KR20110105514A - 폴리머를 포함한 도핑 페이스트를 이용한 선택적 이미터 형성 방법 - Google Patents

폴리머를 포함한 도핑 페이스트를 이용한 선택적 이미터 형성 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 인 또는 붕소를 포함한 용액에 폴리에틸렌글리콜을 포함하는 블록공중합체를 혼합하여 제조된 도핑 페이스트 및 이를 사용하여 태양전지용 기판에 선택적 이미터를 형성하는 방법에 관한 것이다. 태양전지용 실리콘 기판에 본 발명의 도핑 페이스트를 사용하여 이미터를 형성하는 경우 폴리에틸렌글리콜을 포함하는 블록공중합체의 함량을 조절하여 점도를 조절하여 온도 차가 심한 계절적 변화 요인을 줄일 수 있고, 이미터 형성을 위한 재료를 상온에서 용이하게 제조할 수 있으며, 인이나 붕소 성분의 확산에 의한 도핑이 이루어져 PN 접합이 생성될 때 온도의 높낮이에 따라 확산 깊이나 농도가 결정되므로 온도와 도핑 페이스트의 농도에 따른 실리콘 기판의 개방 전압과 전류 밀도를 최적화할 수 있다.

Description

폴리머를 포함한 도핑 페이스트를 이용한 선택적 이미터 형성 방법{PREPARATION METHOD OF SELECTIVE EMITTER USING DOPING PASTE CONTAINING POLYMER}
본 발명은 폴리머를 포함한 이미터 형성용 도핑 페이스트 및 이를 사용한 태양전지용 기판 상에 선택적 이미터의 형성 방법에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 인 또는 붕소를 포함한 용액에 폴리에틸렌글리콜(polyethylene glycol; PEG)을 포함하는 블록공중합체를 혼합하여 제조된 도핑 페이스트 및 이를 사용하여 태양전지용 기판에 선택적 이미터를 형성하는 방법에 관한 것이다.
최근 심각한 환경오염 문제와 화석 에너지 고갈로 차세대 청정에너지 개발에 대한 중요성이 증대되고 있다. 그 중에서도 태양전지는 태양 에너지를 직접 전기 에너지로 전환시키는 장치로서, 공해가 적고, 자원이 무한정이며 반영구적인 수명을 가지고 있어 미래 에너지 문제를 해결할 수 있는 에너지원으로 떠오르고 있다.
이와 같은 태양전지를 물질별로 크게 구분하면 실리콘 태양전지 및 화학 태양전지 등을 포함하는 무기물 태양전지(inorganic solar cell), 염료감응 태양전지(dye-sensitized solar cell) 및 폴리머 재료를 이용한 태양전지를 포함하는 유기물 태양전지(organic solar cell)가 있다.
무기물 태양전지의 기본적인 구조는 다이오드와 같이 P형 반도체와 N형 반도체의 접합 구조를 가지며, 태양전지에 빛이 입사되면 빛과 태양전지의 반도체를 구성하는 물질과의 상호작용으로 (-) 전하를 띤 전자와 전자가 빠져나가 (+) 전하를 띤 정공이 발생하고, 이들이 각각 반대 전극 쪽으로 이동하면서 전류가 흐르게 된다.
도 7은 일반적인 태양전지의 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다. PN 접합을 형성하는 제1 도전형 기판(201) 및 제2 도전형 반도체 층(202), 전면전극(203) 및 후면전극(204) 외에 반사방지막(205) 및 후면 전계(BSF:Back Surface Field) 층(206)이 더 구비되어 태양광의 흡수율을 향상시키고 캐리어의 전달 저항을 감소시켜 효율을 향상시킨다. 또한, 최근에는 전극(203)과 이미터 층(202) 사이의 접촉 저항을 감소시키기 위하여, 이미터 층(202) 중 전극과 접하는 영역은 도핑된 영역의 면저항을 낮게 형성하고 그렇지 않은 영역은 그보다 도핑된 영역의 면저항을 높게 형성하여 캐리어가 농도 차이로 인해 더욱 많이 전극으로 모이도록 하여 전력 생산의 효율을 높인다. 이러한 구조의 이미터를 선택적 이미터라고 한다. 이러한 선택적 이미터는 전극(203)과 이미터층(202) 간의 접촉 저항을 감소시켜 효율에 기여하는 바가 크나, 그 제조 공정이 세밀하여 복잡하고 추가되는 공정이 있기 때문에 제조비용이 일반 공정보다 더 많이 드는 문제가 있다.
본 발명의 목적은 인 또는 붕소를 포함한 용액에 폴리에틸렌글리콜(polyethylene glycol; PEG)을 포함하는 블록공중합체를 혼합하여 제조된 도핑 페이스트 및 이를 사용하여 태양전지용 기판에 기존의 다른 선택적 이미터 형성용 재료보다 훨씬 저렴한 비용으로 선택적 이미터를 형성하는 방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 인 또는 붕소를 포함한 용액에 폴리에틸렌글리콜을 포함하는 블록공중합체를 혼합하여 제조된 이미터 형성용 도핑 페이스트를 제공한다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 인 또는 붕소를 포함한 용액에 폴리에틸렌글리콜을 포함하는 블록공중합체를 고형분 함량 0.5∼80%로 혼합하여 제조할 수 있다.
상기 인 또는 붕소를 포함한 용액은 인산 또는 붕산 용액을 사용할 수 있으며, 인 또는 붕소 함유 수화물 1∼50 중량% 및 물 50∼99 중량%를 혼합하여 제조된 용액을 사용할 수 있다.
상기 폴리에틸렌글리콜을 포함하는 블록공중합체는 폴리에틸렌글리콜, 이의 공중합체 및 폴리에틸렌글리콜과 폴리프로필렌글리콜의 블록공중합체를 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명은 인 또는 붕소를 포함한 용액에 폴리에틸렌글리콜을 포함하는 블록공중합체를 혼합하여 제조된 제1 도핑 페이스트를 제조하는 단계(단계 1); 상기 제1 도핑 페이스트를 사용하여 실리콘 기판 상에 패턴을 형성하고 고온 열처리한 후, 기판 상에 형성된 인 산화 막 또는 붕소 산화 막을 제거하는 단계(단계 2); 및 상기 단계 2에서 인 산화 막 또는 붕소 산화 막을 제거한 후, 인 또는 붕소를 포함한 용액에 폴리에틸렌글리콜을 포함하는 블록공중합체를 혼합하여 제1 도핑 페이스트보다 낮은 점도로 제조된 제2 도핑 페이스트를 상기 실리콘 기판 상에 도포하고 저온 열처리하는 단계(단계 3)를 포함하는 폴리머를 포함한 도핑 페이스트를 이용한 선택적 이미터 형성 방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 제1 도핑 페이스트는 상술한 인 또는 붕소를 포함한 용액에 폴리에틸렌글리콜을 포함하는 블록공중합체를 고형분 함량 0.5∼80%로 혼합하여 제조할 수 있다.
상기 단계 2에서 실리콘 기판 상에 제1 도핑 페이스트를 도포하고 고온 열처리하는 과정은 800∼1,200 ℃에서 수행되는 것이 바람직하다.
상기 제2 도핑 페이스트는 제1 도핑 페이스트보다 낮은 점도로 제조하기 위해 상술한 인 또는 붕소를 포함한 용액 안에 폴리에틸렌글리콜을 포함하는 블록공중합체를 고형분 함량 0.5∼80%로 혼합하여 제조할 수 있다.
상기 단계 3에서 제2 도핑 페이스트를 도포한 후 저온 열처리하는 과정은 단계 2에서의 고온 열처리 과정보다 100 ℃ 정도 낮은 700∼1,100 ℃에서 수행되는 것이 바람직하다.
또한 본 발명은 태양전지용 실리콘 기판으로서, 인 또는 붕소를 포함한 용액에 폴리에틸렌글리콜을 포함하는 블록공중합체를 혼합하여 제조된 도핑 페이스트를 사용하여 이미터가 형성된 것을 특징으로 하는 태양전지용 실리콘 기판을 제공한다.
본 발명은 인 또는 붕소를 포함한 용액에 폴리에틸렌글리콜을 포함하는 블록공중합체를 혼합하여 제조된 도핑 페이스트 및 이를 이용하여 선택적 이미터를 형성하는 방법을 제공함으로써, 태양전지용 실리콘 기판에 본 발명의 도핑 페이스트를 사용하여 이미터를 형성하는 경우 폴리에틸렌글리콜을 포함하는 블록공중합체의 함량을 조절하여 점도를 조절하여 온도 차가 심한 계절적 변화 요인을 줄일 수 있고, 이미터 형성을 위한 재료를 상온에서 용이하게 제조할 수 있으며, 인이나 붕소 성분의 확산에 의한 도핑이 이루어져 PN 접합이 생성될 때 온도의 높낮이에 따라 확산 깊이나 농도가 결정되므로 온도와 도핑 페이스트의 농도에 따른 실리콘 기판의 개방 전압과 전류 밀도를 최적화할 수 있다.
도 1은 본 발명의 폴리머를 포함한 도핑 페이스트를 이용하여 선택적 이미터가 형성된 실리콘 기판의 측면을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명에 따른 실시 예 1에서 실리콘 기판에 선택적 이미터 형성을 위해 레이저로 만든 정렬 표시를 가공 조건과 함께 나타낸 사진이다.
도 3은 본 발명에 따른 실시 예 1에서 제조된 제1 도핑 페이스트를 촬영한 사진이다.
도 4는 본 발명에 따른 실시 예 1의 단계 3에서 실리콘 기판에 스크린 인쇄기를 사용하여 도핑 페이스트를 실리콘 기판 전체 면에 도포하고 열처리한 후 촬영한 사진이다.
도 5의 (a)는 기본세정 이외에 아무 처리도 하지 않은 실리콘 기판의 소수 캐리어 수명과 내포된 개방 전압을 측정한 결과를 나타낸 그래프이고, 도 5의 (b)는 실시 예 1에서 제조한 도핑 페이스트를 이용하여 선택적 이미터를 위한 도핑을 하고 난 뒤에 향상된 소수 캐리어 수명과 내포된 개방 전압을 측정한 결과를 나타낸 그래프이다.
도 6은 본 발명의 실시 예 1에서 단결정 Si 기판에 선택적 이미터를 형성한 다음 전면 전극을 레이저 정렬 표시를 따라 인쇄하고 후면 전극을 인쇄하여 동시에 소성하여 만든 태양전지의 앞면(왼쪽 사진)과 뒷면(오른쪽 사진)을 나타낸 사진이다.
도 7은 일반적인 태양전지의 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.
하기에서 본 발명의 인 또는 붕소를 포함한 용액에 폴리에틸렌글리콜을 포함하는 블록공중합체를 혼합하여 제조된 도핑 페이스트 및 이를 사용하여 태양전지용 기판에 선택적 이미터를 형성하는 방법을 도면을 참조하여 구체적으로 설명한다.
본 발명에 따른 폴리머를 포함한 이미터 형성용 도핑 페이스트는 인 또는 붕소를 포함한 용액에 폴리에틸렌글리콜을 포함하는 블록공중합체를 혼합하여 제조할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 인 또는 붕소를 포함한 용액에 폴리에틸렌글리콜을 포함하는 블록공중합체를 고형분 함량 0.5∼80%로 혼합하여 제조할 수 있다.
상기 인 또는 붕소를 포함한 용액은 인산 또는 붕산 용액 자체를 사용할 수 있으며, 인 또는 붕소 함유 수화물을 물과 혼합하여 제조된 용액을 사용할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서, 인 또는 붕소 함유 수화물을 물과 혼합하여 제조된 용액은 인 또는 붕소 함유 수화물 1∼50 중량% 및 물 50∼99 중량%를 혼합하여 제조될 수 있으며, 인 또는 붕소 함유 수화물은 인 또는 붕소를 포함한 산화물, 예를 들어, B2O3, H3BO3 등의 입자 형태의 수화물을 제한 없이 사용할 수 있다.
본 발명에서 상기 폴리에틸렌글리콜을 포함하는 블록공중합체로는 폴리에틸렌글리콜 단독, 이의 공중합체, 폴리에틸렌글리콜과 폴리프로필렌글리콜의 블록공중합체 등을 사용할 수 있다.
또한, 본 발명은,
인 또는 붕소를 포함한 용액에 폴리에틸렌글리콜을 포함하는 블록공중합체를 혼합하여 제조된 제1 도핑 페이스트를 제조하는 단계(단계 1);
상기 제1 도핑 페이스트를 사용하여 실리콘 기판 상에 패턴을 형성하고 고온 열처리한 후, 기판 상에 형성된 인 산화 막 또는 붕소 산화 막을 제거하는 단계(단계 2); 및
상기 단계 2에서 인 산화 막 또는 붕소 산화 막을 제거한 후, 인 또는 붕소를 포함한 용액에 폴리에틸렌글리콜을 포함하는 블록공중합체를 혼합하여 제1 도핑 페이스트보다 낮은 점도로 제조된 제2 도핑 페이스트를 상기 실리콘 기판 상에 도포하고 저온 열처리하는 단계(단계 3)를 포함하는 폴리머를 포함한 도핑 페이스트를 이용한 선택적 이미터 형성 방법을 제공한다.
도 1은 본 발명의 폴리머를 포함한 도핑 페이스트를 이용하여 선택적 이미터가 형성된 실리콘 기판의 측면을 개략적으로 나타낸 도면이다.
하기에서 도 1을 참조하여 본 발명의 폴리머를 포함한 도핑 페이스트를 이용한 선택적 이미터 형성 방법을 자세히 설명한다.
우선, 인 또는 붕소를 포함한 용액에 폴리에틸렌글리콜을 포함하는 블록공중합체를 혼합하여 제조된 제1 도핑 페이스트를 제조한다(단계 1).
상기 제1 도핑 페이스트는 상술한 바와 같이 인 또는 붕소를 포함한 용액에 폴리에틸렌글리콜을 포함하는 블록공중합체를 고형분 함량 0.5∼80%로 혼합하여 제조되며 제2 도핑 페이스트보다 높은 점도로 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에서 도핑 페이스트는 폴리에틸렌글리콜을 포함하는 블록공중합체의 함량을 조절하여 점도를 조절할 수 있다.
다음으로, 제1 도핑 페이스트를 사용하여 실리콘 기판 상에 패턴을 형성하여 고온 열처리한 후, 기판 상에 형성된 인 산화 막 또는 붕소 산화 막을 제거한다(단계 2).
본 발명에서 실리콘 기판 상에 선택적 이미터 형성하기 위해, 도 1에 나타난 바와 같이, 실리콘 기판 상에 높은 점도의 제1 도핑 페이스트를 이용하여 스크린 인쇄법으로 패턴을 형성한 후 일정 시간 전기로나 가열로에서 고온 열처리하는 경우 낮은 면저항 영역(Low Rsheet)을 형성할 수 있다.
상기 단계 2에서 고온 열처리 과정은 800∼1,200 ℃에서 수행되는 것이 바람직하다.
이후, 고온 열처리 과정을 수행하여 형성된 인 산화 막(PSG) 또는 붕소 산화 막(BSG)을 제거하는 과정을 수행한다. 이와 같이 인 산화 막(PSG) 또는 붕소 산화 막(BSG)을 제거하는 과정은 상기 실리콘 기판을 희석된 불산 용액에 침지시켜 수행될 수 있다.
마지막으로, 인 산화 막 또는 붕소 산화 막을 제거한 후, 인 또는 붕소를 포함한 용액에 폴리에틸렌글리콜을 포함하는 블록공중합체를 혼합하여 제1 도핑 페이스트보다 낮은 점도로 제조된 제2 도핑 페이스트를 상기 실리콘 기판 상에 도포하고 저온 열처리한다(단계 3).
상기 단계 3에서는 실리콘 기판 상에 제1 도핑 페이스트로 패턴을 형성한 후 실리콘 기판 전체 면에 제1 도핑 페이스트보다 낮은 점도로 제조된 제2 도핑 페이스트를 도포하여 높은 면저항 영역(High Rsheet)을 형성한다.
상기 제2 도핑 페이스트는 인 또는 붕소를 포함한 용액에 폴리에틸렌글리콜을 포함하는 블록공중합체를 고형분 함량 0.5∼80%로 혼합하여 제조함으로써 제1 도핑 페이스트보다 낮은 점도로 제조할 수 있다.
도 1을 참조하면, 실리콘 기판 상에 제1 도핑 페이스트로 패턴을 형성한 후 실리콘 기판 전체 면에 제1 도핑 페이스트보다 낮은 점도로 제조된 제2 도핑 페이스트를 전체 면에 도포한 후 고온 열처리 과정보다 100 ℃ 정도 낮은 700∼1,100 ℃에서 저온 열처리하여 도핑 페이스트의 확산 농도에 의한 확산 깊이와 면저항의 차이만으로 선택적 이미터를 형성할 수 있다.
또한, 본 발명은 인 또는 붕소를 포함한 용액에 폴리에틸렌글리콜을 포함하는 블록공중합체를 혼합하여 제조된 도핑 페이스트를 사용하여 이미터가 형성된 태양전지용 실리콘 기판을 제공한다.
본 발명에서 실리콘 기판에 이미터를 형성하기 위한 도핑 페이스트로는, 인 또는 붕소를 포함한 용액에 폴리에틸렌글리콜을 포함하는 블록공중합체를 혼합하여 제조된 도핑 페이스를 사용하며 제조하는 방법은 상술한 바와 같다.
본 발명에 따라 태양전지용 실리콘 기판을 제조하기 위해 인 또는 붕소를 포함한 용액에 폴리에틸렌글리콜을 포함하는 블록공중합체를 혼합하여 제조된 도핑 페이스를 사용하여 형성된 이미터가 다공성 구조인 경우 이미터를 형성한 다음 반사 방지막을 증착하지 않고 레이저로 만든 정렬 표시에 맞춰 전극을 올린 뒤 소성을 하고나서 FGA(forming gas annealing) 처리를 해주는 과정을 거치며, 형성된 이미터가 피라미드 구조일 경우 SiNx 층을 증착한 뒤 레이저로 만든 정렬 표시에 맞춰 전극을 올린 뒤 소성을 하는 과정을 거쳐 태양전지를 제조하는 것이 바람직하다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명한다.
폴리머를 포함한 도핑 페이스트를 사용하여 선택적 이미터가 형성된 태양전지의 제조
세정 단계 및 피라미드 형 표면 조직화 단계가 끝난 P 형 실리콘 기판 위에 레이저를 이용하여 미리 전극 인쇄 위치 설정을 위한 표시를 한 다음, 선택적 이미터 형성 제1 단계인 낮은 면저항 형성을 위해 폴리에틸렌글리콜을 포함한 블록공중합체인 P123(Poly(ethylene glycol)-block-poly(propylene glycol)-block-poly(ethylene glycol), in Aldrich)과 인산 상용 원액을 각각 8 g, 21 ml를 넣고 충분히 교반하여 제1 도핑 페이스트를 제조하였고, 이를 실리콘 기판 상에 전극이 올라갈 부분에만 스크린 인쇄하여 전기로에 950 ℃, 30분 동안 열처리하여 도핑을 실시하였다. 그 후 인 산화막(PSG)를 제거한 다음 P123과 인산 상용 원액을 각각 6 g, 10 ml를 넣고 충분히 교반하여 제조한 제2 도핑 페이스트를 선택적 이미터 형성 제3 단계인 높은 면저항 형성을 위해 제2 도핑 페이스트를 전체 면에 스크린 인쇄한 다음 제1 단계보다 낮은 850 ℃, 20 분 동안 열처리하여 도핑을 실시하였다. 역시 PSG를 제거한 다음 반사방지막을 플라즈마 화학증착장비(PECVD)를 사용하여 형성하였다. 스크린 인쇄기를 이용하여 미리 만들어둔 정렬 표시를 이용하여 실리콘 기판의 앞면에 Ag 전극, 실리콘 기판의 뒷면에 Al 전극을 올려 동시에 소성하여 선택적 이미터가 형성된 결정질 실리콘 태양전지를 제조하였다.
기본 세정 이외 아무 처리도 하지 않은 실리콘 기판의 소수 캐리어 수명과 내포된 개방 전압을 측정하여 도 5의 (a)에 나타내었고, 실시 예 1에서 제조한 도핑 페이스트를 이용하여 선택적 이미터를 형성한 실리콘 기판의 소수 캐리어 수명과 내포된 개방 전압을 측정하여 도 5의 (b)에 나타내었다. 도 5를 참조하면, 아무 처리도 하지 않는 실리콘 기판에 비해 본 발명에 따라 선택적 이미터가 형성된 태양전지용 실리콘 기판을 사용하는 경우, 소수 캐리어의 수명 및 개방 전압이 향상될 수 있음을 알 수 있다.
이상 본 발명을 바람직한 실시 예에 대해서 설명하지만, 본 발명은 상술한 특정 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 그 기술적 사상을 벗어나지 않고 다양하게 변형 실시할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 권리 범위는 특정 실시 예가 아니라, 첨부된 특허 청구 범위에 의해 정해지는 것으로 해석되어야 한다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
201 : 제1 도전형 기판 202 : 이미터 층
203 : 전면전극 204 : 후면전극
205 : 반사방지막 206 : 후면전계 층

Claims (18)

  1. 인 또는 붕소를 포함한 용액에 폴리에틸렌글리콜을 포함하는 블록공중합체를 혼합하여 제조된 제1 도핑 페이스트를 제조하는 단계(단계 1);
    상기 제1 도핑 페이스트를 사용하여 실리콘 기판 상에 패턴을 형성하고 고온 열처리한 후, 기판 상에 형성된 인 산화 막 또는 붕소 산화 막을 제거하는 단계(단계 2); 및
    상기 단계 2에서 인 산화 막 또는 붕소 산화 막을 제거한 후, 인 또는 붕소를 포함한 용액에 폴리에틸렌글리콜을 포함하는 블록공중합체를 혼합하여 제1 도핑 페이스트보다 낮은 점도로 제조된 제2 도핑 페이스트를 상기 실리콘 기판 상에 도포하고 저온 열처리하는 단계(단계 3)
    를 포함하는 폴리머를 포함한 도핑 페이스트를 이용한 선택적 이미터 형성 방법.
  2. 청구항 1에서,
    상기 제1 도핑 페이스트는 인산 용액 또는 붕산 용액에 폴리에틸렌글리콜을 포함하는 블록공중합체를 고형분 함량 0.5∼80%로 혼합하여 제조되는 것을 특징으로 하는 폴리머를 포함한 도핑 페이스트를 이용한 선택적 이미터 형성방법.
  3. 청구항 1에서,
    상기 제1 도핑 페이스트는 인 또는 붕소 함유 수화물 1∼50 중량% 및 물 50∼99 중량%를 혼합한 수용액에 폴리에틸렌글리콜을 포함하는 블록공중합체를 고형분 함량 0.5∼80%로 혼합하여 제조되는 것을 특징으로 하는 폴리머를 포함한 도핑 페이스트를 이용한 선택적 이미터 형성 방법.
  4. 청구항 1에서,
    상기 단계 2에서 고온 열처리 과정은 800∼1,200 ℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 폴리머를 포함한 도핑 페이스트를 이용한 선택적 이미터 형성 방법.
  5. 청구항 1에서,
    상기 제2 도핑 페이스트는 인산 용액 또는 붕산 용액에 폴리에틸렌글리콜을 포함하는 블록공중합체를 고형분 함량 0.5∼80%로 혼합하여 제조되는 것을 특징으로 하는 폴리머를 포함한 도핑 페이스트를 이용한 선택적 이미터 형성 방법.
  6. 청구항 1에서,
    상기 제2 도핑 페이스트는 인 또는 붕소 함유 수화물 1∼50 중량% 및 물 50∼99 중량%를 혼합한 수용액에 폴리에틸렌글리콜을 포함하는 블록공중합체를 고형분 함량 0.5∼80%로 혼합하여 제조되는 것을 특징으로 하는 폴리머를 포함한 도핑 페이스트를 이용한 선택적 이미터 형성 방법.
  7. 청구항 1에서,
    상기 단계 3에서 저온 열처리 과정은 700∼1,100 ℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 폴리머를 포함한 도핑 페이스트를 이용한 선택적 이미터 형성 방법.
  8. 청구항 1에서,
    상기 폴리에틸렌글리콜을 포함하는 블록공중합체는 폴리에틸렌글리콜과 폴리프로필렌글리콜의 블록공중합체인 것을 특징으로 하는 폴리머를 포함한 도핑 페이스트를 이용한 선택적 이미터 형성 방법.
  9. 인 또는 붕소를 포함한 용액에 폴리에틸렌글리콜을 포함하는 블록공중합체를 혼합하여 제조된, 이미터 형성용 도핑 페이스트.
  10. 청구항 9에서,
    상기 인 또는 붕소를 포함한 용액에 폴리에틸렌글리콜을 포함하는 블록공중합체가 고형분 함량 0.5∼80%로 혼합되어 제조된 것임을 특징으로 하는 이미터 형성용 도핑 페이스트.
  11. 청구항 9에서,
    상기 인 또는 붕소를 포함한 용액은 인산 또는 붕산인 것을 특징으로 하는 이미터 형성용 도핑 페이스트.
  12. 청구항 9에서,
    상기 인 또는 붕소를 포함한 용액은 인 또는 붕소 함유 수화물 1∼50 중량% 및 물 50∼99 중량%를 혼합하여 제조된 용액인 것을 특징으로 하는 이미터 형성용 도핑 페이스트.
  13. 청구항 9에서,
    상기 폴리에틸렌글리콜을 포함하는 블록공중합체는 폴리에틸렌글리콜과 폴리프로필렌글리콜의 블록공중합체인 것을 특징으로 하는 이미터 형성용 도핑 페이스트.
  14. 태양전지용 실리콘 기판으로서,
    인 또는 붕소를 포함한 용액에 폴리에틸렌글리콜을 포함하는 블록공중합체를 혼합하여 제조된 도핑 페이스트를 사용하여 이미터가 형성된 태양전지용 실리콘 기판.
  15. 청구항 14에서,
    상기 인 또는 붕소를 포함한 용액에 폴리에틸렌글리콜을 포함하는 블록공중합체가 고형분 함량 0.5∼80%로 혼합되어 제조된 것임을 특징으로 하는 태양전지용 실리콘 기판.
  16. 청구항 14에서,
    상기 인 또는 붕소를 포함한 용액은 인산 또는 붕산인 것을 특징으로 하는 태양전지용 실리콘 기판.
  17. 청구항 14에서,
    상기 인 또는 붕소를 포함한 용액은 인 또는 붕소 함유 수화물 1∼50 중량% 및 물 50∼99 중량%를 혼합하여 제조된 용액인 것을 특징으로 하는 태양전지용 실리콘 기판.
  18. 청구항 14에서,
    상기 폴리에틸렌글리콜을 포함하는 블록공중합체는 폴리에틸렌글리콜과 폴리프로필렌글리콜의 블록공중합체인 것을 특징으로 하는 태양전지용 실리콘 기판.
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