KR20110090308A - 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법 - Google Patents
유기 발광 표시장치 및 그 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20110090308A KR20110090308A KR1020100010012A KR20100010012A KR20110090308A KR 20110090308 A KR20110090308 A KR 20110090308A KR 1020100010012 A KR1020100010012 A KR 1020100010012A KR 20100010012 A KR20100010012 A KR 20100010012A KR 20110090308 A KR20110090308 A KR 20110090308A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- electrode
- source
- conductive layer
- forming
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 57
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 138
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 21
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 33
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 13
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 12
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 10
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 18
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 acryl Chemical group 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
- H01L29/4908—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET for thin film semiconductor, e.g. gate of TFT
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1216—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/621—Providing a shape to conductive layers, e.g. patterning or selective deposition
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Geometry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
본 발명은 공정을 단순화할 수 있고, 신뢰성을 확보할 수 있으며, 식각 공정을 용이하게 실시할 수 있는 유기 발광 표시장치 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
유기 발광 표시장치는 기판, 상기 기판 상의 박막 트랜지스터 영역에 형성되는 반도체층, 상기 반도체층을 포함하는 상기 기판의 전면에 걸쳐 형성되는 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막 상의 상기 기판의 화소 영역에 형성되는 하부 전극, 상기 게이트 절연막 상에 상기 반도체층과 대응되어 형성되는 게이트 전극, 상기 하부 전극 및 상기 게이트 전극을 포함하는 상기 게이트 절연막의 전면에 형성되며, 상기 하부 전극의 일부를 노출시키는 층간 절연막 및 상기 층간 절연막 상에 형성되며, 상기 반도체층과 접속되는 소스/드레인 전극을 포함하고, 상기 하부 전극 및 상기 게이트 전극은 제1 도전층 및 제2 도전층으로 형성되며, 상기 제2 도전층과 상기 소스/드레인 전극은 동일한 물질로 형성되는 단일막인 것을 특징으로 한다.
유기 발광 표시장치는 기판, 상기 기판 상의 박막 트랜지스터 영역에 형성되는 반도체층, 상기 반도체층을 포함하는 상기 기판의 전면에 걸쳐 형성되는 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막 상의 상기 기판의 화소 영역에 형성되는 하부 전극, 상기 게이트 절연막 상에 상기 반도체층과 대응되어 형성되는 게이트 전극, 상기 하부 전극 및 상기 게이트 전극을 포함하는 상기 게이트 절연막의 전면에 형성되며, 상기 하부 전극의 일부를 노출시키는 층간 절연막 및 상기 층간 절연막 상에 형성되며, 상기 반도체층과 접속되는 소스/드레인 전극을 포함하고, 상기 하부 전극 및 상기 게이트 전극은 제1 도전층 및 제2 도전층으로 형성되며, 상기 제2 도전층과 상기 소스/드레인 전극은 동일한 물질로 형성되는 단일막인 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 공정을 단순화할 수 있고, 신뢰성을 확보할 수 있으며, 식각 공정을 용이하게 실시할 수 있는 유기 발광 표시장치 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
평판 표시 장치 중 하나인 유기 발광 표시장치는 전자(electron) 주입 전극(cathode)과 정공(hole) 주입 전극(anode)으로부터 각각 전자(electron)와 정공(hole)을 유기 발광층 내부로 주입시켜, 주입된 전자(electron)와 정공(hole)이 결합한 여기자가 여기 상태로부터 기저 상태로 떨어질 때 발광하는 자발광 표시장치이다.
일반적으로, 유기 발광 표시장치는 대면하는 기판 사이에 형성되며, 제1 전극, 제2 전극 및 제1 전극과 제2 전극 사이에 위치하는 유기 발광층을 포함하는 유기 발광 소자를 포함한다.
또한, 유기 발광 표시장치는 유기 발광 소자의 발광을 제어하기 위한 박막 트랜지스터를 구비하는 능동형으로 형성될 수 있으며, 이때, 박막 트랜지스터를 형성하기 위한 다수의 전극이 필요하며, 이러한 전극은 증착 공정, 포토리소그래피 공정 및 식각 공정 등의 과정을 거쳐 패턴되어 형성된다.
따라서, 패턴된 전극을 형성하기 위해서는 다수의 공정이 추가되어야 하며, 이러한 공정 추가는 제품을 생산하는 시간을 지연시키며, 공정 진행 중의 오류 발생 확률을 증가시킨다.
이러한 문제를 해결하기 위하여, 최근에는 마스크를 사용하는 횟수를 줄이는 방법이 모색중이며, 그 일환으로 게이트 전극과 소스/드레인 전극을 동시에 식각하기 위한 다양한 방법이 연구되고 있다.
일반적으로, 게이트 전극과 소스/드레인 전극을 단일 물질을 사용하는 경우, 게이트 전극과 소스/드레인 전극을 각각 Mo/Al/Mo의 구조로 형성하는데, 이의 구조에서는 패드부에서의 Mo가 부식되어 신뢰성이 떨어지는 문제가 있다.
게이트 전극을 Mo/Al/Mo의 구조로 형성하고, 소스/드레인 전극을 Ti/Al/Ti의 구조로 형성하면, 신뢰성은 확보할 수 있지만, 재료가 서로 다르므로 부식액의 개발이 어렵다. 또한, 게이트 전극과 소스/드레인 전극의 식각을 별로로 진행하는 경우, 게이트 전극을 식각하기 위한 부식액에 의해 소스/드레인의 Al이 식각되는 문제가 발생한다.
또한, 게이트 전극과 소스/드레인 전극을 동일하게 Ti/Al/Ti의 구조로 형성하면, 패드부에서의 신뢰성을 확보할 수 있고, 일괄 식각이 가능하나, 소스/드레인 전극 성막 전의 콘택 홀 세정 시 게이트 전극의 상부 Ti가 HF에 의해 영향을 받는 문제가 있다.
따라서, 신뢰성을 확보할 수 있으며, 게이트 전극과 소스/드레인 전극을 동시에 식각할 수 있는 방법이 필요한 실정이다.
본 발명의 실시 예들은 공정을 단순화할 수 있고, 신뢰성을 확보할 수 있으며, 식각 공정을 용이하게 실시할 수 있는 유기 발광 표시장치를 제공한다.
또한, 본 발명의 실시 예들은 상기 유기 발광 표시장치의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 유기 발광 표시장치가 제공된다. 유기 발광 표시장치는 기판, 상기 기판 상의 박막 트랜지스터 영역에 형성되는 반도체층, 상기 반도체층을 포함하는 상기 기판의 전면에 걸쳐 형성되는 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막 상의 상기 기판의 화소 영역에 형성되는 하부 전극, 상기 게이트 절연막 상에 상기 반도체층과 대응되어 형성되는 게이트 전극, 상기 하부 전극 및 상기 게이트 전극을 포함하는 상기 게이트 절연막의 전면에 형성되며, 상기 하부 전극의 일부를 노출시키는 층간 절연막 및 상기 층간 절연막 상에 형성되며, 상기 반도체층과 접속되는 소스/드레인 전극을 포함하고, 상기 하부 전극 및 상기 게이트 전극은 제1 도전층 및 제2 도전층으로 형성되며, 상기 제2 도전층과 상기 소스/드레인 전극은 동일한 물질로 형성되는 단일막인 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 실시예들에 따르면, 유기 발광 표시장치의 제조방법이 제공된다. 유기 발광 표시장치의 제조방법은 기판 상의 박막 트랜지스터 영역에 반도체층을 형성하는 단계, 상기 반도체층을 포함하는 상기 기판의 전면에 걸쳐 게이트 절연막을 형성하는 단계, 상기 게이트 절연막 상의 상기 기판의 화소 영역에 하부 전극을 형성하고, 상기 기판의 상기 박막 트랜지스터 영역에 게이트 전극을 형성하는 단계, 상기 하부 전극 및 상기 게이트 전극을 포함하는 상기 게이트 절연막의 전면에 층간 절연막을 형성하고, 상기 하부 전극의 일부를 노출시키는 제1 및 제2 콘택 홀과 상기 반도체층의 소스/드레인 영역을 노출시키는 제3 및 제4 콘택 홀 형성하는 단계 및 상기 층간 절연막 상에 소스/드레인 전극층을 형성하고, 마스크 공정을 통하여 소스/드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 하부 전극 및 상기 게이트 전극은 제1 도전층 및 제2 도전층으로 형성되며, 상기 제2 도전층과 상기 소스/드레인 전극은 동일한 물질로 형성되는 단일막인 것을 특징으로 한다.
상기 제2 도전층 및 상기 소스/드레인 전극은 Co, Ge 및 La를 첨가한 Al 합금으로 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 Co는 0.2 ~ 1.0at%로 첨가되고, 상기 Ge는 0.5 ~ 1.0at%로 첨가되며, 상기 La는 0.1 ~ 0.5at%로 첨가되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시 예들에 따르면, 하나의 마스크를 거쳐 제2 도전층 및 소스/드레인 전극을 식각할 수 있으므로, 마스크 공정을 줄일 수 있다.
또한, 제2 도전층 및 소스/드레인 전극으로 알루미늄 합금 단일막을 사용하기 때문에 식각액을 개발하는 것이 용이하며, 종래의 식각액을 공용하여 사용할 수 있다.
또한, 소스/드레인 전극과 소스/드레인 영역의 접촉 부위에서 발생하는 접합 스파이크 현상을 방지할 수 있다.
또한, 열처리 공정에서의 알루미늄의 힐록(hillock) 현상을 방지할 수 있으며, 콘택 홀의 세정액에 의해 제2 도전층이 영향을 받지 않는다.
도 1a 내지 1h는 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시장치의 제조공정을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 2는 소스/드레인 전극 및 화소 정의막을 형성한 이후의 단면을 SEM으로 촬영한 사진이다.
도 3은 소스/드레인 성막 공정 및 화소 정의막 형성 공정을 진행한 후의 평면을 현미경으로 촬영한 사진이다.
도 4는 힐록(hillock)의 발생 여부를 확인하기 위하여 캐소드 접촉 부위를 현미경으로 촬영한 사진이다.
도 5는 화소 영역의 콘택 홀을 BOE 세정 후의 단면을 SEM으로 촬영한 사진이다.
도 2는 소스/드레인 전극 및 화소 정의막을 형성한 이후의 단면을 SEM으로 촬영한 사진이다.
도 3은 소스/드레인 성막 공정 및 화소 정의막 형성 공정을 진행한 후의 평면을 현미경으로 촬영한 사진이다.
도 4는 힐록(hillock)의 발생 여부를 확인하기 위하여 캐소드 접촉 부위를 현미경으로 촬영한 사진이다.
도 5는 화소 영역의 콘택 홀을 BOE 세정 후의 단면을 SEM으로 촬영한 사진이다.
이하, 바람직한 실시 예를 도시한 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법을 설명한다.
도 1a 내지 1h는 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시장치의 제조공정을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 1a에 도시된 바와 같이, 기판(10) 상의 전면에 버퍼층(20)을 형성하고, 버퍼층(20) 상에 패터닝된 반도체층(30)을 제1 마스크 공정을 통하여 형성한다. 상기 기판(10)으로는 유리 기판뿐만 아니라 아크릴과 같은 다양한 플라스틱재 기판을 사용할 수도 있고, 금속재 기판을 사용할 수도 있다.
상기 버퍼층(20)은 반도체층(30)이 기판(10)에 의해 오염되는 것을 방지하며, 공정 환경 또는 당업자의 선택에 따라 버퍼층(20)은 형성되지 않을 수도 있다.
상기 반도체층(30)은 버퍼층(210) 상에 PECVD, LPCVD 등의 증착 방법을 통하여 비정질 실리콘층을 형성한 후, 상기 비정질 실리콘층을 ELA(Excimer Laser Annealing), SLS(Sequential Lateral Solidification), MIC(Metal Induced Crystallization) 또는 MILC(Metal Induced Lateral Crystallization)법을 사용하여 결정화하고, 식각 공정으로 패터닝하여 단위 화소 내의 박막 트랜지스터 영역(TFT 영역)에 형성된다.
상기 반도체층(30)은 소스/드레인 영역(31, 33) 및 소스/드레인 영역(31, 33)의 사이에 위치하는 채널 영역(35)을 포함하며, 소스/드레인 영역(31, 33)은 소정의 도전성을 가지는 불순물, 예를 들면 n형 또는 p형 불순물 중 하나를 이온 주입하여 형성되며, 채널 영역(35)은 박막 트랜지스터 구동 시 채널이 형성된다.
그리고 나서, 상기 반도체층(30)을 포함하는 기판(10) 전면에 걸쳐 게이트 절연막(40)을 형성한다. 상기 게이트 절연막(40)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 또는 그 적층 구조로 형성될 수 있다.
이후, 도 1b에 도시된 바와 같이, 화소 영역 및 TFT 영역에 제1 도전층(50) 및 상기 제1 도전층(50) 상에 형성되는 제2 도전층(60)을 형성한다.
제1 도전층(50) 및 제2 도전층(60)은 제1 도전층(50) 재료를 게이트 절연막(40) 상에 증착하고, 제2 도전층(60) 재료를 제1 도전층(50) 상에 증착한 후, 제2 마스크 공정을 거쳐 패터닝하여 형성된다.
이때, 화소 영역에 형성된 제1 및 제2 도전층(50, 60)의 적층막은 유기 발광 소자의 하부 전극(70)의 역할을 하며, TFT 영역에 형성된 제1 도전층(50) 및 제2 도전층(60)의 적층막은 박막 트랜지스터의 게이트 전극(80)으로서 역할하며, 제1 및 제2 도전층(50, 60)의 적층 두께는 2000~5000Å으로 형성될 수 있다.
제1 도전층(50)의 재료로는 유기 발광 소자 분야에서 하부 전극의 재료로 사용되는 것이면 무관하며, ITO(Induim Tin Oxide), IZO, In203 또는 Sn203와 같이 투명한 금속 재질이 이용될 수 있다.
제2 도전층(60)의 재료로는 알루미늄(Al)에 Co, Ge 및 La을 첨가한 알루미늄 합금이 사용되며, 이에 대해서는 후술한다.
이후, 도 1c 및 1d에 도시된 바와 같이, 하부 전극(70) 및 게이트 전극(80)을 포함하는 게이트 절연막의 전면에 층간 절연막(90)을 형성한 후, 제3 마스크 공정을 통하여, 하부 전극(70)의 제2 도전층(60)을 각각 노출시키는 제1 및 제2 콘택 홀들(90a, 90b) 및 반도체층(30)의 소스/드레인 영역(31, 33)을 각각 노출시키는 제3 및 제4 콘택 홀들(90c, 90d)을 형성한다.
이후, 도 1e 및 1f에 도시된 바와 같이, 전체 표면 상부에 소스/드레인 전극 재료를 증착하여 소스/드레인 전극층(100)을 형성하고, 제4 마스크 공정을 통하여, 소스/드레인 전극(101, 103)을 형성하며, 소스/드레인 전극층(100)의 재료로는 알루미늄(Al)에 Co, Ge 및 La을 첨가한 알루미늄 합금이 사용되며, 소스/드레인 전극(101, 103) 및 제2 도전층(60)은 동일한 재료로 형성된다. 이때, 소스/드레인 전극(101, 103)의 두께는 3000~6000Å으로 형성될 수 있다.
따라서, 소스/드레인 전극(101, 103)과 제2 도전층(60)이 동일한 재료로 형성되기 때문에, 소스/드레인 전극(101, 103)을 형성하는 과정에서, 화소 영역의 제1 콘택 홀(90a)에 의해 노출되는 제2 도전층(60)도 함께 식각할 수 있다.
이때, 제2 도전층(60)이 식각되므로, 제2 도전층(60)의 하부에 위치하는 제1 도전층(50)이 제1 콘택 홀(90a)을 통하여 노출된다.
이후, 도 1g에 도시된 바와 같이, 전체 표면 상부에 화소를 정의하기 위한 화소 정의막(110)을 적층하고, 제5 마스크 공정을 거쳐, 하부 전극(70)의 제1 도전층(50)을 노출시키는 개구부(110a)를 형성한다.
이후, 도 1h에 도시된 바와 같이, 개구부(110a) 상에 발광층을 포함하는 유기막(120)을 형성하며, 이후, 유기막을 포함하는 층간 절연막(110) 전면에 상부 전극(130)을 형성함으로써, 박막 트랜지스터에 의해 발광 여부가 제어되는 유기 발광 소자를 화소에 갖는 능동 구동형 유기 발광 표시장치를 제조한다.
본 발명의 실시 예에서와 같이, 제2 도전층(60)과 소스/드레인 전극(101, 103)의 재료로 알루미늄(Al)에 Co, Ge 및 La을 첨가한 알루미늄 합금으로 형성되는 단일막을 사용하면, 다음과 같은 효과가 있다.
우선, 상기와 같은 공정을 거쳐 유기 발광 표시장치를 제조하는 경우, 하나의 마스크 공정을 통하여, 화소 영역에서의 제2 도전층(60)과 소스/드레인 전극막(100)을 동시에 식각하여, 유기 발광 소자의 하부 전극(70)의 제1 도전층(50)을 노출시킬 수 있으므로, 마스크 공정을 줄일 수 있다.
또한, 이중막/삼중막의 경우 막들 사이의 식각 속도가 다르므로 식각액 개발이 쉽지 않으나, 알루미늄 합금 단일막의 경우 인산/질산/초산 베이스의 식각액에 쉽게 식각되기 때문에 식각액을 개발하는 것이 용이하다.
또한, 도 2는 소스/드레인 전극 및 화소 정의막을 형성한 이후의 단면을 SEM으로 촬영한 사진으로, 이때, 소스/드레인 전극은 종전의 ITO/Ag/ITO 구조에서 사용되는 식각액에 의해 식각되어 형성되었으나, 사진의 A영역과 같이 식각이 정상적으로 이루어진 것을 확인할 수 있으므로, 종래의 구조에서 사용하는 식각액을 사용할 수 있으므로, 종래의 식각액을 공용하여 사용할 수 있는 이점이 있다.
한편, 알루미늄 합금 단일막은 Co(코발트)를 포함하고 있으므로, TFT 영역에서의 제1 도전층(50)과 제2 도전층(60)의 낮은 접촉 저항을 형성할 수 있으므로, 제1 도전층(50) 및 제2 도전층(60)의 적층 사이의 접촉 저항을 낮출 수 있다.
이때, Al과 Co의 결합에 의해 충분한 양의 Al6Co가 생성되어야 충분히 낮은 접촉 저항을 형성할 수 있고, Co가 너무 많이 첨가되면, 가격이 상승하게 되고, 합금의 양이 많아질수록 저항 특성이 나빠지므로, Co는 0.2~1.0at%로 첨가하는 것이 바람직하다.
Co 대신에 제1 도전층(50)과의 접촉 부위에서 낮은 저항 가지는 물질이 사용될 수 있으며, 예를 들면, Ni이 사용될 수 있으며, 0.2~1.0at%로 첨가하는 것이 바람직하다.
또한, 알루미늄 합금 단일막은 Ge(게르마늄)을 포함하고 있으므로, TFT 영역에서의 소스/드레인 전극(101, 103)과 소스/드레인 영역(31, 33)의 접촉 부위에서 Al이 실리콘 내부로 침투하는 것을 방지할 수 있다.
이때, Ge이 충분하지 못하여, Al이 실리콘으로 침투할 경우 접합 스파이크(junction spike) 현상이 발생하게 되며, Ge가 너무 많이 첨가되면, 가격이 상승하게 되고, 합금의 양이 많아질수록 저항 특성이 나빠지므로, Ge는 0.5~1.0at%로 첨가하는 것이 바람직하다.
도 3은 소스/드레인 성막 공정 및 화소 정의막 형성 공정을 진행한 후의 평면을 현미경으로 촬영한 사진으로서, B영역과 같이, 접합 스파이크(junction spike) 현상이 발생하지 않은 것을 확인할 수 있다.
Ge 대신에 Al이 실리콘으로 침투하는 것을 방지하기 위한 물질이 사용될 수 있으며, 예를 들면, Si가 사용될 수 있으며, Si는 0.3~1.0at%로 첨가하는 것이 바람직하다.
또한, 알루미늄 합금 단일막은 La(Lanthanum, 란탄)를 포함하고 있으므로, 열처리 공정에서의 Al의 힐록(hilllock) 현상을 방지할 수 있으며, 이때, 0.1at% 이상의 La가 포함되지 않을 경우, 힐록(hillock) 현상이 다량 발생할 수 있으며, 0.5at% 이상이 포함될 경우, 가격이 상승하고, 합금의 양이 많아질수록 저항 특성이 나빠지게 되므로, La는 0.1~0.5at%로 첨가하는 것이 바람직하다.
도 4는 힐록(hillock)의 발생 여부를 확인하기 위하여 캐소드 접촉 부위를 현미경으로 촬영한 사진으로서, 힐록이 발생하는 경우, C영역에 다수의 점들이 형성되나, 이러한 점들이 형성되지 않은 것을 확인할 수 있으며, 따라서, 힐록이 발생하지 않았다는 것을 알 수 있다.
도 5는 화소 영역의 콘택 홀을 BOE 세정 후의 단면을 SEM으로 촬영한 사진으로서, 세정액에 영향을 받는 경우, 일부분이 녹아 없어지나, D영역과 같이, 세정액에 의해 제2 도전층이 영향을 받지 않은 것을 확인할 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시 예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 다양한 변경 및 균등한 다른 실시 예가 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
10 : 기판 20 :버퍼층
30 : 반도체층 31, 33 : 소스/드레인 영역
35 : 채널 영역 40 : 게이트 절연막
50 : 제1 도전층 60 : 제2 도전층
70 : 하부 전극 80 : 게이트 전극
90 : 층간 절연막 90a, 90b, 90c, 90d : 콘택 홀
101, 103 : 소스/드레인 전극 110 : 화소 정의막
120 : 유기막 130 : 상부 전극
30 : 반도체층 31, 33 : 소스/드레인 영역
35 : 채널 영역 40 : 게이트 절연막
50 : 제1 도전층 60 : 제2 도전층
70 : 하부 전극 80 : 게이트 전극
90 : 층간 절연막 90a, 90b, 90c, 90d : 콘택 홀
101, 103 : 소스/드레인 전극 110 : 화소 정의막
120 : 유기막 130 : 상부 전극
Claims (23)
- 기판;
상기 기판 상의 박막 트랜지스터 영역에 형성되는 반도체층;
상기 반도체층을 포함하는 상기 기판의 전면에 걸쳐 형성되는 게이트 절연막;
상기 게이트 절연막 상의 상기 기판의 화소 영역에 형성되는 하부 전극;
상기 게이트 절연막 상에 상기 반도체층과 대응되어 형성되는 게이트 전극;
상기 하부 전극 및 상기 게이트 전극을 포함하는 상기 게이트 절연막의 전면에 형성되며, 상기 하부 전극의 일부를 노출시키는 층간 절연막; 및
상기 층간 절연막 상에 형성되며, 상기 반도체층과 접속되는 소스/드레인 전극을 포함하고,
상기 하부 전극 및 상기 게이트 전극은 제1 도전층 및 제2 도전층으로 형성되며,
상기 제2 도전층과 상기 소스/드레인 전극은 동일한 물질로 형성되는 단일막인 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 제1 도전층은 ITO, IZO, In203 및 Sn203 중 어느 하나의 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 제2 도전층 및 상기 소스/드레인 전극은 Co 및 Ni 중 어느 하나, Ge 및 Si 중 어느 하나와 La를 첨가한 Al 합금으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시장치.
- 제 3 항에 있어서,
상기 Co 및 Ni은 0.2 ~ 1.0at%로 첨가되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시장치.
- 제 3 항에 있어서,
상기 Ge는 0.5 ~ 1.0at%로 첨가되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시장치.
- 제 3 항에 있어서,
상기 Si는 0.3 ~ 1.0at%로 첨가되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시장치.
- 제 3 항에 있어서,
상기 La는 0.1 ~ 0.5at%로 첨가되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 하부 전극의 제2 도전층의 일부가 제거되어, 상기 하부 전극의 제1 도전층이 노출되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 하부 전극과 상기 게이트 전극은 동일한 층에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 소스/드레인 전극을 포함하는 상기 층간 절연막 전면에 형성되며, 상기 노출되는 하부 전극의 일부를 노출시키는 화소 정의막;
상기 노출되는 하부 전극 상에 형성되는 유기막; 및
상기 유기막을 포함하는 상기 층간 절연막 전면에 형성되는 상부 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시장치.
- 제 8 항에 있어서,
상기 소스/드레인 전극을 포함하는 상기 층간 절연막 전면에 형성되며, 상기 노출되는 제1 도전층을 노출시키는 화소 정의막;
상기 노출되는 제1 도전층 상에 형성되는 유기막; 및
상기 유기막을 포함하는 상기 층간 절연막 전면에 형성되는 상부 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시장치.
- 기판 상의 박막 트랜지스터 영역에 반도체층을 형성하는 단계;
상기 반도체층을 포함하는 상기 기판의 전면에 걸쳐 게이트 절연막을 형성하는 단계;
상기 게이트 절연막 상의 상기 기판의 화소 영역에 하부 전극을 형성하고, 상기 기판의 상기 박막 트랜지스터 영역에 게이트 전극을 형성하는 단계;
상기 하부 전극 및 상기 게이트 전극을 포함하는 상기 게이트 절연막의 전면에 층간 절연막을 형성하고, 상기 하부 전극의 일부를 노출시키는 제1 및 제2 콘택 홀과 상기 반도체층의 소스/드레인 영역을 노출시키는 제3 및 제4 콘택 홀 형성하는 단계; 및
상기 층간 절연막 상에 소스/드레인 전극층을 형성하고, 마스크 공정을 통하여 소스/드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 하부 전극 및 상기 게이트 전극은 제1 도전층 및 제2 도전층으로 형성되며,
상기 제2 도전층과 상기 소스/드레인 전극은 동일한 물질로 형성되는 단일막인 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시장치의 제조방법.
- 제 12 항에 있어서,
상기 소스/드레인 전극을 형성하는 과정에서, 상기 하부 전극의 상기 제1 콘 택 홀을 통해 노출되는 상기 제1 도전층도 함께 식각되어, 상기 하부 전극의 제2 도전층이 노출되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시장치의 제조방법.
- 제 12 항에 있어서,
상기 제1 도전층은 ITO, IZO, In203 및 Sn203 중 어느 하나의 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시장치의 제조방법.
- 제 12 항에 있어서,
상기 제2 도전층 및 상기 소스/드레인 전극은 Co 및 Ni 중 어느 하나, Ge 및 Si 중 어느 하나와 La를 첨가한 Al 합금으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시장치의 제조방법.
- 제 15 항에 있어서,
상기 Co 및 Ni은 0.2 ~ 1.0at%로 첨가되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시장치의 제조방법.
- 제 15 항에 있어서,
상기 Ge는 0.5 ~ 1.0at%로 첨가되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시장치의 제조방법.
- 제 15 항에 있어서,
상기 Si는 0.3 ~ 1.0at%로 첨가되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시장치의 제조방법.
- 제 15 항에 있어서,
상기 La는 0.1 ~ 0.5at%로 첨가되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시장치의 제조방법.
- 제 12 항에 있어서,
상기 제2 콘택 홀을 통해 노출되는 상기 하부 전극의 영역과 상기 제3 콘택홀을 통해 노출되는 소스/드레인 영역은 하나의 소스/드레인 전극에 의해 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시장치의 제조방법.
- 제 12 항에 있어서,
상기 하부 전극과 상기 게이트 전극은 동일한 마스크 공정을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시장치의 제조방법.
- 제 12 항에 있어서,
상기 소스/드레인 전극을 포함하는 상기 층간 절연막 전면에 화소 정의막을 형성하고, 상기 제1 콘택 홀을 통해 노출되는 상기 하부 전극을 노출시키는 개구부를 형성하는 단계;
상기 노출되는 하부 전극 상에 유기막을 형성하는 단계; 및
상기 유기막을 포함하는 상기 층간 절연막 전면에 상부 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시장치의 제조방법.
- 제 20 항에 있어서,
상기 소스/드레인 전극을 포함하는 상기 층간 절연막 전면에 화소 정의막을 형성하고, 노출되는 상기 화소 전극의 제1 도전층을 노출시키는 개구부를 형성하는 단계;
상기 노출되는 제1 도전층 상에 유기막을 형성하는 단계; 및
상기 유기막을 포함하는 상기 층간 절연막 전면에 상부 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시장치의 제조방법.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020100010012A KR101084277B1 (ko) | 2010-02-03 | 2010-02-03 | 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법 |
| US13/020,687 US20110186847A1 (en) | 2010-02-03 | 2011-02-03 | Organic light emitting diode display and fabricating method of the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020100010012A KR101084277B1 (ko) | 2010-02-03 | 2010-02-03 | 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20110090308A true KR20110090308A (ko) | 2011-08-10 |
| KR101084277B1 KR101084277B1 (ko) | 2011-11-16 |
Family
ID=44340832
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020100010012A KR101084277B1 (ko) | 2010-02-03 | 2010-02-03 | 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20110186847A1 (ko) |
| KR (1) | KR101084277B1 (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20150058757A (ko) * | 2013-11-21 | 2015-05-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| US9153605B2 (en) | 2011-11-30 | 2015-10-06 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor array substrate, organic light emitting display device comprising the same, and method of manufacturing the thin film transistor array substrate |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102011053665B4 (de) | 2010-09-20 | 2016-06-30 | Lg Display Co., Ltd. | Anzeigevorrichtung mit organischen lichtemittierenden Dioden und Herstellungsverfahren für dieselbe |
| WO2015118947A1 (ja) * | 2014-02-07 | 2015-08-13 | 株式会社神戸製鋼所 | フラットパネルディスプレイ用配線膜 |
| US10217416B2 (en) * | 2016-07-05 | 2019-02-26 | Innolux Corporation | Display device |
| US10529745B2 (en) * | 2016-07-05 | 2020-01-07 | Innolux Corporation | Display device |
| CN107068613A (zh) * | 2016-12-30 | 2017-08-18 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Oled显示装置的阵列基板及其制作方法 |
| KR20220065165A (ko) | 2020-11-12 | 2022-05-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3969698B2 (ja) * | 2001-05-21 | 2007-09-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
| JP4469913B2 (ja) * | 2008-01-16 | 2010-06-02 | 株式会社神戸製鋼所 | 薄膜トランジスタ基板および表示デバイス |
| KR101074788B1 (ko) * | 2009-01-30 | 2011-10-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 평판 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR101117725B1 (ko) * | 2009-11-11 | 2012-03-07 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
-
2010
- 2010-02-03 KR KR1020100010012A patent/KR101084277B1/ko active IP Right Grant
-
2011
- 2011-02-03 US US13/020,687 patent/US20110186847A1/en not_active Abandoned
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9153605B2 (en) | 2011-11-30 | 2015-10-06 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor array substrate, organic light emitting display device comprising the same, and method of manufacturing the thin film transistor array substrate |
| KR20150058757A (ko) * | 2013-11-21 | 2015-05-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| US9614016B2 (en) | 2013-11-21 | 2017-04-04 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting diode (OLED) display and method of manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20110186847A1 (en) | 2011-08-04 |
| KR101084277B1 (ko) | 2011-11-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101084277B1 (ko) | 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법 | |
| US9887251B2 (en) | Thin film transistor array substrate, organic light-emitting display apparatus, and method of manufacturing the thin film transistor array substrate | |
| KR101107252B1 (ko) | 일렉트로-루미네센스 표시 패널의 박막 트랜지스터 기판및 그 제조 방법 | |
| CN1708197B (zh) | 有机发光显示装置及其制造方法 | |
| US8535975B2 (en) | Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same | |
| US7642587B2 (en) | Flat panel display device and method of fabricating the same | |
| KR101189137B1 (ko) | 유기전계 발광소자와 그 제조방법 | |
| KR100579182B1 (ko) | 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법 | |
| KR101084273B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| EP1944803B1 (en) | Organic light emitting diode display and fabricating method thereof | |
| US20050258426A1 (en) | Organic light emitting display device | |
| KR20130025806A (ko) | 유기전압 발광소자 및 이의 제조방법 | |
| KR100786294B1 (ko) | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| US10615282B2 (en) | Thin-film transistor and manufacturing method thereof, array substrate, and display apparatus | |
| US20120050235A1 (en) | Organic electroluminescence emitting display and method of manufacturing the same | |
| KR100788551B1 (ko) | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR101227142B1 (ko) | 전계발광소자 및 그 제조방법 | |
| KR102532306B1 (ko) | 디스플레이 장치와, 이의 제조 방법 | |
| KR20200026186A (ko) | 표시 소자의 봉지 구조 및 표시 장치 | |
| KR20080057789A (ko) | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 | |
| US8890132B2 (en) | Organic light emitting display device and method of manufacturing the same | |
| KR100590249B1 (ko) | 유기전계 발광표시장치 및 그의 제조방법 | |
| KR20100137272A (ko) | 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법 | |
| KR20140083150A (ko) | 유기전계 발광소자 그 제조 방법 | |
| KR20120015675A (ko) | 유기전계발광표시장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141030 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151030 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171101 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181101 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191028 Year of fee payment: 9 |