KR20110074798A - 액정 표시 소자 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 강유전성 액정을 사용한 액정 표시 소자에서, 지그재그 결함, 헤어핀 결함이나 더블 도메인 등의 배향 결함이 형성되지 않고 강유전성 액정의 모노 도메인 배향을 얻을 수 있으며, 상전이점 이상으로 승온하여도 그 배향을 유지할 수 있는, 배향 안정성이 우수한 액정 표시 소자를 제공하는 것을 주목적으로 한다. 본 발명은 2장의 기판 사이에 개재된 강유전성 액정을 포함하는 액정 표시 소자이며, 상기 기판의 대향면 상에는 각각 전극과 광 배향막이 순서대로 형성되어 있고, 상기 광 배향막의 구성 재료는 광 반응을 일으킴으로써 상기 배향막에 이방성을 부여하는 광 반응형 재료이며, 상기 강유전성 액정이 개재되어 상기 광 배향막의 구성 재료가 서로 다른 조성을 갖는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자를 제공함으로써 상기 목적을 달성한다.

Description

액정 표시 소자 {LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE}
본 발명은 강유전성 액정을 사용한 액정 표시 소자에 관한 것이고, 보다 상세하게는 광 배향막을 사용하여 강유전성 액정의 배향을 제어한 액정 표시 소자에 관한 것이다.
액정 표시 소자는 박형이며 저소비 전력 등이라는 특징으로부터, 대형 디스플레이로부터 휴대 정보 단말기까지 그 용도를 넓히고 있고, 그 개발이 활발히 행해지고 있다. 지금까지의 액정 표시 소자는 TN 방식, STN의 멀티플렉스 구동, TN에 박층 트랜지스터(TFT)를 사용한 활성 매트릭스 구동 등이 개발되어 실용화되고 있지만, 이들은 네마틱 액정을 사용하고 있기 때문에, 액정 재료의 응답 속도가 수 ms 내지 수십 ms로 느려 동화상 표시에 충분히 대응하고 있다고는 할 수 없다.
강유전성 액정(FLC)은 응답 속도가 μs 오더로 매우 짧고, 고속 디바이스에 적합한 액정이다. 강유전성 액정은 클락크(Clark) 및 라거월(Lagerwall)에 의해 제안된, 전압 비인가시에 안정 상태를 2개 갖는 쌍 안정성의 것이 널리 알려져 있지만(도 1), 명, 암의 2 상태로의 스위칭에 한정되고, 메모리성을 갖지만 계조 표시(gray scale)를 할 수 없다는 문제를 안고 있다.
최근, 전압 비인가시 액정층의 상태가 하나의 상태로 안정화된(이하, 이를 "단안정"이라 칭함) 강유전성 액정이 전압 변화에 의해 액정의 디렉터(분자축의 기울기)를 연속적으로 변화시켜 투과광도를 아날로그 변조함으로써 계조 표시를 가능하게 하는 것으로서 주목받고 있다(문헌 [NONAKA, T., LI, J., OGAWA, A., HORNUNG, B., SCHMIDT, W., WINGEN, R., and DUBAL, H., 1999, Liq. Cryst., 26, 1599.], 도 1). 이러한 단안정성을 나타내는 액정으로는, 통상 콜레스테릭상(Ch)-카이럴스멕틱 C상(SmC*)으로 상 변화하고, 스멕틱 A상(SmA)을 경유하지 않는 강유전성 액정이 사용된다. 이와 같이 강유전성 액정이 단안정성을 나타내는 경우에는, 메모리성을 갖지 않고, 화소마다 트랜지스터나 다이오드 등의 능동 소자를 부가한 능동 매트릭스 방식에 의해 구동시키는 것이 바람직하다. 그 중에서도, 능동 소자로서 TFT 소자를 사용한 능동 매트릭스 방식을 채용하면, 목적하는 화소를 확실하게 점등, 소등할 수 있기 때문에 고품질의 디스플레이가 가능해진다.
한편, 강유전성 액정은 네마틱 액정에 비해 분자의 질서성이 높기 때문에 배향이 어려워 지그재그 결함이나 헤어핀 결함이라 불리는 결함이 발생하기 쉽고, 이러한 결함은 광 누설에 의한 콘트라스트 저하의 원인이 된다. 특히, SmA상을 경유하지 않는 강유전성 액정은 층법선 방향이 다른 2개의 영역(이하, 이를 "더블 도메인"이라 칭함)이 발생된다(도 2). 이러한 더블 도메인은 구동시에 흑백 반전 표시가 되어, 큰 문제가 된다(도 3). 더블 도메인을 없애는 방법으로서, 액정셀을 Ch상 이상의 온도로 가열하고, 직류 전압을 인가한 상태에서 서서히 냉각하는 전계 인가 서냉법이 알려져 있지만(문헌 [PATEL, J., and GOODBY, J. W., 1986, J. Appl. Phys., 59, 2355.]), 이 방법에서는 온도가 다시 상전이점 이상으로 높아지면 배향 혼란이 발생되며, 화소 전극 사이의 전계가 작용하지 않는 부분에서 배향 혼란이 발생하는 등의 문제가 있다.
액정의 배향 처리 기술로는 배향막을 사용하는 것이 있고, 그 방법으로는 러빙법과 광 배향법이 있다. 러빙법은, 폴리이미드막을 코팅한 기판을 러빙 처리하여 폴리이미드 고분자쇄를 러빙 방향으로 배향시킴으로써 그 막 상의 액정 분자를 배향시키는 것이다. 러빙법은 네마틱 액정의 배향 제어가 우수하고, 일반적으로 공업적으로도 이용되고 있는 기술이다. 그러나, 이 방법에서는 정전기나 먼지의 발생, 러빙 조건의 차이에 의한 배향 규제력이나 틸트각의 불균일, 대면적 처리시의 얼룩 등의 문제가 있어, 배향 결함이 발생되기 쉬운 강유전성 액정의 배향 처리법에는 부적합하다. 또한, 러빙법에서는 더블 도메인을 개선하는 것은 불가능하다.
상기 러빙법 대신 비접촉 배향법으로서 광 배향법이 있다. 광 배향법은, 고분자막을 코팅한 기판에 편광을 제어한 빛을 조사하고, 고분자의 광 여기 반응(분해, 이성화, 이량화)을 발생시켜 고분자막에 이방성을 부여함으로써 그 막 상의 액정 분자를 배향시키는 것이다. 이 방법은, 러빙법의 문제점인 정전기나 먼지의 발생이 없고, 정량적인 배향 처리의 제어가 가능하다는 점에서 유용하다. 그러나, 이 방법을 이용하여도 더블 도메인의 발생을 억제하는 것은 곤란하여 모노 도메인 배향을 얻는 것은 어렵다.
강유전성 액정을 단안정화하는 다른 방법으로는 고분자 안정화법이 있다. 고분자 안정화법은 배향 처리를 실시한 액정셀에 자외선 경화형 단량체를 혼입한 강유전성 액정을 주입하고, 직류 또는 교류의 전압을 인가한 상태에서 자외선 조사를 행하고, 고분자화시킴으로써 안정화시키는 방법이지만, 제조 공정이 복잡해지고 구동 전압이 높아진다는 문제가 있다.
다른 모노 도메인화 방법으로서, 일본 특허 공개 제2003-5223호 공보에는 상하의 배향막 중 한쪽에 러빙 처리를 실시하고 다른쪽에 광 배향 처리를 실시함으로써 강유전성 액정을 배향시키는 방법이 기재되어 있다. 그러나, 이 방법에서는 한쪽에 러빙 처리를 실시하기 때문에, 상술한 바와 같은 정전기나 먼지의 발생, 대면적 처리시의 얼룩 등의 문제가 남는다.
한편, 최근 컬러 액정 표시 소자의 개발이 활발히 행해지고 있다. 컬러 표시를 실현하는 방법으로는, 일반적으로 컬러 필터 방식과 필드 시퀀셜(field sequential) 컬러 방식이 있다. 컬러 필터 방식은 백 라이트로서 백색 광원을 사용하고, R·G·B의 마이크로 컬러 필터를 각 화소에 부착함으로써 컬러 표시를 실현시키는 것이다. 이에 대하여, 필드 시퀀셜 컬러 방식은 백 라이트를 R·G·B·R·G·B…로 시간적으로 전환하고, 그와 동시에 강유전성 액정의 흑백 셔터를 개폐하고, 망막의 잔상 효과에 의해 색을 시간적으로 혼합함으로써 컬러 표시를 실현시키는 것이다. 이 필드 시퀀셜 컬러 방식은 1 화소로 컬러 표시가 가능하고, 투과율이 낮은 컬러 필터를 사용하지 않아도 상관없기 때문에, 밝고 고정밀한 컬러 표시가 가능해지고, 저소비 전력과 저비용을 실현할 수 있다는 점에서 유용하다. 그러나, 필드 시퀀셜 컬러 방식은 1 화소를 시간 분할하는 것이기 때문에, 양호한 동화상 표시 특성을 얻기 위해서는 흑백 셔터로서의 액정이 고속 응답성을 가질 필요가 있다. 강유전성 액정을 사용하면 이 과제는 해결할 수 있지만, 상술한 바와 같이 강유전성 액정은 배향 결함이 발생하기 쉽다는 문제가 있어 실용화되지는 못하고 있다.
본 발명은 강유전성 액정을 사용한 액정 표시 소자에서, 더블 도메인 등의 배향 결함이 형성되지 않아 강유전성 액정의 모노 도메인 배향을 얻을 수 있으며 상전이점 이상으로 승온하여도 그 배향을 유지할 수 있는, 배향 안정성이 우수한 액정 표시 소자를 제공하는 것을 주된 목적으로 한다.
본 발명자들은 상기 실정을 감안하여 예의 검토한 결과, 2장의 기판의 대향면 상에 각각 광 배향막을 형성하고, 이들 광 배향막의 재료로서 상하에 다른 조성을 사용함으로써, 더블 도메인 등의 배향 결함의 발생이 억제되어 모노 도메인의 강유전성 액정의 배향이 얻어지는 것을 발견하여 본 발명을 완성시켰다.
즉, 본 발명에서는, 2장의 기판 사이에 개재된 강유전성 액정을 포함하는 액정 표시 소자이며, 상기 기판의 대향면 상에는 각각 전극과 광 배향막이 순서대로 형성되어 있고, 상기 광 배향막의 구성 재료는 광 반응을 일으킴으로써 상기 광 배향막에 이방성을 부여하는 광 반응형 재료이며, 상기 강유전성 액정이 개재되어 상기 광 배향막의 구성 재료가 서로 다른 조성을 갖는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자를 제공한다.
본 발명에서는, 상하 기판의 대향면 상에 각각 광 배향막을 가지며, 상기 광 배향막의 구성 재료는 광 반응을 일으킴으로써 상기 광 배향막에 이방성을 부여하는 광 반응형 재료이며, 강유전성 액정이 개재되어 상기 광 배향막이 서로 다른 조성의 재료로 구성됨으로써, 더블 도메인 등의 배향 결함이 형성되지 않고 강유전성 액정을 배향시킬 수 있는 효과를 발휘한다. 또한, 전계 인가 서냉 방식에 의하지 않고, 광 배향막을 사용하여 배향 처리를 행하는 것이기 때문에, 상전이점 이상으로 승온하여도 그 배향이 유지되어 더블 도메인 등의 배향 결함의 발생을 억제할 수 있다는 이점을 갖는다. 또한, 여기서 말하는 광 반응이란 광 조사에 의해 분자 자체가 변화되는 반응을 말하며, 이러한 광 반응형 재료를 사용함으로써 광 배향막에 용이하게 이방성을 부여할 수 있다.
상기 광 반응은 광 이량화 반응 또는 광 분해 반응인 것이 바람직하다. 이들 광 반응을 이용함으로써, 광 배향막에 이방성을 부여하는 것이 보다 용이해지기 때문이다.
상기 광 반응형 재료는 라디칼 중합성 관능기를 가지며, 편광 방향에 따라 흡수를 달리하는 2색성을 갖는 광 이량화 반응성 화합물을 포함하는 것이 바람직하다. 편광 방향으로 배향된 반응 부위를 라디칼 중합함으로써, 상기 광 배향막에 용이하게 이방성을 부여할 수 있기 때문이다.
상기 광 이량화 반응성 화합물은 측쇄로서 신남산에스테르, 쿠마린 또는 퀴놀린 중 어느 하나를 포함하는 이량화 반응성 중합체인 것이 바람직하다. 편광 방향으로 평행하게 배향된 α, β 불포화케톤의 이중 결합이 반응 부위가 되어 라디칼 중합함으로써, 상기 광 배향막에 용이하게 이방성을 부여할 수 있기 때문이다.
상기 광 이량화 반응성 화합물은, 하기 화학식으로 표시되는 이량화 반응성 중합체 중 하나 이상인 것이 바람직하다.
Figure pat00001
상기 이량화 반응성 중합체는 반응에 필요한 에너지가 적고, R11이나 R12의 부분에 알맞은 관능기를 선택할 수 있기 때문이다.
상기 강유전성 액정은 단안정성을 나타내는 것이 바람직하다. 강유전성 액정으로서 단안정성을 나타내는 것을 사용함으로써, 본 발명의 구성으로 하는 것의 효과가 현저해지기 때문이다.
상기 강유전성 액정은 상계열에 스멕틱 A상을 갖지 않는 것이 바람직하다. 상술한 바와 같이, 상계열에 스멕틱 A상을 갖지 않는 강유전성 액정은 더블 도메인 등의 배향 결함을 일으키기 쉽지만, 강유전성 액정을 개재하여 상하 광 배향막의 조성을 서로 다른 것으로 함으로써 더블 도메인 등의 배향 결함의 발생을 억제할 수 있어서 본 발명의 구성으로 하는 것의 효과가 현저해지기 때문이다.
상기 강유전성 액정은 단일상을 구성하는 것이 바람직하다. 본 발명의 액정 표시 소자는 단일상의 강유전성 액정을 사용하여도 양호한 배향을 얻을 수 있어서 배향을 제어하기 위해 고분자 안정화법 등의 수법을 이용할 필요가 없으며, 제조 공정이 용이해지고, 구동 전압을 낮출 수 있다는 이점을 갖는다.
상기 액정 표시 소자는, 박막 트랜지스터(TFT)를 사용한 능동 매트릭스 방식에 의해 구동시키는 것이 바람직하다. TFT 소자를 사용한 능동 매트릭스 방식을 채용함으로써, 목적하는 화소를 확실하게 점등, 소등할 수 있기 때문에 고품질의 디스플레이가 가능해지기 때문이다. 또한, 한쪽 기판 상에 TFT 소자를 매트릭스상으로 배치하여 이루어지는 TFT 기판과, 다른쪽의 기판 상의 표시부 전역에 공통 전극을 형성하여 이루어지는 공통 전극 기판을 조합하고, 상기 공통 전극 기판의 공통 전극과 기판 사이에 TFT 소자가 매트릭스 배치된 마이크로 컬러 필터를 형성하여 얻은 것을 컬러 액정 표시 소자로서 사용할 수도 있다.
또한, 상기 액정 표시 소자는 필드 시퀀셜 컬러 방식에 의해 구동시키는 것이 바람직하다. 상기 액정 표시 소자는 응답 속도가 빠르고 배향 결함을 일으키지 않고 강유전성 액정을 배향시킬 수 있기 때문에, 필드 시퀀셜 컬러 방식에 의해 구동시키는 경우 저소비 전력과 저비용으로 시야각이 넓으며 밝고 고정밀한 컬러 동화상 표시를 실현할 수 있기 때문이다.
본 발명의 액정 표시 소자는 지그재그 결함, 헤어핀 결함이나 더블 도메인 등의 배향 결함이 형성되지 않고 강유전성 액정을 배향시킬 수 있으며, 상전이점 이상으로 승온하여도 배향의 혼란이 발생되기 어려운, 배향 안정성이 우수한 액정 표시 소자를 얻을 수 있다는 점에서 유용하다.
도 1은 강유전성 액정의 인가 전압에 대한 투과율의 변화를 나타낸 그래프이다.
도 2는 강유전성 액정이 갖는 상계열의 차이에 의한 배향 결함의 차이를 나타낸 도면이다.
도 3은 강유전성 액정의 배향 결함인 더블 도메인을 나타낸 사진이다.
도 4는 본 발명의 액정 표시 소자의 일례를 나타내는 개략 사시도이다.
도 5는 본 발명의 액정 표시 소자의 일례를 나타내는 개략 단면도이다.
이하, 본 발명의 액정 표시 소자에 대해서 상세히 설명한다. 본 발명의 액정 표시 소자는 2장의 기판 사이에 개재된 강유전성 액정을 포함하는 액정 표시 소자이며, 상기 기판의 대향면 상에는 각각 전극과 광 배향막이 순서대로 형성되어 있고, 상기 강유전성 액정이 개재되어 상기 광 배향막의 구성 재료가 서로 다른 조성인 것을 특징으로 한다.
이러한 본 발명의 액정 표시 소자에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다. 도 4는 본 발명의 액정 표시 소자의 일례를 나타내는 개략 사시도이고, 도 5는 개략 단면도이다. 도면에 도시한 바와 같이, 기판 (4a)에 공통 전극 (3a)가 설치되고, 대향 기판 (4b) 상에는 x 전극 (3b), y 전극 (3c), 화소 전극 (3d)가 설치되어 있으며, 이들 전극이 구성하는 전극층의 내측에는 광 배향막 (2a, 2b)가 형성되어 있다. 상기 광 배향막 (2a, 2b) 사이에는 강유전성 액정이 개재되어 액정층 (1)이 구성된다. 또한, 도 4에서는 광 배향막 (2a, 2b)를 생략하고 있다.
상기 기판 (4a, 4b)의 외측에는 편광판 (5a, 5b)가 설치될 수도 있고, 이에 따라 입사광이 직선 편광이 되어 액정 분자의 배향 방향으로 편광된 빛만을 투과시킬 수 있다. 상기 편광판 (5a, 5b)는, 편광 방향이 90°비틀어져 배치되어 있다. 이에 따라, 전압 비인가 상태와 인가 상태에서의 액정 분자의 광축 방향이나 복굴절률의 크기를 제어하고, 강유전성 액정 분자를 흑백 셔터로서 사용함으로써, 명 상태와 암 상태를 만들 수 있다. 예를 들면, 전압 비인가 상태에서는, 편광판 (5a)를 액정 분자의 배향과 일치하도록 설치함으로써, 편광판 (5a)를 투과한 빛은 편광 방향을 90°회전할 수 없고, 편광판 (5b)에 의해 차단되어 암 상태가 된다. 이에 대하여, 전압 인가 상태에서는 전압에 의해 액정 분자의 방향이 변화되고, 초기 상태로부터 각도 θ만큼 회전함으로써, 빛의 편광 방향이 90°비틀어져 편광판 (5b)를 투과하여 명 상태가 된다. 이로써, 인가 전압에 의해 투과 광량을 제어함으로써 계조 표시가 가능해진다.
본 발명의 액정 표시 소자는, 이와 같이 상하 기판의 대향면 상에 각각 광 배향막을 가지며, 강유전성 액정이 개재되어 상기 광 배향막이 서로 다른 조성의 재료로 구성됨으로써, 지그재그 결함, 헤어핀 결함이나 더블 도메인 등의 배향 결함의 발생을 억제하여 강유전성 액정의 모노 도메인 배향을 얻을 수 있다. 또한, 본 발명은 전계 인가 서냉 방식을 이용하지 않고 강유전성 액정을 배향시키기 때문에, 전계 인가 서냉 방식의 문제점인 상전이점 이상으로 승온하는 것에 의한 배향 혼란이 일어나기 어려워 배향 안정성이 우수하다는 이점을 갖는다. 광 배향막의 구성 재료로서 다른 조성을 사용함으로써 양호한 배향 상태가 얻어지는 이유는 분명하지 않지만, 상하 광 배향막의 각각과 강유전성 액정의 상호 작용의 차이에 의한 것으로 생각된다. 이와 같이 본 발명의 액정 표시 소자는, 강유전성 액정을 흑백 셔터로서 사용하기 때문에, 응답 속도를 빠르게 할 수 있다는 이점을 갖는다.
또한, 본 발명의 액정 표시 소자는, 예를 들면 도 4에 도시한 바와 같이, 한쪽 기판을 박막 트랜지스터(TFT) (7)이 매트릭스상으로 배치된 TFT 기판으로 하고, 다른쪽 기판을 공통 전극 (3a)가 전역에 형성된 공통 전극 기판으로 하여, 이 2개의 기판을 조합한 것이 바람직하다. 이러한 TFT 소자를 사용한 능동 매트릭스 방식의 액정 표시 소자에 대해서 이하에 설명한다.
도 4에서는, 한쪽 기판은 전극이 공통 전극 (3a)이므로, 공통 전극 기판이 되며, 한편 대향 기판은 전극이 x 전극 (3b), y 전극 (3c) 및 화소 전극 (3d)로 구성되므로 TFT 기판이 된다. 이러한 액정 표시 소자에서, x 전극 (3b) 및 y 전극 (3c)는 각각 종횡으로 배열되어 있으며, 이들 전극에 신호를 가함으로써 TFT 소자 (7)을 작동시켜 강유전성 액정을 구동시킬 수 있다. x 전극 (3b) 및 y 전극 (3c)가 교차된 부분은 도시하지 않았지만 절연층으로 절연되어 있고, x 전극 (3b)의 신호와 y 전극 (3c)의 신호는 독립적으로 동작할 수 있다. x 전극 (3b) 및 y 전극 (3c)에 의해 둘러싸인 부분은, 본 발명의 액정 표시 소자를 구동하는 최소 단위인 화소이고, 각 화소에는 적어도 1개 이상의 TFT 소자 (7) 및 화소 전극 (3d)가 형성되어 있다. 본 발명의 액정 표시 소자에서는, x 전극 (3b) 및 y 전극 (3c)에 차례로 신호 전압을 가함으로써, 각 화소의 TFT 소자 (7)을 동작시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 액정 표시 소자는, 상기 공통 전극 (3a)와 기판 (4a) 사이에 TFT 소자 (7)이 매트릭스상으로 배치된 마이크로 컬러 필터를 형성하여 컬러 액정 표시 소자로서 사용할 수도 있다. 이러한 본 발명의 액정 표시 소자의 각 구성 부재에 대해서 이하에 상세히 설명한다.
1. 액정 표시 소자의 구성 부재
광 배향막
광 배향막은 고분자막을 코팅한 기판에 편광을 제어한 빛을 조사하고, 고분자의 광 여기 반응(분해, 이성화, 이량화)을 일으켜 고분자막에 이방성을 부여함으로써 그 막 상의 액정 분자를 배향시킨 것이다.
본 발명에 사용되는 광 배향막의 구성 재료는 빛을 조사하여 광 여기 반응을 일으킴으로써 강유전성 액정을 배향시키는 효과(광 배열성: photoaligning)를 갖는 것이면 특별히 한정되는 것은 아니며, 이러한 재료로는 대략 분자의 형상만이 변화되어 가역적인 배향 변화가 가능한 광 이성화형과, 분자 그 자체가 변화되는 광 반응형으로 나눌 수 있다. 이들 중에서도, 본 발명에서는 광 반응을 일으킴으로써 상기 광 배향막에 이방성을 부여하는 광 반응형 재료인 것이 바람직하다. 광 반응형 재료를 사용함으로써 광 배향막에 용이하게 이방성을 부여할 수 있기 때문이다.
상기 광 배향막의 구성 재료가 광 여기 반응을 일으키는 빛의 파장 영역은 자외광 영역의 범위 내, 즉 10 nm 내지 400 nm의 범위 내인 것이 바람직하고, 250 nm 내지 380 nm의 범위 내인 것이 보다 바람직하다.
상기 광 반응은 광 조사에 의해 분자 그 자체가 변화되고, 광 배향막의 광 배열성에 이방성을 부여할 수 있는 것이면 특별히 한정되는 것은 아니지만, 광 배향막에 이방성을 부여하는 것이 보다 용이해지기 때문에, 광 이량화 반응 또는 광 분해 반응이 바람직하다. 여기서 광 이량화 반응이란, 광 조사에 의해 편광 방향으로 배향된 반응 부위가 라디칼 중합하여 분자 2개가 중합하는 반응을 말한다. 이 반응에 의해 편광 방향의 배향을 안정화시키고, 광 배향막에 이방성을 부여할 수 있다. 한편, 광 분해 반응이란, 광 조사에 의해 편광 방향으로 배향된 폴리이미드 등의 분자쇄를 분해하는 반응을 말한다. 이 반응에 의해 편광 방향에 수직인 방향으로 배향된 분자쇄를 남겨 광 배향막에 이방성을 부여할 수 있다. 광 분해 반응을 이용한 광 반응형 재료로는, 예를 들면 닛산 가가꾸 고교(주) 제조의 폴리이미드 "RN1199" 등을 들 수 있다. 이들 광 반응형 재료 중 본 발명에서는, 노광 감도가 높고 재료 선택의 폭이 넓기 때문에, 광 이량화 반응에 의해 광 배향막에 이방성을 부여하는 재료를 사용하는 것이 보다 바람직하다.
광 이량화 반응을 이용한 광 반응형 재료로는, 광 이량화 반응에 의해 광 배향막에 이방성을 부여할 수 있는 재료이면 특별히 한정되는 것은 아니지만, 라디칼 중합성 관능기를 가지며 편광 방향에 따라 흡수를 달리하는 2색성을 갖는 광 이량화 반응성 화합물을 포함하는 것이 바람직하다. 편광 방향으로 배향된 반응 부위를 라디칼 중합함으로써, 광 이량화 반응성 화합물의 배향이 안정화되고, 광 배향막에 용이하게 이방성을 부여할 수 있기 때문이다.
이러한 특성을 갖는 광 이량화 반응성 화합물로는, 측쇄로서 신남산에스테르, 쿠마린, 퀴놀린, 칼콘기 및 신나모일기로부터 선택되는 1종 이상의 반응 부위를 갖는 이량화 반응성 중합체를 들 수 있다.
이들 중에서도 광 이량화 반응성 화합물로는, 측쇄로서 신남산에스테르, 쿠마린 또는 퀴놀린 중 어느 하나를 포함하는 이량화 반응성 중합체인 것이 바람직하다. 편광 방향으로 배향된 α, β 불포화케톤의 이중 결합이 반응 부위가 되어 라디칼 중합함으로써, 광 배향막에 용이하게 이방성을 부여할 수 있기 때문이다.
상기 이량화 반응성 중합체의 주쇄로는, 중합체 주쇄로서 일반적으로 알려져 있는 것이면 특별히 한정되는 것은 아니지만, 방향족 탄화수소기 등의 상기 측쇄의 반응 부위끼리 상호 작용을 방해하는 것과 같은 π 전자를 많이 포함하는 치환기를 갖지 않은 것이 바람직하다.
상기 이량화 반응성 중합체의 중량 평균 분자량은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 5,000 내지 40,000의 범위 내인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 10,000 내지 20,000의 범위 내이다. 또한, 중량 평균 분자량은 겔 투과 크로마토그래피(GPC)법에 의해 측정할 수 있다. 상기 이량화 반응성 중합체의 중량 평균 분자량이 지나치게 작으면, 광 배향막에 적절한 이방성을 부여할 수 없는 경우가 있다. 반대로, 지나치게 크면, 광 배향막 형성시 도공액의 점도가 높아지고, 균일한 도막을 형성하기 어려운 경우가 있다.
이량화 반응성 중합체로는, 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 예시할 수 있다.
Figure pat00002
상기 화학식 1에서, M1 및 M2는 각각 독립적으로 단중합체 또는 공중합체의 단량체 단위를 나타낸다. 예를 들면, 에틸렌, 아크릴레이트, 메타크릴레이트, 2-클로로아크릴레이트, 아크릴아미드, 메타크릴아미드, 2-클로로아크릴아미드, 스티렌 유도체, 말레산 유도체, 실록산 등을 들 수 있다. M2로는, 아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴, 메타크릴레이트, 메틸메타크릴레이트, 히드록시알킬아크릴레이트 또는 히드록시알킬메타크릴레이트일 수도 있다. x 및 y는 공중합체로 한 경우의 각 단량체 단위의 몰비를 나타내며, 각각 0<x≤1, 0≤y<1이고, 또한 x+y=1을 충족하는 수이다. n은 4 내지 30,000의 정수를 나타낸다. D1 및 D2는 스페이서 단위를 나타낸다.
R1은 -A-(Z1-B)Z-Z2-로 표시되는 기이고, R2는 -A-(Z1-B)Z-Z3-으로 표시되는 기이다. 여기서, A 및 B는 각각 독립적으로 공유 단결합, 피리딘-2,5-디일, 피리미딘-2,5-디일, 1,4-시클로헥실렌, 1,3-디옥산-2,5-디일, 또는 치환기를 가질 수도 있는 1,4-페닐렌을 나타낸다. 또한, Z1 및 Z2는 각각 독립적으로 공유 단결합, -CH2-CH2-, CH2O-, -OCH2-, -CONR-, -RNCO-, -COO- 또는 -OOC-를 나타낸다. R은 수소 원자 또는 저급 알킬기이고, Z3은 수소 원자, 치환기를 가질 수도 있는 탄소수 1 내지 12의 알킬 또는 알콕시, 시아노, 니트로, 할로겐이다. z는 0 내지 4의 정수이다. E1은 광 이량화 반응 부위를 나타내고, 예를 들면 신남산에스테르, 쿠마린, 퀴놀린, 칼콘기, 신나모일기 등을 들 수 있다. j 및 k는 각각 독립적으로 0 또는 1이다.
본 발명에서는 광 이량화 반응성 화합물로서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 중에서 요구 특성에 따라 광 이량화 반응 부위나 치환기를 여러 가지 선택함으로써, 상하 광 배향막의 조성을 다른 것으로 할 수 있다. 이 경우에, 상하의 광 배향막에 사용되는 광 이량화 반응성 화합물의 광 이량화 반응 부위는 동일하거나 상이할 수 있다. 또한, 광 이량화 반응성 화합물로서, 상기 화합물을 2종 이상 조합하여 사용할 수도 있다. 이 경우에는, 이들의 조합을 변경함으로써 광 배향막의 조성을 변화시키는 것도 가능하다. 또한, 동일한 조합을 사용하는 경우에도, 각각의 화합물의 첨가량을 변화시킴으로써 상하 광 배향막의 조성을 다른 것으로 할 수 있다.
이러한 이량화 반응성 중합체로서, 보다 바람직하게는 하기 화학식으로 표시되는 화합물을 들 수 있다.
Figure pat00003
상기 이량화 반응성 중합체 중에서도, 하기 화학식으로 표시되는 화합물 1 내지 4 중 하나 이상인 것이 특히 바람직하다.
Figure pat00004
광 이량화 반응을 이용한 광 반응형 재료로는, 상기 광 이량화 반응성 화합물 이외에, 광 배향막의 광 배열성을 방해하지 않는 범위 내에서 첨가제를 포함할 수 있다. 상기 첨가제로는 중합 개시제, 중합 금지제 등을 들 수 있다.
중합 개시제 또는 중합 금지제는, 일반적으로 공지된 화합물 중에서 광 이량화 반응성 화합물의 종류에 따라 적절하게 선택하여 사용할 수 있다. 중합 개시제 또는 중합 금지제의 첨가량은 광 이량화 반응성 화합물에 대하여 0.001 중량％ 내지 20 중량％의 범위 내인 것이 바람직하고, 0.1 중량％ 내지 5 중량％의 범위 내인 것이 보다 바람직하다. 중합 개시제 또는 중합 금지제의 첨가량이 지나치게 적으면 중합이 개시(금지)되지 않는 경우가 있고, 반대로 지나치게 많으면, 반응이 저해되는 경우가 있기 때문이다.
상술한 바와 같이, 본 발명에서는 광 배향막 (2a)와 광 배향막 (2b)의 구성 재료가 다른 조성이고, 사용되는 광 이량화 반응성 중합체를 여러 가지 선택함으로써 상하 광 배향막의 조성을 변화시킬 수 있지만, 상기 첨가제의 첨가량을 변경함으로써 조성을 변화시킬 수도 있다.
이어서, 광 배향 처리 방법에 대해서 설명한다. 우선, 전극이 설치된 기판의 액정층과 대향하는 면 상에 상술한 광 배향막의 구성 재료를 유기 용제로 희석한 도공액을 코팅하여 건조시킨다. 이 경우에, 도공액 중 광 이량화 반응성 화합물의 함유량은 0.05 중량％ 내지 10 중량％의 범위 내인 것이 바람직하고, 0.2 중량％ 내지 2 중량％의 범위 내인 것이 보다 바람직하다. 광 이량화 반응성 화합물의 함유량이 지나치게 적으면 배향막에 적절한 이방성을 부여하는 것이 곤란해지고, 반대로 지나치게 많으면 도공액의 점도가 높아지기 때문에 균일한 도막을 형성하기 어려워지기 때문이다.
코팅법으로는, 스핀 코팅법, 롤 코팅법, 로드 바 코팅법, 분무 코팅법, 에어나이프 코팅법, 슬릿 다이 코팅법, 와이어 바 코팅법 등을 사용할 수 있다.
상기 구성 재료를 코팅함으로써 얻어지는 고분자막의 두께는 1 nm 내지 200 nm의 범위 내인 것이 바람직하고, 3 nm 내지 100 nm의 범위 내인 것이 보다 바람직하다. 상기 고분자막의 두께가 지나치게 얇으면 충분한 광 배열성이 얻어지지 않는 경우가 있고, 반대로 두께가 지나치게 두꺼우면 액정 분자가 배향 혼란을 일으키는 경우가 있으며 비용적으로 바람직하지 않기 때문이다.
얻어진 고분자막은 편광을 제어한 빛을 조사함으로써 광 여기 반응을 일으켜 이방성을 부여할 수 있다. 조사하는 빛의 파장 영역은, 사용되는 광 배향막의 구성 재료에 따라서 적절하게 선택할 수 있지만, 자외광 영역의 범위 내, 즉 100 nm 내지 400 nm의 범위 내인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 250 nm 내지 380 nm의 범위 내이다.
편광 방향은, 상기 광 여기 반응을 일으킬 수 있는 것이면 특별히 한정되는 것은 아니지만, 강유전성 액정의 배향 상태를 양호한 것으로 만들 수 있기 때문에 상하 광 배향막 모두에서 기판면에 대하여 경사 0°내지 45°의 범위 내로 하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 20°내지 45°의 범위 내로 한다.
(2) 액정층
본 발명에 사용되는 액정층은 강유전성 액정을 상기 광 배향막들 사이에 개재시킴으로써 구성된다. 상기 액정층에 사용되는 강유전성 액정은 카이럴스멕틱 C상(SmC*)을 발현하는 것이면 특별히 한정되는 것은 아니지만, 강유전성 액정의 상계열이 콜레스테릭상(Ch)-카이럴스멕틱 C상(SmC*)으로 상 변화하고, 스멕틱 A상(SmA)을 경유하지 않는 재료인 것이 바람직하다.
본 발명의 액정 표시 소자는 박막 트랜지스터(TFT)를 사용한 능동 매트릭스 방식에 의해 구동시키는 것이 바람직하며, 컬러 필터 방식 또는 필드 시퀀셜 컬러 방식을 채용함으로써 컬러 액정 표시 소자로 만들 수 있다. 이러한 경우에서, 강유전성 액정으로는 Ch상-SmA상-SmC*상으로 상 변화하는 재료를 사용할 수도 있고, Ch상-SmC*상으로 상 변화하며, SmA상을 경유하지 않는 재료를 사용할 수도 있지만, 본 발명의 액정 표시 소자를 특히 필드 시퀀셜 컬러 방식에 의해 구동시키는 경우에는 SmA상을 경유하지 않는 단안정성을 갖는 액정 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 여기서 단안정성이란, 상술한 바와 같이 전압 비인가시에 1개의 안정 상태만을 갖는 성질을 말하며, 특히 플러스 마이너스 중 어느 하나의 전압을 인가했을 때에만 액정 분자가 동작하는 하프 V자 구동하는 것이, 흑백 셔터의 개구 시간을 길게 할 수 있고 밝은 컬러 표시를 실현할 수 있다는 점에서 바람직하다.
또한, 본 발명에 사용되는 강유전성 액정으로는 단일상을 구성하는 것이 바람직하다. 여기서 단일상을 구성한다는 것은 고분자 안정화법 등과 같이 중합체 네트워크가 형성되어 있지 않은 것을 말한다. 이와 같이, 단일상의 강유전성 액정을 사용함으로써, 제조 공정이 용이해지고, 구동 전압을 낮출 수 있다는 이점이 있다.
본 발명에 사용되는 강유전성 액정으로는, 예를 들면 클라리언트사로부터 판매되고 있는 "R2301"을 들 수 있다.
상기 강유전성 액정으로 구성되는 액정층의 두께는 1.2 ㎛ 내지 3.0 ㎛의 범위 내인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1.3 ㎛ 내지 2.5 ㎛, 더욱 바람직하게는 1.4 ㎛ 내지 2.0 ㎛의 범위 내이다. 액정층의 두께가 지나치게 얇으면 콘트라스트가 낮아지는 경우가 있고, 반대로 두께가 지나치게 두꺼우면 배향하기 어려운 경우가 있기 때문이다.
액정층의 형성 방법으로는, 일반적으로 액정셀의 제조 방법으로서 이용되는 방법을 사용할 수 있다. 예를 들면, 미리 기판 상에 전극을 형성하고 상기 광 배향막을 설치하여 제조한 액정셀에, 상기 강유전성 액정을 가온함으로써 얻은 등방성 액체를 모세관 효과에 의해 주입하고, 접착제로 봉쇄함으로써 액정층을 형성할 수 있다. 상기 액정층의 두께는 비드 등의 스페이서에 의해 조정할 수 있다.
(3) 기판
본 발명에 사용하는 기판은 일반적으로 액정 표시 소자의 기판으로서 사용되는 것이면 특별히 한정되는 것은 아니고, 예를 들면 유리판, 플라스틱판 등을 바람직하게 들 수 있다. 상기 기판의 표면 조도(RSM값)는 10 nm 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 3 nm 이하, 더욱 바람직하게는 1 nm 이하의 범위 내이다. 또한, 본 발명에서 상기 표면 조도는 원자간력 현미경(AFM: ATOMIC FORCE MICROSCOPE)에 의해 측정할 수 있다.
(4) 전극
본 발명에 사용하는 전극은 일반적으로 액정 표시 소자의 전극으로서 사용되는 것이면 특별히 한정되는 것은 아니지만, 하나 이상이 투명 도전체로 형성된 것이 바람직하다. 투명 도전체 재료로는, 산화인듐, 산화주석, 산화인듐주석(ITO) 등을 바람직하게 들 수 있다. 본 발명의 액정 표시 소자를, TFT 소자를 사용한 능동 매트릭스 방식의 액정 표시 소자로 하는 경우에는, 상하 전극 중 하나를 상기 투명 도전체로 형성된 전체면 공통 전극으로 하고, 다른쪽에는 x 전극과 y 전극을 매트릭스상으로 배열하고 x 전극과 y 전극으로 둘러싸인 부분에 TFT 소자 및 화소 전극을 배치한다. 이 경우에, 화소 전극, TFT 소자, x 전극 및 y 전극에 의해 형성되는 전극층의 요철부의 차는 0.2 ㎛ 이하인 것이 바람직하다. 전극층의 요철부의 차가 0.2 ㎛를 초과하면, 배향 혼란이 일어나기 쉽기 때문이다.
상기 전극은, 상기 기판 상에 CVD법, 스퍼터링법, 이온 플레이팅법 등의 증착 방법에 의해 투명 도전막을 형성할 수 있고, 이것을 매트릭스상으로 패턴화함으로써 x 전극 및 y 전극을 얻을 수 있다.
(5) 편광판
본 발명에 사용하는 편광판은 빛의 파동 중 특정 방향만을 투과시키는 것이면 특별히 한정되는 것은 아니고, 액정 표시 소자의 편광판으로서 일반적으로 사용되는 것을 사용할 수 있다.
2. 액정 표시 소자의 제조 방법
본 발명의 액정 표시 소자는, 액정 표시 소자의 제조 방법으로서 일반적으로 이용되는 방법에 의해 제조할 수 있다. 이하, 본 발명의 액정 표시 소자의 제조 방법의 일례로서, TFT 소자를 사용한 능동 매트릭스 방식의 액정 표시 소자의 제조 방법에 대해서 설명한다. 우선, 한쪽 기판 상에 상술한 증착 방법에 의해 투명 도전막을 형성하고, 전체면 공통 전극으로 한다. 다른쪽 기판 상에는, 투명 도전막을 매트릭스상으로 패턴화함으로써 x 전극, y 전극을 형성하고, 스위칭 소자 및 화소 전극을 설치한다.
이어서, 전극이 형성된 2장의 기판 상에 각각 조성이 다른 광 배향막 재료를 코팅하고, 광 배향 처리를 실시하여 광 배향막을 형성한다. 이와 같이 하여 형성된 광 배향막 중 한쪽 배향막 상에 스페이서로서 비드를 분산시키고, 주위에 밀봉제를 도포하여 광 배향막이 대향하도록 2장의 기판을 접합하고, 열 압착시킨다. 이어서, 주입구로부터 모세관 효과를 이용하여 강유전성 액정을 등방성 액체 상태로 주입하고, 주입구를 자외선 경화 수지 등에 의해 봉쇄한다. 그 후, 강유전성 액정은 서냉함으로써 배향시킬 수 있다. 이와 같이 하여 얻어진 액정셀의 상하에 편광판을 접착함으로써 본 발명의 액정 표시 소자를 얻을 수 있다.
3. 액정 표시 소자의 용도
본 발명의 액정 표시 소자는, 컬러 필터 방식 또는 필드 시퀀셜 컬러 방식을 채용함으로써 컬러 액정 표시 소자로서 사용할 수 있다. 본 발명의 액정 표시 소자를 사용한 컬러 액정 표시 소자는 더블 도메인 등의 배향 결함을 일으키지 않고 강유전성 액정을 배향시킬 수 있기 때문에, 시야각이 넓고, 고속 응답성을 가지며, 고정밀한 컬러 표시를 실현할 수 있다.
이들 중에서도, 본 발명의 액정 표시 소자는 필드 시퀀셜 컬러 방식에 의해 구동시키는 것이 바람직하다. 상술한 바와 같이, 필드 시퀀셜 컬러 방식은 1 화소를 시간 분할하는 것이고, 양호한 동화상 표시 특성을 얻기 위해서는 고속 응답성을 특히 필요로 하기 때문이다.
이 경우에, 강유전성 액정으로는 Ch상으로부터 SmA상을 경유하지 않고 SmC*상을 발현하는 단안정성을 갖는 액정 재료를 사용하는 것이 바람직하고, 특히 양극 및 음극 전압 중 어느 하나의 전압을 인가했을 때에만 액정 분자가 동작하는, 하프 V자 구동하는 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 이러한 하프 V자 구동하는 재료를 사용함으로써, 암부(dark region) 동작시(흑백 셔터 폐구시)의 광 누설을 줄일 수 있고, 흑백 셔터의 개구 시간을 충분히 길게 할 수 있다. 이에 따라 시간적으로 전환되는 각 색상을 보다 밝게 표시할 수 있어서 밝은 컬러 액정 표시 소자를 실현할 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 상기 실시 형태는 예시에 불과하고, 본 발명의 특허 청구의 범위에 기재된 기술적 사상과 실질적으로 동일한 구성을 갖고 동일한 작용 효과를 발휘하는 것은 어떠한 것이라도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.
<실시예>
이하의 실시예를 들어 본 발명을 더욱 상세히 설명한다. 또한, 광 이량화 반응성 중합체로는, 하기 화학식으로 표시되는 화합물 1 내지 4를 사용하였다.
(실시예 1)
시클로펜타논에 용해시킨 2 중량％의 화합물 1의 용액과 시클로펜타논에 용해시킨 2 중량％의 화합물 2의 용액을 각각 ITO로 코팅된 2장의 유리 기판에 회전수 4000 rpm으로 30 초간 스핀 코팅하였다. 오븐에서 180 ℃, 10 분간 건조시킨 후, 편광 자외선을 25 ℃에서 기판면에 대하여 30°의 각도로부터 100 mJ/㎠로 노광하였다. 한쪽 기판에 1.5 ㎛의 스페이서를 산포하고, 다른 한쪽 기판에 밀봉제를 밀봉 디스펜서로 도포하였다. 그 후, 기판을 편광 자외선 조사 방향과 평행하게 역 평행(anti-parallel) 상태로 조립하여 열 압착을 행하였다. 액정은 "R2301"(클라리언트사 제조)을 사용하고, 주입구 상부에 액정을 부착시킨 오븐을 사용하여, 네마틱상-등방상 전이 온도로부터 10 ℃ 내지 20 ℃ 높은 온도에서 주입을 행하고, 천천히 상온으로 복귀시켰더니, 배향 결함이 없는 모노 도메인상이 얻어졌다.
(실시예 2)
시클로펜타논에 용해시킨 2 중량％의 화합물 1의 용액과 시클로펜타논에 용해시킨 2 중량％의 화합물 3의 용액을 각각 ITO로 코팅된 2장의 유리 기판에 회전수 4000 rpm으로 30 초간 스핀 코팅하였다. 또한, 상기한 조건으로 건조하여 노광 처리한 후에 셀을 구성하고 액정을 주입하였더니 배향 결함이 없는 모노 도메인상이 얻어졌다.
(실시예 3)
시클로펜타논에 용해시킨 2 중량％의 화합물 1의 용액과 시클로펜타논에 용해시킨 2 중량％의 화합물 4의 용액을 각각 ITO로 코팅된 2장의 유리 기판에 회전수 4000 rpm으로 30 초간 스핀 코팅하였다. 또한, 상기한 조건으로 건조하여 노광 처리한 후에 셀을 구성하고 액정을 주입하였더니 배향 결함이 없는 모노 도메인상이 얻어졌다.
(실시예 4)
시클로펜타논에 용해시킨 2 중량％의 화합물 1의 용액과 닛산 가가꾸 고교(주) 제조의 폴리이미드 "RN1199"를 각각 ITO로 코팅된 2장의 유리 기판에 회전수 4000 rpm으로 30 초간 스핀 코팅하였다. "RN1199"에 대해서는 10 J/㎠ 편광 자외광으로 노광한 것 이외에는 상기한 조건으로 건조하여 노광 처리한 후에 셀을 구성하고 액정을 주입하였더니 배향 결함이 없는 모노 도메인상이 얻어졌다.
(비교예 1)
시클로펜타논에 용해시킨 2 중량％의 화합물 1의 용액을 ITO로 코팅된 2장의 유리 기판에 회전수 4000 rpm으로 30 초간 스핀 코팅하였다. 또한, 상기한 조건으로 건조하여 노광 처리한 후에 셀을 구성하고 액정을 주입하였더니, 모노 도메인상은 얻어지지 않고 더블 도메인이나 지그재그 결함, 헤어핀 결함 등의 배향 결함이 발생하였다.
1 액정층
2a, 2b 광 배향막
3a 공통 전극
3b x 전극
3c y 전극
3d 화소 전극
4a, 4b 기판
5a, 5b 편광판
7 TFT 소자

Claims (6)

  1. 2장의 기판 사이에 개재된 강유전성 액정을 포함하는 액정 표시 소자이며, 상기 기판의 대향면 상에는 각각 전극과 광 배향막이 순서대로 형성되어 있고, 상기 광 배향막의 구성 재료는 광 반응을 발생시킴으로써 상기 광 배향막에 이방성을 부여하는 광 반응형 재료이며, 상기 강유전성 액정이 개재되어 상기 광 배향막의 구성 재료가 서로 다른 조성을 갖는 것이고,
    상기 광 반응이 광 이량화 반응 또는 광 분해 반응인 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 강유전성 액정이 단안정성을 나타내는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 강유전성 액정이 상계열에 스멕틱 A상을 갖지 않는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 강유전성 액정이 단일상을 구성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 박막 트랜지스터를 사용한 능동 매트릭스 방식에 의해 구동되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 필드 시퀀셜(field sequential) 컬러 방식에 의해 구동되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자.
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