KR20110103444A - 연속 인쇄를 위한 스플래터 방지용 장치 및 방법 - Google Patents
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- 238000007639 printing Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 107
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 claims abstract description 36
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 claims abstract description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 10
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 claims description 2
- 239000012209 synthetic fiber Substances 0.000 claims description 2
- 229920002994 synthetic fiber Polymers 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 110
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 40
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 31
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 23
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 22
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 14
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 14
- -1 aluminum tin oxide Chemical compound 0.000 description 13
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 13
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 12
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 12
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 12
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 10
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 9
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 8
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 7
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 7
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 7
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 6
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 6
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 5
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FSEXLNMNADBYJU-UHFFFAOYSA-N 2-phenylquinoline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=C(C=CC=C2)C2=N1 FSEXLNMNADBYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 4
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 4
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N isobutanol Chemical compound CC(C)CO ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 4
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 4
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QPRQEDXDYOZYLA-UHFFFAOYSA-N 2-methylbutan-1-ol Chemical compound CCC(C)CO QPRQEDXDYOZYLA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 3-(4-tert-butylphenyl)-4-phenyl-5-(4-phenylphenyl)-1,2,4-triazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C(N1C=2C=CC=CC=2)=NN=C1C1=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1 ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HTSABYAWKQAHBT-UHFFFAOYSA-N 3-methylcyclohexanol Chemical compound CC1CCCC(O)C1 HTSABYAWKQAHBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MQWCXKGKQLNYQG-UHFFFAOYSA-N 4-methylcyclohexan-1-ol Chemical compound CC1CCC(O)CC1 MQWCXKGKQLNYQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N Tert-Butanol Chemical compound CC(C)(C)O DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 3
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 3
- JFDZBHWFFUWGJE-UHFFFAOYSA-N benzonitrile Chemical compound N#CC1=CC=CC=C1 JFDZBHWFFUWGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N butan-2-ol Chemical compound CCC(C)O BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 3
- 150000003983 crown ethers Chemical class 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- YSSSPARMOAYJTE-UHFFFAOYSA-N dibenzo-18-crown-6 Chemical compound O1CCOCCOC2=CC=CC=C2OCCOCCOC2=CC=CC=C21 YSSSPARMOAYJTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 3
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QQZOPKMRPOGIEB-UHFFFAOYSA-N n-butyl methyl ketone Natural products CCCCC(C)=O QQZOPKMRPOGIEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 3
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 3
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 3
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 3
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 3
- ICPSWZFVWAPUKF-UHFFFAOYSA-N 1,1'-spirobi[fluorene] Chemical compound C1=CC=C2C=C3C4(C=5C(C6=CC=CC=C6C=5)=CC=C4)C=CC=C3C2=C1 ICPSWZFVWAPUKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KVNYFPKFSJIPBJ-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1CC KVNYFPKFSJIPBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CHLICZRVGGXEOD-UHFFFAOYSA-N 1-Methoxy-4-methylbenzene Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1 CHLICZRVGGXEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FEWLNYSYJNLUOO-UHFFFAOYSA-N 1-Piperidinecarboxaldehyde Chemical compound O=CN1CCCCC1 FEWLNYSYJNLUOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NVJUHMXYKCUMQA-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropane Chemical compound CCCOCC NVJUHMXYKCUMQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BBMCTIGTTCKYKF-UHFFFAOYSA-N 1-heptanol Chemical compound CCCCCCCO BBMCTIGTTCKYKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HXVNBWAKAOHACI-UHFFFAOYSA-N 2,4-dimethyl-3-pentanone Chemical compound CC(C)C(=O)C(C)C HXVNBWAKAOHACI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DSFHXKRFDFROER-UHFFFAOYSA-N 2,5,8,11,14,17-hexaoxabicyclo[16.4.0]docosa-1(22),18,20-triene Chemical compound O1CCOCCOCCOCCOCCOC2=CC=CC=C21 DSFHXKRFDFROER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 2-[3,5-bis(1-phenylbenzimidazol-2-yl)phenyl]-1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2N=C1C1=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CETWDUZRCINIHU-UHFFFAOYSA-N 2-heptanol Chemical compound CCCCCC(C)O CETWDUZRCINIHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CQLYXIUHVFRXLT-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyethylbenzene Chemical compound COCCC1=CC=CC=C1 CQLYXIUHVFRXLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SZNYYWIUQFZLLT-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-(2-methylpropoxy)propane Chemical compound CC(C)COCC(C)C SZNYYWIUQFZLLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PFNHSEQQEPMLNI-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-pentanol Chemical compound CCCC(C)CO PFNHSEQQEPMLNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OXPDQFOKSZYEMJ-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyrimidine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NC=CC=N1 OXPDQFOKSZYEMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 3-(1h-benzimidazol-2-yl)-7-(diethylamino)chromen-2-one Chemical class C1=CC=C2NC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 3-(3-methoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound COCCCOCCCO QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SYBYTAAJFKOIEJ-UHFFFAOYSA-N 3-Methylbutan-2-one Chemical compound CC(C)C(C)=O SYBYTAAJFKOIEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MXLMTQWGSQIYOW-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-2-butanol Chemical compound CC(C)C(C)O MXLMTQWGSQIYOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UJBOOUHRTQVGRU-UHFFFAOYSA-N 3-methylcyclohexan-1-one Chemical compound CC1CCCC(=O)C1 UJBOOUHRTQVGRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YVBCULSIZWMTFY-UHFFFAOYSA-N 4-Heptanol Natural products CCCC(O)CCC YVBCULSIZWMTFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCFAJYNVAYBARA-UHFFFAOYSA-N 4-heptanone Chemical compound CCCC(=O)CCC HCFAJYNVAYBARA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VGVHNLRUAMRIEW-UHFFFAOYSA-N 4-methylcyclohexan-1-one Chemical compound CC1CCC(=O)CC1 VGVHNLRUAMRIEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FFWSICBKRCICMR-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-2-hexanone Chemical compound CC(C)CCC(C)=O FFWSICBKRCICMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FCNCGHJSNVOIKE-UHFFFAOYSA-N 9,10-diphenylanthracene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 FCNCGHJSNVOIKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(4-carbazol-9-ylphenyl)phenyl]carbazole Chemical group C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N Acetamide Chemical compound CC(N)=O DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N Ethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1 YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N Formamide Chemical compound NC=O ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RZKSECIXORKHQS-UHFFFAOYSA-N Heptan-3-ol Chemical compound CCCCC(O)CC RZKSECIXORKHQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N N-Pentanol Chemical compound CCCCCO AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATHHXGZTWNVVOU-UHFFFAOYSA-N N-methylformamide Chemical compound CNC=O ATHHXGZTWNVVOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 2
- 239000005456 alcohol based solvent Substances 0.000 description 2
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000109 alkoxy-substituted poly(p-phenylene vinylene) Polymers 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N aluminium(3+) Chemical compound [Al+3] REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 2
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 150000003851 azoles Chemical class 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- FNEPSTUXZLEUCK-UHFFFAOYSA-N benzo-15-crown-5 Chemical compound O1CCOCCOCCOCCOC2=CC=CC=C21 FNEPSTUXZLEUCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AKGGYBADQZYZPD-UHFFFAOYSA-N benzylacetone Chemical compound CC(=O)CCC1=CC=CC=C1 AKGGYBADQZYZPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OCKPCBLVNKHBMX-UHFFFAOYSA-N butylbenzene Chemical compound CCCCC1=CC=CC=C1 OCKPCBLVNKHBMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- RWGFKTVRMDUZSP-UHFFFAOYSA-N cumene Chemical compound CC(C)C1=CC=CC=C1 RWGFKTVRMDUZSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004292 cyclic ethers Chemical class 0.000 description 2
- FWFSEYBSWVRWGL-UHFFFAOYSA-N cyclohex-2-enone Chemical compound O=C1CCCC=C1 FWFSEYBSWVRWGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N decalin Chemical compound C1CCCC2CCCCC21 NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- JBKVHLHDHHXQEQ-UHFFFAOYSA-N epsilon-caprolactam Chemical compound O=C1CCCCCN1 JBKVHLHDHHXQEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 2
- CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N heptan-2-one Chemical compound CCCCCC(C)=O CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NGAZZOYFWWSOGK-UHFFFAOYSA-N heptan-3-one Chemical compound CCCCC(=O)CC NGAZZOYFWWSOGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N hexan-1-ol Chemical compound CCCCCCO ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QNVRIHYSUZMSGM-UHFFFAOYSA-N hexan-2-ol Chemical compound CCCCC(C)O QNVRIHYSUZMSGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOCHHNOQQHDWHG-UHFFFAOYSA-N hexan-3-ol Chemical compound CCCC(O)CC ZOCHHNOQQHDWHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004029 hydroxymethyl group Chemical group [H]OC([H])([H])* 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PHTQWCKDNZKARW-UHFFFAOYSA-N isoamylol Chemical compound CC(C)CCO PHTQWCKDNZKARW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HJOVHMDZYOCNQW-UHFFFAOYSA-N isophorone Chemical compound CC1=CC(=O)CC(C)(C)C1 HJOVHMDZYOCNQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 2
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KPSSIOMAKSHJJG-UHFFFAOYSA-N neopentyl alcohol Chemical compound CC(C)(C)CO KPSSIOMAKSHJJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- HFPZCAJZSCWRBC-UHFFFAOYSA-N p-cymene Chemical compound CC(C)C1=CC=C(C)C=C1 HFPZCAJZSCWRBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JYVLIDXNZAXMDK-UHFFFAOYSA-N pentan-2-ol Chemical compound CCCC(C)O JYVLIDXNZAXMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XNLICIUVMPYHGG-UHFFFAOYSA-N pentan-2-one Chemical compound CCCC(C)=O XNLICIUVMPYHGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AQIXEPGDORPWBJ-UHFFFAOYSA-N pentan-3-ol Chemical compound CCC(O)CC AQIXEPGDORPWBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N pentan-3-one Chemical compound CCC(=O)CC FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 2
- UOHMMEJUHBCKEE-UHFFFAOYSA-N prehnitene Chemical compound CC1=CC=C(C)C(C)=C1C UOHMMEJUHBCKEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 2
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 2
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 2
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 150000003460 sulfonic acids Chemical class 0.000 description 2
- 150000003462 sulfoxides Chemical class 0.000 description 2
- YTZKOQUCBOVLHL-UHFFFAOYSA-N tert-butylbenzene Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=CC=C1 YTZKOQUCBOVLHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FZERLKNAJSFDSQ-DDHJBXDOSA-N (2r,3r,11r,12r)-1,4,7,10,13,16-hexaoxacyclooctadecane-2,3,11,12-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H]1OCCOCCO[C@@H](C(O)=O)[C@H](C(O)=O)OCCOCCO[C@H]1C(O)=O FZERLKNAJSFDSQ-DDHJBXDOSA-N 0.000 description 1
- NMRPBPVERJPACX-UHFFFAOYSA-N (3S)-octan-3-ol Natural products CCCCCC(O)CC NMRPBPVERJPACX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ULPMRIXXHGUZFA-UHFFFAOYSA-N (R)-4-Methyl-3-hexanone Natural products CCC(C)C(=O)CC ULPMRIXXHGUZFA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N (e)-2-phenylethenamine Chemical class N\C=C\C1=CC=CC=C1 UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- JXTGICXCHWMCPM-UHFFFAOYSA-N (methylsulfinyl)benzene Chemical compound CS(=O)C1=CC=CC=C1 JXTGICXCHWMCPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LZDKZFUFMNSQCJ-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethoxyethane Chemical compound CCOCCOCC LZDKZFUFMNSQCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VDFVNEFVBPFDSB-UHFFFAOYSA-N 1,3-dioxane Chemical compound C1COCOC1 VDFVNEFVBPFDSB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WNXJIVFYUVYPPR-UHFFFAOYSA-N 1,3-dioxolane Chemical compound C1COCO1 WNXJIVFYUVYPPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HDQRZGDWLMSBSD-UHFFFAOYSA-N 1,4,10,13-tetrathia-7,16-diazacyclooctadecane Chemical compound C1CSCCSCCNCCSCCSCCN1 HDQRZGDWLMSBSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BJUGHLWDFGGTGJ-UHFFFAOYSA-N 1,4,7,10,13,16-hexaoxacyclooctadec-2-ylmethanamine Chemical compound NCC1COCCOCCOCCOCCOCCO1 BJUGHLWDFGGTGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBXKUSNBCPPKRA-UHFFFAOYSA-N 1,4,7,10,13-pentaoxa-16-azacyclooctadecane Chemical compound C1COCCOCCOCCOCCOCCN1 NBXKUSNBCPPKRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BJUOQSZSDIHZNP-UHFFFAOYSA-N 1,4,7,10-tetraoxa-13-azacyclopentadecane Chemical compound C1COCCOCCOCCOCCN1 BJUOQSZSDIHZNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MDAXKAUIABOHTD-UHFFFAOYSA-N 1,4,8,11-tetraazacyclotetradecane Chemical compound C1CNCCNCCCNCCNC1 MDAXKAUIABOHTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 1-(2,2-diphenylethenyl)-4-[4-(2,2-diphenylethenyl)phenyl]benzene Chemical group C=1C=C(C=2C=CC(C=C(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=CC=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BHDSGQOSIWVMJW-UHFFFAOYSA-N 1-(2-chloroethoxy)propane Chemical compound CCCOCCCl BHDSGQOSIWVMJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LOWMYOWHQMKBTM-UHFFFAOYSA-N 1-butylsulfinylbutane Chemical compound CCCCS(=O)CCCC LOWMYOWHQMKBTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPTVQTPMFOLLOA-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-2-ethoxyethane Chemical compound CCOCCCl GPTVQTPMFOLLOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTIGGAHUZJWQMD-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-2-methoxyethane Chemical compound COCCCl XTIGGAHUZJWQMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZHIWRCQKBBTOW-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxybutane Chemical compound CCCCOCC PZHIWRCQKBBTOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-ol Chemical compound CCOCC(C)O JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYFLWBNQFMXCPA-UHFFFAOYSA-N 1-ethyl-2-methylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1C HYFLWBNQFMXCPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CSZZMFWKAQEMPB-UHFFFAOYSA-N 1-methoxybutan-2-ol Chemical compound CCC(O)COC CSZZMFWKAQEMPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IYZMXHQDXZKNCY-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n-diphenyl-4-n,4-n-bis[4-(n-phenylanilino)phenyl]benzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 IYZMXHQDXZKNCY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XQQZRZQVBFHBHL-UHFFFAOYSA-N 12-crown-4 Chemical compound C1COCCOCCOCCO1 XQQZRZQVBFHBHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VFTFKUDGYRBSAL-UHFFFAOYSA-N 15-crown-5 Chemical compound C1COCCOCCOCCOCCO1 VFTFKUDGYRBSAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PSFJQUGCUJJHIS-UHFFFAOYSA-N 17-nitro-2,5,8,11,14-pentaoxabicyclo[13.4.0]nonadeca-1(15),16,18-trien-18-amine Chemical compound O1CCOCCOCCOCCOC2=C1C=C(N)C([N+]([O-])=O)=C2 PSFJQUGCUJJHIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XIWRBQVYCZCEPG-UHFFFAOYSA-N 17-nitro-2,5,8,11,14-pentaoxabicyclo[13.4.0]nonadeca-1(15),16,18-triene Chemical compound O1CCOCCOCCOCCOC2=CC([N+](=O)[O-])=CC=C21 XIWRBQVYCZCEPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XEZNGIUYQVAUSS-UHFFFAOYSA-N 18-crown-6 Chemical compound C1COCCOCCOCCOCCOCCO1 XEZNGIUYQVAUSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRKYWOKHZRQRJR-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-trifluoroacetamide Chemical compound NC(=O)C(F)(F)F NRKYWOKHZRQRJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JIOBGPYSBDFDAB-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethyl-1,3,6,9,12-pentaoxa-2-silacyclotetradecane Chemical compound C[Si]1(C)OCCOCCOCCOCCO1 JIOBGPYSBDFDAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UXWKDYXFUUBISW-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethyl-1,3,6,9-tetraoxa-2-silacycloundecane Chemical compound C[Si]1(C)OCCOCCOCCO1 UXWKDYXFUUBISW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VMAUSAPAESMXAB-UHFFFAOYSA-N 2,3-bis(4-fluorophenyl)quinoxaline Chemical compound C1=CC(F)=CC=C1C1=NC2=CC=CC=C2N=C1C1=CC=C(F)C=C1 VMAUSAPAESMXAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BAYAKMPRFGNNFW-UHFFFAOYSA-N 2,4-dimethylpentan-3-ol Chemical compound CC(C)C(O)C(C)C BAYAKMPRFGNNFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZXYILUXRGTFGD-UHFFFAOYSA-N 2,5,8,11,14,17-hexaoxabicyclo[16.4.0]docosa-1(18),19,21-trien-20-amine Chemical compound O1CCOCCOCCOCCOCCOC2=CC(N)=CC=C21 PZXYILUXRGTFGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CQNGAZMLFIMLQN-UHFFFAOYSA-N 2,5,8,11,14-pentaoxabicyclo[13.4.0]nonadeca-1(15),16,18-trien-17-amine Chemical compound O1CCOCCOCCOCCOC2=CC(N)=CC=C21 CQNGAZMLFIMLQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MBJIKIAWNPEHOR-UHFFFAOYSA-N 2,5,8,11,14-pentaoxabicyclo[13.4.0]nonadeca-1(15),16,18-triene-17-carbaldehyde Chemical compound O1CCOCCOCCOCCOC2=CC(C=O)=CC=C21 MBJIKIAWNPEHOR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQRWGIWRQMNZNT-UHFFFAOYSA-N 2,5,8,11,14-pentaoxabicyclo[13.4.0]nonadecane Chemical compound O1CCOCCOCCOCCOC2CCCCC21 GQRWGIWRQMNZNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAJNZFCPJVBYHB-UHFFFAOYSA-N 2,5,8,11-tetraoxabicyclo[10.4.0]hexadeca-1(16),12,14-triene Chemical compound O1CCOCCOCCOC2=CC=CC=C21 OAJNZFCPJVBYHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WXFWXFIWDGJRSC-UHFFFAOYSA-N 2,5-dimethoxy-2,5-dihydrofuran Chemical compound COC1OC(OC)C=C1 WXFWXFIWDGJRSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GFISDBXSWQMOND-UHFFFAOYSA-N 2,5-dimethoxyoxolane Chemical compound COC1CCC(OC)O1 GFISDBXSWQMOND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HHAPGMVKBLELOE-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methylpropoxy)ethanol Chemical compound CC(C)COCCO HHAPGMVKBLELOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WOFPPJOZXUTRAU-UHFFFAOYSA-N 2-Ethyl-1-hexanol Natural products CCCCC(O)CCC WOFPPJOZXUTRAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QNVRIHYSUZMSGM-LURJTMIESA-N 2-Hexanol Natural products CCCC[C@H](C)O QNVRIHYSUZMSGM-LURJTMIESA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PTTPXKJBFFKCEK-UHFFFAOYSA-N 2-Methyl-4-heptanone Chemical compound CC(C)CC(=O)CC(C)C PTTPXKJBFFKCEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BDLXTDLGTWNUFM-UHFFFAOYSA-N 2-[(2-methylpropan-2-yl)oxy]ethanol Chemical compound CC(C)(C)OCCO BDLXTDLGTWNUFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RIKNNBBGYSDYAX-UHFFFAOYSA-N 2-[1-[2-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]cyclohexyl]-n,n-bis(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C(=CC=CC=1)C1(CCCCC1)C=1C(=CC=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 RIKNNBBGYSDYAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HHBZZTKMMLDNDN-UHFFFAOYSA-N 2-butan-2-yloxybutane Chemical compound CCC(C)OC(C)CC HHBZZTKMMLDNDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940093475 2-ethoxyethanol Drugs 0.000 description 1
- TZYRSLHNPKPEFV-UHFFFAOYSA-N 2-ethyl-1-butanol Chemical compound CCC(CC)CO TZYRSLHNPKPEFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YIWUKEYIRIRTPP-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhexan-1-ol Chemical compound CCCCC(CC)CO YIWUKEYIRIRTPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MWFMGBPGAXYFAR-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-2-methylpropanenitrile Chemical compound CC(C)(O)C#N MWFMGBPGAXYFAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QKPVEISEHYYHRH-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyacetonitrile Chemical compound COCC#N QKPVEISEHYYHRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HTWIZMNMTWYQRN-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1,3-dioxolane Chemical compound CC1OCCO1 HTWIZMNMTWYQRN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RCEJCSULJQNRQQ-UHFFFAOYSA-N 2-methylbutanenitrile Chemical compound CCC(C)C#N RCEJCSULJQNRQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NDVWOBYBJYUSMF-UHFFFAOYSA-N 2-methylcyclohexan-1-ol Chemical compound CC1CCCCC1O NDVWOBYBJYUSMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFSAPCRASZRSKS-UHFFFAOYSA-N 2-methylcyclohexan-1-one Chemical compound CC1CCCCC1=O LFSAPCRASZRSKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 2-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n,2-n-triphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C(=CC=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCGFUIQPSOCUHI-UHFFFAOYSA-N 2-propan-2-yloxyethanol Chemical compound CC(C)OCCO HCGFUIQPSOCUHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHHZIFBFFGIFNI-UHFFFAOYSA-N 20-bromo-2,5,8,11,14,17-hexaoxabicyclo[16.4.0]docosa-1(18),19,21-triene Chemical compound O1CCOCCOCCOCCOCCOC2=CC(Br)=CC=C21 XHHZIFBFFGIFNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BCGCCTGNWPKXJL-UHFFFAOYSA-N 3-(2-cyanoethoxy)propanenitrile Chemical compound N#CCCOCCC#N BCGCCTGNWPKXJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AWVNJBFNHGQUQU-UHFFFAOYSA-N 3-butoxypropanenitrile Chemical compound CCCCOCCC#N AWVNJBFNHGQUQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DCWQZPJHHVLHSV-UHFFFAOYSA-N 3-ethoxypropanenitrile Chemical compound CCOCCC#N DCWQZPJHHVLHSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PFCHFHIRKBAQGU-UHFFFAOYSA-N 3-hexanone Chemical compound CCCC(=O)CC PFCHFHIRKBAQGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSGYTJNNHPZFKR-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxypropanenitrile Chemical compound OCCC#N WSGYTJNNHPZFKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JSGVZVOGOQILFM-UHFFFAOYSA-N 3-methoxy-1-butanol Chemical compound COC(C)CCO JSGVZVOGOQILFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MFKRHJVUCZRDTF-UHFFFAOYSA-N 3-methoxy-3-methylbutan-1-ol Chemical compound COC(C)(C)CCO MFKRHJVUCZRDTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OOWFYDWAMOKVSF-UHFFFAOYSA-N 3-methoxypropanenitrile Chemical compound COCCC#N OOWFYDWAMOKVSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YGBCLRRWZQSURU-UHFFFAOYSA-N 4-[(diphenylhydrazinylidene)methyl]-n,n-diethylaniline Chemical compound C1=CC(N(CC)CC)=CC=C1C=NN(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 YGBCLRRWZQSURU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KBXXZTIBAVBLPP-UHFFFAOYSA-N 4-[[4-(diethylamino)-2-methylphenyl]-(4-methylphenyl)methyl]-n,n-diethyl-3-methylaniline Chemical compound CC1=CC(N(CC)CC)=CC=C1C(C=1C(=CC(=CC=1)N(CC)CC)C)C1=CC=C(C)C=C1 KBXXZTIBAVBLPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVUBSVWMOWKPDJ-UHFFFAOYSA-N 4-methoxy-1,2-dimethylbenzene Chemical compound COC1=CC=C(C)C(C)=C1 LVUBSVWMOWKPDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KOKPBCHLPVDQTK-UHFFFAOYSA-N 4-methoxy-4-methylpentan-2-one Chemical compound COC(C)(C)CC(C)=O KOKPBCHLPVDQTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940077398 4-methyl anisole Drugs 0.000 description 1
- INCCMBMMWVKEGJ-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-1,3-dioxane Chemical compound CC1CCOCO1 INCCMBMMWVKEGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WVYWICLMDOOCFB-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-2-pentanol Chemical compound CC(C)CC(C)O WVYWICLMDOOCFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[1-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]cyclohexyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C1(CCCCC1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MVIXNQZIMMIGEL-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 MVIXNQZIMMIGEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000590 4-methylphenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(=C([H])C([H])=C1*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- RCJRILMVFLGCJY-UHFFFAOYSA-N 4-phenyl-1,3-dioxane Chemical compound O1COCCC1C1=CC=CC=C1 RCJRILMVFLGCJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YXVFYQXJAXKLAK-UHFFFAOYSA-M 4-phenylphenolate Chemical compound C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 YXVFYQXJAXKLAK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- QJMYXHKGEGNLED-UHFFFAOYSA-N 5-(2-hydroxyethylamino)-1h-pyrimidine-2,4-dione Chemical compound OCCNC1=CNC(=O)NC1=O QJMYXHKGEGNLED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PSBKJPTZCVYXSD-UHFFFAOYSA-N 5-methylheptan-3-one Chemical compound CCC(C)CC(=O)CC PSBKJPTZCVYXSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UPVLGOPSYZTLGB-UHFFFAOYSA-N 5-methyloctan-2-one Chemical compound CCCC(C)CCC(C)=O UPVLGOPSYZTLGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BITWULPDIGXQDL-UHFFFAOYSA-N 9,10-bis[4-(2,2-diphenylethenyl)phenyl]anthracene Chemical compound C=1C=C(C=2C3=CC=CC=C3C(C=3C=CC(C=C(C=4C=CC=CC=4)C=4C=CC=CC=4)=CC=3)=C3C=CC=CC3=2)C=CC=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 BITWULPDIGXQDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C12=CC=CC=C2C(C2=CC3=CC=CC=C3C=C2)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(C=CC=C2)C2=C1 VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SFBHJDZYFDQEEY-UHFFFAOYSA-N 9-cyclobutylcarbazole Chemical compound C1CCC1N1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21 SFBHJDZYFDQEEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNSMNVMLTJELDZ-UHFFFAOYSA-N Bis(2-chloroethyl)ether Chemical compound ClCCOCCCl ZNSMNVMLTJELDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- XJUZRXYOEPSWMB-UHFFFAOYSA-N Chloromethyl methyl ether Chemical compound COCCl XJUZRXYOEPSWMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXQPUEQDBSPXTE-UHFFFAOYSA-N Diisobutylcarbinol Chemical compound CC(C)CC(O)CC(C)C HXQPUEQDBSPXTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N Diisopropyl ether Chemical compound CC(C)OC(C)C ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N Li2O Inorganic materials [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ICBJCVRQDSQPGI-UHFFFAOYSA-N Methyl hexyl ether Chemical compound CCCCCCOC ICBJCVRQDSQPGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZLVMXJERCGZMT-UHFFFAOYSA-N Methyl tert-butyl ether Chemical compound COC(C)(C)C BZLVMXJERCGZMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CWNSVVHTTQBGQB-UHFFFAOYSA-N N,N-Diethyldodecanamide Chemical compound CCCCCCCCCCCC(=O)N(CC)CC CWNSVVHTTQBGQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SUAKHGWARZSWIH-UHFFFAOYSA-N N,N‐diethylformamide Chemical compound CCN(CC)C=O SUAKHGWARZSWIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVCJKHHOXFKFRP-UHFFFAOYSA-N N-acetylethanolamine Chemical compound CC(=O)NCCO PVCJKHHOXFKFRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001204 N-oxides Chemical class 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MVMBITSRQNHOLP-UHFFFAOYSA-N OC(=O)C1=NC=CC=C1[Ir]C1=CC(F)=CC(F)=C1C1=CC=CC=N1 Chemical compound OC(=O)C1=NC=CC=C1[Ir]C1=CC(F)=CC(F)=C1C1=CC=CC=N1 MVMBITSRQNHOLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RFFFKMOABOFIDF-UHFFFAOYSA-N Pentanenitrile Chemical compound CCCCC#N RFFFKMOABOFIDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CYTYCFOTNPOANT-UHFFFAOYSA-N Perchloroethylene Chemical group ClC(Cl)=C(Cl)Cl CYTYCFOTNPOANT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000292 Polyquinoline Polymers 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N Tetrahydropyran Chemical compound C1CCOCC1 DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 description 1
- DRUIESSIVFYOMK-UHFFFAOYSA-N Trichloroacetonitrile Chemical compound ClC(Cl)(Cl)C#N DRUIESSIVFYOMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 description 1
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052768 actinide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001255 actinides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000004202 aminomethyl group Chemical group [H]N([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XJHABGPPCLHLLV-UHFFFAOYSA-N benzo[de]isoquinoline-1,3-dione Chemical compound C1=CC(C(=O)NC2=O)=C3C2=CC=CC3=C1 XJHABGPPCLHLLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 125000000319 biphenyl-4-yl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1C1=C([H])C([H])=C([*])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- LTZRCLYZVSXCTC-UHFFFAOYSA-N bis(2,5,8,11,14-pentaoxabicyclo[13.4.0]nonadeca-1(15),16,18-trien-17-ylmethyl) heptanedioate Chemical compound O1CCOCCOCCOCCOC2=CC(COC(CCCCCC(=O)OCC=3C=C4OCCOCCOCCOCCOC4=CC=3)=O)=CC=C21 LTZRCLYZVSXCTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N butyl pbd Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)O1 XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KVNRLNFWIYMESJ-UHFFFAOYSA-N butyronitrile Chemical compound CCCC#N KVNRLNFWIYMESJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001734 carboxylic acid salts Chemical class 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FCYRSDMGOLYDHL-UHFFFAOYSA-N chloromethoxyethane Chemical compound CCOCCl FCYRSDMGOLYDHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940061627 chloromethyl methyl ether Drugs 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- MFXQZGMNTNQCCW-UHFFFAOYSA-N cumene 1,2,3-trimethylbenzene 1,3,5-trimethylbenzene Chemical compound CC(C)C1=CC=CC=C1.CC1=CC(C)=CC(C)=C1.CC1=CC=CC(C)=C1C MFXQZGMNTNQCCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 description 1
- CGZZMOTZOONQIA-UHFFFAOYSA-N cycloheptanone Chemical compound O=C1CCCCCC1 CGZZMOTZOONQIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YKFKEYKJGVSEIX-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone, 4-(1,1-dimethylethyl)- Chemical compound CC(C)(C)C1CCC(=O)CC1 YKFKEYKJGVSEIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XCIXKGXIYUWCLL-UHFFFAOYSA-N cyclopentanol Chemical compound OC1CCCC1 XCIXKGXIYUWCLL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930007927 cymene Natural products 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- UNTITLLXXOKDTB-UHFFFAOYSA-N dibenzo-24-crown-8 Chemical compound O1CCOCCOCCOC2=CC=CC=C2OCCOCCOCCOC2=CC=CC=C21 UNTITLLXXOKDTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MXCSCGGRLMRZMF-UHFFFAOYSA-N dibenzo-30-crown-10 Chemical compound O1CCOCCOCCOCCOC2=CC=CC=C2OCCOCCOCCOCCOC2=CC=CC=C21 MXCSCGGRLMRZMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QMLGNDFKJAFKGZ-UHFFFAOYSA-N dicyclohexano-24-crown-8 Chemical compound O1CCOCCOCCOC2CCCCC2OCCOCCOCCOC2CCCCC21 QMLGNDFKJAFKGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001664 diethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])N(*)C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M dilithium;hydroxide Chemical compound [Li+].[Li+].[OH-] XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229940113088 dimethylacetamide Drugs 0.000 description 1
- POLCUAVZOMRGSN-UHFFFAOYSA-N dipropyl ether Chemical compound CCCOCCC POLCUAVZOMRGSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLRROLLKQDRDPI-UHFFFAOYSA-L disodium;4,5-dihydroxybenzene-1,3-disulfonate;hydrate Chemical compound O.[Na+].[Na+].OC1=CC(S([O-])(=O)=O)=CC(S([O-])(=O)=O)=C1O ZLRROLLKQDRDPI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N formaldehyde Substances O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JVZRCNQLWOELDU-UHFFFAOYSA-N gamma-Phenylpyridine Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=NC=C1 JVZRCNQLWOELDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- LTYRAPJYLUPLCI-UHFFFAOYSA-N glycolonitrile Chemical compound OCC#N LTYRAPJYLUPLCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N glycolonitrile Natural products N#CC#N JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- 229910021482 group 13 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AILKHAQXUAOOFU-UHFFFAOYSA-N hexanenitrile Chemical compound CCCCCC#N AILKHAQXUAOOFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002466 imines Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- KXUHSQYYJYAXGZ-UHFFFAOYSA-N isobutylbenzene Chemical compound CC(C)CC1=CC=CC=C1 KXUHSQYYJYAXGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LRDFRRGEGBBSRN-UHFFFAOYSA-N isobutyronitrile Chemical compound CC(C)C#N LRDFRRGEGBBSRN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HEBMCVBCEDMUOF-UHFFFAOYSA-N isochromane Chemical compound C1=CC=C2COCCC2=C1 HEBMCVBCEDMUOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960004592 isopropanol Drugs 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 1
- 239000006193 liquid solution Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 125000000040 m-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C(=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQKZBCPTCWJTAS-UHFFFAOYSA-N methoxymethylbenzene Chemical compound COCC1=CC=CC=C1 GQKZBCPTCWJTAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VNKYTQGIUYNRMY-UHFFFAOYSA-N methoxypropane Chemical compound CCCOC VNKYTQGIUYNRMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940043265 methyl isobutyl ketone Drugs 0.000 description 1
- SWYVHBPXKKDGLL-UHFFFAOYSA-N n,n,3-trimethylbenzamide Chemical compound CN(C)C(=O)C1=CC=CC(C)=C1 SWYVHBPXKKDGLL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UNBDDZDKBWPHAX-UHFFFAOYSA-N n,n-di(propan-2-yl)formamide Chemical compound CC(C)N(C=O)C(C)C UNBDDZDKBWPHAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AJFDBNQQDYLMJN-UHFFFAOYSA-N n,n-diethylacetamide Chemical compound CCN(CC)C(C)=O AJFDBNQQDYLMJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YPEWWOUWRRQBAX-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethyl-3-oxobutanamide Chemical compound CN(C)C(=O)CC(C)=O YPEWWOUWRRQBAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQCHTHJRANYSEJ-UHFFFAOYSA-N n-[(2-chlorophenyl)methyl]-1-(3-methylphenyl)benzimidazole-5-carboxamide Chemical compound CC1=CC=CC(N2C3=CC=C(C=C3N=C2)C(=O)NCC=2C(=CC=CC=2)Cl)=C1 MQCHTHJRANYSEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JGOAZQAXRONCCI-SDNWHVSQSA-N n-[(e)-benzylideneamino]aniline Chemical compound C=1C=CC=CC=1N\N=C\C1=CC=CC=C1 JGOAZQAXRONCCI-SDNWHVSQSA-N 0.000 description 1
- KERBAAIBDHEFDD-UHFFFAOYSA-N n-ethylformamide Chemical compound CCNC=O KERBAAIBDHEFDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JIKUXBYRTXDNIY-UHFFFAOYSA-N n-methyl-n-phenylformamide Chemical compound O=CN(C)C1=CC=CC=C1 JIKUXBYRTXDNIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SDLAKRCBYGZJRW-UHFFFAOYSA-N n-tert-butylformamide Chemical compound CC(C)(C)NC=O SDLAKRCBYGZJRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930014626 natural product Natural products 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- MPQXHAGKBWFSNV-UHFFFAOYSA-N oxidophosphanium Chemical class [PH3]=O MPQXHAGKBWFSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- CBHCDHNUZWWAPP-UHFFFAOYSA-N pecazine Chemical compound C1N(C)CCCC1CN1C2=CC=CC=C2SC2=CC=CC=C21 CBHCDHNUZWWAPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JZRYQZJSTWVBBD-UHFFFAOYSA-N pentaporphyrin i Chemical compound N1C(C=C2NC(=CC3=NC(=C4)C=C3)C=C2)=CC=C1C=C1C=CC4=N1 JZRYQZJSTWVBBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000003208 petroleum Substances 0.000 description 1
- 150000005041 phenanthrolines Chemical class 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000000843 phenylene group Chemical class C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 1
- 150000003003 phosphines Chemical class 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XIPFMBOWZXULIA-UHFFFAOYSA-N pivalamide Chemical compound CC(C)(C)C(N)=O XIPFMBOWZXULIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAMNHZBIQDNHMM-UHFFFAOYSA-N pivalonitrile Chemical compound CC(C)(C)C#N JAMNHZBIQDNHMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- FVSKHRXBFJPNKK-UHFFFAOYSA-N propionitrile Chemical compound CCC#N FVSKHRXBFJPNKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003220 pyrenes Chemical class 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003252 quinoxalines Chemical class 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZJMWRROPUADPEA-UHFFFAOYSA-N sec-butylbenzene Chemical compound CCC(C)C1=CC=CC=C1 ZJMWRROPUADPEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000007767 slide coating Methods 0.000 description 1
- 238000007764 slot die coating Methods 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- IAHFWCOBPZCAEA-UHFFFAOYSA-N succinonitrile Chemical compound N#CCCC#N IAHFWCOBPZCAEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 229950011008 tetrachloroethylene Drugs 0.000 description 1
- PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N tetracyanoquinodimethane Chemical compound N#CC(C#N)=C1C=CC(=C(C#N)C#N)C=C1 PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISXOBTBCNRIIQO-UHFFFAOYSA-N tetrahydrothiophene 1-oxide Chemical compound O=S1CCCC1 ISXOBTBCNRIIQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FHCPAXDKURNIOZ-UHFFFAOYSA-N tetrathiafulvalene Chemical compound S1C=CSC1=C1SC=CS1 FHCPAXDKURNIOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- NLVXSWCKKBEXTG-UHFFFAOYSA-N vinylsulfonic acid Chemical class OS(=O)(=O)C=C NLVXSWCKKBEXTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- GBNDTYKAOXLLID-UHFFFAOYSA-N zirconium(4+) ion Chemical compound [Zr+4] GBNDTYKAOXLLID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
전자 소자의 기재 상에 층을 액체상 분배하기 위한 장치 및 방법. 흡수재는 연속 인쇄 작업 동안 기재 상에서 인쇄 물질의 스플래터를 감소시키거나 제거한다. 흡수재는 새로운 표면 영역을 노출시키거나 흡수재를 통해 인쇄 물질을 진공으로 끌어 당김으로써 재생될 수 있다.
Description
관련 출원
본 출원은 본 명세서에 전체적으로 참고로 포함되는 2008년 12월 27일자로 출원된 미국 가특허 출원 제61/140,944호로부터 35 U.S.C. § 119(e) 하에 우선권을 주장한다.
본 발명은 대체로 전자 소자를 제조하는 장치 및 방법에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 액체상 인쇄 물질의 연속 분배를 위한 일련의 노즐, 및 기재 상에서 인쇄 물질의 스플래터(splatter)를 감소시키기 위한 흡수재에 관한 것이다.
활성 유기 분자는 전자 소자에서 점점 더 사용되고 있다. 이들 활성 유기 분자는 전계발광을 비롯한 전자 또는 전자 방사 특성을 갖는다. 유기 활성 물질을 포함하는 전자 소자는 전기 에너지를 방사선으로 전환하기 위해 사용될 수 있으며, 발광 다이오드, 발광 다이오드 디스플레이, 또는 다이오드 레이저를 포함할 수 있다.
유기 발광 다이오드("OLED") 디스플레이를 제조하기 위하여 통상 두 가지 방법, 즉 진공 침착 및 액체상 가공이 사용된다. (후자는 순수 용액(true solution) 또는 현탁액으로서, 유체로부터 층을 적용하는 모든 형태를 포함한다). 진공 침착 장비는 전형적으로 투자 비용이 매우 높으며, 재료 이용이 열등하여(높은 작업 비용), 따라서 액체상 가공이 바람직하며, 대형 면적 디스플레이의 경우 특히 그러하다.
유기 활성층의 침착을 위한 액체상 가공은 기재 상의 층 두께의 제어를 위한 많은 기술을 포함한다. 이들 기술 중 일부는 스핀 코팅, 로드(rod) 코팅, 딥 코팅, 롤 코팅, 그라비어 코팅 또는 인쇄, 리소그래피 또는 플렉소그래피 인쇄, 스크린 코팅 등을 비롯한 두께를 제어하기 위한 자가 조절 방법을 포함한다. 이들 기술 중 다른 것들은 잉크젯 인쇄, 분무 코팅, 노즐 코팅, 슬롯 다이 코팅, 커튼 코팅, 바 또는 슬라이드 코팅 등을 비롯한 제어된 침착 기술을 이용하여 침착 두께를 제어하고자 한다.
자가 조절 기술은 많은 단점이 있다. OLED 디스플레이 코팅에 사용되는 유체는 종종 토포그래피(topography)를 가진 표면 - 전극, 접촉 패드, 박막 트랜지스터, 포토레지스트로부터 형성된 픽셀 웰, 캐소드 분리막 구조, 등 - 위에 적용된다. 자가 조절 기술에 의해 침착된 습식층의 균일성은 코팅 갭 및 생성되는 압력 분포에 의존하여, 기재 토포그래피에서의 변화는 습식 코팅 두께에서 바람직하지 못한 변화를 야기한다. 자가 조절 기술은 일반적으로 기재에 제공된 모든 유체가 침착되지는 않는다는 점에서 더 높은 작업 비용이 문제가 된다. 일부 유체는 유체 조에서 재순환되거나(예를 들어, 딥 코팅), 또는 어플리케이터에서 재순환되거나(예를 들어, 롤 또는 그라비어 코팅), 또는 폐기된다(예를 들어, 스핀 코팅). 용매는 재순환된 유체로부터 증발하여, 공정 안정성을 유지하기 위하여 조정을 요구한다. 물질의 폐기와, 물질의 재순환 및 조정은 비용을 추가한다.
제어된 기술은 낮은 작업 비용을 제공할 수 있다. 그러나, 일부 경우에, 연속 인쇄는 지정된 기재 상의 원하는 위치 밖에 인쇄 물질이 침착되도록 할 수 있다. 한 가지 방식에서, 연속 액체상 인쇄 물질은 원치 않는 액적으로 흩어져 기재 상의 원치 않는 위치에 침착될 수 있다. 이러한 결함은 종종 스플래터(splatter)로 불리며, 전자 소자의 성능 저하를 야기할 수 있다.
이러한 문제를 해결하기 위한 이전의 기술은 덕트 또는 채널 내의 과도한 인쇄 물질의 수집 및 배출 공기 유동을 이용한 제거에 관련되었다. 이러한 해결책은 스플래터 결함을 제거하는 데 비효과적인 것으로 알려져 왔다. 다른 기술은 노즐과 인쇄될 표면 사이에서 동일한 갭, 또는 거리에서 수집 표면을 유지하는 것을 포함한다. 이것은 인쇄 물질의 연속적인 스트림, 또는 기둥(pillar)을 유지한다. 그러나, 이 해결책은 기재를 따라서 추가 통과를 이루기 위하여 변하는 방향으로 노즐(들)을 역전시킬 때 스트림 또는 액적의 뒤섞임(puddling)을 야기한다. 스플래터 문제의 해결책은 인쇄 물질의 기둥이 에어로졸 크기의 액적으로 분해되는 것을 감소하거나 제거하고, 부가적으로, 인쇄 통과 마지막에 노즐(들)의 역전시에 뒤섞임을 제거하는 방법을 포함한다.
유기층의 일관되지 않은 형성은 전형적으로 열등한 소자 성능 및 소자 제조 공정에서 열등한 수율을 야기한다.
OLED 응용을 위한 유기 물질의 액체상 침착을 위한 개선된 공정이 계속 필요하다.
제어된 코팅 방법에서는 노즐(들)에 공급되는 모든 유체가 기재 또는 작업편에 적용된다. 노즐과 기재 사이의 상대 이동은 인쇄 물질이 균일하고 정밀한 방식으로 침착되도록 한다. 이러한 상대 이동은 고정된 기재 위로 노즐 세트를 이동시키거나, 또는 대안적으로, 고정된 노즐 세트에 대하여 기재를 이동시키거나, 또는 기재와 노즐 세트 둘 모두가 이동되는 조합에 의해 이루어질 수 있다. 상기 시나리오 중 어느 것에서든, 인쇄 작업은 기재를 가로지르는, 통과로도 불리는 인쇄 수행이 이루어지며, 이어서 제1 통과에 대해 대체로 반대 방향의 제2 통과가 이어진다. 이들 인쇄 통과는 기재의 완결까지 계속된다. 제1 통과에서 제2 통과로의 이러한 방향 역전은 기재 상에 인쇄 물질의 스플래터를 생성하여, 생성되는 전자 소자에 후속적인 작업 문제를 생성한다.
OLED 디스플레이를 제작하기 위한 유기층의 연속 노즐 코팅은 수십 나노미터 정도의 두께로 층을 생성한다. 그러한 얇은 치수에서 허용가능한 층 성능을 이루기 위해 공정 개선이 요구된다.
적어도 하나의 실시 형태는 인쇄 물질의 스플래터를 감소시키기 위한 흡수재 및 흡수재의 흡수 능력을 재생하기 위한 장치에 더하여, 기재 상에 인쇄 물질의 연속 스트림을 분배할 수 있는 일련의 노즐을 포함하는 노즐 조립체를 포함한다. 일련의 노즐은 적어도 3개의 노즐을 포함하지만, 6, 9, 12개 또는 그 이상의 노즐을 포함할 수 있다. 일 실시 형태에서 흡수재는 매끄러운 또는 불규칙적인 표면을 가질 수 있으며, 스폰지, 천연 섬유, 합성 섬유 및 다공성 매질로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다. 일 실시 형태에서 흡수 능력을 재생하기 위한 장치는 흡수재를 이동시키고 추가의 표면 영역을 노출시키기 위한 회전 장치이다. 일 실시 형태에서 진공원은 흡수재를 통해 인쇄 물질을 끌어 당겨서 흡수재를 재생한다. 일 실시 형태에서 연속 스트림의 분배는 제1 방향으로 수행되고, 그 후 과잉의 인쇄 물질을 흡수재 상으로 지향시키고, 이어서 제2 방향으로 인쇄가 수행된다.
<도 1>
도 1은 전자 소자를 예시하는 도면.
<도 2>
도 2는 본 발명의 일련의 노즐의 일 실시 형태를 예시하는 도면.
<도 3>
도 3은 기재가 본 발명의 흡수재 및 진공 장치와 인접한 다른 실시 형태를 예시하는 도면.
도 1은 전자 소자를 예시하는 도면.
<도 2>
도 2는 본 발명의 일련의 노즐의 일 실시 형태를 예시하는 도면.
<도 3>
도 3은 기재가 본 발명의 흡수재 및 진공 장치와 인접한 다른 실시 형태를 예시하는 도면.
유기 발광 다이오드("OLED")를 포함하는 전자 소자의 일 예가 도 1에 도시되고 100으로 표시되어 있다. 소자는 애노드층(110), 완충층(120), 광활성층(130), 및 캐소드층(150)을 갖는다. 선택적인 전자 주입/수송층(140)이 캐소드층(150)에 인접한다. 완충층(120)과 광활성층(130) 사이에는, 선택적인 정공 주입/수송층(도시되지 않음)이 있다.
본 명세서에 사용되는 바와 같이,"완충층" 또는 "완충 재료"라는 용어는 전기적 전도성 또는 반전도성 재료를 의미하고자 하는 것으로, 유기 전자 소자에서, 하부 층의 평탄화, 전하 수송 및/또는 전하 주입 특성, 산소 또는 금속 이온과 같은 불순물의 제거, 및 유기 전자 소자의 성능을 증진하거나 개선하는 다른 측면을 포함하지만 이로 한정되지 않는 하나 이상의 기능을 가질 수 있다. 완충 재료는 중합체, 올리고머 또는 소분자일 수 있고, 용액, 분산물, 현탁액, 에멀젼, 콜로이드 혼합물 또는 다른 조성물의 형태일 수 있다. 층, 재료, 부재, 또는 구조물을 언급할 때, "정공 수송"(hole transport)이라는 용어는 그러한 층, 재료, 부재, 또는 구조물이 그러한 층, 재료, 부재, 또는 구조물의 두께를 통한 양전하의 이동을 상대적으로 효율적으로 그리고 적은 전하 손실로 촉진함을 의미하고자 하는 것이다. 층, 재료, 부재, 또는 구조물을 언급할 때 "전자 수송"(electron transport)이라는 용어는 그러한 층, 재료, 부재, 또는 구조물을 통한 다른 층, 재료, 부재, 또는 구조물로의 음전하의 이동을 증진 또는 촉진하는 그러한 층, 재료, 부재, 또는 구조물을 의미하고자 한다. 층, 재료, 부재, 또는 구조물을 언급할 때 "정공 주입"(hole-injection)이라는 용어는 그러한 층, 재료, 부재, 또는 구조물이 비교적 효율적으로 그리고 적은 전하 손실로 그러한 층, 재료, 부재, 또는 구조물의 두께를 통한 양전하의 주입과 이동을 촉진하게 하는 것을 의미하려는 것이다. 용어 "전자 주입"은, 층, 재료, 부재, 또는 구조물을 언급할 때, 이러한 층, 재료, 부재, 또는 구조물이 비교적 효율적으로 그리고 적은 전하 손실로 이러한 층, 재료, 부재, 또는 구조물의 두께를 통하여 음전하의 주입 및 이동을 촉진하게 하는 것을 의미하려는 것이다.
소자는 애노드층(110) 또는 캐소드층(150)에 인접할 수 있는 지지체 또는 기재(도시되지 않음)를 포함할 수 있다. 가장 흔하게는, 지지체는 애노드층(110)에 인접한다. 지지체는 유연성 또는 강성, 유기 또는 무기일 수 있다. 일반적으로, 유리 또는 가요성 유기 필름이 지지체로서 사용된다. 애노드층 (110)은, 캐소드층 (150)에 비해 정공 주입에 있어서 더 효율적인 전극이다. 애노드는 금속, 혼합 금속, 합금, 금속 산화물 또는 혼합 산화물을 포함하는 재료를 포함할 수 있다. 적합한 재료는 11족 원소, 4, 5 및 6족 내의 원소, 8-10족 전이원소 및 2족 원소(즉, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Ra)의 혼합 산화물을 포함한다. 애노드층 (110)이 광투과성이 되게 하려면, 12, 13 및 14족 원소의 혼합 산화물, 예를 들어 인듐-주석-산화물을 사용할 수 있다. 본 명세서에 사용되는 바와 같이, 문구 "혼합 산화물"은 2족 원소 또는 12족, 13족 또는 14족 원소로부터 선택된 둘 이상의 상이한 양이온을 갖는 산화물을 말한다. 애노드층(110)을 위한 재료의 일부 비제한적인 특정 예에는 인듐 주석 산화물("ITO"), 알루미늄 주석 산화물, 금, 은, 구리 및 니켈이 포함되지만 이로 한정되지 않는다. 애노드는 또한 폴리아닐린, 폴리티오펜, 또는 폴리피롤과 같은 유기 재료를 포함할 수 있다. IUPAC 번호 체계가 전반적으로 사용되며, 주기율표의 족은 좌에서 우로 1 내지 18로 번호가 매겨진다(문헌[CRC Handbook of Chemistry and Physics, 81st Edition, 2000]).
일 실시 형태에서, 완충층(120)은 정공 수송 물질을 포함한다. 층(120)을 위한 정공 수송 재료의 예는, 예를 들어, 문헌[Kirk-Othmer Encyclopedia of Chemical Technology, Fourth Edition, Vol. 18, p. 837-860, 1996, by Y. Wang]에 요약되어 있다. 정공 수송 분자 및 중합체는 양자 모두 사용 가능하다. 통상적으로 사용되는 정공 수송 분자에는, 비제한적으로, 하기가 포함된다: 4,4',4"-트리스(N,N-다이페닐-아미노)-트라이페닐아민 (TDATA); 4,4',4"-트리스(N-3-메틸페닐-N-페닐-아미노)-트라이페닐아민 (MTDATA); N,N'-다이페닐-N,N'-비스(3-메틸페닐)-[1,1'-바이페닐]-4,4'-다이아민(TPD); 1,1-비스[(다이-4-톨릴아미노) 페닐]사이클로헥산(TAPC); N,N'-비스(4-메틸페닐)-N,N'-비스(4-에틸페닐)-[1,1'-(3,3'-다이메틸)바이페닐]-4,4'-다이아민(ETPD); 테트라키스-(3-메틸페닐)-N,N,N',N'-2,5-페닐렌다이아민(PDA); α-페닐-4-N,N-다이페닐아미노스티렌(TPS); p-(다이에틸아미노)벤즈알데히드 다이페닐하이드라존(DEH); 트라이페닐아민(TPA); 비스[4-(N,N-다이에틸아미노)-2-메틸페닐](4-메틸페닐)메탄(MPMP); 1-페닐-3-[p-(다이에틸아미노)스티릴]-5-[p-(다이에틸아미노)페닐] 피라졸린(PPR 또는 DEASP); 1,2-트란스-비스(9H-카바졸-9-일)사이클로부탄(DCZB); N,N,N',N'-테트라키스(4-메틸페닐)-(1,1'-바이페닐)-4,4'-다이아민(TTB); N,N'-비스(나프탈렌-1-일)-N,N'-비스-(페닐)벤지딘(α-NPB); 및 포피린성 화합물, 예를 들어 구리 프탈로시아닌. 통상 사용되는 정공 수송 중합체는 폴리(9,9,-다이옥틸-플루오렌-코-N-(4-부틸페닐)다이페닐아민) 등, 폴리비닐카르바졸, (페닐메틸)폴리실란, 폴리(다이옥시티오펜), 폴리아닐린, 및 폴리피롤을 포함하며 이로 한정되지 않는다. 상기 언급한 것들과 같은 정공 수송 분자를 폴리스티렌 및 폴리카보네이트와 같은 중합체 내로 도핑함으로써 정공 수송 중합체를 수득할 수도 있다.
광활성층(130)은 전형적으로 소분자 유기 형광 화합물, 형광 및 인광 금속 착물, 공액 중합체(conjugated polymer), 및 그 혼합물을 포함하며 이로 한정되지 않는 임의의 유기 전계발광("EL") 물질일 수 있다. 형광 화합물의 예는 피렌, 페릴렌, 루브렌, 쿠마린, 그의 유도체 및 그의 혼합물을 포함하나 이에 한정되지 않는다. 금속 착물의 예는 금속 킬레이트화 옥시노이드 화합물, 예를 들어 트리스(8-하이드록시퀴놀라토)알루미늄(Alq3); 고리금속(cyclometalated) 이리듐 및 백금 전계발광 화합물, 예를 들어, 페트로브(Petrov) 등의 미국 특허 제6,670,645호 및 국제 특허 공개 WO 03/063555호 및 WO 2004/016710호에 개시된 바와 같은 이리듐과 페닐피리딘, 페닐퀴놀린, 또는 페닐피리미딘 리간드의 착물, 및 예를 들어, 국제 특허 공개 WO 03/008424호, WO 03/091688호, 및 WO 03/040257호에 개시된 유기금속 착물, 및 그 혼합물을 포함하지만 이로 한정되지 않는다. 전하 운반 호스트 물질 및 금속 착물을 포함하는 전계발광 방사성층은 미국 특허 제6,303,238호에서 톰슨(Thompson) 등에 의해 그리고 국제 특허 공개 WO 00/70655호 및 WO 01/41512호에서 버로우즈(Burrows) 및 톰슨에 의해 설명되어 있다. 공액 중합체의 예에는 폴리(페닐렌비닐렌), 폴리플루오렌, 폴리(스피로바이플루오렌), 폴리티오펜, 폴리(p-페닐렌), 이들의 공중합체, 및 이들의 혼합물이 포함되지만 이로 한정되지 않는다.
선택된 구체적인 물질은 구체적 응용, 작동 동안 사용되는 전위, 또는 기타 인자에 의존할 수 있다. 전계발광 유기 물질을 포함하는 EL 층(130)은 액체상 가공을 비롯한 임의의 많은 기술을 이용하여 적용될 수 있다. 다른 실시 형태에서, EL 중합체 전구체가 적용되고 그 다음 전형적으로 열 또는 외부 에너지(예를 들어, 가시광 또는 UV 방사선)의 다른 공급원에 의해 중합체로 전환될 수 있다.
선택층(140)은 전자 주입/수송 양자 모두를 용이하게 하는 기능을 할 수 있으며, 또한 층 계면에서 소광 반응(quenching reaction)을 방지하는 구속층(confinement layer)으로서 작용할 수 있다. 더욱 구체적으로, 층 (140)은 전자 이동성을 촉진하고, 그것이 없이 층 (130) 및 (150)이 직접 접촉할 경우의 소광 반응의 가능성을 감소시킬 수 있다. 선택층(140)을 위한 재료의 예에는 금속 킬레이트 옥시노이드 화합물, 예를 들어 트리스(8-하이드록시퀴놀라토)알루미늄(Alq3), 비스(2-메틸-8-퀴놀리노라토)(파라-페닐-페놀라토)알루미늄(III)(BAlQ), 및 테트라키스-(8-하이드록시퀴놀리나토)지르코늄(IV)(ZrQ); 및 아졸 화합물, 예를 들어 2-(4-바이페닐일)-5-(4-t-부틸페닐)-1,3,4-옥사다이아졸(PBD), 3-(4-바이페닐일)-4-페닐-5-(4-t-부틸페닐)-1,2,4-트라이아졸(TAZ), 및 1,3,5-트라이(페닐-2-벤즈이미다졸)벤젠(TPBI); 퀴녹살린 유도체, 예를 들어 2,3-비스(4-플루오로페닐)퀴녹살린; 페난트롤린, 예컨대 4,7-다이페닐-1,10-페난트롤린 (DPA) 및 2,9-다이메틸-4,7-다이페닐-1,10-페난트롤린 (DDPA) 을 비롯한 금속 킬레이트된 옥시노이드 화합물 및 그 혼합물이 포함된다. 대안적으로, 선택층(140)은 무기일 수 있으며, BaO, LiF 또는 Li2O 등을 포함할 수 있다.
캐소드층 (150)은 전자 또는 음성 전하 담체의 주입에 특히 효율적인 전극이다. 캐소드층 (150)은 제1 전기접촉층(이 경우에는 애노드층 (110)) 보다 낮은 일함수(work function)를 가진 임의의 금속 또는 비금속일 수 있다. 본 명세서에서 사용되는 용어 "더 낮은 일함수"는 약 4.4 eV 이하의 일함수를 가진 재료를 의미하고자 한다. 본 명세서에서 사용되는 "더 높은 일함수"는 적어도 대략 4.4 eV의 일함수를 가진 재료를 의미하고자 한다.
캐소드층을 위한 재료는 1족의 알칼리 금속(예를 들어, Li, Na, K, Rb, Cs), 2족 금속(예를 들어, Mg, Ca, Ba 등), 12족 금속, 란탄족(예를 들어, Ce, Sm, Eu 등) 및 악티늄족(예를 들어, Th, U 등)으로부터 선택될 수 있다. 알루미늄, 인듐, 이트륨 및 그의 조합과 같은 재료 또한 사용될 수 있다. 캐소드층 (150)을 위한 재료의 구체적인 비한정적 예는 바륨, 리튬, 세륨, 세슘, 유로퓸, 루비듐, 이트륨, 마그네슘, 사마륨 및 그의 합금 및 조합을 포함하나 이에 한정되지 않는다.
다른 실시 형태에서, 추가 층(들)이 유기 전자 소자 내에 존재할 수 있다. 예를 들어, 완충층(120)과 EL층(130) 사이의 층(도시되지 않음)은 양전하 수송, 층들의 밴드 갭 매칭, 보호층으로서의 기능 등을 촉진할 수 있다. 유사하게, EL층(130)과 캐소드층(150) 사이의 추가 층(도시되지 않음)은 음전하 수송, 층들 사이의 밴드 갭 매칭, 보호층으로서의 기능 등을 촉진할 수 있다. 당업계에 알려진 층이 사용될 수 있다. 또한, 상기 설명된 층들 중 임의의 것은 둘 이상의 층으로 제조될 수 있다. 대안적으로, 무기 애노드층(110), 완충층(120), EL층(130), 및 캐소드층(150)의 일부 또는 전부는 표면 처리되어 전하 캐리어 수송 효율을 증가시킬 수 있다. 성분 층의 각각을 위한 물질의 선택은 높은 소자 효율을 가진 소자를 제공하는 목표를 제조 비용, 제조 복잡성, 또는 잠재적인 기타 인자와 균형을 맞춤으로써 결정될 수 있다.
상이한 층들은 임의의 적합한 두께를 가질 수 있다. 일 실시 형태에서, 무기 애노드층(110)은 통상적으로 대략 500 nm 이하, 예를 들어 대략 10 내지 200 nm이며; 완충층(120)은 통상적으로 대략 250 nm 이하, 예를 들어 대략 50 내지 200 nm이며; EL층(130)은 통상적으로 대략 100 nm 이하, 예를 들어 대략 50 내지 80 nm이며; 선택층(140)은 통상적으로 대략 100 nm 이하, 예를 들어 대략 20 내지 80 nm 이며; 그리고 캐소드층(150)은 통상적으로 대략 100 nm 이하이며, 예를 들어 대략 1 내지 50 nm이다. 애노드층(110) 또는 캐소드층(150)이 적어도 약간의 광을 투과시킬 필요가 있다면, 그러한 층의 두께는 대략 100 nm를 초과하지 않을 수 있다.
유기 발광 다이오드(OLED)에서, 각각 캐소드(150)와 애노드(110)로부터 EL층(130) 내로 주입된 전자와 정공이 중합체에서 음전하 극성 이온 및 양 전하 극성 이온을 형성한다. 이들 극성 이온은 인가된 전기장의 영향 하에서 이동하여, 반대 전하 종과 극성 이온 여기자를 형성하고 이어서 방사선 재조합을 거친다. 애노드와 캐소드 사이의 충분한 전위차, 통상적으로 대략 12 볼트 미만, 그리고 많은 경우에는 대략 5 볼트 이하가 소자에 인가될 수 있다. 실제 전위차는 더 큰 전자 요소 내의 소자의 용도에 의존할 수 있다. 많은 실시 형태에서, 애노드층(110)은 양 전압으로 바이어스되고 캐소드층(150)은 전자 소자의 작동 동안 실질적으로 접지 전위 또는 0 볼트이다. 배터리 또는 다른 전원(들)이 회로의 일부로서 전자 소자에 전기적으로 연결될 수 있으나 도 1에 도시되지는 않는다.
도 2는 일련의 노즐(200)의 일 실시 형태를 도시한다. 입구(202)는 적어도 3개의 노즐(206a, 206b, 206c)을 가진 노즐 구조물(204) 내로 인쇄 물질(도시되지 않음)을 지향시킨다. 노즐 구조물(204)은 6, 9, 12개 또는 임의의 일련의 원하는 노즐을 포함할 수 있다. 흡수재(208)는 과잉의 인쇄 물질(도시되지 않음)을 흡수하기 위하여 각 노즐(206)에 인접하게 위치된다. 흡수재(208)는 세라믹, 금속, 플라스틱 또는 천연 생성물 기반의 다공성 매질을 비롯한 임의의 수의 흡수재를 포함할 수 있다. 다공성 매질은 5 내지 500 ㎛의 기공 크기를 포함한다. 일 실시 형태에서 다공성 매질은 스테인레스강 또는 다공성 플라스틱일 수 있다. 흡수재(208)는 제1 인쇄 통과 후 그리고 제2 인쇄 통과 시작 전에 노즐(206)로부터의 유출물을 흡수할 수 있는 이동가능한 아암(210)에 위치될 수 있다.
도 3은 기재(302)에 인접하게 위치된 흡수재(208)를 가진 구조물(300)의 일 실시 형태를 도시한다. 노즐 구조물(204)(도 3에 도시되지 않음)은 제1 방향(304)으로 인쇄 통과를 이루고, 방향을 역전시키고, 제2 방향(306)으로 제2 인쇄 통과를 이룰 수 있다. 인쇄 물질의 기둥은 노즐(206)로부터 기재(302)까지의 갭을 방향 역전 동안 일정하게 유지함으로써 유지된다. 흡수재(208)는 추가의 표면 영역을 노출시키기 위하여 회전 장치(210)에 의해 구동될 수 있다. 일 실시 형태에서 진공원(308)은 이전에 흡수된 물질을 제거함으로써 인쇄 물질(208)을 재생하기 위해 사용될 수 있다.
상기 실시 형태에서 인쇄 물질은 완충층, 전하 차단층, 전하 주입층, 전하 수송층, 전계발광층 또는 그 조합일 수 있다. 인쇄 물질은 액체와 고체 물질을 포함하여 용액, 현탁액, 분산물, 에멀젼, 콜로이드 혼합물, 또는 다른 조성물을 생성한다. 액체는 본 명세서에서 이후에 논의되는 바처럼 유기 용매 또는 물일 수 있다. 고체는 완충층(120), EL층(130) 또는 선택층(140)에 사용되는 물질 중 임의의 하나 이상이다.
추가 실시 형태에서, 액체 혼합물의 점도는 5 센티포즈 이하이다. 또 다른 실시 형태에서, 액체 혼합물은 액체 용매를 포함하며, 액체 용매는 둘 이상의 용매를 포함할 수 있다. 또 다른 실시 형태에서, 용매 중 적어도 하나는 물이다.
액체상 혼합물을 형성하기 위하여 임의의 수의 구성요소를 수용하기 위해 노즐 구조물(204)에 유체 결합된 용기와 공급 라인을 비롯하여, 추가 장비가 노즐 구조물(204) 내에 존재하거나 그와 함께 사용될 수 있다. 다른 장비는 임의의 하나 이상의 스텝퍼 모터(stepper motor), 펌프, 필터, 제어 전자장치, 다른 전기, 기계 또는 전기-기계 조립체 또는 서브조립체, 설비 연결부, 또는 임의의 그 조합을 포함할 수 있다.
3. 액체 조성물
일련의 노즐(200)은 액체 용액을 비롯한 여러 상이한 물질을 침착하기 위해 사용될 수 있다. 하기 문단에서는 사용될 수 있는 물질의 전부가 아니라 단지 일부만을 포함한다. 일 실시 형태에서, 전자 소자 내의 유기층을 위한 하나 이상의 물질은 일련의 노즐(200)을 이용하여 형성된다.
일련의 노즐(200)은 액체 조성물의 인쇄에 상당히 적합하다. 일련의 노즐(200)은 종래의 잉크젯 프린터에 비하여 더 넓은 범위의 작동 파라미터 및 액체 조성물이 사용되는 것을 허용한다. 일 실시 형태에서, 하나 이상의 파라미터는 액체 조성물의 유동 특성에 영향을 줄 수 있다. 점도는 유동 특성에 영향을 줄 수 있는 파라미터이다. 점도는 액체 매질의 선택, 액체 매질 내의 고형물 함량, 액체 조성물의 온도, 또는 잠재적으로 하나 이상의 다른 인자, 또는 그의 임의의 조합에 의해 영향을 받을 수 있다. 점도는 온도에 의해 직접(액체 매질의 점도는 온도 감소에 따라 증가하거나 온도 증가에 따라 감소함) 또는 액체 조성물 내의 액체 매질의 증발 속도를 변화시켜 간접적으로(즉, 낮거나 높은 비점을 가진 액체 매질을 이용하거나, 액체 조성물의 온도를 변화시키거나, 또는 그 조합으로) 영향을 받을 수 있다. 본 명세서를 읽은 후, 당업자는 그들이 액체 매질의 상당히 더 큰 선택, 사용되는 액체 조성물의 고형물 농도의 더 큰 범위, 또는 그 조합을 허용하기 위하여 많은 상이한 방식을 가짐을 이해할 것이다.
액체 혼합물은 용액, 분산물, 에멀젼, 또는 현탁액의 형태일 수 있다. 하기의 문단에서, 고체 물질과 액체 매질의 비제한적인 예가 주어진다. 고체 물질(들)은 이어서 형성되는 층을 위한 전자 또는 전자 방사 특성을 기초로 선택될 수 있다. 액체 매질은 본 명세서에서 나중에 설명되는 기준을 기초로 선택될 수 있다.
일련의 노즐(200)을 이용할 경우, 액체 조성물은 막힘을 걱정할 필요없이 대략 2.0 중량%보다 많은 고형물(들)을 가질 수 있다. 일 실시 형태에서, 고형물(들) 함량은 대략 2.0 내지 3.0 중량% 범위이다. 따라서, 일련의 노즐(200)은 종래의 잉크젯 프린터에 비하여 높은 점도 또는 낮은 비점을 갖는 액체 조성물을 사용할 수 있다. 또한, 일련의 노즐(200)은 종래의 잉크젯 프린터에 비하여 낮은 점도 또는 높은 비점을 갖는 액체 조성물을 사용할 수 있다. 부가적으로, 액체 조성물 내의 액체 매질은 인쇄 전에 탈기될 필요가 없다. 예를 들어, 수용액 내의 전도성 유기 물질을 분배하기 위해 사용된 종래의 잉크젯 프린터는 수용액의 탈기를 요구한다. 그러나, 일련의 노즐(200)은 더 많은 가공 마진(margin)을 허용하므로, 일련의 노즐(200)의 적절한 작업을 위해 액체 매질의 탈기가 요구되지 않는다.
일련의 노즐(200)을 이용하여 인쇄된 유기층은 유기 활성층, (예를 들어, 방사선 방출 유기 활성층 또는 방사선 응답성 유기 활성층), 필터층, 완충층, 전하 주입층, 전하 수송층, 전하 차단층, 또는 그의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 유기층은 저항기, 트랜지스터, 커패시터, 다이오드 등의 일부로서 사용될 수 있다.
방사선 방출 유기 활성층의 경우, 적합한 방사선 방출 물질은 하나 이상의 소분자 물질, 하나 이상의 중합체 물질, 또는 그 조합을 포함한다. 소분자 물질은, 예를 들어 미국 특허 제4,356,429호("탕(Tang)"); 미국 특허 제4,539,507호("반 스리케(Van Slyke)"); 미국 특허 출원 공개 제2002/0121638호("그루신(Grushin)"); 또는 미국 특허 제6,459,199호("키도(Kido)")에 설명된 것들 중 임의의 하나 이상을 포함할 수 있다 대안적으로, 중합체 물질은 미국 특허 제5,247,190호("프렌드(Friend)"); 미국 특허 제5,408,109호("히거(Heeger)"); 또는 미국 특허 제5,317,169호("나카노(Nakano)")에 설명된 것들 중 임의의 하나 이상을 포함할 수 있다. 예시적 물질은 반전도성 공액 중합체이다. 그러한 중합체의 예는 폴리(파라페닐렌비닐렌)(PPV), PPV 공중합체, 폴리플루오렌, 폴리페닐렌, 폴리아세틸렌, 폴리알킬티오펜, 폴리(n-비닐카르바졸)(PVK) 등을 포함한다. 구체적인 일 실시 형태에서, 임의의 게스트(guest) 물질이 없는 방사선 방출 활성층이 청색 광을 방출할 수 있다.
방사선 응답성 유기 활성층의 경우, 적합한 방사선 응답성 물질은 공액 중합체 또는 전계발광 물질을 포함할 수 있다. 그러한 물질은, 예를 들어 공액 중합체 또는 전계 및 광 발광 물질을 포함한다. 구체적인 예는 폴리(2-메톡시,5-(2-에틸-헥실옥시)-1,4-페닐렌 비닐렌)("MEH-PPV") 또는 CN-PPV를 가진 MEH-PPV 복합체를 포함한다.
정공 주입층, 정공 수송층, 전자 차단층, 또는 그 임의의 조합의 경우, 적합한 물질은 폴리아닐린("PANI"), 폴리(3,4-에틸렌다이옥시티오펜)("PEDOT"), 폴리피롤, 유기 전하 전달 화합물, 예를 들어 테트라티아풀발렌 테트라시아노퀴노다이메탄("TTF-TCQN"), 키도에 설명된 바와 같은 정공 수송 물질, 또는 그의 임의의 조합을 포함한다.
전자 주입층, 전자 수송층, 정공 차단층, 또는 그의 임의의 조합의 경우, 적합한 물질은 금속-킬레이트 옥시노이드 화합물(예를 들어, Alq3 또는 알루미늄(III)비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)4-페닐페놀레이트("BAlq")); 페난트롤린 기반 화합물(예를 들어, 2,9-다이메틸-4,7-다이페닐-1,10-페난트롤린("DDPA") 또는 9,10-다이페닐안트라센("DPA")); 아졸 화합물(예를 들어, 2-tert-부틸페닐-5-바이페닐-1,3,4-옥사다이아졸("PBD") 또는 3-(4-바이페닐)-4-페닐-5-(4-t-부틸페닐)-1,2,4-트라이아졸("TAZ"); 키도에 설명된 바와 같은 전자 수송 물질; 다이페닐안트라센 유도체; 다이나프틸안트라센 유도체; 4,4-비스(2,2-다이페닐-에텐-1-일)-바이페닐("DPVBI"); 9,10-다이-베타-나프틸안트라센; 9,10-다이-(나펜틸)안트라센; 9,10-다이-(2-나프틸)안트라센("ADN"); 4,4'-비스(카르바졸-9-일)바이페닐("CBP"); 9,10-비스-[4-(2,2-다이페닐비닐)-페닐]-안트라센("BDPVPA"); 안트라센, N-아릴벤즈이미다졸(예를 들어, "TPBI"); 1,4-비스[2-(9-에틸-3-카르바조일)비닐레닐]벤젠; 4,4'-비스[2-(9-에틸-3-카르바조일)비닐레닐]-1,1'-바이페닐; 9,10-비스[2,2-(9,9-플루오레닐렌)비닐레닐]안트라센; 1,4-비스[2,2-(9,9-플루오레닐렌)비닐레닐]벤젠; 4,4'-비스[2,2-(9,9-플루오레닐렌)비닐레닐]-1,1'-바이페닐; 페릴렌, 치환된 페릴렌; 테트라-tert-부틸페릴렌("TBPe"); 비스(3,5-다이플루오로-2-(2-피리딜)페닐-(2-카르복시피리딜) 이리듐 III("F(Ir)Pic"); 피렌, 치환된 피렌; 스티릴아민; 플루오르화된 페닐렌; 옥시다졸; 1,8-나프탈이미드; 폴리퀴놀린; PPV 내의 하나 이상의 탄소 나노튜브; 또는 그의 임의의 조합을 포함한다.
저항기, 트랜지스터, 커패시터 등과 같은 전자 구성요소의 경우, 유기층은 하나 이상의 티오펜(예를 들어, 폴리티오펜, 폴리(알킬티오펜), 알킬티오펜, 비스(다이티엔티오펜), 알킬안트라다이티오펜, 등), 폴리아세틸렌, 펜타센, 프탈로시아닌, 또는 그의 임의의 조합 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
유기 염료의 예는 4-다이시안메틸렌-2-메틸-6- (p-다이메틸아미노스티릴)-4H-피란(DCM), 쿠마린, 피렌, 페릴렌, 루브렌, 그 유도체, 또는 그의 임의의 조합을 포함한다.
유기금속 물질의 예는 적어도 하나의 금속에 배위된 하나 이상의 작용기를 포함하는 작용화된 중합체를 포함한다. 사용을 위해 고려되는 예시적인 작용기는 카르복실산, 카르복실산 염, 설폰산기, 설폰산 염, OH 부분을 가진 기, 아민, 이민, 다이이민, N-옥사이드, 포스핀, 포스핀 옥사이드, β-다이카르보닐기, 또는 그의 임의의 조합을 포함한다. 사용을 위해 고려되는 예시적인 금속은 란탄계 금속(예를 들어, Eu, Tb), 7족 금속(예를 들어, Re), 8족 금속(예를 들어, Ru, Os), 9족 금속(예를 들어, Rh, Ir), 10족 금속(예를 들어, Pd, Pt), 11족 금속(예를 들어, Au), 12족 금속(예를 들어, Zn), 13족 금속(예를 들어, Al), 또는 그의 임의의 조합을 포함한다. 그러한 유기금속 물질은 금속 킬레이트 옥시노이드 화합물, 예를 들어 트리스(8-하이드록시퀴놀라토)알루미늄(Alq3); 공개된 PCT 국제특허 출원 공개 WO 02/02714호에 개시된 바와 같은 페닐피리딘, 페닐퀴놀린, 또는 페닐피리미딘 리간드와 이리듐의 복합체와 같은 고리금속(cyclometalated) 이리듐 또는 백금 전계발광 화합물, 예를 들어 공개된 출원인 미국 특허 출원 공개 제2001/0019782호, 유럽 특허 출원 공개 제1191612호, 국제 특허 공개 WO 02/15645호 및 WO 02/31896호, 및 유럽 특허 출원 공개 EP 1191614호에 개시된 바와 같은 유기금속 복합체; 또는 그의 임의의 혼합물을 포함한다.
공액 중합체의 예는 폴리(페닐렌비닐렌), 폴리플루오렌, 폴리(스피로바이플루오렌), 그 공중합체, 또는 그의 임의의 조합을 포함한다.
액체 매질의 선택은 또한 액체 혼합물의 하나 이상의 적절한 특징을 이루는 데 있어서 중요한 인자일 수 있다. 액체 매질을 선택할 때 고려되는 인자는, 예를 들어 생성되는 용액, 에멀젼, 현탁액 또는 분산물의 점도, 중합체 물질의 분자량, 고형물 로딩, 액체 매질의 유형, 액체 매질의 비점, 하부 기재의 온도, 게스트 물질을 수용하는 유기층의 두께, 또는 그의 임의의 조합을 포함한다.
일부 실시 형태에서, 액체 매질은 적어도 하나의 용매를 포함한다. 예시적인 유기 용매는 할로겐화된 용매, 콜로이드-형성 중합체 산, 탄화수소 용매, 방향족 탄화수소 용매, 에테르 용매, 환형 에테르 용매, 알코올 용매, 글리콜 용매, 케톤 용매, 니트릴 용매, 설폭사이드 용매, 아미드 용매, 또는 그의 임의의 조합을 포함한다.
예시적인 할로겐화된 용매는 사염화탄소, 염화메틸렌, 클로로포름, 테트라클로로에틸렌, 클로로벤젠, 비스(2-클로로에틸)에테르, 클로로메틸 에틸 에테르, 클로로메틸 메틸 에테르, 2-클로로에틸 에틸 에테르, 2-클로로에틸 프로필 에테르, 2-클로로에틸 메틸 에테르, 또는 그의 임의의 조합을 포함한다.
예시적인 콜로이드 형성 중합체 산은 플루오르화된 설폰산(예를 들어, 퍼플루오르화된 에틸렌설폰산과 같은 플루오르화된 알킬설폰산), 또는 그의 임의의 조합을 포함한다.
예시적인 탄화수소 용매는 펜탄, 헥산, 사이클로헥산, 헵탄, 옥탄, 데카하이드로나프탈렌, 석유 에테르, 리그로인, 또는 그의 임의의 조합을 포함한다.
예시적인 방향족 탄화수소 용매는 벤젠, 나프탈렌, 톨루엔, 자일렌, 에틸 벤젠, 쿠멘 (아이소-프로필 벤젠) 메시틸렌 (트라이메틸 벤젠), 에틸 톨루엔, 부틸 벤젠, 시멘 (아이소-프로필 톨루엔), 다이에틸벤젠, 아이소-부틸 벤젠, 테트라메틸 벤젠, sec-부틸 벤젠, tert-부틸 벤젠, 아니솔, 4-메틸아니솔, 3,4-다이메틸아니솔, 또는 그의 임의의 조합을 포함한다.
예시적인 에테르 용매는 다이에틸 에테르, 에틸 프로필 에테르, 다이프로필 에테르, 다이아이소프로필 에테르, 다이부틸 에테르, 메틸 t-부틸 에테르, 글라임, 다이글라임, 벤질 메틸 에테르, 아이소크로만, 2-페닐에틸 메틸 에테르, n-부틸 에틸 에테르, 1,2-다이에톡시에탄, sec-부틸 에테르, 다이아이소부틸 에테르, 에틸 n-프로필 에테르, 에틸 아이소프로필 에테르, n-헥실 메틸 에테르, n-부틸 메틸 에테르, 메틸 n-프로필 에테르, 또는 그의 임의의 조합을 포함한다.
예시적인 환형 에테르 용매는 테트라하이드로푸란, 다이옥산, 테트라하이드로피란, 4 메틸-1,3-다이옥산, 4-페닐-1,3-다이옥산, 1,3-다이옥솔란, 2-메틸-1,3-다이옥솔란, 1,4-다이옥산, 1,3-다이옥산, 2,5-다이메톡시테트라하이드로푸란, 2,5-다이메톡시-2,5-다이하이드로푸란, 또는 그의 임의의 조합을 포함한다.
예시적인 알코올 용매는 메탄올, 에탄올, 1-프로판올, 2-프로판올, 1-부탄올, 2-부탄올, 2-메틸-1-프로판올(즉, 아이소-부탄올), 2-메틸-2-프로판올(즉, tert-부탄올), 1-펜탄올, 2-펜탄올, 3-펜탄올, 2,2-다이메틸-1-프로판올, 1-헥산올, 사이클로펜탄올, 3-메틸-1-부탄올, 3-메틸-2-부탄올, 2-메틸-1-부탄올, 2,2-다이메틸-1-프로판올, 3-헥산올, 2-헥산올, 4-메틸-2-펜탄올, 2-메틸-1-펜탄올, 2-에틸부탄올, 2,4-다이메틸-3-펜탄올, 3-헵탄올, 4-헵탄올, 2-헵탄올, 1-헵탄올, 2-에틸-1-헥산올, 2,6-다이메틸-4-헵탄올, 2-메틸사이클로헥산올, 3-메틸사이클로헥산올, 4-메틸사이클로헥산올, 또는 그의 임의의 조합을 포함한다.
알코올 에테르 용매가 또한 사용될 수 있다. 예시적인 알코올 에테르 용매는 1-메톡시-2-프로판올, 2-메톡시에탄올, 2-에톡시에탄올, 1-메톡시-2-부탄올, 에틸렌 글리콜 모노아이소프로필 에테르, 1-에톡시-2-프로판올, 3-메톡시-1-부탄올, 에틸렌 글리콜 모노아이소부틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노-n-부틸 에테르, 3-메톡시-3-메틸부탄올, 에틸렌 글리콜 모노-tert-부틸 에테르, 또는 그의 임의의 조합을 포함한다.
예시적인 글리콜 용매는 에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르(PGME), 다이프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르(DPGME), 또는 임의의 그 조합을 포함한다.
예시적인 케톤 용매는 아세톤, 메틸에틸 케톤, 메틸 아이소-부틸 케톤, 사이클로헥산온, 아이소프로필 메틸 케톤, 2-펜탄온, 3-펜탄온, 3-헥산온, 다이아이소프로필 케톤, 2-헥산온, 사이클로펜탄온, 4-헵탄온, 아이소-아밀 메틸 케톤, 3-헵탄온, 2-헵탄온, 4-메톡시-4-메틸-2-펜탄온, 5-메틸-3-헵탄온, 2-메틸사이클로헥산온, 다이아이소부틸 케톤, 5-메틸-2-옥탄온, 3-메틸사이클로헥산온, 2-사이클로헥센-1-온, 4-메틸사이클로헥산온, 사이클로헵탄온, 4-tert-부틸사이클로헥산온, 아이소포론, 벤질 아세톤, 또는 그의 임의의 조합을 포함한다.
예시적인 니트릴 용매는 아세토니트릴, 아크릴로니트릴, 트라이클로로아세토니트릴, 프로피오니트릴, 피발로니트릴, 아이소부티로니트릴, n-부티로니트릴, 메톡시아세토니트릴, 2-메틸부티로니트릴, 아이소발레로니트릴, N-발레로니트릴, n-카프로니트릴, 3-메톡시프로피오니트릴, 3-에톡시프로피오니트릴, 3,3'-옥시다이프로피오니트릴, n-헵탄니트릴, 글리콜로니트릴, 벤조니트릴, 에틸렌 시아노하이드린, 석시노니트릴, 아세톤 시아노하이드린, 3-n-부톡시프로피오니트릴, 또는 그의 임의의 조합을 포함한다.
예시적인 설폭사이드 용매는 다이메틸 설폭사이드, 다이-n-부틸 설폭사이드, 테트라메틸렌 설폭사이드, 메틸 페닐 설폭사이드, 또는 그의 임의의 조합을 포함한다.
예시적인 아미드 용매는 다이메틸 포름아미드, 다이메틸 아세트아미드, 아실아미드, 2-아세트아미도에탄올, N,N-다이메틸-m-톨루아미드, 트라이플루오로아세트아미드, N,N-다이메틸아세트아미드, N,N-다이에틸도데칸아미드, 입실론-카프로락탐, N,N-다이에틸아세트아미드, N-tert-부틸포름아미드, 포름아미드, 피발아미드, N-부티르아미드, N,N-다이메틸아세토아세트아미드, N-메틸 포름아미드, N,N-다이에틸포름아미드, N-포르밀에틸아민, 아세트아미드, N,N-다이아이소프로필포름아미드, 1-포르밀피페리딘, N-메틸포름아니리드, 또는 그의 임의의 조합을 포함한다.
고려되는 크라운 에테르는 본 발명에 따라 처리되는 조합의 일부로서 에폭시 화합물 출발 물질의 염화물 함량의 감소를 돕기 위해 작용할 수 있는 임의의 하나 이상의 크라운 에테르를 포함한다. 예시적인 크라운 에테르는 벤조-15-크라운-5; 벤조-18-크라운-6; 12-크라운-4; 15-크라운-5; 18-크라운-6; 사이클로헥사노-15-크라운-5; 4',4" (5")-다이tert-부틸다이벤조-18-크라운-6; 4',4" (5")-다이tert-부틸다이사이클로헥사노-18-크라운-6; 다이사이클로헥사노-18-크라운-6; 다이사이클로헥사노-24-크라운-8; 4'-아미노벤조-15-크라운-5; 4'-아미노벤조-18-크라운-6; 2-(아미노메틸)-15-크라운-5; 2-(아미노메틸)-18-크라운-6; 4'-아미노-5'-니트로벤조-15-크라운-5; 1-아자-12-크라운-4; 1-아자-15-크라운-5; 1-아자-18-크라운-6; 벤조-12-크라운-4; 벤조-15-크라운-5; 벤조-18-크라운-6; 비스((벤조-15-크라운-5)-15-일메틸)피멜레이트; 4-브로모벤조-18-크라운-6; (+)-(18-크라운-6)-2,3,11,12-테트라-카르복실산; 다이벤조-18-크라운-6; 다이벤조-24-크라운-8; 다이벤조-30-크라운-10; ar-ar'-다이-tert-부틸다이벤조-18-크라운-6; 4'-포르밀벤조-15-크라운-5; 2-(하이드록시메틸)-12-크라운-4; 2-(하이드록시메틸)-15-크라운-5; 2-(하이드록시메틸)-18-크라운-6; 4'-니트로벤조-15-크라운-5; 폴리-[(다이벤조-18-크라운-6)-코-포름알데하이드]; 1,1-다이메틸실라-11-크라운-4; 1,1-다이메틸실라-14-크라운-5; 1,1-다이메틸실라-17-크라운-5; 사이클람; 1,4,10,13-테트라티아-7,16-다이아자사이클로옥타데칸; 포르핀; 또는 그의 임의의 조합을 포함한다.
다른 실시 형태에서, 액체 매질은 물을 포함한다. 수불용성 콜로이드 형성 중합체 산과 복합된 전도성 중합체는 기재 위에 침착되어 전자 수송층으로 사용될 수 있다.
많은 상이한 부류의 액체 매질(예를 들어, 할로겐화된 용매, 탄화수소 용매, 방향족 탄화수소 용매, 물 등)이 상기에 설명되어 있다. 상이한 부류로부터의 액체 매질 중 하나 초과의 혼합물이 또한 사용될 수 있다.
액체 혼합물은 또한 결합제 물질, 충전제 물질, 또는 그 조합과 같은 불활성 물질을 포함할 수 있다. 액체 혼합물과 관련하여, 불활성 물질은 액체 혼합물의 적어도 일부에 의해 형성되거나 적어도 일부를 수용하는 층의 전자, 방사선 방출, 또는 방사선 응답 특성에 상당히 영향을 주지 않는다.
명확함을 위해 별개의 실시 형태들과 관련하여 상기된 본 발명의 소정 특징부가 조합되어 단일 실시 형태로 또한 제공될 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 역으로, 간결성을 위하여 단일 실시 형태의 맥락에서 설명되는 본 발명의 다양한 특징이 또한 별도로 또는 임의의 하위조합으로 제공될 수 있다. 아울러, 범위로 기재된 값의 참조는 그 범위 내의 각각의 모든 값을 포함한다.
Claims (15)
- 인쇄 물질의 연속 스트림을 기재 상에 분배할 수 있는 일련의 노즐;
인쇄 물질의 스플래터(splatter)를 감소시키기 위한 흡수재; 및
흡수재의 흡수 능력을 재생하기 위한 장치를 포함하는 장치. - 제1항에 있어서, 일련의 노즐은 적어도 3개의 노즐을 포함하는 장치.
- 제1항에 있어서, 일련의 노즐은 적어도 6개의 노즐을 포함하는 장치.
- 제1항에 있어서, 일련의 노즐은 적어도 9개의 노즐을 포함하는 장치.
- 제1항에 있어서, 일련의 노즐은 적어도 12개의 노즐을 포함하는 장치.
- 제1항에 있어서, 흡수재는 매끄러운 표면을 포함하는 장치.
- 제1항에 있어서, 흡수재는 불규칙적인 표면을 포함하는 장치.
- 제7항에 있어서, 흡수재는 스폰지, 천연 섬유 및 합성 섬유로 이루어진 군으로부터 선택되는 장치.
- 제1항에 있어서, 흡수 능력을 재생하기 위한 장치는 흡수재를 이동시키기 위한 회전 장치인 장치.
- 제9항에 있어서, 회전 장치는
흡수재를 통해 인쇄 물질을 끌어 당기기 위한 진공원을 추가로 포함하는 장치. - 일련의 노즐을 제공하는 단계;
흡수재를 제공하는 단계;
흡수재의 흡수 능력을 재생하기 위한 장치를 제공하는 단계;
기재 상에 인쇄 물질의 연속 스트림을 분배하는 단계; 및
인쇄 물질의 스플래터를 감소시키기 위해 과잉의 인쇄 물질을 흡수재 상으로 지향시키는 단계를 포함하는, 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항의 장치를 이용하는 액체상 코팅 방법. - 제11항에 있어서, 연속 스트림을 분배하는 단계는 제1 방향으로 수행되고, 그 후 과잉의 인쇄 물질을 흡수재 상으로 지향시키는 단계가 수행되고, 이어서 제2 방향으로 인쇄하는 단계가 수행되는 방법.
- 제12항에 있어서, 제1 방향은 제2 방향의 반대인 방법.
- 제12항에 있어서, 흡수 능력을 재생하기 위한 장치는 흡수재를 이동시키기 위한 회전 장치인 방법.
- 제12항에 있어서, 흡수 능력을 재생하기 위한 장치는 흡수재를 통해 인쇄 물질을 끌어 당기기 위한 진공원인 방법.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US14094408P | 2008-12-27 | 2008-12-27 | |
US61/140,944 | 2008-12-27 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20110103444A true KR20110103444A (ko) | 2011-09-20 |
Family
ID=42288444
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020117017538A KR20110103444A (ko) | 2008-12-27 | 2009-12-28 | 연속 인쇄를 위한 스플래터 방지용 장치 및 방법 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8702202B2 (ko) |
EP (1) | EP2374174A4 (ko) |
JP (1) | JP5580335B2 (ko) |
KR (1) | KR20110103444A (ko) |
CN (1) | CN102265425B (ko) |
TW (1) | TW201040030A (ko) |
WO (1) | WO2010075589A2 (ko) |
Family Cites Families (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP4154140B2 (ja) | 2000-09-26 | 2008-09-24 | キヤノン株式会社 | 金属配位化合物 |
JP4154139B2 (ja) | 2000-09-26 | 2008-09-24 | キヤノン株式会社 | 発光素子 |
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-
2009
- 2009-12-28 CN CN200980152918.5A patent/CN102265425B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2009-12-28 JP JP2011543702A patent/JP5580335B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-12-28 WO PCT/US2009/069568 patent/WO2010075589A2/en active Application Filing
- 2009-12-28 US US12/647,818 patent/US8702202B2/en active Active
- 2009-12-28 EP EP09835893A patent/EP2374174A4/en not_active Withdrawn
- 2009-12-28 KR KR1020117017538A patent/KR20110103444A/ko not_active Application Discontinuation
- 2009-12-28 TW TW098145331A patent/TW201040030A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201040030A (en) | 2010-11-16 |
US8702202B2 (en) | 2014-04-22 |
EP2374174A2 (en) | 2011-10-12 |
WO2010075589A2 (en) | 2010-07-01 |
JP2012514300A (ja) | 2012-06-21 |
WO2010075589A3 (en) | 2010-09-23 |
JP5580335B2 (ja) | 2014-08-27 |
CN102265425B (zh) | 2015-07-29 |
CN102265425A (zh) | 2011-11-30 |
EP2374174A4 (en) | 2012-09-05 |
US20100188459A1 (en) | 2010-07-29 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E601 | Decision to refuse application |