KR20110074175A - Half-tone mask for fine pattern - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A half-tone mask for a fine pattern is provided to embody a fine line width of a pixel by comprising supplementary half-tone pattern areas along a shading pattern line. CONSTITUTION: Shading pattern lines(110) forms transfer patterns formed on a transparent substrate. Supplementary half-tone pattern areas(120) are formed on each side of the shading pattern lines. A first supplementary pattern is placed close to the side of the shading pattern lines. A second supplementary pattern is formed on the transparent substrate. The second supplementary pattern is formed along the vertical direction of the first supplementary pattern.

Description

미세패턴 전사용 하프톤 마스크{Half-tone mask for fine pattern}Half-tone mask for fine pattern

본 발명은 LCD 미세 픽셀의 구현을 위한 포토마스크에 관한 것이다.The present invention relates to a photomask for the implementation of LCD fine pixels.

액정디스플레이(LCD)의 대형화 추세화 맞물려, LCD를 구성하는 픽셀패턴(Pixel pattern)의 미세화에 대한 관심이 증폭되고 있다.Increasingly, liquid crystal displays (LCDs) have become increasingly large in size, and interest in miniaturization of pixel patterns constituting LCDs has been amplified.

LCD의 미세 픽셀패턴을 구현하기 위하여 사용되는 포토마스크는 기본적으로 이러한 미세패턴을 구현하기 위하여 사용되는 포토마스크의 패턴을 미세화하는 공정이 선행적으로 필요하게 된다.A photomask used to implement a fine pixel pattern of an LCD basically requires a process of miniaturizing a pattern of a photomask used to implement such a fine pattern.

도 1a를 참조하면, (a) 이는 종래의 일반적인 투명기판(10) 상에 투과패턴(30)과 차광패턴(20)을 구비하는 포토마스크의 패턴 구조를 도시한 것으로, (b) 일반적인 패턴의 단면은 도시된 것과 같은 역 사다리꼴과 유사한 형태로 구현되게 된다(b)는 (a)의 차광패턴의 단면도를 도시한 것이다). (c) 그러나 이러한 차광패턴의 선폭(CD)가 극미세화 하는 과정에서는 미세 패턴의 구현과정에서 패턴이 유실되는 현상이 자주 발생하게 되어, 이러한 포토마스크를 가지고 제품에 패턴을 구현하는 포토리소그라피 공정을 수행한 결과 (c)에 도시된 것처럼, 패턴불량(P1)으로 이어지는 문제가 발생하게 된다.Referring to FIG. 1A, (a) illustrates a pattern structure of a photomask including a transmission pattern 30 and a light shielding pattern 20 on a conventional transparent substrate 10. The cross-section is implemented in a form similar to the inverted trapezoid as shown (b) shows a cross-sectional view of the light shielding pattern of (a)). (c) However, in the process of minimizing the line width (CD) of the light shielding pattern, the pattern is often lost during the implementation of the fine pattern. Thus, a photolithography process for implementing a pattern in a product with such a photomask is performed. As a result, as shown in (c), a problem leading to a pattern defect P 1 occurs.

이러한 문제를 해소하기 위하여, 도 1b의 (a) 및 (b)에 도시된 것과 같은 투명기판(10)의 투과패턴(30)과 미세 차광패턴(20)의 측면에 슬릿(40)을 포함하여 강한 노광량에 따른 패턴의 유실의 문제를 해결하고자 하였다.(b)는 (a)의 차광패턴의 단면도를 도시한 것이다). 그러나 1㎛ 이하의 미세 슬릿을 차광패턴을 따라 패터닝하는 공정은 극히 어려워, 제작공정에서 슬릿이 유실되거나, 오버 에칭으로 인해 손상을 입어 유실되거나, 슬릿 자체의 결함(defect)이 발생하여 패턴의 균일도(Uniformity)를 확보하기가 매우 어려운 문제가 발생하게 된다. 즉, (c)에 도시된 것처럼, 이러한 슬릿패턴의 결함이 발생하게 되는 경우, LCD에 전사한 후 이 결함에 따른 오류가 전사(P2, P3)되어 원하는 패턴을 형성하지 못하는 단점이 발생하게 된다.In order to solve this problem, the slits 40 are included on the side surfaces of the transparent pattern 10 and the fine light shielding pattern 20 of the transparent substrate 10 as shown in FIGS. 1B and 1B. The problem of the loss of the pattern according to the strong exposure amount was solved. (B) shows a cross-sectional view of the light shielding pattern of (a). However, the process of patterning fine slits of 1 μm or less along the light shielding pattern is extremely difficult, and in the manufacturing process, slits are lost, damaged due to over etching, or defects of the slits themselves occur, resulting in uniformity of the pattern. (Uniformity) is very difficult to secure problems. That is, as shown in (c), when a defect of such a slit pattern occurs, an error caused by the defect is transferred (P2, P3) after being transferred to the LCD, thereby causing a disadvantage of not forming a desired pattern. .

본 발명은 상술한 문제를 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은, 하프톤 마스크에 있어서 차광패턴을 따라 형성되는 보조하프톤패턴영역을 구비하여 미세 픽셀의 선 폭을 구현함과 동시에, 패턴의 균일성(Uniformity)을 확보할 수 있는 하프톤 마스크를 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problem, and an object of the present invention is to provide an auxiliary halftone pattern region formed along a light shielding pattern in a halftone mask to realize a line width of a fine pixel, It is to provide a halftone mask that can ensure the uniformity of the pattern (uniformity).

상술한 과제를 해결하기 위한 수단으로서, 본 발명은 미세패턴 전사용 하프톤 마스크에 있어서, 투명기판상에 형성되는 전사용 패턴을 형성하는 차광패턴라인; 상기 차광패턴라인의 측면에 인접하여 형성되는 보조하프톤패턴영역;을 포함하여 이루어지는 미세패턴 전사용 하프톤 마스크를 제공할 수 있도록 한다.As a means for solving the above problems, the present invention provides a half-tone mask for fine pattern transfer, comprising: a light shielding pattern line for forming a transfer pattern formed on a transparent substrate; It is possible to provide a fine pattern transfer halftone mask comprising a; auxiliary halftone pattern region formed adjacent to the side surface of the light shielding pattern line.

특히, 상기 차광패턴을 따라 형성되는 상기 보조하프톤패턴영역은, 상기 차광패턴라인의 측면에 접하는 제1보조패턴; 상기 투명기판상에 형성되며, 상기 제1보조패턴의 수직방향으로 형성되는 제2보조패턴으로 형성될 수 있도록 한다.In particular, the auxiliary halftone pattern region formed along the light blocking pattern may include: a first auxiliary pattern in contact with a side surface of the light blocking pattern line; It is formed on the transparent substrate, it can be formed as a second auxiliary pattern formed in the vertical direction of the first auxiliary pattern.

아울러, 상기 보조하프톤패턴영역은, 상기 차광패턴라인의 측면으로부터 0.5~1.5㎛의 폭을 가지도록 형성할 수 있다.In addition, the auxiliary halftone pattern region may be formed to have a width of 0.5 μm to 1.5 μm from a side surface of the light blocking pattern line.

또한, 본 발명에 따른 상기 보조하프톤패턴영역은, 상기 제1 보조패턴과 연결되며, 상기 차광패턴라인의 상부를 덮는 제3보조패턴층을 더 포함하여 형성될 수 있다.The auxiliary halftone pattern region may further include a third auxiliary pattern layer connected to the first auxiliary pattern and covering an upper portion of the light blocking pattern line.

특히, 상술한 본 발명에 따른 보조하프톤 패턴영역은, Mo, Si, Ta, W, Al, Cr, Hf, Zr, Me, V, Ni, Nb, Co, Ti을 주원소로 하여, 상기 주원소물질 또는 상기 주원소들 중 적어도 두 개 이상이 혼합된 복합 물질이거나, 상기 주원소 또는 복합 물질에 COx,Ox, Nx 중 적어도 하나가 첨가된 물질로 이루어지질 수 있다. (단, x는 자연수이다.)In particular, the auxiliary halftone pattern region according to the present invention described above, Mo, Si, Ta, W, Al, Cr, Hf, Zr, Me, V, Ni, Nb, Co, Ti as the main element, At least two of the elemental materials or the main elements may be a mixed material, or at least one of CO x , O x , and N x may be added to the main element or the composite material. (Where x is a natural number)

또한, 상술한 구조와는 다른 실시예로서 하프톤 마스크를 구성하는 것도 가능하다. 구체적으로는 미세패턴 전사용 하프톤 마스크에 있어서, 투명기판상에 형성되는 반투과물질로 형성되는 보조하프톤패턴영역; 상기 보조하프톤패턴영역 상에 형성되는 차광패턴영역;을 포함하되, 상기 보조하프톤 영역은 차광패턴영역의 하부에 형성되는 제4보조패턴층과 상기 차광패턴영역의 외부로 돌출되는 제5보조패턴층으로 형성되는 구조로 형성할 수 있으며, 특히 이 경우 상기 제5보조패턴층의 폭(Y1)은 0.5~1.5㎛로 형성될 수 있도록 한다.It is also possible to construct a halftone mask as an embodiment different from the above-described structure. Specifically, a half-tone mask for fine pattern transfer, comprising: an auxiliary halftone pattern region formed of a semi-transparent material formed on a transparent substrate; A light blocking pattern region formed on the auxiliary halftone pattern region, wherein the auxiliary halftone region includes a fourth auxiliary pattern layer formed under the light blocking pattern region and a fifth auxiliary projecting to the outside of the light blocking pattern region; It can be formed in a structure formed of a pattern layer, in this case in particular in this case the width (Y 1 ) of the fifth auxiliary pattern layer to be formed to be 0.5 ~ 1.5㎛.

본 발명에 따르면, 하프톤 마스크에 있어서 차광패턴을 따라 형성되는 보조하프톤패턴영역을 구비하여 미세 픽셀의 선폭을 구현함과 동시에, 패턴의 균일성(Uniformity)을 확보할 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, the halftone mask includes an auxiliary halftone pattern region formed along a light shielding pattern, thereby realizing the line width of the fine pixel and securing the uniformity of the pattern.

특히, 보조하프톤패턴영역을 이용하여 종래의 슬릿방식의 필링(Peeling) 또는 범위(Range)과 대비하여 그 품질면에서 현저한 향상을 구현할 수 있다.In particular, by using the auxiliary halftone pattern region, it is possible to realize a significant improvement in quality in comparison with the conventional slit-based peeling or range.

이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 구성 및 작용을 구체적 으로 설명한다. 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 도면 부호에 관계없이 동일한 구성요소는 동일한 참조부여를 부여하고, 이에 대한 중복설명은 생략하기로 한다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail the configuration and operation according to the present invention. In the description with reference to the accompanying drawings, the same components are given the same reference numerals regardless of the reference numerals, and duplicate description thereof will be omitted. The terms first, second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another.

도 2a는 본 발명에 따른 하프톤 마스크의 평면을 도시한 개념도이다.2A is a conceptual diagram illustrating a plane of a halftone mask according to the present invention.

(a)에 도시된 것처럼, 본 발명은 미세패턴 전사용 하프톤 마스크에 있어서, 투명기판상에 형성되는 전사용 패턴을 형성하는 차광패턴라인(110)이 구비되며, 특히 상기 차광패턴라인의 측면에 인접하여 형성되는 보조하프톤패턴영역(120)을 포함하여 형성될 수 있다. 즉 상기 보조하프톤패턴영역(120)은 종래의 슬릿(slit)의 형태가 빛의 회절현상을 이용하여 간섭되는 빛을 소멸시켜 광투과율을 조절하는 방식이 아닌 노광광의 투과율을 줄이는 방식으로 구현하는 것으로 미세패턴으로 형성되는 차광패턴에 노광에너지(Photo Energy)에 의해 오버 노광(over photo)되는 영역을 보상하여, 제품에 전사시에 (b)에 도시된 것처럼, 균일성(uniformity)이 확보된 픽셀패턴(Pixel pattern)을 구현할 수 있게 된다. 특히, 기 형성된 차광패턴상에 반투과물질층을 구현하는 방식으로 형성이 되는바, 패턴이 무너지거나 유실될 염려가 없어 신뢰성을 확보할 수 있게 된다.As shown in (a), the present invention includes a light shielding pattern line 110 for forming a transfer pattern formed on a transparent substrate in a fine pattern transfer halftone mask, and particularly, the side surface of the light shielding pattern line. It may be formed including an auxiliary halftone pattern region 120 formed adjacent to. That is, the auxiliary halftone pattern region 120 is implemented by reducing the transmittance of exposure light, rather than adjusting the light transmittance by extinguishing the interference light by the conventional slit form using the diffraction phenomenon of light. By compensating for the area that is over-exposed by photo energy in the light shielding pattern formed by the fine pattern, uniformity is ensured as shown in (b) at the time of transferring to the product. It is possible to implement a pixel pattern. In particular, since the semi-transparent material layer is formed on the pre-formed light shielding pattern, there is no fear that the pattern may collapse or be lost, thereby ensuring reliability.

도 2b 및 도 2c는 본 발명에 따른 보조하프톤영역(120)을 구비한 도 2a의 (a)의 단면을 중심으로 하프톤마스크의 요부를 도시한 개념도이다.2B and 2C are conceptual views illustrating main parts of a halftone mask around a cross section of FIG. 2A (a) having an auxiliary halftone region 120 according to the present invention.

구체적으로는 투명기판(100)상에 차광패턴라인(110)이 형성되며, 상기 차광 패턴라인의 측면과 상부면을 덮은 보조하프톤영역(120)이 형성된 구조이다. 그 외에는 광이 완전투과하는 투과부가 된다.Specifically, the light blocking pattern line 110 is formed on the transparent substrate 100, and the auxiliary halftone region 120 is formed to cover the side surface and the top surface of the light blocking pattern line. Other than that, it becomes a transmission part through which light passes completely.

특히, 상기 차광패턴라인(110)에 형성되는 보조하프톤영역(120)은 상기 차광패턴라인(110)의 측면에 접하는 제1보조패턴(X2)과 상기 제1보조패턴의 수직방향으로 형성되는 제2보조패턴(X1)이 형성된다. 상기 제1 및 제2보조패턴(X2)는 실제로는 도 2a에 도시된 것처럼 차광패턴라인을 따라서 형성되게 된다.In particular, the auxiliary halftone region 120 formed in the light shielding pattern line 110 is formed in the vertical direction of the first auxiliary pattern X2 and the first auxiliary pattern which are in contact with the side surface of the light blocking pattern line 110. The second auxiliary pattern X 1 is formed. The first and second auxiliary patterns X 2 are actually formed along the light shielding pattern line as shown in FIG. 2A.

특히, 바람직하게는 상기 제1 및 제2보조패턴의 폭(T1)은 상기 차광패턴라인의 측면으로부터 0.5㎛~1.5㎛의 폭을 가지는 것이 바람직하다.In particular, preferably, the width T 1 of the first and second auxiliary patterns has a width of 0.5 μm to 1.5 μm from the side surface of the light blocking pattern line.

물론, 본 발명에 따른 보조하프톤패턴영역은 차광패턴라인의 측면부를 둘러사는 제1보조패턴과 연결되는 상기 차광패턴라인의 상부를 덮는 제3보조패턴층(X3)을 포함하여 형성될 수 있다.Of course, the auxiliary halftone pattern region according to the present invention may include a third auxiliary pattern layer (X3) covering the upper portion of the light shielding pattern line connected to the first auxiliary pattern surrounding the side portion of the light shielding pattern line. .

이러한 구조의 본 발명에 따른 하프톤 마스크에 의하면, 노광되는 광(L)이 패턴이 형성되지 않는 투명기판영역인 투과부는 완전투과하며, 차광패턴라인(110)이 형성되는 부분은 차광되며, 보조하프톤패턴영역으로 제1 및 제2 보조패턴을 지나는 광은 그 투과율이 감소하게 되어 , 실제 노광후 제품(140) 상의 감광물질의 이미지(130)가 정확하게 구현되며, 이는 미세패턴화 되는 경우에도 노광에너지(Photo Energy)에 의해 오버 노광(over photo)되는 영역을 보상하여, 제품에 전사시에 도 2a의 (b)에 도시된 것처럼, 균일성(uniformity)이 확보된 픽셀패턴(Pixel pattern)을 구현할 수 있게 된다.According to the halftone mask according to the present invention having the above structure, the transmissive part, which is the transparent substrate region where the light L is exposed, is not formed with the pattern, is completely transmitted, and the part where the light shielding pattern line 110 is formed is shielded, and the auxiliary The light passing through the first and second auxiliary patterns to the halftone pattern region is reduced in transmittance, so that the image 130 of the photosensitive material on the actual product 140 after exposure is accurately realized, even when fine patterning is performed. Pixel pattern in which uniformity is ensured by compensating an area over photo by photo energy and transferring to a product, as shown in FIG. 2A (b). Can be implemented.

도 3은 본 발명에 따른 하프톤 마스크의 제조공정을 개략적으로 도시한 공정도이다.3 is a process diagram schematically illustrating a manufacturing process of a halftone mask according to the present invention.

본 발명에 따른 하프톤 마스크는, (S1) 우선, 투명기판상에 차광물질로 구현되는 메탈층(110')을 형성한다. 도시된 도면은 단면을 도시한 것이나, 원래는 대형화된 기판의 전면에 메탈층을 형성하게 된다. 상기 메탈층은 광을 완전차단하는 물질로 형성되는 것이 바람직하며, 일례로는 또는 CrO2재를 이용할 수 있다.In the halftone mask according to the present invention, (S 1 ), first, a metal layer 110 ′ formed of a light blocking material is formed on a transparent substrate. The illustrated figure shows a cross section, but originally forms a metal layer on the entire surface of the enlarged substrate. The metal layer is preferably formed of a material that completely blocks light, and for example, CrO 2 material may be used.

(S2) 다음으로, 상기 메탈층상에 감광물질을 도포하고, 노광 현상공정을 통해 차광패턴라인(110)을 형성한다. 이후 감광물질을 박리하는 공정이 더 수행될 수 있다.(S 2 ) Next, a photosensitive material is coated on the metal layer, and the light shielding pattern line 110 is formed through an exposure developing process. Thereafter, the process of peeling the photosensitive material may be further performed.

(S3) 이후에는 상기 차광패턴라인이 형성된 투명기판에 전체적으로 반투과물질층(120')을 도포하여 형성한다. 상기 반투과물질층은 투과율이 10~99%의 성질을 가지는 것으로, 일예로서 Mo, Si, Ta, W, Al, Cr, Hf, Zr, Me, V, Ni, Nb, Co, Ti을 주원소로 하여, 상기 주원소물질(주원소로만 이루어진 물질) 또는 상기 주원소들 중 적어도 두 개 이상이 혼합된 복합 물질이거나, 상기 주원소 또는 복합 물질에 COx,Ox, Nx 중 적어도 하나가 첨가된 물질인 것이 바람직하다. 상기 첨자는 결합되는 주원소에 따라 변하는 자연수이다. 예를 들면 CrxOy, CrxCOy, CrxOyNz, SixOy, SixOyNz, SixCOy, SixCOyNz, MoxSiy, MoxOy,MoxOyNz, MoxCOy, MoxOyNz, MoxSiyOz, MoxSiyOzN MoxSiyCOzN, MoxSiyCOz, TaxOy, TaxOyNz, TaxCOy, TaxOyNz, AlxOy, AlxCOy, AlxOyNz, AlxCOyNz, TixOy, TixOyNz, TixCOy 중 어느 하나 또는 이들의 조합된 물질을 사용할 수 있다. 상기 첨자 x,y 및 z는 자연수로서 각 화학 원소의 개수를 의미한다.After S 3 , the semi-transmissive material layer 120 ′ is applied to the transparent substrate on which the light shielding pattern line is formed. The transflective material layer has a property of 10 to 99% transmittance, and as an example, Mo, Si, Ta, W, Al, Cr, Hf, Zr, Me, V, Ni, Nb, Co, Ti Thus, the main element material (material consisting only of the main element) or a composite material of at least two or more of the main elements are mixed, or at least one of CO x , O x , N x to the main element or the composite material It is preferred that it is an added substance. The subscript is a natural number that varies depending on the major element to which it is bound. For example, Cr x O y , Cr x CO y , Cr x O y N z , Si x O y , Si x O y N z , Si x CO y , Si x CO y N z , Mo x Si y , Mo x O y, Mo x O y N z, Mo x CO y, Mo x O y N z, Mo x Si y O z, Mo x Si y O z N Mo x Si y CO z N, Mo x Si y CO z , Ta x O y , Ta x O y N z , Ta x CO y , Ta x O y N z , Al x O y , Al x CO y , Al x O y N z , Al x CO y N z , Any one of Ti x O y , Ti x O y N z , Ti x CO y or a combination thereof may be used. The subscripts x, y and z are natural numbers and represent the number of each chemical element.

(S4)다음으로, 상기 반투과물질층(120')의 상부에 감광물질을 도포하고, 본 발명에 따른 제1보조패턴과 제2보조패턴이 보조하프톤패턴영역(120)을 구현되도록 노광, 현상한다.(S 4 ) Next, a photosensitive material is coated on the semi-transparent material layer 120 ′, and the first and second auxiliary patterns according to the present invention implement the auxiliary halftone pattern region 120. Exposure and development.

상술한 제조공정에 따른 본 발명의 보조하프톤패턴영역을 이용한 하프톤 마스크는 미세 픽셀패턴 구현가능 및 패턴의 균일도(Uniformity) 확보할 수 있는 장점이 있으며, 특히 종래의 기술로서 슬릿방식이 갖는 제조상의 난점 및 적용상의 불량률의 증가의 문제를 일소하여 신뢰도 높은 미세 픽셀패턴을 형성할 수 있게 된다.Halftone mask using the auxiliary halftone pattern region of the present invention according to the above-described manufacturing process has the advantage that can implement a fine pixel pattern and ensure the uniformity of the pattern (Uniformity), in particular, the conventional technology has a slit method It is possible to form a highly reliable fine pixel pattern by eliminating the problem of difficulty and increasing the defective rate of application.

도 4는 상술한 본 발명의 실시예와는 다른 구조의 실시예를 도시한 것이다.Figure 4 shows an embodiment of a structure different from the above-described embodiment of the present invention.

즉, 상술한 구조와의 차이는 보조하프톤패턴영역(130)이 투명기판상(100)에 먼저 형성되고, 상기 보조하프톤패턴영역(130)의 상부에 차광패턴영역(140)이 형성되는 구조이다. 구체적으로는 상기 보조하프톤패턴영역(130)은 차광패턴영역의 하부에 형성되는 제4보조패턴층(폭: Y2)과 상기 차광패턴영역의 외부로 돌출되는 제5보조패턴층(폭:Y1)으로 형성되며, 상기 제5보조패턴층의 폭(Y1)은 0.5~1.5㎛로 형성될 수 있도록 한다. 아울러 상기 보조하프톤패턴영역을 형성하는 물질은 전술한 실시예의 보조하프톤패턴영역의 구성물질과 동일하게 적용가능하다.That is, the difference from the above structure is that the auxiliary halftone pattern region 130 is first formed on the transparent substrate 100, and the light shielding pattern region 140 is formed on the auxiliary halftone pattern region 130. Structure. Specifically, the auxiliary halftone pattern region 130 includes a fourth auxiliary pattern layer (width: Y 2 ) formed under the light shielding pattern region and a fifth auxiliary pattern layer (width: protruding outside the light shielding pattern region). Y 1 ), and the width (Y 1 ) of the fifth auxiliary pattern layer may be formed to 0.5 ~ 1.5㎛. In addition, the material forming the auxiliary halftone pattern region may be applied in the same manner as the material of the auxiliary halftone pattern region of the above-described embodiment.

도 4의 제5보조하프톤패턴영역은 도 2a에서 나타난 평면도 상의 보조하프톤 영역(120)의 형상으로 도출되며, 동일한 기능을 수행할 수 있게 됨은 물론이다.The fifth auxiliary halftone pattern region of FIG. 4 is derived in the shape of the auxiliary halftone region 120 on the plan view shown in FIG. 2A, and of course, the same function can be performed.

전술한 바와 같은 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시예에 관해 설명하였다. 그러나 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서는 여러 가지 변형이 가능하다. 본 발명의 기술적 사상은 본 발명의 기술한 실시예에 국한되어 정해져서는 안 되며, 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.In the foregoing detailed description of the present invention, specific examples have been described. However, various modifications are possible within the scope of the present invention. The technical idea of the present invention should not be limited to the embodiments of the present invention but should be determined by the equivalents of the claims and the claims.

도 1a 및 도 1b는 종래의 미세패턴을 구현하는 포토마스크의 구조와 이에 따른 문제점을 도시한 도면이다.1A and 1B are diagrams illustrating a structure of a photomask that implements a conventional micropattern and a problem thereof.

도 2a는 본 발명에 따른 하프톤 마스크의 평면도, 도 2b는 본 발명의 요부의 단면도, 도 2c는 본 발명의 작용상태를 나타내는 개념도이다.2A is a plan view of a halftone mask according to the present invention, FIG. 2B is a sectional view of an essential part of the present invention, and FIG. 2C is a conceptual diagram showing an operating state of the present invention.

도 3은 본 발명에 따른 하프톤 마스크의 제조공정도이다.3 is a manufacturing process diagram of a halftone mask according to the present invention.

도 4는 본 발명에 따른 다른 실시예로서의 하프톤 마스크의 요부 개념도이다.4 is a conceptual diagram of main parts of a halftone mask as another embodiment according to the present invention.

Claims (7)

미세패턴 전사용 하프톤 마스크에 있어서,In the halftone mask for fine pattern transfer, 투명기판상에 형성되는 전사용 패턴을 형성하는 차광패턴라인;A light shielding pattern line forming a transfer pattern formed on the transparent substrate; 상기 차광패턴라인의 측면에 인접하여 형성되는 보조하프톤패턴영역;An auxiliary halftone pattern region formed adjacent to a side surface of the light shielding pattern line; 을 포함하여 이루어지는 미세패턴 전사용 하프톤 마스크.Halftone mask for fine pattern transfer comprising a. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 보조하프톤패턴영역은,The auxiliary halftone pattern region, 상기 차광패턴라인의 측면에 접하는 제1보조패턴;A first auxiliary pattern in contact with a side surface of the light blocking pattern line; 상기 투명기판상에 형성되며, 상기 제1보조패턴의 수직방향으로 형성되는 제2보조패턴으로 형성되는 것을 특징으로 하는 미세페턴 전사용 하프톤 마스크.And a second auxiliary pattern formed on the transparent substrate and formed in a vertical direction of the first auxiliary pattern. 청구항 2에 있어서,The method according to claim 2, 상기 보조하프톤패턴영역은,The auxiliary halftone pattern region, 상기 차광패턴라인의 측면으로부터 0.5~1.5㎛의 폭(T1)을 가지는 것을 특징으로 하는 미세패턴 전사용 하프톤 마스크.A half-tone mask for fine pattern transfer, characterized in that it has a width (T 1 ) of 0.5 ~ 1.5㎛ from the side of the light shielding pattern line. 청구항 1 내지 3중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 보조하프톤패턴영역은,The auxiliary halftone pattern region, 상기 제1 보조패턴과 연결되며,It is connected to the first auxiliary pattern, 상기 차광패턴라인의 상부를 덮는 제3보조패턴층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 미세패턴 전사용 하프톤 마스크.And a third auxiliary pattern layer covering an upper portion of the light shielding pattern line. 청구항 4에 있어서,The method according to claim 4, Mo, Si, Ta, W, Al, Cr, Hf, Zr, Me, V, Ni, Nb, Co, Ti을 주원소로 하여, Mo, Si, Ta, W, Al, Cr, Hf, Zr, Me, V, Ni, Nb, Co, Ti as main elements, 상기 주원소물질 또는 상기 주원소들 중 적어도 두 개 이상이 혼합된 복합 물질이거나, 상기 주원소 또는 복합 물질에 COx,Ox, Nx 중 적어도 하나가 첨가된 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 미세패턴 전사용 하프톤 마스크. (단, x는 자연수이다.)For the fine pattern transfer, characterized in that the main element material or a composite material in which at least two or more of the main elements are mixed or a material in which at least one of COx, Ox and Nx is added to the main element or the composite material Halftone Mask. (Where x is a natural number) 미세패턴 전사용 하프톤 마스크에 있어서,In the halftone mask for fine pattern transfer, 투명기판상에 형성되는 반투과물질로 형성되는 보조하프톤패턴영역;An auxiliary halftone pattern region formed of a semi-transparent material formed on a transparent substrate; 상기 보조하프톤패턴영역 상에 형성되는 차광패턴영역;을 포함하되,And a light shielding pattern region formed on the auxiliary halftone pattern region. 상기 보조하프톤 영역은 차광패턴영역의 하부에 형성되는 제4보조패턴층과 상기 차광패턴영역의 외부로 돌출되는 제5보조패턴층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 미세패턴 전사용 하프톤 마스크.The auxiliary halftone region may include a fourth auxiliary pattern layer formed under the light shielding pattern region and a fifth auxiliary pattern layer protruding to the outside of the light shielding pattern region. 청구항 6에 있어서,The method according to claim 6, 상기 제5보조패턴층의 폭(Y1)은 0.5~1.5㎛로 형성되는 것을 특징으로 하는 미세패턴 전사용 하프톤 마스크.The width Y 1 of the fifth auxiliary pattern layer is 0.5 to 1.5 μm, characterized in that the fine pattern transfer halftone mask.
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