KR20110079142A - 술폰화된 폴리술폰계 중합체를 이용한 폴리술폰계 내오염성 막, 그의 제조방법 및 술폰화된 폴리술폰계 중합체의 제조방법 - Google Patents

술폰화된 폴리술폰계 중합체를 이용한 폴리술폰계 내오염성 막, 그의 제조방법 및 술폰화된 폴리술폰계 중합체의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 술폰화된 폴리술폰계 중합체를 이용한 폴리술폰계 내오염성 막, 그의 제조방법 및 상기 술폰화된 폴리술폰계 중합체의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 폴리술폰계 내오염성 막은 소수성의 폴리술폰계 막에 친수성이 도입된 술폰화된 폴리술폰계 중합체가 함유된 것으로서, 통상의 폴리술폰계 중합체로만 제조된 막보다 투과도는 유지되면서, 오염원에 의한 유량 감소율이 적어 내오염성이 개선된다. 또한, 본 발명의 폴리술폰계 내오염성 막은 그 제조방법에서부터 친수성을 부여하는 술폰화된 폴리술폰계 중합체를 함유하여 막을 제조함으로써, 건조 및 여과를 반복하여도 본래 막의 친수성이 유지되고, 막의 기계적, 화학적, 열적 안정성뿐만 아니라, 오염원에 의한 투과도 감소를 줄여 막 수명이 연장되므로, 한외여과, 정밀여과, 역삼투막의 지지막으로 유용하다.
술폰화, 폴리술폰계, 중합체, 정밀여과막, 내오염성

Description

술폰화된 폴리술폰계 중합체를 이용한 폴리술폰계 내오염성 막, 그의 제조방법 및 술폰화된 폴리술폰계 중합체의 제조방법{FOULING RESISTANT POLYSULFONE MEMBRANE USING SULFONATED POLYSULFONE POLYMER, ITS PREPARATION METHOD AND MANUFCTURING METHOD OF SULFONATED POLYSULFONE POLYMER}
본 발명은 술폰화된 폴리술폰계 중합체를 이용한 폴리술폰계 내오염성 막, 그의 제조방법 및 상기 술폰화된 폴리술폰계 중합체의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 소수성의 폴리술폰계 막에 친수성이 도입된 술폰화된 폴리술폰계 중합체가 함유된 고분자용액을 이용하여 막이 제조됨으로써, 막의 가열 및 반복 건조 사용 후에는 본래 막의 친수성이 유지되고, 오염원에 의한 유량 감소율이 적은 폴리술폰계 내오염성 막, 그의 제조방법 및 상기 술폰화된 폴리술폰계 중합체의 제조방법에 관한 것이다.
폴리술폰계 중합체는 기계적 강도, 열적, 화학적 안정성에 의해 다양한 막 소재로서 사용된다. 그러나, 폴리술폰계 막은 소수성 특성으로 오염원에 의해 흡착이 잘 되고 그로 인해 막의 분리기능을 잃어 수명이 단축되는 문제점이 있다.
이러한 문제점을 해소하기 위하여, 소수성 막에 친수성을 부여하여 막 표면에 오염 원이 부착되는 것을 막아 막 수명을 증가시키기 위한 연구가 꾸준히 진행되고 있다. 그 일례로, 일본특허공개 제평7-185280호에서는 소수성 폴리술폰계 막을 수용성 고분자 물질 및 친수성 폴리페놀이 함유된 용액에 침지시키고, 그 폴리술폰계 막의 표면에 부착한 수용성 고분자 물질을 친수성 폴리페놀에 따라서 불용화시켜 제조하는 친수성 폴리설폰 막이 공지되어 있다.
또한, 일본특허공개 제2002-18245호에서는 폴리올레핀류와 같은 유기 고분자로 이루어지는 다공성 막의 표면 및 구멍 내부에 방사선 그라프트(graft) 중합법에 의해 양이온 교환기를 가지도록 하여 소수성 물질에 친수성을 부여하는 막의 제조방법을 개시하고 있다. 이외에, 대한민국 공개특허 제2009-0034976호에서는 미세여과 막 또는 한외여과막 등의 다공성 중합체 막의 개선방법으로서, 모노퍼술페이트 공급원 및 할라이드 이온, 경우에 따라 염기와 접촉시키는 후처리에 의해 다공성 중합체 막의 투수도 개선방법이 제안되어 있다.
그러나, 상기 친수화방법은 소수성 중합체에 친수성 물질을 코팅, 그라프트 중합, 후처리 방법에 의한 것으로, 가열 및 반복 건조 사용 후에는 그 본래의 친수성 성질이 사라지는 결점이 있다.
이에, 본 발명은 소수성의 폴리술폰계 막에 친수성을 부여하는 방법으로서, 막의 제조공정에서부터 친수성이 부여된 술폰화된 폴리술폰계 중합체를 함유하여 막을 제조함으로써, 가열 및 반복 건조 사용 후에도 본래 막의 친수성이 유지되고, 막의 기계적, 화학적, 열적 안정성뿐만 아니라, 오염원에 의한 유량 감소율이 적은 내오염성의 개선효과를 확인함으로써, 본 발명을 완성하였다.
본 발명의 목적은 폴리술폰계 중합체로 이루어진 막에, 친수성이 도입된 술폰화된 폴리술폰계 중합체가 함유된 폴리술폰계 내오염성 막을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 폴리술폰계 내오염성 막의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 친수성를 부여하는 술폰화된 폴리술폰계 중합체의 제조방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 폴리술폰계 중합체로 이루어진 막에, 하기 화학식 1로 표시되는 술폰화된 폴리술폰계 중합체 1∼20중량%가 함유된 폴리술폰계 내오염성 막을 제공한다.
화학식 1
Figure 112009082200645-PAT00001
(상기에서, m/(n+m)은 0.6 내지 0.9이고, x는 50 내지 1000이다.)
본 발명에서, 폴리술폰계 중합체는 폴리술폰, 폴리에테르술폰 및 폴리알릴에테르술폰 중합체로 이루어진 군에서 선택되는 단독 또는 혼합형태인 것이다.
본 발명의 폴리술폰계 내오염성 막은 상기 화학식 1로 표시되는 술폰화된 폴리술폰 계 중합체에 의해 술폰화도 60 내지 90%의 친수성이 부여된 것이다.
본 발명은 폴리술폰계 내오염성 막의 제조방법으로서, 1) 지지체 상에, 폴리술폰계 중합체 8∼20중량%, 술폰화된 폴리술폰계 중합체 1∼20중량%, 친수성 기공조절제 10∼20중량% 및 잔량의 용매로 이루어진 고분자용액을 캐스팅하여 막을 형성하는 제1공정; 2) 상기 형성된 막에 온도 20∼60℃ 및 습도 30∼80%로 유지된 공기분사에 의해 막의 상층부에 기공을 형성하는 제2공정; 및 3) 상기 공정 이후, 응고조에 침지하여 상기 지지체로부터 막을 박리시키는 제3공정;으로 이루어진 폴리술폰계 내오염성 막의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 제1공정의 고분자용액에서 사용되는 용매는 N-메틸-2-피롤리돈, 디메틸포름아마이드, 디메틸설폭사이드 및 디메틸아세트아마이드로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상이 바람직하다.
또한, 상기 고분자용액에서 사용되는 친수성 기공조절제는 폴리비닐피롤리돈, 폴리에틸렌글리콜 및 실리카로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상이며, 더욱 바람직하게는 분자량 10,000 내지 100,000의 범위를 가지는 폴리비닐피롤리돈을 친수성 기공조절제로 사용하는 것이다.
본 발명의 폴리술폰계 내오염성 막의 제조방법에서, 제2공정에서 형성되는 막 상층부의 기공크기는 0.01 내지 1.0㎛이며, 상기 상층부를 제외한 막의 하층부의 기공크기가 0.45 내지 10㎛를 충족한다. 이때, 상기 하층부의 기공크기는 지지체 상에 고분자용액을 캐스팅할 때, 지지지체와 고분자용액간의 온도차에 의해 형성되는 것이다.
나아가, 본 발명은 폴리술폰계 중합체 함유 유기용액에, 상기 폴리술폰계 중합체 100몰 대비, 술폰화제 5 내지 120몰비율이 함유된 유기용액을 첨가하면서 술폰화 반응공정에 의해 수행되는, 하기 화학식 1로 표시되는 술폰화된 폴리술폰계 중합체의 제조방법을 제공한다.
화학식 1
Figure 112009082200645-PAT00002
(상기에서, m/(n+m)은 0.6 내지 0.9이고, x는 50 내지 1000이다.)
상기 술폰화된 폴리술폰계 중합체의 제조방법에서, 술폰화제는 삼산화황 성분의 무수 황산, 삼산화황 성분의 발연 황산(fuming sulfuric acid), 90% 이상 함유된 농황산용액 및 클로로 술폰산으로 이루어진 군에서 선택되는 단독 또는 혼합형태를 사용하는 것이 바람직하다.
상기 술폰화된 폴리술폰계 중합체의 제조방법에서, 유기용액이란, 디클로로메탄, 1,2-디클로로에탄, 염화에틸, 사염화 탄소 및 1,1-디클로로에탄으로 이루어진 군에서 선택되는 단독 또는 혼합형태의 용매에 폴리술폰계 중합체 또는 술폰화제가 용해된 것이다.
특히, 술폰화된 폴리술폰계 중합체의 제조방법에서, 술폰화 반응공정은 0 내지 60℃ 온도에서 1 내지 5 시간 동안 수행되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따라 제공되는 폴리술폰계 내오염성막은 통상의 폴리술폰계 중합체로 이루어진 막에, 술폰화된 폴리술폰계 중합체가 함유되어 친수성과 소수성이 동시에 부여되어 막의 성능이 개선되고, 특히 오염원에 대한 내오염성의 개선효과가 크다.
또한, 본 발명의 폴리술폰계 내오염성 막은 친수성과 소수성을 동시에 띠며, 건조 및 여과를 반복하여도 본래 막의 친수성이 유지되고, 기계적, 화학적, 열적 안정성을 개선하고 오염원에 의한 투과도 감소를 줄여 막 수명을 증가시킬 수 있다.
이에, 본 발명의 폴리술폰계 내오염성 막은 한외여과, 정밀여과, 역삼투막의 지지막 등으로서 적합하게 사용할 수 있다.
나아가, 본 발명은 공업적 생산에 유리한 폴리술폰계 내오염성 막의 제조방법을 제공하며, 친수성을 부여할 수 있는 술폰화된 폴리술폰계 중합체의 제조방법을 제공할 수 있다.
이하, 본 발명을 상세히 설명하고자 한다.
본 발명은 폴리술폰계 중합체로 이루어진 막에,
하기 화학식 1로 표시되는 술폰화된 폴리술폰계 중합체 1∼20중량%가 함유된 폴리술폰계 내오염성 막을 제공한다.
화학식 1
Figure 112009082200645-PAT00003
(상기에서, m/(n+m)은 0.6 내지 0.9이고, x는 50 내지 1000이다.)
본 발명에서 폴리술폰계 중합체는 -SO2 그룹 주변의 방향족 그룹 사이의 공명전자의 의한 정전기적 인력에 의해 매우 안정적인 특징을 가지기 때문에 넓은 온도 범위에서의 안정성, 내화학성, 다양한 기공크기를 가질 수 있으며 기계적 강도가 우수하다.
상기 화학식 1로 표시되는 술폰화된 폴리술폰계 중합체에서, m/(n+m)는 0.6 내지 0.9로서, 이의 백분율을 술폰화도로 정의한다. 이때, m/(n+m)이 0.6 미만이면, 막의 친수성 특성이 약해 내오염성 향상이 미비하고, m/(n+m)이 0.9를 초과하면, 막의 강도가 떨어져서 바람직하지 않다.
이에, 상기 화학식 1로 표시되는 술폰화된 폴리술폰계 중합체에 의해 술폰화도 60 내지 90%의 친수성이 부여된 본 발명의 폴리술폰계 내오염성 막은 통상의 폴리술폰계 중합체로만 제조된 막 대비 투과도는 유지되면서, 오염원에 의한 유량 감소율이 적은 결과를 확인할 수 있다[표 1].
또한, x는 50 내지 1000이며, 상기 술폰화된 폴리술폰계 중합체의 중량 평균 분자량은 50,000 이상, 더욱 바람직하게는 50,000∼1,000,000, 가장 바람직하게는 50,000∼300,000이다.
본 발명에서 사용되는 폴리술폰계 중합체는 폴리술폰, 폴리에테르술폰 및 폴리알릴에테르술폰 중합체로 이루어진 군에서 선택되는 단독 또는 혼합형태를 포함한다.
또한, 본 발명의 폴리술폰계 내오염성 막은 제조공정에서부터, 친수성을 부여하는 술폰화된 폴리술폰계 중합체를 함유하여 제조되므로, 건조 및 여과를 반복하여도 본래 막의 친수성이 유지되고, 막 표면의 친수화로 인하여, 유기 오염물이 부착되는 것을 방지하여 내오염성 뿐만 아니라, 막의 수명을 증가시킨다.
본 발명은 상기 폴리술폰계 내오염성 막의 제조방법으로서,
1) 지지체 상에, 폴리술폰계 중합체 8∼20중량%, 술폰화된 폴리술폰계 중합체 1∼20중량%, 친수성 기공조절제 10∼20중량% 및 잔량의 용매로 이루어진 고분자용액을 캐스팅하여 막을 형성하는 제1공정;
2) 상기 형성된 막에 온도 20∼60℃ 및 습도 30∼80%로 유지된 공기분사에 의해 막의 상층부에 기공을 형성하는 제2공정; 및
3) 상기 공정 이후, 응고조에 침지하여 상기 지지체로부터 막을 박리시키는 제3공정;으로 이루어진 폴리술폰계 내오염성 막의 제조방법을 제공한다.
이하 공정 별로 상세히 설명하고자 한다.
본 발명의 제1공정은 폴리술폰 중합체에 친수성을 부여하고자 화학식 1로 표시되는 술폰화된 폴리술폰 중합체를 포함한 고분자용액을 특징으로 한다.
상기 고분자용액은 폴리술폰계 중합체 8∼20중량%, 술폰화된 폴리술폰계 중합체 1∼20중량%, 친수성 기공 조절제 10∼20중량% 및 잔량의 용매로 이루어지며, 상기 술폰화된 폴리술폰 중합체의 함량은 1∼20 중량%를 함유하는 바람직하다. 이때, 상기 술폰화된 폴리술폰 중합체 함량이 1 중량% 미만이면, 폴리설폰계 막의 내오염성 및 친수성 효과가 미비하고, 20 중량%를 초과하면, 막의 강도 및 물리적 특성이 감소하고, 투과도가 감소하는 문제가 있다.
본 발명의 고분자용액 중, 내부 기공을 형성하기 위한 조성으로 친수성 기공조절제를 사용하는데, 상기 용매와 잘 혼합되는 것이라면 사용 가능하나, 더욱 바람직하게는 폴리비닐피롤리돈, 폴리에틸렌글리콜 및 실리카로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 사용할 수 있다. 더욱 바람직하게는 분자량 10,000 내지 100,000의 범위를 가지는 폴리비닐피롤리돈을 친수성 기공조절제로서 사용할 수 있다.
본 발명의 실시예에서는 폴리비닐피롤리돈을 사용하고 있으나, 이에 한정되지는 않을 것이며, 상기 친수성 기공 조절제의 함량은 10∼20중량%를 함유한다. 이때, 10중량% 미만이면, 친수성 기공조절제의 효과가 미비하고, 20중량%를 초과하면, 막의 기공 형성이 잘 되지 않고, 투수도가 낮아져 바람직하지 않다.
본 발명의 제1공정에서 사용되는 고분자용액에서 용매는 N-메틸-2-피롤리돈, 디메틸포름아마이드, 디메틸설폭사이드 및 디메틸아세트아마이드로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상이 사용되며, 이때, 용매의 함량은 전체 100중량%에서 상기 조성함량을 제외한 잔량이 사용될 수 있다.
본 발명의 제1공정에 사용되는 지지체는 금속소재이며, 상기 금속소재 특성상, 그 표면온도는 8 내지 12℃이다. 지지체의 바람직한 일례로는 스테인리스 스틸, 알루미늄, 구리합금 등이 있다. 본 발명의 실시예에서는 스테인리스 스틸을 이용하여 설명하고 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 이때, 본 발명의 제1공정에서, 지지체 상에 고분자용액을 캐스팅할 때, 막의 두께는 100∼130㎛가 바람직하다.
본 발명의 제2공정은 형성된 막에 기공을 형성하는 단계로서, 제2공정에서 형성되는 막 상층부의 기공크기는 0.01 내지 1.0㎛ 직경이며, 상기 상층부를 제외한 막의 하층부의 기공크기가 0.45 내지 10㎛ 직경인 것을 충족한다.
먼저, 상층부에 기공형성하는 조건은 공기분사온도 20∼60℃ 및 습도 30∼80%로 유지된 조건하에서 공기분사속도 1∼20m/min으로 공기분사되어 기공을 형성한다. 이때, 공기 노출시간은 5초 내지 10분 동안 수행된다. 상기 공기분사속도가 1m/min미만이면, 공정 컨트롤의 문제가 있고, 20m/min를 초과하는 속도로 수행되면, 막 표면에 흠집을 발생하여 기공형성에 영향을 주기 때문에 바람직하지 않다.
또한, 공기분사 시, 공기 노출시간은 5초 내지 10분 동안 수행되는 것이 바람직하며, 이때, 5초 미만이면, 표면의 기공형성이 미흡하므로, 응고시키기 위한 체류시간을 충분하게 제어하도록 하는 것이 바람직하다. 이때, 공기노출시간이 10분을 초과하면, 막의 외관이 좋지 않아져 바람직하지 않다.
상기 공기분사에 의해 상층부의 기공크기는 0.01 내지 1.0㎛으로 형성된다.
또한, 하층부에 기공형성방법은 지지체 상에 고분자용액을 캐스팅할 때, 지지지체와 고분자용액간의 온도차에 의해 기공을 형성하는 것이다. 이때, 지지체는 금속소재의 특성상 그 표면온도가 8 내지 12℃이다. 이때, 지지체의 온도가 8℃미만으로 지나치게 낮으면, 접촉하는 고분자용액간의 온도차가 커져 균일한 도포가 어려워 막 형성을 어려우며, 반면에 12℃로 높게 유지되면, 고분자용액간의 온도차가 작아져 열유도상전이법에 의한 기공의 구조를 조절하기 비효율적이다.
상기 지지체 상에 캐스팅되는 고분자용액의 온도는 상기 지지체 온도보다 높은 온도로 유지하되, 바람직하게는 35 내지 60℃를 유지한다.
상기 지지체 상에 고분자용액을 캐스팅할 때, 지지지체와 고분자용액간의 온도차에 의해 막 하층부에 기공크기 0.45 내지 10㎛이 되도록 조절한다.
즉, 본 발명의 막 제조방법에 의해 상층부의 기공크기는 0.01 내지 1.0㎛이고, 하층부의 기공크기는 0.45 내지 10㎛로서, 비대칭구조의 술폰화된 폴리술폰계 막을 제공한다.
본 발명의 제조방법 중, 제3공정은 응고조에 침지하여 상기 지지체로부터 막을 박리시켜, 최종 술폰화기에 의해 친수성기가 도입된 폴리술폰계 막을 제조할 수 있다.
제2공정상, 공기에 노출된 고분자용액이 도포된 지지체를 고분자용액을 용해시키지 않는 응고조에 통과시킴으로써, 막을 고화시키고, 고화된 막은 상기 지지체로부터 박리된다. 이때, 상기 응고조는 이소프로필알코올 또는 물에서 선택되는 단독 또는 혼합형태가 사용되나, 이에 한정되지는 아니한다.
또한, 본 발명의 제조방법은 상기 박리된 막을 수세조에 침지하여 막 매트릭스 내부에 함유되어 있는 잔여 용매성분을 추출하여 기공을 형성하는 후공정을 더 수행할 수 있다.
나아가, 본 발명은 폴리술폰계 중합체 함유 유기용액에,
상기 폴리술폰계 중합체 100몰 대비, 술폰화제 5 내지 120몰비율이 함유된 유기용액을 첨가하면서 술폰화 반응공정에 의해 수행되는, 하기 화학식 1로 표시되는 술폰화된 폴리술폰계 중합체의 제조방법을 제공한다.
화학식 1
Figure 112009082200645-PAT00004
(상기에서, m/(n+m)은 0.6 내지 0.9이고, x는 50 내지 1000이다.)
본 발명의 술폰화된 폴리술폰계 중합체의 제조방법에 있어서, 상기 폴리술폰계 중합체는 방향족계 고분자로서, 방향족 모노머 단위를 구성 성분으로 하는 임의의 고분자를 사용할 수 있다. 바람직하게는 폴리술폰계 중합체로서, 폴리술폰, 폴리에테르술폰, 폴리알릴에테르술폰 또는 이들 중합체의 공중합체 또는 개질물 또는 이들의 혼합물이 사용될 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 술폰화된 폴리술폰계 중합체에서, m/(n+m)는 0.6 내지 0.9 이며, 상기에서, m/(n+m)이 0.6 미만이면, 막의 친수성 특성이 약해 내오염성 향상이 미비하고, m/(n+m)이 0.9를 초과하면, 막의 강도가 떨어져서 바람직하지 않다. 또한 x는 50 내지 1000이며, 상기 술폰화된 폴리술폰계 중합체의 중량 평균 분자량은 50,000 이상, 더욱 바람직하게는 50,000∼1,000,000, 가장 바람직하게는 50,000∼300,000이다.
본 발명의 술폰화된 폴리술폰계 중합체의 제조방법에서, 술폰화제는 방향족계 고분자를 술폰화할 수 있는 것이라면, 특별히 한정되지 않으나, 바람직하게는 삼산화황 성분의 무수 황산, 삼산화황 성분의 발연 황산(fuming sulfuric acid), 90% 이상 함유된 농황산용액 및 클로로 술폰산으로 이루어진 군에서 선택되는 단독 또는 혼 합형태를 사용하며, 더욱 바람직하게는 클로로 술폰산을 사용한다.
이때, 술폰화제의 함량은 반응성을 높이는 정도, 술폰화도 조절에 따라 결정되며, 폴리술폰계 중합체 100몰 대비, 5 내지 120몰비율로 사용되며, 더욱 바람직하게는 폴리술폰계 중합체 100몰 대비, 클로로 술폰산 10내지 120몰 존재 하에서 수행한다. 술폰화제의 함량이 폴리술폰계 중합체 100몰 대비, 5몰비율 미만이면, 술폰화 반응성이 작고, 120몰비를 초과하면, 여분의 클로로 술폰산의 비용 및 후처리에 문제가 있다.
본 발명의 술폰화된 폴리술폰계 중합체의 제조방법에서, 사용되는 용매는 설폰화제에 불활성이면, 특별히 한정되는 것이 않으나, 바람직하게는 디클로로메탄, 1,2-디클로로에탄, 염화 에틸, 사염화 탄소, 1,1-디클로로에탄 등에서 선택사용할 수 있고, 그 중에서 1,2-디클로로에탄이 바람직하다.
본 발명의 술폰화된 폴리술폰계 중합체의 제조방법에서, 술폰화 반응 공정의 반응온도는 사용하는 용매 및 폴리술폰계 중합물, 술폰화제에 따라 달라지나, 0 내지 60℃에서 수행하는 것이 바람직하다. 이때, 0℃보다 낮으면, 술폰화 반응이 잘 이루어 지지 않는 문제가 있고, 상기 60℃를 초과한 온도에서 실시하면, 부반응에 의한 부생성물이 생겨 바람직하지 않다.
또한, 술폰화 반응 공정의 반응시간은 반응물의 반응성에 따라서 달라지나, 1 내지 5 시간 동안 수행하는 것이 바람직하다.
상기 술폰화 공정 반응 종료이후, 통상의 방법에 의하여 반응액을 후처리하고 건조공정을 수행할 수 있다. 이때, 후처리 방법은 수산화나트륨 수용액에 의해 중성화 하는 것이 바람직하나, 특별히 한정되지 아니한다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명하고자 한다.
본 실시예는 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위한 것이며, 본 발명의 범위가 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.
<실시예 1> 술폰화된 폴리술폰계 중합체를　이용한 막 제조 1
단계 1: 술폰화된 폴리술폰계 중합체의 합성
1,2-디클로로에탄 520㎖에 폴리술폰계 중합체(Udel, P3500) 50g을 첨가하여 25℃로 유지하여 녹인 후, 클로로술폰산 9㎖를 1,2-디클로로에탄 104㎖에 희석하여 천천히 첨가하고, 4시간 동안 교반하였다. 반응 종결을 위해 남은 용매를 버리고 고분자를 메탄올로 세척하고, 물과 1N의 수산화나트륨 수용액을 이용하여 중성화시킨 후 50℃의 진공오븐에서 12시간 이상 건조하여 술폰화도가 60%인 술폰화된 폴리술폰계 중합체를 제조하였다.
단계 2: 막 제조
상기 단계 1에서 제조된 술폰화된 폴리술폰계 중합체 5중량%와 폴리술폰계 중합체 15중량%를 디메틸아세트아마이드 65중량%에 녹인 후 폴리비닐피롤리돈 15중량%를 첨가하여 50℃의 물배쓰(bath)에서 12시간 이상 교반하여 고분자 용액을 제조하였다.
상기 고분자 용액을 8℃의 스테인리스 스틸 지지체 상에 두께가 100∼120㎛ 되도록 0.2m/min 속도로 균일하여 코팅하였다. 이후, 온도 범위 20∼65℃, 습도 범위 30 ∼80% 구배 장치를 이용하여 공기에 노출시켜 코팅된 고분자 용액을 처리하여 상층부의 기공을 조절하고 이소프로필알코올/물의 조성비가 일정하게 유지되어 있는 혼합용액 응고조를 통과시켜 고화시켰다. 이후, 막을 지지체로부터 박리시키고, 수세조에서 막 내부에 함유되어 있는 잔여 용매성분을 추출하고, 80℃의 공기로 건조시켜 막을 제조하였다.
<실시예 2> 술폰화된 폴리술폰계 중합체를　이용한 막 제조 2
상기 실시예 1의 단계 1의 반응온도를 25℃에서 40℃로 변경하여 실시하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 1의 단계 1과 동일하게 수행하여 술폰화도가 73%인 술폰화된 폴리술폰계 중합체를 제조하였다. 상기 제조된 술폰화된 폴리술폰계 중합체를 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 1의 단계 2의 막제조 공정과 동일하게 수행하여, 막을 제조하였다.
<실시예 3> 술폰화된 폴리술폰계 중합체를　이용한 막 제조 3
상기 실시예 1의 단계 1의 반응온도를 25℃에서 60℃로 변경하여 실시하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 1의 단계 1과 동일하게 수행하여 술폰화도가 84%인 술폰화된 폴리술폰계 중합체를 제조하였다. 상기 제조된 술폰화된 폴리술폰계 중합체를 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 1의 단계 2의 막제조 공정과 동일하게 수행하여, 막을 제조하였다.
<비교예 1>
상기 실시예 1의 단계 1의 술폰화된 폴리술폰계 중합체 제조공정을 수행하지 않고, 폴리술폰계 중합체를 20중량%를 함유한 혼합용액을 이용하여, 상기 실시예 1의 단 계 2의 막제조 공정으로 실시하여, 막을 제조하였다.
<실험예 1> 막의 물성 측정
상기 실시예 1 내지 3 및 비교예1에서 제조된 막에 대하여, 평막 평가기((주)새한 제작)를 통해 일정한 압력(10kgf/cm2)으로 단위면적 및 분당 투과량을 측정하였다.
특히, DHC(Dirty Holding Capacity)는 막에 유입된 오염물의 양으로 정의될 수 있으며, 대용 특성치로서, 유량 감소율을 확인할 수 있는 방법이다. 상기 DHC 측정방법은 더스트(dust) 표준용액을 조제하여 일정한 압력(10kgf/cm2)으로 막 유량을 측정하고 그때, 유량감소를 측정하는 것이다. 그 결과를 하기 표 1에 기재하였다.


구분

고분자 농도

술폰화도
물성평가(㎖/min×㎠×bar)
투과도 DHC 유량감소율
실시예 1 술폰화된 폴리술폰계 5중량% 술폰화도 60% 40 40
폴리술폰계 15중량%
실시예 2 술폰화된 폴리술폰계 5중량% 술폰화도 73% 40 32
폴리술폰계 15중량%
실시예 3 술폰화된 폴리술폰계 5중량% 술폰화도 84% 43 21
폴리술폰계 15중량%
비교예 1 - 술폰화도 0% 40 70
폴리술폰계 20중량%
상기 표 1에서 보는 바와 같이, 실시예 1 내지 3에서 술폰화된 폴리술폰계 중합체를 함유하여 제조된 막은 통상의 폴리술폰계 중합체로만 제조된 비교예 1의 막보다 투과도에는 변화가 거의 없고, 오염물에 의한 유량감소율이 현저히 적어지는 것을 확인하였다.
즉, 막의 내오염성 성질 향상을 확인할 수 있으며, 특히, 실시예 1 내지 3에서 제조된 술폰화된 폴리술폰계 중합체를 함유하여 제조된 막은 상기 술폰화된 폴리술폰계 중합체의 술폰화도가 증가할수록, 오염물에 의한 유량감소율이 더욱 적어 내오염성이 향상되는 결과를 확인하였다. 따라서, 술폰화도가 가장 큰 실시예 3에서 제조된 막의 경우, 가장 큰 친수성을 보유하며, 이에 따른 내오염성이 증가함을 확인하였다.
상기에서 살펴본 바와 같이, 본 발명은 술폰화된 폴리술폰계 중합체를 이용하여 친수성을 부여하여, 막의 내오염성을 개선한 폴리술폰계 막을 제공하였다.
본 발명의 폴리술폰계 내오염성 막은 친수성과 소수성을 동시에 띠며, 건조 및 여과를 반복하여도 본래의 막의 친수성이 유지되고, 기계적, 화학적, 열적 안정성 및 오염원에 의한 유량 감소율이 적어 막 수명을 증가시킬 수 있다. 이에, 본 발명의 폴리술폰계 내오염성 막은 한외여과, 정밀여과, 역삼투막의 지지막 등으로서 적합하게 사용할 수 있다.
나아가, 본 발명의 술폰화된 폴리술폰계 중합체의 제조방법을 제공함으로써, 공업적 생산에 적합하므로 현장적용이 가능하다.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.

Claims (14)

  1. 폴리술폰계 중합체로 이루어진 막에,
    하기 화학식 1로 표시되는 술폰화된 폴리술폰계 중합체 1∼20중량%가 함유된 폴리술폰계 내오염성 막:
    화학식 1
    Figure 112009082200645-PAT00005
    상기에서, m/(n+m)은 0.6 내지 0.9이고, x는 50 내지 1000이다.
  2. 제1항에 있어서, 상기 폴리술폰계 중합체가 폴리술폰, 폴리에테르술폰 및 폴리알릴에테르술폰 중합체로 이루어진 군에서 선택되는 단독 또는 혼합형태인 것을 특징으로 하는 상기 폴리술폰계 내오염성 막.
  3. 제1항에 있어서, 상기 술폰화된 폴리술폰계 중합체에 의해 술폰화도 60 내지 90%의 친수성이 부여되는 것을 특징으로 하는 상기 폴리술폰계 내오염성 막.
  4. 지지체 상에, 폴리술폰계 중합체 8∼20중량%, 제1항의 술폰화된 폴리술폰계 중합체 1∼20중량%, 친수성 기공조절제 10∼20중량% 및 잔량의 용매로 이루어진 고분자용 액을 캐스팅하여 막을 형성하는 제1공정;
    상기 형성된 막에 온도 20∼60℃ 및 습도 30∼80%로 유지된 공기분사에 의해 막의 상층부에 기공을 형성하는 제2공정; 및
    상기 공정 이후, 응고조에 침지하여 상기 지지체로부터 막을 박리시키는 제3공정;으로 이루어진 폴리술폰계 내오염성 막의 제조방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 용매가 N-메틸-2-피롤리돈, 디메틸포름아마이드, 디메틸설폭사이드 및 디메틸아세트아마이드로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 상기 폴리술폰계 내오염성 막의 제조방법.
  6. 제4항에 있어서, 상기 친수성 기공조절제가 폴리비닐피롤리돈, 폴리에틸렌글리콜 및 실리카로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 상기 폴리술폰계 내오염성 막의 제조방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 친수성 기공조절제가　분자량 10,000 내지 100,000의 범위를 가지는 폴리비닐피롤리돈인 것을 특징으로 하는 상기 폴리술폰계 내오염성 막의 제조방법.
  8. 제4항에 있어서, 상기 상층부의 기공크기가 0.01 내지 1.0㎛인 것을 특징으로 하는 상기 폴리술폰계 내오염성 막의 제조방법.
  9. 제4항에 있어서, 상기 상층부를 제외한 막의 하층부의 기공크기가 0.45 내지 10㎛인 것을 특징으로 하는 상기 폴리술폰계 내오염성 막의 제조방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 하층부의 기공크기가 지지체 상에 고분자용액을 캐스팅할 때, 지지지체와 고분자용액간의 온도차에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 상기 폴리술폰계 내오염성 막의 제조방법.
  11. 폴리술폰계 중합체 함유 유기용액에,
    상기 폴리술폰계 중합체 100몰 대비, 술폰화제 5 내지 120몰비율이 함유된 유기용액을 첨가하면서 술폰화 반응공정에 의해 수행되는, 하기 화학식 1로 표시되는 술폰화된 폴리술폰계 중합체의 제조방법:
    화학식 1
    Figure 112009082200645-PAT00006
    상기에서, m/(n+m)은 0.6 내지 0.9이고, x는 50 내지 1000이다.
  12. 제11항에 있어서, 상기 술폰화제가 삼산화황 성분의 무수 황산, 삼산화황 성분의 발연 황산(fuming sulfuric acid), 90% 이상 함유된 농황산용액 및 클로로 술폰산 으로 이루어진 군에서 선택되는 단독 또는 혼합형태인 것을 특징으로 하는 상기 술폰화된 폴리술폰계 중합체의 제조방법.
  13. 제11항에 있어서, 상기 유기용액이 디클로로메탄, 1,2-디클로로에탄, 염화에틸, 사염화 탄소 및 1,1-디클로로에탄으로 이루어진 군에서 선택되는 단독 또는 혼합형태의 용매에 상기 폴리술폰계 중합체 또는 상기 술폰화제가 용해된 것을 특징으로 하는 상기 술폰화된 폴리술폰계 중합체의 제조방법.
  14. 제11항에 있어서, 상기 술폰화 반응공정이 0 내지 60℃ 온도에서 1 내지 5 시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 상기 술폰화된 폴리술폰계 중합체의 제조방법.
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