started gently. The temperature of the solution was raised to 70 ° C., and this temperature was maintained for 5 hours to obtain a polymer solution containing the polymer (A-1). The polystyrene equivalent mass average molecular weight (Mw) of the polymer (A-1) was 9,000. Further, the solid content concentration of the polymer solution obtained here (referring to the ratio of the mass of the polymer contained in the polymer solution to the total mass of the polymer solution; the same shall apply hereinafter) is 32.1% by mass. there were.

[合成例2]
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)7質量部、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル200質量部を仕込んだ。引き続きメタクリル酸5質量部、テトラヒドロ−2H−ピラン−2−イルメタクリレート40質量部、スチレン5質量部、メタクリル酸グリシジル40質量部、2−ヒドロキシエチルメタクリレート10質量部及びα−メチルスチレンダイマー3質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を70℃に上昇させ、この温度を5時間保持し重合体(A−2)を含む重合体溶液を得た。重合体(A−2)のポリスチレン換算質量平均分子量(Mw)は9,000であった。また、ここで得られた重合体溶液の固形分濃度は、31.3質量%であった。
[Synthesis Example 2]
A flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 7 parts by mass of 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether. Subsequently, 5 parts by weight of methacrylic acid, 40 parts by weight of tetrahydro-2H-pyran-2-yl methacrylate, 5 parts by weight of styrene, 40 parts by weight of glycidyl methacrylate, 10 parts by weight of 2-hydroxyethyl methacrylate and 3 parts by weight of α-methylstyrene dimer Was added, and the mixture was purged with nitrogen. The temperature of the solution was raised to 70 ° C., and this temperature was maintained for 5 hours to obtain a polymer solution containing the polymer (A-2). The polymer (A-2) had a polystyrene equivalent mass average molecular weight (Mw) of 9,000. Moreover, the solid content concentration of the polymer solution obtained here was 31.3 mass%.

[合成例3]
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオン酸メチル)7質量部、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート200質量部を仕込んだ。引き続きメタクリル酸1−n−ブトキシエチル67質量部、メタクリル酸ベンジル23質量部、メタクリル酸10質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を80℃に上昇させ、この温度を6時間保持し重合体(a−1)を含む重合体溶液を得た。重合体(a−1)のポリスチレン換算質量平均分子量(Mw)は9,000であった。また、ここで得られた重合体溶液の固形分濃度は、30.3質量%であった。
[Synthesis Example 3]
A flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 7 parts by mass of 2,2′-azobis (methyl 2-methylpropionate) and 200 parts by mass of propylene glycol monomethyl ether acetate. Subsequently, 67 parts by mass of 1-n-butoxyethyl methacrylate, 23 parts by mass of benzyl methacrylate, and 10 parts by mass of methacrylic acid were charged and purged with nitrogen, and then gently stirring was started. The temperature of the solution was raised to 80 ° C., and this temperature was maintained for 6 hours to obtain a polymer solution containing the polymer (a-1). The polystyrene equivalent mass average molecular weight (Mw) of the polymer (a-1) was 9,000. Moreover, the solid content concentration of the polymer solution obtained here was 30.3% by mass.

[合成例4]
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオン酸メチル)7質量部、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート200質量部を仕込んだ。引き続き、メタクリル酸1−ベンジルオキシエチル90質量部、メタクリル酸2−ヒドロキシエチル6質量部、メタクリル酸4質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を80℃に上昇させ、この温度を6時間保持し重合体(a−2)を含む重合体溶液を得た。重合体(a−2)のポリスチレン換算質量平均分子量(Mw)は9,000であった。また、ここで得られた重合体溶液の固形分濃度は、31.2質量%であった。
[Synthesis Example 4]
A flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 7 parts by mass of 2,2′-azobis (methyl 2-methylpropionate) and 200 parts by mass of propylene glycol monomethyl ether acetate. Subsequently, 90 parts by mass of 1-benzyloxyethyl methacrylate, 6 parts by mass of 2-hydroxyethyl methacrylate, and 4 parts by mass of methacrylic acid were charged and purged with nitrogen, and then gently stirring was started. The temperature of the solution was raised to 80 ° C., and this temperature was maintained for 6 hours to obtain a polymer solution containing the polymer (a-2). The polymer (a-2) had a polystyrene-reduced mass average molecular weight (Mw) of 9,000. Moreover, the solid content concentration of the polymer solution obtained here was 31.2 mass%.

[合成例5]
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオン酸メチル)7質量部、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート200質量部を仕込んだ。引き続きテトラヒドロ−2H−ピラン−2−イルメタクリレート85質量部、メタクリル酸2−ヒドロキシエチル7質量部、メタクリル酸8質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を80℃に上昇させ、この温度を6時間保持し重合体(a−3)を含む重合体溶液を得た。重合体(a−3)のポリスチレン換算質量平均分子量(Mw)は10,000であった。また、ここで得られた重合体溶液の固形分濃度は、29.2質量%であった。
[Synthesis Example 5]
A flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 7 parts by mass of 2,2′-azobis (methyl 2-methylpropionate) and 200 parts by mass of propylene glycol monomethyl ether acetate. Subsequently, 85 parts by mass of tetrahydro-2H-pyran-2-yl methacrylate, 7 parts by mass of 2-hydroxyethyl methacrylate, and 8 parts by mass of methacrylic acid were charged and replaced with nitrogen, and then gently stirred. The temperature of the solution was raised to 80 ° C., and this temperature was maintained for 6 hours to obtain a polymer solution containing the polymer (a-3). The polymer (a-3) had a polystyrene equivalent mass average molecular weight (Mw) of 10,000. Moreover, the solid content concentration of the polymer solution obtained here was 29.2 mass%.

[合成例6]
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)7質量部、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル200質量部を仕込んだ。引き続きメタクリル酸グリシジル52質量部、メタクリル酸ベンジル48質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を80℃に上昇させ、この温度を6時間保持し重合体(aa−1)を含む重合体溶液を得た。重合体(aa−1)のポリスチレン換算質量平均分子量(Mw)は10,000であった。また、ここで得られた重合体溶液の固形分濃度は、32.3質量%であった。
[Synthesis Example 6]
A flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 7 parts by mass of 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether. Subsequently, after 52 parts by mass of glycidyl methacrylate and 48 parts by mass of benzyl methacrylate were charged and purged with nitrogen, stirring was started gently. The temperature of the solution was raised to 80 ° C., and this temperature was maintained for 6 hours to obtain a polymer solution containing the polymer (aa-1). The polymer (aa-1) had a polystyrene-reduced mass average molecular weight (Mw) of 10,000. Moreover, the solid content concentration of the polymer solution obtained here was 32.3 mass%.

[合成例7]
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)7質量部、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル200質量部を仕込んだ。引き続き、3,4−エポキシシクロヘキシルメチルメタクリレート45質量部、メタクリル酸ベンジル45質量部、メタクリル酸10質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を80℃に上昇させ、この温度を6時間保持し重合体(aa−2)を含む重合体溶液を得た。重合体(aa−2)のポリスチレン換算質量平均分子量(Mw)は10,000であった。また、ここで得られた重合体溶液の固形分濃度は、33.2質量%であった。
[Synthesis Example 7]
A flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 7 parts by mass of 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether. Subsequently, 45 parts by mass of 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate, 45 parts by mass of benzyl methacrylate, and 10 parts by mass of methacrylic acid were charged and purged with nitrogen, and then gently agitated. The temperature of the solution was raised to 80 ° C., and this temperature was maintained for 6 hours to obtain a polymer solution containing the polymer (aa-2). The polymer (aa-2) had a weight average molecular weight (Mw) in terms of polystyrene of 10,000. Moreover, the solid content concentration of the polymer solution obtained here was 33.2 mass%.

[合成例8]
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)7質量部、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル200質量部を仕込んだ。引き続き、メタクリル酸1−n−ブトキシエチル35質量部、メタクリル酸ベンジル35質量部、メタクリル酸グリシジル30質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を80℃に上昇させ、この温度を6時間保持し重合体(aa−3)を含む重合体溶液を得た。重合体(aa−3)のポリスチレン換算質量平均分子量(Mw)は10,000であった。また、ここで得られた重合体溶液の固形分濃度は、32.3質量%であった。
[Synthesis Example 8]
A flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 7 parts by mass of 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether. Subsequently, 35 parts by mass of 1-n-butoxyethyl methacrylate, 35 parts by mass of benzyl methacrylate, and 30 parts by mass of glycidyl methacrylate were charged and purged with nitrogen, and then gently stirring was started. The temperature of the solution was raised to 80 ° C., and this temperature was maintained for 6 hours to obtain a polymer solution containing the polymer (aa-3). The polymer (aa-3) had a polystyrene equivalent mass average molecular weight (Mw) of 10,000. Moreover, the solid content concentration of the polymer solution obtained here was 32.3 mass%.

<共重合体[C]の合成>
[合成例9]
攪拌装置、コンデンサー及び温度計を備えたガラスフラスコに、(c1)化合物として上記式(c1−1)で表される化合物28.4質量部、(c2)化合物として新中村化学(株)製の「NK−エステルM−90G」20.7質量部、(c3)化合物として下記式(c3−1−1−1)で表される化合物18.1質量部、(c4)化合物としてメチルメタクリレート5.9質量部及び2−エチルヘキシルアクリレート23.5質量部、(c5)化合物としてテトラメチレングリコールの両末端をメタクリレート化した化合物3.4質量部、並びに溶媒としてイソプロピルアルコール414質量部を仕込み、窒素ガス気流中、還流下で、重合開始剤として2,2’−アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)0.7質量部及び連鎖移動剤としてラウリルメルカプタン4質量部を添加した後、75℃にて8時間還流して共重合を行うことにより、共重合体(C−1)を含有する溶液を得た。その後、エバポレーターを用いて70℃以下の加熱条件で溶媒を除去することにより、共重合体(C−1)を単離した。得られた共重合体(C−1)の数平均分子量Mnは2,800であり、質量平均分子量Mwは5,300であり、また分子量分布(Mw/Mn)は1.9であった。
<Synthesis of Copolymer [C]>
[Synthesis Example 9]
In a glass flask equipped with a stirrer, a condenser and a thermometer, 28.4 parts by mass of the compound represented by the above formula (c1-1) as the (c1) compound and (c2) manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd. “NK-ester M-90G” 20.7 parts by mass, (c3) 18.1 parts by mass of a compound represented by the following formula (c3-1-1-1) as a compound, (c4) methyl methacrylate as a compound 5. 9 parts by mass and 23.5 parts by mass of 2-ethylhexyl acrylate, 3.4 parts by mass of a compound obtained by methacrylateating both ends of tetramethylene glycol as the compound (c5), and 414 parts by mass of isopropyl alcohol as a solvent were charged with a nitrogen gas stream Medium, under reflux, 0.7 parts by mass of 2,2′-azobisisobutyronitrile (AIBN) as a polymerization initiator and a chain transfer agent After adding 4 parts by mass of lauryl mercaptan, the solution was refluxed at 75 ° C. for 8 hours to carry out copolymerization to obtain a solution containing the copolymer (C-1). Then, the copolymer (C-1) was isolated by removing a solvent on 70 degreeC or less heating conditions using an evaporator. The number average molecular weight Mn of the obtained copolymer (C-1) was 2,800, the mass average molecular weight Mw was 5,300, and the molecular weight distribution (Mw / Mn) was 1.9.

Figure 0004591625
(式中、Meはメチル基である。)
Figure 0004591625
(In the formula, Me is a methyl group.)

[合成例10]
連鎖移動剤としてのラウリルメルカプタンの添加量を1質量部とした以外は上記合成例3と同様にして、共重合体(C−2)を得た。得られた共重合体(C−2)の数平均分子量Mnは4,700であり、質量平均分子量Mwは11,000であり、分子量分布(Mw/Mn)は2.3であった。
[Synthesis Example 10]
A copolymer (C-2) was obtained in the same manner as in Synthesis Example 3 except that the addition amount of lauryl mercaptan as a chain transfer agent was 1 part by mass. The number average molecular weight Mn of the obtained copolymer (C-2) was 4,700, the mass average molecular weight Mw was 11,000, and the molecular weight distribution (Mw / Mn) was 2.3.

[合成例11]
連鎖移動剤としてのラウリルメルカプタンを使用せず、共重合の温度及び時間を、それぞれ、73℃及び10時間とした以外は合成例3と同様にして、共重合体(C−3)を得た。得られた共重合体(C−3)の数平均分子量Mnは5,600であり、質量平均分子量Mwは21,000であり、分子量分布(Mw/Mn)は3.8であった。
[Synthesis Example 11]
A copolymer (C-3) was obtained in the same manner as in Synthesis Example 3 except that lauryl mercaptan as a chain transfer agent was not used and the copolymerization temperature and time were 73 ° C. and 10 hours, respectively. . The number average molecular weight Mn of the obtained copolymer (C-3) was 5,600, the mass average molecular weight Mw was 21,000, and the molecular weight distribution (Mw / Mn) was 3.8.

[合成例12]
攪拌装置、コンデンサー及び温度計を備えたガラスフラスコに、(c1)化合物として上記式(c1−3)で表される化合物31.8質量部、(c2)化合物として新中村化学(株)製の「NK−エステルM−90G」31.6質量部、(c3)化合物として上記式(c3−1−1−1)で表される化合物29.0質量部及びイソプロピルアルコール414質量部を仕込み、窒素ガス気流中、還流下で、重合開始剤としてAIBNを0.7質量部、連鎖移動剤としてラウリルメルカプタン4質量部を添加した後、75℃にて8時間還流して共重合を行い、共重合体(C−4)を含有する溶液を得た。その後、エバポレーターを用いて70℃以下の加熱条件で溶媒を除去することにより、共重合体(C−4)を単離した。得られた共重合体(C−4)の数平均分子量Mnは3,500であり、質量平均分子量Mwは7,000であった。また、分子量分布(Mw/Mn)は2.0であった。
[Synthesis Example 12]
In a glass flask equipped with a stirrer, a condenser and a thermometer, (1) 31.8 parts by mass of the compound represented by the above formula (c1-3) as the (c1) compound and (c2) manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd. 31.6 parts by mass of “NK-ester M-90G”, 29.0 parts by mass of the compound represented by the above formula (c3-1-1-1) and 414 parts by mass of isopropyl alcohol as (c3) compound, In a gas stream, under reflux, 0.7 parts by weight of AIBN as a polymerization initiator and 4 parts by weight of lauryl mercaptan as a chain transfer agent were added and refluxed at 75 ° C. for 8 hours to carry out copolymerization. A solution containing the coalescence (C-4) was obtained. Then, the copolymer (C-4) was isolated by removing a solvent on 70 degreeC or less heating conditions using an evaporator. The number average molecular weight Mn of the obtained copolymer (C-4) was 3,500, and the mass average molecular weight Mw was 7,000. The molecular weight distribution (Mw / Mn) was 2.0.

[合成例13]
攪拌装置、コンデンサー及び温度計を備えたガラスフラスコに、(c1)化合物として上記式(c1−5)で表される化合物24.2質量部、(c2)化合物として新中村化学(株)製の「NK−エステルM−90G」20.7質量部、(c3)化合物として上記式(c3−1−1−1)で表される化合物21.5質量部、(c4)化合物としてn−ブチルメタクリレート29.4質量部及びイソプロピルアルコール414質量部を仕込み、窒素ガス気流中、還流下で、重合開始剤としてAIBNを0.7質量部、連鎖移動剤としてラウリルメルカプタン4質量部を添加した後、75℃にて8時間還流して共重合を行い、共重合体(C−5)を含有する溶液を得た。その後、エバポレーターを用いて70℃以下の加熱条件で溶媒を除去することにより、共重合体(C−5)を単離した。得られた共重合体(C−5)の数平均分子量Mnは3,500であり、質量平均分子量Mwは6,000であった。また、分子量分布(Mw/Mn)は1.7であった。
[Synthesis Example 13]
In a glass flask equipped with a stirrer, a condenser and a thermometer, (2) parts by mass of the compound represented by the above formula (c1-5) as (c1) compound and (c2) manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd. "NK-ester M-90G" 20.7 parts by mass, (c3) 21.5 parts by mass of the compound represented by the above formula (c3-1-1-1) as the compound, (c4) n-butyl methacrylate as the compound 29.4 parts by mass and 414 parts by mass of isopropyl alcohol were charged, and after adding 0.7 parts by mass of AIBN as a polymerization initiator and 4 parts by mass of lauryl mercaptan as a chain transfer agent under reflux in a nitrogen gas stream, 75 The solution was refluxed at 0 ° C. for 8 hours for copolymerization to obtain a solution containing the copolymer (C-5). Then, the copolymer (C-5) was isolated by removing a solvent on 70 degreeC or less heating conditions using an evaporator. The number average molecular weight Mn of the obtained copolymer (C-5) was 3,500, and the mass average molecular weight Mw was 6,000. Moreover, molecular weight distribution (Mw / Mn) was 1.7.

[合成例14]
攪拌装置、コンデンサー及び温度計を備えたガラスフラスコに、(c1)化合物として上記式(c1−7)で表される化合物16.6質量部、(c2)化合物として新中村化学(株)製の「NK−エステルM−90G」20.7質量部、(c3)化合物として上記式(c3−1−1−1)で表される化合物21.5質量部、(c4)化合物としてn−ブチルメタクリレート29.4質量部及びイソプロピルアルコール414質量部を仕込み、窒素ガス気流中、還流下で、重合開始剤としてAIBNを0.7質量部、連鎖移動剤としてラウリルメルカプタン4質量部を添加した後、75℃にて8時間還流して共重合を行い、共重合体(C−5)を含有する溶液を得た。その後、エバポレーターを用いて70℃以下の加熱条件で溶媒を除去することにより、共重合体(C−6)を単離した。得られた共重合体(C−5)の数平均分子量Mnは4,000であり、質量平均分子量Mwは7,000であった。また、分子量分布(Mw/Mn)は1.8であった。
[Synthesis Example 14]
In a glass flask equipped with a stirrer, a condenser and a thermometer, 16.6 parts by mass of the compound represented by the above formula (c1-7) as the compound (c1) and Shin Nakamura Chemical Co., Ltd. as the compound (c2) "NK-ester M-90G" 20.7 parts by mass, (c3) 21.5 parts by mass of the compound represented by the above formula (c3-1-1-1) as the compound, (c4) n-butyl methacrylate as the compound 29.4 parts by mass and 414 parts by mass of isopropyl alcohol were charged, and after adding 0.7 parts by mass of AIBN as a polymerization initiator and 4 parts by mass of lauryl mercaptan as a chain transfer agent under reflux in a nitrogen gas stream, 75 The solution was refluxed at 0 ° C. for 8 hours for copolymerization to obtain a solution containing the copolymer (C-5). Then, the copolymer (C-6) was isolated by removing a solvent on 70 degreeC or less heating conditions using an evaporator. The number average molecular weight Mn of the obtained copolymer (C-5) was 4,000, and the mass average molecular weight Mw was 7,000. The molecular weight distribution (Mw / Mn) was 1.8.

<ポジ型感放射線性組成物の調製>
[実施例1]
合成例1で得られた重合体(A−1)を含む溶液(重合体(A−1)100質量部(固形分)に相当する量)に、[B]成分としてIRGACURE PAG 103(チバスペシャリティーケミカルズ社製)3質量部、[C]成分として合成例9で得た共重合体(C−1)0.50質量部を混合し、さらに、固形分濃度が25質量%になるように溶媒としてジエチレングリコールエチルメチルエーテルを添加した後、口径0.2μmのメンブランフィルタで濾過することにより、ポジ型感放射線性組成物(S−1)を調製した。
<Preparation of positive radiation sensitive composition>
[Example 1]
In a solution containing the polymer (A-1) obtained in Synthesis Example 1 (an amount corresponding to 100 parts by mass (solid content) of the polymer (A-1)), IRGACURE PAG 103 (Ciba Special) (Made by Tea Chemicals Co., Ltd.) 3 parts by weight and 0.50 part by weight of the copolymer (C-1) obtained in Synthesis Example 9 as the [C] component are mixed, and the solid content concentration is further 25% by weight. After adding diethylene glycol ethyl methyl ether as a solvent, a positive radiation sensitive composition (S-1) was prepared by filtering through a membrane filter having a diameter of 0.2 μm.

[実施例2〜12及び比較例1〜5]
各成分の種類及び量を表1に記載の通りとした他は、実施例1と同様にしてポジ型感放射線性組成物を調製した。なお、各実施例及び比較例で用いた成分は、以下のとおりである。
[Examples 2 to 12 and Comparative Examples 1 to 5]
A positive radiation-sensitive composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that the types and amounts of each component were as shown in Table 1. In addition, the component used by each Example and the comparative example is as follows.

(光酸発生剤:B成分)
B−1:上記化合物(i)(チバスペシャリティーケミカルズ社製の「IRGACURE PAG 103」)
B−2:上記化合物(ii)(チバスペシャリティーケミカルズ社製の「IRGACURE PAG 108」)
B−3:上記化合物(iii)(チバスペシャリティーケミカルズ社製の「CGI 1380」)
B−4:上記化合物(iv)(チバスペシャリティーケミカルズ社製の「IRGACURE PAG 121」)
B−5:上記化合物(v)(チバスペシャリティーケミカルズ社製の「CGI 725」)
(界面活性剤)
c−1(比較例1):シリコーン系界面活性剤(東レ・ダウコーニング・シリコーン(株)製の「SH−193」)
c−2(比較例2):フッ素系界面活性剤((株)スリーエム社製の「フロラード F−430」)
(密着助剤:D成分)
D−1:γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン
D−2:β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン
D−3:γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン
(塩基性化合物:E成分)
E−1:4−ジメチルアミノピリジン
E−2:1,5−ジアザビシクロ[4,3,0]−5−ノネン
(Photoacid generator: B component)
B-1: Compound (i) above ("IRGACURE PAG 103" manufactured by Ciba Specialty Chemicals)
B-2: Compound (ii) ("IRGACURE PAG 108" manufactured by Ciba Specialty Chemicals)
B-3: Compound (iii) (“CGI 1380” manufactured by Ciba Specialty Chemicals)
B-4: The above compound (iv) (“IRGACURE PAG 121” manufactured by Ciba Specialty Chemicals)
B-5: Compound (v) (“CGI 725” manufactured by Ciba Specialty Chemicals)
(Surfactant)
c-1 (Comparative Example 1): Silicone surfactant ("SH-193" manufactured by Toray Dow Corning Silicone Co., Ltd.)
c-2 (Comparative Example 2): Fluorosurfactant ("Florard F-430" manufactured by 3M Co., Ltd.)
(Adhesion aid: D component)
D-1: γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane D-2: β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane D-3: γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane (basic compound: E component) )
E-1: 4-Dimethylaminopyridine E-2: 1,5-diazabicyclo [4,3,0] -5-nonene

<物性評価>
上記のように調製した各々のポジ型感放射線性組成物を使用し、以下のように当該組成物、及びその塗膜あるいは層間絶縁膜としての各種の特性を評価した。
<Physical property evaluation>
Each positive radiation sensitive composition prepared as described above was used, and the composition and various properties as a coating film or an interlayer insulating film were evaluated as follows.

(1)塗膜の外観評価
550×650mmのクロム成膜ガラス上に、上記のように調製した感放射線性組成物をスリットダイコーター(東京応化工業(株)製、型式「TR632105−CL」)を用いて塗布し、到達圧力を100Paに設定して真空下で溶媒を除去した後、さらに90℃において2分間プレベークすることにより、膜厚3.0μmの塗膜を形成した。ナトリウムランプ下において、肉眼によりこの塗膜の外観の観察を行った。このとき、塗膜の全体に発生しているモヤ状のムラを「モヤムラ」、プレベーク炉のプロキシピンに由来するムラを「ピンムラ」として、その出現状況を調べた。これらのムラのいずれもほとんど見えない場合を「○(良好)」、これらのムラのいずれかが少し見える場合を「△(やや不良)」、はっきりと見える場合を「×(不良)」として評価した。評価結果を表1に示した。
(1) Appearance evaluation of coating film On a 550 × 650 mm chromium-deposited glass, the radiation-sensitive composition prepared as described above is a slit die coater (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd., model “TR6321055-CL”). Then, the ultimate pressure was set to 100 Pa and the solvent was removed under vacuum, followed by prebaking at 90 ° C. for 2 minutes to form a coating film having a thickness of 3.0 μm. Under the sodium lamp, the appearance of the coating film was observed with the naked eye. At this time, the appearance state was investigated, assuming that the haze-like unevenness generated in the entire coating film was “moy unevenness” and the unevenness derived from the proxy pin of the pre-baking furnace was “pin unevenness”. If none of these unevennesses are visible, it is evaluated as “Good (Good)”, if any of these unevennesses is a little visible, “△ (Slightly bad)”, and clearly visible as “Good (Good)” did. The evaluation results are shown in Table 1.

(2)膜厚均一性(ユニフォミティ)の評価
上述のようにして作製したクロム成膜ガラス上の塗膜の膜厚を、針接触式測定機(KLA Tencor社製 AS200)を用いて測定した。ユニフォミティとして、9つの測定点における膜厚から計算した。9つの測定点とは基板の短軸方向をX、長軸方向をYとすると、(X[mm]、Y[mm])が、(275、20)、(275、30)、(275、60)、(275、100)、(275、325)、(275、550)、(275、590)、(275、620)、(275、630)である。
(2) Evaluation of film thickness uniformity (uniformity) The film thickness of the coating film on the chromium film-forming glass produced as described above was measured using a needle contact type measuring instrument (AS200 manufactured by KLA Tencor). The uniformity was calculated from the film thickness at nine measurement points. The nine measurement points are (X [mm], Y [mm]), where (X [mm], Y [mm]) is (275, 20), (275, 30), (275, 60), (275, 100), (275, 325), (275, 550), (275, 590), (275, 620), (275, 630).

ユニフォミティの計算式は、下記式で表される。下記式のFT(X、Y)maxは9つの測定点における膜厚中の最大値、FT(X、Y)minは9つの測定点における膜厚中の最小値、FT(X、Y)avg.は9つの測定点における膜厚中の平均値である。ユニフォミティが2%以下の場合は、膜厚均一性は良好と判断できる。評価結果を表1に示した。
(ユニフォミティの計算式)
ユニフォミティ(%)={FT(X、Y)max−FT(X、Y)min}×100/{2×FT(X、Y)avg.}
The uniformity calculation formula is expressed by the following formula. In the following formula, FT (X, Y) max is the maximum value in the film thickness at 9 measurement points, FT (X, Y) min is the minimum value in the film thickness at 9 measurement points, and FT (X, Y) avg . Is an average value in the film thickness at nine measurement points. When the uniformity is 2% or less, it can be judged that the film thickness uniformity is good. The evaluation results are shown in Table 1.
(Uniformity calculation formula)
Uniformity (%) = {FT (X, Y) max−FT (X, Y) min} × 100 / {2 × FT (X, Y) avg. }

(3)高速塗布性の評価
550mm×650mmの無アルカリガラス基板上に、スリットコーターを用いて塗布し、塗布条件として、下地とノズルの距離(GAP)150μm、露光後の膜厚が2.5μmとなるように、ノズルから塗布液を吐出し、ノズルの移動速度を120mm/sec.〜220mm/sec.の範囲で変量し、液切れによる筋状のムラが発生しない最大速度を求めた。この時、180mm/sec.以上の速度でも筋状のムラが発生しない場合は、高速塗布に対応が可能であると判断できる。評価結果を表1に示した。
(3) Evaluation of high-speed application property It apply | coats on a 550 mm x 650 mm non-alkali glass substrate using a slit coater, and as application conditions, the distance between the base and the nozzle (GAP) is 150 μm, and the film thickness after exposure is 2.5 μm. The coating liquid is discharged from the nozzle so that the nozzle moving speed is 120 mm / sec. -220 mm / sec. The maximum speed at which streaky unevenness due to liquid breakage does not occur was determined. At this time, 180 mm / sec. If streaky unevenness does not occur even at the above speed, it can be determined that high-speed application is possible. The evaluation results are shown in Table 1.

(4)感放射線性組成物の放射線感度の評価
550×650mmのクロム成膜ガラス上に、ヘキサメチルジシラザン(HMDS)を塗布し、60℃にて1分間加熱した(HMDS処理)。このHMDS処理後のクロム成膜ガラス上に、上記のように調製した感放射線性組成物をスリットダイコーター「TR632105−CL」を用いて塗布し、到達圧力を100Paに設定して真空下で溶媒を除去した後、さらに90℃において2分間プレベークすることによって、膜厚3.0μmの塗膜を形成した。続いて、キヤノン(株)製のMPA−600FA露光機を用い、60μmのライン・アンド・スペース(10対1)のパターンを有するマスクを介して、塗膜に対し露光量を変量として放射線を照射した後、表1に記載した濃度のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液にて25℃において液盛り法で現像した。ここで現像時間は、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド濃度が0.40質量%の現像液を用いた場合は80秒、2.38質量%の現像液を用いた場合は50秒間とした。次いで、超純水で1分間流水洗浄を行い、その後乾燥することにより、HMDS処理後のクロム成膜ガラス基板上にパターンを形成した。このとき、6μmのスペース・パターンが完全に溶解するために必要な露光量を調べた。この値を放射線感度として表1に示した。この値が500J/m以下の場合に感度が良好であると言える。
(4) Evaluation of Radiation Sensitivity of Radiation Sensitive Composition Hexamethyldisilazane (HMDS) was applied on a 550 × 650 mm chromium film and heated at 60 ° C. for 1 minute (HMDS treatment). The radiation-sensitive composition prepared as described above is applied onto the chromium-deposited glass after the HMDS treatment using a slit die coater “TR6322105-CL”, the ultimate pressure is set to 100 Pa, and the solvent is removed under vacuum. Then, the film was further pre-baked at 90 ° C. for 2 minutes to form a coating film having a thickness of 3.0 μm. Subsequently, using an MPA-600FA exposure machine manufactured by Canon Inc., the coating film was irradiated with radiation through the mask having a 60 μm line and space (10 to 1) pattern with the exposure amount as a variable. Then, the film was developed by a puddle method at 25 ° C. with an aqueous tetramethylammonium hydroxide solution having the concentration shown in Table 1. Here, the development time was 80 seconds when a developer having a tetramethylammonium hydroxide concentration of 0.40% by mass was used, and 50 seconds when a 2.38% by mass developer was used. Next, the substrate was washed with ultrapure water for 1 minute and then dried to form a pattern on the chromium-deposited glass substrate after the HMDS treatment. At this time, the exposure amount necessary for completely dissolving the 6 μm space pattern was examined. This value is shown in Table 1 as radiation sensitivity. It can be said that the sensitivity is good when this value is 500 J / m 2 or less.

(5)層間絶縁膜の耐熱性の評価
クロム成膜ガラス(4インチガラスウエハー)上に、上記のように調製した感放射線性組成物をスピンコーターを用いて塗布し、さらに90℃において3分間プレベークして塗膜を形成した。次いでこの塗膜をクリーンオーブン内で220℃にて1時間加熱することにより、クロム成膜ガラス上に硬化膜を形成した。ここで得られた硬化膜の膜厚(T2)を測定した。次いで、この硬化膜が形成されたクロム成膜ガラス基板を、クリーンオーブン内で240℃にて1時間追加の加熱を行った後、再度硬化膜の膜厚(t2)を測定し、追加加熱による膜厚変化率を下記式により算出した。この値が5%以下のとき、耐熱性は良好であると言える。評価結果を表1に示した。
(膜厚変化率の計算式)
膜厚変化率(%)={|t2−T2|/T2}×100
(5) Evaluation of heat resistance of interlayer insulating film On the chromium film-forming glass (4-inch glass wafer), the radiation-sensitive composition prepared as described above was applied using a spin coater, and further at 90 ° C. for 3 minutes. Pre-baked to form a coating film. Next, this coating film was heated in a clean oven at 220 ° C. for 1 hour to form a cured film on the chromium film-forming glass. The film thickness (T2) of the cured film obtained here was measured. Next, the chromium film-formed glass substrate on which this cured film was formed was subjected to additional heating at 240 ° C. for 1 hour in a clean oven, and then the thickness (t2) of the cured film was measured again, and additional heating was performed. The film thickness change rate was calculated by the following formula. When this value is 5% or less, it can be said that the heat resistance is good. The evaluation results are shown in Table 1.
(Calculation formula of film thickness change rate)
Film thickness change rate (%) = {| t2-T2 | / T2} × 100

(6)層間絶縁膜の透明性の評価
クロム成膜ガラス基板の代わりに550×650mmのガラス基板(NHテクノグラス(株)社製の「NA35」)を用いたこと以外は、上記〔層間絶縁膜の耐熱性の評価〕の場合と同様にガラス基板上に硬化膜を形成した。分光光度計「150−20型ダブルビーム((株)日立製作所製)」を用い、硬化膜が形成されたガラス基板の光線透過率を、硬化膜を有さないガラス基板を参照側として400〜800nmの範囲の波長で測定した。そのときの最低光線透過率の値を表1に示した。この値が90%以上のとき、透明性は良好であると言える。
(6) Evaluation of Transparency of Interlayer Insulating Film The above [Interlayer insulating film] except that a 550 × 650 mm glass substrate (“NA35” manufactured by NH Techno Glass Co., Ltd.) was used instead of the chromium film-forming glass substrate. A cured film was formed on a glass substrate in the same manner as in the case of [Evaluation of heat resistance of film]. Using a spectrophotometer "150-20 type double beam (manufactured by Hitachi, Ltd.)", the light transmittance of the glass substrate on which the cured film is formed is 400 to 400 with reference to the glass substrate having no cured film. Measurements were made at a wavelength in the range of 800 nm. The values of the minimum light transmittance at that time are shown in Table 1. When this value is 90% or more, it can be said that the transparency is good.

Figure 0004591625
Figure 0004591625

表1の結果から明らかなように、[A]、[B]及び[C]成分を含む実施例1〜12のポジ型感放射線性組成物は、[C]成分を含まない比較例1〜3のポジ型感放射線性組成物と比べて、高速塗布であっても塗膜の外観における塗布ムラ及び層間絶縁膜の平坦性の点について、格段に優れていることが分かった。加えて、これらの実施例のポジ型感放射線性組成物は、高い放射線感度を有すると共に、耐熱性及び透明性という一般的な要求特性を十分に満足する層間絶縁膜を形成可能であることが分かった。   As is clear from the results in Table 1, the positive radiation sensitive compositions of Examples 1 to 12 containing the [A], [B] and [C] components were compared to Comparative Examples 1 to 1 containing no [C] component. Compared with No. 3 positive type radiation sensitive composition, it turned out that it is remarkably excellent also about the coating nonuniformity in the external appearance of a coating film, and the flatness of an interlayer insulation film even if it is high-speed coating. In addition, the positive-type radiation-sensitive compositions of these examples have a high radiation sensitivity and can form an interlayer insulating film that sufficiently satisfies the general required characteristics of heat resistance and transparency. I understood.

本発明のポジ型感放射線性組成物は、上述のように、高速塗布が可能であり、高い放射線感度を有し、十分な耐熱性及び透明性に加えて、優れた平坦性を有する硬化膜を形成可能である。従って、当該ポジ型感放射線性組成物は、表示素子用の層間絶縁膜を形成するために好適に用いられる。   As described above, the positive radiation-sensitive composition of the present invention can be applied at high speed, has high radiation sensitivity, and has excellent flatness in addition to sufficient heat resistance and transparency. Can be formed. Therefore, the positive radiation sensitive composition is suitably used for forming an interlayer insulating film for a display element.

Claims (6)

[A]同一又は異なる重合体分子中に下記式(1)で表される基を含む構造単位とエポキシ基含有構造単位とを有する重合体、
[B]光酸発生体、並びに
[C](c1)下記式()で表される重合性化合物、
(c2)下記式()で表される重合性化合物
c3)下記式(4)で表される基を有する重合性化合物
(c4)炭素数1〜8の非置換アルキルエステル基を有する重合性化合物、及び
(c5)一分子中に2個以上の不飽和結合を有する重合性化合物
に由来する構造単位を少なくとも有する共重合体
を含有し、
[C]共重合体が、重合性化合物(c1)〜(c5)の合計量に対して、
重合性化合物(c1)25〜35質量%、
重合性化合物(c2)20〜30質量%、
重合性化合物(c3)15〜20質量%、
重合性化合物(c4)25〜35質量%、及び
重合性化合物(c5)1〜5質量%
を含む組成物からなるポジ型感放射線性組成物。
Figure 0004591625
(式(1)中、R及びRは、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、シクロアルキル又はアリール基であり、これらのアルキル基、シクロアルキル基又はアリール基の水素原子の一部又は全部が置換基で置換されていてもよい(但し、R及びRが共に水素原子である場合はない)。Rは、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アリール基又は−M(R3mで表される基(MはSi、Ge又はSnであり、R3mはアルキル基である。)であり、これらの水素原子の一部又は全部が置換基で置換されていてもよい。RとRとが連結して環状エーテルを形成してもよい。)
Figure 0004591625
(式()中、Rは水素原子又はメチル基である。βは1〜の整数である。)
Figure 0004591625
(式()中、Rは水素原子又はメチル基である。Rは炭素数1〜12のアルキル基である。aは構造単位数であり、その数平均値は12である。)
Figure 0004591625
(式(4)中、R、R、R、R10及びR11は、それぞれ独立して、炭素数1〜20のアルキル基、フェニル基、又は下記式(5)で表される基である。bは0〜3の整数である。)
Figure 0004591625
(式(5)中、R12、R13及びR14は、それぞれ独立して、炭素数1〜20のアルキル基又はフェニル基である。cは0〜3の整数である。)
[A] a polymer having a structural unit containing a group represented by the following formula (1) and an epoxy group-containing structural unit in the same or different polymer molecules;
[B] a photoacid generator, and [C] (c1) a polymerizable compound represented by the following formula ( 6 ),
(C2) a polymerizable compound represented by the following formula ( 7 ) ,
( C3) a polymerizable compound having a group represented by the following formula (4) ,
(C4) a polymerizable compound having an unsubstituted alkyl ester group having 1 to 8 carbon atoms, and
(C5) containing a copolymer having at least a structural unit derived from a polymerizable compound having two or more unsaturated bonds in one molecule ;
[C] The copolymer is based on the total amount of the polymerizable compounds (c1) to (c5).
Polymerizable compound (c1) 25-35% by mass,
Polymerizable compound (c2) 20-30% by mass,
Polymerizable compound (c3) 15-20% by mass,
Polymerizable compound (c4) 25-35% by mass, and
1-5 mass% of polymeric compounds (c5)
A positive radiation sensitive composition comprising a composition comprising:
Figure 0004591625
(In Formula (1), R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group or an aryl group, and a part of the hydrogen atoms of these alkyl group, cycloalkyl group or aryl group) Alternatively, all may be substituted with a substituent (provided that R 1 and R 2 are not both hydrogen atoms) R 3 represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an aralkyl group, an aryl group, or —M (R 3m ) is a group represented by 3 (M is Si, Ge or Sn, R 3m is an alkyl group), and some or all of these hydrogen atoms are substituted with substituents. R 1 and R 3 may be linked to form a cyclic ether.)
Figure 0004591625
(In formula ( 6 ), R 4 is a hydrogen atom or a methyl group. Β is an integer of 1-8 .)
Figure 0004591625
(In the formula (7), R 5 is .R 6 is a hydrogen atom or a methyl group is .a the number of structural units is an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, the number average value thereof is 4-12 .)
Figure 0004591625
(In Formula (4), R < 7 >, R < 8 >, R <9> , R < 10 > and R < 11 > are each independently represented by a C1-C20 alkyl group, a phenyl group, or the following formula (5). And b is an integer of 0 to 3.)
Figure 0004591625
(In Formula (5), R <12> , R <13> and R < 14 > are respectively independently a C1-C20 alkyl group or a phenyl group. C is an integer of 0-3.)
[D]密着助剤をさらに含有する請求項1に記載のポジ型感放射線性組成物。 [D] The positive type radiation-sensitive composition of claim 1 which further contains an adhesion aid. [E]塩基性化合物をさらに含有する請求項1又は請求項2に記載のポジ型感放射線性組成物。 [E] The positive radiation-sensitive composition according to claim 1 or 2 , further comprising a basic compound. 表示素子の層間絶縁膜を形成するために用いられる請求項1、請求項2又は請求項3に記載のポジ型感放射線性組成物。 The positive radiation-sensitive composition according to claim 1 , 2 or 3 , which is used for forming an interlayer insulating film of a display element. (1)請求項に記載のポジ型感放射線性組成物の塗膜を基板上に形成する工程、
(2)工程(1)で形成した塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程、
(3)工程(2)で放射線を照射された塗膜を現像する工程、及び
(4)工程(3)で現像された塗膜を加熱する工程
を含む表示素子用層間絶縁膜の形成方法。
(1) The process of forming the coating film of the positive radiation sensitive composition of Claim 4 on a board | substrate,
(2) A step of irradiating at least a part of the coating film formed in step (1),
(3) A step of developing the coating film irradiated with radiation in step (2), and (4) a step of heating the coating film developed in step (3).
請求項に記載のポジ型感放射線性組成物から形成される表示素子の層間絶縁膜。 The interlayer insulation film of the display element formed from the positive radiation sensitive composition of Claim 4 .
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