KR20110074320A - Low temperature and fast curable anisotropic conductive film composition, and low temperature and fast curable anisotropic conductive film using the same - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A low-temperature quick-curable anisotropic conductive film composition is provided to ensure excellent electrical characteristic. CONSTITUTION: A low-temperature quick-curable anisotropic conductive film contains: 100 weight parts of epoxy resin containing cycloexane epoxy resin; 0.05-30 weight parts of sulfonium hardening agent; 20-300 weight parts of binder resin; 1-80 weight parts of conductive particles. The sulfonium hardening agent is selected from alipathic sulfonium salt, aromatic sulfonium salt, and mixture thereof.

Description

저온 속경화형 이방 전도성 필름용 조성물 및 이를 이용한 저온 속경화형 이방 전도성 필름 {LOW TEMPERATURE AND FAST CURABLE ANISOTROPIC CONDUCTIVE FILM COMPOSITION, AND LOW TEMPERATURE AND FAST CURABLE ANISOTROPIC CONDUCTIVE FILM USING THE SAME}LOW TEMPERATURE AND FAST CURABLE ANISOTROPIC CONDUCTIVE FILM COMPOSITION, AND LOW TEMPERATURE AND FAST CURABLE ANISOTROPIC CONDUCTIVE FILM USING THE SAME}

본 발명은 이방 전도성 필름용 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 사이클로헥산계 에폭시 수지(Cycloaliphatic epoxide), 설포늄계 경화제, 바인더 수지 및 도전성 입자를 포함하여 저온 속경화가 가능한 이방 전도성 필름용 조성물에 관한 것이다. The present invention relates to a composition for an anisotropic conductive film, and more particularly to a composition for an anisotropic conductive film capable of low temperature fast curing, including cyclohexane-based epoxy resin (Cycloaliphatic epoxide), sulfonium-based curing agent, binder resin and conductive particles will be.

근래 수년간 이방 도전성 접착제는 반도체 소자와 같은 전자 부품 및 회로판을 전기적으로 접속시키기 위한 재료로서 널리 사용되어 왔다. 최근 전자부품의 경박 단소화에 따라 이방성 도전 필름의 사용 분야는 더욱 다양화되고 있으며 이중 특히 LCD 실장 기술에서 COF(Chip On Film), COG(Chip On Glass), FOG(FPCB On Glass), OLB(Outter lead bonding) 등 여러 응용 분야로서 이방 도전성 필름이 사 용되고 있다.In recent years, anisotropically conductive adhesives have been widely used as materials for electrically connecting electronic components such as semiconductor devices and circuit boards. Recently, the use of anisotropic conductive films is becoming more diversified due to the shortening and thinning of electronic components. Among them, in LCD mounting technology, COF (Chip On Film), COG (Chip On Glass), FOG (FPCB On Glass) and OLB ( Anisotropic conductive films are used for many applications such as outer lead bonding.

이방 도전성 필름은 전기적 통로를 형성하는 도전성 입자와 도전성 입자를 고정하여 전기 접속 신뢰성을 유지시키며 전극과 이웃 전극 사이의 절연성을 부여하는 절연성 수지부로 구성되어 있다. 도전성 입자로는 최근에 탄성을 갖는 금속 코팅 입자를 절연화 하여 사용하고 있고 이방 도전성 접착제에서 많은 분을 차지하고 이방 도전성 접착제의 신뢰성 및 절연성을 발현하는 절연성 수지는 상온에서 반응없이 안정하게 유지되다가 가열 시 경화가 시작되어 구조가 치밀해지는 열 경화성 수지가 사용되고 있다. 열 경화성 수지는 가열 경화 시 발열을 하게 되고 경화가 종료된 후에는 가해진 온도와 발열에 의해 올라간 온도가 제거되어 온도가 낮아지게 되고 이때 온도에 따른 부피 변화에 따라 경화 수축을 하게 된다. 경화 수축이 발생을 하게 되면 ACF의 치수 안정성이 불량해져서 불량 발생율이 높아지게 된다. The anisotropic conductive film is composed of an insulating resin portion which fixes the conductive particles and the conductive particles forming the electrical passage to maintain electrical connection reliability and impart insulation between the electrode and the neighboring electrode. As conductive particles, metal coating particles having elasticity have recently been insulated and used. Insulating resins, which occupy a large part of the anisotropic conductive adhesive and express the reliability and insulation properties of the anisotropic conductive adhesive, remain stable at room temperature without reaction, and then are heated. The thermosetting resin which hardening starts and a structure becomes dense is used. The thermosetting resin generates heat during heat curing, and after completion of curing, the temperature raised by the applied temperature and the exotherm is removed to lower the temperature, and at this time, curing shrinkage is performed according to the volume change according to the temperature. When the shrinkage occurs, the dimensional stability of the ACF is poor and the failure rate is increased.

특히, 근래 정밀 전자기기의 분야에서 회로의 고밀도화, 고정밀화의 요구로 인해 전극 폭 및 전극 간격이 상당히 좁아지고 있어서 종래 이방 도전성 접착제의 접속 조건에서 배선의 탈락, 박리, 위치 이탈 등의 불량 발생율이 높아지고 있다. In particular, in the field of precision electronic devices, the electrode width and the electrode spacing have been narrowed considerably due to the demand for higher density and higher precision of circuits. It is rising.

이러한 문제들을 해결하기 위해서는 저온, 단시간 내에 경화가 가능한 접착제가 요구되고 있다. 이러한 저온 속경화를 달성하기 위해서는 실온 부근에서의 실용적인 보존 안정성을 가지며, 낮은 활성화 에너지를 갖는 열 잠재성 촉매를 사용할 필요가 있다.In order to solve these problems, an adhesive capable of curing at a low temperature and in a short time is required. In order to achieve such low temperature fast curing, it is necessary to use a thermal latent catalyst having practical storage stability near room temperature and having a low activation energy.

본 발명의 목적은 사이클로헥산계 에폭시 수지, 설포늄계 경화제, 바인더 수지 및 도전성 입자를 포함하는 저온 속경화형 이방 전도성 필름용 조성물을 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a composition for a low temperature fast curing type anisotropic conductive film comprising a cyclohexane-based epoxy resin, a sulfonium-based curing agent, a binder resin and conductive particles.

본 발명의 또 다른 목적은 상기 저온 속경화형 이방 전도성 필름용 조성물로 형성된 저온 속경화형 이방 전도성 필름을 제공하는 것이다.Still another object of the present invention is to provide a low temperature fast curing type anisotropic conductive film formed of the composition for a low temperature fast curing type anisotropic conductive film.

하나의 양태로서, 본 발명은 a) 사이클로헥산계 에폭시 수지를 포함하는 에폭시 수지; b) 설포늄계 경화제; c) 바인더 수지; 및 d) 도전성 입자를 포함하는 저온 속경화형 이방 전도성 필름용 조성물에 관한 것이다.In one embodiment, the present invention provides a composition comprising: a) an epoxy resin comprising a cyclohexane-based epoxy resin; b) sulfonium-based curing agents; c) binder resins; And d) relates to a composition for low temperature fast curing type anisotropic conductive film containing conductive particles.

본 발명의 저온 속경화형 이방 전도성 필름용 조성물은 사이클로헥산계 에폭시 수지와 설포늄계 경화제를 동시에 사용하고, 바인더 수지 및 도전성 입자를 적절히 포함하며, 특히, 양이온 잠재성 경화제로서 실온 부근에서의 실용적인 보존 안정성을 가지면서 낮은 활성화 에너지를 갖는 열 잠재성 촉매인 설포늄계 양이온 잠재성 경화제를 적용함으로써 저온에서의 급속 경화를 가능하게 하고, 전기적 특성을 향상시킴을 특징으로 한다.The composition for a low temperature hardening type anisotropic conductive film of the present invention simultaneously uses a cyclohexane-based epoxy resin and a sulfonium-based curing agent, suitably contains a binder resin and conductive particles, and in particular, practical storage stability at around room temperature as a cationic latent curing agent. By applying a sulfonium-based cationic latent curing agent, which is a thermal latent catalyst having a low activation energy, enables rapid curing at low temperatures and improves electrical properties.

이하, 본 발명의 구성을 상세히 설명한다.Hereinafter, the configuration of the present invention will be described in detail.

a) 에폭시 수지a) epoxy resin

본 발명의 에폭시 수지는 사이클로헥산계 에폭시 수지를 포함함을 특징으로 한다. 상기 사이클로헥산계 에폭시 수지는 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 가지며, 사이클로헥산과 연결된 에폭시 링을 갖는 화합물을 이용하는 것이 바람직하며, 예를 들면, 3,4-에폭시시클로헥실메틸-3,4-에폭시시클로헥산 카르복실레이트, 비스(3,4-에폭시시클로헥실)아디페이트, 비닐시클로헥센 디옥시드, 2-(3,4-에폭시시클로헥실-5,5-스피로-3,4-에폭시)시클로헥산-메타-디옥산 및 이들의 혼합물을 이용할 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.The epoxy resin of the present invention is characterized in that it comprises a cyclohexane-based epoxy resin. The cyclohexane-based epoxy resin is preferably a compound having two or more epoxy groups in one molecule and having an epoxy ring linked with cyclohexane, for example, 3,4-epoxycyclohexylmethyl-3,4-epoxy Cyclohexane carboxylate, bis (3,4-epoxycyclohexyl) adipate, vinylcyclohexene dioxide, 2- (3,4-epoxycyclohexyl-5,5-spiro-3,4-epoxy) cyclohexane -Meta-dioxane and mixtures thereof can be used, but not limited thereto.

이러한 사이클로헥산계 에폭시의 경우, 에폭시 링의 결합(bonding) 강도가 다른 일반적인 에폭시에 비해 상당히 약한 상태이며, 경화제에서 발생한 산(Acid)의 공격(attack)에 의해서 개환(ring opening)이 다른 에폭시보다 더 빠르게 개시되어 좀 더 낮은 외부 활성화 에너지로도 에폭시 중합 반응이 진행될 수 있게 된다. 따라서 이러한 사이클로헥산계 에폭시 수지는 양이온 잠재성 경화제와 결합될 때, 낮은 온도에서도 안정적이고 급속한 경화를 가능하게 한다. In the case of such cyclohexane-based epoxy, the bonding strength of the epoxy ring is considerably weaker than other general epoxy, and ring opening is more different than other epoxy due to the attack of acid generated from the curing agent. It starts faster and allows the epoxy polymerization to proceed with a lower external activation energy. Thus, such cyclohexane-based epoxy resins, when combined with cationic latent curing agents, allow stable and rapid curing even at low temperatures.

본 발명의 에폭시 수지는 상기 사이클로헥산계 에폭시 수지의 경화 속도를 조절하기 위해, 글리시딜기 함유 에폭시 수지를 추가로 포함할 수 있다. 상기 글리시딜기 함유 에폭시 수지는 사이클로헥산계 에폭시 수지에 비해 반응성이 낮고, 약간 더 높은 범위에서 반응성을 가짐을 특징으로 한다. The epoxy resin of the present invention may further include a glycidyl group-containing epoxy resin in order to control the curing rate of the cyclohexane-based epoxy resin. The glycidyl group-containing epoxy resin has a lower reactivity than the cyclohexane-based epoxy resin, and is characterized by having a reactivity in a slightly higher range.

상기 글리시딜기 함유 에폭시 수지로는 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 다관능성 페놀-노볼락 에폭시 수지, 크레졸 에폭시 수지 및 이들의 혼합물을 이용할 수 있으며, 바람직하게는 비스페놀 A형 및 비스페놀 F형 에폭시 수지를 혼합하여 이용하지만, 이에 제한되는 것은 아니다.As the glycidyl group-containing epoxy resin, bisphenol A type epoxy resins, bisphenol F type epoxy resins, polyfunctional phenol-novolac epoxy resins, cresol epoxy resins, and mixtures thereof may be used. Preferably, bisphenol A type and bisphenols are used. Although an F type epoxy resin is mixed and used, it is not limited to this.

상기 비스페놀 A계 에폭시 수지는 분자당 2개 이상의 글리시딜기를 함유하는 이관능형 또는 다관능형 비스페놀 A형 에폭시 수지면 제한없이 사용할 수 있으며, 예를 들어 YD-128(국도화학), YD-134(국도화학), JER828(JER사), JER834(JER사)등을 사용할 수 있다. 또한, 상기 비스페놀 F계 에폭시 수지는 분자당 2개 이상의 글리시딜기를 함유하는 이관능형 또는 다관능형 비스페놀 F형 에폭시 수지면 제한없이 사용할 수 있으며, 예를 들어 YDF-170(국도화학), YDF-2004(국도화학),JER4007(JER사), JER4010(JER사) 등을 사용할 수 있다.The bisphenol A-based epoxy resin can be used without limitation bifunctional or polyfunctional bisphenol A epoxy resin containing two or more glycidyl groups per molecule, for example YD-128 (Kukdo Chemical), YD-134 (National Highway) Chemical), JER828 (JER), JER834 (JER), and the like. In addition, the bisphenol F-based epoxy resin can be used without limitation bifunctional or polyfunctional bisphenol F-type epoxy resin containing two or more glycidyl groups per molecule, for example YDF-170 (Kukdo Chemical), YDF-2004 (Kukdo Chemical), JER4007 (JER), JER4010 (JER) and the like can be used.

상기 사이클로헥산계 에폭시 수지 및 비스페놀 A형, 비스페놀 F형 에폭시 수지는 조성물 전체 함량에 대하여 10 내지 90 중량%로 포함될 수 있다. 그 함량이 조성물 전체 함량에 대하여 10 중량% 미만일 경우에는 경화된 최종 접착제의 물성이 낮을 수 있으며, 90중량%를 초과할 경우에는 경화 수축이 크고 접착력이 저하될 수 있다. The cyclohexane-based epoxy resin and bisphenol A type, bisphenol F type epoxy resin may be included in 10 to 90% by weight based on the total content of the composition. If the content is less than 10% by weight relative to the total content of the composition, the physical properties of the cured final adhesive may be low. If the content exceeds 90% by weight, the curing shrinkage may be large and the adhesive strength may be reduced.

b) b) 설포늄계Sulfonium 경화제 Hardener

본 발명의 상기 조성물은 양이온 잠재성 경화제로서 설포늄계 경화제를 이용하는데, 이는 상기 에폭시 수지의 에폭시 링의 개환 양이온 중합에 의한 경화 반응 촉매하는 역할을 한다. 상기 설포늄계 경화제는 상온에서 에폭시 수지와 혼합하여 사용되므로, 혼합 후 상온에서 에폭시 수지와 반응성을 갖지 않아야 하고, 일정 온도 이상에서 활성을 가져 에폭시 수지와 반응이 활발하게 이루어져 물성이 발현되어야 한다. The composition of the present invention uses a sulfonium-based curing agent as a cationic latent curing agent, which serves to catalyze the curing reaction by ring-opening cationic polymerization of the epoxy ring of the epoxy resin. Since the sulfonium-based curing agent is used by mixing with the epoxy resin at room temperature, it should not have reactivity with the epoxy resin at room temperature after mixing, it has to be active at a certain temperature or more to be active with the epoxy resin to be expressed physical properties.

본 발명에서 이용될 수 있는 설포늄계 경화제로는 열적 활성화 에너지에 의한 양이온 발생 효율이 높은 지방족 설포늄염 및 방향족 설포늄염 화합물 등을 단독 또는 혼용하여 사용할 수 있으며, 바람직하게는 방향족 설포늄염 화합물을 이용한다. As the sulfonium-based curing agent that can be used in the present invention, aliphatic sulfonium salts and aromatic sulfonium salt compounds having high cation generation efficiency due to thermal activation energy may be used alone or in combination, and preferably aromatic sulfonium salt compounds.

설포늄염 화합물은 실온 부근에서의 보존 안정성을 가지면서 낮은 활성화 에너지를 가져 특히, 저온에서도 빠르고 안정적인 경화를 유도할 수 있게 된다. 설포늄염 화합물의 예로는 SI-60L, SI-80L, SI-100L(삼신화학, 일본), 아데카 옵토머 SP-150, 아데카 옵토머 SP-170(아사히덴카 공업주식회사제), CI-5102(니폰소다 주식회사제), 사일라큐어 UVI-6976, 사일라큐어 UVI-6992(다우케미컬 주식회사제) 등을 들 수 있다.The sulfonium salt compound has a storage stability near room temperature and has a low activation energy, and in particular, it is possible to induce fast and stable curing even at low temperatures. Examples of the sulfonium salt compound include SI-60L, SI-80L, SI-100L (Samshin Chemical, Japan), Adeka Optomer SP-150, Adeka Optomer SP-170 (manufactured by Asahi Denka Kogyo Co., Ltd.), CI-5102 (Made by Nippon Soda Co., Ltd.), silacure UVI-6976, silacure UVI-6992 (made by Dow Chemical Co., Ltd.), etc. are mentioned.

상기 설포늄계 경화제는 상기 에폭시 수지 100 중량부에 대하여 0.05 내지 30 중량부로 포함되는 것이 바람직하다. 그 함량이 0.05 중량부 미만일 경우에는 경화가 충분히 일어나지 못하게 되며, 30 중량부를 초과할 경우에는 상용성이 저하될 수 있다.The sulfonium-based curing agent is preferably included in 0.05 to 30 parts by weight based on 100 parts by weight of the epoxy resin. If the content is less than 0.05 parts by weight, hardening does not occur sufficiently, and if it exceeds 30 parts by weight, compatibility may be reduced.

또한, 본 발명의 조성물은 양이온 잠재성 경화제로서 설포늄계 경화제 이외에 방향족 디아조늄염, 방향족 요오드 알루미늄염, 포스포늄염, 피리디늄염, 세레노니움염 등의 오늄염 화합물; 금속 아렌(arene) 착제, 실라놀/알루미늄 착제 등의 착제화합물; 벤조인토시레토(Benzoin tosylato-), o-니트로벤질토시레토(ortho-Nitrobenzyl tosylato-) 등의 Tolylato기가 포함되어 전자 포획(capture) 작용을 하는 화합물 등을 추가로 포함시켜 이용할 수 있다. 이러한 상기 양이온 발생제가 염 구조를 이룰 경우에는 염을 형성할 시에 카운터 이온으로서 헥사플루오르안티모네이트, 헥사플루오르포스페이트, 테트라 플루오르 보레이트, 펜타플루오르페닐 보레이트 등이 반응성의 측면에서 적합하다.In addition, the composition of the present invention is an onium salt compound such as an aromatic diazonium salt, an aromatic iodine aluminum salt, a phosphonium salt, a pyridinium salt, a serenium salt, in addition to a sulfonium-based curing agent as a cationic latent curing agent; Complex compounds such as metal arene complexes and silanol / aluminum complexes; Tolylato groups, such as benzoin tosylato- and o-nitrobenzyl tosylato-, may be used to further include a compound which has an electron capture function. When such a cation generator forms a salt structure, hexafluoroantimonate, hexafluorophosphate, tetra fluoro borate, pentafluorophenyl borate and the like are suitable as counter ions in forming a salt in view of reactivity.

c) 바인더 수지c) binder resin

본 발명에서 상기 바인더 수지는 이방 전도성 필름용 조성물에서 증점화나 필름화를 위하여 사용되는 것이다.In the present invention, the binder resin is used for thickening or filming in the composition for anisotropic conductive films.

상기 바인더 수지는 당업계에서 사용되는 통상의 폴리머를 적절 첨가하여 사용할 수 있으며, 특히 상기 에폭시 수지의 경화를 저해하지 않는 것이면 제한없이 사용할 수 있다. 구체적으로, 상기 바인더 수지는 폴리이미드 수지, 폴리아미드 수지, 페녹시 수지, 폴리 메타크릴레이트 수지, 폴리 아크릴레이트 수지, 폴리우레탄 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리에스테르우레탄 수지, 폴리비닐 부티랄 수지, 스타이렌-부티렌-스타이렌(SBS) 수지 및 에폭시 변성체, 스타이렌-에틸렌-부틸렌-스타이렌(SEBS) 수지 및 그 변성체, 아크릴로니트릴 부타디엔 고무(NBR) 및 그 수소화체 등을 사용할 수 있다. 또한, 상기 폴리머 중에는 실록산 결합이나 불소치환기가 포함될 수도 있다.The binder resin may be used by appropriately adding a conventional polymer used in the art, and can be used without particular limitation as long as it does not inhibit the curing of the epoxy resin. Specifically, the binder resin is a polyimide resin, polyamide resin, phenoxy resin, poly methacrylate resin, poly acrylate resin, polyurethane resin, polyester resin, polyester urethane resin, polyvinyl butyral resin, sty Styrene-butyrene-styrene (SBS) resins and epoxy modified bodies, styrene-ethylene-butylene-styrene (SEBS) resins and modified substances thereof, acrylonitrile butadiene rubber (NBR) and its hydrogenated bodies Can be. The polymer may also contain a siloxane bond or a fluorine substituent.

상기 바인더 수지의 중량평균분자량은 그 크기가 클수록 필름형성이 용이하 나, 특별히 제한되는 것은 아니다. 구체적으로, 상기 바인더 수지의 중량평균분자량은 5,000 내지 150,000인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 10,000 내지 80,000인 것이다. 바인더 수지의 중량평균분자량이 5,000 미만일 경우에는 필름 형성이 저하될 수 있으며, 150,000을 초과할 경우에는 다른 성분들과의 상용성이 나빠질 수 있다.The larger the weight average molecular weight of the binder resin, the easier it is to form a film, but is not particularly limited. Specifically, the weight average molecular weight of the binder resin is preferably 5,000 to 150,000, more preferably 10,000 to 80,000. When the weight average molecular weight of the binder resin is less than 5,000, the film formation may be lowered, and when the weight average molecular weight of the binder resin exceeds 150,000, compatibility with other components may be worsened.

상기 바인더 수지는 상기 에폭시 수지 100 중량부에 대하여 20 내지 300 중량부로 포함되는 것이 바람직하다. 그 함량이 20 중량부 미만일 경우에는 이방 전도성 필름 형성을 할 수 없으며, 300 중량부를 초과할 경우에는 다른 경화부에 참여하는 에폭시와 경화제 비율이 너무 낮아져 열경화 특성을 보이기 쉽지 않다.The binder resin is preferably included in 20 to 300 parts by weight based on 100 parts by weight of the epoxy resin. If the content is less than 20 parts by weight, the anisotropic conductive film may not be formed, and if it exceeds 300 parts by weight, the ratio of epoxy and the curing agent participating in other hardening parts may be too low to show thermosetting characteristics.

d) 도전성 입자d) conductive particles

본 발명에 사용되는 상기 도전성 입자는 금속 입자를 사용하거나, 유기, 무기 입자 위에 금이나 은 등의 금속으로 코팅한 것을 사용할 수 있다. 또한, 과량 사용시의 전기적 절연성을 확보하기 위해서는 도전성 입자를 절연화 처리하여 사용할 수도 있다. The electroconductive particle used for this invention can use the metal particle, or the thing coated with metal, such as gold or silver, on the organic and inorganic particle. Moreover, in order to ensure the electrical insulation at the time of excessive use, electroconductive particle can also be insulated and used.

구체적으로, 상기 도전성 입자는 Au, Ag, Ni, Cu, Pb 등을 포함하는 금속 입자; 탄소; 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에스테르, 폴리스타이렌, 폴리비닐알코올 등을 포함하는 수지 및 그 변성 수지를 입자로 하여 Au, Ag, Ni 등을 포함하는 금속으로 도금 코팅한 입자; 그 위에 절연입자를 추가로 코팅한 절연화 처리된 도전성 입자 등을 사용할 수 있다.Specifically, the conductive particles are metal particles containing Au, Ag, Ni, Cu, Pb and the like; carbon; Particles coated with a metal containing Au, Ag, Ni, etc., using resins containing polyethylene, polypropylene, polyester, polystyrene, polyvinyl alcohol, and the like, and modified resins thereof as particles; Insulated electroconductive particle etc. which further coated the insulating particle on it can be used.

상기 도전성 입자의 크기는 적용되는 회로의 피치(pitch)에 의해 2 내지 30 ㎛ 범위에서 용도에 따라 선택하여 사용할 수 있다.The size of the conductive particles can be selected and used depending on the application in the range of 2 to 30 ㎛ by the pitch of the circuit to be applied.

상기 도전성 입자는 상기 에폭시 수지 100 중량부에 대하여 1 내지 80 중량부로 포함되는 것이 바람직하다. 그 함량이 1 중량부 미만일 경우에는 본 발명의 이방 전도성 필름용 조성물로 형성된 접착제가 충분한 전기 전도도를 나타낼 수 없으며, 80 중량부를 초과할 경우에는 접속회로간의 절연 신뢰성이 확보되기 힘들어 이방 도전성을 나타내지 못할 수 있다.It is preferable that the said electroconductive particle is contained in 1 to 80 weight part with respect to 100 weight part of said epoxy resins. When the content is less than 1 part by weight, the adhesive formed from the composition for anisotropic conductive film of the present invention may not exhibit sufficient electrical conductivity. When the content is more than 80 parts by weight, the insulation reliability between the connection circuits may not be secured, and thus the anisotropic conductivity may not be exhibited. Can be.

한편, 본 발명의 상기 조성물은 용제를 추가로 포함할 수 있다. 상기 용제는 상기의 에폭시 수지, 설포늄계 경화제, 바인더 수지 및 도전성 입자를 균일하게 혼합하며, 조성물의 점도를 낮게 하여 필름의 제조가 용이하도록 한다.On the other hand, the composition of the present invention may further include a solvent. The solvent uniformly mixes the epoxy resin, the sulfonium-based curing agent, the binder resin, and the conductive particles, and lowers the viscosity of the composition to facilitate the manufacture of the film.

상기 용제는 통상의 것이면 제한없이 사용할 수 있으며, 구체적으로 톨루엔, 자일렌, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 벤젠, 아세톤, 메틸에틸케톤, 테트라히드로 퓨란, 디메틸포름알데히드, 시클로헥사논 등을 사용할 수 있다.The solvent may be used without limitation as long as it is conventional, and specifically, toluene, xylene, propylene glycol monomethyl ether acetate, benzene, acetone, methyl ethyl ketone, tetrahydrofuran, dimethylformaldehyde, cyclohexanone, etc. may be used. .

상기 용제는 상기 에폭시 수지 100 중량부에 대하여 10 내지 300 중량부로 포함되는 것이 바람직하다. 그 함량이 10 중량부 미만일 경우에는 원료간 분산이 쉽지 않을 수 있으며, 300 중량부를 초과할 경우에는 건조 시 잔류용제가 존재하여 이방 전도성 필름의 물성을 저해할 수 있다.The solvent is preferably included in 10 to 300 parts by weight based on 100 parts by weight of the epoxy resin. If the content is less than 10 parts by weight, it may not be easy to disperse between the raw materials, and if it exceeds 300 parts by weight, residual solvent may be present during drying to inhibit the physical properties of the anisotropic conductive film.

한편, 본 발명의 저온 속경화형 이방 전도성 필름용 조성물은 기본 물성을 저해하지 않는 범위에서 부가적인 물성을 향상시키기 위한 중합방지제, 산화방지제, 열안정제, 경화촉진제, 커플링제 등의 첨가제를 추가로 포함할 수 있다. On the other hand, the composition for low-temperature fast curing type anisotropic conductive film of the present invention further includes additives such as polymerization inhibitors, antioxidants, heat stabilizers, curing accelerators, coupling agents for improving additional physical properties in a range that does not impair the basic physical properties can do.

상기 첨가제의 함량은 상기 에폭시 수지 100 중량부에 대하여 0.01 내지 5 중량부로 포함되는 것이 좋다. The amount of the additive may be included in an amount of 0.01 to 5 parts by weight based on 100 parts by weight of the epoxy resin.

상기 중합방지제로는 하이드로퀴논, 하이드로퀴논 모노메틸에테르, p-벤조퀴논, 페노티아진, 이들의 혼합물 등을 사용할 수 있다. 또한, 열에 의해 유도되는 조성물의 산화반응 방지 및 열안정성을 부여해 주기 위한 목적으로 사용되는 상기 산화방지제로는 가지 친 페놀릭계 혹은 하이드록시 신나메이트계의 물질 등을 첨가할 수 있는데, 그 예로 테트라키스-(메틸렌-(3,5-디-t-부틸-4-하이드로 신나메이트)메탄, 3,5-비스(1,1-디메틸에틸)-4-하이드록시 벤젠 프로파노익 액시드 티올 디-2,1-에탄다일 에스터, 옥타데실 3,5-디-t-부틸-4-하이드록시 하이드로 신나메이트 (이상 Ciba사 제조), 2,6-디-터셔리-p-메틸페놀 등이 있으며, 반응 속도를 향상시켜 주는 경화촉진제로는 고상 이미다졸계 촉진제, 고상 및 액상 아민계 경화촉진제 등을 1종 이상 사용할 수 있다. 커플링제로는 비닐 트리클로로 실란, 비닐 트리메톡시 실란, 3-글리시독시 프로필 트리메톡시 실란, 3-메타아크릴록시 프로필 트리메톡시 실란, 2-아미노에틸-3-아미노프로필 메틸디메톡시 실란, 3-우레이도프로필 트리에톡시 실란 등이 있으며, 이와 같은 각종 실란계 커플링제가 1 종 이상 사용될 수 있으며, 상기 각종 첨가제들은 기재된 종류들로만 제한되는 것은 아니다.As the polymerization inhibitor, hydroquinone, hydroquinone monomethyl ether, p-benzoquinone, phenothiazine, and mixtures thereof may be used. In addition, as the antioxidant used for the purpose of preventing oxidation reaction and imparting thermal stability of the composition induced by heat, a branched phenolic or hydroxy cinnamate-based substance may be added. For example, tetrakis -(Methylene- (3,5-di-t-butyl-4-hydro cinnamate) methane, 3,5-bis (1,1-dimethylethyl) -4-hydroxy benzene propanoic acid thiol di- 2,1-ethanediyl ester, octadecyl 3,5-di-t-butyl-4-hydroxy hydrocinnamate (above manufactured by Ciba), 2,6-di-tertiary-p-methylphenol, and the like. As the curing accelerator for improving the reaction rate, at least one of a solid imidazole accelerator, a solid phase and a liquid amine curing accelerator can be used, etc. As the coupling agent, vinyl trichloro silane, vinyl trimethoxy silane, 3- Glycidoxy propyl trimethoxy silane, 3-methacryloxy propyl trimeth Silane, 2-aminoethyl-3-aminopropyl methyldimethoxy silane, 3-ureidopropyl triethoxy silane, and the like, and one or more of these various silane coupling agents may be used. It is not limited to kinds.

또한, 본 발명의 저온 속경화형 이방 전도성 필름용 조성물은 상기의 기본 구성 인자 및 본 발명의 목적을 달성하기 위한 필수 함유 인자들 외에도 유기계 실란으로 표면 처리된 약 5~20 나노미터(㎚)의 크기를 갖는 소수성 나노 실리카 입자를 포함함으로써 공정 조건에 따른 흐름성의 원활한 조절과 경화된 이방 전도성 필름의 경화 구조를 매우 견고하도록 유도해 줌으로써 고온에서 팽창이 일어나지 않도록 해주며, 이에 따라 우수한 초기 접착력 및 낮은 접속 저항을 구현하는 이방 전도성 필름을 제조할 수도 있다.In addition, the composition for the low-temperature fast-curing anisotropic conductive film of the present invention has a size of about 5 to 20 nanometers (nm) surface-treated with an organic silane, in addition to the basic constituent factors and essential containing factors for achieving the object of the present invention. By including hydrophobic nano-silica particles having a smooth flow control according to the process conditions and the hardened structure of the cured anisotropic conductive film very hard to prevent expansion at high temperatures, thereby resulting in excellent initial adhesion and low connection It is also possible to manufacture an anisotropic conductive film that implements resistance.

이러한 유기계 실란으로 표면 처리된 약 5~20 나노미터(㎚)의 크기를 갖는 소수성 나노 실리카 입자로는 Aerosil R-972, Aerosil R-202, Aerosil R-805, Aerosil R-812, Aerosil R-8200(이상 데구사) 등이 있고, 어느 종류의 것을 사용하여도 무방하며, 반드시 이에 국한되는 것은 아니다.Hydrophobic nano silica particles having a size of about 5-20 nanometers (nm) surface-treated with such organic silanes include Aerosil R-972, Aerosil R-202, Aerosil R-805, Aerosil R-812, Aerosil R-8200 (Degussa) and the like, and may be used in any kind, but is not necessarily limited thereto.

상기와 같은 성분으로 이루어지는 본 발명의 저온 속경화형 이방 전도성 필름용 조성물은 액정표시장치(LCD)를 비롯한 각종 디스플레이 장치 및 반도체 장치의 회로 접속 시 발생하는 실장품의 전기적 접속 특성을 개선할 있으며, 특히 이방 도전성 필름의 경화 후 실장 상태에서 압흔 상태 향상 및 접속 저항의 향상에 탁월한 효과가 있다.The composition for a low temperature fast-curing anisotropic conductive film of the present invention comprising the above components can improve the electrical connection characteristics of the packaging products generated during the circuit connection of various display devices and semiconductor devices, including liquid crystal display (LCD), in particular anisotropic There is an excellent effect in improving the indentation state and the connection resistance in the mounted state after curing of the conductive film.

또 다른 양태로서, 본 발명은 상기한 저온 속경화형 이방 전도성 필름용 조성물로 형성된 저온 속경화형 이방 전도성 필름에 관한 것이다.As another aspect, the present invention relates to a low temperature fast curing type anisotropic conductive film formed of the composition for a low temperature fast curing type anisotropic conductive film.

본 발명의 상기 이방 전도성 필름은 경화 후의 휨 정도(Warpage)가 0.3mmt 유리(Glass)에서 15㎛ 미만이고, 초기 저항값이 1.8Ω 이하이며, 시간에 따른 접속 저항값의 증가 정도가 작아 전기적 접속 신뢰성이 우수한 특징을 갖는다.The anisotropic conductive film of the present invention has a warpage degree after curing of less than 15 μm in 0.3 mmt glass, an initial resistance value of 1.8 Ω or less, and an increase in connection resistance value over time, so that electrical connection is small. It has excellent reliability.

상기 이방 전도성 필름을 형성하는 방법으로는 특별한 장치나 설비가 필요치 않으며, 에폭시 수지, 설포늄계 경화제, 바인더 수지 및 도전성 입자를 용제에 용해시켜 액상화하여 상기의 성분들이 분쇄되지 않는 속도 범위 내에서 일정시간 교반하여 균일한 혼합물을 얻은 후, 이를 이형 필름 위에 10~50 ㎛의 두께로 도포한 다음 일정 시간 건조하여 용제를 휘발시킴으로써 단층의 이방성 도전 필름을 얻을 수 있다. 또한, 본 발명에서는 상기의 과정을 2회 이상 반복함으로써 2층 이상의 복층 구조를 갖는 저온 속경화형 이방성 도전 필름을 얻을 수도 있다.The method for forming the anisotropic conductive film does not require a special device or equipment, and the epoxy resin, sulfonium-based curing agent, binder resin and conductive particles are dissolved in a solvent to liquefy to a certain time within the speed range that the components are not pulverized After stirring to obtain a uniform mixture, it is applied to the release film to a thickness of 10 ~ 50 ㎛ and then dried for a period of time to obtain a single layer anisotropic conductive film. In the present invention, the above-described process may be repeated two or more times to obtain a low temperature fast curing type anisotropic conductive film having a two or more multilayer structure.

본 발명에 따른 저온 속경화형 이방 전도성 필름용 조성물은 저온 속경화가 가능하고, 전기적 특성이 매우 우수한 장점을 가진다.The composition for a low temperature fast curing type anisotropic conductive film according to the present invention is capable of low temperature fast curing, and has an excellent electrical property.

또한, 본 발명에 따른 이방성 도전 필름은 LCD 실장 과정의 본압착 본딩시에 온도를 최소화할 수 있게 되어 자재의 온도 팽창,수축, 이방성 도전 필름의 경화 수축에 의해 발생된 휨을 최소화하여 본딩시 공정의 수율을 향상시키며 최종 제품의 변형을 줄임으로서 높은 접속 신뢰성과 색채불균일(Mura) 방지가 요구되는 액정표시장치 및 영상표시장치 제조에 유용하게 이용될 수 있다.In addition, the anisotropic conductive film according to the present invention can minimize the temperature during the main compression bonding of the LCD mounting process to minimize the warpage caused by the temperature expansion, shrinkage, curing shrinkage of the anisotropic conductive film of the bonding process By increasing the yield and reducing the deformation of the final product it can be usefully used in the manufacture of liquid crystal display and image display device that requires high connection reliability and color unevenness (Mura).

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 통해 본 발명의 구성 및 작용을 더욱 상 세히 설명하기로 한다. 다만, 하기 실시예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 것으로, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되지는 않는다. 여기에 기재되지 않은 내용은 이 기술 분야에서 숙련된 자이면 충분히 기술적으로 유추할 수 있는 것이므로 그 설명을 생략하기로 한다. Hereinafter, the configuration and operation of the present invention through the preferred embodiment of the present invention will be described in more detail. However, the following examples are provided to help the understanding of the present invention, and the scope of the present invention is not limited to the following examples. Details that are not described herein will be omitted since those skilled in the art can sufficiently infer technically.

실시예Example 1~2. 저온  1 ~ 2. Low temperature 속경화형Fast curing 이방 도전성 필름용 조성물 제조 Manufacture of composition for anisotropic conductive film

실시예Example 1 One

3,4-epoxycyclohexymethyl-3,4-epoxycyclohexane carboxylate(Celloxide 2021P, DAICEL사, 일본) 5 중량부, BPA epoxy(JER 828, JER사, 일본) 30중량부, 설포늄계 양이온 잠재성 경화제(SI-60L, 삼신화학, 일본) 2 중량부, 페녹시 수지(PKHH, Inchemrez사, 미국) 38 중량부, 도전성 입자(AUL-704, 평균입경:4㎛, SEKISUI사, 일본) 25 중량부 및 용제로 자일렌 50 중량부, 초산에틸 50 중량부를 혼합하여 이방 도전성 필름용 조성물을 제조하였다. 3,4-epoxycyclohexymethyl-3,4-epoxycyclohexane carboxylate (Celloxide 2021P, DAICEL, Japan) 5 parts by weight, BPA epoxy (JER 828, JER, Japan) 30 parts by weight, sulfonium-based cationic latent curing agent (SI-60L , Samshin Chemical, Japan) 2 parts by weight, phenoxy resin (PKHH, Inchemrez, USA) 38 parts by weight, conductive particles (AUL-704, average particle diameter: 4㎛, SEKISUI, Japan) 25 parts by weight and solvent xyl 50 parts by weight of ethylene and 50 parts by weight of ethyl acetate were mixed to prepare a composition for an anisotropic conductive film.

제조된 이방 도전성 필름용 조성물에 대해서 150℃, 60Mpa, 5sec 본딩을 하였다.150 degreeC, 60 Mpa, and 5 sec bonding were performed about the produced composition for anisotropic conductive films.

실시예Example 2 2

상기 실시예 1에서 3,4-epoxycyclohexymethyl-3,4-epoxycyclohexane carboxylate(Celloxide 2021P, DAICEL사, 일본)를 17.5 중량부, BPA epoxy(JER 828, JER사, 일본) 17.5중량부를 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 실시하였다.Except that in Example 1 17.5 parts by weight of 3,4-epoxycyclohexymethyl-3,4-epoxycyclohexane carboxylate (Celloxide 2021P, DAICEL, Japan) and 17.5 parts by weight of BPA epoxy (JER 828, JER, Japan) It carried out in the same manner as in Example 1.

비교예Comparative example 1~4. 이방 도전성 필름용 조성물 제조 1-4. Manufacture of composition for anisotropic conductive film

비교예Comparative example 1 One

상기 실시예 1에서 3,4-epoxycyclohexymethyl-3,4-epoxycyclohexane carboxylate(Celloxide 2021P, DAICEL사, 일본) 전량을 BPA epoxy(JER828, JER사, 일본)으로 대체하여 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 실시하였다.Example 1, except that the entire amount of 3,4-epoxycyclohexymethyl-3,4-epoxycyclohexane carboxylate (Celloxide 2021P, DAICEL, Japan) was replaced with BPA epoxy (JER828, JER, Japan) in Example 1 It was carried out in the same manner as.

비교예Comparative example 2 2

상기 비교예 1과 동일한 방법으로 실시하였다.It carried out by the same method as the comparative example 1.

다만, 제조된 이방 도전성 필름용 조성물에 대해서 170℃, 60Mpa, 5sec 본딩을 하였다.However, 170 degreeC, 60 Mpa, and 5 sec bonding were performed about the manufactured composition for anisotropic conductive films.

비교예Comparative example 3 3

상기 실시예 1에서 3,4-epoxycyclohexymethyl-3,4-epoxycyclohexane carboxylate(Celloxide 2021P, DAICEL사, 일본)를 epoxidized polybutadiene(EPOLEAD PB3600, DAICEL사, 일본)으로 대체하여 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 실시하였다.Example 1 except that 3,4-epoxycyclohexymethyl-3,4-epoxycyclohexane carboxylate (Celloxide 2021P, DAICEL, Japan) was replaced with epoxidized polybutadiene (EPOLEAD PB3600, DAICEL, Japan) in Example 1 It was carried out in the same manner as.

비교예Comparative example 4 4

상기 실시예 1에서 설포늄계 양이온 잠재성 경화제(SI-60L, 삼신화학, 일본) 2 중량부를 포스포늄계 양이온 잠재성 경화제(SI-110L, 삼신화학, 일본) 2 중량부로 대체하여 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 실시하였 다.Except that 2 parts by weight of sulfonium-based cationic latent curing agent (SI-60L, Samshin Chemical, Japan) in Example 1 was replaced by 2 parts by weight of phosphonium-based cationic latent curing agent (SI-110L, Samshin Chemical, Japan) Was carried out in the same manner as in Example 1.

실험예Experimental Example . . 이방성Anisotropy 도전 필름의 물성 평가 Physical property evaluation of the conductive film

상기 실시예 1~2 및 비교예 1~4에서 제조한 이방 도전성 필름용 조성물을 각각 백색 이형 필름 위에 도포한 후, 80℃의 건조기에서 용제를 휘발시켜 20㎛ 두께의 건조된 이방 도전성 필름을 얻었다. After applying the compositions for the anisotropic conductive films prepared in Examples 1 to 2 and Comparative Examples 1 to 4 on the white release film, respectively, the solvent was evaporated in a dryer at 80 ° C. to obtain a dried anisotropic conductive film having a thickness of 20 μm. .

상기 실시예 1~2 및 비교예 1~4에서 제조한 이방 도전성 필름용 조성물을 이용하여 형성된 이방 도전성 필름의 물성을 평가하고, 그 결과를 하기 표 1, 표 2, 표 3 및 도 1에 나타내었다.The physical properties of the anisotropic conductive film formed using the compositions for anisotropic conductive films prepared in Examples 1 to 2 and Comparative Examples 1 to 4 were evaluated, and the results are shown in Tables 1, 2, 3, and 1 below. It was.

각 제조된 이방성 도전 필름에 대해서 물성을 평가 하기 위해서 범프 면적 2000㎛2, 두께 5000Å의 인듐틴옥사이드(ITO)회로가 있는 유리기판과 범프면적 2000㎛2 두께 1.7mm의 칩을 사용하여 각 ACF 필름으로 상 하 계면간 압착을 한 후 ,각 실시예 및 비교예 본딩 온도 조건으로 가압 가열하여 샘플당 시편을 5개 접착시켰다. 접착이 완료된 샘플의 전기적 특성 파악을 위해 접속저항을 각 샘플마다 5회의 측정을 실시한 후 그 평균값을 취하여 값을 구하고, 표면 분석에 의해서 칩과 유리기판(0.3mmt glass)의 휨 정도(Warpage)를 샘플별 3회 측정하여 그 평균값을 얻었다.In order to evaluate the properties of each manufactured anisotropic conductive film, each ACF film was made using a glass substrate with an indium tin oxide (ITO) circuit having a bump area of 2000 µm 2 and a thickness of 5000 mV, and a chip having a bump area of 2000 µm 2 having a thickness of 1.7 mm. After pressing the upper and lower interfaces with each other, by pressing and heating under the bonding temperature conditions of each Example and Comparative Example, five specimens per sample were adhered. In order to understand the electrical characteristics of the sample after adhesion, the measurement of the connection resistance was carried out five times for each sample, and then the average value was taken to determine the value. The surface warpage of the chip and the glass substrate (0.3 mmt glass) was determined by surface analysis. It measured three times for each sample and obtained the average value.

접속의 신뢰성을 확인하기 위해 접속저항을 측정한 샘플에 대해서 85℃, 85% 고온 고습 조건에 투입하여 500hr까지 각 시간별로 샘플을 꺼낸 후 접속저항을 5회 측정하여 평균값을 취하여 하기 표 3 및 도 1에 나타내었다.In order to confirm the reliability of the connection, the sample was measured at 85 ° C, 85% high temperature and high humidity, and the sample was taken out for each hour up to 500hr, and the connection resistance was measured five times. 1 is shown.

또한, 본딩 전 이방성 도전 필름에 대해서 각각 4mg씩 취득하여 DSC(Differential Scanning Calorimeter, 시차주사열량계)로 이방성 도전 필름의 온도에 따른 열적 특성을 확인하였다.In addition, 4 mg of each of the anisotropic conductive films before bonding was obtained, and thermal characteristics of the anisotropic conductive film were confirmed by DSC (Differential Scanning Calorimeter).

하기 표 1은 열경화 전 기본 특성(DSC로 측정한 온도에 따른 열적 특성)을 나타낸 것이다. Table 1 below shows the basic properties (thermal properties according to temperature measured by DSC) before thermosetting.

샘플Sample Onset(℃)Onset (℃) Peak(℃)Peak (℃) End(℃)End (℃) ΔH(J/g)ΔH (J / g) 실시예1Example 1 86.3086.30 112.92112.92 141.12141.12 104.83104.83 실시예2Example 2 85.8685.86 112.28112.28 142.11142.11 125.82125.82 비교예1Comparative Example 1 95.6995.69 120.42120.42 137.47137.47 67.3567.35 비교예3Comparative Example 3 94.5394.53 122.48122.48 140.21140.21 69.4969.49 비교예4Comparative Example 4 -- -- -- -- ※ 비교예 4는 Peak가 발생하지 않았으며, 경화 불가하였음 ※ In Comparative Example 4, no peak was generated and it could not be cured.

하기 표 2는 열경화 후 기본 특성(Warpage, 초기 저항)을 나타낸 것이며, 표 3은 신뢰성 저항값(85℃/85% humidity condition)을 나타낸 것이다. Table 2 shows the basic characteristics (Warpage, initial resistance) after thermal curing, Table 3 shows the reliability resistance value (85 ℃ / 85% humidity condition).

샘플Sample 본딩온도Bonding temperature Warpage(㎛)Warpage (μm) 저항(Ω)Resistance (Ω) 실시예1Example 1 150℃150 ℃ 12.2412.24 1.791.79 실시예2Example 2 150℃150 ℃ 12.6412.64 1.761.76 비교예1Comparative Example 1 150℃150 ℃ 10.3110.31 2.212.21 비교예2Comparative Example 2 170℃170 ℃ 18.0918.09 1.601.60 비교예3Comparative Example 3 150℃150 ℃ 10.1810.18 3.123.12 비교예4Comparative Example 4 150℃150 ℃ 1.51.5 -- ※ 비교예 4는 저항 측정 불가(저항 높음)※ Comparative Example 4 cannot measure resistance (high resistance)

샘플Sample 본딩온도Bonding temperature 초기
저항(Ω)
Early
Resistance (Ω)
100hr
저항(Ω)
100hr
Resistance (Ω)
250hr
저항(Ω)
250hr
Resistance (Ω)
500hr
저항(Ω)
500hr
Resistance (Ω)
실시예1Example 1 150℃150 ℃ 1.791.79 2.512.51 3.213.21 3.843.84 실시예2Example 2 150℃150 ℃ 1.761.76 2.482.48 2.622.62 2.762.76 비교예1Comparative Example 1 150℃150 ℃ 2.212.21 4.874.87 5.415.41 6.166.16 비교예2Comparative Example 2 170℃170 ℃ 1.601.60 2.422.42 2.712.71 2.122.12 비교예3Comparative Example 3 150℃150 ℃ 3.123.12 9.529.52 11.9211.92 12.5112.51 비교예4Comparative Example 4 150℃150 ℃ -- -- -- --

상기 표 1에서 볼 수 있듯이 본 발명에 따라 Cyclohexane계 에폭시를 사용하면 에폭시와 양이온 경화제의 반응 시 낮은 열 활성화 에너지 때문에 더 낮은 온도에서 열 경화가 시작되며, 더 많은 양의 경화가 진행되는 것을 알 수 있었다.As can be seen in Table 1, when the cyclohexane-based epoxy is used according to the present invention, the thermal curing starts at a lower temperature due to the lower thermal activation energy during the reaction between the epoxy and the cationic curing agent. there was.

따라서 주로 사용되는 양이온 열 경화시의 본딩 조건인 170℃, 5sec 조건보다 더 낮은 온도인 150℃, 5sec 조건에서 이방성 도전 필름을 열 경화하여 물성을 분석하였다.Accordingly, the anisotropic conductive film was thermally cured at 150 ° C. and 5 sec, which is lower than the bonding condition of 170 ° C. and 5 sec, which is a bonding condition used in the cationic thermal curing, and analyzed physical properties.

상기 표 2, 표 3 및 도 1에서 볼 수 있듯이 사이클로헥산계 에폭시를 적용한 실시예 1 및 2의 경우 일반 BPA계 에폭시 수지를 사용한 비교예 1과 비교하여 전기적 신뢰성이 좋음을 확인할 수 있었으며, 사이클로헥산계 에폭시의 함량을 더 많이 추가한 실시예 2가 실시예 1보다 전기적 특성이 더 좋은 것을 알 수 있었다. As shown in Table 2, Table 3 and Figure 1 for Examples 1 and 2 to which the cyclohexane-based epoxy was applied, it was confirmed that the electrical reliability is good compared to Comparative Example 1 using a general BPA-based epoxy resin, cyclohexane It can be seen that Example 2, in which the content of the system epoxy is added, has better electrical characteristics than Example 1.

그리고 본딩 온도를 20℃ 이상 낮출 수 있게 되어 열 이력에 의해서 발생되는 Glass 휨을 2/3으로 줄일 수 있었다. In addition, the bonding temperature can be lowered by 20 ° C. or more, thereby reducing the glass warpage caused by the heat history to 2/3.

또한, 설포늄계 경화제가 아닌 포스포늄계 경화제를 사용한 비교예 4의 경우에는 열경화전 열적 특성 측정시 피크가 발생되지 않아 온도에 따른 열적 특성을 평가하기 어려웠으며, 경화가 불가하였다. 또한, 접속저항 값이 너무 높아 측정이 불가하였다. In addition, in the case of Comparative Example 4 using a phosphonium-based curing agent rather than a sulfonium-based curing agent, it was difficult to evaluate the thermal characteristics according to the temperature because no peak occurred when measuring the thermal characteristics before thermosetting, and curing was impossible. In addition, the connection resistance value was too high to measure.

이와 같이, 본 발명에 따른 사이클로헥산계 에폭시 수지, 설포늄계 경화제, 바인더 수지 및 도전성 입자를 이용한 저온 속경화형 이방 전도성 필름은 전기적 특성이 우수하고, 접속 신뢰성이 높은 것으로 나타났다. 따라서, 이러한 필름을 실제 LCD 모듈 상에 적용할 경우, LCD 실장 과정의 본압착 본딩 온도를 낮출 수 있게 되어 자재의 온도변화 및 경화 수축에 의한 휨 발생정도를 최소화할 수 있으며, 저온 본딩으로 인한 Misalign 방지 및 Fine pitch용 자재 대응, 라인 Tack time 감소 등의 여러 가지 효과를 낼 것으로 예측할 수 있다.As described above, the low-temperature fast-curing anisotropic conductive film using the cyclohexane-based epoxy resin, the sulfonium-based curing agent, the binder resin, and the conductive particles according to the present invention showed excellent electrical properties and high connection reliability. Therefore, when the film is applied on the actual LCD module, the main bonding bonding temperature of the LCD mounting process can be lowered to minimize the occurrence of warpage due to temperature change of the material and curing shrinkage, and misalignment due to low temperature bonding. It can be expected to produce various effects such as prevention, material handling for fine pitch, and reduction of line tack time.

도 1은 실시예 1~2 및 비교예 1~3에서 제조한 이방 도전성 필름용 조성물을 이용하여 형성된 이방 도전성 필름의 접속 신뢰성을 나타낸 그래프이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a graph which shows the connection reliability of the anisotropically conductive film formed using the composition for anisotropically conductive films manufactured in Examples 1-2 and Comparative Examples 1-3.

Claims (16)

a) 사이클로헥산계 에폭시 수지를 포함하는 에폭시 수지;a) an epoxy resin comprising a cyclohexane-based epoxy resin; b) 설포늄계 경화제;b) sulfonium-based curing agents; c) 바인더 수지; 및c) binder resins; And d) 도전성 입자d) conductive particles 를 포함하는 저온 속경화형 이방 전도성 필름용 조성물.Composition for low temperature rapid curing type anisotropic conductive film comprising a. 제1항에 있어서, 상기 조성물은The method of claim 1, wherein the composition a) 사이클로헥산계 에폭시 수지를 포함하는 에폭시 수지 100 중량부;a) 100 parts by weight of an epoxy resin including a cyclohexane-based epoxy resin; b) 설포늄계 경화제 0.05 내지 30 중량부;b) 0.05 to 30 parts by weight of a sulfonium-based curing agent; c) 바인더 수지 20 내지 300 중량부; 및c) 20 to 300 parts by weight of the binder resin; And d) 도전성 입자 1 내지 80 중량부로 포함되는 것을 특징으로 하는, 저온 속경화형 이방 전도성 필름용 조성물.d) 1 to 80 parts by weight of the conductive particles, characterized in that the composition for low temperature fast curing type anisotropic conductive film. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 설포늄계 경화제는 지방족 설포늄염, 방향족 설포늄염 및 이들의 혼합물 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는, 저온 속경화형 이방 전도성 필름용 조성물.The sulfonium-based curing agent is selected from aliphatic sulfonium salts, aromatic sulfonium salts, and mixtures thereof, the composition for a low-temperature fast curing type anisotropic conductive film. 제3항에 있어서, The method of claim 3, wherein 상기 설포늄계 경화제는 방향족 설포늄염인 것을 특징으로 하는, 저온 속경화형 이방 전도성 필름용 조성물.The sulfonium-based curing agent is an aromatic sulfonium salt, it characterized in that the low-temperature fast curing type anisotropic conductive film composition. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 사이클로헥산계 에폭시 수지는 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 가지며 사이클로헥산과 연결된 에폭시 링을 갖는 화합물인 것을 특징으로 하는, 저온 속경화형 이방 전도성 필름용 조성물.The cyclohexane-based epoxy resin is a compound having two or more epoxy groups in one molecule having an epoxy ring connected with cyclohexane, low-temperature fast curing type anisotropic conductive film composition. 제5항에 있어서, The method of claim 5, 상기 사이클로헥산계 에폭시 수지는 3,4-에폭시시클로헥실메틸-3,4-에폭시시클로헥산 카르복실레이트, 비스(3,4-에폭시시클로헥실)아디페이트, 비닐시클로헥센 디옥시드, 2-(3,4-에폭시시클로헥실-5,5-스피로-3,4-에폭시)시클로헥산-메타-디옥산 및 이들의 혼합물로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는, 저온 속경화형 이방 전도성 필름용 조성물.The cyclohexane epoxy resin is 3,4-epoxycyclohexylmethyl-3,4-epoxycyclohexane carboxylate, bis (3,4-epoxycyclohexyl) adipate, vinylcyclohexene dioxide, 2- (3 , 4-Epoxycyclohexyl-5,5-spiro-3,4-epoxy) cyclohexane-meta-dioxane, and mixtures thereof. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 에폭시 수지는 글리시딜기 함유 에폭시 수지를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는, 저온 속경화형 이방 전도성 필름용 조성물. The epoxy resin further comprises a glycidyl group-containing epoxy resin, the composition for a low-temperature fast curing type anisotropic conductive film. 제7항에 있어서, The method of claim 7, wherein 상기 글리시딜기 함유 에폭시 수지는 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 다관능성 페놀-노볼락 에폭시 수지, 크레졸 에폭시 수지 및 이들의 혼합물로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는, 저온 속경화형 이방 전도성 필름용 조성물.The glycidyl group-containing epoxy resin is selected from the group consisting of bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, polyfunctional phenol-novolac epoxy resin, cresol epoxy resin, and mixtures thereof, low temperature fast curing type Composition for anisotropic conductive film. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 바인더 수지는 폴리이미드 수지, 폴리아미드 수지, 페녹시 수지, 폴리 메타크릴레이트 수지, 폴리 아크릴레이트 수지, 폴리우레탄 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리에스테르우레탄 수지, 폴리비닐 부티랄 수지, 스타이렌-부티렌-스타이렌(SBS) 수지와 에폭시 변성체, 스타이렌-에틸렌-부틸렌-스타이렌(SEBS) 수지와 그 변성체 및 아크릴로니트릴 부타디엔 고무(NBR)와 그 수소화체로 구성된 군에서 선택된 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는, 저온 속경화형 이방 전도성 필름용 조성물.The binder resin is polyimide resin, polyamide resin, phenoxy resin, poly methacrylate resin, poly acrylate resin, polyurethane resin, polyester resin, polyester urethane resin, polyvinyl butyral resin, styrene-buty Any one selected from the group consisting of styrene-styrene (SBS) resins and epoxy modified compounds, styrene-ethylene-butylene-styrene (SEBS) resins and their modified bodies, and acrylonitrile butadiene rubber (NBR) and their hydrogenated bodies; The composition for low temperature fast-curing anisotropic conductive films characterized by the above. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 바인더 수지의 중량평균분자량은 5,000 내지 150,000인 것을 특징으로 하는, 저온 속경화형 이방 전도성 필름용 조성물.The weight average molecular weight of the binder resin is 5,000 to 150,000, characterized in that the composition for low temperature fast curing type anisotropic conductive film. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 도전성 입자는 Au, Ag, Ni, Cu 및 Pb을 포함하는 금속 입자; 탄소; 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에스테르, 폴리스티렌 및 폴리비닐알코올 중 선택된 어느 하나 이상의 수지 및 그 변성 수지를 입자로 하여 Au, Ag 및 Ni을 포함하는 금속으로 코팅한 입자; 및 그 위에 절연입자를 추가하여 코팅한 절연화 처리된 입자로 구성된 군에서 선택된 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는, 저온 속경화형 이방 전도성 필름용 조성물.The conductive particles are metal particles containing Au, Ag, Ni, Cu and Pb; carbon; Particles coated with a metal containing Au, Ag, and Ni, wherein the particles are any one or more resins selected from polyethylene, polypropylene, polyester, polystyrene, and polyvinyl alcohol, and modified resins thereof; And at least one selected from the group consisting of insulated particles coated by adding insulating particles thereon. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 조성물은 용제를 추가로 포함하고, 용제는 상기 에폭시 수지 100 중량부에 대하여 10 내지 300 중량부로 포함되는 것을 특징으로 하는, 저온 속경화형 이방 전도성 필름용 조성물. The composition further comprises a solvent, the solvent is 10 to 300 parts by weight based on 100 parts by weight of the epoxy resin, characterized in that the composition for low-temperature fast curing type anisotropic conductive film. 제12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 용제는 톨루엔, 자일렌, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 벤젠, 아세톤, 메틸에틸케톤, 테트라히드로 퓨란, 디메틸포름알데히드, 시클로헥사논 및 이들의 혼합물로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는, 저온 속경화형 이방 전도성 필름용 조성물.The solvent is selected from the group consisting of toluene, xylene, propylene glycol monomethyl ether acetate, benzene, acetone, methyl ethyl ketone, tetrahydrofuran, dimethylformaldehyde, cyclohexanone and mixtures thereof. Composition for fast curing anisotropic conductive film. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 조성물은 중합방지제, 산화방지제, 열안정제, 경화촉진제 및 커플링제 중 선택된 어느 하나 이상의 첨가제를 상기 에폭시 수지 100 중량부에 대하여 0.01 내지 5 중량부로 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 저온 속경화형 이방 전도성 필름용 조성물.The composition is a low-temperature fast curing anisotropic conductive, characterized in that it further comprises 0.01 to 5 parts by weight of any one or more additives selected from polymerization inhibitors, antioxidants, heat stabilizers, curing accelerators and coupling agents based on 100 parts by weight of the epoxy resin. Composition for film. 제1항의 저온 속경화형 이방 전도성 필름용 조성물로 형성된 저온 속경화형 이방 전도성 필름.A low temperature fast curing type anisotropic conductive film formed of the composition for low temperature fast curing type anisotropic conductive film of claim 1. 제15항에 있어서,The method of claim 15, 상기 이방 전도성 필름은 휨 정도(Warpage)가 0.3mmt 유리(glass)에서 15㎛ 미만이고, 초기 저항값이 1.8Ω 이하인 것을 특징으로 하는, 저온 속경화형 이방 전도성 필름.The anisotropic conductive film has a warpage degree (Warpage) less than 15㎛ in 0.3mmt glass (glass), the initial resistance value is characterized in that less than 1.8Ω, low temperature fast curing anisotropic conductive film.
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103160216A (en) * 2011-12-16 2013-06-19 第一毛织株式会社 Anisotropic conductive film and semiconductor device
US8766443B2 (en) 2011-12-14 2014-07-01 Cheil Industries, Inc. Anisotropic conductive film composition, anisotropic conductive film, and semiconductor device bonded by the same
WO2015057012A1 (en) * 2013-10-18 2015-04-23 삼성에스디아이 주식회사 Anisotropic conductive film composition harmless to human body, anisotropic conductive film, and semiconductor device connected by film
WO2016182143A1 (en) * 2015-05-08 2016-11-17 주식회사 영우티피 Thermoplastic polymer resin composition for conductive/antistatic film, preparation method therefor, and thermoplastic polymer resin for conductive/antistatic film, prepared thereby
US9540549B2 (en) 2011-12-19 2017-01-10 Cheil Industries, Inc. Anisotropic conductive film and semiconductor device bonded by the same
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102334671B1 (en) * 2019-12-16 2021-12-06 주식회사 노피온 Anisotropic conductive adhesive containing a polysiloxane resin which is a thermoplastic resin, a method of forming solder bumps and a method of manufacturing a bonded structure using the same
KR102354906B1 (en) * 2019-12-16 2022-01-25 주식회사 노피온 Anisotropic conductive adhesive containing polyurethane resin which is a thermoplastic resin, a method of forming solder bumps and a method of manufacturing a bonded structure using the same

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100815384B1 (en) * 2006-12-28 2008-03-20 제일모직주식회사 Composition for use in the formation of anisotropic conductive adhesive

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8766443B2 (en) 2011-12-14 2014-07-01 Cheil Industries, Inc. Anisotropic conductive film composition, anisotropic conductive film, and semiconductor device bonded by the same
CN103160216A (en) * 2011-12-16 2013-06-19 第一毛织株式会社 Anisotropic conductive film and semiconductor device
KR101355854B1 (en) * 2011-12-16 2014-01-29 제일모직주식회사 Anisotropic conductive film
US9540549B2 (en) 2011-12-19 2017-01-10 Cheil Industries, Inc. Anisotropic conductive film and semiconductor device bonded by the same
WO2015057012A1 (en) * 2013-10-18 2015-04-23 삼성에스디아이 주식회사 Anisotropic conductive film composition harmless to human body, anisotropic conductive film, and semiconductor device connected by film
WO2016182143A1 (en) * 2015-05-08 2016-11-17 주식회사 영우티피 Thermoplastic polymer resin composition for conductive/antistatic film, preparation method therefor, and thermoplastic polymer resin for conductive/antistatic film, prepared thereby
KR20170037280A (en) 2015-09-25 2017-04-04 삼성에스디아이 주식회사 Anisotropic conductive film and display device connected by the same
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