KR20110084232A

KR20110084232A - 레이저 장치, 광치료 장치, 노광 장치, 디바이스 제조 방법, 및 물체 검사 장치

Info

Publication number: KR20110084232A
Application number: KR1020117010638A
Authority: KR
Inventors: 야스토시 다카다; 아키라 도쿠히사
Original assignee: 가부시키가이샤 니콘
Priority date: 2008-10-10
Filing date: 2009-10-07
Publication date: 2011-07-21
Also published as: JP5595650B2; WO2010041434A1; TWI471675B; US9153934B2; JP2010093210A; TW201020669A; US20110245898A1; KR101618392B1

Abstract

기본 파장광 생성 유닛은, 레이저 장치 (1) 의 출력광의 파장을 지령하는 출력 파장 명령 신호에 응한 기본 파장의 광을 생성한다. 광증폭기 유닛 (20) 은 상기 기본 파장의 광을 증폭한다. 파장 변환부 (30) 는, 각각이 파장 변환을 실시하는 비선형 광학 결정 (31, 32, 34, 37, 39, 40) 으로 그것들을 각각 조정하는 온도 조정기 (31a, 32a, 34a, 37a, 39a, 40a) 를 가지므로, 광증폭기 유닛 (20) 에 의해 증폭된 광을 출력 파장 명령 신호가 나타내는 파장의 광으로 변환한다. 저장 유닛 (60) 는, 출력 파장 명령 신호가 나타내는 파장과 그 파장에 따라 설정해야 할 각 비선형 광학 결정의 온도와의 대응 관계를 나타내는 대응 정보를 기억한다. 제어 유닛은, 각 온도 조정기를, 해당 온도 조정기에 대응하는 상기 비선형 광학 결정의 온도가, 출력 파장 명령 신호에 따라 상기 대응 정보에 의해 정해지는 설정해야 할 온도가 되도록 제어한다.

Description

레이저 장치, 광치료 장치, 노광 장치, 디바이스 제조 방법, 및 물체 검사 장치{LASER APPARATUS, PHOTOTHERAPY APPARATUS, EXPOSURE APPARATUS, DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND OBJECT INSPECTION APPARATUS}

본 발명은, 레이저 장치, 및 이것을 이용한 광치료 장치, 노광 장치, 디바이스 제조 방법 및 물체 검사 장치에 관한 것이다.

이하의 특허문헌 1 은, 적외역으로부터 가시역까지의 파장 범위 내에서 단일 파장의 레이저광을 생성하는 레이저광 생성 유닛; 레이저광 생성 유닛에 의해 생성된 레이저광을 증폭하는 광섬유 증폭기를 포함하는 광증폭기 유닛; 광증폭기 유닛에 의해 증폭된 레이저광의 파장 변환을 수행하는 복수의 비선형 광학 결정; 및 파장 변환시의 위상 정합각을 조정하기 위해 상기 복수의 비선형 광학 결정의 온도를 제어하는 복수의 온도 제어 장치를 갖는 파장 변환부를 포함하는 레이저 장치로서, 상기 파장 변환부로부터 자외광을 생성하는 레이저 장치를 개시하고 있다. 상기 온도 제어 장치를 통해 온도를 제어하는 것은 모든 비선형 결정의 위상 정합각을 조정하며, 이에 의해 간단한 제어를 이용하여 변환 효율을 증가시킬 수 있다.

또한, 특허문헌 1 의 제 19 페이지 내지 제 21 페이지는, 상기 레이저광 생성 유닛으로서 DFB 반도체 레이저를 이용하여 DFB 반도체 레이저의 온도를 제어함으로써 발진 파장을 안정화하고 일정한 파장을 유지하거나, 아니면 그 발진 파장을 적극적으로 변화시킴으로써 출력 파장을 조정할 수 있다는 점을 열거하고 있다.

특허문헌 1: 재공표 특허 WO2001/020397 호 공보

그렇지만, 전술한 유형의 레이저 장치에서는, 상기 레이저광 생성 유닛으로서 DFB 반도체 레이저를 이용하여 발진 파장을 적극적으로 변화시켜 출력 파장을 조정할 수 있으며, 이에 의해 DFB 반도체 레이저의 온도가 제어되지만, 레이저 장치의 출력 파장의 가변 범위는 비교적 좁고, 파장 가변 성능을 충분히 달성하는 것이 곤란하여, 이들 양자 모두가 문제점이다.

본 발명은, 이러한 환경을 고려한 것이며, 본 발명의 목적은 출력광의 파장 가변 범위를 확장할 수 있는 레이저 장치를 제공하는 것, 및 이러한 레이저 장치를 이용한 광치료 장치, 노광 장치, 디바이스 제조 방법 및 물체 검사 장치를 제공하는 것이다.

상기 문제점을 해결하기 위한 수단으로서 이하의 각 양태가 제시된다. 본 발명의 제 1 양태에 따른 레이저 장치는, 가변 파장의 출력광을 출력하는 레이저 장치로서, (i) 출력광의 파장을 지정하는 출력 파장 명령 신호에 따라 기본 파장의 광을 생성하는 기본 파장광 생성 유닛; (ⅱ) 기본 파장의 광을 증폭하는 광증폭기 유닛; (ⅲ) 각각이 파장 변환을 수행하는 복수의 비선형 광학 결정, 및 각각이 대응하는 비선형 광학 결정의 온도를 조정하는 복수의 온도 조정기를 포함하는 파장 변환부로서, 광증폭기 유닛에 의해 증폭된 광을 출력 파장 명령 신호에 의해 나타낸 파장의 광으로 변환하는, 파장 변환부; (ⅳ) 출력광의 파장과 대응하는 파장에 따라 설정되는 각 비선형 광학 결정의 온도 간의 대응 관계를 나타내는 대응 정보를 저장하는 저장 유닛; 및 (ⅴ) 각 온도 조정기를, 대응하는 비선형 광학 결정의 온도가 출력 파장 명령 신호에 따라 대응 정보에 의해 결정되는 설정 온도에 도달하도록 제어하는 제어 유닛을 포함하는, 레이저 장치이다.

제 2 양태에 의한 광치료 장치는, 본 발명의 제 1 양태에 따라 레이저 장치로부터 출력되는 출력광을 치료 부위로 인도하여 조사하는 조사 광학계를 포함한다.

제 3 양태에 의한 노광 장치는, 마스크의 패턴을 감광 물체에 전사하는 노광 장치로서, 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 따른 레이저 장치; 레이저 장치로부터 출력되는 출력광을 마스크에 조사하는 조명 광학계; 및 마스크로부터의 광을 감광 물체에 투영하는 투영 광학계를 포함하는 노광 장치이다.

제 4 양태에 의한 디바이스 제조 방법은, 리소그래피 공정을 포함하는 디바이스 제조 방법으로서, 리소그래피 공정에서는, 본 발명의 제 3 양태에 따른 노광 장치를 이용하여 마스크의 패턴을 감광 물체에 전사하는 단계를 포함하는 디바이스 제조 방법이다.

제 5 양태에 의한 물체 검사 장치는, 본 발명의 제 1 양태에 따른 레이저 장치; 피검사물을 지지하는 지지부; 피검사물의 투영상을 검출하는 검출기; 레이저 장치로부터 출력되는 출력광을 피검사물에 조사하는 조명 광학계; 및 피검사물로부터의 광을 검출기에 투영하는 투영 광학계를 포함한다.

본 발명에 의하면, 출력광의 파장 가변 범위를 확장할 수 있는 레이저 장치, 및, 이러한 레이저 장치를 이용한 광치료 장치, 노광 장치, 디바이스 제조 방법 및 물체 검사 장치를 제공할 수 있다.

도 1 은 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 레이저 장치를 나타내는 개략적인 블록도이다.
도 2 는 도 1 에 나타낸 기본 파장광 생성 유닛, 광증폭기 유닛, 및 파장 변환부를 나타내는 도면이다.
도 3 은 비선형 광학 결정의 특성을 나타내는 도면이다.
도 4 는 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 광치료 장치를 나타내는 개략적인 블록도이다.
도 5 는 도 4 에 나타낸 광치료 장치를 구성하는 조사 광학계 및 관찰 광학계를 나타내는 개략적인 블록도이다.
도 6 은 본 발명의 제 3 실시형태에 따른 노광 장치를 모식적으로 나타내는 개략적인 블록도이다.
도 7 은 본 발명의 제 4 실시형태에 따른 마스크 결함 검사 장치를 나타내는 개략적인 블록도이다.

이하, 본 발명에 따른 레이저 장치, 광치료 장치, 노광 장치, 디바이스 제조 방법, 및 물체 검사 장치에 대해, 도면을 참조하여 설명하기로 한다.

[제 1 실시형태]

도 1 은 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 레이저 장치 (1) 를 나타내는 개략적인 블록도이다. 도 2 는 도 1 에 나타낸 기본 파장광 생성 유닛 (10), 광증폭기 유닛 (20), 및 파장 변환부 (30) 를 나타내는 도면이다. 도 1 은, 기본 파장광 생성 유닛 (10) 및 파장 변환부 (30) 의 구성요소 중, 온도 제어에 관련된 요소만을 나타내고 있다. 또한, 도 2 에서는, 기본 파장광 생성 유닛 (10) 및 파장 변환부 (30) 의 구성요소 가운데, 온도 조정기 (31a, 32a, 34a, 37a, 39a, 40a) 및 온도 검출기 (31b, 32b, 34b, 37b, 39b, 40b) 가 생략되어 있다.

본 실시형태에 따른 레이저 장치 (1) 는, 가변 파장의 출력광을 출력하는 레이저 장치로서, 도 1 에 나타낸 바와 같이, 기본 파장광 생성 유닛 (10); 광증폭기 유닛 (20); 파장 변환부 (30); 주제어 유닛 (50); 불휘발성 메모리 등을 포함하는 대응 정보 저장 유닛 (60); 및 온도 제어 유닛 (70) 을 포함한다.

기본 파장광 생성 유닛 (10) 은, 레이저 장치 (1) 의 출력광의 파장을 지정하는 출력 파장 명령 신호에 따른 기본 파장의 광을 생성하도록 구성되어 있다. 본 실시형태에서는, 주제어 유닛 (50)이 출력 파장 명령 신호를 레이저 장치 (1) 의 외부 소스로부터 수신하지만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 유저 또는 설치업자 등이 레이저 장치 (1) 의 출력광의 파장을 지정하는 경우에는, 레이저 장치 (1) 내에 설치된 전위차계 (potentiometer) 등에 의해 출력 파장 명령 신호를 발할 수도 있다.

본 실시형태에서는, 도 1 및 도 2 에 나타낸 바와 같이, 기본 파장광 생성 유닛 (10) 은 온도 제어식의 가변 파장 레이저 광원으로서 구성되며, DFB (분포 귀환형) 반도체 레이저 (11); DFB 반도체 레이저 (11) 의 온도를 조정하는 펠티에 소자 (Peltier device) 등의 레이저 광원 온도 조정기 (11a); DFB 반도체 레이저 (11) 의 온도를 검출하는 서미스터 (thermistor) 등의 온도 검출기 (11b); 및 전기 펄스 생성기 (12) 를 포함한다.

DFB 반도체 레이저 (11) 는, 예를 들어 발진 파장을, 1.547㎛ 를 포함하는 소정 범위 내에서 튜닝할 수 있는 InGaAsP DFB 반도체 레이저가 이용된다. 전기 펄스 생성기 (12) 는 DFB 반도체 레이저 (11) 의 작동을 제어하는 드라이버이며, 예를 들어, 펄스폭이 대략 1 nS 이고, 반복 주파수 f 는 수십 내지 수백 kHz 의 구동 신호를 펄스 발진하여, 이를 DFB 반도체 레이저 (11) 에 공급한다. 이에 의해, DFB 반도체 레이저 (11) 는 대략 10mW 정도의 피크 파워를 갖는 펄스 형상의 기본 파장의 광 (즉, 기본파의 광) 을 광증폭기 유닛 (20) 에 출력한다.

대응 정보 저장 유닛 (60) 에는, 미리, 레이저 장치 (1) 의 출력광의 파장과 레이저 장치 (1) 로부터 그 파장의 출력광을 출력하기 위해 필요한 DFB 반도체 레이저 (11) 의 온도 사이의 대응 관계 (이하, "출력 파장-레이저 온도 대응 관계" 로 칭함) 를 나타내는 대응 정보가 저장된다. 본 실시형태에서는, 파장 변환부 (30) 는, 후술하는 바와 같이, 기본 파장광 생성 유닛 (10) 에 의해 출력되는 기본파의 파장의 1/8 의 파장의 광을 레이저 장치 (1) 의 출력광으로서 출력한다. 따라서, 기본 파장광 생성 유닛 (10) 에 의해 출력되는 기본파의 파장은 레이저 장치 (1) 의 출력광의 파장의 8 배이어야 한다. 본 기술분야에서 널리 알려진 바와 같이, DFB 반도체 레이저 (11) 의 온도를 변화시킴으로써 DFB 반도체 레이저 (11) 의 출력광의 파장을 조정할 수 있다. 따라서, 본 실시형태에서는, 대응 정보 저장 유닛 (60) 에는, 출력 파장 및 레이저 온도 대응 관계로서, 레이저 장치 (1) 의 출력광의 파장과 레이저 장치 (1) 의 출력광의 파장의 8 배인 파장을 갖는 광을 DFB 반도체 레이저 (11) 가 생성할 때의 DFB 반도체 레이저 (11) 의 온도 간의 대응 관계를 나타내는 대응 정보가 저장되어 있다. DFB 반도체 레이저 (11) 의 온도와 DFB 반도체 레이저 (11) 의 출력광의 파장 사이의 대응 관계에는 개별적인 차이가 존재한다. 결과적으로, 온도 조정기 (11a) 의 온도 조정 상태가 연속적으로 변경되면서 온도 검출기 (11b) 에 의해 검출되는 온도에 기초하고, DFB 반도체 레이저 (11) 의 출력광의 파장을 실측한 결과에 기초하여, 출력 파장 및 레이저 온도 대응 관계를 미리 획득하는 것이 바람직하다. 출력 파장 및 레이저 온도 대응 관계를 나타내는 대응 정보는, 예를 들어, 근사식의 형식 또는 룩업 (lookup) 테이블의 형식으로 대응 정보 저장 유닛 (60) 에 저장될 수도 있다.

DFB 반도체 레이저 (11) 의 온도를 제어할 때, 주제어 유닛 (50) 은, 출력 파장 명령 신호에 의해 나타낸 출력 파장에 따라 설정되는 DFB 반도체 레이저 (11) 의 온도를 획득하기 위해, 출력 파장 명령 신호에 기초하여 대응 정보 저장 유닛 (60) 에 저장된 대응 정보를 참조하고, 이 온도를 DFB 반도체 레이저 (11) 의 목표 온도로서 온도 제어 유닛 (70) 에 공급한다. 온도 제어 유닛 (70) 은, 그 목표 온도 및 온도 검출기 (11b) 로부터의 검출 신호에 따라 조정 신호를 온도 조정기 (11a) 에 공급함으로써 DFB 반도체 레이저 (11) 의 온도가 상기 목표 온도로 되도록 피드백 제어를 수행한다.

이 온도 제어에 기초하여, DFB 반도체 레이저 (11) (그리고, 결국 기본 파장광 생성 유닛 (10)) 은 출력 파장 명령 신호에 따른 기본 파장의 광을 생성한다. 따라서, 본 실시형태에서는, 기본 파장광 생성 유닛 (10) 은 온도 제어식의 가변 파장 레이저 광원으로서 구성되지만, 몇몇 다른 유형의 가변 파장 레이저 광원으로서 구성될 수도 있다. 예를 들어, 레이저 광원의 공진기 내에 발진 파장을 설정하기 위한 광학계를 배치하고, 이 광학계 내의 소정 부분의 광로 길이를 변화시킴으로써, 레이저 광원의 발진 파장을 변화시킬 수도 있다.

광증폭기 유닛 (20) 은, 도 2 에 나타낸 바와 같이, 기본 파장광 생성 유닛 (10) 에 의해 생성된 기본 파장의 광을 3 부분으로 분기하는 커플러 (21); 분기로 인해 발생된 광들 중 하나를 증폭하는 광증폭기로서 기능하는 제 1 EDFA (22); 분기로 인해 발생된 광들 중 다른 하나를 지연시키는 지연기 (23); 지연기 (23) 에 의해 지연된 광을 증폭하는 광증폭기로서 기능하는 제 2 EDFA (24); 분기로 인해 발생된 나머지의 하나의 광을 지연시키는 지연기 (25); 및 지연기 (25) 에 의해 지연된 광을 증폭하는 광증폭기로서 기능하는 제 3 EDFA (26) 를 포함한다.

다음으로, 파장 변환부 (30) 를 설명하기로 한다. 파장 변환부 (30) 는, 도 1 및 도 2 에 나타낸 바와 같이, 각각이 파장 변환을 수행하는 복수의 비선형 광학 결정 (31, 32, 34, 37, 39, 40); 및 예를 들어 대응하는 복수의 비선형 광학 결정의 온도를 각각 조정하는 히터인 복수의 온도 조정기 (31a, 32a, 34a, 37a, 39a, 40a) 를 포함하며, 광증폭기 유닛 (20) 에 의해 증폭된 광은 상기 출력 파장 명령 신호에 의해 나타낸 파장의 광으로 변환된다. 비선형 광학 결정 (31, 32, 34, 37, 39, 40) 에는 각각의 온도를 검출하는 서미스터인 온도 검출기 (31b, 32b, 34b, 37b, 39b, 40b) 도 각각 설치되어 있다.

본 실시형태에서는, 비선형 광학 결정 (31) 으로서 2 배파 생성 광학 소자를 구성하는 PPLN 결정이 이용된다. 비선형 광학 결정 (31) 으로서는, PPKTP 결정, PPSLT 결정, LBO 결정 등을 이용할 수도 있다. 비선형 광학 결정 (32) 으로서 3 배파 생성 광학 소자를 구성하는 LBO 결정이 이용된다. 비선형 광학 결정 (34) 으로서 5 배파 생성 광학 소자를 구성하는 LBO 결정이 이용된다. 비선형 광학 결정 (34) 으로서는, BBO 결정 또는 CBO 결정을 이용할 수도 있다. 비선형 광학 결정 (37) 으로서 2 배파 생성 광학 소자를 구성하는 PPLN 결정이 이용된다. 비선형 광학 결정 (37) 으로서는, PPKTP 결정, PPSLT 결정, LBO 결정 등이 이용될 수도 있다. 비선형 광학 결정 (39) 으로서 7 배파 생성 광학 소자를 구성하는 CLBO 결정이 이용된다. 비선형 광학 결정 (40) 으로서 8 배파 생성 광학 소자를 구성하는 CLBO 결정이 이용된다.

도 2 에서, 타원형으로 나타낸 소자는 콜리메이터 (collimator) 렌즈 또는 집광렌즈이며, 그 설명을 생략한다. 또한, 도 2 에서, P 편광을 화살표로 나타내며, S 편광을 원 (circle) 안에 점으로 나타내고, 기본파를 ω 로 지시하고, n 배파를 nω 로 지시한다.

도 2 에 나타낸 바와 같이, 제 1 EDFA (22) 에 의해 증폭된 P 편광의 기본파는 비선형 광학 결정 (31) (즉, 2 배파 생성 광학 소자) 에 입사하고, 비선형 광학 결정 (31) 으로부터 사출되는 것은 기본파와 함께 P 편광의 2 배파이다. 이 기본파와 2 배파를 비선형 광학 결정 (즉, 3 배파 생성 광학 소자) (32) 에 입사시킨다. 비선형 광학 결정 (32) 으로부터 사출되는 것은 기본파와 2 배파와 함께 S 편광의 3 배파이다.

이들 광은 2 파장 파장판 (33) 을 통과하며, 이에 의해 2 배파만을 S 편광으로 변환한다. 2 파장 파장판으로서, 예를 들어 결정의 광학축에 평행으로 커팅 (cutting) 된 1 축성 (uniaxial) 의 결정의 평판으로 구성된 파장판이 이용된다. 일방의 파장의 광 (즉, 2 배파) 에 대한 편광을 회전시키고 타방의 파장의 광에 대한 편광을 회전시키지 않도록, 파장판 (즉, 결정) 은 그 두께가 일방의 파장의 광에 대해서는 λ/2 의 정수배로 되고, 타방의 파장의 광에 대해서는 λ의 정수 배가 되도록 커팅된다. 또한, 모두 S 편광이 된 2 배파와 3 배파를 비선형 광학 결정 (34) (즉, 5 배파 생성 광학 소자) 에 입사시킨다. 비선형 광학 결정 (34) 으로부터 사출되는 것은 2 배파와 3 배파와 함께 P 편광의 5 배파이다. 또한, P 편광의 기본파는 그대로 비선형 광학 결정 (34) 을 투과한다.

비선형 광학 결정 (34) 에 의해 생성되는 5 배파의 단면은, 워크-오프 (walk-off) 의 효과 때문에 단면이 타원형의 형상을 가지며, 그대로 남는다면 집광성이 저하될 것이며 그 다음의 파장 변환에서는 사용될 수 없다. 따라서, 원통형 렌즈 (35, 36) 에 의해 이 타원형의 단면 형상을 원형으로 정형한다.

또한, 제 2 EDFA (24) 에 의해 증폭된 P 편광의 기본파는, 비선형 광학 결정 (37) (즉, 2 배파 생성 광학 소자) 에 입사하고, 비선형 광학 결정 (37) 으로부터 사출되는 것은 기본파와 함께 P 편광의 2 배파이다.

또한, 제 3 EDFA (26) 에 의해 증폭된 S 편광의 기본파는 색선별 거울 (41) 에 의해 전술한 P 편광의 2 배파와 합성된다. 이 예에서, 색선별 거울 (dichroic mirror) (41) 은 기본파를 투과시키고 2 배파를 반사시킨다. 합성된 S 편광의 기본파와 P 편광의 2 배파는, 전술한 P 편광의 5 배파와 색선별 거울 (38) 에 의해 추가적으로 합성된다. 이 예에서, 색선별 거울 (38) 은, 기본파와 2 배파를 투과시키고 5 배파를 반사시킨다. 이들 광을 합성하기 위해 벌크형 광학 소자가 이용될 수 있으며; 예를 들어, 색분해 및 합성 거울 (색선별 거울), 반사형 회절 광학 소자, 투과형 회절 광학 소자 등이 이용될 수 있다.

합성된 S 편광의 기본파, P 편광의 2 배파, 및 P 편광의 5 배파는 비선형 광학 결정 (39) (즉, 7 배파 생성 광학 소자) 에 입사하고, 비선형 광학 결정 (39) 으로부터 사출되는 것은, 이들 광과 함께, S 편광의 7 배파이다. 이들 광은 비선형 광학 결정 (40) (8 배파 생성 광학 소자) 에 입사하고; 여기서 S 편광의 기본파와 S 편광의 7 배파가 합성되고 P 편광의 8 배파가 생성된다. 8 배파만을 비선형 광학 결정 (40) 으로부터 방출되는 다른 파장의 광들로부터 분리하고자 하는 경우에는, 색선별 거울, 편광 빔 분할기, 프리즘 등을 사용할 수 있다. 본 실시형태에서는, 색선별 거울, 편광 빔 분할기, 프리즘 등이 비선형 광학 결정 (40) 으로부터 방출되는 광으로부터 8 배파 (기본 파장의 것 1/8한 파장의 광) 를 분리하는데 이용되고, 이것을 파장 변환부 (30) 의 출력광으로서 출력한다. 본 실시형태에서는, 파장 변환부 (30) 의 출력광은 레이저 장치 (1) 의 출력광으로서 기능한다. 본 실시형태에서는, 이에 의해, 레이저 장치 (1) 의 출력광은, 1.547㎛ 의 1/8 과 동일한 파장 (즉, 193.4nm) 을 포함하는 소정 범위 내의 가변 파장의 자외 펄스광이다.

비선형 광학 결정 (31, 32, 34, 37, 39, 40) 에 각각 입사하는 입사광의 파장은, 기본 파장광 생성 유닛 (10) 이 생성하는 기본 파장에만 따라 정해지며, 비선형 광학 결정 (31, 32, 34, 37, 39, 40) 의 온도에는 의존하지 않는다. 따라서, 파장 변환부 (30) 의 출력광의 파장은, 비선형 광학 결정 (31, 32, 34, 37, 39, 40) 의 온도에 의존하지 않고, 그러한 온도가 변화하더라도, 파장 변환부 (30) 에 의해 출력되는 파장은 기본 파장광 생성 유닛 (10) 에 의해 생성되는 기본 파장의 1/8 로 유지된다. 그러나, 기본 파장광 생성 유닛 (10) 에 의해 생성되는 기본 파장이 전술한 바와 같이 출력 파장 명령 신호에 따라 변화하면, 이에 따라 비선형 광학 결정 (31, 32, 34, 37, 39, 40) 에 각각 입사하는 입사광의 파장이 변화하고, 파장 변환부 (30) 의 출력광의 파장이 변화하고, 레이저 장치 (1) 의 출력광의 파장 가변이 달성된다.

도 3 에 나타낸 바와 같이, 비선형 광학 결정의 변환 효율은 비선형 광학 결정의 온도에 의존할 뿐만 아니라, 비선형 광학 결정에 입사하는 입사광의 파장에도 의존한다. 도 3 은 입사광의 각 파장 λ1, λ2, λ3 에 대한 비선형 광학 결정의 변환 효율의 온도 의존성을 모식적으로 나타내는 도면이다. 도 3 에 나타낸 예에서는, 파장 λ1 에 대한 변환율은 온도 T1 에서 최대가 되고, 파장 λ2 에 대한 변환율은 온도 T2 에서 최대가 되며, 파장 λ3 의 변환율은 온도 T3 에서 최대가 된다.

따라서, 레이저 장치 (1) 의 출력광의 어떤 파장 (나아가서는, 기본 파장광 생성 유닛 (10) 이 생성하는 있는 기본 파장) 에 대해, 관련된 비선형 광학 결정 (31, 32, 34, 37, 39, 40) 의 변환 효율이 각각 최대가 되도록, 비선형 광학 결정 (31, 32, 34, 37, 39, 40) 각각의 온도가 각각 설정되었더라도, 이들 온도가 항상 그대로 유지되고 레이저 장치 (1) 의 출력광의 파장 (그리고, 결국 기본 파장광 생성 유닛 (10) 에 의해 생성되는 기본 파장) 이 변화한다고 가정하면, 각 비선형 광학 결정 (31, 32, 34, 37, 39, 40) 각각에 입사하는 광의 파장은 변화할 것이고, 이에 따라 비선형 광학 결정 (31, 32, 34, 37, 39, 40) 의 변환 효율이 저하될 것이다. 또한, 그 파장의 시프트가 큰 만큼, 비선형 광학 결정 (31, 32, 34, 37, 39, 40) 의 변환 효율이 크게 저하될 것이라는 점은 문제가 된다. 예를 들어, 도 3 에 나타낸 특성을 갖는 비선형 광학 결정에 대해서, 파장 λ2 를 갖는 입사광에 대해서 변환 효율이 최대가 되도록, 그 비선형 광학 결정의 온도를 T2 로 설정하고, 그 온도 T2 를 항상 유지한다고 하면, 입사광의 파장이 λ2 으로부터 λ1 측으로 시프트하거나 또는 λ3 측으로 시프트하고, 이에 의해 그 비선형 광학 결정의 변환 효율은 저하되며; 그 파장의 차이가 큰 만큼 그 변환 효율은 크게 저하된다.

비선형 광학 결정 (31, 32, 34, 37, 39, 40) 의 변환 효율이 크게 저하되면, 레이저 장치 (1) 의 출력광의 파워 레벨이 크게 저하되며, 사용하기에 부적합하게 된다. 따라서, 레이저 장치 (1) 의 출력광의 소정 파장에 대해 비선형 광학 결정 (31, 32, 34, 37, 39, 40) 각각의 온도가 최적화되더라도, 항상 그 온도가 유지된다면, 레이저 장치 (1) 의 출력광의 파장의 가변 범위는 협소해진다는 점은 문제가 된다.

반면, 본 실시형태에서는, 주제어 유닛 (50), 대응 정보 저장 유닛 (60) 및 온도 제어 유닛 (70) 에 의해, 레이저 장치 (1) 의 출력광의 파장 (나아가서는, 기본 파장광 생성 유닛 (10) 이 생성하는 기본 파장) 이 변화되더라도, 그 파장을 추적하여, 비선형 광학 결정 (31, 32, 34, 37, 39, 40) 의 온도가 변환 효율에 대해 최적화되도록, 비선형 광학 결정 (31, 32, 34, 37, 39, 40) 의 온도는 각각 제어된다. 따라서, 본 실시형태에 따르면, 레이저 장치 (1) 의 출력광의 파장의 가변 범위는 상당히 확장될 수 있다. 이 점에 대해서는 이하에 전술한다.

한편으로는, 대응 정보 저장 유닛 (60) 에는, 전술한 출력 파장과 레이저 온도 대응 관계를 나타내는 대응 정보뿐만 아니라, 다른 한편으로는, 각 비선형 광학 결정 (31, 32, 34, 37, 39, 40) 에 대한 레이저 장치 (1) 의 출력광의 파장과 레이저 장치 (1) 로부터 그 파장의 출력광을 출력할 때 소정의 비선형 광학 결정에 입사하는 광의 파장에 대해 변환 효율이 최대 또는 이에 가까운 값이 되는 해당 비선형 광학 결정의 온도 사이의 대응 관계 (이하, "출력 파장과 결정 온도 대응 관계" 로 칭함) 를 나타내는 대응 정보도 미리 저장된다. 예를 들어, 도 3 에 나타낸 특성을 갖는 비선형 광학 결정에 대해, 레이저 장치 (1) 의 출력광의 제 1 내지 제 3 파장에 대응하는 관련 비선형 광학 결정에 파장 λ1, λ2, λ3 의 입사광이 각각 입사하는 경우에는, 관련 비선형 광학 결정의 출력 파장과 결정 온도 대응 관계를 나타내는 대응 정보로서 제 1 내지 제 3 파장이 각각 온도 T1, T2, T3 와 대응하는 것을 나타내는 대응 정보가 대응 정보 저장 유닛 (60) 에 저장되어 있다. 비선형 광학 결정의 입사광의 파장과 변환 효율이 최대가 되는 온도 사이의 대응 관계에는 개별적인 차이가 있다. 결과적으로, 미리, 각 비선형 광학 결정 (31, 32, 34, 37, 39, 40) 에 대해 입사광의 파장이 연속적으로 변화될 때 온도 조정기 (11a) 의 온도 조정 상태가 연속적으로 변화되는 동안, 온도 검출기 (11b) 에 의해 검출되는 온도 및 변환 효율을 실측한 결과에 기초하여 출력 파장과 결정 온도 대응 관계를 획득하는 것이 바람직하다. 출력 파장과 결정 온도 대응 관계를 나타내는 대응 정보는, 예를 들어 근사식 및 룩업테이블의 형식으로 대응 정보 저장 유닛 (60) 에 저장될 수도 있다.

비선형 광학 결정 (31, 32, 34, 37, 39, 40) 의 온도를 제어하는 경우, 출력 파장 명령 신호에 의해 나타낸 출력 파장에 따라 설정되는 비선형 광학 결정 (31, 32, 34, 37, 39, 40) 의 온도를 각각 취득하기 위해, 주제어 유닛 (50) 은 출력 파장 명령 신호에 기초하여 대응 정보 저장 유닛 (60) 에 저장된 대응 정보를 참조하고, 이들 온도를 각 비선형 광학 결정 (31, 32, 34, 37, 39, 40) 의 목표 온도로서 온도 제어 유닛 (70) 에 공급한다. 온도 제어 유닛 (70) 은 각 비선형 광학 결정 (31, 32, 34, 37, 39, 40) 의 목표 온도 및 대응하는 온도 검출기 (31b, 32b, 34b, 37b, 39b, 40b) 로부터 출력되는 검출 신호에 따라, 조정 신호를 대응하는 온도 조정기 (31a, 32a, 34a, 37a, 39a, 40a) 에 공급함으로써, 각 비선형 광학 결정 (31, 32, 34, 37, 39, 40) 의 온도가 상기 각 목표 온도에 도달하도록 피드백 제어를 수행한다.

따라서, 본 실시형태에 따른 레이저 장치 (1) 의 출력광의 파장 (나아가서는, 기본 파장광 생성 유닛 (10) 이 출력하는 광의 기본 파장) 이 변화되더라도, 그 파장을 추적하여, 비선형 광학 결정 (31, 32, 34, 37, 39, 40) 의 온도가 변환 효율에 대해 각각 최적화된다. 결과적으로, 본 실시형태에 따른 레이저 장치 (1) 의 출력광의 파장의 가변 범위는 확장될 수 있다. 이에 의해, 본 실시형태에 따르면, 파장 가변 성능을 충분히 달성할 수 있다.

[제 2 실시형태]

도 4 는 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 광치료 장치 (80) 를 나타내는 개략적인 블록도이다. 도 5 는 도 4 에 나타낸 광치료 장치 (80) 를 구성하는 조사 광학계 (100) 및 관찰 광학계 (110) 를 나타내는 개략적인 블록도이다. 본 실시형태에 따른 광치료 장치 (80) 는, 자외 레이저광 (즉, 레이저 장치 (1) 의 출력광) 을 각막에 조사하여 각막 표면의 애블레이션 (PRK: Photorefractive Keratectomy) 또는 절개한 각막 내부의 애블레이션 (LASIK: Laser Intrastromal Keratomileusis) 을 행함으로써 근시, 난시 등을 치료하기 위해, 상기 제 1 실시형태에 따른 레이저 장치 (1) 를 포함하고 이를 이용하여 각막의 곡률 또는 요철을 교정하는 장치이다.

도 4 에 나타낸 바와 같이, 광치료 장치 (80) 는, 기본적으로는, 장치 케이스 (90) 내에, 전술한 레이저 장치 (1); 이 레이저 장치 (1) 로부터 출력된 자외 레이저광 (Lv) 을 안구 (EY) 의 각막 (HC) 의 표면 (즉, 치료 부위) 으로 안내하여 조사하는 조사 광학계 (100); 및 치료 부위를 관찰하는 관찰 광학계 (110) 를 포함한다.

장치 케이스 (90) 는 XY 이동 테이블 (92) 을 이용하여 베이스부 (91) 상에 배치 및 설치되며; 안구 (EY) 에 대해 장치 케이스 (90) 전체가 도 4 에서의 화살표 X방향, 즉 도면 좌우 방향과 지면에 수직인 Y방향으로 이동 가능하게 구성된다.

도 5 는 조사 광학계 (100) 및 관찰 광학계 (110) 의 구성을 나타낸다. 조사 광학계 (100) 는, 레이저 장치 (1) 로부터 사출된 자외 레이저광 (Lv) 을 안구 (EY) 상에 소정의 스폿 (spot) 직경을 형성하도록 집광시키는 집광 렌즈 (101); 및 집광 렌즈 (101) 로부터의 자외 레이저광 (Lv) 을 반사시키고 치료 대상인 안구 (EY) 의 각막 (HC) 의 표면에 조사시키는 색선별 거울 (102) 을 포함한다. 색선별 거울 (102) 은, 자외 영역의 광을 반사시키고 가시 영역의 광을 투과시키도록 설정되며; 또한 후술하는 관찰 광학계 (110) 의 광축과 동축으로 자외 레이저광 (Lv) 을 반사시킬 수 있고 각막 (HC) 표면에 조사할 수 있다.

한편, 관찰 광학계 (110) 는, 치료 대상을 구성하는 안구 (EY) 의 각막 (HC) 의 표면을 조명하는 조명 램프 (115); 조명 램프 (115) 에 의해 조명되어 각막 (HC) 에 의해 반사되어 색선별 거울 (102) 을 투과한 가시 영역의 광을 수광하는 대물렌즈 (111); 대물렌즈 (111) 로부터의 광을 반사시키는 프리즘 (112); 및 프리즘 (112) 으로부터의 반사광을 수광하여 결상하는 접안렌즈 (113) 를 포함하며; 또한 관찰 광학계 (110) 는, 접안렌즈 (113) 를 통과하는 광으로부터 각막 (HC) 의 확대상이 관찰될 수 있도록 구성된다.

이에 의해, 안과의와 같은 전문가가 관찰 광학계 (110) 를 통해 치료 목표를 눈으로 관찰하면서 광치료를 수행할 수 있다. 예를 들어, 안구 (EY) 를 눈으로 관찰하면서 장치 케이스 (90) 를 X방향 및 Y방향으로 이동시키고, 치료 대상인 각막 (HC) 의 표면에 자외 레이저광을 스폿 광으로서 조사하고, 이에 의해 조사 영역의 애블레이션을 행한다. 또한, 작동 제어 장치 (미도시) 를 이용하여 XY 이동 테이블 (92) 의 작동을 제어하고, 장치 케이스 (90) 를 X방향 및 Y방향으로 이동시키고 각막 (HC) 의 표면상에 조사되는 스폿 광을 주사 이동시킴으로써, 근시, 난시, 및 원시 등의 교정 치료를 수행하여, 이에 의해 각막 표면의 애블레이션을 행할 수 있다.

본 실시형태의 광치료 장치에서는, 상기 제 1 실시형태에 따른 레이저 장치 (1) 가 이용되므로, 예를 들어, 조사 광학계 (100) 의 제조에 있어서 개별적인 차이가 발생하더라도, 레이저 장치 (1) 의 출력광의 파장을 변화시킴으로써 이들 개별적인 차이를 보정할 수 있다. 또한, 상기 제 1 실시형태에 따른 레이저 장치 (1) 가 이용되기 때문에 레이저 장치 (1) 의 출력광의 파장을 넓은 범위에 걸쳐 변화시킬수 있고, 이에 의해 상기 개별적인 차이가 비교적 크더라도 충분히 보정될 수 있다.

[제 3 실시형태]

도 6 은 본 발명의 제 3 실시형태에 따른 노광 장치 (120) 를 모식적으로 나타내는 개략적인 블록도이다. 본 발명에 따른 노광 장치 (120) 는 상기 제 1 실시형태에 따른 레이저 장치 (1) 를 이용하고, 반도체 제조 공정 중 하나인 포토리소그래피 공정에 의해 이용된다. 광리소그래피 공정에서 이용되는 노광 장치는 사진제판과 동일한 원리로 작동하며, 즉 포토마스크 (즉, 레티클) 상에 정밀하게 그려진 디바이스 패턴이, 포토레지스트로 도포된 반도체 웨이퍼, 유리 기판 등에 광학적으로 투영되어 전사된다.

본 실시형태에 따른 노광 장치 (120) 는, 전술한 레이저 장치 (1); 조사 광학계 (121) (즉, 조명 광학계); 포토마스크 (122) 를 지지하는 마스크 지지대 (123); 투영 광학계 (124); 노광 대상물인 감광 물체인 반도체 웨이퍼 (125) 를 재치되어 유지되는 재치대 (126); 및 재치대 (126) 를 수평으로 이동시키는 구동장치 (127) 를 포함한다.

노광 장치 (120) 에서는, 전술한 레이저 장치 (1) 로부터 출력되는 출력광이, 복수의 렌즈를 포함하는 조사 광학계 (121) 에 입사된 후, 마스크 지지대 (123) 에 의해 지지되는 포토마스크 (122) 의 전체 표면에 조사된다. 본 실시형태에서는, 레이저 장치 (1) 및 조사 광학계 (121) 는, 대상물인 포토마스크 (122) 를 조사하는 광조사 장치를 구성한다. 이 방식으로 조사되어 포토마스크 (122) 를 통과한 광은, 포토마스크 (122) 에 그려진 디바이스 패턴의 상을 포함하고, 이 광이 투영 광학계 (124) 를 통과하고 재치대 (126) 에 재치된 반도체 웨이퍼 (125) 의 소정 위치에 조사된다. 이때, 투영 광학계 (124) 에 의해 생성된 포토마스크 (122) 의 디바이스 패턴의 상이 반도체 웨이퍼 (125) 상에 형성되고, 이에 의해 반도체 웨이퍼 (125) 를 노광한다.

본 실시형태의 노광 장치 (120) 에서는, 상기 제 1 실시형태에 따른 레이저 장치 (1) 가 이용되므로, 예를 들어 투영 광학계 (124) 의 제조에 있어서 개별적인 차이가 발생하더라도, 레이저 장치 (1) 의 출력광의 파장을 변화시킴으로써 이들 개별적인 차이가 보정될 수 있다. 또한, 상기 제 1 실시형태에 따른 레이저 장치 (1) 가 이용되기 때문에, 레이저 장치 (1) 의 출력광의 파장이 넓은 범위에 걸쳐 변화될 수 있고, 이에 의해 상기 개별적인 차이가 상대적으로 크더라도 충분히 보정될 수 있다.

본 발명의 일실시형태에 따른 디바이스 제조 방법에서는, 반도체 디바이스는, 디바이스의 기능 및 성능을 설계하는 공정; 실리콘 재료로부터 웨이퍼를 형성하는 공정; 상기 제 3 실시형태에 따른 노광 장치 (120) 를 이용하여 포토마스크 (122) 를 통해 반도체 웨이퍼 (125) 를 노광하는 공정을 포함하는 리소그래피 공정, 예를 들어 에칭에 의한 회로 패턴을 형성하는 공정, 디바이스 조립 공정 (다이싱 공정, 본딩 공정, 패키지 공정을 포함함); 및 검사 공정에 의해 제조된다. 또한, 본 발명은, 반도체 디바이스를 제조하는 노광 장치에 한정되지 않으며, 다른 각종 디바이스를 제조하기 위한 노광 장치에도 또한 적응될 수 있다.

[제 4 실시형태]

도 7 은 본 발명의 제 4 실시형태에 따른 물체 검사 장치로서의 마스크 결함 검사 장치 (130) 를 나타내는 개략적인 블록도이다.

본 실시형태에 따른 마스크 결함 검사 장치 (130) 는, 포토마스크 (132) 상에 정밀하게 그려진 디바이스 패턴을 TDI (time delay and integration) 센서 (136) 상에 광학적으로 투영하고, 센서 화상과 소정의 참조 화상을 비교하고, 이들 화상 사이의 차이에 기초하여 임의의 패턴의 결함을 추출한다.

마스크 결함 검사 장치 (130) 는, 상기 제 1 실시형태에 따른 레이저 장치 (1); 조명 광학계 (131); 및 포토마스크 (132) 를 지지하는 마스크 지지대 (133); 마스크 지지대 (133) 를 수평 이동시키는 구동장치 (134); 투영 광학계 (135); TDI 센서 (136) 를 포함한다.

이 마스크 결함 검사 장치 (130) 에서는, 전술한 레이저 장치 (1) 로부터 출력되는 출력광이 복수의 렌즈를 포함하는 조명 광학계 (131) 에 입사되고, 이를 통과하여, 마스크 지지대 (133) 에 의해 지지되는 포토마스크 (132) 의 소정 영역에 조사된다. 이 방식으로 조사되어 포토마스크 (132) 를 통과한 광은, 포토마스크 (132) 상에 그려진 디바이스 패턴의 상을 포함하며; 또한 이 광은 투영 광학계 (135) 를 통과하여 TDI 센서 (136) 의 소정 위치에 결상된다. 또한, 마스크 지지대 (133) 의 수평 이동 속도는 TDI (136) 의 전송 클록과 동기화된다.

본 실시형태의 마스크 결함 검사 장치 (130) 에서는, 상기 제 1 실시형태에 따른 레이저 장치 (1) 가 이용되므로, 예를 들어, 투영 광학계 (135) 의 제조에 있어서 개별적인 차이가 발생하더라도, 레이저 장치 (1) 의 출력광의 파장을 변화시킴으로써 이들 개별적인 차이가 보정될 수 있다. 또한, 상기 제 1 실시형태에 따른 레이저 장치 (1) 가 이용되기 때문에, 레이저 장치 (1) 의 출력광의 파장을 넓은 범위에 걸쳐 변화될 수 있으며, 이에 의해 상기 개별적인 차이가 상대적으로 크더라도 충분히 보정될 수 있다.

이상, 본 발명의 각 실시형태에 대해 설명했지만, 본 발명은 이들 실시형태에 한정되는 것은 아니다.

예를 들어, 레이저 장치 (1) 로부터 출력되는 출력광의 파장의 가변 범위는 1.547㎛ 의 1/8 과 등가의 파장인 193.4nm 를 포함하는 범위에 한정되는 것은 아니다. 또한, 파장 변환부 (30) 의 구성은 전술한 구성에 한정되는 것은 아니다.

또한, 본 발명에 따른 레이저 장치 (1) 를 이용한 장치의 예로서 단지 상기 제 2 내지 제 4 실시형태를 들었지만, 본 발명에 따른 레이저 장치 (1) 는 다른 각종 장치에 적응될 수 있다. 또한, 전술한 제 2 내지 제 4 실시형태는, 상기 제 1 실시형태에 따른 레이저 장치 (1) 의 가변 파장 성능을 광학계의 보정에 이용하는 예였지만, 본 발명에 따른 레이저 장치의 용도는 이러한 보정으로 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 본 발명에 따른 레이저 장치 (1) 는, 측정될 물체에 광을 조사하고 이로부터 반사된 광을 분석함으로써 다양한 측정을 수행하는 측정 장치, 또는 측정 빔의 파장을 적극적으로 변화시킴으로써 측정될 물체에 대한 다른 정보를 획득하는 측정 장치에서 이용될 수 있으며; 또한 레이저 장치 (1) 의 출력광을 상기 가변 파장의 측정 빔으로서 이용될 수도 있다.

1: 레이저 장치
10: 기본 파장광 생성 유닛
11a, 31a, 32a, 34a, 37a, 39a, 40a: 온도 조정기
11b, 31b, 32b, 34b, 37b, 39b, 40b: 온도 검출기
20: 광증폭기 유닛
30: 파장 변환부
31, 32, 34, 37, 39, 40: 비선형 광학 결정
50: 주제어 유닛
60: 대응 정보 저장 유닛
70: 온도 제어 유닛
80: 광치료 장치
120: 노광 장치
130: 마스크 결함 검사 장치

Claims

가변 파장의 출력광을 출력하는 레이저 장치로서,
상기 출력광의 파장을 지정하는 출력 파장 명령 신호에 따라 기본 파장의 광을 생성하는 기본 파장광 생성 유닛;
상기 기본 파장의 광을 증폭하는 광증폭기 유닛;
각각이 파장 변환을 수행하는 복수의 비선형 광학 결정, 및 각각이 대응하는 비선형 광학 결정의 온도를 조정하는 복수의 온도 조정기를 포함하는 파장 변환부로서, 상기 광증폭기 유닛에 의해 증폭된 광을 상기 출력 파장 명령 신호에 의해 나타낸 파장의 광으로 변환하는, 상기 파장 변환부;
상기 출력광의 파장과 상기 대응하는 파장에 따라 설정되는 상기 각 비선형 광학 결정의 온도 간의 대응 관계를 나타내는 대응 정보를 저장하는 저장 유닛; 및
상기 각 온도 조정기를, 상기 대응하는 비선형 광학 결정의 온도가 상기 출력 파장 명령 신호에 따라 상기 대응 정보에 의해 결정되는 설정 온도에 도달하도록 제어하는 제어 유닛을 포함하는, 레이저 장치.
제 1 항에 있어서,
상기 기본 파장광 생성 유닛은 가변 파장 레이저 광원을 포함하는, 레이저 장치.
제 2 항에 있어서,
상기 가변 파장 레이저 광원은 레이저 광원 온도 조정기를 포함하며, 레이저 광원 온도 조정기에 의해 조정된 온도에 대응하는 발진 파장의 광을 상기 기본 파장의 광으로서 생성하고;
상기 저장 유닛은 상기 출력광의 파장과 그 파장에 따라 설정되는 상기 가변 파장 레이저 광원의 온도 간의 대응 관계를 나타내는 대응 정보를 저장하고;
상기 제어 유닛은 상기 레이저 광원 온도 조정기를 상기 가변 파장 레이저 광원의 온도가, 상기 출력 파장 명령 신호에 따라 상기 대응 정보에 의해 결정되는 설정 온도에 도달하도록 제어하는, 레이저 장치.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 따른 레이저 장치; 및
상기 레이저 장치로부터 출력되는 출력광을 치료 부위로 인도하여 조사하는 조사 광학계를 포함하는, 광치료 장치.
마스크의 패턴을 감광 물체에 전사하는 노광 장치로서,
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 따른 레이저 장치;
상기 레이저 장치로부터 출력되는 출력광을 상기 마스크에 조사하는 조명 광학계; 및
상기 마스크로부터의 광을 상기 감광 물체에 투영하는 투영 광학계를 포함하는, 노광 장치.
리소그래피 공정을 포함하는 디바이스 제조 방법으로서,
상기 리소그래피 공정에서는, 제 5 항에 따른 노광 장치를 이용하여 상기 마스크의 패턴을 상기 감광 물체에 전사하는 단계를 포함하는, 디바이스 제조 방법.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 따른 레이저 장치;
피검사물을 지지하는 지지부;
상기 피검사물의 투영상을 검출하는 검출기;
상기 레이저 장치로부터 출력되는 출력광을 상기 피검사물에 조사하는 조명 광학계; 및
상기 피검사물로부터의 광을 상기 검출기에 투영하는 투영 광학계를 포함하는, 물체 검사 장치.